KR20160003185A - 슬러리용 레올로지 개질제 - Google Patents

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자스비르 에스. 길
추 와이. 첸
리간 페이트
아담 쿨터만
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에코랍 유에스에이 인코퍼레이티드
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Abstract

레올로지 개질제 및 슬러리의 레올로지를 개질시키는 방법이 기술되며, 또한 오염을 방지하는 방법이 기술된다. 슬러리는 석회 슬러리 또는 산화마그네슘 슬러리일 수 있다. 레올로지 개질제는 저분자량 음이온성 폴리머, 고분자량 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 고분자량 폴리머 및 킬레이트화제의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물일 수 있다.

Description

슬러리용 레올로지 개질제 {RHEOLOGY MODIFYING AGENTS FOR SLURRIES}
1. 발명의 분야
본 기재는 일반적으로 슬러리(slurry)의 레올로지(rheology)를 개질시키는데 유용한 여러 레올로지 개질제(rheology modifying agent)에 관한 것이다. 더욱 특히, 본 기재는 석회 슬러리 및 산화마그네슘 슬러리의 레올로지를 개질시키는 데 유용한 레올로지 개질제에 관한 것이다.
2. 관련 기술의 설명
석회 및 산화마그네슘의 슬러리는 일반적으로 석회 및 가온된 석회 소프트너(warm lime softener)에 첨가되어 물의 경도를 처리하고(즉, 경수 이온 제거), 실리카 제거를 보조한다. 이들 이온이 물로부터 제거되지 않을 경우, 그러한 물과 접촉하게 되는 후속 장비는 경수 침착물을 얻을 것이고, 장비의 오염이 발생할 것이다. 경수 오염은 예를 들어, 열교환기, 증발기, 및 보일러에서 일어날 수 있다. 열교환기, 증발기, 및 보일러는 탄화수소 생성 및 발전(power generation)과 같은 여러 공정에서 사용될 수 있는 고온수 또는 스팀을 생성하는데 사용될 수 있다. 나아가, 석회 및 산화마그네슘 슬러리는 또한 산 가스, 예컨대 SO2, H2S, 및 CO2의 스크러빙(scrubbing)에 도움을 주기 위해 스크러버(scrubber)에 첨가될 수 있으며, 산화마그네슘 슬러리는 페수 처리 동안 pH를 조절하는데 사용될 수 있다.
공정에 사용되는 장비의 여러 구성요소에 슬러리를 전달하기 위한 공급 라인(feed line)이 사용된다. 석회 및 산화마그네슘 슬러리에 대한 적당한 처리가 없다면, 석회 및 마그네슘은 공급 라인에서 침착물을 형성할 수 있으며, 이에 따라 슬러리 공급 흐름을 감소시키고, 결국에는 공급 라인을 플러깅(plugging)시키거나, 막히게 한다. 막히게 되면, 공급 라인내 경질 침착물은 전형적으로 안전하지 않고 취급이 용이하지 않은, 산, 예컨대 HCl로 공급 라인을 세척함으로써 제거되거나 용해된다. 또한, 그러한 산 처리는 폐수 처리를 위한 특수 절차를 필요로 한다.
따라서, 막힌 공급 라인을 세척하기 위해 사용되는 종래 기술의 방법은 위험하며 고가이고, 오랜 중단 기간을 요구한다. 슬러리 공급 라인이 막히게 되면, 전체 가동이 중지되어야 하며, 공급 라인이 라인 인출되고, 이후 산으로 세척되어야 한다. 특정 공정에서, 이들 단계는 때로는 일주일에 1회 정도로 빈번하게 반복되어야 하고, 이에 따라 탄화수소 생성과 같은 전체 공정의 의도된 목표를 달성하는데 필요한 총 시간을 크게 증가시킨다. 그러므로, 공급 라인이 라인 인출되고 세척될 필요가 없도록 슬러리 공급 라인에서의 석회 및 산화마그네슘 침착물을 감소시키거나 억제할 화학적 처리가 필요하다.
발명의 요약
본원에는 레올로지 개질제 및 슬러리의 레올로지를 개질시키는 방법이 기술된다. 일 양태에서, 석회 슬러리의 레올로지를 개질시키는 방법이 기술된다. 이 방법은 석회 슬러리를 제공하는 단계; 및 레올로지 개질제를 석회 슬러리에 첨가하는 단계로서, 레올로지 개질제가 저분자량 음이온성 폴리머, 고분자량 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 킬레이트화제와 고분자량 폴리머의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 일원을 포함하는 단계를 포함한다.
추가의 양태에서, 산화마그네슘 슬러리의 레올로지를 개질시키는 방법이 기술된다. 이 방법은 산화마그네슘 슬러리를 제공하는 단계; 및 레올로지 개질제를 산화마그네슘 슬러리에 첨가하는 단계로서, 레올로지 개질제가 저분자량 음이온성 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 일원을 포함하는 단계를 포함한다.
또 다른 양태에서, 탄화수소 생성 공정 동안 오염을 방지하는 방법이 기술된다. 이 방법은 석회 슬러리를 제공하는 단계; 레올로지 개질제를 석회 슬러리에 첨가하여 혼합물을 형성하는 단계로서, 레올로지 개질제가 저분자량 음이온성 폴리머, 고분자량 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 킬레이트화제와 고분자량 폴리머의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 일원을 포함하는 단계; 공급 라인을 통해 혼합물을 가온된 석회 소프트너에 이송하는 단계; 및 공급 라인에서의 오염을 방지하는 단계를 포함한다.
여전히 추가의 양태에서, 탄화수소 생성 공정 동안 오염을 방지하는 또 다른 방법이 기술된다. 이 방법은 산화마그네슘 슬러리를 제공하는 단계; 레올로지 개질제를 산화마그네슘 슬러리에 첨가하여 혼합물을 형성시키는 단계로서, 레올로지 개질제가 저분자량 음이온성 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 일원을 포함하는 단계; 혼합물을 공급 라인을 통해 장비의 구성요소에 이송하는 단계; 및 파이프라인에서 오염을 방지하는 단계를 포함한다.
상기 내용은 다음의 상세한 설명이 보다 잘 이해될 수 있도록 본 기재의 특징 및 기술적 이점을 약간 광범위하게 개략적으로 서술된다. 본 출원의 청구범위 요지를 형성하는 본 기재의 추가의 특징 및 이점은 이후 기술될 것이다. 기술되는 개념 및 특정 구체예는 본 기재의 동일 목적을 수행하기 위한 다른 구체예를 변형하거나 구성하기 위한 토대로서 용이하게 사용될 수 있음이 당업자들에게 인지되어야 한다. 또한, 이러한 등가의 구체예가 첨부되는 청구범위에서 언급되는 바와 같은 기재의 사상 및 범위에서 벗어나지 않음이 당업자들에 의해 인지되어야 한다.
발명의 상세한 설명
본 기재는 슬러리의 레올로지를 개질시키는데 유용한 조성물 및 방법에 관한 것이다. 특정 양태에서, 슬러리는 석회 슬러리이다. "석회"는 산화칼슘 또는 CaO로 상호교환가능하게 지칭될 수 있다. 그 밖의 양태에서, 슬러리는 산화마그네슘 슬러리이다. 산화마그네슘 슬러리 이외에, 본 발명에서 기술되는 레올로지 개질제는 또한 수산화마그네슘 슬러리의 레올로지를 개질시키는데 효과적이다.
석회 슬러리와 관련하여, 이들 슬러리는 매우 점성이 될 수 있거나, 특정 상황에서, 본질적으로 고형화될 수 있음이 널리 알려져 있다. 또한, 석회 슬러리가 이의 이송을 위해 사용되는 공급 라인 상에 침착물을 형성할 수 있고, 또한 공급 라인을 완전히 플러깅시킬 수 있음으로써, 전체 공정이 중지되어 공급 라인이 수동으로 세척되거나 산 처리되는 것이 요구된다. 본 기재에 따르면, 이들 석회 슬러리의 레올로지를 유리하게 개질시킴으로써, 침착물 형성 및 공급 라인 막힘을 억제하거나 최소화시킬 수 있는 다양한 레올로지 개질제가 기술된다.
일 양태에서, 레올로지 개질제는 석회 슬러리에 이의 레올로지를 개질시키기 위해 첨가된다. 일부 양태에서, 레올로지 개질제는 하나 이상의 고분자량 폴리머를 포함할 수 있다. 그 밖의 양태에서, 레올로지 개질제는 저분자량 음이온성 폴리머를 포함할 수 있다. 추가의 양태에서, 레올로지 개질제는 고분자량 폴리머 및 킬레이트화제를 포함할 수 있다. 여전히 그 밖의 양태에서, 레올로지 개질제는 고분자량 폴리머 및 저분자량 음이온성 폴리머를 포함할 수 있다. 추가적 양태에서, 레올로지 개질제는 고분자량 폴리머, 킬레이트화제, 및 저분자량 음이온성 폴리머를 포함할 수 있다. 본 기재에 따르면, 용어 "폴리머" 또는 "폴리머들"은 호모폴리머, 둘 이상의 모노머의 코폴리머, 터폴리머(terpolymer), 등을 포함하는 것으로 의도된다.
일반적으로, 고분자량 폴리머는 약 200,000 초과의 수평균 분자량을 갖는다. 특정 양태에서, 고분자량 폴리머는 약 50,000 미만의 분자량을 갖는다. 추가적 양태에서, 고분자량 폴리머는 약 500,000 초과의 분자량을 갖는다. 일부 양태에서, 고분자량 폴리머는 약 750,000 초과의 분자량을 갖고, 그 밖의 양태에서, 고분자량 폴리머는 약 1,000,000 초과의 분자량을 갖는다.
석회 슬러리에 첨가되어야 하는 레올로지 개질제의 양은 적어도 슬러리 중 석회의 양에 좌우된다. 예를 들어, 레올로지 개질제의 특정 투입량이 10% 석회 슬러리에 첨가될수 있고, 상이한 투입량이 30% 석회 슬러리에 첨가될 수 있다. 일반적으로, 석회 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제의 양은 활성 폴리머를 기준으로 하여 약 0.1 ppm 내지 약 300 ppm이다. 그 밖의 양태에서, 상기 양은 활성 폴리머를 기준으로 하여 약 1 ppm 내지 약 100 ppm일 수 있다. 추가의 양태에서, 상기 양은 활성 폴리머를 기준으로 하여 약 2 ppm 내지 약 70 ppm일 수 있다. 레올로지 개질제가 킬레이트화제를 포함하는 경우, 상기 양이 동일하게 유지될 것이다.
특정 양태에서, 고분자량 폴리머는 아크릴산 및 아크릴아미드의 코폴리머이다. 아크릴산 및 아크릴아미드의 고분자량 코폴리머는 어떠한 모노머 비, 예컨대 약 1% 내지 약 15% 아크릴산 모노머 및 약 99% 내지 약 85% 아크릴아미드 모노머를 포함할 수 있다. 코폴리머는 약 95% 정도로 높은 아크릴산 및 약 5% 정도로 낮은 아크릴아미드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 고분자량 코폴리머는 약 90% 아크릴산 및 약 10% 아크릴아미드를 포함할 수 있다. 일 양태에서, 코폴리머는 약 3% 아크릴산 및 약 97% 아크릴아미드를 포함한다. 상술된 코폴리머는 특정 양태에서 약 50,000 미만, 일부 양태에서 약 200,000 초과, 그 밖의 양태에서 약 1,000,000 초과, 추가적 양태에서 약 5,000,000 초과, 추가의 양태에서 약 10,000,000 초과, 그리고, 그 밖의 양태에서 약 15,000,000 초과의 분자량을 가질 수 있다. 예를 들어, 코폴리머가 약 3% 아크릴산 및 약 97% 아크릴아미드를 포함할 경우, 폴리머는 15,000,000 초과의 분자량을 가질 수 있다. 추가로, 코폴리머가 약 90% 아크릴산 및 약 10% 아크릴아미드를 포함할 경우, 폴리머는 약 50,000 미만의 분자량을 가질 수 있다. 그 밖의 양태에서, 고분자량 폴리머는 가수분해된 폴리아크릴아미드일 수 있다. 가수분해된 폴리아크릴아미드는 약 200,000 초과의 분자량을 가질 수 있고, 특정 양태에서, 분자량은 약 1,000,000 초과이다.
또한, 특정 양태에서, 킬레이트화제 또는 킬런트(chelant)가 고분자량 폴리머와 함께 석회 슬러리에 첨가된다. 따라서, 레올로지 개질제가 석회 슬러리에 첨가될 수 있고, 레올로지 개질제는 어떠한 양의 고분자량 폴리머 및 어떠한 양의 킬레이트화제를 포함할 수 있다. 특정 양태에서, 이러한 레올로지 개질제는 또한 저분자량 음이온성 폴리머를 포함할 수 있다. 킬레이트화제는 당 분야에 일반적으로 공지되어 있으며, 어떠한 킬레이트화제가 당업자들에 의해 선택되고, 본 기재와 관련하여 사용될 수 있다. 특정 양태에서, 킬레이트화제는 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA), 시트르산, 링고 설포네이트(lingo sulfonate), 디메르카프롤 (2,3-디메르캅토-1-프로판올), 프로핀, 및 이들의 어떠한 조합물로부터 선택된다. 일 특정 양태에서, 킬레이트화제는 EDTA이다.
따라서, 본 기재의 특정 양태에서, 레올로지 개질제는 석회 슬러리에 첨가될 수 있으며, 레올로지 개질제는 킬레이트화제, 및 아크릴산 및 아크릴아미드의 고분자량 코폴리머를 포함한다. 레올로지 개질제는 약 40% 내지 약 60%의 킬레이트화제 및 약 60% 내지 약 40%의 고분자량 폴리머를 포함할 수 있다. 아크릴산 및 아크릴아미드의 앞서 언급된 코폴리머 중 어느 하나가 사용될 수 있으며, 코폴리머는 앞서 언급된 모노머 비 중 어느 하나를 가질 수 있고, 레올로지 개질제는 어떠한 양의 킬레이트화제 및 코폴리머를 포함할 수 있고, 킬레이트화제는 당해 공지된 어떠한 킬레이트화제, 예컨대 EDTA일 수 있다. 전술된 바와 같이, 레올로지 개질제는 또한 저분자량 음이온성 폴리머를 포함할 수 있다.
그 밖의 양태에서, 석회 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제는 킬레이트화제 및 고분자량 가수분해된 폴리아크릴아미드를 포함할 수 있다. 레올로지 개질제는 약 40% 내지 약 60%의 킬레이트화제 및 약 60% 내지 약 40%의 고분자량 폴리머를 포함할 수 있다. 가수분해된 폴리아크릴아미드는 약 200,000 초과의 분자량을 가질 수 있고, 특정 양태에서, 상기 분자량은 약 1,000,000 초과이다. 소정 양태에서, 레올로지 개질제는 약 1% 내지 약 10%의 가수분해된 폴리아크릴아미드 및 약 0.1% 내지 약 5%의 킬레이트화제를 포함한다. 특정 양태에서, 레올로지 개질제는 약 1.6%의 가수분해된 폴리아크릴아미드 및 약 0.4%의 에틸렌디아민테트라아세트산을 포함한다. 전술된 바와 같이, 레올로지 개질제는 또한 저분자량 음이온성 폴리머를 포함할 수 있다.
본 기재의 추가적 양태에서, 석회 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제는 저분자량 음이온성 폴리머를 포함할 수 있다. 특정 양태에서, 저분자량 음이온성 폴리머는 약 1,000 내지 약 20,000 범위 내의 분자량을 갖는다. 추가의 양태에서, 저분자량 음이온성 폴리머는 약 2,000 내지 약 15,000, 또한 약 2,000 내지 약 5,000의 분자량을 가질 수 있다.
다양한 저분자량 음이온성 폴리머는 본 출원에 의해 레올로지 개질제로서 사용되는 것으로 고려된다. 일 양태에서, 저분자량 음이온성 폴리머는 아크릴산/아크릴아미드/설포네이트화된 아크릴아미드 터폴리머이다. 어떠한 모노머 비가 이러한 터폴리머에 사용될 수 있다. 예를 들어, 아크릴산은 터폴리머 중에 약 5% 내지 약 95%로 존재할 수 있고, 아크릴아미드는 터폴리머 중에 약 5% 내지 약 95%로 존재할 수 있고, 설포네이트화된 아크릴아미드는 터폴리머 중에 약 5% 내지 약 95%로 존재할 수 있다. 일 양태에서, 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드의 모노머는 각각 약 40:20:40이다. 또 다른 양태에서, 저분자량 음이온성 폴리머는 임의로 5,000 미만의 분자량을 지닌 아크릴산 폴리머이다. 추가의 양태에서, 저분자량 음이온성 폴리머는 아크릴산/2-아크릴아미도-2-메틸프로판 설폰산의 코폴리머이다. 어떠한 모노머 비가 이러한 코폴리머에 사용될 수 있다. 예를 들어, 코폴리머는 약 5% 내지 약 95%의 아크릴산 및 약 5% 내지 약 95%의 2-아크릴아미도-2-메틸프로판 설폰산을 포함할 수 있다. 일 특정 양태에서, 코폴리머는 각각 약 60:40의 아크릴산 대 2-아크릴아미도-2-메틸프로판 설폰산의 모노머 비를 포함한다. 저분자량 음이온성 폴리머 레올로지 개질제의 추가의 예는 폴리말레산과 AA/AMPS 코폴리머의 블렌드, 폴리말레산 폴리머, 및 폴리말레산과 아크릴산의 코폴리머다. 전술된 바와 같이, 저분자량 음이온성 폴리머 이외에, 레올로지 개질제는 또한 고분자량 폴리머 및 임의로 킬레이트화제를 포함할 수 있다.
상기 논의된 바와 같이, 앞서 언급된 레올로지 개질제는 석회 슬러리를 혼입하는 어떠한 공정에 첨가될 수 있다. 이러한 공정은 가온된 석회 소프트너, 고온의 석회 소프트너를 혼입하는 공정 또는 경수 이온이 물로부터 제거되고 있는 어떠한 그 밖의 공정을 포함할 수 있다. 또한, 상술된 레올로지 개질제는 열교환기, 증발기, 및 보일러를 이용하는 공정, 예컨대 탄화수소 생성 공정 및 발전 공정에 첨가될 수 있다. 추가로, 전술된 레올로지 개질제는 산 가스, 예컨대 SO2, H2S, 및 CO2의 스크러빙에 도움을 주기 위해 스크러버에 첨가될 수 있다.
일 양태에서, 석회 슬러리의 레올로지를 개질시키는 방법이 기술된다. 이 방법은 석회 슬러리를 제공하는 단계, 및 레올로지 개질제를 석회 슬러리에 첨가하는 단계를 포함할 수 있다. 석회 슬러리는 저장 디바이스에 저장될 수 있다. 레올로지 개질제는 저장 디바이스내 슬러리에 첨가될 수 있다. 특정 양태에서, 레올로지 개질제는 앞서 언급된 고분자량 폴리머 중 어느 하나를 포함한다. 특정 양태에서, 레올로지 개질제는 앞서 언급된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 추가적 양태에서, 레올로지 개질제는 앞서 언급된 고분자량 폴리머 중 어느 하나를 킬레이트화제와 함께 포함할 수 있다. 추가로, 레올로지 개질제는 앞서 언급된 고분자량 폴리머 중 어느 하나, 앞서 언급된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나, 및 킬레이트화제를 포함할 수 있다.
일 양태에서, 레올로지 개질제는 약 1% 내지 약 10%의 가수분해된 폴리아크릴아미드 및 약 0.1% 내지 약 5%의 킬레이트화제를 포함한다. 또 다른 양태에서, 레올로지 개질제는 아크릴산 및 아크릴아미드의 고분자량 코폴리머를 포함하며, 여기서 코폴리머는 약 1% 내지 약 15%의 아크릴산 모노머 및 약 99% 내지 약 85%의 아크릴아미드 모노머를 포함한다. 추가의 양태에서, 레올로지 개질제는 저분자량 폴리 아크릴산을 포함한다. 추가의 양태에서, 레올로지 개질제는 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머를 포함한다. 또 다른 양태에서, 레올로지 개질제는 폴리말레산 폴리머를 포함한다.
추가의 양태에서, 탄화수소 생성 공정 동안 오염을 방지하는 방법이 기술된다. 이 방법은 석회 슬러리를 제공하는 단계 및 레올로지 개질제를 석회 슬러리에 첨가하여 혼합물을 형성시키는 단계를 포함할 수 있다. 특정 양태에서, 레올로지 개질제는 전술된 고분자량 폴리머 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 레올로지 개질제는 전술된 킬레이트화제 중 어느 하나를 전술된 고분자량 폴리머 중 어느 하나와 조합하여 포함할 수 있다. 추가로, 레올로지 개질제는 전술된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나를 포함할 수 있거나, 대안적으로, 레올로지 개질제는 저분자량 음이온성 폴리머, 고분자량 폴리머, 및 킬레이트화제의 조합물을 포함할 수 있다. 상기 방법은 혼합물을 공급 라인을 통해 가온된 석회 소프트너에 이송시키는 단계를 추가로 포함한다. 혼합물은 본원에서 기술되는 레올로지 개질제의 양태를 포함하기 때문에, 공급 라인 상의 석회 침착물이 방지되거나 크게 감소됨으로써, 오염된 공급 라인을 세척하기 위해 공정을 중단하지 않고 가동을 계속할 수 있을 것이다.
특정 탄화수소 생성 공정에서, 못(pond) 또는 유사한 물 저장 디바이스가 탄화수소 회수와 관련하여 사용되는 물(이후, "생성수")을 저장하기 위해 제공된다. 이러한 생성수는 다수의 상이한 소스(source)로부터 유래될 수 있으며, 일반적으로 정제되지 않는다. 따라서, 생성수는 다량의 실리카를 함유할 수 있다. 생성수는 가온의 석회 소프트너에 공급되어, 오염물질, 예컨대 실리카를 제거한다. 특정 작동에서, 석회 슬러리 및/또는 산화마그네슘 슬러리는 또한 가온된 석회 소프트너에 공급된다. 석회 및/또는 산화마그네슘 슬러리는 실리카 제거를 보조한다. 예를 들어, 실리카는 산화마그네슘 또는 석회 상에 침전할 수 있다. 특정 상황에서, 가온된 석회 소프트너의 내측 매질의 pH가 실리카 침전을 촉진하도록 상승된다. 이후, 침전물이 물로부터 분리되고, 물이 가온된 석회 소프트너로부터 장비의 다음 구성요소, 예컨대 열교환기 또는 스팀 발생기에 공급될 수 있다.
그러나, 전술된 바와 같이, 석회 슬러리 및 산화마그네슘 슬러리가 생성수로부터 실리카 제거를 용이하게 하는 이점을 제공하지만, 슬러리는 또한 슬러리를 가온된 석회 소프트너에 공급하는데 사용되는 공급 라인 상에 침착물을 형성한다. 특정 양태에서, 저장 디바이스는 가온된 석회 소프트너 부근에 제공된다. 저장 디바이스는 석회 슬러리를 함유할 수 있다. 그 밖의 양태에서, 저장 디바이스는 가온된 석회 소프트너 부근에 제공된다. 저장 디바이스는 산화마그네슘 슬러리를 함유할 수 있다. 추가의 양태에서, 둘 이상의 저장 디바이스가 가온된 석회 소프트너 부근에 제공된다. 적어도 하나의 저장 디바이스는 석회 슬러리를 함유하고, 적어도 하나의 저장 디바이스는 산화마그네슘 슬러리를 함유한다. 공급 라인은 석회 슬러리 및 산화마그네슘 슬러리 저장 디바이스를 가온된 석회 소프트너에 연결시킨다. 추가로, 공급 라인은 석회 슬러리 및 산화마그네슘 슬러리를 이들 각각의 저장 디바이스에서 가온된 석회 소프트너에 이송하는데 사용된다. 상기 논의된 바와 같이, 이들 공급 라인은 석회 및/또는 산화마그네슘 침착물로 오염되게 될 것이고, 약 1 주일 내지 한 달 후, 전체 가동은 중지되어야 할 것이고, 공급 라인은 수동으로 또는 산으로 세척되어야 할 것이다. 그러나, 앞서 언급된 레올로지 개질제 중 어느 하나가 석회 슬러리에 첨가되는 경우, 공급 라인 침착물이 발생하지 않거나 그러한 침착물이 크게 감소될 것이다. 산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제는 하기에서 추가로 논의될 것이다.
앞서 주지되는 바와 같이, 본 출원에 의해 고려되는 공정은 석회 슬러리 및 산화마그네슘 또는 수산화마그네슘 슬러리 둘 모두를 혼입할 수 있다. 하기에서 논의되는 모든 레올로지 개질제는 상호교환가능하게 산화마그네슘 슬러리 및 수산화마그네슘 슬러리와 함께 사용될 수 있다. 용이한 이해를 위해, 화학작용은 산화마그네슘 슬러리와 관련하여 기술될 것이다.
본 기재는 산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 여러 레올로지 개질제를 고려한다. 일 양태에서, 앞서 기술된 저분자량 음이온성 폴리머 중 하나 이상이 산화마그네슘 슬러리에 첨가되어 그것의 레올로지를 개질시키고, 산화마그네슘 슬러리가 그것의 이송에 사용될 공급 라인을 오염시키는 것을 방지한다. 그 밖의 양태에서, 전술된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나와와 전술된 고분자량 폴리머 중 어느 하나의 조합물이 슬러리에 첨가될 수 있다. 추가의 양태에서, 산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제는 전술된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나, 전술된 고분자량 폴리머 중 어느 하나, 및 본원에서 기술된 킬레이트화제 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 일 양태에서, 산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제는 약 1% 내지 약 10%의 가수분해된 폴리아크릴아미드 및 약 0.1% 내지 약 5%의 킬레이트화제를 포함하는 조성물과 폴리말레산의 AA/AMPS 코폴리머와의 블렌드를 포함하는 조성물의 조합물을 포함한다. 또 다른 양태에서, 레올로지 개질제는 저분자량 폴리 아크릴산을 포함한다. 추가의 양태에서, 레올로지 개질제는 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머를 포함한다. 또 다른 양태에서, 레올로지 개질제는 폴리말레산과 AA/AMPS 코폴리머의 블렌드를 포함하고, 추가의 예시적 양태에서, 레올로지 개질제는 AA/AMPS 코폴리머를 포함한다.
산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제의 양은 슬러리의 특징에 의거하여 선택될 수 있다. 특정 양태에서, 약 10 내지 약 300 ppm의 레올로지 개질제가 슬러리에 첨가될 수 있다. 또 다른 양태에서, 약 30 내지 약 250 ppm의 레올로지 개질제가 슬러리에 첨가될 수 있다.
상기 논의된 바와 같이, 앞서 언급된 레올로지 개질제는 산화마그네슘 슬러리를 혼입하는 어떠한 공정에 첨가될 수 있다. 이러한 공정은 가온된 석회 소프트너, 고온의 석회 소프트너, 또는 경수 이온이 물로부터 제거되는 어떠한 그 밖의 공정들을 포함할 수 있다. 또한, 전술된 레올로지 개질제는 열교환기, 증발기, 및 보일러를 이용하는 공정, 예컨대 탄화수소 생성 공정 및 발전 공정에 첨가될 수 있다. 또한, 전술된 레올로지 개질제는 산 가스, 예컨대 SO2, H2S, 및 CO2의 스크러빙에 도움을 주기 위해 스크러버에 첨가될 수 있다.
일 양태에서, 산화마그네슘 슬러리의 레올로지를 개질시키는 방법이 기술된다. 이 방법은 산화마그네슘 슬러리를 제공하는 단계 및 레올로지 개질제를 산화마그네슘 슬러리에 첨가하는 단계를 포함할 수 있다. 산화마그네슘 슬러리는 저장 디바이스에서 저장될 수 있다. 레올로지 개질제는 저장 디바이스 내 슬러리에 첨가될 수 있다. 레올로지 개질제는 앞서 언급된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 레올로지 개질제는 또한 앞서 언급된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나를 앞서 언급된 고분자량 폴리머와 함께 포함할 수 있다. 또한, 레올로지 개질제는 앞서 언급된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나, 앞서 언급된 고분자량 폴리머 중 어느 하나, 및 앞서 언급된 킬레이트화제 중 어느 하나의 조합물을 포함할 수 있다.
추가의 양태에서, 탄화수소 생성 공정 동안 오염을 방지하는 방법이 기술된다. 이 방법은 산화마그네슘 슬러리를 제공하는 단계 및 레올로지 개질제를 산화마그네슘 슬러리에 첨가하여 혼합물을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 특정 양태에서, 레올로지 개질제는 전술된 저분자량 음이온성 폴리머 중 어느 하나를 단독으로, 또는 앞서 언급된 고분자량 폴리머 중 어느 하나 및 임의로 앞서 언급된 킬레이트화제 중 어느 하나와 함께 포함할 수 있다. 상기 방법은 혼합물을 공급 라인을 통해 장비의 구성요소에 이송시키는 방법을 추가로 포함한다. 장비의 구성요소는 예를 들어, 가온된 석회 소프트너, 열교환기, 및/또는 증발기를 포함할 수 있다. 혼합물이 본원에서 기술되는 레올로지 개질제를 포함하기 때문에, 공급 라인 상의 석회 침착물이 방지되거나 크게 감소됨으로써, 오염된 공급 라인을 세척하기 위해 공정을 중단하지 않고 가동을 계속할 수 있을 것이다.
상기 기술된 바와 같이, 특정 탄화수소 생성 공정에서, 못 또는 유사한 물 저장 디바이스가 탄화수소를 회수하는 것과 관련하여 사용되는 생성수를 저장하기 위해 제공된다. 이 생성수는 다수의 상이한 공급원으로부터 유래될 수 있고, 일반적으로 정제되지 않으며, 다량의 실리카를 함유할 수 있다. 따라서, 생성수가 가온된 석회 소프트너에 공급되어 오염물질을 제거하고, 석회 슬러리 및/또는 산화마그네슘 슬러리가 또한 가온된 석회 소프트너에 공급될 수 있다. 석회 및/또는 산화마그네슘 슬러리는 실리카 제거를 보조한다. 예를 들어, 실리카는 산화마그네슘 또는 석회 상에 침전할 수 있다. 특정 상황에서, 가온된 석회 소프트너 내측 매질의 pH가 실리카 침전을 촉진하도록 상승된다. 이후, 침전물을 물로부터 분리되고, 물이 가온된 석회 소프트너에서 장비의 다음 구성요소, 예컨대 열교환기 또는 스팀 발생기로 공급될 수 있다.
그러나, 전술된 바와 같이, 석회 슬러리 및 산화마그네슘 슬러리가 생성수로부터 실리카 제거를 용이하게 하는 이점을 제공하지만, 슬러리는 또한 슬러리를 가온된 석회 소프트너에 공급하는데 사용되는 공급 라인 상에 침착물을 형성시킬 수 있다. 특정 양태에서, 저장 디바이스는 석회 소프트너 부근에 구비된다. 저장 디바이스는 산화마그네슘 슬러리를 함유할 수 있다. 그 밖의 양태에서, 저장 디바이스는 가온된 석회 소프트너 부근에 구비된다. 저장 디바이스는 석회 슬러리를 함유할 수 있다. 추가의 양태에서, 두 개 이상의 저장 디바이스가 가온된 석회 소프트너 부근에 구비된다. 저장 디바이스 중 적어도 하나는 석회 슬러리를 함유하고, 저장 디바이스 중 적어도 하나는 산화마그네슘 슬러리를 함유한다. 공급 라인은 석회 슬러리 및 산화마그네슘 슬러리 저장 디바이스를 가온된 석회 소프트너에 연결시킨다. 추가로, 공급 라인은 이들 각각의 저장 디바이스로부터 석회 슬러리 및 산화마그네슘 슬러리를 가온된 석회 소프트너에 이송시키기 위해 사용된다. 상기 논의된 바와 같이, 이들 공급 라인은 석회 및/또는 산화마그네슘 침착물로 오염되게 될 것이고, 약 1 주일 내지 한달 후, 전체 가동은 정지되어야 할 것이고, 공급 라인은 수동으로, 또는 산으로 세척되어야 할 것이다. 그러나, 앞서 언급된 레올로지 개질제 중 하나 이상이 석회 및/또는 산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 경우, 공급 라인 침착물이 발생하지 않거나, 그것이 크게 감소될 것이다.
추가의 양태에서, 열교환기/증발기 내 오염을 방지하는 방법이 기술된다. 열교환기/증발기는 일반적으로 탄화수소 생성시에 사용된다. 상기 방법의 일 양태에서, 예를 들어 못으로부터의 생성수가 열교환기에 주입될 수 있고, 전술된 바와 같이, 생성수가 높은 수준의 오염물질, 예컨대 실리카를 함유할 수 있기 때문에, 열교환기가 오염될 수 있다. 저장 디바이스는 열교환기 부근에 위치될 수 있으며, 저장 디바이스는 산화마그네슘 슬러리를 함유할 수 있다. 산화마그네슘 슬러리는 공급 라인을 사용하여 열교환기에 공급되어 산화마그네슘 상의 실리카 침전을 촉진시킴에 의한 열교환기 오염을 감소시킬 수 있다. 실리카 이외에, 수중 다른 무기물이 또한 산화마그네슘 상에 침전할 수 있다. 산화마그네슘 첨가는 또한 수성 매질의 pH 증가시키고, 이는 또한 실리카 및 그 밖의 무기물 침전을 촉진시킨다. 그러나, 상기 기술된 바와 같이, 산화마그네슘 슬러리 공급 라인이 산화마그네슘 침착물로 인해 오염되게 되고, 결국 플러깅될 것이다. 따라서, 상기 방법은 또한 하나 이상의 앞서 기술된 레올로지 개질제를 산화마그네슘 슬러리에 첨가함으로써, 오염을 억제하거나, 오염을 크게 감소시키는 것을 고려한다.
예를 들어, 일 양태에서, 산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제는 약 1% 내지 약 10%의 가수분해된 폴리아크릴아미드 및 약 0.1% 내지 약 5%의 킬레이트화제를 포함하는 조성물과 폴리말레산과 AA/AMPS 코폴리머의 블렌드를 포함하는 조성물의 조합물을 포함한다. 또 다른 양태에서, 레올로지 개질제는 저분자량 폴리아크릴산을 포함한다. 추가의 양태에서, 레올로지 개질제는 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머를 포함한다. 또 다른 양태에서, 레올로지 개질제는 폴리말레산의 AA/AMPS 코폴리머과의 블렌드를 포함하고, 추가의 예시적 양태에서, 레올로지 개질제는 AA/AMPS 코폴리머를 포함한다.
실시예
하기 실시예는 본원에서 기술되는 레올로지의 유리한 기술적 효과를 설명한다. 제 1 실험 세트에서, 9% 석회 슬러리를 6 개의 개별 눈금 실린더에 첨가하였다. 레올로지 개질제를 눈금 실린더 번호 1에는 첨가하지 않았다. 그러나, 레올로지 개질제를 눈금 실린더 2-6에는 첨가하였다. 표 1과 관련하면, 첨가제 A를 기재된 양으로 눈금 실린더 2-5에 첨가하였다. 첨가제 B를 표 1에 기재된 양으로 눈금 실린더 6에 첨가하였다. 눈금 실린더 내 슬러리를 이후 6시간 동안 방치(셋팅(setting))되게 하였다. 이후, 눈금 실린더를 덮고, 뒤집었다. 표 1 내지 4에서 보여지는 데이터를 얻기 위해 상술된 절차를 수행하되, 상이한 셋팅 시간이 기재된 바와 같이 사용되고, 상이한 첨가제 등이 기재된 바와 같이 사용되었다. 눈금 실린더 내 석회 또는 산화마그네슘 슬러리를 완전히 분산시키는데 필요한 뒤집음(inversion)의 총수는 표에 기재된다. 특정 상황에서, 슬러리는 결코 완전히 분산되지 않았다. 보다 낮은 수의 뒤집음은 보다 효과적인 레올로지 개질제에 해당한다. 표에서, 눈금 실린더에 첨가되는 레올로지 개질제는 하기와 같이 정의된다:
첨가제 A = 15,000,000 초과의 분자량을 지니고, 28%의 활성 폴리머를 함유하는 아크릴산/아크릴아미드 (모노머 비 3/97)의 코폴리머.
첨가제 B = 1.6%의 가수분해된 폴리아크릴아미드 (1,000,000 초과의 분자량) 및 0.4% EDTA를 포함하는 조성물.
첨가제 C = 30%의 총 활성을 지닌, 18%의 폴리말레산 및 12%의 AA/AMPS 코폴리머의 블렌드.
첨가제 D = 28%의 AA/AMPS 코폴리머.
첨가제 E = 42%의 활성 저분자량(<5000) 폴리 아크릴산.
첨가제 F = 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머(40:20:40의 모노머 비).
첨가제 G = 50% 활성의 폴리말레산 폴리머.
첨가제 H = 50% 활성의, 폴리말레산/아크릴산 코폴리머(모노머 비 50/50).
표 1:
9% 석회 슬러리; 셋팅 시간 = 6 시간
Figure pct00001
표 2:
9% 석회 슬러리; 셋팅 시간 = 48.5 시간
Figure pct00002
Figure pct00003
표 3:
4% 산화마그네슘 슬러리, 셋팅 시간 = 15 시간
Figure pct00004
Figure pct00005
표 4:
4% 산화마그네슘 슬러리, 셋팅 시간 = 51 시간
Figure pct00006
본원에서 기술되고 청구되는 모든 조성물 및 방법은 본 기재에 비추어 과도한 실험 없이 이루어지고 실현될 수 있다. 본 발명의 다수의 상이한 형태로 구체화될 수 있지만, 본원에서는 본 발명의 특정 바람직한 구체예가 상세히 기술된다. 본 기재는 본 발명의 원리를 예시화하고 있고, 본 발명을 예시되는 특정 구체예로 제한하지 않고자 의도된다. 또한, 명백히 다르게 명시되지 않는 한, 용어 단수형의 사용은 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"을 포함하는 것으로 의도된다. 예를 들어, "디바이스"는 "적어도 하나의 디바이스" 또는 "하나 이상의 디바이스"를 포함하는 것으로 의도된다.
절대 용어 또는 근사 용어 중 어느 하나로 제시되는 어떠한 범위는 둘 모두를 포함하는 것으로 의도되고, 본원에서 사용되는 어떠한 정의는 명확히 하고자 하는 것이지, 제한하려고 하는 것은 아니다. 본 발명의 넓은 범위를 언급하는 수치적 범위 및 파라미터가 근사치임에도 불구하고, 특정 예에서 언급된 수치적 값은 가능한 한 정확하게 기록된 것이다. 그러나, 어떠한 수치적 값은 본래 필수적으로 그들 각각의 시험 측정에서 존재하는 표준 편차로부터 비롯되는 특정 오차를 지닌다. 또한, 본원에서 기재되는 모든 범위는 그 안에 포함되는 어떠한 하위범위 및 모든 하위범위(모든 부분 및 전체 값 포함)을 포함하는 것으로 이해해야 한다.
또한, 본 발명은 본원에서 기술되는 다양한 구체예중 일부 또는 전부 중 어느 하나 및 모든 가능한 조합을 포함한다. 또한, 본원에서 기술된 현재 바람직한 구체예에 대한 다양한 변경 및 변형이 당업자들에게 자명할 것으로 이해해야 한다. 이러한 변경 및 변형은 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고, 그것의 의도되는 이점을 축소시키지 않고 이루어질 수 있다. 그러므로, 이러한 변경 및 변형은 첨부되는 청구범위에 의해 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 석회 슬러리(lime slurry)의 레올로지(rheology)를 개질시키는 방법으로서,
    석회 슬러리를 제공하는 단계; 및
    레올로지 개질제(rheology modifying agent)를 석회 슬러리에 첨가하는 단계로서, 레올로지 개질제가 저분자량 음이온성 폴리머, 고분자량 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 킬레이트화제와 고분자량 폴리머의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 일원을 포함하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 석회 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제의 양이 약 0.1 ppm 내지 약 300 ppm, 약 1 내지 약 100 ppm, 및 약 2 ppm 내지 약 70 ppm로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 레올로지 개질제가 가수분해된 폴리아크릴아미드와 킬레이트화제의 혼합물, 아크릴산과 아크릴아미드의 고분자량 코폴리머, 저분자량 폴리 아크릴산, 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머, 및 폴리말레산 폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 고분자량 폴리머가 1,000,000 초과의 분자량을 갖고, 저분자량 음이온성 폴리머가 약 20,000 미만의 분자량을 갖는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 레올로지 개질제가 약 2% 가수분해된 폴리아크릴아미드 및 약 .5% 에틸렌디아민테트라아세트산을 포함하는 조성물, 약 5,000 미만의 분자량을 갖는 아크릴산 폴리머, 및 약 40% 아크릴산, 약 20% 아크릴아미드, 및 약 40% 설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 킬레이트화제가 에틸렌디아민테트라아세트산, 시트르산, 링고 설포네이트(lingo sulfonate), 디메르카프롤 (2,3-디메르캅토-1-프로판올), 프로핀, 및 이들의 어떠한 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  7. 산화마그네슘 슬러리의 레올로지를 개질시키는 방법으로서,
    산화마그네슘 슬러리를 제공하는 단계; 및
    레올로지 개질제를 산화마그네슘 슬러리에 첨가하는 단계로서, 레올로지 개질제가 저분자량 음이온성 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 일원을 포함하는 단계를 포함하는 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제의 양이 약 10 ppm 내지 약 300 ppm 및 약 30 ppm 내지 약 250 ppm로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  9. 제 7항에 있어서, 레올로지 개질제가 가수분해된 폴리아크릴아미드, 킬레이트화제, 폴리말레산, 및 AA/AMPS 코폴리머를 포함하는 조성물, 저분자량 폴리 아크릴산, 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머, 폴리말레산의 AA/AMPS 코폴리머와의 블렌드, 및 AA/AMPS 코폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  10. 제 7항에 있어서, 고분자량 폴리머가 1,000,000 초과의 분자량을 갖고, 저분자량 음이온성 폴리머가 약 20,000 미만의 분자량을 갖는 방법.
  11. 탄화수소 생성 공정 동안 오염을 방지하는 방법으로서,
    석회 슬러리를 제공하는 단계;
    레올로지 개질제를 석회 슬러리에 첨가하여 혼합물을 형성하는 단계로서,
    a) 레올로지 개질제가 저분자량 음이온성 폴리머, 고분자량 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 킬레이트화제와 고분자량 폴리머의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 일원을 포함하는 단계;
    공급 라인을 통해 혼합물을 가온된 석회 소프트너(warm lime softener)에 이송하는 단계; 및
    공급 라인에서의 오염을 방지하는 단계를 포함하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 석회 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제의 양이 약 0.1 ppm 내지 약 300 ppm, 약 1 내지 약 100 ppm, 및 약 2 ppm 내지 약 70 ppm로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  13. 제 11항에 있어서, 레올로지 개질제가 가수분해된 폴리아크릴아미드와 킬레이트화제의 혼합물, 아크릴산과 아크릴아미드의 고분자량 코폴리머, 저분자량 폴리 아크릴산, 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머, 및 폴리말레산 폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  14. 제 11항에 있어서, 고분자량 폴리머가 1,000,000 초과의 분자량을 갖고, 저분자량 음이온성 폴리머가 약 20,000 미만의 분자량을 갖는 방법.
  15. 제 11항에 있어서, 레올로지 개질제가 약 2% 가수분해된 폴리아크릴아미드 및 약 .5% 에틸렌디아민테트라아세트산을 포함하는 조성물, 약 5,000 미만의 분자량을 갖는 아크릴산 폴리머, 및 약 40% 아크릴산, 약 20% 아크릴아미드, 및 약 40% 설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  16. 제 11항에 있어서, 킬레이트화제가 에틸렌디아민테트라아세트산, 시트르산, 링고 설포네이트, 디메르카프롤 (2,3-디메르캅토-1-프로판올), 프로핀, 및 이들의 어떠한 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  17. 탄화수소 생성 공정 동안 오염을 방지하는 방법으로서,
    산화마그네슘 슬러리를 제공하는 단계;
    레올로지 개질제를 산화마그네슘 슬러리에 첨가하여 혼합물을 형성시키는 단계로서,
    a) 레올로지 개질제가 저분자량 음이온성 폴리머, 저분자량 음이온성 폴리머와 고분자량 폴리머의 혼합물, 및 킬레이트화제, 고분자량 폴리머, 및 저분자량 음이온성 폴리머의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 일원을 포함하는 단계;
    혼합물을 공급 라인을 통해 장비의 구성요소에 이송하는 단계; 및
    파이프라인(pipeline)에서 오염을 방지하는 단계를 포함하는 방법.
  18. 제 17항에 있어서, 장비의 구성요소가 가온된 석회 소프트너, 열교환기, 및 증발기로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  19. 제 17항에 있어서, 산화마그네슘 슬러리에 첨가되는 레올로지 개질제의 양이 약 10 ppm 내지 약 300 ppm 및 약 30 ppm 내지 약 250 ppm으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  20. 제 17항에 있어서, 레올로지 개질제가 가수분해된 폴리아크릴아미드, 킬레이트화제, 폴리말레산, 및 AA/AMPS 코폴리머를 포함하는 조성물, 저분자량 폴리 아크릴산, 아크릴산:아크릴아미드:설포네이트화된 아크릴아미드를 포함하는 터폴리머, 폴리말레산의 AA/AMPS 코폴리머와의 블렌드, 및 AA/AMPS 코폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
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