CN204216064U - 一种发光二极管 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种发光二极管，所述发光二极管除包括：衬底、氮化镓基、反射镜层、多个电极孔洞、绝缘层、和电极结构外，还包括位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面的导热层，从而可以在所述发光二极管工作时，利用所述导热层对所述发光二极管工作过程中产生的热量进行散热，提高所述发光二极管的导热性，降低所述发光二极管工作时的温度，提高所述发光二极管的性能，使得所述发光二极管可以工作在更大的电流下，扩大所述发光二极管的使用范围。

Description

一种发光二极管

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

氮化镓基发光二极管(LED)由于其使用寿命长、节能，已经引起人们很大的关注和广泛应用，如汽车照明、室内照明、室外照明和街道照明。蓝宝石衬底作为LED外延生长的主要衬底，其导电性能和散热性能都比较差，从而导致氮化镓基器件的散热问题比较严重，影响了LED的性能。尤其是在大电流密度注入下，高的产热量严重影响了LED在大电流上的使用。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种发光二极管，以提高所述发光二极管的散热性能，从而降低所述发光二极管工作时的温度，提高所述发光二极管的性能，扩大其使用范围。

为解决上述问题，本实用新型实施例提供了如下技术方案：

一种发光二极管，包括：

衬底；

氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的第一氮化镓层，位于所述第一氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述第一氮化镓层一侧的第二氮化镓层；

多个电极孔洞，所述电极孔洞位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述第二氮化镓层和所述有源层，延伸至所述第一氮化镓层表面；

反射镜层，所述反射镜层位于所述第二氮化镓层背离所述有源层一侧表面；

绝缘层，所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁，且覆盖相邻电极孔洞之间反射镜层表面；

电极结构，所述电极结构包括：位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的第一电极，和位于未覆盖有所述绝缘层的反射镜层背离所述第二氮化镓层一侧表面的第二电极；

导热层，所述导热层位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面。

优选的，所述导热层包括：位于所述第一电极背离所述反射镜层一侧表面的第一导热层，和位于所述第二电极背离所述反射镜层一侧表面的第二导热层。

优选的，所述发光二极管还包括：

贯穿所述导热层的共晶层孔洞，所述共晶层孔洞包括：贯穿所述第一导热层的第一共晶层孔洞和贯穿所述第二导热层的第二共晶层孔洞；

完全填充所述第一共晶层孔洞和第二共晶层孔洞的共晶层。

优选的，所述第一共晶层孔洞与所述第二共晶层孔洞之间的距离不小于75μm。

优选的，所述发光二极管还包括：

位于所述第二氮化镓层与所述反射镜层之间的欧姆接触层。

优选的，所述发光二极管还包括：

位于所述反射镜层背离所述第二氮化镓层一侧表面的防扩散层，所述防扩散层部分位于所述第二氮化镓层与所述绝缘层之间，部分位于所述第二氮化镓层与所述第二电极之间。

优选的，所述导热层为类金刚石碳膜层。

优选的，所述导热层的厚度不小于1μm。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本实用新型实施例所提供的发光二极管除包括：衬底、氮化镓基、反射镜层、多个电极孔洞、绝缘层、和电极结构外，还包括位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面的导热层，从而可以在所述发光二极管工作时，利用所述导热层对所述发光二极管工作过程中产生的热量进行散热，提高所述发光二极管的导热性，降低所述发光二极管工作时的温度，提高所述发光二极管的性能，使得所述发光二极管可以工作在更大的电流下，扩大所述发光二极管的使用范围。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一个实施例所提供的发光二极管的结构示意图；

图2-图10为本实用新型一个实施例中所提供的发光二极管制作方法的流程示意图。

具体实施方式

正如背景技术部分所述，现有技术中氮化镓基器件的散热问题比较严重，影响了LED的性能。尤其是在大电流密度注入下，高的产热量严重影响了LED在大电流上的使用。

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种发光二极管，包括：

衬底；

氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底表面，包括：位于所述衬底表面的第一氮化镓层，位于所述第一氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述第一氮化镓层一侧的第二氮化镓层；

多个电极孔洞，所述电极孔洞位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述第二氮化镓层和所述有源层，延伸至所述第一氮化镓层表面；

反射镜层，所述反射镜层位于所述第二氮化镓层背离所述有源层一侧表面；

绝缘层，所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁，且覆盖相邻电极孔洞之间反射镜层表面；

电极结构，所述电极结构包括：位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的第一电极，位于未覆盖有所述绝缘层的反射镜层背离所述第二氮化镓层一侧表面的第二电极；

导热层，所述导热层位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面。

相应的，本实用新型实施例还提供了一种发光二极管的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成氮化镓基，所述氮化镓基包括：位于所述衬底表面的第一氮化镓层，位于所述第一氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述第一氮化镓层一侧的第二氮化镓层；

在所述氮化镓基内形成多个电极孔洞，所述电极孔洞完全贯穿所述第二氮化镓层和有源层，延伸至所述第一氮化镓层；

在所述第二氮化镓层背离所述有源层的一侧表面形成反射镜层；

在所述电极孔洞侧壁和相邻电极孔洞之间的反射镜层表面形成绝缘层；

在所述绝缘层表面和所述电极孔洞内形成第一电极，并在未覆盖有所述绝缘层的反射镜层背离所述第二氮化镓层的一侧形成第二电极，所述第一电极和第二电极统称为电极结构；

在所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面形成导热层。

由此可见，本实用新型实施例所提供的发光二极管中，除包括：衬底、氮化镓基、反射镜层、多个电极孔洞、绝缘层、和电极结构外，还包括位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面的导热层，从而可以在所述发光二极管工作时，利用所述导热层对所述发光二极管工作过程中产生的热量进行散热，提高所述发光二极管的导热性，降低所述发光二极管工作时的温度，提高所述发光二极管的性能，使得所述发光二极管可以工作在更大的电流下，扩大所述发光二极管的使用范围。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广。因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。

如图1所示，本实用新型实施例提供了一种发光二极管，包括：

衬底1，优选的，所述衬底1为蓝宝石衬底，但本实用新型对此并不做限定，具体视情况而定；

氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底1表面包括：位于所述衬底1表面的第一氮化镓层2，位于所述第一氮化镓层2背离所述衬底1一侧的有源层3，位于所述有源层3背离所述第一氮化镓层2一侧的第二氮化镓层4，其中，所述第一氮化镓层2和第二氮化镓层4的掺杂类型不同；

多个电极孔洞5，所述电极孔洞5位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述第二氮化镓层4和所述有源层3，延伸至所述第一氮化镓层2表面；

反射镜层7，所述反射镜层7位于所述第二氮化镓层4背离所述有源层3一侧表面；

绝缘层9，所述位于所述电极孔洞5侧壁，且覆盖相邻电极孔洞5之间反射镜层7表面；

电极结构，所述电极结构包括：位于所述绝缘层9表面且完全填充所述电极孔洞5的第一电极10，和位于未覆盖有所述绝缘层9的反射镜层7背离所述第二氮化镓层4一侧表面的第二电极11；

导热层12，所述导热层12位于所述电极结构背离所述反射镜层7一侧表面。

在本实用新型实施例中，所述氮化镓基用于产生LED光线，所述反射镜层7用于对所述氮化镓基射向所述反射镜层7一侧的光线进行反射，使其从所述衬底1的一侧射出，提高所述发光二极管的发光效率。优选的，所述反射镜层7的材料为Ni或Ag，但本实用新型对此并不做限定，只要为具有反射性的导电材料即可。

由于所述发光二极管中的热量主要产生于所述氮化镓基中，且所述衬底1的导热性能较差，而本实用新型实施例所提供的发光二极管中还包括导热层12，从而使得所述氮化镓基中产生的热量可以通过所述导热层12，散发到外界中，提高了所述发光二极管的导热性，降低所述发光二极管工作时的温度，提高所述发光二极管的性能，使得所述发光二极管可以工作在更大的电流下，扩大所述发光二极管的使用范围。

由于类金刚石碳膜的导热系数为600W/mK，故在本实用新型的一个优选实施例中，所述导热层12为类金刚石碳膜层，或石墨层，或类金刚石碳膜与石墨的复合层，但本实用新型对此并不做限定，只要为具有良好导热性的材料均可。更优选的，所述导热层12的厚度不小于1μm，以保证所述导热层12的导热效率，但本实用新型对此也不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，由于类金刚石碳膜(DLC)具有较小的热膨胀系数(2.3-4.7ppm/℃)，因此，当所述导热层12为类金刚石碳膜层时，所述导热层12还可以缓解所述发光二极管内的热应力，提高所述发光二极管的可靠性。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一氮化镓层2为N型氮化镓层，所述第二氮化镓层4为P型氮化镓层，在本实用新型的另一个实施例中，所述第一氮化镓层2为P型氮化镓层，所述第二氮化镓层4为N型氮化镓层，本实用新型对此并不做限定，具体视情况而定。下面以所述第一氮化镓层2为N型氮化镓层，所述第二氮化镓层4为P型氮化镓层为例，对本实用新型实施例所提供的发光二极管进行说明。则，在本实施例中，所述第一电极10为N型电极，所述第二电极11为P型电极。其中，所述第一电极10和第二电极11的材料均可以为Cr、Ni、Au、Pt、Ti、Al、Cu、Ag中的一种或任意组合的合金，本实用新型对此并不做限定，只要具有导电性即可。

在上述实施例的基础上，在本实用新型的一个实施例中，所述导热层12包括位于所述第一电极10背离所述反射镜层7一侧表面的第一导热层，和位于所述第二电极11背离所述反射镜层7一侧表面的第二导热层。在该实施例中，所述发光二极管还包括：贯穿所述导热层12的共晶层孔洞13，所述共晶层孔洞13包括：贯穿所述第一导热层的第一共晶层孔洞和贯穿所述第二导热层的第二共晶层孔洞，以及完全填充所述第一共晶层孔洞和第二共晶层孔洞的共晶层，其中，位于所述第一共晶层孔洞内的共晶层与所述第一电极10相接触，位于所述第二共晶层孔洞内的共晶层与所述第二电极11相接触，以便于通过所述共晶层使得所述发光二极管与外界电路板电连接。

优选的，所述共晶层的材料为AuSn合金，但本实用新型对此并不做限定，只要为导电材料即可。

由于AuSn合金具有一定的扩散性，故在上述实施例的基础上，在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一共晶层孔洞与所述第二共晶层孔洞之间的距离不小于75μm，以避免由于位于所述第一共晶层孔洞中的共晶层和位于所述第二共晶层孔洞内的共晶层的扩散作用，导致位于所述第一共晶层孔洞中的共晶层和位于所述第二共晶层孔洞内的共晶层电连接，进而导致所述第一电极10和第二电极11短路。

在上述任一实施例的基础上，在本实用新型的一个实施例中，所述发光二极管还包括：位于所述第二氮化镓层4与所述反射镜层7之间的欧姆接触层6，以提高所述第二氮化镓层4与所述反射镜层7之间的电连接性能。优选的，所述欧姆接触层6的材料为ITO或ZnO，更优选的，所述欧姆接触层6的厚度为50埃-1000埃，但本实用新型对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本实用新型的另一个实施例中，所述发光二极管还包括：位于所述反射镜层7背离所述第二氮化镓层4一侧表面的防扩散层8，所述防扩散层8部分位于所述第二氮化镓层4与所述绝缘层9之间，部分位于所述第二氮化镓层4与所述第二电极11之间，以防止所述反射镜层7中的导电粒子发生迁移而导致所述发光二极管漏电现象的发生。

优选的，所述防扩散层8的材料为Ni、、Ti、W或Pt，但本实用新型对此并不做限定，只要能起到防止导电粒子迁移的作用即可。

需要说明的是，在上述任一实施例中，所述绝缘层9的材料可以为二氧化硅(SiO2)，也可以为类金刚石碳膜(DLC)，本实用新型对此并不做限定，只要能起到绝缘作用即可。由于类金刚石碳膜(DLC)具有良好的导热性，故优选的，所述绝缘层9的材料为类金刚石碳膜(DLC)，从而在具有绝缘作用的基础上，进一步提高提高所述发光二极管的导热性，降低所述发光二极管工作时的温度，提高所述发光二极管的性能，使得所述发光二极管可以工作在更大的电流下，扩大所述发光二极管的使用范围。

还需要说明的是，在本实用新型实施例所提供的发光二极管可以用于倒装结构的LED中，也可以用于垂直结构的LED中，本实用新型对此并不做限定，具体视情况而定。

综上所述，本实用新型实施例所提供的发光二极管，在工作过程中，可以利用所述导热层12对所述发光二极管工作过程中产生的热量进行散热，提高所述发光二极管的导热性，降低所述发光二极管工作时的温度，提高所述发光二极管的性能，使得所述发光二极管可以工作在更大的电流下，扩大所述发光二极管的使用范围，且可靠性较高。

相应的，本实用新型实施例还提供了一种发光二极管的制作方法，应用于上述任一实施例所提供的发光二极管，该方法包括：

步骤1：提供衬底1，优选的，所述衬底1为蓝宝石衬底。

步骤2：如图2所示，在所述衬底1表面形成氮化镓基，所述氮化镓基包括：位于所述衬底1表面的第一氮化镓层2，位于所述第一氮化镓层2背离所述衬底1一侧的有源层3，位于所述有源层3背离所述第一氮化镓层2一侧的第二氮化镓层4。

具体的，在本实用新型一个实施例中，步骤2包括：

步骤201：利用MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积，Metal-organic Chemical Vapor DePosition)在所述衬底1上生长第一氮化镓层2；

步骤202：利用MOCVD在所述第一氮化镓层2背离所述衬底1的一侧生长有源层3；

步骤203：利用MOCVD在所述有源层3背离所述第一氮化镓层2的一侧生长第二氮化镓层4，其中，所述第一氮化镓层2与所述第二氮化镓层4的掺杂类型不同。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一氮化镓层2为N型氮化镓层，所述第二氮化镓层4为P型氮化镓层；在本实用新型的另一个实施例中，所述第一氮化镓层2为P型氮化镓层，第二氮化镓层4为N型氮化镓层，本实用新型对此并不做限定。

在本实用新型的其他实施例中，所述第一氮化镓层2、所述有源层3与所述第二氮化镓层4的形成工艺还可以为其他工艺，本实用新型对此也不做限定，具体视情况而定。

步骤3：如图3所示，在所述氮化镓基内形成多个电极孔洞5，所述电极孔洞5完全贯穿所述第二氮化镓层4和有源层3，延伸至所述第一氮化镓层2。

在本实用新型的一个具体实施例中，步骤3包括：利用黄光及等离子刻蚀或RIE刻蚀工艺刻蚀所述第二氮化镓层4和有源层3，直至暴露出所述第一氮化镓层2，形成电极孔洞5。其中，所述氮化镓基中电极孔洞5的数量优选为大于9个，更优选为均匀分布，但本实用新型对此并不做限定，具体视情况而定。

步骤4：如图4所示，在所述第二氮化镓层4背离所述有源层3的一侧表面形成反射镜层7。

在上述任一实施例的基础上，在本实用新型的一个实施例中，如图5所示，在步骤3和步骤4之间，该方法还包括：步骤8：所述第二氮化镓层4与所述反射镜层7之间形成欧姆接触层6，以提高所述第二氮化镓层4与所述反射镜层7之间的电连接性能。优选的，所述欧姆接触层6的材料为ITO或ZnO，更优选的，所述欧姆接触层6的厚度为50埃-1000埃，但本实用新型对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，当所述发光二极管包括欧姆接触层6时，所述反射镜层7位于所述欧姆接触层6背离所述第二氮化镓层4一侧表面。

在上述任一实施例的基础上，在本实用新型的另一个实施例中，如图6所示，该方法在步骤4之后还包括：在所述反射镜层7背离所述第二氮化镓层4一侧表面形成防扩散层8，以防止所述反射镜层7中的导电粒子发生迁移而导致所述发光二极管漏电现象的发生。

步骤5：如图7所示，在所述电极孔洞5侧壁和相邻电极孔洞5之间的反射镜层7表面形成绝缘层9。

在本实用新型的一个实施例中，步骤5包括：在所述电极孔洞5侧壁以及待形成第一电极10区域的反射镜层7表面形成绝缘层9。需要说明的是，当所述发光二极管包括防扩散层8时，所述绝缘层9位于所述电极孔洞5的侧壁，以及待形成第一电极10区域的防扩散层8和反射镜层7表面。

优选的，所述绝缘层9为二氧化硅层或金刚石碳膜层，更优选的，所述绝缘层9为DLC，但本实用新型对此并不做限定，只要其具有绝缘作用即可。在本实用新型一个优选实施例中，所述绝缘层9的厚度大于1微米，但本实用新型对此也不做限定，具体视情况而定。

步骤6：如图8所述，在所述绝缘层9表面和所述电极孔洞5内形成第一电极10，并在未覆盖有所述绝缘层9的反射镜层7背离所述第二氮化镓层4的一侧形成第二电极11，所述第一电极10和第二电极11统称为电极结构；

在本实用新型的一个具体实施例中，步骤6包括：在所述电极孔洞5内填充电极材料，并同时于所述绝缘层9背离所述反射镜层7一侧待形成第一电极10区域形成第一电极10，使得所述第一电极10与所述第一氮化镓层2形成欧姆接触；然后在所述绝缘层9的反射镜层7背离所述第二氮化镓层4的一侧待形成第二电极11的区域形成第二电极11，所述第一电极10和第二电极11统称为电极结构。

需要说明的是，当所述发光二极管包括防扩散层8时，所述防扩散层8部分位于所述第二氮化镓层4与所述绝缘层9之间，部分位于所述第二氮化镓层4与所述第二电极11之间。

步骤7：在所述电极结构背离所述反射镜层7表面形成导热层12。

如图9所示，在本实用新型一个实施例中，所述导热层12包括位于所述第一电极10背离所述反射镜层7一侧表面的第一导热层，和位于所述第二电极11背离所述反射镜层7一侧表面的第二导热层。

在本实用新型实施例中，在步骤7之后(即在形成导热层12之后)，该方法包括：

步骤10：继续如图9所示，在所述导热层12内形成共晶层孔洞13，所述共晶层孔洞13包括：贯穿所述第一导热层的第一共晶层孔洞和贯穿所述第二导热层的第二共晶层孔洞；

步骤11：如图10所示，在所述第一共晶层孔洞和第二共晶层孔洞内填充共晶层，其中，位于所述第一共晶层孔洞内的共晶层与所述第一电极10相接触，位于所述第二共晶层孔洞内的共晶层与所述第二电极11相接触，以便于通过所述共晶层使得所述发光二极管与外界电路板电连接。

优选的，所述共晶层的材料为AuSn合金，但本实用新型对此并不做限定，只要为导电材料即可。

需要说明的是，由于AuSn合金具有一定的扩散性，故在上述实施例的基础上，在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一共晶层孔洞与所述第二共晶层孔洞之间的距离不小于75μm，以避免由于位于所述第一共晶层孔洞中的共晶层和位于所述第二共晶层孔洞内的共晶层的扩散作用，导致位于所述第一共晶层孔洞中的共晶层和位于所述第二共晶层孔洞内的共晶层电连接，进而导致所述第一电极10和第二电极11短路。

综上所述，利用本实用新型实施例所提供的发光二极管制作方法制作的发光二极管，在工作过程中，可以利用所述导热层12对所述发光二极管工作过程中产生的热量进行散热，提高所述发光二极管的导热性，降低所述发光二极管工作时的温度，提高所述发光二极管的性能，使得所述发光二极管可以工作在更大的电流下，扩大所述发光二极管的使用范围，且可靠性较高。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；

氮化镓基，所述氮化镓基位于所述衬底表面包括：位于所述衬底表面的第一氮化镓层，位于所述第一氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层，位于所述有源层背离所述第一氮化镓层一侧的第二氮化镓层；

多个电极孔洞，所述电极孔洞位于所述氮化镓基内，完全贯穿所述第二氮化镓层和所述有源层，延伸至所述第一氮化镓层表面；

反射镜层，所述反射镜层位于所述第二氮化镓层背离所述有源层一侧表面；

绝缘层，所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁，且覆盖相邻电极孔洞之间反射镜层表面；

电极结构，所述电极结构包括：位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的第一电极，和位于未覆盖有所述绝缘层的反射镜层背离所述第二氮化镓层一侧表面的第二电极；

导热层，所述导热层位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导热层包括：位于所述第一电极背离所述反射镜层一侧表面的第一导热层，和位于所述第二电极背离所述反射镜层一侧表面的第二导热层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

贯穿所述导热层的共晶层孔洞，所述共晶层孔洞包括：贯穿所述第一导热层的第一共晶层孔洞和贯穿所述第二导热层的第二共晶层孔洞；

完全填充所述第一共晶层孔洞和第二共晶层孔洞的共晶层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一共晶层孔洞与所述第二共晶层孔洞之间的距离不小于75μm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

位于所述第二氮化镓层与所述反射镜层之间的欧姆接触层。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：

位于所述反射镜层背离所述第二氮化镓层一侧表面的防扩散层，所述防扩散层部分位于所述第二氮化镓层与所述绝缘层之间，部分位于所述第二氮化镓层与所述第二电极之间。

7.根据权利要求1-6任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述导热层为类金刚石碳膜层。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述导热层的厚度不小于1μm。