KR20150142033A - 전면 발광형 반도체 발광 장치 - Google Patents

전면 발광형 반도체 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150142033A
KR20150142033A KR1020157032326A KR20157032326A KR20150142033A KR 20150142033 A KR20150142033 A KR 20150142033A KR 1020157032326 A KR1020157032326 A KR 1020157032326A KR 20157032326 A KR20157032326 A KR 20157032326A KR 20150142033 A KR20150142033 A KR 20150142033A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
growth substrate
emitting devices
layer
Prior art date
Application number
KR1020157032326A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102245056B1 (ko
Inventor
브렌단 주드 모란
마크 안드레 드 삼버
그리고리 바신
노베르투스 안토니우스 마리아 스위거스
마크 멜빈 버터워스
케네스 밤폴라
클라리세 마주이르
Original Assignee
코닌클리케 필립스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리케 필립스 엔.브이. filed Critical 코닌클리케 필립스 엔.브이.
Publication of KR20150142033A publication Critical patent/KR20150142033A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102245056B1 publication Critical patent/KR102245056B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 샌드위치된 발광 층을 포함하는 반도체 구조체를 포함한다. 반도체 구조체에 성장 기판이 부착된다. 성장 기판은 적어도 하나의 경사진 측벽을 갖는다. 경사진 측벽 상에 반사 층이 배치된다. 반도체 구조체 및 성장 기판으로부터 추출된 광의 대부분은 성장 기판의 제1 표면을 통해 추출된다.

Description

전면 발광형 반도체 발광 장치{TOP EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 전면 발광형 파장-변환 반도체 발광 장치에 관한 것이다.
가장 효율적인 광원들 중에서 발광 다이오드(light emitting diode, LED), 공진 공동 발광 다이오드(resonant cavity light emitting diode, RCLED), 수직 공동 레이저 다이오드(vertical cavity laser diode, VCSEL), 및 연부 발광 레이저(edge emitting laser)를 비롯한 반도체 발광 장치가 현재 이용가능하다. 가시 스펙트럼에 걸쳐 작동할 수 있는 고휘도 발광 장치의 제조에서의 현재 관심대상인 재료 시스템은 III족 내지 V족 반도체, 특히 III족 질화물 재료로도 지칭되는, 갈륨, 알루미늄, 인듐 및 질소의 이원, 삼원 및 사원 합금을 포함한다. 전형적으로, III족 질화물 발광 장치는 금속-유기 화학 증착(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD), 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE), 또는 다른 에피택셜 기법에 의해 사파이어, 탄화규소, III족 질화물, 또는 다른 적합한 기판 상에 상이한 조성 및 도펀트 농도의 반도체 층들의 스택을 에피택셜 성장시킴으로써 제조된다. 스택은 종종, 기판 위에 형성되며 예를 들어 Si로 도핑된 1개 이상의 n-형 층, 상기 n-형 층 또는 층들 위에 형성된 활성 영역 내의 1개 이상의 발광 층, 및 상기 활성 영역 위에 형성되며 예를 들어 Mg로 도핑된 1개 이상의 p-형 층을 포함한다. n-형 영역 및 p-형 영역 상에 전기 콘택트가 형성된다.
일반적으로 "상부" 표면으로 지칭되는 표면으로부터만 광을 방출하는 LED (즉, LED의 측면으로부터의 광 방출이 실질적으로 감소되거나 또는 제거된 장치)는 종종, 성장 기판 상에서 LED 반도체 구조체를 성장시키고, 상기 반도체 구조체를 마운트(mount)에 부착한 다음, 상기 성장 기판을 제거함으로써 형성된다.
본 발명의 목적은 성장 기판의 제거를 요구하지 않으면서 광의 대부분을 장치의 상부 표면으로부터 방출하는 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예는 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 샌드위치된 발광 층을 포함하는 반도체 구조체를 포함한다. 반도체 구조체에 성장 기판이 부착된다. 성장 기판은 적어도 하나의 경사진 측벽을 갖는다. 경사진 측벽 상에 반사 층이 배치된다. 반도체 구조체 및 성장 기판으로부터 추출된 광의 대부분은 성장 기판의 상부 표면을 통해 추출된다.
본 발명의 실시예는 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 샌드위치된 발광 층을 포함하는 반도체 구조체를 포함한다. 반도체 구조체에 150 마이크로미터 미만의 두께를 갖는 성장 기판이 부착된다. 성장 기판의 측벽 및 반도체 구조체의 측벽 상에 반사 층이 배치된다. 반도체 구조체 및 성장 기판으로부터 추출된 광의 대부분은 성장 기판의 상부 표면을 통해 추출된다.
본 발명의 실시예에 따른 방법은 복수의 반도체 발광 장치를 캐리어에 부착하는 단계를 포함한다. 반도체 발광 장치들 사이의 구역에 반사 재료가 배치된다. 2개의 이웃하는 반도체 발광 장치가 분리된다. 분리는 반사 재료를 절단하는 것을 포함한다.
도 1은 III족 질화물 LED의 일례를 도시한다.
도 2는 임시 캐리어에 부착된 LED의 웨이퍼를 도시한다.
도 3은 성장 기판에 슬롯을 형성한 후의 도 2의 구조체를 도시한다.
도 4는 LED에 파장 변환 부재를 부착한 후의 도 3의 구조체를 도시한다.
도 5는 LED 사이의 구역을 반사 재료로 충전한 후의 도 4의 구조체를 도시한다.
도 6은 LED를 분리한 후의 도 5의 구조체를 도시한다.
도 7는 임시 캐리어에 부착된 LED를 도시한다.
도 8은 LED에 파장 변환 부재를 부착한 후의 도 7의 구조체를 도시한다.
도 9는 LED들 사이의 구역을 반사 재료로 충전한 후의 도 8의 구조체를 도시한다.
도 10은 LED들 사이의 구역을 반사 재료로 충전한 후의 도 7의 구조체를 도시한다.
도 11은 LED 위에 파장 변환 층을 형성한 후의 도 10의 구조체를 도시한다.
도 12는 임시 캐리어에 부착된 파장 변환 부재를 도시한다.
도 13은 파장 변환 부재에 LED를 부착한 후의 도 12의 구조체를 도시한다.
도 14는 LED들 사이의 구역을 반사 재료로 충전한 후의 도 13의 구조체를 도시한다.
도 15는 임시 캐리어에 부착된 실질적으로 공형(conformal) 파장 변환 층을 갖는 LED를 도시한다.
도 16은 LED들 사이의 구역을 반사 재료로 충전한 후의 도 15의 구조체를 도시한다.
도 17은 임시 캐리어에 부착된 LED의 상부 위에 마스크 층이 형성된 LED를 도시한다.
도 18은 반사 층을 형성한 후의 도 17의 구조체를 도시한다.
도 19는 마스크 층을 제거한 후의 도 18의 구조체를 도시한다.
도 20은 도 19의 구조체 위에 파장 변환 층을 형성한 후의 구조체를 도시한다.
본 발명의 실시예에서, 성장 기판 상에 성장된 반도체 LED의 웨이퍼는, 광의 대부분이 각 LED의 상부 표면을 통해 추출되는 개별 장치 또는 장치의 그룹으로 가공된다. 광이 장치의 측부로부터 탈출하는 것을 방지하기 위해 또는 장치의 측부로부터 추출되는 광량을 감소시키기 위해 장치의 측부 상에 반사 재료가 배치된다. 반사 재료는 또한 LED의 상부 표면을 통해 추출되는 광량을 증가시킬 수도 있다.
하기 예에서 반도체 발광 장치는 청색 또는 UV 광을 방출하는 III족 질화물 LED이지만, LED 이외의 반도체 발광 장치, 예를 들어 레이저 다이오드 및 다른 III-V족 재료, III족-인화물, III족-비소화물, II-VI족 재료, ZnO, 또는 Si계 재료와 같은 다른 재료 시스템으로부터 이루어진 반도체 발광 장치가 사용될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에서 사용될 수도 있는 III족 질화물 LED를 도시한다. 임의의 적합한 반도체 발광 장치가 사용될 수도 있고, 본 발명의 실시예는 도 1에 도시된 장치로 한정되지 않는다. 도 1의 장치는 관련 기술분야에 공지된 바와 같이 성장 기판(10) 상에 III족 질화물 반도체 구조체(12)를 성장시킴으로써 형성된다. 성장 기판은 종종 사파이어이지만, 예를 들어, SiC, Si, GaN 또는 복합 기판과 같은 임의의 적합한 기판일 수도 있다. III족 질화물 반도체 구조체가 상부에 성장되는 성장 기판의 표면이, 성장 전에 패터닝, 조면화 또는 텍스처링될 수도 있는데, 이는 장치로부터의 광 추출을 개선시킬 수도 있다. 성장 표면의 반대편에 있는 성장 기판의 표면 (즉, 플립 칩 구성에서 대부분의 광이 추출되는 표면)이, 성장 전 또는 후에 패터닝, 조면화 또는 텍스처링될 수도 있는데, 이는 장치로부터의 광 추출을 개선시킬 수도 있다.
반도체 구조체는 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 샌드위치된 발광 또는 활성 영역을 포함한다. n-형 영역(16)이 먼저 성장될 수도 있고, 예를 들어, n-형 도핑되거나 또는 의도적으로 도핑되지 않을 수도 있는, 완충 층 또는 핵생성 층과 같은 준비 층, 및 효율적으로 광을 방출하기 위한 발광 영역에 바람직한 특정한 광학적, 재료, 또는 전기적 특성을 위해 설계된 n-형 또는 심지어 p-형 장치 층을 포함하는, 상이한 조성들 및 도펀트 농도의 다수의 층을 포함할 수도 있다. 발광 또는 활성 영역(18)이 n-형 영역 위에 성장된다. 적합한 발광 영역의 예에는 단일의 두껍거나 얇은 발광 층, 또는 배리어 층에 의해 분리되는 다수의 얇거나 두꺼운 발광 층을 포함하는 다수의 양자 우물 발광 영역이 포함된다. 이어서, p-형 영역(20)이 발광 영역 위에 성장될 수도 있다. n-형 영역과 마찬가지로, p-형 영역은, 의도적으로 도핑되지 않은 층, 또는 n-형 층을 포함하는, 상이한 조성, 두께 및 도펀트 농도의 다수의 층을 포함할 수도 있다.
성장 후에, p-형 영역의 표면 상에 p-콘택트가 형성된다. p-콘택트(21)는 종종 반사성 금속 및 반사성 금속의 전자이동(electromigration)을 방지하거나 또는 감소시킬 수도 있는 가드 금속(guard metal)과 같은 다수의 전도성 층을 포함한다. 반사성 금속은 종종 은이지만 임의의 적합한 재료 또는 재료들이 사용될 수도 있다. p-콘택트(21)를 형성한 후에, p-콘택트(21), p-형 영역(20) 및 활성 영역(18)의 일부분이 제거되어 n-형 영역(16)의 일부분을 노출시키는데, n-형 영역(16)의 일부분 상에 n-콘택트(22)가 형성된다. n-콘택트(22) 및 p-콘택트(21)는 갭(25)에 의해 서로 전기적으로 절연되는데, 갭(25)은 규소의 산화물과 같은 유전체 또는 임의의 다른 적합한 재료로 충전될 수도 있다. 다수의 n-콘택트 비아들이 형성될 수도 있고; n-콘택트(22) 및 p-콘택트(21)는 도 1에 도시된 배열로 한정되지 않는다. n-콘택트 및 p-콘택트는, 관련 기술분야에 공지된 바와 같이 유전체/금속 스택에 의해 결합 패드를 형성하도록 재분배될 수도 있다.
LED와의 전기 접속을 형성하기 위해, 하나 이상의 상호접속물(26, 28)이 n-콘택트(22) 및 p-콘택트(21) 상에 형성되거나 또는 이들에 전기적으로 접속된다. 상호접속물(26)은 도 1에서의 n-콘택트(22)에 전기적으로 접속된다. 상호접속물(28)은 p-콘택트(21)에 전기적으로 접속된다. 상호접속물(26, 28)은 유전체 층(24) 및 갭(27)에 의해 n-콘택트(22) 및 p-콘택트(21)로부터, 및 서로로부터 전기적으로 절연된다. 상호접속물(26, 28)은, 예를 들어 땜납(solder), 스터드 범프(stud bump), 금 층 또는 임의의 다른 적합한 구조체일 수도 있다. 많은 개별 LED가 단일 웨이퍼 상에 형성된 후에, 장치의 웨이퍼로부터 다이싱된다(diced). LED의 웨이퍼의 n-콘택트(22) 및 p-콘택트(21), 및 반도체 구조체는 하기 도면들에서 블록 12로 표시된다. LED의 웨이퍼의 상호접속물(26, 28)은 블록 14로 표시된다.
도 1을 참조하여 상기 설명된 바와 같이 반도체 구조체의 성장 후에 또는 개별 장치를 형성한 후에 기판(10)은 박형화될 수도 있다. 박형화 후에, 기판은 일부 실시예에서 50 μm 이상의 두께를 가질 수도 있고, 일부 실시예에서 150 μm 이하의 두께를 가질 수도 있고, 일부 실시예에서 80 μm 이상의 두께를 가질 수도 있고, 일부 실시예에서 120 μm 이하의 두께를 가질 수도 있다.
도 2, 도 3, 도 4, 도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 장치를 형성하는 것을 도시한다.
도 2에서, LED의 웨이퍼가 개별 LED 또는 LED의 그룹으로 다이싱되기 전에, 웨이퍼는 상호접속물(14)을 통해 임시 캐리어(30)에 부착된다. 임시 캐리어(30)는 하기 가공 단계를 위해 웨이퍼를 안정화시킨다. 임시 캐리어(30)는, 예를 들어 웨이퍼 핸들링 테이프와 같은 임의의 적합한 재료일 수도 있다.
도 3에서는, 성장 기판(10)에 슬롯(32)이 형성된다. 슬롯(32)은 일부 실시예에서 (예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이 경사진 측벽을 갖는 슬롯의 상부에서) 폭이 50 μm 이하이다. 슬롯들은 LED들 사이의 영역에 배치되는데, 여기서 구조체는, 하기 설명되는 바와 같이, 웨이퍼를 개별 LED 또는 LED의 그룹으로 분리하기 위해 절단될 것이다. 슬롯들은 예를 들어, 습식 또는 건식 에칭, 레이저 스크라이빙(laser scribing), 또는 다이아몬드 블레이드에 의한 소잉(sawing)과 같은 기계적 절단을 포함하는 임의의 적합한 기법에 의해 형성될 수도 있다. 슬롯(32)은 기판(10)의 전체 두께를 통해 연장될 수도 있지만, 이들이 필요하지 않을 수도 있다. 슬롯(32)은 도 3에 도시된 바와 같이 경사진 측벽을 가질 수도 있지만, 경사진 측벽이 요구되지 않을 수도 있다.
도 4에서는, 기판(10)의 상부에 파장 변환 부재(34)가 부착되어, 파장 변환 부재가 개별 LED 또는 LED의 그룹과 정렬되도록 된다. 파장 변환 부재(34)는 일반적으로, LED의 웨이퍼와는 별개로 형성된 후에 기판(10)에 부착되는 파장 변환 구조체이다. 이와 같이, 파장 변환 부재(34)는 자가-지지 구조체이고, 기판(10) 상의 계내에 형성된 구조체가 아니다. 적합한 파장 변환 부재(34)의 예에는 예를 들어, 소결에 의해 세라믹 소판(ceramic platelet)으로 형성되는 인광체(phosphor), 및/또는 시트로 주조되거나 또는 다른 방식으로 시트로 형성된 후에 개별 파장 변환 부재(34)로 절단되는, 유리, 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명 재료 내에 배치된 인광체 또는 다른 파장 변환 재료가 포함된다.
파장 변환 부재(34)에서의 파장 변환 재료는, 예를 들어 종래의 인광체들, 유기 인광체들, 양자점들, 유기 반도체들, II-VI족 또는 III-V족 반도체들, II-VI족 또는 III-V족 반도체 양자점들 또는 나노결정들, 염료들, 중합체들, 또는 다른 발광성 재료일 수도 있다. 파장 변환 재료는 LED에 의해 방출된 광을 흡수하며 하나 이상의 상이한 파장들의 광을 방출한다. LED에 의해 방출된 비변환 광이 종종 구조체로부터 추출된 광의 최종 스펙트럼의 부분이 되지만, 그것이 존재할 필요는 없다. 일반적인 조합의 예에는 황색-발광 파장 변환 재료와 조합된 청색-발광 LED, 녹색- 및 적색-발광 파장 변환 재료와 조합된 청색-발광 LED, 청색- 및 황색-발광 파장 변환 재료와 조합된 UV-방출 LED, 및 청색-, 녹색-, 및 적색-발광 파장 변환 재료와 조합된 UV-방출 LED가 포함된다. 구조체로부터 방출된 광의 스펙트럼을 맞춤화하기 위해 다른 색들의 광을 방출하는 파장 변환 재료가 첨가될 수도 있다.
파장 변환 부재(34)는 예를 들어, 실리콘 또는 임의의 다른 적합한 접착제와 같은 재료에 의한 접착, 직접 접합, 또는 임의의 다른 적합한 기법에 의해 기판(10)에 부착될 수도 있다.
도 5에서는, 도 3에 형성된 슬롯(32) 내에 반사 재료(36)가 배치된다. 반사 재료는 예를 들어, 투명 재료 내에 배치된 반사성 또는 다른 입자들일 수도 있다. 입자들 및 투명 재료는 광학적 산란을 일으키기 위해 실질적으로 상이한 굴절률들을 갖도록 선택될 수도 있다. 일부 실시예에서, 투명 재료는 낮은 굴절률을 갖고(예를 들어, 실리콘은 1.4 이하의 굴절률을 가질 수도 있고), 입자들은 보다 높은 굴절률을 갖는다(예를 들어, TiO2는 2.6의 굴절률을 갖는다). 예를 들어, TiO2, ZnO 또는 Al2O3을 포함하는 임의의 적합한 반사성 입자가 사용될 수도 있다. 적합한 투명 재료의 예에는 실리콘 몰딩 화합물, 액체 실리콘, 에폭시 및 유리가 포함된다. 일부 실시예에서, 반사성 입자들, 투명 재료, 및/또는 반사성 입자들과 투명 재료의 조합은 일반적인 실리콘 재료보다 더 높은 열전도율을 갖는다. 일반적인 실리콘 재료는 전형적으로 약 0.1 내지 0.2 W/mK의 열전도율을 갖는다.
반사 재료(36)는, 예를 들어 디스펜싱 또는 몰딩과 같은 임의의 적합한 기법에 의해 슬롯(32) 내에 배치될 수도 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서 반사 재료(36)는 슬롯(32)을 완전히 충전하여, 반사 재료(36)의 상부가 파장 변환 부재(34)의 상부와 동일 평면 상에 있도록 할 수도 있다. 일부 실시예에서 반사 재료(36)는 슬롯(32)을 완전히 충전하지 않는다. 일부 실시예에서, 슬롯 내에 반사 재료(36)를 배치한 후에 과잉 반사 재료(36)가 제거된다. 예를 들어, 슬롯(32)의 상부 위로 연장되거나 또는 LED를 덮는 반사 재료는, 기계적 연마, 연삭 또는 마이크로비드 블라스팅(microbead blasting)과 같은 임의의 적합한 기법에 의해 제거될 수도 있다.
도 6에서는, LED들 사이의 영역(38)에서의 LED 웨이퍼 및 반사 재료(36)를 지나 절단함으로써 웨이퍼로부터 개별 LED가 분리된다. 개별 LED는 예를 들어, 다이아몬드 소잉, 레이저 절단, 또는 스크라이빙 및 브레이킹(breaking)을 포함하는 임의의 적합한 기법에 의해 웨이퍼로부터 절단될 수도 있다. 절단에 의해 형성된 커프(kerf)는, 예를 들어 폭이 20 μm 이하일 수도 있다. 반사 재료의 적절한 기능화를 위해, 절단 후에 도 6의 LED의 측부 상에 남아 있는 반사 재료(36)의 필요 두께는 반사 재료의 종류에 좌우될 수도 있다. 반사성 금속 필름들의 경우, 일부 실시예에서 1 μm 이하가 요구된다. 실리콘에서의 TiO2와 같은 확산 반사체의 경우, 반사율은 두께에 좌우될 수도 있다. 예를 들어, 90% 이상 반사성인 확산 반사체는 일부 실시예에서 두께가 20 μm 이하일 수도 있고, 95% 이상 반사성인 확산 반사체는 일부 실시예에서 두께가 50 μm 이하일 수도 있다.
절단 후에, 완성된 LED는, 예를 들어 열 박리(thermal release), 상이한 캐리어로의 이송, 또는 직접 피킹(direct picking)과 같은 임의의 적합한 기법에 의해 임시 캐리어(30)로부터 제거된다.
도 2 내지 도 6에 도시된 방법 및 결과적인 장치의 하나의 문제점은 파장 변환 부재(34) 및 반사 재료(36)를 위한 이용가능한 구역이 성장 기판 웨이퍼(10) 상의 LED의 원래의 피치에 의해 제한된다는 것이다. 이웃하는 LED들 사이의 구역이, 예를 들어 비용 때문에 제한되어서, 파장 변환 부재(34)의 크기 및 반사 재료(36)의 두께를 제한한다. 도 7, 도 8 및 도 9는, 개별 LED가 먼저 웨이퍼로부터 분리된 후에 임시 캐리어 상의 보다 큰 피치로 재배열된 대안적인 실시예를 도시한다.
도 7에서는, 개별 LED가 캐리어(30) 상에 배치되는데, 캐리어(30)는 도 2를 참조하여 상기 설명된 것과 같은 임시 캐리어일 수도 있다. LED는 일부 실시예에서 100 μm 이상 이격되어 있을 수도 있고, 일부 실시예에서 800 μm 이하 이격되어 있을 수도 있고, 일부 실시예에서 400 μm 이상 이격되어 있을 수도 있고, 일부 실시예에서 600 μm 이하 이격되어 있을 수도 있다. 각 LED 상의 성장 기판(10)은 도 2 내지 도 6에서 설명되는 실시예에서 예시된 경사진 측벽이 아니라 실질적으로 수직 측벽을 가질 수도 있지만, 수직 측벽이 요구되지 않을 수도 있으며 측벽의 형상이 LED를 분리하기 위해 이용되는 기법에 좌우될 수도 있다.
도 8에서는, 도 4를 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 각 LED의 성장 기판(10)에 파장 변환 요소(34)가 부착된다.
도 9에서는, 도 5를 참조하여 상기 설명된 바와 같이, LED들 사이의 갭 내에 반사 재료(36)가 배치된다. 개별 장치는 도 6를 참조하여 상기 설명된 바와 같이 반사 재료를 절단함으로써 분리된 후에, 도 6를 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 임시 캐리어로부터 제거될 수도 있다.
도 10 및 도 11은, 개별 LED가 먼저 성장 웨이퍼로부터 분리된 후에 임시 캐리어 상에 배치된 대안적인 실시예를 도시한다. 도 10에서는, 개별 LED가 캐리어(30) 상에 배치되는데 (도 7에 도시된 바와 같음), 캐리어(30)는 도 2를 참조하여 상기 설명된 것과 같은 임시 캐리어일 수도 있다. 도 5를 참조하여 상기 설명된 바와 같이, LED들 사이의 영역 내에 반사 재료(36)가 배치된다.
도 11에서는, LED 및 반사 재료(36) 위에 파장 변환 층(40)이 형성된다. 파장 변환 층(40)은, 예를 들어 실리콘과 같은 투명 재료 내에 배치된 인광체일 수도 있다. 파장 변환 층(40)은, 예를 들어, 적층, 몰딩, 디스펜싱, 분무 코팅 또는 스핀 코팅을 포함하는 임의의 적합한 기법에 의해 형성될 수도 있다. 그 후에, LED는, 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 예를 들어 이웃하는 LED들 사이의 영역(38)에서, 구조체를 지나 절단함으로써 분리된다. 이어서, LED는, 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 임시 캐리어(30)로부터 제거된다.
도 12, 도 13 및 도 14는 대안적인 실시예를 도시한다. 도 12에서는, 개별 파장 변환 요소(34)가 캐리어(30) 상에 배치되는데, 캐리어(30)는 도 2를 참조하여 상기 설명된 것과 같은 임시 캐리어일 수도 있다. 파장 변환 요소(34)는 도 4를 참조하여 상기 설명된 것이다.
도 13에서는, 파장 변환 요소(34)에 LED가 부착된다. LED는 도 4를 참조하여 상기 설명된 방법 및 재료를 이용하여 부착될 수도 있다.
도 14에서는, 도 5를 참조하여 상기 설명된 바와 같이, LED들 사이의 영역 내에 반사 재료(36)가 배치된다. 그 후에, LED는, 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 예를 들어 이웃하는 LED들 사이의 영역(38)에서, 구조체를 지나 절단함으로써 분리된다. 이어서, LED는, 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 임시 캐리어(30)로부터 제거된다.
도 15 및 도 16은 대안적인 실시예를 도시한다. 도 15에서는, LED가 임시 캐리어(30)에 부착되는데, 임시 캐리어(30)는 도 2를 참조하여 상기 설명된 것과 같은 임시 캐리어일 수도 있다. 임시 캐리어(30)에 LED들을 부착하기 전 또는 부착한 후에, 일부 실시예에서 LED의 상부 및 일부 실시예에서 LED의 상부와 측부가 파장 변환 층(42)으로 덮인다. 파장 변환 층(42)은 예를 들어, 투명 재료와 혼합된 파장 변환 재료일 수도 있고, 예를 들어 적층, 몰딩 또는 전기영동 침착법(electrophoretic deposition)을 포함하는 임의의 적합한 기법에 의해 형성될 수도 있다.
도 16에서는, 도 5를 참조하여 상기 설명된 바와 같이, LED들 사이의 영역 내에 반사 재료(36)가 배치된다. 반사 재료(36)는 실질적으로 공형 파장 변환 층(42)에 대한 손상을 제한하는 기법에 의해 형성될 수도 있다. 적합한 기법의 일례는 LED들 사이의 구역에서 액체 실리콘과 혼합된 반사성 입자들을 디스펜싱한 후에, 액체 실리콘을 경화시키는 것이다. 그 후에, LED는, 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 예를 들어 이웃하는 LED들 사이의 영역(38)에서, 구조체를 지나 절단함으로써 분리된다. 이어서, LED는, 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 임시 캐리어(30)로부터 제거된다.
도 17, 도 18, 도 19 및 도 20은 대안적인 실시예를 도시한다. 도 17에서는, LED가 임시 캐리어(30)에 부착되는데, 임시 캐리어(30)는 도 2를 참조하여 상기 설명된 것과 같은 임시 캐리어일 수도 있다. 임시 캐리어에 LED들을 부착하기 전 또는 부착한 후에, LED의 상부가 마스킹 층(44)으로 덮인다. 일부 실시예에서, 성장 기판을 절단함으로써 LED들을 단일화하기 전에, 마스킹 층이 LED의 웨이퍼의 성장 기판에 적용된다. 마스킹 층(44)은 예를 들어, 포토레지스트, 유전체 재료 또는 임의의 다른 적합한 재료일 수도 있다. 마스킹 층(44)은 예를 들어, 스핀 코팅, 롤러 코팅, 딥 코팅, 적층, 분무 코팅, 증발(evaporation), 스퍼터링, 및 유리의 조각과 같은 조각 부분의 다이렉트 픽 앤드 플레이스(direct pick and place)를 포함하는 임의의 적합한 기법에 의해 형성될 수도 있다. 일부 실시예에서, 마스킹 층(44)은 예를 들어, 포토리소그래피, 섀도우 마스킹, 및/또는 습식 또는 건식 화학 에칭에 의해 패터닝된다.
도 18에서는, 도 17에 도시된 구조체 위에 반사 코팅(46)이 배치된다. 반사 코팅(46)은, 예를 들어 이색성 거울(dichroic mirror), 분포 브래그 반사체(distributed Bragg reflector, DBR), 금속 필름 또는 다른 적합한 유전체 스택을 포함하는 임의의 적합한 재료일 수도 있다. 반사 코팅(46)은, 예를 들어 물리 증착(physical vapor deposition), CVD, 스퍼터링, 증발 및 분무 코팅을 포함하는 임의의 적합한 기법에 의해 형성될 수도 있다. 반사 코팅(46)은, 도 18에 도시된 바와 같이, 구조체를 실질적으로 공형적으로 코팅할 수도 있지만, 이것이 요구되지 않을 수도 있다.
도 19에서는, LED들 위의 마스킹 층(44) 및 반사 코팅(46)이, 예를 들어 리프트-오프 프로세스(lift-off process)와 같은 임의의 적합한 프로세스에 의해 제거된다. 마스킹 층(44)을 제거한 후에, LED들 사이의 영역 및 LED의 측벽 상에 반사 코팅(46)이 남아 있다.
도 20에서는, 도 19에 도시된 구조체 위에 파장 변환 층(48)이 형성된다. 파장 변환 층(48)은 예를 들어, 투명 재료와 혼합된 파장 변환 재료일 수도 있고, 예를 들어 적층, 몰딩, 분무 코팅 또는 스핀 코팅을 포함하는 임의의 적합한 기법에 의해 형성될 수도 있다. 파장 변환 층(48)은 도 20에 도시된 바와 같이 LED들 사이의 영역을 충전할 수도 있고, 또는 파장 변환 층(48)은 실질적으로 공형인 층일 수도 있다. 그 후에, LED는, 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 예를 들어 이웃하는 LED들 사이의 영역(38)에서, 구조체를 지나 절단함으로써 분리된다. 이어서, LED는, 도 6을 참조하여 상기 설명된 바와 같이, 임시 캐리어(30)로부터 제거된다.
일부 실시예에서, 상기 설명된 장치들 중 임의의 것일 수도 있는, 완성된 LED 위에 렌즈 또는 다른 광학 요소가 형성된다. 상기 설명된 장치들 중 임의의 것에 있어서, 일부 실시예에서, 성장 기판의 측벽은 경사질 수도 있다.
본 발명을 상세하게 설명하였지만, 관련 기술분야에서의 통상의 기술자는, 본 발명을 고려해 볼 때, 본 명세서에 설명된 발명의 개념의 사상으로부터 벗어나지 않는 한 본 발명에 변형이 이루어질 수도 있음을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 범주가 예시되고 설명된 특정 실시예로 한정되는 것으로 의도되지 않는다.

Claims (14)

  1. 장치로서,
    n-형 영역과 p-형 영역 사이에 샌드위치된 발광 층을 포함하는 반도체 구조체;
    상기 반도체 구조체에 부착되며 적어도 하나의 경사진 측벽을 갖는 성장 기판; 및
    상기 경사진 측벽 상에 배치된 반사 층
    을 포함하며,
    상기 반사 층은 상기 반도체 구조체 및 상기 성장 기판으로부터 추출된 광의 대부분이 상기 성장 기판의 제1 표면을 통해 추출되도록 배열된 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 성장 기판의 상기 제1 표면 위에 배치된 파장 변환 층을 더 포함하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 성장 기판은 150 마이크로미터 미만의 두께를 갖는 장치.
  4. 장치로서,
    n-형 영역과 p-형 영역 사이에 샌드위치된 발광 층을 포함하는 반도체 구조체;
    상기 반도체 구조체에 부착되며 150 마이크로미터 미만의 두께를 갖는 성장 기판; 및
    상기 성장 기판의 측벽 및 상기 반도체 구조체의 측벽 상에 배치된 반사 층
    을 포함하며,
    상기 반사 층은 상기 반도체 구조체 및 상기 성장 기판으로부터 추출된 광의 대부분이 상기 성장 기판의 제1 표면을 통해 추출되도록 배열된 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 성장 기판의 상기 제1 표면 위에 배치된 파장 변환 층을 더 포함하는 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 파장 변환 층은 반도체 구조체와는 별개로 형성되며 상기 성장 기판에 부착된 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반사 층은 상기 파장 변환 층의 측벽 상에 배치된 장치.
  8. 복수의 반도체 발광 장치를 캐리어에 부착하는 단계;
    상기 반도체 발광 장치들 사이의 구역에 반사 재료를 배치하는 단계;
    2개의 이웃하는 반도체 발광 장치를 분리하는 단계 - 상기 분리하는 단계는 상기 반사 재료를 절단하는 단계를 포함함 - ; 및
    2개의 이웃하는 반도체 발광 장치를 분리한 후에, 상기 캐리어를 제거하는 단계
    를 포함하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 복수의 반도체 발광 장치를 캐리어에 부착하는 단계는 복수의 반도체 발광 장치가 상부에 형성된 성장 기판 웨이퍼를 캐리어에 부착하는 단계를 포함하고, 상기 방법은 상기 반도체 발광 장치들 사이의 구역에서의 상기 성장 기판 웨이퍼에 슬롯을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 반도체 발광 장치들 사이의 구역에 반사 재료를 배치하는 단계는 상기 슬롯 내에 반사 재료를 배치하는 단계를 포함하는, 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 반도체 발광 장치들 사이의 구역에 반사 재료를 배치하기 전에, 상기 복수의 반도체 발광 장치 각각에 파장 변환 부재를 부착하는 단계를 더 포함하며, 상기 파장 변환 부재는 상기 반도체 발광 장치와는 별개로 형성되는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 반도체 발광 장치들 사이의 구역에 반사 재료를 배치한 후에, 상기 복수의 반도체 발광 장치 위에 파장 변환 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 복수의 반도체 발광 장치를 캐리어에 부착하는 단계는, 복수의 파장 변환 부재를 캐리어에 부착하는 단계, 및 상기 파장 변환 부재 각각에 반도체 발광 장치를 부착하는 단계를 포함하는, 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 복수의 반도체 발광 장치를 캐리어에 부착하기 전에, 상기 복수의 반도체 발광 장치 각각 상에 파장 변환 층을 배치하는 단계를 더 포함하는 방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 반도체 발광 장치들 사이의 구역에 반사 재료를 배치하는 단계는,
    상기 반도체 발광 장치의 제1 표면 상에 마스크 층을 형성하는 단계;
    상기 마스크 층 및 상기 복수의 반도체 발광 장치의 측벽 위에 반사 층을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크 층을 제거하는 단계
    를 포함하고,
    상기 방법은 상기 마스크 층을 제거한 후에 상기 반도체 발광 장치의 상기 제1 표면 위에 파장 변환 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
KR1020157032326A 2013-04-11 2014-03-31 전면 발광형 반도체 발광 장치 KR102245056B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361810833P 2013-04-11 2013-04-11
US61/810,833 2013-04-11
US201361900466P 2013-11-06 2013-11-06
US61/900,466 2013-11-06
PCT/IB2014/060310 WO2014167455A2 (en) 2013-04-11 2014-03-31 Top emitting semiconductor light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150142033A true KR20150142033A (ko) 2015-12-21
KR102245056B1 KR102245056B1 (ko) 2021-04-27

Family

ID=51690078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157032326A KR102245056B1 (ko) 2013-04-11 2014-03-31 전면 발광형 반도체 발광 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9871167B2 (ko)
EP (1) EP2984685B1 (ko)
JP (2) JP6680670B2 (ko)
KR (1) KR102245056B1 (ko)
CN (3) CN111613708A (ko)
TW (1) TWI659551B (ko)
WO (1) WO2014167455A2 (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9761768B2 (en) * 2013-07-08 2017-09-12 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted semiconductor light emitting device
CN113658943A (zh) * 2013-12-13 2021-11-16 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
DE102014101492A1 (de) * 2014-02-06 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US20160225962A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Empire Technology Development Llc Nanoparticle gradient refractive index encapsulants for semi-conductor diodes
EP3259779B1 (en) * 2015-02-18 2019-09-18 Koninklijke Philips N.V. Device with multiple, stacked light emitting devices
DE102015107593A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Leuchtmittel
KR102641716B1 (ko) * 2015-08-03 2024-02-29 루미리즈 홀딩 비.브이. 반사성 측면 코팅을 가지는 반도체 발광 디바이스
US9753277B2 (en) 2015-08-11 2017-09-05 Delta Electronics, Inc. Wavelength conversion device
JP6327220B2 (ja) * 2015-08-31 2018-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2017052800A1 (en) * 2015-09-25 2017-03-30 Koninklijke Philips N.V. Surface emitter with light-emitting area equal to the led top surface and its fabrication
TWI587543B (zh) * 2015-12-15 2017-06-11 李乃義 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR20180100157A (ko) 2015-12-29 2018-09-07 루미리즈 홀딩 비.브이. 측면 반사기들 및 인광체를 갖는 플립 칩 led
CN109983589B (zh) * 2015-12-29 2022-04-12 亮锐控股有限公司 具有侧面反射器和磷光体的倒装芯片led
FR3056014B1 (fr) * 2016-09-15 2020-05-29 Valeo Vision Procede pour creer une isolation optique entre des pixels d'une matrice de sources lumineuses semi-conductrices
FR3061358B1 (fr) * 2016-12-27 2021-06-11 Aledia Procede de fabrication d’un dispositif optoelectronique comportant des plots photoluminescents de photoresine
JP6699580B2 (ja) 2017-02-09 2020-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6662322B2 (ja) * 2017-02-09 2020-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10546985B2 (en) * 2017-03-28 2020-01-28 Nanosys, Inc. Method for increasing the light output of microLED devices using quantum dots
US10224358B2 (en) * 2017-05-09 2019-03-05 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
JP6699634B2 (ja) 2017-07-28 2020-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11355548B2 (en) * 2017-12-20 2022-06-07 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture
US11296262B2 (en) * 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
US20190198720A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Particle systems and patterning for monolithic led arrays
US11201267B2 (en) 2018-12-21 2021-12-14 Lumileds Llc Photoresist patterning process supporting two step phosphor-deposition to form an LED matrix array
CN117558851A (zh) * 2024-01-05 2024-02-13 晶能光电股份有限公司 发光装置及其制备方法、发光阵列结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011066193A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Rohm Co Ltd 光学装置および光学装置の製造方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6229160B1 (en) * 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
EP1341991A4 (en) * 2000-11-17 2007-05-30 Emcore Corp LASER ISOLATED CHIP WITH TAPPED SIDE WALLS TO IMPROVE LIGHTING OUTPUT
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
JP4143732B2 (ja) * 2002-10-16 2008-09-03 スタンレー電気株式会社 車載用波長変換素子
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
WO2006041178A2 (en) * 2004-10-13 2006-04-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Luminescent light source, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus
JP4999696B2 (ja) 2004-10-22 2012-08-15 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法
DE102004053116A1 (de) * 2004-11-03 2006-05-04 Tridonic Optoelectronics Gmbh Leuchtdioden-Anordnung mit Farbkonversions-Material
CN100486397C (zh) * 2005-04-19 2009-05-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括红色发射陶瓷发光转换器的照明系统
JP2007266343A (ja) 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN101127379A (zh) * 2006-08-16 2008-02-20 苏忠杰 高提取效率发光装置
JP4650378B2 (ja) * 2006-08-31 2011-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN101553928B (zh) * 2006-10-02 2011-06-01 伊鲁米特克有限公司 Led系统和方法
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
KR101271225B1 (ko) 2006-10-31 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법
JP4655029B2 (ja) * 2006-11-20 2011-03-23 パナソニック株式会社 発光装置および半導体発光素子の製造方法
JP2008187030A (ja) * 2007-01-30 2008-08-14 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP2008205229A (ja) * 2007-02-21 2008-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子、半導体発光装置および製造方法
TWI350012B (en) * 2007-05-04 2011-10-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode and base thereof
KR100944008B1 (ko) * 2007-12-17 2010-02-24 삼성전기주식회사 백색 발광소자 및 그 제조방법
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US7923746B2 (en) * 2008-03-12 2011-04-12 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure and method for fabricating the same
US20100279437A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Controlling edge emission in package-free led die
US8236582B2 (en) * 2008-07-24 2012-08-07 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Controlling edge emission in package-free LED die
CN102165611B (zh) * 2008-09-25 2014-04-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 有涂层的发光器件及其涂覆方法
CN101551068A (zh) * 2009-04-30 2009-10-07 旭丽电子(广州)有限公司 一种发光二极管装置及其封装方法
US8440500B2 (en) * 2009-05-20 2013-05-14 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
JP2011171327A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Toshiba Corp 発光素子およびその製造方法、並びに発光装置
JP2012039013A (ja) * 2010-08-10 2012-02-23 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2012079776A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012084622A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光素子の製造方法
JP5508244B2 (ja) * 2010-11-15 2014-05-28 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP2012142410A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
JP5962102B2 (ja) * 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5745319B2 (ja) * 2011-04-14 2015-07-08 日東電工株式会社 蛍光反射シート、および、発光ダイオード装置の製造方法
JP5840377B2 (ja) * 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
JP5670249B2 (ja) * 2011-04-14 2015-02-18 日東電工株式会社 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置
CN103534822A (zh) * 2011-04-20 2014-01-22 株式会社Elm 发光装置及其制造方法
JP5619680B2 (ja) * 2011-06-03 2014-11-05 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2013016588A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011066193A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Rohm Co Ltd 光学装置および光学装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105378950A (zh) 2016-03-02
WO2014167455A3 (en) 2015-01-08
EP2984685B1 (en) 2018-12-19
KR102245056B1 (ko) 2021-04-27
TW201501366A (zh) 2015-01-01
JP6680670B2 (ja) 2020-04-15
JP2016518713A (ja) 2016-06-23
US20160240735A1 (en) 2016-08-18
CN111628062A (zh) 2020-09-04
US9871167B2 (en) 2018-01-16
JP6933691B2 (ja) 2021-09-08
JP2019192946A (ja) 2019-10-31
TWI659551B (zh) 2019-05-11
WO2014167455A2 (en) 2014-10-16
EP2984685A2 (en) 2016-02-17
CN111613708A (zh) 2020-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6933691B2 (ja) トップエミッション型半導体発光デバイス
JP7136834B2 (ja) 小型光源を有する波長変換発光デバイス
US9324926B2 (en) Wavelength converted light emitting device
KR102237304B1 (ko) 반사기 및 광학 요소를 갖는 발광 디바이스
US11404608B2 (en) Light emitting device with reflective sidewall
KR102662481B1 (ko) 반사층을 갖는 장착부 상의 발광 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant