KR20170075273A - 발광 소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

실시 예의 발광 소자 패키지는 몸체와, 몸체 위에서 서로 이격되어 배치된 N(여기서, N은 5이상의 양의 정수) 개의 상부 패드와, N개의 상부 패드에 각각 배치된 N-1개의 발광 소자 칩 및 N-1개의 발광 소자 칩과 N개의 상부 패드를 복수의 결선 구조 중 적어도 하나의 구조로 전기적으로 연결하는 복수의 제1 와이어를 포함할 수 있다.

Description

발광 소자 패키지{Light emitting device package}
실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.
전술한 발광 소자를 칩 형태로 포함하는 기존의 발광 소자 패키지의 경우, 복수의 발광 소자 칩의 회로 결선 구조를 변경하고자 할 때마다, 발광 소자 칩이 그의 상부에 배치되는 상부 패드의 디자인이 변경되어야 하는 번거로운 문제가 있다.
실시 예는 상부 패드의 형상이 고정된 상태에서 복수의 발광 소자 칩의 회로 결선을 다양하게 할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 의한 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체 위에서 서로 이격되어 배치된 N(여기서, N은 5이상의 양의 정수) 개의 상부 패드; 상기 N개의 상부 패드에 각각 배치된 N-1개의 발광 소자 칩; 및 상기 N-1개의 발광 소자 칩과 상기 N개의 상부 패드를 복수의 결선 구조 중 적어도 하나의 구조로 전기적으로 연결하는 복수의 제1 와이어를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 복수의 결선 구조는 직렬 연결 구조를 포함할 수도 있고, 직렬 및 병렬 연결 구조를 포함할 수도 있다.
예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 N개의 상부 패드 중 일부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 복수의 제1 와이어는 상기 N-1 개의 발광 소자 칩 중에서, 제1 내지 제(N-1)/2 발광 소자 칩을 직렬로 연결하는 제11 와이어; 및 상기 N-1개의 발광 소자 칩 중에서, 제((N-1)/2)+1 내지 제N-1 발광 소자 칩을 직렬로 연결하는 제12 와이어를 포함하고, 상기 제2 와이어는 상기 N개의 상부 패드 중에서 상기 제1 발광 소자 칩이 배치된 상부 패드와 상기 제((N-1)/2)+1 발광 소자 칩이 배치된 상부 패드를 전기적으로 연결할 수 있다.
예를 들어, 상기 N개의 상부 패드 중에서 제1 상부 패드와 제N 상부 패드는 상기 발광 소자 패키지의 평면 상에서 최외곽에 배치되고, 상기 N개의 상부 패드 중에서 상기 제1 및 제N 상부 패드를 제외한 나머지 제2 내지 제N-1 상부 패드는 상기 제1 및 제N 상부 패드에 의해 둘러싸일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 및 제N 상부 패드 각각은 상기 제2 내지 제N-1 상부 패드보다 큰 평면적을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 몸체의 하부에 배치되며, 상기 N개의 상부 패드 중에서 제1 및 제N 상부 패드 중 하나와 전기적으로 연결된 제1 하부 패드; 및 상기 몸체의 하부에 배치되고, 상기 제1 하부 패드와 이격되고, 상기 제1 및 제N 상부 패드 중 다른 하나와 전기적으로 연결된 제2 하부 패드를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 몸체를 관통하여 상기 제1 및 제N 상부 패드 중 하나와 상기 제1 하부 패드를 연결하는 제1 연결 패드; 및 상기 몸체를 관통하여 상기 제1 및 제N 상부 패드 중 다른 하나와 상기 제2 하부 패드를 연결하는 제2 연결 패드를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 제9 항에 있어서, 상기 몸체의 하부에서 상기 제1 및 제2 하부 패드 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 하부 패드와 각각 이격되어 배치된 방열 패드를 더 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 상부 패드의 개수 및 형상과 발광 소자 칩의 개수 및 형상이 고정된 상태에서, 제1 또는 제2 와이어 중 적어도 하나를 이용하여 발광 소자 칩과 상부 패드를 다양하게 본딩 연결함에 따라, 발광 소자 칩들의 결선 구조를 복수 개로 변경할 수 있고, 상부 패드에 배치되는 발광 소자 칩이 차지하는 면적을 최대화시킬 수 있어, 방열 특성을 개선시킬 수도 있다.
도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 2는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지에서 몸체 및 제1 내지 제5 상부 패드의 평면도를 나타낸다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 저면도를 나타낸다.
도 5는 도 3에 도시된 발광 소자 패키지를 I-I'선을 따라 절개한 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 제1 내지 제4 발광 소자 칩 각각의 예시적인 단면도를 나타낸다.
도 7은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 회로 결선 구조를 나타낸다.
도 8은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 회로 결선 구조를 나타낸다.
도 9는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 10은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 11은 도 9 및 도 10에 도시된 발광 소자 패키지)에서 몸체 및 제1 내지 제7 상부 패드의 평면도를 나타낸다.
도 12는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지의 회로 결선도를 나타낸다.
도 13은 도 10에 도시된 발광 소자 패키지의 회로 결선도를 나타낸다.
도 14a 내지 도 14c는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)를 데카르트 좌표계에 의해 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않으며 다른 좌표계에 의해서도 설명될 수 있음은 물론이다. 데카르트 좌표계에 의하면, x축, y축, z축은 서로 직교하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 이하에서 설명되는 x축, y축, z축은 서로 교차할 수도 있다.
도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)의 평면도를 나타내고, 도 2는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)의 평면도를 나타낸다.
도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A, 100B)는 몸체(110), N개의 상부 패드, N-1개의 발광 소자 칩 및 복수의 제1 와이어를 포함할 수 있다. 여기서, N은 5 이상의 양의 정수이며, 복수의 제1 와이어의 개수는 N-1개 또는 2(N-1)개일 수 있다.
이하, N=5인 경우의 발광 소자 패키지(100A, 100B)에 대해 다음과 같이 첨부된 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한다. 편의상, N-1개의 발광 소자 칩을 제1 내지 제N-1 발광 소자 칩이라 하고, N개의 상부 패드를 제1 내지 제N 상부 패드라 지칭한다.
N=5일 경우, 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)는 몸체(110), 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5), 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4) 및 복수의 제1 와이어(140-11, 140-12, 140-21, 140-22, 140-31, 140-32, 140-41, 140-42)를 포함할 수 있다.
또한, N=5일 경우, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100B)는 몸체(110), 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5), 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4) 및 복수의 제1 와이어(140-11, 140-12, 140-21, 140-22, 140-31, 140-32, 140-41, 140-42)뿐만 아니라 제2 와이어(142-1, 142-2)를 더 포함할 수 있다.
몸체(110)는 세라믹(ceramic) 재질로 구현될 수 있으나, 실시 예는 몸체(110)의 재질에 국한되지 않는다. 예를 들어, 몸체(110)는 AlN 또는 Al2O3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A, 100B)에서 몸체(110) 및 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5)의 평면도를 나타낸다.
편의상, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5)를 UP1, UP2, UP3, UP4 및 UP5로서 각각 표기한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5)(UP1 내지 UP5)는 몸체(110) 위에 배치된다. 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5)(UP1 내지 UP5)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 상부 패드(120-1)(UP1)와 제5 상부 패드(120-5)(UP5)(이하, 제5 상부 패드(120-5)(UP5)는 제N 상부 패드에 해당)는 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 평면에서 최외곽 즉, 가장 자리에 배치될 수 있다.
발광 소자 패키지(100A, 100B)의 평면 형상에서, 제2 상부 패드(120-2)(UP2) 내지 제4 상부 패드(이하, 제4 상부 패드(120-4)(UP4)는 제N-1 상부 패드에 해당)는 제1 및 제5 상부 패드(120-1, 120-5)(UP1, UP5)에 의해 둘러싸여 배치될 수 있다. 즉, 제2 내지 제4 상부 패드(120-2 내지 120-4)(UP2 내지 UP4)는 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 평면에서 가장 자리의 안쪽에 배치될 수 있다.
또한, 제1 및 제5 상부 패드(120-1, 120-5)(UP1, UP5) 각각은 제2 내지 제4 상부 패드(120-2 내지 120-4)(UP2 내지 UP4) 각각보다 큰 평면적을 가질 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 저면도를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지(100A, 100B)는 제1 및 제2 하부 패드(122-1, 122-2)를 더 포함할 수 있다. 편의상, 제1 및 제2 하부 패드(122-1, 122-2)를 LP1 및 LP2로서 각각 표기한다.
제1 하부 패드(122-1)(LP1) 및 제2 하부 패드(122-2)(LP2) 각각은 몸체(110)의 하부에 배치되며, 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 하부 패드(122-1)(LP1)는 제1 상부 패드(120-1)(UP1) 및 제5 상부 패드(120-5)(UP5) 중 하나와 전기적으로 연결되고, 제2 하부 패드(122-2)(LP2)는 제1 상부 패드(120-1)(UP1) 및 제5 상부 패드(120-5)(UP5) 중 다른 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5는 도 3에 도시된 발광 소자 패키지를 I-I'선을 따라 절개한 단면도를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 제1 상부 패드(120-1)(UP1)는 제2 하부 패드(l22-2)(LP2)와 전기적으로 연결되고, 제5 상부 패드(120-5)(UP5)는 제1 하부 패드(122-1)(LP1)와 전기적으로 연결된 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 도 5에 도시된 바와 달리, 제1 상부 패드(120-1)(UP1)는 제1 하부 패드(l22-1)(LP1)와 전기적으로 연결되고, 제5 상부 패드(120-5)(UP5)는 제2 하부 패드(122-2)(LP2)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
또한, 발광 소자 패키지(100A, 100B)는 제1 및 제2 연결 패드(126-1, 126-2)를 더 포함할 수도 있다.
제1 연결 패드(126-1)는 몸체(110)를 관통하여 배치되며, 제1 상부 패드(120-1)(UP1) 및 제5 상부 패드(120-5)(UP5) 중 하나와 제1 하부 패드(122-1)를 연결할 수 있다. 또한, 제2 연결 패드(126-2)는 몸체(110)를 관통하여 배치되며, 제1 상부 패드(120-1)(UP1) 및 제5 상부 패드(120-5)(UP5) 중 다른 하나와 제2 하부 패드(122-2)를 연결할 수 있다.
예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 연결 패드(126-1)는 제5 상부 패드(120-5)(UP5)와 제1 하부 패드(122-1)를 연결하고, 제2 연결 패드(126-2)는 제1 상부 패드(120-1)(UP1)와 제2 하부 패드(122-2)를 연결할 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
한편, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B)는 방열 패드(HP)(124)를 더 포함할 수 있다. 도 5를 참조하면, 방열 패드(HP)(124)는 몸체(110)의 하부에서 제1 하부 패드(122-1)(LP1)와 제2 하부 패드(122-2)(LP2) 사이에 배치될 수 있다. 방열 패드(HP)(124)는 제1 하부 패드(122-1)(LP1)와 제2 하부 패드(122-2)(LP2)와 각각 이격되어 배치될 수 있다. 방열 패드(HP)(124)는 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)에서 발생되어 세라믹 재질로 구현될 수 있는 몸체(110)를 통해 전달된 열을 방출하는 기능을 수행할 수 있다. 경우에 따라 방열 패드(HP)(124)는 생략될 수도 있다.
전술한 제1 내지 제N 상부 패드(120-1 내지 120-5)(UP1 내지 UP5), 제1 및 제2 하부 패드(122-1, 122-2)(LP1, LP2), 제1 및 제2 연결 패드(126-1, 126-2) 및 방열 패드(HP)(124) 각각은 전기 전도성을 갖는 물질로 구현될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 예를 들어, 이들 패드 각각은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
한편, 다시, 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 발광 소자 칩(130-1) 내지 제4 발광 소자 칩(130-4)(이하, 제4 발광 소자 칩은 제N-1 발광 소자 칩을 의미한다) 각각은 제1 상부 패드(120-1)(UP1) 내지 제4 상부 패드(120-4)(UP4) 상에 각각 배치될 수 있다. 편의상, 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)을 CA 내지 CD로서 각각 표기한다.
예를 들어, 제1 발광 소자 칩(130-1)(CA)은 제1 상부 패드(120-1)(UP1) 상에 배치되고, 제2 발광 소자 칩(130-2)(CB)은 제2 상부 패드(120-2)(UP2) 상에 배치되고, 제3 발광 소자 칩(130-3)(CC)은 제3 상부 패드(120-3)(UP3) 상에 배치되고, 제4 발광 소자 칩(130-4)(CD)은 제4 상부 패드(120-4)(UP4) 상에 배치될 수 있다.
제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD) 각각은 수직형 본딩 구조를 가질 수도 있고, 수평형 본딩 구조를 가질 수도 있으며, 실시 예는 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)의 본딩 형태 및 특정한 구조에 국한되지 않는다.
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD) 각각(130)의 단면도를 나타낸다.
도 1 및 도 2에 각각 도시된 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD) 각각(130)은 도 6에 도시된 바와 같이 수직형 본딩 구조를 가질 수 있다.
도 6을 참조하면, 발광 소자 칩(130)은 도전성 지지 기판(132), 반사층(133), 발광 구조물(134), 제1 전극(135A, 135B) 및 제2 전극(136)을 포함할 수 있다.
지지 기판(132)은 도전형 물질을 포함할 수 있다. 만일, 지지 기판(132)이 도전형일 경우, 지지 기판(132)의 전체는 반사층(133)과 함께 제2 전극(136)의 역할을 대신 수행할 수 있다. 이 경우, 제2 전극(136)은 생략될 수도 있다. 지지 기판(132)은 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광 소자 칩(130)의 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.
예를 들어, 지지 기판(132)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
반사층(133)은 활성층(134B)에서 방출된 후 지지 기판(132)으로 향하는 빛을 상부로 반사시키는 역할을 하며, 지지 기판(132) 위에 배치되며, 약 2500 옹스르통(Å)의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 반사층(133)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등으로 구현된 반사층(133)은 활성층(134B)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광 소자 패키지(100A, 100B)의 광 추출 효율을 크게 개선시킬 수 있다.
발광 구조물(134)은 반사층(133) 위에 배치되며, 제1 도전형 반도체층(134A), 활성층(134B) 및 제2 도전형 반도체층(134C)을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(134A)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족, 2족-6족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 만일, 제1 도전형이 n형일 경우, n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1 도전형 반도체층(134A)은 예를 들어, AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(134A)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
활성층(134B)은 제1 도전형 반도체층(134A)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(134C)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(134B)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
활성층(134B)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
활성층(134B)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(134B)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(134B)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 가지는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(134C)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 예를 들어 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형이 p형일 경우, p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(135A, 135B)은 제1 도전형 반도체층(134A) 위에 배치될 수 있다. 여기서, 제1 전극(135A, 135B)은 2개인 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의한 제1 전극(135A, 135B)은 일체화된 형태로 한 개일 수도 있고, 3개 이상으로 분할될 수도 있다. 도시된 바와 같이, 제1 전극(135A, 135B)이 복수 개일 경우 전류 스프레딩(spreading) 효율이 증가할 수 있다. 전류 스프레딩 효율이 증가하면 전류 크라우딩(crowding)이 개선될 수 있고, 동작 전압이 낮아질 수 있다. 게다가, 전류 스프레딩 효율이 개선되면 상대적으로 유효 발광 면적에 대한 전류 주입(current injection) 효율이 증가하게 되어, 발광 소자의 효율이 증가할 수 있다.
제2 전극(136)은 지지 기판(132)의 아래에 배치될 수 있다.
전술한 제1 전극(135A, 135B) 및 제2 전극(136) 각각은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으나, 실시 예는 제1 전극(135A, 135B) 및 제2 전극(136) 각각의 물질에 국한되지 않는다.
이하, 설명의 편의상 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)는 수직형 본딩 구조를 갖는 것으로 설명하며, 아래의 설명은 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)가 수평형 본딩 구조를 갖는 경우에도 적용될 수 있다.
한편, 다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 복수의 제1 와이어(140-11, 140-12, 140-21, 140-22, 140-31, 140-32, 140-41, 140-42)는 제1 내지 제4 발광 소자 칩(CA 내지 CD)과 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5)를 복수의 결선 구조 중 적어도 하나의 구조로 전기적으로 연결할 수 있다.
도 1 및 도 2에서, 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)은 도 6에 예시된 바와 같은 수직형 본딩 구조를 갖는다. 따라서, 제1 발광 소자 칩(130-1)(CA)의 제1-1 및 제1-2 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-11, 140-12)와 각각 연결된다. 이와 마찬가지로, 제2 발광 소자 칩(130-2)(CB)의 제1-1 및 제1-2 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-21, 140-22)와 각각 연결된다. 제3 발광 소자 칩(130-3)(CC)의 제1-1 및 제1-2 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-31, 140-32)와 각각 연결된다. 제4 발광 소자 칩(130-4)(CD)의 제1-1 및 제1-2 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-41, 140-42)와 각각 연결된다.
일 실시 예에 의하면, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 결선 구조 중 적어도 하나의 구조는 직렬 연결 구조에 해당할 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)이 서로 직렬로 연결될 수 있도록, 복수의 제1 와이어(140-11, 140-12, 140-21, 140-22, 140-31, 140-32, 140-41, 140-42)는 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)과 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5)(UP1 내지 UP5)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
도 7은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 회로 결선 구조를 나타낸다.
도 7에 도시된 바와 같이, 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)에서 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)은 제1 와이어(140-11, 140-12, 140-21, 140-22, 140-31, 140-32, 140-41, 140-42)에 의해 서로 직렬 연결될 수 있다. 이를 위한 결선 구조를 살펴보면 다음과 같다.
제1 발광 소자 칩(130-1)(CA)의 제2 전극(136)은 제1 상부 패드(UP1)와 전기적으로 직접 연결되고, 제1 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-11, 140-12)에 의해 제2 상부 패드(UP2)와 전기적으로 연결된다.
제2 발광 소자 칩(130-2)(CB)의 제2 전극(136)은 제2 상부 패드(UP2)와 전기적으로 직접 연결되고, 제1 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-21, 140-22)에 의해 제3 상부 패드(UP3)와 전기적으로 연결된다.
제3 발광 소자 칩(130-3)(CC)의 제2 전극(136)은 제3 상부 패드(UP3)와 전기적으로 직접 연결되고, 제1 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-31, 140-32)에 의해 제4 상부 패드(UP4)와 전기적으로 연결된다.
제4 발광 소자 칩(130-4)(CD)의 제2 전극(136)은 제4 상부 패드(UP4)와 전기적으로 직접 연결되고, 제1 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-41, 140-42)에 의해 제5 상부 패드(UP5)와 전기적으로 연결된다.
결국, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)은 제1 와이어(140-11, 140-12, 140-21, 140-22, 140-31, 140-32, 140-41, 140-42)와 제2 내지 제4 상부 패드(UP2 내지 UP4)에 의해 서로 전기적으로 연결됨을 알 수 있다.
다른 실시 예에 의하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 결선 구조는 직렬 및 병렬 연결 구조를 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100B)는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 달리 제2 와이어(142-1, 142-2)를 더 포함할 수 있다. 제2 와이어(142-1, 142-2)는 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5)(UP1 내지 UP5) 중 일부를 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 와이어(142-1, 142-2)는 제1 상부 패드(120-1)(UP1)와 제3 상부 패드(120-3)(UP3)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.
도 8은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100B)의 회로 결선 구조를 나타낸다.
도 8에 도시된 바와 같이, 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100B)에서 복수의 제1 와이어는 제11 와이어(140-11, 140-12, 140-21, 140-22) 및 제12 와이어(140-31, 140-32, 140-41, 140-42)로 구분될 수 있다.
복수의 제11 와이어(140-11, 140-12)는 제1 발광 소자 칩(130-1)(CA) 내지 제(N-1)/2 발광 소자 칩(예를 들어, N=5인 경우, 제2 발광 소자 칩(130-2)(CB))을 직렬로 연결한다.
복수의 제12 와이어(140-31, 140-32)는 제((N-1)/2)+1 발광 소자 칩(예를 들어, N=5인 경우 제3 발광 소자 칩(130-3)(CC)) 내지 제N-1 발광 소자 칩(130-4)(CD)(예를 들어, N=5인 경우 제4 발광 소자 칩(130-4)(CD))을 직렬로 연결할 수 있다. 이를 위한 결선 구조를 살펴보면 다음과 같다.
제1 발광 소자 칩(130-1)(CA)의 제2 전극(136)은 제1 상부 패드(UP1)와 전기적으로 직접 연결되고, 제1 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-11, 140-12)에 의해 제2 상부 패드(UP2)와 전기적으로 연결된다.
제2 발광 소자 칩(130-2)(CB)의 제2 전극(136)은 제2 상부 패드(UP2)와 전기적으로 직접 연결되고, 제1 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-21, 140-22)에 의해 제5 상부 패드(UP5)와 전기적으로 연결된다.
제3 발광 소자 칩(130-3)(CC)의 제2 전극(136)은 제3 상부 패드(UP3)와 전기적으로 직접 연결되고, 제1 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-31, 140-32)에 의해 제4 상부 패드(UP4)와 전기적으로 연결된다.
제4 발광 소자 칩(130-4)(CD)의 제2 전극(136)은 제4 상부 패드(UP4)와 전기적으로 직접 연결되고, 제1 전극(135A, 135B)은 제1-1 및 제1-2 와이어(140-41, 140-42)에 의해 제5 상부 패드(UP5)와 전기적으로 연결된다.
또한, 제2 와이어(142-1, 142-2)는 제1 내지 제N 상부 패드(120-1 내지 120-5)(UP1 내지 UP5) 중에서 제1 발광 소자 칩(130-1)(CA)이 배치된 제1 상부 패드(120-1)(UP1)와 제((N-1)/2)+1 발광 소자 칩인 제3 발광 소자 칩(130-3)(CC)이 배치된 제3 상부 패드(120-3)(UP3)를 전기적으로 연결할 수 있다. 이와 같이, 제2 와이어(142-1, 142-2)에 의해 제1 발광 소자 칩(130-1)(CA)과 제3 발광 소자 칩(130-3)(CC)이 병렬 연결될 수 있다.
전술한 발광 소자 패키지(100A, 100B)에서 N=5인 경우에 대해 살펴보았다. 이때, N이 5보다 큰 경우에도 전술한 설명은 적용될 수 있다. 도 1 내지 도 8에 도시된 발광 소자 패키지(100A, 100B)에 대한 설명에서 제5 상부 패드(120-5)(UP5)에 대한 설명은 제N 상부 패드에 대한 설명에 해당하고, 제4 발광 소자 칩(130-4)(CD)에 대한 설명은 제N-1 발광 소자 칩에 대한 설명에 해당한다.
이하, N=7인 경우의 발광 소자 패키지(100C, 100D)에 대해 다음과 같이 첨부된 도 9 내지 도 13을 참조하여 설명한다.
도 9는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100C)의 평면도를 나타내고, 도 10은 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100D)의 평면도를 나타내고, 도 11은 도 9 및 도 10에 도시된 발광 소자 패키지(100C, 100D)에서 몸체(110) 및 제1 내지 제7 상부 패드(120-1 내지 120-7)(UP1 내지 UP7)의 평면도를 나타낸다.
도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 달리 2개의 제6 및 제7 상부 패드(120-6, 120-7), 2개의 제5 및 제6 발광 소자 칩(130-5, 130-6) 및 4개의 제1 와이어(140-51, 140-52, 140-61, 140-62)를 더 포함한다. 이를 제외하면, 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하다. 따라서, 동일한 부분에 대해서는 중복되는 설명을 생략하고 다른 부분에 대해서만 다음과 같이 설명한다.
도 11을 참조하면 편의상 제6 및 제7 상부 패드(120-6, 120-7)를 각각 UP6 및 UP7이라 표기하고, 도 9 및 도 10을 참조하면 편의상 제5 및 제6 발광 소자 칩(130-5, 130-6)을 각각 CE 및 CF라 표기한다. 제5 및 제6 발광 소자 칩(130-5, 130-6)은 제5 및 제6 상부 패드(120-5, 120-6)(UP5, PU6) 상에 각각 배치된다.
도 12는 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100C)의 회로 결선도를 나타낸다.
도 9 및 도 12를 참조하면, 추가되는 제5 및 제6 발광 소자 칩(130-5, 130-6)(CE, CF)은 제1 와이어(140-41, 140-42, 140-51, 140-52)에 의해 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)과 직렬 연결된다.
또한, 도 10에 도시된 발광 소자 패키지(100D)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100B)와 달리 2개의 제6 및 제6 상부 패드(120-6, 120-7)(UP6, UP7), 2개의 제5 및 제6 발광 소자 칩(130-5, 130-6)(CE, CF) 및 4개의 제1 와이어(140-51, 140-52, 140-61, 140-62)를 더 포함한다. 이를 제외하면, 도 10에 도시된 발광 소자 패키지(100D)는 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100B)와 동일하다. 따라서, 동일한 부분에 대해서는 중복되는 설명을 생략하고 다른 부분에 대해서만 다음과 같이 설명한다.
도 13은 도 10에 도시된 발광 소자 패키지(100D)의 회로 결선도를 나타낸다.
도 13에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 발광 소자 칩(130-1 내지 130-3)(CA 내지 CC)은 제1 와이어(140-11, 140-12, 140-21, 140-22)에 의해 서로 직렬 연결된다. 제4 내지 제6 발광 소자 칩(130-4 내지 130-6)(CD 내지 CF)은 제1 와이어(140-41, 140-42, 140-51, 140-52)에 의해 서로 직렬 연결된다.
또한, 제1 발광 소자 칩(130-1)(CA)과 제4 발광 소자 칩(130-4)(CD)은 제2 와이어(142-1, 142-2)에 의해 서로 연결되고, 제3 발광 소자 칩(130-3)(CC)과 제6 발광 소자 칩(130-6)(CF)은 제1 와이어(140-31, 140-32, 140-61, 140-62) 및 제7 상부 패드(120-7)(UP7)에 의해 서로 연결된다. 따라서, 발광 소자 패키지(100D)는 직렬 및 병렬 연결 구조를 가질 수 있다.
도 1, 도 2, 도 9 및 도 10에 도시된 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)에서 제1 와이어(140-11 내지 146-62) 및 제2 와이어(142-1, 142-2) 각각은 전기적 전도성을 갖는 물질 예를 들어, Au 등으로 구현될 수 있으며, 실시 예는 이의 재질에 국한되지 않는다.
또한, 도 9 내지 도 13에 도시된 발광 소자 패키지(100C, 100D)에 대한 설명에서 제7 상부 패드(120-7)(UP7)에 대한 설명은 제N 상부 패드에 대한 설명에 해당하고, 제6 발광 소자 칩(130-6)(CF)에 대한 설명은 제N-1 발광 소자 칩에 대한 설명에 해당한다. 이러한 점을 감안하여, N이 7보다 큰 경우에도 전술한 설명은 적용될 수 있다.
전술한 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)에서 살펴본 바와 같이 상부 패드의 개수(N)가 5인 경우 발광 소자 칩의 개수는 4개이고 상부 패드의 개수(N)가 7인 경우 발광 소자 칩의 개수는 6개이다. 이와 같이 발광 소자 칩의 개수는 상부 패드의 개수(N)보다 한 개 적을 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
몸체(110)의 평면적이 고정될 경우, 상부 패드의 개수(N)가 증가할수록 발광 소자 칩의 개수도 증가하므로, 발광 소자 칩의 크기도 줄어들게 된다. 예를 들어, 상부 패드의 개수(N)가 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 5개일 경우, 정방형 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD) 각각의 한 변의 길이는 1400 ㎜일 수 있다. 반면에, 상부 패드의 개수(N)가 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 7개일 경우, 정방형 제1 내지 제6 발광 소자 칩(130-1 내지 130-6)(CA 내지 CF) 각각의 한 변의 길이는 1000 ㎜로서 줄어들 수 있다.
전술한 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)는 도 3 또는 도 11에 도시된 바와 같이 상부 패드의 개수 및 형태가 고정된 상태에서, 제1 또는 제2 와이어 중 적어도 하나를 이용하여 발광 소자 칩과 상부 패드를 다양하게 본딩 연결함에 따라, 발광 소자 칩들의 결선 구조를 복수 개로 변경함을 알 수 있다. 즉, 제1 내지 제5 상부 패드(120-1 내지 120-5)(UP1 내지 UP5)가 도 3에 도시된 바와 같이 고정된 상태에서 제1 내지 제4 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD)을 도 1에 도시된 바와 같이 직렬로 연결하거나, 도 2에 도시된 바와 같이 직렬과 병렬로 연결할 수도 있다. 또한, 제1 내지 제7 상부 패드(120-1 내지 120-7)(UP1 내지 UP7)가 도 11에 도시된 바와 같이 고정된 상태에서 제1 내지 제6 발광 소자 칩(130-1 내지 130-6)(CA 내지 CF)을 도 9에 도시된 바와 같이 직렬로 연결하거나, 도 10에 도시된 바와 같이 직렬과 병렬로 연결할 수도 있다.
전술한 바와 같이 제1 와이어와 상부 패드 간의 결선 구조가 바뀔 경우, 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)의 구동 전압도 변할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 각 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD) 각각의 구동 전압이 3볼트일 때, 전체 발광 소자 패키지(100A)의 구동 전압은 12볼트일 수 있다. 또는, 도 2에 도시된 각 발광 소자 칩(130-1 내지 130-4)(CA 내지 CD) 각각의 구동 전압이 3볼트일 때, 전체 발광 소자 패키지(100B)의 구동 전압은 6볼트일 수 있다. 또는, 도 9에 도시된 각 발광 소자 칩(130-1 내지 130-6)(CA 내지 CF) 각각의 구동 전압이 3볼트일 때, 전체 발광 소자 패키지(100C)의 구동 전압은 18볼트일 수 있다. 또는, 도 10에 도시된 각 발광 소자 칩(130-1 내지 130-6)(CA 내지 CF) 각각의 구동 전압이 3볼트일 때, 전체 발광 소자 패키지(100D)의 구동 전압은 9볼트일 수 있다.
결국, 발광 소자 칩과 상부 패드의 형상 및 위치가 고정된 상태에서 제1 및 제2 와이어의 본딩 구조가 바뀔 경우, 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)의 구동 전압도 바뀜을 알 수 있다.
또한, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)의 경우 상부 패드의 개수 및 형상과 발광 소자 칩의 개수 및 형상이 고정된 상태에서, 제1 또는 제2 와이어의 본딩만을 달리하여, 발광 소자 칩의 결선 구조를 변경하므로, 상부 패드에 배치되는 발광 소자 칩이 차지하는 면적을 최대화시킬 수 있어, 방열 특성을 개선시킬 수도 있다.
도 14a 내지 도 14c는 또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 도면이다.
실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)는 파장 변환부(210) 및 렌즈(220)를 더 포함할 수도 있다.
도 14a에 예시된 바와 같이, 도 1, 도 2, 도 9 및 도 10에 도시된 발광 소자 패키지(100:100A 내지 100D)의 상부 패드 위에 파장 변환부(210)가 배치될 수 있다. 여기서, 파장 변환부(210)는 발광 소자 칩으로부터 방출되는 광의 파장을 변환하는 역할을 하며, 형광체로 구현될 수 있다.
또한, 도 14b에 예시된 바와 같이 렌즈(220)가 파장 변환부(210) 위에 더 배치되어 도 14c에 도시된 바와 같은 평면 형상을 보일 수 있다. 여기서, 렌즈(220)는 파장 변환부(210)에서 변환된 파장을 갖는 광을 소망하는 각도로 출사시키는 역할을 한다. 이를 위해, 렌즈(220)는 도 14b에 도시된 단면도 이외에 다양한 형상을 가질 수 있다. 렌즈(220)는 실리콘을 이용한 돔 형태의 렌즈일 수 있지만, 실시 예는 상부 패드 위에 배치되는 파장 변환부(210)의 종류나 렌즈(220)의 형태에 국한되지 않는다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지(100A 내지 100D), 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치에 포함될 수 있다.
여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100A 내지 100D)를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.
해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 100A 내지 100D: 발광 소자 패키지 110: 몸체
120-1 내지 120-7: 상부 패드 122-1, 122-2: 하부 패드
124: 방열 패드 126-1, 126-2: 연결 패드
130, 130-1 내지 130-6: 발광 소자 칩
140-11 내지 140-62: 제1 와이어 142-1, 142-2: 제2 와이어
210: 파장 변환부 220: 렌즈

Claims (10)

  1. 몸체;
    상기 몸체 위에서 서로 이격되어 배치된 N(여기서, N은 5이상의 양의 정수) 개의 상부 패드;
    상기 N개의 상부 패드에 각각 배치된 N-1개의 발광 소자 칩; 및
    상기 N-1개의 발광 소자 칩과 상기 N개의 상부 패드를 복수의 결선 구조 중 적어도 하나의 구조로 전기적으로 연결하는 복수의 제1 와이어를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 결선 구조는 직렬 연결 구조를 포함하는 발광 소자 패키지.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 결선 구조는 직렬 및 병렬 연결 구조를 포함하는 발광 소자 패키지.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 N개의 상부 패드 중 일부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 복수의 제1 와이어는
    상기 N-1 개의 발광 소자 칩 중에서, 제1 내지 제(N-1)/2 발광 소자 칩을 직렬로 연결하는 제11 와이어; 및
    상기 N-1개의 발광 소자 칩 중에서, 제((N-1)/2)+1 내지 제N-1 발광 소자 칩을 직렬로 연결하는 제12 와이어를 포함하고,
    상기 제2 와이어는 상기 N개의 상부 패드 중에서 상기 제1 발광 소자 칩이 배치된 상부 패드와 상기 제((N-1)/2)+1 발광 소자 칩이 배치된 상부 패드를 전기적으로 연결하는 발광 소자 패키지.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 N개의 상부 패드 중에서 제1 상부 패드와 제N 상부 패드는 상기 발광 소자 패키지의 평면 상에서 최외곽에 배치되고,
    상기 N개의 상부 패드 중에서 상기 제1 및 제N 상부 패드를 제외한 나머지 제2 내지 제N-1 상부 패드는 상기 제1 및 제N 상부 패드에 의해 둘러싸인 발광 소자 패키지.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 제1 및 제N 상부 패드 각각은 상기 제2 내지 제N-1 상부 패드보다 큰 평면적을 갖는 발광 소자 패키지.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 발광 소자 패키지는
    상기 몸체의 하부에 배치되며, 상기 N개의 상부 패드 중에서 제1 및 제N 상부 패드 중 하나와 전기적으로 연결된 제1 하부 패드; 및
    상기 몸체의 하부에 배치되고, 상기 제1 하부 패드와 이격되고, 상기 제1 및 제N 상부 패드 중 다른 하나와 전기적으로 연결된 제2 하부 패드를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 발광 소자 패키지는
    상기 몸체를 관통하여 상기 제1 및 제N 상부 패드 중 하나와 상기 제1 하부 패드를 연결하는 제1 연결 패드; 및
    상기 몸체를 관통하여 상기 제1 및 제N 상부 패드 중 다른 하나와 상기 제2 하부 패드를 연결하는 제2 연결 패드를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 몸체의 하부에서 상기 제1 및 제2 하부 패드 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 하부 패드와 각각 이격되어 배치된 방열 패드를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
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