KR20150103684A - 프로브 장치 및 웨이퍼 반송 시스템 - Google Patents
프로브 장치 및 웨이퍼 반송 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150103684A KR20150103684A KR1020157018505A KR20157018505A KR20150103684A KR 20150103684 A KR20150103684 A KR 20150103684A KR 1020157018505 A KR1020157018505 A KR 1020157018505A KR 20157018505 A KR20157018505 A KR 20157018505A KR 20150103684 A KR20150103684 A KR 20150103684A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- nozzle
- gas
- semiconductor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
- G01R31/2867—Handlers or transport devices, e.g. loaders, carriers, trays
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
반도체 웨이퍼가 휘어져 있는 경우라도 반도체 웨이퍼를 흡착 유지함으로써, 반송 에러 등의 발생을 억제할 수 있는 프로브 장치를 제공한다. 프로브 장치(100)는, 측정부(110)와, 반송 유닛인 로더부(150)를 구비한다. 로더부(150)는, 로드 포트(152)에 배치되는 웨이퍼 카세트(151), 웨이퍼 반송 아암(161)을 갖는 웨이퍼 반송 기구(160), 기체 분출 노즐(155)을 갖는 기체 분출 기구(154)를 구비한다. 웨이퍼 반송 아암(161)이 웨이퍼 카세트(151) 내의 휘어짐이 있는 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 유지할 때, 기체 분출 노즐(155)이, 반도체 웨이퍼(W)의 상측의 대략 중앙부로부터 하측을 향하여 기체를 분출함으로써 반도체 웨이퍼(W)의 휘어짐을 감소시킨다.
Description
본 발명은 프로브 장치 및 웨이퍼 반송 시스템에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 프로브 장치가 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 행하기 위해 이용되고 있다. 이러한 프로브 장치로서는, 배치대 상의 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전극에 프로브를 접촉시켜 전기적인 측정을 행하는 측정부와, 웨이퍼 캐리어(웨이퍼 카세트 또는 FOUP)를 배치하는 로드 포트와, 웨이퍼 캐리어 및 배치대의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반송하는 반송 기구를 구비하는 반송 유닛을 구성에 가지며, 반송 기구로서는 웨이퍼 반송 아암을 구비하는 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 또한, 종래의 프로브 장치에 있어서, 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 반송 아암에 진공 흡착하여 반송하고 있다.
그러나, 반도체 웨이퍼가 휘어져 있는 경우, 반도체 웨이퍼를 진공 흡착할 수 없어 반송 에러가 되어 프로브 장치가 정지하여 버린다고 하는 문제가 있었다. 이와 같이 반도체 웨이퍼가 휨으로써 프로브 장치가 정지하는 문제는, 예컨대, 파워 반도체의 수요가 증가함에 따라 진행되는 반도체 웨이퍼의 박막화에 의해 심각화되는 것이 예상된다.
본 발명의 목적은, 반도체 웨이퍼가 휘어져 있는 경우라도 반도체 웨이퍼를 흡착 유지함으로써, 반송 에러 등의 발생을 억제할 수 있는 프로브 장치 및 웨이퍼 반송 시스템을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 측정을 배치대의 위에서 행하는 프로브 장치로서, 상기 배치대의 위에 배치된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 반도체 디바이스에 프로브를 접촉시켜 전기적인 측정을 행하는 측정부와, 상기 반도체 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 캐리어가 배치되는 로드 포트와, 상기 반도체 웨이퍼를 진공 흡착하는 흡착부를 가지고, 상기 웨이퍼 캐리어와 상기 배치대 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송 기구와, 상기 웨이퍼 캐리어가 수용하는 상기 반도체 웨이퍼를 상기 흡착부에 진공 흡착할 때에, 상기 반도체 웨이퍼의 상면에 기체를 분무하는 기체 분출 기구를 갖는 프로브 장치가 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 기체 분출 기구는, 상기 반도체 웨이퍼의 중앙부에 기체를 분무하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 기체 분출 기구는, 상기 기체를 분출하는 노즐을 구비하고, 상기 노즐의 기단부는, 상기 노즐의 전체가 상기 반도체 웨이퍼의 상방에 존재하지 않는 대기 위치와 상기 노즐의 선단부가 상기 반도체 웨이퍼의 상방에 위치하는 기체 분출 위치 사이에서 상기 노즐을 선회시키는 회전 구동 기구에 고정되어 있는 것이 바람직하다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 캐리어가 배치되는 로드 포트와, 상기 반도체 웨이퍼를 진공 흡착하는 흡착부를 가지고, 상기 웨이퍼 캐리어와 상기 배치대 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송 기구와, 상기 웨이퍼 캐리어가 수용하는 상기 반도체 웨이퍼를 상기 흡착부에 진공 흡착할 때에, 상기 반도체 웨이퍼의 상면에 기체를 분무하는 기체 분출 기구를 갖는 웨이퍼 반송 시스템이 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 기체 분출 기구는, 상기 반도체 웨이퍼의 중앙부에 기체를 분무하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 기체 분출 기구는, 상기 기체를 분출하는 노즐을 구비하고, 상기 노즐의 기단부는, 상기 노즐의 전체가 상기 반도체 웨이퍼의 상방에 존재하지 않는 대기 위치와 상기 노즐의 선단부가 상기 반도체 웨이퍼의 상방에 위치하는 기체 분출 위치 사이에서 상기 노즐을 선회시키는 회전 구동 기구에 고정되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼가 휘어져 있는 경우라도 반도체 웨이퍼를 흡착 유지할 수 있고, 따라서, 반송 에러 등의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 프로브 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 로더부의 구성을 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 3a는 도 2에 있어서의 기체 분출 노즐의 전체가 반도체 웨이퍼의 상방에 존재하지 않는 대기 위치를 설명하는 데 이용되는 도면이다.
도 3b는 도 2에 있어서의 기체 분출 노즐의 선단부가 반도체 웨이퍼의 중앙부 상방에 위치하는 기체 분출 위치를 설명하는 데 이용되는 도면이다.
도 4는 도 3b에 있어서의 기체 분출 노즐로부터 반도체 웨이퍼를 향하여 기체를 분출하는 에어 어시스트 처리의 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 도 3a 및 도 3b에 있어서의 반송 아암의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 아암을 이용하여 반도체 웨이퍼를 진공 흡착하는 방법을 설명하는 데 이용되는 도면이다.
도 2는 도 1에 있어서의 로더부의 구성을 개략적으로 나타내는 정면도이다.
도 3a는 도 2에 있어서의 기체 분출 노즐의 전체가 반도체 웨이퍼의 상방에 존재하지 않는 대기 위치를 설명하는 데 이용되는 도면이다.
도 3b는 도 2에 있어서의 기체 분출 노즐의 선단부가 반도체 웨이퍼의 중앙부 상방에 위치하는 기체 분출 위치를 설명하는 데 이용되는 도면이다.
도 4는 도 3b에 있어서의 기체 분출 노즐로부터 반도체 웨이퍼를 향하여 기체를 분출하는 에어 어시스트 처리의 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 도 3a 및 도 3b에 있어서의 반송 아암의 변형예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 아암을 이용하여 반도체 웨이퍼를 진공 흡착하는 방법을 설명하는 데 이용되는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 프로브 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 1의 프로브 장치(100)는, 측정부(110)와, 반송 유닛인 로더부(150)를 구비한다. 측정부(110)는, 전후, 좌우, 또는 상하로 이동할 수 있으며 반도체 웨이퍼(W)가 배치되는 배치대(111)를 구비하고, 배치대(111)의 구동에 의해 도시하지 않는 프로브 카드에 구비된 프로브와 반도체 웨이퍼(W)에 복수 형성된 반도체 디바이스의 전극이 접촉하여 반도체 디바이스의 전기적 특성을 측정한다.
로더부(150)는, 그 전방측(도 1에 있어서 하측)에 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 캐리어로서의 웨이퍼 카세트(151)를 배치하는 로드 포트(152)를 구비하고, 또한 로드 포트(152)에 인접하도록 웨이퍼 반송 기구(160)를 구비한다. 또한, 로더부(150)는, 그 후방측(도 1에 있어서 상측)에 위치 맞춤 기구(170)를 구비한다. 위치 맞춤 기구(170)는, 반도체 웨이퍼(W)를 회전시켜 반도체 웨이퍼(W)의 노치의 위치와 반도체 웨이퍼(W)의 편심의 상태를 검출한다.
웨이퍼 반송 기구(160)는 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 반송하기 위한 웨이퍼 반송 아암(161)을 구비하고, 웨이퍼 반송 아암(161)은 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하기 위한 흡착부(흡착 패드)(162)를 복수(본 실시형태에서는 2개) 구비한다. 흡착부(162)에는, 진공 펌프 등의 흡인원에 접속된 진공 라인(도 1에는 도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 아암(161)은 필요에 따라 상하로 중첩하여 복수 구비하여도 좋다.
웨이퍼 반송 기구(160)는, 웨이퍼 반송 아암(161)의 전후, 좌우, 또는 상하로의 이동 및 선회에 의해 로드 포트(152)에 배치된 웨이퍼 카세트(151), 위치 맞춤 기구(170), 및 측정부(110)의 배치대(111) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 반송한다.
로드 포트(152)는, 도시하지 않는 상하 이동 기구에 의해 자유롭게 상하 이동하고, 지지 프레임(153)은, 로드 포트(152)와 웨이퍼 반송 기구(160) 사이에 구비되며 도시하지 않는 광학 검출기를 구비한다. 그리고, 광학 검출기는, 로드 포트(152)에 배치된 웨이퍼 카세트(151)를 로드 포트(152)를 상하 이동시킴으로써 상하 이동시키면서 반도체 웨이퍼(W)의 유무를 검출하며, 반도체 웨이퍼(W)가 배치된 웨이퍼 카세트(151) 내의 슬롯을 검출한다.
또한, 상기 지지 프레임(153)은, 기체 분출 기구(154)를 구비하고 있다. 기체 분출 기구(154)는, 파이프형의 부재로 형성된 기체 분출 노즐(155)을 구비하고 있다(도 2, 도 3a, 및 도 3b). 기체 분출 노즐(155)의 기단부는, 지지 프레임(153)에 구비된 하기의 회전 구동 기구(156)에 고정되어 있다. 그리고, 회전 구동 기구(156)는, 기체 분출 노즐(155)의 전체가 반도체 웨이퍼(W)의 상방에 존재하지 않는 대기 위치(도 3a)와 기체 분출 노즐(155)의 선단부가 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부 상방에 위치하는 기체 분출 위치(도 3b) 사이에서, 회전 구동 기구(156)에 고정되어 있는 기체 분출 노즐(155)의 기단부를 축으로 기체 분출 노즐(155)을 선회시킬 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 웨이퍼 카세트(151)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 휘어짐이 있는 반도체 웨이퍼(W)를 수용 가능한 구성으로 되어 있고, 통상의 웨이퍼 카세트에 비해서 슬롯의 간격이 넓으며, 예컨대, 5배∼6배 정도(슬롯 피치가 예컨대 23 ㎜∼29 ㎜ 정도)로 설정되어 있다. 또한, 슬롯수는 통상의 웨이퍼 카세트에 비해서 적게 되어 있으며, 예컨대, 6∼8 정도로 되어 있다.
웨이퍼 카세트(151) 내의 휘어짐이 있는 반도체 웨이퍼(W)를 반송 기구(160)의 웨이퍼 반송 아암(161)으로 흡착 유지할 때는, 도 2 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 상측(상면)의 대략 중앙부로부터 기체 분출 노즐(155)에 의해 하측을 향하여 기체(본 실시형태에서는 공기)를 분출하여 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부를 기체의 압력으로 하방을 향하여 압박함으로써 반도체 웨이퍼(W)의 휘어짐을 감소시켜 웨이퍼 반송 아암(161)으로 반도체 웨이퍼(W)를 흡착한다.
구체적으로는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 중앙부가 상측을 향하여 볼록형이 되도록 휜 반도체 웨이퍼(W)를 반도체 웨이퍼(W)의 하측으로부터 웨이퍼 반송 아암(161)에 의해 흡착 유지하려고 하면, 웨이퍼 반송 아암(161)의 흡착부(162)와 반도체 웨이퍼(W)의 이면 사이에 간격이 생겨 버려 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 것이 곤란해진다. 따라서, 본 실시형태에서는, 기체 분출 노즐(155)이 반도체 웨이퍼(W)의 상측의 대략 중앙부로부터 하측을 향하여 기체를 분출하여, 웨이퍼 반송 아암(161)이 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부가 기체의 압력으로 압박되고 있는 상태의 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착한다. 이에 의해, 웨이퍼 반송 아암(161)은, 실질적으로 반도체 웨이퍼(W)의 휘어짐이 감소한 상태로 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여, 보다 높은 확률로 휘어짐이 있는 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 유지할 수 있다.
도 4는 도 3b에 있어서의 기체 분출 노즐(155)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 향하여 기체를 분출하는 에어 어시스트 처리의 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 4에 있어서, 우선, 회전 구동 기구(156)는, 대기 위치(도 3a)에 위치하는 기체 분출 노즐(155)을 선회시켜 기체 분출 노즐(155)의 선단부를 반도체 웨이퍼(W)의 중앙부 상방의 기체 분출 위치에 위치시키며(단계 S401), 웨이퍼 반송 기구(160)는, 웨이퍼 반송 아암(161)을 구동시켜 반도체 웨이퍼(W)의 하측에 삽입시킨다(단계 S402).
다음에, 기체 분출 기구(154)는, 기체 분출 노즐(155)의 선회가 완료하였는지의 여부를 판별하고(단계 S403), 단계 S403의 판별의 결과, 기체 분출 노즐(155)의 선회가 완료하였을 때(단계 S403에서 Yes)는, 기체 분출 노즐(155)로부터 반도체 웨이퍼(W)를 향하여 기체를 분출한다(이하, 「에어 어시스트」라고 함)(단계 S404).
한편, 기체 분출 노즐(155)의 선회가 완료되어 있지 않을 때(단계 S403에서 No)는, 「노즐 선회 이상」의 에러 표시를, 예컨대, 프로브 장치(100)의 외부에 접속되어 있는 표시 장치(도시되지 않음)에 표시하고(단계 S405), 본 처리를 종료한다.
계속되는 단계 S406에서는, 웨이퍼 반송 아암(161)이 구비하는 흡착부(162)에 진공 라인(도시하지 않음)을 통해 접속되어 있는 진공 펌프 등의 흡인원으로 이루어지는 진공 흡착 기구가 구동된다. 계속해서 로드 포트(152)의 상하 이동 기구가 구동되어 웨이퍼 카세트(151)를 하강시키고(단계 S407), 웨이퍼 반송 아암(161)은 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착한다.
계속해서, 회전 구동 기구(156)는, 웨이퍼 반송 아암(161)에 반도체 웨이퍼(W)가 진공 흡착되어 있는지의 여부를 판별하고(단계 S408), 단계 S408의 판별의 결과, 진공 흡착되어 있을 때(단계 S408에서 Yes)는, 기체 분출 노즐(155)을 선회시켜 대기 위치에 복귀시키고(단계 S409), 본 처리를 종료한다.
한편, 반도체 웨이퍼(W)가 진공 흡착되어 있지 않을 때는, 「흡착 에러」의 에러 표시를, 예컨대, 프로브 장치(100)의 외부에 접속되어 있는 표시 장치(도시되지 않음)에 표시하고(단계 S410), 본 처리를 종료한다.
상기 구성의 프로브 장치(100)에서는, 중앙부가 상측을 향하여 볼록형으로 휘어져 있는 반도체 웨이퍼(W)를 수용한 웨이퍼 카세트(151)가 로더부(150)의 로드 포트(152)에 배치되면, 로드 포트(152)의 상하 이동 기구가 구동되어 웨이퍼 카세트(151)는 상하 이동하고, 광학 검출기는 반도체 웨이퍼(W)가 수용되어 있는 웨이퍼 카세트(151) 내의 슬롯을 검출한다.
다음에, 웨이퍼 반송 아암(161)은, 기체 분출 기구(154)가 갖는 기체 분출 노즐(155)을 이용하여 에어 어시스트를 행함으로써 휘어짐이 경감된 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여, 위치 맞춤 기구(170)에 반송한다. 그리고, 위치 맞춤 기구(170)는 반도체 웨이퍼(W)의 노치를 검출함으로써 반도체 웨이퍼(W)의 위치를 검지한다.
이어서, 웨이퍼 반송 아암(161)은, 위치 맞춤 기구(170)에 의해 위치가 검지된 반도체 웨이퍼(W)를 위치 맞춤 기구(170)로부터 취출하여 측정부(110)의 배치대(111) 상에 배치한다.
그리고, 배치대(111) 상의 반도체 웨이퍼(W)는, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스에 프로브 카드의 프로브를 접촉시킴으로써 전기적 특성에 대해서 검사된다. 구체적으로는, 반도체 디바이스의 전기적 특성의 검사는, 도시하지 않는 테스터로부터 테스트 신호를 반도체 디바이스에 공급하며, 반도체 디바이스로부터 테스터에 출력된 출력 신호를 측정함으로써 행해진다.
반도체 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스의 전기적 특성의 검사가 종료하면, 웨이퍼 반송 아암(161)은, 배치대(111) 상의 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 카세트(151)에 수용한다.
즉, 도 4의 처리에 따르면, 휘어짐이 있는 반도체 웨이퍼(W)를 향하여 기체를 분출하는 에어 어시스트를 행하기(단계 S404) 때문에, 웨이퍼 반송 아암(161)은, 휘어짐이 경감된 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 유지할 수 있고, 따라서 반송 에러의 발생을 억제할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 중앙부가 상측을 향하여 볼록형으로 휘어져 있는 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 경우에 대해서 설명하였지만, 반대로 중앙부가 하측을 향하여 오목형으로 휘어져 있는 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 경우는, 예컨대, 도 5에 나타내는 구성의 반송 아암(161a)을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 도 5에 나타내는 웨이퍼 반송 아암(161a)은, 도 1, 도 3a 및 도 3b 등에 나타낸 반송 아암(161)의 2개의 흡착부(162)에 더하여 길이 방향 후단측에 더욱 2개의 흡착부(162a)를 구비하고 있어, 합계 4개의 흡착부(162, 162a)를 가지고 있다. 또한, 흡착부(162)에는 진공 라인(163)이 접속되며 흡착부(162a)에는 진공 라인(163a)이 접속되어 있어, 흡착부(162)와 흡착부(162a)의 진공 흡착은 각각 독립적으로 행할 수 있다.
상기 구성의 웨이퍼 반송 아암(161a)을 이용하면, 예컨대, 도 6에 나타내는 바와 같이, 중앙부가 하측을 향하여 오목형으로 휘어져 있는 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착할 때에 선단측의 흡착부(162)만으로는 진공 흡착할 수 없는 경우라도, 후단측의 흡착부(162a)가 진공 흡착함으로써 웨이퍼 반송 아암(161a)이 반도체 웨이퍼(W)를 흡착 유지할 수 있는 경우가 있다. 또한, 후단측의 흡착부(162a)에서 반도체 웨이퍼(W)가 진공 흡착되는 것에 따라, 선단측의 흡착부(162)에서도 반도체 웨이퍼(W)가 진공 흡착되는 경우가 있고, 이 경우는, 후단측의 흡착부(162a)와 선단측의 흡착부(162)의 쌍방을 사용하여 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착한다. 또한, 후단측의 흡착부(162a) 및 선단측의 흡착부(162) 중 어느 한쪽만이 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하는 경우는, 진공 흡착하고 있는 흡착부를 포함하는 진공 흡착 기구만을 구동시킬 수 있다.
이상 본 발명을 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 각종 변형이 가능하다. 예컨대, 전술한 프로브 장치(100)의 측정부는, 외부 기기가 접속됨으로써 구성되어 있어도 좋고, 본 발명은, 상기 외부 기기와 전술한 실시형태의 기능을 실현시키는 기기로 구성되는 웨이퍼 반송 시스템이어도 좋다.
본 출원은, 2013년 1월 9일에 출원된 일본 출원 제2013-001998호에 기초한 우선권을 주장하는 것으로, 상기 일본 출원에 기재된 전체 내용을 본 출원에 원용한다.
100 프로브 장치
110 측정부
111 배치대
150 로더부
151 웨이퍼 카세트
152 로드 포트
153 지지 프레임
154 기체 분출 기구
155 기체 분출 노즐
156 회전 구동 기구
160 웨이퍼 반송 기구
161 웨이퍼 반송 아암
162 흡착부
170 위치 맞춤 기구
110 측정부
111 배치대
150 로더부
151 웨이퍼 카세트
152 로드 포트
153 지지 프레임
154 기체 분출 기구
155 기체 분출 노즐
156 회전 구동 기구
160 웨이퍼 반송 기구
161 웨이퍼 반송 아암
162 흡착부
170 위치 맞춤 기구
Claims (6)
- 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 측정을 배치대의 위에서 행하는 프로브 장치에 있어서,
상기 배치대의 위에 배치된 상기 반도체 웨이퍼의 상기 반도체 디바이스에 프로브를 접촉시켜 전기적인 측정을 행하는 측정부;
상기 반도체 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 캐리어가 배치되는 로드 포트;
상기 반도체 웨이퍼를 진공 흡착하는 흡착부를 가지고, 상기 웨이퍼 캐리어와 상기 배치대의 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송 기구; 및
상기 웨이퍼 캐리어가 수용하는 상기 반도체 웨이퍼를 상기 흡착부에 진공 흡착할 때에, 상기 반도체 웨이퍼의 상면에 기체를 분무하는 기체 분출 기구
를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기체 분출 기구는, 상기 반도체 웨이퍼의 중앙부에 기체를 분무하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 프로브 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기체 분출 기구는, 상기 기체를 분출하는 노즐을 구비하고,
상기 노즐의 기단부는, 상기 노즐의 전체가 상기 반도체 웨이퍼의 상방에 존재하지 않는 대기 위치와 상기 노즐의 선단부가 상기 반도체 웨이퍼의 상방에 위치하는 기체 분출 위치 사이에서 상기 노즐을 선회시키는 회전 구동 기구에 고정되는 것을 특징으로 하는 프로브 장치. - 웨이퍼 반송 시스템에 있어서,
반도체 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 캐리어가 배치되는 로드 포트;
상기 반도체 웨이퍼를 진공 흡착하는 흡착부를 가지고, 상기 웨이퍼 캐리어와 배치대 사이에서 상기 반도체 웨이퍼를 반송하는 웨이퍼 반송 기구; 및
상기 웨이퍼 캐리어가 수용하는 상기 반도체 웨이퍼를 상기 흡착부에 진공 흡착할 때에, 상기 반도체 웨이퍼의 상면에 기체를 분무하는 기체 분출 기구
를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 반송 시스템. - 제4항에 있어서,
상기 기체 분출 기구는, 상기 반도체 웨이퍼의 중앙부에 기체를 분무하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 반송 시스템. - 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 기체 분출 기구는, 상기 기체를 분출하는 노즐을 구비하고,
상기 노즐의 기단부는, 상기 노즐의 전체가 상기 반도체 웨이퍼의 상방에 존재하지 않는 대기 위치와 상기 노즐의 선단부가 상기 반도체 웨이퍼의 상방에 위치하는 기체 분출 위치 사이에서 상기 노즐을 선회시키는 회전 구동 기구에 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 반송 시스템.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2013-001998 | 2013-01-09 | ||
JP2013001998A JP2014135363A (ja) | 2013-01-09 | 2013-01-09 | プローブ装置及びウエハ搬送ユニット |
PCT/JP2013/084000 WO2014109196A1 (ja) | 2013-01-09 | 2013-12-12 | プローブ装置及びウエハ搬送システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150103684A true KR20150103684A (ko) | 2015-09-11 |
Family
ID=51166855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157018505A KR20150103684A (ko) | 2013-01-09 | 2013-12-12 | 프로브 장치 및 웨이퍼 반송 시스템 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150362546A1 (ko) |
JP (1) | JP2014135363A (ko) |
KR (1) | KR20150103684A (ko) |
CN (1) | CN104919582A (ko) |
TW (1) | TW201438131A (ko) |
WO (1) | WO2014109196A1 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016127086A (ja) | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板吸着補助部材及び基板搬送装置 |
CN106873195B (zh) * | 2015-12-11 | 2020-10-30 | De&T株式会社 | 探针单元更换装置 |
CN107546142B (zh) * | 2016-06-28 | 2024-03-29 | 南京卓胜自动化设备有限公司 | 一种连续型硅片或电池片检测分类装置 |
CN114420623B (zh) * | 2022-03-31 | 2022-06-07 | 三河建华高科有限责任公司 | 一种适用于翘曲晶圆取放的机械手结构 |
CN118136574B (zh) * | 2024-03-20 | 2024-10-08 | 迈睿捷(南京)半导体科技有限公司 | 一种具有清洁功能的晶圆传输机械手 |
CN118311304B (zh) * | 2024-06-07 | 2024-09-17 | 深圳市森美协尔科技有限公司 | 翘曲晶圆的承载机构及探针台 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH062267Y2 (ja) * | 1988-02-12 | 1994-01-19 | 住友重機械工業株式会社 | ウエハ露光用ハンドリング装置 |
US5404111A (en) * | 1991-08-03 | 1995-04-04 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus with a swinging holder for an object of examination |
JPH0669295A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プローブシステム |
JP4283926B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2009-06-24 | 株式会社アルバック | ウエハカセットのウエハ保持システム |
JP2003104547A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
DE102004057215B4 (de) * | 2004-11-26 | 2008-12-18 | Erich Reitinger | Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer Sondenkarte unter Verwendung eines temperierten Fluidstrahls |
JP4676925B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2011-04-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 基板搬送装置およびそれを用いた基板搬送方法 |
JP5120027B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置及びプロービング方法 |
JP5554013B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2014-07-23 | リンテック株式会社 | 板状部材の搬送装置及び搬送方法 |
-
2013
- 2013-01-09 JP JP2013001998A patent/JP2014135363A/ja active Pending
- 2013-12-12 US US14/758,378 patent/US20150362546A1/en not_active Abandoned
- 2013-12-12 KR KR1020157018505A patent/KR20150103684A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-12-12 CN CN201380069961.1A patent/CN104919582A/zh active Pending
- 2013-12-12 WO PCT/JP2013/084000 patent/WO2014109196A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-01-08 TW TW103100578A patent/TW201438131A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014135363A (ja) | 2014-07-24 |
TW201438131A (zh) | 2014-10-01 |
US20150362546A1 (en) | 2015-12-17 |
WO2014109196A1 (ja) | 2014-07-17 |
CN104919582A (zh) | 2015-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20150103684A (ko) | 프로브 장치 및 웨이퍼 반송 시스템 | |
JP4104099B2 (ja) | プローブカード搬送機構 | |
KR101839366B1 (ko) | 프로브핀 본딩 장치용 본딩유닛 | |
KR101208137B1 (ko) | 프로브 장치 | |
KR101691100B1 (ko) | 워크의 특성 측정 장치 및 워크의 특성 측정 방법 | |
TWI723362B (zh) | 電子零件封裝裝置 | |
KR101752765B1 (ko) | 전자부품 실장장치 | |
CN110870057B (zh) | 基板保持装置 | |
TW201329471A (zh) | 基板檢查裝置 | |
JP2023115122A (ja) | 基板処理装置および基板搬送方法 | |
US8674712B2 (en) | Apparatus for driving placing table | |
JP2013191741A (ja) | プローブ装置及びプローブ装置のプローブカード装着方法 | |
JP2012116528A (ja) | テーピングユニット及び電子部品検査装置 | |
CN111312618B (zh) | 检查装置和检查方法 | |
KR101766594B1 (ko) | 어댑터 유닛 내장 로더실 | |
JP2000200810A (ja) | プロ―バ | |
JP2008153458A (ja) | 電子部品の移載装置及び表面実装機 | |
JPH0854444A (ja) | 検査装置及びその方法 | |
JP2001144165A (ja) | ガラス基板用非接触アライメント装置 | |
JP2017142091A (ja) | 基板検査装置及び基板検査方法 | |
JPH01248632A (ja) | 測定方法 | |
JP2016219608A (ja) | 実装装置及びその制御方法 | |
JPH10144753A (ja) | 基板処理装置 | |
CN116367976A (zh) | 工业用机器人 | |
JP2002277511A (ja) | 半導体デバイス自動検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |