KR20170013997A - 개선된 금속 이온 필터링을 위한 방법들 및 장치 - Google Patents
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Abstract
개선된 이온 필터링을 위한 방법들 및 장치의 실시예들이 본원에서 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버는: 챔버 바디 및 챔버 바디 상에 배치된 챔버 덮개(lid) ― 챔버 바디 및 챔버 덮개는 덮개 아래의 챔버 바디 내에 프로세싱 영역을 정의함 ― ; 프로세싱 영역 내에 배치된 콜리메이터(collimator); 콜리메이터에 커플링된 전력 소스; 및 챔버 바디 주위에서 콜리메이터 위에 배치되는 제 1 세트의 자석들 및 챔버 바디 주위에서 콜리메이터 아래에 배치되는 제 2 세트의 자석들을 포함하며, 제 1 세트의 자석들 및 제 2 세트의 자석들은 콜리메이터에 대해 실질적으로 직교하는 가이던스 자기장(guidance magnetic field)을 함께 생성한다.
Description
[0001]
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 제조 시스템들에서 사용되는 기판 프로세싱 챔버들에 관한 것이다.
[0002]
서브미크론 및 더 작은 피처(feature)들을 신뢰성있게 생성하는 것은, 반도체 디바이스들의 VLSI(very large scale integration) 및 ULSI(ultra large scale integration)의 다음 세대를 위한 핵심 기술이다. 하지만, 회로 기술의 소형화가 압박됨에 따라, VLSI 및 ULSI 기술에서의 상호연결부(interconnect)들의 축소되는 치수들은, 프로세싱 능력들에 대한 부가적인 요구들을 제기하였다. VLSI 및 ULSI 기술의 중심에 놓인 멀티레벨 상호연결부들은, 비아들 및 다른 상호연결부들과 같은 고 종횡비 피처들의 정밀한 프로세싱을 요구한다.
[0003]
다음 세대의 디바이스들에 대해 회로 밀도들이 증가됨에 따라, 비아들, 트렌치들, 컨택들, 게이트 구조들, 및 다른 피처들과 같은 상호연결부들, 뿐만 아니라, 이들 사이의 유전체 재료들의 폭들이, 45 nm 및 32 nm, 또는 그 미만의 치수들로 감소된다. 하지만, 유전체 층들의 두께는 실질적으로 일정하게 유지되고, 그 결과로, 피처들의, 깊이 대 폭의 종횡비들이 증가된다.
[0004]
물리 기상 증착(PVD)이라고 또한 알려져 있는 스퍼터링은, 집적 회로들에 금속 피처들을 형성하는 방법이다. 스퍼터링은 기판 상에 재료 층을 증착한다. 타겟과 같은 소스 재료가, 전기장에 의해 강하게 가속되는 이온들에 의해 충격을 받게 되어, 타겟으로부터 재료를 배출(eject)시키며, 그러한 재료는 이후 기판 상에 증착된다.
[0005]
물리 기상 증착 프로세스에서, 빠르게-이동하는 이온들이 타겟에 부딪혀서, 타겟 표면으로부터 입자들을 축출(dislodging)한다. 입자들은, 전하 이송 메커니즘을 통해, 입사하는 이온들과의 상호작용에 의해 대전될 수 있다. 대안적으로, 입자들은, 공간에 존재하는 임의의 전기장들과의 상호작용을 통해 대전될 수 있거나, 또는 입자들은 대전되지 않은 상태로 유지될 수 있다. 증착은 일반적으로, 트렌치 측벽들의 상단들 근처 및 필드 영역들 상에서 더 빠르게 발생한다. 증착 동안, 배출된 입자들은, 기판 표면에 대해 대체로 직교하는 방향들로 이동하기보다는, 모든 방향들로 이동할 수 있고, 결과적으로, 트렌치의 코너들 상에 돌출(overhanging) 구조들이 형성된다. 트렌치 또는 다른 개구의 대향 측들 상에 배치되는 돌출 구조들은 함께 성장될 수 있고, 결과적으로 조기 폐쇄를 초래할 수 있고, 따라서, 트렌치 또는 개구의 완전한 충진(filling)을 막고 그리고 홀 또는 공극(void)을 형성할 수 있다. 디바이스에 대한 전도성 경로들을 형성하기 위해 전도성 재료들을 증착할 때, 그러한 홀들 또는 공극들은 형성되는 피처의 전기 전도도를 바람직하지 않게 심하게 감소시킨다. 더욱이, 다음 세대의 디바이스들에서의 더 높은 종횡비들의 트렌치들 및 비아들은 공극들 없이 충진하기가 훨씬 더 어렵다.
[0006]
기판 표면에 도달하는 이온 밀도 또는 이온 프랙션들을 특정 범위로 제어하게 되면, 금속 층 증착 프로세스 동안, 바닥 및 측벽 커버리지를 개선할 수 있다. 일 예에서, 타겟으로부터 축출된 입자들은 이온화될 수 있고, 기판에 인가되는 전기 바이어스 하에서 가속될 수 있다. 결과적인 좁은, 각을 이룬 플럭스(angular flux) 분포는, 트렌치의 조기의 폐쇄 전에 입자들이 트렌치 내로 아래로 이동하도록 촉진한다. 기판 표면 근방에서의 이온 프랙션/이온 밀도를 증가시킴으로써, 기판에 대해 더 직교하는 이온 궤적(ion trajectory)들을 촉진시킬 수 있는 것으로 여겨진다. 가속된 이온들이 기판 표면에 접근함에 따라, 가속된 이온들로부터 전달되는 모멘텀(momentum)이 트렌치 내 아래로 더 깊게 도달될 수 있고, 그 결과, 이들은, 전기 바이어스의 영향 하에서 트렌치 측벽을 향하여 편향될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 트렌치 내로의 더 깊은 침투는 측벽의 상단 근처에서 돌출의 효과를 감소시킨다. 하지만, 트렌치들의 종횡비들이 더 높아지고, 기판 크기들이 더 커짐에 따라, 아래로 트렌치 바닥에 도달하는 것이 더 어렵게 되었고, 기판 표면에 걸쳐서 재료들을 균일하게 증착하는 것 또한 더 어려워지게 되었다. 따라서, PVD 프로세싱은 돌출 관리의 문제를 극복해야 하는 과제를 여전히 가지고 있다.
[0007]
따라서, 본 발명자들은, 우수한 바닥 및 측벽 관리를 가지면서, 금속 함유 층을 형성하기 위한 개선된 방법들 및 장치를 제공하였다.
[0008]
개선된 이온 필터링을 위한 방법들 및 장치의 실시예들이 본원에서 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버는: 챔버 바디 및 챔버 바디 상에 배치된 챔버 덮개(lid) ― 챔버 바디 및 챔버 덮개는 덮개 아래의 챔버 바디 내에 프로세싱 영역을 정의함 ― ; 프로세싱 영역 내에 배치된 콜리메이터(collimator); 콜리메이터에 커플링된 전력 소스; 및 챔버 바디 주위에서 콜리메이터 위에 배치되는 제 1 세트의 자석들 및 챔버 바디 주위에서 콜리메이터 아래에 배치되는 제 2 세트의 자석들을 포함하며, 제 1 세트의 자석들 및 제 2 세트의 자석들은 콜리메이터에 대해 실질적으로 직교하는 가이던스 자기장(guidance magnetic field)을 함께 생성한다.
[0009]
몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버는: 챔버 바디 및 챔버 바디 상에 배치된 챔버 덮개 ― 챔버 바디 및 챔버 덮개는 덮개 아래의 챔버 바디 내에 프로세싱 영역을 정의함 ― ; 챔버 덮개 아래에 배치된 타겟; 프로세싱 영역 내에서 덮개 아래에 배치되는 콜리메이터; 콜리메이터에 커플링된 DC 전력 소스; 및 챔버 바디 주위에서 콜리메이터 위에 배치되는 제 1 세트의 자석들 및 챔버 바디 주위에서 콜리메이터 아래에 배치되는 제 2 세트의 자석들을 포함하며, 제 1 세트의 자석들 및 제 2 세트의 자석들은 콜리메이터에 대해 실질적으로 직교하는 가이던스 자기장을 함께 생성한다.
[0010]
몇몇 실시예들에서, 기판 상에 금속 층을 증착하는 방법은: 프로세싱 챔버 내로 가스 혼합물을 공급하는 단계; 프로세싱 챔버 내에 배치된 타겟으로부터 소스 재료를 스퍼터링하기 위하여, 가스 혼합물로부터 플라즈마를 형성하기 위해, RF 또는 DC 소스 전력을 인가하는 단계; 프로세싱 챔버 내에 배치된 콜리메이터에 DC 바이어스 전력을 인가하는 단계; 콜리메이터에 대해 실질적으로 직교하는 가이던스 자기장을 생성하는 단계; 및 기판 상에 소스 재료를 증착하는 단계를 포함한다.
[0011]
본 개시내용의 다른 그리고 추가의 실시예들이 하기에서 설명된다.
[0012]
앞서 간략히 요약되고 하기에서 보다 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0013] 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0014] 도 2는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 콜리메이터의 평면도를 도시한다.
[0015] 도 3은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 시간의 함수로서 플롯팅된(plotted), 도 2의 콜리메이터에 인가되는 전압을 도시한다.
[0016] 도 4는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버에서 생성되는 자기장을 도시한다.
[0017] 도 5는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버에서 생성되는 자기장을 도시한다.
[0018] 도 6a 및 도 6b는, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 금속 층 증착 프로세스의 제조 동안의 기판의 단면도를 도시한다.
[0019] 도 7은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 기판 상에 금속 층을 증착하는 방법의 흐름도를 도시한다.
[0020] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려지지 않았으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 피처(feature)들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 예상된다.
[0013] 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0014] 도 2는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 콜리메이터의 평면도를 도시한다.
[0015] 도 3은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 시간의 함수로서 플롯팅된(plotted), 도 2의 콜리메이터에 인가되는 전압을 도시한다.
[0016] 도 4는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버에서 생성되는 자기장을 도시한다.
[0017] 도 5는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 프로세스 챔버에서 생성되는 자기장을 도시한다.
[0018] 도 6a 및 도 6b는, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 금속 층 증착 프로세스의 제조 동안의 기판의 단면도를 도시한다.
[0019] 도 7은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 기판 상에 금속 층을 증착하는 방법의 흐름도를 도시한다.
[0020] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려지지 않았으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 피처(feature)들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 예상된다.
[0021]
개선된 금속 이온 필터링을 위한 방법 및 장치의 실시예들이 본원에서 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 본 발명의 장치는 유익하게는, 물리 기상 증착 프로세스 동안 이온 궤적 거동을 효율적으로 제어하고 바텀-업 충진(bottom-up filling) 능력을 보조하기 위해 이온/뉴트럴(neutral) 필터링 효과를 제어할 수 있다. 예를 들어, 본 개시내용의 실시예들은, 이온 필터링에 의한 증가된 금속 이온화, 및 이온들 및 뉴트럴들이 기판 레벨에 도달하기 전에 이들 모두에 대한 각을 이룬 플럭스 분포의 개선된 제어에 의해, 우수한 바닥 및 측벽 관리를 가지면서, 기판 상에 형성된 피처 내에 재료를 증착하는 것을 가능하게 할 수 있다. 하기에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 금속 이온 필터링은 유익하게는, 기하학적 콜리메이션(collimation) 및 전기적 콜리메이션 양자 모두에 의해 달성될 수 있다. 기하학적 콜리메이션은 뉴트럴 및 이온들 모두에 대해 효과적이지만, 전기적 시준은 (DC 바이어스 및 강한 자기장 배열의 도움으로) 금속 이온들에만 영향을 미친다. (콜리메이터에서의 더 적은 손실로 인한) 보다 높은 금속 이온화 및/또는 좁은, 각을 이룬 이온 확산(ion angular spread)은 유리하게는, 더 우수한 증착 커버리지를 초래한다. 몇몇 실시예들에서, 바이어싱된 콜리메이터는 또한, 플라즈마 전위를 제어하는 데에 사용될 수 있다.
[0022]
도 1은, 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 재료들을 스퍼터 증착하는 데에 적합한 바이폴라 콜리메이터(콜리메이터(118))를 갖는 물리 기상 증착(PVD) 챔버(100)(예를 들어, 스퍼터 프로세스 챔버)를 예시한다. 본 개시내용으로부터 이득을 얻도록 적응될 수 있는 PVD 챔버들의 예들은, ALPS® Plus 및 SIP ENCORE® PVD 프로세싱 챔버들을 포함하고, 이들 양자 모두는, 캘리포니아의 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가능하다. 다른 제조자들로부터 입수가능한 프로세싱 챔버들이 또한, 본원에서 설명되는 실시예들을 수행하도록 적응될 수 있다.
[0023]
PVD 챔버(100)는 상부 측벽(102), 하부 측벽(103), 및 덮개 부분(104)을 갖고, 상부 측벽(102), 하부 측벽(103), 및 덮개 부분(104)은 PVD 챔버(100)의 내부 볼륨(106)을 에워싸는 바디(105)를 정의한다. 어댑터 플레이트(107)가 상부 측벽(102)과 하부 측벽(103) 사이에 배치될 수 있다. 기판 지지부, 이를테면 기판 지지부(108)가 PVD 챔버(100)의 내부 볼륨(106)에 배치된다. 기판 이송 포트(109)가, 내부 볼륨(106) 내외로 기판들을 이송하기 위해, 하부 측벽(103)에 형성된다.
[0024]
몇몇 실시예들에서, PVD 챔버(100)는, 기판(101)과 같은 기판 상에, 예를 들어, 티타늄, 알루미늄 산화물, 알루미늄, 알루미늄 산질화물, 구리, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 탄탈륨 산질화물, 티타늄 산질화물, 텅스텐, 또는 텅스텐 질화물을 증착할 수 있는, 물리 기상 증착(PVD) 챔버라고 또한 알려져 있는 스퍼터링 챔버를 포함한다.
[0025]
가스 소스(110)가, 내부 볼륨(106) 내로 프로세스 가스들을 공급하기 위해, PVD 챔버(100)에 커플링된다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스 가스들은, 비활성 가스들, 비-반응성 가스들, 및 (요구되는 경우) 반응성 가스들을 포함할 수 있다. 가스 소스(110)에 의해 제공될 수 있는 프로세스 가스들의 예들은, 특히, 아르곤 가스(Ar), 헬륨(He), 네온 가스(Ne), 질소 가스(N2), 산소 가스(O2), 및 수증기(H2O)를 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
[0026]
펌핑 디바이스(112)가, 내부 볼륨(106)의 압력을 제어하기 위해, 내부 볼륨(106)과 소통하면서 PVD 챔버(100)에 커플링된다. 몇몇 실시예들에서, PVD 챔버(100)의 압력 레벨은 약 1 Torr 또는 그 미만으로 유지될 수 있다. 다른 실시예에서, PVD 챔버(100)의 압력 레벨은 약 500 mTorr 또는 그 미만으로 유지될 수 있다. 또 다른 실시예에서, PVD 챔버(100)의 압력 레벨은 약 1 mTorr 및 약 300 mTorr로 유지될 수 있다.
[0027]
덮개 부분(104)은 타겟과 같은 스퍼터링 소스(114)를 지지할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 스퍼터링 소스(114)는, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 이들의 합금들, 이들의 조합들 등을 포함하거나 또는 몇몇 실시예들에서는 본질적으로 이러한 것들로 이루어지는 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 스퍼터링 소스(114)는, 알루미늄(Al), 코발트(Co), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 이들의 합금들, 이들의 조합들 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 또는 그 초과의 재료들로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 스퍼터링 소스(114)는 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 또는 알루미늄(Al)로 제조될 수 있다.
[0028]
스퍼터링 소스(114)는, 스퍼터링 소스(114)를 위한 전력 공급부(117)(예를 들어, 소스 전력)를 포함하는 소스 어셈블리(116)에 커플링될 수 있다. 전력 공급부(117)는 RF 소스 전력 또는 DC 소스 전력을 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, RF 및 DC 소스 전력 양자 모두가 제공된다. 자석들의 세트를 포함하는 마그네트론 어셈블리(119)가 스퍼터링 소스(114) 근처에 커플링될 수 있고, 마그네트론 어셈블리(119)는, 프로세싱 동안, 스퍼터링 소스(114)로부터의 재료들의 효율적인 스퍼터링을 향상시킨다. 마그네트론 어셈블리의 예들은, 특히, 전자기 선형 마그네트론, 서펜타인(serpentine) 마그네트론, 스파이럴(spiral) 마그네트론, 더블-디지테이티드(double-digitated) 마그네트론, 직사각형(rectangularized) 스파이럴 마그네트론을 포함한다.
[0029]
몇몇 실시예들에서, 제 1 세트의 자석들(194)이, 스퍼터링 소스(114)로부터 축출되는 금속 이온들에 대해 전자 필드(electronic field)를 생성하는 것을 보조하기 위해, 챔버 바디 주위에서 콜리메이터 위에, 예를 들어, 어댑터 플레이트(107)와 상부 측벽(102) 사이에 배치될 수 있다. 게다가, 제 2 세트의 자석들(196)이, 스퍼터링 소스(114)로부터 재료들을 축출하기 위해 전기장을 생성하는 것을 보조하기 위하여, 챔버 바디 주위에서 콜리메이터 아래에, 예를 들어 덮개 부분(104) 근처에 배치될 수 있다. PVD 챔버(100) 주위에 배치되는 자석들의 수, 크기 및 세기는 플라즈마 해리 및 스퍼터링 효율을 개선하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 제 1 세트의 자석들(194)은 타겟 표면에서 약 500 내지 약 3000 가우스(gauss)의 총 세기를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 세트의 자석들(196)은, 타겟 표면으로부터 약 7 인치 떨어져서(예를 들어, 아래에서) 측정되는 약 0 내지 약 300 가우스의 총 세기를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 세트의 자석들(194) 및 제 2 세트의 자석들(196)에 의해 생성되는 가이던스 자기장은, 타겟 표면으로부터 약 7 인치 떨어져서(예를 들어, 아래에서) 측정되는 약 10 내지 약 300 가우스의 총 세기를 가질 수 있다. 제 1 세트의 자석들(194) 중의 개별적인 자석들은 영구 자석들, 전자석들(예를 들어, 전자기 코일들), 또는 이들의 조합들일 수 있다. 제 2 세트의 자석들(196) 중의 개별적인 자석들은 영구 자석들, 전자석들(예를 들어, 전자기 코일들), 또는 이들의 조합들일 수 있다. 가이던스 자기장의 전체적인 자기장 세기 및 마그네트론 어셈블리의 불균형 비율(unbalance ratio)(예를 들어, 외측 극들의 총 표면적/내측 극들의 총 표면적)은, 원하는 플라즈마 밀도를 생성하고 플라즈마 확산을 향상시키도록 최적화될 수 있다. 예를 들어, 전형적으로, 불균형 비율을 (예를 들어, 약 2-5 또는 그 초과로) 증가시키게 되면, 플라즈마 전력 밀도를 증가시켜서, 금속 이온 플럭스의 증가된 생성을 이끌게 된다.
[0030]
몇몇 실시예들에서, 부가적인 RF 전력 소스(180)가 또한, 기판 지지부(108)와 스퍼터링 소스(114) 사이에 바이어스 전력을 제공하기 위해, 기판 지지부(108)를 통해 PVD 챔버(100)에 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, RF 전력 소스(180)는, 약 400 Hz 내지 약 60 MHz, 이를테면 약 13.56 MHz의 주파수를 가질 수 있다.
[0031]
콜리메이터(118)가 내부 볼륨(106)에서 스퍼터링 소스(114)와 기판 지지부(108) 사이에 포지셔닝될(positioned) 수 있다. 콜리메이터(118)는, 콜리메이터(118)를 통과하는 이온들의 방향을 제어하기 위해, 바이폴라 모드에 있을 수 있다. 제어가능한 직류(DC) 또는 AC 콜리메이터 전력 소스(190)가, 바이폴라 모드(예를 들어, 바이폴라 전력 공급부)로 콜리메이터(118)를 제어하기 위하여, 교번하는(alternating) 펄스형(pulsed) 포지티브 또는 네거티브 전압을 콜리메이터(118)에 제공하기 위해, 콜리메이터(118)에 커플링될 수 있다. 바이폴라 콜리메이터(118)에 관한 세부사항들은 도 2 및 도 3을 참조하여 하기에서 추가로 논의될 것이다. 몇몇 실시예들에서, 콜리메이터 전력 소스(190)는 DC 전력 소스이다. 몇몇 실시예들에서, 콜리메이터 전력 소스(190)는 바이폴라 펄스형 DC 전력 소스이다.
[0032]
실드 튜브(shield tube)(120)가 덮개 부분(104)의 내부 및 콜리메이터(118) 근처에 있을 수 있다. 콜리메이터(118)는, 내부 볼륨(106) 내에서 가스 및/또는 재료 플럭스(flux)를 지향시키기 위한 복수의 구멍(aperture)들을 포함한다. 콜리메이터(118)는 실드 튜브(120)에 기계적으로 그리고 전기적으로 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 콜리메이터(118)는, 이를테면, 콜리메이터(118)가 실드 튜브(120)에 일체화(integral)되게 하는 용접 프로세스에 의해, 실드 튜브(120)에 기계적으로 커플링된다. 다른 실시예에서, 콜리메이터(118)는 PVD 챔버(100) 내에서 전기적으로 플로팅(floating)될 수 있다. 다른 실시예에서, 콜리메이터(118)는, PVD 챔버(100)의 바디(105)의 덮개 부분(104)에 전기적으로 커플링될 수 있고, 그리고/또는 전기 전력 소스에 커플링될 수 있다.
[0033]
실드 튜브(120)는 관형 바디(tubular body)(121)를 포함할 수 있고, 관형 바디(121)는 관형 바디(121)의 상부 표면에 형성된 리세스(recess)(122)를 갖는다. 리세스(122)는, 콜리메이터(118)의 하부 표면과의 메이팅 인터페이스(mating interface)를 제공한다. 실드 튜브(120)의 관형 바디(121)는, 관형 바디(121)의 나머지의 내측 직경보다 더 작은 내측 직경을 갖는 숄더(shoulder) 영역(123)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 관형 바디(121)의 내측 표면은, 숄더 영역(123)의 내측 표면으로, 테이퍼형(tapered) 표면(124)을 따라 방사상 내측으로 변화(transition)된다. 실드 링(126)이, PVD 챔버(100)에서, 실드 튜브(120) 근처에, 그리고 어댑터 플레이트(107) 및 실드 튜브(120)의 중간에 배치될 수 있다. 실드 링(126)은, 어댑터 플레이트(107)의 내부 측벽 및 실드 튜브(120)의 숄더 영역(123)의 대향(opposing) 측에 의해 형성되는 리세스(128)에 적어도 부분적으로 배치될 수 있다.
[0034]
일 양상에서, 실드 링(126)은, 실드 튜브(120)의 숄더 영역(123)의 외측 직경보다 더 큰 내측 직경을 포함하는 축방향으로 돌출된 환상 측벽(127)을 포함한다. 방사상 플랜지(130)가 환상 측벽(127)으로부터 연장된다. 방사상 플랜지(130)는, 실드 링(126)의 환상 측벽(127)의 내부 직경 표면에 대하여 약 구십 도(90°)보다 더 큰 각도로 형성될 수 있다. 방사상 플랜지(130)는, 방사상 플랜지(130)의 하부 표면 상에 형성된 돌출부(132)를 포함한다. 돌출부(132)는, 실드 링(126)의 환상 측벽(127)의 내부 직경 표면에 대해 실질적으로 평행한 배향(orientation)으로 방사상 플랜지(130)의 표면으로부터 연장된 원형 리지(ridge)일 수 있다. 돌출부(132)는 일반적으로, 기판 지지부(108) 상에 배치된 에지 링(136)에 형성된 리세스형(recessed) 플랜지(134)와 메이팅하도록 적응된다. 리세스형 플랜지(134)는, 에지 링(136)에 형성된 원형 그루브일 수 있다. 리세스형 플랜지(134)와 돌출부(132)의 맞물림은, 기판 지지부(108)의 길이방향 축에 대하여 실드 링(126)을 센터링(center)한다. (리프트 핀들(140) 상에 지지된 것으로 도시된) 기판(101)은, 로봇 블레이드(미도시)와 기판 지지부(108) 사이의 조정된 포지셔닝 캘리브레이션(coordinated positioning calibration)에 의해, 기판 지지부(108)의 길이방향 축에 대하여 센터링된다. 따라서, 기판(101)은 PVD 챔버(100) 내에서 센터링될 수 있고, 실드 링(126)은 프로세싱 동안 기판(101)에 대하여 방사상으로 센터링될 수 있다.
[0035]
동작 시에, 기판(101)을 나르는 로봇 블레이드(미도시)가 기판 이송 포트(109)를 통해 연장된다. 기판 지지부(108)는, 기판 지지부(108)로부터 연장된 리프트 핀들(140)로 기판(101)이 이송되게 허용하도록, 하강될 수 있다. 리프트 핀들(140) 및/또는 기판 지지부(108)의 리프팅 및 하강은, 기판 지지부(108)에 커플링된 드라이브(drive)(142)에 의해 제어될 수 있다. 기판(101)은 기판 지지부(108)의 기판 수용 표면(144) 상으로 하강될 수 있다. 기판(101)이 기판 지지부(108)의 기판 수용 표면(144) 상에 포지셔닝된 상태로, 기판(101)에 대해 스퍼터 증착이 수행될 수 있다. 에지 링(136)은, 프로세싱 동안, 기판(101)으로부터 전기적으로 절연될 수 있다. 따라서, 기판 수용 표면(144)은, 기판(101)이 에지 링(136)과 접촉하는 것이 방지되도록, 기판(101)에 인접한, 에지 링(136)의 부분들의 높이보다 더 큰 높이를 포함할 수 있다. 스퍼터 증착 동안, 기판(101)의 온도는, 기판 지지부(108)에 배치된 열 제어 채널들(146)을 활용함으로써 제어될 수 있다.
[0036]
스퍼터 증착 이후, 기판(101)은, 기판 지지부(108)로부터 이격된 포지션으로, 리프트 핀들(140)을 활용하여 상승될 수 있다. 상승된 위치는, 어댑터 플레이트(107)에 인접한 리플렉터 링(148)과 실드 링(126) 중 하나 또는 양자 모두 근처에 있을 수 있다. 어댑터 플레이트(107)는, 어댑터 플레이트(107)의 오목한 표면(152) 및 리플렉터 링(148)의 하부 표면의 중간의 포지션에서 어댑터 플레이트(107)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 램프들(150)을 포함한다. 램프들(150)은, 가시 또는 근(near) 가시 파장들, 이를테면 적외선(IR) 및/또는 자외선(UV) 스펙트럼에서의 광학 및/또는 복사 에너지를 제공한다. 램프들(150)로부터의 에너지는, 기판(101), 및 기판(101) 상에 증착된 재료를 가열하기 위해, 기판(101)의 배면(즉, 하부 표면)을 향하여 방사상 내측으로 포커싱된다. 기판(101)을 둘러싸는 챔버 컴포넌트들 상의 반사 표면들은, 기판(101)의 배면을 향하여, 그리고 에너지가 손실되고 그리고/또는 활용되지 않을 다른 챔버 컴포넌트들로부터 벗어나게, 에너지를 포커싱하는 역할을 한다. 어댑터 플레이트(107)는, 가열 동안, 어댑터 플레이트(207)의 온도를 제어하기 위해, 냉각제 소스(154)에 커플링될 수 있다.
[0037]
기판(101)을 미리 결정된 온도로 제어한 후, 기판(101)은 기판 지지부(108)의 기판 수용 표면(144) 상의 포지션으로 하강된다. 기판(101)은, 전도를 통해, 기판 지지부(108)에서의 열 제어 채널들(146)을 활용하여 신속하게 냉각될 수 있다. 기판(101)의 온도는, 수초 내지 약 1분 내에, 제 1 온도로부터 제 2 온도로 램핑 다운될(ramped down) 수 있다. 기판(101)은, 추가적인 프로세싱을 위해, 기판 이송 포트(109)를 통해 PVD 챔버(100)로부터 제거될 수 있다. 기판(101)은 미리 결정된 온도 범위, 이를테면 섭씨 약 250도 미만으로 유지될 수 있다.
[0038]
제어기(198)가 PVD 챔버(100)에 커플링된다. 제어기(198)는 중앙 프로세싱 유닛(CPU)(160), 메모리(158), 및 지원 회로들(162)을 포함한다. 제어기(198)는, 프로세스 시퀀스를 제어하고, 가스 소스(110)로부터 PVD 챔버(100) 내로의 가스 유동들을 조절하고, 스퍼터링 소스(114)의 이온 충격을 제어하기 위해 활용된다. CPU(160)는, 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서일 수 있다. 소프트웨어 루틴들은, 랜덤 액세스 메모리, 판독 전용 메모리, 플로피 또는 하드 디스크 드라이브, 또는 다른 형태의 디지털 스토리지(storage)와 같은 메모리(158)에 저장될 수 있다. 지원 회로들(162)은 CPU(160)에 통상적으로 커플링되며, 그리고 캐시, 클록 회로들, 입력/출력 서브시스템들, 전력 공급부들 등을 포함할 수 있다. 소프트웨어 루틴들은, CPU(160)에 의해 실행되는 경우, CPU를, 프로세스들이 본 개시내용에 따라 수행되도록 PVD 챔버(100)를 제어하는 특수 목적 컴퓨터(제어기)(198)로 변환시킨다. 소프트웨어 루틴들은 또한, PVD 챔버(100)로부터 원격에 위치된 제 2 제어기(미도시)에 저장될 수 있고, 그리고/또는 그러한 제 2 제어기에 의해 실행될 수 있다.
[0039]
프로세싱 동안, 재료가 스퍼터링 소스(114)로부터 스퍼터링되고, 기판(101)의 표면 상에 증착된다. 스퍼터링 소스(114) 및 기판 지지부(108)는, 가스 소스(110)에 의해 공급된 프로세스 가스들로부터 형성되는 플라즈마를 유지하기 위해, 전력 공급부(117) 또는 RF 전력 소스(180)에 의해, 서로에 대해 바이어싱된다. 콜리메이터(118)에 인가되는 DC 펄스형 바이어스 전력은 또한, 콜리메이터(118)를 통과하는 이온들 및 뉴트럴들의 비율을 제어하는 것을 보조하고, 그에 따라, 트렌치 측벽 및 바텀-업 충진 능력을 향상시킨다. 플라즈마로부터의 이온들은, 스퍼터링 소스(114)를 향하여 가속되고, 스퍼터링 소스(114)에 부딪혀서, 타겟 재료가 스퍼터링 소스(114)로부터 축출되게 한다. 축출된 타겟 재료 및 프로세스 가스들은, 미리 결정된 조성들로 기판(101) 상에 층을 형성한다.
[0040]
도 2는, 도 1의 PVD 챔버(100)에 배치될 수 있는, 콜리메이터 전력 소스(190)에 커플링된 콜리메이터(118)의 평면도를 도시한다. 콜리메이터(118)는 일반적으로, 밀집된(close-packed) 배열로 육각형 구멍들(244)을 분리시키는 육각형 벽들(226)을 갖는 허니콤(honeycomb) 구조이다. 부가적인 벽들(242)이, 콜리메이터(118)의 대체로 원통형의 바디(206)에 허니콤 구조를 연결하기 위해 제공될 수 있다. 육각형 구멍들(244)의 종횡비는, 구멍(244)의 폭(246)에 의해 나누어지는(divided) (콜리메이터의 길이와 동등한) 구멍(244)의 깊이로서 정의될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 벽들(226)의 두께는 약 0.06 인치 내지 약 0.18 인치이다. 몇몇 실시예들에서, 벽들(226)의 두께는 약 0.12 인치 내지 약 0.15 인치이다. 몇몇 실시예들에서, 콜리메이터(118)는, 알루미늄, 구리, 및 스테인리스 스틸로부터 선택되는 재료로 구성된다.
[0041]
콜리메이터(118)의 허니콤 구조는, 콜리메이터(118)를 통과하는 이온들의 유동 경로, 이온 프랙션(fraction), 및 이온 궤적 거동을 최적화하기 위해, 통합된 플럭스 최적화기(210)의 역할을 할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 실드 부분(892)에 인접한 육각형 벽들(226)은, 반경 및 챔퍼(chamfer)(250)를 갖는다. 콜리메이터(118)의 실드 부분(892)은, PVD 챔버(100) 내로 콜리메이터(118)를 설치하는 것을 보조할 수 있다.
[0042]
몇몇 실시예들에서, 콜리메이터(118)는, 단일 매스(mass)의 알루미늄으로부터 머시닝될(machined) 수 있다. 콜리메이터(118)는 선택적으로, 코팅될 수 있거나 또는 양극산화될(anodized) 수 있다. 대안적으로, 콜리메이터(118)는 프로세싱 환경과 양립가능한 다른 재료들로 제조될 수 있고, 또한, 하나 또는 그 초과의 섹션들로 구성될 수 있다. 대안적으로, 실드 부분(892) 및 통합된 플럭스 최적화기(210)는 분리된 피스들로서 형성되고, 용접과 같은 적합한 부착 수단을 사용하여 함께 커플링된다.
[0043]
콜리메이터(118)는, 기판(101)에 대하여 거의 수직인, 선택된 각도를 초과하는 각도들로 스퍼터링 소스(114)로부터의 재료로부터 방출되는 이온들 및 뉴트럴들을 트랩핑(trap)하기 위한 필터로서 기능한다. 콜리메이터(118)는, 예를 들어, 스퍼터링 소스(114)로부터의 재료의 중심 또는 주변 영역으로부터 방출되는 이온들의 상이한 퍼센티지들이 콜리메이터(118)를 통과하게 허용하기 위해, 콜리메이터(118)의 폭에 걸쳐 종횡비 변화를 가질 수 있다. 결과적으로, 기판(101)의 중심 영역들 및 주변 영역들 상에 증착되는 이온들의 도달 각도 및 이온들의 수 양자 모두가 조정되고 제어된다. 따라서, 재료는 기판(101)의 표면에 걸쳐 더 균일하게 스퍼터 증착될 수 있다. 부가적으로, 재료는, 고 종횡비 피처들, 특히, 기판(101)의 주변부 근처에 위치된 고 종횡비 비아들 및 트렌치들의 바닥 및 측벽들 상에 더 균일하게 증착될 수 있다.
[0044]
몇몇 실시예들에서, 콜리메이터(118)에 커플링된 콜리메이터 전력 소스(190)는, 기판(101) 상으로의 국부적인 증착을 보조하기 위해, 펄싱 또는 교번 방식으로, 콜리메이터(118)에 전압 전력을 공급할 수 있다. 콜리메이터 전력 소스(190)는, 유니폴라(unipolar) 또는 바이폴라 모드로 콜리메이터(118)를 제어하기 위해, 콜리메이터(118)에 네거티브 및/또는 포지티브 전압 펄스들을 제공하도록 구성된다. 몇몇 실시예들에서, 바이폴라 모드로 제어되는 콜리메이터(118)는, 콜리메이터(118)를 통과하는 상이한 비율의 이온들 및 뉴트럴들을 생성하기 위해, 이온들을 제어 및 트랩핑할 수 있다. 이론에 의해 구속되는 것을 원하지 않으면서, 강한 가이던스 자기장이 없는 경우들에 대해, 본 발명자들은, 콜리메이터(118)에 인가되는 포지티브 전압 펄스들은 기판 표면을 향하여 플라즈마에서의 전자들을 끌어당길 수 있는 한편, 콜리메이터(118)에 인가되는 네거티브 전압 펄스들은 타겟을 향하여 플라즈마에서의 전자들을 밀어낼 수 있는 것으로 여기고 있다. 따라서, 콜리메이터(118)에 교번하는 포지티브 및 네거티브 전압을 펄싱함으로써, 콜리메이터(118)를 통과하는 이온들 및 뉴트럴들의 방향성이 더 효율적으로 제어될 수 있다.
[0045]
도 3은, 콜리메이터(118)에 DC 전력을 인가하는 경우, 콜리메이터(118)로부터 검출되는 전압 신호(302)를 도시한다. 콜리메이터 전력 소스(190)로부터 콜리메이터(118)에 공급되는 전압은, 교번하는 포지티브 전압(310) 및 네거티브 전압(312)을 콜리메이터(118)에 펄싱하기 위해, 도 3에 도시된 바와 같이, 펄스형 모드로 제어될 수 있다. 포지티브 및 네거티브 전압 펄스들(310, 312)은, 각각, 미리 결정된 펄스 폭(304, 308)(예를 들어, 펄스 시간) 및 펄스 크기(306, 314)(예를 들어, 펄스 전압 값)를 가질 수 있다. 미리 결정된 증착 프로파일을 달성하기 위해, 펄스 변조(예를 들어, 펄스 폭 및 펄스 크기)가 제어된다. 예를 들어, 바텀-업 충진 능력을 향상시키기 위해, 더 많은 방향성 이온들이 기판 표면을 향하여 가속되는 실시예들에서, 트렌치의 바닥 상에서의 증착을 보조하기 위해, 더 긴 펄스 폭(예를 들어, 더 긴 펄스 시간)을 갖는 포지티브 전압이 공급될 수 있다. 반대로, 비-방향성 이온들이, 트렌치의 측벽들 상에 증착되거나, 또는 트렌치의 코너에서 증착물(deposit)을 스퍼터-에칭하기 위해 사용되는 실시예들에서, 측벽 증착 관리를 향상시키기 위해, 더 긴 펄스 폭(예를 들어, 더 긴 펄스 시간)을 갖는 네거티브 전압이 공급될 수 있다. 콜리메이터(118)에 공급되는 전압은 또한, 연속적인 모드에 있을 수 있다.
[0046]
몇몇 실시예들에서, 콜리메이터 전력 소스(190)로부터의 DC 바이어스 전력 펄스는, 약 400 Hz 내지 약 60 MHz의 바이어스 주파수에서, 약 5 퍼센트(예를 들어, 5 퍼센트 온(on) 및 95 퍼센트 오프(off)) 내지 약 70 퍼센트(예를 들어, 70 퍼센트 온 및 30 퍼센트 오프), 이를테면 약 5 퍼센트 내지 약 50 퍼센트, 이를테면 약 15 퍼센트 내지 45 퍼센트의 듀티 사이클을 가질 수 있다. 대안적으로, 콜리메이터(118)에 펄싱되는 DC 바이어스 전력의 사이클은, 수행되는 미리 결정된 수의 시간 기간들에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, DC 바이어스 전력은 약 1 밀리초(millisecond) 내지 약 100 밀리초 마다 펄싱될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, DC 바이어스 전력은 약 1 kW 내지 약 10 kW로 제어될 수 있다.
[0047]
도 4는 콜리메이터(118)를 통과하는 이온들의 결과적인 이동 방향을 도시한다. 도 4에서 보이는 바와 같이, 이온들의 이동 방향은 기판(101)에 대해 완전히 직교하지 않는다. 이동 방향을 추가로 수정하고, 그에 의해 트렌치의 바닥 상에서의 증착을 개선하기 위해, 제 2 세트의 자석들(196)은 콜리메이터(118)에 대해 실질적으로 직교하는 가이던스 자기장을 생성한다. 강한 가이던스 자기장은 전자들의 국한(confinement)을 제공하고, 결과적으로, 도 5에서 보이는 바와 같이, 콜리메이터(118)를 통한 이온들의 이동 방향이 기판(101)에 대해 더 직교적이게 되며, 이는 유익하게는, 콜리메이터(118)의 벽들에 대한 금속 이온 손실들을 감소시킨다.
[0048]
몇몇 실시예들에서, 본원에서 도시된 PVD 챔버(100)에서 활용되는 스퍼터링 소스(114)로부터의 재료는, 도 6a에서 도시된 바와 같이, 기판(101) 상에 배치된 절연성 재료(604)에 형성된 개구들(602) 내로 금속 층(이를테면, 구리 층)을 증착하도록 구성된 금속(이를테면, 구리 합금)이다. 증착 동안, 기판(101) 상에 형성된 개구들(602) 내로, 높은 바텀-업 충진 능력을 가지면서, 스퍼터링된 재료로부터 금속 층(606)(이를테면, 구리 층)을 형성하기 위해, PVD 챔버(100)에 가스 혼합물이 공급된다. 몇몇 실시예들에서, 가스 혼합물은, 반응성 가스, 비-반응성 가스, 비활성 가스 등을 포함할 수 있다. 반응성 및 비-반응성 가스의 예들은, 특히, O2, N2, N2O, NO2, NH3, 및 H2O를 포함하지만 이에 제한되지는 않는다. 비활성 가스의 예들은, 특히, 아르곤(Ar), 네온(Ne), 헬륨(He), 크세논(Xe), 및 크립톤(Kr)을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다. 본원에서 도시되는 일 특정 실시예에서, 프로세스 챔버에 공급되는 가스 혼합물은, 적어도 하나의 질소 함유 가스 및/또는 비활성 가스를 포함한다. 구리 함유 합금으로 제조된 금속 합금 타겟이, 스퍼터 프로세스를 위한 스퍼터링 소스(114)를 위한 소스 재료로서 활용될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 구리(Cu) 함유 타겟은 단지 예시 목적을 위한 것일 뿐이고, 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 더욱이, 스퍼터링 소스(114)로서 활용될 수 있는 금속 또는 금속 합금 타겟은, 알루미늄(Al), 코발트(Co), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 이들의 합금들, 이들의 조합들 등으로 이루어진 그룹으로부터의 재료에 의해 제조될 수 있다.
[0049]
가스 혼합물이 프로세싱을 위해 PVD 챔버(100) 내로 공급된 이후, Cu2 +와 같은 구리 이온들의 형태로, 스퍼터링 소스(114)로부터 금속 Cu 소스 재료를 스퍼터링하기 위해, 예를 들어 Cu 타겟과 같은 스퍼터링 소스(114)에 고 전압 전력이 공급된다. 기판 지지부(108)와 스퍼터링 소스(114) 사이에 인가되는 바이어스 전력은, PVD 챔버(100)에서 가스 혼합물로부터 형성된 플라즈마를 유지한다. 콜리메이터(118)에 공급되는 DC 바이어스 펄스 전력은, 이온 프랙션, 비율들, 및 기판 표면을 향하여 도달하는 이온 궤적 경로를 제어하는 것을 보조할 수 있다. 주로 플라즈마에서의 가스 혼합물로부터의 이온들이 스퍼터링 소스(114)에 충격을 주고, 스퍼터링 소스(114)로부터 재료를 스퍼터링한다. 가스 혼합물 및/또는 다른 프로세스 파라미터들은, 스퍼터링 증착 프로세스 동안 변화될 수 있고, 그에 의해, 상이한 막 품질 요건들에 대해 제어되는 막 특성들을 갖는, 증착된 금속 층(606)에서의 기울기를 생성할 수 있다.
[0050]
몇몇 실시예들에서, RF 소스 전력은, 약 400 kHz 내지 약 60 MHz의 주파수에서 약 500 와트 내지 약 25 kW로 공급될 수 있다. RF 바이어스 전력은 13.56 MHz 또는 2 MHz의 주파수에서 최대 약 3000 와트로 기판 지지부에 인가될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, RF 소스 전력은, 약 400 kHz 내지 약 60 MHz의 주파수에서 약 100 와트 내지 약 3000 와트로 가스 혼합물에 공급될 수 있다. 특정 경우들에서는, 이온 에너지를 변조하기 위해, 이중(dual) 주파수 또는 삼중(triple) 주파수가 사용될 수도 있다. DC 바이어스 전력은 펄스형 모드에서 약 1 kW 내지 약 10 kW로 콜리메이터에 인가될 수 있다. 대안적으로, DC 바이어스 전력은 연속 모드에서 콜리메이터에 인가될 수 있다.
[0051]
증착 프로세스를 수행하기 위해, 펄스형 RF 바이어스 전력 모드 및 가스 혼합물을 공급하면서, 수개의 프로세스 파라미터들이 또한 제어될 수 있다. 프로세싱 챔버의 압력은, 약 0.5 mTorr 내지 약 500 mTorr, 이를테면 약 1 mTorr 내지 약 100 mTorr, 예를 들어 약 20 mTorr로 제어될 수 있다. 기판 온도는, 섭씨 약 -40 도 내지 섭씨 약 450 도로 제어될 수 있다.
[0052]
증착 프로세스 이후, 도 6b에 도시된 바와 같이, 우수한 측벽 및 바닥 증착 관리를 가지면서, 개구(602)에 구리 층과 같은 금속 층(606)이 등각적으로(conformally) 증착될 수 있다. 절연성 재료의 층(604)에 정의된 개구(602)가, 가상 선(608)에 의해 도시되는 바와 같이, 금속 층(606)으로 완전히 충진될 때 까지, 증착 프로세스가 수행될 수 있다.
[0053]
도 7은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 기판 상에 재료를 증착하는 방법(700)의 흐름도를 도시한다. 705에서, 프로세싱 챔버에 가스 혼합물이 공급된다. 710에서, 프로세싱 챔버 내에 배치된 타겟으로부터 소스 재료를 스퍼터링하기 위해, 플라즈마를 형성하도록, 가스 혼합물에 RF 소스 전력이 인가된다. 소스로부터 방출되는 금속 이온들의 이동 방향을 제어하기 위해, 715에서, 프로세싱 챔버 내에 배치된 콜리메이터에 DC 바이어스 전력이 인가된다. 720에서, 금속 이온들의 이동 방향을 추가적으로 제어하기 위해, 콜리메이터에 대해 실질적으로 직교하는 가이던스 자기장이 생성된다. 725에서, 스퍼터링된 소스 재료가 기판 상에 증착된다.
[0054]
따라서, 물리 기상 증착 챔버에 배치된 바이폴라 콜리메이터를 갖는 장치, 및 그러한 장치를 사용하는 방법들이 본원에서 제공되었다. 물리 기상 증착 챔버에서 바이폴라 콜리메이터, 및 가이던스 자기장을 활용함으로써, 물리 기상 증착 프로세스 동안, 바텀-업 충진 능력을 보조하고, 이온 궤적 거동을 효율적으로 제어하기 위해, 이온/뉴트럴 필터링 효과의 효율적인 제어를 달성할 수 있다.
[0055]
전술한 내용들이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있다.
Claims (15)
- 기판 프로세싱 챔버로서,
챔버 바디 및 상기 챔버 바디 상에 배치된 챔버 덮개(lid) ― 상기 챔버 바디 및 상기 챔버 덮개는, 상기 덮개 아래의 상기 챔버 바디 내에 프로세싱 영역을 정의함 ― ;
상기 프로세싱 영역 내에 배치된 콜리메이터(collimator);
상기 콜리메이터에 커플링된 전력 소스; 및
상기 챔버 바디 주위에서 상기 콜리메이터 위에 배치되는 제 1 세트의 자석들 및 상기 챔버 바디 주위에서 상기 콜리메이터 아래에 배치되는 제 2 세트의 자석들을 포함하며, 상기 제 1 세트의 자석들 및 상기 제 2 세트의 자석들은 상기 콜리메이터에 대해 실질적으로 직교하는 가이던스 자기장(guidance magnetic field)을 함께 생성하는,
기판 프로세싱 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 전력 소스는, DC 전력 소스 또는 RF 전력 소스 중 하나 또는 그 초과인,
기판 프로세싱 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 전력 소스는 바이폴라 전력 공급부인,
기판 프로세싱 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 전력 소스는 바이폴라 펄스형(pulsed) DC 전력 소스인,
기판 프로세싱 챔버. - 제 1 항에 있어서,
상기 콜리메이터는 바이폴라 모드로 구성되는,
기판 프로세싱 챔버. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 챔버 덮개 아래에 배치된 타겟(target)을 더 포함하는,
기판 프로세싱 챔버. - 제 6 항에 있어서,
상기 타겟은, 알루미늄, 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 크롬, 니켈, 구리, 코발트, 이들의 합금들 또는 이들의 조합들로 제조되는,
기판 프로세싱 챔버. - 제 6 항에 있어서,
상기 챔버 덮개 위에 배치된 마그네트론 조립체를 더 포함하는,
기판 프로세싱 챔버. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 프로세싱 챔버 내에 배치되는 기판 지지부에 커플링된 RF 바이어스 전력(RF bias power)을 더 포함하는,
기판 프로세싱 챔버. - 제 9 항에 있어서,
상기 가이던스 자기장은 상기 기판 지지부에 대해 실질적으로 직교하는,
기판 프로세싱 챔버. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 세트의 자석들은 복수의 전자기 코일들을 포함하는,
기판 프로세싱 챔버. - 기판 상에 재료를 증착하는 방법으로서,
프로세싱 챔버 내로 가스 혼합물을 공급하는 단계;
상기 프로세싱 챔버 내에 배치된 타겟으로부터 소스 재료를 스퍼터링하기 위하여, 상기 가스 혼합물로부터 플라즈마를 형성하기 위해, RF 또는 DC 소스 전력을 인가하는 단계;
상기 프로세싱 챔버 내에 배치된 콜리메이터에 DC 바이어스 전력을 인가하는 단계;
상기 콜리메이터에 대해 실질적으로 직교하는 가이던스 자기장을 생성하는 단계; 및
상기 기판 상에 상기 소스 재료를 증착하는 단계를 포함하는,
기판 상에 재료를 증착하는 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 콜리메이터에 DC 바이어스 전력을 인가하는 단계는:
상기 콜리메이터에 포지티브 전압 및 네거티브 전압을 교번하여 펄싱(alternatively pulsing)하는 단계를 더 포함하는,
기판 상에 재료를 증착하는 방법. - 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 가이던스 자기장을 생성하는 단계는:
상기 프로세싱 챔버 주위에서 상기 콜리메이터 위에 배치되는 제 1 세트의 자석들 및 상기 프로세싱 챔버 주위에서 상기 콜리메이터 아래에 배치되는 제 2 세트의 자석들을 제공하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 세트의 자석들 및 상기 제 2 세트의 자석들은 상기 가이던스 자기장을 함께 생성하는,
기판 상에 재료를 증착하는 방법. - 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 세트의 자석들 또는 상기 제 2 세트의 자석들 중에서 적어도 하나는 복수의 전자기 코일들을 포함하는,
기판 상에 재료를 증착하는 방법.
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