JPS6154041A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6154041A JPS6154041A JP17706384A JP17706384A JPS6154041A JP S6154041 A JPS6154041 A JP S6154041A JP 17706384 A JP17706384 A JP 17706384A JP 17706384 A JP17706384 A JP 17706384A JP S6154041 A JPS6154041 A JP S6154041A
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- film layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒
体の製造方法に関し、さらに詳しくは耐食性に優れた前
記の磁気記録媒体の製造方法に関する。
体の製造方法に関し、さらに詳しくは耐食性に優れた前
記の磁気記録媒体の製造方法に関する。
強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、スパ
ッタリング等によって基体フィルム上に被着してつくら
れ、高密度記録に適した特性を有するが、反面空気中に
静置しておくと腐食されて最大磁束密度などの磁気特性
が劣化するなどの難点がある。
通常、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、スパ
ッタリング等によって基体フィルム上に被着してつくら
れ、高密度記録に適した特性を有するが、反面空気中に
静置しておくと腐食されて最大磁束密度などの磁気特性
が劣化するなどの難点がある。
このため、従来から強磁性金属薄膜層上に、種々の保護
膜層を設けることによって耐食性を改善することが行わ
れており、たとえば、強磁性材以外の金属または合金な
どからなる金属薄膜層を真空蒸着やスパッタリング等に
よって形成することが行われている。（特開昭５７−１
１７１２８号、特開昭５７−２０５８２５号） 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、真空蒸着によって強磁性金属薄膜層上に金属
薄膜層を設ける方法では、蒸気圧の関係から安定に蒸発
させにくいものや、ガスを多量に含むため蒸着中にスプ
ラッシュするものがあって、金属薄膜層を形成する材料
が限定される上、強磁性金属薄膜層に対する接着性に劣
るという難点があって、未だ、充分に良好な耐食性は得
られず、またスパッタリングによって強磁性金属薄膜層
上に金属薄膜層を設ける方法では、金属薄膜層の形成速
度が極度に遅いなどの欠点がある。
膜層を設けることによって耐食性を改善することが行わ
れており、たとえば、強磁性材以外の金属または合金な
どからなる金属薄膜層を真空蒸着やスパッタリング等に
よって形成することが行われている。（特開昭５７−１
１７１２８号、特開昭５７−２０５８２５号） 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、真空蒸着によって強磁性金属薄膜層上に金属
薄膜層を設ける方法では、蒸気圧の関係から安定に蒸発
させにくいものや、ガスを多量に含むため蒸着中にスプ
ラッシュするものがあって、金属薄膜層を形成する材料
が限定される上、強磁性金属薄膜層に対する接着性に劣
るという難点があって、未だ、充分に良好な耐食性は得
られず、またスパッタリングによって強磁性金属薄膜層
上に金属薄膜層を設ける方法では、金属薄膜層の形成速
度が極度に遅いなどの欠点がある。
この発明は、かかる現状に鑑み種々検討を行った結果な
されたもので、基体上に強磁性金属薄膜層を形成した後
、この強磁性金属薄膜層を有機金属化合物のガス中にさ
らしてレーザーＣＶＤ処理を行うことによって、金属薄
膜層を形成する材料を特に限定することなく、迅速かつ
効率的に、種々の磁性あるいは非磁性の金属もしくは合
金等からなる緻密で強磁性金属薄膜層との接着性に優れ
た金属薄膜層を形成し、耐食性を充分に改善したもので
ある。
されたもので、基体上に強磁性金属薄膜層を形成した後
、この強磁性金属薄膜層を有機金属化合物のガス中にさ
らしてレーザーＣＶＤ処理を行うことによって、金属薄
膜層を形成する材料を特に限定することなく、迅速かつ
効率的に、種々の磁性あるいは非磁性の金属もしくは合
金等からなる緻密で強磁性金属薄膜層との接着性に優れ
た金属薄膜層を形成し、耐食性を充分に改善したもので
ある。
この発明において、強磁性金属薄膜層上への金属薄膜層
の形成は、強磁性金属薄膜層を有機金属化合物のガス中
にさらし、真空下でレーザー光線を照射して金属を析出
させるレーザーＣＶＤ処理によって行われ、有機金属化
合物のガスを使用しているため、真空蒸着で金属薄膜層
を形成する場合のように、蒸気圧、あるいはスプラッシ
ュ等の原因で金属薄膜層を形成する材料が限定されるこ
とがない、また、このレーザーＣＶＤ処理を行うと、レ
ーザー光線の高エネルギーにより、有機金属化合物が分
解して金属薄膜層の析出形成が迅速かつ効率よく行われ
る。さらに、このレーザーＣＶＤ処理によって析出形成
された金属薄膜層は、緻密でしかも強磁性金属薄膜層に
対する接着性がよく、従って、このレーザーＣＶＤ処理
によって金属薄膜層が強磁性金属薄膜層上に形成される
と耐食性が充分に向上される。また、このレーザーＣＶ
Ｄ処理による金属薄膜層の形成は、真空蒸着、スパッタ
リングおよびイオンブレーティング等によって、基体上
に強磁性金属薄膜層を形成する場合と近似した条件下で
行われるため、基体上に真空蒸着、スパッタリングまた
はイオンブレーティング等によって、強磁性金属Ｈ膜層
を形成した後、直ちに引き続いてレーザーＣＶＤ処理を
行って金属薄膜層を強磁性金属薄膜層上に形成すること
ができ、形成が容易である。
の形成は、強磁性金属薄膜層を有機金属化合物のガス中
にさらし、真空下でレーザー光線を照射して金属を析出
させるレーザーＣＶＤ処理によって行われ、有機金属化
合物のガスを使用しているため、真空蒸着で金属薄膜層
を形成する場合のように、蒸気圧、あるいはスプラッシ
ュ等の原因で金属薄膜層を形成する材料が限定されるこ
とがない、また、このレーザーＣＶＤ処理を行うと、レ
ーザー光線の高エネルギーにより、有機金属化合物が分
解して金属薄膜層の析出形成が迅速かつ効率よく行われ
る。さらに、このレーザーＣＶＤ処理によって析出形成
された金属薄膜層は、緻密でしかも強磁性金属薄膜層に
対する接着性がよく、従って、このレーザーＣＶＤ処理
によって金属薄膜層が強磁性金属薄膜層上に形成される
と耐食性が充分に向上される。また、このレーザーＣＶ
Ｄ処理による金属薄膜層の形成は、真空蒸着、スパッタ
リングおよびイオンブレーティング等によって、基体上
に強磁性金属薄膜層を形成する場合と近似した条件下で
行われるため、基体上に真空蒸着、スパッタリングまた
はイオンブレーティング等によって、強磁性金属Ｈ膜層
を形成した後、直ちに引き続いてレーザーＣＶＤ処理を
行って金属薄膜層を強磁性金属薄膜層上に形成すること
ができ、形成が容易である。
このような、レーザーＣＶＤ処理による金属薄膜層の形
成に使用される有機金属化合物としては、波長２００
ｎｍ付近に吸収帯を持つ、例えば、Ａ６ （ＣＨ３）３
、Ｃｄ （ＣＨ３）２、Ｃｒ （ＣＨ３）２、Ｚｎ （
ＣＨ３）２、Ｓｎ （ＣＨ３）４、Ｇｅ （ＣＨ３）
４等のアルキル金属や、Ｆｅ（Ｃｏ）ｓ、Ｗ（Ｃｏ）ｓ
、Ｃｒ （Ｃｏ）ｓ、Ｇ。
成に使用される有機金属化合物としては、波長２００
ｎｍ付近に吸収帯を持つ、例えば、Ａ６ （ＣＨ３）３
、Ｃｄ （ＣＨ３）２、Ｃｒ （ＣＨ３）２、Ｚｎ （
ＣＨ３）２、Ｓｎ （ＣＨ３）４、Ｇｅ （ＣＨ３）
４等のアルキル金属や、Ｆｅ（Ｃｏ）ｓ、Ｗ（Ｃｏ）ｓ
、Ｃｒ （Ｃｏ）ｓ、Ｇ。
（Ｃｏ）４等の金属カルボニルなどが好適なものとして
使用され、基体の温度を制御することにより、金属薄膜
層中に含まれる炭素原子および水素原子の量が調整され
る。また使用するレーザー光線としては、ＸｅＦ、Ｘｅ
Ｃｊ２．ＡｒＦ、ＫｒＦ等のエキシマレーザ−１Ｃｕｎ
ホローカソードレーザー、Ａｒ＋レーザー（第二次高周
波）などが好適なものとして使用される。これらのレー
ザー光線は、レーザーパワー密度が３０Ｗ／ｃｕｔより
小さくては、上記有機金属化合物の分解が効率よく起こ
らないし、４３００Ｗ／ＣＡより大きくては基体の温度
が上昇しすぎるため、３０〜４３００Ｗ／ ｃｎｌの範
囲内のパワー密度で使用するのが好ましく、このように
、レーザー光線を３０〜４３００Ｗ／ｃｄの範囲内のパ
ワー密度で使用すると、前記の波長２００ｎｍ付近に吸
収帯を持つ有機金属化 ゛合物が、レーザー光線を
吸収して光分解反応を起こし、活性種を生じて緻密で強
磁性金属′Ｒ膜層に対する接着性に優れた金属薄膜層が
、５０〜５０００人／ｍｉｎの成膜速度で迅速かつ効率
よく形成される。このように、レーザーＣＶＤ処理によ
って強磁性金属Ｖ＃成膜上に金属薄ＭｔＡ層を析出形成
する際、処理槽内における有機金属化合物のガスのガス
圧は、１０−５１−−ルより低くすると析出速度が極端
に遅くなり、１０トールより高くすると析出速度が速く
なりすぎて緻密な薄膜層が得られないため１０′５〜１
０）−ルの範囲内にするのが好ましい、またこのような
１ノ−ブーＣＶＤ処理によって形成される金属薄膜層の
層厚は３０〜１０００人の範囲内となるようにするのが
好ましく、３０人より薄くすると耐食性が充分に改善さ
れず、１０００人より厚くするとスペーシングロスが大
きくなって感度が低下するおそれがある。
使用され、基体の温度を制御することにより、金属薄膜
層中に含まれる炭素原子および水素原子の量が調整され
る。また使用するレーザー光線としては、ＸｅＦ、Ｘｅ
Ｃｊ２．ＡｒＦ、ＫｒＦ等のエキシマレーザ−１Ｃｕｎ
ホローカソードレーザー、Ａｒ＋レーザー（第二次高周
波）などが好適なものとして使用される。これらのレー
ザー光線は、レーザーパワー密度が３０Ｗ／ｃｕｔより
小さくては、上記有機金属化合物の分解が効率よく起こ
らないし、４３００Ｗ／ＣＡより大きくては基体の温度
が上昇しすぎるため、３０〜４３００Ｗ／ ｃｎｌの範
囲内のパワー密度で使用するのが好ましく、このように
、レーザー光線を３０〜４３００Ｗ／ｃｄの範囲内のパ
ワー密度で使用すると、前記の波長２００ｎｍ付近に吸
収帯を持つ有機金属化 ゛合物が、レーザー光線を
吸収して光分解反応を起こし、活性種を生じて緻密で強
磁性金属′Ｒ膜層に対する接着性に優れた金属薄膜層が
、５０〜５０００人／ｍｉｎの成膜速度で迅速かつ効率
よく形成される。このように、レーザーＣＶＤ処理によ
って強磁性金属Ｖ＃成膜上に金属薄ＭｔＡ層を析出形成
する際、処理槽内における有機金属化合物のガスのガス
圧は、１０−５１−−ルより低くすると析出速度が極端
に遅くなり、１０トールより高くすると析出速度が速く
なりすぎて緻密な薄膜層が得られないため１０′５〜１
０）−ルの範囲内にするのが好ましい、またこのような
１ノ−ブーＣＶＤ処理によって形成される金属薄膜層の
層厚は３０〜１０００人の範囲内となるようにするのが
好ましく、３０人より薄くすると耐食性が充分に改善さ
れず、１０００人より厚くするとスペーシングロスが大
きくなって感度が低下するおそれがある。
強磁性金属薄膜屡の形成材料としては、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｇｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、
Ｃｏ−ＮＬ−Ｐ合金などの一般に使用される強磁性材が
いずれも好適に使用され、これらの強磁性材からなる強
磁性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーティング、
スパッタリング、メッキ等の手段によって基体上に被着
形成される。
ｉ、Ｇｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、
Ｃｏ−ＮＬ−Ｐ合金などの一般に使用される強磁性材が
いずれも好適に使用され、これらの強磁性材からなる強
磁性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーティング、
スパッタリング、メッキ等の手段によって基体上に被着
形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円磐やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円磐やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
第１図に示すように、真空槽１内に隔壁２および３でも
って、レーザーＣＶＤ処理室４を区画して設けた真空蒸
着兼レーザーＣＶＤ処理装置を使用し、厚さ１０μのポ
リエステルフィルム５を、真空槽１内の原反ロール６か
ら円筒状キャン７の周側面に沿って移動させ、巻き取り
ロール８に巻き取るようにセットするとともに、真空槽
１の下部に配設した強磁性材蒸発源９にコハル＋−１０
をセットした。次いで、ポリエステルフィルム５を０．
５ｍ／ｌｌｌ１ｎの走行速度で移動させるとともに、真
空槽ｌの下底に取りつけた排気系１１で真空槽１内を５
Ｘ１０−５）−ルに真空下排気し、コバルト１０を加熱
蒸発させて、ポリエステルフィルム５上に厚さ１９００
人のコバルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。引
き続いて、真空槽ｌ内に隔壁２および３で区画分離して
構成したレーザーＣＶＤ処理室４内に、レーザーＣＶＤ
処理室４の側壁に取りつけたガス導入管１２から、Ｃｒ
（Ｇｏ）ｓのガスを５５ｅｃｓの流量で導入し、８×１
０４トールの真空下で、レーザーＣＶＤ処理室４の側壁
に取りつけたレーザー透過窓１３を介して、レーザー光
線源１４から波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザーを、平均
レーザーパワー４０Ｗ／ｃｏｔ（パルスパワー４０ＭＷ
／Ｃｌ１１） 、＜りかえし周波数１００Ｈｚで照射し
、レーザーＣＶＤ処理を行って、強磁性金属薄膜層上に
厚さ１００人のＣｒからなる金属薄１ＩＩＸ！層を形成
した。しかる後、所定の巾に裁断して第２図に示すよう
なポリエステルフィルム５上に強磁性金属薄膜層１５お
よび金属薄膜層１６を順次に積層形成した保磁力が８０
０エルステツドで、飽和磁束密度が８０００ガウスの磁
気テープＡをつくった。なお、図中１７は強磁性材蒸発
源９からの強磁性材１０の蒸気流の入射角を調整するた
めの防着板である。
って、レーザーＣＶＤ処理室４を区画して設けた真空蒸
着兼レーザーＣＶＤ処理装置を使用し、厚さ１０μのポ
リエステルフィルム５を、真空槽１内の原反ロール６か
ら円筒状キャン７の周側面に沿って移動させ、巻き取り
ロール８に巻き取るようにセットするとともに、真空槽
１の下部に配設した強磁性材蒸発源９にコハル＋−１０
をセットした。次いで、ポリエステルフィルム５を０．
５ｍ／ｌｌｌ１ｎの走行速度で移動させるとともに、真
空槽ｌの下底に取りつけた排気系１１で真空槽１内を５
Ｘ１０−５）−ルに真空下排気し、コバルト１０を加熱
蒸発させて、ポリエステルフィルム５上に厚さ１９００
人のコバルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。引
き続いて、真空槽ｌ内に隔壁２および３で区画分離して
構成したレーザーＣＶＤ処理室４内に、レーザーＣＶＤ
処理室４の側壁に取りつけたガス導入管１２から、Ｃｒ
（Ｇｏ）ｓのガスを５５ｅｃｓの流量で導入し、８×１
０４トールの真空下で、レーザーＣＶＤ処理室４の側壁
に取りつけたレーザー透過窓１３を介して、レーザー光
線源１４から波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザーを、平均
レーザーパワー４０Ｗ／ｃｏｔ（パルスパワー４０ＭＷ
／Ｃｌ１１） 、＜りかえし周波数１００Ｈｚで照射し
、レーザーＣＶＤ処理を行って、強磁性金属薄膜層上に
厚さ１００人のＣｒからなる金属薄１ＩＩＸ！層を形成
した。しかる後、所定の巾に裁断して第２図に示すよう
なポリエステルフィルム５上に強磁性金属薄膜層１５お
よび金属薄膜層１６を順次に積層形成した保磁力が８０
０エルステツドで、飽和磁束密度が８０００ガウスの磁
気テープＡをつくった。なお、図中１７は強磁性材蒸発
源９からの強磁性材１０の蒸気流の入射角を調整するた
めの防着板である。
実施例２
実施例１における金属薄膜層の形成において、Ｃｒ（Ｃ
（））ｓのガスに代えてＦｅ（Ｃｏ）ｓのガスを同量使
用し、強磁性金属薄膜層上に、厚さ８０人のＦｅからな
る金属薄膜層を形成した以外は、実施例１と同様にして
磁気テープＡをつくった。
（））ｓのガスに代えてＦｅ（Ｃｏ）ｓのガスを同量使
用し、強磁性金属薄膜層上に、厚さ８０人のＦｅからな
る金属薄膜層を形成した以外は、実施例１と同様にして
磁気テープＡをつくった。
比較例１
実施例１において、金属Ｍ膜屡の形成を省いた以外は実
施例１と同様にして、保磁力が８７０エルステツドで、
飽和磁束密度が７２００ガウスの磁気テープをつくった
。
施例１と同様にして、保磁力が８７０エルステツドで、
飽和磁束密度が７２００ガウスの磁気テープをつくった
。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
電磁変換特性および耐食性を調べた。電磁変換特性は、
記録波長１μでの再生出力を測定し、比較例１で得られ
た磁気テープの測定値を基準としてその相対値で表した
。また、耐食性は、得られた磁気テープを６０℃、９０
％ＲＨの条件下に１週間放置したときの飽和磁束密度を
測定し、初期値に対する減少率で表した。
電磁変換特性および耐食性を調べた。電磁変換特性は、
記録波長１μでの再生出力を測定し、比較例１で得られ
た磁気テープの測定値を基準としてその相対値で表した
。また、耐食性は、得られた磁気テープを６０℃、９０
％ＲＨの条件下に１週間放置したときの飽和磁束密度を
測定し、初期値に対する減少率で表した。
下表はその結果である。
上表から明らかなように、この発明の製造方法で得られ
た磁気テープ（実施例１および２）は、いずれも比較例
１で得られた磁気テープに比し、耐食性が良好で遜色の
ない電磁変換特性を有しており、このことからこの発明
の製造方法によれば、耐食性が一段と向上され・た磁気
記録媒体が得られることがわかる。
た磁気テープ（実施例１および２）は、いずれも比較例
１で得られた磁気テープに比し、耐食性が良好で遜色の
ない電磁変換特性を有しており、このことからこの発明
の製造方法によれば、耐食性が一段と向上され・た磁気
記録媒体が得られることがわかる。
第１図はこの発明の磁気テープを製造するのに使用する
真空蒸着兼レーザーＣＶＤ処理装置の１例を示す概略断
面図、第２図はこの発明によって得られた磁気テープの
部分拡大断面図である。
真空蒸着兼レーザーＣＶＤ処理装置の１例を示す概略断
面図、第２図はこの発明によって得られた磁気テープの
部分拡大断面図である。
Claims (1)
- １、基体上に金属もしくはそれらの合金からなる強磁性
金属薄膜層を形成し、次いで、この強磁性金属薄膜層を
有機金属化合物のガス中にさらしてレーザーＣＶＤ処理
を行い、強磁性金属薄膜層上に金属薄膜層を形成するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17706384A JPS6154041A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17706384A JPS6154041A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154041A true JPS6154041A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=16024467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17706384A Pending JPS6154041A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154041A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247064A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Fujitsu Ltd | 金属被膜の成長方法 |
| US5462767A (en) * | 1985-09-21 | 1995-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD of conformal coatings over a depression using alkylmetal precursors |
| JP2017110286A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | チャム エンジニアリング カンパニー リミテッド | 蒸着装置及び蒸着方法 |
-
1984
- 1984-08-25 JP JP17706384A patent/JPS6154041A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5462767A (en) * | 1985-09-21 | 1995-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD of conformal coatings over a depression using alkylmetal precursors |
| JPS62247064A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Fujitsu Ltd | 金属被膜の成長方法 |
| JP2017110286A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | チャム エンジニアリング カンパニー リミテッド | 蒸着装置及び蒸着方法 |
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