KR20160091821A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160091821A
KR20160091821A KR1020160004167A KR20160004167A KR20160091821A KR 20160091821 A KR20160091821 A KR 20160091821A KR 1020160004167 A KR1020160004167 A KR 1020160004167A KR 20160004167 A KR20160004167 A KR 20160004167A KR 20160091821 A KR20160091821 A KR 20160091821A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring member
gas nozzle
pedestal portion
raw material
material gas
Prior art date
Application number
KR1020160004167A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101892339B1 (ko
Inventor
마나부 혼마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160091821A publication Critical patent/KR20160091821A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101892339B1 publication Critical patent/KR101892339B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

가스 노즐의 상하 방향의 방향의 조정 작업이 용이한 기술을 제공한다.
진공 용기(11) 내에 설치된 회전 테이블(2)에 대향하여 수평으로 전후 방향으로 신장되도록 설치된 원료 가스 노즐(31)의 일단측을 진공 용기(11)의 측벽의 관통 구멍에 삽입하고, 관통 구멍보다도 원료 가스 노즐(31)의 선단측에서 링 부재(5)의 내주면에 원료 가스 노즐(31)을 적재한다. 링 부재(5)의 외주면의 윤곽 형상은 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정되며, 그 둘레 방향으로 서로 이격된 좌측 위치 및 우측 위치에서 받침대부(52)에 적재된다. 링 부재(5)를 회동시켜 받침대부(52)와 접촉하는 위치를 변화시킴으로써, 받침대부(52)와 접촉하는 좌측 위치 및 우측 위치와, 원료 가스 노즐(31)이 적재되는 링 부재(5)의 지지 위치의 거리가 변화되므로, 원료 가스 노즐(31)의 지지 위치의 높이를 조정할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 처리 용기 내에서 가스 노즐로부터 기판의 표면에 처리 가스를 공급하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판(이하 「웨이퍼」라고 함)에 실리콘 산화막 등의 박막을 성막하는 방법으로서, 소위 ALD(Atomic Layer Deposition)법을 행하는 성막 장치가 알려져 있다. 이 ALD법을 실시하는 장치로서, 진공 용기 내의 회전 테이블 상에 배치한 복수의 웨이퍼를 회전 테이블에 의하여 공전시켜, 원료 가스가 공급되는 영역과, 원료 가스와 반응하는 반응 가스가 공급되는 영역을 순서대로 통과시키는 구성이 알려져 있다. 이 장치에서는, 원료 가스는, 회전 테이블의 직경 방향으로 신장됨과 함께 그 길이 방향을 따라 가스 토출 구멍이 형성된 가스 노즐에 의하여 공급된다. 원료 가스를 높은 면내 균일성을 갖고 웨이퍼에 흡착시켜 성막 처리의 면내 균일성을 높이기 위하여, 가스 노즐을, 예를 들어 웨이퍼와 평행으로 설치하는 것이 요구된다.
이러한 종류의 기판 처리 장치에 있어서의 가스 노즐의 경사를 조정하는 경사 조정 기구로서, 특허문헌 1에는, 가스 노즐을 하방측으로부터 지지하는 지지 부재의 높이 위치를 조정하고, 경사 조정 나사에 의하여 진공 용기의 측벽에 나사 고정함으로써, 가스 노즐의 수평축에 대한 경사의 조정을 행하는 구조가 기재되어 있다.
이 경사 조정 기구는, 지지 부재에 가스 노즐을 사이에 끼우고 좌우 방향의 2개소의 위치에 설치된 경사 조정 나사에 의하여 미소한 높이 조정을 행하기 때문에 조정 작업이 번잡하다.
또한 높이 조정의 정밀도를 높이기 위하여 나사산을 미세하게 할 필요가 있다. 이 때문에 지지 부재와 경사 조정 나사는 금속에 의하여 구성되고, 그 표면을 내식성의 피막에 의하여 피복하고 있지만, 나사를 체결할 때 피복이 박리되어 파티클의 발생 원인으로 될 우려도 있다. 이러한 점으로부터, 가스 노즐의 지지 위치의 높이를 조정하는 데 있어서 간이한 구성이고 또한 조정 작업이 용이한 기술이 요망되고 있다.
일본 특허 공개 제2010-135510호 공보(도 6, 단락 0032 내지 0041 등)
본 발명은, 처리 용기의 측벽의 관통 구멍에 삽입된 가스 노즐로부터 기판 적재부 상의 기판의 표면에 처리 가스를 공급하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 가스 노즐의 상하 방향의 방향의 조정 작업이 용이한 기술을 제공한다.
처리 용기의 측벽의 관통 구멍에 삽입되어 전후 방향으로 신장되는 가스 노즐로부터, 상기 가스 노즐에 대하여 상대적으로 이동하는 기판 적재부 상의 기판의 표면에 처리 가스를 공급하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 관통 구멍보다도 가스 노즐의 선단측에서 상기 가스 노즐이 관통되어 그 내주면에 적재되고, 외주면 및 내주면 중 적어도 한쪽의 윤곽 형상이 소용돌이 곡선 또는 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정된 링 부재와, 상기 링 부재가 둘레 방향으로 서로 이격된 좌측 위치 및 우측 위치에서 적재되는 받침대부를 포함하고, 상기 링 부재의 회동에 의하여 상기 링 부재에 있어서의 가스 노즐의 지지 위치의 높이가 조정된다.
본 발명에 따르면, 처리 용기의 측벽의 관통 구멍에 삽입된 가스 노즐의 지지 위치의 높이를 조정하여 가스 노즐의 상하 방향의 방향을 조정하는 데 있어서, 가스 노즐을 링 부재에 관통시켜 그 내주면에 적재하고 있다. 링 부재는, 외주면 또는 내주면 중 적어도 한쪽의 윤곽 형상이 소용돌이 곡선 또는 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정됨과 함께, 둘레 방향으로 서로 이격된 좌측 위치 및 우측 위치에서 받침대부에 적재된다. 링 부재를 회동시켜 받침대부와 접촉하는 좌측 위치 및 우측 위치를 변화시킴으로써, 받침대부와 접촉하는 좌측 위치 및 우측 위치와, 가스 노즐이 적재되는 링 부재의 내주면의 지지 위치와의 거리가 변화되므로, 가스 노즐의 지지 위치의 높이를 조정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 이루는 성막 장치의 종단 측면도이다.
도 2는 성막 장치의 개략 횡단 사시도이다.
도 3은 성막 장치의 횡단 평면도이다.
도 4는 성막 장치의 일부의 종단 측면도이다.
도 5는 성막 장치에 설치되는 링 부재, 받침대부 및 규제부를 도시하는 개략 사시도이다.
도 6은 링 부재 및 받침대부를 도시하는 정면도이다.
도 7은 링 부재의 윤곽 형상의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 8은 규제부의 일례를 도시하는 정면도이다.
도 9는 링 부재 및 받침대부를 도시하는 정면도이다.
도 10은 링 부재 및 받침대부를 도시하는 정면도이다.
도 11은 가스 노즐의 지지 위치의 조정예를 도시하는 종단 측면도이다.
도 12는 가스 노즐의 지지 위치의 다른 조정예를 도시하는 종단 측면도이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 링 부재를 도시하는 정면도이다.
도 14는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 성막 장치의 일부를 도시하는 종단 측면도이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 성막 장치에 설치되는 링 부재, 받침대부 및 규제부를 도시하는 개략 사시도이다.
도 16은 링 부재 및 받침대부를 도시하는 정면도이다.
도 17은 링 부재 및 받침대부를 도시하는 정면도이다.
도 18은 링 부재의 다른 예를 도시하는 정면도이다.
도 19는 평가 시험의 결과를 나타내는 특성도이다.
도 20은 평가 시험의 결과를 나타내는 특성도이다.
도 21은 평가 시험의 결과를 나타내는 특성도이다.
(제1 실시 형태)
본 발명의 기판 처리 장치의 제1 실시 형태를 이루는 성막 장치(1)에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1, 도 2, 도 3은 각각 성막 장치(1)의 종단 측면도, 개략 횡단 사시도, 횡단 평면도이며, 도 1은 도 3의 R-R'선을 따라 절단한 종단 측면도이다. 이 성막 장치(1)는, 원료 가스와, 원료와 반응하는 반응 가스를 웨이퍼(W)에 순서대로 공급하여, 소위 ALD법에 의하여 실리콘 산화막의 박막을 적층하여 형성하는 것이다.
처리 용기를 이루는 진공 용기(11)는 평면적으로 볼 때 대략 원형으로 형성되어 있으며, 천장판(12)과, 진공 용기(11)의 측벽 및 저부를 이루는 용기 본체(13)에 의하여 구성되어 있다. 진공 용기(11)의 중앙부에는 볼록부(14)가 형성되며, 이 볼록부(14)는, 진공 용기(11)의 중심부에서 회전 테이블(2)을 지지하는 지지부(21)와 함께, 가스 유로(15)를 구비한 중앙부 영역(C)을 형성하고 있다. 도 1 중 도면 부호 (10)은 가스 유로(15)에 분리 가스인 질소 가스(N2 가스)를 공급하는 공급관이다.
회전 테이블(2)은 평면에서 볼 때 원형으로 형성되며, 지지부(21) 하방의 회전 기구(22)에 의하여 그 중심축을 중심으로 회전하도록 구성되어 있다. 회전 테이블(2)의 표면측에는 회전 방향을 따라, 예를 들어 5개의 기판 적재 영역인 오목부(23)가 형성되어 있으며, 이 오목부(23)에 웨이퍼(W)가 적재된다. 진공 용기(11)의 측벽에는 게이트 밸브(18)에 의하여 개폐되는 반송구(17)가 형성되며, 반송 기구(24)와 도시하지 않은 승강핀의 조합에 의하여, 수수 영역(S1)에 있어서 오목부(23)에 대하여 웨이퍼(W)가 수수된다. 도 3 중 도면 부호 (25)는 승강핀용 구멍부이다.
회전 테이블(2)의 하방에는 히터(27)가 설치되어 있으며, 이 히터(27)의 복사열에 의하여 회전 테이블(2)이 승온되어, 적재된 웨이퍼(W)가 가열된다. 도 1 중 도면 부호 (28)은 히터(27)의 배치 공간을 질소 가스에 의하여 퍼지하기 위한 퍼지 가스 공급관이다. 또한 진공 용기(11)의 저부 중앙을 덮는 케이스체(20)에는 질소 가스를 퍼지 가스로서 공급하는 퍼지 가스 공급부(29)가 설치되어 있다.
회전 테이블(2)의 오목부(23)의 통과 영역과 각각 대향하는 위치에는 4개의 가스 노즐(31, 32, 41, 42)이 진공 용기(11)의 둘레 방향으로 서로 간격을 두고 각각 배치되어 있다. 이들 각 가스 노즐(31, 32, 41, 42)은, 진공 용기(11)의 측벽으로부터 중앙부 영역(C)을 향하여 수평으로 신장되도록 진공 용기(11)의 측벽에 각각 설치되어 있다. 이 예에서는 원료 가스 노즐(31), 분리 가스 노즐(41), 반응 가스 노즐(32) 및 분리 가스 노즐(42)이 이 순서대로 시계 방향으로 배치되어 있다. 수평이란, 육안으로 볼 때 대략 수평인 경우를 포함하는 의미이며, 이후에도 마찬가지이다.
각 가스 노즐(31, 32, 41, 42)은 도시하지 않은 이하의 각 가스 공급원에 각각 접속되어 있다. 즉, 원료 가스 노즐(31)은 실리콘(Si)을 포함하는 원료 가스, 예를 들어 3DMAS(Tris (dimethylamino) silane: SiH[N(CH3)2]3) 가스의 공급원에 접속되어 있다. 반응 가스 노즐(32)은 반응 가스, 예를 들어 오존(O3) 가스와 산소(O2) 가스의 혼합 가스의 공급원에 접속되어 있다. 분리 가스 노즐(41, 42)은 분리 가스인 질소 가스의 공급원에 각각 접속되어 있다. 가스 노즐(31, 32, 41, 42)의 설치 구조에 대해서는 후술한다.
가스 노즐(31, 32, 41, 42)의 하면측에는 가스 토출 구멍(30)이 각 가스 노즐의 길이 방향을 따라 다수 형성되어 있다. 원료 가스 노즐(31)의 하방 영역은, 웨이퍼(W)에 원료 가스를 흡착시키기 위한 제1 처리 영역(P1), 반응 가스 노즐(32)의 하방 영역은, 웨이퍼(W)에 흡착된 원료와 당해 반응 가스를 반응시키기 위한 제2 처리 영역(P2)를 각각 구성한다.
진공 용기(11)의 천장판(12)의 하방에는, 부채형의 2개의 돌출형상부(43)가 천장판(12)으로부터 하방으로 돌출되도록 배치되며, 예를 들어 분리 가스 노즐(41, 42)은 각각 돌출형상부(43)에 깊이 박히듯이 설치되어 있다. 돌출형상부(43)의 하면(44)의 하방은 원료 가스와 반응 가스의 혼합을 저지하기 위한 분리 영역(D1, D2)을 구성한다.
회전 테이블(2)의 외주측 근처의 하방에는 진공 용기(11)의 둘레를 따라 환상 부재(61)가 배치되고, 이 환상 부재(61)에는 배기구(62, 63)가 형성되어 있다. 배기구(62, 63)는 각각 배기관(64)에 의하여, 압력 조정부(66)를 개재하여 진공 배기 기구인 진공 펌프(65)에 접속되어 있다. 도 3 중의 도면 부호 (67)은 환상 부재(61)에 형성된, 가스의 배기를 가이드하기 위한 홈부이다.
계속해서, 가스 노즐(31, 32, 41, 42)의 설치 구조에 대하여 도 4 내지 도 8을 이용하여 설명하지만, 이들 가스 노즐(31, 32, 41, 42)의 설치 구조는 동일하기 때문에 원료 가스 노즐(31)을 예로 들어 설명한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 진공 용기(11)에 있어서의 용기 본체(13)의 측벽에는, 외측으로부터, 원료 가스 노즐(31)을 당해 측벽에 설치하기 위한 슬리브(34)가 설치되어 있다. 이 슬리브(34)는 플랜지(36)를 구비하며, 이 플랜지(36)가 용기 본체(13)의 외벽에 위치 조정용 나사(37)에 의하여 나사 고정식으로 고정된다. 한편 용기 본체(13)의 측벽에는, 슬리브(34)를 장착하기 위한 개구부(1a)가 형성되어 있다. 예를 들어 개구부(1a)의 내경은 슬리브(34)의 외경보다도 약간 크게 설정되며, 위치 조정용 나사(37)의 구멍부(371)를 긴 구멍형상으로 함으로써 슬리브(34)의 설치 위치가 개략 조정되도록 되어 있다.
슬리브(34)에 있어서의 진공 용기(11) 내에 개구되는 부위(35)에는, 원료 가스 노즐(31)의 일단측이 진공 용기(11)의 내측으로부터 삽입되도록 되어 있다. 후술하는 바와 같이, 원료 가스 노즐(31)은 진공 용기(11) 내에서 그 기단측이 하방측으로부터 지지되며, 이 지지 위치의 높이가 조정된다. 이 때문에, 부위(35)의 내경은 원료 가스 노즐(31)의 외경보다도, 원료 가스 노즐(31)이 미세 조정에 의하여 이동하는 범위만큼 약간 크게 설정되어 있다. 슬리브(34)는 진공 용기(11)의 측벽의 관통 구멍을 형성하는 것이며, 진공 용기(11)의 내측을 전방측, 그 외측을 후방측이라 하면, 원료 가스 노즐(31)은 진공 용기(11)의 측벽의 관통 구멍에 삽입되어 전후 방향으로 신장되어 있다.
슬리브(34)의 내부에는 진공 용기(11)의 외측으로부터 내측 슬리브(38)를 개재하여 접속 부재(39)가 삽입되어 있다. 접속 부재(39)는, 원료 가스 노즐(31)과, 당해 원료 가스 노즐(31)에 원료 가스를 공급하기 위한 가스 공급관(31a)을 접속하기 위하여 설치되어 있으며, 접속 부재(39)의 일단측에는 가스 공급관(31a)이 삽입된다. 또한 슬리브(34) 내에 있어서의 내측 슬리브(38)의 전후에는 각각 밀봉 부재를 이루는 O링(381, 382)이 설치되어 있다. 원료 가스 노즐(31)의 기단측은 슬리브(34) 내에서 O링(382)보다도 후방측까지 삽입되고, 원료 가스 노즐(31)이 그 중력에 의하여 O링(381, 382)를 가압하여, 진공 용기(11) 내부의 기밀성을 유지한 상태에서 슬리브(34)에 고정된다. 또한 플랜지(36)와 진공 용기(11)의 측벽 사이에도 O링(383)이 배치되어 있다.
진공 용기(11)의 앞쪽에서, 슬리브(관통 구멍)(34) 근방에서 원료 가스 노즐(31)의 선단측에는, 세라믹에 의하여 구성된 링 부재(5)가 설치되어 있다. 링 부재(5)의 내주면에 의하여 형성되는 개구부(51)에는 원료 가스 노즐(31)이 관통되어 적재된다. 개구부(51)의 윤곽 형상은 진원 또는 정다각형이며, 이 예에서는 원료 가스 노즐(31)보다도 직경이 큰 진원으로 형성되어 있다. 도 6의 정면도(원료 가스 노즐(31)의 선단측에서 기단측을 보았을 때)에 도시한 바와 같이, 링 부재(5)의 중심점 O는 개구부(51)의 윤곽 형상의 중심점과 일치하고 있다. 원료 가스 노즐(31)은 진원(개구부(51))의 하단부에 의하여 지지되므로, 이 하단이 원료 가스 노즐(31)의 지지 위치 P로 된다.
링 부재(5)의 외주면의 윤곽 형상은, 예를 들어 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정되며, 예를 들어 한 변으로부터 중심점 O까지의 거리와, 당해 한 변에 인접하는 다른 변으로부터 중심점 O까지의 거리의 차가 어느 변에 대해서도 일정하도록 구성된다.
이러한 링 부재(5)는, 예를 들어 세라믹으로 이루어지는 받침대부(52)에 적재되어 있다. 이 받침대부(52)는 링 부재(5)의 적재부(53)를 구비한 판상체로 이루어지며, 예를 들어 진공 용기(11)의 저부의 일부를 이루는 환상 부재(61) 상에 고정되어 있다. 적재부(53)는, 예를 들어 양단측으로부터 중앙부를 향하여 각각 하강하는 경사면(54, 55)를 구비한 대략 V자형으로 형성되어 있다. 적재부(53)를 구성하는 경사면(54, 55)는, 예를 들어 직선형상으로 형성되며, 받침대부(52)의 좌우 방향(X 방향)의 중심 위치 Q를 통과하는 직선(56)에 대하여 서로 대칭으로 형성되어 있다.
링 부재(5)는 받침대부(52)의 적재부(53)에 있어서, 그 외주면이 경사면(54, 55)에 각각 접촉하고, 둘레 방향으로 서로 이격된 좌측 위치 t1 및 우측 위치 t2에서 받침대부(52)에 적재된다. 링 부재(5)가 경사면(54, 55)에 접하는 좌측 위치 t1 및 우측 위치 t2와, 링 부재(5)의 중심점 O를 연결하는 직선(반경)을 각각 A1, A2라 한다. 이 예에 있어서의 링 부재(5)의 외주면의 윤곽 형상은, 링 부재(5)가 회동하여 좌측 위치 t1 및 우측 위치 t2의 좌표 위치가 변화되더라도, 그 반경 A1, A2의 차분이 일정해지도록 형성되어 있다. 또한 링 부재(5)와 받침대부(52)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 링 부재(5)의 중심점 O의 좌우 방향의 위치(X 좌표 위치 xO)가, 받침대부(52)의 중심 위치 Q의 X 좌표 위치 xQ로부터 미리 설정된 양만큼 편심되도록 설치되어 있다.
링 부재(5)의 외주면의 윤곽 형상의 일례에 대하여 도 7을 참조하여 설명하는데, 이 도면에서는 윤곽 형상과 중심점 O만을 도시하고 있으며, 개구부(51)에 대해서는 도시를 생략하고 있다. 도 7에는, 외주면의 윤곽 형상이 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 32각형인 경우를 도시하고 있다. 이 다각형체는, 한 변(예를 들어 D1)과 중심점 O를 연결하는 직선(예를 들어 L1)과, 당해 한 변에 인접하는 다른 변(예를 들어 D2)과 중심점 O를 연결하는 직선(예를 들어 L2)이 이루는 각 θ가 어느 변에 대해서도 일정(11.25°)하도록 구성되어 있다. 또한, 예를 들어 한 변(예를 들어 D1)으로부터 중심점 O까지의 거리와, 당해 한 변에 인접하는 다른 변(예를 들어 D2)으로부터 중심점 O까지의 거리의 차가 어느 변에 대해서도 일정(0.015㎜)하도록 구성되어 있다. 이러한 링 부재(5)는, 링 부재(5)가 회동하여 경사면(54, 55)에 접촉하는 외주면 상의 위치가 변화되었다고 하더라도, 좌측 위치 t1과 우측 위치 t2의 반경 A1, A2의 차분이 일정해진다.
링 부재(5)는, 도 5 및 도 8에 도시한 바와 같이, 규제부(7)에 의하여, 상하 이동 및 회동할 수 있는 상태에서 좌우 방향의 위치가 규제되어 있다. 또한 도 5는 도시의 편의상, 링 부재(5) 및 받침대부(52)와, 규제부(7)와, 슬리브(34)를 전후 방향으로 서로 이격하여 도시하고 있다. 규제부(7)는, 링 부재(5)의 후방면에 있어서, 개구부(51)를 둘러싸도록 설치된 통형상체(71)와, 판상의 규제 부재(72)와, 당해 규제 부재(72)에 형성된 긴 구멍형 개구부(73)를 구비하고 있으며, 규제 부재(72)는, 예를 들어 진공 용기(11)의 저부의 일부를 이루는 환상 부재(61) 상에 고정되어 있다. 도 8은 링 부재(5)의 통형상체(71)로부터 후방을 본 도면이다. 개구부(73)의 좌우 방향(X 방향)의 크기는, 통형상체(71)가 링 부재(5)의 회동에 수반하여 회동할 수 있는 상태에서 좌우 방향의 이동을 규제하도록 설정된다. 또한 원료 가스 노즐(31)의 지지 위치 P의 높이 조정 시에, 통형상체(71)가 링 부재(5)와 함께 상하 방향으로 이동할 수 있도록 개구부(73)의 상하 방향 크기가 설정되어 있다.
원료 가스 노즐(31)은 링 부재(5)의 개구부(51) 및 규제부재(72)의 개구부(73)를 개재하여 슬리브(34)에 헐겁게 끼워지기 때문에, 이미 설명한 바와 같이 원료 가스 노즐(31)은 링 부재(5)의 개구부(51)의 하단의 지지 위치 P에 의하여 지지된다. 그리고 이 지지 위치 P의 높이는, 링 부재(5)를 회동시켜 링 부재(5)와 받침대부(52)의 접촉 위치를 변경함으로써 조정된다. 이 조정에 대하여, 링 부재(5) 및 받침대부(52)를 간략화한 모델을 사용하여, 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한다.
도 9 및 도 10에 있어서의 링 부재(5)의 외주면의 윤곽 형상은, 예를 들어 한 변으로부터 중심점 O까지의 거리와, 당해 한 변에 인접하는 다른 변으로부터 중심점 O까지의 거리의 차가 어느 변에 대해서도 일정한 팔각형에 의하여 구성된다. 또한 링 부재(5)의 중심점 O는 링 부재(5)의 개구부(내주면)(51)의 윤곽 형상의 중심점에 일치하고 있으며, 링 부재(5)와 받침대부(52)의 접촉 위치(도 9의 예에서는 좌측 위치 B4, 우측 위치 B6)의 반경 A1, A2의 차분은 접촉 위치가 변화되더라도 일정해지도록 설정되어 있다. 또한 링 부재(5)와 받침대부(52)는, 링 부재(5)의 중심점 O의 좌우 방향의 위치(X 좌표 위치 xO)가, 받침대부(52)의 좌우 방향의 중심 위치 Q(X 좌표 위치 xQ)로부터 결정된 양만큼 편심되도록 설정되어 있다.
예를 들어 도 9에 도시하는 예에서는, 링 부재(5)의 정점 B4와 정점 B6이 받침대부(52)와 접촉하고 있으며, 이때의 지지 위치 P의 높이 위치를 y1이라 한다. 또한 도 10에 도시하는 예에서는, 링 부재(5)를 회동시켜 정점 B6과 정점 B8이 받침대부(52)에 접촉하고 있다. 이때의 지지 위치 P의 높이 위치 y2는 높이 위치 y1에 비하여 크게 된다.
링 부재(5)의 윤곽 형상은, 정점 B1 내지 B8마다 중심점 O로부터의 거리(반경)가 변화되도록 구성되어 있으므로, 링 부재(5)를 회동시켜 받침대부(52)의 접촉 위치(정점)를 변화시키면 접촉 위치와 중심점 O까지의 거리가 변화되어, 지지 위치 P의 좌표 위치가 변화된다. 이와 같이 하여, 예를 들어 도 7에 도시하는 윤곽 형상의 링 부재(5)를 사용했을 경우에는, 후술하는 실시예에 의하여 분명한 바와 같이, 예를 들어 0.1㎜ 미만 내지 0.6㎜ 미만의 범위에서 지지 위치 P의 높이 위치를 조정할 수 있다. 원료 가스 노즐(31)이 가늘고 긴 형상이기 때문에, 기단측의 변화량에 비하여 선단측의 변화량이 커서, 이 정도의 높이 조정이더라도 충분히 원료 가스 노즐(31)의 상하 방향의 방향의 조정을 행할 수 있다.
또한 이 예에서는, 링 부재(5)의 중심점 O와 개구부(51)의 윤곽 형상의 중심점은 일치하고 있으며, 링 부재(5)와 받침대부(52)의 접촉 위치인 좌측 위치와 우측 위치에 있어서의 반경의 차분이 일정하도록 설정되어 있다. 또한 받침대부(52)의 적재부(53)를 구성하는 경사면(54, 55)는, 받침대부(52)의 좌우 방향의 중심 위치 Q를 통과하는 직선(56)에 대하여 서로 대칭으로 형성되어 있다. 이 때문에, 링 부재(5)를 회동시키더라도 지지 위치 P의 X 방향의 좌표 위치는 변화되지 않는다. 즉, 도 9에 도시한 바와 같이, 좌측 위치 B4의 반경 A1과 우측 위치 B6의 반경 A2의 차분을 α라 하면, 좌측 위치 B4와 지지 위치 P의 X 방향의 거리 C1과, 우측 위치 B6과 지지 위치 P와의 X 방향의 거리 C2 사이에는 αsinθ의 차분이 존재한다. α 및 θ는 링 부재(5)의 접촉 위치에 관계없이 일정하기 때문에, 후술하는 실시예로부터도 분명한 바와 같이, 링 부재(5)를 회동시켜 접촉 위치가 변화되더라도 지지 위치 P의 X 방향의 좌표 위치는 xO이며, 변화되지 않게 된다.
이와 같이 받침대부(52)의 경사부(54, 55)가, 받침대부(52)의 X 방향의 중심 위치 Q를 통과하는 직선(56)에 대하여 서로 대칭으로 형성되어 있는 경우에, 링 부재(5)의 중심점 O의 X 방향의 위치를, 받침대부(52)의 X 방향의 중심 위치 Q로부터 설정량만큼 편심되도록 설정한다. 이것에 의하여, 링 부재(5)를 회동시켰을 때, 지지 위치 P의 좌우 방향의 위치를 변화시키지 않고 높이 위치만을 변화시킬 수 있다. 또한 이 예에서는, 링 부재(5)는 규제부(7)에 의하여 좌우 방향의 위치가 규제되기 때문에, 확실히 지지 위치 P의 높이 위치만을 조정할 수 있다.
이와 같이 하여, 원료 가스 노즐(31)에 있어서의 O링(381, 382)에 의하여 진공 용기(11)에 고정되는 고정 부위보다도 진공 용기(11)의 내측에서 당해 원료 가스 노즐(31)을 링 부재(5)에 의하여 지지하고, 이 지지 위치 P의 높이를 조정한다. 그리고 도 11에 도시한 바와 같이, 고정점보다 지지 위치 P를 높게 하도록 높이 조정을 행하면, 원료 가스 노즐(31)의 기단측(지지점)이, 슬리브(34)와의 간극의 범위에서 수평보다도 상방측으로 경사지게 들어 올려진다. 탄성체인 O링(381, 382)의 재질이나 원료 가스 노즐(31)의 재질, 길이 등에 따라, 원료 가스 노즐(31)의 선단이 자중에 의하여 늘어지는 경우나 휘는 경우가 있으며, 선단이 늘어지는 상태일 때 지지 위치 P를 높게 하도록 높이 조정을 행한다. 이것에 의하여, 원료 가스 노즐(31)의 선단이 들어 올려지도록 상하 방향의 방향의 조정(경사 조정)이 행해진다. 이와 같이 하여 원료 가스 노즐(31)의 선단측의 늘어짐이 억제되어, 원료 가스 노즐(31)이 그 길이 방향에 있어서 수평으로, 즉, 회전 테이블(2) 표면과 원료 가스 노즐(31)의 거리가 그 길이 방향에 있어서 일정하게 된다.
한편, 도 12에 도시한 바와 같이, 고정점보다 지지 위치 P를 낮게 하도록 높이 조정을 행하면, 원료 가스 노즐(31)의 기단측(지지점)이, 슬리브(34)과의 간극의 범위에서 수평보다도 하방측으로 경사지게 지지된다. 이미 설명한 바와 같이 원료 가스 노즐(31)의 선단이 휘는 경우에는, 예를 들어 지지 위치 P를 낮게 하도록 높이 조정을 행함으로써, 원료 가스 노즐(31)의 선단이 낮아지도록 경사 조정을 행한다. 이것에 의하여 원료 가스 노즐(31)의 선단측의 휨이 억제되어, 원료 가스 노즐(31)이 그 길이 방향에 있어서 수평으로 유지된다.
원료 가스 노즐(31)로부터 회전 테이블(2) 표면을 향하여 공급되는 원료 가스의 공급량이 원료 가스 노즐(31)의 길이 방향에 있어서, 예를 들어 균일한 경우에는 원료 가스 노즐(31)을 수평으로 함으로써, 웨이퍼면 내에 있어서의 원료 가스의 가스 농도를 일정하게 할 수 있다. 이것에 의하여 웨이퍼면 내에 있어서의 원료 가스의 흡착량이 일정하게 되어, 면내 균일성이 높은 성막 처리에 기여할 수 있다.
또한 원료 가스 노즐(31)의 경사를 조정했을 경우에도, 내측 슬리브(38)의 전후에 각각 O링(381, 382)이 설치되어 있기 때문에, 이들 2개의 O링(381, 382) 중 적어도 한쪽이 밀봉 부재로서 작용하여 진공 용기(11) 내의 기밀성이 유지된다.
이와 같이 본 발명에서는, 링 부재(5)를 회동시켜 받침대부(52)와의 접촉 위치를 변화시킴으로써, 원료 가스 노즐(31)의 선단측을 기단측보다도 높게 하도록 경사 조정을 행하거나, 원료 가스 노즐(31)의 선단측을 기단측보다도 낮게 하도록 경사 조정을 행할 수 있다. 이 때문에 링 부재(5)를 받침대부(52)에 적재할 때의 초기 위치(시점)는, 예를 들어 편심량이 최소일 때의 적재 위치와 최대일 때의 적재 위치의 중간 위치로 설정된다. 그리고 초기 위치보다도 편심량이 커지는 방향이나 작아지는 방향으로 링 부재(5)를 회동시킴으로써, 원료 가스 노즐(31)의 경사 조정을 행한다. 단, 링 부재(5)의 형상은 장치 구성이나 프로세스의 종별에 따라 적절히 설정되는 것이며, 예를 들어 링 부재(5)의 초기 위치를 편심량이 최소일 때의 적재 위치으로 설정해도 되고, 편심량이 최대일 때의 적재 위치로 설정해도 된다.
이와 같은 구성에서는, 슬리브(34)의 플랜지(36)의 설치 위치를 조정함으로써 슬리브(34)의 경사를 개략 조정하고, 또한 링 부재(5)를 회동시켜 원료 가스 노즐(31)의 지지 위치 P의 높이 위치를 조정한다. 이와 같이 하여, 예를 들어 원료 가스 노즐(31)과 회전 테이블(2)의 표면의 거리가 원료 가스 노즐(31)의 길이 방향을 따라 거의 일정해지도록, 원료 가스 노즐(31)의 상하 방향의 방향의 조정이 행해진다. 여기서는 원료 가스 노즐(31)을 예로 들어 그 설치 구조에 대하여 설명했지만, 반응 가스 노즐(32), 분리 가스 노즐(41, 42)에 대해서도 원료 가스 노즐(31)과 마찬가지의 설치 구조에 의하여 진공 용기(11)에 설치되어, 마찬가지로 지지 위치의 높이 조정이 행해진다. 도 1 내지 도 3 중 도면 부호 (32a, 41a, 42a)는 가스의 공급관이다.
이 성막 장치(1)에는, 장치 전체의 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 설치되어 있으며, 이 제어부(100)에는 후술하는 바와 같이 성막 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 이 프로그램은, 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 송신하여 동작을 제어하는 것이며, 후술하는 각 처리가 실행되도록 스텝 군이 짜여져 있다. 당해 프로그램은 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 광자기 디스크, 메모리 카드, 플렉시블 디스크 등의 기억 매체로부터 제어부(100) 내에 인스톨된다.
다음으로, 상기 성막 장치(1)에 의한 성막 처리의 수순에 대하여 간단히 설명한다. 먼저, 회전 테이블(2)을 간헐적으로 회전시켜, 예를 들어 직경이 300㎜인 웨이퍼(W)를 각 오목부(23)에 적재한다. 계속해서, 진공 펌프(65)에 의하여 진공 용기(11) 내를 진공 배기 상태로 함과 함께, 웨이퍼(W)를 가열하고 원료 가스 노즐(31), 반응 가스 노즐(32)로부터 원료 가스 및 반응 가스를 각각 토출한다. 또한 분리 가스 노즐(41, 42) 및 중앙부 영역(C)으로부터 분리 가스를 토출함과 함께, 퍼지 가스 공급관(28) 및 퍼지 가스 공급부(29)로부터 각각 퍼지 가스를 토출한다. 그리고 진공 용기(11) 내를 미리 설정한 처리 압력으로 조정하고 성막 처리를 개시한다. 웨이퍼(W)는 제1 처리 영역(P1)과 제2 처리 영역(P2)을 교대로 통과하여, 웨이퍼(W)에 3DMAS 가스가 흡착되고, 계속해서, O3 가스가 흡착되고 3DMAS 분자가 산화되어 산화실리콘의 분자층이 1층 또는 복수 층 형성된다. 이와 같이 하여 산화실리콘의 분자층이 순차적으로 적층되어 소정의 막 두께의 실리콘 산화막이 성막된다.
상술한 실시 형태에 따르면, 원료 가스 노즐(31), 반응 가스 노즐(32) 및 분리 가스 노즐(41, 42)의 지지 위치의 높이를 조정하여 가스 노즐의 상하 방향의 방향을 조정하는 데 있어서, 원료 가스 노즐(31) 등을 링 부재(5)에 관통시켜 그 내주면으로 이루어지는 개구부(51)에 적재하고 있다. 링 부재(5)는, 그 외주면의 윤곽 형상이 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정됨과 함께, 둘레 방향으로 서로 이격된 좌측 위치 및 우측 위치에서 받침대부(52)에 적재된다. 링 부재(5)를 회동시켜 받침대부(52)와 접촉하는 좌측 위치 및 우측 위치를 변화시킴으로써, 받침대부(52)와 접촉하는 좌측 위치 및 우측 위치와, 원료 가스 노즐(31) 등이 적재되는 링 부재(5)의 지지 위치 P의 거리가 변화되므로, 원료 가스 노즐(31)의 지지 위치 P의 높이를 조정할 수 있다. 이와 같이 하여 지지 위치 P의 높이를 조정함으로써, 원료 가스 노즐(31) 등에 있어서 상하 방향의 방향을 조정할 수 있다.
또한 링 부재(5)의 외주면의 윤곽 형상에 의하여 지지 위치 P의 높이 위치의 변화량을 자유로이 설정할 수 있어, 예를 들어 0.1㎜ 단위의 높이 위치의 변경을 간이하고도 확실히 높은 정밀도로 행할 수 있다.
또한 링 부재(5) 및 받침대부(52)는 모두 간단한 구조이므로, 내식성이 큰 세라믹에 의하여 형성할 수 있다. 또한 링 부재(5) 및 받침대부(52)를 금속을 사용하여 형성하고 표면을 피막에 의하여 피복하도록 해도 되며, 이 경우이어도 링 부재(5)를 받침대부(52)에 강한 힘으로 체결할 필요는 없으므로 피막이 박리되기 어렵다. 따라서 내식성이 크므로, 부식에 의한 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
또한 이미 설명한 바와 같이, 링 부재(5)의 회동에 의하여 지지 위치 P의 높이 위치만이 변화된다. 이 때문에 링 부재(5)의 회동에 의하여 원료 가스 노즐(31) 등이 좌우 방향으로 이동하는 일이 없어, 지지 위치 P의 높이 위치의 조정을 높은 정밀도로 행할 수 있다. 또한 규제부(7)를 설치함으로써 링 부재(5)의 좌우 방향의 이동이 규제되기 때문에, 링 부재(5)의 받침대부(52) 상에서의 위치 어긋남이나 받침대부(52)로부터의 낙하 등이 억제되어, 원료 가스 노즐(31)을 안정된 상태에서 지지할 수 있다.
본 발명은, 성막 처리의 균일성을 높이기 위하여 원료 가스 노즐(31) 등의 경사 조정을 행하는 것이지만, 장치 구성이나 프로세스의 종별에 따라 회전 테이블(2)과 원료 가스 노즐(31) 등의 적절한 높이 방향의 위치 관계가 달라진다. 이 때문에, 이미 설명한 바와 같이 원료 가스 노즐(31)을 수평으로 하는 것 이외에, 원료 가스 노즐(31)의 선단측을 기단측보다 높게 하거나 낮게 하거나 함으로써, 회전 테이블(2)의 직경 방향에 있어서의 가스 농도 조정을 행하여 성막 처리의 균일성을 높이도록 해도 된다.
예를 들어 회전 테이블(2)의 회전 속도나, 분리 영역(D1, D2)의 형상, 원료 가스나 분리 가스의 유량에 따라, 웨이퍼(W)에 있어서의 회전 테이블(2)의 중앙 근처 부위의 막 두께에 비하여, 주연 근처 부위의 막 두께가 커지거나 작아지는 경우가 있다. 이 때문에, 주연 근처의 막 두께가 클 때는 원료 가스 노즐(31)의 선단측이 기단측보다도 낮아지도록 가스 노즐의 경사를 조정하여, 중앙 근처의 원료 가스량을 많게 하도록 가스 농도의 조정을 행한다. 한편, 주연 근처의 막 두께가 작을 때는 원료 가스 노즐(31)의 선단측이 기단측보다도 높아지도록 가스 노즐의 경사를 조정하여, 주연 근처의 원료 가스량을 많게 하도록 가스 농도의 조정을 행한다.
본 발명에 따르면, 이미 설명한 바와 같이 가스 노즐의 상하 방향의 방향(경사)을 조정하는 데 있어서, 정밀도가 높은 조정을 용이하게 행할 수 있다. 이 때문에 작업자의 숙련성을 필요로 하지 않으며, 작업자에 의한 가스 노즐의 경사 조정의 변동의 발생이 억제되기 때문에, 확실히 높은 성막 처리의 균일성 확보에 기여할 수 있다.
(제2 실시 형태)
계속해서, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 도 13을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태가 제1 실시 형태와 상이한 점은, 링 부재(57)를 회동시키면, 원료 가스 노즐(31)의 지지 위치 P의 좌우 방향의 위치와 높이 방향의 위치의 양쪽이 변화되는 경우에, 받침대부(52)를 좌우 방향으로 이동 가능하게 설치한 것이다.
받침대부(52)의 형상은 제1 실시 형태와 마찬가지이지만, 받침대부(52)는 진공 용기(11)의 저부의 일부인 환상 부재(61)에 적재되고, 고정되어 있지 않은 상태이다. 또한 링 부재(57)의 외주면의 윤곽 형상은, 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정된다. 그리고 제1 실시 형태와 상이한 점은, 링 부재(57)의 중심점 O와 개구부(571)의 윤곽 형상의 중심점이 일치하고 있지만, 링 부재(57)와 받침대부(52)의 2개의 접촉 위치(좌측 위치, 우측 위치)의 반경의 차분이 일정하지는 않은 점이다. 그 외의 구성은 제1 실시 형태와 마찬가지이며, 링 부재(57)는 규제부(7)에 의하여 좌우 방향의 위치가 규제된 상태에서 상하 이동할 수 있도록 구성되어 있다.
도 13에 링 부재(57)의 회동 전을 점선으로, 회동 후를 실선으로 아울러 기재한다. 링 부재(57)의 회동에 수반하여, 회동 전의 지지 위치 PA(x1, y1)는 회동 후의 지지 위치 PB(x2, y2)에 비하여 높이 위치뿐만 아니라 좌우 방향의 위치도 변화된다. 도면 중 도면 부호 (O1)은 회동 전의 중심점, 도면 부호 (O2)는 회동 후의 중심점이다.
단, 링 부재(57)는 통형상체(71)를 개재하여 규제 부재(72)에 의하여 좌우 방향의 위치가 규제되는 한편, 받침대부(52)가 진공 용기(11) 내에 고정되어 있지 않고 좌우 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 이 때문에, 링 부재(57)를 회동시키면 링 부재(57)측은 좌우 방향으로 이동할 수 없기 때문에, 받침대부(52)측이 링 부재(57)의 회동에 추종하여 자동적으로 이동한다. 이와 같이 하여, 결과적으로 링 부재(57)의 회동에 의하여 지지 위치 P의 높이 위치만이 변화되고, 좌우측 위치는 변화되지 않는 상태로 된다.
이와 같이, 이 예에 있어서도 링 부재(57)의 회동이라는 간이한 방법에 의하여 지지 위치 P의 높이를 확실히 높은 정밀도로 조정할 수 있어, 가스 노즐(31, 32, 41, 42)의 상하 방향의 방향을 조정할 수 있다. 또한 링 부재(57) 및 받침대부(52)는 모두 간단한 구조이므로, 내식성이 큰 세라믹에 의하여 형성할 수 있어, 부식에 의한 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또한 링 부재(57)는, 중심점과 개구부(571)의 윤곽 형상의 중심점이 일치하지 않고, 링 부재(57)와 받침대부(52)의 2개의 접촉 위치(좌측 위치, 우측 위치)에 있어서의 반경의 차분이 일정하도록 구성해도 된다.
(제3 실시 형태)
계속해서, 본 발명의 제3 실시 형태에 대하여 도 14 내지 도 17을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태가 제1 실시 형태와 상이한 점은, 링 부재(9)로서, 제1 링 부재(91)와 제2 링 부재(92)를 연결한 것을 사용하고, 제1 링 부재(91) 및 제2 링 부재(92)의 각각에 별개의 받침대부(93, 94)를 준비한 점이다. 제1 링 부재(91) 및 제2 링 부재(92)는 서로 동일한 형상이며, 서로 연결되어 일체적으로 회동하도록 전후 방향으로 이격되고, 또한 각각의 내주면을 이루는 개구부(911, 921)의 윤곽 형상끼리가 전후 방향에서 볼 때 일치하도록 구성되어 있다.
제1 링 부재(91) 및 제2 링 부재(92)의 윤곽 형상은, 예를 들어 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정되며, 예를 들어 한 변으로부터 중심점 O까지의 거리와, 당해 한 변에 인접하는 다른 변으로부터 중심점 O까지의 거리의 차가 어느 변에 대해서도 일정하도록 구성된다. 또한 제1 링 부재(91) 및 제2 링 부재(92)의 개구부(911, 921)은, 예를 들어 진원이며, 링 부재(91, 92)의 각각의 중심점 O는 개구부(911, 921)의 각각의 윤곽 형상의 중심점과 일치하고 있다. 원료 가스 노즐(31)은 개구부(911, 921)의 하단에 의하여 지지되므로, 이 하단이 원료 가스 노즐(31)의 지지 위치 P로 된다.
또한 제1 링 부재(91)는, 예를 들어 우측 받침대부(93)에 의하여 우측 근처가 지지되어 있고, 제2 링 부재(92)는, 예를 들어 좌측 받침대부(94)에 의하여 좌측 근처가 지지되어 있다. 이들 우측 받침대부(93) 및 좌측 받침대부(94)는, 각각 진공 용기(11)의 저부의 일부를 이루는 관상 부재(61)의 표면에 고정되어 있다. 우측 받침대부(93)와 좌측 받침대부(94)는 각각 제1 링 부재(91) 및 제2 링 부재(92)와 접촉하는 경사면(931, 941)를 구비하고 있다.
도 16 및 도 17은 설명의 편의상 링 부재(9)를 간략히 도시한 것이다. 제1 및 제2 링 부재(91, 92)의 각각의 중심점 O는 일치함과 함께, 중심점 O와 지지 위치 P의 좌우 방향의 위치(X 좌표 위치)는 일치하고 있다. 우측 받침대부(93), 좌측 받침대부(94)의 각각의 경사면(931, 941)의 형상은, 중심점 O와 지지 위치 P를 연결하는 직선에 대하여 서로 대칭으로 형성되어 있다.
그리고 제1 링 부재(91) 및 제2 링 부재(92)를 회동시켰을 때, 제1 링 부재(91)의 적재 위치와 제2 링 부재(92)의 적재 위치가 대응하도록, 제1 링 부재(91)에 대한 제2 링 부재(92)의 회동 위치가 설정되어 있다. 즉, 제1 및 제2 링 부재(91, 92)를 회동시켰을 때, 제1 링 부재(91)가 우측 받침대부(93)에 접촉하는 우측 위치와 중심점 O의 제1 거리와, 제2 링 부재(92)가 좌측 받침대부(94)에 접촉하는 좌측 위치와 중심점 O의 제2 거리가 일정하도록 형성되어 있다.
그 외의 구성은 제1 실시 형태와 마찬가지이며, 동일한 구성 부재에 대해서는 동일한 부호를 붙인다. 따라서 링 부재(9)의 후면, 즉, 제2 링 부재(92)의 후면에는 통형 부재(71)가 설치됨과 함께, 규제 부재(72)가 진공 용기(11)의 저부를 이루는 관상 부재(61)의 상면에 고정되어 있다. 이와 같이 하여, 제1 및 제2 링 부재(91, 92)는 규제부(7)에 의하여 좌우 방향의 이동이 규제된 상태에서 상하 이동할 수 있도록 구성되어 있다.
도 16 및 도 17에 도시하는 예에서는, 제1 및 제2 링 부재(91, 92)는 팔각형의 소용돌이형으로 형성되며, 예를 들어 정점에서 우측 받침대부(93) 및 좌측 받침대부(94)에 각각 지지된다. 도 16에서는, 제1 링 부재(91)는 정점 E4에서 우측 받침대부(93)에 접촉하고, 제2 링 부재(92)는 정점 E4에서 좌측 받침대부(94)에 접촉한다. 이때의 지지 위치 P의 좌표 위치를 (x3, y3)라 한다. 그리고 도 17과 같이 링 부재(9)를 회동시키면, 제1 링 부재(91)는 정점 E6에서 우측 받침대부(93)에 접촉하고, 제2 링 부재(92)는 정점 E6에서 좌측 받침대부(94)에 접촉한다. 이때의 지지 위치 P의 좌표 위치를 (x4, y4)라 하는데, 도 17에 도시한 바와 같이 x3과 x4는 일치되어 있다.
이들에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 링 부재(91, 92)를 회동시키더라도, 제1 링 부재(91)가 우측 받침대부(93)에 접촉하는 우측 위치와 중심점 O의 제1 거리와, 제2 링 부재(92)가 좌측 받침대부(94)에 접촉하는 좌측 위치와 중심점 O의 제2 거리가 일치되므로, 지지 위치 P의 좌우 방향의 위치는 변화되지 않고 높이 위치만이 변화된다.
따라서 이 예에 있어서는, 링 부재(9)의 회동이라는 간이한 방법에 의하여, 지지 위치 P의 좌우 방향의 위치를 변화시키지 않고 높이 위치를 확실히 높은 정밀도로 조정하여, 가스 노즐(31, 32, 41, 42)의 상하 방향의 방향을 조정할 수 있다. 또한 제1 및 제2 링 부재(91, 92) 및 우측 받침대부(93), 좌측 받침대부(94)는 모두 간단한 구조이므로, 내식성이 큰 세라믹에 의하여 형성할 수 있어, 부식에 의한 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또한 다른 실시 형태에 있어서는, 제1 링 부재(91)의 좌측 근처를 좌측의 받침대부(94)에 의하여 지지하고, 제2 링 부재(92)의 우측 근처를 우측의 받침대부(93)에 의하여 지지하도록 해도 된다.
또한, 다른 실시 형태에 있어서는, 도 18에 도시한 바와 같이, 받침대부(97)에 의하여 지지되는 링 부재(95)는, 내주면(961)이 소용돌이 곡선 또는 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정되고, 외주면(962)이 진원 또는 정다각형으로 형성되어도 된다. O는 링 부재(95)의 중심점이다. 또한 링 부재(95)의 외주면(962)은 인벌류트 곡선과 같은 소용돌이 곡선에 의하여 구성되어도 되며, 링 부재(95)의 내주면(961)은 진원에 한정되지 않고 정다각형이어도 된다. 이들 구성에 의하더라도, 링 부재(95)를 회동시킴으로써, 받침대부(97)와 링 부재(95)의 외주면(962)이 접촉하는 좌측 위치 및 우측 위치와, 가스 노즐의 지지 위치의 거리가 변화되기 때문에, 지지 위치의 높이 위치를 조정할 수 있기 때문이다.
또한 받침대부(97)의 경사면은 직선이어도, 곡선이어도 되며, 받침대부(97)의 경사면은 받침대부(97)의 좌우 방향에 있어서의 중심 위치를 통과하는 수선에 대하여 반드시 대칭으로 설치할 필요는 없다. 또한 제1 실시 형태 및 제3 실시 형태에서는, 링 부재를 회동시켰을 때 지지 위치의 좌우 방향 위치는 변화되지 않기 때문에, 링 부재의 좌우 방향의 이동을 규제하는 규제부는 반드시 필요하지는 않다. 또한 규제부를 설치하는 대신, 진공 용기(11)의 측벽의 관통 구멍을, 가스 노즐의 상하 방향의 이동은 허용하지만 좌우 방향의 이동은 규제하는 형상으로 구성하도록 해도 된다.
[실시예]
(평가 시험 1)
본 발명에 관련하여 행해진 평가 시험에 대하여 설명한다. 평가 시험 1로서, 링 부재를 회동시켰을 때의 링 부재의 중심점의 높이 방향(Y 방향) 및 좌우 방향(X 방향)의 편심량에 대하여 시뮬레이션을 행하였다. 링 부재는, 그 내주면의 윤곽 형상이 진원이고, 그 외주면의 윤곽 형상은 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형인 것을 설정하였다.
실시예 1의 링 부재는, 한 변과 중심점을 연결하는 직선과, 당해 한 변에 인접하는 다른 변과 중심점을 연결하는 직선이 이루는 각이 어느 변에 대해서도 11.25°, 한 변으로부터 중심점까지의 거리와, 당해 한 변에 인접하는 다른 변으로부터 중심점까지의 거리의 차가 어느 변에 대해서도 0.015㎜인 32각형으로 설정하였다.
실시예 2의 링 부재는, 한 변과 중심점을 연결하는 직선과, 당해 한 변에 인접하는 다른 변과 중심점을 연결하는 직선이 이루는 각이 어느 변에 대해서도 22.5°, 한 변으로부터 중심점까지의 거리와, 당해 한 변에 인접하는 다른 변으로부터 중심점까지의 거리의 차가 어느 변에 대해서도 0.015㎜인 16각형으로 설정하였다.
실시예 3의 링 부재는, 실시예 2과 마찬가지로 16각형이지만, 한 변으로부터 중심점까지의 거리와, 당해 한 변에 인접하는 다른 변으로부터 중심점까지의 거리의 차가 어느 변에 대해서도 0.01㎜로 설정하였다. 실시예 1 내지 3의 링 부재에서는, 받침대부와 링 부재의 접촉 위치인 좌측 위치와 우측 위치에 있어서, 중심점까지의 거리의 차분이 어느 접촉 위치에 있어서도 일정해진다.
이 결과에 대하여, 높이 방향(Y 방향)의 편심량에 대해서는 도 19, 좌우 방향(X 방향)의 편심량에 대해서는 도 20에 각각 나타낸다. 도 19 및 도 20 중, 종축은 편심량이고 횡축은 스텝인데, 스텝이란 받침대부에 접촉하고 있는 접촉 위치가 존재하는 다각형의 변을 말한다. 여기서는, 중심점까지의 거리가 가장 작은 변을 스텝 1로 하고, 중심점까지의 거리가 커짐에 따라 스텝 수를 증가시키고 있다. 링 부재에 있어서의 받침대부와의 접촉 위치는 좌측 위치와 우측 위치의 2개소이므로, 작은 쪽의 스텝의 데이터가 기재되어 있다. 예를 들어 16각형의 링 부재의 경우, 받침대부에 접촉하는 것은 스텝 7과 스텝 11 상의 위치이며, 그때의 중심점의 편심량은 스텝 7의 데이터로 하고 있다.
도 19 및 도 20에서는, 실시예 1에 대해서는 실선, 실시예 2에 대하여 1점 쇄선, 실시예 3에 대해서는 점선으로 각각의 결과를 나타내고 있다. 도 19에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 3 중 어느 것에 대해서도, 링 부재를 회동시켜 받침대부와 링 부재의 접촉 위치를 변화시킴으로써 중심점의 높이 방향의 편심량이 변화되는 것이 확인되었다. 여기서 편심량이 0이란, 간극 게이지로 가스 노즐의 수평도를 측정하여, 가스 노즐이 수평해졌을 때의 가스 노즐 선단의 높이 위치이며, 이 높이 위치를 기준으로 하여 그 차분을 편심량으로서 나타내고 있다. 즉, 이 실시예에서는, 가스 노즐의 기단측을 상향으로 조정함으로써, 자중에 의하여 늘어진 가스 노즐 선단을 들어 올려 가스 노즐을 수평으로 정렬시키는 것을 상정하고 있다.
또한 도 20에서는, 실시예 1 내지 3 중 어느 것에 있어서도, 링 부재를 회동시켜 받침대부와 링 부재와의 접촉 위치를 변화시키더라도 좌우 방향의 편심량에 대해서는 변화가 없으며, 중심점은 좌우 방향으로 이동하지 않는 것이 확인되었다. 이 이유에 대해서는, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 받침대부와 링 부재의 접촉 위치인 좌측 위치와 우측 위치에 있어서, 중심점까지의 거리의 차분이 어느 변에 있어서도 일정하기 때문이다. 따라서 이러한 형상의 링 부재를 회동시킴으로써 지지 위치를, 좌우 방향으로의 변위를 억제하여 높이 방향만으로 이동시킬 있음이 이해된다.
(평가 시험 2)
평가 시험 2로서, 실시예 1의 링 부재를 사용하여, 링 부재를 회동시켰을 때의 가스 노즐 선단부의 변위량에 대하여 실측하였다. 가스 노즐의 길이는 461.74㎜로 하고, 링 부재에 의한 지지 위치는 기단부로부터 30.74㎜의 위치로 하였다. 그리고 기단부와 선단부의 각 하단의 높이 위치의 차분을 변위량으로 하였다.
이 결과를 도 21에 나타낸다. 도면 중 종축은 변위량, 횡축은 스텝이며, 스텝에 대해서는 도 20과 마찬가지이다. 또한 도 21에는 변위량의 실측값을 실선, 예상값을 점선으로 각각 나타내고 있으며, 마이너스의 변위량은 기단부보다도 선단부의 위치가 낮아져 있는 것, 플러스의 변위량은 기단부보다도 선단부의 위치가 높아져 있는 것을 각각 나타내고 있다.
이 결과, 링 부재를 회동시켜 받침대부와의 접촉 위치를 변화시킴으로써 가스 노즐의 선단부를 기단부보다도 낮추거나, 또는 가스 노즐의 선단부를 기단부보다도 높일 수 있어, 예상값을 따른 상태에서 선단부의 높이 위치를 변위시킬 수 있음이 인정되었다. 따라서 링 부재를 회동시켜 받침대와의 접촉 위치를 변화시킨다는 간이한 방법에 의하여, 가스 노즐의 상하 방향의 방향을 높은 정밀도로 조정할 수 있음이 이해된다.
11: 진공 용기
W: 웨이퍼
12: 천장판
13: 용기 본체
31: 원료 가스 노즐
32: 반응 가스 노즐
34: 슬리브
41, 42: 분리 가스 노즐
5: 링 부재
51: 개구부(내주면)
52: 받침대부
7: 규제부
O: 중심점
P: 지지 위치

Claims (7)

  1. 처리 용기의 측벽의 관통 구멍에 삽입되어 전후 방향으로 신장되는 가스 노즐로부터, 상기 가스 노즐에 대하여 상대적으로 이동하는 기판 적재부 상의 기판의 표면에 처리 가스를 공급하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 관통 구멍보다도 가스 노즐의 선단측에서 상기 가스 노즐이 관통되어 그 내주면에 적재되고, 외주면 및 내주면 중 적어도 한쪽의 윤곽 형상이 소용돌이 곡선 또는 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정된 링 부재와,
    상기 링 부재가 둘레 방향으로 서로 이격된 좌측 위치 및 우측 위치에서 적재되는 받침대부를 포함하고,
    상기 링 부재의 회동에 의하여 상기 링 부재에 있어서의 가스 노즐의 지지 위치의 높이가 조정되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 링 부재에 대하여 상하 이동 및 회동할 수 있는 상태에서 좌우 방향의 위치를 규제하는 규제부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 링 부재의 내주면의 윤곽 형상은 진원 또는 정다각형이고,
    상기 링 부재의 외주면의 윤곽 형상은 소용돌이 곡선 또는 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형으로 설정되어 있는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 링 부재의 외주면의 윤곽 형상은 소용돌이 곡선을 직선으로 근사한 다각형이며, 한 변으로부터 중심점까지의 거리와, 상기 한 변에 인접하는 다른 변으로부터 중심점까지의 거리의 차가 어느 변에 대해서도 일정한 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 받침대부는 좌우 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있는 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 다각형의 중심점은 링 부재의 내주면의 윤곽 형상의 중심점에 일치하는 기판 처리 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 링 부재는, 서로 동일 형상이며, 서로 연결되어 일체적으로 회동하도록 전후 방향으로 이격되고, 각각의 내주면의 윤곽 형상끼리가 전후 방향에서 볼 때 일치하고 있는 제1 링 부재 및 제2 링 부재를 포함하고,
    상기 받침대부는, 상기 제1 링 부재 및 제2 링 부재 중 한 쪽의 좌측 근처를 지지하는 좌측의 받침대부 및 상기 제1 링 부재 및 제2 링 부재 중 다른 쪽의 우측 근처를 지지하는 우측의 받침대부를 포함하고,
    상기 제1 링 부재 및 제2 링 부재를 회동시켰을 때, 제1 링 부재의 적재 위치와 제2 링 부재의 적재 위치가 대응하도록, 제1 링 부재에 대한 제2 링 부재의 회동 위치가 설정되어 있는 기판 처리 장치.
KR1020160004167A 2015-01-26 2016-01-13 기판 처리 장치 KR101892339B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015012654A JP6297509B2 (ja) 2015-01-26 2015-01-26 基板処理装置
JPJP-P-2015-012654 2015-01-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160091821A true KR20160091821A (ko) 2016-08-03
KR101892339B1 KR101892339B1 (ko) 2018-08-27

Family

ID=56433966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160004167A KR101892339B1 (ko) 2015-01-26 2016-01-13 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9988717B2 (ko)
JP (1) JP6297509B2 (ko)
KR (1) KR101892339B1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014163742A1 (en) * 2013-03-12 2014-10-09 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
JP6297509B2 (ja) * 2015-01-26 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6398761B2 (ja) * 2015-02-04 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054470B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6504017B2 (ja) * 2015-10-21 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10428425B2 (en) * 2016-01-26 2019-10-01 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, method of depositing film, and non-transitory computer-readable recording medium
JP6749954B2 (ja) * 2018-02-20 2020-09-02 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム
CN109763116B (zh) * 2019-01-30 2020-11-06 西北工业大学 用于cvd设备的双轴正交旋转系统及方法
CN116875935B (zh) * 2023-09-04 2023-11-14 长春金工表面工程技术有限公司 一种用于模具表面硬化的离子渗氮设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11253901A (ja) * 1998-03-13 1999-09-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd 表面洗浄装置のノズル位置調整機構
KR20100027062A (ko) * 2008-08-29 2010-03-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 활성화 가스 인젝터, 성막 장치 및 성막 방법
KR20100028490A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치, 기판 처리 장치, 성막 방법 및 기억 매체
KR20100062932A (ko) * 2008-12-01 2010-06-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치
JP2010135510A (ja) 2008-12-03 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
KR20140009068A (ko) * 2012-07-13 2014-01-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법
KR20140145992A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 처리 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another
US6328221B1 (en) * 2000-02-09 2001-12-11 Moore Epitaxial, Inc. Method for controlling a gas injector in a semiconductor processing reactor
US6347749B1 (en) * 2000-02-09 2002-02-19 Moore Epitaxial, Inc. Semiconductor processing reactor controllable gas jet assembly
JP3615111B2 (ja) * 2000-03-10 2005-01-26 シャープ株式会社 半導体製造装置のガス噴射装置およびそれを用いたガス噴射方向調整方法
JP2006237479A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理装置
TWI341872B (en) * 2006-08-07 2011-05-11 Ind Tech Res Inst Plasma deposition apparatus and depositing method thereof
US9941100B2 (en) * 2011-12-16 2018-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle
JP6297509B2 (ja) * 2015-01-26 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6504017B2 (ja) * 2015-10-21 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6587514B2 (ja) * 2015-11-11 2019-10-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11253901A (ja) * 1998-03-13 1999-09-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd 表面洗浄装置のノズル位置調整機構
KR20100027062A (ko) * 2008-08-29 2010-03-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 활성화 가스 인젝터, 성막 장치 및 성막 방법
KR20100028490A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치, 기판 처리 장치, 성막 방법 및 기억 매체
KR20100062932A (ko) * 2008-12-01 2010-06-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치
JP2010135510A (ja) 2008-12-03 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
KR20140009068A (ko) * 2012-07-13 2014-01-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 성막 방법
KR20140145992A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가스 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016139666A (ja) 2016-08-04
US20160215395A1 (en) 2016-07-28
KR101892339B1 (ko) 2018-08-27
JP6297509B2 (ja) 2018-03-20
US9988717B2 (en) 2018-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101892339B1 (ko) 기판 처리 장치
US11282721B2 (en) Vertical heat treatment apparatus
TW202111839A (zh) 基板處理設備
TWI418650B (zh) 成膜裝置
KR101745074B1 (ko) 성막 장치
US8746170B2 (en) Substrate process apparatus, substrate process method, and computer readable storage medium
US9416448B2 (en) Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method
JP5527197B2 (ja) 成膜装置
KR101560623B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
CN115613010A (zh) 用于在衬底选择侧上沉积的pecvd沉积系统
JP2015159248A (ja) 基板処理装置
US9790597B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
KR20100062932A (ko) 성막 장치
JP5093078B2 (ja) 成膜装置
CN101740447A (zh) 基板位置检测装置、基板位置检测方法、成膜装置、成膜方法
JP2019529691A (ja) 基板の同時の回転及び浮揚のための非接触基板キャリア
JP6557992B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP6221932B2 (ja) 成膜装置
TWI683924B (zh) 成膜裝置
JP6767844B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR102205381B1 (ko) 기판 처리 장치
US20210087684A1 (en) Deposition apparatus and deposition method
US10428425B2 (en) Film deposition apparatus, method of depositing film, and non-transitory computer-readable recording medium
JP2017084970A (ja) 成膜装置
US20210202217A1 (en) Edge ring, substrate processing apparatus having the same and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant