KR20160140226A - 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름 - Google Patents

터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름에 관한 것으로서, 본 발명의 보호 필름은 디올 성분으로서 1,4-시클로헥산디메탄올 100 몰%와, 디카르복실산 성분으로서, (i) 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산, 디메틸이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상 75 내지 100 몰%, 및 (ii) 상기 성분 (i)과 상이한, 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상 0 내지 25 몰%를 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층을 포함하여, 높은 내열성과 최소화된 올리고머 용출 특성을 나타냄으로써, ITO 층, 은 나노와이어층, 금속 메쉬층 등을 포함하는 전극 필름 제조시 보호 필름으로서 유용하게 사용될 수 있다.

Description

터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름{PROTECTION FILM USED IN THE PREPARATION OF AN ELECTRODE FILM FOR A TOUCH PANEL}
실시예는 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름에 관한 것이다.
터치 패널(touch panel)용 전극 필름은 기재 필름 위에 ITO 층, 은 나노와이어층, 또는 금속 메쉬층 등이 적층된 구조를 갖는다.
기재 필름과 ITO 층으로 형성된 ITO 필름은 일반적으로 기재 필름의 일면에 보호 필름을 점착시킨 다음, 기재 필름의 타면에 ITO 층을 증착시키고 150 내지 160℃의 오븐에서 어닐링(annealing)하여 ITO의 결정화 공정을 수행한 후 상기 보호 필름을 제거함으로써 제조된다.
상기 기재 필름 및 보호 필름으로는 폴리에스테르 필름이 주로 사용되는데, ITO의 결정화 공정시 고온처리됨에 따라 폴리에스테르 필름 내부의 올리고머가 표면으로 용출되어 헤이즈(haze)를 상승시키고 백점(white dot)의 형태를 발생시키는 등 외관상 불량을 일으키는 문제가 있었다.
이에, 올리고머의 용출을 막기 위해 기재 필름 또는 보호 필름의 표면에 하드코팅(hard coating)층을 적용하는 방법이 수행되어 왔으나(일본 공개특허 제2007-253511호 참조), 공정이 복잡해질 뿐만 아니라 올리고머의 용출을 완전히 차단하지는 못하였다.
일본 공개특허 제2007-253511호
따라서, 실시예는 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되어 스크래치의 발생을 방지하면서도 고온에서 올리고머의 용출을 최소화시키는 보호 필름을 제공하고자 한다.
일 실시예에 따르면,
디올 성분으로서 1,4-시클로헥산디메탄올(CHDM) 100 몰%와,
디카르복실산 성분으로서, (i) 테레프탈산(TPA), 디메틸테레프탈산(DMT), 이소프탈산(IPA), 디메틸이소프탈산(DMI) 및 시클로헥산디카르복실산(CHDA) 중에서 선택된 1종 이상 75 내지 100 몰%, 및 (ii) 상기 성분 (i)과 상이한, 테레프탈산(TPA), 디메틸테레프탈산(DMT), 이소프탈산(IPA) 및 시클로헥산디카르복실산(CHDA) 중에서 선택된 1종 이상 0 내지 25 몰%를 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층을 포함하는,
터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름을 제공한다.
실시예에 따른 보호 필름은 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되어 스크래치의 발생을 방지하면서도 높은 내열성과 최소화된 올리고머 용출 특성을 나타냄으로써, ITO 층, 은 나노와이어층, 금속 메쉬층 등을 포함하는 전극 필름을 비롯하여 투명한 외관을 필요로 하는 필름의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 터치 패널용 전극 필름(ITO 필름) 제조공정 중에 형성된, 전극 필름과 보호 필름과의 적층 구조, 및 일 실시예에 따른 3층 폴리에스테르 보호 필름의 적층 구조를 도시한 도면이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 필름, 막, 패널, 또는 층 등이 각 필름, 막, 패널, 또는 층 등의 "상(on)" 또는 "하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상/하에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 터치 패널용 전극 필름(ITO 필름) 제조공정 중에 형성된, 전극 필름과 보호 필름과의 적층 구조, 및 일 실시예에 따른 3층 폴리에스테르 보호 필름의 적층 구조를 도시한 도면이다(10: 보호 필름, 20: 기재 필름, 30: ITO 층, 11: 중앙부층(코어층), 12: 제1 최외층(스킨층), 12': 제2 최외층).
일 실시예에 따른 보호 필름은 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름으로서, 디올 성분으로서 1,4-시클로헥산디메탄올(CHDM) 100 몰%와, 디카르복실산 성분으로서, (i) 테레프탈산(TPA), 디메틸테레프탈산(DMT), 이소프탈산(IPA), 디메틸이소프탈산(DMI) 및 시클로헥산디카르복실산(CHDA) 중에서 선택된 1종 이상 75 내지 100 몰%, 및 (ii) 상기 성분 (i)과 상이한, 테레프탈산(TPA), 디메틸테레프탈산(DMT), 이소프탈산(IPA) 및 시클로헥산디카르복실산(CHDA) 중에서 선택된 1종 이상 0 내지 25 몰%를 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층을 포함한다.
상기 폴리에스테르 수지는 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트)(PCT) 또는 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트/이소프탈레이트)(PCTA, 즉 PCT+IPA)일 수 있다.
상기 보호 필름은 단층 구조 또는 제1 최외층/중앙부층/제2 최외층의 3층 구조를 가지며, 3층 구조일 때 제1 최외층 및 제2 최외층 각각이 상술한 폴리에스테르 층일 수 있다.
즉, 양쪽 최외층, 즉 제1 최외층과 제2 최외층은, 디올 성분으로서 1,4-시클로헥산디메탄올(CHDM) 100 몰%와, 디카르복실산 성분으로서, (i) 테레프탈산(TPA), 디메틸테레프탈산(DMT), 이소프탈산(IPA), 디메틸이소프탈산(DMI) 및 시클로헥산디카르복실산(CHDA) 중에서 선택된 1종 이상 75 내지 100 몰%, 바람직하게는 85 내지 95 몰%, 및 (ii) 상기 성분 (i)과 상이한, 테레프탈산(TPA), 디메틸테레프탈산(DMT), 이소프탈산(IPA) 및 시클로헥산디카르복실산(CHDA) 중에서 선택된 1종 이상 0 내지 25 몰%, 바람직하게는 5 내지 15 몰%를 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층일 수 있다. 제1 최외층과 제2 최외층을 구성하는 폴리에스테르 층은 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
단층 구조의 보호 필름 및 3층 구조의 보호 필름의 최외층은 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트)(PCT) 또는 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트/이소프탈레이트)(PCTA, 즉 PCT+IPA)로 구성될 수 있다.
3층 구조의 보호 필름의 중앙부층은 상기 최외층을 구성하는 폴리에스테르 수지와 동일하거나 상이한 폴리에스테르 수지로 구성될 수 있다.
중앙부층은 디올 성분으로서 에틸렌 글리콜 80 몰% 이상, 바람직하게는 90 내지 100 몰%와, 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 80 몰% 이상, 바람직하게는 90 내지 100 몰%를 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층을 포함할 수 있다. 이때, 에틸렌 글리콜 이외에 사용가능한 디올 성분 및 테레프탈산 이외에 사용가능한 디카르복실산 성분은 각각 당업계에서 통상적으로 사용되는 것일 수 있다.
에틸렌 글리콜 이외에 사용가능한 디올 성분의 구체적인 예로는 1,3-프로판디올, 1,2-옥탄디올, 1,3-옥탄디올, 2,3-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올(즉 네오펜틸글리콜), 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 2,2-디에틸-1,5-펜탄디올, 2,4-디에틸-1,5-펜탄디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 1,1-디메틸-1,5-펜탄디올, 1,4-시클로헥산디메탄올 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
3층 구조의 보호 필름의 중앙부층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)로 구성될 수 있다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 보호 필름(10)은 제1 최외층(12), 중앙부층(11) 및 제2 최외층(12')이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
상기 제1 최외층, 중앙부층 및 제2 최외층은 공압출 공정에 의해서 동시에 압출되고, 일축 또는 이축 연신되어 형성될 수 있다.
실시예에 따른 보호 필름은 50 내지 200 ㎛, 바람직하게는 100 내지 150 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
보호 필름이 3층 구조일 경우, 상기 제1 최외층, 중앙부층 및 제2 최외층은 1 : 5~120 : 1의 두께비를 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제1 최외층, 중앙부층 및 제2 최외층은 1 : 5~100 : 1의 두께비를 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제1 최외층, 중앙부층 및 제2 최외층은 1 : 5~50 : 1의 두께비를 가질 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 다층 보호 필름은 3층 구조로 설명되었지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 실시예에 따른 다층 보호 필름은 상기 제1 최외층, 중앙부층 및 제2 최외층 이외에 추가적인 층(내부층)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 보호 필름은 150℃의 온도에서 30분 동안 열처리될 때, 열 수축율이 2% 미만일 수 있다. 더 자세하게, 본 실시예에 따른 보호 필름은 150℃의 온도에서 30분 동안 열처리될 때, 열 수축율이 1.5% 미만일 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 보호 필름은 150℃의 온도에서 3시간 동안 열처리될 때, 헤이즈 변화가 2% 미만일 수 있다. 더 자세하게, 본 실시예에 따른 보호 필름은 150℃의 온도에서 3시간 동안 열처리될 때, 헤이즈 변화가 1% 미만일 수 있다. 더 자세하게, 본 실시예에 따른 보호 필름은 150℃의 온도에서 3시간 동안 열처리될 때, 헤이즈 변화가 0.1% 미만일 수 있다.
따라서, 일 실시예에 따르면,
디올 성분으로서 1,4-시클로헥산디메탄올 100 몰%와,
디카르복실산 성분으로서, (i) 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산, 디메틸이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상 75 내지 100 몰%, 및 (ii) 상기 성분 (i)과 상이한, 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상 0 내지 25 몰%를 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층을 포함하는 보호 필름을 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용하는 방법이 제공된다.
상기 3층 구조의 보호 필름은 다음과 같은 공정에 의해서 제조될 수 있다.
(a) 제1 최외층, 중앙부층 및 제2 최외층 각각을 구성하는 폴리에스테르 수지를 제공하는 단계; (b) 상기 수지들을 공압출하여 미연신 시트를 제조하는 단계; 및 (c) 상기 미연신 시트를 일축 또는 이축 연신하는 단계에 의해서 제조될 수 있다.
더 자세하게, 먼저, 각각의 폴리에스테르 수지는 해당 디올 성분과 해당 디카르복실산 성분과의 에스테르화 반응 및 고상 중합 공정에 의해 제조될 수 있다.
이들 폴리에스테르 수지는 공압출(용융 압출)되고 냉각되어, 적층된 구조의 미연신 시트가 제조된다.
이후, 상기 미연신 시트는 길이 방향(기계 방향) 및 폭 방향(텐터 방향)으로 연신되고, 열고정되어 상기 폴리에스테르 보호 필름이 제조될 수 있다.
상기 용융 압출은 Tm+20 내지 Tm+40℃의 온도에서 이루어지는 것이 바람직하다. 용융 압출 공정에서 압출기의 온도가 Tm+20℃ 미만일 경우, 원활한 용융이 이루어지지 않아 압출물의 점도가 높아져 생산성이 떨어지고, 반대로 Tm+40℃를 넘는 경우, 열분해에 의한 해중합으로 수지의 분자량이 떨어지고 올리고머에 의한 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 냉각은 30℃ 이하의 온도에서 이루어지는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 15 내지 30℃에서 이루어진다.
상기 미연신 시트는 일축 또는 이축 연신될 수 있다.
상기 미연신 시트는 길이 방향으로 약 2 배 내지 약 5 배 연신되고/연신되거나, 폭 방향으로 약 2 배 내지 약 5 배 연신될 수 있다. 더 자세하게, 상기 미연신 시트는 길이 방향으로 약 2 배 내지 약 4 배 연신되고/연신되거나, 폭 방향으로 약 3 배 내지 약 4.5 배 연신될 수 있다.
연신온도는 Tg+5 내지 Tg+80℃의 범위가 바람직하며, Tg가 낮을수록 연신성이 좋아지나, 파단이 일어날 수 있다. 특히, 취성을 개선하기 위해서는 Tg+10 내지 Tg+50℃의 연신온도 범위가 바람직하다.
열고정을 시작한 후에 필름은 길이 방향 및/또는 폭 방향으로 이완되며, 상기 연신된 시트는 200℃ 내지 260℃의 온도로 열고정될 수 있다.
실시예에 따른 보호 필름은 100 몰%의 1,4-시클로헥산디메탄올로부터 얻어진 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트)(PCT) 또는 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트/이소프탈레이트)(PCTA, 즉 PCT+IPA)를 포함하는 폴리에스테르 층을 단일층으로서 또는 3층 구조의 양쪽 최외층으로서 포함한다.
이에 따라, 상기 보호 필름은 높은 올리고머 차단 특성을 가지고, 높은 내열성을 갖는다. 특히, 상기 PCT 또는 PCTA를 포함하는 폴리에스테르 층은 고온처리될 경우에도 올리고머의 용출을 최소화한다.
따라서, 실시예에 따른 단층 또는 다층 보호 필름은 ITO 층, 은 나노와이어층, 금속 메쉬층 등을 포함하는 전극 필름을 비롯하여 투명한 외관을 필요로 하는 필름의 제조에 보호 필름으로서 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 보다 상세히 설명한다. 단 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
제조예
(1) 제1 폴리에스테르 수지의 제조
에스테르화 반응관을 200℃까지 승온한 후, 1,4-시클로헥산디메탄올(CHDM) 100 몰%와, 테레프탈산(TPA) 90 몰% 및 이소프탈산(IPA) 10 몰%를 넣고, 이들 원료 100 중량부를 기준으로 촉매로서 아세트산 망간 0.017 중량부를 첨가한 후 교반하였다. 그 다음, 가압승온하여 게이지압 0.34 MPa, 240℃의 조건에서 가압 에스테르화 반응을 행한 후, 에스테르화 반응관을 상압으로 되돌린 다음, 인산 0.014 중량부를 첨가하였다. 그 후, 15분에 걸쳐 260℃로 승온하고, 인산트리메틸 0.012 중량부를 첨가하였다. 이어서, 15분 후에, 고압 분산기로 분산 처리를 행하고, 다시 15분 후, 얻어진 에스테르화 반응 생성물을 중축합 반응관에 이송하여, 280℃에서 감압하 중축합 반응을 수행하였다.
중축합 반응 종료 후, 95% 컷 사이즈가 5 ㎛인 나슬론제 필터로 여과하여 노즐로부터 스트랜드 형상으로 압출하고, 사전에 여과 처리(구멍 크기：1 ㎛ 이하)를 행한 냉각수를 사용하여 냉각, 고화시켜, 펠릿 형상으로 절단하여 목적하는 제1 폴리에스테르 수지 칩을 제조하였다.
(2) 제2 폴리에스테르 수지의 제조
디올 성분으로서 에틸렌 글리콜 100 몰%를, 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 100 몰%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제1 폴리에스테르 수지의 제조시와 동일한 방법을 수행하여 목적하는 제2 폴리에스테르 수지 칩을 제조하였다.
실시예 1
상기 제조예에서 제조된 제1 폴리에스테르 수지가 양쪽 최외층을 구성하도록, 상기 제조예에서 제조된 제2 폴리에스테르 수지가 중앙부층을 구성하도록, 해당 수지 칩들을 약 280℃의 압출기를 통하여 용융 공압출한 후, 약 20℃의 캐스팅롤에서 냉각하여, 미연신 시트를 제조하였다. 이렇게 얻어진 미연신 시트를 85℃로 예열한 후, 95℃에서 길이 방향으로 3배 연신하고 연속적으로 140℃에서 폭 방향으로 4배 연신하였다. 이후, 상기 연신된 시트를 230℃의 온도에서 약 4분 동안 열고정하여 두께 125 ㎛의 3층 폴리에스테르 필름(제1 최외층:중앙부층:제2 최외층의 두께비 = 5:115:5)을 제조하였다.
실시예 2 내지 4
최외층과 중앙부층의 두께 및/또는 길이 방향과 폭 방향의 연신비를 하기 표 1에 기재된 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 두께 125 ㎛의 3층 폴리에스테르 필름을 제조하였다.
비교예 1 및 2
상기 제조예에서 제조된 제2 폴리에스테르 수지만을 이용하여 단층 구조의 폴리에스테르 필름을 제조하고, 길이 방향과 폭 방향의 연신비를 하기 표 1에 기재된 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 두께 125 ㎛의 단층 폴리에스테르 필름을 제조하였다.
비교예 3
최외층과 중앙부층의 두께를 하기 표 1에 기재된 바와 같이 변화시킨 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 두께 125 ㎛의 3층 폴리에스테르 필름을 제조하였다.
시험예 1: 열 수축율
상기 실시예 및 비교예에서 얻은 필름을 150℃의 오븐에서 30분 동안 열처리한 후, 하기 식에 따라 길이 방향(MD, 기계 방향) 및 폭 방향(TD, 텐터 방향)으로의 열 수축율을 측정하였다. 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
열 수축율(%) = (초기 길이 - 열처리후 길이) / 초기 길이 x 100
시험예 2: 올리고머 용출 여부(백점 유무 및 헤이즈 변화)
상기 실시예 및 비교예에서 얻은 필름의 일면에 점착층을 도포한 후 ITO용 기재 필름(닛토덴코사)과 합지하였다. 이어, 기재 필름의 일면에 ITO를 20 nm의 두께로 증착하고, 150℃의 오븐에서 3시간 동안 열처리한 후, 육안으로 백점 유무를 관찰하고 헤이즈 변화(△Haze, %)를 측정하였다.
백점 유무의 경우, 샘플의 단면을 육안으로 확인한 후 이상 부분을 마킹(marking)하고 마킹부의 표면을 SEM 관찰하였으며, 헤이즈 변화의 경우는 헤이즈미터를 사용하여 열처리 전/후의 헤이즈를 측정하여 산출하였다. 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
층 구성(두께, ㎛) Tg
(℃)		 연신비 열 수축율(%) ITO 증착 열처리후
올리고머 용출 여부
제1
최외층		 중앙부층 제2
최외층		 MD TD MD TD 백점 유무 △Hz
(%)
실시예1 5 115 5 80 3 4 1 0.3 무 0.08
실시예2 10 105 10 81 3 4 1.2 0.3 무 0.04
실시예3 5 115 5 80 2.8 3.8 0.9 0.3 무 0.07
실시예4 5 40 5 82 3.2 4.2 1.0 0.2 무 0.05
비교예1 0 125 0 78 3 4 0.95 0.3 유 3.5
비교예2 0 125 0 78 2.8 3.8 1.0 0.2 유 4.2
비교예3 1 123 1 79 3 4 1.1 0.4 유 1.31
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 실시예 1 내지 4의 3층 폴리에스테르 필름은 고온에서 처리될 경우에도 올리고머의 용출을 최소화하여 백점을 발생시키지 않고 헤이즈 변화가 적으며, 낮은 열 수축율을 나타내는 것으로 확인되었다.
10: 보호 필름
20: 기재 필름
30: ITO 층
11: 중앙부층
12: 제1 최외층
12': 제2 최외층

Claims (12)

  1. 디올 성분으로서 1,4-시클로헥산디메탄올 100 몰%와,
    디카르복실산 성분으로서, (i) 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산, 디메틸이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상 75 내지 100 몰%, 및 (ii) 상기 성분 (i)과 상이한, 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상 0 내지 25 몰%를 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층을 포함하는,
    터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지가 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산, 디메틸이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상을 85 내지 95 몰% 중합반응시켜 얻어진 것인, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지가 상기 성분 (i)과 상이한, 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상을 5 내지 15 몰% 중합반응시켜 얻어진 것인, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 필름이 단층 구조 또는 제1 최외층/중앙부층/제2 최외층의 3층 구조를 가지며, 3층 구조일 때 제1 최외층 및 제2 최외층 각각이 상기 폴리에스테르 층인, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 중앙부층이,
    디올 성분으로서 에틸렌 글리콜 80 몰% 이상과, 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 80 몰% 이상을 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층을 포함하는, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 최외층과 제2 최외층 각각이 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트) 또는 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트/이소프탈레이트)로 구성되고, 상기 중앙부층이 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 구성된, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  7. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 최외층, 중앙부층 및 제2 최외층이 1 : 5~100 : 1의 두께비를 갖는, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 최외층/중앙부층/제2 최외층의 3층 구조가 공압출에 의해 형성된 것인, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 필름이 150℃의 온도에서 30분 동안 열처리될 때, 열 수축율이 2% 미만인, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 필름이 150℃의 온도에서 3시간 동안 열처리될 때, 헤이즈 변화가 2% 미만인, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 필름이 일축 또는 이축 연신 필름인, 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용되는 보호 필름.
  12. 디올 성분으로서 1,4-시클로헥산디메탄올 100 몰%와,
    디카르복실산 성분으로서, (i) 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산, 디메틸이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상 75 내지 100 몰%, 및 (ii) 상기 성분 (i)과 상이한, 테레프탈산, 디메틸테레프탈산, 이소프탈산 및 시클로헥산디카르복실산 중에서 선택된 1종 이상 0 내지 25 몰%를 중합반응시켜 얻어진 폴리에스테르 수지를 포함하는 폴리에스테르 층을 포함하는 보호 필름을 터치 패널용 전극 필름의 제조에 사용하는 방법.
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