KR20150143480A - 적층 구조체, 플렉시블 프린트 배선판 및 그의 제조 방법 - Google Patents

적층 구조체, 플렉시블 프린트 배선판 및 그의 제조 방법 Download PDF

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KR20150143480A
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Abstract

본 발명은 플렉시블 프린트 배선판 상에 있어서 미세한 패턴 형성이 가능하고, 절연성, 굴곡성이 우수한 감광성 수지 구조체와, 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 제공한다. 현상성 접착층 (a)와, 해당 현상성 접착층 (a)를 개재하여 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 현상성 보호층 (b)를 갖는 감광성 수지 구조체이며, 적어도 상기 현상성 보호층 (b)는 광 조사에 의해 패터닝이 가능하고, 또한 상기 현상성 접착층 (a)와 상기 현상성 보호층 (b)는 현상에 의해 패턴을 일괄하여 형성하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 감광성 수지 구조체이다.

Description

적층 구조체, 플렉시블 프린트 배선판 및 그의 제조 방법{LAMINATE STRUCTURE, FLEXIBLE PRINTED WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은 적층 구조체, 특히는 감광성 수지 구조체 및 그것을 이용한 드라이 필름 및 플렉시블 프린트 배선판에 관한 것으로, 상세하게는 플렉시블 프린트 배선판 상에 있어서 미세한 패턴 형성이 가능한 감광성 수지 구조체, 및 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
종래 플렉시블 프린트 배선판의 보호막으로서, 폴리이미드 등의 필름에 열경화형 접착제를 도포하여 이루어지는 비감광성 수지 구조체가 이용되어 왔다. 이러한 비감광성 수지 구조체를 패턴 가공하여 플렉시블 프린트 배선판 상에 형성하는 방법으로서는, 종래 펀칭에 의한 천공 가공 후, 플렉시블 프린트 배선판 상에 열 압착하는 방법이 취해져 왔다. 또는 용제 가용성의 열경화형 수지 조성물을 플렉시블 프린트 배선판 상에 직접 패턴 인쇄하고, 열경화하여 패턴을 형성하는 방법도 취해져 왔다. 특히, 폴리이미드 필름은 유연성을 가지면서 내열성, 기계적 특성, 전기적 특성이 우수한 점에서 플렉시블 프린트 배선판에 대한 적합 재료로서 사용되어 왔다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
그러나, 전술한 종래의 방법에서는, 패턴 단부가 도포시나 열압착시의 수지의 스며나옴에 의해 형상이 무너지기 때문에, 배선의 미세화나 플렉시블 프린트 배선판에 탑재되는 칩 부품의 소형화 등에서 요구되는 미세 패턴의 형성은 곤란하였다.
한편, 최근 들어 스마트폰이나 태블릿 단말기의 보급에 의한 전자 기기의 소형 박형에 의해 회로 기판의 소스페이스화가 필요해지고 있다. 그 때문에, 절곡하여 수납할 수 있는 플렉시블 프린트 배선판의 용도가 확대되고, 이러한 플렉시블 프린트 배선판에 대한 신뢰성도 지금까지 이상으로 높은 것이 요구되고 있다.
이에 대하여 현재, 플렉시블 프린트 배선판의 절연 신뢰성을 확보하기 위한 절연막으로서, 절곡부(굴곡부)에는 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성이 우수한 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이가 사용되고(예를 들어, 특허문헌 2, 3 참조), 실장부(비굴곡부)에는 전기 절연성이나 땜납 내열성 등이 우수하고 미세 가공이 가능한 감광성 수지 조성물을 이용한 혼재 프로세스가 널리 채택되고 있다.
그러나, 내열성 및 굴곡성 등의 기계적 특성이 우수한 폴리이미드를 베이스로 한 커버레이에서는 금형 펀칭에 의한 가공을 필요로 하기 때문에, 미세 배선에는 부적합한다. 그 때문에, 미세 배선이 필요해지는 칩 실장부에는 포토리소그래피에 의한 가공을 할 수 있는 알칼리 현상형의 감광성 수지 조성물(솔더 레지스트)을 부분적으로 병용할 필요가 있었다.
WO2012/133665호 공보 일본 특허 공개 소62-263692호 공보 일본 특허 공개 소63-110224호 공보
이와 같이 플렉시블 프린트 배선판의 제조 공정에서는 커버레이를 맞대는 공정과 솔더 레지스트를 형성하는 공정의 혼재 프로세스를 채택하지 않을 수 없어 비용과 작업성이 떨어진다는 문제가 있었다.
이러한 혼재 프로세스에 대하여, 종래 솔더 레지스트로서의 절연막을 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이로서 적용하는 제안이 이루어져 있다. 그러나, 플렉시블 프린트 배선판에 있어서의 감광성 솔더 레지스트는 유연성을 부여하기 위해서 저가교 밀도화나 엘라스토머 성분의 첨가가 필요해지고, 이에 의해 전기 신뢰성이나 내충격성, 굴곡성 등이 저하되고, 이들의 신뢰성이 열경화형 보호막에 비하여 떨어지게 된다. 따라서, 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스의 실용화에는 이르지 못했다. 또한, 솔더 레지스트용 수지 조성물에서는, 아크릴계 광중합에 의한 경화 수축도 수반하기 때문에 플렉시블 배선판의 휨 등 치수 안정성에도 과제가 있었다.
이에 대하여 알칼리 용해성과 기계 특성을 양립할 수 있는 감광성 폴리이미드로서, 종래 폴리이미드 전구체를 이용하고, 패터닝한 후에 열 폐환하는 방법도 제안되어 있다. 그러나, 고온 처리를 필요로 하는 등 배선판 제조의 작업성에는 과제가 남고, 여전히 실용화에는 이르지 못했다.
또한, 커버레이로서의 절연막을 플렉시블 프린트 배선판의 솔더 레지스트로서 적용하는 것도 생각할 수 있지만, 이러한 커버레이용 필름에서는 패턴 형성에 번잡한 공정을 필요로 하고, 또한 펀칭에 의한 천공 등의 가공 정밀도가 낮은 점이나 열압착시의 수지의 스며나옴에 의해 미세 패턴의 형성에 대응하기 어렵다는 문제가 있었다.
따라서 본 발명의 목적은, 플렉시블 프린트 배선판 상에 있어서 미세한 패턴 형성이 가능하고, 절연성, 굴곡성이 우수한 감광성 수지 구조체, 및 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 내충격성이나 굴곡성, 저휨성 등의 신뢰성과 가공 정밀도가 우수하고, 또한 작업성이 우수한 플렉시블 프린트 배선판용 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스에 적합한 적층 구조체와, 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 또는 솔더 레지스트로서 갖는 내충격성이나 굴곡성 등의 신뢰성이 우수한 플렉시블 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 내충격성, 굴곡성 및 저휨성 등의 신뢰성과 가공 정밀도가 우수한 플렉시블 프린트 배선판용 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)에 있어서의 절연막, 예를 들어 커버레이 및 솔더 레지스트를 작업성 좋고, 일괄하여 형성 가능한 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법 및 플렉시블 프린트 배선판을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은 상기 목적의 실현을 위해서 예의 검토한 결과, 플렉시블 프린트 배선판의 보호막이 복수의 현상성 수지층을 적층한 감광성 수지 구조체로부터 얻어지는 구성으로 함으로써 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 감광성 수지 구조체는 현상성 접착층 (a)와, 해당 현상성 접착층 (a)를 개재하여 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 현상성 보호층 (b)를 갖는 감광성 수지 구조체이며, 적어도 상기 현상성 보호층 (b)는 광 조사에 의해 패터닝이 가능하고, 또한 상기 현상성 접착층 (a)와 상기 현상성 보호층 (b)는 현상에 의해 패턴을 일괄하여 형성하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 것이다.
특히, 상기 현상성 접착층 (a)와 상기 현상성 보호층 (b)가 모두 광 조사에 의해 패터닝이 가능한 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 구조체에 있어서는, 상기 현상성 접착층 (a)가 상기 현상성 보호층 (b)보다도 두꺼운 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 감광성 수지 구조체는 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용할 수 있고, 또한 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽을 형성하기 위하여 사용할 수 있다.
본 발명의 드라이 필름은, 상기 감광성 수지 구조체의 적어도 편면이 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 플렉시블 프린트 배선판 상에 형성된 상기 감광성 수지 구조체를 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상에 의해 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 보호막을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
바람직하게는 상기 현상성 접착층 (a)는 플렉시블 프린트 배선판 상에 감광성 또는 비감광성의 수지 조성물 (a1)을 도포하여 형성된다.
또한, 본 발명자들은 상기 다른 목적의 실현을 위해서 예의 연구한 결과, 이하의 내용을 요지로 하는 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 적층 구조체는 알칼리 현상형 수지 조성물을 포함하는 수지층 (A)와, 해당 수지층 (A)를 개재하여 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 적층 구조체이며, 상기 수지층 (B)가 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지와 광 염기 발생제와 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 적층 구조체는 상기 수지층 (A)와 상기 수지층 (B)가 모두 광 조사에 의해 패터닝이 가능한 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 적층 구조체는 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용할 수 있고, 또한 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도로서 사용할 수 있다.
본 발명의 드라이 필름은, 상기 적층 구조체의 적어도 편면이 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 플렉시블 프린트 배선판 상에 상기 적층 구조체의 층을 형성하고, 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은 본 발명에 따른 적층 구조체를 사용하지 않고, 수지층 (A)와 수지층 (B)를 순차적으로 형성하고, 그 후에 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여도 된다.
또한, 본 발명에 있어서 「패턴」이란 패턴상의 경화물, 즉 절연막을 의미한다.
또한, 본 발명자들은 상기 또 다른 목적의 실현을 위해서 예의 연구한 결과, 이하의 내용을 요지로 하는 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법은, 플렉시블 프린트 배선판 상에, 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물 (A1)을 포함하는 수지층 (A)를 적어도 1층 형성하는 공정, 상기 수지층 (A) 상에, 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지, 광 염기 발생제 및 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물 (B1)을 포함하는 수지층 (B)를 적어도 1층 형성하는 공정, 상기 공정에서 형성된 수지층 (A)와 (B)에 패턴상으로 광을 조사하는 공정, 상기 공정에서 광 조사된 수지층 (A)와 (B)를 가열하는 공정, 및 상기 광 조사된 수지층 (A)와 (B)를 알칼리 현상하여 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은 상기 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따르면, 플렉시블 프린트 배선판 상에 있어서 미세한 패턴 형성이 가능하고, 절연성, 굴곡성이 우수한 감광성 수지 구조체, 및 그의 경화물을 보호막, 예를 들어 커버레이 및 솔더 레지스트로서 갖는 프린트 배선판을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 내충격성이나 굴곡성, 저휨성 등의 신뢰성과 가공 정밀도가 우수하고, 또한 작업성이 우수한 플렉시블 프린트 배선판용 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)의 일괄 형성 프로세스에 적합한 적층 구조체와, 그의 경화물을 절연막, 예를 들어 커버레이나 솔더 레지스트, 층간 절연층으로서 갖는 내충격성이나 굴곡성 등의 신뢰성이 우수한 플렉시블 프린트 배선판을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 내충격성, 굴곡성 및 저휨성 등의 신뢰성과 가공 정밀도가 우수한 플렉시블 프린트 배선판용 절연막, 특히 절곡부(굴곡부)와 실장부(비굴곡부)에 있어서의 절연막, 예를 들어 커버레이 및 솔더 레지스트를 작업성 좋고, 일괄하여 형성 가능한 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법 및 플렉시블 프린트 배선판을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 적층 구조체를 적층한 플렉시블 프린트 배선판의 개략 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 적층 구조체에 패터닝 및 현상 처리를 실시한 후의 플렉시블 프린트 배선판의 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시하는 공정도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
(감광성 수지 구조체)
본 발명의 감광성 수지 구조체는 플렉시블 프린트 배선판 상에 적층 가능하고, 또한 플렉시블 프린트 배선판 상에서 광 조사에 의해 패터닝이 가능하고, 현상에 의해 패턴을 일괄하여 형성하는 것이 가능한 것이다. 여기서, 패턴은 패턴상의 경화물, 즉 보호막을 의미한다.
종래 펀칭 가공된 커버레이에 접착제를 도포한 후, 플렉시블 프린트 배선판 상에 커버레이를 압착하고 있었지만, 본 발명에서는 플렉시블 프린트 배선판 상에 현상성 접착층 (a)와 현상성 보호층 (b)를 적층한 후, 광 조사 및 현상에 의해 일괄하여 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
도 1에 본 발명의 일 실시 형태에 관한 감광성 수지 구조체를 나타낸다.
도시하는 구조체 (1)은 플렉시블 기판 (2)에 구리 회로 (3)이 형성된 플렉시블 프린트 배선판 상에, 현상성 접착층 (a)와 현상성 보호층 (b)를 순서대로 갖고, 적어도 현상성 보호층 (b)가 광 조사에 의해 패터닝이 가능하고, 또한 현상성 접착층 (a)와 현상성 보호층 (b)가 현상에 의해 패턴을 일괄 형성하는 것이 가능한 것이다. 여기서, 패터닝이란 광 조사된 부분이 현상 불가능 상태로부터 현상 가능 상태로 변화하는 것(포지티브형) 또는 현상 가능 상태로부터 현상 불가능 상태로 변화하는 것(네거티브형)을 말한다. 또한, 패턴의 형성이란, 광 조사 부분이 현상되어 미조사 부분이 패턴상으로 남는 것(포지티브형) 또는 미조사 부분이 현상되어 광 조사 부분이 패턴상으로 남는 것(네거티브형)을 말한다.
특히 본 발명의 감광성 수지 구조체의 현상성 접착층 (a)와 현상성 보호층 (b)가 모두 광 조사에 의해 패터닝이 가능한 경우, 미세한 패턴을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
현상성 접착층 (a)는 감광성 또는 비감광성의 수지 조성물 (a1)에 의해 형성되고, 현상성 보호층 (b)는 수지 조성물 (a1)과 상이한 감광성 수지 조성물 (b1)에 의해 형성되어 있다.
감광성 또는 비감광성의 수지 조성물 (a1)은 주로 보호막에 굴곡성을 부여할 수 있는 재료로부터 적절히 선정된다. 미세한 패턴의 형성을 위해서는, 수지 조성물 (a1)은 감광성인 것이 바람직하다.
한편, 감광성 수지 조성물 (b1)은 주로 절연성을 부여할 수 있는 재료로부터 적절히 선정된다.
본 발명에 있어서는, 현상성 접착층 (a)는 보호막의 구리 회로에의 추종성과 굴곡성의 관점에서 현상성 보호층 (b)보다도 두꺼운 편이 바람직하다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 구조체는 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용할 수 있고, 구체적으로는 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽을 형성하기 위하여 사용할 수 있다. 비굴곡부로서는 칩 실장부 등을 들 수 있다.
현상 방법으로서는, 알칼리 수용액을 이용하는 현상(이하, 알칼리 현상이라고도 함)이어도 유기 용제를 이용하는 현상이어도 되지만, 알칼리 현상이 바람직하다.
현상성 접착층 (a) 및 현상성 보호층 (b)에 이용할 수 있는 감광성 수지 조성물 (a1) 및 (b1)은 포지티브형이어도 네거티브형이어도 된다.
포지티브형 감광성 조성물로서는 광 조사 전후의 극성 변화에 의해 광 조사부(노광부라고도 함)가 현상액에 의해 용해하는 것이라면, 공지 관용의 것을 이용할 수 있다. 예를 들어 디아조나프토퀴논 화합물과 알칼리 가용성 수지를 함유하는 조성물을 들 수 있다.
네거티브형 감광성 조성물로서는 광 조사부가 현상액에 대하여 난용이 되는 것이라면 공지 관용의 것을 이용할 수 있다. 예를 들어 광 산 발생제와 알칼리 가용성 수지를 함유하는 조성물, 광 염기 발생제와 알칼리 가용성 수지를 함유하는 조성물, 광중합 개시제와 알칼리 가용성 수지를 함유하는 조성물 등을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 (a1)과 (b1)의 조합으로서는, 포지티브형 감광성 수지 조성물 (a1)과 포지티브형 감광성 수지 조성물 (b1), 네거티브형 감광성 수지 조성물 (a1)과 네거티브형 감광성 수지 조성물 (b1)의 조합이라면 어느 것이어도 된다.
예를 들어, 광 염기 발생제를 함유하는 조성물 (a1)과 광 염기 발생제를 함유하는 조성물 (b1),
광 염기 발생제를 함유하는 조성물 (a1)과 광중합 개시제를 함유하는 조성물 (b1),
광중합 개시제를 함유하는 조성물 (a1)과 광 염기 발생제를 함유하는 조성물 (b1),
광중합 개시제를 함유하는 조성물 (a1)과 광중합 개시제를 함유하는 조성물 (b1)
의 조합 등을 들 수 있고, 조합은 실시 형태에 따라 선택할 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 구조체는 플렉시블 프린트 배선판의 용도이기 때문에 경화시의 왜곡, 휨을 작게 할 수 있는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 광 염기 발생제를 함유하는 조성물이 바람직하고, 그러한 조성물로서는, 예를 들어 광 염기 발생제와 열경화성 수지를 함유하고, 부가 반응에 의해 경화하는 조성물도 포함된다.
또한, 감광성 수지 조성물 (a1) 및 감광성 수지 조성물 (b1) 중 어느 한쪽만이 광 산 발생제, 광 염기 발생제 또는 광중합 개시제를 갖고, 다른 쪽이 광 산 발생제, 광 염기 발생제 및 광중합 개시제 전부를 함유하지 않는 구성이어도 된다. 이 경우, 한쪽의 감광성 수지 조성물에 포함되는 광 산 발생제, 광 염기 발생제 또는 광중합 개시제가 다른 쪽의 감광성 수지 조성물을 경화하면 된다.
또한, 본 발명에서는 비감광성 수지 조성물 (a1)과 포지티브형 감광성 수지 조성물 (b1)의 조합이어도 되고, 비감광성 수지 조성물 (a1)과 네거티브형 감광성 수지 조성물 (b1)의 조합이어도 된다. 또한, 포지티브형 감광성 수지 조성물 (a1)과 비감광성 수지 조성물 (b1)의 조합이어도 되고, 네거티브형 감광성 수지 조성물 (a1)과 비감광성 수지 조성물 (b1)의 조합이어도 된다. 비감광성 수지 조성물 (a1)로서는 열경화성 수지를 함유하는 조성물을 들 수 있다.
본 발명의 적층 구조체의 전체 막 두께는 100㎛ 이하가 바람직하고, 4 내지 80㎛의 범위가 보다 바람직하다. 예를 들어 적층 구조체가 2층인 경우, 현상성 접착층 (a)는 예를 들어 3 내지 60㎛이지만 이에 한정되지 않는다. 이러한 두께로 함으로써, 현상성 접착층 (a)가 회로에 간극없이 밀착될 수 있다. 한편, 현상성 보호층 (b)는 예를 들어 1 내지 20㎛의 두께로 하면 된다.
도 2는 도 1에 도시한 플렉시블 프린트 배선판 상의 감광성 수지 구조체 (1)을 광 조사한 후, 알칼리 현상액으로 현상 처리를 실시하여 패턴 형성한 상태를 나타내는 단면이다.
(드라이 필름)
본 발명의 드라이 필름은, 상기 감광성 수지 구조체의 적어도 편면이 필름으로 지지 또는 보호되어 있다.
드라이 필름의 제조는 예를 들어 감광성 수지 조성물 (b1)을 유기 용제로 희석하여 적절한 점도로 조정하고, 콤마 코터 등으로 캐리어 필름 상에 균일한 두께로 도포한다. 그 도포층을 건조하고, 캐리어 필름 상에 현상성 보호층 (b)를 형성한다. 마찬가지로 하여 해당 현상성 보호층 (b) 상에, 감광성 또는 비감광성의 수지 조성물 (a1)에 의해 현상성 접착층 (a)를 형성하여, 본 발명의 드라이 필름을 얻을 수 있다.
캐리어 필름으로서는 플라스틱 필름이 이용된다. 캐리어 필름의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 10 내지 150㎛의 범위에서 적절히 선택된다. 캐리어 필름 상에 감광성 수지 구조체를 형성한 후, 감광성 수지 구조체의 표면에 박리 가능한 커버 필름을 더 적층하여도 된다.
(플렉시블 프린트 배선판)
본 발명의 플렉시블 프린트 배선판은, 본 발명의 감광성 수지 구조체를 플렉시블 프린트 배선판 상에서 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 일괄하여 패턴을 형성하여 이루어지는 보호막을 갖는다. 보호막은 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽인 것이 바람직하다.
<감광성 수지 구조체의 제조 방법>
플렉시블 프린트 배선판 상에 현상성 접착층 (a)와 현상성 보호층 (b)를 형성하는 방법으로서는, 본 발명의 드라이 필름을 이용하는 라미네이트법이어도, 수지 조성물 (a1), (b1)을 그대로 사용하는 도포법이어도 된다. 라미네이트법에서는 라미네이터 등에 의해 현상성 접착층 (a)가 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽과 접촉하도록 플렉시블 프린트 배선판 상에 드라이 필름을 접합한다.
도포법으로서는 스크린 인쇄 등에 의해 플렉시블 프린트 배선판 상에 감광성 또는 비감광성의 수지 조성물 (a1)과 감광성 수지 조성물 (b1)을 각각 순서대로 도포 및 건조하여 현상성 접착층 (a)와 현상성 보호층 (b)를 형성한다.
또한, 플렉시블 프린트 배선판에 수지 조성물 (a1)을 도포, 건조하여 현상성 접착층 (a)를 형성하고, 그 현상성 접착층 (a) 상에, 감광성 수지 조성물 (b1)을 포함하는 필름을 라미네이트하여 현상성 보호층 (b)를 형성하는 방법이어도 된다.
반대로 수지 조성물 (a1)을 포함하는 필름을 플렉시블 프린트 배선판에 라미네이트함으로써 현상성 접착층 (a)를 형성하고, 그 현상성 접착층 (a) 상에 감광성 수지 조성물 (b1)을 도포, 건조함으로써 현상성 보호층 (b)를 형성하여도 된다.
<광중합 개시제를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 구조체를 이용한 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법>
광중합 개시제를 함유하는 네거티브형 적층 수지 구조체의 경우, 수지 조성물 (a1) 및 수지 조성물 (b1) 중 적어도 어느 한쪽이 광중합 개시제를 함유하고 있으면 된다.
이 경우, 플렉시블 프린트 배선판 상에 상기 라미네이트법 등에 의해 현상성 접착층 (a) 및 현상성 보호층 (b)를 갖는 감광성 수지 구조체를 형성한다. 그 후, 접촉식 또는 비접촉 방식에 의해 네거티브형 감광성 수지 구조체에 대하여 패턴상으로 광을 조사하고, 미조사부를 현상하여 네거티브형 패턴의 보호막을 얻는다. 또한, 열경화성 성분을 함유하고 있는 조성물의 경우, 예를 들어 약 140 내지 180℃의 온도로 가열하여 열경화시킴으로써, 내열성, 내약품성, 내흡습성, 밀착성, 전기 특성 등의 여러 특성이 우수한 보호막을 형성할 수 있다.
네거티브형 감광성 수지 구조체가 광중합 개시제를 함유하기 때문에, 라디칼 중합에 의해 광 조사부가 경화한다.
<광 염기 발생제를 포함하는 네거티브형 감광성 수지 구조체를 이용한 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법>
광 염기 발생제를 함유하는 네거티브형 적층 수지 구조체의 경우도, 수지 조성물 (a1) 및 수지 조성물 (b1) 중 적어도 어느 한쪽이 광 염기 발생제를 함유하고 있으면 된다. 이 경우도 우선은 상기 라미네이트 방법 등에 의해 플렉시블 프린트 배선판 상에 현상성 접착층 (a) 및 현상성 보호층 (b)를 갖는 네거티브형 감광성 수지 구조체를 형성한다. 그 후, 네거티브형 감광성 수지 구조체에 대하여 패턴상으로 광을 조사함으로써 광 염기 발생제로부터 염기를 발생시켜 광 조사부를 경화한다. 그 후, 현상에 의해 미조사부를 제거하여 네거티브형 패턴의 보호막을 얻는다. 또한, 광 조사 후, 현상성 접착층 (a) 및 현상성 보호층 (b)를 가열하는 것이 바람직하다.
광 조사에 의해 광 조사부에서 염기가 발생하고, 그 염기에 의해 광 염기 발생제가 불안정화되어, 더욱 염기가 발생된다고 생각된다. 이와 같이 염기가 화학적으로 증식함으로써 광 조사부가 심부까지 충분히 경화한다.
또한, 현상 후에, 추가로 보호막의 절연 신뢰성을 향상시키기 위해서 자외선을 조사하여도 된다. 또한, 현상 후에 열경화(후경화) 공정을 더 포함하여도 되고, 현상 후에 자외선 조사와 열경화를 모두 행하여도 된다. 열경화 공정에서의 가열 온도는 예를 들어 160℃ 이상이다.
<광 산 발생제를 함유하는 네거티브형 감광성 수지 구조체를 이용한 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법>
광 산 발생제를 함유하는 네거티브형 적층 수지 구조체의 경우도, 수지 조성물 (a1) 및 수지 조성물 (b1) 중 적어도 어느 한쪽이 광 산 발생제를 함유하고 있으면 된다. 이 경우도 광 염기 발생제를 함유하는 경우와 마찬가지로, 상기 라미네이트법 등에 의해 플렉시블 프린트 배선판 상에 현상성 접착층 (a) 및 현상성 보호층 (b)를 갖는 네거티브형 감광성 수지 구조체를 형성한다. 그 후, 네거티브형 감광성 수지 구조체에 대하여 패턴상으로 광을 조사함으로써, 광 산 발생제로부터 산을 발생시켜 광 조사부를 경화한다. 그 후, 상기 마찬가지의 현상 방법에 의해 네거티브형 패턴의 보호막을 얻는다.
<포지티브형 감광성 수지 구조체를 이용한 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법>
포지티브형 적층 수지 구조체의 경우도, 수지 조성물 (a1) 및 수지 조성물 (b1) 중 적어도 어느 한쪽이 포지티브형 조성물이면 된다. 이 경우도 상기 라미네이트법 등에 의해 플렉시블 프린트 배선판 상에 현상성 접착층 (a) 및 현상성 보호층 (b)를 갖는 포지티브형 감광성 수지 구조체를 형성한다.
그리고, 포지티브형 감광성 수지 구조체에 패턴상으로 광을 조사함으로써 극성을 변화시킨다. 그 후, 광 조사부를 현상하여 포지티브형 패턴의 보호막을 얻는다.
상기 광 조사에 이용되는 노광기로서는, 고압 수은등 램프, 초고압 수은등 램프, 메탈 할라이드 램프, 수은 쇼트 아크 램프 등을 탑재하고, 350 내지 450nm의 범위에서 자외선을 조사하는 장치이면 되고, 추가로 직접 묘화 장치(예를 들어 컴퓨터로부터의 CAD 데이터에 의해 직접 레이저로 화상을 그리는 레이저 다이렉트 이미징 장치)도 이용할 수 있다.
직접 묘화 장치의 레이저 광원으로서는, 최대 파장이 350 내지 450nm의 범위에 있는 레이저광을 이용하고 있으면 가스 레이저, 고체 레이저 어느 쪽이어도 된다. 화상 형성을 위한 노광량은 막 두께 등에 따라 상이하지만, 일반적으로는 20 내지 1500mJ/cm2의 범위 내로 할 수 있다.
상기 현상 방법으로서는 디핑법, 샤워법, 스프레이법, 브러시법 등에 의할 수 있고, 현상액으로서는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 아민류 등의 알칼리 수용액을 사용할 수 있다.
이어서, 본 발명의 적층 구조체의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
(적층 구조체)
본 발명의 적층 구조체는 알칼리 현상형 수지 조성물을 포함하는 수지층 (A)와, 해당 수지층 (A)를 개재하여 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)를 갖는 적층 구조체이며, 상기 수지층 (B)가 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지와 광 염기 발생제와 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이러한 본 발명의 적층 구조체는 플렉시블 프린트 배선판 상에 적층 가능하고, 또한 플렉시블 프린트 배선판 상에서 광 조사에 의해 패터닝이 가능하고, 현상에 의해 패턴을 일괄하여 형성하는 것이 가능하게 된다.
이러한 본 발명의 적층 구조체에 의하면, 수지층 (B)로서 (1) 이미드환이 분자 중에 존재하는 수지를 이용한 것, (2) 알칼리 용해성 수지와 열반응성 화합물의 부가 반응을 이용한 조성물을 이용함으로써, 이 층이 강화층으로서 기능하여, 종전의 솔더 레지스트 조성물이나 층간 절연 재료를 포함하는 수지층 (A)를 이용하여도 내충격성이나 굴곡성, 저휨성 등의 신뢰성과 가공 정밀도가 우수하고, 또한 작업성이 우수한 플렉시블 프린트 배선판용 절연막을 제공할 수 있다.
본 발명의 적층 구조체는, 플렉시블 기판에 구리 회로가 형성된 플렉시블 프린트 배선판 상에 수지층 (A)와 수지층 (B)를 순서대로 갖고, 적어도 수지층 (B)가 광 조사에 의해 패터닝이 가능하고, 또한 수지층 (A)와 수지층 (B)가 현상에 의해 패턴을 일괄 형성하는 것이 가능한 것이다.
(적층 구조체를 구성하는 수지층 (A))
(수지층 (A)를 구성하는 알칼리 현상형 수지 조성물)
수지층 (A)를 구성하는 알칼리 현상성 수지 조성물로서는 페놀성 수산기, 티올기 및 카르복실기 중 1종 이상의 관능기를 함유하고, 알칼리 용액으로 현상 가능한 수지를 포함하는 조성물이면 되고, 광경화성 수지 조성물이어도 열경화성 수지 조성물이어도 이용할 수 있다. 바람직하게는 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 화합물, 카르복실기 함유 수지, 페놀성 수산기 및 카르복실기를 갖는 화합물, 티올기를 2개 이상 갖는 화합물을 포함하는 수지 조성물을 들 수 있고, 공지 관용의 것이 이용된다.
예를 들어 종래부터 솔더 레지스트 조성물로서 이용되고 있는 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지와, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과, 광중합 개시제와, 열반응성 화합물을 포함하는 광경화성 열경화성 수지 조성물을 들 수 있다.
여기서, 카르복실기 함유 수지 또는 카르복실기 함유 감광성 수지, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물, 광중합 개시제, 열반응성 화합물로서는 공지 관용의 것이 이용된다.
(적층 구조체를 구성하는 수지층 (B))
(수지층 (B)를 구성하는 감광성 열경화성 수지 조성물)
수지층 (B)를 구성하는 감광성 열경화성 수지 조성물은 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지와 광 염기 발생제와 열반응성 화합물을 포함한다.
(이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지)
본 발명에 있어서 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지는 카르복실기나 산 무수물기 등의 알칼리 용해성 기와 이미드환을 갖는 것이다. 이 알칼리 용해성 수지에의 이미드환의 도입에는 공지 관용의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어 카르복실산 무수물 성분과 아민 성분 및/또는 이소시아네이트 성분을 반응시켜 얻어지는 수지를 들 수 있다. 이미드화는 열 이미드화로 행하여도, 화학 이미드화로 행하여도 되고, 또한 이들을 병용하여 제조할 수 있다.
여기서, 카르복실산 무수물 성분으로서는, 테트라카르복실산 무수물이나 트리카르복실산 무수물 등을 들 수 있지만, 이들 산 무수물에 한정되는 것은 아니며, 아미노기나 이소시아네이트기와 반응하는 산 무수물기 및 카르복실기를 갖는 화합물이라면 그의 유도체를 포함하여 이용할 수 있다. 또한, 이들 카르복실산 무수물 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용하여도 된다.
테트라카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물, 3-플루오로피로멜리트산 이무수물, 3,6-디플루오로피로멜리트산 이무수물, 3,6-비스(트리플루오로메틸)피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 4,4'-옥시디프탈산 이무수물, 2,2'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 6,6'-디플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',5,5',6,6'-헥사플루오로-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 2,2',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 및 2,2',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)-3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 이무수물, 3,3",4,4"-테르페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3'",4,4'"-쿠아테르페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3"",4,4""-퀸퀘페닐테트라카르복실산 이무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 디플루오로메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2-테트라플루오로-1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3,4,4-옥타플루오로-1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-데카플루오로-1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 이무수물, 티오-4,4'-디프탈산 이무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸실록산 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 이무수물, 1,3-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 이무수물, 1,4-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 이무수물, 비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 이무수물, 비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 이무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 이무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 이무수물, 비스(3,4-디카르복시페녹시)디메틸실란 이무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 이무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 이무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-비시클로헥실테트라카르복실산 이무수물, 카르보닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 메틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1-에티닐리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 옥시-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 티오-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 술포닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 이무수물, 3,3'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)옥시-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-비스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)술포닐-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5'-비스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 6,6'-디플루오로-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 5,5',6,6'-테트라키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 3,3',5,5',6,6'-헥사키스(트리플루오로메틸)-2,2-퍼플루오로프로필리덴-4,4'-디프탈산 이무수물, 9-페닐-9-(트리플루오로메틸)크산텐-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스(트리플루오로메틸)크산텐-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 9,9-비스[4-(3,4-디카르복시)페닐]플루오렌 이무수물, 9,9-비스[4-(2,3-디카르복시)페닐]플루오렌 이무수물, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트 이무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트리멜리테이트 무수물) 등을 들 수 있다.
트리카르복실산 무수물로서는, 예를 들어 트리멜리트산 무수물이나 핵수소 첨가 트리멜리트산 무수물 등을 들 수 있다.
아민 성분으로서는, 지방족 디아민이나 방향족 디아민 등의 디아민, 지방족 폴리에테르아민 등의 다가 아민을 이용할 수 있지만, 이들 아민에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 아민 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용하여도 된다.
디아민으로서는, 예를 들어 p-페닐렌디아민(PPD), 1,3-디아미노벤젠, 2,4-톨루엔디아민, 2,5-톨루엔디아민, 2,6-톨루엔디아민, 3,5-디아미노벤조산, 2,5-디아미노벤조산, 3,4-디아미노벤조산 등의 벤젠핵 1개의 디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르 등의 디아미노디페닐에테르류, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 비스(4-아미노페닐)술피드, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘(o-톨리딘), 2,2'-디메틸벤지딘(m-톨리딘), 3,3'-디메톡시벤지딘, 2,2'-디메톡시벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술피드, 3,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디메톡시벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노디페닐술폭시드, 3,4'-디아미노디페닐술폭시드, 4,4'-디아미노디페닐술폭시드, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시디페닐술폰 등의 벤젠핵 2개의 디아민, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)-4-트리플루오로메틸벤젠, 3,3'-디아미노-4-(4-페닐)페녹시벤조페논, 3,3'-디아미노-4,4'-디(4-페닐페녹시)벤조페논, 1,3-비스(3-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(3-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,4-비스[2-(4-아미노페닐)이소프로필]벤젠, 1,3-비스(4-아미노-3-히드록시페녹시)벤젠 등의 벤젠핵 3개의 디아민, 3,3'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]케톤, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술피드, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[3-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[3-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등의 벤젠핵 4개의 디아민 등의 방향족 디아민, 1,2-디아미노에탄, 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸, 1,2-디아미노시클로헥산 등의 지방족 디아민을 들 수 있고, 지방족 폴리에테르아민으로서는, 에틸렌글리콜 및/또는 프로필렌글리콜계의 다가 아민 등을 들 수 있다.
이소시아네이트 성분으로서는, 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체나 다량체, 지방족 디이소시아네이트류, 지환식 디이소시아네이트류 및 그의 이성체 등의 디이소시아네이트나 그 외 범용의 디이소시아네이트류를 이용할 수 있지만, 이들 이소시아네이트에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들 이소시아네이트 성분은 단독으로 또는 조합하여 사용하여도 된다.
디이소시아네이트로서, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 비페닐디이소시아네이트, 디페닐술폰디이소시아네이트, 디페닐에테르디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트 및 그의 이성체, 다량체, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트류, 또는 상기 방향족 디이소시아네이트를 수소 첨가한 지환식 디이소시아네이트류 및 이성체, 또는 그 외 범용의 디이소시아네이트류를 들 수 있다.
이상 설명한 바와 같은 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지는 아미드 결합을 갖고 있어도 된다. 이것은 이소시아네이트와 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 아미드 결합이어도 되고, 그 이외의 반응에 의한 것일 수도 있다. 또한 그 외의 부가 및 축합으로 이루어지는 결합을 갖고 있어도 된다.
또한, 이 알칼리 용해성 수지에의 이미드환의 도입에는 공지 관용의 카르복실기 및/또는 산 무수물기를 갖는 알칼리 용해성 중합체, 올리고머, 단량체를 이용하여도 되고, 예를 들어 이들 공지 관용의 알칼리 용해성 수지류를 단독으로 또는 상기 카르복실산 무수물 성분과 조합하여 상기 아민/이소시아네이트류와 반응시켜 얻어지는 수지이어도 된다.
이러한 알칼리 용해성 기와 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지의 합성에 있어서는 공지 관용의 유기 용제를 이용할 수 있다. 이러한 유기 용매로서는, 원료인 카르복실산 무수물류, 아민류, 이소시아네이트류와 반응하지 않고, 또한 이들 원료가 용해하는 용매라면 문제는 없고, 특별히 그의 구조는 한정되지 않는다. 구체적으로 예시하면, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드 용매, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, ε-카프로락톤, α-메틸-γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르 용매, 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트 등의 카르보네이트 용매, 카프로락탐 등의 락탐 용매, 디옥산 등의 에테르계 용매, 트리에틸렌글리콜 등의 글리콜계 용매, m-크레졸, p-크레졸, 3-클로로페놀, 4-클로로페놀, 4-메톡시페놀, 2,6-디메틸페놀 등의 페놀계 용매, 아세토페논, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 술포란, 디메틸술폭시드, 테트라메틸우레아 등을 들 수 있다. 또한, 그 외의 일반적인 유기 용제, 즉 페놀, o-크레졸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소부틸, 프로필렌글리콜메틸아세테이트, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 2-메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 테트라히드로푸란, 디메톡시에탄, 디에톡시에탄, 디부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 메틸이소부틸케톤, 디이소부틸케톤, 시클로헥사논, 메틸에틸케톤, 아세톤, 부탄올, 에탄올, 크실렌, 톨루엔, 클로로벤젠, 터펜, 미네랄 스피릿, 석유 나프타계 용매 등도 첨가하여 사용할 수 있다. 그 중에서도 원료의 용해성이 높은 점에서 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤 등의 비프로톤성 용매가 바람직하다.
이상 설명한 바와 같은 카르복실기 또는 산 무수물기 등의 알칼리 용해성 기와 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지는, 포토리소그래피 공정에 대응하기 위해서 그의 산가가 20 내지 200mgKOH/g인 것이 바람직하고, 보다 적합하게는 60 내지 150mgKOH/g인 것이 바람직하다. 이 산가가 20mgKOH/g 이상인 경우, 알칼리에 대한 용해성이 증가하고, 현상성이 양호해지고, 나아가 광 조사 후의 열경화 성분과의 가교도가 높아지기 때문에 충분한 현상 콘트라스트를 얻을 수 있다. 또한, 이 산가가 200mgKOH/g 이하인 경우에는, 후술하는 광 조사 후의 PEB(포스트 익스포저 베이크(POST EXPOSURE BAKE)) 공정에서의 소위 열 흐려짐을 억제할 수 있고, 프로세스 마진이 커진다.
또한, 이 알칼리 용해성 수지의 분자량은 현상성과 경화 도막 특성을 고려하면, 질량 평균 분자량 1,000 내지 100,000이 바람직하고, 더욱 2,000 내지 50,000이 보다 바람직하다.
이 분자량이 1,000 이상인 경우, 노광·PEB 후에 충분한 내현상성과 경화 물성을 얻을 수 있다. 또한, 분자량이 100,000 이하인 경우, 알칼리 용해성이 증가하고, 현상성이 향상된다.
(광 염기 발생제)
수지층 (B)에 있어서 이용하는 광 염기 발생제는 자외선이나 가시광 등의 광 조사에 의해 분자 구조가 변화하거나 또는 분자가 개열함으로써, 후술하는 열반응성 화합물의 중합 반응의 촉매로서 기능할 수 있는 1종 이상의 염기성 물질을 생성하는 화합물이다. 염기성 물질로서 예를 들어 2급 아민, 3급 아민을 들 수 있다.
광 염기 발생제로서, 예를 들어 α-아미노아세토페논 화합물, 옥심에스테르 화합물이나 아실옥시이미노기, N-포르밀화 방향족 아미노기, N-아실화 방향족 아미노기, 니트로벤질카르바메이트기, 알콕시벤질카르바메이트기 등의 치환기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도 옥심에스테르 화합물, α-아미노아세토페논 화합물이 바람직하다. α-아미노아세토페논 화합물로서는, 특히 2개 이상의 질소 원자를 갖는 것이 바람직하다.
그 외의 광 염기 발생제로서 WPBG-018(상품명: 9-안트릴메틸N,N'-디에틸카르바메이트), WPBG-027(상품명: (E)-1-[3-(2-히드록시페닐)-2-프로페노일]피페리딘), WPBG-082(상품명: 구아니디늄2-(3-벤조일페닐)프로피오네이트), WPBG-140(상품명: 1-(안트라퀴논-2-일)에틸 이미다졸카르복실레이트) 등을 사용할 수도 있다.
α-아미노아세토페논 화합물은 분자 중에 벤조인에테르 결합을 갖고, 광 조사를 받으면 분자 내에서 개열이 일어나, 경화 촉매 작용을 발휘하는 염기성 물질(아민)이 생성된다. α-아미노아세토페논 화합물의 구체예로서는, (4-모르폴리노벤조일)-1-벤질-1-디메틸아미노프로판(이르가큐어 369, 상품명, BASF 재팬사 제조)이나 4-(메틸티오벤조일)-1-메틸-1-모르폴리노에탄(이르가큐어 907, 상품명, BASF 재팬(주)사 제조), 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논(이르가큐어 379, 상품명, BASF 재팬(주)사 제조) 등의 시판되는 화합물 또는 그의 용액을 이용할 수 있다.
옥심에스테르 화합물로서는 광 조사에 의해 염기성 물질을 생성하는 화합물이라면 어느 것이나 사용할 수 있다. 이러한 옥심에스테르 화합물로서는, 시판품으로서 BASF 재팬(주)사 제조의 CGI-325, 이르가큐어 OXE01, 이르가큐어 OXE02, (주)아데카사 제조 N-1919, NCI-831 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 제4344400호 공보에 기재된 분자 내에 2개의 옥심에스테르기를 갖는 화합물도 적절하게 이용할 수 있다.
그 외 일본 특허 공개 제2004-359639호 공보, 일본 특허 공개 제2005-097141호 공보, 일본 특허 공개 제2005-220097호 공보, 일본 특허 공개 제2006-160634호 공보, 일본 특허 공개 제2008-094770호 공보, 일본 특허 공표 제2008-509967호 공보, 일본 특허 공표 제2009-040762호 공보, 일본 특허 공개 제2011-80036호 공보에 기재된 카르바졸옥심에스테르 화합물 등을 들 수 있다.
이러한 광 염기 발생제는 1종을 단독으로 이용하여도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 된다. 열경화성 수지 조성물 중의 광 염기 발생제의 배합량은 바람직하게는 열반응성 화합물 100질량부에 대하여 0.1 내지 40질량부이고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 30질량부이다. 0.1질량부 이상인 경우, 광 조사부/미조사부의 내현상성의 콘트라스트를 양호하게 얻을 수 있다. 또한, 40질량부 이하인 경우, 경화물 특성이 향상된다.
(열반응성 화합물)
수지층 (B)에 있어서 이용하는 열반응성 화합물은, 열에 의한 경화 반응이 가능한 관능기를 갖는 수지이고, 바람직하게는 환상 (티오)에테르기를 갖는 수지이고, 보다 바람직하게는 에폭시 수지, 다관능 옥세탄 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 환상 (티오)에테르기란, 환상 에테르기 및 환상 티오에테르기 중 적어도 어느 한 쪽을 의미한다.
상기 에폭시 수지는 에폭시기를 갖는 수지이고, 공지된 것을 모두 사용할 수 있다. 분자 중에 에폭시기를 2개 갖는 2관능성 에폭시 수지, 분자 중에 에폭시기를 다수 갖는 다관능 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 수소 첨가된 2관능 에폭시 화합물이어도 된다.
다관능 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 비크실레놀형 또는 비페놀형 에폭시 수지 또는 그들의 혼합물; 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 디글리시딜프탈레이트 수지, 테트라글리시딜크실레노일에탄 수지, 나프탈렌기 함유 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지, 글리시딜메타크릴레이트 공중합계 에폭시 수지, 시클로헥실말레이미드와 글리시딜메타크릴레이트의 공중합 에폭시 수지, CTBN 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
그 외의 액상 2관능성 에폭시 수지로서는, 비닐시클로헥센디에폭시드, (3',4'-에폭시시클로헥실메틸)-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, (3',4'-에폭시-6'-메틸시클로헥실메틸)-3,4-에폭시-6-메틸시클로헥산카르복실레이트 등의 지환족 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 1종을 단독으로 이용하여도 되고, 2종 이상을 병용하여도 된다.
상기 다관능 옥세탄 화합물로서는, 비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-메틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸아크릴레이트, (3-메틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트, (3-에틸-3-옥세타닐)메틸메타크릴레이트나 그들의 올리고머 또는 공중합체 등의 다관능 옥세탄류 외에, 옥세탄알코올과 노볼락 수지, 폴리(p-히드록시스티렌), 카르도형 비스페놀류, 칼릭스아렌류, 칼릭스레조르신아렌류, 또는 실세스퀴옥산 등의 수산기를 갖는 수지와의 에테르화물 등을 들 수 있다. 그 외 옥세탄환을 갖는 불포화 단량체와 알킬(메트)아크릴레이트의 공중합체 등도 들 수 있다.
상기 열반응성 화합물의 배합량으로서는 알칼리 용해성 수지와의 당량비(카르복실기 등의 알칼리 용해성 기:에폭시기 등의 열반응성 기)가 1:0.1 내지 1:10인 것이 바람직하다. 이러한 배합비의 범위로 함으로써, 현상이 양호해지고, 용이하게 미세 패턴을 형성할 수 있다. 상기 당량비는 1:0.2 내지 1:5인 것이 더욱 바람직하다.
(고분자 수지)
이상 설명한 바와 같은 수지층 (A) 및 수지층 (B)에 있어서 이용하는 수지 조성물에는, 얻어지는 경화물의 가요성, 지촉 건조성의 향상을 목적으로 공지 관용의 고분자 수지를 배합할 수 있다. 이러한 고분자 수지로서는 셀룰로오스계, 폴리에스테르계, 페녹시 수지계 중합체, 폴리비닐아세탈계, 폴리비닐부티랄계, 폴리아미드계, 폴리아미드이미드계 결합제 중합체, 블록 공중합체, 엘라스토머 등을 들 수 있다.
이 고분자 수지는 1종류를 단독으로 이용하여도 되고, 2종류 이상을 병용하여도 된다.
(무기 충전제)
또한, 수지층 (A) 및 수지층 (B)에 있어서 이용하는 수지 조성물에는, 경화물의 경화 수축을 억제하고, 밀착성, 경도 등의 특성을 향상시키기 위해서 무기 충전제를 배합할 수 있다. 이러한 무기 충전제로서는, 예를 들어 황산바륨, 무정형 실리카, 용융 실리카, 구상 실리카, 탈크, 클레이, 탄산마그네슘, 탄산칼슘, 산화알루미늄, 수산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 질화붕소, 노이부르그 규조토 등을 들 수 있다.
(착색제)
수지층 (A) 및 수지층 (B)에 있어서 이용하는 수지 조성물에는, 공지 관용의 착색제를 더 배합할 수 있다.
종래 프린트 배선판에 있어서의 구리 회로의 엣지부에서는, 패턴층의 착색력이 불충분한 경우, 패턴층의 형성 후의 열 이력에 있어서 구리가 변색되어, 외관상 얇은 부분만 변색되어 보인다. 대표적인 열 이력으로서는 마킹의 열경화, 휨 수정, 실장 전의 예비 가열, 실장 등이 있다.
그 때문에, 종래에는 패턴층에 착색제를 많이 배합하여 착색력을 높임으로써, 구리 회로의 엣지 부분만 변색되어 보인다는 문제를 해소하고 있었다.
그러나, 착색제는 광흡수성을 갖기 때문에 광이 심부까지 투과하는 것을 저해한다. 그 결과, 착색제를 함유하는 조성물에서는 언더컷이 발생하기 쉽기 때문에 충분한 밀착성을 얻기가 어렵다.
이에 비하여 본 발명에서 이용하는 수지 조성물에서는, 심부까지 염기가 화학적으로 증식함으로써 수지층의 심부까지 충분히 경화할 수 있다.
따라서, 본 발명에 있어서 이용하는 수지 조성물에 의하면, 착색제를 함유하는 경우에도 구리 회로의 은폐성이 우수하고, 또한 밀착성이 우수한 패턴층을 형성할 수 있다.
(유기 용제)
수지층 (A) 및 수지층 (B)에 있어서 이용하는 수지 조성물에는, 수지 조성물의 제조를 위해서나, 기재나 캐리어 필름에 도포하기 위한 점도 조정을 위해서 유기 용제를 사용할 수 있다.
이러한 유기 용제로서는, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류, 글리콜에테르아세테이트류, 에스테르류, 알코올류, 지방족 탄화수소, 석유계 용제 등을 들 수 있다. 이러한 유기 용제는 1종을 단독으로 이용하여도 되고, 2종 이상의 혼합물로서 이용하여도 된다.
(그 외의 임의 성분)
수지층 (A) 및 수지층 (B)에 있어서 이용하는 수지 조성물에는, 필요에 따라 머캅토 화합물, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의 성분을 더 배합할 수 있다. 이들은 전자 재료의 분야에 있어서 공지 관용의 것을 이용할 수 있다. 또한, 미분 실리카, 하이드로탈사이트, 유기 벤토나이트, 몬모릴로나이트 등의 공지 관용의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계 등의 소포제 및/또는 레벨링제, 실란 커플링제, 방청제 등과 같은 공지 관용의 첨가제류를 배합할 수 있다.
이어서, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법은, 플렉시블 프린트 배선판 상에, 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물 (A1)을 포함하는 수지층 (A)를 적어도 1층 형성하는 공정, 상기 수지층 (A) 상에, 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지, 광 염기 발생제 및 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물 (B1)을 포함하는 수지층 (B)를 적어도 1층 형성하는 공정, 상기 공정에서 형성한 수지층 (A)와 (B)에 패턴상으로 광을 조사하는 공정, 상기 공정에서 광 조사된 수지층 (A)와 (B)를 가열하는 공정, 및 상기 광 조사된 수지층 (A)와 (B)를 알칼리 현상하여 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에서는 수지층 (B)에 있어서 (1) 이미드환이 분자 중에 존재하는 수지를 이용하는 것, (2) 알칼리 용해성 수지와 열반응성 화합물의 부가 반응을 일으키는 조성물을 이용함으로써 수지층 (B)를 강화층으로서 기능시킬 수 있다.
즉, 종전의 솔더 레지스트 조성물을 포함하는 수지층 (A)를 형성하고, 그 수지층 (A) 상에 수지층 (B)를 적층함으로써, 내충격성, 굴곡성 및 저휨성 등의 신뢰성과 가공 정밀도가 우수한 커버레이와 솔더 레지스트를 플렉시블 프린트 배선판 상에 일괄하여 형성할 수 있다. 또한, 절연막으로서 층간 절연막을 형성하여도 된다.
이하, 본 발명의 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법의 일례를 도 3에 기초하여 설명한다.
[수지층 (A)의 형성 공정]
이 공정에서는 플렉시블 프린트 배선판 상에, 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물 (A1)을 포함하는 수지층 (A)를 적어도 1층 형성한다. 수지층 (A)는 알칼리 현상이 가능하기 때문에 패턴 형성이 가능해진다. 또한, 수지층 (A)를 적층함으로써 회로 추종성과 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
플렉시블 프린트 배선판은 플렉시블 기재 (1) 상에 구리 회로 (2)가 형성된 것이다. 수지층 (A)를 형성하는 위치는 굴곡부 및 비굴곡부 중 어느 한쪽이어도 되지만, 굴곡부와 비굴곡부 양쪽인 것이 바람직하다. 굴곡부란, 반복 절곡되어 굴곡성이 요구되는 부분이고, 비굴곡부란, 칩 실장부 등의 절곡되지 않는 부분이다.
수지층 (A)의 형성 방법으로서는, 도포법과 라미네이트법을 들 수 있다.
도포법의 경우, 스크린 인쇄법, 커튼 코팅법, 스프레이 코팅법, 롤 코팅법 등의 방법에 의해 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물 (A1)을 플렉시블 프린트 배선판 상에 도포하고, 50 내지 130℃ 정도의 온도에서 15 내지 60분간 정도 가열함으로써 수지층 (A)를 형성한다.
라미네이트법의 경우, 먼저 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물 (A1)을 유기 용제로 희석하여 적절한 점도로 조정하고, 캐리어 필름 상에 도포, 건조하여 수지층 (A)를 갖는 드라이 필름을 제작한다. 이어서, 라미네이터 등에 의해 수지층 (A)가 플렉시블 프린트 배선판과 접촉하도록 접합한 후, 캐리어 필름을 박리한다.
[수지층 (B)의 형성 공정]
이 공정에서는 수지층 (A) 상에, 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지, 광 염기 발생제 및 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물 (B1)을 포함하는 수지층 (B)를 적어도 1층 형성한다. 수지층 (B)는 알칼리 현상이 가능하기 때문에, 미세한 패턴 형성이 가능해지고, 가공 정밀도가 우수하다. 또한, 수지층 (B)를 적층함으로써, 내충격성과 굴곡성과 저휨성을 향상시킬 수 있다.
수지층 (B)를 형성하는 위치는, 수지층 (A)상에서 굴곡부와 비굴곡부 양쪽인 것이 바람직하다. 단, 수지층 (A) 상 중, 굴곡부에만 또는 비굴곡부에만 수지층 (B)를 형성하여도 된다.
또한, 수지층 (B)와 수지층 (A) 사이에는 새로운 층을 개재시켜도 된다.
수지층 (B)는 수지층 (A)의 형성 방법과 마찬가지의 방법으로 형성할 수 있다.
또한, 수지층 (A)와 (B)는 이들을 1개의 적층형 드라이 필름으로 한 후, 그 적층형 드라이 필름을 플렉시블 프린트 배선판에 라미네이트함으로써 형성하여도 된다.
본 발명에서는 구리 회로에의 추종성의 관점에서, 수지층 (A)를 수지층 (B)보다도 두껍게 형성하는 것이 바람직하다.
[광 조사 공정]
이 공정에서는 수지층 (A)와 (B)에 대하여 네거티브형의 패턴상으로 광 조사한다. 이 공정에 의해, 감광성 열경화성 수지 조성물에 포함되는 광 염기 발생제를 활성화하여 광 조사부를 경화할 수 있다. 이와 같이 하여 염기가 발생됨으로써 수지층의 심부까지 화학적으로 증식함으로써, 수지층의 심부까지 충분히 경화할 수 있다고 생각된다. 그 후의 열경화시에는, 이 염기가 알칼리 현상성 수지와 열반응성 화합물의 부가 반응의 촉매로서 작용하면서 부가 반응이 진행되기 때문에, 광 조사부에서는 심부까지 수지층이 충분히 경화한다. 이와 같이 본 발명에 있어서의 경화성 수지 조성물의 경화는 예를 들어 열반응에 의한 에폭시의 개환 반응이기 때문에, 광반응으로 진행하는 경우와 비교하여 왜곡이나 경화 수축을 억제할 수 있다.
광 조사기로서는, 직접 묘화 장치(예를 들어 컴퓨터로부터의 CAD 데이터에 의해 직접 레이저로 화상을 그리는 레이저 다이렉트 이미징 장치), 메탈 할라이드 램프를 탑재한 광 조사기, (초)고압 수은 램프를 탑재한 광 조사기, 수은 쇼트 아크램프를 탑재한 광 조사기, 또는 (초)고압 수은 램프 등의 자외선 램프를 사용한 직접 묘화 장치를 이용할 수 있다.
광 조사에 사용하는 활성 에너지선으로서는, 최대 파장이 350 내지 450nm의 범위에 있는 레이저광 또는 산란광을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 그의 광 조사량은 막 두께 등에 따라 상이하지만, 일반적으로는 50 내지 1500mJ/cm2, 바람직하게는 100 내지 1000mJ/cm2의 범위 내로 할 수 있다.
[가열 공정]
이 공정에서는 수지층 (A)와 (B)를 가열한다. 이에 의해, 광 조사에서 발생되는 염기에 의해 심부까지 충분히 경화할 수 있다. 이 공정은 소위 PEB(포스트 익스포저 베이크) 공정이라고 하는 공정이다.
가열 온도는, 열경화성 수지 조성물 중 광 조사부는 열경화하지만, 미조사부는 열경화하지 않는 온도인 것이 바람직하다.
예를 들어, 가열 공정은 미조사의 열경화성 수지 조성물의 발열 개시 온도 또는 발열 피크 온도보다도 낮고, 또한 광 조사한 열경화성 수지 조성물의 발열 개시 온도 또는 발열 피크 온도보다도 높은 온도로 가열하는 것이 바람직하다. 이렇게 가열함으로써 광 조사부만을 선택적으로 경화할 수 있다.
가열 온도는 예를 들어 80 내지 140℃이다. 가열 온도를 80℃ 이상으로 함으로써 광 조사부를 충분히 경화할 수 있다. 한편, 가열 온도를 140℃ 이하로 함으로써 광 조사부만을 선택적으로 경화할 수 있다. 가열 시간은 예를 들어 10 내지 100분이다. 또한, 미조사부에서는 광 염기 발생제로부터 염기가 발생하지 않기 때문에 열경화가 억제된다.
[현상 공정]
이 공정에서는 광 조사된 수지층 (A)와 (B)를 현상하여 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽을 형성한다. 이 현상에 의해 패턴상의 커버레이와 솔더 레지스트를 일괄하여 얻을 수 있다.
현상 방법으로서는 알칼리 현상이고, 디핑법, 샤워법, 스프레이법, 브러시법 등 공지된 방법에 의할 수 있다.
알칼리 현상액으로서는, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 암모니아, 에탄올아민, 이미다졸 등의 아민류, 수산화테트라메틸암모늄 수용액(TMAH) 등의 알칼리 수용액 또는 이의 혼합액을 이용할 수 있다.
[그 외의 공정]
본 발명에서는 필요에 따라 이하의 공정을 추가하여도 된다.
(제2 광 조사 공정)
현상 공정 후에, 수지층 (A)와 (B)에 광 조사하여도 된다. 이 광 조사에 의해, 앞의 광 조사 공정에 있어서 수지층 (B) 내에서 활성화되지 않고 남은 광 염기 발생제를 활성화하여 염기를 충분히 발생시킨다.
이 광 조사에 있어서의 자외선의 파장 및 광 조사량(노광량)은, 상기 광 조사 공정과 동일하여도 되고, 상이하여도 된다. 광 조사량은 예를 들어 150 내지 2000mJ/cm2이다.
(열경화 공정)
또한, 현상 공정 후에, 가열에 의해 수지층 (A)와 (B)를 더 열경화(후경화)하여도 된다. 이 열경화 공정은, 광 조사 공정 또는 광 조사 공정 및 제2 광 조사 공정에 의해 광 염기 발생제로부터 발생한 염기에 의해 패턴층을 충분히 열경화시킨다. 열경화 공정의 시점에서는 미조사부를 이미 제거하고 있기 때문에, 열경화 공정은 미조사의 열경화성 수지 조성물의 경화 반응 개시 온도 이상의 온도에서 행할 수 있다. 열경화함으로써, 수지층 (A)와 (B)를 충분히 열경화시킬 수 있다. 가열 온도는 예를 들어 150℃ 이상이다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1, 2, 비교예 1, 2)
하기 표 1에 나타내는 여러 성분을 하기 표 1에 나타내는 비율(질량부)로 배합하고, 교반기에서 예비 혼합한 후, 3축 롤 밀로 혼련하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
Figure pct00001
*1: 카르복실기 함유 크레졸 노볼락형 에폭시아크릴레이트(DIC(주)사 제조)
*2: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(닛폰 가야쿠(주)사 제조)
*3: 비스페놀 A형 노볼락 에폭시 수지(DIC(주)사 제조)
*4: 테트라메틸비페닐형 에폭시 수지(미츠비시 가가쿠(주)사 제조)
*5: 아미노알킬페논 광중합 개시제(BASF 재팬(주)사 제조)
*6: 디에틸티오크산톤 증감제(닛폰 가야쿠(주)사 제조)
*7: 황산바륨(사카이 가가쿠 고교(주)사 제조)
*8: 폴리이미드 필름(도레이·듀퐁(주)사 제조)
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*10: 트리메틸올프로판 EO 변성 트리아크릴레이트(도아 고세(주)사 제조)
*11: 비스페놀 A형 에폭시 수지(분자량: 1600)(미츠비시 가가쿠(주)사 제조)
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*14: 에틸메틸이미다졸(시코쿠 가세이 고교(주)사 제조)
(실시예 1)
실시예 1에 대해서는 라미네이트법을 이용하였다. 실시예 1에서는 캐리어 필름에 (b)층용의 감광성 수지 조성물을 도포, 건조하여 현상성 보호층을 형성한 후, 그 표면에 (a)층용의 감광성 수지 조성물을 도포, 건조하여 드라이 필름을 얻었다. 그 드라이 필름을 120℃에서 플렉시블 프린트 배선판에 압착하여 감광성 수지 구조체를 형성하였다. 막 두께를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2)
실시예 2에 대해서는 전체면 인쇄법을 이용하고, (a)층용의 감광성 수지 조성물을 플렉시블 프린트 배선판 상에 도포, 건조한 후, 그 표면에 (b)층용의 감광성 수지 조성물을 도포, 건조하여, 감광성 수지 구조체를 형성하였다. 각 막 두께를 표 1에 나타낸다.
(비교예 1)
비교예 1에 대해서는 전체면 인쇄법을 이용하고, (b)층용의 감광성 수지 조성물을 플렉시블 프린트 배선판 상에 도포, 건조하여 (b)층만의 플렉시블 프린트 배선판을 얻었다. 막 두께를 표 1에 나타낸다.
(비교예 2)
비교예 2에 대해서는 전체면 인쇄법을 이용하고, (a)층용의 감광성 수지 조성물을 플렉시블 프린트 배선판 상에 도포, 건조하여 (a)층만의 플렉시블 프린트 배선판을 얻었다. 막 두께를 표 1에 나타낸다.
(비교예 3)
비교예 3에 대해서는 라미네이트법을 이용하였다. 비교예 3에서는 펀칭 가공에 의해 5mm×5mm의 개구 패턴을 형성한 폴리이미드 필름에 (a)층용의 수지를 도포, 건조한 후, 120℃에서 플렉시블 프린트 배선판에 압착하였다. 이에 의해 패턴을 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 얻었다. 그의 막 두께를 표 1에 나타낸다.
(비교예 4)
비교예 4에서는 패턴 인쇄법을 이용하고, (b)층용의 수지를 개구 5mm×5mm의 패턴 인쇄에 의해 플렉시블 프린트 배선판 상에 도포, 건조하여, (b)층만의 패턴을 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 얻었다. 막 두께를 표 1에 나타낸다.
<알칼리 현상성 시험>
실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 감광성 수지 구조체에 대해서는, 메탈 할라이드 램프 탑재의 노광 장치(HMW-680-GW20)를 이용하여 네거티브 마스크를 개재하여 노광량 500mJ/cm2로 광 조사하고, 현상(30℃, 0.2MPa, 1질량% 탄산나트륨 수용액)을 행하고, 알칼리 현상의 가부를 조사하였다.
<굴곡성 시험>
실시예 1, 2의 감광성 수지 구조체 및 비교예 1, 2의 수지층에 대해서는, 상기 알칼리 현상성 시험과 마찬가지로 광 조사 및 현상에 의해 개구부(5×5mm)를 갖는 패턴을 형성하였다.
실시예 1, 2 및 비교예 1 내지 4의 패턴을 갖는 플렉시블 프린트 배선판을 180° 절곡하였다. 균열이 발생하지 않은 경우를 양호로 하고, 균열이 발생한 경우를 불량으로 하였다.
<전기 특성 시험>
빗형 전극(라인/스페이스=100㎛/100㎛)이 형성된 플렉시블 프린트 배선판에 상기 알칼리 현상성 시험과 마찬가지로 광 조사 및 현상에 의해 실시예 1, 2 및 비교예 1 내지 4의 패턴을 형성하여, 평가 기판을 제작하였다. 이 평가 기판을 130℃, 습도 85%의 분위기하의 고온 고습조에 넣고, 전압 50V를 하전하고, 1000시간, 조 내 HAST 시험을 행하였다. 쇼트하지 않은 경우를 양호로 하고, 쇼트한 경우를 불량으로 하였다.
<개구부 스며나옴 시험>
실시예 1, 2의 감광성 수지 구조체 및 비교예 1, 2의 수지층에 대해서는, 상기 알칼리 현상성 시험과 마찬가지로 광 조사 및 현상에 의해 개구부(5×5mm)를 갖는 패턴을 형성하였다.
실시예 1, 2 및 비교예 1 내지 4의 패턴에 대하여 개구부(5×5mm) 내측으로의 스며나옴의 유무를 평가하였다. 상기 각 평가 시험의 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
상기 표 2에 나타내는 결과로부터, 실시예 1 및 2의 감광성 수지 구조체는 플렉시블 프린트 배선판 상에 있어서 현상에 의한 미세한 패턴의 형성이 가능한 것을 알았다. 또한, 실시예 1, 2의 보호막은 굴곡성 및 전기 절연성도 우수한 것을 알았다.
이에 비하여, 비교예 1의 보호막에서는 굴곡성이 얻어지지 않고, 비교예 2의 보호막에서는 절연성이 불충분하였다. 한편, 비교예 3, 4의 보호막은 모두 플렉시블 프린트 배선판 상에 있어서 개구부로의 스며나옴이 발생하여, 미세한 패턴을 형성하기 위해서는 적합하지 않은 것을 알았다.
이하, 실시예, 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예, 비교예에 의해 제한되는 것이 아니다.
(실시예 3, 4, 비교예 5)
합성예: <이미드환·카르복실기 함유 수지의 합성>
교반기, 질소 도입관, 분류환, 냉각환을 설치한 세퍼러블 3구 플라스크에 3,5-디아미노벤조산을 12.2g, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 8.2g, NMP를 30g, γ-부티로락톤을 30g, 4,4'-옥시디프탈산 무수물을 27.9g, 트리멜리트산 무수물을 3.8g 첨가하고, 질소 분위기하에서 실온, 100rpm으로 4시간 교반하였다. 계속해서, 톨루엔을 20g 첨가하고, 실리콘욕 온도 180℃, 150rpm으로 톨루엔 및 물을 증류 제거하면서 4시간 교반하여 폴리이미드 용액을 얻었다.
<각 수지층을 구성하는 수지 조성물의 제조>
하기 표 3에 기재된 배합에 따라 실시예 및 비교예에 기재된 재료를 각각 배합, 교반기에서 예비 혼합한 후, 3축 롤 밀로 혼련하여, 각 수지층을 구성하는 수지 조성물을 제조하였다. 표 중의 값은 특별히 언급이 없는 한 질량부이다.
<수지층 (A)의 형성>
구리 두께 18㎛의 회로가 형성되어 있는 플렉시블 프린트 배선 기재를 준비하고, 맥크사 CZ-8100을 사용하여 전처리를 행하였다. 그 후, 상기 전처리를 행한 플렉시블 프린트 배선 기재에 실시예 3, 4 및 비교예 5의 수지 조성물을 각각 표 3에 나타내는 코팅 방법으로 건조 후에서 막 두께가 25㎛가 되도록 코팅을 행하였다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 90℃/30분으로 건조하여, 수지 조성물을 포함하는 수지층 (A)를 형성하였다.
<수지층 (B)의 형성>
상기에서 형성된 수지층 (A) 상에 실시예 3 및 4의 수지 조성물을 표 3에 나타내는 코팅 방법으로 건조 후에서 10㎛가 되도록 코팅을 행하였다. 그 후, 열풍 순환식 건조로에서 90℃/30분으로 건조하여, 수지 조성물을 포함하는 수지층 (B)를 형성하였다. 또한, 비교예 1에는 수지층 (B)의 형성은 행하지 않았다.
<현상성(패터닝), 경화 특성 평가>
실시예 3, 4에서는 상기에서 얻어진 수지층 (A)와 (B)를 구비하는 플렉시블 프린트 배선판에 대하여 ORC사 HMW680GW(메탈 할라이드 램프, 산란광)로 표 3에 나타내는 노광량으로 네거티브형의 패턴상으로 광 조사하였다. 계속해서 90℃에서 60분간 가열 처리를 행하였다. 그 후, 30℃의 1질량%의 탄산나트륨 수용액 중에 기재를 침지하여 3분간 현상을 행하고, 현상성의 가부를 평가하였다. 비교예 5에서는, 상기에서 얻어진 수지층 (A)를 구비하는 플렉시블 프린트 배선판에 대하여 실시예 3과 마찬가지로 현상성의 가부를 평가하였다. 얻어진 결과를 표 3에 나타낸다.
계속해서 열풍 순환식 건조로를 이용하여 150℃/60분간 열처리를 행하여, 패턴상의 경화 도막을 얻었다. 얻어진 경화 도막에 대하여 MIT 시험(R=0.38mm/ 우베고산(주) 제조 유피렉스 12.5㎛의 기재 사용) 및 표면 경도 시험(연필 경도 시험)을 실시하고, 굴곡성 및 표면 경도를 평가하였다. 얻어진 결과를 다음의 표 3에 나타낸다.
Figure pct00003
*11: 산가 86mgKOH/g MW: 10000
*12: 비스페놀 A형 에폭시 수지(분자량: 380)(미츠비시 가가쿠(주) 제조)
*13: 옥심형 광중합 개시제(BASF 재팬(주)사 제조)
*14: 비스페놀 F형 에폭시아크릴레이트(닛폰 가야쿠(주) 제조)
*15: 트리메틸올프로판 EO 변성 트리아크릴레이트(도아 고세(주) 제조)
*16: 비스페놀 A형 에폭시 수지(분자량:900)(미츠비시 가가쿠(주) 제조)
*17: 비스페놀 A형 에폭시 수지(분자량:500)(미츠비시 가가쿠(주) 제조)
*18: 아실포스핀옥시드계 광중합 개시제(BASF 재팬(주)사 제조)
표 3에 나타내는 평가 결과로부터 명백해진 바와 같이, 실시예 3 및 4의 플렉시블 프린트 배선판은 비교예 5의 플렉시블 프린트 배선판과 마찬가지로 현상할 수 있고, 굴곡성 및 표면 경도에 대해서는 대폭 우수한 것을 알 수 있다.
1 : 감광성 수지 구조체
2 : 플렉시블 기재
3 : 구리 회로
a : 현상성 접착층
b : 현상성 보호층
11 : 플렉시블 프린트 배선 기재
12 : 구리 회로
13 : 수지층
14 : 수지층
15 : 마스크

Claims (16)

  1. 현상성 접착층 (a)와,
    해당 현상성 접착층 (a)를 개재하여 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 현상성 보호층 (b)를 갖는 감광성 수지 구조체이며,
    적어도 상기 현상성 보호층 (b)는 광 조사에 의해 패터닝이 가능하고, 또한 상기 현상성 접착층 (a)와 상기 현상성 보호층 (b)는 현상에 의해 패턴을 일괄하여 형성하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 감광성 수지 구조체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 현상성 접착층 (a)와 상기 현상성 보호층 (b)가 모두 광 조사에 의해 패터닝이 가능한 감광성 수지 구조체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 현상성 접착층 (a)가 상기 현상성 보호층 (b)보다도 두꺼운 감광성 수지 구조체.
  4. 제1항에 있어서, 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용되는 감광성 수지 구조체.
  5. 제1항에 있어서, 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽을 형성하기 위하여 사용되는 감광성 수지 구조체.
  6. 제1항에 기재된 감광성 수지 구조체의 적어도 편면이 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 것을 특징으로 하는 드라이 필름.
  7. 플렉시블 프린트 배선판 상에 형성된 제1항에 기재된 감광성 수지 구조체를 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상에 의해 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 보호막을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 프린트 배선판.
  8. 제7항에 있어서, 상기 현상성 접착층 (a)는 플렉시블 프린트 배선판 상에 감광성 또는 비감광성의 수지 조성물 (a1)을 도포하여 형성되는 플렉시블 프린트 배선판.
  9. 알칼리 현상형 수지 조성물을 포함하는 수지층 (A)와,
    해당 수지층 (A)를 개재하여 플렉시블 프린트 배선판에 적층되는 수지층 (B)
    를 갖는 적층 구조체이며,
    상기 수지층 (B)가 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지와 광 염기 발생제와 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 구조체.
  10. 제9항에 있어서, 상기 수지층 (A)와 상기 수지층 (B)가 모두 광 조사에 의해 패터닝이 가능한 적층 구조체.
  11. 제9항에 있어서, 플렉시블 프린트 배선판의 굴곡부 및 비굴곡부 중 적어도 어느 한쪽에 사용되는 적층 구조체.
  12. 제9항에 있어서, 플렉시블 프린트 배선판의 커버레이, 솔더 레지스트 및 층간 절연 재료 중 적어도 어느 하나의 용도로서 사용되는 적층 구조체.
  13. 제9항에 기재된 적층 구조체의 적어도 편면이 필름으로 지지 또는 보호되어 있는 것을 특징으로 하는 드라이 필름.
  14. 플렉시블 프린트 배선판 상에 제9항에 기재된 적층 구조체의 층을 형성하고, 광 조사에 의해 패터닝하고, 현상액으로 패턴을 일괄하여 형성하여 이루어지는 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 프린트 배선판.
  15. 플렉시블 프린트 배선판 상에, 알칼리 현상형 감광성 수지 조성물 (A1)을 포함하는 수지층 (A)를 적어도 1층 형성하는 공정,
    상기 수지층 (A) 상에, 이미드환을 갖는 알칼리 용해성 수지, 광 염기 발생제 및 열반응성 화합물을 포함하는 감광성 열경화성 수지 조성물 (B1)을 포함하는 수지층 (B)를 적어도 1층 형성하는 공정,
    상기 공정에서 형성된 수지층 (A)와 (B)에 패턴상으로 광을 조사하는 공정,
    상기 공정에서 광 조사된 수지층 (A)와 (B)를 가열하는 공정, 및
    상기 광 조사된 수지층 (A)와 (B)를 알칼리 현상하여 커버레이 및 솔더 레지스트 중 적어도 어느 한쪽을 형성하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법.
  16. 제15항에 기재된 플렉시블 프린트 배선판의 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 플렉시블 프린트 배선판.
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