KR20170011122A - 접촉성이 개선된 범프를 포함하는 테스트 소켓용 ｍｅｍｓ 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 테스트 소켓용 MEMS 필름은 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 기기의 전기적 검사를 수행하는 테스트 소켓용 MEMS 필름에 있어서, 가요성의 베어 필름, 및 MEMS 공정에 의하여 상기 베어 필름 상에 형성되고, 상기 테스트 장치의 전극 패드 혹은 상기 반도체 기기의 도전 볼과 전기적 콘택을 형성하되, 접촉면이 에지에서 센터로 갈수록 상기 전극 패드 혹은 상기 도전 볼 방향으로 볼록하게 라운드 되는 라운드 타입(round-type)의 복수 MEMS 범프를 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 접촉성이 크게 개선된다.

Description

접촉성이 개선된 범프를 포함하는 테스트 소켓용 ＭＥＭＳ 필름 {Film of test socket fabricated by MEMS technology having improved contact bump}
본 발명은, 접촉성이 개선된 범프를 포함하는 테스트 소켓용 MEMS 필름에 관한 것으로, 더 구체적으로는 마이크로 단위의 초소형 전기 기계 구조물을 제작하는데 사용되는 미세전자기계시스템(Micromicro Electro Mechanical Systems: 이하 “MEMS”라 한다.) 처리 기술을 이용하여 테스트 소켓의 콘택 복합체를 형성하며, 베어 필름 상에 MEMS 처리하여 펌프를 제조하되 각 MEMS 소자가 테스트 대상인 반도체 패키지와 탄력적이고 독립적으로 접촉하도록 MEMS 처리된 베어 필름의 범프 주위에 리세스를 형성하며, 범프의 접촉면에 반도체 기기의 솔더 볼과 접촉성을 강화하는 라운드(round), 단차(step), 혹은 엠보싱(embossing)을 제공하는 반도체 테스트 소켓용 MEMS 필름에 관한 것이다.
일반적으로, IC 장치나 IC 패키지 등과 같은 표면실장 형 반도체 기기는 LGA(Land Grid Array), BGA(Ball Grid Array), CSP(Chip Sized Package) 타입 등으로 이루어진다. 이들은 고객에게 출하되기 전에 신뢰성 확인을 위해 테스트를 거쳐야 한다.
이러한 테스트의 하나로 예를 들어, 번인(Burn-in) 테스트는 전술한 바와 같은 반도체 기기가 해당 전자제품에 적용되기 전에 해당 반도체 기기에 대해 통상의 작동 조건보다 높은 온도와 전압을 가하여 해당 반도체 기기가 이와 같은 조건을 만족시키는 지의 여부를 검사한다.
도 1을 참조하면, 기존의 테스트 소켓(10)의 경우 일반적으로 테스트 공정에서 기기의 내구성 및 신뢰성을 검증하기 위하여 반도체 기기(2)를 테스트 소켓(10)에 장착하고, 이를 DUT(Device under Test) 보드(도시되지 않음)에 결합한 후 테스트를 수행하게 된다.
가령, 테스트 소켓(10)이 반도체 기기(2)를 수용한 상태에서 반도체 기기(2)의 도전 솔더 볼(도시되지 않음)과 전기적 접촉을 통해 패키지의 전기적 성질을 테스트하게 되는데, 접촉 저항을 줄이고, 물리적 손상을 최소화하면서 반복적인 테스트를 원활하게 수행하기 위하여 그 콘택 수단으로 콘택 와이어 혹은 콘택 핀(12)을 포함하는 콘택 복합체(P)가 사용된다.
최근 전자제품 등이 초소형화 됨에 따라 이에 내장되는 반도체 기기(2)의 접속 단자 또한 초소형화 되고, 그 피치가 작아지고 있다. 그래서 통상적으로 사용되던 테스트 소켓(10)의 콘택 와이어 혹은 콘택 핀(12)은 콘택 피치가 너무 커서 초소형 반도체 소자의 검사에 사용되기 어려운 문제점이 있다.
그 밖에도 콘택 와이어 혹은 콘택 핀(12)은 테스트 장치의 테스트 보드와 솔더링 공정을 통하여 일체로 접합되기 때문에, 테스트 소켓(10)에 장애가 발생하는 경우 테스트 보드와 분리할 수 없어 전체를 폐기해야 하는 문제점이 있다.
이에 미세 피치에 대응 되도록 필름 상에 멤스(MEMS) 공정에 의하여 콘택이 형성되는 콘택 복합체를 제작하려는 시도가 등록특허 제1469222호 및 등록특허 제1425606호에 있었다.
도 2를 참조하면, 테스트 소켓(20)은, 베이스 필름(22)이 블록(24)을 둘러싸도록 하고, 베이스 필름(22) 상면에는 도전 범프(26)가 MEMS 처리되어 형성된다. 따라서 반도체 기기(32)의 도전 볼(34)과 전기적으로 연결되는 도전 범프(26)를 포함하는 콘택 복합체(P)가 사용된다.
그러나 위 특허의 경우에도 범프(26)와 볼(34) 사이에 접촉성이 현저하게 저하되는 문제점이 있다.
첫째, 볼(34)의 높이에는 다소 편차가 발생하는데 수직 편차(h)에 따라 콘택 패일(contact fail)이 발생할 수 있다.
둘째, 베이스 필름(22)이 연성 재질로 제작되더라도 범프(26)와 볼(34) 접촉 시 베이스 필름(22) 자체가 경직되어 콘택 패일(contact fail)이 발생할 수 있다.
셋째, 범프(26)의 접촉 영역이 플래트(flat) 하기 때문에 접촉성이 악화되어 물리적 접촉은 이루어지되, 전기적 연결에 실패하는 콘택 패일(contact fail)이 발생할 수 있다.
(특허 문헌 1) KR 등록특허 제1469222호 (특허 문헌 2) KR 등록특허 제1425606호
따라서 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 기기의 볼 높이 편차 혹은 사이즈 편차에도 불구하고, 콘택 패일이 발생하지 않는 테스트 소켓용 MEMS 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 MEMS 처리되는 베어 필름의 경직성을 해소하고, 테스트 소켓의 MEMS 소자가 반도체 기기와 탄력적으로 접촉하는 테스트 소켓용 MEMS 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 플래트 영역에 변화를 제공하여 전기적 접촉성을 개선하는 테스트 소켓용 MEMS 필름을 제공하는 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명의 테스트 소켓용 MEMS 필름은 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 기기의 전기적 검사를 수행하는 테스트 소켓용 MEMS 필름에 있어서, 가요성의 베어 필름, 및 MEMS 공정에 의하여 상기 베어 필름 상에 형성되고, 상기 테스트 기기의 전극 패드 혹은 상기 반도체 기기의 도전 볼과 전기적 콘택을 형성하되, 접촉면이 에지에서 센터로 갈수록 상기 전극 패드 혹은 상기 도전 볼 방향으로 볼록하게 라운드 되는 라운드 타입(round-type)의 복수 MEMS 범프를 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 본 발명의 테스트 소켓용 MEMS 필름은 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 기기의 전기적 검사를 수행하는 테스트 소켓용 MEMS 필름에 있어서, 가요성의 베어 필름, 및 MEMS 공정에 의하여 상기 베어 필름 상에 형성되고, 상기 테스트 기기의 전극 패드 혹은 상기 반도체 기기의 도전 볼과 전기적 콘택을 형성하되, 접촉면이 높낮이를 가지는 단차 타입(step-type)의 복수 MEMS 범프를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 본 발명의 테스트 소켓용 MEMS 필름은 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 기기의 전기적 검사를 수행하는 테스트 소켓용 MEMS 필름에 있어서, 가요성의 베어 필름, 및 MEMS 공정에 의하여 상기 베어 필름 상에 형성되고, 상기 테스트 기기의 전극 패드 혹은 상기 반도체 기기의 도전 볼과 전기적 콘택을 형성하되, 접촉면이 다수의 엠보싱 타입(embossing-type)으로 형성되고, 상기 엠보싱 자체가 돌출 영역을 형성함으로써, 상기 도전 볼의 수평적 편차가 존재하는 경우에도 콘택 패일이 방지되는 복수 MEMS 범프를 포함한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, 범프(Bump)의 MEMS 처리를 통하여 범프 간의 폭과 사이즈를 일정하게 유지하고 조절할 수 있기 때문에, 파인 피치 구현이 가능한 효과가 기대된다.
둘째, 반도체 기기의 볼 높이에 수직 편차가 존재하거나 혹은 사이즈나 간격이 상이한 수평 편차가 존재하는 경우에도 범프의 라운드, 높낮이, 및 엠보싱을 통하여 콘택 패일이 발생하지 않는다.
셋째, 범프 주위에 리세스를 통하여 각 범프를 아일랜드로 만들어서 이웃 범프의 영향을 배제하며, 경직된 필름으로부터 구속되지 않아, 접촉성이 크게 개선된다.
도 1은 종래 기술에 의한 테스트 소켓의 일 구성을 나타내는 측단면도.
도 2는 종래 기술에 의한 테스트 소켓의 다른 구성을 나타내는 측단면도.
도 3은 본 발명에 의한 테스트 소켓의 구성을 나타내는 사시도.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 의한 MEMS 필름의 구성을 각각 나타내는 상면 사시도 및 저면 사시도이고, 도 4c는 측단면도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 플래트 타입 MEMS 범프와 그 콘택 패일 정도를 각각 나타내는 사진들.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 의한 라운드 타입 MEMS 범프와 그 콘택 패일 정도를 각각 나타내는 사진들.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 의한 단차 타입 MEMS 범프와 그 콘택 패일 정도를 각각 나타내는 사진들.
도 8은 본 발명에 의한 엠보싱 타입 MEMS 범프의 구성을 나타내는 측단면도.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 테스트 소켓용 MEMS 필름의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 테스트 소켓(100)은, 패키지 기타 반도체 기기와 DUT 기타 테스트 장치 사이에 배치되어 반도체 기기의 전기적 검사를 수행한다.
이를 위하여, 테스트 소켓(100)은 테스트 장치(도시되지 않음)의 테스트 보드와 대응되는 고정 프레임(110), 고정 프레임(110)에 설치되어 반도체 기기(102)를 탑재하고, 고정 프레임(110)의 상하 방향으로 이동 가능하게 설치됨으로써 MESM 범프(도 4c의 148)가 테스트 장치의 전극 패드와 접촉 분리되도록 하는 왕복 프레임(120), 고정 프레임(110)에 설치되어 반도체 기기(도 4c의 102)의 유동을 방지하는 한 쌍의 래치(130), 왕복 프레임(120) 상부의 고정 프레임(110)에 설치되어, 왕복 프레임(120)과 래치(130)의 구동력을 제공하는 커버(140), 및 소정 형상의 지지체(도시되지 않음)에 고정되는 MEMS 필름(144)을 이용하여 테스트 장치와 반도체 기기(102)를 전기적으로 연결하는 콘택 복합체(P)를 포함한다.
MEMS 필름(144)은 적어도 상면 및 저면을 가지는 지지체에 접철 되게 설치되고, 상기 상면에 대응되는 영역에 반도체 기기(102)의 도전 볼(104)과 접촉하는 제1범프를 포함하고, 상기 저면에 대응되는 영역에 테스트 장치의 전극 패드와 접촉하는 제2범프를 포함할 수 있다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c를 참조하면, MEMS 필름(144)은 가요성의 베어 필름(146), MEMS 공정에 의하여 베어 필름(146) 상에 형성되고 테스트 장치의 전극 패드 혹은 반도체 기기(102)의 도전 볼(104)과 전기적 콘택을 형성하되, 접촉면이 에지에서 센터로 갈수록 전극 패드나 도전 볼(104) 방향으로 볼록하게 라운드(round) 되는 MEMS 범프(148)를 포함한다.
한편, 도면에는 범프를 연결하는 배선 패턴이나 배선 패턴을 절연하는 페시베이션 레이어의 구성이 생략되어 있다.
베어 필름(146)은, 폴리이미드(PI) 혹은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 재질로 구성될 수 있다. MEMS 필름(144)은 웨이퍼 상에 베어 필름(146)을 탑재한 상태에서 MEMS 기술을 이용하여 처리되고, 개별 단위로 절단하는 싱귤레이션 공정을 통하여 완성 될 수 있다.
본 발명에서 콘택 복합체(150)로서 폴리이미드(PI)의 베어 필름(146) 상에 MEMS 소자를 형성한 MEMS 필름(144)을 사용하는 이유는 다음과 같다. 롤 투 롤(roll-to-roll) 공정에 의하여 대량 생산을 위한 공정의 연속성을 보장할 수 있기 때문이다. 또한, MEMS 처리 공정을 이용하여 파인 피치(fine pitch)를 실현하기에 가장 적합하기 때문이다. 폴리이미드(PI)의 베어 필름(146)은 탄성력 및 복원력이 우수하여 반도체 기기(102)와 테스트 장치에 물리적 충격이나 손상을 주지 않으면서 검사 후에는 원상태로 복귀되는 성질이 우수하다. 마지막으로 테스트 소켓(100)에 조립이 매우 용이하다.
또한, 탄력을 제공하기 위하여 탄성부재를 필름 배면에 두고 사용하는 경우에도 MEMS 필름(144)은 그 유연성으로 인하여 탄성부재의 탄력을 그대로 전달할 수 있게 된다. 또한, MEMS 필름(144)은 지지체(도시되지 않음) 상에 접철되게 설치되어야 하기 때문에 가요성을 기본적 특성으로 한다. 필요하면 접철 영역에 접철 수단을 제공할 수 있다.
MEMS 범프(148)는, 반도체 기기(102)의 도전 볼(104)과 접촉하거나 테스트 장치의 전극 패드와 접촉하는 콘택 기능을 수행한다.
MEMS 범프(148)는 전기 전도성이 우수한 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 베릴륨(Be), 알루미늄(Al) 혹은 그 합금을 이용하여 성형된다. 이와 같은 범프는 그 형성 과정에서 표면에 자연 산화막이 도포된다. 자연 산화막은 범프 접촉면에 형성되어 반도체 기기(102)의 도전 볼(104)과의 통전을 방해하기 때문에, 전기적 성능을 저해하는 요인으로 작용한다.
이에 MEMS 범프(148)의 접촉면이 샤프(sharp) 할수록 자연 산화막을 깨고 도전 볼(104)과 접촉할 수 있는 접촉성이 높아질 수 있다. 도 5a를 참조하면, MEMS 범프(148)가 플래트 타입(flat-type)으로 형성되면, 도전 볼(104)과 접촉 시 자연 산화막에 의하여 전기적 접촉이 되지 않을 수 있다. 도 5b를 참조하면, 콘택 패일(contact fail)이 다수 발생하는 것을 알 수 있다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, MEMS 범프(148)는 라운드 타입(round-type) 일 수 있다. 도 6d를 참조하면, 플래트 타입과 비교하여 콘택 패일이 비교적 감소한 것을 알 수 있다. 그러나 라운드 타입의 경우 범프의 중앙에만 돌출 영역이 존재하기 때문에 콘택 패일이 여전히 존재할 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, MEMS 범프(148)는 높낮이(hight different)를 가지는 단차 타입(step-type) 일 수 있다. 상부 단차면과 하부 단차면이 반복되고, 상부 단차면과 하부 단차면 경계선에서는 돌출 영역이 발생된다. 상부 단차면에서 도전 볼(104)의 안정적인 안착이 이루어지고, 경계선에서는 자연 산화막을 깨거나 뚫고 도전 볼(104)과 콘택 되기 때문에, 전반적인 접촉성이 개선되는 것을 알 수 있다.
예를 들면, 에지로부터 센터로 갈수록 그 폭이 점차 좁아지는 상부 단차면이 형성되되, 센터에는 하부 단차면만이 존재함으로써, 중심에는 돌출 영역이 다수 발생하게 된다. 도 7c를 참조하면, 콘택 패일이 거의 발생하지 않는 것으로 확인된다.
도 8을 참조하면, MEMS 범프(148)는 다수의 엠보싱 타입(embossing-type) 일 수 있다. MEMS 범프(148)를 엠보싱 타입으로 형성하게 되면, 각 엠보싱이 돌출 영역(P)을 형성하게 되고, 전체 영역에서 균일하게 돌출 영역이 다수 존재하기 때문에, 도전 볼(104)의 수평적 편차가 발생하더라도 콘택 패일이 최소화될 수 있다.
한편 베어 필름(146) 상에는 MEMS 범프(148) 외에도 범프를 전기적으로 연결하는 도전성 배선 패턴(148a)이 형성되고, 배선 패턴(148a)은 커버되도록 하되, MEMS 범프(148)는 노출되도록 하는 페시베이션 레이어(Passivation layer: 148b)가 형성될 수 있다. 정확하게는 배선 패턴(148a) 상에 엠보싱 타입 MEMS 범프(148)가 형성된다.
도 6a 및 도 7a를 참조하면, MEMS 필름(144)은 각 MEMS 범프(148) 주위에 직선 혹은 곡선의 리세스(148c)를 더 포함할 수 있다. 이러한 리세스(148c)는 MEMS 필름(144)의 일부가 제거되어 형성될 수 있다.
베어 필름(146)은 폴리이미드(PI) 재질로 형성하더라도 유연성에 일정한 한계가 존재한다. 또한, MEMS 범프(148)의 높이(hight)에는 일정한 편차가 존재한다. 따라서 수직 편차는 도전 볼(104)과 MEMS 범프(148)의 접촉성을 방해한다. 이에 본 발명에서는 MEMS 필름(144) 상에 MEMS 범프(148) 주위에 직선 혹은 곡선 등 다양한 형태의 리세스(148c)가 형성된다.
가령, MEMS 범프(148)가 주변의 타 범프와 상관없이 독립적으로 접촉성을 발휘하고, MEMS 범프(148)가 MEMS 필름(144)에 구속되지 않고 필름의 경직성에서 자유로우려면, 반도체 기기의 도전 볼(104)과 탄력적으로 접촉하도록 MEMS 처리된 베어 필름(146)의 MEMS 범프(148) 주위에 리세스(148c)를 형성할 수 있다.
이와 같은 리세스(148c)는 레이저 컷팅(laser cutting) 혹은 식각(etching) 공정에 의하여 형성될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 마이크로(㎛) 단위의 초소형 전기 기계 구조물을 가공하는데 사용되는 마이크로머시닝 기술을 이용하여 테스트 소켓을 제작하고, 특히 각 범프가 필름의 영향을 받지 않고, 수직 편차에 능동적으로 대처할 수 있도록 탄성을 부여하며, 각 범프의 접촉면에 라운드, 단차, 및 엠보싱을 제공하여 접촉성을 개선하는 구성을 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.
100: 테스트 소켓 102: 반도체 기기
110: 고정 프레임 120: 왕복 프레임
130: 래치 140: 커버
144: MEMS 필름 146: 베어 필름
148: MEMS 범프 148a: 배선 패턴
148b: 페시베이션 레이어 148c: 리세스
150: 콘택 복합체

Claims (10)

  1. 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 기기의 전기적 검사를 수행하는 테스트 소켓용 MEMS 필름에 있어서,
    가요성의 베어 필름; 및
    MEMS 처리 기술에 의하여 상기 베어 필름 상에 형성되고, 상기 테스트 장치의 전극 패드 혹은 상기 반도체 기기의 도전 볼과 전기적 콘택을 형성하되, 접촉면이 에지에서 센터로 갈수록 상기 전극 패드 혹은 상기 도전 볼 방향으로 볼록하게 라운드 되는 라운드 타입(round-type)의 복수 MEMS 범프를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 MEMS 필름은, 상기 MEMS 범프 주위에 레이저 커팅(cutting) 혹은 식각(etching) 공정에 의하여 형성된 직선 혹은 곡선의 리세스를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 베어 필름은, 롤 투 롤(roll-to-roll) 연속 공정이 가능한 폴리이미드(PI)로 성형됨으로써 적어도 상면 및 저면을 가지는 지지체에 접철 되게 설치되고, 상기 상면에 대응되는 영역에 상기 도전 볼과 접촉하는 제1범프를 포함하고, 상기 저면에 대응되는 영역에 상기 도전 전극과 접촉하는 제2범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 MEMS 필름은,
    상기 MEMS 범프의 하부에서 상기 MEMS 범프를 전기적으로 연결하는 도전 배선 패턴; 및
    상기 배선 패턴은 커버되도록 하고, 상기 MEMS 범프는 노출되도록 하는 페시베이션 레이어(passivation layer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  5. 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 기기의 전기적 검사를 수행하는 테스트 소켓용 MEMS 필름에 있어서,
    가요성의 베어 필름; 및
    MEMS 처리 기술에 의하여 상기 베어 필름 상에 형성되고, 상기 테스트 장치의 전극 패드 혹은 상기 반도체 기기의 도전 볼과 전기적 콘택을 형성하되, 접촉면이 높낮이를 가지는 단차 타입(step-type)의 복수 MEMS 범프를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 단차는, 상부 단차면과 하부 단차면이 반복하여 형성되고, 상기 상부 단차면과 상기 하부 단차면의 경계선에서는 돌출 영역이 발생되며, 상기 돌출 영역에 의하여 접촉성이 개선되고, 콘택 패일이 저감되는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 상부 단차면은 에지에서 센터로 갈수록 폭이 점차 좁아지되, 상기 센터에는 상기 하부 단차면만이 존재하는 것을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  8. 반도체 기기와 테스트 장치 사이에 배치되어 상기 반도체 기기의 전기적 검사를 수행하는 테스트 소켓용 MEMS 필름에 있어서,
    가요성의 베어 필름; 및
    MEMS 처리 기술에 의하여 상기 베어 필름 상에 형성되고, 상기 테스트 장치의 전극 패드 혹은 상기 반도체 기기의 도전 볼과 전기적 콘택을 형성하되, 접촉면이 다수의 엠보싱 타입(embossing-type)으로 형성되고, 상기 엠보싱 자체가 돌출 영역을 형성함으로써, 상기 도전 볼의 수평적 편차가 존재하는 경우에도 콘택 패일이 방지되는 복수 MEMS 범프를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 테스트 소켓은,
    상기 테스트 장치와 대응되는 고정 프레임;
    상기 고정 프레임에 설치되어 상기 반도체 기기를 탑재하고, 상기 고정 프레임의 상하 방향으로 이동 가능하게 설치됨으로써 상기 MEMS 범프가 상기 테스트 장치의 전극 패드와 접촉 분리되도록 하는 왕복 프레임;
    상기 고정 프레임에 설치되어 상기 반도체 기기의 유동을 방지하는 한 쌍의 래치; 및
    상기 왕복 프레임 상부의 상기 고정 프레임에 설치되어, 상기 왕복 프레임과 상기 래치의 구동력을 제공하는 커버를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 MEMS 필름은,
    상기 MEMS 범프의 하부에서 상기 MEMS 범프를 전기적으로 연결하는 도전 배선 패턴;
    상기 MEMS 범프를 제외하고 상기 베어 필름 상에 형성되는 페시베이션 레이어; 및
    상기 베어 필름 및 상기 페시베이션 레이어의 일부가 레이저에 의하여 제거되어 상기 MEMS 범프를 아일랜드로 만드는 리세스를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 테스트 소켓용 MEMS 필름.
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