JP2013168448A - 冷却チャンバー - Google Patents

Abstract

【課題】決められたタクトタイムを守りながら対象物を冷却すると共に、チャンバーの設置スペースの拡大を抑制することが可能な冷却チャンバーを提供すること。
【解決手段】複数の冷却部材を積層し、冷却部材間に対象物をそれぞれ配置して冷却する冷却ユニットを備える構成とし、複数の対象物を上下方向に配置して同時に冷却する。これにより、冷却チャンバーの設置スペースの拡大を抑制する。また、冷却ユニットの昇降のタイミング、冷却ユニットへの対象物の搬入のタイミング、及び冷却ユニットからの対象物の搬出のタイミングを制御する制御部を備える構成とし、冷却ユニットを昇降させて、所定の位置に配置し、対象物の搬出及び搬入のタイミングを制御する。これにより、決められたタクトタイムを守りながら対象物の冷却を行う。
【選択図】図２

Description

本発明は、加熱環境下で成膜された対象物を冷却する冷却チャンバーに関するものである。

従来、基板（対象物）に成膜物質を成膜する成膜装置において、基板を加熱する電気炉内で基板を加熱した後に成膜を行い、電気炉内での冷却後に基板を取り出すものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３−１８８３９６号公報

上記の特許文献１に記載の従来技術では、連続処理ではなくバッチ式の装置を用いて対象物を加熱して成膜を行い、電気炉内で冷却されるのを待って対象物を取り出しているため、生産効率を上げることが困難であった。そのため、連続処理を行うインライン型の成膜装置の開発が進められている。このような成膜装置に適用可能であり、決められたタクトタイムを守りながら基板を冷却すると共に、チャンバーの設置スペースの拡大を抑制することが求められている。

本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、決められたタクトタイムを守りながら対象物を冷却すると共に、チャンバーの設置スペースの拡大を抑制することが可能な冷却チャンバーを提供することを目的とする。

本発明は、加熱環境下で成膜処理された対象物を冷却する冷却チャンバーであって、対象物を放射伝熱により冷却する複数の冷却部材が積層され、各冷却部材間に対象物を各々保持する冷却ユニットと、冷却ユニットを昇降させる昇降機構と、昇降機構による冷却ユニットの昇降のタイミング、冷却ユニットへの対象物の搬入タイミング、及び冷却ユニットからの対象物の搬出タイミングを制御する制御部とを備える、冷却チャンバーを提供する。

このような構成の冷却チャンバーによれば、複数の冷却部材を積層し、冷却部材間に対象物をそれぞれ配置して冷却する冷却ユニットを備える構成であるため、複数の対象物を上下方向に配置して同時に冷却することができる。これにより、冷却チャンバーの設置スペースの拡大を抑制することができる。また、冷却ユニットの昇降のタイミング、冷却ユニットへの対象物の搬入のタイミング、及び冷却ユニットからの対象物の搬出のタイミングを制御する制御部を備える構成であるため、冷却ユニットを昇降させて、所定の位置に配置し、対象物の搬出及び搬入を適切なタイミングで行うことができる。これにより、決められたタクトタイムを守りながら対象物の冷却を行うことができる。

ここで、成膜処理を行う成膜処理チャンバーと冷却チャンバーとの間に配置されたゲート弁を閉じた状態で、冷却チャンバー内に冷却用ガスを供給して、冷却チャンバー側の圧力を成膜処理チャンバー側の圧力より高くするガス圧制御部を更に備える、構成としてもよい。このようにガス圧制御部を備え、冷却チャンバー内の圧力を成膜処理チャンバー側の圧力より高く制御することで、ゲート弁を開放させたときに、成膜処理チャンバー内のガスが、冷却チャンバー内へ流入することを防止することが可能であると共に、成膜処理チャンバー側の圧力変動を抑制することができる。また、冷却チャンバー内に冷却用ガスを流入させることで対流熱伝達により基板を冷却することができる。

制御部は、冷却ユニットから搬出された冷却後の対象物が保持されていた位置に、冷却前の他の対象物を搬入する制御を行うことが好ましい。これにより、対象物を保持するスペースを必要以上に設ける必要がないため、冷却チャンバーの高さ方向の設置スペースの拡大を抑制することができる。

制御部は、冷却後の対象物が冷却ユニットから排出すると同時（排出直後）に、冷却前の他の対象物を搬入する制御を行うことが好ましい。これにより、冷却ユニットにおいて対象物を冷却するためのタクトタイムを短縮することができる。

冷却ユニットは、冷却部材の上下方向の両側に対象物を保持する構成であることが好ましい。例えば、冷却ユニットにおいて、４個の対象物を同時に冷却する場合には、５個の冷却部材を設置し、各冷却部材間にそれぞれ対象物を保持する構成となる。これにより、冷却部材の設置個数を抑え、冷却チャンバーの設置スペースを小さくすることができる。

また、冷却チャンバーの前段に、冷却チャンバーに搬入される前の対象物を滞留させて自然冷却させる自然冷却用チャンバーを更に備える構成としてもよい。これにより、冷却チャンバーの前段に、冷却部材を備えていない他の冷却チャンバーを備える構成とすることができる。成膜処理チャンバーと、強制冷却を行う（冷却部材を有する）冷却チャンバーとの間に、自然冷却を行う冷却チャンバーを備える構成とすることで、対象物の温度降下を適切に行い対象物の割れの発生のおそれを低減することができる。

本発明によれば、決められたタクトタイムを守りながら対象物を冷却すると共に、チャンバーの設置スペースの拡大を抑制することが可能な冷却チャンバーを提供することができる。

本発明の実施形態に係る成膜装置の一部を示す概略断面図であり、ロードロックチャンバー、加熱チャンバー、及び成膜チャンバーを示している。 本発明の実施形態に係る成膜装置の一部を示す概略断面図であり、成膜チャンバー、バッファーチャンバー、第１冷却チャンバー、及び第２冷却チャンバーを示している。 本発明の実施形態に係る成膜装置の一部を示す概略断面図であり、第２冷却チャンバー、第３冷却チャンバー、第４冷却チャンバー、及びロードロックチャンバーを示している。 本発明の実施形態に係る成膜装置の一部を示す概略断面図であり、隣接するチャンバー同士の連結部を示している。 第２冷却チャンバー内に設置された冷却板ユニットを示す正面図である。 成膜装置の制御部を示すブロック構成図である。 第１冷却チャンバー、第２冷却チャンバー、及び第３冷却チャンバーにおける処理手順を示すフローチャートである。 冷却板ユニットの昇降、冷却板ユニットへの基板の搬入、及び冷却板ユニットからの基板の搬出を示す図である。 冷却板ユニットの昇降、冷却板ユニットへの基板の搬入、及び冷却板ユニットからの基板の搬出を示す図である。

本発明の実施形態に係る冷却チャンバーを備えた成膜装置１００について図面を参照して説明する。なお、「上」、「下」等の方向を示す語は、図面に示される状態に基づいており、便宜的なものである。図１〜図５、図８、及び図９では、対象物である基板１０１の幅方向をＸ方向、基板１０１が搬送される方向をＹ方向、基板１０１の厚み方向Ｚ方向として、矢印で図示している。

（成膜装置）
図１〜図３は、本発明の実施形態に係る成膜装置１００を示す概略側面図である。図１〜図３に示す成膜装置１００は、対象物である基板（例えばガラス基板）１０１に対して成膜等の処理を施すためのものである。成膜装置１００は、セレンの真空蒸着法（セレン化法）を用いて、基板１０１上に薄膜層を形成可能な装置である。なお、対象物は、ガラス基板に限定されず、その他のものでもよい。また、成膜装置で行われる成膜処理は、セレンの真空蒸着法に限定されず、その他の成膜物質を対象物に成膜するものでもよい。

成膜装置１００は、例えばＣＩＧＳ系の太陽電池の製造に適用可能なものである。ＣＩＧＳ系の太陽電池は、ガラス基板上に、裏面電極層、ＣＩＧＳ層（発電層）、バッファ層、透明電極層が順に積層されて構成されている。ガラス基板は、ナトリウム（Ｎａ）を含むソーダガラスを用いることができる。ＣＩＧＳ層は、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）を含む半導体からなる発電層である。

成膜装置１００は、複数の真空チャンバー（真空容器）２４〜３２を備えている。真空チャンバー２４〜３２は、基板１０１が内部を通過可能であり、真空環境を形成する容器本体を備えている。真空チャンバー２４〜３２のサイズは、長さ２ｍ程度、幅２ｍ程度、高さ３００ｍｍ程度とされている。本実施形態の成膜装置１００では、例えば１２個の真空チャンバーを備える構成とされ、連続する複数の真空チャンバー２４〜３２の全長は２０ｍ程度である。なお、図１〜図３では、複数の真空チャンバーのうちの一部を図示し、その他の真空チャンバーの図示を省略している。

各真空チャンバー２４〜３２には、内部を適切な圧力とするための真空ポンプ１２が接続されている。また、各真空チャンバー２４〜３２には、チャンバー２４〜３２内の圧力を監視するための真空計８１（図６参照）が複数（例えば２個）設置されている。真空計８１は、チャンバー２４〜３２外に張り出す連通配管を介してチャンバー２４〜３２に接続されている。

成膜装置１００は、図１〜図３に示すように、複数の真空チャンバー２４〜３２として、ロードロックチャンバー（不図示）、加熱チャンバー２４、バッファーチャンバー２５、成膜チャンバー（成膜室）２６、自然冷却チャンバー２７、第１冷却チャンバー２８、第２冷却チャンバー２９、第３冷却チャンバー３０，３１、及びロードロックチャンバー３２を備えている。成膜装置１００は、例えば複数の加熱チャンバー２４を備えている（図１では、一つの加熱チャンバー２４のみを図示している）。これらの真空チャンバー２４〜３２は、この順に並んで配置されている。

図４は、本発明の実施形態に係る成膜装置１００の一部を示す概略断面図であり、主に、隣接する真空チャンバー２４，２５同士の連結部を示している。ここでは、図４を参照して、主に真空チャンバー２４，２５の連結部について説明するが、その他の真空チャンバー２４〜３２同士の連結部も同じ構成である。

図４に示すように、真空チャンバー２４〜３２の基板搬送方向Ｙの両端部には、基板１０１の入口１３１及び出口１３２が設けられ、これらの出入口１３１，１３２を封止するための開閉ゲート１３３（ゲート弁）が設けられている。なお、開閉ゲート１３３は、隣接する真空チャンバー２４〜３２の全てに設置されている必要はなく、例えば、複数の真空チャンバー２４〜３２のうち、複数の加熱チャンバー２４同士を連通する出入口１３１，１３２に、開閉ゲート１３３が設けられていない構成でもよい。

また、成膜装置１００には、図４に示すように、基板１０１を搬送するための搬送装置１０２（搬送手段）が設けられている。搬送装置１０２は例えば公知のローラー１０３とこのローラー１０３を回転させる駆動機構とから構成されている。そして、基板１０１は、搬送装置１０２によって搬送され、真空チャンバー２４〜３２内を順次通過し、隣接する真空チャンバー２４〜３２間を移動する。基板１０１は、基板１０１を載置する搬送トレイ１０４に載置されて搬送される。なお、搬送手段としては、ローラー１０３を備える搬送装置１０２に限定されず、その他の搬送手段（例えば、ロボットハンドなど）を用いて、基板１０１を搬送させてもよい。

また、各真空チャンバー２４〜３２には、基板１０１の位置を確認するための位置センサー８２（図６参照）が設けられている。

次に、各種真空チャンバー２４〜３２について説明する。図示しないロードロックチャンバー１２１は、入口側に設けられた開閉ゲートを開放することで、大気開放され、処理される基板１０１が導入されるチャンバーである。本実施形態の成膜装置１００は、１個のロードロックチャンバーを備えている。ロードロックチャンバーの出口側は、加熱チャンバー２４の入口側に接続されている。

本実施形態の成膜装置１００は、複数の加熱チャンバー２４を備えている。複数の加熱チャンバー２４は、基板１０１を第１の温度まで加熱する第１加熱チャンバーと、第１加熱チャンバーから搬出された基板１０１を第１の温度よりも高い第２の温度まで加熱する第２加熱チャンバーと、第２加熱チャンバーから搬出された基板１０１を、成膜温度まで加熱する第３の加熱チャンバーと、を有する。なお、ここでいう成膜温度とは、セレンを含む成膜材料を成膜可能な温度であり、例えば６００℃である。なお、加熱チャンバーは、４つ以上設けられていてもよく、１つの加熱チャンバーによって、成膜温度まで加熱する構成でもよい。

第１加熱チャンバー（２４）には、ロードロックチャンバーを通過した基板１０１が導入される。第１加熱チャンバーの出口側は、第２成膜チャンバーの入口側に接続されている。第１加熱チャンバーには、基板１０１を加熱するためのヒーター（加熱部材）１３４，１３５（図４参照）が設けられている。このヒーター１３４，１３５としては、例えば、公知のカーボンヒーターを使用することができる。第１加熱チャンバーでは、基板温度が例えば２００℃（第１の温度）程度になるように加熱される。なお、第１の温度は、２００℃程度であることが好ましいが、その他の温度でもよい。

第２加熱チャンバーには、第１加熱チャンバーを通過した基板１０１が導入される。第２加熱チャンバーの出口側は、第３成膜チャンバーの入口側に接続されている。第１加熱チャンバーには、基板１０１を加熱するためのヒーター１３４，１３５（図４参照）が設けられている。第２加熱チャンバーでは、基板温度が例えば４００℃（第２の温度）程度になるように加熱される。なお、第２の温度は、４００℃程度であることが好ましいが、その他の温度でもよい。

第３加熱チャンバーには、第２加熱チャンバーを通過した基板１０１が導入される。第３加熱チャンバー（２４）の出口側は、バッファーチャンバー２５の入口側に接続されている。第３加熱チャンバーには、基板１０１を加熱するためのヒーター１３４，１３５（図４参照）が設けられている。第２加熱チャンバーでは、基板温度が例えば６００℃（成膜温度）程度になるように加熱される。なお、成膜温度は、６００℃程度である。

バッファーチャンバー２５は、加熱チャンバー２４と成膜チャンバー２６との間に配置され、加熱チャンバー２４から排出された基板１０１を収容し、加熱チャンバー２４及び成膜チャンバー２６との縁切りが可能な中間チャンバーである。なお、縁切りが可能な中間チャンバーとは、隣接するチャンバーとの連通状態を遮断し、密閉状態であることをいう。開閉ゲート１３３が出入口１３１，１３２を閉止することで、バッファーチャンバー２５と隣接するチャンバー２４，２６との間の縁切りが行われる。

また、バッファーチャンバー２５には、基板１０１の温度を維持するためのヒーター１３６が設けられている。このヒーター１３６としては、例えば、公知のシーズヒーターを使用することができる。バッファーチャンバー２５では、基板温度が例えば６００℃（成膜温度）程度に維持されるように加熱される。

成膜チャンバー２６は、バッファーチャンバー２５を通過した基板１０１が導入され、基板１０１に薄膜層を成膜する処理チャンバーである。成膜チャンバー２６の出口側は、図２に示すように、自然冷却チャンバー２７の入口側に接続されている。成膜チャンバー２６には、成膜材料を蒸発させるプロセス装置１０４が設置されている。プロセス装置１０４内には、成膜材料（不図示）が設置されている。プロセス装置１０４内に所定のガスが供給され、電圧を印加することで、成膜材料が蒸発し、チャンバー２６内が蒸発した成膜材料が供給される。なお、成膜チャンバー２６内に基板温度を維持するためのヒーターが設けられていてもよい。

自然冷却チャンバー２７は、成膜チャンバー２６を通過した基板１０１が導入される。自然冷却チャンバー２７の出口側は、第１冷却チャンバー２８の入口側に接続されている。自然冷却チャンバー２７には、基板１０１を冷却する冷却部材（例えば冷却板）が設けられていない。自然冷却チャンバー２７内の基板１０１は、例えば６００℃から５００℃へ温度降下する。

第１冷却チャンバー２８には、自然冷却チャンバー２７を通過した基板１０１が導入される。第１冷却チャンバー２８の出口側は、第２冷却チャンバー２９の入口側に接続されている。第１冷却チャンバー２８には、基板１０１を冷却するための冷却板１３７，１３８が設けられている。この冷却板１３７，１３８としては、例えば、公知の冷却板を使用することができる。冷却板１３７，１３８内には、冷媒が通過する冷却経路が設けられている。基板１０１からの熱が冷却板１３７，１３８に伝熱され、冷却板１３７，１３８の熱は、冷却経路を流通する冷媒に伝熱される。このような冷却板１３７，１３８によって、基板１０１が冷却される。この冷却板１３７，１３８は、基板１０１の上下両面を冷却すべく、上下方向の両側に各々設置されている。冷媒として、例えば純水を用いることができる。また、冷却板１３７、１３８の材質としては、アルミニウムが挙げられる。

第２冷却チャンバー２９には、第１冷却チャンバー２８を通過した基板１０１が導入される。第２冷却チャンバー２９の出口側は、図３に示すように、第３冷却チャンバー３０の入口側に接続されている。第２冷却チャンバー２９は、複数の基板１０１を冷却するための冷却板ユニット４０（冷却ユニット）を備えている（詳しくは後述する）。

複数の冷却板４１〜４５が設けられている。この冷却板４１〜４５としては、例えば、公知の冷却板を使用することができる。冷却板４１〜４５内には、冷媒が通過する冷却経路が設けられている。基板１０１からの熱が冷却板４１〜４５に伝熱され、冷却板４１〜４５の熱は、冷却経路を流通する冷媒に伝熱される。このような冷却板４１〜４５によって、基板１０１が冷却される。この冷却板４１〜４５は、基板１０１の上下両面を冷却すべく、上下方向の両側に各々設置されている。冷媒として、例えば純水を用いることができる。また、冷却板４１〜４５の材質としては、アルミニウムが挙げられる。

第３冷却チャンバー３０，３１には、第２冷却チャンバー２９を通過した基板１０１が導入される。本実施形態では、例えば２個の第３冷却チャンバー３０，３１を備えている。第３冷却チャンバー３０の出口側は、第３冷却チャンバー３１の入口側に接続されている。第３冷却チャンバー３１の出口側は、ロードロックチャンバー３２の入口側に接続されている。第３冷却チャンバー３０，３１には、基板１０１を冷却するための冷却板１３７，１３８が設けられている。第３冷却チャンバー３０では、基板温度が例えば２２５℃となるように冷却される。

ロードロックチャンバー３２は、第３冷却チャンバー３１を通過した基板１０１が導入されるチャンバーである。ロードロックチャンバー３２の入口側には、開閉ゲート１３３が設けられ、開閉ゲート１３３を開放することで、ロードロックチャンバー３２が大気開放される。

次に、第２冷却チャンバー２９内に設置された冷却板ユニット４０について説明する。冷却板ユニット４０は、放射伝熱により基板１０１を冷却する複数の冷却板４１〜４５を備えている。複数の冷却板４１〜４５は、板厚方向が上下方向Ｚとなるように積層されている。複数の冷却板４１〜４５は、上下方向に離間して配置されている。

図５は、冷却板ユニットの正面図であり、搬送方向から冷却板ユニット４０を図示している。冷却板ユニット４０は、複数の冷却板４１〜４５（図５では、冷却板４１〜４３のみを図示している。）と、上下方向に離間した冷却板４１〜４５間で基板１０１を保持すると共に、基板１０１を搬送させる搬送装置５０と、複数の冷却板４１〜４５及び搬送装置５０を昇降させる昇降機構６０とを備えている。

搬送装置５０は、例えば公知のローラー５１と、このローラー５１に回転駆動力を伝達する動力伝達機構５２（例えばギアボックス、Ｙ軸方向に延在する回転軸、ローラー５１の回転軸など）とから構成されている。第２冷却チャンバー２９は、上下方向Ｚに延在して軸回りに回転する回転駆動軸（例えば、スプライン）５５と、この回転駆動軸を回転させる搬送ローラー駆動モーター（駆動源、電動モーター）５６とを有する。

搬送ローラー駆動モーター５６は、後述する制御部７０からの指令信号に従い作動する。搬送ローラー駆動モーター５６は、回転駆動軸５５を回転駆動する。回転駆動軸５５の回転駆動力は、動力伝達機構５２を介して、ローラー５１に伝達される。基板１０１は、基板１０１を載置する搬送トレイ１０４に載置されて搬送される。

昇降機構６０として、例えば公知のボールねじ６１を採用することができる。ボールねじ６１は、上下方向Ｚに延在して軸回りに回転するねじ軸６２と、ねじ軸６２が軸回りに回転することにより軸線方向（上下方向Ｚ）に往復動するナット６３と、ねじ軸６２を回転させる昇降用モーター（駆動源、電動モーター）６４と有する。冷却板４１〜４５には、ねじ軸６２を貫通させる開口が形成されている。ねじ軸６２は、冷却板４１〜４５を貫通している。ナット６３には、冷却板４１〜４５及び搬送装置５０が各々連結されている。ナット６３の上下動に伴い、冷却板４１〜４５及び搬送装置５０が上下動する構成となっている。

昇降用モーター６４は、制御部７０からの指令信号に従い作動する。昇降用モーター６４は、ねじ軸６２を回転させる。ねじ軸６２の回転によりナット６３が軸線方向に移動し、冷却板４１〜４５及び搬送装置５０が上下方向Ｚに移動する。

ここで、成膜装置１００は、第２冷却チャンバー２９内にガス圧を調整するガス圧調整手段（ガス供給手段）を備えている。ガス圧調整手段は、ガス供給源（例えばガスボンベ）と、第２冷却チャンバー２９内に冷却用ガスを供給するガス供給経路と、第２冷却チャンバー２９内へのガス供給量を調節する流量制御弁８２（マスフローコントローラ）と、第２冷却チャンバー２９内のガスを排出するガス排出経路とから構成されている。

ガス供給源（例えばガスボンベ）から導出された冷却用ガスは、流量制御弁によって流量が調整され、ガス供給経路内を流れて、第２冷却チャンバー２９内に供給される。冷却用ガスとしては、例えば、不活性ガス（窒素ガス、アルゴンガス）などを使用することができる。第２冷却チャンバー２９内に導入される冷却用ガスの温度は、例えば常温である。第２冷却チャンバー２９内のガスは、ガス排出経路を通り、例えば除害装置へ送られて系外へ放出される。

次に、成膜装置１００の制御部７０について説明する。図６は、成膜装置１００の制御部７０を示すブロック構成図である。制御部７０は、成膜装置１００の制御を司る電子制御ユニット（ＥＣＵ）７１を備えている。ＥＣＵ７１は、演算処理を行う処理部（ＣＰＵ）７２、記憶部７３となるＲＯＭ及びＲＡＭなどを含む。

ＥＣＵ７１は、真空計８１、流量制御弁８２、位置センサー８３、搬送ローラー駆動モーター５５、昇降用モーター６４、及び開閉ゲート１３３などと電気的に接続されている。ＥＣＵ７１は、真空計８１から出力された信号に基づいて、真空チャンバー内の圧力に関する情報を取得する。ＥＣＵ７１は、真空チャンバー内の圧力に基づいて、流量制御弁８２を制御する。

ＥＣＵ７１は、位置センサー８３から出力された信号に基づいて、基板１０１の位置（有無）に関する情報を取得する。ＥＣＵ７１は、基板１０１に関する情報に基づいて、搬送ローラー駆動モーター５５を駆動し、基板１０１を移動又は停止させる。ＥＣＵ７１は、基板１０１の位置及び真空チャンバー内の圧力に基づいて、開閉ゲート１３３の開閉を制御する。

ＥＣＵ７１は、冷却板ユニット４０の位置に応じて、昇降用モーター６４を駆動し、冷却板ユニット４０の位置を制御する。ＥＣＵ７１は、記憶部７３に記憶されたタクトタイムに関する情報に基づいて、流量制御弁８２、モーター５６，６４、開閉ゲート１３３などを制御することができる。

次に、本実施形態の成膜装置１００の作用について説明する。セレン化法による成膜を実行する場合には、例えば１０枚程度のトレイを連続的に流しながら、トレイ上の基板１０１に成膜処理を連続的に施す。基板１０１は、トレイ上に載置されて、各真空チャンバー２４〜３２内を移動する。なお、トレイを使用せずに、直接、ガラス基板を搬送してもよい。真空チャンバー２４〜３２内は、所定の圧力まで減圧されている。まず、ロードロックチャンバーの入口側の開閉ゲートが開放されて、基板１０１がロードロックチャンバー内に搬入される。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、ロードロックチャンバーの出入口の開閉ゲートが閉じられ、ロードロックチャンバー内が密封状態となる。真空ポンプ１２が駆動されて、ロードロックチャンバー内は第１加熱チャンバー（２４）と同じ圧力（真空状態）まで減圧される。

次に、第１加熱チャンバーの入口側の開閉ゲートが開放されて、基板１０１が第１加熱チャンバー内に搬入される。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、第１加熱チャンバーの出入口の開閉ゲートが閉じられ、第１加熱チャンバー内が密封状態となる。加熱チャンバー内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。

なお、ロードロックチャンバー内の基板１０１が第１加熱チャンバーに搬出されると、別の新たな基板１０１が、ロードロックチャンバー内に搬入されて、上述した処理が行われる。

次に、基板１０１が搬入された第１加熱チャンバーでは、ヒーター１３４，１３５のスイッチがＯＮにされて、ヒーター１３４，１３５が発熱し、基板１０１を加熱する。例えば、第１加熱チャンバーでは、基板１０１が１分間で２０℃から２００℃に加熱される。加熱後、ヒーター１３４，１３５のスイッチがＯＦＦされる。なお、第２加熱チャンバーへ移動する間に、基板温度が低下することを考慮して、２００℃以上に加熱してもよい。

第１加熱チャンバー内の基板１０１が２００℃まで加熱されると、第２加熱チャンバーの入口側の開閉ゲートが開放されて、基板１０１が第２加熱チャンバー内に搬入される。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、第２加熱チャンバーの出入口の開閉ゲートが閉じられ、第２加熱チャンバー内が密封状態となる。加熱チャンバー内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。

なお、第１加熱チャンバー内の基板１０１が第２加熱チャンバーに搬出されると、別の基板１０１が、第１加熱チャンバー内に搬入されて、上述した加熱処理が行われる。

次に、基板１０１が搬入された第２加熱チャンバーでは、ヒーター１３４，１３５のスイッチがＯＮにされて、ヒーター１３４，１３５が発熱し、基板１０１を加熱する。例えば、第２加熱チャンバーでは、基板１０１が１分間で２００℃から４００℃に加熱される。なお、第３加熱チャンバーへ移動する間に、基板温度が低下することを考慮して、４００℃以上に加熱してもよい。

第２加熱チャンバー内の基板１０１が４００℃まで加熱されると、第３加熱チャンバー１２４の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板１０１が第３加熱チャンバー内に搬入される。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、第３加熱チャンバーの出入口の開閉ゲートが閉じられ、第３加熱チャンバー内が密封状態となる。加熱チャンバー内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。

なお、第２加熱チャンバー内の基板１０１が第３加熱チャンバーに搬出されると、別の基板１０１が、第２加熱チャンバー内に搬入されて、上述した加熱処理が行われる。

次に、基板１０１が搬入された第３加熱チャンバーでは、ヒーター１３４，１３５のスイッチがＯＮにされて、ヒーター１３４，１３５が発熱し、基板１０１を加熱する。例えば、第３加熱チャンバーでは、基板１０１が１分間で４００℃から６００℃に加熱される。なお、バッファーチャンバーへ移動する間に、基板温度が低下することを考慮して、６００℃以上に加熱してもよい。また、加熱チャンバーにおける加熱速度が同じになるようにヒーターの出力が制御されていることが好ましい。

第３加熱チャンバー内の基板１０１が６００℃まで加熱されると、バッファーチャンバー２５の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板１０１がバッファーチャンバー２５内に搬入される。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、バッファーチャンバー２５の入口の開閉ゲートが閉じられ、バッファーチャンバー２５内が密封状態となる。バッファーチャンバー２５内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。入口側及び出口側は、同時に開放状態とならないように制御されている。入口側及び出口側の開閉ゲートが閉じられて、成膜チャンバー２６と第３加熱チャンバー２４との連通状態が遮断される。

なお、第３加熱チャンバー内の基板１０１がバッファーチャンバー２５に搬出されると、別の基板１０１が、第３加熱チャンバー内に搬入されて、上述した加熱処理が行われる。

次に、基板１０１が搬入されたバッファーチャンバー２５では、ヒーター１３６のスイッチがＯＮにされて、ヒーター１３６が発熱し、基板１０１を６００℃に維持する。なお、成膜チャンバー２６へ移動する間に、基板温度が低下することを考慮して、６００℃以上に加熱してもよい。

成膜チャンバー２６内に基板１０１が存在していない状態であると、成膜チャンバー２６の入口側の開閉ゲートが開放されて、基板１０１が成膜チャンバー２６内に搬入される。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、成膜チャンバー２６の入口の開閉ゲートが閉じられ、成膜チャンバー２６内が密封状態となる。成膜チャンバー２６内は、真空ポンプによって減圧されて、所定の圧力に維持されている。

なお、バッファーチャンバー２５内の基板１０１が成膜チャンバー２６に搬出されると、別の基板１０１が、バッファーチャンバー２５内に搬入されて、待機状態となる。

成膜チャンバー２６では、セレンの真空蒸着法（セレン化法）を用いて成膜材料を基板１０１上に蒸着させる。成膜が完了する（図７のステップＳ１）と、基板１０１は自然冷却チャンバー２７内に搬入される（ステップＳ２）。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止される。自然冷却チャンバー２７内は、真空ポンプ１２によって減圧されて、所定の圧力に維持されている。

なお、成膜チャンバー２６内の基板１０１が自然冷却チャンバー２７に搬出されると、別の基板１０１が、成膜チャンバー２６内に搬入されて、成膜される。

次に、自然冷却チャンバー２７では、基板１０１が所定時間（例えば４５秒）自然冷却される（ステップＳ３）。ここでいう自然冷却とは、冷却板などを用いて強制的に冷却せずに、チャンバー２７内に滞留させて放熱させることをいう。所定時間の経過後、基板１０１は、例えば５００℃程度まで冷却される。

基板１０１が所定の温度まで冷却された後、第１冷却チャンバー２８の入口側の開閉ゲート１３３が開放されて（ステップＳ４）、基板１０１が第１冷却チャンバー２８内に搬入される（ステップＳ５）。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、第１冷却チャンバー２８の入口の開閉ゲート１３３が閉じられる（ステップＳ６）。このとき、連通する第１冷却チャンバー２８及び第２冷却チャンバー２９内が密封状態となる。第１冷却チャンバー２８及び第２冷却チャンバー２９内は、真空ポンプ１２によって減圧されて、所定の圧力に維持されている。

なお、自然冷却チャンバー２７内の基板１０１が第１冷却チャンバー２８に搬出されると、別の基板１０１が、自然冷却チャンバー２７内に搬入されて、自然冷却される。

次に、第１冷却チャンバー２８では、基板１０１が所定時間（例えば４５秒）強制冷却される（ステップＳ７）。ここでいう強制冷却とは、冷却板１３７，１３８など用いて基板１０１を冷却することをいう。基板１０１は、冷却板１３７，１３８間で停止して冷却される。なお、搬送しながら基板１０１を冷却してもよい。基板１０１が所定の温度まで冷却された後、基板１０１は第２冷却チャンバー２９内に搬入される（ステップＳ８）。基板１０１は、冷却板ユニット４０の所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止される。

なお、第１冷却チャンバー２８内の基板１０１が第２冷却チャンバー２９に搬出されると、別の基板１０１が、第１冷却チャンバー２８内に搬入されて、強制冷却される。

次に、第２冷却チャンバー２９では、基板１０１が所定時間（例えば２２５秒）強制冷却される（ステップＳ９）。基板１０１は、冷却板４１〜４５間の所定の位置で停止して冷却される。基板１０１の冷却中、冷却板ユニット４０は、制御部７０によって制御され、昇降及び停止を行う（詳しくは後述する）。

所定時間の経過後、基板１０１は、例えば２５０℃程度まで冷却される。基板１０１が所定の温度まで冷却された後、第３冷却チャンバー３０の入口側の開閉ゲート１３３が開放されて（ステップＳ１０）、基板１０１が第３冷却チャンバー３０内に搬入される（ステップＳ１１）。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、第３冷却チャンバー３０の入口の開閉ゲート１３３が閉じられる（ステップＳ１２）。このとき、連通する第３冷却チャンバー３０及び第４冷却チャンバー３１内が密封状態となる。第３冷却チャンバー３０及び第４冷却チャンバー３１内は、真空ポンプ１２によって減圧されて、所定の圧力に維持されている。

なお、第２冷却チャンバー２９内の基板１０１が第３冷却チャンバー３０に搬出されると、別の基板１０１が、第２冷却チャンバー２９内に搬入されて、強制冷却される。

次に、第３冷却チャンバー３０では、基板１０１が所定時間（例えば４５秒）強制冷却される（ステップＳ１３）。所定時間の経過後、基板１０１は、例えば２２５℃程度まで冷却される。基板１０１が所定の温度まで冷却された後、基板１０１は第３冷却チャンバー３０内に搬入される。基板１０１が、第４冷却チャンバー３１の所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止される。

なお、第３冷却チャンバー３０内の基板１０１が第４冷却チャンバー３１に搬出されると、別の基板１０１が、第３冷却チャンバー３０内に搬入されて、強制冷却される。

次に、第４冷却チャンバー３１では、基板１０１が所定時間（例えば４５秒）強制冷却される。所定時間の経過後、基板１０１は、例えば２００℃程度まで冷却される。

基板１０１が所定の温度まで冷却された後、ロードロックチャンバー３２の入口側の開閉ゲート１３３が開放されて、基板１０１がロードロックチャンバー３２内に搬入される（ステップＳ１４）。基板１０１が所定の位置まで搬送されると、基板１０１の搬送が停止され、ロードロックチャンバー３２の入口の開閉ゲート１３３が閉じられる。

なお、第４冷却チャンバー３１内の基板１０１がロードロックチャンバー３２に搬出されると、別の基板１０１が、第４冷却チャンバー３１内に搬入されて、強制冷却される。

次に、基板１０１が搬入されたロードロックチャンバー３２は、チャンバー内が大気圧となるように昇圧された後、出口側の開閉ゲートが開放されて、基板１０１が搬出される。

次に、第２冷却チャンバー２９における冷却板ユニット４０の昇降、基板１０１の搬入及び搬出について説明する。冷却板ユニット４０は、図８（ａ）〜図８（ｆ）、図９（ｇ）〜図９（ｌ）に示す順序で、昇降し、基板１０１の搬出入を行う。なお、以下の説明において、下から順に、冷却板４４，４５に挟まれた領域を１段目（または最下段）の冷却領域、冷却板４３，４４に挟まれた領域を２段目の冷却領域、冷却板４２，４３に挟まれた領域を３段目の冷却領域、冷却板４１，４２に挟まれた領域を４段目（または最上段）の冷却領域という。

まず、図８（ａ）に示す状態では、冷却板４４，４５に挟まれた最下段の冷却領域が、第２冷却チャンバー２９の入口１３１及び出口１３２と対面するように、冷却板ユニット４０が配置されている。制御部７０は、冷却板ユニット４０を停止させた状態で、搬送装置５０，１０２を作動させて、基板１０１０を第２冷却チャンバー２９内へ搬入する。基板１０１は、冷却板ユニット４０の１段目の冷却領域に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１の位置を認識して、基板１０１を停止させる。

次に、制御部７０は、昇降機構６０を作動させて、冷却板ユニット４０を下降させる。図８（ｂ）に示すように、冷却板４３，４４に挟まれた２段目の冷却領域が、第２冷却チャンバー２９の出入口１３１，１３２と対面する位置に到達すると、制御部７０は、冷却板ユニット４０を停止させる。

制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、基板１０１を第２冷却チャンバー２９内へ搬入する。基板１０１は、冷却板ユニット４０の２段目の冷却領域に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１の位置を認識して、基板１０１を停止させる。

次に、制御部７０は、昇降機構６０を作動させて、冷却板ユニット４０を下降させる。図８（ｃ）に示すように、冷却板４２，４３に挟まれた３段目の冷却領域が、第２冷却チャンバー２９の出入口１３１，１３２と対面する位置に到達すると、制御部７０は、冷却板ユニット４０を停止させる。

制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、基板１０１を第２冷却チャンバー２９内へ搬入する。基板１０１は、冷却板ユニット４０の３段目の冷却領域に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１の位置を認識して、基板１０１を停止させる。

次に、制御部７０は、昇降機構６０を作動させて、冷却板ユニット４０を下降させる。図８（ｄ）に示すように、冷却板４１，４２に挟まれた４段目の冷却領域が、第２冷却チャンバー２９の出入口１３１，１３２と対面する位置に到達すると、制御部７０は、冷却板ユニット４０を停止させる。

制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、基板１０１を第２冷却チャンバー２９内へ搬入する。基板１０１は、冷却板ユニット４０の４段目の冷却領域に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１の位置を認識して、基板１０１を停止させる。

制御部７０は、昇降機構６０を作動させて、冷却板ユニット４０を上昇させる。図８（ｅ）に示すように、冷却板４４，４５に挟まれた１段目の冷却領域が、第２冷却チャンバー２９の出入口１３１，１３２と対面する位置に到達すると、制御部７０は、冷却板ユニット４０を停止させる。

制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、基板１０１を第３冷却チャンバー３０へ搬出する。基板１０１は、第３冷却チャンバー３０内に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１が１段目の冷却領域に存在していないことを認識する。

続いて、制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、図８（ｆ）に示すように、別の基板１０１を第２冷却チャンバー２９内へ搬入する。基板１０１は、冷却板ユニット４０の１段目の冷却領域に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１の位置を認識して、基板１０１を停止させる。

次に、制御部７０は、昇降機構６０を作動させて、冷却板ユニット４０を下降させる。図９（ｄ）に示すように、冷却板４３，４４に挟まれた２段目の冷却領域が、第２冷却チャンバー２９の出入口１３１，１３２と対面する位置に到達すると、制御部７０は、冷却板ユニット４０を停止させる。

制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、基板１０１を第３冷却チャンバー３０へ搬出する。基板１０１は、第３冷却チャンバー３０内に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１が２段目の冷却領域に存在していないことを認識する。

続いて、制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、図９（ｈ）に示すように、別の基板１０１を第２冷却チャンバー２９内へ搬入する。基板１０１は、冷却板ユニット４０の２段目の冷却領域に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１の位置を認識して、基板１０１を停止させる。

次に、制御部７０は、昇降機構６０を作動させて、冷却板ユニット４０を下降させる。図９（ｉ）に示すように、冷却板４２，４３に挟まれた３段目の冷却領域が、第２冷却チャンバー２９の出入口１３１，１３２と対面する位置に到達すると、制御部７０は、冷却板ユニット４０を停止させる。

制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、基板１０１を第３冷却チャンバー３０へ搬出する。基板１０１は、第３冷却チャンバー３０内に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１が３段目の冷却領域に存在していないことを認識する。

続いて、制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、図９（ｊ）に示すように、別の基板１０１を第２冷却チャンバー２９内へ搬入する。基板１０１は、冷却板ユニット４０の３段目の冷却領域に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１の位置を認識して、基板１０１を停止させる。

次に、制御部７０は、昇降機構６０を作動させて、冷却板ユニット４０を下降させる。図９（ｋ）に示すように、冷却板４１，４２に挟まれた４段目の冷却領域が、第２冷却チャンバー２９の出入口１３１，１３２と対面する位置に到達すると、制御部７０は、冷却板ユニット４０を停止させる。

制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、基板１０１を第３冷却チャンバー３０へ搬出する。基板１０１は、第３冷却チャンバー３０内に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１が４段目の冷却領域に存在していないことを認識する。

続いて、制御部７０は、搬送装置５０，１０２を作動させて、図９（ｌ）に示すように、別の基板１０１を第２冷却チャンバー２９内へ搬入する。基板１０１は、冷却板ユニット４０の４段目の冷却領域に挿入され、所定の位置で停止される。制御部７０は、位置センサー８３からの信号に基づいて、基板１０１の位置を認識して、基板１０１を停止させる。

そして、図８（ｅ）の状態に戻り、上述したように、図８（ｅ），図８（ｆ）、図９（ｇ）〜図９（ｌ）の状態を繰り返す。

このような本実施形態の成膜装置１００は、複数の冷却板４１〜４５が積層された冷却板ユニット４０を備える第２冷却チャンバー２９を備えている。第２冷却チャンバー２９では、複数の冷却板４１〜４５及び基板１０１を上下方向に交互に配置し、複数の基板１０１を同時に冷却することができる。これにより、基板を連続処理するインライン装置において、第２冷却チャンバー２９の設置スペースの拡大を抑制することができる。

また、成膜装置１００は、冷却板ユニット４０の昇降のタイミング、冷却板ユニット４０への基板１０１の搬入のタイミング、及び冷却板ユニット４０からの基板１０１の搬出のタイミングを制御する制御部７０を備える構成であるため、冷却板ユニット４０を昇降させて、所定の位置に配置し、冷却板ユニット４０の搬出及び搬入を適切なタイミングで行うことができる。これにより、決められたタクトタイムを守りながら冷却板ユニット４０の冷却を行うことができる。

制御部７０は、冷却後の基板１０１が冷却板ユニット４０から排出すると同時に、冷却前の他の基板１０１を搬入する制御を行う構成であるため、第２冷却チャンバー２９において基板１０１を冷却するためのタクトタイムを短縮することができる。

第２冷却チャンバー２９の前段に、第２冷却チャンバー２９に搬入される前の基板１０１を滞留させて自然冷却させる自然冷却チャンバー２７を更に備える構成としてもよい。第２冷却チャンバー２９の前段に、冷却板４１〜４５を備えていない自然冷却チャンバー２７を有する構成であるため、基板１０１の温度降下を適切に行うことで、基板１０１の急冷を防止することで、基板１０１の割れの発生を防止することができる。

本実施形態の成膜装置１００によれば、成膜チャンバー２６と第２冷却チャンバー２９との間に配置された開閉ゲート１３３を閉じた状態で、第２冷却チャンバー２９内に冷却用ガスを供給して、第２冷却チャンバー２９内の圧力を成膜チャンバー２６内の圧力より高くする制御部７０（ガス圧制御部）を備えているため、第２冷却チャンバー２９内の圧力を成膜チャンバー２６の圧力より高く制御することで、開閉ゲート１３３を開放させたときに、成膜処理チャンバー２６内のガス（例えばセレンを含むガス）が、第２冷却チャンバー２９内へ流入することを防止することが可能であると共に、成膜処理チャンバー２６内の圧力変動を抑制することができる。また、第２冷却チャンバー２９内に冷却用ガスを流入させることで対流熱伝達により基板１０１を冷却することができる。

本実施形態の成膜装置１００によれば、決められたタクトタイムを守りながら基板１０１を冷却すると共に、第２冷却チャンバー２９の省スペース化を図ることができる。

以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。本実施形態では、自然冷却チャンバー２７を備える構成であるが、自然冷却チャンバー２７を備えていない構成でもよい。すなわち、成膜チャンバー２６の直後に、第１冷却チャンバー２８が設けられている構成でもよい。

また、本実施形態では、冷却手段を冷却板としているが、その他の冷却手段を用いて、基板１０１を冷却する構成でもよい。冷却手段として冷媒が流れる冷却管を備える構成でもよい。

また、上記実施形態では、制御部７０が、第２冷却チャンバー２９内のガス圧を調節するガス圧制御部を兼ねているが、冷却板ユニット４０の昇降を制御する制御部と、ガス圧制御部とを別々に備える構成でもよい。

上記実施形態では、ガス圧制御部を備える構成としているが、ガス圧制御部を備えていない構成でもよい。

上記実施形態では、１枚の冷却板を用いて、上下２枚の基板１０１を冷却しているが、１枚の基板に対して、基板の上面側のみを冷却する冷却板、基板の下面のみを冷却する冷却板を備える構成でもよい。

上記実施形態では、４枚の基板１０１を同時に冷却可能な冷却板ユニット４０を備える構成としているが、冷却板ユニット４０によって同時に冷却可能な基板１０１の数量は、２枚以上であればよい。

また、４枚の基板１０１を同時に冷却可能な冷却板ユニット４０において、５枚の冷却板を備え、４段の冷却領域を有する構成としているが、余分な冷却領域（６枚の冷却板）を有する構成でもよい。

１００…成膜装置、１０１…基板（対象物）、５０…搬送手段、２４…加熱チャンバー（真空チャンバー）、２５…バッファーチャンバー（真空チャンバー）、２６…成膜チャンバー（真空チャンバー）、２７…自然冷却チャンバー（自然冷却用チャンバー）、２８…第１冷却チャンバー（真空チャンバー）、２９…第２冷却チャンバー（真空チャンバー）、３０…第３冷却チャンバー（真空チャンバー）、３１…第４冷却チャンバー（真空チャンバー）、４０…冷却板ユニット（冷却ユニット）、４１〜４５…冷却板（冷却部材）、７０…制御部。

Claims (6)

1. 加熱環境下で成膜処理された対象物を冷却する冷却チャンバーであって、
   前記対象物を放射伝熱により冷却する複数の冷却部材が積層され、前記各冷却部材間に前記対象物を保持する冷却ユニットと、
   前記冷却ユニットを昇降させる昇降機構と、
   前記昇降機構による前記冷却ユニットの昇降のタイミング、前記冷却ユニットへの前記対象物の搬入タイミング、及び前記冷却ユニットからの前記対象物の搬出タイミングを制御する制御部とを備える、冷却チャンバー。
2. 前記成膜処理を行う成膜処理チャンバーと前記冷却チャンバーとの間に配置されたゲート弁を閉じた状態で、前記冷却チャンバー内に冷却用ガスを供給して、前記冷却チャンバー側の圧力を前記成膜処理チャンバー側の圧力より高くするガス圧制御部を更に備える、請求項１に記載の冷却チャンバー。
3. 前記制御部は、前記冷却ユニットから搬出された冷却後の対象物が保持されていた位置に、冷却前の他の対象物を搬入する制御を行う、請求項１又は２に記載の冷却チャンバー。
4. 前記制御部は、冷却後の前記対象物が前記冷却ユニットから排出すると同時に、冷却前の他の前記対象物を搬入する制御を行う、請求項３に記載の冷却チャンバー。
5. 前記冷却ユニットは、前記冷却部材の上下方向の両側に前記対象物を保持する、請求項１〜４の何れか一項に記載の冷却チャンバー。
6. 前記冷却チャンバーの前段に、前記冷却チャンバーに搬入される前の前記対象物を滞留させて自然冷却させる自然冷却用チャンバーを更に備える、請求項１〜５の何れか一項に記載の冷却チャンバー。

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