WO2013183504A1 - 化学研磨装置 - Google Patents

化学研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013183504A1
WO2013183504A1 PCT/JP2013/064835 JP2013064835W WO2013183504A1 WO 2013183504 A1 WO2013183504 A1 WO 2013183504A1 JP 2013064835 W JP2013064835 W JP 2013064835W WO 2013183504 A1 WO2013183504 A1 WO 2013183504A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chemical polishing
glass substrate
processing
processing chamber
tank
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/064835
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
榮 西山
Original Assignee
株式会社Ｎｓｃ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｎｓｃ filed Critical 株式会社Ｎｓｃ
Priority to CN201380021332.1A priority Critical patent/CN104379526B/zh
Priority to KR1020147030920A priority patent/KR102021958B1/ko
Publication of WO2013183504A1 publication Critical patent/WO2013183504A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching

Definitions

  • the present invention relates to a chemical polishing apparatus configured to perform chemical polishing on a plurality of glass substrates that are continuously conveyed.
  • the glass substrate is thinned to a desired plate thickness by immersing the glass substrate to be processed in a polishing bath for a predetermined time.
  • a polishing bath for a predetermined time.
  • the polishing bath has an intense hydrofluoric acid atmosphere due to the structure in which the polishing bath is open upward.
  • gaseous hydrofluoric acid is likely to diffuse around. Workers who work in such a hydrofluoric acid atmosphere may have a health hazard unless they wear appropriate protective equipment and work. For this reason, the cost of the protective equipment supplied to a worker becomes high.
  • a single-wafer chemical polishing process has been used.
  • a glass substrate is supported in a vertical direction by a jig capable of adhering the glass substrate, and a flat configured to inject a chemical polishing liquid onto the glass substrate while conveying the jig.
  • a panel display glass substrate etching apparatus for example, refer patent document 1.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides a single wafer chemical polishing apparatus capable of performing a chemical polishing process on a glass substrate without using a jig. is there.
  • the chemical polishing apparatus is configured to perform chemical polishing on a plurality of glass substrates that are continuously conveyed.
  • the chemical polishing apparatus is configured to perform a chemical polishing process on a plurality of transport rollers configured to transport a glass substrate in a horizontal direction and a glass substrate transported by the plurality of transport rollers.
  • At least a plurality of processing chambers are provided.
  • the processing chamber has at least a processing tank and a recovery tank.
  • the treatment tank is configured such that the chemical polishing liquid overflows at a position higher than the glass substrate conveyed by the conveyance roller.
  • the recovery tank is configured to recover a chemical polishing liquid that overflows from the processing tank.
  • the glass substrates sequentially transported by the transport rollers come into contact with the chemical polishing liquid that has overflowed in the processing chamber, whereby chemical polishing processing is sequentially performed in the chamber.
  • the glass substrate is only partially supported by the conveyance roller, and the specific place of the glass substrate does not always contact the conveyance roller, so the jig trace when using the jig There is no such thing.
  • the present invention can be practiced with a single processing chamber, a plurality of processing chambers are preferable. The reason for this is that when a single processing chamber is used, the tank and piping in the processing chamber are likely to become huge, and as a result, it becomes difficult to control overflow and cope with thermal deformation and stress deformation of the piping. It is easy.
  • a relay section is provided between each processing chamber, and the relay section is configured such that the chemical polishing liquid overflows at a position higher than the glass substrate transported by the transport roller. It is preferable to have at least a treated tank. The reason for this is that the glass substrate is also brought into contact with the chemical polishing liquid in the relay unit, so that the surface of the glass substrate is dried while being transferred from the processing chamber to the next processing chamber, and chemical polishing unevenness, etc. This is because the occurrence of problems is prevented.
  • a pretreatment tank configured to wet the surface of the glass substrate before being introduced into the processing chamber is further provided in the front stage of the processing chamber.
  • the plurality of transport rollers are configured to support the glass substrate with the pair of transport rollers sandwiched from above and below in the processing chamber. This is because such a configuration stabilizes the position of the glass substrate even when it is immersed in the overflowing chemical polishing liquid. Further, the plurality of transport rollers are preferably configured to contact the glass substrate via the O-ring in the processing chamber. With this configuration, the contact area between the transport roller and the glass substrate is further reduced, so that problems such as chemical polishing unevenness are less likely to occur.
  • FIG. 1 is a diagram showing an appearance of a single wafer chemical polishing apparatus 10 according to an example of an embodiment of the present invention.
  • the chemical polishing apparatus 10 includes a carry-in unit 12, a preprocessing chamber 14, a first processing chamber 16, a second processing chamber 18, a third processing chamber 20, a fourth processing chamber 22, The first relay unit 28, the second relay unit 30, the third relay unit 32, the water washing chamber 24, and the carry-out unit 26 are provided.
  • Each chamber and each relay section is provided with a window 40 having acid resistance and made of a transparent member.
  • the carry-in unit 12 is configured to accept a glass substrate 100 to be thinned, which is carried in by manual work by an operator or automatic work by a robot or the like.
  • the pretreatment chamber 14 is configured to receive the glass substrate 100 transported from the carry-in unit 12.
  • the first processing chamber 16 is configured to etch (thinner in this embodiment) the glass substrate 100 by bringing the glass substrate 100 into contact with a chemical polishing liquid.
  • the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, and the fourth processing chamber 22 each have substantially the same configuration as the first processing chamber 16.
  • the glass substrate 100 is configured to be etched by bringing a chemical polishing liquid having the same composition into contact with the glass substrate 100.
  • the first relay unit 28, the second relay unit 30, and the third relay unit 32 are each configured to connect a plurality of processing chambers.
  • the water washing chamber 24 is configured to wash the glass substrate 100 that has passed through the fourth processing chamber 22.
  • the carry-out unit 26 is configured to be able to take out the glass substrate 100 that has undergone the chemical polishing process and the water washing process.
  • the glass substrate 100 that has reached the carry-out unit 26 is removed from the chemical polishing apparatus 10 and collected by manual operation by an operator or automatic operation by a robot or the like. Thereafter, the glass substrate 100 is introduced into the chemical polishing apparatus 10 again when further thinning is necessary, and is moved to a subsequent process such as a film forming process when further thinning is not necessary.
  • Each chamber and each relay section is connected to the exhaust section 34 directly or indirectly.
  • the exhaust unit 34 includes an exhaust duct, a scrubber, and the like, and is configured to exhaust the gas inside the chemical polishing apparatus 10.
  • the pretreatment chamber 14, the first treatment chamber 16, the second treatment chamber 18, and the third treatment chamber 14 are excluded except for the inlet to the pretreatment chamber 14 and the outlet from the washing chamber 24.
  • the processing chamber 20, the fourth processing chamber 22, the first relay section 28, the second relay section 30, the third relay section 32, and the water washing chamber 24 are closed in an airtight and watertight manner as a whole. ing.
  • the introduction port and the discharge port have a slit shape that is slightly higher than the thickness of the glass substrate 100 and slightly wider than the width of the glass substrate 100.
  • the pretreatment chamber 14, the first treatment chamber 16, the second treatment chamber 18, the third treatment chamber 20, the fourth treatment chamber 22, and the water washing chamber 24 communicate with the exhaust unit 34. Since the internal gas of each chamber is sucked into the exhaust part 34, the opening formed in the chemical polishing apparatus 10 is maintained in a negative pressure state, and the processing gas leaks through these openings. None do.
  • the processing liquid supply side of the third relay section 32 is connected to the processing liquid storage section 42 via the processing liquid supply section 44.
  • the processing liquid discharge side of the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, and the fourth processing chamber 22 is connected to the filter press 480.
  • the processing liquid filtered in step S is attacked so as to be returned to the processing liquid storage unit 42.
  • the pretreatment chamber 14 and the rinsing chamber 24 are connected to a water supply unit 46 and are configured to receive the supply of pure water from the water supply unit 46.
  • the chemical polishing apparatus 10 includes a first processing chamber 16, a second processing chamber 18, a third processing chamber 20, a fourth processing chamber 22, a first relay unit 28, a second processing unit 18. And a plurality of transport rollers 50 arranged so as to penetrate through the relay unit 30 and the third relay unit 32.
  • a transport path for transporting the glass substrate 100 is constituted by the plurality of transport rollers 50.
  • the conveying speed is preferably set to 100 to 800 mm / min, more preferably 300 to 550 mm / min.
  • the processing time in the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, and the fourth processing chamber 22 is set to about 20 minutes in total in this embodiment. However, the present invention is not limited to this.
  • the glass substrate 100 to be thinned by the chemical polishing apparatus 10 is not particularly limited, but the upper and lower surfaces of a large glass substrate such as a G8 size quarter cut (1080 ⁇ 1230 mm) and a G6 size (1500 ⁇ 1800 mm) are also provided.
  • the chemical polishing apparatus 10 is configured so that polishing can be performed uniformly. Further, the chemical polishing apparatus 10 is configured to directly convey the glass substrate 100 by the conveying roller 50 without using a jig or a carrier.
  • first processing chamber 16 Since the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, and the fourth processing chamber 22 have substantially the same configuration, only the first processing chamber 16 will be described below. The description of other processing chambers is omitted.
  • first relay unit 28, the second relay unit 30, and the third relay unit 32 have substantially the same configuration, only the first relay unit 28 will be described below, and the other relays. Description of the part is omitted.
  • the first processing chamber 16 includes a processing tank 161 configured to overflow the chemical polishing liquid to a position higher than the glass substrate 100 transported by the transport roller 50.
  • the treatment tank 161 is provided with a circulation shower pipe 164 configured to circulate the chemical polishing liquid in the tank by ejecting the chemical polishing liquid from a plurality of jet nozzles.
  • the circulation shower pipe 164 is preferably provided on both upper and lower sides of the conveyance path of the glass substrate 100.
  • the circulation shower pipe 164 is connected to a pump 442, and the chemical polishing liquid in the lower portion of the processing tank 161 can be constantly supplied to the circulation shower pipe 164 by the pump 442.
  • the bottom of the processing tank 161 is connected to a filter press 480 via a pump 484 and connected to a waste liquid tank 486 via a valve 488.
  • the processing tank 161 is connected to the liquid storage tank 420 via a pump 44 constituting the processing liquid supply unit 44.
  • the liquid storage tank 420 is connected to the hydrofluoric acid tank 424 via the pump 425 and is connected to the hydrochloric acid tank 426 via the pump 427.
  • the liquid storage tank 420 is connected to the temperature adjustment unit 422 and is managed so that the temperature of the liquid in the tank becomes a desired temperature.
  • the liquid storage tank 420, the temperature adjusting unit 422, the hydrofluoric acid tank 424, the hydrochloric acid tank 426, and the pumps 425 and 427 constitute the processing liquid storage unit 42.
  • the configuration is not limited to this.
  • the chemical polishing liquid in the processing liquid supply unit 44 is controlled to be about 40 to 42 ° C., and the composition of the chemical polishing liquid is 1 to 20 wt% hydrofluoric acid, 0 hydrochloric acid.
  • the liquid composition is controlled so that the liquid composition of the remaining water is ⁇ 10% by weight, but the liquid temperature and liquid composition are not limited thereto.
  • a recovery tank 162 is disposed under the processing tank 161. Since the recovery tank 162 is configured to recover the chemical polishing liquid that overflows from the processing tank 161, the chemical polishing liquid spilled from the processing tank 161 is configured to flow into the recovery tank.
  • the recovery tank 162 is connected to the processing tank 161 via the pump 444, and the chemical polishing liquid that has flowed down to the recovery tank 444 is configured to return to the processing tank 161. Since the recovery tank 162 is connected to the temperature adjustment unit 163, the liquid temperature in the recovery tank 162 is managed so as to become a desired temperature. Sludge tends to accumulate at the bottom of the collection tank 162, and this bottom is connected to the filter press 480 via the pump 484 and to the waste liquid tank 486 via the valve 488.
  • the valve 488 Since the valve 488 is normally closed, the chemical polishing liquid in the processing tank 161 and the recovery tank 162 is sent to the filter press 480 by the pump 484. On the other hand, when the valve 488 is opened, the chemical polishing liquid in the processing tank 161 and the recovery tank 162 is discharged to the waste liquid tank 486. Normally, the chemical polishing liquid is sent to the filter press 480 if it is in a reusable state after being subjected to precipitation of reaction products and other treatments, while it is not reusable. Is sent to the waste liquid tank 486 as a concentrated waste liquid.
  • the first relay unit 28 includes a treatment tank 281 configured to overflow the chemical polishing liquid at a position higher than the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 50.
  • the processing tank 281 is connected to the liquid storage tank 420 via the pump 440.
  • the bottom of the processing tank 281 is connected to the filter press 480 via the pump 484 and is connected to the waste liquid tank 486 via the valve 488.
  • valve 488 Since the valve 488 is normally closed, the chemical polishing liquid in the treatment tank 281 is sent to the filter press 480 by the pump 484. On the other hand, when the valve 488 is opened, the chemical polishing liquid in the processing tank 281 is discharged to the waste liquid tank 486. The chemical polishing liquid overflowed from the processing tank 281 flows on the slope at the bottom of the first relay section 28 and flows into the recovery tanks of the treatment chambers located on both sides.
  • the first processing chamber 16 is configured to support the glass substrate 100 sandwiched from above and below by a pair of transport rollers 50.
  • an O-ring 502 is attached to the peripheral surface of the transport roller 50, and the transport roller 50 and the glass substrate 100 are interposed via the O-ring 502. And are in contact with each other. As a result, the conveyance force from the conveyance roller 50 is transmitted to the glass substrate 100 through the O-ring 502.
  • the glass substrate 100 is immersed in a chemical polishing liquid overflowing from the processing tank 161 while being transported by the transport roller 100. For this reason, the glass substrate 100 is etched and thinned while being conveyed. At this time, the chemical polishing liquid is ejected from the plurality of openings provided in the circulation shower pipe 164 toward the glass substrate 100. This prevents sludge from accumulating near the surface of the glass substrate 100, and a fresh chemical polishing liquid is sent to the glass substrate 100. Since the chemical polishing liquid in the processing tank 161 is constantly circulated, the chemical polishing liquid in the processing tank 161 is less likely to be heterogeneous.
  • the material of the transport roller 50, the circulation shower pipe 164, and the O-ring 502 is preferably a resin having acid resistance.
  • polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, or the like is used. .
  • the liquid level can be raised by supplying more chemical polishing liquid to the processing tank 161 or the processing tank 281 than the amount of liquid overflowing from the processing tank 161 or the processing tank 281, and the amount of the overflowing liquid
  • the liquid level can be kept constant by equalizing the supply amount.
  • a liquid level sensor is provided in the processing tank 161 or the processing tank 281 and, based on the output of the liquid level sensor, the liquid level of the processing liquid supply unit 44 is maintained so that the liquid level is maintained within a predetermined range. It is preferable to provide a control device that controls each pump to operate.
  • the first processing chamber 16, the second processing chamber 18, the third processing chamber 20, and the fourth processing chamber 22 that perform similar chemical polishing with the same liquid composition are dared to each other. It is divided and provided.
  • the reason is to prevent the bending of the circulation shower pipe 164 by suppressing the size of each treatment tank 161 and suppressing the length of the circulation shower pipe 164 and other pipes. Moreover, it is for suppressing the influence by the thermal expansion of the circulation shower pipe 164 and other piping small.
  • the distance between the circulation shower pipe 164 and the glass substrate 100 can be maintained uniformly, and the hydraulic pressure of the chemical polishing liquid sprayed onto the glass substrate 100 can be easily adjusted.
  • the length of the circulation shower pipe 164 and other pipes is related to the pipe diameter (liquid feeding amount), generally, the length is preferably 2.5 m or less, and preferably 2 m or less.
  • an opposing roller 146 that receives the glass substrate 100 and water washing nozzles 142 and 144 that spray water on the upper and lower surfaces of the glass substrate 100 are provided at the inlet of the glass substrate 100 to the first processing chamber 16.
  • a plurality of the water washing nozzles 142 and 144 are arranged at predetermined intervals over the entire region in the direction (width direction) orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100.
  • the contact pressure is set so that the glass substrate 100 is softly held by the counter roller 146 and the transport roller 50 and introduced into the first processing chamber 16.
  • the water washing nozzles 142 and 144 are set so as to inject water toward the inlet of the glass substrate 100 to the first processing chamber 16. Therefore, the glass substrate 100 introduced into the first processing chamber 16 is in a sufficiently wet state, and inhomogeneous initial etching is prevented. That is, since the first processing chamber 16 is in a hydrofluoric acid gas atmosphere, if the surface of the glass substrate 100 is in a dry state, there is a risk that the hydrofluoric acid gas may erode inhomogeneously. Since the surface of the glass substrate 100 is protected by water, a uniform etching is started in the first processing chamber 16 thereafter.
  • the water washing nozzle 142 is configured to inject water downward, while the water washing nozzle 144 is on the upper side and the glass substrate. It is comprised so that water may be injected diagonally toward the upstream of 100 conveyance paths.
  • the water washing nozzle 144 being configured to inject water obliquely upward, as shown in FIGS. 7A and 7B, when the glass substrate 100 approaches the water washing nozzles 142 and 144, the water washing is performed. Water can be supplied from the nozzle 144 to the upper surface of the glass substrate 100. For this reason, it becomes possible to rapidly form a water film for protecting from the hydrofluoric acid gas on the upper surface of the glass substrate 100.
  • the water washing nozzle 144 When the glass substrate 100 approaches the water washing nozzle 144, the water sprayed from the water washing nozzle 144 comes into contact with the bottom surface of the glass substrate 100. Therefore, the water washing nozzle 144 appropriately cleans the bottom surface of the glass substrate 100, and appropriately Can be moistened.
  • the washing nozzles 142 and 144 in the pretreatment chamber 14, it is possible to prevent the glass substrate 100 in a dry state from being exposed to the hydrofluoric acid gas and being etched unevenly. Further, since the glass substrate 100 is prevented from being sandwiched between the counter roller 146 and the transport roller 50 in a dry state, the glass substrate 100 may be damaged when passing between the counter roller 146 and the transport roller 50. The glass substrate 100 is prevented from being damaged.
  • the glass substrate 100 includes a first processing chamber 16, a second processing chamber 18, a third processing chamber 20, a fourth processing chamber 22, a first relay unit 28, a second relay unit 30, and a third processing unit.
  • a first processing chamber 16 The glass substrate 100 that has been subjected to the multi-stage chemical polishing is subjected to a liquid draining process on the upper surface by an air knife 244 disposed at the outlet of the fourth processing chamber 22, and then a group of disposed in the water washing chamber 24. Washing is performed with washing water received from the injection pipe 242.
  • the cleaning injection pipe 242 is in a fixed state, but may be configured to swing this.
  • a pair of upper and lower air knives 246 are arranged in the final stage of the cleaning process, and the upper and lower surfaces of the glass substrate 100 are quickly dried by the air jetted therefrom. And the glass substrate 100 discharged
  • the air knife 244 in front of the pair of upper and lower air knives 246, the chemical polishing liquid can be quickly removed from the upper surface of the glass substrate 100. Therefore, the upper surface of the glass substrate 100 is uneven. It is possible to effectively prevent etching.
  • the chemical polishing apparatus 10 As described above, according to the chemical polishing apparatus 10 according to the present embodiment, chemical polishing is performed in a closed space, and toxic gas such as hydrofluoric acid gas generated in the apparatus is almost exhausted by an exhaust mechanism such as a scrubber. Since everything is recovered, the hydrofluoric acid gas hardly diffuses around the chemical single wafer apparatus 10. As a result, the working environment around the chemical polishing apparatus 10 is remarkably improved as compared with the case of the batch type chemical polishing process. Accordingly, there is no need to worry about deteriorating the health of workers, and it is not necessary to cost protective equipment.
  • the equipment around the chemical polishing apparatus 10 can be prevented from being attacked by the hydrofluoric acid gas, the maintenance cost of the equipment can be reduced. In other words, it can be said that there is a great merit that a good working environment can be provided to the worker with low maintenance costs.
  • the single wafer chemical polishing apparatus 10 when used, there is a merit that it is possible to improve the work efficiency and the quality of the product as compared with the batch polishing process.
  • the chemical polishing apparatus 10 since the plate thickness accuracy is improved, the yield stability at the time of scribing is predicted. Further, the flat strength of the cut surface can be increased as compared with the batch-type polishing treatment. And since there is no hydrofluoric acid loss by bubbling, the effect of reducing hydrofluoric acid cost by about 15% can be expected.
  • the configuration in which the first relay unit 28, the second relay unit 30, and the third relay unit 32 are provided with the processing tank in which the chemical polishing liquid overflows has been described, but as illustrated in FIG. 7.
  • the first relay unit 280, the second relay unit 300, and the third relay unit 320 having a spray type mechanism for spraying the chemical polishing liquid toward the glass substrate 100.
  • the glass substrate 100 is sequentially dipped, sprayed, dipped, and sprayed, and sludge and the like are less likely to accumulate.
  • FIG. 8 it is also possible to employ a flush chamber 240 having a tank in which flush water overflows. By adopting such a configuration, it is possible to reduce the consumption of cleaning water.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

治具を使用することなくガラス基板に対して化学研磨処理を施すことが可能な枚葉式の化学研磨装置を提供する。化学研磨装置（１０）は、ガラス基板を水平方向に搬送するように構成された複数の搬送ローラ（５０）、および複数の搬送ローラ（５０）によって搬送されるガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成された処理チャンバ（１６、１８、２０、２２）を少なくとも備える。処理チャンバ（１６、１８、２０、２２）は、処理槽（１６１）および回収槽（１６２）を少なくとも有する。処理槽（１６１）は、複数の搬送ローラ（５０）よりも高い位置で化学研磨液がオーバーフローするように構成される。回収槽（１６２）は、処理槽（１６１）からオーバーフローする化学研磨液を回収するように構成される。

Description

化学研磨装置
　本発明は、連続的に搬送される複数のガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成された化学研磨装置に関する。
　ガラス基板を薄型化するためには、一般的にフッ酸を含む化学研磨液を用いてガラス基板に対して化学研磨処理を行う必要がある。このような化学研磨処理としては、処理すべきガラス基板を化学研磨液が入れられた槽に所定時間浸漬するバッチ式化学研磨、および処理すべきガラス基板を搬送ローラで順次的に搬送しつつ化学研磨液をスプレーする枚葉式化学研磨が挙げられる。
　これらの化学研磨の方式のうち、バッチ方式の研磨では、処理すべきガラス基板を研磨液浴槽に所定時間浸漬することによってガラス基板を所望の板厚まで薄板化するもので、一度に多量のガラス基板を処理できるというメリットがある。ところが、バッチ方式の研磨は、少なくとも以下の問題点を有している。
　まず、バッチ方式の研磨では、研磨液浴槽が上方に対して開放している構造上、研磨液浴槽の周囲が濃いフッ酸雰囲気になるという問題がある。特に、研磨液浴槽の研磨液に対してバブリング処理を行っている場合には、ガス状のフッ酸が周囲に拡散し易いという問題点を抱えている。このようなフッ酸雰囲気の中で作業にあたる作業員は、適切な保護装備を身につけて作業にあたらなければ、健康を害してしまう虞がある。このため、作業員に支給する保護装備のコストが高くなる。
　また、バッチ方式の研磨では、研磨液浴槽の周囲が濃いフッ酸雰囲気を解消するためには、強力なスクラバ等の排気設備が必要となり、設備コストを増大させてしまう。さらには、フッ酸ガスによって設備の腐食が発生し易くなるため、適切な防食処理を施すためにコストがかかったり、設備の交換頻度が多くなってコストがかかったりするという問題もある。
　そこで、近年、枚葉方式の化学研磨処理が用いられることがあった。例えば、従来技術の中には、ガラス基板を付着できる治具によってガラス基板を縦向きに支持し、この治具を搬送しつつガラス基板に対して化学研磨液を噴射するように構成されたフラットパネルディスプレイガラス基板エッチング装置が存在する（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００８－２６６１３５号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の技術では、依然としてガラス基板を支持するための治具を使用することを余儀なくされる。このため、上述のバッチ式の化学研磨装置と同様に、治具を準備する費用が高く、またガラス基板に治具跡が発生し易いという問題もある。ガラス基板に治具跡が発生すると効率の良い面取設計をすることが極めて困難になるため、面取効率を低下させてしまうという不都合がある。
　本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、治具を使用することなくガラス基板に対して化学研磨処理を施すことが可能な枚葉式の化学研磨装置を提供することである。
　この発明に係る化学研磨装置は、連続的に搬送される複数のガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成される。この化学研磨装置は、ガラス基板を水平方向に搬送するように構成された複数の搬送ローラ、および複数の搬送ローラによって搬送されるガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成された１または複数の処理チャンバを少なくとも備える。処理チャンバは、処理槽および回収槽を少なくとも有する。処理槽は、搬送ローラによって搬送されるガラス基板よりも高い位置で化学研磨液がオーバーフローするように構成される。回収槽は、処理槽からオーバーフローする化学研磨液を回収するように構成される。
　この構成においては、搬送ローラによって順次的に搬送されるガラス基板が、処理チャンバにおいてオーバーフローした化学研磨液に接触することによって、チャンバ内にて順次的に化学研磨処理が行われる。このときガラス基板は、搬送ローラによって部分的に支持されるのみであり、しかも、ガラス基板の特定箇所が常時的に搬送ローラと接触することがないため、治具を使用したときの治具跡のようなものが発生しない。
　処理チャンバの数は、単数でも本発明を実施することは可能であるが、複数であることが好ましい。その理由は、単数の処理チャンバで構成した場合には、処理チャンバ内の槽や配管等が巨大化し易く、その結果、オーバーフローの制御、および配管の熱変形や応力変形に対する対処等が困難になり易いからである。
　複数の処理チャンバを設ける場合には、各処理チャンバの間にそれぞれ中継部が設け、かつ、中継部は、搬送ローラによって搬送されるガラス基板よりも高い位置で化学研磨液がオーバーフローするように構成された処理槽を少なくとも有することが好ましい。その理由は、中継部においてもガラス基板を化学研磨液に接触させておくことにより、ガラス基板が処理チャンバから次の処理チャンバに搬送される間にその表面が乾いてしまい、化学研磨ムラ等の不具合が発生することが防止されるからである。
　さらに、処理チャンバの前段に、前記処理チャンバに導入される前のガラス基板の表面を湿らせるように構成された前処理槽をさらに備えることが好ましい。その理由は、ガラス基板が乾いた状態で化学研磨液から発生するガス（例えば、フッ酸ガス）に触れると、ガラス基板に白濁化する等の不都合が発生し易いが、ガラス基板の表面を水分等で湿らせておくことで、このような不都合が発生しにくくなるからである。
　また、複数の搬送ローラは、処理チャンバにおいて、１対の搬送ローラによってガラス基板を上下から挟んで支持するように構成されることが好ましい。このように構成することにより、オーバーフローする化学研磨液に浸された状態においてもガラス基板の位置が安定化するからである。さらには、複数の搬送ローラは、処理チャンバにおいて、Ｏリングを介してガラス基板に接触するように構成されることが好ましい。このように構成することにより、搬送ローラとガラス基板の接触面積がさらに小さくなるため、化学研磨ムラ等の不都合がさらに発生しにくくなる。
　上記した本発明によれば、治具を使用することなくガラス基板に対して化学研磨処理を施すことが可能になる。
本発明の実施形態に係る枚葉式化学研磨装置の外観を示す図である。 枚葉式化学研磨装置の概略構成を示す図である。 第１の処理チャンバの概略構成を示す図である。 中継部の概略構成を示す図である。 搬送されるガラス基板に対して化学研磨処理を行う状態を示す図である。 前処理チャンバでの前処理を行う状態を示す図である。 枚葉式化学研磨装置の概略構成の他の例を示す図である。 枚葉式化学研磨装置の概略構成のさらに他の例を示す図である。
　図１は、本発明の実施形態の一例に係る枚葉式の化学研磨装置１０の外観を示す図である。図１に示すように、化学研磨装置１０は、搬入部１２、前処理チャンバ１４、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、第４の処理チャンバ２２、第１の中継部２８、第２の中継部３０、第３の中継部３２、水洗チャンバ２４、および搬出部２６を備える。各チャンバおよび各中継部には、耐酸性を有し、かつ、透明部材からなる窓４０が設けられる。
　搬入部１２は、作業員による手動作業またはロボット等による自動作業によって搬入される薄型化処理すべきガラス基板１００を受け入れ可能に構成される。前処理チャンバ１４は、搬入部１２から搬送されるガラス基板１００を受け入れるように構成される。第１の処理チャンバ１６は、ガラス基板１００を化学研磨液に接触させることによってガラス基板１００をエッチング（この実施形態では、薄型化）するように構成される。第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、および第４の処理チャンバ２２は、それぞれ第１の処理チャンバ１６と実質的に同一の構成を有しており、第１の処理チャンバ１６と同一組成の化学研磨液をガラス基板１００に接触させることによってガラス基板１００をエッチングするように構成される。
　第１の中継部２８、第２の中継部３０、および第３の中継部３２はそれぞれ、複数の処理チャンバを連結するように構成される。水洗チャンバ２４は、第４の処理チャンバ２２を経由したガラス基板１００を水洗するように構成される。搬出部２６は、化学研磨処理および水洗処理を経たガラス基板１００を取り出し可能に構成されている。搬出部２６に到達したガラス基板１００は、作業員による手動作業またはロボット等による自動作業によって化学研磨装置１０から取り除かれて回収される。その後、ガラス基板１００は、さらなる薄型化が必要な場合には、再び化学研磨装置１０に導入される一方で、さらなる薄型化が必要でない場合には成膜工程等の後段の工程に移行される。各チャンバおよび各中継部は直接的または間接的に排気部３４に接続される。排気部３４は、排気ダクトおよびスクラバ等を備えており、化学研磨装置１０内部のガスを排出するように構成される。
　上述の化学研磨装置１０において、前処理チャンバ１４への導入口、および水洗チャンバ２４からの導出口を除いて、前処理チャンバ１４、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、第４の処理チャンバ２２、第１の中継部２８、第２の中継部３０、第３の中継部３２、および水洗チャンバ２４は、全体として気密的にかつ水密的に閉塞されている。導入口および導出口は、ガラス基板１００の板厚よりやや高く、ガラス基板１００の横幅よりやや広いスリット形状を呈している。
　また、前処理チャンバ１４、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、第４の処理チャンバ２２、および水洗チャンバ２４は、排気部３４に連通しており、各チャンバの内部ガスが排気部３４に吸引されるようになっているため、化学研磨装置１０に形成される開口が、負圧状態に維持されることになり、これらの開口を通して処理ガスが漏出することはない。
　図２に示すように、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、第４の処理チャンバ２２、第１の中継部２８、第２の中継部３０、および第３の中継部３２の処理液供給側は、処理液供給部４４を介して処理液収容部４２に接続されている。一方で、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、および第４の処理チャンバ２２の処理液排出側は、フィルタープレス４８０に接続されており、フィルタープレス４８０にて濾過された処理液が処理液収容部４２に戻されるように攻勢されている。
　また、前処理チャンバ１４および水洗チャンバ２４は、水供給部４６に接続されており、水供給部４６から純水の供給を受けるように構成されている。図２に示すように、化学研磨装置１０は、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、第４の処理チャンバ２２、第１の中継部２８、第２の中継部３０、および第３の中継部３２を貫くように配列される複数の搬送ローラ５０を備えている。これらの複数の搬送ローラ５０によってガラス基板１００を搬送するための搬送路が構成される。ここで、搬送速度は、１００～８００ｍｍ／分に設定されるのが好ましく、より好ましくは、３００～５５０ｍｍ／分に設定すべきである。そして、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、および第４の処理チャンバ２２での処理時間は、この実施形態では合計２０分程度に設定されているが、これに限定されるものではない。
　化学研磨装置１０で薄型化処理されるガラス基板１００は、特に限定されないが、Ｇ８サイズのクォーターカット（１０８０×１２３０ｍｍ）およびＧ６サイズ（１５００×１８００ｍｍ）等の大型ガラス基板についても、その上下両面を均質に研磨できるよう化学研磨装置１０は構成されている。また、化学研磨装置１０は、治具やキャリアを用いることなく、ガラス基板１００を直接的に搬送ローラ５０によって搬送するように構成される。
　第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、および第４の処理チャンバ２２は実質的に同一構成であるため、以下において第１の処理チャンバ１６についてのみ説明を行い、その他の処理チャンバについては説明を省略する。また、第１の中継部２８、第２の中継部３０、および第３の中継部３２は実質的に同一構成であるため、以下において第１の中継部２８についてのみ説明を行い、その他の中継部については説明を省略する。
　図３に示すように、第１の処理チャンバ１６は、搬送ローラ５０によって搬送されるガラス基板１００よりも高い位置まで化学研磨液がオーバーフローするように構成された処理槽１６１を備える。処理槽１６１には、複数の噴出口から化学研磨液を噴出することによって化学研磨液を槽内で循環させるように構成された循環シャワーパイプ１６４が設けられる。循環シャワーパイプ１６４はガラス基板１００の搬送路の上下両側に設けることが好ましい。循環シャワーパイプ１６４は、ポンプ４４２に接続されており、処理槽１６１の下部の化学研磨液がポンプ４４２によって常時的に循環シャワーパイプ１６４に供給可能になっている。処理槽１６１の底部は、ポンプ４８４を介してフィルタープレス４８０に接続されるとともに、バルブ４８８を介して廃液タンク４８６に接続されている。
　また、処理槽１６１は、処理液供給部４４を構成するポンプ４４を介して貯液タンク４２０に接続される。貯液タンク４２０は、ポンプ４２５を介してフッ酸タンク４２４に接続されるとともに、ポンプ４２７を介して塩酸タンク４２６に接続される。また、貯液タンク４２０は温度調整部４２２に接続されており、タンク内の液の温度が所望の温度になるように管理されている。この実施形態では、貯液タンク４２０、温度調整部４２２、フッ酸タンク４２４、塩酸タンク４２６、およびポンプ４２５、４２７によって処理液収容部４２を構成するようにしているが、処理液収容部４２の構成はこれに限定されるものではない。なお、この実施形態では、処理液供給部４４の化学研磨液が４０～４２℃程度になるように管理されており、かつ、化学研磨液の組成は、フッ酸１～２０重量％、塩酸０～１０重量％、残り水の液組成となるように管理されているが、液温や液組成はこれに限定されるものではない。
　処理槽１６１の下には回収槽１６２が配置される。回収槽１６２は、処理槽１６１からオーバーフローする化学研磨液を回収するように構成されているため、処理槽１６１からこぼれ落ちた化学研磨液は回収槽に流れ込むように構成されている。回収槽１６２は、ポンプ４４４を介して処理槽１６１に接続されており、回収槽４４４に流れ落ちた化学研磨液が処理槽１６１に戻るように構成されている。回収槽１６２は、温度調整部１６３に接続されているため、回収槽１６２内の液温が所望の温度になるように管理されている。回収槽１６２に底部にはスラッジが溜まりやすくなっているが、この底部は、ポンプ４８４を介してフィルタープレス４８０に接続されるとともに、バルブ４８８を介して廃液タンク４８６に接続されている。
　バルブ４８８は通常閉じられているため、処理槽１６１および回収槽１６２の化学研磨液はポンプ４８４によってフィルタープレス４８０に送られる。一方で、バルブ４８８を開放すると、処理槽１６１および回収槽１６２の化学研磨液が廃液タンク４８６に排出される。通常、化学研磨液は、反応生成物の沈殿その他の処理を経た上で、再利用が可能な状態であればフィルタープレス４８０に送られるに送られる一方で、再利用が可能でない状態の場合には濃厚廃液として廃液タンク４８６へと送られる。
　続いて、図４を用いて、第１の中継部２８について説明する。第１の中継部２８は、搬送ローラ５０によって搬送されるガラス基板１００よりも高い位置で化学研磨液がオーバーフローするように構成された処理槽２８１を備える。処理槽２８１は、ポンプ４４０を介して貯液タンク４２０に接続される。また、処理槽２８１の底部は、ポンプ４８４を介してフィルタープレス４８０に接続されるとともに、バルブ４８８を介して廃液タンク４８６に接続されている。
　バルブ４８８は通常閉じられているため、処理槽２８１の化学研磨液はポンプ４８４によってフィルタープレス４８０に送られる。一方で、バルブ４８８を開放すると、処理槽２８１の化学研磨液が廃液タンク４８６に排出される。また、処理槽２８１からオーバーフローした化学研磨液は、第１の中継部２８の底部の斜面上を流れて、両隣に位置する処置チャンバの回収槽に流れ込むように構成されている。
　続いて、図５（Ａ）および図５（Ｂ）を用いて、第１の処理チャンバ１６における化学研磨処理について説明する。同図に示すように、第１の処理チャンバ１６においては、１対の搬送ローラ５０によってガラス基板１００を上下から挟んで支持するように構成されている。この実施形態では、搬送ローラ５０の周面とガラス基板１００の接触面積を低減するために搬送ローラ５０の周面にＯリング５０２を取り付け、このＯリング５０２を介して搬送ローラ５０とガラス基板１００とが接触するようにしている。この結果、ガラス基板１００はＯリング５０２を介して搬送ローラ５０からの搬送力が伝達される。
　ガラス基板１００は、搬送ローラ１００によって搬送されつつ、処理槽１６１からオーバーフローする化学研磨液に浸される。このため、ガラス基板１００は、搬送されながらエッチングされていき薄型化する。このとき、循環シャワーパイプ１６４に設けられた複数の開口部からガラス基板１００に向かって化学研磨液が噴出される。このためガラス基板１００の表面付近にスラッジが溜まることが防止され、また、ガラス基板１００に対して新鮮な化学研磨液が送られる。処理槽１６１内の化学研磨液は常時的に循環しているため、処理槽１６１内の化学研磨液の不均質化が発生しにくい。なお、上述の構成において、搬送ローラ５０、循環シャワーパイプ１６４、およびＯリング５０２の材質は、耐酸性を備えた樹脂が好ましく、この実施形態では、ポリ塩化ビニルやポリテトラフルオロエチレン等が用いられる。
　上述の構成において、処理槽１６１または処理槽２８１からオーバーフローする液量よりも多くの化学研磨液を処理槽１６１または処理槽２８１に供給してやることで液面を上昇させることができ、オーバーフローする液量と供給量を等しくすることで液面を一定に保持できる。図示はしていないが、処理槽１６１または処理槽２８１に液面センサを設け、かつ、その液面センサの出力に基づき、液面が所定範囲内に保たれるように処理液供給部４４の各ポンプを作動させるように制御する制御装置を設けることが好ましい。
　ところで、本実施形態では、同一の液組成によって同様の化学研磨を実行する第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、および第４の処理チャンバ２２を敢えて互いに分割して設けている。その理由は、各処理槽１６１の大きさを抑制し、循環シャワーパイプ１６４その他の配管の長さを抑制することで、循環シャワーパイプ１６４の撓みを防止するためである。また、循環シャワーパイプ１６４その他の配管の熱膨張による影響を小さく抑えるためである。このような構成を採り入れることにより、循環シャワーパイプ１６４とガラス基板１００との距離を均一に維持することが可能となり、ガラス基板１００に噴射される化学研磨液の液圧を調整しやすくなる。なお、循環シャワーパイプ１６４その他の配管の長さは、パイプ径（送液量）にも関係するが、一般的には、２．５ｍ以下、好ましくは２ｍ以下に抑制するのが好ましい。
　続いて、図６（Ａ）～図６（Ｃ）を用いて、前処理チャンバ１４の構成について説明する。前処理チャンバ１４は、第１の処理チャンバ１６へのガラス基板１００の導入口に、ガラス基板１００を受入れる対向ローラ１４６と、ガラス基板１００の上下面に水を噴射する水洗ノズル１４２，１４４とが配置されている。水洗ノズル１４２，１４４は、ガラス基板１００の搬送方向に直交する方向（幅方向）の全域にわたって所定の間隔にて複数配備されている。ここで、ガラス基板１００は、対向ローラ１４６と搬送ローラ５０に、柔らかく保持されて第１の処理チャンバ１６に導入されるよう接触圧が設定されている。
　また、水洗ノズル１４２，１４４は、ガラス基板１００の第１の処理チャンバ１６への導入口に向けて、水を噴射するよう設定されている。そのため、第１の処理チャンバ１６に導入されたガラス基板１００は、十分に濡れた状態であり、不均質な初期エッチングが為されることが防止される。すなわち、第１の処理チャンバ１６は、フッ酸ガス雰囲気であるので、ガラス基板１００の表面がドライ状態であると、フッ酸ガスによって不均質に侵蝕される危険があるが、本実施形態では、ガラス基板１００の表面が水で保護されているので、その後、第１の処理チャンバ１６において均質なエッチングが開始される。
　本実施形態では、図７（Ａ）～図７（Ｃ）に示すように、水洗ノズル１４２は真下に向かって水を噴射するように構成される一方で、水洗ノズル１４４は上方でかつガラス基板１００の搬送路の上流側に向かって斜めに水を噴射するように構成される。水洗ノズル１４４が斜め上方に水を噴射するように構成される結果、ガラス基板１００が水洗ノズル１４２，１４４に接近する際に、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、水洗ノズル１４４からガラス基板１００の上面に水を供給することが可能になる。このため、ガラス基板１００の上面に、フッ酸ガスから保護するための水の膜を迅速に形成することが可能になる。なお、ガラス基板１００が水洗ノズル１４４に接近すると、水洗ノズル１４４から噴射する水はガラス基板１００の底面に当たるようになるため、水洗ノズル１４４によってガラス基板１００の底面を適切に洗浄し、かつ適切に湿らせることが可能である。
　以上のとおり、前処理チャンバ１４に水洗ノズル１４２，１４４を設けたことにより、ドライ状態のガラス基板１００がフッ酸ガスにさらされて、不均一にエッチングされることが防止される。また、ガラス基板１００がドライ状態にて対向ローラ１４６および搬送ローラ５０に挟み込まれることが防止されるため、対向ローラ１４６および搬送ローラ５０の間を通過する際にガラス基板１００に傷が発生したり、ガラス基板１００が汚損したりすることが防止される。
　ガラス基板１００は、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、第３の処理チャンバ２０、第４の処理チャンバ２２、第１の中継部２８、第２の中継部３０、および第３の中継部３２をこの順に通過して、順次的に化学研磨される。そして、複数段階の化学研磨を終えたガラス基板１００は、第４の処理チャンバ２２の出口に配置されたエアナイフ２４４によって上面の液切り処理が行われた後、水洗チャンバ２４に配置された一群の噴射パイプ２４２から受ける洗浄水によって洗浄される。洗浄用の噴射パイプ２４２は、固定状態であるが、これを揺動させる構成を採っても良い。
　いずれにしても、洗浄処理の最終段には、上下一対のエアナイフ２４６が配置されており、そこから噴射されるエアによってガラス基板１００の上下面が迅速に乾燥される。そして、水洗チャンバ２４の導出口から排出されたガラス基板１００は、搬出部２６に待機する作業員によって取り出され、一連の加工処理が完了する。このように、上下一対のエアナイフ２４６の前段に別途エアナイフ２４４を配置することにより、ガラス基板１００の上面から化学研磨液を迅速に除去することが可能になるため、ガラス基板１００の上面が不均一にエッチングされることを効果的に防止することが可能になる。
　以上のように、本実施形態に係る化学研磨装置１０によれば、閉塞された空間において化学研磨が行われ、装置内で発生したフッ酸ガス等の有毒なガスはスクラバ等の排気機構によってほぼすべて回収されるため、化学枚葉装置１０周囲にフッ酸ガスがほとんど拡散しない。その結果、化学研磨装置１０周囲の作業環境がバッチ式化学研磨処理の場合に比較して格段に向上する。したがって、作業員の健康を悪化させる心配がなくなるとともに、保護装備にコストをかける必要がなくなる。
　また、化学研磨装置１０の周囲の設備がフッ酸ガスによって侵されることを防止できるため、設備のメンテナンス費用を抑えることも可能である。つまり、安価なメンテナンス費用で、作業員に良好な作業環境を提供することができるという大きなメリットがあると言える。
　さらに、枚葉方式の化学研磨装置１０を用いた場合、バッチ方式の研磨処理に比較して、作業効率や製品の品質を向上させることが可能になるというメリットがある。加えて、化学研磨装置１０によれば、板厚精度が向上するため、スクライブ時の歩留り安定が予測される。また、切断面フラット強度についても、バッチ方式の研磨処理に比較して強くすることが可能になる。そして、バブリングによるフッ酸ロスがないため、フッ酸コストを１５％程度削減する効果が期待できる。
　上述の実施形態では、第１の中継部２８、第２の中継部３０、および第３の中継部３２にも化学研磨液がオーバーフローする処理槽を設ける構成を説明したが、図７に示すように、化学研磨液をガラス基板１００に向けて噴射するスプレー式の機構を有する第１の中継部２８０、第２の中継部３００、および第３の中継部３２０を採用することも可能である。このような構成を採用することにより、ガラス基板１００が、順次、浸漬、スプレー、浸漬、スプレーを施されることになり、スラッジ等が溜まりにくくなる。
　また、図８に示すように、洗浄水がオーバーフローする槽を有する水洗チャンバ２４０を採用することも可能である。このような構成を採用することにより、洗浄水の消費量を減少させることが可能になる。
　この実施形態では、化学研磨装置１０によってガラス基板１００を薄型化する例を説明したが、化学研磨装置１０を用いてガラス基板１００を区画溝に沿って分断する処理を行うことも可能である。
　上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１０－化学研磨装置
　１２－搬入部
　１４－前処理チャンバ
　１６－第１の処理チャンバ
　１８－第２の処理チャンバ
　２０－第３の処理チャンバ
　２２－第４の処理チャンバ
　２４－水洗チャンバ
　２６－搬出部
　２８－第１の中継部
　３０－第２の中継部
　３２－第３の中継部
　５０－搬送ローラ
　１００－ガラス基板
　１６１－処理槽
　１６２－回収槽
　１６３－温度調整部
　１６４－循環シャワーパイプ

Claims (5)

  1. 　連続的に搬送される複数のガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成された化学研磨装置であって、
    　ガラス基板を水平方向に搬送するように構成された複数の搬送ローラと、
    　前記複数の搬送ローラによって搬送されるガラス基板に対して化学研磨処理を行うように構成された１または複数の処理チャンバと、
    を少なくとも備え、
    　前記処理チャンバは、
    　前記搬送ローラによって搬送されるガラス基板よりも高い位置で化学研磨液がオーバーフローするように構成された処理槽と、
    　前記処理槽からオーバーフローする化学研磨液を回収するように構成された回収槽と、を
    少なくとも有することを特徴とする化学研磨装置。
  2. 　前記処理チャンバを複数備え、
    各処理チャンバの間にそれぞれ中継部が設けられており、
    前記中継部は、前記搬送ローラによって搬送されるガラス基板よりも高い位置で化学研磨液がオーバーフローするように構成された処理槽を少なくとも有することを特徴とする請求項１に記載の化学研磨装置。
  3. 　前記処理チャンバの前段に、前記処理チャンバに導入される前のガラス基板の表面を湿らせるように構成された前処理槽をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の化学研磨装置。
  4. 　前記複数の搬送ローラは、前記処理チャンバにおいて、１対の搬送ローラによって前記ガラス基板を上下から挟んで支持するように構成されることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の化学研磨装置。
  5. 　前記複数の搬送ローラは、前記処理チャンバにおいて、Ｏリングを介して前記ガラス基板に接触するように構成される請求項４に記載の化学研磨装置。
PCT/JP2013/064835 2012-06-06 2013-05-29 化学研磨装置 WO2013183504A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201380021332.1A CN104379526B (zh) 2012-06-06 2013-05-29 化学研磨装置
KR1020147030920A KR102021958B1 (ko) 2012-06-06 2013-05-29 화학 연마 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012128516A JP5340457B1 (ja) 2012-06-06 2012-06-06 化学研磨装置
JP2012-128516 2012-06-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013183504A1 true WO2013183504A1 (ja) 2013-12-12

Family

ID=49679156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/064835 WO2013183504A1 (ja) 2012-06-06 2013-05-29 化学研磨装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5340457B1 (ja)
KR (1) KR102021958B1 (ja)
CN (1) CN104379526B (ja)
TW (1) TWI583648B (ja)
WO (1) WO2013183504A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6562208B2 (ja) * 2015-09-11 2019-08-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法及びその製造装置
CN105439454B (zh) * 2015-12-02 2018-07-20 陈锋 一种使玻璃减薄药液循环使用的方法
CN110642523A (zh) * 2019-09-24 2020-01-03 江苏瑞泰玻璃制品有限公司 一种玻璃制品蒙砂加工操作装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS483688B1 (ja) * 1963-01-23 1973-02-01
JP2006243754A (ja) * 2004-06-03 2006-09-14 Tescom:Kk フラットパネルディスプレイの製造方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の外面機械研磨装置及びフラットパネルディスプレイ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE637545A (ja) * 1962-09-20
JPS483688U (ja) * 1971-05-29 1973-01-17
KR20020093578A (ko) * 2001-06-08 2002-12-16 수미도모 프리시젼 프로덕츠 캄파니 리미티드 기판 처리 장치
JP4071220B2 (ja) * 2004-03-17 2008-04-02 西山ステンレスケミカル株式会社 ガラス基板の製造方法
KR101387711B1 (ko) 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
TW201033147A (en) * 2009-03-05 2010-09-16 Innovation Vacuum Technology Co Ltd Processing method of glass etching
TWM385548U (en) * 2010-02-26 2010-08-01 Manz Intech Machines Co Ltd Improved structure of conveyor
TWM385550U (en) * 2010-02-26 2010-08-01 Manz Intech Machines Co Ltd Roller device for a brush wheel set
TWI410388B (zh) * 2010-11-18 2013-10-01 Stanley Glass Co Ltd 玻璃蝕刻裝置及其蝕刻玻璃之方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS483688B1 (ja) * 1963-01-23 1973-02-01
JP2006243754A (ja) * 2004-06-03 2006-09-14 Tescom:Kk フラットパネルディスプレイの製造方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の外面機械研磨装置及びフラットパネルディスプレイ

Also Published As

Publication number Publication date
KR102021958B1 (ko) 2019-09-17
TWI583648B (zh) 2017-05-21
KR20150029612A (ko) 2015-03-18
JP2013252984A (ja) 2013-12-19
TW201410381A (zh) 2014-03-16
CN104379526A (zh) 2015-02-25
CN104379526B (zh) 2016-12-28
JP5340457B1 (ja) 2013-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011512645A (ja) シリコンウエハを処理するための方法及びデバイス
JP5334216B2 (ja) ガラス基板の製造方法
US20070240642A1 (en) Substrate processing apparatus
JP5340457B1 (ja) 化学研磨装置
KR20110082291A (ko) 기판 린스 장치
TWI607977B (zh) Chemical polishing device
JP2009185347A (ja) 鋼板洗浄装置
WO2013054783A1 (ja) 枚葉式化学研磨装置
JP5317304B2 (ja) 化学研磨装置
KR20080039367A (ko) Ｔｆｔ-ｌｃｄ용 글라스의 표면 식각장치
JP5459839B2 (ja) 基板の製造装置及び製造方法
JP2000349059A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
KR102239520B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2017092124A (ja) エッチング装置
KR20040058839A (ko) 습식장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13801030

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147030920

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13801030

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1