KR20150112485A - 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법 및 방열 구조를 갖는 발광 소자 - Google Patents
방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법 및 방열 구조를 갖는 발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150112485A KR20150112485A KR1020140036770A KR20140036770A KR20150112485A KR 20150112485 A KR20150112485 A KR 20150112485A KR 1020140036770 A KR1020140036770 A KR 1020140036770A KR 20140036770 A KR20140036770 A KR 20140036770A KR 20150112485 A KR20150112485 A KR 20150112485A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- growth substrate
- light emitting
- forming
- holes
- emitting device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 8
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 6
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법이 개시되며, 상기 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법은, 성장기판을 제공하는 단계; 상기 성장기판에 그 일면과 타면을 연통하는 복수 개의 홀을 형성하는 단계; 상기 복수 개의 홀 각각에 열 전도부를 형성하는 단계; 상기 성장기판의 일면에 발광부를 형성하는 단계; 및 상기 성장기판의 타면에 방열부를 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본원은 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법 및 방열 구조를 갖는 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로, GaN 기반 lateral LED의 경우 Heat sink와 닿아있는 부분이 사파이어(Sapphire) 기판인데 사파이어 기판을 이루는 사파이어의 열 전도도가 매우 낮은바, lateral LED는 방열 효율이 낮았다.
이에 따라, 종래에, lateral LED의 방열 효율 향상을 위해, 사파이어 기판에 GaN을 성장시키기 전에, 패터닝된 RGO(reduced graphene oxide)를 사파이어 기판 위에 코팅하는 기술이 제안된 바 있다. 그러나 보다 방열 효율을 향상시킬 수 있는 lateral LED 구조가 필요하였다.
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 방열 효율을 극대화시킨 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법 및 방열 구조를 갖는 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1 측면에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자는, 성장기판을 제공하는 단계; 상기 성장기판에 그 일면과 타면을 연통하는 복수 개의 홀을 형성하는 단계; 상기 복수 개의 홀 각각에 열 전도부를 형성하는 단계; 상기 성장기판의 일면에 발광부를 형성하는 단계; 및 상기 성장기판의 타면에 방열부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
한편, 본원의 제2 측면에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자는, 성장기판; 상기 성장기판의 일면에 형성되는 발광부; 및 상기 성장기판의 타면에 형성되는 방열부를 포함하되, 상기 성장기판은 그 일면과 타면을 연통하는 복수 개의 홀 및 상기 복수 개의 홀 각각에 형성되는 열 전도부를 포함할 수 있다.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 성장기판의 복수 개의 홀 각각에 열 전도부를 형성하여 방열부와 열이 발생하는 발광부 사이에 배치되는 성장기판의 열 전도율을 향상시킴으로써, 발광 소자의 방열 효율을 극대화하여 유지 보수 비용이 적은 발광 소자를 구현할 수 있고, 발광 소자의 열에 의한 광출력 효과 감소를 막을 수 있으며, 발광 소자의 수명 연장을 실현시킬 수 있다.
도 1은 본원의 일 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본원의 일 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원은 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법에 관한 것이다.
우선, 본원의 일 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법(이하 '본 발광 소자 제조 방법'이라 함)에 대해 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발광 소자 제조 방법은, 성장기판(1)을 제공하는 단계(S100)를 포함한다.
또한, 도 1을 참조하면, 본 발광 소자 제조 방법은 성장기판(1)의 일면과 타면을 연통하는 홀(11) 복수 개를 형성하는 단계(S300)를 포함한다.
또한, 도 1 및 도 2의 (a)를 참조하면, 본 발광 소자 제조 방법은, 복수 개의 홀(11) 각각에 열 전도부(13)를 형성하는 단계(S500)를 포함한다.
또한, 도 1을 참조하면, 본 발광 소자 제조 방법은, 성장기판(1)의 일면에 발광부(3)를 형성하는 단계(S700)를 포함한다. 또한, 본 발광 소자 제조 방법은, 성장기판(1)의 타면에 방열부(2)를 형성하는 단계(S900)를 포함한다.
본 발광 소자 제조 방법에 의하면, 도 2에 나타난 바와 같이, 성장기판(1)에 열 전도부(13)가 형성될 수 있어 방열부(2)와 열이 발생하는 발광부(3) 사이에 배치되는 성장기판(1)의 열 전도율이 향상될 수 있다. 다시 말해, 발광부(3)에서 발생된 열의 방열부(2)로의 전도가 향상될 수 있다. 이에 따라, 방열 효과가 극대화된 발광 소자가 구현될 수 있다.
본 발광 소자 제조 방법과 관련한 구성을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
성장기판(1)은 예시적으로 사파이어를 포함하는 재질일 수 있다.
일반적으로, 사파이어의 열 전도도가 매우 낮은바, 종래에, 사파이어를 포함하는 재질로 이루어진 성장기판(1)을 포함하는 발광 소자의 방열 효율은 낮았다.
그러나, 본 발광 소자 제조 방법에 의하면, 상술한 바와 같이, 성장기판(1)에 열 전도부(13)가 형성되어 성장기판(1)의 열 전도율이 향상되는바, 발광 소자의 성장기판(1)이 열 전도도가 낮은 물질을 포함하는 재질이라 하더라도, 방열 효율을 향상시킬 수 있다.
이에 따라, 유지 보수 비용이 적은 발광 소자를 구현할 수 있고, 발광 소자의 열에 의한 광출력 효율 감소를 막을 수 있으며, 발광 소자의 수명을 보다 연장할 수 있다.
한편, 성장기판(1)의 재질은 사파이어 외에도, SiO2, Si-O-C, Ga2O3 LiAlO2, ZnO, LiGaO2등의 절연체 물질 중 하나 이상을 포함하는 재질일 수 있다.
성장기판(1)에 홀(11) 복수 개를 형성하는 단계(S300)에서, 홀(11)은 성장기판(1)에 레이저 드릴링을 수행하여 비아 홀(via hole)의 형태로 형성될 수 있다.
또한, 열 전도부(13)를 형성하는 단계(S500)는, 복수 개의 홀(11) 각각에 열 전도성 물질을 포함하는 솔루션을 충진시키는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 복수 개의 홀(11) 각각에 대한 열 전도성 물질의 충진(filling)은, 솔루션 방식일 수 있다. 이를 테면, 열 전도성 물질을 포함하는 솔루션이 홀(11)에 흡착됨으로써 솔루션 방식으로 수행될 수 있다.
이러한 솔루션 방식에 따르면, 메탈 데포지션(metal deposition) 방법 등과 달리 홀 사이즈가 작더라도 void 없이 홀(11)을 충진 시킬수 있다. 특히, 열 전도성 물질이 나노 사이즈인 경우, 솔루션 방식에 의하면, 나노 사이즈의 물질이 솔루션에 분산되어 홀(11)에 충진되는 것이기 때문에, 홀(11) 사이즈가 나노 사이즈 이하더라도 보이드 없이 홀(11)을 충진시킬 수 있다.
또한, 용이하고 빠르게 충진시킬 수 있으며, 공정이 단순하여 값싸게 적용 가능할 수 있다. 또한, 용이하게 대면적에 적용 가능할 수 있는데, 예시적으로, 성장기판(1)의 면적이 크더라도, 용이하게 홀(11)에 열 전도성 물질을 충진시킬 수 있다.
또한, 성장기판(1)이 플렉서블한 재질일 지라도, 솔루션 방식에 의하면, 용이하게 홀(11)을 충진시킬 수 있다. 다시 말해, 솔루션 방식에 의하면, 성장기판(1)의 재질에 상관 없이 홀(11)에 대한 충진이 용이할 수 있다.
솔루션 방식의 예시로서, 열 전도성 물질의 충진은 디핑(dipping)에 의해 수행될 수 있다. 다시 말해, 열 전도성 물질을 포함하는 솔루션이 담겨 있는 캐스트(cast)에 복수 개의 홀(11)이 형성된 성장기판(1)을 디핑함으로써 홀(11)에 솔루션이 충진될 수 있다.
예시적으로, 열 전도성 물질을 포함하는 솔루션은, RGO(reduced graphene oxide) 및 탄소 나노 튜브(CNT) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
RGO 및 탄소 나노 튜브는 열 전도성이 높은 물질로서, 이러한 물질을 포함하는 솔루션을 홀(11)에 충진시켜 열 전도부(13)를 형성함으로써, 성장기판(1)의 열 전도율을 향상시킬 수 있다.
또한, 열 전도성 물질을 포함하는 솔루션이 포함하는 물질은 이에만 한정되는 것은 아니다. 예시적으로, 솔루션은, RGO 및 탄소 나노 튜브외의 카본(carbon) 물질을 포함할 수 있다.
또한, 열 전도부(13)를 형성하는 단계(S300)는, 열 전도성 물질을 포함하는 솔루션을 충진시키는 단계 이후에, 성장기판(1)에 대한 히팅(heating) 및 블로우잉(blowing) 중 하나 이상을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적으로, 히팅 또는 블로우잉을 통해 홀(11)에 충진된 솔루션이 고화될 수 있다.
또한, 블로우잉을 통해 성장기판(1)에 묻은 불순물 등이 제거될 수 있다. 블로우잉은 예시적으로, 질소 기체에 의해 수행될 수 있다.
또한, 히팅 및 블로우잉 중 하나 이상을 수행하는 단계와는 별도로, 열 전도성 물질을 포함하는 솔루션을 충진시키는 단계 이후에, 충진된 솔루션을 고화시키는 단계가 수행될 수 있다.
또한, 성장기판(1)의 일면에 발광부(3)를 형성하는 단계(S700)(도 2의 (b) 참조) 및 성장기판(1)의 타면에 방열부(2)를 형성하는 단계(S900)(도 2의 (c)는, 도 1에 나타난 바와 같이, 열 전도부(13)를 형성하는 단계(S300) 이후에 순차적으로 수행될 수 있다.
다만, 공정에 따라, S700 단계와 S900 단계의 수행 순서에는 변동이 있을 수 있다. 예시적으로, 성장기판(1)에 복수 개의 홀(11)을 형성하는 단계(S300)가 수행된 후, 성장기판(1)의 일면 상에 발광부(3)를 형성하는 단계(S700)가 수행될 수 있고, 이 후에 복수 개의 홀(11) 각각에 열 전도부(13)가 형성되는 단계(S300)가 수행될 수 있으며, 이 후 성장기판(1)의 타면 상에 방열부(2)를 형성하는 단계(S900)가 수행될 수 있다.
또는, 성장기판(1)에 복수 개의 홀(11)을 형성하는 단계(S300)가 수행된 후, 성장기판(1)의 타면 상에 방열부(2)를 형성하는 단계(S900)가 수행될 수 있고, 이 후에, 복수 개의 홀(11) 각각에 열 전도부(13)가 형성되는 단계(S300)가 수행될 수 있으며, 이 후, 성장기판(1)의 일면 상에 발광부(3)를 형성하는 단계(S700)가 수행될 수 있다.
본 발광 소자 제조 방법은, 실내 또는 실외 조명용 발광 소자의 제조에 적용될 수 있다.
이하에서는, 본원의 일 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자(이하 '본 발광 소자'라 함)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본원의 일 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.
본 발광 소자는 성장기판(1), 성장기판(1)의 일면에 형성되는 발광부(3) 및 성장기판(1)의 타면에 형성되는 방열부(2)를 포함한다.
성장기판(1)은 그 일면과 타면을 연통하는 홀(11) 복수 개 및 복수 개의 홀(11) 각각에 형성되는 열 전도부(13)를 포함한다.
본 발광 소자와 관련한 구성을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
열 전도부(13)는 RGO(reduced graphene oxide) 및 탄소 나노 튜브(CNT) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 발광부(3)는 제1 반도체층(35), 활성층(33) 및 제2 반도체층(31)을 포함할 수 있다. 예시적으로, 제1 반도체층(35)은 n형 GaN일 수 있다. 또한, 제2 반도체층(31)은 p형 GaN일 수 있다.
또한, 도 3을 참조하면, 본 발광 소자는 제1 반도체층(35)과 전기적으로 연결되는 제1 전극 패드(51) 및 제2 반도체층(31)과 전기적으로 연결되는 제2 전극 패드(52)를 포함할 수 있다. 예시적으로, 제1 전극 패드(51) 및 제2 전극 패드(52)는 p/n 타입은 전기적으로 연결되는 제1 반도제층(35)및 제2 반도체층(31) 각각의 p/n 타입에 따라 결정될 수 있다. 예시적으로, 전술한 바와 같이, 제1 반도체층(35)이 n형 GaN인 경우, 제1 전극 패드(51)는 n형 일 수 있다. 또한, 제2 반도체층(31)이 p형 GaN인 경우, 제2 전극 패드(52)는 p형 일 수 있다.
또한, 도 3을 참조하면, 본 발광 소자는 버퍼층(6)을 포함할 수 있다. 버퍼층(6)은 성장기판(1)의 일면에서 발광부(3)의 성장이 용이하게 할 수 있다. 예시적으로, 도핑되지 않은 갈륨나이트라이드(Un-doped GaN)를 포함하는 재질일 수 있다.
또한, 방열부(2)는 예시적으로, 히트싱크(heat sink, H/S)일 수 있다. 방열부(2)는 통상의 기술자에게 자명한 구성이므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1: 성장기판
11: 홀
13: 열 전도부 2: 방열부
3: 발광부 31: 제2 반도체층
33: 활성층 35: 제1 반도체층
6: 버퍼층
13: 열 전도부 2: 방열부
3: 발광부 31: 제2 반도체층
33: 활성층 35: 제1 반도체층
6: 버퍼층
Claims (7)
- 발광 소자 제조 방법에 있어서,
성장기판을 제공하는 단계;
상기 성장기판에 그 일면과 타면을 연통하는 복수 개의 홀을 형성하는 단계;
상기 복수 개의 홀 각각에 열 전도부를 형성하는 단계;
상기 성장기판의 일면에 발광부를 형성하는 단계; 및
상기 성장기판의 타면에 방열부를 형성하는 단계를 포함하는 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 성장기판에 복수 개의 홀을 형성하는 단계에서,
상기 홀은 상기 성장기판에 레이저 드릴링을 수행하여 형성되는 것인 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 열 전도부를 형성하는 단계는,
상기 복수 개의 홀 각각에 열 전도성 물질을 포함하는 솔루션을 충진시키는 단계를 포함하는 것인 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법. - 제3항에 있어서,
상기 솔루션은, RGO(reduced graphene oxide) 및 탄소 나노 튜브 중 하나 이상을 포함하는 물질인 것인 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법. - 제3항에 있어서,
상기 열 전도부를 형성하는 단계는,
상기 솔루션을 충진시키는 단계 이후에, 상기 성장기판에 대한 히팅(heating) 및 블로우잉(blowing) 중 하나 이상을 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법. - 발광 소자에 있어서,
성장기판;
상기 성장기판의 일면에 형성되는 발광부; 및
상기 성장기판의 타면에 형성되는 방열부를 포함하되,
상기 성장기판은 그 일면과 타면을 연통하는 복수 개의 홀 및 상기 복수 개의 홀 각각에 형성되는 열 전도부를 포함하는 것인 방열 구조를 갖는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 열전도부는, RGO(reduced graphene oxide) 및 탄소 나노 튜브 중 하나 이상을 포함하는 재질인 것인 방열 구조를 갖는 발광 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140036770A KR20150112485A (ko) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법 및 방열 구조를 갖는 발광 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140036770A KR20150112485A (ko) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법 및 방열 구조를 갖는 발광 소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150112485A true KR20150112485A (ko) | 2015-10-07 |
Family
ID=54343735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140036770A KR20150112485A (ko) | 2014-03-28 | 2014-03-28 | 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법 및 방열 구조를 갖는 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20150112485A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017191943A1 (ko) * | 2016-05-02 | 2017-11-09 | 안상정 | 3족 질화물 반도체층 성장을 위한 템플릿, 3족 질화물 반도체 발광소자 및 이들을 제조하는 방법 |
| KR20170124483A (ko) * | 2016-05-02 | 2017-11-10 | 안상정 | 3족 질화물 반도체층 성장을 위한 템플릿, 3족 질화물 반도체 발광소자 및 이들을 제조하는 방법 |
| CN112018198A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 东泰高科装备科技有限公司 | 一种太阳能电池衬底结构及其太阳能电池和制备方法 |
-
2014
- 2014-03-28 KR KR1020140036770A patent/KR20150112485A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017191943A1 (ko) * | 2016-05-02 | 2017-11-09 | 안상정 | 3족 질화물 반도체층 성장을 위한 템플릿, 3족 질화물 반도체 발광소자 및 이들을 제조하는 방법 |
| KR20170124483A (ko) * | 2016-05-02 | 2017-11-10 | 안상정 | 3족 질화물 반도체층 성장을 위한 템플릿, 3족 질화물 반도체 발광소자 및 이들을 제조하는 방법 |
| US11552213B2 (en) | 2016-05-02 | 2023-01-10 | Wavelord Co., Ltd. | Template for growing group III-nitride semiconductor layer, group III-nitride semiconductor light emitting device, and manufacturing method therefor |
| CN112018198A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 东泰高科装备科技有限公司 | 一种太阳能电池衬底结构及其太阳能电池和制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4479809B2 (ja) | 発光素子、電子機器及び発光素子の製造方法 | |
| US20160111618A1 (en) | Optoelectronic device including improved thermal management | |
| WO2013161208A1 (ja) | 発光素子 | |
| KR20120028104A (ko) | Ⅲ족 질화물 나노로드 발광소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2010512017A (ja) | 電流拡散層を含む発光ダイオードの製造方法 | |
| JP2006074011A (ja) | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子を製造する方法 | |
| JP2009076896A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US20180248095A1 (en) | Bonding Structure for III-V Group Compound Device | |
| US9117983B2 (en) | Two terminal packaging | |
| KR101547969B1 (ko) | 나노 구조체 및 이를 포함하는 나노 디바이스 | |
| CN104465974A (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| KR20150112485A (ko) | 방열 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법 및 방열 구조를 갖는 발광 소자 | |
| JP2006525674A (ja) | 発光デバイス及びその作製方法 | |
| KR102075713B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
| JP2013012760A (ja) | Ｇａ２Ｏ３系半導体素子 | |
| JP6017035B2 (ja) | 金属拡散を防止する保護層付きの複合基板 | |
| US20090134380A1 (en) | Solid-state lighting element | |
| CN204216064U (zh) | 一种发光二极管 | |
| JP2007273590A (ja) | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP6153351B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR20120029171A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| TW201318233A (zh) | 發光二極體晶粒 | |
| KR101382238B1 (ko) | 반도체 발광 다이오드 | |
| KR20090021933A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| TWI443864B (zh) | Fabrication of crystalline structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |