KR20160040689A - 유리 물품의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

형성된 유리 물품 제조 방법은 몰드의 상부에 유리 시트를 배치시키는 단계를 포함한다. 열 교환기는, 상기 열 교환기의 열 교환 표면이 몰드의 뒤쪽 표면과 대향된 관계를 취하고 그리고 가스의 층을 포함한 갭에 의해 몰드의 뒤쪽 표면과 분리되도록, 상기 몰드와 관련되어 배치된다. 갭의 높이는, 몰드의 뒤쪽 표면과 열 교환 표면 사이의 현저한 열 전달이 가스의 층을 통한 전도에 의하도록, 선택된다. 유리 시트가 가열되고 몰드로서 형성된 유리 물품으로 성형된다. 열 교환기는 유리 시트의 가열, 형성된 유리 물품의 성형, 및 상기 형성된 유리 물품의 냉각 중 적어도 하나 동안에, 적어도 몰드의 부분으로부터 열을 제거하도록 작동된다.

Description

유리 물품의 제조 방법{Method and Apparatus of making glass articles}
본 출원은 미국 35 U.S.C. §119하에서 2013년 08월 08일에 출원된 미국특허 가출원번호 제61/863,488호를 우선권 주장하고 있으며, 상기 특허문헌의 내용은 참조를 위해 본 명세서에 모두 포함되어 있다.
본 발명은 전반적으로 유리 시트 개질(glass sheet reforming)에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 형성된 유리 물품을 성형하기 위하여, 몰드가 사용되는 동안에, 상기 몰드로부터 열을 제거하기 위한 메카니즘에 관한 것이다.
유리 시트 개질 공정은 유리 시트를 몰드 상에 배치하는 단계, 상기 유리 시트 및 몰드를 그 각각의 성형 온도로 가열하는 단계, 그리고 상기 유리 시트를 형성된 유리 물품으로 성형하는 단계를 포함한다. 몰드는 전형적으로 금속으로 만들어지고, 그리고 종종 형성된 유리 물품의 성형이 완성되기 이전에, 유리를 지나치게 냉각하지 않거나 또는 유리에 표면 손상을 유도하지 않으면서, 고온의 유리를 성형하기 위해, 500℃를 초과하는 표면 온도에서 반드시 작동해야 한다. 형성된 유리 물품의 성형 동안에, 몰드는 짧은 시간 간격 동안에 제어된 방식으로 100℃보다 높은 온도에서 온도 상승 및 온도 하강될 필요가 있고, 이에 따라 일정하게 형성된 유리 물품을 만들기 위해 몰드의 면밀하게 제어된 냉각을 요구한다. 다른 경우에, 몰드의 형성 표면상의 한 위치에서의 이상적인 몰드 온도는 동일한 몰드에서의 다른 한 표면 위치에서보다 더 높은, 예를 들면 50℃보다 더 높고, 이에 따라, 상기 몰드의 단지 한 부분에서의 상당하게 그리고 정밀하게 제어된 냉각을 필요로 한다.
몰드에 의해 성형된 형성된 유리 물품의 최종 형상은 매우 정밀하도록, 통상적으로 이상적인 형상의 ± 100 ㎛ 보다 작도록 전형적으로 요구된다. 유리는, 몰드 표면 온도가 정밀하게 제어되지 않는다면, 열 응력에 기인한 양이나 그 이상의 양만큼 뒤틀릴 것이다.
몰드의 형성 표면과 유리 시트가 순응하도록 진공을 가하는 것과 같은 보조 공정은 상기 몰드의 후부(backside)가 직접적인 가스 또는 액체 냉각을 위해 시일되는 것을 방지할 수 있으며, 이 결과 전도 또는 복사를 통해 몰드와 연통하는 시일된 열 제거 장치를 필요로 할 수 있다. 유리를 성형하는데 필요한 작동 온도에서, 열 제거 장치와 몰드 사이의 복사 열 전달이 일정하고 제어가능 하지만, 그러나 열 제거 율이 비교적 작고 그리고 열 제거를 위한 상기 몰드의 작은 부분의 격리(isolation)가 어렵다. 열 제거 장치와 몰드 사이의 직접적인 고체-대-고체 전도 열 전달이 사용될 수 있지만, 그러나 접촉 저항이 변할 수 있고 그리고 표면 평탄도, 표면 마감, 기계적 공차, 등과 같은 많은 요인에 의해 영향을 받으므로, 상기 몰드의 요구되지 않는 균일하지 않고 변하는 냉각을 초래한다. 보다 낮은 온도에서, 몰드와 열 제거 장치 사이의 접촉 경계면에서의 임의의 갭이 고 전도성 페이스트로 충전되어 이러한 불규칙성을 보상할 수 있지만, 그러나 이는 전형적으로 유리 시트 개질 공정에서 전형적인 고 온도에서 또는 유리 표면의 오염이 중요할 때 선택사항이 아니다.
단일의 몰드와 작동하는 연구실-규모의(laboratory-scale) 공정이 비-냉각 상태에 비해 30℃ 이상의 온도만큼 몰드 표면 온도 구배를 증가시키는데 충분한 속도로, 몰드와 열 제거 장치 사이의 고체-대-고체 접촉 냉각을 나타낸다(demonstrate). 구성요소의 매우 정밀한 기계가공이 요구되었고, 그리고 셋업이 상이한 설비 조립체 사이에서 반복가능하지 않았다. 복사 냉각 플레이트가 반복가능한 열의 결과치를 갖는 다중-몰드 생산-규모의 공정(multi-mold production-scale process)에서 성공적으로 사용되고 있지만, 그러나 큰 표면 온도 구배는, 제거된 열의 양이 작았고 면밀하게 주의되지(closely focused) 않았기 때문에, 이를 수 없었다.
하나의 예시적인 실시예에 있어서, 열 교환기는, 상기 열 교환기의 열 교환 표면이 가스의 층을 포함한 갭에 의해 몰드의 뒤쪽 표면과 분리되고 상기 몰드의 상기 뒤쪽 표면에 대해 대향된 관계이도록, 상기 몰드와 관련하여 배치된다. 갭은 0 보다 더 큰 높이를 갖고 그리고 가스의 층의 두께를 형성한다. 갭의 높이는, 몰드의 뒤쪽 표면과 열 교환 표면 사이의 현저한 열 전달 메카니즘이 가스의 층을 통한 전도에 의하도록, 선택된다. 열 교환기는 몰드에 의한 유리 시트의 개질 공정 동안에 상기 몰드의 적어도 한 부분으로부터 열을 선택적으로 제거하도록 작동된다.
상기 간략히 설명된 사항은 본 발명의 기본적인 이해를 돕기 위한 것이다. 본 발명의 중요하거나 중대한 부재를 확인하거나 또는 본 발명이나 첨부된 청구범위의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 다양한 특징 및 실시예가 첨부 도면을 참조하여 아래에서 더욱 상세하게 설명되어 있다.
아래에서 첨부 도면의 간단한 설명이 기재되어 있다. 도면은 축척에 맞춰져 있지 않으며, 도면에서의 특정 부분 및 특정 시점이 간략하고 간이하도록 개략적으로 나타내어질 수 있고 확대되어 나타내어질 수 있음을 알 수 있을 것이다.
도 1은 유리 시트 개질 공정 동안에, 적어도 몰드의 부분으로부터 열을 제거하도록 배치된 열 교환기를 나타낸 도면이다.
도 2는 공기 전도성과 공기 갭 높이 사이의 관계를 나타낸 도면이다.
도 3은 구별된 열 전달 구역을 갖는 열 교환기의 도면이다.
도 4는 유리 시트 개질 공정 동안에 적어도 몰드의 한 부분으로부터 열을 제거하도록 배치된 1차 열 전달 장치와 2차 열 전달 장치를 포함한 열 교환기를 나타낸 도면이다.
도 5는 열 파이프의 기본적인 작동을 나타낸 도면이다.
아래 기재된 상세한 설명에 있어서, 여러 특정 상세한 사항이 본 발명의 실시예의 전반적인 이해를 돕기 위하여 설명되어질 수 있다. 그러나, 실시예가 이들 특정 상세한 사항의 일부나 모두 없이도 실시될 수 있다는 것을 당업자라면 알 수 있을 것이다. 다른 예에 있어서, 잘 알려진 특징이나 공정이 본 발명을 불필요하게 불명료하게 파악되지 않도록 상세하게 기재되지 않을 수 있다. 더욱이, 동일하거나 유사한 부재 번호는 공통의 또는 비슷한 구성요소를 지시하도록 사용될 수 있다.
도 1은 형성된 유리 물품을 성형하기 위한 형성 표면(12)을 구비한 몰드(10)를 나타낸 도면이다. 형성된 유리 물품으로 성형될 유리 시트(18)는 몰드(10)의 상부 표면(14)에 배치된다. 정렬 핀(도시 생략)과 같은 수단이 유리 시트(18)를 몰드(10)의 상부 표면(14)에 정렬시키도록 사용될 수 있다. 유리 시트(18) 및 몰드(10) 상에, 유리 시트(18) 및 몰드(10)를 요구되는 성형 온도로 가열하기 위한 하나 이상의 가열기를 포함한 가열 장치(20)가 배치된다. 여러 실시예에 있어서, 가열 장치(20)는 적외선 가열기, 저항식 가열기 등과 같은 하나 이상의 복사형 가열기를 포함한다. 전형적으로, 가열 장치(20), 몰드(10), 및 유리 시트(18)는, 유리 시트(18) 및 몰드(10)의 가열이 제어될 수 있도록, 노(furnace)(도시 생략) 내에 배치될 것이다. 부가적인 메카니즘이 예를 들면, 미국 특허 공개번호 제2013/00981110호("Bailey")에 기재된 바와 같이 유리 시트(18) 및 몰드(10)의 가열을 제어하도록 사용될 수 있다.
열 전달 장치(22)를 포함한 열 교환기(21)가 몰드(10) 아래에 배치되고 상기 몰드(10)로부터 열을 제거하도록 작동가능하다. 열 전달 장치(22)는, 상기 열 전달 장치(22)의 상측 표면(또는 열 교환 표면)(24)이 몰드(10)의 뒤쪽 표면(16)과 대향된 관계를 취하도록, 배치된다. 상측 표면(24)은, 몰드(10)로부터의 열 제거가 요구되는 곳에 따라, 상기 몰드(10)의 뒤쪽 표면(16)의 모두나 단지 한 부분에 대응할 수 있다. 열 전달 장치(22)의 상측 표면(24)은 가스의 층을 포함한 갭(26)에 의해 몰드의 뒤쪽 표면(16)과 분리된다. 가스는 공기나, 불활성 가스나, 또는 공기 및 불활성 가스로부터 선택된 가스의 혼합물일 수 있다. 대향된 표면(16, 24)에 수직한 방향으로 측정된 갭(26)의 높이는 가스의 층의 두께를 형성한다. 갭(26)의 높이가 영보다 더 크다. 대향된 표면(16, 24) 사이의 갭(26)의 높이가 다양한 수단에 의해 달성될 수 있다. 예를 들면, 몰드(10) 및 열 전달 장치(22)는, 이들 사이의 갭(26)이 요구되는 높이를 갖도록, 여러 기준 평면과 관련하여 요구되는 높이로 지지될 수 있다. 요구되는 갭 높이를 갖는 스페이서(도시 생략)가 또한 대향된 표면(16, 24) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 엑츄에이터(도시 생략)가 갭(26)을 요구되는 높이로 조정하기 위하여 몰드(10) 및 열 전달 장치(22) 중 어느 하나나 각각과 결합될 수 있다.
일반적으로, 3 mm 이상의 큰 갭 높이에서, 열 교환기와 몰드 사이의 현저한 열 전달 메카니즘이 복사에 의한 것이다. 이러한 경우에, 몰드의 뒤쪽 표면이 열 교환기에 대한 큰 각 관계(high view factor)를 가지며, 이러한 구성은 몰드의 전체 하측 표면상에서 실질적으로 일정한 냉각을 초래할 것이다. 3 mm의 큰 갭 두께에서, 전형적인 작동 온도에서 몰드로부터의 열 제거 율이 전형적으로 4.5-5.3 W/㎠에 이른다. 이러한 열 제거 율은, 특히 유리 시트 개질 공정이 유리와 접촉하는 몰드의 형성 표면상에서 실질적으로 일정한 온도를 필요로 할 때, 여러 몰드 설계에 대해 적당하다. 그러나, 보다 큰 냉각 율, 예를 들면, 7 W/ ㎠ 이상의 냉각 율이 몰드의 중심 부분과 같은 상기 몰드의 단지 한 부분 상에서 요구될 때, 어려움에 직면하게 된다. 현저한 복사 냉각과 관련된 몰드의 뒤쪽 표면에 대한 작은 최대 열 제거 율 및 상대적으로 큰 각 관계는 몰드의 이러한 직접적인 냉각을 이루는 것을 어렵게 할 것이다.
예를 들면, 몰드와 열 교환 표면 사이의 갭에서의 가스와 같은 공기를 고려하기 바란다. 전형적인 작동 온도에서, 몰드의 뒤쪽 표면과 열 교환기 사이의 공기 온도가 0.045 Wm-1K-1의 공기 전도성에 대응하는 대략적으로 300℃ 이도록 추정된다(이러한 공기 온도 추정은 단지 설명을 위해 제공된 것이며 이러한 추정으로 한정되지 않는다. 공기 온도는 유리 개질 공정의 특성에 따라 300℃ 보다 높거나 낮을 수 있다). 아래 표 1은 다양한 공기 갭 높이에 대한 공기의 전도성을 나타내고 있다. 표 1에 나타내어진 데이터는 곡선 A로서 도 2에 또한 나타내어져 있다.
공기 갭, mm 전도성, W/M2-K 공기 갭 높이, mm 전도성, W/M2-K
0.1 450.00 1.6 28.13
0.2 225.00 1.7 26.47
0.3 150.00 1.8 25.00
0.4 112.50 1.9 23.68
0.5 90.00 2 22.50
0.6 75.00 2.1 21.43
0.7 64.29 2.2 20.45
0.8 56.25 2.3 19.57
0.9 50.00 2.4 18.75
1 45.00 2.5 18.00
1.1 40.91 2.6 17.31
1.2 37.50 2.7 16.67
1.3 34.62 2.8 16.07
1.4 32.14 2.9 15.52
1.5 30.00 3 15.00
표 1 및 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 공기 갭에서의 공기를 통한 전도 열 전달의 유효성은 공기 갭의 두께가 1 mm 아래로 감소됨에 따라 극적으로 증가한다. 열 전달의 복사 부분에 대한 등가의 전도성이 또한 아래의 방정식에 의해 산출될 수 있다:
Figure pct00001
(1)
상기 방정식에서, k는 전도성이고, ε는 표면의 방사율이고, σ는 스테판-볼츠만 상수(5.67 x 10-8 Wm-2K- 4)이고, T1는 몰드의 뒤쪽 표면에서의 온도이고, 그리고 T2는 몰드의 뒤쪽 표면과 면한 열 교환기의 표면의 온도이다. 전형적인 작동 온도에 기초하여, 예를 들면, 120℃ 내지 300℃의, 열 교환기 온도의 적당한 범위는 55-75 Wm-2K-1의 유효 복사 전도성을 초래한다고 추정될 수 있다. 이러한 범위가 도 2에서 밴드 B로 지시되어 있다.
도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 몰드와 열 교환기의 대향된 표면 사이의 공기 갭의 두께가 실질적으로, 예를 들면, 0.8 mm 이하로 감소될 때, 상기 공기 갭에서의 공기의 자유 대류가 요인(factor)이도록 정지되고 그리고 상기 공기 갭에서의 공기를 통한 전도가 냉각 장치와 몰드 사이의 열 전달을 위한 현저한 메카니즘이 된다. 공기 갭의 두께가 더욱 감소됨에 따라, 공기 갭에서의 공기를 통해 제거된 열의 부분이 계속 상승할 것이고 약 0.1 mm의 실제 한계에 도달한다. 공기 갭의 두께가 0.1 mm 아래로 상당히 많이 감소된다면, 열 팽창에 기인한 공기 갭에서의 변화 및 기계적 공차가 몰드로부터의 국부 열 제거를 결정하는데 중요한 역할을 개시할 것이다. 열 교환기와 몰드 사이의 갭에서의 불활성 가스가 갭에서의 공기와 유사하게 작동할 것이라고 예측된다.
한 특징으로서, (도 1에서) 갭(26)의 높이는, 열 전달 장치(22)와 몰드(10) 사이의 현저한 열 전달 메카니즘이 갭(26)에서의 가스의 층을 통한 전도에 의한 것이도록, 선택된다. 바람직하게는, 갭(26)의 높이는, 갭(26)에서의 가스의 층을 통한 자유 대류성 열 전달이 방해되도록, 선택된다. 바람직하게는, 갭(26)에서의 가스의 층을 통한 열 전달이 또한 강제 대류성 열 전달을 포함하지 않는다. 갭(26)을 형성하는 대향된 표면(16, 24) 사이에 복사가 있을 것이다. 그러나, 이러한 특정에 있어서, 복사에 기인한 몰드(10)로부터의 열 제거가 갭(26)에서의 가스의 층을 통한 전도에 기인한 열 제거보다 상당히 더 작을 것이다. 하나 이상의 실시예에 있어서, 열 전달 장치(22)와 몰드(10) 사이의 현저한 전도성 열 전달 메카니즘을 가능하게 하는 갭(26)의 높이가 3 mm 보다 작고, 바람직하게는 1 mm 보다 작다. 여러 예시적인 실시예에 있어서, 높이의 범위는 0.1 mm 내지 0.8 mm이다. 다른 예시적인 실시예에 있어서, 높이의 범위는 0.1 mm 내지 0.6 mm이다. 갭 높이는 갭을 가로질러 일정할 수 있거나 일정하지 않을 수 있다. 그러나, 갭 높이의 임의의 변화가 상기 기재된 적용가능한 범위 내에 있을 수 있다.
작은 갭 높이를 갖는, 예를 들면, 0.1 mm 내지 0.8 mm의 범위에서, 갭(26)에서의 가스의 층의 전도성은 단독의 복사 열 전달 내내 열 전달 장치(22)의 열 제거 능력을 상당하게 증가시키도록 충분하게 크다. 작은 갭 높이에 의해, 일정한 큰(high) 전도성 구역이 열 전달 장치(22)와 몰드(10)의 대향 표면(16, 24) 사이에 만들어질 수 있다. 이러한 큰 전도성 구역은 몰드(10)로부터의 열의 많은 제거를 용이하게 할 수 있다. 여러 실시예에 있어서, 상기 기재된 작은 갭 높이의 열 전달 장치(22)가 몰드(10)로부터의 7 W/㎠ 이상의 냉각 율로 열을 제거할 수 있다. 더욱이, 작은 갭 높이는 작은 갭 높이를 갖는 구역 내측의 큰 열 제거 영역과, 작은 갭 높이를 갖는 구역 외측의 작은 열 제거 영역 사이에 뚜렷한 경계(sharp boundary)를 만든다. 또한, 최소 갭 높이는 작은 기계가공 변화 또는 불완전한 구성요소 정렬에 기인한 임의의 국부적으로 높은 열 제거 장소를 피하고 그리고 완화된 기계적 공차 및 보다 작은 설비 비용을 가능하게 한다.
형성된 유리 물품은, 몰드(10) 상의 유리 시트(18)를, 상기 유리 시트가 손상 없이 변형될 수 있는 온도인 성형 온도로 가열시킴으로써, 성형될 수 있다. 여러 실시예에 있어서, 성형 온도는 유리의 어닐링 점(1013 Poise의 유리 점도에 대응하는 온도)과 연화 점(107.6 Poise의 유리 점도에 대응하는 온도) 사이이다. 여러 다른 실시예에 있어서, 성형 온도는 1011 Poise의 유리 점도에 대응하는 온도와, 107 Poise의 유리 점도에 대응하는 온도 사이이다. 여러 실시예에 있어서, 성형 온도는 109.1 Poise의 유리 점도에 대응하는 온도와, 107 Poise의 유리 점도에 대응하는 온도 사이이다. 다른 일 실시예에 있어서, 성형 온도는 108.9 Poise의 유리 점도에 대응하는 온도와 108 Poise의 유리 점도에 대응하는 온도 사이이다. 다양한 점도에 대응하는 정확한 온도가 유리의 조성에 따라 결정될 것이다. 여러 이온-교환가능한 유리 조성에 대해, 예를 들면, 성형 온도의 범위는 700℃ 내지 1100℃일 수 있다. 전형적으로, 성형 온도는 또한 몰드의 작동 온도 범위에 대해 반드시 밸런스가 맞춰질 것이다.
유리 시트(18)를 형성된 유리 물품으로 성형하는 단계는, 상기 유리 시트(18)가 성형 온도에 도달할 때, 개시된다. 성형 공정은 몰드(10)의 형성 표면(12)과 유리 시트(18)를 순응시키는 단계(conforming)를 포함한다. 이러한 순응시키는 단계는, 성형 몰드 또는 플런저에 의하여 또는 진공에 의하여, 유리 시트(18)에 힘을 가하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 순응시키는 단계 동안에 가해진 외력이 몰드 형성 표면(12)과 유리 시트(18) 사이에서 가해진 진공의 형태를 취하여, 상기 형성 표면(12)에 대해 상기 유리 시트(18)를 인발한다. 전형적으로, 제 2 외력은 이후, 형성된 유리 물품을 제어된 방식으로 성형 온도보다 낮은 제 2 온도로 되게 하면서, 형성된 유리 물품을 형성 표면(12)에 대해 유지하도록 이후 사용된다. 이러한 제 2 외력은 또한 몰드 형성 표면(12)과 형성된 유리 물품 사이의 접촉 경계면에 가해진 진공의 형태를 취할 수 있다. 이후, 제 2 외력은 해제되고, 그리고 형성된 유리 물품은 유리의 변형 점 아래의 온도로 냉각된다.
상기 기재된 바와 같은 냉각 및 형성된 유리 물품의 성형 이후에, 상기 형성된 유리 물품은 몰드로부터 빼내진다. 가스는, 형성된 유리 물품을 몰드(10)로부터 빼내는데 도움이 되도록, 형성 표면(12)과 상기 형성된 유리 물품 사이의 동일한 경계면에 공급될 수 있다. 열 전달 장치(22)는, 진공 및 가스가 형성된 유리 물품을 빼내고 성형하는데 요구되는 바와 같이, 유리와 몰드(10)의 형성 표면 사이의 경계면에 공급될 수 있도록, 상기 몰드(10)의 후부에 접근가능하게 될 수 있을 것이다.
형성된 유리 물품의 성형 동안에, 열은 열 전달 장치(22)를 사용하여 몰드(10)로부터 전략적으로 제거될 수 있다. 몰드(10)로부터 제거할 열의 양, 열을 제거할 시기, 및 열을 제거할 몰드(10)로부터의 위치가 성형될 물품의 형상 및 개질 공정에 따라 결정될 것이다. 예를 들면, 형상이 엣지 근처에서 다루기 어려운(tight) 코너를 갖는다면, 유리의 성형 동안에, 중심보다는 엣지에서 유리가 더욱 고온으로 유지되는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 열 전달 장치(22)는 유리의 중심에 대응하는 몰드의 구역에서, 몰드(10)로부터 열을 제거하도록 사용될 수 있다. 다른 일 실시예에 있어서, 유리가 몰드(10)에 순응된 이후에 그리고 형성된 유리 물품을 몰드 형성 표면(12)에 대해 유지하면서, 형성된 유리 물품이 뒤틀리지 않도록, 유리에서의 온도 구배가 제어되는 것이 바람직할 수 있다. 유리에서의 온도 구배가 유리와 접촉 상태인 몰드 형성 표면(12)에서 온도에 의해 영향을 받기 때문에, 열 전달 장치(22)는 몰드(10)로부터 열을 전략적으로 제거하도록 사용될 수 있다. 일반적으로, 열 전달 장치(22)는, 이상적인 형상으로부터의 형성된 유리 물품의 편차에 의해 영향을 받을 수 있는, 기왕(historical) 데이터 또는 리얼-타임 처리 데이터를 사용하여 몰드(10)로부터 열을 제거하도록 제어될 수 있다.
(도 1에 있어서) 열 전달 장치(22)는 임의의 적당한 열 전달 장치일 수 있다. 여러 실시예에 있어서, 열 전달 장치(22)는 내부 통로(도시 생략)를 갖는 냉각 플레이트의 형태를 취할 수 있으며, 상기 내부 통로를 통해, 유체(또는 쿨란트)가 몰드(10)로부터 열 전달 장치(22)의 상측 표면(24)으로 향하는 열을 제거할 목적으로 순환될 수 있다. 냉각 플레이트는, 순환 유체에, 몰드에 성형되어 있는 유리를 직접적으로 노출시킬 위험이 없도록, 시일된다. 비교적 차가운 유체가 공급 튜브(28, 30)를 통해 냉각 플레이트에 공급될 수 있고, 그리고 몰드(10)로부터 열을 흡수한 비교적 뜨거운 유체가 배출 튜브(32)를 통해 냉각 플레이트로부터 제거될 수 있다. 냉각 플레이트의 온도 및 결국 몰드의 요구되는 구역의 온도가 냉각 플레이트를 통해 순환된 유체의 유동 율을 증가시키거나 감소시킴으로써 조정될 수 있다. 밸브 및 펌프와 같은 임의의 적당한 유동 제어 장치가 냉각 플레이트를 통해 순환된 유체의 유동 율을 제어하도록 사용될 수 있다. 유동 제어 장치가 기왕 데이터 또는 몰드 온도의 리얼-타임 측정을 사용하여 작동될 수 있다. 적당한 예의 냉각 플레이트는, 비록 다른 타입의 냉각 플레이트가 또한 사용될 수 있을지라도, 미국 특허 공개번호 제2013/00981110호("Bailey")에 개시되어 있다.
상기 언급된 Bailey 공보는 몰드와 물리적인 접촉 없이, 상기 몰드에 아주 가깝게 냉각 플레이트를 배치시키는 단계를 기술하고 있음을 알 수 있을 것이다. 이는 냉각 플레이트와 몰드 사이에 갭이 존재한다는 것을 제안한다. 그러나, 상기 Bailey 공보는, 냉각 플레이트와 몰드 사이의 현저한 모드의 열 전달이 복사에 의한 것이고, 이는 냉각 플레이트와 몰드 사이의 현저한 모드의 열 전달이 전도에 의하기에는 갭 높이가 너무 높다는 것을 의미한다는 것을, 나타내고 있다.
몰드(10)의 상이한 냉각을 위해, 열 전달 장치의 상측 표면이 갭 높이에 의하여 구별된 구역을 갖도록 설계될 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 열 전달 장치(22A)의 상측 표면(24A)은 표면 부분(34A) 및 표면 부분(34B)을 구비할 수 있으며, 상기 표면 부분(34A)에서 제 1 갭 높이가 몰드(10)의 뒤쪽 표면(16)과 관련하여 만들어질 수 있고 그리고 상기 표면 부분(34B)에서 제 2 갭 높이가 몰드(20)의 뒤쪽 표면(16)과 관련하여 만들어질 수 있으며, 이 경우 상기 제 1 갭 높이와 상기 제 2 갭 높이가 동일하지 않다. 제 1 갭 높이 및 제 2 갭 높이 양자가 예를 들면, 0.1 mm 내지 0.8 mm 범위로, 작을 수 있다. 선택적으로, 하나의 갭 높이가 예를 들면, 0.1 mm 내지 0.8 mm의 범위로 작을 수 있는 한편으로, 다른 갭 높이가 예를 들면, 1 mm 보다 더 크다. 열 제거가 보다 덜 요구되는 곳에서 보다 큰 갭 높이가 위치될 수 있는 한편으로, 열 제거가 보다 많이 요구되는 곳에서 보다 작은 갭 높이가 위치될 수 있다. 선택적으로, 일정한-높이의 상측 표면을 갖는 다수의 열 전달 장치가 몰드의 구별된 냉각을 달성하도록 사용될 수 있다.
몰드를 냉각하는데 사용된 열 교환기가 열 전달 장치(22)에 부가적으로 2차 열 전달 장치를 포함할 수 있다. 도 4는 열 교환기(21A)를 형성하도록, 2차 열 전달 장치(40)가 열 전달 장치(22)와 접촉 상태로 배치되는 일 실시예를 나타내고 있다. 갭(26)이 몰드(10)의 뒤쪽 표면(16)과 2차 열 전달 장치(40)의 상측 표면(42)(또는 열 교환 표면) 사이에 현재 형성되도록, 상기 몰드(10)의 상기 뒤쪽 표면(16)과 상기 열 전달 장치(22)의 상측 표면(24) 사이에 2차 열 전달 장치(40)가 위치한다. 2차 열 전달 장치(40)가 교체가능한 삽입부의 형태로 제공될 수 있다. 이러한 구성은 몰드(10)의 뒤쪽 표면(16)과 열 전달 장치(22) 사이에서 적당한 높이를 갖는 2차 열 전달 장치(40)를 배치시키는 간단한 사항이도록 다양한 유리 성형 사이클에 대해 요구되는 높이로 갭(26)이 형성될 수 있게 한다(tailor). 가변 높이를 갖는 다수의 2차 열 전달 장치(40)가 도 3을 참조하여 상기 설명된 바와 같은 구별된 냉각 구역을 제공하도록 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 2차 열 전달 장치(40)는 전도성 재료로 만들어진, 전형적으로 니켈 및 구리와 같은 합금이나 금속으로 만들어진 플레이트이다. 플레이트는 유리 성형 환경의 전형적인 고 온도, 예를 들면, 500℃ 보다 높은 온도를 견딜 수 있다.
다른 일 실시예에 있어서, 2차 열 전달 장치(40)는 열 파이프이거나 다른 등온(isothermal) 열 전달 장치이다. 열 파이프는 열을 전달하는데 응축을 사용하는 한 장치이다. 도 5는 밀봉되게-시일된 소개된 튜브(52)를 구비한 열 파이프(50)의 기본적인 다이어그램을 나타내고 있다. 튜브(52)는 비록 다른 단면이 가능할지라도, (도 4에서의) 1차 열 전달 장치(22)의 (도 4에서의) 상측 표면(24)과 용이하게 짝지워질 수 있는 평탄한 열 파이프에 대해 직사각형 단면을 가질 수 있다. 튜브(52)는 위크(54, wick)로써 채워지고(line) 그리고 응축가능한 작업 유체(58)로 채워진 코어(56)를 구비한다. 위크(54)는 전형적으로, 소결된 금속 파우더, 그루브 튜브, 또는 금속 메쉬의 형태를 취하는 다공성 구조체이다. 예로서, 위크 재료에는 스틸이나, 알루미늄이나, 구리나, 또는 티타늄과 같은 금속과, 세라믹 섬유나 탄소 섬유와 같은 섬유가 포함된다. 적당한 위크 재료는 유리 성형 환경에서의 온도에 견딜 수 있을 것이다.
일 단부, 예를 들면, 튜브(52)의 단부(60)가 작업 유체의 포화 온도보다 더 높은 온도에 노출될 때, 상기 단부에서의 상기 작업 유체가 증기로 변하여, 증발 잠열을 흡수한다. 고온의 증기가 튜브의 보다 차가운 단부, 예를 들면 단부(62)로 유동하며, 상기 단부에서 상기 증기가 응축하고 그리고 잠열을 발산한다. 응축된 유체는 이후 튜브(52)의 고온의 단부(60)로 위크(54)의 모세관 작용을 통해 후방 유동한다.
작업 유체는 유리 성형 환경에서의 작동 온도에 기초하여 선택된다. 예로서, 열 파이프 작업 유체는 액체 질소(-200℃ 내지 -80℃), 액체 암모니아(-70℃ 내지 +60℃), 메탄올(-45℃ 내지 +120℃), 물(+5℃ 내지 +230℃), 수은(+190℃ 내지 +550℃), 포타슘(+400℃ 내지 +800℃), 소듐(+500℃ 내지 +900℃), 리튬(+900℃ 내지 +1,500℃), 및 은(+1,500℃ 내지 +2,000℃)이며, 괄호 안에 지시된 수치는 열 파이프 작업 유체의 작동 온도 범위이다. 예를 들면, 유리 성형 환경에서의 작동 온도의 범위가 550℃ 내지 900℃이라면, 소듐이나 포타슘은 적당한 작업 유체일 것이다.
열 파이프(50) 및 열 전달 장치(22)의 조합을 포함한 열 교환기에 대해, 열 전달 장치(22)는 열 파이프용 히트 싱크로서 필수적으로 작동할 것이다. 그러나, 몰드로부터 제거된 열의 양은 열 전달 장치(22)에 의해 계속해 제어될 수 있다. 예를 들면, 열 전달 장치(22)가 냉각 플레이트인 경우에, 유체가 냉각 플레이트를 통해 순환되는 속도(rate)는 몰드로부터 제거된 열의 양을 제어하도록 사용될 수 있다.
본 발명이 제한된 수의 실시예를 참조하여 기재되어 있으며, 본 발명을 이해하고 있는 당업자라면, 본 명세서에 기재된 바와 같은 본 발명의 범주 내에서 여러 다른 실시예가 실시될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 이에 따라, 본 발명의 범주는 첨부된 청구범위에 의해서만 한정될 수 있다.

Claims (20)

  1. 유리 물품 제조 방법으로서,
    유리 시트를 몰드의 상부에 배치시키는 단계;
    열 교환기의 열 교환 표면이 상기 몰드의 뒤쪽 표면에 대해 대향된 관계에 있고 그리고 가스의 층을 포함한 갭에 의해 상기 몰드의 상기 뒤쪽 표면과 분리되도록, 상기 몰드와 관련하여 상기 열 교환기를 배치하는 단계;
    상기 몰드의 뒤쪽 표면과 상기 열 교환 표면 사이의 현저한 열 전달 메카니즘이 상기 가스의 층을 통한 전도에 의하도록, 상기 갭의 높이를 선택하는 단계;
    상기 유리 시트를 성형 온도로 가열하는 단계;
    형성된 유리 물품을 상기 유리 시트로부터 상기 몰드로써 성형하는 단계;
    상기 형성된 유리 물품을 상기 성형 온도 아래의 온도로 냉각하는 단계; 및
    상기 가열하는 단계, 상기 성형하는 단계, 및 상기 냉각하는 단계 중 적어도 하나의 단계 동안에, 상기 몰드의 적어도 한 부분으로부터 열을 선택적으로 제거하도록 상기 열 교환기를 작동시키는 단계;를 포함하고,
    상기 갭은 영보다 큰 높이를 갖고 상기 가스의 층의 두께를 형성하는, 유리 물품 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 갭의 상기 높이는 3.0 mm보다 작은, 유리 물품 제조 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 갭의 상기 높이는 1.0 mm보다 작은, 유리 물품 제조 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 갭의 상기 높이의 범위는 0.1 mm 내지 0.8 mm인, 유리 물품 제조 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 갭의 상기 높이의 범위는 0.1 mm 내지 0.6 mm인, 유리 물품 제조 방법.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 교환기는 유체의 순환을 위한 내부 통로를 구비한 냉각 플레이트를 포함하고, 상기 열 교환기를 작동시키는 단계는 상기 냉각 플레이트의 상기 내부 통로를 통하는 순환 유체를 포함하는, 유리 물품 제조 방법.
  7. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 교환기는, 상기 몰드의 상기 뒤쪽 표면에 대해 대향된 관계로 배치된 1차 열 전달 장치와, 상기 몰드의 상기 뒤쪽 표면과 상기 1차 열 전달 장치 사이에 그리고 상기 1차 열 전달 장치와 접촉하여 배치된 2차 열 전달 장치를 포함하고, 그리고 상기 열 교환기를 작동시키는 단계는 1차 열 교환기를 적어도 능동적으로 작동시키는 단계를 포함하는, 유리 물품 제조 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 1차 열 전달 장치는 유체의 순환을 위한 내부 통로를 구비한 냉각 플레이트이고, 그리고 상기 열 교환기를 작동시키는 단계는 상기 냉각 플레이트의 상기 내부 통로를 통하는 순환 유체를 포함하는, 유리 물품 제조 방법.
  9. 청구항 7 또는 8에 있어서,
    상기 2차 열 전달 장치는 금속 또는 합금으로 만들어진 전도성 플레이트를 포함하고, 그리고 상기 열 교환기를 작동시키는 단계는 상기 2차 열 전달 장치로부터 상기 1차 열 전달 장치까지의 열을 제거하는 단계를 포함하는, 유리 물품 제조 방법.
  10. 청구항 7 내지 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2차 열 전달 장치는 상기 유리 시트가 성형되는 온도의 범위에서 열을 제거하도록 구성된 열 파이프를 포함하는, 유리 물품 제조 방법.
  11. 청구항 1 내지 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성형 온도는 1011 poise의 유리 점도에 대응하는 온도와, 107 poise의 유리 점도에 대응하는 온도 사이이고, 그리고 상기 성형하는 단계는 진공에 의해, 상기 몰드의 형성 표면과 상기 유리 시트를 순응(conform)시키는 단계를 포함하는, 유리 물품 제조 방법.
  12. 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 교환기를 작동시키는 단계는 상기 가스의 층을 통한 자유 대류나 또는 강제에 의한 열 전달을 피하는 단계를 포함하는, 유리 물품 제조 방법.
  13. 청구항 1 내지 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스의 층은 가스나, 또는 공기 및 불활성 가스로부터 선택된 가스의 혼합물을 포함하는, 유리 물품 제조 방법.
  14. 유리 물품 제조 시스템으로서,
    유리 시트를 형성된 유리 물품으로 성형하기 위한 형성 표면을 갖는 몰드;
    상기 몰드와 상기 몰드 상의 임의의 유리 시트를 가열하기 위해, 상기 몰드 부근에 배치된 적어도 하나의 가열기; 및
    상기 열 교환기의 열 교환 표면이 가스의 층을 포함한 갭에 의해 상기 몰드의 뒤쪽 표면과 분리되고 상기 몰드의 상기 뒤쪽 표면에 대해 대향된 관계이도록, 상기 몰드와 관련하여 배치된 열 교환기;를 포함하고,
    상기 갭은 상기 가스의 층의 두께를 형성하는 높이를 갖고, 상기 높이의 범위는 0.1 mm 내지 1.0 mm인, 유리 물품 제조 시스템.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 몰드의 적어도 한 부분으로부터 열을 제거하고 이에 따라 선택된 온도 프로파일로 상기 몰드를 유지시키도록 상기 열 교환기를 제어하기 위한 수단을 더 포함하는, 유리 물품 제조 시스템.
  16. 청구항 14 또는 15에 있어서,
    상기 열 교환기는 유체의 순환을 위한 내부 통로를 구비한 열 전달 장치를 포함하고, 상기 열 전달 장치는 상기 몰드의 상기 뒤쪽 표면에 대해 대향된 관계로 배치되고, 그리고 상기 열 전달 장치의 표면이 상기 열 교환 표면을 제공하는, 유리 물품 제조 시스템.
  17. 청구항 14 내지 16 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열 교환기는 상기 몰드의 상기 뒤쪽 표면에 대해 대향된 관계로 배치된 1차 열 전달 장치, 및 상기 몰드의 상기 뒤쪽 표면과 상기 1차 열 전달 장치 사이에 그리고 상기 1차 열 전달 장치와 접촉되어 배치된 2차 열 전달 장치를 포함하고, 상기 2차 열 전달 장치의 표면이 상기 열 교환 표면을 제공하는, 유리 물품 제조 시스템.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 1차 열 전달 장치는 유체의 순환을 위한 내부 통로를 구비한 냉각 플레이트를 포함하는, 유리 물품 제조 시스템.
  19. 청구항 17 또는 18에 있어서,
    상기 2차 열 전달 장치는 금속이나 합금으로 만들어진 전도성 플레이트 및 열 파이프를 포함한 그룹으로부터 선택되는, 유리 물품 제조 시스템.
  20. 청구항 17 내지 19 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2차 열 전달 장치는 상기 갭의 높이의 조정이 가능하도록 제거가능한 삽입부로서 제공되는, 유리 물품 제조 시스템.
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