KR20160149212A - 전강 피팅 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 방법에 있어서 치형부(15)가 제공되는 와이어(11)는 제 1 유도자(16) 및 제 2 유도자(18)를 연속으로 관통한다. 상기 유도자들(16, 18)은 상이한 주파수에서 기능하고 또한 상이한 온도를 생성한다. 상기 제 1 유도자(16)는 특히 경화되지 않을 베이스 섹션(17)을 오스테나이트화 온도 범위 미만의 높은 온도로 가열한다. 상기 제 2 유도자(18)는 상기 오스테나이트화 온도 범위 내의 여전히 높은 제 2 온도로 상기 치형부(15)를 가열한다. 일관되게 양질의, 규정되고 경화된 치형부는 담금질에서 결정된다.
Description
본 발명은 전강 침포(all-steel card clothing)용 클로딩 와이어(clothing wire)를 생산하는 방법 및 유도 경화 치형부(induction-hardened teeth)를 구비한 클로딩 와이어에 관한 것이다.
예를 들면, 공보 DE 2904841로부터 공지되어 있는 바와 같은 클로딩 와이어(톱니형 와이어)가 전강 침포의 생산을 위해 사용된다. 그와 같은 클로딩 와이어는 큰 두께의 베이스 섹션 및 상기 베이스 섹션으로부터 멀리 연장하는 치형 벽 섹션을 갖는다. 클로딩 와이어에 형성된 치형부는 특히 치단(tooth tip) 근방에서 경화된다. 전반적으로, 상기 클로딩 와이어는 상이한 경도를 갖는 4개의 구역을 갖는다. 상기 치단으로부터 치형부 높이의 거의 절반정도까지 연장하는 제 1 섹션에 있어서, 상기 클로딩 와이어는 적어도 60 HRC의 경도를 갖는다. 인접한 구역에 있어서, 상기 경도는 60 HRC 내지 55 HRC의 값으로 고정된다. 다음으로 인접하는 구역에 있어서는, 여전히 약 40 HRC의 경도가 상기 치형부 베이스의 영역에 존재하는 방식으로 50 HRC 내지 55 HRC의 경도가 제공된다. 상기 와이어의 베이스부가 차지하는 나머지 구역은 경화되지 않는다.
경화를 위하여, 경화 가능한 강은 먼저 고온으로 보내져 담금질된다.
이를 수행하기 위해, 문헌 CH 670455 A5는 클로딩 와이어가 단일 펄스 또는 펄스 포켓을 사용하여 CO2 가스 레이저에 의해 오스테나이트화 온도 범위 내의 온도로 간단하게 가열되는 기술을 제공한다. 치형부의 최소 열용량으로 인해, 그 후 치형부는 공기 중에서 매우 신속하게 재냉각되고, 따라서 담금질 경화가 초래된다. 상기 치형 영역에서 950 HV의 경도가 성취될 수 있으며, 상기 치형부 베이스에서의 경도는 오직 200 HV이다. 경화된 재료와 비경화된 재료 사이의 경계는 아치형 또는 직선형 라인으로 진행한다.
실제로, 레이저 빔의 고에너지는 신속한 가열을 유발시킨다; 그러나, 에너지 입력 및 연속적이고 국부적인 과열의 불균일성과 관련된 문제점들이 초래될 수 있다.
독일 공보 DE 101 06 673 A1은 규정된 범위 내에서 경화 작업하는 동안 항상 열처리를 제한하는 것은 어렵다는 사실에 대한 발견에 기초한다. 이와 관련하여, 상기 공보는 클로딩 와이어의 유도 가열을 제안하고 있으며, 그와 같이 하는 경우, 가능한 최고의 주파수로 가열하여, 경화 효과는 반드시 와이어의 치단들 및 치형부 표면으로 제한된다. 그와 같은 작업을 위해, 1 내지 2 MHz의 주파수가 사용된다. 보호 가스의 사용으로 가열이 발생할 수 있다. 경화 공정은 물, 공기 또는 오일로 담금질함으로써 발생한다. 이어서, 상기 클로딩 와이어는, 예를 들면, 상기 클로딩 와이어가 그의 경도를 소실시키는 일 없이 불필요한 장력을 제거하기 위해, 오직 130°의 매우 낮은 어닐링 온도에서 처리된다.
본 발명은 전강 침포의 생산 및 구현에 대한 개량된 개념을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이와 관련하여, 기하학적으로 정확한 치단들을 구비한 치형부가 특히 연속 공정 없이 얻어질 수 있다.
그와 같은 목적은 청구항 1에 제안한 방법에 따라 성취된다.
본 발명에 따른 방법을 사용함으로써, 상기 침포를 생산하기 위해 의도된 와이어는 먼저 제 1 스테이션에서 열처리를 겪게 되고, 여기서 상기 와이어는 그의 벽 섹션뿐만 아니라 베이스 섹션을 통과함에 따라 가열된다. 이와 같은 가열은, 예를 들면, 열 에너지가 와이어로 전달되고, 그 경우 특히 그의 베이스 섹션으로 전달되거나, 또는 상기 와이어에서 발생되는 방법에 의해 실행될 수 있다. 예를 들어, 상기 와이어는 상기 열 에너지가 복사 및/또는 천연 및/또는 인공 대류에 의해 상기 와이어로 전달되는 가열로를 관통할 수 있다. 상기 와이어를 통해 전류를 통과시킴으로써 오옴 저항을 사용하여 상기 와이어를 가열하는 것도 또한 가능하다. 그와 같이 하기 위해, 상기 와이어는, DC 전류 또는 저주파 AC 전류(예를 들면, 50 Hz)가 공급되고 상기 측면들 상에 와이어를 접촉시키는, 2개의 반대측 전극들 - 예를 들면, 탄소 전극들 - 사이를 통과할 수 있다. 그 결과, 상기 와이어는 특히 그리고 적합하게도 그의 베이스 섹션 상에서 횡단 방향으로 전기적으로 관류되고, 따라서 가열된다. 또한, 2개의 전극들 또는 전극 쌍들 또는 일부 전극 그룹들이, 상기 전류가 상기 와이어의 공간적으로 떨어져 있는 위치에서 입력 및 출력되는 방식으로, 서로로부터의 소정 거리에서 와이어 길이 방향으로 배열되는 것도 가능하다. 상기 와이어를 통한 길이 방향 유동은 이동 중인 와이어에서 전류의 열적 효과를 긴 섹션으로 분배하고, 따라서 특히 상기 베이스 섹션의 균일한 가열을 가능하게 한다. 양쪽 방법들에 있어서, 관류 및 가열되는 것은 대부분 베이스 섹션이다. 가열 스테이션은 하나 이상의 열원을 포함할 수 있다.
그러나, 그 경우, 적합하게도 상기 와이어 및 특히 그의 베이스 섹션은 제 1 가열 스테이션에서 유도성으로 가열된다. 그 경우, 그 작업을 위해 제 1 주파수가 사용되며, 유도자의 필드가 특히 상기 베이스 섹션이 상기 필드를 통해 이동하는 방식으로 배향된다. 적합하게도, 상기 제 1 주파수는 상기 와이어에 형성되는 와전류(vortical current)들이 대부분 상기 베이스 섹션을 관류하는 방식으로 선택되나, 상기 치형부는 그렇지 못하다. 적합하게도, 상기 유도자 및 그에 의해 발생되는 자기장은 상기 와전류가 와이어 길이 방향 축, 즉, 상기 와이어의 길이 방향 축과 적어도 거의 일치하는, 상기 자기장의 축 주위로 유동하는 방식으로 배향된다. 따라서, 상기 치형부는 대부분 와전류들과 상관없이 유지된다. 그러나, 상기 자기장의 축을 와이어에 대해 가로 방향으로 배향시키는 것도 또한 가능하다. 상기 제 1 가열 스테이션은 동일한 주파수 또는 상이한 주파수에서 작동하는 하나 이상의 유도자를 포함할 수 있다.
상기 제 1 스테이션에서, 상기 와이어는 - 그 전체에서 또는 적어도 그의 베이스 섹션에서 - 제 1 온도로 예열된다. 그 후에, 상기 와이어는 유도 가열을 위한 제 2 스테이션을 통해 (적어도 상기 베이스 섹션 상에서) 예열된 상태로 이동하며, 이 경우 상기 제 2 스테이션의 유도자는 상기 제 1 주파수보다 높은 제 2 주파수에서 작동한다. 상기 유도자의 필드는 적합하게도 상기 필드가 오직, 치형부가 형성되는, 상기 벽 섹션만을 커버하는 방식으로 배향된다. 상기 제 2 주파수는 치단들까지 상기 치형부의 균일한 가열을 성취하도록 상기 제 1 주파수보다 높다. 또한, 상기 제 2 온도는 상기 제 1 온도보다 높다. 특히, 그것은 상기 오스테나이트화 온도 범위 내에 있다. 상기 제 2 스테이션은 동일한 주파수 또는 상이한 주파수들에서 작동하는 하나 이상의 유도자들을 포함할 수 있다. 상기 제 2 유도자들의 주파수는 상기 제 1 유도자들의 주파수보다 높게 제공된다.
(적어도 하나의) 제 2 유도자를 통과한 후에, 적어도 상기 치형부를 갖는 벽 섹션, 그러나 적합하게는 상기 전체 와이어는 통과하는 동안 냉각 매체에서 담금질된다. 상기 냉각 매체는 가스, 비활성 가스, 공기, 에어로졸, 오일, 물, 에멀전 또는 기타 비활성, 지연-반응성 또는 신속-반응성 매체일 수 있다. 상기 와이어를 상기 제 1 스테이션에서 제 1 온도로 예열하고, 주로 중간 냉각을 회피하는 동안, 이와 같이 가열된 와이어를 상기 제 2 유도자에 공급함으로써, 상기 베이스 섹션 상으로 열 에너지를 방출함으로써 - 상기 제 2 유도자를 통과한 후의 - 상기 치형부가 상기 치단으로부터 소정 거리에서 경도를 최대로 발전시키는 현상을 방지한다. 오히려, - 상기 치단에서 시작해서 - 균일하게 높은 경도가 성취되며, 상기 경도는 전이 구역까지 연장한다. 적합하게도, 이와 같은 전이 구역은 스트립형 직선형 라인을 가질 수 있으며, 예를 들어 최대 0.5 mm의 스트립 폭을 가질 수 있다. 상기 치형부의 크기에 기초하여, 상기 전이 구역의 폭은, 상기 치형부로부터 상기 치단까지 측정한, 상기 치형부 높이의 최대 20%에 그친다. 그 결과, 상기 구역 폭은 - 상기 와이어 길이 방향에 대해 수직인 - 상기 치형부 높이와 동일한 방향으로 측정된다. 이는 상기 치형부 중턱 전방에서의 측정뿐만 아니라 상기 치배(tooth back) 배후의 측정에 적용된다. 본 발명에 따른 방법에 의해 성취될 수 있는 경화 작업 동안 작은 공간의 온도 규모(temperature graduation)는 상기 경도 전이 구역의 폭을 제한하여 거의 라인형 스트립을 형성한다. 이는 화염-경화된 클로딩 와이어들과 비교할 때 분명히 개선된 작동 거동을 초래한다. 치형부는 탄성적으로 변형되거나 또는 파열된다. 상기 치형부의 소성 변형, 즉 소면(carding) 공정을 크게 방해하는 상기 치형부의 가로 굽힘이 회피된다.
상기 치형부를 형성하기 위해 상기 벽 섹션에 제공된 리세스들은 펀칭 공정에서 연속 작업 동안 생성될 수 있다. 이렇게 하기 위하여, 상기 와이어는 펀칭 상태를 통해 간헐적으로 이동될 수 있다. 대안적으로, 상기 펀칭 스테이션은 상기 펀칭 공정 동안 상기 와이어를 따라 이동될 수 있으며, 다음에 펀칭 공구가 개방된 후에 그의 개시 위치로 복귀된다. 상기 후자는 특히 상기 유도자들 및 상기 담금질 스테이션에 있어서 균일한 와이어 진행 운동을 가능하게 한다. 상기 펀칭 스테이션과 상기 유도자들 사이에 와이어 루프(wire loop)를 형성하는 것도 또한 가능하며, 상기 와이어 루프는 상기 펀칭 스테이션에서의 쇼크형 와이어 이동을 상기 유도자들에서의 균일한 와이어 이동에 적응하게 한다.
적합하게도, 상기 제 1 유도자에 의해 발생된 온도(t1)는 오스테나이트화 온도 범위(tA) 미만인 반면, 상기 제 2 유도자에 의해 발생된 온도(t2)는 상기 오스테나이트화 온도 범위(tA) 내에 있게 된다. 적합하게도, 상기 제 1 온도(t1)는 500 ℃ 초과 및 900 ℃ 미만(예를 들면, 700 ℃ 내지 750 ℃)인 반면, 상기 제 2 온도(t2)는 약 950 ℃에 있게 된다. 상기 제 1 온도(t1)는 연화 어닐링 온도이며, 또한 그에 따라 상기 제 1 온도는 적합하게도 충분히 높게 설정되어, 상기 제 2 유도자를 통과한 후의 상기 치형부의 손실이 - 담금질 스테이션으로의 진입에 기초하여 - 상기 치형부가 여전히 상기 오스테나이트화 온도 범위 내의 온도를 갖도록, 충분히 최소화 가능하게 된다. 반면에, 상기 2개의 가열 스테이션에서의 그리고 상기 담금질 작업까지의 체류 시간은 너무 짧아서, 상기 제 2 가열 스테이션에서의 베이스 섹션은 - 상기 치형부로부터의 열전도나 또는 와전류로 인하여 - 경화의 관점과 관련된 실질적인 온도 증가를 경험하지 않는다. 오히려, 상기 담금질 스테이션으로의 진입시에, 상기 베이스 영역은 예를 들면 최대 680 ℃의 연화 어닐링 온도를 나타내도록 보장된다. 이러한 방식에 있어서, 어떠한 우발적인 경화도 회피될 수 있으며, 양호한 공정 제어가 성취된다. 상기 제 1 유도자(또는 달리 제 1 가열 스테이션) 및/또는 상기 제 2 유도자는 보호 가스 하에 작동될 수 있다. 적합한 보호 가스들의 예로서는 특히, 예를 들면, 질소, 아르곤 등과 같은, 낮은 반응성 또는 비활성 가스들을 들 수 있다. 이와 관련하여, 상기 "보호 가스"라는 용어는 또한 높은 반응성 가스들, 특히 표면 세정에 기여할 수 있는 환원성 가스들도 포함한다.
상기 제 2 주파수(f2)가 상기 제 1 주파수(f1)의 적어도 5배인 경우 유용하다. 예를 들어, 상기 제 1 주파수는 5 MHz의 최대치로, 적합하게는 3 MHz의 최대치로 설정될 수 있다. 적합한 예시적 실시예에 있어서, 상기 제 1 주파수는 1 내지 5 MHz일 수 있다. 적합하게도, 상기 제 2 주파수(f2)는 적어도 10 MHz, 더욱 적합하게는 적어도 15 MHz일 수 있다. 적합한 예시적 실시예에 있어서, 상기 제 2 주파수는 20 MHZ 내지 30 MHZ, 적합하게는 27 MHz이다. 이와 같은 설정치를 사용함으로써, 균일한 양 및 양호한 공정 제어를 성취하는 것이 가능해진다.
담금질 후에, 상기 와이어는 제 3 주파수(f3)에서 작동하는 제 3 유도자를 통과할 수 있으며, 상기 제 3 주파수는 상기 제 2 주파수(f2)보다 낮다. 상기 와이어는 적어도 상기 제 2 온도(t2)보다 낮은 제 3 온도(t3)로 가열될 수 있으며, 또한 적합하게도 상기 제 1 온도(t1)보다도 낮다. 따라서, 유도성 어닐링이 야기될 수 있다.
유도 가열이 예를 들면 질소와 같은 비활성 가스 하에서 양쪽 유도자들에서 발생할 경우 장점을 갖는다. 브라이트(bright) 전강 침포가 스케일링(scaling) 없이, 상기 치형부의 부분적 팁이 용해되는 일 없이 그리고 경도 진행이 제어되는 상태로 형성된다. 특히, 완전히 비경화된 상태로 형상 부여(shape-imparting) 공정을 수행하는 일이 가능해진다. 기계적 형상 부여에 이은 치단들의 연삭과 같은 기계 가공 및/또는 화학적 공정 등은 경화된 상태에서 반드시 필요한 것은 아니다.
또한, 상기 와이어가 적어도 한 측면 상에서 브러시 가공되는 경우 장점을 갖는다. 그 경우, 펀칭 스테이션에서 발생되는 펀칭 버르(punching burr)가 제거될 수 있다. 재료의 경도로 인하여, 상기 펀칭 버르는 용이하게 분리될 수 있으며 따라서 브러시 작업으로 제거될 수 있다.
상술된 방법에 따라 생성된 클로딩 와이어는 적어도 일 측면, 적합하게는 오직 하나의 브러시 가공된 측면을 갖는다. 보호 가스 하에서의 유도 경화로 인하여, 브러시 가공되지 않은 측면, 치형부 중턱면 및 각 치형부의 치배는 동일한 화학적 조성을 갖는다. 브러싱 작업으로 인해 생성되는 이종 원자(foreign atom)들이 오직 상기 클로딩 와이어의 하나의 측면 상에서만 발견될 수 있다.
청구항 10에 규정된 바와 같은 본 발명에 따른 클로딩 와이어는 상기 벽 섹션의 두께 및 상기 치형부의 두께보다 큰 두께를 갖는 베이스 섹션을 포함한다. 상기 치형부는 경화된다. 상기 치형부의 경화된 영역과 경화되지 않은 재료 사이의 경계는 적합하게도 최대 0.5 mm의 폭을 갖는 직선형 스트립 형태를 갖는다. 상기 폭은 적합하게도 상기 치형부 높이의 20%의 최대치에 달한다. 따라서, 상기 치형부는 적합하게도 완전히 경화된 또는 - 작은 전이 구역에서 - 부분적으로 경화된 재료들로만 구성된다. 적합하게도, 이들은 비경화된 그리고 그에 따른 도전형 재료를 포함하지 않는다. 적합하게도, 이와 같은 구역 외부의 경도는 상기 치형부 상에서 균일하게 높으며 상기 베이스 섹션 상에서 균일하게 낮다. 국부적 경도 최대치들뿐만 아니라 특히 치단으로부터 치형부에 이르는 경도 증가는 보여지지 않는다.
큰 치형부에 있어서 스트립 형상의 전이 구역은 적합하게도 상기 치단으로부터 예를 들면 3 mm 거리에 있다. 어느 경우에 있어서도, 상기 치형부 높이의 적어도 70%, 적합하게는 적어도 80%가 완전 경화되도록 수행된다. 이는, 적합하게도 상기 전이 구역이 와이어 길이 방향과 평행하게 배향되기 때문에, 상기 치형부 중턱 전방에서의 측정뿐만 아니라 상기 치배 배후의 측정에 적용된다. 따라서, 상기 치형부의 단점인 가로 굽힘이 배제된다. 적합하게도, 상기 전이 구역은 상기 치형 오목부 약간 위에서 종료한다. 그러나, 상기 치형 오목부와 접촉하는 방식으로 상기 전이 구역을 규정하는 것도 가능하다. 이와 같은 방식으로, 상기 와이어의 굽힘 성형성을 지나치게 제한하는 일 없이도, 최고로 견고한 치형부 중턱이 얻어진다. 그와 같은 상기 경도 경계에 대한 정확한 설정은 본 발명에 따른 방법에 의해 용이하게 성취될 수 있다.
상기 벽 섹션 및/또는 상기 치형부는 사다리꼴 또는 삼각형 형상의 단면을 갖도록 구성될 수 있으며 또한 상기 베이스 섹션으로부터 멀리 테이퍼질 수 있다. 치형부로부터 치단까지의 상기 치형부의 현저한 두께 감소를 고려할 때조차, 상기 치형부의 가열은 - 특히 제 2 도체에서 - 특히 가스 화염으로 가열될 때 회피되야만 하는 임의의 부분적인 치단 용융이 여기서 발생하지 않도록 제어되는 방식으로 진행될 수 있다. 예를 들어, 상기 치형부 베이스로부터 상기 치단까지의 치형부 두께는 1/3 초과만큼, 예를 들어 0.6에서 0.37 mm까지 감소될 수 있다.
또한, 전강 침포는 본 발명에 따른 방법에 의해 생성될 수 있으며, - 상기 치형 오목부로부터 시작하는 - 상기 치형부는 상기 치단까지 직선 방식으로 연속 연장한다. 이는 독창적인 유도 경화로 인해 이어지는 연삭 가공이 필요하지 않게 되므로 특히 유효하다.
본 발명의 장점 부분들에 대한 추가의 상세한 설명은 청구범위, 상세한 설명 및 도면들로부터 추론될 수 있다. 그들은 도면에 도시된다.
도 1은 전강 침포의 와이어에 대한 독창적 유도 경화 공정을 나타내는 개략적 블록도.
도 2는 전강 침포의 생성을 위한 와이어를 나타내는 개략 사시도.
도 3은 도 2에 따른 와이어의 횡단면도.
도 4는 도 3에 따른 와이어의 상세 측면도.
도 5는 도 3 및 도 4에 따른 와이의 치형부에 대한 경도 진행 사항을 나타내는 도면.
도 6은 경도 전이 구역을 설명하는, 도 3과 유사한 와이어의 상세를 나타내는 횡단면도.
도 2는 전강 침포의 생성을 위한 와이어를 나타내는 개략 사시도.
도 3은 도 2에 따른 와이어의 횡단면도.
도 4는 도 3에 따른 와이어의 상세 측면도.
도 5는 도 3 및 도 4에 따른 와이의 치형부에 대한 경도 진행 사항을 나타내는 도면.
도 6은 경도 전이 구역을 설명하는, 도 3과 유사한 와이어의 상세를 나타내는 횡단면도.
도 1은 클로딩 롤의 전강 침포 조립체에서 요구되는 와이어(11)를 생산하기 위한 장치(10)를 나타낸다. 상기 장치(10)는 상기 장치(10)의 스테이션들을 통해 길이 방향(L)으로 이동하는 프로파일 와이어(12)의 와이어(11) 생성을 위해 배치된다.
특히, 상기 장치(10)는 상기 프로파일 와이어(12)에 리세스들(14)을 제공하며(도 2), 따라서 치형부(15)를 형성하도록 배치되는 펀칭 스테이션(13)을 포함한다. 상기 펀칭 스테이션(13)의 상류에는 하나 이상의 정렬 스테이션 또는 다른 스테이션들이 제공될 수 있다. 추가적으로 또는 보충적으로, 연삭 스테이션 등이 상기 펀칭 스테이션의 하류에 정렬될 수 있다. 예를 들어, 상기 프로파일 와이어(12) 또는 와이어(11)를 정렬하기 위한, 추가의 스테이션들이 필요에 따라 상기 펀칭 스테이션(13)의 상류 또는 하류에 제공될 수 있다; 그러나, 그들에 대하여는 도시하지 않았다.
예를 들면, 상기 와이어(11)의 유도성 가열을 위해 배치된 제 1 도체 형태의, 가열 스테이션은 상기 펀칭 스테이션(13)의 하류에 배열된다. 그 경우, 제 1 유도자(16)가 적어도 상기 와이어의 베이스 섹션(17), 또한 - 선택적으로 - 그의 치형부(15)를 커버하는 필드를 발생시킨다. 상기 제 1 유도자(16)는 100 kHz 내지 5 MHz, 적합하게는 500 kHz 내지 2 MHz의 제 1 주파수(f1)에서 작동하며, 본 발명의 예시적 실시예에 있어서는 1 MHz에서 작동한다. 이 경우, 상기 와이어(11)는 적합하게도 상기 와이어의 베이스 섹션(17) 영역에서 300 ℃ 초과의 제 1 온도(t1)로 가열된다. 본 발명의 예시적 실시예에 있어서, 상기 온도(t1)는 700 ℃ 내지 750 ℃이다. 적합하게도, 상기 온도는 이어지는 담금질 동안 상기 베이스 영역(17)이 전혀 경화되지 않는 방식으로 설정된다.
상기 제 1 유도자(16)로부터의 소정 거리(예를 들면, 몇 데시미터)에, 매우 고 주파수(f2)에서 작동하는 제 2 유도자(18)가 제공된다. 상기 주파수(f2)는 상기 제 1 주파수(f1)보다 적어도 5배, 적합하게는 적어도 10배, 가장 적합하게는 적어도 20배 높다. 예를 들어, 상기 제 2 주파수(f2)는 20 MHz 내지 30 MHz, 적합하게는 27 MHz이다. 이 경우, 상기 제 2 유도자(18)는 적합하게도 오직 상기 치형부(15)만을 또는 각각의 치형부(15)의 섹션을 커버하는 방식으로 구성된다. 상기 유도자들(16 및 18) 사이에는 어떠한 활성 냉각도 없다. 오히려, 상기 와이어(11)는 상기 거리를 2초 미만, 적합하게는 1초 미만에 통과한다.
도 4는 치형 오목부(21)로부터 치단(20)으로 길이 방향에 대해 수직으로 연장하는 치형부 높이(H15)를 갖는 치형부(15)를 나타낸다. 또한, 상기 치형부(15)의 섹션(19)이 형성되어 있으며, 상기 섹션은 상기 치단(20)으로부터 대략 그의 중심으로 또는 약간 추가적으로 상기 치형 오목부(21)의 방향으로 연장한다. 상기 섹션(19)은 적합하게도 상기 치형부 높이(H15)의 70% 이상 더욱 양호하게는 80% 이상에 이르는 높이(H19)를 갖는다. 그러나, 어느 경우든 상기 제 2 유도자(18)는 적어도 각각의 치형부(15)의 섹션(19)을 커버하거나 또한 약간 큰 영역을 커버한다. 그러나, 적합하게도, 상기 제 2 유도자(18)는 상기 치형 오목부(21)를 덮지는 않는다. 상기 제 2 유도자(18), 및 필요한 경우, 또한 상기 제 1 유도자(16)는 예를 들면 질소인 비활성 가스 분위기에서 작업할 수 있다. 이와 같은 가스 분위기는 담금질 스테이션(22)까지 이동할 수 있다.
상기 유도자들(16 및 18)을 통과한 후에, 상기 고온 와이어(11)는 상기 담금질 스테이션(22)에 도달한다. 그에 따라, 상기 베이스 섹션(17)은 오스테나이트화 온도 범위(tA) 미만의 온도(t1)를 가지며, 반면 각각의 치형부(15)의 섹션(19)은 상기 오스테나이트화 온도 범위(tA) 내의 온도(t2)를 갖는다. 상기 섹션(19)으로부터 상기 베이스 섹션(17)까지의 온도 구배는 상기 와이어(11)가 - 상기 와이어가 상기 담금질 섹션(22) 내로 이동하는 동안 - 특히 상기 섹션(19)에서 균일하게 경화되나 상기 와이어(11)의 나머지 부분은 비 경화된 상태로 잔류한다는 효과를 갖는다.
도 3으로부터 명확히 알 수 있는 바와 같이, 상기 베이스 섹션(17)은 상기 길이 방향에 대해 가로 방향으로 그리고 상기 측면에 대해 수직으로 측정될 두께(D17)를 가지며, 상기 두께는 각각의 치형부(15) 상에서 측정된 두께(D15)보다 크게 된다. 상기 베이스(D17)의 열 에너지 저장 용량은 각각의 치형부(15)의 열 에너지 저장 용량보다 크다. 그러나, 상기 담금질 스테이션(22)이 도달되기 전에, 상기 치형부(15)로부터 상기 베이스 섹션(17)까지의 너무 과다한 열 유동은 상기 베이스 섹션(17)의 온도가 상기 제 1 온도(t1)로 상승하게 되므로 회피된다.
상기 벽 섹션(23)은 일반적으로 장방형 단면을 갖는 상기 베이스 섹션(17)으로부터 멀리 연장하며, 이 경우 상기 벽 섹션은 삼각형이나 또는 도시된 바와 같이 사다리꼴 형상의 단면을 가질 수 있다. 상기 제 2 유도자(18)를 통과하는 경우, 상기 와이어(11) 상에 온도 전이 구역(24)이 제공되며, 상기 구역에서 온도는 제 2 고온(t2)(예를 들면, 950 ℃)으로부터, 상기 벽(23)의 나머지 섹션 및 상기 베이스 섹션(17) 상의 온도 전이 구역(24) 이하로 측정될, 제 1 저온(t1)(예를 들면, 550 ℃)으로 강하된다. 따라서, 상기 담금질 스테이션(22)을 통과한 후의 담금질 공정 동안, 도 5에서 설명하고 있는 바와 같은 경도 진행이 상기 와이어(11)에 발생한다. 800 HV 0.5 초과의 균일한 경도가 섹션(19)에서 성취된다. 상기 온도 전이 구역(24)은 상기 경도 전이의 전이 구역(24)으로 되고, 반면 800 HV 0.5 초과의 경도는 약 200 HV 0.5 이하로 강하한다. 이 구역은 상기 베이스 섹션(17)으로부터 멀리 측정된 수직 경도 확대부(24)를 나타내며, 이는 적합하게도 상기 치형부 높이(H15)의 오직 20%에 달한다. 상기 온도 전이 구역(24)은 길이 방향(L)으로 연장하고 상기 높이(H24)에 대응하는 폭을 갖는 직선형 스트립을 형성한다. 이와 같은 스트립은 상기 치형 오목부(24)로부터 소정의 거리(A)에 배열될 수 있다. 그러나, 상기 구역(24)의 베이스-섹션-측면 경계가 상기 치형 오목부(21)와 접촉하도록, 상기 거리(A)를 제로(0)로 감소시키는 것도 또한 가능하고, 이는 장점으로 작용한다. 또한, 상기 치형 오목부(21)가 상기 전이 구역(24)의 경도 전이 영역에 위치하도록, 상기 전이 구역(24)을 훨씬 깊이 위치시키는 것도 가능하다.
도 6은 상기 전이 구역(24)을 단면으로 도시한 도면이다. 라인들(25, 26)로 지시되어 있는 바와 같은, 상기 전이 구역(24)의 경계들은 상기 벽 섹션(23)이나 또는 각각의 치형부(15)를 통해 가로 방향으로 똑바로 연장할 수 있다. 그러나, (적합하게도) 상기 경화된 또는 비경화된 영역에 의해 상기 전이 구역(24)이 곡선 라인들(27, 28)을 따라 구획되게 하는 것도 가능하다. 상기 라인들(25 및/또는 26)은 상기 베이스 섹션(17)의 오목부 표면(17a)과 평행하게 배향될 수 있다. 따라서, 상기 치형부(15)의 양쪽 측면들 상의 라인들(27 및/또는 28) 각각은 동일한 높이에서 종결된다. 적합하게도, 상기 라인들(27, 28)은 상기 오목부 표면(17a)을 향해 굴곡되는 원호를 따른다. 적합하게도, 상기 곡선의 중심은 상기 베이스 섹션(17)으로부터 이격된 각각의 라인(27, 28)의 측면 상에 위치하며 - 적합하게도, 또한 상기 치형부(15)의 횡단면 내에 위치한다. 상기 전이 구역(24)의 경계들은 상기 전강 침포의 횡단면도에서 볼 수 있다. 그러나, 상기 베이스 섹션(17)의 온도(t1)의 대응 설정 및 상기 제 1 유도자(16)(또는 다른 가열 스테이션)와 상기 제 2 유도자 사이의 경로 상에서의 상기 와이어(11) 체류 시간의 설정으로 인해, 상기 베이스 섹션(17)의 열부하[열원 또는 싱크(sink)]는 상기 라인들(25 및/또는 26)이 상기 오목부 표면(17a)에 대해 경사지게 연장하는 방식으로 조절될 수 있다. 다음에 상기 열부하는 상기 치형부(15)의 양쪽 측면들 상의 상이한 높이들에서 종결되는 라인들(27 및/또는 28)에 제공된다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 치형부(15)가 제공되는 와이어(11)는 반드시 제 1 유도자(16)와 제 2 유도자(18)를 통과한다. 상기 유도자들(16, 18)은 상이한 주파수들(f1, f2) 하에서 작동하며, 상이한 온도(t1, t2)를 발생시킨다. 상기 제 1 유도자(16)는 특히 경화되지 않을 상기 베이스 섹션들(17)을 상기 오스테나이트화 온도 범위(tA) 미만의 높은 온도(t1)로 가열한다. 상기 제 2 유도자(18)는 상기 치형부(15)를 상기 오스테나이트화 온도 범위(tA) 내의 여전히 높은 제 2 온도(t2)로 가열한다. 지속적으로 고품질을 갖도록 규정되고 경화된 치형부는 담금질에서 야기된다.
특히 장력을 감소시키기 위한, 상기 와이어(11)의 특성을 개선하기 위해, 상기 와이어는 제 3 유도자(29)를 통과할 수 있다. 상기 제 3 유도자는 500 kHz 내지 5 MHz 사이 및 적합하게는 1 MHz 내지 2 MHz 사이의 제 3 주파수(f3)에서 작동한다. 상기 주파수(f3)는 상기 제 1 주파수(f1)에 대응할 수 있다. 상기 제 3 유도자(29)에 의해 발생된 온도(t3)는 예를 들면 섭씨 몇 백도의 어닐링 온도이다.
또한, 상기 와이어(11)는 - 어닐링 전 또는 후에 - 버르 제거 스테이션을 통해 이동할 수 있다. 이 스테이션에서, 리세스들(14)이 펀칭될 때 잠재적으로 형성되는 펀칭 버르들은, 예를 들면, 상기 치형부(15)의 하나의 평평한 측면 상에서만 작용하는 브러시들에 의해, 제거될 수 있다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 치형부(15)가 제공되는 와이어(11)는 반드시 제 1 유도자(16) 및 제 2 유도자(18)를 통과한다. 상기 유도자들(16, 18)은 상이한 주파수들에서 기능하고 상이한 온도들을 발생시킨다. 상기 제 1 유도자(16)는 특히 경화되지 않을 상기 베이스 섹션(17)을 상기 오스테나이트화 온도 범위 미만의 높은 온도로 가열한다. 상기 제 2 유도자(18)는 상기 치형부(15)를 상기 오스테나이트화 온도 범위 내의 여전히 높은 제 2 온도로 가열한다. 일관되게 고품질을 갖도록 규정되고 경화된 치형부는 담금질에서 야기된다.
10 : 장치
11 : 와이어
12 : 프로파일 와이어
13 : 펀칭 스테이션
14 : 리세스
15 ; 치형부
H15 : 치형부 높이
16 : 제 1 유도자
17 ; 베이스 섹션
t1 : 제 1 온도
f1 : 제 1 주파수
18 : 제 2 유도자
t2 : 제 2 온도
f2 : 제 2 주파수
19 : 치형부(15)의 섹션
20 : 치형부(15)의 치단
21 : 치형 오목부
H19 : 섹션(19)의 높이
22 : 담금질 스테이션
tA : 오스테나이트화 온도 범위
D17 : 베이스 섹션(17)의 두께
D15 : 치형부(15)의 두께
23 : 벽 섹션
24 : 온도 전이 구역
H24 : 상기 구역의 높이
A ; 거리
25, 26, 27, 28 : 라인들
f3 : 제 3 주파수
t3 : 제 3 온도
29 ; 제 3 유도자/다른 열원
30 : 치배
11 : 와이어
12 : 프로파일 와이어
13 : 펀칭 스테이션
14 : 리세스
15 ; 치형부
H15 : 치형부 높이
16 : 제 1 유도자
17 ; 베이스 섹션
t1 : 제 1 온도
f1 : 제 1 주파수
18 : 제 2 유도자
t2 : 제 2 온도
f2 : 제 2 주파수
19 : 치형부(15)의 섹션
20 : 치형부(15)의 치단
21 : 치형 오목부
H19 : 섹션(19)의 높이
22 : 담금질 스테이션
tA : 오스테나이트화 온도 범위
D17 : 베이스 섹션(17)의 두께
D15 : 치형부(15)의 두께
23 : 벽 섹션
24 : 온도 전이 구역
H24 : 상기 구역의 높이
A ; 거리
25, 26, 27, 28 : 라인들
f3 : 제 3 주파수
t3 : 제 3 온도
29 ; 제 3 유도자/다른 열원
30 : 치배
Claims (16)
- 소면기(carding machine)용 전강 침포(all-steel card clothing)의 생산 방법으로서,
베이스 섹션(17)과, 상기 베이스 섹션(17)으로부터 멀리 연장하고 상기 베이스 섹션보다 작은 두께(D15)를 갖는 벽 섹션(23)을 구비하는 와이어(11)를 제공하는 단계;
치형부들(15)을 형성하기 위해 원료 와이어(12)의 벽 섹션(23)에 리세스들(14)을 제공하는 단계;
피드 스루(feed-through) 모드에서, 적어도 상기 와이어(11)의 베이스 섹션(17)을 제 1 온도(t1)로 가열하는 단계;
피드 스루 모드에서, 상기 와이어(11)의 벽 섹션(23)을 적어도 섹션 방향 유도 가열하는 단계로서, 상기 와이어는 적어도 상기 베이스 섹션(17) 상에서 적어도 하나의 유도자(18)에 의해 특정 주파수(f2)에서 제 2 온도(t2)로 예열되고, 상기 제 2 온도(t2)는 상기 제 1 온도(t1)보다 높은, 상기 유도 가열하는 단계;
피드 스루 모드에서, 적어도 상기 와이어(11)의 벽 섹션(23)을 냉각 매체로 담금질하는 단계를 포함하는 소면기용 전강 침포 생산 방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 리세스들(14)은 펀칭 공정에 의해 피드 스루 모드에서 생성되는 것을 특징으로 하는 소면기용 전강 침포 생산 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 온도(f1)는 오스테나이트화 온도 범위(tA) 미만이고, 상기 제 2 온도는 상기 오스테나이트화 온도 범위(tA) 내에 있는 것을 특징으로 하는 소면기용 전강 침포 생산 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 온도(t1)로 가열하는 단계는 제 1 주파수(f1)에서 적어도 하나의 제 1 유도자(16)에 의해 피드 스루 모드에서 발생하며, 이 경우 상기 와이어(11)를 제 2 온도(t2)로 가열하기 위한 상기 유도자(18)는 상기 제 1 주파수(f1)보다 높은 제 2 주파수(f2)에서 작동하는 제 2 유도자(18)인 것을 특징으로 하는 소면기용 전강 침포 생산 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 주파수(f2)는 상기 제 1 주파수(f1)의 적어도 5배인 것을 특징으로 하는 소면기용 전강 침포 생산 방법.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 주파수(f1)는 최대 5 MHz, 적합하게는 최대 3 MHz이며, 상기 제 2 주파수는 적어도 10 MHz, 적합하게는 적어도 15 MHz인 것을 특징으로 하는 소면기용 전강 침포 생산 방법.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 담금질 후에, 상기 와이어(11)는, 적어도 상기 제 2 온도(t2)보다 낮고 적합하게는 상기 제 1 온도(t1)보다 낮은 제 3 온도로 상기 와이어를 가열하기 위해, 상기 제 2 주파수(f2)보다 낮은 제 3 주파수(f3)에서 작동되는 제 3 유도자(29)를 통과하는 것을 특징으로 하는 소면기용 전강 침포 생산 방법.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 상기 제 2 주파수(f2)에서 상기 제 2 온도(t2)로 유도 가열하는 단계는 보호용 가스 하에서 발생하는 것을 특징으로 하는 소면기용 전강 침포 생산 방법.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 와이어(11)는 하나의 측면 상에서 적어도 브러시 작업되는 것을 특징으로 하는 소면기용 전강 침포 생산 방법.
- 길이 방향(L)을 규정하는 와이어(11)를 포함하는 전강 침포로서, 상기 와이어는 베이스 섹션(17) 및 치형부 높이(H15)를 갖는 치형부들(15)을 구비한 벽 섹션(23)을 포함하며, 상기 벽 섹션은 증가된 경도를 나타내고 상기 베이스 섹션(17)으로부터 멀리 연장하는 적어도 하나의 섹션(19)을 가지며,
상기 베이스 섹션(17)은 상기 벽 섹션(23)보다 큰 두께(D17)를 갖는, 상기 전강 침포에 있어서,
상기 벽 섹션(23)은 상기 길이 방향(L)과 평행하게 연장하는 전이 구역(24) 형태로 직선을 따르는 경계를 가지며, 상기 전이 구역에서 경도의 증가가 시작되며, 상기 전이 구역의 폭(H24)은 상기 치형부 높이(H15)의 최대 20%에 이르는 것을 특징으로 하는 전강 침포. - 제 10 항에 있어서, 상기 벽 섹션(23)은 치형부들(15)을 가지며, 상기 전이 구역(24)은 상기 치형부들 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 전강 침포.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 치형부들(15) 사이에 치형 오목부(21)가 형성되며, 이 경우 치단(tooth tip; 20)으로부터 상기 전이 구역(24)까지의 거리는 적합하게도 상기 치형부 높이(H15)의 적어도 70%에 이르는 것을 특징으로 하는 전강 침포.
- 제 10 항에 있어서, 상기 벽 섹션(23)은 치형부들(15)을 가지며, 상기 치형부들 사이에는 각각 하나의 치형 오목부(21)가 형성되고, 상기 전이 구역(24)은 상기 치형 오목부(21)와 접촉하거나 또는 상기 치형 오목부(21)를 포함하거나, 또는 상기 치형 오목부 아래로 연장하는 것을 특징으로 하는 전강 침포.
- 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 벽 섹션(23)은 사다리꼴 또는 삼각형 형상으로 구성되는 단면을 가지며, 상기 베이스 섹션(17)으로부터 멀리 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 전강 침포.
- 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각각의 치형부(15)는 치단(20) 및 직선형 치배(tooth back; 30)를 가지며, 상기 치배는 상기 치단(20)까지 연장하는 것을 특징으로 하는 전강 침포.
- 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전강 침포는 각각 대체로 금속성 브라이트(metallic bright)이고 스케일(scale)이 없고, 이 경우 상기 침포에는 화학적 버르 제거(burr removal) 또는 연속 처치의 자취들(traces)이 발생하지 않을 뿐만 아니라 양쪽 측면들 상에서의 어떠한 기계적 마무리 작업의 자취들도 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 전강 침포.
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