KR101583750B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 챔버 내에 배치되며 하부가 개방된 제 1 공간을 제공하는 하우징 및 상기 하우징 내에 배치되며, 기판으로 제 1 액을 분사하는 분사 부재를 포함하되, 상기 제 1 공간에는 제 1 감압부재가 설치된 제 1 배기관이 결합되고, 상기 하우징과 상기 챔버의 사이의 제 2 공간에는 제 2 감압부재가 설치된 제 2 배기관이 결합된다.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 상기 분사 부재로 상기 제 1 액을 분사할 때, 상기 제 1 감압부재 및 상기 제 2 감압부재는 상기 제 1 공간에 상기 제 2 공간보다 더 큰 음압을 제공하는 것을 포함한다

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
세정 공정은 기판 위의 이물질 및 입자들을 제거하는 공정으로서 기판 상에 형성된 소자들의 손실을 최소화하여 수율을 향상시키기 위한 것이다. 세정 공정에는 순수와 같은 세정액을 기판의 표면에 공급하는 수세공정과, 수세 후에 기판의 표면으로부터 순수를 제거하기 위하여 건조 가스를 분사하는 건조 공정으로 이루어진다.
또한, 상술한 공정들을 수행하는 챔버들은 일렬로 배치될 수 있다. 챔버에 형성된 개구부를 통해 기판은 순차적으로 이동되어 약액 처리 공정, 세정 고정 및 건조 공정 등과 같은 공정들이 수행될 수 있다. 예를 들면, 약액 처리를 위한 챔버에서는 현상액, 에칭액 등의 약액을 기판에 공급하여 기판을 처리한 후, 약액
처리된 기판을 세정 챔버로 이송하여 수세 처리 및 건조 처리를 수행한다. 세정 공정을 수행할 때, 세정액으로부터 발생하는 미스트(mist)가 다른 공정을 수행하는 챔버로 전이되거나, 미스트 발생으로 설비 내부의 시야확보가 힘든 문제점이 있었다. 또한, 미스트 발생으로 액맺힘 현상이 발생하였다.
본 발명의 일 기술적 과제는 기류를 형성하여 세정 시 발생하는 미스트를 급속 배기하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 기술적 과제는 노즐을 설치하여 기판의 수막을 제거하고, 세정력을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 챔버 내에 배치되며 하부가 개방된 제 1 공간을 제공하는 하우징 및 상기 하우징 내에 배치되며, 기판으로 제 1 액을 분사하는 분사 부재를 포함하되, 상기 제 1 공간에는 제 1 감압부재가 설치된 제 1 배기관이 결합되고, 상기 하우징과 상기 챔버의 사이의 제 2 공간에는 제 2 감압부재가 설치된 제 2 배기관이 결합된다.
일 예에 의하여, 상기 제 1 감압부재 및 상기 제 2 감압부재는 상기 제 1 공간에 상기 제 2 공간보다 더 큰 음압이 제공되도록 설정된다.
다른 예에 의하여, 상기 기판 처리 장치는, 상기 하우징의 상류 및 상기 하우징의 하류에 각각 제공되며 상기 하우징을 향해 경사지게 유체를 공급하는 노즐을 더 포함한다.
다른 예에 의하여, 상기 기판 처리 장치는 상기 제 2 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 더 포함한다.
다른 예에 의하여, 상기 하우징은 측벽을 포함하고, 상기 제 1 공간은 상기 측벽과 상기 챔버의 상벽에 의해 제공된다.
다른 예에 의하여, 상기 하우징은 측벽 및 상벽을 포함하고, 상기 제 1 공간은 상기 측벽과 상기 상벽에 의해 제공된다.
다른 예에 의하여, 상기 하우징의 측벽에는 기체가 유입되는 홀이 형성된다.
다른 예에 의하여, 상기 제 2 공간 내에 배치되어, 기판으로 제 2 액을 공급하는 세정 노즐을 더 포함한다. 상기 분사 부재는 상기 세정 노즐보다 더 큰 압력으로 유체를 공급한다.
다른 예에 의하여, 상기 기판 처리 장치는 상기 분사 부재의 분사압을 결정하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 분사 부재 아래에 기판이 없는 경우 상기 분사 부재가 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하고, 상기 분사 부재 아래로 기판이 지나가는 경우 상기 분사 부재가 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어하는 것을 포함한다.
다른 예에 의하여, 상기 기판이 상기 분사 부재 아래로 지나가는지 여부를 감지하고, 감지된 신호를 상기 제어기로 전송하는 센서를 더 포함한다.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공하다. 기판 처리방법은 상기 분사 부재로 상기 제 1 액을 분사할 때, 상기 제 1 감압부재 및 상기 제 2 감압부재는 상기 제 1 공간에 상기 제 2 공간보다 더 큰 음압을 제공하는 것을 포함한다.
다른 예에 의하여, 상기 제 2 공간 내에 배치되어, 기판으로 제 2 액을 공급하는 세정노즐이 제공되고, 상기 분사 부재는 상기 세정 노즐보다 더 큰 압력으로 유체를 공급하는 것을 포함한다.
다른 예에 의하여, 상기 하우징 내의 상기 분자부재 하부에 상기 기판이 없는 경우 상기 분사 부재는 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하고, 상기 하우징 내의 상기 분사 부재 하부에 상기 기판이 지나가는 경우 상기 분사 부재는 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하는 것을 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 노즐을 통해 세정 시 발생하는 미스트를 급속 배기할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기체 분사 유닛을 설치하여 기판의 수막을 제거하고, 분사 부재의 세정 타력을 향상시키고, 세정력을 향상시킨다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기류를 통해 하우징 상부의 액맺침 현상을 감소시킨다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 챔버 내의 반송 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 4은 도 1의 기판 처리 장치의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 7은 도 1의 기판 처리 장치의 사용 예에 따른 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1의 챔버(100) 내의 반송 유닛(200)을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 반송 유닛(200), 하우징(300), 세정 노즐(400) 및 기체 분사 유닛(500)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 기판(S)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 공정 챔버(100) 내에는 반송 유닛(200)이 제공될 수 있다. 공정 챔버(100) 측면의 출입구(110,120)를 통해 기판(S)이 유입되고 배출된다. 일 예로, 공정 챔버(100)는 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104), 그리고 건조 챔버(106)를 포함한다. 에칭 챔버(102)는 기판(S)에 케미컬을 공급하여 식각 공정을 진행한다. 세정 챔버(104)는 에칭 공정이 완료된 기판(S) 상에 순수를 공급하여 케미컬을 제거한다. 건조 챔버(106)는 기판(S) 표면에 잔류하는 케미컬 또는 순수를 건조시킨다.
공정 챔버(100) 내에는 반송 유닛(200)이 제공될 수 있다. 반송 유닛(200)은 챔버(100)들 간에, 그리고 공정 챔버(100) 내에서 기판(S)을 제 1 방향(12)으로 이동시킨다. 도 2를 참조하면, 반송 유닛(200)은 복수의 샤프트들(220), 롤러들(240), 그리고 구동부(260)를 가진다. 복수의 샤프트들(220)은 제 1 방향(12)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(220)는 그 길이 방향이 제 2 방향(16)으로 제공된다. 제 2 방향(16)은 세정 챔버(104)의 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)와 수직한다. 샤프트들(220)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(220)은 기판 유입구(110)와 인접한 위치에서부터 기판 유출구(120)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(220)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러들(240)이 고정 결합된다. 샤프트들(220)은 그 중심축을 기준으로 구동부(260)에 의해 회전된다. 구동부(260)는 풀리들(262), 벨트들(264), 그리고 모터(266)를 가진다. 풀리들(262)은 각각의 샤프트(220)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(220)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(262)은 벨트(264)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(262) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(266)가 결합된다. 상술한, 풀리(262), 벨트(264), 그리고 모터(266)의 조립체에 의해 샤프트들(220)과 롤러들(240)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러에 접촉된 상태로 샤프트들(220)을 따라 직선 이동된다. 각각의 샤프트(220)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다. 선택적으로 각각의 샤프트(220)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어, 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.
세정 챔버(104)내 공간은 하우징(300) 내의 제 1 공간(130)과 세정 챔버(104) 내의 하우징(300) 외부의 공간인 제 2 공간(140)으로 구분된다. 하우징(300)은 측벽(302)과 상벽(304)을 가진다. 제 1 공간(130)은 측벽(302)과 상벽(304)에 의해 제공된다.
선택적으로, 도 3의 경우, 하우징(1300)은 측벽(1302)과 세정 챔버(1100)의 상벽(1102)을 가진다. 제 1 공간(1330)은 측벽(1302)과 세정 챔버(1100)의 상벽(1102)에 의해 제공된다.
하우징(300) 내에 분사 부재(800)가 위치한다. 분사 부재(800)는 제 1 액을 분사한다. 제 1 공간(130)에는 제 1 감압부재(700)가 설치된 제 1 배기관(600)이 연결된다. 하우징(300)에는 기판(S)을 감지하는 센서(900)가 위치한다. 하우징(300)의 측벽은 분사 부재(800)의 위치보다 하부까지 연장된다. 하우징(300)은 세정을 통해 발생한 미스트가 제 2 공간(140)으로 유출되는 것을 막는 역할을 한다. 하우징(300)은 제 1 공간(130)에만 미스트가 머물도록 하고, 제 1 배기관(600)은 미스트를 빠르게 배기한다. 미스트가 다른 챔버(100)에 유입되면, 공정 불량을 유발한다. 제 1 감압부재(700)는 제 1 공간(130)에 제 2 공간(140)보다 더 큰 음압이 제공되도록 한다.
분사 부재(800)는 하우징(300) 내에 위치한다. 분사 부재(800)는 고압 펌프에 의해 생성된 제 1 액을 기판(S)에 공급할 수 있다. 분사 부재(800)는 워터 젯(water jet) 노즐들일 수 있다. 예를 들어, 제1 액은 순수일 수 있다. 제1 액이 기판(S)을 고압으로 타격하는 물리적인 힘에 의해 기판(S)에 고착된 이물이 용이하게 세정될 수 있다. 제1 액이 고압으로 기판(S) 측으로 분사되는 동안에, 제 1 액에 의해 미스트가 발생될 수 있다. 그 결과, 미스트의 일부는 하우징(300) 내를 부유한 후에, 하우징(300) 측벽 또는 하우징(300) 상부에 맺혀 액체가 될 수 있다. 미스트는 세정 챔버(104) 내부의 시야 확보를 어렵게 한다. 미스트는 주변 설비로 넘어가면 벽면 결로현상으로 인해여 박테리아가 발생한다. 하우징(300) 내부의 미스트는 제 1 감압부재(700)가 설치된 제 1 배기관(600)을 통해 배출될 수 있다.
제 2 공간(140)에는 세정 노즐(400)이 위치된다. 또한, 제 2 공간(140)에는 제 2 감압부재(710)가 설치된 제 2 배기관(610)이 연결된다. 제 2 배기관(610)은 세정 챔버(104)의 상벽에 연결될 수 있다. 세정 노즐(400)은 샤워노즐일 수 있다. 세정 노즐(400)은 분사 부재(800)에 비해 상대적으로 낮은 압력으로 액을 공급한다. 세정 노즐(400)은 기판(S)에 대해 제 2 액을 공급한다. 예를 들어, 제 2 액은 순수일 수 있다. 세정 노즐(400)에 의해 발생된 미스트는 제 2 감압부재(710)가 설치된 제 2 배기관(610)에 의해 배기된다. 제 2 감압부재(710)는 제 2 공간(140)에 제 1 공간(130)보다 작은 음압이 제공되도록 한다.
하우징(300) 측벽 하면에 센서(900)가 설치된다. 일 실시 예로 센서(900)는 2개가 설치될 수 있다. 센서(900)는 기판(S)이 분사 부재(800) 아래를 지나가는지 여부를 감지한다. 감지된 신호는 제어기(미도시)로 전송된다.
기체 분사 유닛(500)은 기류를 생성한다. 기체 분사 유닛(500)은 하우징(300)의 측벽 외부에 설치된다. 기체 분사 유닛(500)은 하우징(300) 방향으로 하향 경사지게 설치된다. 기체 분사 유닛(500)을 통해 분사된 기체를 하우징(300) 하부와 기판(S) 사이로 공급한다. 생성된 기류는 미스트가 하우징(300) 외부로 유출되는 것을 막는다. 기체 분사 유닛(500)은 에어 스프레이일 수 있다. 예를 들어, 에어 스프레이는 에어 나이프 형상 및 노즐들이 제공된 바(Bar) 형상일 수 있다. 기판(S) 상의 수막 제거를 용이하게 한다. 기판(S) 상의 수막이 제거되므로 분사 부재(800)에 의한 세정력이 향상된다.
일 실시예로, 도 4와 같이, 기체 분사 유닛(2500)은 제 2 공간(2140)의 세정 챔버(2100) 상부에 위치할 수 있다. 기체 분사 유닛(2500)은 제 2 공간(2140)에 기체를 공급한다. 공급된 기체는 하우징(2300) 하부와 기판(S) 사이로 기류를 형성한다. 기체 분사 유닛(2500)은 에어 유닛일 수 있다. 예를 들어, 에어 유닛은 팬 필터 유닛 등을 포함한다. 생성된 기류는 미스트가 하우징(2300) 외부로 유출되는 것을 막는다.
다른 실시 예로, 도 5와 같이, 기체 분사 유닛(3500)은 제 2 공간(3140)의 세정 챔버(3100) 상부에 위치한다. 기체 분사 유닛(3500)은 제 2 공간(3140)에 기체를 공급한다. 공급된 기체는 하우징(3300) 하부와 기판(S) 사이로 기류를 형성한다. 기체 분사 유닛(3500)은 에어 홀일 수 있다. 예를 들어, 에어 홀은 기류 공급 홀일 수 있다. 생성된 기류는 미스트가 하우징(3300) 외부로 유출되는 것을 막는다.
도 6는 도 1의 기판 처리 장치(1)의 또 다른 실시 예에 따른 단면도이다.
도 6을 참조하면, 하우징(4300)은 측벽(4302)과 상벽(4304)을 가진다. 제 1 공간(4130)은 측벽(4302)과 상벽(4304)에 의해 제공된다. 하우징(4300)의 측벽(4302)에 기체가 유입되는 홀(4320)이 형성된다. 기체 분사 유닛(4500)을 통해 제 2 공간(4140)으로 기체를 공급한다. 본 실시 예에서는, 기체 분사 유닛(4500)은 에어 유닛인 경우로 설명한다. 기체 분사 유닛(4500)은 제 2 공간(4140)의 세정 챔버(4100) 상부에 위치한다. 공급된 기체의 일부는 하우징(4300) 측벽의 홀(4320)을 통해 하우징(4300) 내부로 유입되고, 공급된 기체의 일부는 하우징(4300)과 기판(S) 사이로 유입된다. 홀(4320)을 통해 하우징(4300) 내로 유입된 기체는 미스트로 인해 하우징(4300) 상벽에 맺힌 액을 제거할 수 있다. 하우징(4300)과 기판(S) 사이로 유입된 기체는 미스트가 하우징(4300) 외부로 유출되는 것을 막도록 기류를 형성한다.
도 7은 도 1의 기판 처리 장치(1)의 사용 예에 따른 단면도이다.
도 7을 참조하면, 기판은 분사 부재(5800) 아래에 위치한다. 센서(5900)는 기판(S)이 분사 부재(5800) 아래를 지나가는지 여부를 감지한다. 감지된 신호는 제어기(미도시)로 전송된다. 분사 부재(5800) 아래에 기판(S)이 있는 경우, 제어기(미도시)는 분사 부재(5800)가 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다. 제 2 압력은 제 1 압력보다 크다. 기판(S)이 없는 경우 세정액을 상대적으로 낮은 압력으로 분사하여 세정액의 사용을 감소시킬 수 있다. 기판(S)의 끝부분에 높은 압력으로 세정액이 분사되면, 기판(S)의 손상이 야기된다. 따라서, 기판(S)이 분사 부재(5800) 아래를 지난 후에 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하여 기판(S)의 손상을 막을 수 있다. 센서(5900)는 제 1 방향을 기준으로 기판(S)의 후면이 분사 부재(5800)를 지나가면 이를 감지할 수 있다. 이 때, 제어기(미도시)는 센서(5900)로부터 신호를 전송받아 분사 부재(5800)가 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다.
다른 실시 예로, 센서(5900)는 기판(S)이 하우징(5300) 내로 진입하였는지 여부를 감지할 수 있다. 도 7과 같이 기판(S)이 하우징(5300) 내부로 진입할 때, 센서(5900)는 기판(S)의 유무를 감지한다. 이 때, 제어기(미도시)는 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다. 기판(S)이 하우징(5300) 내부로 진입하지 않는 경우, 제어기(미도시)는 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다. 센서(5900)는 제 1 방향(12)을 기준으로 기판(S)의 후면이 하우징(5300)을 통과하면 이를 감지할 수 있다. 이 때, 제어기(미도시)는 센서(5900)로부터 신호를 전송받아 분사 부재(5800)가 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어한다.
상술한 예들에서는 기판에 대한 세정 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 예를 들어, 에칭 공정에도 적용될 수 있고, 액은 케미컬이 제공될 수 있다. 예를 들어, 건조 공정에도 적용될 수 있고, 액은 건조 가스가 제공될 수 있다. 상술한 예에서는 세정 챔버를 예로 들었지만 에칭 챔버 및 건조 챔버에도 기체 분사 유닛을 이용할 수 있다.

Claims (14)

  1. 삭제
  2. 기판 처리 장치에 있어서,
    챔버;
    상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛;
    상기 챔버 내에 배치되며 하부가 개방된 제 1 공간을 제공하는 하우징; 및
    상기 하우징 내에 배치되며, 기판으로 제 1 액을 분사하는 분사 부재를 포함하되,
    상기 제 1 공간에는 제 1 감압부재가 설치되어 상기 제1 공간 내부의 미스트를 배출하는 제 1 배기관이 결합되며,
    상기 하우징과 상기 챔버의 사이의 제 2 공간에는 제 2 감압부재가 설치되어 상기 제2 공간 내부의 미스트를 배출하는 제 2 배기관이 결합되고,
    상기 제1 감압부재 및 상기 제2 감압부재는 상기 제1 공간에 상기 제2 공간보다 더 큰 음압이 제공되도록 설정되는 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 하우징의 상류 및 상기 하우징의 하류에 각각 제공되며 상기 하우징을 향해 경사지게 유체를 공급하는 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 제 2 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 하우징은 측벽을 포함하고, 상기 제 1 공간은 상기 측벽과 상기 챔버의 상벽에 의해 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 하우징은 측벽 및 상벽을 포함하고, 상기 제 1 공간은 상기 측벽과 상기 상벽에 의해 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 기판 처리 장치에 있어서,
    챔버;
    상기 챔버 내에 배치되며 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛;
    상기 챔버 내에 배치되며 하부가 개방된 제 1 공간을 제공하고 측벽을 포함하는 하우징;
    상기 하우징 내에 배치되며, 기판으로 제 1 액을 분사하는 분사 부재; 및
    상기 하우징과 상기 챔버의 사이의 제2 공간으로 기체를 공급하고, 상기 제2 공간의 세정 챔버 상부에 위치하는 기체 분사 유닛을 포함하되,
    상기 제 1 공간에는 제 1 감압부재가 설치되어 상기 제1 공간 내부의 미스트를 배출하는 제 1 배기관이 결합되며,
    상기 제 2 공간에는 제 2 감압부재가 설치되어 상기 제2 공간 내부의 미스트를 배출하는 제 2 배기관이 결합되고,
    상기 하우징의 측벽에는 상기 기체 분사 유닛으로부터 공급된 기체가 유입되는 홀이 형성되는 기판 처리 장치.
  8. 제2항 또는 제7항에 있어서,
    상기 제 2 공간 내에 배치되어, 기판으로 제 2 액을 공급하는 세정 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 분사 부재는 상기 세정 노즐보다 더 큰 압력으로 유체를 공급하는 기판 처리 장치.
  10. 제2항 또는 제7항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 분사 부재의 분사압을 결정하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 분사 부재 아래에 기판이 없는 경우 상기 분사 부재가 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하고, 상기 분사 부재 아래로 기판이 지나가는 경우 상기 분사 부재가 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하도록 제어하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 기판이 상기 분사 부재 아래로 지나가는지 여부를 감지하고, 감지된 신호를 상기 제어기로 전송하는 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제 2항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 분사 부재로 상기 제 1 액을 분사할 때, 상기 제 1 감압부재 및 상기 제 2 감압부재는 상기 제 1 공간에 상기 제 2 공간보다 더 큰 음압을 제공하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 2 공간 내에 배치되어, 기판으로 제 2 액을 공급하는 세정노즐이 제공되고,
    상기 분사 부재는 상기 세정 노즐보다 더 큰 압력으로 유체를 공급하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 하우징 내의 상기 분사부재 하부에 상기 기판이 없는 경우 상기 분사 부재는 제 1 압력으로 제 1 액을 분사하고, 상기 하우징 내의 상기 분사 부재 하부에 상기 기판이 지나가는 경우 상기 분사 부재는 제 2 압력으로 제 1 액을 분사하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.

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