KR20170071906A - Uv light emitting device and light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시예는 자외선 발광소자, 자외선 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치에 관한 것이다.
실시 예에 따른 자외선 발광소자는 AlGaN 계열의 제1 도전형 제1 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물과 제2 도전형 반도체층 상의 제1 전극, 및 제2 도전형 반도체층 상의 제1 전극과 접하고 제1 도전형 제2 반도체층 내지 제1 도전형 제4 반도체층을 포함하는 전류 퍼짐층을 포함할 수 있다. 실시 예는 전류 퍼짐층에 의해 제2 도전형 반도체층 및 제1 전극과 오믹 접촉되고, 자외선 파장의 광 흡수를 개선함과 동시에 도핑된 제1 도펀트와 Al 조성에 의해 전류 퍼짐(current spreading)을 개선할 수 있다.Embodiments relate to an ultraviolet light emitting device, a method of manufacturing an ultraviolet light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device.
The ultraviolet light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure including an AlGaN-based first conductive type first semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer, a first electrode on the second conductive type semiconductor layer, And a current spreading layer in contact with the first electrode on the semiconductor layer and including the first conductive type second semiconductor layer to the first conductive type fourth semiconductor layer. The embodiment is characterized in that the current spreading layer is in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer and the first electrode to improve the light absorption of the ultraviolet wavelength and to reduce current spreading by the doped first dopant and Al composition Can be improved.

Description

자외선 발광소자 및 발광소자 패키지{UV LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a UV light emitting device,

실시예는 자외선 발광소자, 자외선 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치에 관한 것이다.Embodiments relate to an ultraviolet light emitting device, a method of manufacturing an ultraviolet light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device.

발광소자(Light Emitting Diode)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소가 화합되어 생성될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.The light emitting diode may be formed by combining a group III-V element or a group II-VI element in the periodic table with a pn junction diode in which electrical energy is converted into light energy, Various colors can be realized by adjusting.

질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors have attracted great interest in the development of optical devices and high output electronic devices due to their high thermal stability and wide band gap energy. Particularly, ultraviolet (UV) light emitting elements, blue light emitting elements, green light emitting elements, and red light emitting elements using nitride semiconductors are commercially available and widely used.

상기 자외선 발광소자(UV LED)는 200nm~400nm 파장대의 빛을 발광하는 발광소자이다. 상기 자외선 발광소자는 용도에 따라 단파장 및 장파장으로 구성된다. 상기 단파장은 살균 또는 정화등에 사용되고, 장파장은 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.The ultraviolet light emitting device (UV LED) is a light emitting device that emits light in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. The ultraviolet light-emitting device has a short wavelength and a long wavelength depending on the application. The short wavelength may be used for sterilization or purification, and the long wavelength may be used for an exposure machine, a curing machine, or the like.

일반적인 자외선 발광소자는 p형 반도체층과 전극 사이에 오믹 접촉을 위한 투명 접촉층을 포함한다. 일반적인 투명 접촉층은 ITO가 주로 사용되고 있다. Typical ultraviolet light emitting devices include a transparent contact layer for ohmic contact between the p-type semiconductor layer and the electrode. ITO is mainly used as a general transparent contact layer.

그러나, 일반적인 자외선 발광소자는 오믹 접촉 특성이 우수한 ITO가 자외선 파장의 광의 일부를 흡수하여 광도가 저하되는 문제가 있었다.However, a general ultraviolet light emitting device has a problem that ITO, which has excellent ohmic contact characteristics, absorbs a part of light having an ultraviolet wavelength, resulting in a decrease in brightness.

실시 예는 전류 퍼짐(current spreading) 및 전기적 특성을 개선할 수 있는 자외선 발광소자, 자외선 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명장치를 제공할 수 있다.Embodiments can provide an ultraviolet light emitting device, a method of manufacturing an ultraviolet light emitting device, a light emitting device package, and a lighting device capable of improving current spreading and electrical characteristics.

실시 예에 따른 자외선 발광소자는 제1 도전형 제1 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물(110); 상기 발광구조물 아래에 제1 전극(170); 및 상기 발광구조물 및 상기 제1 전극과 접하는 전류 퍼짐층(130)을 포함하고, 상기 전류 퍼짐층은 제1 도전형 제2 반도체층 내지 제1 도전형 제4 반도체층(131, 133, 135)을 포함하고, 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 상기 제1 도전형 제4 반도체층(135)보다 낮은 도핑농도를 가질 수 있다. 실시 예는 전류 퍼짐층에 의해 제2 도전형 반도체층 및 제1 전극과 오믹 접촉되고, 자외선 파장의 광 흡수를 개선함과 동시에 도핑된 제1 도펀트와 Al 조성에 의해 전류 퍼짐(current spreading)을 개선할 수 있다.The ultraviolet light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure 110 including a first conductive type first semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer; A first electrode 170 below the light emitting structure; And a current spreading layer (130) in contact with the light emitting structure and the first electrode, wherein the current spreading layer includes a first conductive type second semiconductor layer to a first conductive type fourth semiconductor layer (131, 133, 135) And the first conductive type third semiconductor layer 133 may have a lower doping concentration than the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 . The embodiment is characterized in that the current spreading layer is in ohmic contact with the second conductivity type semiconductor layer and the first electrode to improve the light absorption of the ultraviolet wavelength and to improve the current spreading by the doped first dopant and the Al composition Can be improved.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 자외선 발광소자를 포함할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include the ultraviolet light emitting device.

실시 예의 자외선 발광소자는 AlGaN 계열의 발광구조물과 전극 사이에 전류 퍼짐층이 배치되고, 상기 전류 퍼짐층은 자외선 파장의 광 흡수를 줄여 광도를 개선할 수 있다. 상기 전류 퍼짐층은 상기 제2 도전형 반도체층과 전극 사이에 제1 도전형 도펀트를 포함하는 AlGaN 계열 반도체층으로 구성되어 오믹 접촉 및 전류 퍼짐을 개선할 수 있다.In the ultraviolet light emitting device of the embodiment, a current spreading layer is disposed between the AlGaN-based light emitting structure and the electrode, and the current spreading layer can reduce the light absorption of ultraviolet wavelength to improve the light intensity. The current spreading layer is formed of an AlGaN-based semiconductor layer including a first conductive dopant between the second conductive semiconductor layer and the electrode, thereby improving ohmic contact and current spreading.

도 1은 실시 예에 따른 자외선 발광소자를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 자외선 발광소자의 단면도이다.
도 3은 실시 예의 전류 퍼짐층을 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 실시 예에 따른 자외선 발광소자의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 자외선 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 10은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing an ultraviolet light emitting device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of an ultraviolet light-emitting device taken along line I-I 'of FIG.
3 is a cross-sectional view showing the current spreading layer in the embodiment.
4 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an ultraviolet light-emitting device according to an embodiment.
9 is a cross-sectional view illustrating an ultraviolet light-emitting device according to another embodiment.
10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 자외선 발광소자를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 자외선 발광소자의 단면도이고, 도 3은 실시 예의 전류 퍼짐층을 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a plan view showing an ultraviolet light-emitting device according to an embodiment, FIG. 2 is a sectional view of an ultraviolet light-emitting device cut along a line I-I 'of FIG. 1, to be.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 자외선 발광소자(100)는 발광구조물(110)을 포함할 수 있다.1 to 3, the ultraviolet light-emitting device 100 according to the embodiment may include a light-emitting structure 110.

상기 발광구조물(110)은 제1 도전형 제1 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다. 실시 예는 400nm 이하의 자외선 파장의 광을 발광하는 자외선 발광소자(100)를 일 예로 설명하기로 한다. 예컨대 상기 발광구조물(110)은 AlGaN 계열 반도체일 수 있다.The light emitting structure 110 may include a first conductive type first semiconductor layer 112, an active layer 114, and a second conductive type semiconductor layer 116. In the embodiment, the ultraviolet light emitting device 100 that emits light having an ultraviolet wavelength of 400 nm or less will be described as an example. For example, the light emitting structure 110 may be an AlGaN-based semiconductor.

상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 AlnGa1-nN (0≤n≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 광 추출 효율을 향상시키는 광 추출 패턴(113)을 포함할 수 있다. 상기 광 추출 패턴(113)은 PEC 등의 방법으로 형성될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광 추출 패턴(113)은 규칙적인 형상 및 배열을 갖도록 형성할 수 있고, 불규칙적인 형상 및 배열을 갖도록 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 광 추출 패턴(113)의 단면은 다각형, 원형 또는 타원형일 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 상기 광 추출 패턴(113)은 활성층(114)으로부터 생성된 빛 중에 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)의 상부면으로부터 전반사되어 재흡수되는 빛을 외부로 굴절시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The first conductive type first semiconductor layer 112 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group II-IV or Group III-V, and may be doped with a first conductive type dopant. For example, the first conductive type first semiconductor layer 112 may include a semiconductor material having a composition formula of Al n Ga 1 -n N ( 0? N? 1 ). When the first conductive type first semiconductor layer 112 is an n-type semiconductor layer, it may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto. The first conductive type first semiconductor layer 112 may include a light extracting pattern 113 for improving light extraction efficiency. The light extracting pattern 113 may be formed by a method such as PEC, but is not limited thereto. The light extracting patterns 113 may be formed to have regular shapes and arrangements, and may have irregular shapes and arrangements. For example, the cross section of the light extracting pattern 113 may be polygonal, circular or elliptical, but is not limited thereto. The light extracting pattern 113 refracts light, which is totally reflected from the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 112 and reabsorbed, out of the light generated from the active layer 114 to improve light extraction efficiency .

상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 114 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure.

상기 활성층(114)은 상기 제1 도전형 제2 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(114)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다.Electrons (or holes) injected through the first conductive type second semiconductor layer 112 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 116 meet with each other in the active layer 114 And a band gap of an energy band according to a material of the active layer 114. The light emitting layer is a layer which emits light according to a band gap of an energy band according to a material of the active layer 114. [

상기 활성층(114)는 화합물 반도체로 구성될 수 있다. 상기 활성층(114)는 예로서 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.The active layer 114 may be made of a compound semiconductor. The active layer 114 may be formed of at least one of Group II-IV and Group III-V compound semiconductors.

상기 활성층(114)은 양자우물과 양자벽을 포함할 수 있다. 상기 활성층(114)이 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 양자우물과 양자벽이 교대로 배치될 수 있다. 상기 양자우물과 양자벽은 각각 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있거나, AlGaN/GaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaP/AlGaP, InGaP AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The active layer 114 may include a quantum well and a quantum wall. When the active layer 114 is implemented as a multiple quantum well structure, quantum wells and quantum wells can be alternately arranged. The quantum well and the quantum wall may be arranged in a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) But not limited to, any one or more pairs of AlGaN / GaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, InAlGaN / GaN, GaAs / AlGaAs, InGaAs / AlGaAs, GaP / AlGaP and InGaP AlGaP.

상기 제2 도전형 반도체층(116)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 AlpGa1-pN (0≤p≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 116 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group II-IV and Group III-V, and may be doped with a second conductive dopant. For example, the second conductive semiconductor layer 116 may include a semiconductor material having a composition formula of Al p Ga 1-p N ( 0? P? 1 ). When the second conductive semiconductor layer 116 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants.

상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 p형 반도체층으로 설명하고 있지만, 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 p형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 n형 반도체층으로 형성할 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 도전형 반도체층(116) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(110)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.Although the first conductive type first semiconductor layer 112 is an n-type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer 116 is a p-type semiconductor layer, the first conductive type first semiconductor layer 112, And the second conductivity type semiconductor layer 116 may be formed of an n-type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto. An n-type semiconductor layer (not shown) having a polarity opposite to that of the second conductivity type may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 116, for example. Accordingly, the light emitting structure 110 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

실시 예에 따른 자외선 발광소자(100)는 전류 퍼짐층(130), 제1 및 제2 전극(170, 160)을 포함할 수 있다.The ultraviolet light emitting device 100 according to the embodiment may include a current spreading layer 130, first and second electrodes 170 and 160.

상기 전류 퍼짐층(130)은 상기 제1 및 제2 전극(170, 160) 위에 배치될 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 상기 발광구조물(110) 아래에 배치될 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 상기 발광구조물(110)과 제1 전극(170) 사이에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1 전극(170)은 상기 제2 전극(160) 위에 배치될 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 상기 발광구조물(110) 및 상기 제1 전극(170)과 오믹 접촉될 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 제1 도전형 제2 반도체층(131), 제1 도전형 제3 반도체층(133) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)을 포함할 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 AlGaN 계열 반도체층으로 구성되어 광 흡수에 의한 광도 저하를 개선할 수 있다. 예컨대 상기 전류 퍼짐층(130)은 자외선 파장의 광 흡수를 개선할 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 상기 제1 전극(170) 사이에 제1 도전형 도펀트를 포함하는 AlGaN 계열 반도체층으로 구성되어 오믹 접촉 및 전류 퍼짐을 개선할 수 있다.The current spreading layer 130 may be disposed on the first and second electrodes 170 and 160. The current spreading layer 130 may be disposed below the light emitting structure 110. The current spreading layer 130 may be disposed between the light emitting structure 110 and the first electrode 170. Here, the first electrode 170 may be disposed on the second electrode 160. The current spreading layer 130 may be in ohmic contact with the light emitting structure 110 and the first electrode 170. The current spreading layer 130 may include a first conductive type second semiconductor layer 131, a first conductive type third semiconductor layer 133, and a first conductive type fourth semiconductor layer 135. The current spreading layer 130 is composed of an AlGaN-based semiconductor layer, and the decrease in luminous intensity due to light absorption can be improved. For example, the current spreading layer 130 can improve light absorption of ultraviolet wavelengths. The current spreading layer 130 is formed of an AlGaN-based semiconductor layer including a first conductive dopant between the second conductive type semiconductor layer 116 and the first electrode 170 to improve ohmic contact and current spreading can do.

상기 제1 도전형 제2 반도체층(131)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 제1 도전형 제3 반도체층(133) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 상기 제1 전극(170)과 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 상기 제1 전극(170)과 제1 도전형 제3 반도체층(133) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 1.0 x 1019 atoms/㎤이상의 n형 도핑농도를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 1.0 x 1019 atoms/㎤ 이상의 n형 도핑농도에 의해 PN접합의 공핍영역을 줄여 정공의 터널링을 구현할 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 1.0 x 1019 atoms/㎤ 내지 5.0 x 1020 atoms/㎤의 n형 도핑농도를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 n형 도핑농도는 1.0 x 1019 atoms/㎤ 미만일 경우, n형 도펀트에 의한 터널링(tunneling) 효과가 저하될 수 있다. 즉, 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131)과 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 오믹 접촉이 잘 형성되지 않을 수 있다. 상기 제1 도전형 제4 반도체층(135)과 상기 제1 전극(170)은 오믹 접촉이 잘 형성되지 않을 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 n형 도핑농도는 5.0 x 1020 atoms/㎤ 초과일 경우, 결정성이 저하될 수 있다. The first conductive type second semiconductor layer 131 may be in direct contact with the second conductive type semiconductor layer 116. The first conductive type second semiconductor layer 131 may be disposed between the second conductive type semiconductor layer 116 and the first conductive type third semiconductor layer 133. The first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be in direct contact with the first electrode 170. The first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be disposed between the first electrode 170 and the first conductive type third semiconductor layer 133. The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be formed of a semiconductor compound such as a compound semiconductor such as a Group II-IV and a Group III- A first conductivity type dopant may be doped. For example, the first conductive type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but the present invention is not limited thereto. The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may include an n-type doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 or more. For example, the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 reduce the depletion region of the PN junction by an n-type doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 or more, Can be implemented. The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may include an n type doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 to 5.0 x 10 20 atoms / cm 3 . When the n-type doping concentration of the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 is less than 1.0 x 10 19 atoms / cm 3, the tunneling effect by the n-type dopant Can be lowered. That is, the ohmic contact between the first conductive type second semiconductor layer 131 and the second conductive type semiconductor layer 116 may not be formed well. The ohmic contact between the first conductive type fourth semiconductor layer 135 and the first electrode 170 may not be formed well. If the n-type doping concentration of the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 exceeds 5.0 x 10 20 atoms / cm 3, the crystallinity may be lowered.

상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 AlcGa1-cN(0<c≤0.04)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 Al 조성비는 0% 초과 4% 이하일 수 있으며 좀 더 상세하게는 2% 내지 3% 일 수 있으며 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 0을 초과하는 Al의 조성에 의해 광 흡수를 개선할 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)이 Al의 조성 c가 0이 되어 Al을 포함하지 않을 경우, 즉 GaN으로 형성될 경우 광을 흡수하게 되어 광도가 저하될 수 있다. Al의 조성 c가 0.04를 초과할 경우, Al의 양이 증가하게 되어 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)이 상기 제2 도전형 반도체층(116) 및 제1 전극(170)과 오믹 접촉이 잘 형성되지 않을 수 있다.The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may include a semiconductor material having a composition formula of Al c Ga 1-c N (0 < c ? 0.04) . The Al composition ratio of the first conductive type third semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be more than 0% and 4% or less, more specifically, 2% to 3% Not limited. The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 can improve light absorption by a composition of Al exceeding zero. When the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 have a composition c of 0 and do not contain Al, that is, they are formed of GaN, they absorb light So that the light intensity may be lowered. When the composition c of Al is more than 0.04, the amount of Al increases so that the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 are electrically connected to the second conductive type semiconductor layer Ohmic contact with the first electrode 116 and the first electrode 170 may not be formed well.

상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 두께는 1㎚ 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 두께는 1㎚ 내지 3㎚일 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 두께가 1㎚ 미만일 경우, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 및 제1 전극(170)과 오믹 접촉이 잘 형성되지 않을 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 두께가 3㎚ 초과일 경우, 광 흡수에 의해 광도가 저하될 수 있다.The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may have a thickness of 1 nm or more. For example, the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may have a thickness of 1 nm to 3 nm. When the thickness of the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 is less than 1 nm, the second conductive type semiconductor layer 116 and the first electrode 170, Ohmic contact may not be formed well. If the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 have a thickness of more than 3 nm, the light absorption may decrease due to light absorption.

실시 예는 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)이 서로 같은 도핑농도, Al 조성 및 두께를 포함하는 것으로 한정하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 도핑농도, Al 조성 및 두께는 이상의 범위에서 변경될 수 있다.Although the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 include the same doping concentration, Al composition and thickness, the embodiment is not limited thereto . For example, the doping concentration, Al composition, and thickness of the first and second semiconductor layers 131 and 135 may be varied within the range described above.

실시 예의 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 상기 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)보다 낮은 도핑농도를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135) 사이에 배치되어 배리어 기능을 갖는 정도의 n형 도핑 농도가 요구될 수 있다. 여기서, 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 n형 도핑 농도가 높을수록 결정성이 저하될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 오믹 접촉을 위해 배치되는 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)보다 낮은 도핑 농도를 포함하여 결정성을 개선할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 1.0 x 1019 atoms/㎤ 내지 5.0 x 1019 atoms/㎤의 n형 도핑농도를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 n형 도핑농도가 1.0 x 1019 atoms/㎤ 미만일 경우, 전류 퍼짐(current spreading) 효과가 저하될 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층의 n형 도핑농도가 5.0 x 1019 atoms/㎤ 초과일 경우, 접촉저항 증가에 의해 동작전압이 높아질 수 있고 결정성이 저하될 수 있다.The first conductive type third semiconductor layer 133 of the embodiment may be disposed between the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135. The first conductive type third semiconductor layer 133 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group II-IV or Group III-V, and may be doped with a first conductive type dopant. For example, the first conductive type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but the present invention is not limited thereto. The first conductive type third semiconductor layer 133 may include a lower doping concentration than the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135. The first conductive type third semiconductor layer 133 is disposed between the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 to form n-type doping Concentration may be required. Here, the crystallinity of the first conductive type third semiconductor layer 133 may be lowered as the n-type doping concentration is higher. More specifically, the first conductive type third semiconductor layer 133 may have a lower doping concentration than the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 disposed for ohmic contact, To improve crystallinity. The first conductive type third semiconductor layer 133 may include an n-type doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 to 5.0 x 10 19 atoms / cm 3. If the n-type doping concentration of the first conductive type third semiconductor layer 133 is less than 1.0 x 10 19 atoms / cm 3, the current spreading effect may be lowered. When the n-type doping concentration of the first conductive type third semiconductor layer is more than 5.0 x 10 19 atoms / cm 3, the operating voltage may be increased and the crystallinity may be lowered due to an increase in contact resistance.

상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 AldGa1-dN(0.02≤d≤0.07)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 Al의 조성비는 2% 내지 7%로써, 배리어 기능 및 전류 퍼짐(current spreading) 기능을 포함할 수 있다. 좀 더 상세하게는 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 Al 조성비는 5% 내지 7%로 형성할 수도 있으며 이에 한정하지 않는다. 상기 Al의 조성 d이 0.02 미만일 경우, 광 흡수에 의해 광도가 저하될 수 있다. Al의 조성d이 0.07 초과일 경우, 결정성이 저하될 수 있다. 실시 예의 도전형 AlGaN 계열 제3 반도체층(133)은 일정한 Al의 조성을 포함하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 Al 조성 d는 상기 Al의 조성 범위내에서 조정 가능하며 예를 들어 도전형 제4 반도체층(135)으로 갈수록 커지거나, 작아질 수 있다.The first conductive type third semiconductor layer 133 may include a semiconductor material having a composition formula of Al d Ga 1-d N (0.02 ? D ? 0.07). The composition ratio of Al of the first conductive type third semiconductor layer 133 is 2% to 7%, and may include a barrier function and a current spreading function. More specifically, the Al composition ratio of the first conductive type third semiconductor layer 133 may be 5% to 7%, but is not limited thereto. If the composition d of Al is less than 0.02, the light absorption may be lowered by light absorption. When the composition d of Al is more than 0.07, the crystallinity may be lowered. The conductive AlGaN-based third semiconductor layer 133 of the embodiment includes a constant composition of Al, but is not limited thereto. For example, the Al composition d of the first conductive type third semiconductor layer 133 can be adjusted within the composition range of Al and can be made larger or smaller as the conductive type fourth semiconductor layer 135, for example.

상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 두께는 10㎚ 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 두께는 10㎚ 내지 20㎚ 일 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 두께가 10㎚ 미만일 경우, 전류 퍼짐 효과가 저하될 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 두께가 20㎚ 초과일 경우, 접촉저항 증가에 의해 동작전압이 높아질 수 있어 발광 효율이 저하될 수 있다.The thickness of the first conductive type third semiconductor layer 133 may be 10 nm or more. For example, the thickness of the first conductive type third semiconductor layer 133 may be 10 nm to 20 nm. If the thickness of the first conductive type third semiconductor layer 133 is less than 10 nm, the current spreading effect may be lowered. If the thickness of the first conductive type third semiconductor layer 133 is more than 20 nm, the operating voltage may be increased due to an increase in contact resistance, and the luminous efficiency may be lowered.

실시 예의 자외선 발광소자(100)는 상기 발광구조물(110)과 제2 전극(160) 사이에 전류 퍼짐층(130)이 배치되어 상기 발광구조물(110)과 제2 전극(160) 사이의 오믹 접촉 및 전류 퍼짐 효과를 개선할 수 있다.The current spreading layer 130 is disposed between the light emitting structure 110 and the second electrode 160 to form an ohmic contact between the light emitting structure 110 and the second electrode 160. [ And the current spreading effect can be improved.

상기 제1 전극(170)은 반사층(173), 캡핑층(175) 및 패드(177)을 포함할 수 있다. 상기 반사층(173) 및 캡핑층(175)은 상기 전류 퍼짐층(130) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반사층(173) 및 캡핑층(175)은 상기 전류 퍼짐층(130)과 상기 제2 전극(160) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(170)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(170)은 상기 제2 전극(160)과 전기적으로 절연될 수 있다. The first electrode 170 may include a reflective layer 173, a capping layer 175, and a pad 177. The reflective layer 173 and the capping layer 175 may be disposed under the current spreading layer 130. The reflective layer 173 and the capping layer 175 may be disposed between the current spreading layer 130 and the second electrode 160. The first electrode 170 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 116. The first electrode 170 may be electrically insulated from the second electrode 160.

상기 반사층(173)은 상기 전류 퍼짐층(130)과 상기 캡핑층(175) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사층(173)은 상기 전류 퍼짐층(130) 및 캡핑층(175)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 반사층(173)은 상기 발광구조물(110)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 반사층(173)은 상기 발광구조물(110)로부터의 광을 외부로 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 반사층(173)은 금속일 수 있다. 예컨대 상기 반사층(173)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금일 수 있으며 단층 또는 다층으로 형성할 수 있다. The reflective layer 173 may be disposed between the current spreading layer 130 and the capping layer 175. The reflective layer 173 may be electrically connected to the current spreading layer 130 and the capping layer 175. The reflective layer 173 may include a function of reflecting light incident from the light emitting structure 110. The reflective layer 173 may improve light extraction efficiency by reflecting light from the light emitting structure 110 to the outside. The reflective layer 173 may be a metal. For example, the reflective layer 173 may be a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, .

상기 캡핑층(175)은 상기 반사층(173)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(175)은 상기 반사층(173)과 접촉될 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(175)은 상기 반사층(173)의 하부면과 직접 접촉될 수 있으며 이에 한정하지 않는다. 상기 캡핑층(175)은 상기 패드(177) 아래에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층(175)은 상기 패드(177)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 캡핑층(175)은 상기 패드(177)와 접촉될 수 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(175)은 상기 패드(177)의 하부와 직접 접촉될 수 있으며 이에 한정하지 않는다. 상기 캡핑층(175)은 상기 패드(177)로부터 공급되는 구동전원을 상기 발광구조물(110)에 제공할 수 있다. 상기 캡핑층(175)은 도전성 물질일 수 있다. 예컨대 상기 캡핑층(175)은 Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 캡핑층(175)의 가장자리는 상기 발광구조물(110)의 가장자리보다 더 외측에 배치될 수 있으며 이에 한정하지 않는다.The capping layer 175 may be disposed under the reflective layer 173. The capping layer 175 may be in contact with the reflective layer 173. For example, the capping layer 175 may be in direct contact with the bottom surface of the reflective layer 173, but is not limited thereto. The capping layer 175 may be disposed below the pad 177. The capping layer 175 may be electrically connected to the pad 177. The capping layer 175 may be in contact with the pad 177. For example, the capping layer 175 may be in direct contact with the bottom of the pad 177, but is not limited thereto. The capping layer 175 may provide the driving power supplied from the pad 177 to the light emitting structure 110. The capping layer 175 may be a conductive material. For example, the capping layer 175 may include at least one of Au, Cu, Ni, Ti, Ti, W, Cr, W, Pt, V, Fe and Mo. The edge of the capping layer 175 may be disposed outside the edge of the light emitting structure 110, but is not limited thereto.

상기 패드(177)는 상기 발광구조물(110)로부터 이격될 수 있다. 상기 패드(177)는 상기 발광구조물(110)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 패드(177)는 상기 발광구조물(110)보다 외측에 배치된 상기 제1 캡핑층(175) 위에 배치될 수 있다. 상기 패드(177)는 Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, Be, Zn, Ge 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The pad 177 may be spaced apart from the light emitting structure 110. The pad 177 may be disposed outside the light emitting structure 110. The pad 177 may be disposed on the first capping layer 175 disposed outside the light emitting structure 110. The pad 177 may include at least one of Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, Be, Zn and Ge. .

상기 제2 전극(160)은 상기 제1 전극(170) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(160)은 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극(160)은 확산 방지층(161), 본딩층(163) 및 지지부재(165)를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(160)은 상기 확산 방지층(161), 상기 본딩층(163), 상기 지지부재(165) 중에서 1 개 또는 2 개를 선택적으로 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제2 전극(160)은 상기 확산 방지층(161) 및 상기 본딩층(163) 중 적어도 하나를 삭제할 수 있다.The second electrode 160 may be disposed below the first electrode 170. The second electrode 160 may be electrically connected to the first conductive type first semiconductor layer 112. The second electrode 160 may include a diffusion prevention layer 161, a bonding layer 163, and a support member 165. The second electrode 160 may selectively include one or two of the diffusion preventing layer 161, the bonding layer 163, and the supporting member 165. For example, the second electrode 160 may remove at least one of the diffusion prevention layer 161 and the bonding layer 163.

상기 확산 방지층(161)은 상기 제1 전극(170)으로 상기 본딩층(163)에 포함된 물질의 확산을 방지하는 기능을 포함할 수 있다. 상기 확산 방지층(161)은 본딩층(163) 및 지지부재(165)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 확산 방지층(161)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 확산 방지층(161)은 리세스(141)와 절연층(143)에 의해 상기 제2 전극(160), 전류 퍼짐층(130), 제2 도전형 반도체층(116) 및 활성층(114)과 절연되고, 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다.The diffusion preventing layer 161 may include a function of preventing the diffusion of a material contained in the bonding layer 163 with the first electrode 170. The diffusion preventing layer 161 may be electrically connected to the bonding layer 163 and the support member 165. The diffusion barrier layer 161 may include at least one of Cu, Ni, Ti, W, Cr, W, Pt, V, Fe and Mo. The diffusion barrier layer 161 is formed on the second electrode 160, the current spreading layer 130, the second conductivity type semiconductor layer 116, and the active layer 114 by the recess 141 and the insulating layer 143, And may be electrically connected to the first conductive type first semiconductor layer 112.

상기 본딩층(163)은 상기 확산 방지층(161) 아래에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(163)은 상기 확산 방지층(161)과 상기 지지부재(165) 사이에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(163)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 본딩층(163)은 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The bonding layer 163 may be disposed under the diffusion barrier layer 161. The bonding layer 163 may be disposed between the diffusion barrier layer 161 and the support member 165. The bonding layer 163 may include a barrier metal or a bonding metal. For example, the bonding layer 163 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd and Ta.

상기 지지부재(165)는 금속 또는 캐리어 기판일 수 있다. 예컨대 상기 지지부재(165)는 Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, Be, Zn, Ge 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The support member 165 may be a metal or a carrier substrate. For example, the support member 165 may be a semiconductor substrate (e.g., Si, Ge, GaN) doped with Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, , GaAs, ZnO, SiC, SiGe, or the like), and may be formed as a single layer or a multilayer.

실시 예의 자외선 발광소자(100)는 발광구조물(110)과 제2 전극(160) 사이에 제1 도전형 의 반도체 구조가 배치되어 광 흡수를 줄여 광도를 개선할 수 있다.The first conductive semiconductor structure may be disposed between the light emitting structure 110 and the second electrode 160 to improve light intensity by reducing light absorption.

또한, 실시 예의 자외선 발광소자(100)는 발광구조물(110)과 제2 전극(160) 사이에 제1 도전형 의 반도체 구조가 배치되어 전류 퍼짐 효과를 개선할 수 있다.In addition, in the ultraviolet light emitting device 100 of the embodiment, the first conductive semiconductor structure may be disposed between the light emitting structure 110 and the second electrode 160 to improve the current spreading effect.

도 4 내지 도 8은 실시 예에 따른 자외선 발광소자의 제조방법을 도시한 단면도이다.4 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an ultraviolet light-emitting device according to an embodiment.

도 3 및 도 4를 참조하면, 발광구조물(110), 전류 퍼짐층(130), 반사층(173), 캡핑층(175)은 기판(5) 상에 형성될 수 있다. 3 and 4, the light emitting structure 110, the current spreading layer 130, the reflective layer 173, and the capping layer 175 may be formed on the substrate 5.

상기 기판(5)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일수 있다. 예컨대 상기 기판(5)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 상기 기판(5) 상에는 광 추출 효율 향상을 위한 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 5 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 5 may use at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 . The concavo-convex structure for improving light extraction efficiency may be formed on the substrate 5, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광구조물(110)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting structure 110 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, a molecular beam epitaxy , Molecular Beam Epitaxy, and Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), but the present invention is not limited thereto.

상기 발광구조물(110)은 상기 기판(5) 위에 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(110)은 제1 도전형 제1 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 110 may be formed on the substrate 5. The light emitting structure 110 may include a first conductive type first semiconductor layer 112, an active layer 114, and a second conductive type semiconductor layer 116.

상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 AlnGa1-nN (0≤n≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The first conductive type first semiconductor layer 112 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group II-IV or Group III-V, and may be doped with a first conductive type dopant. For example, the first conductive type first semiconductor layer 112 may include a semiconductor material having a composition formula of Al n Ga 1 -n N ( 0? N? 1 ). When the first conductive type first semiconductor layer 112 is an n-type semiconductor layer, it may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto.

상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 114 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure.

상기 활성층(114)은 상기 제1 도전형 제2 반도체층(112)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(116)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(114)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다.Electrons (or holes) injected through the first conductive type second semiconductor layer 112 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 116 meet with each other in the active layer 114 And a band gap of an energy band according to a material of the active layer 114. The light emitting layer is a layer which emits light according to a band gap of an energy band according to a material of the active layer 114. [

상기 활성층(114)는 화합물 반도체로 구성될 수 있다. 상기 활성층(114)는 예로서 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.The active layer 114 may be made of a compound semiconductor. The active layer 114 may be formed of at least one of Group II-IV and Group III-V compound semiconductors.

상기 활성층(114)은 양자우물과 양자벽을 포함할 수 있다. 상기 활성층(114)이 다중 양자 우물 구조로 구현된 경우, 양자우물과 양자벽이 교대로 배치될 수 있다. 상기 양자우물과 양자벽은 각각 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있거나, AlGaN/GaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/GaN, GaAs/AlGaAs, InGaAs/AlGaAs, GaP/AlGaP, InGaP AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The active layer 114 may include a quantum well and a quantum wall. When the active layer 114 is implemented as a multiple quantum well structure, quantum wells and quantum wells can be alternately arranged. The quantum well and the quantum wall may be arranged in a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) But not limited to, any one or more pairs of AlGaN / GaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / GaN, InGaN / InGaN, InAlGaN / GaN, GaAs / AlGaAs, InGaAs / AlGaAs, GaP / AlGaP and InGaP AlGaP.

상기 제2 도전형 반도체층(116)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 AlpGa1-pN (0≤p≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 116 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group II-IV and Group III-V, and may be doped with a second conductive dopant. For example, the second conductive semiconductor layer 116 may include a semiconductor material having a composition formula of Al p Ga 1-p N ( 0? P? 1 ). When the second conductive semiconductor layer 116 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants.

상기 전류 퍼짐층(130)은 상기 발광구조물(110) 위에 형성될 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 상기 제2 도전형 반도체층(116) 위에 형성될 수 있고,, 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 오믹 접촉될 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 제1 도전형 제2 반도체층(131), 제1 도전형 제3 반도체층(133) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)을 포함할 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 AlGaN 계열 반도체층으로 구성되어 광 흡수에 의한 광도 저하를 개선할 수 있다. 예컨대 상기 전류 퍼짐층(130)은 자외선 파장의 광 흡수를 개선할 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 제1 도전형 도펀트를 포함하는 AlGaN 계열 반도체층으로 구성되어 오믹 접촉 및 전류 퍼짐을 개선할 수 있다.The current spreading layer 130 may be formed on the light emitting structure 110. The current spreading layer 130 may be formed using a chemical vapor deposition (CVD) method, a molecular beam epitaxy (MBE) method, a sputtering method, or a vapor phase epitaxy (HVPE) method. The current spreading layer 130 may be formed on the second conductive semiconductor layer 116 and may be in ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 116. The current spreading layer 130 may include a first conductive type second semiconductor layer 131, a first conductive type third semiconductor layer 133, and a first conductive type fourth semiconductor layer 135. The current spreading layer 130 is composed of an AlGaN-based semiconductor layer, and the decrease in luminous intensity due to light absorption can be improved. For example, the current spreading layer 130 can improve light absorption of ultraviolet wavelengths. The current spreading layer 130 may be formed of an AlGaN-based semiconductor layer including a first conductive dopant to improve ohmic contact and current spreading.

상기 제1 도전형 제2 반도체층(131)은 상기 제2 도전형 반도체층(116) 위에 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 제1 도전형 제3 반도체층(133) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 제4 반도체층(135)는 이후 형성되는 반사층(173)과 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 상기 반사층(173)과 제1 도전형 제3 반도체층(133) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 1.0 x 1019 atoms/㎤이상의 n형 도핑농도를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 1.0 x 1019 atoms/㎤ 이상의 n형 도핑농도에 의해 PN접합의 공핍영역을 줄여 정공의 터널링(Tunneling)을 구현할 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 1.0 x 1019 atoms/㎤ 내지 5.0 x 1020 atoms/㎤의 n형 도핑농도를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 n형 도핑농도는 1.0 x 1019 atoms/㎤ 미만일 경우, n형 도펀트에 의한 터널링(tunneling) 효과가 저하될 수 있다. 즉, 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131)과 상기 제2 도전형 반도체층(116)은 오믹 접촉이 잘 형성되지 않을 수 있다. 상기 제1 도전형 제4 반도체층(135)과 상기 반사층(173)은 오믹 접촉이 잘 형성되지 않을 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 n형 도핑농도는 5.0 x 1020 atoms/㎤ 초과일 경우, 결정성이 저하될 수 있다. The first conductive type second semiconductor layer 131 may be formed on the second conductive type semiconductor layer 116. The first conductive type second semiconductor layer 131 may be in direct contact with the second conductive type semiconductor layer 116. The first conductive type second semiconductor layer 131 may be disposed between the second conductive type semiconductor layer 116 and the first conductive type third semiconductor layer 133. The first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be disposed on the first conductive type third semiconductor layer 133. The first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be in direct contact with the reflective layer 173 to be formed later. The first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be disposed between the reflective layer 173 and the first conductive type third semiconductor layer 133. The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be formed of a semiconductor compound such as a compound semiconductor such as a Group II-IV and a Group III- A first conductivity type dopant may be doped. For example, the first conductive type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but the present invention is not limited thereto. The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may include an n-type doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 or more. For example, the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 reduce the depletion region of the PN junction by an n-type doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 or more, (Tunneling) can be implemented. The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may include an n type doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 to 5.0 x 10 20 atoms / cm 3 . When the n-type doping concentration of the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 is less than 1.0 x 10 19 atoms / cm 3, the tunneling effect by the n-type dopant Can be lowered. That is, the ohmic contact between the first conductive type second semiconductor layer 131 and the second conductive type semiconductor layer 116 may not be formed well. The ohmic contact between the first conductive type fourth semiconductor layer 135 and the reflective layer 173 may not be well formed. If the n-type doping concentration of the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 exceeds 5.0 x 10 20 atoms / cm 3, the crystallinity may be lowered.

상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 AlcGa1-cN(0<c≤0.04)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 Al 조성비는 0% 초과 4% 이하일 수 있으며 좀 더 상세하게는 2% 내지 3% 일 수 있으며 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)은 0을 초과하는 Al의 조성에 의해 광 흡수를 개선할 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)이 Al의 조성 c가 0이되어 Al을 포함하지 않을 경우, 즉 GaN으로 형성되는 경우 광을 흡수하게 되어 광도가 저하될 수 있다. Al의 조성 c가 0.04 초과할 경우, Al의 양이 증가하게 되어 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)가 상기 제2 도전형 반도체층(116) 및 반사층(173)과 오믹 접촉이 잘 형성되지 않을 수 있다.The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may include a semiconductor material having a composition formula of Al c Ga 1-c N (0 < c ? 0.04) . The Al composition ratio of the first conductive type third semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may be more than 0% and 4% or less, more specifically, 2% to 3% Not limited. The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 can improve light absorption by a composition of Al exceeding zero. When the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 do not contain Al, that is, GaN, when the composition c of Al is 0, the light is absorbed So that the light intensity may be lowered. When the composition c of Al is more than 0.04, the amount of Al increases, so that the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 are formed in the second conductive type semiconductor layer 116 and the reflective layer 173 may not be formed well.

상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 두께는 1㎚ 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 두께는 1㎚ 내지 3㎚일 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 두께가 1㎚ 미만일 경우, 상기 제2 도전형 반도체층(116) 및 반사층(173)과 오믹 접촉이 잘 형성되지 않을 수 있다. 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 두께가 3㎚ 초과일 경우, 광 흡수에 의해 광도가 저하될 수 있다.The first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may have a thickness of 1 nm or more. For example, the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 may have a thickness of 1 nm to 3 nm. When the thickness of the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 is less than 1 nm, the ohmic contact with the second conductive type semiconductor layer 116 and the reflective layer 173 May not be formed well. If the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 have a thickness of more than 3 nm, the light absorption may decrease due to light absorption.

실시 예는 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)이 서로 같은 도핑농도, Al 조성 및 두께를 포함하는 것으로 한정하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)의 도핑농도, Al 조성 및 두께는 이상의 범위 내에서 변경될 수 있다.Although the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 include the same doping concentration, Al composition and thickness, the embodiment is not limited thereto . For example, the doping concentration, Al composition, and thickness of the first and second semiconductor layers 131 and 135 may be varied within the range described above.

실시 예의 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 상기 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135) 사이에 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135)보다 낮은 도핑농도를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 상기 제1 도전형 제2 반도체층(131) 및 제1 도전형 제4 반도체층(135) 사이에 배치되어 배리어 기능을 갖는 정도의 n형 도핑 농도가 요구될 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 1.0 x 1019 atoms/㎤ 내지 5.0 x 1019 atoms/㎤의 n형 도핑농도를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 n형 도핑농도가 1.0 x 1019 atoms/㎤ 미만일 경우, 전류 퍼짐(current spreading) 효과가 저하될 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층의 n형 도핑농도가 5.0 x 1019 atoms/㎤ 초과일 경우, 접촉저항 증가에 의해 동작전압이 높아질 수 있다.The first conductive type third semiconductor layer 133 of the embodiment may be formed between the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135. The first conductive type third semiconductor layer 133 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as Group II-IV or Group III-V, and may be doped with a first conductive type dopant. For example, the first conductive type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but the present invention is not limited thereto. The first conductive type third semiconductor layer 133 may include a lower doping concentration than the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135. The first conductive type third semiconductor layer 133 is disposed between the first conductive type second semiconductor layer 131 and the first conductive type fourth semiconductor layer 135 to form n-type doping Concentration may be required. The first conductive type third semiconductor layer 133 may include an n-type doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 to 5.0 x 10 19 atoms / cm 3. If the n-type doping concentration of the first conductive type third semiconductor layer 133 is less than 1.0 x 10 19 atoms / cm 3, the current spreading effect may be lowered. When the n-type doping concentration of the first conductive type third semiconductor layer is greater than 5.0 x 10 19 atoms / cm 3, the operating voltage can be increased by an increase in contact resistance.

상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)은 AldGa1-dN(0.02≤d≤0.07)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 Al의 조성비는 2% 내지 7%로써, 배리어 기능 및 전류 퍼짐기능을 포함할 수 있다. 좀 더 상세하게는 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 Al 조성비는 5% 내지 7%로 형성할 수도 있으며 이에 한정하지 않는다. 상기 Al의 조성d가 0.02 미만일 경우, 광 흡수에 의해 광도가 저하될 수 있다. Al의 조성d가 0.07 초과일 경우, 결정성이 저하될 수 있다. 실시 예의 도전형 AlGaN 계열 제3 반도체층(133)은 일정한 Al의 조성을 포함하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 Al 조성은 상기 Al의 조성 범위내에서 제1 도전형 제4 반도체층(135)으로 갈수록 커지거나, 작아질 수 있다.The first conductive type third semiconductor layer 133 may include a semiconductor material having a composition formula of Al d Ga 1-d N (0.02 ? D ? 0.07). The composition ratio of Al of the first conductive type third semiconductor layer 133 is 2% to 7%, and may include a barrier function and a current spreading function. More specifically, the Al composition ratio of the first conductive type third semiconductor layer 133 may be 5% to 7%, but is not limited thereto. When the composition d of Al is less than 0.02, the light absorption may be lowered by light absorption. When the composition d of Al is more than 0.07, the crystallinity may be lowered. The conductive AlGaN-based third semiconductor layer 133 of the embodiment includes a constant composition of Al, but is not limited thereto. For example, the Al composition of the first conductive type third semiconductor layer 133 may be increased or decreased toward the first conductive type fourth semiconductor layer 135 within the Al composition range.

상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 두께는 10㎚ 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 두께는 10㎚ 내지 20㎚일 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 두께가 10㎚ 미만일 경우, 전류 퍼짐 효과가 저하될 수 있다. 상기 제1 도전형 제3 반도체층(133)의 두께가 20㎚ 초과일 경우, 접촉저항 증가에 의해 동작전압이 높아질 수 있어 발광 효율이 저하될 수 있다.The thickness of the first conductive type third semiconductor layer 133 may be 10 nm or more. For example, the thickness of the first conductive type third semiconductor layer 133 may be 10 nm to 20 nm. If the thickness of the first conductive type third semiconductor layer 133 is less than 10 nm, the current spreading effect may be lowered. If the thickness of the first conductive type third semiconductor layer 133 is more than 20 nm, the operating voltage may be increased due to an increase in contact resistance, and the luminous efficiency may be lowered.

상기 반사층(173)은 상기 전류 퍼짐층(130) 위에 형성될 수 있다. 상기 반사층(173)은 상기 반사층(173)은 상기 발광구조물(110)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 반사층(173)은 상기 발광구조물(110)로부터의 광을 외부로 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 반사층(173)은 금속일 수 있다. 예컨대 상기 반사층(173)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금일 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성할 수 있다. The reflective layer 173 may be formed on the current spreading layer 130. The reflective layer 173 may include a function of reflecting light incident from the light emitting structure 110. The reflective layer 173 may improve light extraction efficiency by reflecting light from the light emitting structure 110 to the outside. The reflective layer 173 may be a metal. For example, the reflective layer 173 may be a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, can do.

상기 캡핑층(175)은 상기 반사층(173) 위에 형성될 수 있다. 상기 캡핑층(175)은 상기 반사층(173)의 하부면과 직접 접촉될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 캡핑층(175)은 도전성 물질일 수 있다. 예컨대 상기 캡핑층(175)은 Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 캡핑층(175)의 가장자리는 상기 발광구조물(110)의 가장자리보다 더 외측에 배치될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The capping layer 175 may be formed on the reflective layer 173. The capping layer 175 may be in direct contact with the lower surface of the reflective layer 173, but is not limited thereto. The capping layer 175 may be a conductive material. For example, the capping layer 175 may include at least one of Au, Cu, Ni, Ti, Ti, W, Cr, W, Pt, V, Fe and Mo. The edge of the capping layer 175 may be disposed outside the edge of the light emitting structure 110, but the present invention is not limited thereto.

도 5를 참조하면, 복수의 리세스(141)는 상기 발광구조물(110) 내에 형성될 수 있다. 상기 리세스(141)는 에칭 공정을 통해서 형성될 수 있다. 상기 리세스(141)는 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)의 일부를 외부에 노출시킬 수 있다. 상기 리세스(141)는 상기 캡핑층(175), 반사층(173), 전류 퍼짐층(130)의 측면을 외부에 노출시키고, 제2 도전형 반도체층(116) 및 활성층(114)의 측면을 외부에 노출시킬 수 있다. 상기 리세스(141)의 바닥면에는 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)이 노출될 수 있다.Referring to FIG. 5, a plurality of recesses 141 may be formed in the light emitting structure 110. The recess 141 may be formed through an etching process. The recess 141 may expose a part of the first conductive type first semiconductor layer 112 to the outside. The recess 141 exposes the sides of the capping layer 175, the reflective layer 173 and the current spreading layer 130 to the outside and the side surfaces of the second conductivity type semiconductor layer 116 and the active layer 114 And can be exposed to the outside. The first conductive type first semiconductor layer 112 may be exposed on the bottom surface of the recess 141.

도 6을 참조하면, 절연층(143)은 상기 캡핑층(175) 및 리세스(141) 위에 형성될 수 있고, 제2 전극(160)은 상기 절연층(143) 위에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, an insulating layer 143 may be formed on the capping layer 175 and the recess 141, and a second electrode 160 may be formed on the insulating layer 143.

상기 절연층(143)은 반사층(173) 및 캡핑층(175)과 제2 전극(160) 사이를 절연시킬 수 있다. 상기 절연층(143)은 제2 전극(160)과 상기 제2 도전형 반도체층(116) 사이를 절연시킬 수 있다. 상기 절연층(143)은 상기 리세스(141)의 측부에 형성될 수 있다. 즉, 상기 절연층(143)은 상기 리세스(141)의 측부에 노출되는 캡핑층(175), 반사층(173), 전류 퍼짐층(130), 제2 도전형 반도체층(116), 활성층(114) 및 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)을 절연시킬 수 있다. 상기 절연층(143)은 상기 리세스(141)의 바닥면에 위치한 제1 도전형 제1 반도체층(112)의 일부를 노출시킬 수 있다. 상기 절연층(143)은 산화물 또는 질화물일 수 있다. 상기 절연층(143)은 SiO2, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택될 수 있다.The insulating layer 143 may isolate the reflective layer 173 and the capping layer 175 from the second electrode 160. The insulating layer 143 may isolate the second electrode 160 from the second conductive semiconductor layer 116. The insulating layer 143 may be formed on the side of the recess 141. That is, the insulating layer 143 includes a capping layer 175, a reflective layer 173, a current spreading layer 130, a second conductive semiconductor layer 116, an active layer (not shown) exposed at the side of the recess 141 114 and the first conductive type semiconductor layer 112 may be insulated. The insulating layer 143 may expose a portion of the first conductive type semiconductor layer 112 located on the bottom surface of the recess 141. The insulating layer 143 may be an oxide or a nitride. The insulating layer 143 may be at least one selected from the group consisting of SiO 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , have.

상기 제2 전극(160)은 상기 절연층(143) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(160)은 상기 리세스(141)의 바닥면에 노출된 제1 도전형 제1 반도체층(112) 위에 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(160)은 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극(160)은 확산 방지층(161), 본딩층(163) 및 지지부재(165)를 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(160)은 상기 확산 방지층(161), 상기 본딩층(163), 상기 지지부재(165) 중에서 1 개 또는 2 개를 선택적으로 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제2 전극(160)은 상기 확산 방지층(161) 및 상기 본딩층(163) 중 적어도 하나를 삭제할 수 있다.The second electrode 160 may be formed on the insulating layer 143. The second electrode 160 may be formed on the first conductive semiconductor layer 112 exposed on the bottom surface of the recess 141. The second electrode 160 may be electrically connected to the first conductive type first semiconductor layer 112. The second electrode 160 may include a diffusion prevention layer 161, a bonding layer 163, and a support member 165. The second electrode 160 may selectively include one or two of the diffusion preventing layer 161, the bonding layer 163, and the supporting member 165. For example, the second electrode 160 may remove at least one of the diffusion prevention layer 161 and the bonding layer 163.

상기 확산 방지층(161)은 상기 제1 전극(170)으로 상기 본딩층(163)에 포함된 물질의 확산을 방지하는 기능을 포함할 수 있다. 상기 확산 방지층(161)은 본딩층(163) 및 지지부재(165)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 확산 방지층(161)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 확산 방지층(161)은 리세스(141)와 절연층(143)에 의해 상기 제2 전극(160), 전류 퍼짐층(130), 제2 도전형 반도체층(116) 및 활성층(114)과 절연되고, 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다.The diffusion preventing layer 161 may include a function of preventing the diffusion of a material contained in the bonding layer 163 with the first electrode 170. The diffusion preventing layer 161 may be electrically connected to the bonding layer 163 and the support member 165. The diffusion barrier layer 161 may include at least one of Cu, Ni, Ti, W, Cr, W, Pt, V, Fe and Mo. The diffusion barrier layer 161 is formed on the second electrode 160, the current spreading layer 130, the second conductivity type semiconductor layer 116, and the active layer 114 by the recess 141 and the insulating layer 143, And may be electrically connected to the first conductive type first semiconductor layer 112.

상기 본딩층(163)은 상기 확산 방지층(161) 아래에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(163)은 상기 확산 방지층(161)과 상기 지지부재(165) 사이에 배치될 수 있다. 상기 본딩층(163)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 본딩층(163)은 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The bonding layer 163 may be disposed under the diffusion barrier layer 161. The bonding layer 163 may be disposed between the diffusion barrier layer 161 and the support member 165. The bonding layer 163 may include a barrier metal or a bonding metal. For example, the bonding layer 163 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd and Ta.

상기 지지부재(165)는 금속 또는 캐리어 기판일 수 있다. 예컨대 상기 지지부재(165)는 Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, Be, Zn, Ge 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The support member 165 may be a metal or a carrier substrate. For example, the support member 165 may be a semiconductor substrate (e.g., Si, Ge, GaN) doped with Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, , GaAs, ZnO, SiC, SiGe, or the like), and may be formed as a single layer or a multilayer.

도 7 및 도 8을 참조하면, 기판(도6의 5)은 발광구조물(110)로부터 제거될 수 있다. 상기 기판(도7의 5)의 제거 방법은 화학적 식각 방법을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to Figures 7 and 8, the substrate (5 in Figure 6) may be removed from the light emitting structure 110. The method of removing the substrate (5 in FIG. 7) may be a chemical etching method, but is not limited thereto.

패드(177)는 발광구조물(110)로부터 노출된 캡핑층(175) 위에 형성될 수 있다. 상기 캡핑층(175)은 에칭 공정을 통해서 상기 발광구조물(110)로부터 상부면이 노출될 수 있고, 노출된 상기 캡핑층(175)은 발광 소자의 적어도 하나의 모서리 영역에 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.A pad 177 may be formed over the capping layer 175 exposed from the light emitting structure 110. The upper surface of the capping layer 175 may be exposed from the light emitting structure 110 through an etching process and the exposed capping layer 175 may be located in at least one edge region of the light emitting device. But is not limited thereto.

상기 패드(177)는 상기 발광구조물(110)로부터 이격될 수 있다. 상기 패드(177)는 상기 발광구조물(110)보다 외측에 배치될 수 있다. 상기 패드(177)는 상기 발광구조물(110)보다 외측에 위치한 상기 제1 캡핑층(175) 위에 배치될 수 있다. 상기 패드(177)는 Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, Be, Zn, Ge 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The pad 177 may be spaced apart from the light emitting structure 110. The pad 177 may be disposed outside the light emitting structure 110. The pad 177 may be disposed on the first capping layer 175 located outside the light emitting structure 110. The pad 177 may include at least one of Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W, Be, Zn and Ge. .

상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)은 광 추출 효율을 향상시키는 광 추출 패턴(113)이 형성될 수 있다. 상기 광 추출 패턴(113)은 기판(도6의 5)이 제거되어 노출된 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)의 상부면 상에 형성될 수 있다. 상기 광 추출 패턴(113)은 PEC 등의 방법으로 형성될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광 추출 패턴(113)은 규칙적인 형상 및 배열을 갖도록 형성할 수 있고, 불규칙적인 형상 및 배열을 갖도록 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 광 추출 패턴(113)의 단면은 다각형, 원형 또는 타원형일 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 상기 광 추출 패턴(113)은 활성층(114)으로부터 생성된 빛 중에 상기 제1 도전형 제1 반도체층(112)의 상부면으로부터 전반사되어 재흡수되는 빛을 외부로 굴절시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The first conductive type first semiconductor layer 112 may have a light extracting pattern 113 for improving light extraction efficiency. The light extracting pattern 113 may be formed on the upper surface of the first conductive type first semiconductor layer 112 exposed by removing the substrate (5 of FIG. 6). The light extracting pattern 113 may be formed by a method such as PEC, but is not limited thereto. The light extracting patterns 113 may be formed to have regular shapes and arrangements, and may have irregular shapes and arrangements. For example, the cross section of the light extracting pattern 113 may be polygonal, circular or elliptical, but is not limited thereto. The light extracting pattern 113 refracts light, which is totally reflected from the upper surface of the first conductive type semiconductor layer 112 and reabsorbed, out of the light generated from the active layer 114 to improve light extraction efficiency .

실시 예의 자외선 발광소자(100)는 발광구조물(110)과 제2 전극(160) 사이에 제1 도전형 의 반도체 구조가 배치되어 광 흡수를 줄여 광도를 개선할 수 있다.The first conductive semiconductor structure may be disposed between the light emitting structure 110 and the second electrode 160 to improve light intensity by reducing light absorption.

또한, 실시 예의 자외선 발광소자(100)는 발광구조물(110)과 제2 전극(160) 사이에 제1 도전형 의 반도체 구조가 배치되어 전류 퍼짐 효과를 개선할 수 있다.In addition, in the ultraviolet light emitting device 100 of the embodiment, the first conductive semiconductor structure may be disposed between the light emitting structure 110 and the second electrode 160 to improve the current spreading effect.

도 9은 다른 실시 예에 따른 자외선 발광소자를 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating an ultraviolet light-emitting device according to another embodiment.

도 9에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예에 따른 발광소자(200)는 발광구조물(110)의 상부에 배치된 제2 전극(260)과, 상기 발광구조물(110)의 하부에 배치된 제1 전극(270)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 따른 발광소자(200)는 제1 도전형 GaN 계열 제1 반도체층(112)과 제1 전극(270) 사이에 전류 퍼짐층(130)이 배치될 수 있다.9, the light emitting device 200 according to another embodiment includes a second electrode 260 disposed on the upper portion of the light emitting structure 110, a first electrode 260 disposed on the lower portion of the light emitting structure 110, Electrode 270 as shown in FIG. In the light emitting device 200 according to another embodiment, the current spreading layer 130 may be disposed between the first conductive type GaN first semiconductor layer 112 and the first electrode 270.

다른 실시 예는 상기 발광구조물(110) 아래에 전류 블로킹층(145) 및 채널층(146)이 배치될 수 있다. In another embodiment, the current blocking layer 145 and the channel layer 146 may be disposed below the light emitting structure 110.

상기 전류 블로킹층(145)은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 발광구조물(110)과 상기 제1 전극(270) 사이에 적어도 하나가 형성될 수 있다. 상기 전류 블로킹층(145)은 상기 발광구조물(110) 상에 배치된 상기 제2 전극(260)과 수직한 방향으로 중첩될 수 있다. 여기서, 상기 제2 전극(260) 및 제1 전극(270)이 수직으로 중첩되는 경우, 수직으로 중첩된 영역에서 상기 제2 전극(260) 및 제1 전극(270)이 최단거리를 갖게 되므로 상기 수직으로 중첩된 영역에서 전류 밀집이 발생할 수 있다. 상기 전류 밀집은 국부적인 영역의 전자 및 전공의 결합으로 발광소자의 구동시간에 따라 광의 드룹(Droop)을 야기할 수 있다. 상기 전류 블로킹층(145)은 상기 제2 전극(260) 및 제1 전극(270)의 수직으로 중첩되는 최단거리의 전류를 차단하여, 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다. 실시 예의 발광소자(200)는 상기 제1 및 제2 전극(270, 260)이 수직으로 중첩되는 영역에 전류 블로킹층(145)이 배치되어 전류 밀집 및 광의 드룹(Droop)을 개선할 수 있다.The current blocking layer 145 is SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO 2 may include at least one of the the light emitting structure 110. The first electrode At least one may be formed between the first electrode 270 and the second electrode 270. The current blocking layer 145 may overlap the second electrode 260 disposed on the light emitting structure 110 in a direction perpendicular to the second electrode 260. When the second electrode 260 and the first electrode 270 are vertically overlapped, the second electrode 260 and the first electrode 270 have the shortest distance in the vertically overlapped region, Current crowding may occur in vertically superimposed regions. The current density may cause droop of light depending on the driving time of the light emitting device due to the combination of electrons and electrons in the local region. The current blocking layer 145 may cut off the current of the shortest distance vertically overlapping the second electrode 260 and the first electrode 270 to diffuse it to another path. In the light emitting device 200 of the embodiment, the current blocking layer 145 may be disposed in a region where the first and second electrodes 270 and 260 are vertically overlapped to improve current density and droop of light.

상기 채널층(146)은 상기 발광구조물(110)의 하부 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 상기 채널층(146)은 탑뷰가 링, 루프 또는 프레임 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 채널층(146)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층으로 배치할 수 있다. 상기 채널층(146)의 일부는 상기 제2 도전형 반도체층(116) 아래에 배치되고, 상기 채널층(146)의 다른 일부는 상기 발광구조물(110)의 측면보다 더 외곽에 배치될 수 있다.다른 실시 예는 제2 전극(260)과 발광구조물(110) 사이의 연결구조와 위치를 제외한 구성이 도 1 내지 도 8에 도시된 실시 예의 자외선 발광소자(100)와 대응되므로 상세한 설명을 생략하기로 한다.The channel layer 146 may be disposed along the lower edge of the light emitting structure 110. The channel layer 146 may be, but is not limited to, a top view in the form of a ring, a loop, or a frame. The channel layer 146 is an ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4, at least one of Al 2 O 3, TiO 2 And may be arranged in a single layer or in multiple layers. A portion of the channel layer 146 may be disposed below the second conductive semiconductor layer 116 and another portion of the channel layer 146 may be disposed further outward than a side surface of the light emitting structure 110 The structure of the second electrode 260 excluding the connection structure and the position between the second electrode 260 and the light emitting structure 110 corresponds to the ultraviolet light emitting device 100 of the embodiment shown in Figs. 1 to 8, .

상기 제1 전극(270)은 상기 전류 퍼짐층(130) 아래에 배치되고, 상기 제2 전극(260)은 발광구조물(110) 위에 배치될 수 있다.The first electrode 270 may be disposed below the current spreading layer 130 and the second electrode 260 may be disposed over the light emitting structure 110.

다른 실시 예의 전류 퍼짐층(130)은 상기 발광구조물(110) 및 상기 제1 전극(270)과 오믹 접촉될 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 AlGaN 계열 반도체층으로 구성되어 광 흡수에 의한 광도 저하를 개선할 수 있다. 예컨대 상기 전류 퍼짐층(130)은 자외선 파장의 광 흡수를 개선할 수 있다. 상기 전류 퍼짐층(130)은 상기 제2 도전형 반도체층(116)과 상기 제1 전극(270) 사이에 제1 도전형 도펀트를 포함하는 AlGaN 계열 반도체층으로 구성되어 오믹 접촉 및 전류 퍼짐을 개선할 수 있다.The current spreading layer 130 of another embodiment may be in ohmic contact with the light emitting structure 110 and the first electrode 270. The current spreading layer 130 is composed of an AlGaN-based semiconductor layer, and the decrease in luminous intensity due to light absorption can be improved. For example, the current spreading layer 130 can improve light absorption of ultraviolet wavelengths. The current spreading layer 130 is formed of an AlGaN-based semiconductor layer including a first conductive dopant between the second conductive type semiconductor layer 116 and the first electrode 270 to improve ohmic contact and current spreading can do.

도 10은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)는 패키지 몸체부(305)와, 상기 패키지 몸체부(305)에 설치된 제1 리드전극(313) 및 제2 리드전극(314)과, 상기 패키지 몸체부(305)에 설치되어 상기 제1 리드전극(313) 및 제2 리드전극(314)과 전기적으로 연결되는 자외선 발광소자(100)와, 상기 자외선 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(330)가 포함된다.The light emitting device package 300 according to the embodiment includes a package body 305, a first lead electrode 313 and a second lead electrode 314 provided on the package body 305, And a molding member 330 surrounding the ultraviolet light emitting device 100 is formed on the first lead electrode 313 and the second lead electrode 314. The ultraviolet light emitting device 100 is electrically connected to the first lead electrode 313 and the second lead electrode 314, .

상기 제1 리드전극(313) 및 제2 리드전극(314)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 자외선 발광소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제1 리드전극(313) 및 제2 리드전극(314)은 상기 자외선 발광소자(100)에서 발광된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 기능을 포함할 수 있으며, 상기 자외선 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 기능을 포함 수도 있다.The first lead electrode 313 and the second lead electrode 314 are electrically isolated from each other and serve to supply power to the ultraviolet light emitting device 100. The first lead electrode 313 and the second lead electrode 314 may include a function of increasing light efficiency by reflecting the light emitted from the ultraviolet light emitting device 100, 100 may be discharged to the outside.

상기 자외선 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(313) 또는 제2 리드전극(314)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The ultraviolet light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 313 or the second lead electrode 314 by a wire, flip chip or die bonding method.

상기 자외선 발광소자(100)는 도 1 내지 도 8의 실시 예에 따른 자외선 발광소자(100)일 수 있으나 이에 한정되지 않으며, 도 9의 다른 실시 예에 따른 자외선 발광소자(200)일 수도 있다.The ultraviolet light emitting device 100 may be an ultraviolet light emitting device 100 according to the embodiment of FIGS. 1 to 8, but it is not limited thereto, and may be an ultraviolet light emitting device 200 according to another embodiment of FIG.

상기 몰딩부재(330)에는 형광체(332)가 포함되어 백색광의 발광소자 패키지가 될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The molding member 330 may include a phosphor 332 to form a light emitting device package of white light, but the present invention is not limited thereto.

상기 몰딩부재(330)의 상면은 평평하거나 오목 또는 볼록하게 형성될 수 있으며 이에 한정하지 않는다.The upper surface of the molding member 330 may be flat, concave or convex, but is not limited thereto.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

130: 전류 차단층
131: 제1 도전형 제2 반도체층
133: 제1 도전형 제3 반도체층
135: 제1 도전형 제4 반도체층130: current blocking layer
131: first conductive type second semiconductor layer
133: First conductive type third semiconductor layer
135: first conductive type fourth semiconductor layer

Claims (6)

제1 도전형 제1 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물 아래에 제1 전극; 및
상기 발광구조물 및 상기 제1 전극과 접하는 전류 퍼짐층을 포함하고,
상기 발광구조물 및 상기 전류 퍼짐층은 AlGaN 계열로 구성되고,
상기 전류 퍼짐층은 제1 도전형 제2 반도체층, 제1 도전형 제3 반도체층 및 제1 도전형 제4 반도체층을 포함하고, 상기 제1 도전형 제3 반도체층은 상기 제1 도전형 제2 반도체층과 상기 제1 도전형 제4 반도체층 사이에 배치되고, 상기 제1 도전형 제3 반도체층은 상기 제1 도전형 제2 반도체층 및 상기 제1 도전형 제4 반도체층보다 낮은 도핑농도를 갖고, 상기 제1 도전형 제3 반도체층은 AldGa1-dN(0.02≤d≤0.07)의 조성식을 포함하는 자외선 발광소자.A light emitting structure including a first conductive type first semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type semiconductor layer;
A first electrode under the light emitting structure; And
And a current spreading layer in contact with the light emitting structure and the first electrode,
Wherein the light emitting structure and the current spreading layer are made of AlGaN series,
Wherein the current spreading layer includes a first semiconductor layer of a first conductivity type, a third semiconductor layer of a first conductivity type, and a fourth semiconductor layer of a first conductivity type, The first conductive type third semiconductor layer is disposed between the second semiconductor layer and the first conductive type fourth semiconductor layer, and the first conductive type third semiconductor layer is lower than the first conductive type second semiconductor layer and the first conductive type fourth semiconductor layer And the first conductivity type third semiconductor layer has a composition formula of Al d Ga 1-d N (0.02 ? D ? 0.07). 제1 항에 있어서,
제1 도전형 제3 반도체층의 두께는 10㎚ 내지 20㎚인 자외선 발광소자.The method according to claim 1,
And the thickness of the first conductive type third semiconductor layer is 10 nm to 20 nm. 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전형 제3 반도체층은 1.0 x 1019 atoms/㎤ 내지 5.0 x 1019 atoms/㎤의 도핑농도를 포함하는 자외선 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first conductive type third semiconductor layer comprises a doping concentration of 1.0 x 10 19 atoms / cm 3 to 5.0 x 10 19 atoms / cm 3. 제1 항에 있어서,
상기 제1 도전형 제2 반도체층은 상기 제2 도전형 반도체층과 직접 접촉되고,
상기 제1 도전형 제4 반도체층는 상기 제1 전극과 직접 접촉되고, 상기 제1 도전형 제2 반도체층 및 상기 제1 도전형 제4 반도체층 AlcGa1-cN(0<c≤0.04)의 조성식을 포함하는 자외선 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first conductive type second semiconductor layer is in direct contact with the second conductive type semiconductor layer,
The first conductive type fourth semiconductor layer is in direct contact with the first electrode, and the first conductive type second semiconductor layer and the first conductive type fourth semiconductor layer Al c Ga 1-c N (0 < c ? ). &Lt; / RTI &gt; 제4 항에 있어서,
상기 제1 도전형 제2 반도체층 및 상기 제1 도전형 제4 반도체층의 두께는 1㎚ 내지 3㎚인 자외선 발광소자.5. The method of claim 4,
Wherein the first conductive type second semiconductor layer and the first conductive type fourth semiconductor layer have a thickness of 1 nm to 3 nm. 제1 항 내지 제11 항 중 어느 하나의 자외선 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.12. A light emitting device package comprising the ultraviolet light emitting element according to any one of claims 1 to 11.
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