KR20160071029A - 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈 - Google Patents

배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20160071029A
KR20160071029A KR1020140178227A KR20140178227A KR20160071029A KR 20160071029 A KR20160071029 A KR 20160071029A KR 1020140178227 A KR1020140178227 A KR 1020140178227A KR 20140178227 A KR20140178227 A KR 20140178227A KR 20160071029 A KR20160071029 A KR 20160071029A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wiring
electrode
layer
conductive layer
interposer
Prior art date
Application number
KR1020140178227A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102279152B1 (ko
Inventor
송철
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140178227A priority Critical patent/KR102279152B1/ko
Priority to PCT/KR2015/012838 priority patent/WO2016093520A2/ko
Publication of KR20160071029A publication Critical patent/KR20160071029A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102279152B1 publication Critical patent/KR102279152B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/023—Stackable modules
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/026—Multiple connections subassemblies

Abstract

본 발명은 인터포저 내에 배선층을 형성함으로써 성능을 개선할 수 있으며, 회로 설계 및 패턴 구현이 용이한 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 배선용 인터포저는, 전자 장치들 사이에 위치하여, 상기 전자 장치들을 전기적으로 연결하며, 상기 인터포저는, 제 1 전기 장치와 전기적으로 연결되는 제 1 도전층; 제 2 전기 장치와 전기적으로 연결되는 제 2 도전층; 및 상기 제 1 및 제 2 도전층 사이에 위치하여, 상기 제 1 및 제 2 전기 장치를 전기적으로 연결하며, 복층 구조로 이루어지는 배선층을 포함한다.

Description

배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈 {Interposer for wiring and electric module having the same}
본 발명은 인터포저를 구비하는 전자 모듈에 관한 것으로, 상세하게는 인터포저 내에 배선층을 형성함으로써 성능을 개선할 수 있으며, 회로 설계 및 패턴 구현이 용이한 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈에 관한 것이다.
통상적으로 전자 모듈은 베이스 기판에 전자 부품을 실장하여 형성되는 것으로, 전자 부품을 베이스 기판에 실장하기 위해 SMT(Surface Mount Technology) 방식이 사용된다.
SMT 방식의 경우, 전자 부품에 형성된 솔더 볼(Solder Ball)과 베이스 기판에 인쇄된 솔더 페이스트(Solder Paste)가 리플로우(Reflow) 공정을 거치면서 전자 부품과 베이스 기판을 연결하는 솔더(Solder)를 형성하게 된다.
최근에는 전자 부품과 베이스 기판 사이에, 실리콘(Si), 유리(Glass) 또는 세라믹(Ceramic) 등 낮은 열팽창 계수를 갖는 인터포저(interposer)를 개재하여, 전자 부품과 베이스 기판을 연결하여 전자 모듈을 형성하는 방법이 사용되고 있다.
도 1에는 종래 인터포저를 이용한 전자 모듈의 구조가 도시되어 있으며, 도 1을 참조하면, 전자 모듈(100)은 베이스 기판(110), 전자 부품(120), 그리고 베이스 기판(110)과 전자 부품(120) 사이에 개재되어 베이스 기판(110)과 전자 부품(120)을 연결하는 인터포저(130)를 구비한다.
이때, 상기 인터포저(130)는 절연층(131)의 양 측에 각각 형성되는 상, 하부층(132, 133)으로 구성된다. 즉, 상기 인터포저(130)는 절연층(131)을 기준으로 양 면에 각각 하나의 층이 형성되는 구조(2-층 구조)로 이루어진다.
따라서, 종래와 같은 2-층 구조의 인터포저에서는 상부층(132)과 하부층(133)이 1:1로 비아 홀(via hole)을 통해 매칭되기 때문에, 상부 전극(141)과 하부 전극(142)의 위치의 배치가 제한적이며, 상부 전극(141) 및 하부 전극(142)의 크기 또한 전자 부품과 유사한 크기로 형성될 수밖에 없었다.
따라서, 종래의 인터포저를 이용하여 전자 부품을 베이스 기판에 실장하는 경우, 설계적 제약으로 인하여 회로 설계 및 패턴 구현이 어렵다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 인터포저 내에 배선층을 형성함으로써 성능을 개선할 수 있으며, 회로 설계 및 패턴 구현이 용이한 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 배선용 인터포저는, 전자 장치들 사이에 위치하여, 상기 전자 장치들을 전기적으로 연결하는 배선용 인터포저에 있어서, 상기 인터포저는, 제 1 전기 장치와 전기적으로 연결되는 제 1 도전층; 제 2 전기 장치와 전기적으로 연결되는 제 2 도전층; 및 상기 제 1 및 제 2 도전층 사이에 위치하여, 상기 제 1 및 제 2 전기 장치를 전기적으로 연결하며, 복층 구조로 이루어지는 배선층을 포함한다.
상기 배선층은 배선 전극을 포함하고, 상기 제 1 도전층은 상기 제 1 전기 장치와 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극을 포함하고, 상기 제 2 도전층은 상기 제 2 전기 장치와 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 포함한다.
상기 배선층은, 배선 절연층; 상기 배선 절연층 상부에 위치하는 상부 배선층; 및 사이 배선 절연층 하부에 위치하는 하부 배선층을 포함하고, 상기 배선 전극은 상기 배선 절연층, 상기 상부 배선층 및 상기 하부 배선층을 관통하여 형성된다.
상기 제 1 도전층은 절연 재질이고, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 도전층에 형성되는 비아 홀에 위치하며, 상기 제 1 전극의 상부가 상기 제 1 도전층 외부로 노출되어 상기 제 1 전기 장치와 연결된다.
상기 제 2 도전층은 절연 재질이고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전층에 형성되는 비아 홀에 위치하고, 상기 제 2 전극의 하부가 상기 제 2 도전층 외부로 노출되어 상기 제 2 전기 장치와 연결된다.
상기 제 1 전극은 상기 제 1 도전층과 상기 배선층 사이에 형성되는 배선을 통해 상기 배선 전극과 연결되고, 상기 제 2 전극은 상기 배선층과 상기 제 2 도전층 사이에 형성되는 배선을 통해 상기 배선 전극과 연결된다.
상기 제 2 전극은 랜드 그리드 배열(Land Grid Array)로 형성된다.
상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극이 각각 다수 형성되고, 다수의 제 1 전극은 상기 제 1 도전층의 일정 영역에 밀집하여 위치하고, 상기 다수의 제 1 전극과 각각 전기적으로 연결되는 다수의 제 2 전극은 상기 제 2 도전층의 전 영역에 분포하여 위치한다.
본 발명의 타 측면에 따른 전자 모듈은, 베이스 기판, 인터포저 및 전자 부품이 순차적으로 적층되어 구현되는 전자 모듈에 있어서, 상기 인터포저는, 배선층; 상기 배선층의 상부에 구비되고, 상기 배선층 및 상기 전자 부품과 전기적으로 연결되는 상부 도전층; 및 상기 배선층의 하부에 구비되고, 상기 배선층 및 상기 베이스 기판과 전기적으로 연결되는 하부 도전층을 구비한다.
상기 배선층은 배선 전극을 포함하고, 상기 상부 도전층은 상기 전자 부품과 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 포함하고, 상기 하부 도전층은 상기 베이스 기판과 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 포함한다.
상기 배선층은, 배선 절연층; 상기 배선 절연층 상부에 위치하는 상부 배선층; 및 사이 배선 절연층 하부에 위치하는 하부 배선층을 포함하고, 상기 배선 전극은 상기 배선 절연층, 상기 상부 배선층 및 상기 하부 배선층을 관통하여 형성되는 비아 홀에 위치한다.
상기 상부 도전층은 절연 재질이고, 상기 상부 전극은 상기 상부 도전층에 형성되는 비아 홀에 위치하며, 상기 상부 전극의 상부가 상기 상부 도전층 외부로 노출되어 상기 전자 부품과 연결된다.
상기 하부 도전층은 절연 재질이고, 상기 하부 전극은 상기 하부 도전층에 형성되는 비아 홀에 위치하고, 상기 하부 전극의 하부가 상기 하부 도전층 외부로 노출되어 상기 베이스 기판과 연결된다.
상기 상부 전극은 상기 상부 도전층과 상기 배선층 사이에 형성되는 배선을 통해 상기 배선 전극과 연결되고, 상기 하부 전극은 상기 배선층과 상기 하부 도전층 사이에 형성되는 배선을 통해 상기 배선 전극과 연결된다.
상기 하부 전극은 랜드 그리드 배열(Land Grid Array)로 형성된다.
상기 상부 전극 및 상기 하부 전극이 각각 다수 형성되고, 다수의 상부 전극은 상기 상부 도전층의 일정 영역에 밀집하여 위치하고, 상기 다수의 상부 전극과 각각 전기적으로 연결되는 다수의 하부 전극은 상기 하부 도전층의 전 영역에 분포하여 위치한다.
상기와 같은 구성에 따르면, 인터포저는 다층 구조로 형성되어, 내부에 배선층을 포함하기 때문에, 인터포저 내부에서 자유로운 배선 설계가 가능하다.
따라서, 인터포저의 상부에 위치하는 상부 전극의 크기 및 위치는 전자 부품의 크기 및 위치에 따라 국한되더라도, 인터포저의 하부에 위치하는 하부 전극은 전자 부품의 위치 및 크기에 국한되지 않고 인터포저의 다양한 위치에 배치될 수 있기 때문에, 하부 전극의 크기와 하부 전극 사이의 간격을 넓게 할 수 있어, 방열 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 하부 전극의 크기를 넓게 하면, 베이스 기판과의 접촉 면적이 넓어지기 때문에, 부착력과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 자유로운 배선 설계가 가능하기 때문에, RF 성능과 밀접함 상관이 있는 입출력 패턴에 대한 Line impedance matching 작업이 용이하기 때문에 전자 모듈의 RF 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 인터포저를 구비하는 전자 모듈의 구조를 도시한 도면이다.
도 2 및 3은 본 발명의 실시 예에 따른 인터포저를 구비하는 전자 모듈의 구조를 도시한 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 인터포저의 상면과 하면을 도시한 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 도면부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시 예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈의 구조에 대해서 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명해 보기로 한다.
도 2 및 3은 본 발명의 실시 예에 따른 배선용 인터포저를 구비하는 전자 모듈의 구조를 도시한 부분 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 전자 모듈(200)은 베이스 기판(210), 전자 부품(220) 및 다층 구조의 인터포저(230)를 포함한다.
이때, 본 발명의 실시 예에 따른 전자 모듈(200)의 구조에 따르면, 상기 베이스 기판(210)은 전자 모듈(200)의 기저를 이루는 것으로 전자 모듈(200)의 최하위층에 마련되고, 베이스 기판(210) 상에 인터포저(230)가 적층되고, 인터포저(230) 상에 전자 부품(220)이 적층된다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 전자 모듈(200)은 베이스 기판(210), 인터포저(230) 및 전자 부품(220)이 순차적으로 적층된 구조로 이루어진다.
이때, 상기 베이스 기판(210)과 인터포저(230)의 연결 및 인터포저(230)와 전자 부품(220)의 연결은 다양한 방식에 의해서 이루어질 수 있으며, 예를 들어 SMT(Surface Mount Technology) 방식에 의해 이루어질 수 있다.
한편, 상기 인터포저(230)는 배선층(231), 배선층(231)의 양측에 각각 위치하는 상부 도전층(232) 및 하부 도전층(233)을 포함한다.
이때, 상기 배선층(231)에는 배선 전극(234)이 마련되고, 상기 상부 도전층(232)에는 상부 전극(235)이 마련되며, 상기 하부 도전층(233)에는 하부 전극(236)이 마련된다.
또한, 상기 배선 전극(234)은 상부 전극(235)과 하부 전극(236)과 전기적으로 연결되고, 상기 상부 전극(235)은 전자 부품(220)과 전기적으로 연결되며, 상기 하부 전극(236)은 베이스 기판(210)과 전기적으로 연결된다.
한편, 상기 배선층(231)은 3-층 구조로서, 배선 절연층(231a), 배선 절연층(231a)의 양측에 위치하는 상부 및 하부 배선층(231b, 231c)으로 이루어질 수 있다.
상기 배선층(231)에는 배선 절연층(231a), 상부 배선층(231b) 및 하부 배선층(231c)를 관통하여 비아 홀이 형성되고, 배선층(231)에 형성되는 비아 홀에 배선 전극(234)이 위치한다.
상기 상부 도전층(232)은 절연 재질로 형성되고, 상기 상부 도전층(232)에는 비아 홀이 형성되고, 상부 도전층(232)에 형성되는 비아 홀에 상부 전극(235)이 위치한다.
상기 상부 전극(235)의 상부는 상부 도전층(232) 외부로 노출되어 전자 부품(220)과 연결되고, 상기 상부 전극(235)의 하부는 배선층(231)과 상부 도전층(232) 사이에 형성되는 배선을 통해 배선 전극(234)의 상부와 연결된다.
상기 하부 도전층(233)은 절연 재질로 형성되고, 상기 하부 도전층(233)에는 비아 홀이 형성되고, 하부 도전층(233)에 형성되는 비아 홀에 하부 전극(236)이 위치한다.
상기 하부 전극(236)의 상부는 배선층(231)과 하부 도전층(233) 사이에 형성되는 배선을 통해 배선 전극(234)의 하부와 연결되고, 상기 하부 전극(236)의 하부는 외부로 노출되어 베이스 기판(210)과 연결된다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 전자 모듈(200)의 구조에 따르면, 베이스 기판(210)-하부 전극(236)-배선 전극(234)-상부 전극(235)-전자 부품(220)으로 이어지는 전기적 경로가 형성된다.
한편, 도 2에는 배선층(231)이 3개의 층(231a ~ 231c)으로 이루어지는 구조가 도시되어 있으나, 본 발명의 실시 예에 따른 배선층(231)은 도 3에 도시된 바와 같이 5개의 층(231a ~ 231e)으로 이루어질 수도 있으며, 베이스 기판(210)과 전자 부품(220) 사이의 간격을 조절하기 위하여 다양한 구조로 이루어질 수 있으며, 각 층의 용도 또한 다양하게 설정될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 인터포저의 상면과 하면을 도시한 평면도이다.
도 4(a)는 본 발명의 실시 예에 따른 인터포저의 상면을 도시한 평면도로서, 도 4(a)와 같이, 인터포저(230)의 상면에는 다수의 상부 전극(235)이 형성되는데, 이때, 도 4(a)에는 상기 상부 전극(235)이 전자 부품의 배치에 따라 일정 영역 내에 밀집하여 형성되는 구조가 예로 도시되어 있다.
한편, 도 4(b)는 본 발명의 실시 예에 따른 인터포저의 하면을 도시한 평면도로서, 다수의 상부 전극(235)이 인터포저 상면의 일정 영역 내에 밀집하여 형성되는 것에 반해, 4(b)와 같이, 인터포저(230)의 하면에 형성되는 다수의 하부 전극(236)은 인터포저 하면의 전 영역에 분포되어 형성된다. 이때, 상기 다수의 상부 전극(235)은 랜드 그리드 배열(Land Grid Array, LGA)로 형성될 수 있다.
따라서, 하부 전극(236)은 상부 전극(235)에 비하여 넓은 면적으로 형성되며, 또한, 하부 전극(236)의 간격은 상부 전극(235)의 간격보다 넓게 형성된다.
상기와 같은 구성에 따르면, 인터포저는 다층 구조로 형성되어, 내부에 배선층을 포함하기 때문에, 인터포저 내부에서 자유로운 배선 설계가 가능하다.
따라서, 인터포저의 상부에 위치하는 상부 전극의 크기 및 위치는 전자 부품의 크기 및 위치에 따라 국한되더라도, 인터포저의 하부에 위치하는 하부 전극은 전자 부품의 위치 및 크기에 국한되지 않고 인터포저의 다양한 위치에 배치될 수 있기 때문에, 하부 전극의 크기와 하부 전극 사이의 간격을 넓게 할 수 있어, 방열 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 하부 전극의 크기를 넓게 하면, 베이스 기판과의 접촉 면적이 넓어지기 때문에, 부착력과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 자유로운 배선 설계가 가능하기 때문에, RF 성능과 밀접함 상관이 있는 입출력 패턴에 대한 Line impedance matching 작업이 용이하기 때문에 전자 모듈의 RF 성능을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈을 실시 예에 따라 설명하였지만, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명과 관련하여 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 범위 내에서 여러 가지의 대안, 수정 및 변경하여 실시할 수 있다.
따라서, 본 발명에 기재된 실시 예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
200 : 전자 모듈 210 : 베이스 기판
220 : 전자 부품 230 : 인터포저
231 : 배선층 232 : 상부 도전층
233 : 하부 도전층 234 : 배선 전극
235 : 상부 전극 236 : 하부 전극

Claims (16)

  1. 전자 장치들 사이에 위치하여, 상기 전자 장치들을 전기적으로 연결하는 배선용 인터포저에 있어서, 상기 인터포저는,
    제 1 전기 장치와 전기적으로 연결되는 제 1 도전층;
    제 2 전기 장치와 전기적으로 연결되는 제 2 도전층; 및
    상기 제 1 및 제 2 도전층 사이에 위치하여, 상기 제 1 및 제 2 전기 장치를 전기적으로 연결하며, 복층 구조로 이루어지는 배선층을 포함하는 배선용 인터포저.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선층은 배선 전극을 포함하고, 상기 제 1 도전층은 상기 제 1 전기 장치와 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극을 포함하고, 상기 제 2 도전층은 상기 제 2 전기 장치와 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전극을 포함하는 배선층을 포함하는 배선용 인터포저.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 배선층은,
    배선 절연층;
    상기 배선 절연층 상부에 위치하는 상부 배선층; 및
    사이 배선 절연층 하부에 위치하는 하부 배선층을 포함하고,
    상기 배선 전극은 상기 배선 절연층, 상기 상부 배선층 및 상기 하부 배선층을 관통하여 형성되는 비아 홀에 위치하는 배선용 인터포저.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 도전층은 절연 재질이고, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 도전층에 형성되는 비아 홀에 위치하며, 상기 제 1 전극의 상부가 상기 제 1 도전층 외부로 노출되어 상기 제 1 전기 장치와 연결되는 배선용 인터포저.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 도전층은 절연 재질이고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전층에 형성되는 비아 홀에 위치하고, 상기 제 2 전극의 하부가 상기 제 2 도전층 외부로 노출되어 상기 제 2 전기 장치와 연결되는 배선용 인터포저.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 상기 제 1 도전층과 상기 배선층 사이에 형성되는 배선을 통해 상기 배선 전극과 연결되고, 상기 제 2 전극은 상기 배선층과 상기 제 2 도전층 사이에 형성되는 배선을 통해 상기 배선 전극과 연결되는 배선용 인터포저.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 랜드 그리드 배열(Land Grid Array)로 형성되는 배선용 인터포저.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극이 각각 다수 형성되고,
    다수의 제 1 전극은 상기 제 1 도전층의 일정 영역에 밀집하여 위치하고, 상기 다수의 제 1 전극과 각각 전기적으로 연결되는 다수의 제 2 전극은 상기 제 2 도전층의 전 영역에 분포하여 위치하는 배선용 인터포저.
  9. 베이스 기판, 인터포저 및 전자 부품이 순차적으로 적층되어 구현되는 전자 모듈에 있어서, 상기 인터포저는,
    배선층;
    상기 배선층의 상부에 구비되고, 상기 배선층 및 상기 전자 부품과 전기적으로 연결되는 상부 도전층; 및
    상기 배선층의 하부에 구비되고, 상기 배선층 및 상기 베이스 기판과 전기적으로 연결되는 하부 도전층을 구비하는 배선층을 포함하는 전자 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 배선층은 배선 전극을 포함하고, 상기 상부 도전층은 상기 전자 부품과 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 상부 전극을 포함하고, 상기 하부 도전층은 상기 베이스 기판과 상기 배선 전극과 전기적으로 연결되는 하부 전극을 포함하는 전자 모듈.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 배선층은,
    배선 절연층;
    상기 배선 절연층 상부에 위치하는 상부 배선층; 및
    사이 배선 절연층 하부에 위치하는 하부 배선층을 포함하고,
    상기 배선 전극은 상기 배선 절연층, 상기 상부 배선층 및 상기 하부 배선층을 관통하여 형성되는 비아 홀에 위치하는 전자 모듈.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 상부 도전층은 절연 재질이고, 상기 상부 전극은 상기 상부 도전층에 형성되는 비아 홀에 위치하며, 상기 상부 전극의 상부가 상기 상부 도전층 외부로 노출되어 상기 전자 부품과 연결되는 전자 모듈.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 하부 도전층은 절연 재질이고, 상기 하부 전극은 상기 하부 도전층에 형성되는 비아 홀에 위치하고, 상기 하부 전극의 하부가 상기 하부 도전층 외부로 노출되어 상기 베이스 기판과 연결되는 전자 모듈.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 상부 전극은 상기 상부 도전층과 상기 배선층 사이에 형성되는 배선을 통해 상기 배선 전극과 연결되고, 상기 하부 전극은 상기 배선층과 상기 하부 도전층 사이에 형성되는 배선을 통해 상기 배선 전극과 연결되는 전자 모듈.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 하부 전극은 랜드 그리드 배열(Land Grid Array)로 형성되는 전자 모듈.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 상부 전극 및 상기 하부 전극이 각각 다수 형성되고,
    다수의 상부 전극은 상기 상부 도전층의 일정 영역에 밀집하여 위치하고, 상기 다수의 상부 전극과 각각 전기적으로 연결되는 다수의 하부 전극은 상기 하부 도전층의 전 영역에 분포하여 위치하는 전자 모듈.
KR1020140178227A 2014-12-11 2014-12-11 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈 KR102279152B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140178227A KR102279152B1 (ko) 2014-12-11 2014-12-11 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈
PCT/KR2015/012838 WO2016093520A2 (ko) 2014-12-11 2015-11-27 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140178227A KR102279152B1 (ko) 2014-12-11 2014-12-11 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160071029A true KR20160071029A (ko) 2016-06-21
KR102279152B1 KR102279152B1 (ko) 2021-07-19

Family

ID=56108323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140178227A KR102279152B1 (ko) 2014-12-11 2014-12-11 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102279152B1 (ko)
WO (1) WO2016093520A2 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100789571B1 (ko) * 2006-08-31 2007-12-28 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
KR20100055305A (ko) * 2008-11-17 2010-05-26 후지쯔 가부시끼가이샤 배선 기판 및 그 제조 방법
KR101904926B1 (ko) * 2012-05-04 2018-10-08 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 패키지

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101014576B1 (ko) * 2004-02-24 2011-02-16 이비덴 가부시키가이샤 반도체 탑재용 기판
KR101060862B1 (ko) * 2009-09-14 2011-08-31 삼성전기주식회사 인터포저 및 그의 제조방법
US8709933B2 (en) * 2011-04-21 2014-04-29 Tessera, Inc. Interposer having molded low CTE dielectric
US8841765B2 (en) * 2011-04-22 2014-09-23 Tessera, Inc. Multi-chip module with stacked face-down connected dies

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100789571B1 (ko) * 2006-08-31 2007-12-28 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
KR20100055305A (ko) * 2008-11-17 2010-05-26 후지쯔 가부시끼가이샤 배선 기판 및 그 제조 방법
KR101904926B1 (ko) * 2012-05-04 2018-10-08 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016093520A2 (ko) 2016-06-16
WO2016093520A3 (ko) 2016-07-28
KR102279152B1 (ko) 2021-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060043562A1 (en) Circuit device and manufacture method for circuit device
TWI429343B (zh) 電路板
US8289728B2 (en) Interconnect board, printed circuit board unit, and method
US7262974B2 (en) Techniques for alleviating the need for DC blocking capacitors in high-speed differential signal pairs
JP2013504894A (ja) 相互接続構造における電力利得（電力供給）及び電力損失（電力消費）を改善するインターポーザ基板の内蔵部品
JP5750528B1 (ja) 部品内蔵回路基板
JP5087118B2 (ja) 通信機器
WO2014162478A1 (ja) 部品内蔵基板及びその製造方法
US9905918B2 (en) Electronic apparatus and land grid array module
US10820416B2 (en) Substrate apparatus and method of manufacturing the same
KR101555403B1 (ko) 배선기판
CN103037619A (zh) 印刷电路板组件
US20150201496A1 (en) Radio module and relevant manufacturing method
JP5190811B2 (ja) 電源モジュール
KR102279152B1 (ko) 배선용 인터포저 및 이를 구비하는 전자 모듈
JP2007027472A5 (ko)
JP2008251850A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201611675A (zh) 電路板結構之改良方法
CN216673387U (zh) 电路板模块及电子设备
JP2012109386A (ja) 配線基板
CN202121863U (zh) 一种抗干扰的柔性电路板
CN106163092B (zh) 一种自带散热功能的电路板结构制作方法
TW491004B (en) Multi-layer substrate of integrated circuit and arrangement method of its via holes
US20070178226A1 (en) Printed circuit board
JP2003338680A (ja) 高周波モジュールの取付構造

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant