KR20160001508A - 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 - Google Patents

헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 Download PDF

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KR20160001508A
KR20160001508A KR1020140080161A KR20140080161A KR20160001508A KR 20160001508 A KR20160001508 A KR 20160001508A KR 1020140080161 A KR1020140080161 A KR 1020140080161A KR 20140080161 A KR20140080161 A KR 20140080161A KR 20160001508 A KR20160001508 A KR 20160001508A
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김지희
장소현
김용우
김현동
음성진
이주동
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희성소재 (주)
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Abstract

본 명세서는 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자에 관한 것이다.

Description

헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자{HETERO-CYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME}
본 명세서는 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기발광소자는 2개의 전극 사이에 유기박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기발광소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기박막의 재료로서, 정공주입, 정공수송, 전자블록킹, 정공블록킹, 전자수송 또는 전자주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기발광소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 명세서는 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이고,
R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴이거나, R3 과 R4 또는 R4와 R5는 서로 결합하여 고리를 형성하고,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기발광소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화합물은 유기발광소자에서 정공저지층, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등의 재료로서 사용될 수 있다. 특히, 상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자의 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 의 재료로서 사용될 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 화합물은 공통층 또는 발광층(EML)의 재료로서 사용될 수 있다. 여기서, 공통층이란 발광층 이외의 층을 의미한다.
도 1 내지 3은 본 출원의 실시상태들에 따른 유기발광소자의 전극과 유기물층의 적층순서를 예시한 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 상기 화학식 1로 표시될 수 있다. 구체적으로, 상기 화학식 1의 화합물은 상기와 같은 코어 구조 및 치환기의 구조적 특징에 의하여 유기발광소자의 유기물층 재료로 사용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"이란 중수소; 할로겐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; C1 내지 C20의 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 치환기들 중 2 이상이 결합된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 상기 추가의 치환기들은 추가로 더 치환될 수도 있다. 상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서에 있어서, 알킬은 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알킬의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알케닐은 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알케닐의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알키닐은 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 알키닐의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬은 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 시클로알킬의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로시클로알킬은 헤테로원자로서 O, S, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 헤테로시클로알킬의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴은 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 헤테로아릴 등일 수도 있다. 아릴은 스피로기를 포함한다. 아릴의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 25일 수 있다. 아릴의 구체적인 예로는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 나프틸, 안트릴, 크라이세닐, 페난트레닐, 페릴레닐, 플루오란테닐, 트리페닐레닐, 페날레닐, 파이레닐, 테트라세닐, 펜타세닐, 플루오레닐, 인데닐, 아세나프틸, 벤조플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 2,3-디하이드로-1H-인데닐, 5H-나프토[3,2,1-de]안트라세닐, 및 1,3-디히드로인데노[2,1-b]플루오레닐 등이나 이들의 축합고리가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 스피로기는 스피로 구조를 포함하는 기로서, 탄소수 15 내지 60일 수 있다. 예컨대, 스피로기는 플루오렌기에 2,3-디하이드로-1H-인덴기 또는 시클로헥산기가 스피로 결합된 구조를 포함할 수 있다. 구체적으로, 스피로기는 하기 구조식의 기를 포함한다.
Figure pat00002
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 헤테로원자로서 S, O, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로아릴이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴 등일 수도 있다. 헤테로아릴의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 25일 수 있다. 헤테로아릴의 구체적인 예로는 피리딜, 피롤릴, 피리미딜, 피리다지닐, 푸라닐, 티오펜기, 이미다졸릴, 피라졸릴, 옥사졸릴, 이속사졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 트리아졸릴, 푸라자닐, 옥사디아졸릴, 티아디아졸릴, 디티아졸릴, 테트라졸릴, 파이라닐, 티오파이라닐, 디아지닐, 옥사지닐, 티아지닐, 디옥시닐, 트리아지닐, 테트라지닐, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 퀴나졸리닐, 이소퀴나졸리닐, 퀴노졸리릴, 나프티리딜, 아크리딜, 페난트릴, 이미다조피리딜, 디아자나프틸, 트리아자인덴, 인돌릴, 인돌리지닐, 벤조티아졸릴, 벤즈옥사졸릴, 벤조이미다졸릴, 벤조티오펜기, 벤조푸란기, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 카바졸릴, 벤조카바졸릴, 디벤조카바졸릴, 페나지닐, 디벤조실롤, 스피로비(디벤조실롤), 디히드로페나지닐, 페녹사지닐, 이미다조피리딜, 티에닐, 인돌로[2,3-a]카바졸릴, 인돌로[2,3-b]카바졸릴, 인돌릴, 10,11-디하이드로-디벤조[b,f]아제핀기, 9,10-디히드로아크리딜, 페난트라지닐, 페노티아티아지닐, 프탈라지닐, 나프틸리디닐, 페난트롤리닐, 벤조[c][1,2,5]티아디아졸릴, 5,10-디하이드로디벤조[b,e][1,4]아자실리닐, 피라졸로[1,5-c]퀴나졸리닐, 피리도[1,2-b]인다졸릴, 피리도[1,2-a]이미다조[1,2-e]인돌릴, 5,11-디하이드로인데노[1,2-b]카바졸릴, 디벤조[c, h]아크리딜, 1,3-디히드로인데노[2,1-b]카바졸릴, 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴, 5,8-디히드로인돌로[2,3-c]카바졸릴, 5,8-디히드로인데노[2,3-c]카바졸릴 및 피라졸로[5,1-a]이소퀴놀릴 등이나 이들의 축합고리가 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면,
본 명세서에 전술한 화학식 1에 있어서, R1은 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 R1은 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 R1은 치환 또는 비치환된 페닐; 치환 또는 비치환된 나프틸; 치환 또는 비치환된 파이레닐; 치환 또는 비치환된 플루오레닐; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이고,
상기 R1이 치환되는 경우 치환기는 중수소, 할로겐, -SiRR’R”, -P(=O)RR’, C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴 중에서 선택되며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 R1은 페닐; 카바졸릴로 치환된 페닐; 메틸 또는 페닐로 치환된 피라졸로[5,1-a]이소퀴놀릴로 치환된 페닐; 페닐로 치환된 나프틸; 나프틸; 메틸로 치환된 플루오레닐; 페닐로 치환된 플루오레닐; 파이레닐; 또는 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면,
본 명세서에 전술한 화학식 1에 있어서, R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴이고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴이고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 페닐; 치환 또는 비치환된 플루오레닐; 치환 또는 비치환된 안트라세닐; 또는 치환 또는 비치환된 5H-나프토[3,2,1-de]안트라세닐이고,
상기 R2 내지 R5가 치환되는 경우 치환기는 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴이며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면,
본 명세서에 전술한 화학식 1에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 및 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 및 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 치환 또는 비치환된 페닐; 치환 또는 비치환된 비페닐; 치환 또는 비치환된 나프틸; 치환 또는 비치환된 안트릴; 치환 또는 비치환된 트리페닐; 치환 또는 비치환된 파이레닐; 치환 또는 비치환된 플루오레닐; 치환 또는 비치환된 스피로비플루오레닐; 치환 또는 비치환된 피리딜; 치환 또는 비치환된 피리미딜; 치환 또는 비치환된 트리아지닐; 치환 또는 비치환된 디벤조티오헤닐; 치환 또는 비치환된 카바졸릴; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,1-b]플루오레닐; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,1-b]카바졸릴; 또는 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,3-b]카바졸릴이고,
상기 Ar1 및 Ar2이 치환되는 경우 치환기는 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴이며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 -(L)m-(Z)n이고,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌이며,
m은 1 내지 3의 정수이고,
n은 1 내지 3의 정수이며,
Z는 수소; 중수소; 할로겐; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; -P(=O)R6R7; -SiR8R9R10; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R6 내지 R10은 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 L은 직접결합; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴렌; 또는 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌이며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 L은 직접결합; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴렌; 또는 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌이며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 L 은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌; 치환 또는 비치환된 비페닐렌; 치환 또는 비치환된 나프틸렌; 치환 또는 비치환된 안트릴렌; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌; 치환 또는 비치환된 파이레닐렌; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌; 치환 또는 비치환된 스피로플루오레닐렌; 치환 또는 비치환된 피리딜렌; 치환 또는 비치환된 피리미딜렌; 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌; 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,1-b]플루오레닐렌; 1,3-디히드로인데노[2,1-b]카바졸릴렌; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴렌; 치환 또는 비치환된 피라졸로[1,5-c]퀴나졸릴렌; 치환 또는 비치환된 5H-나프토[3,2,1-de]안트라세닐렌; 치환 또는 비치환된 5,8-디히드로인데노[2,3-c]카바졸릴렌; 치환 또는 비치환된 피라졸로[5,1-a]이소퀴놀릴렌; 치환 또는 비치환된 9,10-디히드로아크리딜렌; 또는 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴렌이고,
상기 L이 치환되는 경우, 치환기는 중수소, 할로겐, -SiRR’R”, -P(=O)RR’, C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴 중에서 선택되며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 L 은 직접결합; 페닐렌; 비페닐렌; 나프틸렌; 안트릴렌; 트리페닐렌; 파이레닐렌; 플루오레닐렌; 스피로플루오레닐렌; 피리딜렌; 피리미딜렌; 트리아지닐렌; 2가의 디벤조티오펜기; 카바졸릴렌; 1,3-디히드로인데노[2,1-b]플루오레닐렌; 1,3-디히드로인데노[2,1-b]카바졸릴렌; 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴렌; 피라졸로[1,5-c]퀴나졸릴렌; 5H-나프토[3,2,1-de]안트라세닐렌; 5,8-디히드로인데노[2,3-c]카바졸릴렌; 피라졸로[5,1-a]이소퀴놀릴렌; 9,10-디히드로아크리딜렌; 또는 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴렌이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
Z는 수소; 중수소; 할로겐; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; -P(=O)R6R7; -SiR8R9R10; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R6 내지 R10은 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
Z는 수소; 중수소; 할로겐; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; -P(=O)R6R7; -SiR8R9R10; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 중수소, 할로겐, -SiRR'R", -P(=O)RR', C1 내지 C20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 아릴 및 C2 내지 C60의 헤테로아릴 중에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R6 내지 R10은 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이고,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 Z는 수소; 중수소; 할로겐; 메틸; 치환 또는 비치환된 비닐; -P(=O)R6R7; -SiR8R9R10; 치환 또는 비치환된 페닐; 치환 또는 비치환된 비페닐; 치환 또는 비치환된 나프틸; 치환 또는 비치환된 안트릴; 치환 또는 비치환된 페난트레닐; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐; 치환 또는 비치환된 파이레닐; 치환 또는 비치환된 플루오레닐; 치환 또는 비치환된 스피로플루오레닐; 치환 또는 비치환된 피리딜; 치환 또는 비치환된 피리미딜; 치환 또는 비치환된 트리아지닐; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,1-b]플루오레닐; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,1-b]카바졸릴; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴; 치환 또는 비치환된 5H-나프토[3,2,1-de]안트라세닐; 치환 또는 비치환된 퀴놀릴; 치환 또는 비치환된 9,10-디히드로아크리딜; 치환 또는 비치환된 이미다조[1,2-a]피리딜; 치환 또는 비치환된 피라졸로[1,5-c]퀴나졸릴; 치환 또는 비치환된 5,8-디히드로인돌로[2,3-c]카바졸릴; 치환 또는 비치환된 디알킬아민; 치환 또는 비치환된 디아릴아민; 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민; 치환 또는 비치환된 알킬아릴아민; 치환 또는 비치환된 알킬헤테로아릴아민; 및 치환 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R6 내지 R10은 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이고,
상기 Z가 치환되는 경우 치환기는 중수소, 할로겐, -SiRR’R”, -P(=O)RR’, C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴 중에서 선택되며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 Z는 수소; 중수소; 할로겐; 메틸; 비닐; -P(=O)R6R7; -SiR8R9R10; 페닐; 비페닐; 나프틸; 안트릴; 페난트레닐; 트리페닐레닐; 파이레닐; 플루오레닐; 스피로플루오레닐; 피리딜; 피리미딜; 트리아지닐; 디벤조티오펜기; 카바졸릴; 1,3-디히드로인데노[2,1-b]플루오레닐; 1,3-디히드로인데노[2,1-b]카바졸릴; 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴; 5H-나프토[3,2,1-de]안트라세닐; 치환 또는 비치환된 퀴놀릴; 치환 또는 비치환된 9,10-디히드로아크리딜; 치환 또는 비치환된 이미다조[1,2-a]피리딜; 치환 또는 비치환된 피라졸로[1,5-c]퀴나졸릴; 5,8-디히드로인돌로[2,3-c]카바졸릴; 치환 또는 비치환된 디알킬아민; 치환 또는 비치환된 디아릴아민; 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민; 치환 또는 비치환된 알킬아릴아민; 치환 또는 비치환된 알킬헤테로아릴아민; 및 치환 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
R6 내지 R10은 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이고,
상기 Z가 치환되는 경우 치환기는 중수소, 할로겐, -SiRR’R”, -P(=O)RR’, C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴 중에서 선택되며,
상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면,
상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 2]
Figure pat00003
상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R5는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
Ar3는 수소; 중수소; 할로겐; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이며,
Ar4는 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 Ar3는 수소; 중수소; 할로겐; 또는 치환 또는 비치환된 페닐이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면,
상기 Ar4는 치환 또는 비치환된 페닐렌; 치환 또는 비치환된 비페닐렌; 치환 또는 비치환된 나프틸렌; 치환 또는 비치환된 안트릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 파이레닐렌이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면,
상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택될 수 있다.
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
전술한 화합물들은 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다. 필요에 따라 나머지 위치의 치환기의 종류 또는 위치를 변경하는 것은 당업자가 당 기술분야에 알려져 있는 기술을 이용하여 수행할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 출원을 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 출원을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
예컨대, 상기 화학식 1과 관련하여, 하기 일반식 1과 같이 코어구조가 제조될 수 있다.
치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기 위치나 치환기의 개수는 당 기술 분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.
[일반식 1]
Figure pat00010
일반식 1에 있어서, Q는 전술한 실시상태에 따른 화학식 1에서 정의한 R1과 동일하고, 일반식 1은 상기 화학식 1의 코어구조에서 R1위치에 치환기를 결합시키는 반응의 예시이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는 전술한 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다. 구체적으로, 본 출원에 따른 유기발광소자는 양극, 음극 및 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
도 1 내지 3에 본 출원의 실시상태들에 따른 유기발광소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 출원의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기발광소자의 구조가 본 출원에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기발광소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기발광소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기발광소자는 정공주입층(301), 정공수송층(302), 발광층(303), 정공저지층(304), 전자수송층(305) 및 전자주입층(306)을 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층구조에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
본 명세서에 따른 유기발광소자는 유기물층 중 1층 이상에 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 단독으로 유기발광소자의 유기물층 중 1층 이상을 구성할 수 있다. 그러나, 필요에 따라 다른 물질과 혼합하여 유기물층을 구성할 수도 있다.
상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자에서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층의 재료 등으로 사용될 수 있다. 한 예로서, 상기 화학식 1의 화합물은 유기발광소자의 공통층 또는 발광층의 재료로서 사용될 수 있다. 여기서, 공통층이란 발광층 이외의 층을 의미한다.
본 명세서에 따른 유기발광소자에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다.
정공주입재료로는 공지된 정공주입재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 용해성이 있는 전도성 고분자인 Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid: 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonic acid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrene-sulfonate):폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 사용할 수 있다.
정공수송재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자수송재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질 뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자주입재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 출원이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우 2 이상의 발광재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 발광재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 출원을 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 출원을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
[제조 예 1] 화합물 1 및 2-1의 제조
Figure pat00011
화합물 1-6 의 제조
화합물 클로로아세트산(Chloroacetic acid) 32.1 g (340 mmol)를 H2O 62mL에 녹인 후 트리에틸아민(Triethyl amine) 62mL를 천천히 가한 후 2-아미노피리딘(2-Aminopyridine) 40 g (425 mmol)을 넣고 90℃에서 5시간 반응하였다. 실온으로 식힌 후 에틸 알코올(Ethyl alcohol) 40mL를 넣어 0℃에서 2시간 반응하고 여과(Filter)하여 목적 화합물 1-6 39.5 g (76%)을 얻었다.
화합물 1-5 의 제조
화합물 1-6 39.5 g (260 mmol)을 톨루엔(Toluene) (350 mL)에 녹인 후 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride) 73 mL (780 mol)을 실온에서 천천히 넣고 100℃에서 16시간 반응했다. 0℃에서 10% NaOH로 중성을 만든 후 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 에틸 아세테이트(Ethyl acetate)=4:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 1-5 38.5 g (97%)을 얻었다.
화합물 1-4 의 제조
화합물 1-5 38.5 g (250 mmol)을 0℃에서 H2SO4 380mL, HNO3 38 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 3.5시간 반응하고 0℃에서 얼음을 넣어 고체가 생성되면 여과(Filter)하여 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하여 목적 화합물 1-4 34.5 g (69%)을 얻었다.
화합물 1-3 의 제조
화합물 1-4 25 g (125 mmol), 페닐보로닉 에시드(Phenylboronic acid) 30.5 g (250 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 7.22 g (6.25 mmol), Na2CO3 53 g (500 mmol), 디메틸에테르(DME) 300 mL, H2O 150 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 5시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 1-3 23.6 g (79%)을 얻었다.
화합물 1-2 의 제조
화합물 1-3 23.6 g (98.4 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 66.6 g (295 mmol), HCl 60 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 1-2 20 g (97%)을 얻었다.
화합물 1-1 의 제조
화합물 1-2 20 g (92.2 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 33.6 g (185 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 1.69 g (1.85 mmol), 잔포스(Xantphos) 2.13 g (3.69 mmol), LiCl 7.82 g (185 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 17.7 g (185 mmol), 톨루엔(Toluene) 300 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 1시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry) 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 1-1 13 g (50%)을 얻었다.
화합물 1 및 2-1 의 제조
화합물 1-1 7.2 g (25.2 mmol)를 o-자일렌(o-Xylene) 150 mL에 녹인 후, 1,6-디브로모파이렌(1,6-Dibromopyrene) 9.08 g (25.2 mmol), 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 4.04 g (100.8 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 462 mg (0.505mmol), 2,2′-비스(디페닐포스피노)-1,1′-비나프탈렌(2,2′-Bis(diphenylphosphino)-1,1′-binaphthalene) 628 mg (1.01 mmol)을 넣고 150℃에서 24시간 환류하였다. 반응이 종결되면 디클로로메탄(MC)과 H2O로 추출한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:4을 사용하여 컬럼크로마토크래피로 분리 정제하여 목적 화합물 1 9.3 g (48%), 목적 화합물 2-1 4.98 g (35%)을 얻었다.
[제조 예 2] 화합물 2의 제조
Figure pat00012
화합물 2-3 의 제조
화합물 2,4-디브로모-6-플루오라닐린(2,4-dibromo-6-fluoroaniline) 40 g (149 mmol), 페닐보로닉 에시드(Phenylboronic acid) 39.9 g (327 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 8.59 g (7.44 mmol), K2CO3 82 g (595 mmol), 톨루엔(Toluene) 600 mL, H2O 150 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=20:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 2-3 32.9 g (85%)을 얻었다.
화합물 2-2 의 제조
화합물 2-3 32.9 g (125 mmol), 브로모벤젠(Bromobenzene) 17.7 g (112 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 2.29 g (2.50 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 3.11 g (5.00 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 13.2 g (137 mmol), 톨루엔(Toluene) 400 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=10:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 2-2 33.1 g (78%)을 얻었다.
화합물 2 의 제조
화합물 2-2 3.35 g (9.86 mmol), 화합물 2-2 4.64 g (8.22 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 181 mg (0.19 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 205 mg (0.39 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 658 mg (16.4 mmol), o-자일렌(o-Xylene) 100 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:40을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 2 3.38 g (51%)을 얻었다.
[제조 예 3] 화합물 51의 제조
Figure pat00013
화합물 51-3 의 제조
화합물 1-4 10 g (50.6 mmol), 나프탈렌-1-일보로닉 에시드(naphthalen-1-ylboronic acid) 17.4 g (101 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 2.92 g (2.5 mmol), Na2CO3 21.5 g (202 mmol), 디메틸에테르(DME) 100 mL, H2O 50 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 5시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 51-3 10.8 g (74%)을 얻었다.
화합물 51-2 의 제조
화합물 51-3 10.8 g (37.4 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 25.3 g (112 mmol), HCl 20 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 51-2 8.9 g (92%)을 얻었다.
화합물 51-1 의 제조
화합물 51-2 8.9 g (34.4 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 8.4 g (41.3 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 630 mg (0.69 mmol), 잔포스(Xantphos) 796 mg (1.38 mmol), LiCl 2.92 g (68.8 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 6.61 g (68.8 mmol), 톨루엔(Toluene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 1시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 51-1 5.54 g (48%)을 얻었다.
화합물 51 의 제조
화합물 51-1 5.54 g (16.5 mmol), 화합물 9-(3-브로모페닐)-9H-카바졸(9-(3-bromophenyl)-9H-carbazole) 6.38 g (19.8 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 302 mg (0.33 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 411 mg (0.66 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 2.64 g (66 mmol), o-자일렌(o-Xylene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:40을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 51 4.38 g (46%)을 얻었다.
[제조 예 4] 화합물 52의 제조
Figure pat00014
화합물 52-1 의 제조
화합물 1-2 9 g (43 mmol), 1-브로모나프탈렌(1-bromonaphthalene) 10.7 g (51.6 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 788 mg (0.86 mmol), 잔포스(Xantphos) 995 mg (1.72 mmol), LiCl 3.64 g (86 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 8.27 g (86 mmol), 톨루엔(Toluene) 200 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 2시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 52-1 6.64 g (46%)을 얻었다.
화합물 52 의 제조
화합물 52-1 6.64 g (19.8 mmol), 화합물 (4-브로모페닐)트리페닐실란((4-bromophenyl)triphenylsilane) 9.86 g (23.7 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 362 mg (0.40 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 492 mg (0.79 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 1.58 g (39.6 mmol), o-자일렌(o-Xylene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:40을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 52 5.44 g (41%)을 얻었다.
[제조 예 5] 화합물 65의 제조
Figure pat00015
화합물 65-3 의 제조
화합물 1-4 10 g (50.6 mmol), (3-(9H-카바졸-9-일)페닐)보로닉 에시드((3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)boronic acid) 29.1 g (101 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 2.92 g (2.5 mmol), Na2CO3 21.5 g (202 mmol), 디메틸에테르(DME) 100 mL, H2O 50 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:4을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 65-3 12.7 g (62%)을 얻었다.
화합물 65-2 의 제조
화합물 65-3 12.7 g (31.4 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 21.2 g (94.1 mmol), HCl 15 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 65-2 10.5 g (89%)을 얻었다.
화합물 65-1 의 제조
화합물 65-2 10.5 g (27.9 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 6.84 g (33.5 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 511 mg (0.56 mmol), 잔포스(Xantphos) 646 mg (1.12 mmol), LiCl 2.37 g (55.9 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 5.37 g (55.9 mmol), 톨루엔(Toluene) 200 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 3시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:4을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry) 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 65-1 5.28 g (42%)을 얻었다.
화합물 65 의 제조
화합물 65-1 5.28 g (11.7 mmol), 화합물 1-브로모-4-페닐나프탈렌(1-bromo-4-phenylnaphthalene) 3.99 g (14.1 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 215 mg (0.23 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 292 mg (0.47 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 1.88 g (46.9 mmol), o-자일렌(o-Xylene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:40을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 65 2.91 g (38%)을 얻었다.
[제조 예 6] 화합물 74의 제조
Figure pat00016
화합물 74-6 의 제조
화합물 클로로아세트산(Chloroacetic acid) 10.5 g (111 mmol), H2O 20mL에 녹인 후 트리에틸아민(Triethyl amine) 20mL를 천천히 가한 후 3-Aminoisoquinoline 20 g (139 mmol)을 넣고 90℃에서 5시간 반응하였다. 실온으로 식힌 후 에틸 알코올(Ethyl alcohol) 20mL를 넣어 0℃에서 2시간 반응하고 여과(Filter)하여 목적 화합물 74-6 19.6 g (70%)을 얻었다.
화합물 74-5 의 제조
화합물 74-6 19.6 g (97.1 mmol)을 톨루엔(Toluene) (200 mL)에 녹인 후 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride) 27 mL (291 mol)을 실온에서 천천히 넣고 100℃에서 16시간 반응하였다. 0℃에서 10% NaOH로 중성을 만든 후 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 에틸 아세테이트(Ethyl acetate)=4:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 74-5 18.3 g (93%)을 얻었다.
화합물 74-4 의 제조
화합물 74-5 18.3 g (90.1 mmol)을 0℃에서 H2SO4 180mL, HNO3 18 mL를 넣고 질소치환 하였다. 실온에서 3.5시간 반응하고 0℃에서 얼음을 넣어 고체가 생성되면 여과(Filter)하여 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하여 목적 화합물 74-4 14.5 g (65%)을 얻었다.
화합물 74-3 의 제조
화합물 74-4 14.5 g (58.6 mmol), 페닐보로닉 에시드(Phenylboronic acid) 14.3 g (117 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 3.38 g (2.93 mmol), Na2CO3 24.8 g (234 mmol), 디메틸에테르(DME) 100 mL, H2O 50 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 8시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 74-3 12.9 g (76%)을 얻었다.
화합물 74-2 의 제조
화합물 74-3 12.9 g (44.5 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 30.1 g (134 mmol), HCl 20 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 74-2 10.8 g (94%)을 얻었다.
화합물 74-1 의 제조
화합물 74-2 10.8 g (41.6 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 10.2 g (50 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 763 mg (0.83 mmol), 잔포스(Xantphos) 964 mg (1.66 mmol), LiCl 3.53 g (83.3 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 8.0 g (83.3 mmol), 톨루엔(Toluene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 3시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 74-1 6.42 g (46%)을 얻었다.
화합물 74 의 제조
화합물 74-1 6.42 g (19.1 mmol), 화합물 1-(3-브로모페닐)나프탈렌(1-(3-bromophenyl)naphthalene) 6.50 g (22.9 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 350 mg (0.38 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 477 mg (0.76 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 3.06 g (75.5 mmol), o-자일렌(o-Xylene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:40을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 74 2.91 g (38%)을 얻었다.
[제조 예 7] 화합물 75의 제조
Figure pat00017
화합물 75-6 의 제조
화합물 클로로아세트산(Chloroacetic acid) 10.5 g (111 mmol), H2O 20mL에 녹인 후 트리에틸아민(Triethyl amine) 20mL를 천천히 가한 후 2-아미노퀴놀린(2-Aminoquinoline) 20 g (139 mmol)을 넣고 90℃에서 5시간 반응하였다. 실온으로 식힌 후 에틸 알코올(Ethyl alcohol) 20mL를 넣어 0℃에서 2시간 반응하고 여과(Filter)하여 목적 화합물 75-6 19.8 g (71%)을 얻었다.
화합물 75-5 의 제조
화합물 75-6 19.8 g (97.1 mmol)을 톨루엔(Toluene) (200 mL)에 녹인 후 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride) 27 mL (291 mol)을 실온에서 천천히 넣고 100℃에서 16시간 반응하였다. 0℃에서 10% NaOH로 중성을 만든 후 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 에틸 아세테이트(Ethyl acetate)=4:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 75-5 18.1 g (92%)을 얻었다.
화합물 75-4 의 제조
화합물 75-5 18.1 g (90.1 mmol)을 0℃에서 H2SO4 180mL, HNO3 18 mL를 넣고 질소치환 하였다. 실온에서 3.5시간 반응하고 0℃에서 얼음을 넣어 고체가 생성되면 여과(Filter)하여 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하여 목적 화합물 75-4 14.2 g (63%)을 얻었다.
화합물 75-3 의 제조
화합물 75-4 14.2 g (58.6 mmol), 페닐보로닉 에시드(Phenylboronic acid) 14.3 g (117 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 3.38 g (2.93 mmol), Na2CO3 24.8 g (234 mmol), 디메틸에테르(DME) 100 mL, H2O 50 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 8시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 75-3 12.1 g (73%)을 얻었다.
화합물 75-2 의 제조
화합물 75-3 12.1 g (44.5 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 30.1 g (134 mmol), HCl 20 mL를 넣고 질소치환 하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 75-2 10.3 g (93%)을 얻었다.
화합물 75-1 의 제조
화합물 75-2 10.3 g (41.6 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 10.2 g (50 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 763 mg (0.83 mmol), 잔포스(Xantphos) 964 mg (1.66 mmol), LiCl 3.53 g (83.3 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 8.0 g (83.3 mmol), 톨루엔(Toluene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 3시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:2을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry) 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 75-1 6.39 g (45%)을 얻었다.
화합물 75 의 제조
화합물 75-1 6.39 g (19.1 mmol), 화합물 1-(3-브로모페닐)나프탈렌(1-(3-bromophenyl)naphthalene) 6.50 g (22.9 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 350 mg (0.38 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 477 mg (0.76 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 3.06 g (75.5 mmol), o-자일렌(o-Xylene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:40을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 75 2.93 g (39%)을 얻었다.
[제조 예 8] 화합물 76의 제조
Figure pat00018
화합물 76-6 의 제조
화합물 클로로아세트산(Chloroacetic acid) 8.88 g (93.9 mmol), H2O 17mL에 녹인 후 트리에틸아민(Triethyl amine) 17mL를 천천히 가한 후 2-아미노-4-페닐피리딘(2-Amino-4-phenylpyridine) 20 g (117 mmol)을 넣고 90℃에서 5시간 반응하였다. 실온으로 식힌 후 에틸 알코올(Ethyl alcohol) 20mL를 넣어 0℃에서 2시간 반응하고 여과(Filter)하여 목적 화합물 76-6 19.5 g (73%)을 얻었다.
화합물 76-5 의 제조
화합물 76-6 19.5 g (85.4 mmol)을 톨루엔(Toluene) (200 mL)에 녹인 후 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride) 24 mL (256 mol)을 실온에서 천천히 넣고 100℃에서 16시간 반응하였다. 0℃에서 10% NaOH로 중성을 만든 후 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 에틸 아세테이트(Ethyl acetate)=5:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 76-5 18.4 g (94%)을 얻었다.
화합물 76-4 의 제조
화합물 76-5 18.4 g (80.3 mmol)을 0 ℃에서 H2SO4 180mL, HNO3 18 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 3.5시간 반응하고 0℃에서 얼음을 넣어 고체가 생성되면 여과(Filter)하여 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하여 목적 화합물 76-4 15.6 g (71%)을 얻었다.
화합물 76-3 의 제조
화합물 76-4 15.6 g (56.9 mmol), 페닐보로닉 에시드(Phenylboronic acid) 13.9 g (114 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 3.29 g (2.85 mmol), Na2CO3 24.2 g (228 mmol), 디메틸에테르(DME) 100 mL, H2O 50 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 8시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:3을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 76-3 11.3 g (63%)을 얻었다.
화합물 76-2 의 제조
화합물 76-3 11.3 g (35.8 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 24.3 g (108 mmol), HCl 20 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 76-2 9.4 g (92%)을 얻었다.
화합물 76-1 의 제조
화합물 76-2 9.4 g (32.9 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 8.06 g (40 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 603 mg (0.66 mmol), 잔포스(Xantphos) 762 mg (1.32 mmol), LiCl 2.79 g (65.8 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 6.33 g (65.8 mmol), 톨루엔(Toluene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 4시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:3을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 76-1 5.71 g (48%)을 얻었다.
화합물 76 의 제조
화합물 76-1 5.71 g (15.8 mmol), 화합물 2-bromotriphenylene 5.84 g (18.9 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 289 mg (0.32 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 394 mg (0.63 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 2.53 g (63.2 mmol), o-자일렌(o-Xylene) 100 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:50을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 76 4.09 g (44%)을 얻었다.
[제조 예 9] 화합물 77의 제조
Figure pat00019
화합물 77-6 의 제조
화합물 클로로아세트산(Chloroacetic acid) 8.88 g (93.9 mmol), H2O 17mL에 녹인 후 트리에틸아민(Triethyl amine) 17mL를 천천히 가한 후 2-아미노-5-페닐피리딘(2-Amino-5-phenylpyridine) 20 g (117 mmol)을 넣고 90℃에서 5시간 반응하였다. 실온으로 식힌 후 에틸 알코올(Ethyl alcohol) 20mL를 넣어 0℃에서 2시간 반응하고 여과(Filter)하여 목적 화합물 77-6 20 g (75%)을 얻었다.
화합물 77-5 의 제조
화합물 77-6 20 g (87.8 mmol)을 톨루엔(Toluene) (200 mL)에 녹인 후 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride) 24.5 mL (263 mol)을 실온에서 천천히 넣고 100℃에서 16시간 반응하였다. 0℃에서 10% NaOH로 중성을 만든 후 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 에틸 아세테이트(Ethyl acetate)=5:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 77-5 19.3 g (96%)을 얻었다.
화합물 77-4 의 제조
화합물 77-5 19.3 g (84.3 mmol)을 0℃에서 H2SO4 190mL, HNO3 19 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 3.5시간 반응하고 0℃에서 얼음을 넣어 고체가 생성되면 여과(Filter)하여 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하여 목적 화합물 77-4 17.1 g (74%)을 얻었다.
화합물 77-3 의 제조
화합물 77-4 17.1 g (62.4 mmol), 페닐보로닉 에시드(Phenylboronic acid) 15.2 g (125 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 3.60 g (3.12 mmol), Na2CO3 26.4 g (249 mmol), 디메틸에테르(DME) 100 mL, H2O 50 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 6시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:3을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 77-3 13.2 g (67%)을 얻었다.
화합물 77-2 의 제조
화합물 77-3 13.2 g (41.8 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 28.3 g (125 mmol), HCl 25 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 77-2 11.1 g (93%)을 얻었다.
화합물 77-1 의 제조
화합물 77-2 11.1 g (38.9 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 9.52 g (46.6 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 712 mg (0.78 mmol), 잔포스(Xantphos) 900 mg (1.56 mmol), LiCl 3.29 g (77.8 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 7.48 g (77.8 mmol), 톨루엔(Toluene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 3시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:3을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 77-1 6.89 g (49%)을 얻었다.
화합물 77 의 제조
화합물 77-1 6.89 g (19.1 mmol), 화합물 2-(4-브로모페닐)-4,6-디페닐피리미딘(2-(4-bromophenyl)-4,6-diphenylpyrimidine) 8.86 g (22.9 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 350 mg (0.38 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 476 mg (0.76 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 3.06 g (76.4mmol), o-자일렌(o-Xylene) 120 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:50을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 77 5.87 g (46%)을 얻었다.
[제조 예 10] 화합물 78의 제조
Figure pat00020
화합물 78-7 의 제조
화합물 2-아미노-4-브로모피리딘(2-Amino-4-bromopyridine) 20g (116 mmol), (9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)보로닉 에시드((9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)boronic acid) 33 g (139 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 6.68 g (5.78 mmol), K2CO3 31.9 g (231 mmol), 톨루엔(Toluene) 200 mL, H2O 20 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 6시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:4을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 78-7 26.9 g (81%)을 얻었다.
화합물 78-6 의 제조
화합물 클로로아세트산(Chloroacetic acid) 7.10 g (75.2mmol), H2O 14mL에 녹인 후 트리에틸아민(Triethyl amine) 14mL를 천천히 가한 후 2-아미노-6-페닐피리딘(2-Amino-6-phenylpyridine) 26.9 g (93.9 mmol)을 넣고 90℃에서 8시간 반응하였다. 실온으로 식힌 후 에틸 알코올(Ethyl alcohol) 15mL를 넣어 0℃에서 2시간 반응하고 여과(Filter)하여 목적 화합물 78-6 22.3 g (69%)을 얻었다.
화합물 78-5 의 제조
화합물 78-6 22.3 g (64.8 mmol)을 톨루엔(Toluene) (200 mL)에 녹인 후 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride) 18 mL (194 mol)을 실온에서 천천히 넣고 100℃에서 16시간 반응하였다. 0℃에서 10% NaOH로 중성을 만든 후 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한후 헥산(Hexane): 에틸 아세테이트(Ethyl acetate)=10:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 78-5 19.7 g (88%)을 얻었다.
화합물 78-4 의 제조
화합물 78-5 19.7 g (57.1 mmol)을 0℃에서 H2SO4 190mL, HNO3 19 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 3.5시간 반응하고 0℃에서 얼음을 넣어 고체가 생성되면 여과(Filter)하여 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하여 목적 화합물 77-4 15.4 g (69%)을 얻었다.
화합물 78-3 의 제조
화합물 77-4 15.4 g (39.4 mmol), 페닐보로닉 에시드(Phenylboronic acid) 9.61 g (78.8 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 3.79 g (3.28 mmol), Na2CO3 27.8 g (262 mmol), 디메틸에테르(DME) 100 mL, H2O 50 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:4을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 78-3 10.5 g (62%)을 얻었다.
화합물 78-2 의 제조
화합물 78-3 10.5 g (24.4 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 16.5 g (73.2 mmol), HCl 10 mL를 넣고 질소 치환하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 78-2 8.52 g (87%)을 얻었다.
화합물 78-1 의 제조
화합물 78-2 8.52 g (21.2 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 5.19 g (25.5 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 389 mg (0.42 mmol), 잔포스(Xantphos) 491 mg (0.85 mmol), LiCl 1.79 g (42.4 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 4.07 g (42.4 mmol), 톨루엔(Toluene) 100 mL를 넣고 질 소 치환하였다. 120℃에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:5을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 78-1 4.25 g (42%)을 얻었다.
화합물 78 의 제조
화합물 78-1 4.25 g (8.90 mmol), 화합물 2-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌(2-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene) 2.92 g (10.7 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 164 mg (0.18 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 222 mg (0.36 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 1.42 g (35.6 mmol), o-자일렌(o-Xylene) 100 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:10을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 78 2.44 g (41%)을 얻었다.
[제조 예 11] 화합물 101의 제조
Figure pat00021
화합물 101-6 의 제조
화합물 클로로아세트산(Chloroacetic acid) 8.88 g (93.9 mmol)을 H2O 17mL에 녹인 후 트리에틸아민(Triethyl amine) 17mL를 천천히 가한 후 2-아미노-6-페닐피리딘(2-Amino-6-phenylpyridine) 20 g (117 mmol)을 넣고 90℃에서 5시간 반응하였다. 실온으로 식힌 후 에틸 알코올(Ethyl alcohol) 20mL를 넣어 0℃에서 2시간 반응하고 여과(Filter)하여 목적 화합물 101-6 20 g (75%)을 얻었다.
화합물 101-5 의 제조
화합물 101-6 20 g (87.8 mmol)을 톨루엔(Toluene) (200 mL)에 녹인 후 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus oxychloride) 24.5 mL (263 mol)을 실온에서 천천히 넣고 100℃에서 16시간 반응하였다. 0℃에서 10% NaOH로 중성을 만든 후 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 에틸 아세테이트(Ethyl acetate)=5:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 101-5 19.1 g (95%)을 얻었다.
화합물 101-4 의 제조
화합물 101-5 19.1 g (84.1 mmol)을 0도에서 H2SO4 190mL, HNO3 19 mL를 넣고 질소치환 하였다. 실온에서 3.5시간 반응하고 0℃에서 얼음을 넣어 고체가 생성되면 여과(Filter)하여 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거하여 목적 화합물 101-4 16.9 g (72%)을 얻었다.
화합물 101-3 의 제조
화합물 101-4 16.9 g (62.4 mmol), 페닐보로닉 에시드(Phenylboronic acid) 15.2 g (125 mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 3.60 g (3.12 mmol), Na2CO3 26.4 g (249 mmol), 디메틸에테르(DME) 100 mL, H2O 50 mL 를 넣고 질소 치환하였다. 80℃에서 6시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=1:3을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 101-3 13.1 g (66%)을 얻었다.
화합물 101-2 의 제조
화합물 101-3 13.1 g (41.8 mmol), 틴 클로라이드(Tin chloride) 28.3 g (125 mmol), HCl 25 mL를 넣고 질소치환 하였다. 실온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 101-2 10.9 g (91%)을 얻었다.
화합물 101-1 의 제조
화합물 101-2 10.9 g (38.9 mmol), 아이오도벤젠(Iodobenzene) 9.52 g (46.6 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 712 mg (0.78 mmol), 잔포스(Xantphos) 900 mg (1.56 mmol), LiCl 3.29 g (77.8 mmol), 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 7.48 g (77.8 mmol), 톨루엔(Toluene) 150 mL를 넣고 질소 치환하였다. 120℃에서 3시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:3을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 회전 증발기로 용매를 제거한 후 아세톤(Acetone)으로 슬러리(Slurry)로 만든 후 여과(Filter)하여 목적 화합물 101-1 6.82 g (48%)을 얻었다.
화합물 101 의 제조
화합물 101-1 6.82 g (19.1 mmol), 화합물 2-(4-브로모페닐)-4,6-디페닐피리미딘(2-(4-bromophenyl)-4,6-diphenylpyrimidine) 8.86 g (22.9 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 350 mg (0.38 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 476 mg (0.76 mmol) 소듐 히드록사이드(Sodium hydroxide) 3.06 g (76.4mmol), o-자일렌(o-Xylene) 120 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 24시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC)=1:50을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 101 5.85 g (45%)을 얻었다.
[제조 예 12] 화합물 102의 제조
Figure pat00022
화합물 102-2 의 제조
화합물 1-1 20 g (70.1 mmol), 화합물 1-브로모-3-아이오도벤젠(1-bromo-3-Iodobenzene) 21.8 g (77.1 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 1.28 g (1.40 mmol), (+/-)-2,2'-비스(디페닐포스피노)-1,1'-비나프탈렌((+/-)-2,2'-Bis(diphenylphosphino)-1,1'-binaphthalene) 1.75 g (2.80 mmol) 소듐 터트-부톡사이드(Sodium tert-butoxide) 13.5 g (140 mmol), 톨루엔(Toluene) 400 mL를 넣고 질소 치환하였다. 100℃에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=20:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 102-2 19.1 g (62%)을 얻었다.
화합물 102-1 의 제조
화합물 102-1 19.1 g (43.5 mmol), THF 400 mL를 넣고 질소 치환하였다. -78℃에서 화합물 클로로디페닐포스판(Chlorodiphenylphosphane) 10.5 g (47.8 mmol)을 넣고 6시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 헥산(Hexane): 디클로로메탄(MC)=50:1을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 102-1 10.7 g (45%)을 얻었다.
화합물 102 의 제조
화합물 102-1 10.7 g (19.6mmol), 디클로로메탄(MC) 200 mL, 히드로젠 퍼오옥사이드(Hydrogen peroxide) 1 mL를 넣고 상온에서 12시간 반응하고 증류수와 디클로로메탄(MC), NaCl을 사용하여 추출하였다. 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 에틸 아세테이트(Ethyl acetate): 디클로로메탄(MC) =1:10을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(column chromatography)로 정제하여 목적 화합물 102 5.73 g (52%)을 얻었다.
상기 제조예들과 같은 방법으로 화합물을 제조하고, 그 합성확인결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다. 표 1은 1H NMR(CDCl3, 200Mz)의 측정값이고, 표 2는 FD-질량분석계(FD-MS: Field desorption mass spectrometry)의 측정값이다.
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
100 기판
200 양극
300 유기물층
301 정공주입층
302 정공수송층
303 발광층
304 정공저지층
305 전자수송층
306 전자주입층
400 음극

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1의 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00027

    상기 화학식 1에 있어서,
    R1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이고,
    R2 내지 R5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴이거나, R3 과 R4 또는 R4와 R5는 서로 결합하여 고리를 형성하고,
    Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 -(L)m-(Z)n이고,
    L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌이며,
    m은 1 내지 3의 정수이고,
    n은 1 내지 3의 정수이며,
    Z는 수소; 중수소; 할로겐; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; -P(=O)R6R7; -SiR8R9R10; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴로 치환 또는 비치환된 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R6 내지 R10은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴인 것인 화합물.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 L 은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌; 치환 또는 비치환된 비페닐렌; 치환 또는 비치환된 나프틸렌; 치환 또는 비치환된 안트릴렌; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌; 치환 또는 비치환된 파이레닐렌; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌; 치환 또는 비치환된 스피로플루오레닐렌; 치환 또는 비치환된 피리딜렌; 치환 또는 비치환된 피리미딜렌; 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌; 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,1-b]플루오레닐렌; 1,3-디히드로인데노[2,1-b]카바졸릴렌; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴렌; 치환 또는 비치환된 피라졸로[1,5-c]퀴나졸릴렌; 치환 또는 비치환된 5H-나프토[3,2,1-de]안트라세닐렌; 치환 또는 비치환된 5,8-디히드로인데노[2,3-c]카바졸릴렌; 치환 또는 비치환된 피라졸로[5,1-a]이소퀴놀릴렌; 치환 또는 비치환된 9,10-디히드로아크리딜렌; 또는 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴렌이고,
    상기 L이 치환되는 경우 치환기는 중수소, 할로겐, -SiRR’R”, -P(=O)RR’, C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴 중에서 선택되며,
    상기 R, R' 및 R"은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; 치환 또는 비치환된 C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴인 것인 화합물.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 Z는 수소; 중수소; 할로겐; 메틸; 치환 또는 비치환된 비닐; -P(=O)R6R7; -SiR8R9R10; 치환 또는 비치환된 페닐; 치환 또는 비치환된 비페닐; 치환 또는 비치환된 나프틸; 치환 또는 비치환된 안트릴; 치환 또는 비치환된 페난트레닐; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐; 치환 또는 비치환된 파이레닐; 치환 또는 비치환된 플루오레닐; 치환 또는 비치환된 스피로플루오레닐; 치환 또는 비치환된 피리딜; 치환 또는 비치환된 피리미딜; 치환 또는 비치환된 트리아지닐; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,1-b]플루오레닐; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인데노[2,1-b]카바졸릴; 치환 또는 비치환된 1,3-디히드로인돌로[2,3-b]카바졸릴; 치환 또는 비치환된 5H-나프토[3,2,1-de]안트라세닐; 치환 또는 비치환된 퀴놀릴; 치환 또는 비치환된 9,10-디히드로아크리딜; 치환 또는 비치환된 이미다조[1,2-a]피리딜; 치환 또는 비치환된 피라졸로[1,5-c]퀴나졸릴; 치환 또는 비치환된 5,8-디히드로인돌로[2,3-c]카바졸릴; 치환 또는 비치환된 디알킬아민; 치환 또는 비치환된 디아릴아민; 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민; 치환 또는 비치환된 알킬아릴아민; 치환 또는 비치환된 알킬헤테로아릴아민; 및 치환 또는 비치환된 아릴헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    상기 Z가 치환되는 경우 치환기는 중수소, 할로겐, -SiRR’R”, -P(=O)RR’, C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬, C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐, C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴 중에서 선택되며,
    상기 R, R', R" 및 R6 내지 R10은 화학식 1에서 정의한 바와 동일한 것인 화합물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure pat00028

    상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R5는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    Ar3는 수소; 중수소; 할로겐; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴이며,
    Ar4는 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌이다.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 Ar3는 수소; 중수소; 할로겐; 또는 치환 또는 비치환된 페닐인 것인 화합물.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 Ar4는 치환 또는 비치환된 페닐렌; 치환 또는 비치환된 비페닐렌; 치환 또는 비치환된 나프틸렌; 치환 또는 비치환된 안트릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 파이레닐렌인 것인 화합물.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00029

    Figure pat00030

    Figure pat00031

    Figure pat00032

    Figure pat00033

    Figure pat00034
  9. 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 8 중 어느 하나의 항에 따른 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기발광소자.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중에서 선택되는 적어도 하나의 층인 것인 유기발광소자.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 공통층 또는 발광층(EML)인 것인 유기발광소자.
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