KR20160149155A - 에칭 조성물 및 전도막의 제조 방법 - Google Patents

에칭 조성물 및 전도막의 제조 방법 Download PDF

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KR20160149155A
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구니히로 노다
고이치 미스미
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도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판 표면의 구리 등의 부식을 억제할 수 있는 에칭 조성물 및 상기 에칭 조성물을 이용하는 전도막의 제조 방법을 제공하는 것이다.
산화제, 물 및 하기 일반식(1a)로 나타내는 부식 억제제를 함유하는 에칭 조성물.(식 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R2는 치환기를 가져도 되는 방향족기를 나타내며, R4는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포네이트기, 또는 유기기를 나타내고, n은 0~3의 정수를 나타낸다. 상기 R은 다른 쪽의 R 또는 R2와 결합해 환상 구조를 형성해도 된다.)

Description

에칭 조성물 및 전도막의 제조 방법{ETCHING COMPOSITION AND CONDUCTING FILM}
본 발명은 에칭 조성물 및 상기 에칭 조성물을 이용하는 전도막(傳導膜)의 제조 방법에 관한 것이다.
전도막은 박막 트랜지스터 액정 표시 장치, 플라즈마 디스플레이 패널 표시 장치, 전계 발광 표시 장치 등에 폭넓게 이용되고 있는 박막이며, 상기 평판 디스플레이용 표시 장치에 전도막을 형성하기 위해서는 원하는 미세 패턴을 형성시키는 에칭 공정이 필요하다.
그 때에 이용되는 투명 전극막으로서는 산화 인듐 주석막, 산화 인듐 아연막, 산화 아연막이 이용되고 있고, 상기 산화 인듐 주석막, 산화 인듐 아연막, 산화 아연막의 사용은 보호막 위에 산화 인듐 주석막, 산화 인듐 아연막, 산화 아연막을 형성하고, 포토레지스트를 마스크로서 도포한 후, 산화 인듐 주석막, 산화 인듐 아연막, 산화 아연막을 에칭시킨다.
종래의 전도막 에칭 용액으로서는 염산/질산 혼합 수용액(왕수), 염산/아세트산 혼합 수용액, 인산 수용액 등이 이용되고 있지만, 이와 같은 종래의 전도막용 에칭 용액은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.
첫째로, 염산/질산 혼합 수용액(왕수), 염산/아세트산 혼합 수용액은 에칭 속도가 빠르고 안정적이지만, 염산이나 질산이 휘발하기 때문에 에칭 용액 조성물의 성분량의 변동이 격렬하고, 그것에 의한 흄(fume) 발생이 많아서 작업 환경을 오염시켜, 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 공정에서 전극 재료로 주로 이용되고 있는 구리 또는 구리 합금을 침해한다는 결점이 있다.
두번째로, 인산 수용액은 전극 재료로서 주로 이용되는 구리막, 구리 합금막 등을 침해해, 전도막 중의 산화 인듐 주석막의 에칭을 방해한다는 결점이 있다.
상기의 문제 특히 박막 트랜지스터의 전극 재료로서 주로 이용되는 구리막, 구리 합금막 등을 침해하는 현상을 해결하는 전도막 에칭 조성물로서 소정의 조성의 부식 억제제와 경시 변화 억제제를 포함하는 수용액이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1).
일본 특표 2012-508965호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재되는 전도막 에칭 조성물이어도, 구리 등에 대한 침해 현상의 해소는 불충분하다.
본 발명은 이와 같은 종래의 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 표면의 구리 등의 부식을 억제할 수 있는 에칭 조성물 및 상기 에칭 조성물을 이용하는 전도막의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 소정의 위치가, 소정의 구조의 방향족기와, 치환기를 가지고 있어도 되는 이미다졸릴기로 치환되어 있는 특정한 구조의 포화 지방산 또는 포화 지방산 에스테르를 포함하는 에칭 조성물을 이용하여, 전극, 배선 등의 구리 등을 표면에 가지는 기판 위의 전도막을 에칭함으로써, 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는 본 발명은 이하의 것을 제공한다.
본 발명의 제1 양태는 산화제, 물 및 하기 일반식(1a)로 나타내는 부식 억제제를 함유하는 에칭 조성물이다.
[화 1]
Figure pat00001
(식 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R2는 치환기를 가져도 되는 방향족기를 나타내며, R4는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포네이트기, 또는 유기기를 나타내고, n은 0~3의 정수를 나타낸다. 상기 R은 다른 쪽의 R 또는 R2와 결합해 환상 구조를 형성해도 된다.)
본 발명의 제2 양태는 기판 위의 전도막을 본 발명의 제1 양태의 에칭 조성물을 이용해 에칭하는 공정을 포함하는, 전도막의 제조 방법이다.
본 발명에 의하면, 기판 표면의 구리 등의 부식을 억제할 수 있는 에칭 조성물 및 상기 에칭 조성물을 이용하는 전도막의 제조 방법을 제공할 수 있다.
≪에칭 조성물≫
본 발명의 제1 양태인 에칭 조성물은 산화제, 물 및 하기 일반식(1a)로 나타내는 부식 억제제를 함유한다.
＜식(1a)로 나타내는 부식 억제제＞
본 발명에 이용하는 부식 억제제는 식(1a)로 나타내는 이미다졸 화합물(이하, 「이미다졸 화합물」이라고 약칭하는 경우가 있음)이다. 본 발명의 에칭 조성물은 상기 이미다졸 화합물을 함유함으로써, 구리, 구리 합금 등의 금속을 적어도 표면의 일부에 가지는 기판의 표면 및 기판의 표면에 구리, 구리 합금 등의 금속으로 이루어지는 배선, 전극 등을 가지는 기판의 표면(본 명세서에서, 「기판 표면」이라고 총칭하는 경우가 있음)에서의 상기 금속의 부식을 방지할 수 있다. 그 작용 기구에 대해서는 분명하지 않지만, 상기 이미다졸 화합물을 구리, 구리 합금 등의 금속과 접촉시키는 경우, 상기 이미다졸 화합물과 금속 이온이 반응해 금속의 표면에 화성 피막이 형성되는 것으로 생각되고, 상기 화성 피막에 의해 금속의 부식이 억제되는 것으로 생각된다.
[화 2]
Figure pat00002
(식 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R2는 치환기를 가져도 되는 방향족기를 나타내고, R4는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포네이트기, 또는 유기기를 나타내고, n은 0~3의 정수를 나타낸다. 상기 R은 다른 쪽의 R 또는 R2와 결합해 환상 구조를 형성해도 된다.)
식(1a) 중, R은 1가의 유기기이다. 1가의 유기기로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 방향족기 등이어도 되고, 이 알킬기는 쇄 중에 에스테르 결합 등을 가지는 것이어도 된다. 알킬기로서는, 예를 들면 후술한 식(1)에서의 R1 등과 동일해도 되지만, 그 탄소수는 1~40이 바람직하고, 1~30이 보다 바람직하며, 1~20이 더욱 바람직하고, 1~10이 보다 더 바람직하다. 상기 알킬기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는, 예를 들면 후술한 식(1)에서의 R3인 알킬렌기가 가지고 있어도 되는 치환기와 동일해도 된다. 치환기를 가져도 되는 방향족기로서는 후술한 식(1)에서의 R2와 동일하고, 아릴기가 바람직하며, 페닐기가 보다 바람직하다. R로서의 치환기를 가져도 되는 방향족기는 R2와 동일해도 상이해도 된다. 식(1a) 중, 한쪽의 R은 수소 원자인 것이 바람직하고, 한쪽의 R이 수소 원자이며 다른 쪽의 R이 치환기를 가져도 되는 알킬기 또는 치환기를 가져도 되는 방향족기인 것이 보다 바람직하다. 식(1a) 중, R은 다른 쪽의 R 또는 R2와 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 예를 들면 적어도 1개의 R이 치환기를 가져도 되는 알킬기인 경우, R은 다른 쪽의 R 또는 R2와 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 된다.
식(1a)로 나타내는 이미다졸 화합물은 하기 식(1)로 나타내는 화합물이어도 된다.
[화 3]
Figure pat00003
(식(1) 중, R2, R4, 및 n은 식(1a)과 동일하고, R1은 수소 원자 또는 알킬기이며, R3은 치환기를 가져도 되는 알킬렌기이다. R3은 R2와 결합해 환상 구조를 형성해도 된다.)
식(1) 중, R1은 수소 원자 또는 알킬기이다. R1가 알킬기인 경우, 상기 알킬기는 직쇄 알킬기여도, 분기쇄 알킬기여도 된다. 상기 알킬기의 탄소 원자수는 특별히 한정되지 않지만, 1~20이 바람직하고, 1~10이 바람직하며, 1~5가 보다 바람직하다.
R1로서 바람직한 알킬기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸-n-헥실기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, 및 n-이코실기를 들 수 있다.
식(1) 중, R2는 치환기를 가져도 되는 방향족기이다. 치환기를 가져도 되는 방향족기는 치환기를 가져도 되는 방향족 탄화수소기여도 되고, 치환기를 가져도 되는 방향족 복소환기여도 된다.
방향족 탄화수소기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 방향족 탄화수소기는 단환식의 방향족기여도 되고, 2 이상의 방향족 탄화수소기가 축합해 형성된 것이어도 되며, 2 이상의 방향족 탄화수소기가 단결합에 의해 결합해 형성된 것이어도 된다. 방향족 탄화수소기로서는 페닐기, 나프틸기, 비페닐릴기, 안트릴기, 페난트레닐기가 바람직하다.
방향족 복소환기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 방향족 복소환기는 단환식기여도 되고, 다환식기여도 된다. 방향족 복소환기로서는 피리딜기, 푸릴기, 티에닐기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 이소티아졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 및 벤조이미다졸릴기가 바람직하다.
페닐기, 다환 방향족 탄화수소기, 또는 방향족 복소환기가 가져도 되는 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니아기, 및 유기기를 들 수 있다. 페닐기, 다환 방향족 탄화수소기, 또는 방향족 복소환기가 복수의 치환기를 가지는 경우, 상기 복수의 치환기는 동일해도 상이해도 된다.
방향족기가 가지는 치환기가 유기기인 경우, 상기 유기기로서는 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 및 아랄킬기 등을 들 수 있다. 이 유기기는 상기 유기기 중에 헤테로 원자 등의 탄화수소기 이외의 결합이나 치환기를 포함하고 있어도 된다. 또, 이 유기기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 하나여도 된다. 이 유기기는 통상은 1가이지만, 환상 구조를 형성하는 경우 등에는 2가 이상의 유기기가 될 수 있다.
방향족기가 인접하는 탄소 원자상에 치환기를 가지는 경우, 인접하는 탄소 원자상에 결합하는 2개의 치환기는 그것이 결합해 환상 구조를 형성해도 된다. 환상 구조로서는 지방족 탄화수소환이나, 헤테로 원자를 포함하는 지방족환을 들 수 있다.
방향족기가 가지는 치환기가 유기기인 경우에, 상기 유기기에 포함되는 결합은 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 유기기는 산소 원자, 질소 원자, 규소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 결합을 포함하고 있어도 된다. 헤테로 원자를 포함하는 결합의 구체예로서는 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R은 수소 원자 또는 유기기를 나타냄), 카보네이트 결합, 설포닐 결합, 설피닐 결합, 아조 결합 등을 들 수 있다.
유기기가 가져도 되는 헤테로 원자를 포함하는 결합으로서는 식(1a) 또는 식(1)로 나타내는 이미다졸 화합물의 내열성의 관점에서, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐 결합, 티오카르보닐 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 아미노 결합(-NR-: R은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타냄) 우레탄 결합, 이미노 결합(-N=C(-R)-, -C(=NR)-: R은 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타냄), 카보네이트 결합, 설포닐 결합, 설피닐 결합이 바람직하다.
유기기가 탄화수소기 이외의 치환기인 경우, 탄화수소기 이외의 치환기의 종류는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 탄화수소기 이외의 치환기의 구체예로서는 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 시아노기, 이소시아노기, 시아네이토기, 이소시아네이토기, 티오시아네이토기, 이소티오시아네이토기, 실릴기, 실라놀기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아미노기, 모노알킬아미노기, 디알킬알루미늄기, 모노아릴아미노기, 디아릴아미노기, 카르바모일기, 티오카르바모일기, 니트로기, 니트로소기, 카르복실레이트기, 아실기, 아실옥시기, 설피노기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포네이트기, 알킬에테르기, 알케닐에테르기, 알킬티오에테르기, 알케닐티오에테르기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기 등을 들 수 있다. 상기 치환기에 포함되는 수소 원자는 탄화수소기에 따라 치환되어 있어도 된다. 또, 상기 치환기에 포함되는 탄화수소기는 직쇄상, 분기쇄상 및 환상 중 어느 하나여도 된다.
페닐기, 다환 방향족 탄화수소기, 또는 방향족 복소환기가 가지는 치환기로서는 탄소 원자수 1~12의 알킬기, 탄소 원자수 1~12의 아릴기, 탄소 원자수 1~12의 알콕시기, 탄소 원자수 1~12의 아릴옥시기, 탄소 원자수 1~12의 아릴아미노기, 및 할로겐 원자가 바람직하다.
R2로서는 식(1a) 또는 식(1)로 나타내는 이미다졸 화합물을 염가로, 또한 용이하게 합성할 수 있고, 이미다졸 화합물의 물이나 유기용제에 대한 용해성이 양호한 점에서, 각각 치환기를 가져도 되는 페닐기, 푸릴기, 티에닐기가 바람직하다.
식(1) 중, R3은 치환기를 가져도 되는 알킬렌기이다. 알킬렌기가 가지고 있어도 되는 치환기는 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다. 알킬렌기가 가지고 있어도 되는 치환기의 구체예로서는 수산기, 알콕시기, 아미노기, 시아노기, 및 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 알킬렌기는 직쇄 알킬렌기여도, 분기쇄 알킬렌기여도 되고, 직쇄 알킬렌기가 바람직하다. 알킬렌기의 탄소 원자수는 특별히 한정되지 않지만, 1~20이 바람직하고, 1~10이 바람직하며, 1~5가 보다 바람직하다. 또한 알킬렌기의 탄소 원자수에는 알킬렌기에 결합하는 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않는다.
알킬렌기에 결합하는 치환기로서의 알콕시기는 직쇄 알콕시기여도, 분기쇄 알콕시기여도 된다. 치환기로서의 알콕시기의 탄소 원자수는 특별히 한정되지 않지만, 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다.
알킬렌기에 결합하는 치환기로서의 아미노기는 모노알킬아미노기 또는 디알킬아미노기여도 된다. 모노알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 포함되는 알킬기는 직쇄 알킬기여도 분기쇄 알킬기여도 된다. 모노알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 포함되는 알킬기의 탄소 원자수는 특별히 한정되지 않지만, 1~10이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 특히 바람직하다.
R3로서 바람직한 알킬렌기의 구체예로서는 메틸렌기, 에탄-1,2-디일기, n-프로판-1,3-디일기, n-프로판-2,2-디일기, n-부탄-1,4-디일기, n-펜탄-1,5-디일기, n-헥산-1,6-디일기, n-헵탄-1,7-디일기, n-옥탄-1,8-디일기, n-노난-1,9-디일기, n-데칸-1,10-디일기, n-운데칸-1,11-디일기, n-도데칸-1,12-디일기, n-트리데칸-1,13-디일기, n-테트라데칸-1,14-디일기, n-펜타데칸-1,15-디일기, n-헥사 데칸-1,16-디일기, n-헵타데칸-1,17-디일기, n-옥타데칸-1,18-디일기, n-노나데칸 1,19-디일기, 및 n-이코산-1,20-디일기를 들 수 있다.
R4는 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포네이트기, 또는 유기기이며, n은 0~3의 정수이다. n이 2~3의 정수인 경우, 복수의 R4는 각각 동일해도 상이해도 된다.
R4가 유기기인 경우, 상기 유기기는 R2에 대해서, 방향족기가 치환기로서 가지고 있어도 되는 유기기와 동일하다.
R4가 유기기인 경우, 유기기로서는 알킬기, 방향족 탄화수소기, 및 방향족 복소환기가 바람직하다. 알킬기로서는 탄소 원자수 1~8의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 및 이소프로필기가 보다 바람직하다. 방향족 탄화수소기로서는 페닐기, 나프틸기, 비페닐릴기, 안트릴기, 및 페난트레닐기가 바람직하고, 페닐기, 및 나프틸기가 보다 바람직하며, 페닐기가 특히 바람직하다. 방향족 복소환기로서는 피리딜기, 푸릴기, 티에닐기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 이소티아졸릴기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 및 벤조이미다졸릴기가 바람직하고, 푸릴기, 및 티에닐기가 보다 바람직하다.
R4가 알킬기인 경우, 알킬기의 이미다졸환상에서의 결합 위치는 2위치, 4위치, 5위치 모두 바람직하고, 2위치가 보다 바람직하다. R4가 방향족 탄화수소기 및 방향족 복소환기인 경우, 이들 기의 이미다졸상에서의 결합 위치는 2위치가 바람직하다.
상기 식(1a)로 나타내는 이미다졸 화합물 중에서는 염가, 또한 용이하게 합성 가능하고, 물에 대한 용해성이 뛰어난 점에서, 하기 식(1-1a)로 나타내는 화합물이 바람직하다.
[화 4]
Figure pat00004
(식(1-1a) 중, R, R4 및 n은 식(1a)과 동일하고, R5, R6, R7, R8, 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니아기, 또는 유기기이며, 단 R5, R6, R7, R8, 및 R9 중 적어도 1개는 수소 원자 이외의 기이다. R5, R6, R7, R8, 및 R9 중 적어도 2개가 결합해 환상 구조를 형성해도 된다. R은 R7과 결합해 환상 구조를 형성해도 된다.)
R5, R6, R7, R8, 및 R9는 후술한 식(1-1)과 동일하다. 식(1-1a) 중, R은 R7과 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 되고, 예를 들면 R이 치환기를 가져도 되는 알킬기인 경우, R은 R7과 결합해 환상 구조를 형성하고 있어도 된다.
상기 식(1) 또는 식(1-1a)로 나타내는 이미다졸 화합물 중에서는 염가, 또한 용이하게 합성 가능하고, 물에 대한 용해성이 뛰어난 점에서, 하기 식(1-1)로 나타내는 화합물이 바람직하고, 식(1-1)으로 나타내며, R3이 메틸렌기인 화합물이 보다 바람직하다.
[화 5]
Figure pat00005
(식(1-1) 중, R1, R3, R4, 및 n은 식(1)과 동일하고, R5, R6, R7, R8, 및 R9는 식(1-1a)과 동일하다. R5, R6, R7, R8, 및 R9 중 적어도 2개가 결합해 환상 구조를 형성해도 된다. R3은 R7과 결합해 환상 구조를 형성해도 된다.)
R5, R6, R7, R8, 및 R9가 유기기인 경우, 상기 유기기는 식(1)에서의 R2가 치환기로서 가지는 유기기와 동일하다. R5, R6, R7, 및 R8은 이미다졸 화합물의 용매에 대한 용해성의 점에서 수소 원자인 것이 바람직하다.
그 중에서도, R5, R6, R7, R8, 및 R9 중 적어도 하나는 하기 치환기인 것이 바람직하고, R9가 하기 치환기인 것이 특히 바람직하다. R9가 하기 치환기인 경우, R5, R6, R7, 및 R8은 수소 원자인 것이 바람직하다.
-O-R10
(R10은 수소 원자 또는 유기기이다.)
R10이 유기기인 경우, 상기 유기기는 식(1)에서의 R2가 치환기로서 가지는 유기기와 동일하다. R10로서는 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 1~8의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소 원자수 1~3의 알킬기가 특히 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.
상기 식(1-1)로 나타내는 화합물 중에서는 하기 식(1-1-1)로 나타내는 화합물이 바람직하다.
[화 6]
Figure pat00006
(식(1-1-1)에서, R1, R4, 및 n은 식(1)과 동일하고, R11, R12, R13, R14, 및 R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설피노기, 설포기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포노기, 포스포네이트기, 아미노기, 암모니아기, 또는 유기기이며, 다만 R11, R12, R13, R14, 및 R15 중 적어도 1개는 수소 원자 이외의 기이다.)
식(1-1-1)로 나타내는 화합물 중에서도, R11, R12, R13, R14, 및 R15 중 적어도 1개가 전술한 -O-R10로 나타내는 기인 것이 바람직하고, R15가 -O-R10로 나타내는 기인 것이 특히 바람직하다. R15가 -O-R10로 나타내는 기인 경우, R11, R12, R13, 및 R14는 수소 원자인 것이 바람직하다.
상기 식(1a)로 나타내는 이미다졸 화합물의 합성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, R2CR(Hal)R(R2 및 R은 식(1a)과 동일하고, Hal은 할로겐 원자이다)로 나타내는 할로겐화물과, 후술한 식(Ⅱ)로 나타내는 이미다졸 화합물을, 상법에 따라 반응시켜 이미다졸릴화를 실시함으로써, 상기 식(1a)로 나타내는 이미다졸 화합물을 합성할 수 있다.
상기 식(1)로 나타내는 이미다졸 화합물의 합성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 하기 식(I)로 나타내는 할로겐 함유 카르복시산 유도체와, 하기 식(Ⅱ)로 나타내는 이미다졸 화합물을, 상법에 따라 반응시켜 이미다졸릴화를 실시함으로써, 상기 식(1)로 나타내는 이미다졸 화합물을 합성할 수 있다.
[화 7]
Figure pat00007
(식(I) 및 식(Ⅱ) 중, R1, R2, R3, R4 및 n은 식(1)과 동일하다. 식(I)에서, Hal은 할로겐 원자이다)
또, 이미다졸 화합물이 식(1)으로 나타내고, 또한 R3이 메틸렌기인 화합물인 경우, 즉 이미다졸 화합물이 하기 식(1-1)로 나타내는 화합물인 경우, 이하에 설명하는 Michael 부가 반응에 의한 방법에 의해서, 이미다졸 화합물을 합성할 수 있다.
[화 8]
Figure pat00008
(식(1-2) 중, R1, R2, R4 및 n은 식(1)과 동일하다.)
구체적으로는, 예를 들면 하기 식(Ⅲ)로 나타내는 3-치환 아크릴산 유도체와, 상기 식(Ⅱ)로 나타내는 이미다졸 화합물을 용매 중에서 혼합해 Michael 부가 반응을 일으키게 함으로써, 상기 식(1-2)로 나타내는 이미다졸 화합물이 얻어진다.
[화 9]
Figure pat00009
(식(Ⅲ) 중, R1, R2, R4 및 n은 식(1)과 동일하다.)
또, 하기 식(Ⅳ)로 나타내는 이미다졸릴기를 포함하는 3-치환 아크릴산 유도체를, 물을 포함하는 용매 중에 가함으로써, 하기 식(1-3)로 나타내는 이미다졸 화합물이 얻어진다.
[화 10]
Figure pat00010
(식(Ⅳ) 및 식(1-3) 중, R2, R4 및 n은 식(1)과 동일하다.)
이 경우, 상기 식(Ⅳ)로 나타내는 3-치환 아크릴산 유도체의 가수분해에 의해, 상기 식(Ⅱ)로 나타내는 이미다졸 화합물과, 하기 식(V)로 나타내는 3-치환 아크릴산이 생성된다. 그리고, 하기 식(V)로 나타내는 3-치환 아크릴산과, 상기 식(Ⅱ)로 나타내는 이미다졸 화합물 사이에 Michael 부가 반응이 생겨 상기 식(1-3)로 나타내는 이미다졸 화합물이 생성된다.
[화 11]
Figure pat00011
(식(V) 중, R2는 식(1)과 동일하다.)
식(1a)로 나타내는 이미다졸 화합물의 바람직한 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있다.
[화 12]
Figure pat00012
식(1a)로 나타내는 부식 억제제의 함유량은 본 발명의 에칭 조성물의 중량에 대해, 하한값으로서 예를 들면 0.1중량%, 바람직하게는 0.5중량%, 보다 바람직하게는 0.8중량%이며, 상한값으로서 예를 들면 10중량%, 바람직하게는 7중량%, 보다 바람직하게는 5중량%이다. 이러한 범위 내이면, 에칭 속도를 적절히 유지하면서, 기판 표면의 구리, 구리 합금 등의 금속의 부식을 억제할 수 있다.
＜산화제＞
본 발명의 에칭 조성물에 함유되는 산화제는 에칭 대상을 에칭하는 또는 상기 에칭을 촉진하는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 통상 함할로겐 화합물, 보조 산화제, 에칭 조절제로 대별된다.
산화제는 본 발명의 에칭 조성물의 중량에 대해, 하한값으로서 예를 들면 0.05중량%, 0.1중량%, 2중량%, 3중량%, 4중량%, 5중량%여도 되고, 상한값으로서 예를 들면 20중량%, 18중량%, 15중량%, 14중량%, 12중량%, 10중량%여도 된다. 이러한 범위 내이면 기판 표면의 구리, 구리 합금 등의 금속의 부식을 억제하고, 또한 에칭 속도를 적당히 유지하면서 에칭 작용을 발휘할 수 있다.
[함할로겐 화합물]
본 발명의 에칭 조성물에 함유되는 함할로겐 화합물은 전도막 등의 에칭 대상을 에칭하는 주요 산화제로서의 기능을 한다. 함할로겐 화합물은 특별히 한정되지 않지만, 에칭 조성물에서 할로겐 이온 또는 다원자 할로겐 이온으로 해리될 수 있는 화합물을 바람직하게 이용할 수 있고, 구체적으로는 하기 일반식(2)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.
[화 13]
Figure pat00013
(식 중, A는 수소 이온(H＋), 암모늄 이온(NH4＋), 철 이온(Fe2 ＋, Fe3 ＋), 알루미늄 이온(Al3 ＋) 또는 산화 수가 1~3가인 알킬 금속 이온이며, X는 할로겐 원소이고, m은 A의 산화 수이다.)
함할로겐 화합물은 구체적으로는 할로겐화 수소, 암모늄할라이드, 할로겐화철 또는 알칼리할라이드 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 염화수소(HCl), 염화알루미늄(AlCl3), 불화암모늄(NH4F), 요오드화칼륨(KI), 염화칼륨(KCl) 및 염화암모늄(NH4Cl)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개인 것이 바람직하다.
함할로겐 화합물은 본 발명의 에칭 조성물의 중량에 대해, 하한값으로서 예를 들면 0.05중량%, 바람직하게는 2중량%, 보다 바람직하게는 4중량%이며, 상한값으로서 예를 들면 15중량%, 바람직하게는 12중량%, 보다 바람직하게는 10중량%이다. 이러한 범위 내이면, 기판 표면의 구리, 구리 합금 등의 금속의 부식을 억제하고, 또 에칭 속도를 적절히 유지하면서, 에칭 작용을 발휘할 수 있다.
[보조 산화제]
본 발명의 에칭 조성물에 함유되는 보조 산화제는 에칭을 보조하는 기능을 한다. 보조 산화제로서는 에칭 조성물에서 질산 이온(NO3 -)에 해리하는 화합물을 바람직하게 이용할 수 있고, 구체적으로는 질산암모늄(NH4NO3), 질산칼륨(KNO3), 질산(HNO3), 질산구리(CuNO3) 및 질산나트륨(NaNO3)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개인 것이 바람직하다.
보조 산화제는 본 발명의 에칭 조성물의 중량에 대해, 하한값으로서 예를 들면 0.1중량%, 바람직하게는 3중량%, 보다 바람직하게는 5중량%이며, 상한값으로서 예를 들면 20중량%, 바람직하게는 18중량%, 보다 바람직하게는 15중량%이다. 이러한 범위 내이면, 기판 표면의 구리 등의 금속의 부식을 억제할 수 있는 것과 함께, 에칭 속도를 적절히 유지할 수 있다.
[에칭 조절제]
본 발명의 에칭 조성물에 함유되는 에칭 조절제로서는, 예를 들면 황산 및 황산염 화합물을 이용할 수 있고, 보다 구체적으로는 황산(H2SO4), 황산암모늄((NH4)2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼륨(K2SO4), 중황산암모늄(NH4SO4H), 중황산나트륨(NaSO4H), 중황산칼륨(KSO4H), 과황산암모늄((NH4)2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 및 과황산칼륨(K2S2O8)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개인 것이 바람직하다. 에칭 조성물에서 황산 이온(SO4 -)에 해리하는 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.
에칭 조절제는 본 발명의 에칭 조성물의 중량에 대해, 하한값으로서 예를 들면 0.05중량%, 바람직하게는 3중량%, 보다 바람직하게는 5중량%이며, 상한값으로서 예를 들면 15중량%, 바람직하게는 14중량%이다. 이러한 범위 내이면, 기판 표면의 구리 등의 금속의 부식을 억제할 수 있는 것과 함께, 에칭 속도를 적절히 유지할 수 있다.
＜그 밖의 성분＞
본 발명의 에칭 조성물은 상술한 일반식(1a)로 나타내는 부식 억제제 및 산화제 외에, 필요에 따라 예를 들면 하기와 같은 다른 성분도 함유하는 것이어도 된다.
[경시 변화 억제제]
본 발명의 에칭 조성물에 함유해도 되는 경시 변화 억제제는 에칭 조성물의 증발량을 감소시켜 에칭 조성물의 성분량의 변동을 감소시켜, 그것에 의한 흄(fume) 발생량이 감소될 수 있다. 경시 변화 억제제로서는 특별히 한정되지 않지만, 에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 및 폴리테트라메틸렌글리콜로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개인 것이 바람직하다.
경시 변화 억제제는 본 발명의 에칭 조성물의 중량에 대해, 0~50중량%인 것이 바람직하다. 경시 변화 억제제의 함량이 너무 많으면 전도막의 에칭 속도가 늦어지는 현상이 발생하는 경우가 있다.
[잔사 억제제]
본 발명의 에칭 조성물에 함유해도 되는 잔사 억제제는 에칭 조성물의 습윤성을 향상시켜 에칭을 원활히 해, 잔사를 억제할 수 있다. 잔사 억제제로서는 수용성의 아세트산기를 가지는 화합물 등을 바람직하게 이용할 수 있고, 구체적으로는 하기 일반식(3)의 구조를 가질 수 있다.
[화 14]
Figure pat00014
(식 중, B는 수소 이온(H＋), 암모늄 이온(NH4＋), 철 이온(Fe2 ＋, Fe3 ＋), 알루미늄 이온(Al3 ＋) 또는 산화 수가 1~3가인 알킬 금속 이온이며, n은 B의 산화 수이다.)
상기 일반식(3)에서, n은 1~3의 정수인 것이 바람직하다.
상기 잔사 억제제로서는 특별히 한정되지 않지만, 아세트산, 아세트산칼륨, 아세트산암모늄, 아세트산나트륨, 아세트산마그네슘, 아세트산망간 및 아세트산아연으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개인 것이 바람직하다.
잔사 억제제는 본 발명의 에칭 조성물의 중량에 대해, 0.1~15중량%인 것이 바람직하다. 이러한 범위 내이면, 잔사를 억제해 에칭 조성물을 사용한 후에도 잔유물이 발생하지 않고, 경시 변화를 억제할 수 있다.
본 발명의 에칭 조성물은, 또 상술한 일반식(1a)로 나타내는 이미다졸 화합물을 함유하는 것이면, 다른 부식 억제제를 함유할 필요는 없지만, 다른 부식 억제제도 함유하는 것이어도 된다. 이러한 다른 부식 억제제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 벤조트리아졸, 아미노테트라졸, 5-아미노-1-페닐테트라졸, 5-아미노-1-(1-나프틸)테트라졸, 1-메틸-5-아미노테트라졸, 1,5-디아미노테트라졸, 이미다졸, 인돌, 푸린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤, 피롤리딘, 피롤린 등의 함질소 복소환 화합물 외에, 2급 아민계 화합물, 아미노산계 화합물 등을 들 수 있다.
＜물＞
본 발명의 에칭 조성물은 산화제, 및, 상기 일반식(1a)로 나타내는 부식 억제제 외에, 물을 함유한다. 즉, 본 발명의 에칭 조성물은 적어도 상술한 산화제 및 일반식(1a)로 나타내는 부식 억제제를 함유하고, 필요에 따라 상술한 그 밖의 성분을 함유하며, 잔부를 물로 구성한다.
＜에칭 조성물의 조제 방법＞
본 발명의 에칭 조성물은 적어도 상술한 산화제 및 일반식(1a)로 나타내는 부식 억제제 및, 필요에 따라 상술한 그 외의 성분을 함유하고, 잔부를 물로 구성해, 조성물 전체적으로 100중량%가 되도록, 각 성분을 상술한 함유량이 되도록 임의의 차례로 혼합해 균일하게 함으로써 조제할 수 있다.
＜에칭 조성물의 용도＞
본 발명에 의한 에칭 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 전도막의 에칭에 적합하게 이용할 수 있고, 예를 들면 평판 디스플레이용 투명 전극을 형성하기 위해서 이용할 수 있다. 이때, 이용되는 투명 전극막으로서는 인듐 산화 주석막, 인듐 산화 아연막, 산화 아연막 등을 이용할 수 있고, 상기 인듐 산화 주석막, 인듐 산화 아연막, 산화 아연막의 사용은 보호막 위에 인듐 산화 주석막, 인듐 산화 아연막, 산화 아연막을 형성하고, 포토레지스트를 마스크로서 도포한 후, 인듐 산화 주석막, 인듐 산화 아연막, 산화 아연막을 에칭시킬 수 있다.
또, 본 발명에 의한 에칭 조성물은 비투명의 전도막의 에칭에 이용해도 된다. 비투명의 전도막의 예로서는 산화구리막이나 알루미늄 구리막 등을 들 수 있다.
≪전도막의 제조 방법≫
본 발명의 제2 양태인 전도막의 제조 방법은 기판 위의 전도막을 본 발명의 제1 양태의 에칭 조성물을 이용해 에칭하는 공정을 포함한다.
기판의 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 실리콘, SiO2나 SiN 등의 무기 기판, SOG 등의 도포계 무기 기판 등, 전도막 등의 제조에 일반적으로 이용되는 기판을 이용할 수 있지만, 본 발명의 제1 양태인 에칭 조성물은 구리, 구리 합금 등의 금속을 적어도 표면의 일부에 가지는 기판, 및 기판의 표면에 구리, 구리 합금 등의 금속으로 이루어지는 배선, 전극 등을 가지는 기판을 특히 적합하게 이용할 수 있다. 기판, 배선 등을 구성하는 금속으로서는, 예를 들면 구리, 금, 니켈, 팔라듐 등을 들 수 있고, 이들을 포함하는 합금이어도 되지만, 본 발명의 목적이 특히 효과적으로 달성되는 관점 및 고범용성인 관점에서, 특히 구리, 구리 합금을 적합하게 이용할 수 있다.
금속으로 이루어지는 배선을 지지하는 기판은 통상 절연 기판이다. 절연 기판으로서는 유기 기판, 세라믹 기판, 실리콘 기판, 유리 기판 등을 들 수 있다. 유기 기판의 재료는 특별히 한정되지 않고, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지 에폭시 수지 등의 열경화성 수지나, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌 옥사이드 수지, 폴리페닐렌 설파이드 수지, 아라미드 수지, 액정 폴리머 등의 열가소성 수지를 이용할 수 있다. 또, 유리 섬유, 아라미드 섬유, 방향족 폴리아미드 섬유 등의 직포 또는 부직포에 열경화성 수지를 함침시킨 후에 경화시킨 재료도 기판으로서 적합하게 이용된다.
본 발명의 제1 양태의 에칭 조성물을 이용해 에칭하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 상법을 이용할 수 있으며, 예를 들면 기판 위에 포토리소그래피 기술 등을 이용해 형성한 전도막 등의 패턴에 본 발명의 에칭 조성물을 스프레이법, 침지법, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 롤러 코트법 등에 의해 노출하고, 예를 들면 10~80℃, 바람직하게는 20~40℃로 유지한 에칭 조성물을 예를 들면 0.5~10분간, 바람직하게는 1~5분간 접촉시킴으로써 실시할 수 있다. 에칭 후에는 통상 순수 등에 의해 유수 세정한다.
본 발명의 에칭 조성물 및 상기 에칭 조성물을 이용하는 전도막의 제조 방법은 기판 표면에서의 금속, 특히 구리, 구리 합금의 부식(침해)을 효과적으로 억제하면서, 에칭하는 것을 가능하게 하는 것이며, 예를 들면 산화 인듐 주석막 등의 에칭 대상을 에칭하면서, 상기 에칭 대상의 아래에 구리막, 구리 합금막 등의 금속막이 있어도 상기 금속막의 부식(침해)을 억제할 수 있으므로, 금속의 용출에 의한 에칭에 대한 악영향을 부여하는 경우가 없고, 또 에칭 대상의 아래의 기판 표면을 보호할 수 있으므로, 코스트 저감, 공정 수율의 향상에도 기여할 수 있다. 이와 같은 본 발명의 에칭 조성물은 특히 전도막의 제조에 적합하고, 전도막의 선택적 패턴 에칭을 가능하게 한다.
[ 실시예 ]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예, 비교예]
＜부식 억제제＞
부식 억제제로서 하기 구조의 화합물 1, 비교 화합물 1 및 비교 화합물 2 및 벤조트리아졸을 비교 화합물 3으로서 이용했다.
[화 15]
Figure pat00015
[화 16]
Figure pat00016
[화 17]
Figure pat00017
[합성예 1]
상기 부식 억제제 중, 상기 화합물 1은 이하의 방법에 의해 합성했다.
우선, 하기 식의 구조의 신남산 유도체 30g을 메탄올 200g에 용해시킨 후, 메탄올 중에 수산화칼륨 7g를 첨가했다. 그 다음에, 메탄올 용액을 40℃에서 교반했다. 메탄올을 유거하고, 잔사를 물 200g에 현탁시켰다. 얻어진 현탁액에 테트라히드로푸란 200g를 혼합, 교반해 수상을 분액했다. 빙냉 하, 염산 4g를 첨가, 교반한 후에 아세트산에틸 100g를 혼합, 교반했다. 혼합액을 정치한 후, 유상(油相)을 분취했다. 유상으로부터 목적물을 정석시키고, 석출물을 회수하여 상기 구조의 이미다졸 화합물(화합물 1)을 얻었다.
[화 18]
Figure pat00018
상기 구조의 이미다졸 화합물(화합물 1)의 1H-NMR의 측정 결과는 이하와 동일하다.
1H-NMR(DMSO): 11.724(s, 1H), 7.838(s, 1H), 7.340(d, 2H, J=4.3Hz), 7.321(d, 1H, J=7.2Hz), 6.893(d, 2H, J=4.3Hz), 6.876(d, 1H, J=6.1Hz), 5.695(dd, 1H, J=4.3J, 3.2J), 3.720(s, 3H), 3.250(m, 2H)
＜에칭 조성물의 조제예＞
표 1에 나타내는 종류 및 함유량의 각 성분을 혼합하고, 잔부를 물로 구성해 조성물 전체의 총중량이 100중량%가 되도록 에칭 조성물을 조제했다. 표 1에서, NH4Ac는 아세트산암모늄을 나타내고, EG는 에틸렌글리콜을 나타내며, 또 각 성분의 함유량을 나타내는 수치의 단위는 중량%이다.
＜구리의 부식 억제의 평가＞
유리 기판(100mm×100mm) 위에 인듐 산화 주석막/구리막/몰리브덴티탄 합금막을 각각 막 두께 400Å／3000Å／300Å이 되도록 증착에 의해 형성하고, 패터닝해 에칭막의 시료로 했다. 이 시료를 조제예에 의해 얻은 각 에칭 조성물 500㎖에 침지하고, 40℃로 유지하며 48시간 후에 용액을 채취해, ICP-MS(Inductively coupled plasma mass spectroscopy)를 이용하여 용출된 구리 이온 농도를 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜평가 기준＞
◎ : Cu 용출이 20ppm 미만
○ : Cu 용출이 20ppm 이상, 30ppm 미만
×: Cu 용출이 30ppm 이상
Figure pat00019
표 1로부터, 화합물 1을 함유하는 실시예 1~4의 에칭 조성물을 이용해 에칭한 경우, 구리의 용출이 억제되는 점에서, 에칭에 의한 구리막의 부식(침해)이 방지되는 것을 알 수 있었다.
이것에 비해서, 이미다졸환을 가지지만 일반식(1a)에 포함되지 않는 비교 화합물 1 및 비교 화합물 2 및 비교 화합물 3을 함유하는 비교예 1~12의 에칭 조성물에서는 에칭에 의해 구리가 용출되어 버리고, 에칭에 의해 구리막이 부식(침해)되어 버리는 것을 알 수 있었다.
이상의 결과로부터, 본 발명의 에칭 조성물은 구리뿐만 아니라, 구리 합금의 부식도 억제할 수 있는 것으로 생각되고, 동일하게 다른 금속의 부식도 억제하는 것이 기대된다.
또, 그 중에서도, 비교예 4의 조성물은 구리의 용출이 조금 억제되지만, 비교예 4의 조성물과 이미다졸 화합물 이외의 조성이 동일한 실시예 4, 비교예 8 및 비교예 12 및 비교예 4를 비교하면, 이미다졸 화합물로서 비교 화합물 1~3은 아니며 화합물 1을 이용한 실시예 4만이 구리 용출의 억제 효과가 뛰어난 것을 알 수 있었다.

Claims (8)

  1. 산화제, 물 및 하기 일반식(1a)로 나타내는 부식 억제제를 함유하는 에칭 조성물.
    Figure pat00020

    (식 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R2는 치환기를 가져도 되는 방향족기를 나타내며, R4는 각각 독립적으로 할로겐 원자, 수산기, 머캅토기, 설피드기, 실릴기, 실라놀기, 니트로기, 니트로소기, 설포네이트기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스포네이트기, 또는 유기기를 나타내고, n은 0~3의 정수를 나타낸다. 상기 R은 다른 쪽의 R 또는 R2와 결합해 환상 구조를 형성해도 된다.)
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 부식 억제제는 하기 일반식(1)로 나타내는 화합물인 에칭 조성물.
    Figure pat00021

    (식 중, R2, R4 및 n은 식(1a)과 동일하고, R1은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내며, R3은 치환기를 가져도 되는 알킬렌기를 나타낸다. R3은 R2와 결합해 환상 구조를 형성해도 된다.)
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    추가로 경시 변화 억제제를 함유하는 에칭 조성물.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로 잔사 억제제를 함유하는 에칭 조성물.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    전도막의 에칭에 이용되는 에칭 조성물.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항의 에칭 조성물을 이용하여 전도막을 에칭하는 방법.
  7. 기판 위의 전도막을 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항의 에칭 조성물을 이용해 에칭하는 공정을 포함하는, 전도막의 제조 방법.
  8. 에칭에서 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항의 에칭 조성물을 이용하여 기판 표면의 금속의 부식을 억제하는 방법.
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