KR20170109418A - 유기 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
Description
본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기발광현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기발광현상의 원리는 다음과 같다. 양극과 음극 사이에 유기물 층을 위치시켰을 때 두 전극을 통하여 특정 유기 분자의 내부 사이에 전압을 걸어주게 되면 음극과 양극으로부터 각각 전자와 정공이 유기물 층으로 주입된다. 유기물 층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기발광소자는 일반적으로 애노드와 캐소드 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함하는 유기물층을 포함할 수 있다.
유기발광소자는 발광성 유기 화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광 현상을 이용한 자체 발광형 소자를 의미하며, 디스플레이, 조명 등 다양한 산업 분야에서 차세대 소재로 관심을 받고 있다.
이와 같은 유기발광소자의 구동전압을 낮추어 유기발광소자의 발광효율을 높이기 위한 기술의 개발이 필요하다.
본 명세서는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 애노드; 상기 애노드에 대향하여 구비된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 구비된 전자수송층을 포함하며, 상기 전자수송층은 제1 전자수송층 및 제2 전자수송층을 포함하고, 상기 제1 전자수송층은 상기 발광층에 접하여 구비되며, 상기 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 이하인 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 전술한 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 제1 전자수송층에서 발광층으로 전자가 이동할 때의 장벽(barrier)에 polaron binding 에너지가 기여하는 정도를 낮춰 유기 발광 소자의 저전압 및 고효율을 구현할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광소자의 적층구조의 일 예를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 애노드; 상기 애노드에 대향하여 구비된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 구비된 전자수송층을 포함하며, 상기 전자수송층은 제1 전자수송층 및 제2 전자수송층을 포함하고, 상기 제1 전자수송층은 상기 발광층에 접하여 구비되며, 상기 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 이하인 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 이하일 때, 제1 전자수송층에서 polaron binding 에너지에 의해 전자가 느끼는 추가의 장벽(barrier)이 LUMO 에너지 차이 만큼 영향을 주는 것을 회피하여 유기 발광 소자의 저전압 및 고효율을 구현할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 재배향 에너지는 polaron binding 에너지(Epol=lambda/2)에 의한 전자의 안정화 에너지를 의미하며, 전자의 에너지를 안정화함에 따라 전자가 인접층으로 이동할 때 느끼는 장벽(barrier)이 증가할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 재배향 에너지는 전자의 재배향 에너지를 의미한다.
본 명세서에서 전자의 재배향 에너지는 하기 식 1에 의하여 구할 수 있다.
[식 1]
상기 식 1에 있어서,
본 명세서에서 상기 재배향 에너지의 계산에서 분자 구조의 최적화 및 각각의 에너지의 계산은 엑설리스(Accelrys)사의 양자 화학 계산 프로그램인 Dmol3를 이용하여, BPW91 범함수와 dnd 기저함수를 이용하여 밀도범함수 이론(DFT)으로 구하였다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이에 대한 상기 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 0 초과 1 이하이다. 상기의 경우, 제1 전자수송층에서 발광층으로 전자가 이동할 때의 장벽(barrier)에 polaron binding 에너지가 기여하는 정도를 낮춰 유기 발광 소자의 저전압 및 고효율을 구현할 수 있다.
예컨대, 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이가 0.1eV인 경우, 상기 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 0.1eV 이하이다.
본 명세서에 있어서, LUMO 에너지 준위는 전기 화학적 방법인 순환 전압 전류법(CV, cyclic voltammetry)과 분광학적인 방법(UV-Vis spectroscopy 및 Photoelectron spectroscopy(PS))을 이용하여 측정할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 전자수송층은 상기 제1 전자수송층에 접하여 구비된다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 캐소드와 제2 전자수송층 사이에 구비된 전자주입층을 포함한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 전자수송층의 LUMO 에너지 값은 2eV 내지 5eV이다. 상기 제2 전자수송층의 LUMO 에너지 값이 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 전자주입층으로부터 주입된 전자가 제2 전자수송층으로 이동하는 장벽 에너지를 낮춰 전자 주입층으로부터의 전자 주입(electron injection)된 전자의 이동성이 우수하다는 장점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전자수송층은 하기 화합물 중 어느 하나 이상을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제 2 전자수송층의 재료로 사용되는 물질은 LUMO 에너지 값이 2eV 내지 5eV 범위인 물질이라면, 당 기술분야에 알려져 있는 재료를 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전자수송층의 두께는 5nm 내지 10nm이다. 상기 제1 전자수송층의 두께가 상기 범위를 만족하는 경우, 제1 전자수송층에서 전하 이동을 원활하게 하여 유기 발광 소자의 저전압 및 고효율을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층 및 전자차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 구비된 전자수송층을 포함하며, 상기 전자수송층은 제1 전자수송층 및 제2 전자수송층을 포함하며, 상기 상기 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 이하인 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 발광층, 제1 전자수송층, 제2 전자수송층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 발광층, 제1 전자수송층, 제2 전자수송층 및 전자주입층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 전자주입층, 제2 전자수송층, 제1 전자수송층, 발광층, 전자차단층, 정공수송층, 정공주입층 및 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타난 것도 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(1) 위에 애노드(2), 발광층(3), 제1 전자수송층(4), 제2 전자수송층(5) 및 캐소드(6)가 순사적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 도 1에서 제1 전자수송층은 재배향 에너지는 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 이하이다.
상기 도 1은 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 정공주입층, 정공수송층 및 전자차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 발광 소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공 차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자일 수 있다. 이 경우, 상기 기판은 플렉서블 재료를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 기판은 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 기판 또는 필름 형태의 기판일 수 있다.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 PET, PEN, PEEK 및 PI 등의 필름을 단층 또는 복층의 형태로 포함하는 것일 수 있다.
본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 상기 유기발광소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외, 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 상기 조명 장치에서 상기 유기발광소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외, 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
실시예 1
ITO (indium tin oxide)가 1,300 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며 증류수로는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 건식 세정한 후 진공 증착기로 기판을 이송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 화합물인 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 (hexanitrilehexaazatriphenylene: 이하 HAT라 함)을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 박막을 형성하였다. 이 박막에 의하여 기판과 정공주입층 사이의 계면 특성을 향상시킬 수 있다. 이어서, 상기 박막 위에 하기 화학식 HT-1의 화합물을 1,200Å의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하고, 그 위에 발광층의 호스트로 하기 H1(2-methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (MADN))과 도판트로 하기 D1의 화합물을 200 Å 두께로 진공증착하였다. 상기 발광층 위에 하기 화합물 1을 사용하여 제1 전자수송층을 100 Å 두께로 진공증착하였다. 상기 제1 전자수송층 위에 화합물 ET 1을 사용하여 200Å 두께의 제2 전자수송층을 진공증착하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 10Å 두께의 리튬 플루오라이드 (LiF)와 1,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.3 ~ 0.8 Å/sec로 유지하였다. 또한,
음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 1.5 내지 2.5 Å/sec의 증착 속도를 유지하였다. 증착시 진공도는 1 ~ 3×10-7로 유지하였다.
[HAT]
[H1]
[D1]
[HT-1]
[화합물 1]
[ET1]
실시예 2
실시예 1에서 제1 전자수송층으로 상기 화합물 1 대신 하기 화합물 2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실험하였다.
[화합물 2]
실시예 3
실시예 1에서 제1 전자수송층으로 상기 화합물 1 대신 하기 화합물 3을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실험하였다.
[화합물 3]
비교예 1
실시예 1에서 제1 전자수송층으로 상기 화합물 1 대신 하기 화합물 A를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실험하였다.
[화합물 A]
비교예 2
실시예 1에서 제1 전자수송층으로 상기 화합물 1 대신 하기 화합물 B를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실험하였다.
[화합물 B]
비교예 3
실시예 1에서 제1 전자수송층으로 상기 화합물 1 대신 하기 화합물 C를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실험하였다.
[화합물 C]
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3에 의하여 제조된 유기 발광 소자 제1 전자수송층에 사용된 화합물의 물성은 표 1과 같고, 상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3에 의하여 제조된 유기 발광 소자를 10 mA/Cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20 mA/Cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(T95)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
화합물 | HOMO (eV) |
LUMO (eV) |
Gap (eV) |
제1 전자수송층의 재배향 에너지 (ev) |
발광층과 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 (eV) |
제1 전자수송층의 재배향 에너지/ 발광층과 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 | |
실시예 1 | 화합물 1 | 5.85 | 2.75 | 3.1 | 0.14 | 0.25 | 0.56 |
실시예 2 | 화합물 2 | 5.79 | 2.78 | 3.02 | 0.18 | 0.28 | 0.64 |
실시예 3 | 화합물 3 | 5.87 | 2.78 | 3.09 | 0.11 | 0.28 | 0.39 |
비교예 1 | 화합물 A | 6.14 | 2.76 | 3.38 | 0.31 | 0.26 | 1.19 |
비교예 2 | 화합물 B | 5.81 | 2.79 | 3.02 | 0.33 | 0.29 | 1.14 |
비교예 3 | 화합물 C | 6.13 | 2.71 | 3.42 | 0.27 | 0.21 | 1.29 |
화합물 | 전압 (V@10mA/cm2) |
효율 (cd/A@10mA/cm2) |
광속효율 (Lm/W) |
η (QE) |
색좌표 (x,y) |
수명(h) T95 at 20mA/Cm2 |
|
실시예 1 | 화합물 1 | 4.07 | 5.90 | 4.55 | 6.36 | (0.312,0.120) | 90 |
실시예 2 | 화합물 2 | 4.32 | 5.74 | 4.18 | 5.84 | (0.132,0.134) | 112 |
실시예 3 | 화합물 3 | 4.16 | 5.79 | 4.37 | 6.24 | (0.132,0.124) | 94 |
비교예 1 | 화합물 A | 4.67 | 5.58 | 3.08 | 4.66 | (0.132,0.133) | 85 |
비교예 2 | 화합물 B | 4.41 | 5.16 | 3.68 | 5.38 | (0.131,0.129) | 74 |
비교예 3 | 화합물 C | 4.50 | 5.08 | 3.55 | 5.47 | (0.132,0.121) | 67 |
상기 표 1과 같이 상기 실시예 1 내지 3의 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 발광층과 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 이하이나, 비교예 1 내지 3의 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 발광층과 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 보다 큰 것을 알 수 있다. 또한, 상기 실시예 1 내지 3의 발광층과 제1 전자수송층 간의 LUMO에너지 차이에 대한 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 1 이하임을 알 수 있다. 상기 재배향 에너지를 가지는 화합물 1 내지 3을 사용하여 제조된 실시예 1 내지 3과 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자를 비교한 표 2에서 실시예 1 내지 3의 유기발광 소자가 비교예 1 내지 3의 유기 발광 소자에 비하여, 전압이 낮고, 효율 및 수명이 우수함을 알 수 있었다.
상기 표 2에서 η는 전류 밀도에 따른 양자 효율(Quantum Efficiency)을 의미한다.
1: 기판
2: 애노드
3: 발광층
4: 제1 전자수송층
5: 제2 전자수송층
6: 캐소드
2: 애노드
3: 발광층
4: 제1 전자수송층
5: 제2 전자수송층
6: 캐소드
Claims (8)
- 애노드;
상기 애노드에 대향하여 구비된 캐소드; 및
상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 구비된 전자수송층을 포함하며,
상기 전자수송층은 제1 전자수송층 및 제2 전자수송층을 포함하고,
상기 제1 전자수송층은 상기 발광층에 접하여 구비되며,
상기 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이 이하인 것인 유기 발광 소자. - 청구항 1에 있어서, 상기 발광층과 상기 제1 전자수송층 간의 LUMO 에너지 차이에 대한 상기 제1 전자수송층의 재배향 에너지는 0 초과 1 이하인 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제2 전자수송층은 상기 제1 전자수송층에 접하여 구비되는 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제2 전자수송층의 LUMO 에너지 값은 2eV 내지 5eV인 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전자수송층의 두께는 5nm 내지 10nm인 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
- 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치.
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3483153A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-15 | Novaled GmbH | Compounds comprising triazine group, fluorene-group and aryl group and their use in organic electronic devices |
US20230090371A1 (en) * | 2019-11-29 | 2023-03-23 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070076521A1 (en) | 2005-08-15 | 2007-04-05 | Glasgow Ian K | Agitator with integrated dual independent flow control |
JP2008270736A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
KR20120042877A (ko) * | 2009-07-31 | 2012-05-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
JP2013211550A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-10 | Dow Global Technologies Llc | 電荷輸送層およびそれを含有する膜 |
KR20150126527A (ko) * | 2014-05-02 | 2015-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
JP6288092B2 (ja) * | 2013-08-16 | 2018-03-07 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光装置、照明装置、表示装置及び電子機器 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4158562B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2008-10-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
JPWO2005085387A1 (ja) * | 2004-03-08 | 2007-12-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100695307B1 (ko) | 2005-07-29 | 2007-03-14 | 한양대학교 산학협력단 | 유기발광소자 및 그 제조방법 |
WO2007083918A1 (en) | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Lg Chem. Ltd. | Oled having stacked organic light-emitting units |
JP5194596B2 (ja) | 2007-07-11 | 2013-05-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
KR100894627B1 (ko) | 2008-01-15 | 2009-04-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
TWI472074B (zh) | 2008-03-17 | 2015-02-01 | Nippon Steel & Sumikin Chem Co | Organic electroluminescent elements |
WO2010039009A2 (ko) * | 2008-10-01 | 2010-04-08 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
JP4474493B1 (ja) * | 2009-07-31 | 2010-06-02 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
US8242489B2 (en) | 2009-12-17 | 2012-08-14 | Global Oled Technology, Llc. | OLED with high efficiency blue light-emitting layer |
KR101223615B1 (ko) | 2010-12-31 | 2013-01-17 | 서울대학교 산학협력단 | 인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 |
JP5973661B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-08-23 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子 |
EP2731115B1 (en) | 2012-11-07 | 2014-10-22 | Honeywell Romania S.R.L. | Dye sensitized solar cells and methods of making same |
EP2930763B1 (en) * | 2012-12-10 | 2020-07-29 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence element, illumination device and display device |
KR101944483B1 (ko) | 2013-12-26 | 2019-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
KR101542714B1 (ko) * | 2014-04-04 | 2015-08-12 | 주식회사 엘지화학 | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
US20170222159A1 (en) * | 2014-07-29 | 2017-08-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Electron buffering material and organic electroluminescent device |
CN104167428A (zh) * | 2014-07-30 | 2014-11-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及显示装置 |
KR101641781B1 (ko) * | 2014-09-12 | 2016-07-21 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
KR101803599B1 (ko) * | 2014-09-12 | 2017-12-01 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
KR20160033512A (ko) | 2014-09-18 | 2016-03-28 | 엘에스산전 주식회사 | 케이블 설치형 충전 제어 장치 및 그 동작 방법 |
KR101709379B1 (ko) * | 2014-10-01 | 2017-02-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
KR101560102B1 (ko) * | 2014-11-20 | 2015-10-13 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
GB2544096A (en) * | 2015-11-06 | 2017-05-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Tetracenothiophene derivatives with alkoxy-c-alkyne solubilising units and their applications as organic semiconductors |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20070076521A1 (en) | 2005-08-15 | 2007-04-05 | Glasgow Ian K | Agitator with integrated dual independent flow control |
JP2008270736A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
KR20120042877A (ko) * | 2009-07-31 | 2012-05-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
JP2013211550A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-10 | Dow Global Technologies Llc | 電荷輸送層およびそれを含有する膜 |
JP6288092B2 (ja) * | 2013-08-16 | 2018-03-07 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、発光装置、照明装置、表示装置及び電子機器 |
KR20150126527A (ko) * | 2014-05-02 | 2015-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
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