KR20160126020A - 적층형 지지 링을 가지는 웨이퍼 적재기 - Google Patents

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KR20160126020A
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wafer
wafer support
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continuous
axial
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KR1020167026139A
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에릭 에이 커클랜드
러셀 브이 라쉬케
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엔테그리스, 아이엔씨.
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Abstract

웨이퍼 적재기가 개별적인 웨이퍼를 내부에서 지지하기 위해서 웨이퍼 지지 링을 이용한다. 웨이퍼 지지 링이, 적층체의 높이에 영향을 미치지 않으면서, 다양한 두께의 웨이퍼를 지지할 수 있고, 충격 이벤트 중에 링 내의 내재된 웨이퍼의 속박을 제공한다. 웨이퍼 및 링이 협력하여, 충격 이벤트 중에 웨이퍼 상으로 가해지는 쇼크를 감쇠시키기 위해서 충격 이벤트 시에 완충부로서 작용하는 공극을 웨이퍼들 사이에 형성한다. 유사하게, 일부 실시예는, 충격의 영향을 감쇠시키기 위해서 적층체의 최상부 웨이퍼와 최하부 웨이퍼 사이에서 폐쇄된 가스 포켓을 형성하는 구조물을 포함한다. 여러 실시예는, 충격 이벤트 중에 웨이퍼가 웨이퍼 지지 링 외부로 "건너 뛰는 것"을 방지하는 구조물을 포함한다. 일부 실시예는 웨이퍼 편평부를 지지하기 위한 구조물을 포함한다.

Description

적층형 지지 링을 가지는 웨이퍼 적재기{WAFER SHIPPER WITH STACKED SUPPORT RINGS}
관련 출원
본 특허출원은 2014년 2월 25일자로 출원된 미국 가특허출원 제61/944,455호, 2014년 12월 8일자로 출원된 미국 가특허출원 제62/089,087호 및 2014년 12월 8일자로 출원된 미국 가특허출원 제62/089,103호의 이익 향유를 주장하며, 그러한 가특허출원의 개시 내용의 전체가 본원에서 참조로 그리고 모든 목적을 위해서 여기에 포함된다.
개시 내용은 일반적으로 웨이퍼 적재기에 관한 것이고, 보다 구체적으로 웨이퍼 지지 링을 이용하는 웨이퍼 적재기에 관한 것이다.
웨이퍼 적재기가, 웨이퍼 지지 링 내에 각각 배치되는 복수의 웨이퍼의 운송 및 저장을 위해서 개발되었다. 그러한 링은 웨이퍼 적재기 내의 적층된 배열체(stacked arrangement) 내에 배열된다. 이러한 종류의 통상적인 웨이퍼 적재기를 이용하여 취급되고 선적되는 웨이퍼는, 웨이퍼 적재기가 상당한 높이로부터 낙하될 때 또는 웨이퍼 적재기가 내부에 수용된 용기(vessel) 또는 상자(crate)가 낙하될 때, 잘못 취급될 때, 또는 충돌될 때와 같은, 충격 이벤트 중에 내재된(resident) 웨이퍼로 가해지는 손상을 유발하는 것으로 알려져 있다. 손상 메커니즘에는 인접한 웨이퍼들 사이의 접촉, 웨이퍼가 적층된 어레이를 "건너 뛰고(jumping)" 인접하는 웨이퍼 지지 링들 사이에 박히는 것, 그리고, 웨이퍼 편평부(wafer flat)를 포함하는 웨이퍼의 경우에, 웨이퍼 편평부에서 기원하는 웨이퍼의 파단이 포함될 수 있다.
운송 및 취급 중에 발생되는 그러한 손상을 완화시키는 웨이퍼 적재기가 환영 받을 수 있을 것이다.
개시 내용의 여러 실시예에서, 개별적인 웨이퍼를 내부에서 지지하기 위해서 웨이퍼 지지 링을 이용하는 웨이퍼 적재기가 개시되어 있다. 웨이퍼 지지 링은, 적층체의 높이에 영향을 미치지 않으면서, 다양한 두께의 웨이퍼를 지지할 수 있고, 충격 이벤트 중에 링 내의 내재된 웨이퍼의 속박(containment)을 제공한다. 일부 실시예에서, 웨이퍼 및 링이 협력하여, 충격 이벤트 중에 웨이퍼의 쇼크 흡수를 제공하는 느린-누출 공기 완충(slow-leaking air cushion)을 웨이퍼들 사이에서 효과적으로 형성한다. 즉, 적층체가 내부의 웨이퍼와 조합될 때, 공극이 인접한 웨이퍼들 사이에 형성되고, 각각의 공극은, 웨이퍼가 일치되어(in unison) 이동하게 하고 쇼크 이벤트 중에 발생되는 힘을 감쇠시키는 가스 스프링 또는 완충부로서의 역할을 한다. 실질적으로 연속적인 접촉 밴드가 인접하는 웨이퍼 지지 링들의 계면에 그리고 웨이퍼 지지 링과 내부에 내재하는 임의 웨이퍼 사이에 형성된다. 실질적으로 연속적인 접촉 밴드는 공극 내로 또는 공극 외로 유동하는 가스에 대한 유동 제한을 제공하고, 그에 의해서 충격 이벤트 중에 감쇠 효과를 제공한다.
일부 실시예에서, 최상부 웨이퍼 및 최상부 웨이퍼 지지 링이 웨이퍼 적재기의 커버 부분과 협력하여 상부 가스 포켓을 제공하고, 그러한 상부 가스 포켓은, 적층체의 공극과 유사하게, 느리게 누출되고 그에 따라 가스 포켓의 급격한 압축 또는 배기(evacuation)에 대한 감쇠를 제공한다. 유사하게, 최하부 웨이퍼 및 최하부 웨이퍼 지지 링이 웨이퍼 적재기의 수용기 부분과 협력하여, 느리게 누출되고 유사한 감쇠를 제공하는 하부 가스 포켓을 제공할 수 있다.
여러 실시예에서, 웨이퍼 지지 링이 또한, 충격 이벤트 중에 웨이퍼의 "건너 뜀"을 방지하는 구조물을 포함한다. 종종, 웨이퍼 적재기가 충격 이벤트 중에 일시적으로 왜곡되기 시작하고, 그에 따라 적층체 내의 지지 링들이 순간적인 시간 동안 분리된다. 이러한 분리 중에, 통상적인 웨이퍼 운반체(carrier)에서, 적층체가 충격-전(pre-impact) 구성을 되찾거나 되찾고자 할 때, 웨이퍼가 분리 상태로 "건너 뛸" 수 있거나 미끄러질 수 있고 손상될 수 있다. 개시 내용의 여러 실시예의 경우에, 웨이퍼 지지 링이, 그러한 웨이퍼의 건너 뜀을 완화시키는 구조물을 제공하고, 그에 따라 웨이퍼를 손상시키지 않고도 적층체가 충격-전 구성을 신뢰 가능하게 되찾을 수 있다.
개시 내용의 여러 실시예는 웨이퍼 두께와 관계없는 동일한 적재 용량을 제공하고, 웨이퍼의 연부 배제부(edge exclusion)를 보호하고, 및/또는 통상적인 이격부재 링(예를 들어, TYVEK, 또는 포옴(foam))의 입자 방출(particle contribution)을 방지한다. 개시된 실시예는, 웨이퍼의 안전한 적재를 가능하게 할 수 있고 산업 표준 테스트 재원(specification)(ISTA-2A) 뿐만 아니라 보다 엄격할 수 있는 고객 맞춤형 적재 테스트를 만족시킬 수 있다.
통상적인 웨이퍼 적재기는, 웨이퍼들 사이에 피팅되고(fit) 웨이퍼의 연부를 포획(capture)하지 않는 링 이격부재를 전형적으로 이용한다. 그러한 통상적인 적재기의 하나의 단점은, 링 이격부재를 지나서 활주되는 웨이퍼가 웨이퍼의 연부 배제부를 침범할 수 있다는 것이다. 다른 단점은, 전체 적층체 높이가 적재되는 웨이퍼의 두께에 의존한다는 것이다. 그에 따라, 주어진 적재기가 모든 웨이퍼 두께에 대해서 총 용량(full capacity)을 제공하지 못할 수 있고, 적은 용량을 보상하기 위한 여분의 메커니즘을 필요로 할 수 있을 것이다. 이러한 통상적인 웨이퍼 적재기의 부가적인 단점은, 이러한 유형의 해결책에서, (예를 들어, 충격 이벤트로 인해서) 운반체를 통해서 작용하는 힘이 웨이퍼를 통해서 전달된다는 것이다. 또한, 정전기 방지 특성이 요구되는 곳에서, 통상적인 이격부재 링 재료(예를 들어, TYVEK)가 실질적으로 높은 상대 습도를 필요로 할 수 있다.
개시된 시스템의 여러 실시예가, 내재된 웨이퍼가 내부에서 포획되는, 인접한 웨이퍼 지지 링들 사이의 갭을 제공하는 방식으로, 서로 상하로 적층되는 웨이퍼 지지 링들을 포함한다. 여러 두께의 웨이퍼가, 적층체의 높이에 영향을 미치지 않으면서, 동일한 총 수량으로 동일한 적재기 내에 수용될 수 있다. 또한, 웨이퍼 지지 링이, 웨이퍼 연부 배제부가 침범되지 않도록 웨이퍼 연부에 대한 장벽으로서의 역할을 하기 위해서 웨이퍼의 둘레에 근접하여 배치되는 융기부(ridge)를 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼 적재기 상으로의 힘이, 웨이퍼를 통해서가 아니라, 웨이퍼 지지 링을 통해서 전달된다. 링을 위한 재료가 전도성 플라스틱일 수 있고, 그에 따라 통상적인 웨이퍼 적재기(예를 들어, TYVEK) 내의 습도 제약(humidity constraint)이 방지된다. 웨이퍼 지지 링이 진공 컵을 통한 자동화된 취급에 적합한 넓은 내부 플랜지를 이용할 수 있다.
특정 실시예는, 충격 이벤트 중에 지지되지 않을 수도 있었던 웨이퍼 편평부의 수용을 더 제공한다.
구조적으로, 복수의 웨이퍼 지지 링을 포함하는, 웨이퍼 적재 시스템이 일 실시예에서 개시되고, 각각의 웨이퍼 지지 링은: 중앙 축을 중심으로 동심적인 플랜지 부분으로서, 그러한 플랜지 부분은 제1 축방향 면 및 제2 축방향 면을 포함하고, 제2 축방향 면은 제1 축방향 면에 대향되는, 플랜지 부분; 플랜지 부분의 제1 축방향 면으로부터 중앙 축에 평행하게 축방향으로 돌출하는 융기부 부분; 및 제2 축방향 면 상에서 채널을 형성하는 구조물을 포함한다. 이러한 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링 중 제1 웨이퍼 지지 링이 복수의 웨이퍼 지지 링 중 제2 웨이퍼 지지 링 상에 적층되고, 그에 따라 제2 웨이퍼 지지 링의 융기부 부분의 원위 연부(distal edge)가 제1 웨이퍼 지지 링의 채널 내에서 정합되고(registered), 제1 및 제2 웨이퍼 지지 링은 그들 사이에 갭을 형성하고, 그러한 갭은, 제1 웨이퍼 지지 링 상으로 가해진 축방향 힘이 웨이퍼로 힘을 전달하지 않으면서 제2 웨이퍼 지지 링으로 전달되도록, 웨이퍼를 수용하게 구성된다. 일 실시예에서, 채널은 중앙 축에 대한 내부 반경을 형성하는 내부 방사상 벽 및 중앙 축에 대한 외부 반경을 형성하는 외부 방사상 벽을 포함한다. 또한, 이러한 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링 각각의 융기부 부분 및 채널이 축방향으로 정렬되고, 그에 따라 융기부 부분이 채널에 의해서 형성된 내부 반경 및 외부 반경 내에 위치된다. 선택적으로, 채널이 연속적이다. 융기부 부분이 또한 연속적일 수 있고 제1 및 제2 웨이퍼 지지 링들 사이에 형성된 갭을 둘러싼다. 그에 따라, 실질적으로 연속적인 접촉 밴드가 융기부 부분의 원위 연부와 채널 사이에 형성될 수 있다.
여러 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링 각각의 플랜지 부분의 제1 축방향 면이, 융기부 부분으로부터 방사상으로 삽입되고 융기부 부분에 인접하는 평면형 정합 표면을 포함하고, 그러한 평면형 표면 부분은 웨이퍼를 위한 정합 평면을 형성한다. 일 실시예에서, 제1 웨이퍼 지지 링은 제1 웨이퍼와 제1 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이의 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하기 위해서 제1 웨이퍼와 결합되도록 구성되고, 제2 웨이퍼 지지 링은 제2 웨이퍼와 제2 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이의 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하기 위해서 제2 웨이퍼와 결합되도록 구성되고, 그에 의해서, 제1 웨이퍼가 제1 웨이퍼 지지 링 내에 배치되고 제2 웨이퍼가 제2 웨이퍼 지지 링 내에 배치될 때 폐쇄된 공극을 형성하도록 제1 웨이퍼 지지부 및 제2 웨이퍼 지지부가 구성된다. 개시 내용의 일 실시예에서, 웨이퍼가 갭 내에 수용된다.
웨이퍼 적재 시스템이 수용기 부분 및 그러한 수용기 부분의 폐쇄를 제공하도록 구성된 커버 부분을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링이 적층체 내에 배열되고, 그러한 적층체는 수용기 부분 내에 배치되고, 커버 부분은, 그러한 커버 부분과 수용기 부분 사이에서 적층체를 고정하기 위해서 커버 부분이 수용기 부분으로 폐쇄될 때, 적층체와 접촉된다. 일부 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링이 적층체 내에 배열되고, 그러한 적층체는 수용기 부분의 베이스 상에 안착되고, 커버 부분은, 그러한 커버 부분과 베이스 부분 사이에서 적층체를 고정하기 위해서 커버 부분이 수용기 부분으로 폐쇄될 때, 적층체와 접촉된다. 일 실시예에서, 적층체는, 수용기 부분의 베이스와 결합되어 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 그 사이에 형성하는 최하부 웨이퍼 지지 링을 포함하고, 최하부 웨이퍼 지지 링은 최하부 웨이퍼와 결합되어 최하부 웨이퍼와 최하부 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이에서 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하도록 구성되고, 그에 의해서 최하부 웨이퍼 지지부와 베이스는, 최하부 웨이퍼가 최하부 웨이퍼 지지부 내에 배치될 때, 폐쇄된 가스 포켓을 형성하도록 구성된다.
커버 부분은, 커버 부분 내로 축방향으로 연장되는 정지부 부분을 포함할 수 있고, 그러한 정지부 부분은 연속적인 축방향 면을 형성한다. 적층체는, 정지부 부분의 연속적인 축방향 면과 결합되어 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 그 사이에 형성하는 최상부 웨이퍼 지지 링을 포함할 수 있고, 최상부 웨이퍼 지지 링은 최상부 웨이퍼와 결합되어 최상부 웨이퍼와 최상부 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이에서 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하도록 구성되고, 그에 의해서 최상부 웨이퍼 지지부와 커버 부분은, 최상부 웨이퍼가 최상부 웨이퍼 지지부 내에 배치될 때, 폐쇄된 가스 포켓을 형성하도록 구성된다. 일 실시예에서, 정지부 부분은 커버 부분의 상단 부분으로부터 매달리고, 그러한 정지부 부분은, 상단 부분의 중앙 축에 근접한 곳으로부터 방사상 외향으로 연장되는 복수의 방사상 연장 리브(rib)를 포함한다.
일부 실시예에서, 커버 부분은, 커버 부분 내로 축방향으로 연장되는 정지부 부분을 포함하고, 그러한 정지부 부분은 연속적인 축방향 면을 형성한다. 이러한 실시예에서, 적층체는, 정지부 부분의 연속적인 축방향 면과 결합되어 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 그 사이에 형성하는 최상부 웨이퍼 지지 링을 포함한다. 적층체는 또한 최상부 웨이퍼 지지 링과 접촉하는 인접 웨이퍼 지지 링을 포함할 수 있고, 그러한 인접 웨이퍼 지지 링은 최상부 웨이퍼와 결합되어 최상부 웨이퍼와 인접 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이에서 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하도록 구성되며, 그에 의해서 최상부 웨이퍼 지지부, 인접 웨이퍼 지지부, 및 커버 부분은, 최상부 웨이퍼가 인접 웨이퍼 지지부 내에 배치될 때, 폐쇄된 가스 포켓을 형성하도록 구성된다. 여러 실시예에서, 갭이 300 mm 웨이퍼를 수용하도록 구성된다.
개시 내용의 여러 실시예에서, 웨이퍼 지지 링이 개시되고, 그러한 웨이퍼 지지 링은: 중앙 축을 중심으로 동심적인 연속적인 플랜지 부분으로서, 그러한 플랜지 부분은 제1 축방향 면 및 제2 축방향 면을 포함하고, 제2 축방향 면은 제1 축방향 면에 대향되는, 연속적인 플랜지 부분; 연속적인 플랜지 부분의 제1 축방향 면으로부터 중앙 축에 평행하게 축방향으로 돌출하는 연속적인 융기부 부분; 및 제2 축방향 면 상에서 연속적인 채널을 형성하는 구조물을 포함한다. 이러한 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링 각각의 연속적인 플랜지 부분의 제1 축방향 면이, 연속적인 융기부 부분으로부터 방사상으로 삽입되고 연속적인 융기부 부분에 인접하는 평면형 정합 표면을 포함하고, 그러한 평면형 표면 부분은 웨이퍼를 위한 정합 평면을 형성하고, 연속적인 융기부 부분은 정합 평면과 관련하여 균일한 축방향 치수를 갖는다. 일부 실시예에서, 연속적인 채널은, 중앙 축에 대한 내부 반경을 형성하는 내부 방사상 벽 및 중앙 축에 대한 외부 반경을 형성하는 외부 방사상 벽을 포함하고, 연속적인 융기부 부분 및 복수의 웨이퍼 지지 링 각각의 연속적인 채널이 축방향으로 정렬되며, 그에 따라 연속적인 융기부 부분이 연속적인 채널에 의해서 형성된 내부 반경 및 외부 반경 내에 위치된다. 일부 실시예에서, 연속적인 채널이 내부 방사상 벽 및 외부 방사상 벽 사이에서 방사상으로 연장되는 함몰된 축방향 면을 제시하고, 플랜지 부분은 함몰된 축방향 면과 정합 평면 사이에 형성된 축방향 두께를 포함한다.
일 실시예에서, 연속적인 융기부 부분이 균일한 방사상 두께를 형성한다.
다른 실시예에서, 연속적인 융기부 부분이 제1 방사상 두께 및 제2 방사상 두께를 형성하고, 제2 방사상 두께는 제1 방사상 두께 보다 두껍다. 이러한 실시예에서, 연속적인 융기부 부분이 복수의 융기부 섹션(ridge section)을 포함할 수 있고, 각각의 융기부 섹션이 제1 방사상 두께의 제1 원호 세그먼트(arc segment), 및 제2 방사상 두께를 가지는 제2 원호 세그먼트를 포함한다. 연속적인 융기부 부분이 제1 방사상 두께와 제2 방사상 두께 사이의 적어도 하나의 전이부를 포함할 수 있고, 적어도 하나의 전이부가 제2 원호 세그먼트 내에 포함된다. 복수의 원호 세그먼트의 각각이 상응하는 기둥을 포함하여 복수의 기둥(post)을 제시하는 것을 특징으로 할 수 있고, 각각의 기둥이 제2 원호 세그먼트에 의해서 형성된다.
일부 실시예에서, 복수의 기둥이 중앙 축을 중심으로 각도적으로 균일하게 분포된다. 복수의 기둥이: 적어도 3개의 기둥 및 12개 이하의 기둥; 적어도 4개의 기둥 및 10개 이하의 기둥; 또는 적어도 6개의 기둥 및 8개 이하의 기둥일 수 있다.
일부 실시예에서, 제2 방사상 두께 대 제1 방사상 두께의 비율이, 포괄적으로(inclusive) 1.2 대 3; 포괄적으로 1.3 대 2; 또는 포괄적으로 1.4 대 1.8의 범위 이내이다.
일부 실시예에서, 복수의 융기부 섹션 중 적어도 하나의 제1 원호 세그먼트가 복수의 융기부 섹션의 적어도 하나 중 상응하는 하나의 원호 길이의 일부(fraction)이며, 그러한 일부는 포괄적으로 70% 내지 95%; 포괄적으로 75% 내지 95%; 또는 포괄적으로 75% 내지 85%의 범위 이내이다.
일부 실시예에서, 함몰된 축방향 면과 정합 평면 사이의 제1 원호 세그먼트의 제1 방사상 두께 대 축방향 두께의 비율이 포괄적으로 0.1 내지 1.5; 포괄적으로 0.5 내지 1.2; 또는 포괄적으로 0.8 내지 1.1의 범위이다.
개시 내용의 여러 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링을 포함하는 웨이퍼 지지 시스템이 개시되고, 각각의 웨이퍼 지지 링은 중앙 축을 형성하고 플랜지 부분 및 그러한 플랜지 부분의 제1 면으로부터 중앙 축에 평행하게 축방향으로 돌출하는 외부 테두리 부분을 포함하고, 플랜지 부분의 제1 면은, 외부 테두리 부분에 인접하고 외부 테두리 부분으로부터 방사상으로 삽입되는 평면형 표면 부분을 포함한다. 이러한 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링의 각각이, 플랜지 부분으로부터 방사상 내향으로 연장되는 웨이퍼 편평부 지지 구조물을 포함하고, 웨이퍼 편평부 지지 구조물은, 플랜지 부분의 평면형 표면 부분으로부터 방사상으로 삽입되는 평면형 표면 부분을 포함하는 제1 면을 포함하고, 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분은 선형 연부를 형성하고, 그러한 선형 연부는 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분의 중앙 축으로부터 최소 반경을 형성하고, 선형 연부는 중앙 축에 대해서 실질적으로 직각으로 그리고 최소 반경에 대해서 실질적으로 수직으로 연장된다. 또한, 복수의 웨이퍼 지지 링의 각각이 테두리 부분의 제1 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제1 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제1 탭 부분(tab portion)을 더 포함할 수 있다. 플랜지 부분 및 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분들이 정합 평면을 형성할 수 있다. 일부 실시예에서, 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 각각이, 중앙 축에 평행하게 축방향으로 돌출하는 리브를 포함하고, 그러한 리브는 외부 테두리 부분으로부터 방사상으로 삽입되고 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분으로부터 방사상으로 시작되며, 리브는, 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분의 선형 연부에 평행하게 연장되는 선형 부분을 포함한다. 리브 부분 및 외부 테두리 부분이 또한 동일한 축방향으로 돌출할 수 있고, 리브 부분이 웨이퍼 지지 구조물의 제1 면으로부터 연장된다. 일 실시예에서, 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 제1 면이, 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분의 선형 연부로부터 방사상 내향으로 연장되는 경사진 부분을 포함하고, 그러한 경사진 부분은 중앙 축을 향해서 그리고 정합 평면으로부터 멀리 연장된다. 일부 실시예에서, 플랜지 부분의 제1 면이, 플랜지 부분의 평면형 표면 부분으로부터 방사상 내향으로 연장되는 경사진 부분을 포함하고, 그러한 경사진 부분은 중앙 축을 향해서 그리고 정합 평면으로부터 멀리 연장된다.
일 실시예에서, 웨이퍼 지지 시스템이 베이스 부분 및 적어도 하나의 원호형 벽 부분을 포함하는 수용기 부분을 더 포함하고, 베이스 부분은 장착 축에 실질적으로 수직이고, 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 베이스 부분으로부터 연장되고, 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 장착 축을 중심으로 중심맞춤되고(centered) 장착 축에 실질적으로 평행하고, 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 웨이퍼 지지 링의 제1 탭 부분을 수용하도록 그 치수가 결정된 제1 측방향 개구부 및 제1 측방향 함몰부 중 하나를 형성한다.
여러 실시예에서, 웨이퍼 지지 링은: 테두리 부분의 제2 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 테두리 부분의 제2 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제2 탭 부분을 포함하고, 제2 접선방향 길이는 제1 탭 부분의 제1 접선방향 길이와 상이한 치수를 가지며; 그리고 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 웨이퍼 지지 링의 제2 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정된 제2 측방향 개구부 및 제2 측방향 함몰부 중 하나를 추가로 형성한다. 제1 탭 부분이 제2 탭 부분에 대해서 정반대로(diametrically) 대향될 수 있다. 적어도 하나의 원호형 벽 부분이 대향된 원호형 벽 부분들의 쌍을 포함할 수 있고, 대향된 원호형 벽 부분이 장착 축을 중심으로 중심맞춤되고, 대향된 원호형 벽 부분들의 쌍이 제1 개구부 및 제2 개구부를 그 사이에 형성한다.
일 실시예에서, 웨이퍼 지지 링은 테두리 부분의 제3 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제3 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제3 탭 부분을 포함하고, 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 웨이퍼 지지 링의 제3 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제3 측방향 개구부 및 제3 측방향 함몰부 중 하나를 추가로 형성한다. 제3 접선방향 길이가 제1 접선방향 길이 및 제2 접선방향 길이와 상이한 치수일 수 있다. 제1 탭 부분, 제2 탭 부분, 및 제3 탭 부분이 중앙 축을 중심으로 비대칭적으로 배치될 수 있다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 지지 링은 테두리 부분의 제4 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제4 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제4 탭 부분을 포함하고, 제4 탭 부분은 중앙 축을 중심으로 제3 탭 부분에 대해서 정반대로 대향되고, 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 웨이퍼 지지 링의 제3 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제4 측방향 개구부 및 제4 측방향 함몰부 중 하나를 추가로 형성한다. 제3 탭 부분 및 제4 탭 부분은 각각 실질적으로 동일한 형상 및 실질적으로 동일한 치수의 제1 평면 모습 프로파일을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 평면 모습 프로파일의 형상이 반-원에 근접한다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 지지 링이 테두리 부분의 제5 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제5 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제5 탭 부분을 포함한다. 적어도 하나의 원호형 벽 부분이 웨이퍼 지지 링의 제5 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제5 측방향 개구부 및 제5 측방향 함몰부 중 하나를 더 형성할 수 있고, 웨이퍼 지지 링이 테두리 부분의 제6 접선방향 길이로부터 방사상 외측으로 그리고 그러한 제6 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제6 탭 부분을 포함할 수 있고, 제6 탭 부분은 중앙 축을 중심으로 제5 탭 부분에 대해서 정반대로 대향된다. 적어도 하나의 원호형 벽 부분이, 웨이퍼 지지 링의 제6 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제6 측방향 개구부 및 제6 측방향 함몰부 중 하나를 더 형성할 수 있다.
제5 탭 부분 및 제6 탭 부분이 각각 실질적으로 동일한 형상 및 실질적으로 동일한 치수의 제2 평면 모습 프로파일을 형성할 수 있고, 제2 평면 모습 프로파일은 제1 평면 모습 프로파일과 상이한 형상 및 상이한 치수 중 적어도 하나를 갖는다. 일 실시예에서, 제3 탭 부분, 제4 탭 부분, 제5 탭 부분, 및 제6 탭 부분 각각이 진공 패드와의 결합을 위한 편평한 표면을 포함한다. 선택적으로, 편평한 표면 중 적어도 하나가 외부 테두리 부분을 통해서 방사상 내향으로 연장된다.
도 1은 개시 내용의 실시예에서의 웨이퍼 적재기의 부분적인 분해도이다.
도 2a는 도 1의 웨이퍼 적재기의 조립된 사시도이다.
도 2b는 도 1의 웨이퍼 적재기의 조립된 상면도이다.
도 2c는 도 1의 웨이퍼 적재기의 조립된 저면도이다.
도 2d는 도 1의 웨이퍼 적재기의 조립된 정면도이다.
도 2e는 도 1의 웨이퍼 적재기의 조립된 우측면도이다.
도 2f는 도 1의 웨이퍼 적재기의 조립된 후면도이다.
도 2g는 도 1의 웨이퍼 적재기의 조립된 좌측면도이다.
도 3은 개시 내용의 실시예에서의 도 1의 웨이퍼 적재기의 커버 부분의 하부 사시도이다.
도 4는 도 2의 조립된 웨이퍼 적재기의 단면도이다.
도 4a는 도 3의 조립된 웨이퍼 적재기의 커버 부분 및 적층체의 확대된, 부분적 단면도이다.
도 4b은 개시 내용의 실시예에서의 대안적인 커버 부분의 확대된, 부분 단면도이다.
도 5는 도 2의 조립된 웨이퍼 적재기의, 커버 부분, 수용기 부분, 및 적층체의 확대된, 부분적 단면도이다.
도 6은 개시 내용의 실시예에서의 웨이퍼 지지 링의 사시도이다.
도 7은 도 6의 웨이퍼 지지 링의 확대된, 부분적 단면도이다.
도 8은 개시 내용의 실시예에서의 내재된 웨이퍼와 함께 도 6의 웨이퍼 지지 링을 도시한 확대된, 부분적 단면도이다.
도 9는 개시 내용의 실시예에서의 예시적인 내재된 웨이퍼와 함께 웨이퍼 지지 링의 적층체를 도시한 부분적 단면도이다.
도 10은 개시 내용의 실시예에서의 복수의 기둥을 형성하는 웨이퍼 지지 링의 사시도이다.
도 10a는 도 10의 기둥의 확대도이다.
도 10b 내지 도 10d는 개시 내용의 실시예에서의 대안적인 기둥 배열체의 평면도이다.
도 11은 개시 내용의 실시예에서의, 명료함을 위해서 증대된, 기둥과 함께 도 10의 웨이퍼 지지 링을 도시한 단순화된 평면도이다.
도 12a 및 도 12b는 도 10의 웨이퍼 지지 링의 확대된 단면도이다.
도 13은 개시 내용의 실시예에서 다중 감쇠기 시스템으로서 도시되고 내재된 웨이퍼로 압축력을 전달하지 않는 적층체를 이용하는 웨이퍼 적재기의 개략도이다.
도 14는 개시 내용의 실시예에서 다중 감쇠기 시스템으로서 도시되고 내재된 웨이퍼로 압축력을 전달하는 적층체를 이용하는 웨이퍼 적재기의 개략도이다.
도 15는 개시된 실시예에서의 단일 웨이퍼 적재기의 개략도이다.
도 16은 개시된 실시예에서의 웨이퍼 적재기의 부분적인 분해도이다.
도 17은 도 16의 웨이퍼 적재기의 조립된 사시도이다.
도 18은 개시 내용의 실시예에서의 웨이퍼 지지 링의 사시도이다.
도 19는 도 18의 웨이퍼 지지 링의 단면도이다.
도 20은 개시 내용의 실시예에서의 내재된 웨이퍼와 함께 도 18의 웨이퍼 지지 링을 도시한 단면도이다.
도 21은 도 20의 확대된 부분도이다.
도 22는 개시 내용의 실시예에서의 예시적인 내재된 웨이퍼와 함께 웨이퍼 지지 링의 적층체를 도시한 부분적 단면도이다.
도 23은 개시 내용의 실시예에서 긴 코드(chord) 길이를 가지는 내재된 웨이퍼와 함께 도 18의 웨이퍼 지지 링을 도시한 단면도이다.
도 24는 도 23의 확대된 부분도이다.
도 25는 개시 내용의 실시예에서의 내재된 웨이퍼와 함께 도 18의 웨이퍼 지지 링을 도시한 부분적 단면도이다.
도 26는 도 25의 확대된 부분도이다.
도 27은 개시된 실시예에서의 도 16 및 도 17의 적재기의 수용기의 사시도이다.
도 28은 도 27의 수용기의 하단 사시도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 웨이퍼 적재기(30)가 개시 내용의 실시예에서 도시되어 있다. 웨이퍼 적재기(30)는 커버 부분(32) 및 수용기 부분(34)을 포함한다. 복수의 웨이퍼 지지 링(36)이 웨이퍼 적재기(30)의 적층체(38) 내에 배치되고, 그러한 적층체(38)는 웨이퍼 적재기(30)의 커버 부분(32)에 의해서 형성된 장착 축(42)을 중심으로 실질적으로 동심적이다. 웨이퍼 지지 링(36) 각각은 외부 둘레(46)(도 8)를 가지는 웨이퍼(44)를 지지하도록 성형되고 그 치수가 결정된다. 장착 축(42)은 원통형(r-θ-z) 좌표 시스템(45)의 z-축과 동심적이다. 여러 실시예에서, 실질적으로 연속적인 접촉 선 또는 밴드(48)(도 5)가 각각의 웨이퍼 지지 링(36)과 그에 의해서 지지된 웨이퍼(44) 사이에 구축된다.
커버 부분(32)은 상단 부분(50) 및 그로부터 매달린 연속적인 측부 부분(continuous side portion)(51)을 가지는 본체(54)를 포함한다. 상단 부분(50)이, 커버 부분(32)의 장착 축(42)의 근접부로부터 연장되는 방사상 연장 리브(53)를 포함할 수 있다. 도시된 실시예에서, 방사상 연장 리브(53)가 장착 축(42)에 근접하는 커버 부분의 상단 부분(50)의 내측부 상에 위치되고, 커버 부분(32)의 측부 부분(51)에 근접하는 상단 부분(50)의 외측부로 전이되며, 각각의 방사상 연장 리브(53)는 전이부를 통해서 연속된다(contiguous). 일 실시예에서, 편향 가능한 모서리 플랜지(52)가 커버 부분(32)의 본체(54)로부터 외팔보화된다(cantilevered). 각각의 모서리 플랜지(52)가 개구(56)를 형성하는 구조물을 포함할 수 있다. 도시된 실시예에서, 걸쇠 부재(58)가 장착 축(42)에 실질적으로 평행하게 수용기 부분(34)으로부터 연장되고, 각각의 걸쇠 부재는 개구들(56) 중 각각의 하나의 개구를 통과하여 각각의 모서리 플랜지(52)와 상호 결속되도록 배열된다.
일 실시예에서, 커버 부분(32)이, 적층체(38)와 결합하고 접촉하도록 웨이퍼 적재기 내로 연장되는 축방향 면(59a)을 가지는 정지부 부분(59)을 포함한다. 정지부 부분이, 축방향 면(59a)으로부터 매달리고 축방향 면(59a)의 내부 방사상 부분을 점유하는 축방향 연장 돌출부(59b)를 포함할 수 있다. 축방향 연장 돌출부(59b)의 방사상 극단부가 반경(Rp)을 형성한다.
수용기 부분(34)이 베이스(55)를 포함한다. 일 실시예에서, 장착 링(57)이 베이스(55)로부터 상향 연장되어 최하부 웨이퍼 지지 링(36z)(도 5)과 결합된다. 기능적으로, 방사상 연장 리브(53)는 커버 부분(32)의 상단 부분(50)으로 강성도(rigidity)를 제공하는 한편, 커버 부분(32)의 몰딩 중의 재료의 유동을 촉진한다. 모서리 플랜지(52)는 적층체(38)의 상단에 대한 커버 부분(32)의 스프링 부하(spring loading)를 제공하여 적층체(38)를 커버 부분(32)과 베이스 부분(34) 사이에서 고정한다. 축방향 연장 돌출부(59b)는, 도 6에 부수하여 이하에서 설명되는 바와 같이, 장착 축(42)에 대한 적층체(38)의 정렬을 제공한다.
도 6을 참조하면, 웨이퍼 지지 링(60)(즉, 복수의 웨이퍼 지지 링(36) 중 하나)이 개시 내용의 실시예에서 도시되어 있다. 웨이퍼 지지 링(60)은 중앙 축(62)을 형성하고 제1 축방향 면(66) 및 제2 축방향 면(68)을 가지는 플랜지 부분(64)을 포함하며, 제2 축방향 면(68)은 제1 축방향 면(66)에 대향한다. 웨이퍼 지지 링(60)이 융기부 부분(70) 및 외부 테두리 부분(72)을 더 포함한다. 융기부 부분(70)이 플랜지 부분(64)의 제1 축방향 면(66)으로부터 원위 연부(75)까지 중앙 축(62)에 평행하게 축방향(74)으로 돌출한다. 플랜지 부분(64)의 제1 축방향 면(66)이, 융기부 부분(70)으로부터 방사상으로 삽입되고 그에 인접하는 평면형 표면 부분(76)을 포함하고, 융기부 부분(70)의 원위 연부(75)는 평면형 표면 부분(76) 및 정합 평면(78)에 대해서 소정 높이(축방향 치수)(77)(도 7)까지 연장된다. 중앙 축(62)은 원통형(r-θ-z) 좌표 시스템(79)의 z-축과 동심적이다.
평면형 표면 부분(76)이, 내재된 웨이퍼(44)를 위한 정합 평면(78)(도 7 및 도 8)을 형성한다. 도 5의 설명을 참조하면, 실질적으로 연속적인 접촉 선 또는 밴드(48)가 웨이퍼(44)와 평면형 표면 부분(76)(도 8) 사이에 구축된다. 플랜지 부분(64)의 제1 축방향 면(66)이, 플랜지 부분(64)의 평면형 표면 부분(76)으로부터 방사상 내향으로 연장되는 경사진 부분(82)을 포함할 수 있고, 그러한 경사진 부분(82)은 중앙 축(62)을 향해서 그리고 정합 평면(78)으로부터 멀리 연장된다.
여러 실시예에서, 융기부 부분(70)과 플랜지 부분(64)의 평면형 표면 부분(76) 사이의 접합부(84)가 중앙 축(62)에 대한 반경(Rmax)을 형성한다. 내재된 웨이퍼(44)의 외부 둘레(46)와의 엄격한 공차의 체결(close tolerance fit)을 제공하도록, 반경(Rmax)의 치수가 결정될 수 있다. 또한, 반경(Rmax)이 융기부 부분(70)의 내부 면(85)(도 7)의 원주를 형성한다고 할 수 있고, 그러한 원주가 2πRmax와 같다. 내재된 웨이퍼(44)가 웨이퍼 지지 링(60) 내에 정합될 때, ISTA-2A에 의해서 규정된 바와 같은, 내재된 웨이퍼(44)의 일정 품질 지역(Fixed Quality Area)(FQA)을 침범하지 않도록, 평면형 표면 부분(76)의 치수가 결정될 수 있다. 또한, 여러 실시예에서, Rmax의 치수가, 축방향 연장 돌출부(59b)의 방사상 극단부에 의해서 형성되는 반경(Rp) 보다 약간 더 크다. 이러한 구성에 의해서, 축방향 연장 돌출부(59b)가 (도 4a에서 최상부 웨이퍼 지지 링(36a)으로서 식별되는) 적층체(38)의 최상부 웨이퍼 지지 링(60)의 융기부 부분(70)으로부터 방사상 내향으로 삽입되고, 그에 의해서 웨이퍼 적재기(30)의 폐쇄 시에 커버 부분(32)에 대한 적층체(38)의 정렬을 제공한다. 일 실시예에서, 축방향 면(59a)의 외부 부분이, 최상부 웨이퍼 지지 링(36a)에 대한 정지부 부분(59)의 안착을 위해서 축방향 연장 돌출부(59b)의 방사상 극단부로부터 방사상 외향으로 유지된다.
축방향으로 연장되는 돌출부(59b)에 대한 대안이 개시 내용의 실시예에서 도 4b에 도시되어 있다. 이러한 실시예에서, 정지부(59)는 제2 축방향 면(59d)으로 전이되는 단차부(59c)를 형성하고, 제2 축방향 면(59d)은 축방향 면(59a) 보다 하향으로 더(즉, 수용기 부분(34)의 베이스(55)를 향해서 더) 연장된다. 단차부(59c)는, 최상부 웨이퍼 지지 링(36a)의 융기부 부분(70)으로부터 방사상 내향으로 삽입될 수 있도록, 도 3의 축방향 연장 돌출부(59b)와 대략적으로 동일한 반경(Rp)에 위치될 수 있다. 도 4b의 이러한 배열에 의해서, 단차부(59c)가 도 3 및 도 4a의 축방향 연장 돌출부(59b)와 동일한 중심맞춤 기능을 제공할 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 내재된 웨이퍼(44)가 각각 없는 그리고 있는 상태의 웨이퍼 지지 링(60)의 단면도가 개시 내용의 실시예에서 도시되어 있다. 웨이퍼 지지 링(60)의 제2 축방향 면(68)이 홈 또는 채널(90)을 형성하는 구조물을 포함한다. 채널(90)이 내부 방사상 벽(91), 외부 방사상 벽(92), 및 내부 방사상 벽(91)과 외부 방사상 벽(92) 사이의 함몰된 축방향 면(93)(도 8)에 의해서 경계 지어진다. 지지 링(60)의 플랜지 부분(64)이 함몰된 축방향 면(93)과 정합 평면(78) 사이의 축방향 두께(95)를 형성하는 것으로 특징지어질 수 있다. 내부 및 외부 방사상 벽(91 및 92) 각각이 중앙 축(62)에 대한 내부 반경(Ri) 및 외부 반경(Ro)을 형성한다. 일부 실시예에서, 채널(90)이 연속적이다. 일 실시예에서, 융기부 부분(70)이 내부 반경(Ri)과 외부 반경(Ro) 사이에 형성된 제1 축방향 면(66) 상의 환형 밴드(ΔR)를 점유하고, 그에 따라 융기부 부분(70)이 채널(90) 위에 배치된다.
도 9를 참조하면, 개시 내용의 실시예에서, 내재된 웨이퍼(44)의 쌍을 포함하는 조립된 적층체(38)의 부분적 단면도가 도시되어 있다. 도시된 실시예에서, 제1 웨이퍼 지지 링(60a)이 제2 웨이퍼 지지 링(60b)의 상단에 적층되고, 그에 따라 제2 웨이퍼 지지 링(60b)의 융기부 부분(70b)의 원위 연부(75b)가 제1 웨이퍼 지지 링(60a)의 채널(90a) 내에 정합되어, 원위 연부(75b)와 채널(90a)의 함몰된 축방향 면(93a) 사이에 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(94)를 형성한다. 융기부 부분(70b)이 채널(90a) 내에 정합될 때, 축방향 치수(98)를 가지는 갭(96)이 제2 웨이퍼 지지 링(60b)의 평면형 표면 부분(76b)과 웨이퍼 지지 링(60a)의 제2 축방향 면(68a) 사이에 형성된다. 공극(99)이 인접한 웨이퍼들(44) 사이에 형성되고, 공극(99)은 연속적으로 적층된 웨이퍼 지지 링(60)에 의해서 주변부 상에서 경계 지어진다.
조립 시에, 웨이퍼(44)가 복수의 웨이퍼 지지 링(36)의 각각의 웨이퍼 지지 링(60) 내로 적재되고, 웨이퍼 지지 링(36)이 서로 상단에 배치되어 적층체(38)를 형성한다. 이어서, 커버 부분(32)이 수용기 부분(34)과 정렬되고 결합되며, 그에 따라 걸쇠 부재(58)가 개구(56)를 통해서 모서리 플랜지(52) 내에 상호 결속된다. 여러 실시예에서, 수용기 부분(34)과의 상호 결속 시에 정지부 부분(59)이 적층체(38)와 단단히 결합되도록, 커버 부분(32)의 치수가 결정된다.
이러한 결합(도 4a에 가장 잘 도시됨)에 의해서, 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(102)가 정지부 부분(59)과 복수의 웨이퍼 지지 링(36)의 최상부 웨이퍼 지지 링(36a) 사이에 형성된다. 그에 의해서, 상부 가스 포켓(104)이 커버 부분(32)과 적층체(38) 사이에 형성되며, 상부 가스 포켓(104)이 커버 부분(32), 정지부 부분(59), 접촉 밴드(102), 최상부 웨이퍼 지지 링(36a), 최상부 웨이퍼 지지 링(36a)에 인접한 인접 웨이퍼 지지 링(36b), 및 최상부 웨이퍼(44a)에 의해서 경계 지어진다. 상부 가스 포켓(104)의 경계(106)가 명료함을 위해서 도 4a에서 증가된 선 두께로 도시되었다.
대안적으로, 최상부 웨이퍼(44a)가, 도 4b에 도시된 바와 같이, 최상부 웨이퍼 지지 링(36a) 내에 배치될 수 있다. 도 4b의 실시예에서, 갭(107)이 제2 축방향 면(59d)과 최상부 웨이퍼(44a)의 정합 평면(78) 사이에 형성된다. 갭(107)이 갭(96)과 대략적으로 동일한 치수일 수 있고, 그에 의해서 갭(96)과 동일한 유지 및 포획 기능을 실시할 수 있다. 또한, 제2 축방향 면(59d)이 융기부 부분(70)의 원위 연부(75)로부터 축방향으로 하향 위치되기 때문에, 최상부 웨이퍼(44a)가 최상부 웨이퍼 지지부(36a)의 융기부 부분(70)을 "뛰어 넘는 것"이 방지되고 융기부 부분(70)과 정지부 부분(59)의 축방향 면(59a) 사이의 걸림으로 인해서 손상되는 것이 방지된다.
최상부 웨이퍼 지지 링(36a)(미도시) 내에서 최상부 웨이퍼(44a)를 수용하도록, 도 3 및 도 4a의 실시예가 또한 구성될 수 있다는 것이 추가적으로 이해될 수 있을 것이다. 축방향 연장 돌출부(59b)는, 그들의 하부 극단부와 정합 평면(78) 사이의 축방향 간극(미도시)을 제공하여 웨이퍼(44)가 최상부 웨이퍼 지지 링(36a) 내에 배치될 수 있게 하는 축방향 치수를 가질 수 있다. 그렇게 형성된 축방향 간극은 도 4b의 갭(107)과 유사하게 동작할 수 있다.
또한, 조립 시에, 정지부 부분(59)에 의해서 적층체(38) 상으로 부여되는 부하로 인해서, 힘이 적층체(38)를 통해서 전달되어 최하부 웨이퍼 지지 링(36z)을 수용기 부분(34)의 베이스(55)의 장착 링(57)과 단단히 결합시킨다. 이러한 결합은 최하부 링(36z)과 장착 링(57) 사이에서 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(108)를 형성한다. 하부 가스 포켓(109)가 그에 의해서 형성되고, 베이스(55), 장착 링(57), 최하부 웨이퍼 지지 링(36z), 및 최하부 웨이퍼 지지 링(36z) 내에 배치된 최하부 웨이퍼(44z)에 의해서 경계 지어진다.
여기에서, "실질적으로 연속적인 접촉 밴드"는, r-θ-z 좌표(예를 들어, 좌표(45 및 79))의 θ-좌표를 따라서 중단되지 않고 미시적인 레벨을 제외하고 계면에 걸친 접촉을 제공하는 계면이고, 표면 조도 그리고 긁힘 및 얕은 파형과 같은 약간의 표면 불완전부가 접촉의 불연속부를 생성할 수 있을 것이다. 그에 따라, 접촉은 미시적 의미에서 연속적이지 않으나, "실질적으로 연속적"이다.
복수의 웨이퍼 지지 링(36)의 제조 공차로 인해서, 적층체(38)의 높이가 적층체 마다 상당히 다를 수 있다. 그에 따라, 일부 실시예에서, 커버 부분(32)이 수용기 부분(34)과 상호 결속될 때, 걸쇠 부재(58)가, 적층체(38)의 누적되어 축적된 불확실성(accumulated build up uncertainty) 이내인 적층체(38)에 대한 높이 범위에 대해서 축방향 장력 상태(in axial tension)가 되도록 웨이퍼 적재기(30)가 구성되며, 가요성 모서리 플랜지(52)는 적층체(38)의 축적된 불확실성을 취하기(take up) 위해서 휘어진다. 이러한 배열에 의해서, 수용기 부분(34)에 대한 커버 부분(32)의 상호 결속은, 정지부 부분(59)이 적층체(38) 상으로 압축력을 가하도록 보장한다. 그러한 배열은, 포함 내용에서 명백하게 정의된 경우를 제외하고, 모든 목적을 위해서 내용 전체가 본원에서 참조로 포함되는, 본원의 출원인이 소유하고 본원과 동일한 날짜에 출원된, 대리인 문서(attorney docket) 제2267.1278US1호의, "웨이퍼 속박을 위한 일체형 모서리 스프링을 가지는 수평 웨이퍼 적재기(HORIZONTAL WAFER SHIPPER WITH INTEGRAL CORNER SPRING FOR WAFER CONTAINMENT)"라는 명칭의 미국 가출원에서 더 구체적으로 설명된다.
기능적으로, 내재된 웨이퍼(44)가 갭(96) 내에서 포획되고 거친 운송 중에(예를 들어, 충격 사건의 중에) 축방향 이동이 제한된다. 접합부(84)와 내재된 웨이퍼(44)의 외부 둘레(46) 사이의 엄격한 공차의 체결이 운송 중에 내재된 웨이퍼(들)(44)의 측방향 이동을 제한한다. 채널(90a)은 웨이퍼(44)가 융기부 부분(70b)을 "뛰어 넘는 것" 그리고 융기부 부분(70b)과 인접 웨이퍼 지지 링(60a)의 제2 축방향 면(68a) 사이의 걸림으로 인해서 손상되는 것을 추가적으로 방지한다.
내재된 웨이퍼(44)와 평면형 표면 부분(76)의 정합은, 내재된 웨이퍼(44)와 웨이퍼 지지 링(60b) 사이의 유동 제한부를 추가적으로 제공한다. 충격 사건 중에, 유동 제한부는, 공극(99)으로부터 뿐만 아니라 다른 인접 웨이퍼와 복수의 웨이퍼 지지 링(36) 사이에 형성된 공극으로부터의 가스의 방출을 느리게 하는 감쇠기로서 작용할 수 있다. 동일한 동력 내용(dynamic)이 가둬진 가스 기포 또는 상부 및 하부 가스 포켓(104 및 109)의 제약된 가스 포켓에 적용된다. 느리게 방출되는(충격 이벤트의 지속시간 비해서 "느리게") 주어진 공극(99) 및/또는 상부 및 하부 가스 포켓(104 및 109) 내의 가스의 영향으로 인해서, 내재된 웨이퍼(들)(44)를 충격 손상으로부터 추가적으로 완충시키는 감쇠 효과가 존재한다.
일부 실시예(도 4a)에서, 복수의 웨이퍼 지지 링(36)의 최상부 웨이퍼 지지 링(36a)이 점유되지 않는다(즉, 웨이퍼를 수용하지 않는다). 그러한 실시예에서, 최상부 웨이퍼 지지 링(36a)은, 인접 웨이퍼 지지 링(36b)(즉, 웨이퍼 지지 링(36a)이 상부에 장착되는 웨이퍼 지지 링(36b)) 내에 배치되는 최상부 웨이퍼(44a)를 포획하는 역할을 한다. 이러한 배열에 의해서, 웨이퍼 지지 링(36b) 내에 내재된 최상부 웨이퍼(44a)가 충격 이벤트 중에 웨이퍼 지지 링(36b)으로부터 이탈되는 것이 방지된다. 적층체(38)의 웨이퍼 지지 링(36a 및 36b)이 정지부 부분(59)에 의해서 인가되는 압축력에 의해서 고정되기 때문에, 최상부 웨이퍼(44a)가 내부에 내재되는 갭(96)이 충격 이벤트 중에 유지되고, 전술한 완충 효과가 또한 유지되고 동작한다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 웨이퍼 지지 링(110)이 개시 내용의 실시예에서 도시되어 있다. 웨이퍼 지지 링(110)은, 동일한 번호의 수치적 참조로 표시된, 웨이퍼 지지 링(60)과 동일한 많은 구성요소 및 특징(feature)을 포함한다. 웨이퍼 지지 링은, 플랜지 부분(64)의 제1 축방향 면(66)으로부터 중앙 축(62)에 평행하게 축방향(74)으로 돌출하는 융기부 부분(112)을 포함한다. 융기부 부분(112)이 제1 방사상 두께(114) 및 제2 방사상 두께(116)를 형성하고, 제2 방사상 두께(116)는 제1 방사상 두께 보다 두껍다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 전이부(118)가 제1 및 제2 방사상 두께(114 및 116) 사이에 형성된다. 제2 방사상 두께(116) 및 임의의 인접한 전이부(들)(118)를 포함하는 융기부 부분(112)의 부분들이 도 11에서, 본원에서 일반적으로 또는 집합적으로 기둥(들)(120)으로 지칭되는, 기둥(120a 내지 120h)으로서 표시된다.
도시된 실시예에서, 융기부 부분(112)이, 일반적으로 그리고 집합적으로 융기부 섹션(들)(122)으로 지칭되는, 8개의 융기부 섹션(122a 내지 122h)으로 분할된다. 각각의 융기부 섹션(122)은, 도 11에서 원호 길이(123a 내지 123h)로 도시되고 본원에서 일반적으로 또는 집합적으로 원호 길이(들)(123)로서 지칭되는 각각의 원호 길이를 갖는다. 원호 길이(123)가 길이(예를 들어, 센티미터) 또는 각도(예를 들어, 도)의 단위를 특징으로 할 수 있다. 각각의 융기부 섹션(122)이, 2개의 이웃하는 기둥들(120) 사이의 제1 방사상 두께(114)를 가지는 융기부 섹션(122)의 부분으로서 형성된, 제1 원호 세그먼트(124), 및 제2 방사상 두께(116) 및 그에 인접하는 임의 전이부(들)(118)(즉, 주어진 기둥(120))를 가지는 융기부 섹션(122)의 부분으로서 형성된, 제2 원호 세그먼트(126)를 포함한다. (제1 및 제2 원호 세그먼트(124 및 126)가 도 11에서 융기부 섹션(122c)에 대해서만 도시되어 있으나, 모든 원호 세그먼트(122)에 적용된다.) 선택적으로, 그리고 도시된 실시예에서 제시된 바와 같이, 제2 원호 세그먼트(126)가 중앙 축(62)을 중심으로 각도적으로 균일하게 분포되고, 그에 따라 각각의 융기부 섹션(122)이 동일한 각도(θ)에 대응한다(subtend).
여러 실시예에서, 제2 방사상 두께(116) 대 제1 방사상 두께(114)의 비율이 포괄적으로 1.4 내지 1.8의 범위 이내이고; 다른 실시예에서, 비율이 포괄적으로 1.3 내지 2의 범위 이내이며; 또 다른 실시예에서, 비율이 포괄적으로 1.2 내지 3의 범위 이내이다. (여기에서, "포괄적"이라고 하는 범위는 해당 범위에 대해서 기술된 종료점 값을 포함한다.) 여러 실시예에서, 융기부 부분(112)의 원주의 대부분이 제1 방사상 두께(114)이다. 일부 실시예에서, 주어진 융기부 섹션(122)의 제1 원호 세그먼트(124)가 융기부 섹션(122)의 원호 길이(123)의 75% 내지 85%(포괄적)이고; 다른 실시예에서, 포괄적으로 75% 내지 95%이며; 다른 실시예에서, 포괄적으로 70% 내지 95%이다. 여러 실시예에서, 기둥(120)의 수가 포괄적으로 3개 내지 12개이고; 일부 실시예에서 포괄적으로 4개 내지 10개의 기둥(120)이며; 일부 실시예에서, 포괄적으로 6개 내지 8개의 기둥(120)이다. 기둥(120)이 도시된 바와 같이 중앙 축(62)을 중심으로 균등하게 분포될 수 있으나, 이는 필수적인 것이 아니다.
기능적으로, 더 얇은 제1 방사상 두께(114)가, 특정의 사출 몰딩된 재료에서 불가피한 제1 원호 세그먼트(124)의 수축의 영향을 감소시키고, 그에 의해서 지지 링(110)의 휘어짐을 방지한다. 즉, 축방향 두께(95)에 비해서 충분히 두꺼운 방사상 두께를 가지는 융기부 섹션(122)의 경우에, 수축의 영향이, 플랜지 부분을 인식 가능하게 굽힐 수 있는(즉, 지지 링(110)이 지정된 편평도 및 파형 공차를 이탈하게 할 수 있는) 충분한 방사상 힘을 플랜지 부분(64)의 상단 상으로 가한다. 방사상 두께가 충분히 얇은 융기부 섹션(122)의 경우에, 수축에 의해서 가해지는 힘이 감소될 수 있고, 그에 따라 지정된 제조 공차가 유지될 수 있다. 여러 실시예에서, 제1 방사상 두께(114) 대 축방향 두께(95)의 비율이 포괄적으로 0.1 내지 1.5의 범위 이내인 경우에, 휘어짐이 충분히 감소된다. 일부 실시예에서, 제1 방사상 두께(114) 대 축방향 두께(95)의 비율이 포괄적으로 0.5 내지 1.2의 범위 이내이고; 일부 실시예에서, 포괄적으로 0.8 내지 1.1이다.
기둥(120)은, 예를 들어 충격 이벤트에서, 붕괴 또는 파단이 없이 웨이퍼 지지 링(110)을 적층할 수 있는 부하-지탱 능력을 제공한다. 기둥(120)은, 더 두꺼운 방사상 두께를 제시하면서도, 냉각 중에 지지 링(110)의 상당한 휘어짐을 유발하지 않도록 지지 링(110)의 충분히 작은 부분을 구성한다. 일 실시예에서, 높이(77)가 융기부 부분(112)의 원주 주위에서 균일하고, 그에 의해서, 이하에서 설명되는 바와 같이, 다른 지지 링과 함께 적층될 때 특정의 바람직한 동작 특성을 유지한다.
기둥(120)이, 대안적인 형상을 포함하는, 다양한 풋프린트(footprint) 형상을 가질 수 있다. 도 10의 실시예에서, 전이부(118)와 조합된 제2 방사상 두께(116)가 다각형 형상(도 10a)을 가지는 기둥(120)을 형성한다. 대안적으로, 기둥(120)에 대한 풋프린트 형상의 비제한적인 예가 삼각형 프로파일(도 10b), 반원형 프로파일(도 10c), 및 직사각형 프로파일(도 10d)을 포함한다.
도 13을 참조하면, 웨이퍼 적재기(130)가 개시 내용의 실시예에서 개략적으로 도시되어 있다. 웨이퍼 적재기(130)는 웨이퍼 적재기(30)의 감쇠 동력학에 관한 설명을 돕기 위한 웨이퍼 적재기(30)의 단순화된 버전이고, 그에 따라 동일한-번호의 수치적 참조로 표시된, 웨이퍼 적재기(30)의 많은 동일한 구성요소 및 특성을 갖는다. 웨이퍼 적재기(130)는, 직렬로 연결된 제진기들(dashpots)로서 유사하게 표시된 감쇠 챔버로서, 공극(99), 상부 가스 포켓(104), 및 하부 가스 포켓(109)를 개략적으로 묘사한다. 제진기(132)는 공극(99)에 의해서 제공되는 감쇠를 나타내고; 제진기(132a)는 상부 가스 포켓(104)에 의해서 제공되는 감쇠를 나타내며; 제진기(132z)는 하부 가스 포켓(109)에 의해서 제공되는 감쇠를 나타낸다.
충격 이벤트 중에, 웨이퍼 적재기(130)가 편향되어, 내부의 가스가 급격히 그리고 일시적으로 압축되게 한다. 공극(99), 상부 가스 포켓(104), 및 하부 가스 포켓(109)이 일련의 제진기(132, 132a, 132z)와 유사하기 때문에, 압축의 효과가 모든 웨이퍼(44)에 걸쳐서 확산된다. 커버(32)의 상단의 내향 편향에 의해서 기원되는 압축을 고려한다. 이는 상부 포켓(104) 내의 가스를 압축하는 작용을 하고, 이는 다시 최상부 웨이퍼(44a)를 하향 편향시킨다. 웨이퍼(44a)의 하향 편향이, 그러한 웨이퍼(44a)에 인접한 공극(99a)의 압축에 의해서 저지되고, 그에 따라 최상부 웨이퍼(44a)의 편향의 크기가 억제된다. 공극(99a)의 압축은 인접 웨이퍼(44b)가 하향 편향되게 하고, 이는 공극(99b)의 압축에 의해서 저지되며, 기타 등등이 계속된다. 편향/압축 속발(sequence)이 적층체(38)를 통해서 신속하게 진행된다.
또한, (예를 들어, 웨이퍼(44a)와 커버 부분(32) 사이의 거리가 급격하게 증가되는) 상부 포켓(104)의 부피를 급격히 그리고 효과적으로 팽창시키는 최상부 웨이퍼(44a)의 편향을 고려한다. 그러한 작용이 상부 가스 포켓(104) 내의 압력을 순간적으로 감소시킬 것이다. 압력의 순간적인 감소는 부분적인 진공력으로서 웨이퍼 상으로 작용할 수 있고, 그에 따라 최상부 웨이퍼(44a) 및 커버(32)가 서로로부터 멀리 편향하고자 하는 경향을 방해할 수 있다. 분리의 방해는 또한, 가둬진 가스 포켓(104)을 가지지 않는 시스템에 비해서, 최상부 웨이퍼(44a)의 편향을 감소시키는 작용을 할 수 있다. 이러한 동일한 부분적 진공 효과가 서로 분리된 웨이퍼들(44) 뿐만 아니라 웨이퍼(44z)에 의해서 형성된 공극(99) 및 하부 가스 포켓(109)에 대해서 또한 작용한다.
따라서, 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(48, 94, 102, 및 108)로 인해서, 충격 부하에 의해서 유발되는 압축을 분산시키는 작용을 하는, 느리게 누출시키는 가스 폐쇄부의 네트워크가 공극(99)과 폐쇄된 상부 및 하부 가스 포켓(104 및 109) 사이에 구축된다. 다시 말해서, 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(48, 94, 102, 및 108)는, 예를 들어 충격 이벤트 중에 압축이 발생되는 동안에, 공극(99)과 폐쇄된 상부 및 하부 가스 포켓(104 및 109)이 급격하게 가압될 때, 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 통한 유동 제한을 생성한다.
특히 웨이퍼(44)와 그러한 웨이퍼(44)가 내부에 내재되는 갭(96) 사이에 상당한 간극을 남기고, 그에 따라 실질적으로 연속적인 접촉 선 또는 밴드(48)가 상기와 달리 더 이상 연속적이지 않게 되는 얇은 웨이퍼(44)의 경우에, 웨이퍼(44)가 충격 이벤트 중에 플랜지 부분(64)의 평면형 표면(76)으로부터 멀리 상승될 수 있다는 것을 생각할 수 있다. 멀리 상승되는 것이 유동 제한을 다소 손상시킬 수 있지만, 웨이퍼(44)의 상승은 웨이퍼(44)와 갭(96) 사이의 간극에 의해서 제한되고, 그에 따라 그러한 개구부가 작은 치수로 제한될 수 있을 것이다. 멀리 상승하는 것의 작은 치수는 유동을 여전히 효과적으로 제한할 수 있고, 그에 따라 충격 사건 동안과 관련하여 가스의 느린 방출을 생성할 수 있다.
실질적으로 연속적인 접촉 밴드(48, 94, 102, 및 108)에 의해서 유발되는 유동 제한이 없는 상태에서, 압축 부하가 전술한 바와 같이 분포되지 않을 것이다. 예를 들어, 상부 포켓(104)의 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(102)에 걸친 유동 제한이 없는 상태에서, 최상부 웨이퍼(44a)가 충격 이벤트 중에 억제되지 않는 방식으로 상향 편향될 수 있고, 이는 최상부 웨이퍼(44a)에 대한 손상을 유발할 수 있을 것이다. 유사하게, 최하부 웨이퍼(44z)를 하향 편향시킬 수 있는 충격 이벤트는, 하부 포켓에서, 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(108)에 의해서 제공되는 유동 제한이 감쇠 효과를 제공하지 않는 경우에, 손상을 유발할 수 있을 것이다.
감쇠 효과는, 지지 지점들 사이의 웨이퍼의 연장 거리(span)가 상당히 멀어서 주어진 웨이퍼의 상당한 편향을 유발하는, 큰 지름의 웨이퍼(예를 들어, 비제한적으로, 300 mm 및 450 mm 웨이퍼)에서 특히 유리하다. 감쇠는 또한 편향 중에 인접한 웨이퍼들이 서로 부딪히는 것을 방지하는데 도움이 될 수 있다. 즉, 유사한 제진기들(132)이 직렬로 위치되기 때문에, 웨이퍼가 실질적으로 동일한 방향으로 편향되는 경향이 있고, 그에 따라 웨이퍼의 각각의 최대 편향 지점에서 임의의 2개의 웨이퍼가 부딪힐 기회가 감소된다. 이러한 감쇠 메커니즘의 양태는 보다 조밀하게 충진된 적층을 위한 내재된 웨이퍼 사이의 보다 작은 분리를 가능하게 할 수 있다.
감쇠 효과는 내재된 웨이퍼(44)의 편향을 감소시킬 뿐만 아니라; 감쇠 효과는 또한, 얇은 웨이퍼(44)가 그 각각의 웨이퍼 지지 링(36)으로부터 상승되는 정도를 감소시킨다. "얇은 웨이퍼"는, 인접 웨이퍼 지지 링들(36)(예를 들어, 도 9의 웨이퍼 지지 링(60a 및 60b)) 사이의 갭(96)을 실질적으로 채우지 않는 웨이퍼이다. 따라서, 웨이퍼가 충격 이벤트 또는 큰 진동의 기간 동안 갭(96) 내에서 변위될 수 있거나 "덜걱거릴" 수 있고, 이는 외부 둘레(46)에 근접한 웨이퍼(44)를 손상시킬 수 있다. 공극(99) 및 가스 포켓(104 및 109)의 감쇠 효과가 변위를 감소 또는 지연(감속)시키는 작용을 할 수 있고, 이는 다시 내재된 웨이퍼(44)에 대한 손상을 방지할 수 있다.
적층체(38)가 정지부 부분(59)에 의해서 가해진 압축 부하를, 내재된 웨이퍼(44) 상으로 힘을 가하지 않으면서, 복수의 웨이퍼 지지 링(36)을 통해서 전달하는 것을 추가적으로 주목하여야 할 것이다. 동일한 것이 충격 부하의 경우에도 마찬가지로 적용되고: 적층체(38)를 통해서 전달되는 어떠한 충격 부하도 임의의 내재된 웨이퍼(44)를 통해서 전달되지 않는다.
도 14을 참조하면, 웨이퍼 적재기(134)가 개시 내용의 실시예에서 개략적으로 도시되어 있다. 웨이퍼 적재기(134)는, 동일한 번호의 수치적 참조로 식별된, 도 13의 웨이퍼 적재기(134)와 동일한 많은 구성요소 및 특성을 포함한다. 웨이퍼 적재기(134)의 경우에, 웨이퍼 지지부(36)는, 인접하게 위치되어 적층체(138)를 형성하는 양 웨이퍼(44)와 접촉하고, 그러한 적층체는 내재된 웨이퍼(44)를 통해서 압축력을 전달한다. 일 실시예에서, 적층체(138)는 장착 링 상에서 지지되지 않고(즉, 베이스(55)로부터 상향 연장되는 장착 링(57)과 유사한 돌출 구조물이 없다); 그 대신에, 최하부 지지 링(36z)이 베이스(55)의 편평한 부분 상에 안착되어, 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(108)를 그 사이에 형성한다. 공극(99) 및 가스 포켓(104, 109) 내의 가스에 의해서 제공되는 감쇠로 인해서 웨이퍼 편향을 제한하는 일반적인 원리는 도 13의 웨이퍼 적재기(130)에 부수하여 설명된 것과 동일하다.
도 15을 참조하면, 단일 웨이퍼 적재기(150)가 개시 내용의 실시예에서 개략적으로 도시되어 있다. 웨이퍼 적재기(134)는, 동일한 번호의 수치적 참조로 식별된, 도 13의 웨이퍼 적재기(134)와 동일한 일부 구성요소 및 특성을 포함한다. 개략적으로, 웨이퍼 적재기(150)는, 웨이퍼 지지 링(36) 및 적층체(38)가 없는 웨이퍼 적재기(130)와 동일하다. 도 13에 개략적으로 도시된 웨이퍼 적재기(130)의 공극(99) 및 가스 포켓(104, 109)과 유사하게, 상부 가스 포켓(104) 및 하부 가스 포켓(109)이 내재된 웨이퍼의 편향에 반대로 동작된다.
도 16 및 도 17를 참조하면, 웨이퍼 적재기(230)가 개시 내용의 실시예에서 도시되어 있다. 웨이퍼 적재기(230)는 커버 부분(232) 및 수용기 부분(234)을 포함한다. 복수의 웨이퍼 지지 링(236)이 웨이퍼 적재기(230) 내의 적층체(238) 내에 배치되고, 그러한 적층체(238)는 수용기 부분(234)의 장착 축(242)을 중심으로 실질적으로 동심적이다. 외부 둘레(246) 및 일차적인 웨이퍼 편평부(248)를 가지는 웨이퍼(244)를 지지하도록 각각의 웨이퍼 지지 링(236)이 성형되고 그 치수가 결정되며, 일차적인 웨이퍼 편평부(248)는 코드(252)(도 20)를 형성한다.
도 18 내지 도 21을 참조하면, 복수의 웨이퍼 지지 링(236)의 웨이퍼 지지 링(260)이 개시 내용의 실시예에서 도시되어 있다. 웨이퍼 지지 링(260)은 중앙 축(262)을 형성하고 제1 면(266) 및 제2 면(268)을 가지는 플랜지 부분(264)을 포함하며, 제2 면(268)은 제1 면(266)에 대향한다. 웨이퍼 지지 링(260)은, 플랜지 부분(264)의 제1 면(266)으로부터 원위 극단부(275)까지 중앙 축(262)에 평행하게 축방향(274)으로 돌출하는 외부 테두리 부분(272)을 더 포함한다. 플랜지 부분(264)의 제1 면(266)은, 외부 테두리 부분(272)으로부터 방사상으로 삽입되고 그에 인접하는 평면형 표면 부분(276)을 포함한다.
웨이퍼 지지 링(260)은, 플랜지 부분(264)으로부터 방사상 내향으로 연장되는 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)을 더 포함한다. 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)은, 플랜지 부분(264)의 평면형 표면 부분(276)으로부터 방사상으로 삽입되는 평면형 표면 부분(282)을 가지는 제1 표면(281)을 포함하고, 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 평면형 표면 부분(282)은 선형 연부(284)를 형성한다. 선형 연부(284)는 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 평면형 표면 부분(282)의 중앙 축(262)으로부터 최소 반경(Rmin)을 형성하고, 선형 연부(284)는 중앙 축(262)에 대해서 실질적으로 직각으로 그리고 최소 반경(Rmin)에 대해서 실질적으로 수직으로 연장된다. 웨이퍼 지지 링(260)은, 외부 테두리 부분(272)으로부터 방사상 외향으로 그리고 테두리 부분(272)의 제1 접선방향 길이(288)를 따라서 연장되는 제1 탭 부분(286)을 더 포함한다.
일 실시예에서, 평면형 표면 부분(276 및 282)이 내재된 웨이퍼(44)를 위한 정합 평면(290)을 형성한다. 평면형 표면 부분(276 및 282)에 대한 웨이퍼(244)의 정합은 웨이퍼(244)와 웨이퍼 지지 링(260) 사이의 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공할 수 있고, 전술한 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(48)와 관련하여 앞서서 설명한 바와 같은 유리한 효과를 갖는다. 커버 부분(232)이 적층체(238)의 최상부 지지 링과 교합되도록 구성될 수 있고, 수용기 부분(234)이 적층체(238)의 최하부 지지 링과 교합되도록 구성될 수 있고, 그에 따라, 다시 전술한 바와 같은 장점을 수반하는, 도 13의 가스 포켓(104 및 109)과 유사한 가스 포켓을 형성한다.
여러 실시예에서, 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)이, 중앙 축(262)에 평행하게 축방향(294)으로 돌출하는 리브(292)를 포함하고, 그러한 리브(292)는 외부 테두리 부분(272)으로부터 방사상으로 삽입되고 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 평면형 표면 부분(282)으로부터 방사상으로 시작된다. 일 실시예에서, 리브(292)는 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 제1 면(281)로부터 그리고 외부 테두리 부분(272)과 동일한 축방향(274)으로 돌출한다. 일 실시예에서, 리브(292)는, 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 평면형 표면 부분(282)의 선형 연부(284)에 평행하게 연장되는 선형 부분(296)을 포함한다.
일 실시예에서, 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 제1 면(281)이, 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 평면형 표면 부분(282)의 선형 연부(284)로부터 방사상 내향으로 연장되는 경사진 부분(302)을 포함하고, 그러한 경사진 부분(302)은 중앙 축(262)을 향해서 그리고 정합 평면(290)으로부터 멀리 연장된다. 유사하게, 플랜지 부분(264)의 제1 면(266)이, 플랜지 부분(264)의 평면형 표면 부분(276)으로부터 방사상 내향으로 연장되는 경사진 부분(304)을 포함할 수 있고, 그러한 경사진 부분(304)은 중앙 축(262)을 향해서 그리고 정합 평면(290)으로부터 멀리 연장된다.
여러 실시예에서, 외부 테두리 부분(272)과 플랜지 부분(264)의 평면형 표면 부분(276) 사이의 접합부(306)가 중앙 축(262)에 대한 반경(Rmax)을 형성하고, 그러한 반경은 내재된 웨이퍼(44)의 외부 둘레(46)와의 엄격한 공차의 체결을 제공한다. 유사하게, 리브(292)의 선형 부분(296)과 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 평면형 표면 부분(282) 사이의 접합부(308)가, 내재된 웨이퍼(44)의 일차적인 웨이퍼 편평부(48)와의 엄격한 공차의 체결을 제공할 수 있다. 내재된 웨이퍼(44)가 웨이퍼 지지 링(260) 내에 정합될 때, ISTA-2A에 의해서 규정된 바와 같은, 내재된 웨이퍼(44)의 일정 품질 지역(FQA)을 침범하지 않도록, 평면형 표면 부분(276 및 282)의 치수가 결정될 수 있다.
도 22을 참조하면, 적층체(238)의 부분적인 단면도가 개시 내용의 실시예에서 개략적으로 도시되어 있다. 하나의 내재된 웨이퍼(44)가 설명 목적을 위해서 도시되어 있다. 도시된 실시예에서, 복수의 웨이퍼 지지 링(236)의 각각의 웨이퍼 지지 링(260)의 제2 면(268)이 제1 원형 홈(312)을 형성하는 구조물을 포함하고, 그러한 제1 원형 홈 내에는 복수의 웨이퍼 지지 링(236) 중 인접한 하나의 외부 테두리 부분(272)이 안착된다. 일 실시예에서, 제2 면(268)이 또한 제2 홈(314)을 형성하는 구조물을 포함하고, 그러한 제2 홈(314)은 복수의 웨이퍼 지지 링(236) 중 인접한 웨이퍼 지지 링의 리브와 정합되도록 그 치수가 결정되고 성형된다.
기능적으로, 적층체(238)는 내재된 웨이퍼(들)(44)를 포획하고 충격 사건 중에 내재된 웨이퍼의 축방향 이동을 제한한다. 접합부(306)와 외부 둘레(46) 사이의 그리고 접합부(308)와 리브(292)의 선형 부분(296) 사이의 엄격한 공차의 체결이 충격 사건 중에 내재된 웨이퍼(44)의 측방향 이동을 제한한다. 홈(312 및 314)은 웨이퍼가 외부 테두리 부분(272) 및 리브(292) 각각을 "뛰어 넘는 것", 그리고 외부 테두리 부분(272) 및/또는 리브(292)와 복수의 웨이퍼 지지 링(236) 중 인접한 하나의 제2 면(268) 사이의 걸림으로 인해서 손상되는 것을 추가적으로 방지한다. 내재된 웨이퍼(44)와 평면형 표면 부분(276 및 282)의 정합은, 내재된 웨이퍼(44)와 웨이퍼 지지 링(260) 사이의 유동 제한을 추가적으로 제공한다. 충격 사건 중에, 포획되고 포켓으로부터 느리게 방출되는 공기의 효과로 인해서, 유동 제한이, 복수의 웨이퍼 지지 링(236)과 내재된 웨이퍼(들)(44) 사이에 형성된 인접한 "포켓들" 사이에서 감쇠기로서 작용할 수 있다. 감쇠 효과는 내재된 웨이퍼(들)(44)를 충격 손상으로부터 추가적으로 완충시킨다.
도 23 및 도 24를 참조하면, 내재된 웨이퍼(44)의 코드(252) 보다 긴 코드(324)를 가지는 내재된 웨이퍼(322)가 개시 내용의 실시예에서 웨이퍼 지지 링(260) 내에 도시되어 있다. 비제한적인 예에서, 표준형의 150 mm 웨이퍼가 47.5 mm 및 57.5 mm의 코드(252)를 가지는 일차적인 편평부(48)를 가질 수 있다는 것을 주목하여야 할 것이다. 더 긴 코드(324)의 길이는 중앙 축(262)과 코드(252) 사이의 최소 반경(Rmin')을 감소시킨다. 일부 실시예에서, 리브(292)를 중앙 축(262)에 더 근접하게 배치하는 것에 의해서 웨이퍼 지지 링(260)이 수정될 수 있다. 도 23 및 도 24에 도시된 것과 같은 다른 실시예에서, 일차적인 편평부가 웨이퍼 편평부 지지 구조물(280)의 경사진 부분(302) 위에 현수되어(suspended) 유지된다. 일 실시예에서, 내재된 웨이퍼(322)가 웨이퍼 지지 링(260) 내에 정합될 때 약 0.05 mm인 축방향 갭(326)이 일차적인 편평부(48)와 경사진 부분(302) 사이에 형성된다.
기능적으로, 갭(326)의 비교적 작은 치수가 충격 사건 중에 일차적인 편평부(48)의 축방향 편향을 여전히 제한한다. 갭(326)의 비교적 작은 치수가 약간의 유동 제한을 여전히 제공할 수 있고, 그에 의해서 내재된 웨이퍼들(322) 사이의 "포켓"의 완충 효과를 도울 수 있다.
특정 웨이퍼 유형이 이차적인 웨이퍼 편평부(332)(도 23)를 포함할 수 있다는 것을 추가적으로 주목하여야 할 것이다. 이차적인 웨이퍼 편평부(332)가 전형적으로 식별 특징부(identification feature)이고, 일차적인 편평부(48)에 대한 위치가 내재된 웨이퍼(44, 322)의 일부 특성에 의존한다. 예를 들어, 이차적인 편평부(332)의 길이가 37.5mm일 수 있고, 일차적인 편평부(48)의 중심으로부터 45°, 90°, 135°, 및 180°의 각도로 중심맞춤될 수 있다. 일부 웨이퍼가 이차적인 편평부를 전혀 가지지 않는다. 따라서, 이차적인 편평부(332)가 일차적인 편평부(48)에 대한 많은 상이한 위치들에서 배치될 수 있다.
도 25 및 도 26을 참조하면, 웨이퍼 지지 링(260) 내에 위치된 이차적인 편평부(332)를 묘사하는 예 및 비제한적인 실시예가 도시되어 있다. 37.5 mm 코드 길이의 이차적인 편평부(332)의 경우에, 플랜지 부분(264)의 경사진 부분(304) 위의 최대 갭(334)이 약 0.1 mm이다. 최대 갭(334)의 비교적 작은 치수가 충격 사건 중에 일차적인 편평부(48)의 축방향 편향을 여전히 제한한다. 최대 갭(334)의 비교적 작은 치수가 약간의 유동 제한을 여전히 또한 제공할 수 있고, 그에 의해서 내재된 웨이퍼들(322) 사이의 "포켓"의 완충 효과를 도울 수 있다.
다시 도 18 내지 도 21을 참조하면, 웨이퍼 지지 링(260)이 또한 테두리 부분(272)의 제2 접선방향 길이(364)로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제2 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제2 탭 부분(362)을 포함할 수 있고, 제2 접선방향 길이(364)는 제1 탭 부분(286)의 제1 접선방향 길이(288)와 상이한 치수이다. 제1 탭 부분(286)이 제2 탭 부분(362)에 대해서 정반대로 대향될 수 있다.
웨이퍼 지지 링(260)이 또한 테두리 부분(272)의 제3 접선방향 길이(368)로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제3 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제3 탭 부분(366)을 포함할 수 있다. 제3 접선방향 길이가 제1 접선방향 길이(288) 및 제2 접선방향 길이(364)와 상이한 치수일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 탭 부분(286), 제2 탭 부분(362), 및 제3 탭 부분(366)이 중앙 축(262)을 중심으로 비대칭적으로 배치된다.
여러 실시예에서, 웨이퍼 지지 링(260)이 테두리 부분(272)의 제4 접선방향 길이(374)로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제4 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제4 탭 부분(372)을 포함하고, 제4 탭 부분(372)은 중앙 축(262)을 중심으로 제3 탭 부분(366)에 정반대로 대향된다. 일 실시예에서, 제3 탭 부분(366) 및 제4 탭 부분(372) 각각은 실질적으로 동일한 형상 및 실질적으로 동일한 치수(예를 들어, 도 18에 도시된 바와 같이, 실질적으로 반원형의 형상)의 제1 평면 모습 프로파일(370)을 형성한다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 지지 링(260)이 테두리 부분(272)의 제5 접선방향 길이(378)로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제5 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제5 탭 부분(376)을 포함한다. 일부 실시예에서, 웨이퍼 지지 링(260)이 테두리 부분(272)의 제6 접선방향 길이(384)로부터 방사상 외향으로 그리고 그러한 제6 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제6 탭 부분(382)을 포함하고, 제6 탭 부분(382)은 중앙 축(262)을 중심으로 제5 탭 부분(376)에 정반대로 대향된다. 일 실시예에서, 제5 탭 부분(376) 및 제6 탭 부분(382)이 각각 실질적으로 동일한 형상 및 실질적으로 동일한 치수의 제2 평면 모습 프로파일(380)을 형성하고, 제2 평면 모습 프로파일(380)은 제1 평면 모습 프로파일(370)과 상이한 형상 및 상이한 치수 중 적어도 하나를 갖는다.
일 실시예에서, 제3 탭 부분(366), 제4 탭 부분(372), 제5 탭 부분(376), 및 제6 탭 부분(382) 각각이 진공 패드(미도시)와의 결합을 위한 편평한 표면(386)을 포함한다. 또한, 도시된 실시예에서, 편평한 표면(386)이 외부 테두리 부분(272)을 통해서 방사상 내향으로 연장되고, 그에 의해서 진공 패드의 결합을 위한 더 넓은 면적을 제공한다.
외부 테두리 부분(272)이 여러 탭 부분(286, 362, 366, 372, 376, 및 382)에서 불연속적인 것으로 도시되어 있는데, 이는 외부 테두리 부분(272)을 통해서 연장되는 편평한 표면(386) 때문이다. 대안적인 실시예에서, 외부 테두리 부분의 원위 연부(275)가 연속적이고 평면(미도시)을 형성하며, 그에 따라, 웨이퍼 지지 링(236)이 도 22에 도시된 바와 같이 적층될 때, 실질적으로 연속적인 접촉 선 또는 밴드가, 본원에서 설명된 바와 같은 장점을 가지고, 도 5의 웨이퍼 지지 링들(36) 사이의 실질적으로 연속적인 접촉 밴드(94)와 유사하게, 인접한 웨이퍼 지지 링들 사이에 형성된다.
도 27 및 도 28를 참조하면, 웨이퍼 적재기(230)의 수용기 부분(234)이 개시 내용의 실시예에서 도시되어 있다. 수용기 부분(234)이 베이스 부분(202) 및 그러한 베이스 부분으로부터 연장되는 적어도 하나의 원호형 벽 부분(404)을 포함하고, 적어도 하나의 원호형 벽 부분(404)은 장착 축(42)을 중심으로 중심맞춤되고 장착 축에 실질적으로 평행하며, 적어도 하나의 원호형 벽 부분(404)은 웨이퍼 지지 링(260)의 제1 탭 부분(286)을 수용하도록 그 치수가 결정된 제1 측방향 개구부(406)를 형성한다. 대안적으로, 적어도 하나의 원호형 벽 부분(404)이 제1 탭 부분(286)을 수용하기 위한 제1 측방향 함몰부(미도시)를 형성할 수 있다.
도시된 실시예에서, 적어도 하나의 원호형 벽 부분(404)이 대향된 원호형 벽 부분들(404a 및 404b)의 쌍을 포함하고, 대향된 원호형 벽 부분들(404a 및 404b)이 장착 축(42)을 중심으로 중심맞춤되고, 대향된 원호형 벽 부분들(404a 및 404b)의 쌍이 제1 측방향 개구부(406) 및 제2 측방향 개구부(408)를 그 사이에 형성한다. 제2 측방향 개구부(408)는, 제2 탭 부분(162)을 수용하도록 그 치수가 결정된다. 대안적으로, 적어도 하나의 원호형 벽 부분(404)이 제2 탭 부분(286)을 수용하기 위한 제2 측방향 함몰부(미도시)를 형성할 수 있다.
적어도 하나의 원호형 벽 부분(404)이 또한, 웨이퍼 지지 링의 여러 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 측방향 함몰부(410)를 포함할 수 있다. 대안적으로, 적어도 하나의 원호형 벽 부분(404)이 웨이퍼 지지 링(260)의 여러 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는, 측방향 함몰부 대신의, 측방향 개구부를 형성할 수 있다.
기능적으로, 여러 탭 부분이 수용기(234) 내에서 웨이퍼 지지 링(260)을 상대적으로 회전되지 않게 고정하고(rotationally fix) 그리고 웨이퍼 지지 링(260)이 수용기(234) 내에서 뒤집혀 설치되지 않게 보장하도록 배열될 수 있다.
일 실시예에서, 베이스 부분(402)이, 그러한 베이스 부분(402)의 하부측면(414) 상에 배치되는 복수의 보스(boss)(412)를 포함한다. 보스(412)가 장착 축(42)으로부터의 그들의 방사상 위치, 장착 축(42)을 중심으로 하는 그들의 각도적 분포, 및/또는 서로에 대한 그들의 크기와 관련하여 비대칭적일 수 있다. 적재기(230)의 적절한 배향을 확인하기 위해서, 보스의 위치가 외부 장비에 의해서, 예를 들어 리미트 스위치 또는 다른 근접 스위치에 의해서 감지될 수 있다.
본원에서 설명되고 도시된 여러 실시예가, 비제한적으로, 150 mm, 200 mm, 300 mm, 및 450 mm 웨이퍼의 속박 및 적재에 적합하다.
본원에서 개시된 부가적인 도면 및 방법의 각각을 개별적, 또는 다른 특징 및 방법과 함께 이용하여, 개선된 장치 그리고 그 제조 및 이용 방법을 제공할 수 있다. 그에 따라, 본원에서 개시된 특징 및 방법의 조합이 개시 내용의 가장 넓은 의미로 그러한 개시 내용을 실시하는데 있어서 반드시 필요하지 않을 수 있고 그 대신에 대표적이고 바람직한 실시예를 특히 설명하기 위해서 단순히 개시된다.
이러한 개시 내용으로부터, 실시예에 대한 여러 가지 수정이 당업자에게 자명할 수 있을 것이다. 예를 들어, 당업자는, 상이한 실시예들에 대해서 설명된 여러 가지 특징들이 그 자체의 또는 상이한 조합들 내의 다른 특징들과 적절하게 조합되고, 조합되지 않고, 그리고 재조합될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 유사하게, 전술한 여러 가지 특징 모두가 개시 내용의 범위 또는 사상에 대한 제한이 아니라 예시적인 실시예로서 간주되어야 할 것이다.
당업자는, 여러 실시예가 전술된 임의의 개별적인 실시예에서 설명된 것 보다 적은 특징을 포함할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 본원에서 설명된 실시예는, 여러 가지 특징들이 조합될 수 있는 방식의 포괄적인 제시를 의미하지 않는다. 따라서, 실시예는 특징들의 상호 배타적인 조합이 아니고; 당업자가 이해할 수 있는 바와 같이, 청구항이 다른 개별적인 실시예로부터 선택된 다른 개별적인 특징의 조합을 포함할 수 있을 것이다.
본원의 명시적인 개시 내용에 반하는 청구 대상이 포함되지 않도록, 전술한 참조 문헌의 임의의 포함이 제한된다. 문헌에 포함된 청구항이 본원에서 참조로 포함되지 않도록, 전술한 참조 문헌의 임의의 포함이 추가적으로 제한된다. 명시적으로 본원에 포함되지 않는 경우에, 문헌에서 제공된 임의의 규정이 본원에서 참조로 포함되지 않도록, 전술한 참조 문헌의 임의의 포함이 또한 추가적으로 제한된다.
본원에 포함된 "실시예(들)", "개시 내용" "본 개시 내용" 개시 내용의 실시예(들)", 및 "개시된 실시예(들)" 등에 대한 언급은, 인정된(admitted) 종래 기술이 아닌 본 특허 출원의 명세서(청구항 및 도면을 포함하는, 문구)을 지칭한다.
청구범위를 해석하기 위한 목적을 위해서, "~하기 위한 수단" 또는 "~를 위한 단계"의 구체적인 용어가 각각의 청구항에 기재되지 않는 한, 미국 특허법 35조 112(f)의 규정이 적용되지 않을 것임이 분명하다.

Claims (54)

  1. 웨이퍼 적재 시스템이며:
    복수의 웨이퍼 지지 링을 포함하고, 각각의 웨이퍼 지지 링이:
    중앙 축을 중심으로 동심적인 플랜지 부분으로서, 상기 플랜지 부분이 제1 축방향 면 및 제2 축방향 면을 포함하고, 상기 제2 축방향 면은 상기 제1 축방향 면에 대향되는, 플랜지 부분;
    상기 플랜지 부분의 제1 축방향 면으로부터 상기 중앙 축에 평행하게 축방향으로 돌출하는 융기부 부분; 및
    상기 제2 축방향 면 상에서 채널을 형성하는 구조물을 포함하며,
    상기 복수의 웨이퍼 지지 링 중 제1 웨이퍼 지지 링이 상기 복수의 웨이퍼 지지 링 중 제2 웨이퍼 지지 링 상에 적층되고, 그에 따라 상기 제2 웨이퍼 지지 링의 융기부 부분의 원위 연부가 상기 제1 웨이퍼 지지 링의 채널 내에서 정합되고, 상기 제1 및 제2 웨이퍼 지지 링은 그들 사이에 갭을 형성하고, 상기 갭은, 상기 제1 웨이퍼 지지 링 상으로 가해지는 축방향 힘이, 상기 웨이퍼로 힘을 전달하지 않으면서, 상기 제2 웨이퍼 지지 링으로 전달되도록, 웨이퍼를 수용하게 구성되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 채널이 상기 중앙 축에 대한 내부 반경을 형성하는 내부 방사상 벽 및 상기 중앙 축에 대한 외부 반경을 형성하는 외부 방사상 벽을 포함하고;
    상기 복수의 웨이퍼 지지 링 각각의 융기부 부분 및 채널이 축방향으로 정렬되고, 그에 따라 상기 융기부 부분이 상기 채널에 의해서 형성된 상기 내부 반경 및 상기 외부 반경 내에 위치되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 채널이 연속적인, 웨이퍼 적재 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 융기부 부분이 연속적이고 상기 제1 및 제2 웨이퍼 지지 링들 사이에 형성된 갭을 둘러싸는, 웨이퍼 적재 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    실질적으로 연속적인 접촉 밴드가 상기 융기부 부분의 원위 연부와 상기 채널 사이에 형성되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 웨이퍼 지지 링 각각의 플랜지 부분의 제1 축방향 면이, 상기 융기부 부분으로부터 방사상으로 삽입되고 상기 융기부 부분에 인접하는 평면형 표면 부분을 포함하고, 상기 평면형 표면 부분이 웨이퍼를 위한 정합 평면을 형성하는, 웨이퍼 적재 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 지지 링이 상기 제1 웨이퍼와 상기 제1 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이의 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하기 위해서 상기 제1 웨이퍼와 결합되도록 구성되고; 그리고
    상기 제2 웨이퍼 지지 링이 상기 제2 웨이퍼와 상기 제2 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이의 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하기 위해서 제2 웨이퍼와 결합되도록 구성되고,
    그에 의해서, 상기 제1 웨이퍼가 상기 제1 웨이퍼 지지 링 내에 배치되고 상기 제2 웨이퍼가 상기 제2 웨이퍼 지지 링 내에 배치될 때 폐쇄된 공극을 형성하도록 상기 제1 웨이퍼 지지 링 및 상기 제2 웨이퍼 지지 링이 구성되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    웨이퍼가 상기 갭 내에 수용되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    수용기 부분; 및
    상기 수용기 부분의 폐쇄를 제공하도록 구성된 커버 부분을 포함하고,
    상기 복수의 웨이퍼 지지 링이 적층체 내에 배열되고, 상기 적층체는 상기 수용기 부분 내에 배치되고, 상기 커버 부분이, 상기 커버 부분과 상기 수용기 부분 사이에서 상기 적층체를 고정하기 위해서 상기 커버 부분이 상기 수용기 부분으로 폐쇄될 때, 상기 적층체와 접촉되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    수용기 부분; 및
    상기 수용기 부분의 폐쇄를 제공하도록 구성된 커버 부분을 포함하고,
    상기 복수의 웨이퍼 지지 링이 적층체 내에 배열되고, 상기 적층체는 상기 수용기 부분의 베이스 부분 내에 안착되고, 상기 커버 부분이, 상기 커버 부분과 상기 베이스 부분 사이에서 상기 적층체를 고정하기 위해서 상기 커버 부분이 상기 수용기 부분으로 폐쇄될 때, 상기 적층체와 접촉되며, 그리고
    상기 적층체는, 상기 수용기 부분의 베이스와 결합되어 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 그 사이에 형성하는 최하부 웨이퍼 지지 링을 포함하고, 상기 최하부 웨이퍼 지지 링은 최하부 웨이퍼와 결합되어 상기 최하부 웨이퍼와 상기 최하부 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이에서 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하도록 구성되며,
    그에 의해서 상기 최하부 웨이퍼 지지 링과 상기 베이스 부분은, 상기 최하부 웨이퍼가 상기 최하부 웨이퍼 지지부 링 내에 배치될 때, 폐쇄된 가스 포켓을 형성하도록 구성되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 커버 부분은, 상기 커버 부분 내로 축방향으로 연장되는 정지부 부분을 포함하고, 상기 정지부 부분은 연속적인 축방향 면을 형성하며;
    상기 적층체는, 상기 정지부 부분의 연속적인 축방향 면과 결합되어 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 그 사이에 형성하는 최상부 웨이퍼 지지 링을 포함하고, 상기 최상부 웨이퍼 지지 링은 상기 최상부 웨이퍼와 결합되어 상기 최상부 웨이퍼와 상기 최상부 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이에서 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하도록 구성되며,
    상기 최상부 웨이퍼 지지부 링과 상기 커버 부분은, 상기 최상부 웨이퍼가 상기 최상부 웨이퍼 지지 링 내에 배치될 때, 폐쇄된 가스 포켓을 형성하도록 구성되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 정지부 부분은 상기 커버 부분의 상단 부분으로부터 매달리고, 상기 정지부 부분은, 상기 상단 부분의 중앙 축에 근접한 곳으로부터 방사상 외향으로 연장되는 복수의 방사상 연장 리브를 포함하는, 웨이퍼 적재 시스템.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 커버 부분이, 상기 커버 부분 내로 축방향으로 연장되는 정지부 부분을 포함하고, 상기 정지부 부분은 연속적인 축방향 면을 형성하며;
    상기 적층체는, 상기 정지부 부분의 연속적인 축방향 면과 결합되어 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 그 사이에 형성하는 최상부 웨이퍼 지지 링을 포함하며,
    상기 적층체는, 상기 최상부 웨이퍼 지지 링과 접촉하는 인접 웨이퍼 지지 링을 포함하고, 상기 인접 웨이퍼 지지 링은 최상부 웨이퍼와 결합되어 상기 최상부 웨이퍼와 상기 인접 웨이퍼 지지 링의 평면형 표면 부분 사이에서 실질적으로 연속적인 접촉 밴드를 제공하도록 구성되며,
    그에 의해서 상기 최상부 웨이퍼 지지 링, 상기 인접 웨이퍼 지지 링, 및 상기 커버 부분은, 상기 최상부 웨이퍼가 상기 인접 웨이퍼 지지 링 내에 배치될 때, 폐쇄된 가스 포켓을 형성하도록 구성되는, 웨이퍼 적재 시스템.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 갭이 300 mm 웨이퍼를 수용하도록 구성되는, 웨이퍼 지지 시스템.
  15. 웨이퍼 지지 링이며:
    중앙 축을 중심으로 동심적인 연속적인 플랜지 부분으로서, 상기 연속적인 플랜지 부분은 제1 축방향 면 및 제2 축방향 면을 포함하고, 상기 제2 축방향 면이 상기 제1 축방향 면에 대향되는, 연속적인 플랜지 부분;
    상기 연속적인 플랜지 부분의 제1 축방향 면으로부터 상기 중앙 축에 평행하게 축방향으로 돌출하는 연속적인 융기부 부분; 및
    상기 제2 축방향 면 상에서 연속적인 채널을 형성하는 구조물을 포함하며,
    상기 연속적인 플랜지 부분의 제1 축방향 면이, 상기 연속적인 융기부 부분으로부터 방사상으로 삽입되고 그에 인접하는 평면형 표면 부분을 포함하고, 상기 평면형 표면 부분은 웨이퍼를 위한 정합 평면을 형성하고, 상기 연속적인 융기부 부분은 상기 정합 평면과 관련하여 균일한 축방향 치수를 갖는, 웨이퍼 지지 링.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 연속적인 채널이 상기 중앙 축에 대한 내부 반경을 형성하는 내부 방사상 벽 및 상기 중앙 축에 대한 외부 반경을 형성하는 외부 방사상 벽을 포함하고,
    상기 연속적인 융기부 부분 및 상기 연속적인 채널이 축방향으로 정렬되고, 그에 따라 상기 연속적인 융기부 부분이 상기 연속적인 채널에 의해서 형성된 상기 내부 반경 및 상기 외부 반경 내에 위치되는, 웨이퍼 지지 링.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 연속적인 채널이 상기 내부 방사상 벽과 상기 외부 방사상 벽 사이에서 방사상으로 연장되는 함몰된 축방향 면을 제시하고;
    상기 플랜지 부분이 상기 함몰된 축방향 면과 상기 정합 평면 사이에 형성된 축방향 두께를 포함하는, 웨이퍼 지지 링.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 연속적인 융기부 부분이 균일한 방사상 두께를 형성하는, 웨이퍼 지지 링.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 연속적인 융기부 부분이 제1 방사상 두께 및 제2 방사상 두께를 형성하고, 상기 제2 방사상 두께가 상기 제1 방사상 두께 보다 두꺼운, 웨이퍼 지지 링.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 연속적인 융기부 부분이 복수의 융기부 섹션을 포함하고, 각각의 융기부 섹션이 상기 제1 방사상 두께의 제1 원호 세그먼트, 및 상기 제2 방사상 두께를 가지는 제2 원호 세그먼트를 포함하는, 웨이퍼 지지 링.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 연속적인 융기부 부분이 상기 제1 방사상 두께와 상기 제2 방사상 두께 사이의 적어도 하나의 전이부를 포함하고, 상기 적어도 하나의 전이부가 상기 제2 원호 세그먼트 내에 포함되는, 웨이퍼 지지 링.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서,
    상기 복수의 제2 원호 세그먼트의 각각이 상응하는 기둥을 포함하여 복수의 기둥을 제시하고, 각각의 기둥이 상기 제2 원호 세그먼트에 의해서 형성되는, 웨이퍼 지지 링.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 복수의 기둥이 상기 중앙 축을 중심으로 각도적으로 균일하게 분포되는, 웨이퍼 지지 링.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 복수의 기둥이 3개의 기둥 이상 및 12개의 기둥 이하인, 웨이퍼 지지 링.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 복수의 기둥이 4개의 기둥 이상 및 10개의 기둥 이하인, 웨이퍼 지지 링.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 복수의 기둥이 6개의 기둥 이상 및 8개의 기둥 이하인, 웨이퍼 지지 링.
  27. 제20항 또는 제21항에 있어서,
    상기 제2 방사상 두께 대 상기 제1 방사상 두께의 비율이 포괄적으로 1.2 내지 3의 범위 이내인, 웨이퍼 지지 링.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 제2 방사상 두께 대 상기 제1 방사상 두께의 비율이 포괄적으로 1.3 내지 2의 범위 이내인, 웨이퍼 지지 링.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 제2 방사상 두께 대 상기 제1 방사상 두께의 비율이 포괄적으로 1.4 내지 1.8의 범위 이내인, 웨이퍼 지지 링.
  30. 제20항 또는 제21항에 있어서,
    상기 복수의 융기부 섹션 중 적어도 하나의 제1 원호 세그먼트가 상기 복수의 융기부 섹션의 적어도 하나 중 상응하는 하나의 원호 길이의 일부(fraction)이며, 상기 일부는 포괄적으로 70% 내지 95%의 범위 이내인, 웨이퍼 지지 링.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 일부가 포괄적으로 75% 내지 95%의 범위 이내인, 웨이퍼 지지 링.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 일부가 포괄적으로 75% 내지 85%의 범위 이내인, 웨이퍼 지지 링.
  33. 제20항 또는 제21항에 있어서,
    상기 함몰된 축방향 면과 상기 정합 평면 사이의 상기 제1 원호 세그먼트의 제1 방사상 두께 대 상기 축방향 두께의 비율이 포괄적으로 0.1 내지 1.5의 범위 이내인, 웨이퍼 지지 링.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 제1 방사상 두께 대 상기 축방향 두께의 비율이 포괄적으로 0.5 내지 1.2인, 웨이퍼 지지 링.
  35. 제34항에 있어서,
    상기 제1 방사상 두께 대 상기 축방향 두께의 비율이 포괄적으로 0.8 내지 1.1인, 웨이퍼 지지 링.
  36. 웨이퍼 지지 시스템이며:
    복수의 웨이퍼 지지 링을 포함하고, 각각의 웨이퍼 지지 링이 중앙 축을 형성하고 플랜지 부분 및 상기 플랜지 부분의 제1 면으로부터 중앙 축에 평행하게 축방향으로 돌출하는 외부 테두리 부분을 포함하며, 상기 플랜지 부분의 제1 면은, 상기 외부 테두리 부분으로부터 방사상으로 삽입되고 그에 인접하는 평면형 표면 부분을 포함하며,
    상기 복수의 웨이퍼 지지 링의 각각이, 상기 플랜지 부분으로부터 방사상 내향으로 연장되는 웨이퍼 편평부 지지 구조물을 포함하고, 상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물은, 상기 플랜지 부분의 평면형 표면 부분으로부터 방사상으로 삽입되는 평면형 표면 부분을 포함하는 제1 면을 포함하고, 상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분은 선형 연부를 형성하고, 상기 선형 연부는 상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분의 중앙 축으로부터 최소 반경을 형성하고, 상기 선형 연부는 상기 중앙 축에 대해서 실질적으로 직각으로 그리고 상기 최소 반경에 대해서 실질적으로 수직으로 연장되며,
    상기 복수의 웨이퍼 지지 링의 각각이 상기 외부 테두리 부분의 제1 접선방향 길이로부터 그리고 그러한 제1 접선방향 길이를 따라서 방사상 외향으로 연장되는 제1 탭 부분을 더 포함하며,
    상기 플랜지 부분 및 상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분들이 정합 평면을 형성하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 각각이, 상기 중앙 축에 평행하게 축방향으로 돌출하는 리브를 포함하고, 상기 리브는 상기 외부 테두리 부분으로부터 방사상으로 삽입되고 상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분으로부터 방사상으로 시작되며, 상기 리브는, 상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분의 선형 연부에 평행하게 연장되는 선형 부분을 포함하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  38. 제37항에 있어서,
    상기 리브 부분 및 상기 외부 테두리 부분이 동일한 축방향으로 돌출하고, 상기 리브 부분이 상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 제1 면으로부터 연장되는, 웨이퍼 지지 시스템.
  39. 제36항에 있어서,
    상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 제1 면이, 상기 웨이퍼 편평부 지지 구조물의 평면형 표면 부분의 선형 연부로부터 방사상 내향으로 연장되는 경사진 부분을 포함하고, 상기 경사진 부분이 상기 중앙 축을 향해서 그리고 상기 정합 평면으로부터 멀리 연장되는, 웨이퍼 지지 시스템.
  40. 제39항에 있어서,
    상기 플랜지 부분의 제1 면이, 상기 플랜지 부분의 평면형 표면 부분으로부터 방사상 내향으로 연장되는 경사진 부분을 포함하고, 상기 경사진 부분은 상기 중앙 축을 향해서 그리고 상기 정합 평면으로부터 멀리 연장되는, 웨이퍼 지지 시스템.
  41. 제36항에 있어서,
    베이스 부분 및 적어도 하나의 원호형 벽 부분을 포함하는 수용기 부분을 더 포함하고,
    상기 베이스 부분은 장착 축에 실질적으로 수직이고, 상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 상기 베이스 부분으로부터 연장되고, 상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 상기 장착 축을 중심으로 중심맞춤되고 상기 장착 축에 실질적으로 평행하며, 상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 상기 웨이퍼 지지 링의 제1 탭 부분을 수용하도록 그 치수가 결정되는 제1 측방향 개구부 및 제1 측방향 함몰부 중 하나를 형성하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지 링이 상기 외부 테두리 부분의 제2 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그 제2 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제2 탭 부분을 포함하고, 상기 제2 접선방향 길이는 상기 제1 탭 부분의 제1 접선방향 길이와 상이한 치수를 가지며; 그리고
    상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분이, 상기 웨이퍼 지지 링의 제2 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제2 측방향 개구부 및 제2 측방향 함몰부 중 하나를 더 형성하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  43. 제42항에 있어서,
    상기 제1 탭 부분이 상기 제2 탭 부분에 대해서 정반대로 대향되는, 웨이퍼 지지 시스템.
  44. 제42항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분이 대향된 원호형 벽 부분들의 쌍을 포함하고, 상기 대향된 원호형 벽 부분들이 상기 장착 축을 중심으로 중심맞춤되고, 상기 대향된 원호형 벽 부분들의 쌍이 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 그 사이에 형성하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  45. 제42항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지 링이 상기 외부 테두리 부분의 제3 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그 제3 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제3 탭 부분을 포함하고; 그리고
    상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 상기 웨이퍼 지지 링의 제3 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제3 측방향 개구부 및 제3 측방향 함몰부 중 하나를 추가로 형성하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  46. 제45항에 있어서,
    상기 제3 접선방향 길이가 상기 제1 접선방향 길이 및 상기 제2 접선방향 길이와 상이한 치수인, 웨이퍼 지지 시스템.
  47. 제45항에 있어서,
    상기 제1 탭 부분, 상기 제2 탭 부분, 및 상기 제3 탭 부분이 상기 중앙 축을 중심으로 비대칭적으로 배치되는, 웨이퍼 지지 시스템.
  48. 제47항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지 링이 상기 외부 테두리 부분의 제4 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그 제4 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제4 탭 부분을 포함하고, 상기 제4 탭 부분은 상기 중앙 축을 중심으로 상기 제3 탭 부분에 정반대로 대향되고; 그리고
    상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분이, 상기 웨이퍼 지지 링의 제3 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제4 측방향 개구부 및 제4 측방향 함몰부 중 하나를 더 형성하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  49. 제48항에 있어서,
    상기 제3 탭 부분 및 상기 제4 탭 부분 각각이 실질적으로 동일한 형상 및 실질적으로 동일한 치수의 제1 평면 모습 프로파일을 형성하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  50. 제49항에 있어서,
    상기 제1 평면 모습 프로파일의 형상이 반-원에 근접하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  51. 제49항에 있어서,
    상기 웨이퍼 지지 링이 상기 외부 테두리 부분의 제5 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그 제5 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제5 탭 부분을 포함하고;
    상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분은 상기 웨이퍼 지지 링의 제5 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제5 측방향 개구부 및 제5 측방향 함몰부 중 하나를 추가로 형성하고;
    상기 웨이퍼 지지 링이 상기 외부 테두리 부분의 제6 접선방향 길이로부터 방사상 외향으로 그리고 그 제6 접선방향 길이를 따라서 연장되는 제6 탭 부분을 포함하고, 상기 제6 탭 부분은 상기 중앙 축을 중심으로 상기 제5 탭 부분에 정반대로 대향되고; 그리고
    상기 적어도 하나의 원호형 벽 부분이, 상기 웨이퍼 지지 링의 제6 탭 부분을 수용하도록 위치되고 그 치수가 결정되는 제6 측방향 개구부 및 제6 측방향 함몰부 중 하나를 더 형성하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  52. 제51항에 있어서,
    상기 제5 탭 부분 및 상기 제6 탭 부분 각각이 실질적으로 동일한 형상 및 실질적으로 동일한 치수의 제2 평면 모습 프로파일을 형성하고, 상기 제2 평면 모습 프로파일이 상기 제1 평면 모습 프로파일과 상이한 형상 및 상이한 치수 중 적어도 하나를 갖는, 웨이퍼 지지 시스템.
  53. 제52항에 있어서,
    상기 제3 탭 부분, 상기 제4 탭 부분, 상기 제5 탭 부분, 및 상기 제6 탭 부분 각각이 진공 패드와의 결합을 위한 편평한 표면을 포함하는, 웨이퍼 지지 시스템.
  54. 제53항에 있어서,
    상기 편평한 표면 중 적어도 하나가 상기 외부 테두리 부분을 통해서 방사상 내향으로 연장되는, 웨이퍼 지지 시스템.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160126020A (ko) 2014-02-25 2016-11-01 엔테그리스, 아이엔씨. 적층형 지지 링을 가지는 웨이퍼 적재기
CN107004627A (zh) * 2014-11-27 2017-08-01 阿基里斯株式会社 环形间隔件
USD799825S1 (en) * 2015-08-31 2017-10-17 Entegris, Inc. Container
USD801046S1 (en) * 2015-08-31 2017-10-31 Entegris, Inc. Container
US10832927B2 (en) * 2015-12-18 2020-11-10 Texas Instruments Incorporated Interlocking nest wafer protector
DE102016113924B4 (de) 2016-07-28 2024-06-13 Infineon Technologies Ag Waferbox und Verfahren zum Anordnen von Wafern in einer Waferbox
USD812907S1 (en) * 2017-01-16 2018-03-20 Endural, Llc Container
US11257700B2 (en) 2017-08-29 2022-02-22 Daewon Semiconductor Packaging Industrial Company Separators for handling, transporting, or storing semiconductor wafers
DE202019101793U1 (de) * 2018-06-27 2019-10-09 Murata Machinery, Ltd. Vorrichtungen zum mindestens einen aus Substrat-Handhabung, Substrat-Lagerung, Substrat-Behandlung und Substrat-Verarbeitung
CN112262466B (zh) 2018-08-01 2023-04-14 平田机工株式会社 搬运装置及控制方法
US10811292B2 (en) * 2018-09-12 2020-10-20 Texas Instruments Incorporated Transport packaging and method for expanded wafers
US20200373190A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Process kit enclosure system
USD917825S1 (en) 2019-07-16 2021-04-27 Entegris, Inc. Wafer support ring
JP7330081B2 (ja) * 2019-12-03 2023-08-21 三菱電機株式会社 キャリアスペーサおよび半導体装置の製造方法
US11664257B2 (en) * 2021-09-21 2023-05-30 Intel Corporation Contactless wafer separator
WO2023188147A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 アキレス株式会社 半導体ウェーハ搬送容器

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61291336A (ja) 1985-06-20 1986-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送出装置
JP2688664B2 (ja) 1994-09-07 1997-12-10 シノン電気産業株式会社 半導体デバイス用トレー
JP2910684B2 (ja) 1996-07-31 1999-06-23 日本電気株式会社 ウエハー容器
JP3054701U (ja) * 1998-06-05 1998-12-18 株式会社倉元製作所 膜付きガラス基板のスペーサ
DE60044028D1 (de) 1999-07-23 2010-04-29 Ray G Brooks Sicherungssystem für wafer mit integriertem schaltkreis (ic)
US6550619B2 (en) 2000-05-09 2003-04-22 Entergris, Inc. Shock resistant variable load tolerant wafer shipper
US7040487B2 (en) 2001-07-14 2006-05-09 Entegris, Inc. Protective shipper
JP4261170B2 (ja) 2002-11-08 2009-04-30 株式会社ヴァンテック 半導体ウェハ搬送容器
US6926150B2 (en) * 2003-02-05 2005-08-09 Texas Instruments Incorporated Protective interleaf for stacked wafer shipping
JP4150963B2 (ja) 2003-02-07 2008-09-17 株式会社ダイフク 被支持体積層支持装置
JP4329536B2 (ja) 2003-12-26 2009-09-09 アキレス株式会社 半導体ウェハーの収納具
US7225929B2 (en) * 2004-12-30 2007-06-05 Illinois Tool Works Inc. Adjustable height wafer box
TW200746349A (en) * 2006-02-08 2007-12-16 Entegris Inc Stacking rings for wafers
FR2901543B1 (fr) * 2006-05-23 2009-02-27 Mezrag Mohamed Seiffeddine Bou Recipient modulaire pour contenir des denrees sensibles a leur mise a l'air.
JP4716928B2 (ja) 2006-06-07 2011-07-06 信越ポリマー株式会社 ウェーハ収納容器
JP2008044636A (ja) 2006-08-11 2008-02-28 Sanyu Kikaku:Kk 収納用トレー
JP3130509U (ja) 2007-01-16 2007-03-29 山汰科技企業有限公司 基板搬送装置
JP5043475B2 (ja) * 2007-03-05 2012-10-10 ミライアル株式会社 半導体ウエハ収納容器
JP2009076646A (ja) 2007-09-20 2009-04-09 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板保持具
CN101888957B (zh) 2007-10-12 2013-01-02 大元半导体包装产业有限公司 带有交错壁结构的晶圆容器
JP4825771B2 (ja) * 2007-10-22 2011-11-30 信越ポリマー株式会社 ウェーハ収納容器およびウェーハのハンドリング方法
US20100224517A1 (en) 2009-03-03 2010-09-09 Haggard Clifton C Disk separator device
US9224627B2 (en) * 2011-02-16 2015-12-29 Texchem Advanced Products Incorporated Sdn Bhd Single and dual stage wafer cushion and wafer separator
JP5712058B2 (ja) 2011-06-03 2015-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20140076774A1 (en) * 2012-09-18 2014-03-20 Kurt F. Kaashoek Automated Wafer Container with Equipment Interface
KR20160126020A (ko) 2014-02-25 2016-11-01 엔테그리스, 아이엔씨. 적층형 지지 링을 가지는 웨이퍼 적재기
WO2016094398A1 (en) 2014-12-08 2016-06-16 Entegris, Inc. Horizontal substrate container with integral corner spring for substrate containment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018062951A2 (ko) 2016-09-30 2018-04-05 주식회사 녹십초 알로에 전동칫솔

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Publication number Publication date
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