KR20170064352A - 이송챔버 및 기판처리장치 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 적어도 하나 이상의 기판이 인입되어 진공 및 대기 상태를 반복하는 반입용 로드락챔버, 상기 기판상에 반도체층을 형성하는 공정챔버 및 상기 반입용 로드락챔버의 적어도 하나 이상의 기판을 상기 공정챔버로 이송시키는 이송챔버를 포함하고, 상기 이송챔버는, 상기적어도 하나 이상의 기판을 수용하는 공간을 제공하는 바디, 상기 바디의 상부면을 개폐하도록 구비되는 리드부를 포함하며, 상기 리드부는 일면에 상기 바디에 수용된 상기 적어도 하나 이상의 기판에 열을 공급하는 가열부 및 상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부를 냉각시키는 냉각부를 포함하고, 상기 냉각부는 상기 가열부로부터 반경방향 외측을 향하여 소정간격 이격되게 배치되는 기판처리장치 시스템에 관한 것이다.

Description

이송챔버 및 기판처리장치 시스템{CHAMBER FOR TRANSFER SUBSTRATE AND SYSTEM FOR TREATING SUBSTRATE}
실시 예는 공정 진행 전 기판의 온도 손실을 최소화하기 위하여 기판 이송중에 가열하는 가열수단 및 냉각수단을 포함하는 이송챔버 및 기판처리장치 시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막증착공정 및 식각공정 등은 진공상태로 최적화된 기판처리장치에서 진행한다.
이러한 반도체 제조 공정들 중에서 박막 증착 공정은 물리 기상 증착(physical vapor deposition)법, 화학 기상증착(chemical vapor deposition)법, 또는 원자층 증착(atomic layer deposition)법 등이 사용되고 있다.
원자층 증착법은 화학적으로 달라붙는 현상을 이용해 웨이퍼 표면에 분자를 흡착시킨 후 치환시켜 흡착과 치환을 번갈아 진행하기 때문에 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고 산화물과 금속박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있는 특징이 있다. 또한 CVD보다 낮은 온도(500℃ 이하)에서 우수한 막질을 형성할 수 있어 시스템온칩(SoC) 제조에 적합한 특징이 있다.
또한, 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 및 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각 장치 등이 있다.
PECVD는 강한 전압으로 야기된 플라즈마를 이용하여 반응물질을 활성화 시켜서 기상으로 증착시키는 방법이다. 예를 들면 TFT-LCD에서는 insulator층과 a-Si증착에 사용될 수 있다.
기판에 전술한 방법으로 증착시키기 위해서는 공급카세트에서부터 공급된 기판이 반입용 로드락챔버, 이송챔버를 거쳐 공정챔버로 이송되어야 한다.
기판이 반입용 로드락챔버에서 이송챔버를 거쳐 공정챔버로 이동하는 경우에 종래 기판처리장치의 이송챔버는 별도의 가열수단을 구비하지 않기 때문에, 기판의 온도가 떨어지는 현상이 발생한다.
기판의 온도가 떨어지면 기판의 표면에 자연산 산화막이 생기가 되고, 이로 인하여 기판이 균일하게 증착되지 않아 증착균일도(Uniformity)가 저하되는 문제가 있었다.
이를 해결하기 위하여, 반입용 로드락챔버에서 기판을 가열하는 가열수단을 포함한다고 하여도, 이송챔버의 내부에서 기판의 온도가 떨어지는 현상이 발생하고, 나아가 기판마다 이송챔버에서 공정챔버로 이동하기 전까지의 대기시간이 상이하여 각각의 기판에 열손실의 차이가 발생하여 증착균일도(Uniformity)의 차이가 발생하는 문제가 있었다.
이송챔버에 가열수단을 구비하는 경우에, 이송챔버 내부를 진공상태로 유지시켜주기 위한 실링부재가 상기 가열수단에 의해 손상되는 문제가 있었다.
본 발명은 기판이 반입용 로드락챔버에서 이송챔버를 거쳐 공정챔버로 이동하는 경우에 종래 기판처리장치의 이송챔버는 별도의 가열수단을 구비하지 않기 때문에, 기판의 온도가 떨어지는 현상을 방지하여 기판의 증착균일도를 증가시키는 기판처리장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
또한, 기판이 이송챔버에서 공정챔버로 이동하기 전까지의 대기시간이 상이하여 발생하는 각각의 기판에 열손실의 차이에 의해 야기되는 증착균일도의 차이가 발생을 방지하는 기판처리장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
또한, 기판의 증착균일도를 증가시키기 위해 이송챔버에 가열수단을 구비하는 경우, 이송챔버 내부를 진공상태로 유지시켜주기 위한 실링부재가 상기 가열수단에 의해 손상되는 문제를 방지하는 기판처리장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
본 발명은 전술한 과제를 해결하기 위하여 적어도 하나 이상의 기판이 인입되어 진공 및 대기 상태를 반복하는 반입용 로드락챔버, 상기 기판상에 반도체층을 형성하는 공정챔버 및 상기 반입용 로드락챔버의 적어도 하나 이상의 기판을 상기 공정챔버로 이송시키는 이송챔버를 포함하고, 상기 이송챔버는 상기적어도 하나 이상의 기판을 수용하는 공간을 제공하는 바디, 상기 바디의 상부면을 개폐하도록 구비되는 리드부를 포함하며, 상기 리드부는 일면에 상기 바디에 수용된 상기 적어도 하나 이상의 기판에 열을 공급하는 가열부 및 상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부를 냉각시키는 냉각부를 포함하고, 상기 냉각부는 상기 가열부로부터 반경방향 외측을 향하여 소정간격 이격되게 배치되는 기판처리장치 시스템을 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 가열부는 상기 리드부의 하부면에 배치되는 기판처리장치 시스템을 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 리드부는 일면에 상기 가열부가 배치되는 공간을 제공하는 가열부리세스를 포함하는 기판처리장치 시스템을 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 가열부는 적어도 둘 이상의 변곡점을 갖는 기판처리장치 시스템을 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 가열부는 상기 반입용 로드락챔버 내부의 온도, 상기 이송챔버 내부에 수용되는 상기 복수 개의 기판의 온도 및 상기 공정챔버 내부의 온도가 동일하도록 열을 상기 이송챔버 내부에 수용되는 상기 복수개의 기판을 가열하는 기판처리장치 시스템을 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부의 온도를 센싱하는 온도측정기를 더 포함하는 기판처리장치 시스템을 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 적어도 하나 이상의 기판을 수용하는 공간을 제공하는 바디, 상기 바디의 상부면을 개폐하도록 구비되는 리드부를 포함하며, 상기 리드부는 일면에 상기 바디에 수용된 상기 적어도 하나 이상의 기판에 열을 공급하는 가열부 및 상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부를 냉각시키는 냉각부를 포함하고, 상기 냉각부는 상기 가열부로부터 반경방향 외측을 향하여 소정간격 이격되게 배치되어 상기 적어도 하나 이상의 기판의 온도를 일정하게 유지하는 이송챔버를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 가열부는 적어도 둘 이상의 변곡점을 갖는 시스히터인 이송챔버를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부의 온도를 센싱하는 온도측정기를 더 포함하는 이송챔버를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
또한, 상기 리드부는 상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 이송챔버 내부를 진공상태로 유지하는 적어도 하나 이상의 실링부를 더 포함하며, 상기 냉각부는 상기 실링부가 열에 의해 손상되는 소정 온도 이하로 상기 리드부를 냉각시키는 이송챔버를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.
본 발명은 기판이 반입용 로드락챔버에서 이송챔버를 거쳐 공정챔버로 이동하는 경우에 종래 기판처리장치의 이송챔버는 별도의 가열수단을 구비하지 않기 때문에, 기판의 온도가 떨어지는 현상을 방지하기 위하여 이송챔버의 리드부에 가열부를 구비하여 기판의 증착균일도를 증가시키는 기판처리장치를 제공할 수 있다.
또한, 이송챔버의 리드부에 가열부를 포함하여 기판이 이송챔버에서 공정챔버로 이동하기 전까지의 대기시간이 상이하여 발생하는 각각의 기판에 열손실의 차이에 의해 야기되는 증착균일도의 차이가 발생을 방지하는 기판처리장치를 제공할 수 있다.
또한, 기판의 증착균일도를 증가시키기 위해 이송챔버에 가열수단을 구비하는 경우, 리드부의 일면에 냉각부를 포함하여 이송챔버 내부를 진공상태로 유지시켜주기 위한 실링부재가 상기 가열수단에 의해 손상되는 문제를 방지하는 기판처리장치를 제공할 수 있다.
도 1은 실시 예의 기판처리장치 시스템의 모식도이다.
도 2는 실시 예의 기판처리장치의 공정챔버를 도시한 것이다.
도 3a 및 도 3b는 실시 예의 기판처리장치의 이송챔버를 도시한 것이다.
도 4는 실시 예의 기판처리장치의 이송챔버의 리드부의 X1-X2 절단면을 도시한 것이다.
도 5는 실시 예의 기판처리장치의 이송챔버의 리드부의 Y1-Y2 절단면을 도시한 것이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다.
"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.
실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.
도 1은 실시 예의 기판처리장치 시스템의 모식도이다.
도 1을 참조하면, 실시 예의 기판처리장치 시스템은 기판(100) 또는 다수의 기판(100)이 적재되어 있는 공급 카세트(20), 기판(100)이 인입되어 진공 및 대기 상태를 반복하는 반입용 로드락챔버(load lock chamber)(30), 반입용 로드락챔버(30)으로부터 기판(100)을 공급받아 연속공정으로 기판(100)의 산화막을 제거하고, 기판(100) 상에 반도체층을 형성하기 위한 공정챔버(50), 반입용 로드락챔버(30)의 기판을 공정챔버(50)로 이송시키는 이송챔버(40) 및 기판(100)을 반출하고 진공 및 대기 상태를 반복하는 반출용 로드락챔버(unload lock chamber)(60)를 포함할 수 있다.
공정챔버(50)는 유지보수를 할 때를 제외하고는 진공상태를 유지하도록 구비될 수 있다.
이를 위하여 반입용 로드락챔버(30)와 반출용 로드락챔버(60)는 대기압 상태의 외부와 기판(100)을 교환하기 위하여 내부 압력을 대기압 상태에서 진공 상태로 또는 진공 상태에서 대기압 상태로 전환되도록 구비될 수 있다.
웨이퍼와 같은 기판(100)은 한번에 여러 장의 기판(100)에 박막을 증착하기 위해 수십 내지 수백 개의 기판(100)이 트레이(미도시)에 놓여져서 반입용 로드락챔버(30), 이송챔버(40), 공정챔버(50) 및 반출용 로드락챔버(60)를 따라 이송될 수 있다.
공정챔버(50)의 내부에는 공정 진행 중에 트레이(미도시)를 일시 안치할 수 있는 트레이 안치수단(미도시)를 더 포함할 수 있다.
실시 예의 기판처리장치 시스템은 기판(100)의 전면 또는 배면을 조면화시키기 위한 반응성 이온식각 장치(미도시)을 더욱 포함할 수 있다.
기판(100)의 조면화 공정이 완료된 후, 공급카세트(20)로부터 수납카세트(70)까지 기판(100)은 인라인(In-Line) 방식으로 이송되면서 기판처리공정을 수행한다.
기판처리장치 시스템은 기판(100)의 전면 및 배면은 서로 다른 불순물로 도핑된 반도체층을 형성하기 때문에, 연속적으로 연결된 공정챔버(50)를 다수 포함할 수 있다.
도 2는 실시 예의 기판처리장치의 공정챔버를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 실시 예의 공정챔버(50)는 반응공간을 제공하는 하우징(130), 하우징(130)의 내부에 설치되는 기판안치대(132), 하우징(130)의 상부에 설치되고 상부리드(134)와 이격되어 설치되는 가스분배판(136), 상부리드(134)를 관통하여 가스분배판(136)에 공정가스를 공급하는 가스공급관(138), 및 반응공간의 진공을 유지하고 잔류가스를 배기시키기 위한 배기구(156)를 포함한다. 기판안치대(132)와 가스분배판(136)은 모두 아노다이징 처리된 알루미늄 재질로 제조하는 것이 바람직하다.
가스분배판(136)과 전기적으로 연결된 상부리드(134)는 접지시키고, 기판안치대(132)는 RF 전력을 공급하는 RF 전원(158)에 연결한다. RF 전원(158)과 기판안치대(132)의 사이에는 임피던스 매칭을 위한 임피던스 정합기(160)를 설치한다. 상부리드(134)를 플라즈마 소스전극으로 사용하기 위해, 상부리드(134)에 RF전원(158) 및 임피던스 정합기(160)를 가스공급관(138)에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
기판(100)상에 반도체층을 형성하기 위하여, 기판(100)을 반입하여 기판안치대(132) 상에 안치하여야 한다. 이때, 기판(100)을 직접 기판안치대(132) 상에 안치시킬 수 있으나, 생산성을 높이기 위하여, 다수의 기판(100)이 적치된 트레이(tray)(146)를 안치할 수 있다. 트레이(146)는 필요에 따라 10 내지 200 개의 기판(100)을 적치할 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 실시 예의 기판처리장치의 이송챔버를 도시한 것이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 실시 예의 이송챔버는 적어도 하나 이상의 기판(100)이 적재되는 공간을 제공하는 바디(41), 상기 바디(41)의 상부면을 개폐하도록 구비되는 리드부(43), 상기 바디(41) 및 상기 리드부(43)가 지지되도록 구비되는 지지부(45), 일단이 상기 지지부(45)에 회전가능하도록 구비되고 타단이 상기 리드부(43)와 연결되도록 구비되어 리드부(43)를 개폐하도록 구비되는 연결부(47)를 포함할 수 있다.
실시 예의 바디(41)는 이송챔버(40) 내부에 수용된 적어도 하나 이상의 기판(100)을 공정챔버로 이송하기 위한 이송부(411) 및 상기 적어도 하나 이상의 기판(100)을 이송챔버(40)의 내부에서 이송부(411)로 전송하기 위하여 구비되는 전송부(413)을 포함할 수 있다.
이송부(411)는 바디(41)의 외주면에 적어도 하나 이상 배치될 수 있으며, 바디(41)의 외부와 내부를 관통하여 기판(100)을 바디(41)의 내부에서 외부로 이송가능한 공간을 제공하는 이송구(4113) 및 바디(41)의 외주면에 적어도 하나 이상 배치될 수 있고, 바디(41)의 외주면에서 외부를 향하여 소정 깊이 돌출되도록 구비되거나 바디(41)의 외주면에서 내부를 향하여 소정 깊이 침강되도록 구비되거나 바디(41)의 외주면상에 형성되는 이송부바디(4111)를 포함할 수 있다.
전송부(413)는 일단이 바디(41)의 내측면에 배치되는 제1피벗부(4135)에 좌우로 회동가능하게 구비되는 제1전송로드(4131), 일단이 바디(41)의 내측면에 배치되는 제2피벗부(4137)에 좌우로 회동가능하게 구비되는 제2전송로드(4133), 제1전송로드(4131) 및 제2전송로드(4133)의 타단에 상하로 회동 가능하게 구비되어 기판(100)을 전송시키는 전송플레이트(4139)를 포함할 수 있다.
제1전송로드(4131)와 제2전송로드(4133)은 각각 독립적인 피벗부(4135, 4137)에 좌우 방향으로 회동 가능하게 구비되어 기판(100)이 바디(41) 내부의 어느 위치에 있던지 관계 없이 모든 위치에 도달 하여 기판(100)을 이송부(411)로 전송할 수 있다.
다만, 실시 예의 전송부(413)의 구조는 설명의 편의를 위한 일 실시 예에 불과하고, 사용자는 필요에 따라 전송부(413)의 구조를 다양하게 변형 가능하게 실시 할 수 있으며, 전송부(413)는 바디(41) 내부에 수용된 적어도 하나 이상의 기판(100)을 이송부(411)에 전송 할 수 있게 구비되기만 하면 족하며 본 발명의 권리범위를 제한하지 않는다.
상기 리드부(43)는 바디(41)의 내부를 진공상태로 유지하기 위한 적어도 하나 이상의 실링부(431), 리드부(43)의 일면에 설치되어 바디(41)내부에 열을 공급하는 가열부(435), 리드부(43)의 일면에 설치되어 리드부(43)를 냉각시키는 냉각부(433), 리드부(43)의 일면에 설치되어 리드부(43)의 온도를 측정하는 온도측정기(437) 및 상기 가열부(435)가 설치되는 공간을 제공하는 가열부리세스(49)를 포함 할 수 있다.
실시 예의 리드부(43)는 제1길이(A)의 두께로 형성 될 수 있는데, 예를 들면 제1길이(A)는 40mm일 수 있다.
상기 실링부(431)는 복수 개 상기 리드부(43)에 구비될 수 있는데, 도면에 도시된 바와 같이 6개 구비될 수 있다.
다만, 이는 일 실시 예를 설명하기 위한 것이며 실링부(431)는 리드부(43)에 설치되어 바디(41)내부를 진공상태로 유지하도록 구비되기만 하면 족하며 실링부(431)의 모양, 개수 등은 당업자의 필요에 따라 다양하게 변형되어 사용 가능하다.
상기 가열부리세스(49)는 리드부(43)의 일면에 가열부(435)가 설치되는 공간을 제공하도록 구비될 수 있는데, 리드부(43)의 하부면에 배치될 수 있다.
즉, 가열부리세스(49)가 리드부(43)의 하부면에 배치되고, 이로 인하여 가열부(435)가 리드부(43)의 하부면에 배치되도록 구비될 수 있다.
이는, 바디(41)의 내부에 복수 개의 기판(100)이 적층되도록 구비되는데, 상기 가열부(435)가 복수 개의 기판(100)에 보다 효율적으로 열을 공급하게되는 효과가 있다.
실시 예의 리드부(43)의 일면에는 온도측정기(437)를 포함하여 리드부(43)의 온도를 측정할 수 있는데, 온도측정기(437)은 열전대(Thermocouple)로 구비될 수 있다.
열전대(Thermocouple)는 서로 다른 두 종류의 금속의 기전력을 이용하여 온도를 측정하는 센서이다.
특성이 다른 두 종류의 도체의 양단을 접합하여 폐회로를 만들고 한쪽 끝단에 온도차이를 주면 상기 폐회로에 열기전력이 발생하게 된다.
이 온도에 비례하여 기전력이 커지는데, 상기 기전력의 크기를 이용하여 온도를 측정하는 온도센서이다.
실시 예의 리드부(43)의 일면에 설치되어 리드부(43)를 가열시키는 가열부(435) 및 리드부(43)의 일면에 설치되어 리드부(43)를 냉각시키는 냉각부(433)은 도 4 및 도 5에서 상세히 후술하도록 한다.
상기 바디(41)의 내부에는 적어도 하나 이상의 기판(100)이 적재될 수 있는데, 바디(41)의 상부면에서부터 바닥면을 향하여 제2길이(B)만큼 떨어진 높이까지 기판(100)을 적재할 수 있다.
상기 제2길이(B)는 270mm일 수 있다.
상기 리드부(43)의 두께인 제1길이(A) 및 상기 바디(41)의 내부에 적재되는 기판(100)의 상부면으로부터 바디(41)의 상부면까지의 높이인 제2길이(B)는 설명의 편의를 위하여 예를 든 것이지, 사용자는 이에 한정되지 않고 필요에 따라 다양하게 변형하여 실시 할 수 있고, 이는 본 발명의 권리범위를 한정하지 아니한다.
상기 지지부(45)는 상기 리드부(43)의 일면을 지지하도록 구비되는 제1지지부(451) 및 상기 바디(41)의 일면을 지지하도록 구비되는 제2지지부(453)을 포함할 수 있다.
상기 연결부(47)는 일단은 상기 리드부(43)와 연결되고, 타단은 상기 제1지지부(451)와 연결되도록 구비되는 연결바디(471) 및 상기 연결바디(471)와 제1지지부(451)와 연결되는 부분에 배치되어 상기 연결바디(471)가 피벗(Pivot)운동을 가능하게 하는 피벗부(473)을 포함할 수 있다.
다만, 상술한 상기 연결부(47)의 구조는 일 실시 예를 설명한 것이며 연결부(47)는 리드부(43)가 바디(41)의 상부면을 개폐하도록 구비되기만 하면 족하며 상술한 구성에 한정되지 않고 사용자는 필요에 따라 다양하게 변형되게 실시 가능하며 이는 본 발명의 권리범위를 제한하지도 아니한다.
도 4는 실시 예의 기판처리장치의 이송챔버의 리드부의 X1-X2 절단면을 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 이송챔버(40)의 리드부(43)의 X1-X2의 절단면은 리드부(43)의 상부면일 수 있다.
리드부(43)의 상부면은 상기 리드부(43)의 상부면에 적어도 하나 이상 배치되어 바디(41)내부를 진공상태로 유지하도록 하는 실링부(431), 리드부(43)의 일면에 리드부(43)의 중심으로부터 소정 반경을 갖는 원주모양으로 배치되어 리드부(43)를 냉각시키는 냉각부(433) 및 리드부(43)의 일면에 배치되어 리드부(43)의 온도를 센싱하는 온도측정기(437)를 포함할 수 있다.
냉각부(433)는 리드부(43)의 중심으로부터 소정 반경을 갖는 원주모양으로 구비될 수 있는데, 상기 소정 반경은 리드부(43)의 중심으로부터 실링부(431)의 최외각면까지의 최대길이보다 크게 구비될 수 있다.
이는, 냉각부(433)와 실링부(431)의 간섭을 막기 위함이다.
또한, 냉각부(433)는 가열부(435)로부터 반경방향 외측을 향하여 소정간격 이격되게 배치될 수 있다.
즉, 가열부(435)는 냉각부(433)의 중심에 배치될 수 있다.
다만, 이는 설명의 편의를 위하여 일 예를 설명한 것이지, 냉각부(433)는 사용자의 필요에 따라 다양한 형상 및 크기로 구비될 수 있고, 이는 본 발명의 권리범위를 제한하지 않는다.
전술한 바와 같이 냉각부(433)는 리드부(43)의 일면에 배치되어 가열부(435)에 의해 발생한 열에 의해 실링부(431)가 손상되는 것을 방지하는 효과가 있다.
보다 효율적으로 상기 실링부(431)의 손상을 방지하기 위하여 리드부(43)는 온도측정기(437)을 포함하여 리드부(43)가 소정 온도를 유지하도록 냉각부(433)를 제어할 수 있다.
도 5는 실시 예의 기판처리장치의 이송챔버의 리드부의 Y1-Y2 절단면을 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 실시 예의 리드부(43)의 Y1-Y2 절단면은 리드부(43)의 하부면일 수 있다.
리드부(43)는 일면에 가열부(435)를 수용하는 공간을 제공하는 가열부리세스(49, 도 2) 및 상기 가열부리세스(49, 도 2)에 배치되어 리드부(43)의 하부면을 향하여 열을 방출하는 가열부(435)를 포함할 수 있다.
상기 가열부(435)는 시스히터(Sheath Heater)일수 있으며, 리드부(43)의 상부면 혹은 하부면에 모두 배치될 수 있으나, 가열부(435)에서 발생한 열은 리드부(43)가 아닌 바디(41)의 내부에 배치되고, 동시에 리드부(43)의 하부방향에 배치되는 복수 개의 기판(100)에 공급되어야 하기 때문에 하부면에 배치될 수 있다.
다만, 이는 일 예를 설명한 것이고 사용자의 필요에 따라 가열부(435)는 리드부(43)의 하부면뿐만 아니라 상부면에 배치될 수 있고, 또한 상부면 및 하부면 모두에 배치될 수 있으며, 이는 본 발명의 권리범위를 제한하지 아니한다.
상기 가열부(435)는 하나의 선으로 구비될 수 있고, 가열부(435)의 일단과 타단은 리드부(43)의 중심에 배치될 수 있다.
즉, 가열부(435)는 리드부(43)의 중심에서 시작하여 적어도 둘 이상의 변곡점을 포함하면서 리드부(43)의 일면에 배치될 수 있다.
예를 들면, 가열부(435)는 도 5에 도시된 바와 같이 리드부(43)의 중심에서 시작하여 6개의 변곡점을 포함하도록 구비될 수 있다.
다만, 이는 일 예를 든 것이며 가열부(435)의 형상은 사용자의 필요에 따라 변형될 수 있다.
상술한 바와 같이 실시 예의 기판처리장치 시스템은 리드부(43)의 일면에 가열부(435)를 배치하여 이송챔버(40)내부에 수용되는 적어도 하나 이상의 기판(100)에 열을 공급하여 기판(100)이 반입용 로드락챔버(30)에서 이송챔버(40)를 거쳐 공정챔버(50)로 이동하는 과정에서 온도가 저하되는 것을 방지하여 증착균일도를 증가시키는 효과가 있다.
습식식각장치10 공급카세트20 반입용 로드락챔버30
이송챔버40 공정챔버50 반출용 로드락챔버60
수납카세트70 기판100 바디41
리드부43 지지부45 연결부47
히터리세스49 가열부435 냉각부433
온도측정기437

Claims (10)

  1. 적어도 하나 이상의 기판이 인입되어 진공 및 대기 상태를 반복하는 반입용 로드락챔버;
    상기 기판상에 반도체층을 형성하는 공정챔버; 및
    상기 반입용 로드락챔버의 적어도 하나 이상의 기판을 상기 공정챔버로 이송시키는 이송챔버;를 포함하고,
    상기 이송챔버는,
    상기적어도 하나 이상의 기판을 수용하는 공간을 제공하는 바디;
    상기 바디의 상부면을 개폐하도록 구비되는 리드부;를 포함하며,
    상기 리드부는 일면에 상기 바디에 수용된 상기 적어도 하나 이상의 기판에 열을 공급하는 가열부; 및
    상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부를 냉각시키는 냉각부;를 포함하고,
    상기 냉각부는 상기 가열부로부터 반경방향 외측을 향하여 소정간격 이격되게 배치되는 기판처리장치 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 리드부의 하부면에 배치되는 기판처리장치 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 리드부는 일면에 상기 가열부가 배치되는 공간을 제공하는 가열부리세스를 포함하는 기판처리장치 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가열부는 적어도 둘 이상의 변곡점을 갖는 기판처리장치 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가열부는,
    상기 반입용 로드락챔버 내부의 온도, 상기 이송챔버 내부에 수용되는 상기 복수 개의 기판의 온도 및 상기 공정챔버 내부의 온도가 동일하도록 열을 상기 이송챔버 내부에 수용되는 상기 복수개의 기판을 가열하는 기판처리장치 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부의 온도를 센싱하는 온도측정기를 더 포함하는 기판처리장치 시스템.
  7. 적어도 하나 이상의 기판을 수용하는 공간을 제공하는 바디;
    상기 바디의 상부면을 개폐하도록 구비되는 리드부;를 포함하며,
    상기 리드부는 일면에 상기 바디에 수용된 상기 적어도 하나 이상의 기판에 열을 공급하는 가열부; 및 상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부를 냉각시키는 냉각부;를 포함하고, 상기 냉각부는 상기 가열부로부터 반경방향 외측을 향하여 소정간격 이격되게 배치되어 상기 적어도 하나 이상의 기판의 온도를 일정하게 유지하는 이송챔버.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가열부는 적어도 둘 이상의 변곡점을 갖는 시스히터인 이송챔버.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 리드부의 온도를 센싱하는 온도측정기를 더 포함하는 이송챔버.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 리드부는,
    상기 리드부의 일면에 배치되어 상기 이송챔버 내부를 진공상태로 유지하는 적어도 하나 이상의 실링부;를 더 포함하며,
    상기 냉각부는 상기 실링부가 열에 의해 손상되는 소정 온도 이하로 상기 리드부를 냉각시키는 이송챔버.
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