KR20170070947A - 증착 장치 및 증착 방법 - Google Patents

증착 장치 및 증착 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170070947A
KR20170070947A KR1020150178600A KR20150178600A KR20170070947A KR 20170070947 A KR20170070947 A KR 20170070947A KR 1020150178600 A KR1020150178600 A KR 1020150178600A KR 20150178600 A KR20150178600 A KR 20150178600A KR 20170070947 A KR20170070947 A KR 20170070947A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
source
temperature
supply line
gas
processing space
Prior art date
Application number
KR1020150178600A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101765244B1 (ko
Inventor
이진우
박종수
허병순
하도균
Original Assignee
참엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 참엔지니어링(주) filed Critical 참엔지니어링(주)
Priority to KR1020150178600A priority Critical patent/KR101765244B1/ko
Priority to JP2016025526A priority patent/JP6194034B2/ja
Priority to TW106120964A priority patent/TWI634232B/zh
Priority to TW105104679A priority patent/TWI604085B/zh
Priority to CN201610959641.9A priority patent/CN107012446B/zh
Publication of KR20170070947A publication Critical patent/KR20170070947A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101765244B1 publication Critical patent/KR101765244B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 대기 중에 지지되는 처리물에 막을 증착하는 장치로서, 대기 중에 위치하고, 상기 처리물을 마주보는 일면에 처리홀이 형성되며, 상기 처리물과의 사이에 처리공간을 제공하는 챔버부, 상기 챔버부의 내부로 연장되며, 출구부가 상기 처리홀의 내주면에 형성되는 소스 공급라인, 상기 챔버부의 내부로 연장되고, 출구부가 상기 챔버부의 일면에서 상기 처리홀의 단부의 둘레에 위치하는 승온가스 공급라인을 포함하는 증착 장치로서, 화학기상증착 방식으로 처리물에 막을 증착하는 동안 소스 분진이 처리공간의 외부로 유출되는 것을 방지함과 함께 막의 증착 효율을 향상시킬 수 있는 증착 장치 및 이에 적용되는 증착 방법이 제시된다.

Description

증착 장치 및 증착 방법{Deposition apparatus and method}
본 발명은 증착 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 화학기상증착 방식으로 처리물에 막을 증착하는 공정이 실시되는 동안 소스 분진이 처리공간의 외부로 유출되는 것을 방지함과 함께 막의 증착 효율을 향상시킬 수 있는 증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
각종 표시장치는 기판 상에 형성되는 전자 회로를 구비한다. 이들 전자 회로의 도전 라인에는 회로 제조 중 혹은 제조 후 일부가 단선되거나 단락되는 결함이 야기될 수 있다. 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display)나 OLED(Organic Light Emitting Display) 또는 LED(Light Emitting Display) 등을 포함하는 각종 표시장치를 제조하는 공정 중에, 기판 상에 형성되는 각 소자의 전극이나 배선 또는 신호라인 등이 일부 단선되어 오픈 결함이 생성되는 경우가 있다.
따라서, 각종 표시장치를 제조하는 공정 중에, 오픈 결함을 리페어하는 리페어 공정이 실시된다. 이러한 리페어 공정은 예컨대 화학기상증착 방식의 리페어 장치에 의하여 대기 중에서 실시되고 있다.
예컨대 대기 중에 기판을 마련하고, 기판의 결함 위치에 메탈 소스의 분위기를 형성한 후, 기판의 결함 위치로 레이저를 조사하여 막을 증착하는 일련의 과정으로 기판의 오픈 결함을 리페어한다.
이때, 기판의 결함 위치에 메탈 소스의 막을 증착하여 깨끗한 상태로 형성하기 위해서는 기판의 결함 위치의 온도를 메탈 소스의 증착 온도 범위로 유지하여야 한다. 그러나 종래의 리페어 장치 구조로는 기판의 결함 위치에 메탈 소스의 막을 증착하는 동안 기판의 결함 위치의 온도를 메탈 소스의 증착 온도 범위로 유지하는 것이 어려운 문제점이 있다.
한편, 기판의 오픈 결함을 대기 중에서 리페어하는 동안 메탈 소스의 분진이 대기 중으로 유출되는 것을 방지하기 위하여, 기판의 결함 위치를 감싸도록 리페어 장치의 하측에 에어 커튼을 분사한다. 그러나 종래의 리페어 장치 구조로는 메탈 소스의 분진이 대기 중으로 유출되는 것을 방지하기 어려운 문제점이 있다. 또한, 에어 커튼에 의하여 기판의 결함 위치 부근의 온도가 낮아지는 문제점이 있다.
또한, 기판의 오픈 결함을 대기 중에서 리페어하는 동안 메탈 소스를 운반하는 소스 공급라인은 직관부와 직관부 사이가 꺽임 구조로 연결된다. 이와 같은 구조에서는 소스 공급라인을 통과 중인 메탈 소스가 꺽임부에서 소스 공급라인과 상대적으로 넓은 면적으로 접촉하며 온도가 저하되는 문제점이 있다. 또한, 꺽임부에서 메탈 소스의 일부가 박리되어 와류를 형성함에 따라 꺽임부에서의 유효 유동 면적이 좁아지는 문제점이 있고, 와류에 의하여 메탈 소스가 꺽임부에 잔류하는 문제점이 있다.
KR 10-0909959 B1
본 발명은 대기 중의 처리물에 막을 증착하는 동안 처리물의 결함 위치 온도를 용이하게 제어할 수 있는 증착 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 대기 중의 처리물에 막을 증착하는 동안 처리공간의 외부로 소스 분진이 유출되는 것을 방지할 수 있는 증착 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 대기 중의 처리물에 막을 증착 시에 막의 증착 효율을 향상시킬 수 있는 증착 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명은 소스의 유효 유동 면적을 확보할 수 있는 증착 장치를 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 증착 장치는 대기 중에 지지되는 처리물에 막을 증착하는 장치로서, 대기 중에 위치하고, 상기 처리물을 마주보는 일면에 처리홀이 형성되며, 상기 처리물과의 사이에 처리공간을 제공하는 챔버부; 상기 챔버부의 내부로 연장되며, 출구부가 상기 처리홀의 내주면에 형성되는 소스 공급라인; 및 상기 챔버부의 내부로 연장되고, 출구부가 상기 챔버부의 일면에서 상기 처리홀의 단부의 둘레에 위치하는 승온가스 공급라인;을 포함한다.
상기 챔버부의 내부로 연장되고, 입구부가 상기 챔버부의 일면에서 상기 승온가스 공급라인의 출구부 외측 둘레에 위치하는 배기라인;을 포함할 수 있다.
상기 소스 공급라인은 복수개의 직관부 및 상기 직관부를 연결하는 적어도 하나 이상의 연결부를 포함하고, 상기 연결부는 곡관 구조로 형성될 수 있다.
상기 소스 공급라인의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 히터부;를 포함할 수 있다.
상기 소스 공급라인의 재질은 구리를 포함할 수 있다
상기 처리공간으로 레이저를 조사 가능하도록 형성되는 레이저부; 상기 소스 공급라인에 연결되는 소스 공급부; 상기 승온가스 공급라인에 연결되는 승온가스 공급부; 상기 배기라인에 연결되는 배기부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 증착 방법은 대기 중에 지지되는 처리물에 막을 증착하는 방법으로서, 대기 중에 처리물을 마련하는 과정; 상기 처리물의 처리공간측으로 승온가스를 분사하여 온도를 제어하는 과정; 상기 처리물의 처리공간으로 소스를 분사하는 과정; 상기 처리물의 일면에 레이저를 조사하여 막을 형성하는 과정;을 포함한다.
상기 처리물의 처리공간측으로 승온가스를 분사하는 과정은, 상기 처리공간의 외부를 둘러 감도록 상기 처리공간측으로 승온가스를 분사하여 상기 처리공간을 외기로부터 고립시키는 과정;을 포함할 수 있다.
상기 승온가스는 불활성가스를 포함하고, 상기 승온가스는 20℃ 내지 40℃의 온도 범위로 승온되어 상기 처리공간측으로 분사될 수 있다.
상기 처리물의 처리공간으로 소스를 분사하는 과정은, 상기 소스가 운반되는 소스 공급라인의 적어도 일부 영역에 열을 인가하여 상기 소스의 온도를 제어하는 과정;을 포함할 수 있다.
상기 소스는 20℃ 내지 40℃의 온도 범위로 승온되어 상기 처리공간으로 분사될 수 있다.
상기 처리물의 처리공간측으로 승온가스를 분사하는 과정과 함께 상기 처리물의 처리공간으로 소스를 분사하는 과정을 실시할 수 있다.
상기 처리공간의 외부에서 반응물, 생성물 및 미반응물 중 적어도 하나를 배기하는 과정;을 포함할 수 있다.
상기 소스는 코발트 소스를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 따르면 대기 중의 처리물에 막을 증착하는 동안 처리물의 결함 위치 온도를 용이하게 제어함과 함께, 처리공간의 외부로 소스 분진이 유출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이로부터 막의 증착 효율을 향상시킬 수 있고, 장치의 외부가 소스 분진에 오염되는 것을 방지할 수 있다.
예컨대 각종 표시장치를 제조하는 중이거나 제조 후에 기판의 일면에 형성된 오픈 결함을 화학기상증착(CVD) 방식으로 리페어하는 장치에 적용되는 경우 기판의 일면에 형성된 오픈 결함에 막을 증착하며 리페어하는 동안 오픈 결함 둘레에 승온가스를 분사할 수 있다. 이로부터 오픈 결함 부근의 온도를 메탈 소스의 증착 온도 범위에 대응하는 온도 범위로 용이하게 제어할 수 있다. 즉, 기판의 일면에 형성된 오픈 결함에 깨끗한 상태의 막을 증착할 수 있다.
또한, 승온가스를 에어커튼의 형상으로 하여 오픈 결함의 둘레를 감싸도록 분사할 수 있기 때문에, 메탈 소스의 분진이 대기 중으로 유출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이때, 승온가스가 오픈 결함의 위치에 제공되는 처리공간을 직접 감싸도록 분사되기 때문에, 처리공간에서 발생되는 메탈 소스의 분진 등의 각종 이물을 배기라인의 입구부까지 빠짐없이 유도하여 대기 중으로 유출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 즉, 장치의 외부가 메탈 소스 분진에 오염되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따르면 기판의 오픈 결함 위치까지 메탈 소스를 운반하는 소스 공급라인의 직관부와 직관부 사이의 연결부 구조를 곡관 구조로 개선하여, 메탈 소스를 기판의 오픈 결함 위치까지 운반하는 동안 메탈 소스의 온도 하락을 방지할 수 있고, 메탈 소스의 유효 유동 면적을 확보할 수 있으며, 소스 공급라인의 연결부에 메탈 소스가 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 소스 공급라인을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 비교 예에 따른 소스 공급라인을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부의 일면을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부의 내부 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예 및 변형 예에 따른 처리홀 부근의 승온가스 공급라인 출구부의 평면 구조와 단면 구조를 설명하기 위한 도면.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부의 작동을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다. 단지 본 발명의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 한편, 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치를 도시한 블록도이다. 또한, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 소스 공급라인의 연결부 구조를 도시한 모식도이고, 도 3은 본 발명의 비교 예에 따른 소스 공급라인의 연결부를 도시한 모식도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부의 전체 형상을 도시한 모식도이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부 일면을 도시한 개략도이며, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부의 내부를 도시한 단면도이다. 또한, 도 7은 본 발명의 실시 예 및 변형 예에 따른 처리홀 부근의 승온가스 공급라인 출구부의 평면 구조와 단면 구조를 도시한 개략도이고, 도 8 및 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부의 작동을 설명하기 위한 공정도이다.
본 발명은 대기 중에 지지된 처리물에 막을 증착하는 장치에 관한 것으로서, 이하, 화학기상증착(CVD) 리페어 장치를 기준으로 본 발명의 실시 예를 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 장치는 지지부(100), 챔버부(200), 소스 공급기(300), 제1가스 공급기, 제2가스 공급기, 배기 유닛, 레이저부(810) 및 광학부(820)를 포함한다.
소스 공급기(300)는 제1 소스 공급부(310), 제2 소스 공급부(320), 운반가스 공급부(330), 제1 운반가스 공급라인(341), 제2 운반가스 공급라인(342), 제3 운반가스 공급라인(343), 제1밸브(342a), 제2밸브(343a) 및 소스 공급라인을 포함할 수 있다.
이때, 소스 공급라인은 제1소스 공급라인(344), 제2소스 공급라인(345), 제3소스 공급라인(346), 제3 밸브(344a) 및 제4밸브(345a)를 포함할 수 있다.
제1가스 공급기는 제1가스 공급부(410) 및 제1가스 공급라인(420)을 포함할 수 있고, 제2가스 공급기는 제2가스 공급부(510) 및 제2가스 공급라인을 포함할 수 있다. 여기서, 제2가스 공급부(510)는 승온가스 공급부일 수 있고, 제2가스 공급라인은 승온가스 공급라인(520)일 수 있다.
처리물(S)은 일면에 각종 전자 소자가 제조되는 기판일 수 있고, 이들 전자 소자가 제조되는 공정이 진행 중이거나 그 공정이 종료된 기판일 수 있다. 예컨대 처리물(S)은 일면에 게이트 라인, 데이터 라인, 화소 및 박막 트렌지스터 등이 형성된 유리 재질의 기판일 수 있다. 처리물(S)은 지지부(100)에 지지되어 대기 중에 마련될 수 있다.
소스는 메탈 소스를 포함할 수 있고, 구체적으로는 코발트 소스를 포함할 수 있다. 코발트 소스는 텅스텐 소스에 비하여 전도성이 좋으며 분자가 작아 기판에 증착이 잘 되는 특징이 있다.
지지부(100)는 일측 예컨대 상부면으로 처리물(S)을 지지 가능하게 형성되는 일체형의 판 타입 스테이지 글라스이거나, 분할형의 바 타입 스테이지 글라스일 수 있다. 지지부(100)에는 처리물(S)을 x축 방향 및 y축 방향 중 적어도 하나의 방향으로 정렬 가능하도록 정렬부(미도시)가 제공될 수 있다. 또한, 지지부(100)에는 처리물(S)을 z축 방향으로 지지 가능하도록 리프트 핀(미도시) 및 진공 척(미도시)이 제공될 수 있다.
지지부(100)는 테이블(미도시)의 상부면에 설치되어 위치가 고정될 수 있다. 또는, 지지부(100)는 x축 방향, y축 방향 및 z축 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동 가능하도록 테이블에 설치될 수 있다.
테이블의 상부면에는 장착부(미도시)가 x축 방향, y축 방향 및 z축 방향 중 적어도 하나의 방향으로 이동 가능하도록 설치될 수 있다. 또는, 테이블의 상부면에는 장착부가 설치되어 위치가 고정될 수 있다.
예컨대 지지부(100)가 테이블의 상부면에 설치되어 위치가 고정되면, 장착부는 테이블의 상부면에 이동 가능하도록 설치될 수 있다. 이와 반대로, 지지부(100)가 테이블의 상부면에 이동 가능하도록 설치되면, 장착부는 테이블의 상부면에 설치되어 위치가 고정될 수 있다. 이 외에도 지지부(100)와 장착부는 서로에 대하여 상대 이동 가능한 다양한 방식으로 테이블에 설치될 수 있다.
장착부는 챔버부(200), 레이저부(810) 및 광학부(820)를 이동 가능하게 지지하는 역할을 하며, 지지부(100)의 상측으로 이격되어 위치할 수 있고, 예컨대 리니어 모터의 구조와 방식이 적용될 수 있다.
본 발명에서는 상술한 테이블, 정렬부, 리프트 핀, 진공 척 및 장착부의 구성 및 방식은 특정 구성 및 방식으로 제한할 필요가 없다. 본 발명의 요지를 모호하게 하지 않기 위하여, 이하에서는 이들 구성부에 대한 상세한 설명을 생략한다.
도 1 및 도 4 내지 도 6을 참조하면, 챔버부(200)는 지지부(100)의 상측으로 이격될 수 있고, 대기 중에 배치될 수 있다. 이때, 챔버부(200)는 장착부(미도시)에 장착되어 x축 방향, y축 방향 및 z축 방향으로 이동 가능하게 지지될 수 있다. 처리물(S)을 마주보는 챔버부의 일면(211)에는 처리홀(230)이 형성될 수 있다.
챔버부(200)는 처리홀(230)을 이용하여 챔버부(200)와 처리물(S)과의 사이에 소정의 처리공간(10)을 제공한다. 이때, 처리공간(10)은 챔버부(200)와 처리물(S)의 사이에서 처리홀(230)의 하측으로 형성되는 공간이거나, 또는 처리홀(230)의 하측으로 형성되는 공간과 그 주변부의 공간을 포함하는 공간일 수 있다.
챔버부(200)는 복수개의 플레이트가 z축 방향으로 적층되어 형성될 수 있다. 챔버부(200)는 챔버몸체(210) 및 연결부(220)를 포함할 수 있다. 챔버부(200)의 하부면 예컨대 일면(211)은 챔버몸체(210)의 하부면 및 연결부(220)의 하부면을 포함할 수 있고, 처리물(S)과 대면할 수 있다. 챔버부(200)의 상부면 예컨대 타면(212)은 챔버몸체(210)의 상부면 및 연결부(220)의 상부면을 포함할 수 있고, 광학부(520)와 대면할 수 있다.
챔버몸체(210)의 크기 및 형상은 특별히 한정하지 않으며, x축 방향과 y축 방향으로 소정의 너비를 가지고 z축 방향으로 소정의 두께를 가지는 예컨대 타원판 형상일 수 있다. 챔버몸체(210)는 처리물(S)과의 사이에 처리공간(10)을 제공하는 역할을 한다. 챔버몸체(210)의 일면 중심위치에는 처리홀(230)의 단부가 위치할 수 있고, 처리홀(230)의 외측을 고리 형상으로 둘러 감아 승온가스 분사면(261)이 형성될 수 있고, 제1 배기면(262)이 승온가스 분사면(261)의 외측을 둘러 감아 링 형상으로 형성될 수 있고, 제2 배기면(263)이 제1 배기면(262)의 외측을 둘러 감아 링 형상으로 형성될 수 있다.
연결부(220)는 챔버몸체(210)의 측면의 일측을 감싸도록 마련될 수 있다. 연결부(220)의 크기 및 형상은 특별히 한정하지 않으며, x축 방향과 y축 방향으로 소정의 너비를 가지고 z축 방향으로 소정의 두께를 가지는 예컨대 사각판 형상일 수 있다. 연결부(220)는 장착부에 지지될 수 있다. 연결부(220)는 챔버몸체(210)와 소스 공급라인 등을 구조적으로 지지하는 역할을 한다. 연결부(220)의 타면에는 적어도 하나 이상의 소스 공급홀(251)이 형성될 수 있고, 제1가스 공급홀(252a) 및 제2가스 공급홀(252b)이 형성될 수 있고, 제1 배기홀(253a) 및 제2 배기홀(253b)이 형성될 수 있다.
챔버몸체(210) 및 연결부(220) 중 적어도 하나의 내부에는 가열부재(미도시)가 마련될 수 있다. 가열부재는 제3소스 공급라인(346)에 연결될 수 있고, 제3소스 공급라인(346)의 내부를 유동하는 소스의 온도를 조절할 수 있다.
또한, 챔버몸체(210) 및 연결부(220)의 내부에는 열차단부재(미도시)가 마련될 수 있다. 이때, 열차단부재는 적어도 가열부재의 외측을 감싸도록 마련될 수 있다. 열차단부재에 의하여 가열부재의 열이 챔버부(200)의 상부면 및 하부면에 전달되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.
처리홀(230)은 챔버몸체(210)의 중심부를 z축 방향으로 관통하여 형성될 수 있다. 처리홀(230)은 챔버몸체(210)의 일면에서 하측으로 개방되어 처리공간(10)의 상부에 연결될 수 있다. 처리홀(230)의 단부를 통하여 처리공간(10)으로 소스를 유입시킬 수 있다. 처리홀(230)은 챔버몸체(210)의 타면에서 일면을 향하는 방향으로 그 내경이 좁아지도록 형성될 수 있고, 회전체의 형상일 수 있다. 처리홀(230)의 하부 영역은 직동부로 구비될 수 있고, 상부 영역은 확장부로 구비될 수 있다.
직동부는 챔버몸체(210)의 일면을 높이방향 예컨대 z축 방향으로 관통하여 챔버몸체(210)의 내부로 연장되어 형성될 수 있고, 처리공간(10)의 상부에 연결될 수 있다. 직동부는 z축 방향으로 내경이 동일하게 형성될 수 있다. 직동부(230A)의 내주면에는 제3소스 공급라인(346)의 출구부(348)가 위치할 수 있다.
확장부는 직동부의 상부에서 챔버몸체(210)의 내부를 높이방향으로 관통하여 형성될 수 있다. 확장부는 상측으로 갈수록 내경이 커지는 구조일 수 있다.
처리홀(230)의 확장부 상단에는 윈도우(240)가 장착될 수 있다. 윈도우(240)는 레이저를 통과시키는 재질 예컨대 석영 재질로 형성될 수 있다. 윈도우(240)의 상부면 가장자리부에는 링 형상의 윈도우 홀더(241)가 장착될 수 있다. 이때, 윈도우(240)와 윈도우 홀더(241)의 사이에는 실링 부재(242)가 마련될 수 있다.
도 1 내지 도 3, 도 5 및 도 6을 참조하면, 소스 공급기(300)는 챔버부(200)의 외부에 위치할 수 있고, 일부가 챔버부(200)의 내부로 연장되어 처리홀(230)에 연결될 수 있다. 소스 공급기(300)는 적어도 하나 이상 마련될 수 있다.
소스 공급기(300)는 제1 소스 공급부(310), 제2 소스 공급부(320), 운반가스 공급부(330), 제1 운반가스 공급라인(341), 제2 운반가스 공급라인(342), 제3 운반가스 공급라인(343), 제1밸브(342a), 제2밸브(343a) 및 소스 공급라인을 포함할 수 있다. 이때, 소스 공급라인은 제1소스 공급라인(344), 제2소스 공급라인(345), 제3소스 공급라인(346), 제3 밸브(344a) 및 제4밸브(345a)를 포함할 수 있다.
한편, 소스 공급기(300)에는 제1 소스 공급부(310) 및 제2 소스 공급부(320) 외에도 별도의 소스 공급부가 더 구비될 수 있고, 소스 공급부의 개수에 맞추어 소스 공급라인도 복수개 구비될 수 있다.
제1 소스 공급부(310)는 내부에 메탈 소스의 파우더가 저장될 수 있는 소정의 용기(canister) 또는 버블러일 수 있다. 제1 소스 공급부(310)는 제1소스 공급라인(344)에 연결될 수 있다. 제1 소스 공급부(310)는 제1소스 공급라인(344)으로 메탈 소스를 기화시켜 공급하는 역할을 한다. 제1 소스 공급부(310)에는 가열수단(미도시)으로 예컨대 열선이 구비될 수 있고, 열선은 제1 소스 공급부(310)의 내부에 충전된 메탈 소스를 가열하여 메탈 소스의 상(phase)을 고체 상태에서 기체 상태로 전환시킬 수 있다.
제2 소스 공급부(320)는 내부에 메탈 소스의 파우더가 저장될 수 있는 소정의 용기(canister)이거나 버블러일 수 있다. 이때, 제2 소스 공급부(310)의 내부에는 제1 소스 공급부(310)의 내부에 저장된 메탈 소스와 동일한 성분 및 물성의 메탈 소스가 충전될 수 있고, 제1 소스 공급부(310)의 내부에 저장된 메탈 소스와 다른 성분 및 물성의 메탈 소스가 충전될 수 있다. 제2 소스 공급부(320)는 제2소스 공급라인(345)에 연결될 수 있다. 제2 소스 공급부(320)는 제2소스 공급라인(345)으로 메탈 소스를 기화시켜 공급하는 역할을 한다. 제2 소스 공급부(320)에는 가열수단(미도시)으로 예컨대 열선이 구비될 수 있고, 열선은 제2 소스 공급부(320)의 내부에 충전된 메탈 소스를 가열하여 메탈 소스의 상(phase)을 고체 상태에서 기체 상태로 전환시킬 수 있다.
운반가스 공급부(330)는 내부에 캐리어 가스가 저장될 수 있는 소정의 압력 용기(canister)를 포함할 수 있다. 운반가스 공급부(330)의 내부에는 캐리어 가스로서 아르곤 가스 등의 불활성 가스가 적어도 하나 이상 마련될 수 있다.
제1 운반가스 공급라인(341)은 일단이 운반가스 공급부(330)에 연결되고 타단이 제1 소스 공급부(310) 및 제2 소스 공급부(320)를 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 제2 운반가스 공급라인(342)은 제1 운반가스 공급라인(341)의 타단과 제1 소스 공급부(310)를 연결하도록 장착될 수 있다. 제3 운반가스 공급라인(343)은 제1 운반가스 공급라인(341)의 타단과 제2 소스 공급부(320)를 연결하도록 장착될 수 있다. 제2 운반가스 공급라인(342)에는 제1밸브(342a)가 장착될 수 있고, 제3 운반가스 공급라인(343)에는 제2밸브(343a)가 장착될 수 있다. 제1밸브(342a) 및 제2밸브(343a)에는 유량 제어기가 각각 제공될 수 있다.
운반가스 공급부(330)는 제1 소스 공급부(310) 및 제2 소스 공급부(320) 내부에 캐리어 가스를 공급하는 방식으로 제1 소스 공급부(310) 및 제2 소스 공급부(320) 내부의 메탈 소스를 처리홀(230)측으로 밀어낼 수 있다. 메탈 소스는 캐리어 가스에 의하여 소스 공급라인의 내부로 운반될 수 있다.
소스 공급라인은 처리홀(230)의 내부로 메탈 소스를 운반하는 역할을 한다. 소스 공급라인은 일측이 제1 소스 공급부(310) 및 제2 소스 공급부(320)에 연결될 수 있고, 타측이 소스 공급홀(251)을 통과하여 챔버부(200)의 내부로 연장될 수 있다. 소스 공급라인의 출구부는 처리홀(230)의 내주면에 형성될 수 있다.
제1소스 공급라인(344) 및 제2소스 공급라인(345)은 제3소스 공급라인(346)을 본관으로 하는 분기관으로서, 각각의 일단은 일 지점에서 합류될 수 있고, 각각의 타단은 제1 소스 공급부(310) 및 제2 소스 공급부(320)에 각각 연결될 수 있다.
제3소스 공급라인(346)은 입구부가 제1소스 공급라인(344) 및 제2소스 공급라인(345)의 합류부에 연결될 수 있고, 챔버부(200)의 내부로 연장 형성되어, 출구부(348)가 처리홀(230)의 내주면에 형성될 수 있다.
제1소스 공급라인(344), 제2소스 공급라인(345) 및 제3소스 공급라인(346)은 각각 복수개의 직관부를 포함할 수 있고, 복수개의 직관부를 연결하는 적어도 하나 이상의 연결부를 포함할 수 있다. 이때, 연결부는 소정의 곡률 반지름(R)을 가지는 곡관 구조로 형성된 곡관부를 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 모식도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에서는 서로 교차하는 방향으로 연장되는 각 소스 공급라인의 각각의 직관부 사이를 곡관부로 연결함에 따라, 메탈 소스의 유효 유동 면적이 각 소스 공급라인이 연장되는 방향을 따라 일정하게 유지될 수 있다. 따라서, 메탈 소스가 각 소스 공급라인의 내부에서 도면에 도시한 바와 같이 정상 흐름으로 일정한 유선을 형성하면서 운반될 수 있다.
또한, 각각의 직관부 사이를 연결하는 곡관부는 곡관부가 연장되는 방향으로 이격된 각각의 위치에서의 곡관부의 내주 및 외주의 면적 변화의 정도가 미약하다. 또한, 곡관부가 연장되는 방향으로 이격된 각각의 위치에서의 곡관부의 내주 및 외주의 면적은 직관부의 임의의 위치에서의 내주 및 외주의 면적과 동일하거나, 유사할 수 있다. 이는 직관부를 통과 중인 메탈 소스의 열 손실률과 곡관부를 통과 중인 메탈 소스의 열 손실율 간에 차이가 미약함을 의미한다. 따라서, 곡관부가 연장되는 방향으로 이격된 각각의 위치에서의 메탈 소스의 온도(T1, T2, T3, T1', T2', T3')가 일치하거나, 허용 오차 범위 내에서 동일할 수 있다.
도 3은 본 발명의 비교 예로서, 도 1의 A 부분에 대응되는 종래의 연결부 구조를 도시한 모식도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 비교 예에서는 각 소스 공급라인에 구비되어 서로 교차하는 방향으로 연장되는 각각의 직관부 사이를 소정 각도 예컨대 90° 각도로 불연속하게 꺾인 구조의 꺾임부로 연결한다. 따라서, 각 소스 공급라인은 꺾임부에서 메탈 소스의 유동 면적이 급격하게 변하게 된다. 특히, 꺾임부에서는 도면에 도시한 바와 같이, 유동의 박리가 일어나게 되어 적어도 하나의 와류가 생성됨에 따라, 메탈 소스의 유동 면적이 불규칙하게 변하게 된다. 한편, 꺾임부에서 와류가 생성되면 메탈 소스의 유동 특성이 불규칙하게 변화할 뿐만 아니라, 메탈 소스의 일부가 꺾임부에 잔류하여 부착될 수 있다.
또한, 각각의 직관부 사이를 연결하는 꺾임부는 꺾임부가 연장된 방향으로 이격된 각각의 위치에서 꺾임부 내주 및 외주의 면적 변화의 정도가 상대적으로 크다. 이는, 직관부를 통과 중인 메탈 소스의 열 손실률보다 꺾임부를 통과 중인 메탈 소스의 열 손실률이 더 큰 것을 의미한다. 따라서, 꺾임부가 연장되는 방향으로 이격된 각각의 위치에서의 메탈 소스의 온도(T4, T5, T6, T4', T5', T6') 중에, 꺾임부의 꺾인 위치의 온도(T5, T5')가 나머지 위치들의 온도(T4, T6, T4', T6')보다 낮아지게 된다.
즉, 본 발명의 실시 예에서는 각 직관부 사이의 연결부가 곡관 구조로 형성됨에 따라 각 소스 공급라인을 흐르는 메탈 소스의 온도 저하가 방지될 수 있고, 유효 유동 면적이 확보될 수 있다. 반면, 본 발명의 비교 예에서는 각 직관부 사이의 연결부가 꺾임 구조로 형성됨에 따라 각 소스 공급라인을 흐르는 메탈 소스의 온도가 저하될 수 있고, 메탈 소스의 유동 특성이 불규칙하게 변할 수 있다.
소스 공급기(300)는 제1소스 공급라인(344), 제2소스 공급라인(345) 및 제3소스 공급라인(346)의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 히터부(350)를 더 포함할 수 있다.
히터부(350)는 소정의 히터 예컨대 STL 히터를 포함할 수 있다. STL 히터는 각 소스 공급라인의 외주면을 예컨대 코일의 형상으로 감싸도록 장착될 수 있고, 각 소스 공급라인을 통과하며 챔버부(200)의 처리홀(230) 측으로 공급되는 메탈 소스의 온도를 예컨대 20℃ 내지 40℃의 범위 또는 30℃ 내지 35℃의 범위로 제어할 수 있다. 이에, 본 발명의 실시 예에서는 메탈 소스가 기화된 상태를 유지하며 처리홀(230)의 내부로 원활하게 공급될 수 있다.
한편, 히터부(350)의 열전달 효율을 높이기 위하여, 제1소스 공급라인(344), 제2소스 공급라인(345) 및 제3소스 공급라인(346)은 예컨대 서스(SUS) 재질보다 열전도 효율이 좋은 구리 재질로 형성될 수 있다.
제3밸브(344a) 및 제4밸브(345a)는 제1소스 공급라인(344) 및 제2소스 공급라인(345)에 각각 장착될 수 있고, 제3밸브(344a) 및 제4밸브(345a)에는 각각 유량 제어기(미도시)가 제공될 수 있다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 제3소스 공급라인(346)에는 소스 공급실(347)이 구비될 수 있다. 소스 공급실(347)은 처리홀(230)과 가까운 제3소스 공급라인(346)의 일측에 구비될 수 있고, 챔버몸체(210)의 내부에서 처리홀(230)의 외측을 둘러 감아 예컨대 고리 형상으로 형성될 수 있다. 제3소스 공급라인(346)은 챔버몸체(210)의 내부에서 소스 공급실(347)로 연결될 수 있다. 제3소스 공급라인의 출구부(348)는 소스 공급실(347)과 처리홀(230) 사이를 연결하여 형성될 수 있다.
제3소스 공급라인의 출구부(348)는 소스 공급실(347)의 둘레를 따라 이격된 복수의 위치 예컨대 세 위치에서 처리홀(230)의 단부의 중심위치를 향하도록 챔버몸체(210)의 내부를 관통하여 하향 경사지게 연장될 수 있다. 제3소스 공급라인의 출구부(348)는 처리홀(230)의 내주면 복수의 위치 예컨대 세 위치에서 개방될 수 있다.
도 1 및 도 4 내지 도 6을 참조하면, 제1 가스 공급기는 처리홀(230)의 확장부에 윈도우용 퍼지가스를 공급하도록 제공되는 구성부로서, 제1가스 공급부(410) 및 제1가스 공급라인(420)을 포함할 수 있다.
제1가스 공급부(410)는 내부에 퍼지가스 예컨대 질소 가스 또는 아르곤 가스가 저장되는 소정의 압력 용기(canister)를 포함할 수 있다. 제1가스 공급부(410)에는 유량 제어기(미도시) 및 제어 밸브(미도시)가 구비될 수 있다.
제1가스 공급라인(420)은 일측이 제1가스 공급부(410)에 연결될 수 있고, 타측이 제1가스 공급홀(252a)를 관통하여, 챔버부(200)의 내부로 연장될 수 있다. 제1가스 공급라인(420)에는 제1가스 공급실(421)이 구비될 수 있다.
제1가스 공급실(421)은 처리홀(230)의 확장부 부근의 제1가스 공급라인(420)의 타측 소정 위치에 구비될 수 있고, 챔버몸체(210)의 내부에서 처리홀(230)의 외측을 둘러 감아 예컨대 고리 형상으로 형성될 수 있다. 제1가스 공급라인(420)은 챔버몸체(210)의 내부에서 제1가스 공급실(421)로 연결될 수 있다. 제1가스 공급라인의 출구부(422)는 제1가스 공급실(421)과 처리홀(230)의 확장부 사이를 연결하도록 챔버몸체(210)를 관통하여 형성될 수 있다.
제1가스 공급라인의 출구부(422)는 제1가스 공급실(421)의 둘레를 따라 이격된 복수의 위치 예컨대 세 위치에서 처리홀(230)의 확장부의 중심위치를 향하도록 챔버몸체(210)의 내부를 관통하여 하향 경사지게 연장될 수 있다. 제1가스 공급라인의 출구부(422)는 처리홀(230)의 확장부 내주면 복수 위치에서 개방될 수 있다.
제1가스 공급라인(420)에서 처리홀(230)의 확장부로 공급되는 퍼지가스에 의하여 윈도우(240)의 하부면에 메탈 소스의 막이 증착되는 것을 방지할 수 있고, 윈도우(240)의 하부면에 메탈 소스의 막이 증착되더라도 이를 즉시 퍼지가스의 분사 압력으로 제거할 수 있다. 결국, 윈도우(240)의 하부면을 청정한 상태로 유지할 수 있고, 이에, 레이저가 윈도우(240)를 원활하게 통과하여 처리물에 안정적으로 조사될 수 있다.
도 1 및 도 4 내지 도 6을 참조하면, 제2가스 공급기는 승온가스를 예컨대 에어커튼의 형상으로 하여 처리공간(10)의 둘레를 감싸 챔버몸체(210)와 처리물(S) 사이에 분사하도록 제공되는 구성부로서, 제1가스 공급부(510) 예컨대 승온가스 공급부 및 승온가스 공급라인(520)을 포함할 수 있다. 이때, 승온가스 공급라인(520)은 외부로의 단열이 가능하도록 외주면이 단열재로 피복되거나, 온도 제어가 가능하도록 외주면에 히터 등이 부착될 수 있다.
제2가스 공급부(510)는 내부에 승온가스가 저장되는 압력 용기(canister)를 포함할 수 있다. 이때, 승온가스는 불활성 가스 예컨대 질소 가스 또는 아르곤 가스를 포함할 수 있고, 그 온도가 원하는 승온 온도로 제어된 불활성 가스일 수 있다. 이때, 승온가스의 승온 온도는 메탈 소스의 증착 온도 또는 기화 온도에 대응하는 온도 범위일 수 있고, 본 발명의 실시 예에서는 예컨대 20℃ 내지 40℃의 온도 범위 또는 30℃ 내지 35℃의 온도 범위를 승온가스의 승온 온도로서 예시한다.
제2가스 공급부(510)에는 승온가스의 온도를 제어할 수 있는 온도 조절수단으로서 예컨대 열교환기(미도시)나 전열 히터(미도시) 등이 구비될 수 있고, 온도 조절수단에는 이를 제어 가능한 온도 제어부(미도시)가 연결될 수 있다. 또한, 제2가스 공급부(510)에는 유량 제어기(미도시) 및 제어 밸브(미도시)가 더 구비될 수 있다.
승온가스 공급라인(520)은 일측이 제2가스 공급부(510)에 연결될 수 있고, 타측이 제2가스 공급홀(252b)을 관통하여 챔버부(200)의 내부로 연장될 수 있다.
승온가스 공급라인(520)에는 제2가스 공급실(521)이 구비될 수 있다. 제2가스 공급실(521)은 처리홀(230) 부근의 승온가스 공급라인(520)의 타측 소정 위치에 구비될 수 있고, 챔버몸체(210)의 내부에서 처리홀(230)의 외측을 둘러 감아 고리 형상으로 형성될 수 있다. 승온가스 공급라인(520)은 챔버몸체(210)의 내부에서 제2가스 공급실(521)로 연결될 수 있다. 승온가스 공급라인의 출구부(522)는 제2가스 공급실(521)과 승온가스 분사면(261) 사이를 연결하도록 챔버몸체(210)를 관통하여 형성될 수 있다.
승온가스 공급라인의 출구부(522)는 제2가스 공급실(521)의 둘레 방향으로 서로 이격되는 복수의 위치에서, 챔버몸체(210)의 일면을 향하는 방향으로 챔버몸체(210)를 관통하여 연장될 수 있고, 승온가스 분사면(261)의 둘레를 따라 서로 이격된 복수의 위치에서 하측으로 개방될 수 있다. 이처럼 승온가스 공급라인의 출구부(522)는 챔버몸체(210)의 일면에서 처리홀(230)의 단부에 인접하여 그 둘레에 위치할 수 있다. 이때, 승온가스 공급라인의 출구부(522)는 처리홀(230)측을 향하도록 소정 각도 하향 경사지게 연장되어 형성될 수 있다.
승온가스 공급라인(520)에서 승온가스 분사면(261)으로 공급되는 승온가스는 에어커튼의 형상으로 처리공간(10)을 감싸면서 처리물(S)에 분사될 수 있고, 이에 의하여, 처리공간(10) 및 이와 접하는 처리물의 막 증착 위치의 온도를 메탈 소스의 증착 온도 범위에 대응하는 온도로 용이하게 제어할 수 있다. 또한, 승온가스에 의하여, 메탈 소스의 분진이 대기 중으로 유출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 즉, 승온가스가 처리공간(10)을 직접 감싸도록 분사되기 때문에, 처리공간(10)에서 발생되는 메탈 소스의 분진 등의 각종 이물을 후술하는 배기라인의 입구부까지 빠짐없이 유도하여 대기 중으로 유출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이처럼 본 발명의 실시 예에서는 승온가스 공급라인(520)을 이용하여 처리물의 승온과 처리공간으로부터의 분진 유출 방지를 동시에 달성할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 승온가스 공급라인(520)은 하기의 변형 예를 포함하여 다양하게 구성될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 7을 참고하여, 본 발명의 변형 예에 따른 승온가스 공급라인을 설명한다.
이때, 본 발명의 변형 예에 따른 승온가스 공급라인은 본 발명의 실시 예에 따른 승온가스 공급라인(520)과 구성이 일부 유사하므로, 본 발명의 실시 예와 구분되는 구성을 중심으로 하여 본 발명의 비교 예에 따른 승온가스 공급라인을 설명한다.
도 7(a)는 도 6의 B 부분을 확대하여 본 발명의 실시 예에 따른 승온가스 공급라인의 출구부(522)의 평면 구조를 보여주는 개략도이다. 도 7(b)는 도 6의 B 부분에 대응되는 본 발명의 변형 예에 따른 승온가스 공급라인의 출구부(522a) 평면 구조를 보여주는 개략도이다. 도 7(c)는 도 7(b)의 C-C' 부분을 절단하여 본 발명의 변형 예에 따른 승온가스 공급라인의 출구부(522a) 단면 구조를 보여주는 개략도이다. 도 7(d)는 도 6의 B 부분에 대응되는 본 발명의 다른 변형 예에 따른 승온가스 공급라인의 출구부(522b) 평면 구조를 보여주는 개략도이다.
도 7(a)와 도 7(b) 및 도 7(c)를 대비하면, 본 발명의 변형 예에서는 승온가스 분사면 없이 승온가스 공급라인의 출구부(522a)가 챔버몸체의 일면에서 직접 개방될 수 있다. 이때, 각 출구부 간의 간격(d)를 조절하는 방식으로 하여, 승온가스 분사면이 없는 단순한 구조의 경우에도, 승온가스를 처리공간의 외측으로 둘러싸면서 분사할 수 있고, 각 출구부의 형상을 디퓨저 형상으로 하여 그 효과를 더욱 증대시킬 수 있다.
도 7(a)와 도 7(d)를 대비하면, 본 발명의 다른 변형 예에서는 승온가스 공급라인의 출구부(522b)가 처리홀(230)의 단부를 연속적으로 둘러싸는 링 형상으로 형성될 수 있다. 이에, 승온가스 공급라인의 출구부(522b)는 처리홀(230)의 단부 외측에서 승온가스 분사면(261)의 둘레 방향으로 연장되어 링 형상으로 개방될 수 있다. 이에, 처리홀(230)의 단부 하측을 더욱 기밀하게 둘러싸도록 승온가스를 분사할 수 있다.
배기 유닛은 제1배기부(610), 제1배기라인(620), 제2배기부(710) 및 제2배기라인(720)을 포함할 수 있다. 배기 유닛은 에어커튼의 형상으로 분사되는 승온가스의 분사영역 외측에서 처리공간(10)의 내부에서 생성되는 반응물, 생성물 및 미반응물 중 적어도 하나를 흡기(suction)하여 제거할 수 있다. 이때, 승온가스의 분사압을 이용하여, 각 물질을 더욱 효과적으로 흡기하여 제거할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예에서는 제1배기부(610), 제1배기라인(620), 제2배기부(710) 및 제2배기라인(720)을 모두 포함하는 배기 유닛을 예시하나, 배기 유닛은 제1배기부(610) 및 제1배기라인(620)만 포함하도록 구성될 수도 있고, 또는 제2배기부(710) 및 제2배기라인(720)만 포함하도록 구성될 수도 있다.
제1배기부(610) 및 제2배기부(710)는 각각 펌프 또는 진공 펌프 등을 포함할 수 있다. 제1배기부(610)에는 제1배기라인(620)이 연결될 수 있고, 제2배기부(620)에는 제2배기라인(720)이 연결될 수 있다.
제1배기라인(620)은 제1배기홀(253a)을 관통하여 챔버부(200)의 내부로 연장될 수 있고, 입구부(622)가 챔버부의 일면(211)에서 승온가스 분사면(261)의 외측 둘레에 위치할 수 있다. 제2배기라인(720)은 제2배기홀(253b)을 관통하여 챔버부(200)의 내부로 연장될 수 있고, 입구부(722)가 챔버부의 일면(211)에서 제1배기면(262)의 외측 둘레에 위치할 수 있다.
제1배기라인(620) 및 제2배기라인(720)은 처리물(S)에 막이 증착되는 동안, 처리공간(10)의 내부에서 생성되는 각종 이물 및 에어커튼의 형성을 마친 승온가스를 처리공간(10)으로부터 배기시켜 제거할 수 있다.
제1배기라인(620)에는 제1배기실(621)이 구비될 수 있고, 제2배기라인(720)에는 제2배기실(721)이 구비될 수 있다. 제1배기실(621)은 챔버몸체(210)의 일면과 가까운 제1배기라인(620)의 일측 소정 위치에 구비될 수 있고, 챔버몸체(210)의 내부에서 승온가스 공급실(521)의 외측을 둘러 감아 고리 형상으로 형성될 수 있다. 제1배기라인(620)은 챔버몸체(210)의 내부에서 제1배기실(621)과 연결될 수 있고, 제1배기라인의 입구부(622)는 제1배기실(621)의 둘레를 따라 이격된 복수의 위치에서 챔버몸체(210)를 하측으로 관통하여 제1배기면(262)의 복수의 위치에서 개방될 수 있다.
제2배기실(721)은 챔버몸체(210)의 일면과 가까운 제2배기라인(720)의 일측 소정 위치에 구비될 수 있고, 챔버몸체(210)의 내부에서 제1배기실(621)의 외측을 둘러 감아 고리 형상으로 형성될 수 있다. 제2배기라인(720)은 챔버몸체(210)의 내부에서 제2배기실(721)과 연결될 수 있고, 제2배기라인의 입구부(722)는 제2배기실(721)의 둘레를 따라 이격된 복수의 위치에서 챔버몸체(210)를 하측으로 관통하여 제2배기면(263)의 복수의 위치에서 개방될 수 있다.
제1배기라인(620) 및 제2배기라인(720)에 의하여 막의 증착 과정에서 발생하는 각종 오염물이 대기 중으로 배출되기 전에 장치로 포집되어 제거될 수 있다.
레이저부(810)는 챔버부(200)의 상측으로 이격 배치되며, 처리공간(10)으로 레이저를 조사 가능하도록 처리공간(10)으로 조사되는 레이저를 생성하는 역할을 한다. 레이저부(810)는 챔버(200)의 윈도우(240)를 통해 노출된 처리물(S)의 결함 위치에 레이저를 조사하여 배선을 커팅하거나, 소스 분위기에서 배선이 형성될 부분에 열 에너지를 공급함으로써 국부적으로 결함 위치에 메탈 소스가 막으로 증착되도록 한다. 이러한 레이저부(810)는 펄스 레이저 또는 연속 레이저를 이용할 수 있고, 리페어 작업에 따라서 출력이 가변될 수 있도록 구성될 수 있다.
광학부(820)는 레이저부(810)와 챔버부(200) 사이에 배치되어 레이저부(810)에서 조사된 레이저의 광로와 초점을 조절한다. 이러한 광학부(820)는 레이저의 진행 방향을 제어하는 레이저 진행 방향 제어부(미도시), 레이저의 입사각을 증가시키는 레이저 유효 영역 확장부(미도시)을 포함할 수 있다. 또한, 광학부(820)는 처리물(S)의 상태를 모니터링하는 모니터링부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 레이저 진행 방향 제어부는 레이저를 소정의 방향으로 반사시킴으로써 레이저의 진행 방향을 바꿀 수 있는 적어도 하나의 회전 가능한 미러(mirror)를 포함할 수 있다. 레이저 진행 방향 제어부를 이용함으로써 증착 장치 전체를 이동시키지 않고도 처리물(S)에서 레이저가 조사되는 영역을 이동시킬 수 있다. 레이저 유효 영역 확장부는 적어도 두 개의 굴곡 렌즈(미도시)를 이용하여 레이저를 굴절시킴으로써 대물 렌즈에 대한 레이저의 입사각을 증가시키는 기능을 수행할 수 있으며, 이에 따라 리페어 장치 전체를 이동시키지 않고도 레이저가 조사될 수 있는 영역(레이저 유효 영역)을 확장시키는 기능을 수행하게 된다. 모니터링부는 처리물(S)의 원하는 영역을 촬영하고 해당 영역의 막 형성 여부를 판별함으로써 처리물(S)의 결함 및 리페어 상태를 모니터링하는 기능을 수행한다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 챔버부의 작동 과정의 일부를 소정의 순서대로 나타낸 공정도이다.
도 8을 보면, 본 발명의 실시 예에서는 우선 퍼지가스(f1)가 처리홀(230)의 내부 상측으로 분사되고, 이와 함께, 승온가스(f2)가 처리홀(230)의 하측으로 분사되며, 이와 함께 메탈 소스(g)가 처리홀(230)의 내부로 분사된다.
승온가스(f2)에 의하여 처리홀(230)의 하측 부근의 압력이 증가되면, 도 9에 도시된 바와 같이, 처리홀(230)의 하측으로 분사되는 승온가스(f2)가 메탈 소스(g)와 함께 처리홀(230)의 외측으로 그 흐름이 원활하게 유도된다.
이때, 상술한 일련의 과정은 그 순서가 상기한 바에 한정되는 것이 아니며, 그 순서는 다양하게 변경될 수 있다.
이하, 도 1, 도 6, 도 8 및 도 9를 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 증착 방법을 상세히 설명한다. 이때, 화학기상증착 리페어 장치를 이용한 기판의 오픈 결함 리페어 공정을 기준으로 하여 본 발명의 실시 예를 설명한다. 물론, 후술하는 증착 방법은 오픈 결함의 리페어 공정 외에도, 각종 막의 증착 공정에 적용될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 증착 방법은 대기 중에 지지되는 처리물에 막을 증착하는 방법으로서, 대기 중에 처리물을 마련하는 과정, 처리물의 처리공간측으로 승온가스를 분사하여 온도를 제어하는 과정, 처리물의 처리공간으로 소스를 분사하는 과정, 처리물의 일면에 레이저를 조사하여 막을 형성하는 과정을 포함하고, 처리공간의 외부에서 반응물, 생성물 및 미반응물 중 적어도 어느 하나를 배기하는 과정을 포함할 수 있다.
이때, 처리물의 처리공간측으로 승온가스를 분사하여 온도를 제어하는 과정, 처리물의 처리공간으로 소스를 분사하는 과정 및 처리물의 일면에 레이저를 조사하여 막을 형성하는 과정은 동시에 또는 함께 실시될 수 있고, 또는 임의의 순서에 따라 순차적으로 실시될 수 있다. 이처럼 본 발명의 실시 예에서는 이들 과정의 실시 순서가 다양할 수 있다.
또한, 처리공간측으로 승온가스를 분사하는 과정은 처리물의 일면에 막을 형성하는 동안 연속하여 실시될 수 있다. 이에, 본 발명의 실시 예에서는 메탈 소스의 결정화 효율을 향상시킬 수 있고, 메탈 소스의 분진이 발생하는 것을 억제할 수 있으며, 처리공간으로의 이물 유입을 방지할 수 있다.
우선, 처리물(S)을 마련한다. 처리물(S)을 기판을 포함할 수 있고, 대기 중에서 지지부(100)에 로딩되어 지지될 수 있다.
이후, 처리공간(10)의 외측을 둘러 감도록 처리공간(10)측으로 승온가스(f2)를 분사한다. 승온가스(f2)는 에어커튼 형상으로 분사될 수 있고, 처리공간(10)을 직접 감싸도록 분사될 수 있다. 또한, 승온가스(f2)는 메탈 소스의 증착 온도 범위 또는 메탈 소스의 기화 온도 범위를 포함하는 소정의 온도 범위로 승온되어 처리공간(10)측으로 분사될 수 있다. 예컨대 승온가스(f2)는 20℃ 내지 40℃의 온도 범위 또는 30℃ 내지 35℃의 온도 범위로 승온되어 처리공간(10)측으로 분사될 수 있다.
승온가스(f2)는 처리공간(10)측으로 경사지게 분사될 수 있고, 이의 과정에서 도 8에 도시된 바와 같이, 승온가스(f2)의 일부가 처리홀(230)측으로 유동하고, 나머지가 제1배기라인의 입구부(622)측으로 유동할 수 있다.
처리홀(230)측으로 유동하는 승온가스(f2)는 처리공간(10)의 온도 및 압력을 소정 압력으로 상승시킨다. 특히, 처리공간(10)의 압력이 상승하여 소정의 압력에 도달하면, 처리공간(10)의 내부에서 외부를 향하는 방향으로 가스의 압력이 형성되면서, 도 9에 도시된 바와 같이, 승온가스(f2)가 처리공간(10)의 외부로 그 흐름이 원활하게 유도된다.
한편, 상기의 순서는 단지 본 발명의 실시 예에서 승온가스(f2)의 유동을 일 예로서 보여주기 위한 것이다. 즉, 본 발명의 실시 예에서의 승온가스(f2)의 유동 흐름은 도 8 및 도 9에 도시된 순서에 특별히 한정되지 않으며, 승온가스(f2)의 일부가 처리홀(230)측으로 유동하고 나머지가 에어커튼을 형성하는 것을 만족하는 범주 내에서 그 순서는 다양하게 변경될 수 있다.
한편, 승온가스(f2) 예컨대 승온된 불활성 가스가 처리공간(10)측으로 분사됨에 따라 처리공간(10)이 외기로부터 고립될 수 있고, 분사되는 승온가스(f2)에 의하여 처리공간(10) 및 이와 접하는 처리물(S)의 일면의 온도가 메탈 소스의 증착 온도 범위로 승온되어 유지될 수 있다.
처리공간(10)측으로 승온가스를 분사하는 과정을 실시하는 동안, 또는 동시에 처리공간(10)으로 메탈 소스(g)를 분사한다. 또는, 처리공간(10)측으로 승온가스를 분사하는 과정을 소정 시간 실시한 후, 처리물(S)의 일면 온도가 원하는 온도로 제어되면, 처리공간(10)측에 승온가스를 분사하는 과정을 계속하여 진행하면서, 처리공간(10)으로 메탈 소스(g)를 분사한다.
메탈 소스는 분말의 상태로 소스 공급부 내에 준비되었다가 기화되어 운반될 수 있다. 이때, 메탈 소스를 운반하는 소스 공급라인의 전체 영역에 열을 인가하여 메탈 소스의 온도를 메탈 소스의 증착 온도 범위 또는 기화 온도 범위에 해당하는 수준 예컨대 20℃ 내지 40℃의 온도 수준 또는 30℃ 내지 35℃의 온도 수준으로 유지하며 처리공간(10)의 내부로 공급할 수 있다. 메탈 소스 예컨대 코발트 소스는 상기한 온도 범위에서 상변화 없이 기화 상태를 잘 유지할 수 있다.
한편, 메탈 소스(g)의 분사 압력과 승온가스(f2)의 분사 압력은 서로 같거나 다를 수 있다. 즉, 이를 특별히 한정하지 않는다. 예컨대 공정이 진행되는 동안 각각의 분사 압력이 소정의 압력으로 형성될 수 있고, 이들 분사 압력 중 적어도 어느 하나의 분사 압력이 제어 등에 의하여 소정 값으로 증감할 수 있다. 이처럼 이들의 분사 압력은 메탈 소스(g)의 흐름이 처리공간(10)의 내부에서 외부를 향하는 방향으로 형성될 수 있는 것을 만족하는 소정의 분사 압력 값의 범주 내에서 다양할 수 있다.
처리공간(10)측으로 분사되는 승온가스(f2)의 일부를 제외한 승온가스(f2)의 나머지가 처리공간(10)의 외측을 둘러 하향 분사되기 때문에, 도 9에서와 같이, 처리공간(10)의 내부에서 처리공간(10)의 외측으로 흐르는 메탈 소스(g)의 흐름이 처리물(S)의 일면에 근접해서 처리물(S)의 일면과 나란하게 형성될 수 있다. 이에, 분진의 발생이 억제될 뿐만 아니라, 분진이 모이면서 흐르게 되어 배기라인의 입구부로 원활하게 유도될 수 있다.
한편, 승온가스(f2)의 분사량은 공정이 진행되는 동안, 일정할 수 있고, 다양하게 변할 수 있다. 예를 들어, 최초 승온가스(f2)의 분사 시에 승온가스(f2)를 상대적으로 많은 유량으로 분사하고, 처리물(S)의 온도가 원하는 온도로 제어되면 승온가스(f2)의 분사량을 줄일 수 있고, 이 상태를 유지하면서 처리공간(10)의 내부로 메탈 소스(g)를 분사할 수 있다.
이후, 처리물(S)의 일면에 레이저를 조사하여 결함 부분에 막을 형성한다. 즉, 처리홀(230)의 내부를 메탈 소스의 분위기로 제어한 상태에서 레이저를 처리물의 결함 부분에 조사하여 막을 증착시킬 수 있고, 이에, 처리물(S)의 결함을 리페어할 수 있다.
한편, 처리공간(10) 측으로 승온가스(f2)를 분사하는 과정 동안, 또는 처리공간(10)의 내부로 메탈 소스를 분사하는 과정 동안, 또는 처리물(S)의 일면에 레이저를 조사하는 과정 동안, 처리공간(10)의 외부에서 반응물, 생성물 및 미반응물 중 적어도 하나를 배기하기 시작하여, 전체 공정이 종료될 때까지 승온가스(f2)에 의한 에어커튼의 외측 가장자리를 둘러 감는 위치에서 반응 시에 발생되는 반응물, 생성물 및 미반응물을 배기한다. 이때, 에어커튼의 형성에 사용된 승온가스를 함께 배기한다.
막의 증착이 완료되면, 레이저의 조사를 종료하고, 이후, 승온가스(f2)를 소정 시간동안 더 분사하여 처리물(S)의 리페어된 영역의 온도를 제어하고, 이로부터 리페어된 막을 안정화시킨다. 이후, 오픈 결함의 리페어 공정을 종료한다.
본 발명의 상기 실시 예는 본 발명의 설명을 위한 것이며, 본 발명의 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 본 발명은 청구범위 및 이와 균등한 기술적 사상의 범위 내에서 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 해당하는 기술 분야에서의 업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100: 지지부 200: 챔버부
230: 처리홀 261: 승온가스 분사면
300: 소스 공급기 344: 제1소스 공급라인
345: 제2소스 공급라인 346: 제3소스 공급라인
510: 제2가스 공급부 520: 승온가스 공급라인

Claims (14)

  1. 대기 중에 지지되는 처리물에 막을 증착하는 장치로서,
    대기 중에 위치하고, 상기 처리물을 마주보는 일면에 처리홀이 형성되며, 상기 처리물과의 사이에 처리공간을 제공하는 챔버부;
    상기 챔버부의 내부로 연장되며, 출구부가 상기 처리홀의 내주면에 형성되는 소스 공급라인; 및
    상기 챔버부의 내부로 연장되고, 출구부가 상기 챔버부의 일면에서 상기 처리홀의 단부의 둘레에 위치하는 승온가스 공급라인;을 포함하는 증착 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버부의 내부로 연장되고, 입구부가 상기 챔버부의 일면에서 상기 승온가스 공급라인의 출구부 외측 둘레에 위치하는 배기라인;을 포함하는 증착 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 소스 공급라인은 복수개의 직관부 및 상기 직관부를 연결하는 적어도 하나 이상의 연결부를 포함하고,
    상기 연결부는 곡관 구조로 형성되는 증착 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 소스 공급라인의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 히터부;를 포함하는 증착 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 소스 공급라인의 재질은 구리를 포함하는 증착 장치.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 처리공간으로 레이저를 조사 가능하도록 형성되는 레이저부;
    상기 소스 공급라인에 연결되는 소스 공급부;
    상기 승온가스 공급라인에 연결되는 승온가스 공급부;
    상기 배기라인에 연결되는 배기부;를 포함하는 증착 장치.
  7. 대기 중에 지지되는 처리물에 막을 증착하는 방법으로서,
    대기 중에 처리물을 마련하는 과정;
    상기 처리물의 처리공간측으로 승온가스를 분사하여 온도를 제어하는 과정;
    상기 처리물의 처리공간으로 소스를 분사하는 과정;
    상기 처리물의 일면에 레이저를 조사하여 막을 형성하는 과정;을 포함하는 증착 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 처리물의 처리공간측으로 승온가스를 분사하는 과정은,
    상기 처리공간의 외부를 둘러 감도록 상기 처리공간측으로 승온가스를 분사하여 상기 처리공간을 외기로부터 고립시키는 과정;을 포함하는 증착 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 승온가스는 불활성가스를 포함하고,
    상기 승온가스는 20℃ 내지 40℃의 온도 범위로 승온되어 상기 처리공간측으로 분사되는 증착 방법.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 처리물의 처리공간으로 소스를 분사하는 과정은,
    상기 소스가 운반되는 소스 공급라인의 적어도 일부 영역에 열을 인가하여 상기 소스의 온도를 제어하는 과정;을 포함하는 증착 방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 소스는 20℃ 내지 40℃의 온도 범위로 승온되어 상기 처리공간으로 분사되는 증착 방법.
  12. 청구항 7 내지 청구항 11 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 처리물의 처리공간측으로 승온가스를 분사하는 과정과 함께 상기 처리물의 처리공간으로 소스를 분사하는 과정을 실시하는 증착 방법.
  13. 청구항 7에 있어서,
    상기 처리공간의 외부에서 반응물, 생성물 및 미반응물 중 적어도 하나를 배기하는 과정;을 포함하는 증착 방법.
  14. 청구항 7에 있어서,
    상기 소스는 코발트 소스를 포함하는 증착 방법.
KR1020150178600A 2015-11-11 2015-12-14 증착 장치 및 증착 방법 KR101765244B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150178600A KR101765244B1 (ko) 2015-12-14 2015-12-14 증착 장치 및 증착 방법
JP2016025526A JP6194034B2 (ja) 2015-12-14 2016-02-15 蒸着装置及び蒸着方法
TW106120964A TWI634232B (zh) 2015-12-14 2016-02-18 沈積方法
TW105104679A TWI604085B (zh) 2015-12-14 2016-02-18 沈積裝置
CN201610959641.9A CN107012446B (zh) 2015-11-11 2016-10-27 沉积装置及沉积方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150178600A KR101765244B1 (ko) 2015-12-14 2015-12-14 증착 장치 및 증착 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170070947A true KR20170070947A (ko) 2017-06-23
KR101765244B1 KR101765244B1 (ko) 2017-08-07

Family

ID=59081249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150178600A KR101765244B1 (ko) 2015-11-11 2015-12-14 증착 장치 및 증착 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6194034B2 (ko)
KR (1) KR101765244B1 (ko)
TW (2) TWI604085B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190119426A (ko) * 2018-04-12 2019-10-22 참엔지니어링(주) 증착 장치 및 방법
KR20200140632A (ko) 2019-06-07 2020-12-16 참엔지니어링(주) 증착 장치
CN112736450A (zh) * 2019-10-14 2021-04-30 株式会社瑞延理化 雷达电波穿透型盖板

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101925579B1 (ko) 2017-06-23 2018-12-05 참엔지니어링(주) 증착 장치
KR102170451B1 (ko) 2020-01-22 2020-10-28 (주)이큐테크플러스 프리커서와 반응가스를 함께 분사하는 라디컬 유닛 및 이를 포함하는 ald장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6154041A (ja) * 1984-08-25 1986-03-18 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体の製造方法
JPS6350474A (ja) * 1986-08-21 1988-03-03 Hitachi Ltd 磁性薄膜の形成方法
JP3082716B2 (ja) * 1997-08-08 2000-08-28 日本電気株式会社 レーザｃｖｄ装置及び方法
KR100613018B1 (ko) * 2002-03-19 2006-08-14 가부시끼가이샤 에키쇼 센탄 기쥬츠 가이하쯔 센터 배선 금속층의 형성방법, 금속을 선택적으로 형성하는 방법
JP2005171272A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Sony Corp レーザｃｖｄ装置
JP5114960B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-09 ソニー株式会社 加工装置、及び配線基板の製造装置
JP5476519B2 (ja) * 2010-01-20 2014-04-23 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ加工装置
JP5994090B2 (ja) * 2012-02-29 2016-09-21 株式会社ブイ・テクノロジー レーザ加工装置
JP2014019937A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Omron Corp レーザ加工装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190119426A (ko) * 2018-04-12 2019-10-22 참엔지니어링(주) 증착 장치 및 방법
CN110373656A (zh) * 2018-04-12 2019-10-25 灿美工程股份有限公司 沉积装置及方法
CN110373656B (zh) * 2018-04-12 2021-09-28 灿美工程股份有限公司 沉积装置及方法
KR20200140632A (ko) 2019-06-07 2020-12-16 참엔지니어링(주) 증착 장치
CN112736450A (zh) * 2019-10-14 2021-04-30 株式会社瑞延理化 雷达电波穿透型盖板
CN112736450B (zh) * 2019-10-14 2023-12-19 株式会社瑞延理化 雷达电波穿透型盖板

Also Published As

Publication number Publication date
TWI604085B (zh) 2017-11-01
JP2017110286A (ja) 2017-06-22
TW201720949A (zh) 2017-06-16
TWI634232B (zh) 2018-09-01
TW201732076A (zh) 2017-09-16
KR101765244B1 (ko) 2017-08-07
JP6194034B2 (ja) 2017-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101765244B1 (ko) 증착 장치 및 증착 방법
TWI703688B (zh) 基板加熱裝置及基板加熱方法
US6753506B2 (en) System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing
JP5650935B2 (ja) 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
KR101680291B1 (ko) 증착 장치 및 증착 방법
US20160010208A1 (en) Design of susceptor in chemical vapor deposition reactor
US8304020B2 (en) Adhesion promoting process, adhesion promoting device, coating and developing system and storage medium
JP2016510946A (ja) 噴射器から基板までの間隙の制御のための装置および方法
TW201604302A (zh) 蒸發源陣列
TW201602373A (zh) 用於有機材料之蒸發源及蒸發源陣列
US9677177B2 (en) Substrate support with quadrants
CN103290391A (zh) 激光加工装置
KR102499328B1 (ko) 기화기
KR101723923B1 (ko) 증착 장치
TWI742357B (zh) 沉積裝置及方法
KR101925579B1 (ko) 증착 장치
KR101820098B1 (ko) 증착 장치 및 증착 방법
US20130284097A1 (en) Gas distribution module for insertion in lateral flow chambers
JP2014019937A (ja) レーザ加工装置
JP6318363B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法
TW201705370A (zh) 用於加工基板的裝置
KR102374079B1 (ko) 기판 처리장치에 구비되는 기판안착부
US20160237569A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JP5857207B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
KR200459208Y1 (ko) 기판 휨 방지를 위한 열 및 가스 공급 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)