KR20160028687A - Light emitting device package, light emitting device package module and lighting device - Google Patents
Light emitting device package, light emitting device package module and lighting device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160028687A KR20160028687A KR1020140117487A KR20140117487A KR20160028687A KR 20160028687 A KR20160028687 A KR 20160028687A KR 1020140117487 A KR1020140117487 A KR 1020140117487A KR 20140117487 A KR20140117487 A KR 20140117487A KR 20160028687 A KR20160028687 A KR 20160028687A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- substrate
- reflective
- device package
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 12
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 10
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 10
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 10
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 8
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 7
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007977 PBT buffer Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 EMC Substances 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N [Al].[Cu].[Zn] Chemical compound [Al].[Cu].[Zn] MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 모듈 및 조명 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 후면에 조사되는 빛을 상방으로 반사시킬 수 있게 하는 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 모듈 및 조명 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package, a light emitting device package module, and a lighting device, and more particularly, to a light emitting device package, a light emitting device package module, and a lighting device that can reflect light irradiated to the rear face upward.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN 다이오드 형성을 통해 발광원을 구성함으로써, 다양한 색의 광을 구현할 수 있는 일종의 반도체 소자를 말한다. 이러한 발광 소자는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 이러한 LED는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 기판이나 리드프레임에 실장한 후, 패키징할 수 있어서 여러 가지 용도로 모듈화하여 백라이트 유닛(backlight unit)이나 각종 조명 장치 등에 적용할 수 있다.A light emitting diode (LED) is a kind of semiconductor device that can emit light of various colors by forming a light emitting source through the formation of a PN diode of a compound semiconductor. Such a light emitting device has a long lifetime, can be reduced in size and weight, and can be driven at a low voltage. In addition, these LEDs are resistant to shock and vibration, do not require preheating time and complicated driving, can be packaged after being mounted on a substrate or lead frame in various forms, so that they can be modularized for various purposes and used as a backlight unit A lighting device, and the like.
이러한 발광 소자 또는 발광 소자 패키지들이 모듈 기판에 실장되어 이루어지는 발광 소자 패키지 모듈은 형광등이나 벌브나 조명등 등 각종 조명 장치나 디스플레이 장치에 사용될 수 있다.The light emitting device package module in which the light emitting device or the light emitting device packages are mounted on the module substrate can be used in various lighting devices and display devices such as fluorescent lamps, bulbs, and illumination lamps.
그러나, 종래의 복수개의 상면 발광형 발광 소자 패키지들이 실장된 발광 소자 패키지 모듈의 경우, 발광된 빛이 주로 대상물을 향하여 직진되어 상기 대상물에 빛이 직접 조사되기 때문에 넓은 면적으로 조사되기 어렵고, 이로 인하여 넓은 발광 면적을 확보하기 위해서 많은 개수의 발광 소자 패키지들이 소모되기 때문에 발광 효율이 크게 낮아지고, 눈부심 현상 등 인체에 자극적이며, 빛의 균일도가 떨어지고, 은은한 고급 조명 효과를 달성하기가 어려웠었던 문제점이 있었다. However, in the case of the conventional light emitting device package module in which a plurality of top light emitting type light emitting device packages are mounted, since the emitted light is mainly directed toward the object and the light is directly irradiated onto the object, Since a large number of light emitting device packages are consumed in order to secure a wide light emitting area, the light emitting efficiency is significantly lowered, irritation to the human body such as glare is caused, light uniformity is lowered, there was.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 후면에 조사되는 빛을 상방으로 반사시켜서 대상물에 빛이 간접적으로 조사되는 반사형 패키지를 구성하여 넓은 면적으로 빛을 조사할 수 있고, 이로 인하여 발광 소자 패키지의 설치 개수를 줄일 수 있으며, 발광 효율이 높고, 눈부심 현상을 줄여서 자극적이지 않은 고급 조명 효과를 얻을 수 있게 하는 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 모듈 및 조명 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a reflection type package in which light irradiated to a rear surface is reflected upward and light is indirectly irradiated to an object, A light emitting device package, a light emitting device package module, and a lighting device which can reduce the number of light emitting device packages to be installed, achieve high light emitting efficiency, reduce glare and achieve high quality lighting effects that are not irritating The purpose. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 측방향으로 발광이 가능하도록 측면에 발광 소자 실장면이 형성되고, 전극분리선이 형성되며, 모듈 기판과 전기적으로 연결될 수 있도록 하방으로 각각 돌출되게 형성되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 설치되는 기판; 상기 발광 소자 실장면에 실장되는 발광 소자; 및 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사 봉지재;를 포함하고, 상기 기판 또는 상기 반사 봉지재의 후면으로 조사되는 외부광을 상방으로 반사시킬 수 있도록 상기 기판의 후면 또는 상기 반사 봉지재의 후면에 상방을 향하는 반사 경사면이 형성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a light emitting device mounting surface formed on a side surface so as to emit light laterally; an electrode separation line formed on the side surface; A substrate on which a first electrode and a second electrode are formed so as to protrude; A light emitting element mounted on a surface of the light emitting element; And a reflective encapsulant formed on the substrate so as to reflect at least a part of the light generated in the light emitting element, wherein the reflective encapsulant is formed on the substrate to reflect the external light to the backside of the substrate or the reflective encapsulant, A reflective inclined surface facing upward may be formed on the rear surface of the substrate or the rear surface of the reflective encapsulant.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 반사 경사면은, 제 1 상향 경사 각도로 기울어지는 반사 경사면이고, 상기 반사 경사면의 상기 제 1 상향 경사 각도는 수직면을 기준으로 20도 내지 70도일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the reflective inclined surface may be a reflective inclined surface inclined at a first upward inclination angle, and the first upward inclination angle of the reflective inclined surface may be 20 ° to 70 ° based on the vertical surface.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 기판은 금속 재질의 리드 프레임이고, 상기 반사 경사면은 제 1 상향 경사 각도로 기울어지게 형성된 상기 리드 프레임의 후면 또는 리드면을 기준으로 상기 제 1 상향 경사 각도로 절곡된 리드 프레임의 후면 중 적어도 일부분일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the substrate is a lead frame made of a metal, and the reflective inclined surface is inclined at a first upward inclination angle with respect to a rear surface or a lead surface of the lead frame, And may be at least a part of the rear surface of the bent lead frame.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 반사 봉지재는 몰딩 수지 재질이고, 상기 제 1 반사 경사면은 제 1 상향 경사 각도로 기울어지게 형성된 상기 반사 봉지재의 후면부일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the reflective encapsulant may be a molding resin material, and the first reflective bevel may be a rear portion of the reflective encapsulant that is inclined at a first upward inclination angle.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 반사 경사면은, 기판의 후면으로 조사되는 외부광을 상방으로 다각 반사시킬 수 있도록 상기 기판의 후면 또는 상기 반사 봉지재의 후면에 상방을 향하는 제 2 상향 경사 각도로 기울어지는 제 2 반사 경사면 및 상기 제 2 상향 경사 각도와 다른 제 3 상향 경사 각도로 기울어지는 제 3 반사 경사면을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the reflective inclined surface may be inclined at a second upward inclination angle toward an upper side of the rear surface of the substrate or the rear surface of the reflective encapsulant so that external light irradiated to the rear surface of the substrate may be reflected upward And a third inclined reflecting surface inclined at a third upward inclined angle different from the second upward inclined angle.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 반사 경사면은 적어도 볼록한 볼록 곡면, 오목한 오목 곡면, 볼록한 볼록 구면, 오목한 오목 구면 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the reflective inclined surface may be formed by selecting at least one of a convex convex surface, a concave concave surface, a convex convex spherical surface, a concave concave spherical surface, and combinations thereof.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 모듈은, 적어도 이격 거리 이상 서로 이격되게 형성되고, 적어도 일렬을 이루어서 배치되는 발광 소자 패키지 실장면이 형성되는 모듈 기판; 상기 모듈 기판의 상기 발광 소자 패키지 실장면에 복수개가 측방향을 향하도록 나란하게 실장되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지; 및 상기 모듈 기판의 상기 발광 소자 패키지 실장면을 제외한 나머지 부분들 중 적어도 일부분에 설치되는 반사 부재;를 포함하고, 상기 발광 소자 패키지는, 측방향으로 발광이 가능하도록 측면에 발광 소자 실장면이 형성되고, 전극분리선이 형성되며, 모듈 기판과 전기적으로 연결될 수 있도록 하방으로 각각 돌출되게 형성되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 설치되는 기판; 상기 발광 소자 실장면에 실장되는 발광 소자; 및 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사 봉지재;를 포함하고, 상기 기판 또는 상기 반사 봉지재의 후면으로 조사되는 다른 발광 소자 패키지의 빛을 상방으로 반사시킬 수 있도록 상기 기판의 후면 또는 상기 반사 봉지재의 후면에 상방을 향하는 반사 경사면이 형성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device package module comprising: a module substrate on which a light emitting device package is mounted, the module substrate having at least a plurality of spaced apart light emitting device package seats; At least one light emitting device package mounted in parallel so that a plurality of light emitting device package seats of the module substrate face side to side; And a reflective member installed on at least a portion of the module substrate other than the mounting surface of the light emitting device package, wherein the light emitting device package includes a light emitting device mounting surface formed on a side surface thereof so as to emit light laterally A substrate having a first electrode and a second electrode formed to protrude downward so as to be electrically connected to the module substrate; A light emitting element mounted on a surface of the light emitting element; And a reflective encapsulant formed on the substrate so as to reflect at least a part of the light generated in the light emitting device, wherein light emitted from the other encapsulant, which is irradiated to the back surface of the substrate or the reflective encapsulant, A reflective inclined surface facing upward may be formed on the rear surface of the substrate or the rear surface of the reflective encapsulant.
한편, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 조명 장치는, 적어도 이격 거리 이상 서로 이격되게 형성되고, 적어도 일렬을 이루어서 배치되는 발광 소자 패키지 실장면이 형성되는 모듈 기판; 상기 모듈 기판의 상기 발광 소자 패키지 실장면에 복수개가 측방향을 향하도록 나란하게 실장되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지; 및 상기 모듈 기판의 상기 발광 소자 패키지 실장면을 제외한 나머지 부분들 중 적어도 일부분에 설치되는 반사 부재;를 포함하고, 상기 발광 소자 패키지는, 측방향으로 발광이 가능하도록 측면에 발광 소자 실장면이 형성되고, 전극분리선이 형성되며, 모듈 기판과 전기적으로 연결될 수 있도록 하방으로 각각 돌출되게 형성되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 설치되는 기판; 상기 발광 소자 실장면에 실장되는 발광 소자; 및 상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사 봉지재;를 포함하고, 상기 기판 또는 상기 반사 봉지재의 후면으로 조사되는 다른 발광 소자 패키지의 빛을 상방으로 반사시킬 수 있도록 상기 기판의 후면 또는 상기 반사 봉지재의 후면에 상방을 향하는 반사 경사면이 형성될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lighting device comprising: a module substrate having at least spaced-apart spaced-apart light emitting device package seats formed in at least one row; At least one light emitting device package mounted in parallel so that a plurality of light emitting device package seats of the module substrate face side to side; And a reflective member installed on at least a portion of the module substrate other than the mounting surface of the light emitting device package, wherein the light emitting device package includes a light emitting device mounting surface formed on a side surface thereof so as to emit light laterally A substrate having a first electrode and a second electrode formed to protrude downward so as to be electrically connected to the module substrate; A light emitting element mounted on a surface of the light emitting element; And a reflective encapsulant formed on the substrate so as to reflect at least a part of the light generated in the light emitting device, wherein light emitted from the other encapsulant, which is irradiated to the back surface of the substrate or the reflective encapsulant, A reflective inclined surface facing upward may be formed on the rear surface of the substrate or the rear surface of the reflective encapsulant.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 대상물에 빛이 간접적으로 조사되는 반사형 패키지를 구성하여 넓은 면적으로 빛을 조사할 수 있고, 이로 인하여 발광 소자 패키지의 설치 개수를 줄일 수 있으며, 발광 효율이 높고, 눈부심 현상을 줄여서 자극적이지 않은 고급 조명을 가능하게 하여 고부가가치의 양질의 제품을 생산할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to some embodiments of the present invention as described above, it is possible to form a reflection type package in which light is indirectly irradiated to an object, thereby irradiating light with a large area, thereby reducing the number of the light emitting device package And has high luminous efficiency, reduces glare phenomenon, and enables high-quality lighting that is not irritating, so that it is possible to produce high-value-added, high-quality products. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지 모듈을 나타내는 부분 단면도이다.
도 3은 도 2의 발광 소자 패키지를 보다 상세하게 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 발광 소자 패키지의 기판의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5의 발광 소자 패키지의 기판의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 7 내지 도 12는 본 발명의 여러 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지들을 나타내는 단면도 또는 사시도이다.
도 13은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 조명 장치를 나타내는 사시도이다.
도 14는 본 발명의 일부 다른 실시예에 따른 조명 장치의 발광 소자 패키지 배치 상태를 나타내는 평면도이다.
도 15는 본 발명의 일부 또 다른 실시예에 따른 조명 장치의 발광 소자 패키지 배치 상태를 나타내는 평면도이다.
도 16은 본 발명의 일부 또 다른 실시예에 따른 조명 장치의 발광 소자 패키지 배치 상태를 나타내는 평면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package and a light emitting device package module according to some embodiments of the present invention.
FIG. 2 is a partial cross-sectional view illustrating the light emitting device package and the light emitting device package module of FIG. 1;
3 is a cross-sectional view showing the light emitting device package of FIG. 2 in more detail.
4 is a perspective view showing an example of a substrate of the light emitting device package of FIG.
5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to some other embodiments of the present invention.
6 is a perspective view showing an example of a substrate of the light emitting device package of Fig.
7 to 12 are cross-sectional views or perspective views illustrating light emitting device packages according to various other embodiments of the present invention.
13 is a perspective view illustrating a lighting apparatus according to some embodiments of the present invention.
14 is a plan view showing a light emitting device package arrangement state of a lighting apparatus according to some other embodiments of the present invention.
15 is a plan view showing a light emitting device package arrangement state of a lighting apparatus according to still another embodiment of the present invention.
16 is a plan view showing a light emitting device package arrangement state of a lighting apparatus according to still another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified in various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면, 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, if the element is inverted in the figures, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements will have a direction on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100) 및 발광 소자 패키지 모듈(1000)을 나타내는 사시도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지(100) 및 발광 소자 패키지 모듈(1000)을 나타내는 부분 단면도이고, 도 3은 도 2의 발광 소자 패키지(100)를 보다 상세하게 나타내는 단면도이고, 도 4는 도 3의 발광 소자 패키지(100)의 기판(10)의 일례를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light
먼저, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)는, 크게 기판(10)과, 발광 소자(20)와 반사 봉지재(30) 및 형광체를 포함할 수 있다.1 to 4, a light
여기서, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)은, 측방향으로 발광이 가능하도록 측면에 발광 소자 실장면(10a)이 형성되는 것으로서, 전극분리선(L)이 형성되며, 모듈 기판(110)의 배선층(130)과 본딩매체(B)에 의해 전기적으로 연결될 수 있도록 하방으로 리드가 각각 돌출되게 형성되는 제 1 전극(11) 및 제 2 전극(12)이 설치되는 금속 재질의 리드 프레임일 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 4, the
더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 기판(10)은, 상기 발광 소자(20)를 지지하거나 수용할 수 있는 적당한 기계적 강도와 절연성을 갖는 재료나 전도성 재료로 제작될 수 있다.More specifically, for example, the
예를 들어서, 상기 기판(10)은, 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 재질이 적용될 수 있으며, 천공되거나 절곡된 플레이트 형태의 리드 프레임일 수 있다.For example, the
이외에도, 상기 기판(10)은 상기 리드 프레임 대신 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 제 1 전극 및 제 2 전극으로 배선층이 형성되는 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)이 적용될 수 있다. 또한, 이외에도, 상기 기판(10)은 연성 재질의 플랙서블 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)이 적용될 수 있다.In addition, the
또한, 상기 기판(10)은 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판이나, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판이 적용될 수 있다.The
또한, 상기 기판(10)은 가공성을 향상시키기 위해서 부분적 또는 전체적으로 적어도 EMC(Epoxy Mold Compound), PI(polyimide), 세라믹, 그래핀, 유리합성섬유 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것일 수 있다.The
한편, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(20)는, 상기 발광 소자 실장면(10a)에 실장되는 플립칩(flip chip) 형태의 LED(Light Emitting Diode)일 수 있다.1 to 4, the
그러나, 이러한 상기 발광 소자(20)는 도면에 반드시 국한되지 않고, 본딩 와이어를 이용한 수평형 또는 수직형 형태의 LED(Light Emitting Diode)일 수 있다.However, the
또한, 상기 발광 소자(20)는, 반도체로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색, 녹색, 적색, 황색 발광의 LED, 자외 발광의 LED, 적외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다.The
또한, 상기 발광 소자(20)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 성장용 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 디스플레이 용도나 조명 용도 등 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다.The
여기서, 상기 성장용 기판으로는 필요에 따라 절연성, 도전성 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 성장용 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2, GaN일 수 있다. GaN 물질의 에피성장을 위해서는 동종 기판인 GaN 기판이 좋으나, GaN 기판은 그 제조상의 어려움으로 생산단가가 높은 문제가 있다.Here, as the growth substrate, an insulating, conductive or semiconductor substrate may be used if necessary. For example, the growth substrate may be sapphire, SiC, Si, MgAl 2 O 4 , MgO, LiAlO 2 , LiGaO 2 , GaN. A GaN substrate, which is a homogeneous substrate, is preferable for epitaxial growth of a GaN material, but a GaN substrate has a problem of high production cost due to its difficulty in manufacturing.
이종 기판으로는 사파이어, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 가격이 비싼 실리콘 카바이드 기판에 비해 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다. 이종 기판을 사용할 때는 기판 물질과 박막 물질 사이의 격자상수의 차이로 인해 전위(dislocation) 등 결함이 증가한다. 또한, 기판 물질과 박막 물질 사이의 열팽창계수의 차이로 인해 온도 변화시 휨이 발생하고, 휨은 박막의 균열(crack)의 원인이 된다. 기판과 GaN계인 발광 적층체 사이의 버퍼층을 이용해 이러한 문제를 감소시킬 수도 있다.Sapphire and silicon carbide (SiC) substrates are mainly used as the different substrates. Sapphire substrates are more utilized than expensive silicon carbide substrates. When using a heterogeneous substrate, defects such as dislocation are increased due to the difference in lattice constant between the substrate material and the thin film material. Also, due to the difference in the thermal expansion coefficient between the substrate material and the thin film material, warping occurs at a temperature change, and warping causes a crack in the thin film. This problem may be reduced by using a buffer layer between the substrate and the GaN-based light emitting laminate.
또한, 상기 성장용 기판은 LED 구조 성장 전 또는 후에 LED 칩의 광 또는 전기적 특성을 향상시키기 위해 칩 제조 과정에서 완전히 또는 부분적으로 제거되거나 패터닝하는 경우도 있다.In addition, the substrate for growth may be completely or partially removed or patterned in order to improve the optical or electrical characteristics of the LED chip before or after the growth of the LED structure.
예를 들어, 사파이어 기판인 경우는 레이저를 기판을 통해 반도체층과의 계면에 조사하여 기판을 분리할 수 있으며, 실리콘이나 실리콘 카바이드 기판은 연마/에칭 등의 방법에 의해 제거할 수 있다.For example, in the case of a sapphire substrate, the substrate can be separated by irradiating the laser to the interface with the semiconductor layer through the substrate, and the silicon or silicon carbide substrate can be removed by a method such as polishing / etching.
또한, 상기 성장용 기판 제거 시에는 다른 지지 기판을 사용하는 경우가 있으며 지지 기판은 원 성장 기판의 반대쪽에 LED 칩의 광효율을 향상시키게 위해서, 반사 금속을 사용하여 접합하거나 반사구조를 접합층의 중간에 삽입할 수 있다.Another supporting substrate may be used for removing the growth substrate. In order to improve the light efficiency of the LED chip on the opposite side of the growth substrate, the supporting substrate may be bonded using a reflective metal, As shown in FIG.
또한, 상기 성장용 기판 패터닝은 기판의 주면(표면 또는 양쪽면) 또는 측면에 LED 구조 성장 전 또는 후에 요철 또는 경사면을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킨다. 패턴의 크기는 5nm ~ 500㎛ 범위에서 선택될 수 있으며 규칙 또는 불규칙적인 패턴으로 광 추출 효율을 좋게 하기 위한 구조면 가능하다. 모양도 기둥, 산, 반구형, 다각형 등의 다양한 형태를 채용할 수 있다.In addition, patterning of the growth substrate improves the light extraction efficiency by forming irregularities or slopes before or after the LED structure growth on the main surface (front surface or both sides) or side surfaces of the substrate. The size of the pattern can be selected from the range of 5 nm to 500 μm and it is possible to make a structure for improving the light extraction efficiency with a rule or an irregular pattern. Various shapes such as a shape, a column, a mountain, a hemisphere, and a polygon can be adopted.
또한, 상기 발광 소자(20)는, 상기 패드 이외에도 범프나 솔더 등의 신호전달매체를 갖는 플립칩 형태일 수 있고, 이외에도, 단자에 본딩 와이어가 적용되거나, 부분적으로 제 1 단자 또는 제 2 단자에만 본딩 와이어가 적용되는 발광 소자나, 수평형, 수직형 발광 소자 등이 모두 적용될 수 있다.The
또한, 상기 제 1 패드와 상기 제 2 패드는 사각 형상 이외에 다양한 형상으로 변형될 수 있고, 예컨대 하나의 암 상에 다수 핑거들이 구비된 핑거 구조를 가질 수도 있다.In addition, the first pad and the second pad may have various shapes other than a rectangular shape, and may have a finger structure having a plurality of fingers on one arm, for example.
또한, 상기 발광 소자(20)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10)에 1개가 설치될 수도 있고, 이외에도 상기 기판(10)에 복수개가 설치되는 것도 가능하다.1, one or more light emitting
한편, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반사 봉지재(30)는 상기 발광 소자(20)에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 기판(10)에 형성되는 몰딩 수지 재질의 반사 부재일 수 있다.1 to 4, the
여기서, 상기 반사 봉지재(30)는, 상기 전극 분리선(L) 및 반사컵부가 금형에 의해서 일체로 몰딩 형성될 수 있다.Here, in the
또한, 상기 반사 봉지재(30)는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(Bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The
또한, 상기 반사 봉지재(30)는, 적어도 반사물질이 포함된 EMC, 반사물질이 포함된 화이트 실리콘, PSR(Photoimageable Solder Resist) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The
또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 반사 봉지재(30)은, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 물질을 함유시킬 수 있다.It is also possible to add a light reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, have.
한편, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 기판(10) 또는 상기 반사 봉지재(30)의 후면으로 조사되는 외부광을 상방으로 반사시킬 수 있도록 상기 기판(10)의 후면 또는 상기 반사 봉지재(30)의 후면에 상방을 향하는 반사 경사면(RF)이 형성될 수 있다.1 to 4, a rear surface of the
여기서, 상기 외부광이란 이웃하는 다른 발광 소자 또는 다른 발광 소자 패키지에서 발산되어 상기 기판(10) 또는 상기 반사 봉지재(30)의 후면으로 조사되는 광일 수 있고, 이외에도 상기 기판(10) 또는 상기 반사 봉지재(30)의 후면으로 조사되는 모든 형태의 광원에서 발산되는 빛일 수 있다.The external light may be light emitted from the adjacent light emitting device or another light emitting device package and irradiated to the back surface of the
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반사 경사면(RF)은, 제 1 상향 경사 각도(A1)로 기울어지는 반사 경사면이고, 상기 반사 경사면(RF)의 상기 제 1 상향 경사 각도(A1)는 수직면을 기준으로 20도 내지 70도일 수 있다.2, the reflection inclined surface RF is a reflection inclined surface inclined at a first upward inclination angle A1, and the first upward inclination angle A1 of the reflection inclined surface RF is And may be from 20 degrees to 70 degrees with respect to the vertical plane.
여기서, 이러한 상기 반사 경사면(RF)은, 매우 다양한 형태의 반사체가 적용될 수 있는 것으로서, 은, 금, 백금, 구리, 알루미늄, 크롬 등의 금속 재질은 물론이고, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지, 브래그(Bragg) 반사층, 에어갭(air gap), 전반사층, 금속층 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The reflective inclined surface RF can be applied to various types of reflectors and can be applied to metal materials such as silver, gold, platinum, copper, aluminum, and chrome as well as epoxy resin compositions, silicone resin compositions, (PPA), a polycarbonate resin, a polyphenylene sulfide (PPS), a liquid crystal polymer (LCP), an ABS resin, a phenol resin , An acrylic resin, a PBT resin, a Bragg reflection layer, an air gap, a total reflection layer, a metal layer, and a combination thereof.
또한, 상기 반사 경사면(RF)는, 적어도 반사물질이 포함된 EMC, 반사물질이 포함된 화이트 실리콘, PSR(Photoimageable Solder Resist) 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어질 수 있다.The reflection inclined surface RF may be formed by selecting at least one of EMC including a reflective material, white silicon containing a reflective material, a photoimageable solder resist (PSR), and combinations thereof.
또한, 더욱 구체적으로는, 예를 들어서, 상기 반사 경사면(RF)은, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.More specifically, for example, the reflective beveled surface RF may be formed of a modified silicone resin composition such as a silicone resin composition or a silicone-modified epoxy resin, a modified silicone resin composition such as an epoxy-modified silicone resin, a polyimide resin composition, Resins such as modified polyimide resin composition, polyphthalamide (PPA), polycarbonate resin, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), ABS resin, phenol resin, acrylic resin and PBT resin can be applied .
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화규소, 이산화티탄, 이산화지르코늄, 티타늄산 칼륨, 알루미나, 질화알루미늄, 질화붕소, 멀라이트, 크롬, 화이트 계열이나 금속 계열의 성분 등 광 반사성 물질을 함유시킬 수 있다.It is also possible to add a light reflecting material such as titanium oxide, silicon dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, alumina, aluminum nitride, boron nitride, mullite, chromium, have.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반사 봉지재(30)는 몰딩 수지 재질이고, 상기 반사 경사면(RF)은 제 1 상향 경사 각도(A1)로 기울어지게 형성된 상기 반사 봉지재(30)의 후면부일 수 있다.2, the
여기서, 상기 반사 경사면(RF)은 상기 반사 봉지재(30)와 동일한 재질일 수 있다. 그러나, 상기 반사 경사면(RF)의 재질은 이에 반드시 국한되지 않고, 상기 반사 봉지재(30)에 상기 반사 봉지재(30)와 다른 별도의 반사층을 형성하는 것도 가능하다.Here, the reflective inclined surface RF may be the same material as the
한편, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 형광체(40)는, 상기 반사 봉지재(30)의 반사컵부에 충전되는 것으로서, 아래와 같은 조성식 및 컬러를 가질 수 있다.1 to 4, the
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:CeOxide system: yellow and green Y 3 Al 5 O 12 : Ce, Tb 3 Al 5 O 12 : Ce, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba,Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba,Sr)3SiO5:Ce(Ba, Sr) 2 SiO 4 : Eu, yellow and orange (Ba, Sr) 3 SiO 5 : Ce
질화물계: 녹색 β-SiAlON:Eu, 황색 L3Si6O11:Ce, 등색 α-SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSiAl4N7:EuThe nitride-based: the green β-SiAlON: Eu, yellow L 3 Si 6 O 11: Ce , orange-colored α-SiAlON: Eu, red CaAlSiN 3: Eu, Sr 2 Si 5 N 8: Eu, SrSiAl 4 N 7: Eu
이러한, 상기 형광체의 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들 내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y은 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다, 또한 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제등이 추가로 적용될 수 있다.The composition of the phosphor should basically correspond to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr can be substituted with Ba, Ca, Mg, etc. of the alkaline earth (II) group, and Y can be replaced with lanthanum series of Tb, Lu, Sc, Gd and the like. Ce, Tb, Pr, Er, Yb and the like, and the active agent may be used alone or as a negative active agent for the characteristic modification.
또한, 상기 형광체(40)는 양자점(Quantum Dot) 등의 물질들을 포함할 수 있다. 이러한 형광체(40)는 전술한 산화물계, 질화물계, 실리케이트계, QD 물질을 단독 또는 혼합으로 사용할 수 있다.In addition, the
QD는 CdSe, InP 등의 코어(3 ~ 10nm)와 ZnS, ZnSe 등의 쉘(0.5 ~ 2nm)및 코어, 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)의 구조로 구성될 수 있으며, 크기에 따라 다양한 칼라를 구현할 수 있다.QD can be composed of a core (3 to 10 nm) such as CdSe and InP, a shell (0.5 to 2 nm) such as ZnS and ZnSe, and a ligand for stabilizing the core and the shell. Can be implemented.
또한, 상기 형광체(40)의 도포 방식은 크게 LED 칩 또는 발광 소자에 뿌리는 방식, 또는 막 형태로 덮는 방식, 필름 또는 세라믹 형광체 등의 시트 형태를 부착하는 방식 중 적어도 하나를 사용 할 수 있다.In addition, the coating method of the
뿌리는 방식으로는 디스펜싱, 스프레이 코팅 등이 일반적이며 디스펜싱은 공압방식과 스크류(Screw), 리니어 타입(Linear type) 등의 기계적 방식을 포함한다. 제팅(Jetting) 방식으로 미량 토출을 통한 도팅량 제어 및 이를 통한 색좌표 제어도 가능하다. 웨이퍼 레벨 또는 발광 소자 기판상에 스프레이 방식으로 형광체(40)를 일괄 도포하는 방식은 생산성 및 두께 제어가 용이할 수 있다. Dispensing and spray coating are common methods of spraying, and dispensing includes mechanical methods such as pneumatic method and screw, linear type. It is also possible to control the amount of dyeing through a small amount of jetting by means of a jetting method and control the color coordinates thereof. The method of collectively applying the
발광 소자 또는 LED 칩 위에 막 형태로 직접 덮는 방식은 전기영동, 스크린 프린팅 또는 형광체의 몰딩 방식으로 적용될 수 있으며 LED 칩 측면의 도포 유무 필요에 따라 해당 방식의 차이점을 가질 수 있다.The method of directly covering the light emitting device or the LED chip in a film form can be applied by a method of electrophoresis, screen printing or phosphor molding, and the method can be different according to necessity of application of the side of the LED chip.
발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체 중 단파장에서 발광하는 광을 재 흡수하는 장파장 발광 형광체의 효율을 제어하기 위하여 발광 파장이 다른 2종 이상의 형광체층을 구분할 수 있으며, LED 칩과 형광체 2종 이상의 파장 재흡수 및 간섭을 최소화하기 위하여 각 층 사이에 DBR(ODR)층을 포함 할 수 있다.In order to control the efficiency of the long-wavelength light-emitting phosphor that reabsers light emitted from a short wavelength among two or more kinds of phosphors having different emission wavelengths, two or more kinds of phosphor layers having different emission wavelengths can be distinguished. A DBR (ODR) layer may be included between each layer to minimize absorption and interference.
균일 도포막을 형성하기 위하여 형광체를 필름 또는 세라믹 형태로 제작 후 LED 칩 또는 발광 소자 위에 부착할 수 있다. In order to form a uniform coating film, the phosphor may be formed into a film or ceramic form and then attached onto the LED chip or the light emitting device.
광 효율, 배광 특성에 차이점을 주기 위하여 리모트 형식으로 광변환 물질을 위치할 수 있으며, 이 때 광변환 물질은 내구성, 내열성에 따라 투광성 고분자, 유리등의 물질 등과 함께 위치한다.In order to make a difference in light efficiency and light distribution characteristics, a photoelectric conversion material may be located in a remote format. In this case, the photoelectric conversion material is located together with a transparent polymer, glass, or the like depending on its durability and heat resistance.
이러한, 상기 형광체 도포 기술은 발광 소자에서 광특성을 결정하는 가장 큰 역할을 하게 되므로, 형광체 도포층의 두께, 형광체 균일 분산 등의 제어 기술들이 다양하게 연구되고 있다. QD 또한 형광체와 동일한 방식으로 LED 칩 또는 발광 소자에 위치할 수 있으며, 유리 또는 투광성 고분자 물질 사이에 위치하여 광 변환을 할 수 있다.Since the phosphor coating technique plays a major role in determining the optical characteristics in the light emitting device, control techniques such as the thickness of the phosphor coating layer and the uniform dispersion of the phosphor have been studied variously. QD can also be placed in the LED chip or the light emitting element in the same manner as the phosphor, and can be positioned between the glass or translucent polymer material for light conversion.
여기서, 상기 반사 봉지재(30)의 반사컵부에는 형광체(40) 및/또는 각종 충전재가 충전될 수 있는 것으로서, 도시하지 않았지만, 상기 충전재는 유리, 아크릴, 에폭시 수지는 물론, EMC, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 변성 에폭시 수지 조성물, 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등을 선택하여 이루어질 수 있다.Here, the reflective cup portion of the
따라서, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 후방에 배치되어 이웃하는 다른 상기 발광 소자(20)에서 상기 형광체(40)를 통과하여 발광되는 외부광이 본 발명의 일부 실시예들에 따른 상기 발광 소자 패키지(100)의 상기 반사 경사면(RF)에 도달되면 상기 반사 경사면(RF)에 의해서 대상물을 향하여 상방으로 반사될 수 있고, 이로 인하여 대상물에는 보다 넓은 면적으로 직접 조명광 보다는 간접 조명광이 조사되어 고급스러운 조명이 가능하다.Therefore, as shown in FIGS. 1 to 4, the external light, which is emitted from the neighboring other
그러므로, 대상물에 빛이 간접적으로 조사되는 복수개의 반사형 패키지들을 모듈로 구성하여 넓은 면적으로 빛을 조사할 수 있고, 이로 인하여 발광 소자 패키지의 설치 개수를 줄일 수 있으며, 발광 효율이 높고, 눈부심 현상을 줄여서 자극적이지 않은 고급 조명 효과를 얻을 수 있다.Therefore, a plurality of reflection-type packages in which light is indirectly irradiated to an object can be formed as a module to irradiate light in a wide area, thereby reducing the number of light emitting device packages to be installed, Can be reduced to obtain an irritating and high-quality illumination effect.
도 5는 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)를 나타내는 단면도이고, 도 6은 도 5의 발광 소자 패키지(200)의 기판(10)의 일례를 나타내는 사시도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a light emitting
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)의 반사 경사면(RF)은 제 1 상향 경사 각도(A1)로 기울어지게 형성된 상기 리드 프레임의 후면 또는 리드면을 기준으로 상기 제 1 상향 경사 각도(A1)로 절곡된 리드 프레임의 후면 중 적어도 일부분일 수 있다.5 and 6, the reflective inclined surface RF of the light emitting
여기서, 상기 반사 경사면(RF)은 상기 기판(10), 즉 리드 프레임과 동일한 재질일 수 있다. 그러나, 상기 반사 경사면(RF)의 재질은 이에 반드시 국한되지 않고, 상기 리드 프레임에 상기 리드 프레임과 다른 별도의 반사층을 형성하는 것도 가능하다.Here, the reflective inclined surface RF may be the same material as the
따라서, 상기 반사 경사면(RF)은 은, 금, 백금, 구리, 알루미늄, 크롬 등 반사도가 우수한 금속 재질일 수 있다.Therefore, the reflective inclined surface RF may be a metal material having excellent reflectivity such as silver, gold, platinum, copper, aluminum, and chrome.
도 7 및 도 8은 본 발명의 여러 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(300)(400)들을 나타내는 단면도이다.7 and 8 are cross-sectional views illustrating light emitting device packages 300 (400) according to various other embodiments of the present invention.
먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 여러 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(300)의 반사 경사면(RF)은, 기판(10)의 후면으로 조사되는 외부광을 상방으로 다각 반사시킬 수 있도록 상기 기판(10)의 후면 또는 상기 반사 봉지재(30)의 후면에 상방을 향하는 제 2 상향 경사 각도(A2)로 기울어지는 제 2 반사 경사면(RF2) 및 상기 제 2 상향 경사 각도(A2)와 다른 제 3 상향 경사 각도(A3)로 기울어지는 제 3 반사 경사면(RF3)을 포함할 수 있다.7, the reflection inclined surface RF of the light emitting
여기서, 예컨데 상기 제 2 상향 경사 각도(A2) 보다 상기 제 3 상향 경사 각도(A3)가 더 클 수 있다.Here, for example, the third upward inclination angle A3 may be larger than the second upward inclination angle A2.
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 여러 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(400)의 반사 경사면(RF)은, 기판(10)의 후면으로 조사되는 외부광을 상방으로 다각 반사시킬 수 있도록 상기 기판(10)의 후면 또는 상기 반사 봉지재(30)의 후면에 상방을 향하는 제 4 상향 경사 각도(A4)로 기울어지는 제 4 반사 경사면(RF4) 및 상기 제 4 상향 경사 각도(A4)와 다른 제 5 상향 경사 각도(A5)로 기울어지는 제 5 반사 경사면(RF5)을 포함할 수 있다.8, the reflection inclined surface RF of the light emitting
여기서, 예컨데 상기 제 5 상향 경사 각도(A5) 보다 상기 제 4 상향 경사 각도(A4)가 더 클 수 있다.Here, for example, the fourth upward inclination angle A4 may be larger than the fifth upward inclination angle A5.
따라서, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 반사 경사면(A2), 상기 제 3 반사 경사면(A3), 상기 제 4 반사 경사면(A4), 상기 제 5 반사 경사면(A5)의 각도와 높이 등을 조정하여 반사되는 빛의 방향과 부분적인 빛의 배분이나 빛의 조사각도 등을 다각으로 정밀하게 조정할 수 있다.7 and 8, the angle of the second reflection slope A2, the third reflection slope A3, the fourth reflection slope A4, the fifth reflection slope A5, And the height, etc., it is possible to precisely adjust the direction of the reflected light, the distribution of partial light, and the angle of light irradiation.
여기서, 이러한 상기 반사 경사면(RF)은 상술된 2각도 이상, 즉 3각, 4각 등 다각, 다면으로 형성될 수 있다.Here, the reflection inclined surface RF may be formed in a polygonal or polygonal shape, such as two or more angles as described above, that is, a triangle, a quadrangle, or the like.
도 9 내지 도 12는 본 발명의 여러 다른 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(500)(600)(700)(800)들을 나타내는 단면도 또는 사시도이다.9 to 12 are cross-sectional views or perspective views illustrating light emitting device packages 500, 600, 700, and 800 according to various other embodiments of the present invention.
이외에도, 상기 반사 경사면(RF)은 도 9에 도시된 바와 같이, 볼록한 볼록 곡면(RF6)을 갖는 발광 소자 패키지(500)이거나, 도 10에 도시된 바와 같이, 오목한 오목 곡면(RF7)을 갖는 발광 소자 패키지(600)이거나, 도 11에 도시된 바와 같이, 볼록한 볼록 구면(RF8)을 갖는 발광 소자 패키지(700)이거나, 도 12에 도시된 바와 같이, 오목한 오목 구면(RF9)을 갖는 발광 소자 패키지(800)가 적용될 수 있다.9, the reflection inclined surface RF may be a light emitting
따라서, 도 9 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 반사 경사면(RF)의 형태를 조정하여 반사되는 빛의 방향과 부분적인 빛의 배분이나 빛의 조사각도 등을 다각으로 정밀하게 조정할 수 있다.Therefore, as shown in FIGS. 9 to 12, the shape of the reflection slope RF can be adjusted to precisely adjust the direction of the reflected light, the distribution of partial light, and the angle of light irradiation.
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(1000)은, 적어도 이격 거리 이상 서로 이격되게 형성되고, 적어도 일렬을 이루어서 배치되는 발광 소자 패키지 실장면이 형성되는 모듈 기판(110)과, 상기 모듈 기판(110)의 상기 발광 소자 패키지 실장면에 복수개가 측방향을 향하도록 나란하게 실장되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(100) 및 상기 모듈 기판(110)의 상기 발광 소자 패키지 실장면을 제외한 나머지 부분들 중 적어도 일부분에 설치되는 반사 부재(120)를 포함할 수 있다.1, the light emitting
여기서, 상기 모듈 기판(110)은 배선층(130)을 갖는 바(bar) 타입이나 평판 타입 등 매우 다양한 타입의 모듈 기판일 수 있고, 상기 반사 부재(120)는, 상기 모듈 기판(110) 위에 설치될 수 있는 각종 반사지나, 반사 시트나, 화이트 몰딩 부재나, 반사층이나, 반사 안료 등 매우 다양한 형태의 반사 부재가 모두 적용될 수 있다.The
또한, 상기 발광 소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 12에 도시된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(100)와 그 구성 및 역할이 동일할 수 있다. 따라서 상세한 설명은 생략한다.In addition, the light emitting
도 13은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 조명 장치(2000)를 나타내는 사시도이다.13 is a perspective view illustrating a
도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 조명 장치(2000)는, 도 1 내지 도 12에서 도시된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 모듈(1000)을 포함하고, 여기에 조명에 필요한 각종 코드나, 단자나, 전원 장치나 반사갓이나 보호 패널이나 투명 패널 등이 추가로 설치될 수 있다.13, the
더욱 구체적으로 예를 들면, 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 조명 장치(2000)는 상기 발광 소자 패키지(100) 및 상기 발광 소자 패키지 모듈(1000)을 포함한 형광등 형태의 조명 장치일 수 있다. 이외에도 상기 조명 장치(2000)는 전구(벌브 타입), 천장등, 작업등 등 기존의 모든 조명 장치의 형태가 적용될 수 있다.13, the
도 14 내지 도 16은 본 발명의 일부 다른 실시예에 따른 조명 장치의 발광 소자 패키지 배치 상태를 나타내는 평면도들이다.14 to 16 are plan views showing a light emitting device package arrangement state of a lighting apparatus according to some other embodiments of the present invention.
도 14 내지 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자 패키지(100)들은 모듈 기판 위에 이격 거리 이상 서로 이격되게 형성되고, 적어도 도 14의 직선 다열, 도 15의 지그 재그 다열, 도 16의 원형 다열 등 매우 다양하게 배치될 수 있다.As shown in FIGS. 14 to 16, the light emitting device packages 100 are spaced apart from each other by a predetermined distance or more on the module substrate, and at least the straight multiples of FIG. 14, the jiggag heat of FIG. 15, And the like.
따라서, 발광 소자 패키지의 적은 설치 개수로도 다양한 부분에 다양한 형태로 배치되어 다양한 각도의 다양한 넓이의 공간에 효율적으로 조명이 이루어질 수 있다.Therefore, even a small number of the light emitting device packages can be arranged in various forms in various portions, so that illumination can be efficiently performed in various spaces of various angles.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
10: 기판
10a: 발광 소자 실장면
L: 전극분리선
11: 제 1 전극
12: 제 2 전극
20: 발광 소자
30: 반사 봉지재
40: 형광체
RF: 반사 경사면
A1: 제 1 상향 경사 각도
A2: 제 2 상향 경사 각도
A3: 제 3 상향 경사 각도
A4: 제 4 상향 경사 각도
A5: 제 5 상향 경사 각도
LF: 리드면
RF1: 제 1 반사 경사면
RF2: 제 2 반사 경사면
RF3: 제 3 반사 경사면
RF4: 제 4 반사 경사면
RF5: 제 5 반사 경사면
RF6: 볼록 곡면
RF7: 오목 곡면
RF8: 볼록 구면
RF9: 오목 구면
100: 발광 소자 패키지
110: 모듈 기판
120: 반사 부재
130: 배선층
B: 본딩매체
1000: 발광 소자 패키지 모듈
2000: 조명 장치10: substrate
10a: Scene of light emitting element room
L: electrode separation line
11: first electrode
12: Second electrode
20: Light emitting element
30: Reflective bag material
40: phosphor
RF: Reflective slope
A1: first upward inclination angle
A2: 2nd upward inclination angle
A3: Third upward inclination angle
A4: fourth upward inclination angle
A5: fifth upward inclination angle
LF: Lead side
RF1: first reflection slope surface
RF2: second reflection slope
RF3: third reflection slope
RF4: fourth reflection slope
RF5: fifth reflection slope
RF6: convex surface
RF7: concave surface
RF8: convex spherical
RF9: concave spherical surface
100: Light emitting device package
110: module substrate
120: reflective member
130: wiring layer
B: bonding medium
1000: Light emitting device package module
2000: Lighting system
Claims (8)
상기 발광 소자 실장면에 실장되는 발광 소자; 및
상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사 봉지재;를 포함하고,
상기 기판 또는 상기 반사 봉지재의 후면으로 조사되는 외부광을 상방으로 반사시킬 수 있도록 상기 기판의 후면 또는 상기 반사 봉지재의 후면에 상방을 향하는 반사 경사면이 형성되는, 발광 소자 패키지.A substrate on which a light emitting element mounting surface is formed on a side surface so as to emit light in a lateral direction, a first electrode and a second electrode are formed so as to protrude downward so as to be electrically connected to the module substrate,
A light emitting element mounted on a surface of the light emitting element; And
And a reflective encapsulant formed on the substrate to reflect at least a part of the light generated in the light emitting device,
Wherein a reflective inclined surface facing upward is formed on a back surface of the substrate or a rear surface of the reflective encapsulant so as to reflect external light emitted to the back surface of the substrate or the reflective encapsulant upward.
상기 반사 경사면은, 제 1 상향 경사 각도로 기울어지는 반사 경사면이고, 상기 반사 경사면의 상기 제 1 상향 경사 각도는 수직면을 기준으로 20도 내지 70도인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the reflective inclined surface is a reflective inclined surface inclined at a first upward inclination angle and the first upward inclined angle of the reflective inclined surface is in a range of 20 to 70 degrees with respect to a vertical surface.
상기 기판은 금속 재질의 리드 프레임이고,
상기 반사 경사면은 제 1 상향 경사 각도로 기울어지게 형성된 상기 리드 프레임의 후면 또는 리드면을 기준으로 상기 제 1 상향 경사 각도로 절곡된 리드 프레임의 후면 중 적어도 일부분인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a lead frame made of a metal,
Wherein the reflective inclined surface is at least a part of the rear surface of the lead frame or the rear surface of the lead frame bent at the first upward inclination angle with respect to the lead surface formed to incline at a first upward inclination angle.
상기 반사 봉지재는 몰딩 수지 재질이고,
상기 제 1 반사 경사면은 제 1 상향 경사 각도로 기울어지게 형성된 상기 반사 봉지재의 후면부인, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the reflective encapsulant is a molding resin material,
Wherein the first reflective inclined surface is a rear surface portion of the reflective encapsulant that is inclined at a first upward inclination angle.
상기 반사 경사면은, 기판의 후면으로 조사되는 외부광을 상방으로 다각 반사시킬 수 있도록 상기 기판의 후면 또는 상기 반사 봉지재의 후면에 상방을 향하는 제 2 상향 경사 각도로 기울어지는 제 2 반사 경사면 및 상기 제 2 상향 경사 각도와 다른 제 3 상향 경사 각도로 기울어지는 제 3 반사 경사면을 포함하는, 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
The reflective inclined surface may include a second reflective inclined surface that is inclined at a second upward inclination angle toward the back surface of the substrate or the rear surface of the reflective encapsulant so as to reflect the external light irradiated to the rear surface of the substrate upward, And a third reflective beveled surface inclined at a third upward oblique angle different from the two upward oblique angle.
상기 반사 경사면은 적어도 볼록한 볼록 곡면, 오목한 오목 곡면, 볼록한 볼록 구면, 오목한 오목 구면 및 이들의 조합들 중 어느 하나 이상을 선택하여 이루어지는 것인, 발광 소자 패키지. The method according to claim 1,
Wherein the reflective inclined surface comprises at least one selected from at least one of a convex convex surface, a concave concave surface, a convex convex spherical surface, a concave concave spherical surface, and combinations thereof.
상기 모듈 기판의 상기 발광 소자 패키지 실장면에 복수개가 측방향을 향하도록 나란하게 실장되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지; 및
상기 모듈 기판의 상기 발광 소자 패키지 실장면을 제외한 나머지 부분들 중 적어도 일부분에 설치되는 반사 부재;를 포함하고,
상기 발광 소자 패키지는,
측방향으로 발광이 가능하도록 측면에 발광 소자 실장면이 형성되고, 전극분리선이 형성되며, 모듈 기판과 전기적으로 연결될 수 있도록 하방으로 각각 돌출되게 형성되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 설치되는 기판;
상기 발광 소자 실장면에 실장되는 발광 소자; 및
상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사 봉지재;를 포함하고,
상기 기판 또는 상기 반사 봉지재의 후면으로 조사되는 다른 발광 소자 패키지의 빛을 상방으로 반사시킬 수 있도록 상기 기판의 후면 또는 상기 반사 봉지재의 후면에 상방을 향하는 반사 경사면이 형성되는, 발광 소자 패키지 모듈.A module substrate on which a light emitting device package mounting surface is formed which is spaced apart from each other by at least a spacing distance and is arranged in at least one row;
At least one light emitting device package mounted in parallel so that a plurality of light emitting device package seats of the module substrate face side to side; And
And a reflective member provided on at least a portion of the module substrate other than the mounting surface of the light emitting device package,
Wherein the light emitting device package includes:
A substrate on which a light emitting element mounting surface is formed on a side surface so as to emit light in a lateral direction, a first electrode and a second electrode are formed so as to protrude downward so as to be electrically connected to the module substrate,
A light emitting element mounted on a surface of the light emitting element; And
And a reflective encapsulant formed on the substrate to reflect at least a part of the light generated in the light emitting device,
Wherein a reflective inclined surface facing upward is formed on a rear surface of the substrate or on a rear surface of the reflective encapsulant so as to reflect upward light of the substrate or another light emitting device package irradiated to the rear surface of the reflective encapsulant.
상기 모듈 기판의 상기 발광 소자 패키지 실장면에 복수개가 측방향을 향하도록 나란하게 실장되는 적어도 하나의 발광 소자 패키지; 및
상기 모듈 기판의 상기 발광 소자 패키지 실장면을 제외한 나머지 부분들 중 적어도 일부분에 설치되는 반사 부재;를 포함하고,
상기 발광 소자 패키지는,
측방향으로 발광이 가능하도록 측면에 발광 소자 실장면이 형성되고, 전극분리선이 형성되며, 모듈 기판과 전기적으로 연결될 수 있도록 하방으로 각각 돌출되게 형성되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 설치되는 기판;
상기 발광 소자 실장면에 실장되는 발광 소자; 및
상기 발광 소자에서 발생된 빛의 적어도 일부분을 반사시킬 수 있도록 상기 기판에 형성되는 반사 봉지재;를 포함하고,
상기 기판 또는 상기 반사 봉지재의 후면으로 조사되는 다른 발광 소자 패키지의 빛을 상방으로 반사시킬 수 있도록 상기 기판의 후면 또는 상기 반사 봉지재의 후면에 상방을 향하는 반사 경사면이 형성되는, 조명 장치.
A module substrate on which a light emitting device package mounting surface is formed which is spaced apart from each other by at least a spacing distance and is arranged in at least one row;
At least one light emitting device package mounted in parallel so that a plurality of light emitting device package seats of the module substrate face side to side; And
And a reflective member provided on at least a portion of the module substrate other than the mounting surface of the light emitting device package,
Wherein the light emitting device package includes:
A substrate on which a light emitting element mounting surface is formed on a side surface so as to emit light in a lateral direction, a first electrode and a second electrode are formed so as to protrude downward so as to be electrically connected to the module substrate,
A light emitting element mounted on a surface of the light emitting element; And
And a reflective encapsulant formed on the substrate to reflect at least a part of the light generated in the light emitting device,
And a reflective inclined surface facing upward is formed on a back surface of the substrate or a rear surface of the reflective encapsulant so as to reflect upward light of the substrate or another light emitting device package irradiated to the back surface of the reflective encapsulant.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140117487A KR101619443B1 (en) | 2014-09-04 | 2014-09-04 | Light emitting device package, light emitting device package module and lighting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140117487A KR101619443B1 (en) | 2014-09-04 | 2014-09-04 | Light emitting device package, light emitting device package module and lighting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160028687A true KR20160028687A (en) | 2016-03-14 |
KR101619443B1 KR101619443B1 (en) | 2016-05-10 |
Family
ID=55541453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140117487A KR101619443B1 (en) | 2014-09-04 | 2014-09-04 | Light emitting device package, light emitting device package module and lighting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101619443B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017188670A1 (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting device having same |
KR20170124036A (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-09 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting apparatus |
-
2014
- 2014-09-04 KR KR1020140117487A patent/KR101619443B1/en active IP Right Grant
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017188670A1 (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting device having same |
KR20170124036A (en) * | 2016-04-29 | 2017-11-09 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting apparatus |
CN109073183A (en) * | 2016-04-29 | 2018-12-21 | Lg伊诺特有限公司 | Lighting module and lighting device with the lighting module |
EP3450825A4 (en) * | 2016-04-29 | 2019-04-03 | LG Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device having same |
US10648626B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-05-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device having same |
EP3736487A1 (en) * | 2016-04-29 | 2020-11-11 | LG Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device having same |
US10900633B2 (en) | 2016-04-29 | 2021-01-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device having same |
US11262044B2 (en) | 2016-04-29 | 2022-03-01 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device having same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101619443B1 (en) | 2016-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101567927B1 (en) | Surface light source displayer, illumination device and backlight unit having it | |
KR101578760B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, and illumination device | |
KR101575655B1 (en) | Light emitting device package and backlight unit | |
KR101504168B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit and lighting device | |
KR101607139B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method | |
KR101619443B1 (en) | Light emitting device package, light emitting device package module and lighting device | |
KR101590463B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101590468B1 (en) | Stack type light emitting device package and backlight unit having the same | |
KR101590465B1 (en) | Double type light emitting device, light emitting device package, backlight unit and lighting device | |
KR101675904B1 (en) | Light emitting device package, light emitting device package module, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101504993B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit and lighting device | |
KR101504306B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101623558B1 (en) | Light emitting device package and its manufacturing method | |
KR20160003429A (en) | Light emitting device package, light emitting device package module, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101550778B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit and lighting device | |
KR101713683B1 (en) | Light emitting device package | |
KR101547548B1 (en) | Phosphor encapsulation type light emitting device package, backlight unit, illumination device and its manufacturing method | |
KR101627153B1 (en) | Light emitting device package, light device and manufacturing method | |
KR101544126B1 (en) | Light emitting device package module, multi-backlight unit and display apparatus | |
KR101504276B1 (en) | Substrate for light emitting device and its manufacturing method of the light emitting device | |
KR101690207B1 (en) | Light emitting device package, light emitting device package module and backlight unit | |
KR101517949B1 (en) | Light emitting device package and its manufacturing method | |
KR101607140B1 (en) | Light emitting device package, backlight unit, lighting device and its manufacturing method | |
KR101641100B1 (en) | Mounting type Light emitting device package module and light device and manufacturing method | |
KR101557949B1 (en) | Light emitting device package, light emitting device package module and backlight unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190311 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200309 Year of fee payment: 5 |