KR20150124067A - 진공유리패널 제조장치 및 이를 이용한 진공유리패널의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 기술에 따른 진공유리패널 제조장치는, 프로세스 챔버와, 프로세스 챔버 내부에 설치되고, 프로세스 챔버 내부로 이송되는 진공유리패널의 프릿 실링부재를 용융시키고 용융된 프릿 실링부재를 냉각시키는 가열장치를 포함하고, 프로세스 챔버는 프릿 실링부재를 가열시키는 히팅존과, 히팅존에서 가열된 프릿 실링부재를 냉각시키는 쿨링존으로 구획되고, 히팅존과 쿨링존을 구획하는 구획면에는 프릿 실링부재를 가열시키는 과정에서 발생된 히팅존의 열을 쿨링존으로 전달하도록 개폐되는 개폐부가 마련된다.

Description

진공유리패널 제조장치 및 이를 이용한 진공유리패널의 제조 방법{APPARATUS FOR FABRICATING A VACUUM GLASS PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THE VACUUM GLASS PANEL USING THE SAME}

본 발명은 진공유리패널의 프릿 실링부재를 가열 용융시키고 용융된 프릿 실링부재를 냉각시키는 진공유리패널 제조장치 및 이를 이용한 진공유리패널의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 진공유리패널은 서로 대향되게 배치되고 스페이서에 의해 상호 이격되는 제1,2유리판 사이의 프릿 실링부재(Frit seal)을 가열 용융시킨 다음 용융된 프릿 실링부재를 냉각시켜 제1,2유리판을 접합시키고, 제1,2유리판 중 하나에 형성되어 있는 배기홀을 통해 접합된 제1,2유리판 내부의 공기 및 가스를 배기시킨 후 배기홀을 캡핑부재를 이용하여 밀봉하는 과정을 통해 제조된다.

그러나, 종래에는 프릿 실링부재를 일정 온도 이상으로 용융시켜 제1,2유리판을 접합한 후 다시 이를 냉각시키는 제1,2유리판의 접합 과정이 하나의 챔버 내부에서 이루어진다.

이로 인해 진공유리패널의 제조 시 마다 챔버 내부를 고온의 환경으로 만든 후 다시 저온의 환경으로 만드는 과정을 반복해야 한다. 따라서 종래에는 진공유리패널을 제조하는데 많은 소비전력이 소모될 수 있다.

또, 상기와 같이 챔버 내부에서 프릿 실링부재를 용융시킨 후 다시 냉각시킴에 따라 다수의 진공유리패널(제1,2유리판)을 제조하는데 한계가 있었다. 이는 다수의 진공유리패널의 제1,2유리판을 접합시킬수록 진공유리패널을 수용하는 챔버의 크기가 커져야 하기 때문이다.

본 발명의 실시예는 진공유리패널의 제조 시 전력소모를 줄일 수 있는 진공유리패널 제조장치 및 이를 이용한 제조방법을 제공한다.

본 발명의 실시예에 따른 진공유리패널 제조장치는, 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버 내부에 설치되고, 상기 프로세스 챔버 내부로 이송되는 상기 진공유리패널의 프릿 실링부재를 용융시키고 상기 용융된 프릿 실링부재를 냉각시키는 가열장치를 포함하고,

상기 프로세스 챔버는 상기 프릿 실링부재를 가열시키는 히팅존과, 상기 히팅존에서 가열된 상기 프릿 실링부재를 냉각시키는 쿨링존으로 구획되고,

상기 히팅존과 상기 쿨링존을 구획하는 구획면에는 상기 프릿 실링부재를 가열시키는 과정에서 발생된 상기 히팅존의 열을 상기 쿨링존으로 전달하도록 개폐되는 개폐부가 마련된 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 진공유리패널의 제조방법은, 진공유리패널의 프릿 실링부재를 제1설정 온도범위로 가열시키는 단계와, 상기 용융된 프릿 실링부재를 제2설정 온도범위로 냉각시키는 단계를 포함하고,

상기 프릿 실링부재를 냉각시키는 단계는, 상기 프릿 실링부재를 상기 제1설정 온도범위로 가열시키는데 이용되는 열을 이용하여 상기 제2설정 온도범위로 조성하는 것을 특징으로 한다.

본 기술에 의하면, 프릿 실링부재를 가열하는데 사용된 열을 프릿 실링부재를 냉각시키는 과정에서 이용함에 따라 진공유리패널을 제조 시 사용되는 전력소모를 줄일 수 있다.

또, 본 기술에 의하면, 프릿 실링부재를 가열하는 히팅존과 프릿 실링부재를 냉각하는 쿨링존이 상하 방향으로 배치됨에 따라, 진공유리패널을 제조에 사용되는 프로세스 챔버의 설치 면적을 최소화할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 진공유리패널을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 진공유리패널 제조장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 일부분을 확대 도시한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 가열장치를 나타내는 프로세스 챔버의 평단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 다른 실시예의 가열장치를 나타내는 프로세스 챔버의 평단면도이다.
도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 실시예에 따른 진공유리패널의 제조방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성요소들의 크기가 과장 또는 축소될 수 있고, 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 진공유리패널(10)는 상호 대향하여 배치되는 제1,2유리판(11,12)과, 제1,2유리판(11,12)을 이격시키는 다수의 스페이서(14)와, 제1,2유리판(11,12)을 상호 접합시켜 제1,2유리판(11,12) 사이의 공간을 밀봉시키는 프릿 실링부재(13)를 포함한다.

제1유리판(11)과 제2유리판(12)은 상술한 바와 같이 상호 대향하여 배치되는데, 제1,2유리판(11,12) 사이에 마련되는 다수의 스페이서(14)에 의해 일정 간격으로 이격된다. 제1,2유리판(11,12) 중 적어도 실내공간 쪽에 배치되는 제1유리판(11)은 단열효과가 뛰어난 로이(Low-e) 유리일 수 있다.

그리고 제1,2유리판(11,12) 중 적어도 하나에는 제1,2유리판(11,12) 사이의 공간을 진공층으로 만들기 위한 배기홀(15)이 형성될 수 있다. 이러한 배기홀(15)에는 캡핑부재(16)가 장착될 수 있다.

다수의 스페이서(14)는 제1,2유리판(11,12) 사이에 배치되어 제1,2유리판(11,12)을 상호 이격시키는 역할을 한다. 이러한 각 스페이서(14)는 상호 동일한 크기 및 형상일 수 있으며, 상호간에 일정한 거리를 두고 규칙적으로 배열될 수 있다.

프릿 실링부재(13)는 제1유리판(11)의 가장자리에 배치되어 다수의 스페이서(14)에 의해 상호 이격된 제1,2유리판(11,12)을 상호 접합시키는 역할을 한다. 이러한 프릿 실링부재(13)는 후술할 프로세스 챔버(20, 도 2 참조) 내부에 설치되는 가열장치(30, 도 2 참조)에 의해 용융되어 제1,2유리판(11,12)을 밀봉시키게 된다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 진공유리패널 제조장치는, 프로세스 챔버(20)와, 진공유리패널(10)의 프릿 실링부재(13)를 용융 및 냉각시키는 가열장치(30)와, 프로세스 챔버(20) 내부에서 진공유리패널(10)을 이송시키는 이송장치(40)를 포함할 수 있다.

프로세스 챔버(20)는 진공유리패널(10)의 제1,2유리판(11,12)이 접합되는 장소이다. 이러한 프로세스 챔버(20)의 내부는 대기환경으로 조성될 수 있으며, 진공유리패널(10)은 트레이(T)에 지지된 상태에서 프로세스 챔버(20)의 내부에서 이송될 수 있다.

프로세스 챔버(20)는 히팅존(Z1,Z2)과, 쿨링존(Z3,Z4)과, 리턴존(Z3)으로 구획될 수 있다. 여기서 프로세스 챔버(20)는 이 프로세스 챔버(20) 내부를 분할하는 구획면(25)에 의해 히팅존(Z1,Z2)과, 쿨링존(Z3,Z4)과, 리턴존(Z3)으로 구획될 수 있다. 구획면(25)은 프로세스 챔버(20)의 외면을 구성하는 외벽면과 함께 각 존(Z1,Z2,Z3,Z4,Z5)에서 발생하는 열의 손실을 최소화하기 위해 단열면으로 형성될 수 있다.

히팅존은 프로세스 챔버(20)로 이송된 진공유리패널(10)의 프릿 실링부재(13)가 가열되는 존이다. 이러한 히팅존에는 프릿 실링부재(13)를 가열시킬 수 있도록 내부 환경을 조성하는 가열장치(30) 즉, 히팅부재(31,32)가 설치될 수 있다.

예를 들면, 히팅존은 제1히팅존(Z1)과, 이 제1히팅존(Z1)과 인라인으로 연결되는 제2히팅존(Z2)을 포함할 수 있다. 히팅존을 제1,2히팅존(Z1,Z2)으로 분할하는 것은 하나의 존에서 프릿 실링부재(13)가 용융될 수 있는 온도로 환경을 조성하는 것보다는 진공유리패널(10)의 손상을 방지할 수 있는 장점이 있기 때문이다.

다시 말하면 저온의 제1히팅존(Z1)에서 진공유리패널(10)을 예열한 후 제2히팅존(Z2)에서 프릿 실링부재(13)가 용융될 수 있는 고온의 환경으로 조성하면, 진공유리패널(10)에 급격한 온도 변화가 일어나지 않으므로 진공유리패널(10)의 손상을 방지할 수 있다.

제1히팅존(Z1)은 진공유리패널(10)의 제조 시 20 ~ 235℃의 환경으로 조성될 수 있다. 이를 위해 제1히팅존(Z1)에는 이 제1히팅존(Z1)을 상술한 온도의 환경으로 조성하는 가열장치(30) 즉, 제1가열부재(31)가 배치될 수 있다.

상기의 제1히팅존(Z1)의 일측(프로세스 챔버의 일측)에는 진공유리패널(10)이 지지된 트레이(T)가 외부로부터 제1히팅존(Z1)으로 이송되도록 제1개구부(21a)가 형성된다. 그리고 제1히팅존(Z1)의 타측(제1히팅존과 제2히팅존을 구획하는 구획면)에는 제1히팅존(Z1)의 트레이(T)가 제2히팅존(Z2)으로 이송되도록 제2개구부(21b)가 형성된다.

제1히팅존(Z1)의 제1개구부(21a)와 제2개구부(21b)는 진공유리패널(10)이 지지된 트레이(T)의 양단에 의해 밀폐될 수 있다. 이를 위해 트레이(T)는 제1히팅존(Z1)을 구성하는 내벽의 폭과 동일한 폭을 가질 수 있다. 그리고 트레이(T)는 제1히팅존(Z1)을 구성하는 내벽의 폭과 제1히팅존(Z1)을 구성하는 외벽의 폭 사이의 폭을 가질 수도 있다.

반면에, 제1히팅존(Z1)의 제1,2개구부(21a,21b)에 별도의 도어(미도시)가 설치될 수 있다. 이 경우 트레이(T)는 제1히팅존(Z1)을 구성하는 내벽의 폭 보다 작은 것이 바람직하다.

제2히팅존(Z2)은 진공유리패널(10) 제조 시 프릿 실링부재(13)가 용융될 수 있는 235 ~ 450℃의 환경으로 조성될 수 있다. 마찬가지로 제2히팅존(Z2)에는 이 제2히팅존(Z2)을 상술한 온도의 환경으로 조성하는 가열장치(30), 예를 들면, 제2가열부재(32)가 배치될 수 있다.

상기의 제2히팅존(Z2)의 타측(제2히팅존과 리턴존을 구획하는 구획면)에는 제2히팅존(Z2)의 트레이(T)가 리턴존(Z3)으로 이송되도록 제3개구부(21c)가 형성된다. 그리고 제2히팅존(Z2)은 제1히팅존(Z1)과 동일한 폭을 가질 수 있다.

쿨링존(Z4,Z5)은 히팅존(Z1,Z2)에서 예열 후 용융된 프릿 실링부재(13)가 냉각되는 존으로써, 히팅존(Z1,Z2)의 일측에 배치될 수 있다. 쿨링존(Z4,Z5)에는 용융된 프릿 실링부재(13)를 냉각시키는 가열장치(30) 즉, 냉각부재(34,35)가 설치될 수 있다. 또, 쿨링존(Z4,Z5)은 냉각부재(34,35)뿐만 아니라 히팅존(Z1,Z2)을 고온의 환경으로 조성하는데 사용된 열을 전달받아 내부 환경을 조성하게 된다.

예를 들면, 쿨링존은 제1쿨링존(Z4)과, 이 제1쿨링존(Z4)과 인라인으로 연결되는 제2쿨링존(Z5)을 포함할 수 있다. 이와 같이 쿨링존을 다수의 존으로 분할하는 것은 히팅존과 마찬가지로 진공유리패널(10)에 급격한 온도변화가 일어나 진공유리패널(10)이 손상되는 것을 방지하기 위함이다.

제1쿨링존(Z4)은 제2히팅존(Z2)에서 용융된 진공유리패널(10)이 이송되어 1차로 냉각되는 존이다. 제1쿨링존(Z4)은 제2히팅존(Z2)의 일측에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1쿨링존(Z4)은 제2히팅존(Z2)의 상측 또는 하측에 배치될 수 있다.

상기의 제1쿨링존(Z4)은 진공유리패널(10)의 제조 시 450 ~ 300℃의 환경으로 조성될 수 있다. 이를 위해 제1쿨링존(Z4)에는 이 제1쿨링존(Z4)을 상술한 온도의 환경으로 조성하는 가열장치(30) 즉, 제4가열부재(34)가 배치될 수 있다.

또, 제1쿨링존(Z4)의 타측(제1쿨링존과 리턴존을 구획하는 구획면)에는 리터존(Z3)의 트레이(T)가 제1쿨링존(Z4)으로 이송되도록 제4개구부(21d)가 형성된다. 제1쿨링존(Z4)의 일측(제1쿨링존과 제2쿨링존을 구획하는 구획면)에는 제1쿨링존(Z4)의 트레이(T)가 제2쿨링존(Z5)으로 이송되도록 제5개구부(21e)가 형성된다. 제1쿨링존(Z4)은 제2히팅존(Z2)과 동일한 폭을 가질 수 있다.

그리고 제1쿨링존(Z4)의 상측(제1쿨링존과 제2히팅존을 구획하는 구획면)에는 제1쿨링존(Z4)을 상술한 온도의 환경으로 조성하는 과정에서 제2히팅존(Z2)의 열을 이용하게 하는 제1개폐부(23a)가 형성된다.

다시 말하면, 본 발명의 실시예에서는 제1개폐부(23a)를 개방하여 제2히팅존(Z2)의 열이 제1쿨링존(Z4)으로 이동되게 함으로서 제1쿨링존(Z4)의 온도를 조성하는 과정을 손쉽게 한다. 이를 위해 제1개페부(23a)에는 이 제1개폐부(23a)를 개폐하는 도어(27)가 형성될 수 있다.

제2쿨링존(Z5)은 제1쿨링존(Z4)의 진공유리패널(10)이 지지된 트레이(T)가 이송되어 진공유리패널(10)을 2차로 냉각하는 존이다. 이러한 제2쿨링존(Z5)은 진공유리패널(10)의 제조 시 300 ~ 150℃의 환경으로 조성될 수 있다. 이를 위해 제2쿨링존(Z5)에는 이 제2쿨링존(Z5)을 상술한 온도의 환경으로 조성하는 가열장치(30), 즉 제5가열부재(35)가 배치될 수 있다.

제2쿨링존(Z5)의 일측(프로세스 챔버의 일측)에는 제2쿨링존(Z5)의 트레이(T)를 프로세스 챔버(20)의 외측으로 이송되도록 제6개구부(21f)가 형성된다. 제2쿨링존(Z5)은 제1히팅존(Z1)과 동일한 폭을 가질 수 있다.

그리고 제2쿨링존(Z5)의 상측(제2쿨링존과 제1히팅존을 구획하는 구획면)에는 제2쿨링존(Z5)을 상술한 온도의 환경으로 조성하는 과정에서 제1히팅존(Z1)의 열을 이용하게 하는 제2개폐부(23b)가 형성된다.

다시 말하면, 본 발명의 실시예에서는 제2개폐부(23b)를 개방하여 제1히팅존(Z1)의 열이 제2쿨링존(Z5)으로 이동되게 함으로서 제2쿨링존(Z5)의 온도를 조성하는 과정을 손쉽게 한다. 이를 위해 제2개페부(23b)에는 이 제2개폐부(23b)를 개폐하는 도어(27)가 형성될 수 있다.

리턴존(Z3)은 상술한 바와 같이 제2히팅존(Z2)과 제1쿨링존(Z4)의 타측에 배치될 수 있다. 이러한 리턴존(Z3)에는 제2히팅존(Z2)의 트레이(T)를 제1쿨링존(Z4)으로 이송하기 위한 승강모듈(45)이 설치될 수 있다. 더불어 리턴존(Z3)에는 이 리턴존(Z3) 내부를 대략 450℃의 환경으로 조성하는 제3가열부재가 배치될 수 있다.

또, 본 발명의 실시예의 진공유리패널 제조장치는 제3쿨링존(Z6)을 더 포함할 수 있다. 제3쿨링존(Z6)은 프로세스 챔버(20)의 외부에서 제2쿨링존(Z5)의 일측에 배치될 수 있다. 이러한 제3쿨링존(Z6)은 150 ~ 60℃의 환경으로 조성될 수 있다. 이를 위해 제3쿨링존(Z6)에는 이 제3쿨링존(Z6)을 상술한 온도의 환경으로 조성하는 가열장치(30), 즉, 제6가열부재(36)가 배치될 수 있다.

본 발명의 실시예의 진공유리패널 제조장치는 로딩존(Z7)을 더 포함할 수 있다. 로딩존(Z7))은 프로세스 챔버(20)의 외부에서 제1히팅존(Z1)의 일측에 배치될 수 있으며, 제1히팅존(Z1)으로 이송되는 트레이(T)에 진공유리패널(10)이 안착되는 장소이다.

가열장치(30)는 진공유리패널(10)의 프릿 실링부재(13)를 용융 및 냉각시키는 장치이다. 가열장치(30)는 IR 램프일 수 있으며, 각각의 존을 설정된 온도로 조성할 수 있으면 다양한 다른 수단들이 채용되는 것도 무방하다.

상기의 가열장치(30)는 상술한 바와 같이 제1히팅존(Z1)에 설치되는 제1가열부재(31)와, 제2히팅존(Z2)에 설치되는 제2가열부재(32)와, 리턴존(Z3)에 설치되는 제3가열부재(33)와, 제1쿨링존(Z4)에 설치되는 제4가열부재(34)와, 제2쿨링존(Z5)에 설치되는 제5가열부재(35)와, 제3쿨링존(Z6)에 설치되는 제6가열부재(36)를 포함할 수 있다. 각각의 가열부재는 각 존을 설정된 온도의 환경으로 조성할 수 있도록 개별 제어될 수 있다.

상기의 각 가열부재(31,32,33,34,35,36)는 각 존(Z1,Z2,Z3,Z4,Z5,Z6)을 구성하는 내면 전체, 전, 후, 좌, 우, 상, 하면 각각에 설치될 수 있다. 이와 같이 구성되는 가열장치(30)는 도 4에 도시된 바와 같이 각 내면 중 적어도 하나에서 동심원 또는 동심 다각형 형상으로 배치될 수 있다. 그리고 가열장치(30')는 도 5에 도시된 바와 같이 각 내면 중 적어도 하나에서 다수의 행과 열을 이루도록 배치될 수도 있다.

또, 상기의 각 가열부재 중 각 존을 구성하는 내면 중 상면에 설치되는 가열부재와, 하면에 설치되는 가열부재는 서로 다른 열전달량을 가질 수 있다. 이는 진공유리패널(10)을 구성하는 제1,2유리판(11,12) 중 하나가 낮은 방사율을 갖는 로이(Low-e) 유리로 구성될 경우에도 진공유리패널(10)에 전달되는 열의 온도편차가 발생되는 것을 방지하기 위함이다.

이송장치(40)는 진공유리패널(10)이 지지되는 트레이(T)를 이송하는 장치이다. 이러한 이송장치(40)는 트레이(T)의 하면에서 구름 운동하는 다수의 롤러(41)일 수 있으며, 트레이(T)를 이송시킬 수 있으면 다른 이송수단이 채택되어도 무방하다. 더불어 이송장치(40)는 리턴존(Z3)에서 진공유리패널(10)이 지지되는 트레이(T)를 승강시키는 승강모듈(45)을 더 포함할 수 있다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 진공유리패널 제조방법의 일 예를 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이 가조립된 진공유리패널(10a)을 로딩존(Z7)에 배치된 트레이(T)에 안착시킨다. 이러한 상기의 가조립된 진공유리패널(10a)은 제1,2유리판(11,12, 도 1 참조) 사이에 다수의 스페이서(14, 도 1 참조)가 배치되고, 제1,2유리판(11,12) 사이의 공간의 가장자리에 프릿 실링부재(13, 도 1 참조)가 도포된 상태를 말한다.

다음으로, 도 6b에 도시된 바와 같이 이송장치(40)를 통해 로딩존(Z7)의 진공유리패널(10a)이 지지된 트레이(T)를 제1히팅존(Z1)으로 이송한다. 제1히팅존(Z1)을 제외한 나머지 존(Z2,Z3,Z4,Z5) 역시 각 존의 열손실을 막기 위해 트레이(T)가 배치되지만, 이하에서는 진공유리패널이 지지되지 않은 트레이에 대해서는 구체적인 설명을 생략한다.

상기의 과정에서 제1가열부재(31)는 제1히팅존(Z1)의 내부온도를 설정온도, 예를 들면, 상온에서 235 ℃까지 상승시킨다.

동시에 제2가열부재(32)는 제2히팅존(Z2)을 일정 온도, 예를 들면, 235℃ 이상으로 상승시킬 수 있다. 제3가열부재(33)는 리턴존(Z3)을 일정 온도, 예를 들면, 235℃ 이상으로 상승시킬 수 있다. 제4가열부재(34)는 제1쿨링존(Z4)을 일정 온도, 예를 들면, 235℃ 이상으로 상승시킬 수 있다. 제5가열부재(35)는 제2쿨링존(Z5)을 일정 온도, 예를 들면, 235℃ 이상으로 상승시킬 수 있다.

다음으로, 도 6c에 도시된 바와 같이 이송장치(40)를 통해 제1히팅존(Z1)의 트레이(T)를 제2히팅존(Z2)으로 이송한다. 로딩존(Z7)에는 다른 가조립 상태의 진공유리패널(10b)이 트레이에 안착된다.

상기의 과정에서 제1가열부재(31)는 작동이 중단된다. 동시에 제2개폐부(23b)를 개방하여 제1히팅존(Z1)의 열을 제2쿨링존(Z5)으로 전달할 수 있다. 이때의 제1히팅존(Z1)의 내부온도는 상온, 대략, 20℃까지 하강된다.

제2가열부재(32)는 제2히팅존(Z2)의 내부온도를 설정온도, 예를 들면, 235℃에서 450℃까지 상승시킨다. 즉, 제2가열부재(32)는 앞선 과정에서 235℃ 이상으로 상승된 제2히팅존(Z2)의 내부온도를 진공유리패널(10)의 프릿 실링부재(13)가 용융 가능한 450℃까지 상승시킨다.

제3가열부재(33)는 리턴존(33)의 내부온도를 설정온도, 예를 들면, 450℃까지 상승시킨다.

제4가열부재(34)는 제1쿨링존(Z4)의 내부온도를 제1쿨링존(Z4)의 설정온도 450℃ 보다 낮은 온도로 유지할 수 있다. 예를 들면, 제4가열부재(34)는 작동이 중단될 수 있다.

제5가열부재(35)는 제1히팅존(Z1)으로부터 전달된 열과 함께 제2쿨링존(Z5)의 내부온도를 설정된 온도, 예를 들면, 300℃까지 상승시킨다.

즉, 본 발명의 실시예에서는 제2쿨링존(Z5)을 설정온도로 조성하는 과정에서 제1히팅존(Z1)을 조성하는데 사용된 열을 이용함에 따라 전력소모를 줄일 수 있다.

다음으로, 도 6d에 도시된 바와 같이 이송장치(40)를 통해 제2히팅존(Z2)의 진공유리패널(10a)이 지지된 트레이(T)를 리턴존(Z3)으로 이송하고, 로딩존(Z7)의 진공유리패널(10b)이 지지된 트레이(T)를 제1히팅존(Z1)으로 이송한다.

이 과정에서 제2개폐부(23b)는 다시 밀폐된다. 제1가열부재(31)는 제1히팅존(Z1)의 내부온도를 다시 설정온도, 즉, 235℃까지 상승시킨다. 즉, 제1히팅존(Z1)으로 인입된 다른 진공유리패널(10b)을 예열시킨다.

그리고 제2가열부재(32)는 작동이 중단된다. 동시에 제1개폐부(23a)를 개방하여 제2히팅존(Z2)의 열을 제1쿨링존(Z4)으로 전달한다. 이때의 제2히팅존(Z2)의 내부온도는 235℃까지 하강될 수 있다.

또, 제4가열부재(34)는 제2히팅존(Z2)으로부터 전달된 열과 함께 제1쿨링존(Z4)의 내부온도를 설정된 온도, 예를 들면, 450℃까지 상승시킨다. 즉, 본 발명의 실시예에서는 제1쿨링존(Z4)을 설정온도로 조성하는 과정에서 제2히팅존(Z2)을 조성하는데 사용된 열을 이용함에 따라 전력소모를 줄일 수 있다.

제5가열부재(35)는 제2쿨링존(Z5)의 내부온도를 유지시킨다.

다음으로, 도 6e에 도시된 바와 같이, 이송장치(40)를 통해 리턴존(Z3)의 진공유리패널(10a)이 지지된 트레이(T)를 제1쿨링존(Z4)으로 이송하고, 제1히팅존(Z1)의 진공유리패널(10b)이 지지된 트레이(T)를 제2히팅존(Z2)으로 이송한다. 로딩존(Z7)에는 또 다른 진공유리패널(10c)이 트레이(T)에 안착된다.

상기의 과정에서 제1가열부재(31)는 작동이 중단된다. 동시에 제2개폐부(23b)는 개방되고, 이로 인해 제1히팅존(Z1)의 열은 제2쿨링존(Z5)으로 전달된다. 이때의 제1히팅존(Z1)의 내부온도는 20℃까지 하강된다.

제2가열부재(32)는 제2히팅존(Z2)의 내부온도를 설정온도, 예를 들면, 450℃까지 상승시킨다.

제3가열부재(33)는 리턴존(Z3)의 내부온도를 유지시킨다.

제4가열부재(34)는 작동이 중단되고, 동시에 제1개폐부(23a)는 밀폐된다. 즉, 제1쿨링존(Z4)의 내부온도는 300℃까지 하강되어 앞선 과정에서 용융된 진공유리패널(10a)의 프릿 실링부재(13)를 1차 냉각한다.

제5가열부재(35)는 제2개폐부(23b)가 개방되어 제1히팅존(Z1)으로부터 전달된 열과 함께 제2쿨링존(Z5)의 내부온도를 설정된 온도, 예를 들면, 300℃까지 상승시킨다.

다음으로, 도 6f에 도시된 바와 같이, 이송장치(40)를 이용하여 제1쿨링존(Z4)의 진공유리패널(10a)이 지지된 트레이(T)를 제2쿨링존(Z5)으로 이송하고, 제2히팅존(Z2)의 진공유리패널(10b)이 지지된 트레이(T)를 리턴존(Z3)으로 이송한다. 더불어 로딩존(Z7)의 진공유리패널(10c)이 지지된 트레이(T)를 제1히팅존(Z1)으로 이송한다.

상기의 과정에서 제1가열부재(31)는 제1히팅존(Z1)의 내부온도를 다시 235℃까지 상승시킨다. 동시에 제2개폐부(23b)는 밀폐된다.

제2가열부재(32)는 작동이 중단된다. 이로 인해 제2히팅존(Z2)의 내부온도는 235℃까지 하강된다.

제3가열부재(33)는 리턴존(Z3)의 내부온도를 유지시킨다.

제4가열부재(34)는 제2히팅존(Z2)으로부터 전달된 열과 함께 제1쿨링존(Z4)의 내부온도를 설정된 온도, 예를 들면, 450℃까지 상승시킨다. 이를 위해 제1개폐부(23a)는 개방된다.

제5가열부재(35)는 작동이 중단되고, 제2쿨링존(Z5)의 내부온도를 150℃까지 하강시킨다. 즉, 제2쿨링존(Z5)으로 이송된 진공유리패널(10a)의 프릿 실링부재(13)는 2차로 냉각된다.

또, 프로세스 챔버(20)의 외측에 배치되는 제6가열부재(36)가 작동되어 제3쿨링존(Z6)을 150℃까지 상승시킨다.

다음으로, 도 6g에 도시된 바와 같이, 이송장치(40)를 이용하여 제2쿨링존(Z5)의 진공유리패널(10a)이 지지된 트레이(T)를 제3쿨링존(Z6)으로 이송하고, 리턴존(Z3)의 진공유리패널(10b)이 지지된 트레이(T)를 제1쿨링존(Z4)으로 이송하고, 제1히팅존(Z1)의 진공유리패널(10c)이 지지된 트레이(T)를 제2히팅존(Z2)으로 이송하고, 로딩존(Z7)의 트레이(T)에 가조립 상태의 진공유리패널(10d)을 안착시킨다.

상기의 과정에서 제1가열부재(31)는 작동이 중단되고, 제2개폐부(23b)는 개방된다. 이로 인해 제1히팅존(Z1)의 열은 제2쿨링존(Z5)으로 전달되고, 제1히팅존(Z1)의 내부온도는 20℃까지 하강된다.

제2가열부재(32)는 제2히팅존(Z2)의 내부온도를 설정온도, 예를 들면, 450℃까지 상승시킨다.

제3가열부재(33)는 리턴존(Z3)의 내부온도를 유지시킨다.

제4가열부재(34)는 작동이 중단되고, 동시에 제1개폐부(23a)는 밀폐된다. 즉, 제1쿨링존(Z4)의 내부온도는 300℃까지 하강되어 앞선 과정에서 용융된 프릿 실링부재(13)를 1차 냉각한다.

제5가열부재(35)는 제1히팅존(Z1)으로부터 전달된 열과 함께 제2쿨링존(Z5)의 내부온도를 설정된 온도, 예를 들면, 300℃까지 상승시킨다.

제6가열부재(36)는 작동이 중단되고, 제3쿨링존(Z6)의 내부온도는 상온에 가까운 60℃까지 하강된다.

다음으로, 도 6f와 도 6g에 도시된 과정이 순차적으로 반복된다.

따라서, 본 발명의 실시예에서는 진공유리패널의 프릿 실링부재를 용융시키는 과정에서 사용되는 열을 이용하여 진공유리패널의 용융된 프릿 실링부재를 냉각시키는 과정에서 사용함에 따라, 진공유리패널을 제조하는데 사용되는 전력소모를 줄일 수 있다.

그리고 본 발명의 실시예에서는 용융된 프릿 실링부재를 냉각시키는 과정에서 앞서 프릿 실링부재를 용융시키는데 사용되는 열을 이용함에 따라, 진공유리패널을 제조하는데 소요되는 공정시간을 단축시킬 수 있다.

그리고 본 발명의 실시예에서는 프릿 실링부재를 가열하는 히팅존과, 프릿 실링부재를 냉각하는 쿨링존이 상하 방향으로 적층됨에 따라, 프로세스 챔버가 차지하는 면적을 최소화할 수 있다.

한편, 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

10: 진공유리패널 11: 제1유리판
12: 제2유리판 13: 프릿 실링부재
14: 스페이서 20: 프로세스 챔버
23a: 제1개폐부 23b: 제2개폐부
30: 가열장치 31: 제1가열부재
32: 제2가열부재 33: 제3가열부재
34: 제4가열부재 35: 제5가열부재
36: 제6가열부재 40: 이송장치
41: 롤러 45: 승강모듈
T: 트레이 Z1: 제1히팅존
Z2: 제2히팅존 Z3: 리턴존
Z4: 제1쿨링존 Z5: 제2쿨링존
Z6: 제3쿨링존 Z7: 로딩존

Claims (11)

1. 제1,2유리판과, 상기 제1유리판의 가장자리에 배치되어 상기 제1,2유리판을 접합 가능하게 하는 프릿 실링부재를 포함하는 진공유리패널을 제조하는 진공유리패널 제조장치에 있어서,
   상기 진공유리패널 제조장치는,
   프로세스 챔버와,
   상기 프로세스 챔버 내부에 설치되고, 상기 프로세스 챔버 내부로 이송되는 상기 진공유리패널의 프릿 실링부재를 용융시키고 상기 용융된 프릿 실링부재를 냉각시키는 가열장치를 포함하고,
   상기 프로세스 챔버는 상기 프릿 실링부재를 가열시키는 히팅존과, 상기 히팅존에서 가열된 상기 프릿 실링부재를 냉각시키는 쿨링존으로 구획되고,
   상기 히팅존과 상기 쿨링존을 구획하는 구획면에는 상기 프릿 실링부재를 가열시키는 과정에서 발생된 상기 히팅존의 열을 상기 쿨링존으로 전달하도록 개폐되는 개폐부가 마련된 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 개폐부에는 상기 개폐부를 개폐하는 도어가 설치된 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 가열장치는 상기 히팅존을 제1설정 온도범위로 조성하는 히팅부재와, 상기 쿨링존을 제2설정 온도범위로 조성하는 쿨링부재를 포함하고,
   상기 개폐부는 상기 쿨링부재가 상기 쿨링존을 상기 제2설정 온도범위로 조성할 때 개방되는 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 히팅존은,
   상기 프릿 실링부재를 예열시키는 제1히팅존과,
   상기 제1히팅존과 연결되고, 상기 제1히팅존 보다 높은 온도범위로 조성되어 상기 제1히팅존을 통과한 상기 진공유리패널의 상기 프릿 실링부재를 용융시키는 제2히팅존을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조장치.
5. 제4항에 있어서,
   상기 쿨링존은,
   상기 제2히팅존의 일측에 배치되어 상기 제2히팅존을 통과한 상기 진공유리패널의 상기 프릿 실링부재를 1차 냉각시키는 제1쿨링존과,
   상기 제1쿨링존과 연결되고 상기 제2히팅존의 일측에 배치되며, 상기 제1쿨링존 보다 낮은 온도범위로 조성되어 상기 제1쿨링존을 통과한 상기 진공유리패널의 상기 프릿 실링부재를 2차 냉각시키는 제2쿨링존을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조장치.
6. 제5항에 있어서,
   상기 제1쿨링존은 상기 제2히팅존의 상측 또는 하측에 배치되고,
   상기 제2쿨링존은 상기 제1쿨링존의 연결되되 상기 제1히팅존의 상측 또는 하측에 배치된 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조장치.
7. 제6항에 있어서,
   상기 프로세스 챔버는 상기 제2히팅존의 진공유리패널을 전달받아 상기 제1쿨링존으로 전달하는 리턴존이 더 구획되며,
   상기 리턴존에는 상기 진공유리패널을 승강시키는 승강모듈이 설치된 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조장치.
8. 제6항에 있어서,
   상기 개폐부는,
   상기 제2히팅존과 상기 제1쿨링존을 구획하는 구획면에 형성되는 제1개폐부와,
   상기 제1히팅존과 상기 제2쿨링존을 구획하는 구획면에 형성되는 제2개폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조장치.
9. 제1,2유리판과, 상기 제1유리판의 가장자리에 배치되어 상기 제1,2유리판을 접합 가능하게 하는 프릿 실링부재를 포함하는 진공유리패널의 제조방법에 있어서,
   상기 진공유리패널의 프릿 실링부재를 제1설정 온도범위로 가열시키는 단계; 및
   상기 용융된 프릿 실링부재를 제2설정 온도범위로 냉각시키는 단계;를 포함하고,
   상기 프릿 실링부재를 냉각시키는 단계는 상기 프릿 실링부재를 상기 제1설정 온도범위로 가열시키는데 이용되는 열을 이용하여 상기 제2설정 온도범위로 조성하는 것을 특징으로 하는 진공유리패널의 제조방법.
10. 제9항에 있어서,
    상기 프릿 실링부재를 가열시키는 단계는 상기 프릿 실링부재를 예열하는 예열 과정과, 상기 예열된 프릿 실링부재를 용융시키는 용융 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공유리패널의 제조방법.
11. 제10항에 있어서,
    상기 프릿 실링부재를 냉각시키는 단계는 상기 용융된 프릿 실링부재를 1차 냉각하는 1차 냉각 과정과, 상기 1차 냉각된 프릿 실링부재를 2차 냉각하는 2차 냉각 과정을 포함하고는 것을 특징으로 하는 진공유리패널 제조방법.

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