KR20150137548A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 아래에 배치되며 상부를 향해 액을 공급하는 하부 분사 부재 및 상기 하부 분사 부재의 분사압을 조절하는 제어기를 포함한다.
또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하여, 챔버 내에 제공된 반송 유닛에 의해 기판을 반송하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판 세정시 노즐로부터 제 1 압력으로 액을 분사하여 기판을 세정하고,
챔버 세정시 노즐로부터 제 2 압력으로 액을 분사하여 챔버를 세정한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 평판 표시 패널의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 평판 표시 패널를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬 처리 공정, 린스공정 및 건조공정을 포함한다. 케미컬 처리 공정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 것이다. 린스공정은 순수(deionized water)를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 것이다. 건조공정은 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 것이다.
세정 공정시 챔버 상부에 액맺힘이 발생하는 문제점이 있다. 액맺힘에 의해 공정 불량이 발생하고, 챔버 내에 박테리아가 발생할 수 있다. 또한, 챔버 상부에 맺힌 액이 세정 공정 중 기판에 떨어져 얼룩이 발생하는 문제가 있다.
챔버 세정을 위해 챔버 세정 노즐을 제공한다. 챔버를 세정하기 위한 별도의 노즐이 필요하므로 장비 구조가 복잡해지고, 장비 구조에서 많은 액들이 소모된다. 또한, 챔버 세정을 위해 다량의 세정액이 사용되는 문제점이 있다.
본 발명의 일 기술적 과제는 효율적으로 챔버 세정이 수행될 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 기술적 과제는 장비구조가 간단한 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 기술적 과제는 세정액의 소모를 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 아래에 배치되며 상부를 향해 액을 공급하는 하부 분사 부재 및 상기 하부 분사 부재의 분사압을 조절하는 제어기를 포함한다.
일 예에 의하여, 상기 제어기는, 상기 기판 처리시 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 세정시 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하는 것을 포함한다.
일 예에 의하여, 상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것을 특징으로 한다.
일 예에 의하여, 상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 위에 배치되며 하부를 향해 액을 공급하는 상부 분사 부재를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하여, 기판 처리시 사용된 액을 회수하고, 회수된 상기 액을 상기 챔버 세정시 상기 하부 분사 부재로 공급하는 액 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하여, 상기 액 공급 유닛은, 공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관 및 상기 제 1 공급배관의 제 2 지점보다 하류인 제 3 지점에서 분기되고, 상기 제 1 공급배관의 제 3 지점보다 하류인 제 4 지점에서 연결되는 바이패스 배관을 포함한다.
다른 예에 의하여, 상기 액 공급 유닛은, 공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관, 회수탱크와 상기 제 1 공급배관의 제 1 지점보다 하류인 제 2 지점을 연결하는 회수액 배관 및 상기 제 1 공급배관의 제 2 지점보다 하류인 제 3 지점에서 분기되고, 상기 제 1 공급배관의 제 3 지점보다 하류인 제 4 지점에서 연결되는 바이패스 배관을 포함한다.
다른 예에 의하여, 상기 액 공급 유닛은, 공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관 및 회수탱크와 상기 제 1 공급배관의 제 1 지점보다 하류인 제 2 지점을 연결하는 회수액 배관을 포함하되, 상기 제 2 지점과 상기 하부 분사 부재 사이에 인버터 펌프가 설치된다.
일 예에 의하여, 상기 제어기는, 상기 챔버 내에 기판이 있는 경우 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 내에 기판이 없는 경우 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하는 것을 포함한다.
일 예에 의하여, 상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것이 특징이다.
일 예에 의하여, 상기 제어기는 상기 챔버 내에 제 1 기판이 있는 경우 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 내에 제 2 기판이 있는 경우 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하되,상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 상대적으로 오염도가 큰 것이 특징이다.
또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하여, 챔버 내에 제공된 반송 유닛에 의해 기판을 반송하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판 세정시 노즐로부터 제 1 압력으로 액을 분사하여 기판을 세정하고,
챔버 세정시 노즐로부터 제 2 압력으로 액을 분사하여 챔버를 세정한다.
일 예에 의하여, 상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것이 특징이다.
일 예에 의하여, 상기 기판 세정시, 공급탱크에 저장된 미사용된 액으로 상기 기판을 세정하고, 상기 챔버 세정시, 상기 기판 세정 후 회수한 액으로 상기 챔버를 세정한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 하부 분사 부재를 이용하여 챔버를 세정함으로써 챔버 상부의 액맺힘 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 챔버 세정 노즐을 따로 제공하지 않아도 하나의 노즐을 통해 기판 또는 챔버를 세정할 수 있고, 높은 압력으로 기판 하부를 세정하여 세정력을 높일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판을 세정한 액을 재사용하여 챔버를 세정함으로써 액 사용량을 줄일 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 반송 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 액 공급 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 사용 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액 공급 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 다른 사용 예를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 반송 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 세정 챔버(104), 반송 유닛(200), 제 1 분사 부재(300) 및 제 2 분사 부재(400)를 포함한다.
공정 챔버(100)는 기판(S)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 일 예로, 공정 챔버(100)는 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)를 포함할 수 있다. 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)는 제 1 방향(12)을 따라 순차적으로 배열된다. 제 1 방향(12)은 기판(S)의 이동방향으로 정의한다. 에칭 챔버(102)는 기판(S)에 케미컬을 공급하여 식각 공정을 진행한다. 세정 챔버(104)는 에칭 공정이 완료된 기판(S) 상에 순수를 공급하여 케미컬을 제거한다. 건조 챔버(106)는 기판(S0에 건조 가스를 분사하여 기판(S) 표면에 잔류하는 케미컬 또는 순수를 건조시킨다.
세정 챔버(104)에는 기판 유입구(110) 및 기판 유출구(120)가 제공된다. 세정 챔버(104)의 하면에는 배출구(500)가 제공된다. 세정시 사용된 액은 배출구(500)를 통해 배출된다.
세정 챔버(104) 내에는 반송 유닛(200)이 제공될 수 있다. 반송 유닛(200)은 에칭 챔버(102)와 건조 챔버(104) 내부에도 배치된다. 반송 유닛(200)은 에칭 챔버 (102), 세정 챔버(104) 또는 건조 챔버(106) 간에, 그리고 각각의 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106) 내에서 기판(S)을 제 1 방향(12)으로 이동시킨다. 도 2를 참조하면, 반송 유닛(200)은 복수의 샤프트들 (220), 롤러들(240), 그리고 구동부(260)를 가진다. 복수의 샤프트들(220)은 제1방향(12)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(220)는 그 길이 방향이 제2방향(14)으로 제공된다. 제 2 방향(14)은 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)에 수직인 방향이다. 샤프트들(220)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(220)은 기판 유입구(110)와 인접한 위치에서부터 기판 유출구(120)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(220)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러들(240)이 고정 결합된다. 샤프트들(220)은 그 중심축을 기준으로 구동부(260)에 의해 회전된다. 구동부(260)는 풀리들(262), 벨트들(264), 그리고 모터(266)를 가진다. 풀리들(262)은 각각의 샤프트(220)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(220)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(262)은 벨트(264)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(262) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(266)가 결합된다. 상술한, 풀리(262), 벨트(264), 그리고 모터(266)의 조립체에 의해 샤프트들(220)과 롤러들(240)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러에 접촉된 상태로 샤프트들(220)을 따라 직선 이동된다. 각각의 샤프트(220)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다. 선택적으로 각각의 샤프트(220)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어, 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.
상부 분사 부재(300)는 세정 챔버(102) 내에 위치한다. 상부 분사 부재(300)은 반송 유닛(200) 위에 배치된다. 상부 분사 부재(300)는 복수개의 노즐(310)을 포함한다. 노즐(310)은 그 길이방향이 제 1 방향(12)으로 일정하게 배치될 수 있다. 노즐(310)은 세정 챔버(104) 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)에 수직인 제 2 방향(14)으로 연장되게 형성된다. 노즐(310)은 하부를 향해 제 1 압력으로 액을 분사한다. 예를 들어, 노즐(310)은 스프레이 방식, 액류 방식 또는 워터 젯(Water jet) 방식 등을 포함한다. 예를 들어, 공급되는 액은 순수일 수 있다. 액을 공급함으로써, 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬 등을 제거할 수 있다. 상술한 예와 달리, 노즐(310)은 제 1 방향(12)으로 연장되게 형성될 수도 있다.
하부 분사 부재(400)는 세정 챔버(104) 내에 위치한다. 하부 분사 부재(400)는 반송 유닛(200) 아래에 배치된다. 하부 분사 부재(400)는 복수개의 노즐(410)을 포함한다. 노즐(410)은 그 길이방향이 제 1 방향(12)으로 일정하게 배치될 수 있다. 노즐(410)은 세정 챔버(104) 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)에 수직인 제 2 방향(14)으로 연장되게 형성된다. 예를 들어, 노즐(410)은 스프레이 방식, 액류 방식 또는 워터 젯(Water jet) 방식 등을 포함한다. 노즐(410)은 상부를 향해 제 1 압력 또는 제 2 압력으로 액을 분사한다. 제 2 압력은 제 1 압력보다 클 수 있다. 노즐(410)은 기판(S)의 하면 및 세정 챔버(104)의 상부를 세정할 수 있다. 세정 챔버(104) 상부를 세정함으로써, 세정 챔버(S) 상부의 액맺힘 현상을 방지한다. 또한, 공정 진행 중 기판(S)에 액이 떨어지는 것을 방지한다. 예를 들어, 액은 케미컬일 수 있다. 상술한 예와 달리, 노즐(410)은 제 1 방향(12)으로 연장되게 형성될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 액 공급 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 3를 참조하면, 액 공급 유닛 및 제어기(1800)는 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 조절한다. 액 공급 유닛은 제 1 공급배관(1720), 제 2 공급배관(1740), 회수액 배관(1760), 바이패스 배관(1780), 회수탱크(1620), 공급 탱크(1640) 및 회수라인(1550)을 포함한다. 제 1 공급배관(1720)은 공급 탱크(1640)와 하부 분사 부재(1400)를 연결한다. 제 2 공급배관(1740)은 제 1 공급배관(1720)의 제 1 지점(P1)과 상부 분사 부재(1300)를 연결한다. 회수액 배관(1760)은 회수탱크(1620)와 제 1 공급배관(1720)의 제 1 지점(P1)보다 하류인 제 2 지점(P2)를 연결한다. 바이패스 배관(1780)은 제 1 공급배관(1720)의 제 2 지점(P2)보다 하류인 제 3 지점(P3)에서 분기되고, 제 1 공급배관(1720)의 제 3 지점(P3)보다 하류인 제 4 지점(P4)에서 다시 연결된다. 제 1 공급배관(1720), 제 2 공급배관(1740), 회수액 배관(1760) 및 바이패스 배관(1780)에는 각각 밸브(1725,1745,1765,1785)가 설치된다. 바이패스 배관(1780)의 직경은 제 1 공급배관(1720)보다 작다. 따라서, 바이패스 배관(1780)을 통해 공급되는 액은 제 2 압력으로 분사되고, 제 1 공급배관(1720)을 통해 공급되는 액은 제 1 압력으로 분사된다.
제 1 공급배관(1720)은 공급탱크(1640)에 있는 미사용된 액을 공급한다. 제 1 공급배관(1720)을 통해 흐르는 미사용된 액은 상부 분사 부재(1300) 및 하부 분사 부재(1400)로 공급된다. 회수된 액을 사용하여 기판(S) 및 세정 챔버(1100)를 세정하는 경우, 제 1 공급배관의 밸브(1725)는 닫는다. 제 2 공급배관(1740)은 상부 분사 부재(1300)에 액을 공급한다. 공급되는 액은 세정 후 회수된 액 또는 미사용된 액일 수 있다. 제 2 공급배관(1740)은 액을 제 1 압력으로 공급한다. 회수액 배관(1760)은 세정 후 회수된 액을 하부 분사 부재(1400)에 공급한다. 회수액 배관(1760)은 제 1 압력으로 액을 공급한다. 제 1 공급 배관(1720)의 제 3 지점(P2)에서 바이패스 배관(1780)이 분기된다. 바이패스 배관(1780)은 액을 제 2 압력으로 공급한다. 바이패스 배관(1780)의 개폐를 통해 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 조절할 수 있다. 세정 챔버(1100) 하면에는 배출구(1500)가 제공된다. 회수라인(1550)은 배출구(1500)와 회수탱크(1620)를 연결한다. 배출구(1500)로 흐르는 액은 회수탱크(1620)로 회수된다. 회수탱크(1620)에 회수된 액은 상부 분사 부재(1300) 및 하부 분사 부재(1400)에 공급되어 재사용할 수 있다. 공급탱크(1640)에는 미사용된 액이 저장될 수 있다.
제어기(1800)는 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 조절한다. 제어기(1800)는 세정 용도에 따라 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 결정할 수 있다. 도 4를 참조하면, 세정 챔버(2100) 세정시에 제어기(2800)는 하부 분사 부재(2400)가 제 2 압력으로 액을 분사하도록 제어한다. 회수액 배관(2760)은 닫고 바이패스 배관(2780)을 개방한다. 제 1 공급배관(2720)은 닫고, 회수된 액을 하부 분사 부재(2400)에 공급한다. 하부 분사 부재(2400)는 세정 챔버(2100)의 상부를 세정할 수 있다. 세정 챔버(2100) 상부까지 세정하기 위해 기판(S)을 세정할 때보다 상대적으로 높은 압력으로 액을 분사하도록 제어한다. 세정 챔버(2100) 상부를 세정함으로써, 세정 챔버(S) 상부의 액맺힘 현상을 방지한다. 또한, 공정 진행 중 기판(S)에 액이 떨어지는 것을 방지한다. 예를 들어, 액은 케미컬 일수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 제어기(1800)는 기판(S)의 오염도에 따라 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 결정할 수 있다. 세정 챔버(1100) 내로 상대적으로 오염도가 적은 제 1 기판(S1)이 반송될 수 있다. 제 1 기판(S1) 세정시에 제어기(1800)는 하부 분사 부재(1400)가 제 1 압력으로 액을 분사하도록 제어한다. 회수액 배관(1760)은 개방하고 바이패스 배관(1780)은 닫는다. 상부 분사 부재(1300)와 하부 분사 부재(1400)는 같은 압력으로 액을 분사하여 제 1 기판(S1)을 세정한다.
다른 실시 예에 따르면, 세정 챔버(1100) 내로 상대적으로 오염도가 큰 제 2 기판(S2)이 반송될 수 있다. 제 2 기판(S2) 세정시에 제어기(1800)는 하부 분사 부재(1400)가 제 2 압력으로 액을 분사하도록 제어한다. 회수액 배관(1760)은 닫고 바이패스 배관(1780)은 개방한다. 하부 분사 부재(1400)는 높은 압력으로 기판(S)의 하면을 세정한다. 상부 분사 부재(1300)는 제 2 기판(S2)의 상면을 향해 제 1 압력으로 액을 분사한다.
다른 실시 예에 따르면, 제어기(1800)는 기판(S)의 유무에 따라 하부 분사 부재(1400)의 분사압을 조절한다. 세정 챔버(1100) 내에 기판(S)이 있는 경우, 제어기(1800)는 제 1 압력으로 액을 분사하도록 하부 분사 부재(1400)를 제어한다. 회수액 배관(1760)은 개방하고 바이패스 배관(1780)은 닫는다. 분사된 액은 기판(S)의 하면을 세정한다. 세정 챔버(1100) 내에 기판(S)이 없는 경우, 제어기(1800)는 제 2 압력으로 액을 분사하도록 하부 분사 부재(1400)를 제어한다. 분사된 액은 세정 챔부(1100) 상부를 세정한다. 세정 챔버(S) 상부를 세정함으로써, 세정 챔버(1100) 상부의 액맺힘 현상을 방지하고, 공정 진행 중 기판(S)에 액이 떨어지는 것을 방지한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 액 공급 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 액 공급 유닛 및 제어기(3800)은 하부 분사 부재(3400)의 분사압을 조절한다. 액 공급 유닛은 제 1 공급배관(3720), 제 2 공급배관(3740), 회수액 배관(3760), 회수탱크(3620), 공급탱크(3640) 및 회수라인(3550)을 포함한다. 제 1 공급배관(3720)은 공급탱크(3640)와 하부 분사 부재(3400)를 연결한다. 제 2 공급배관(3740)은 제 1 공급배관(3720)의 제 1 지점(P1)과 상부 분사 부재(3300)를 연결한다. 회수액 배관(3760)은 제 1 공급배관(3720)의 제 1 지점(P1)보다 하류인 제 2 지점(P2)와 회수탱크(3620)를 연결한다. 제 1 공급배관(3720)의 제 2 지점(P2)과 하부 분사 부재(3400) 사이에 인버터 펌프(3900)가 설치된다. 인버터 펌프(3900)는 하부 분사 부재(3400)를 통해 분사되는 액의 분사압을 조절한다.
제 1 공급배관(3720)은 공급탱크(3640)에 있는 미사용된 액을 공급한다. 제 1 공급배관(3640)을 통해 흐르는 미사용된 액은 상부 분사 부재(3300) 및 하부 분사 부재(3400)로 공급된다. 회수된 액으로 기판(S) 및 세정 챔버(3100)를 세정하는 경우, 제 1 공급배관(3720)은 닫는다. 제 2 공급배관(3740)은 상부 분사 부재(3300)에 액을 공급한다. 공급되는 액은 세정 후 회수된 액 또는 미사용된 액일 수 있다. 제 2 공급배관(3740)은 액을 제 1 압력으로 공급한다. 인버터 펌프(3900)를 이용하면, 회수액 배관(3760)은 하부 분사 부재(3400)에 제 1 압력 또는 제 2 압력으로 액을 공급한다. 세정 챔버(3100) 하면에는 배출구(3500)가 제공된다. 회수라인(3550)은 배출구(3500)와 회수탱크(3620)를 연결한다. 배출구(3500)로 흐르는 액은 회수탱크(3620)로 회수된다. 회수탱크(3620)에 회수된 액은 상부 분사 부재(3300) 및 하부 분사 부재(3400)에 공급되어 재사용할 수 있다. 공급탱크(3640)에는 미사용된 액이 저장될 수 있다.
제어기(3800)는 인버터 펌프(3900)를 제어하여 하부 분사 부재(3400)의 분사압을 조절한다. 회수액 배관(3760)을 이용하는 경우에도, 도 4와 같이 기판(S)의 유무, 세정 용도 및 기판(S)의 오염도에 따라 하부 분사 부재(3400)의 분사압을 조절할 수 있다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치(1)의 다른 사용 예를 나타내는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 액 공급 유닛은 제 1 공급배관(4720), 회수액 배관(4740), 바이패스 배관(4760), 회수탱크(4600) 및 회수라인(4550)을 포함한다. 회수액 배관(4740)은 제 1 탱크(4600)와 하부 분사 부재(4400)를 연결한다. 제 1 공급배관(4720)은 회수액 배관(4740)의 제 1 지점(P1)과 상부 분사 부재(4300)를 연결한다. 바이패스 배관(4760)은 회수액 배관(4740)의 제 2 지점(P2)에서 분기되고, 제 2 지점(P2)보다 하류인 회수액 배관(4740)의 제 3 지점(P3)에서 다시 연결된다. 제 1 공급배관(4720), 회수액 배관(4740) 및 바이패스 배관(4760)에는 각각 밸브(4725,4745,4765)가 설치된다. 도 6의 경우, 기판(S) 및 세정 챔버(4100)의 세정시 회수탱크(4600)에 저장된 회수된 액만을 사용한다. 제어기(4800)는 배관들을 제어하여 하부 분사 부재(4400)의 분사압을 조절한다. 이 경우에도, 도 4와 같이 기판(S)의 유무, 세정 용도 및 기판(S)의 오염도에 따라 하부 분사 부재(4400)의 분사압을 조절할 수 있다.
상술한 예들에서는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 예를 들어, 에칭 공정에도 적용될 수 있고, 액은 케미컬로 제공될 수 있다.
상술한 예들에서는 하부 분사 부재의 압력조절에 대해 설명하였으나, 이와 달리 상부 분사 부재도 압력을 조절하여 액을 분사할 수 있다.

Claims (14)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    챔버;
    상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛;
    상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 아래에 배치되며 상부를 향해 액을 공급하는 하부 분사 부재; 및
    상기 하부 분사 부재의 분사압을 조절하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는, 상기 기판 처리시 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 세정시 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 챔버 내에서 상기 반송 유닛 위에 배치되며 하부를 향해 액을 공급하는 상부 분사 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1항 내지 4항에 있어서,
    기판 처리시 사용된 액을 회수하고, 회수된 상기 액을 상기 챔버 세정시 상기 하부 분사 부재로 공급하는 액 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관; 및
    상기 제 1 공급배관의 제 2 지점보다 하류인 제 3 지점에서 분기되고, 상기 제 1 공급배관의 제 3 지점보다 하류인 제 4 지점에서 연결되는 바이패스 배관을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관;
    회수탱크와 상기 제 1 공급배관의 제 1 지점보다 하류인 제 2 지점을 연결하는 회수액 배관; 및
    상기 제 1 공급배관의 제 2 지점보다 하류인 제 3 지점에서 분기되고, 상기 제 1 공급배관의 제 3 지점보다 하류인 제 4 지점에서 연결되는 바이패스 배관을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    공급탱크와 상기 하부 분사 부재를 연결하는 제 1 공급배관; 및
    회수탱크와 상기 제 1 공급배관의 제 1 지점보다 하류인 제 2 지점을 연결하는 회수액 배관을 포함하되,
    상기 제 2 지점과 상기 하부 분사 부재 사이에 인버터 펌프가 설치되는 기판 처리 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제어기는, 상기 챔버 내에 기판이 있는 경우 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 내에 기판이 없는 경우 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 챔버 내에 제 1 기판이 있는 경우 제 1 압력으로 상기 액을 분사하고, 상기 챔버 내에 제 2 기판이 있는 경우 제 2 압력으로 상기 액을 분사하도록 상기 하부 분사 부재를 제어하되,
    상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 상대적으로 오염도가 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 챔버 내에 제공된 반송 유닛에 의해 기판을 반송하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    기판 세정시 노즐로부터 제 1 압력으로 액을 분사하여 기판을 세정하고,
    챔버 세정시 노즐로부터 제 2 압력으로 액을 분사하여 챔버를 세정하는 기판 처리방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2 압력은 상기 제 1 압력보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 기판 세정시, 공급탱크에 저장된 미사용된 액으로 상기 기판을 세정하고,
    상기 챔버 세정시, 상기 기판 세정 후 회수한 액으로 상기 챔버를 세정하는 기판 처리 방법.

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