KR20150095737A - 펄스 조명을 사용한 동영상들의 고속 획득을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

펄스 조명을 사용한 동영상들의 고속 획득을 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150095737A
KR20150095737A KR1020157017888A KR20157017888A KR20150095737A KR 20150095737 A KR20150095737 A KR 20150095737A KR 1020157017888 A KR1020157017888 A KR 1020157017888A KR 20157017888 A KR20157017888 A KR 20157017888A KR 20150095737 A KR20150095737 A KR 20150095737A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
illumination
tdi
image sensor
image
mode
Prior art date
Application number
KR1020157017888A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101975081B1 (ko
Inventor
데이빗 엘 브라운
융-호 알렉스 추앙
유리 유디츠키
Original Assignee
케이엘에이-텐코 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 케이엘에이-텐코 코포레이션 filed Critical 케이엘에이-텐코 코포레이션
Publication of KR20150095737A publication Critical patent/KR20150095737A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101975081B1 publication Critical patent/KR101975081B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H04N5/3742
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745Circuitry for generating timing or clock signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/768Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors for time delay and integration [TDI]
    • H04N5/2256
    • H04N5/3743
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8896Circuits specially adapted for system specific signal conditioning
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676Masks, reticles, shadow masks
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)

Abstract

계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작하는 방법이 설명된다. 본 방법에서, 시간 지연 적분 모드(TDI-모드) 동작은 연장-시간 조명 펄스 동안 수행될 수 있다. 이러한 TDI-모드 동작 동안, 이미지 센서의 픽셀들에 의해 저장되는 전하들은 제 1 방향에서만 시프트되며, 이미지 모션을 추적한다. 두드러지게, 분리-판독 동작은 비-조명 동안만 수행된다. 이러한 분리-판독 동작 동안, 이미지 센서의 제 1 픽셀들에 의해 저장되는 제 1 전하들은 제 1 방향에서 시프트되며 이미지 센서의 제 2 픽셀들에 의해 저장되는 제 2 전하들은 제 2 방향에서 동시에 시프트되며, 제 2 방향은 제 1 방향에 대해 반대편이다.

Description

펄스 조명을 사용한 동영상들의 고속 획득을 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR HIGH SPEED ACQUISITION OF MOVING IMAGES USING PULSED ILLUMINATION}
본 출원은 2012년 12월 10일에 출원된 "Method And Apparatus For High Speed Acquisition Of Moving Images Using Pulsed Illumination"이란 명칭의 미국 가 특허출원번호 제 61/735,427 호의 우선권을 주장한다.
본 발명은 고속 이미지 스캐닝(high-speed image scanning)을 허용하면서 시간 지연 적분(timed delay integration) 및 펄스 조명(pulsed illumination)을 사용하도록 구성되는 시스템들에 관한 것이다.
시간 지연 적분(TDI)은 이미징 하드웨어(imaging hardware)의 시야보다 훨씬 더 클 수 있는 이동 객체들(moving objects)의 연속 이미지를 생산하는 이미징 프로세스이다. TDI 시스템에서, 이미지 광자들(photons)은 픽셀들의 어레이를 포함하는 센서(sensor)에서 광전하들(photocharges)로 변환된다. 객체가 이동됨에 따라, 광전하들은 이동 축에 평행하게, 센서 아래로 픽셀 사이에서 시프트된다. 광전하 시프트 레이트(shift rate)를 객체의 속도와 동기화함으로써, TDI는 이미지를 발생시키기 위해 동영상 위에 고정 포지션(fixed position)에서 신호 강도를 적분할 수 있다. 총 적분 시간은 이미지 모션(motion)의 속도를 변경함으로써 그리고 이동 방향에서 더 많은/더 적은 픽셀들을 제공함으로써 조절될 수 있다. 종래의 TDI 조사(inspection) 시스템들에서, 적분 신호를 판독해내기 위해 센서의 일 측 상에 판독 회로들이 포지셔닝된다. TDI 조사 시스템들은 웨이퍼들, 마스크들 및/또는 레티클들(reticles)을 조사하기 위해 사용될 수 있다.
연속적인 조명 및 이동 객체를 가지는 시스템에서, TDI는 기록 이미지가 흐릿해지지(blurred) 않도록 이미지 움직임에 정밀하게 동기화되어야 한다. 본 시스템의 일 단점은 센서의 판독이 단지 일 방향, 즉 이미지 모션에 대응하는 방향에 있을 수 있으며, 조명 펄스 동안 객체에서와 동일한 스캔 레이트에서 동작해야 한다. 펄스 조명 및 이동 객체를 가지는 시스템에서, 이미지는 전체 센서 영역에 걸쳐 거의 실시간으로 수집될 수 있다. 이미지는 그 후에 센서의 양쪽 측들을 따라 판독될 수 있으며, 그에 의해 효과적으로 판독 속도를 2배로 한다. 판독 라인 레이트는 또한 판독 속도를 더 증가시킬 수 있는 최종 이미지 품질을 타협하지 않고서 이미지 스캔 레이트보다 더 빠를수 있다. 본 시스템의 중대한 단점은 동영상이 노출 시간 동안 블러(blur)를 생산하지 않도록 조명 펄스가 매우 짧아야 한다는 것이다. 펄스 조명 시간이 센서 라인 주기에 접근함에 따라, 이미지 모션은 상당한 블러를 야기하기 시작할 것이며, 이미지는 그 임계값을 심하게 벗어나 품질저하될 것이다. 매우 짧은 펄스들을 사용하는 본 시스템의 다른 단점은 센서 상의 결함있는 픽셀 위치들에서의 이미지 정보가 복구될 수 없다는 것이다.
따라서, 계속적으로 이동하는 객체, 펄스 조명, 빠른 판독 능력 및 센서 픽셀들이 결함있는 이미지 정보의 복구를 제공하는 방법 및 장치에 대한 필요성이 존재한다.
계속적으로 이동하는 객체를 가지는 이미지 센서를 동작시키는 방법이 설명된다. 본 방법에서, 시간 지연 적분 모드(TDI-모드) 동작이 연장-시간(extended-time) 조명 펄스 동안 수행될 수 있다. 이러한 TDI 모드 동작 동안, 이미지 센서의 픽셀들에 의해 저장되는 모든 전하들은 제 1 방향에서만 시프트되며, 이미지 모션을 추적한다. 두드러지게, 비-조명(non-illumination) 동안만 분리-판독(split-readout) 동작이 수행된다. 이러한 분리-판독 동작 동안, 이미지 센서의 제 1 픽셀들에 의해 저장되는 제 1 전하들이 제 1 방향에서 시프트되며 이미지 센서의 제 2 픽셀들에 의해 저장되는 제 2 전하들이 그와 동시에 제 2 방향에서 시프트되며, 제 2 방향은 제 1 방향에 대해 반대편이다.
TDI-모드 동작은 조명 펄스와 동기화된다. 일 실시예에서, TDI-모드 동작은 전자 또는 광학 동기화를 사용하여 조명 펄스의 일 클록 주기 내에서 시작하도록 트리거된다. TDI-모드 동작의 시간은 펄스 조명의 주기를 포함한다. 분리-판독 동작 동안, 이미지 센서 전하 이동은 이미지 모션과 동기화되지 않는다. 일 실시예에서, 분리-판독 동작을 수행하는 것은 복수의 센서 출력 채널들의 병렬 판독을 포함할 수 있다.
객체 및 센서 판독의 동기화를 용이하게 하기 위해, 또는 검출 시스템의 파워 소모를 감소시키기 위해 TDI-모드 동작 및 분리-판독 동작 전에(그리고 일 실시예에서, 또한 TDI-모드 동작과 분리-판독 동작 사이에) 휴지 동작이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 조명 간격은 복수의 조명 펄스들을 포함할 수 있다. 하나 이상의 TDI 라인 주기들에 걸쳐 연장하는 복수의 조명 펄스들에 대응하는 픽셀 출력들을 분석하는 것은 이미지 센서 상의 픽셀 결함들 근처의 이미지 품질을 개선할 수 있다.
조사 또는 계측을 위한 시스템이 또한 설명된다. 본 시스템은 펄스 조명원(pulsed illumination source), 이미지 센서, 광학 컴포넌트들(optical components) 및 프로세서를 포함한다. 조명 펄스는 센서의 라인 주기와 유사하거나 더 길 수 있다. 광학 컴포넌트들은 펄스 조명원으로부터 객체로의 펄스 조명을 지시하도록, 그리고 객체로부터 이미지 센서에 반사 광을 지시하도록 구성되다. 프로세서는 이미지 센서를 동작시키도록 구성된다. 구성은 상술한 바와 같은 TDI-모드 동작 및 분리-판독 동작을 포함하는 프로세스를 수행하는 것을 포함한다.
도 1은 계속적으로 이동하는 객체로 펄스 조명을 사용하는 예시적인 스캐닝 조사 시스템을 예시한다.
도 2a는 독립적으로 동작될 수 있는 2개 측들을 가지는 예시적인 이미지 센서를 예시한다.
도 2b는 이미지 센서를 위해 사용될 수 있는 예시적인 CD 게이트들의 동작을 예시한다.
도 3a는 펄스 조명을 가지는 시스템에서 3-상(three-phase) CCD를 위한, 3개의 별개 동작 모드들을 가지는 예시적인 타이밍도를 예시한다.
도 3b는 CCD 구동 신호들의 시퀀스에 기초하여 센서 이미지 수집 및 스토리지 구역에서 서로 다른 방향들에서 시프트된다.
도 4는 3-상 CCD를 위한 예시적인 구동 신호들 및 상대적 타이밍을 예시한다.
도 1은 웨이퍼, 마스크 또는 레티클과 같은 계속적으로 이동하는 객체(101)를 가지는 펄스 조명원(106)을 사용하도록 구성되는 예시적인 시스템(100)을 예시한다. 유용하게, 펄스 조명(106)은 긴 펄스일 수 있다. 펄스 조명(106)을 위한 예시적인 소스들은 Q-스위치(Q-switched) 레이저 또는 펄스 램프를 포함할 수 있다. Q-스위치 레이저는 극도로 높은 피크 파워를 가지는 광 펄스들을 생산하기 위해 레이저의 광학 공진기(optical resonator) 내의 가변 감쇠기(variable attenuator)를 사용한다. 이들 광 펄스들은 연속 모드에서 동작하는 동일한 레이저에 의해 생산되는 것들보다 훨씬 더 높다. 펄스 램프는 딥 자외선(deep ultraviolet: DUV) 익사이머(excimer) 또는 익스트림 자외선(extreme ultraviolet: EUV) 소스에 의해 구현될 수 있다. 일 바람직한 실시예에서, 펄스 지속기간은 TDI의 라인 주기에 가깝거나 더 길다. 1 마이크로초의 라인 주기 동안, 적합한 조명은 500ns에 근접할 수 있거나, 10 또는 심지어 100 마이크로초를 넘어설 수 있으며, 이것은 본 발명의 설명 방법에서의 상당한 이점이다.
시스템(100)에서, 빔 스플리터(beam splitter)(107)는 펄스 조명원(106)으로부터 대물 렌즈(objective lens)(104)에 조명 펄스들을 지시할 것이며, 대물 렌즈(104)는 그 광을 객체(101)에 포커싱할 것이다. 객체(101)로부터의 반사 광은 그 후에 이미지 센서(110)에 지시될 것이다. 광의 지시 및 포커싱을 위한 다른 잘-알려진 광학 컴포넌트들은 도 1에서 간략성을 위해 도시되지 않음을 주목한다. 예를 들어, 둘 다 본원에 인용에 의해 통합되는 1998년 2월 10일에 발행된 미국 특허번호 제 5,717,518 호 및 2012년 7월 9일에 출원된 미국 특허출원번호 제 13/554,954 호는 시스템(100)에 사용될 수 있는 예시적인 광학 컴포넌트들을 설명한다. 이미지 센서(110)에 커플링되는 프로세서(120)는 이미지 센서(110) 사이의 제어 및 데이터 신호들뿐 아니라 (이하에 상세하게 설명된) 이미지 데이터의 분석과 펄스 조명 소스(106)로부터의 조명 펄스들의 동기화를 제공하도록 구성된다. 상술한 구성에서, 객체(101)는 객체 모션(103)을 가지며 이미지 센서(110)는 이미지 모션(109)을 가진다.
시스템(100)의 일 양상에 따르면, 객체 모션(103) 때문에, 조명 구역은 조명 구역(102a)(예를 들어, 시간 주기(N)), 이전에 조명된 구역(102b)(예를 들어, 시간 주기(N-1)) 및 이전에 조명된 구역(102c)(예를 들어, 시간 주기(N-2))에 의해 표시된 바와 같이 객체(101)에 걸쳐 계속적으로 이동할 것이다. 조명 구역들(102a, 102b 및 102c)의 각각은 얇은 직사각-형상 구역(조망의 편의를 위해 실척으로 도시되지 않음)일 수 있다. 구역들은 명확성을 위해 분리된 것으로 도시되지만, 100% 이미징 커버리지, 또는 결함 검출 동안 추가적인 리던던시(redundancy) 및 수행을 위해 제공하도록 중복할 수 있다.
도 2a는 이미지 구역(203)의 어느 한 쪽 상에 포지셔닝되는 판독 회로들(201A 및 201B)의 2개 세트들을 포함하는 예시적인 분리-판독 이미지 센서(110)를 예시한다. 판독 회로들(201A 및 201B)은 직렬 레지스터들(202A 및 202B) 및 판독 증폭기들(204A 및 204B)뿐 아니라 전달 게이트들과 같은 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 판독 회로들(201A 및 201B)뿐 아니라 센서(110)의 다른 컴포넌트들의 예시적인 실시예들은 본원에 인용에 의해 통합되는 2009년 10월 27일 발행된 "Continuous Clocking of TDI Sensors"란 명칭의 미국 특허번호 제 7,609,309 호에 설명된다. 이미지 구역(203)은 픽셀들의 2-차원(2D) 어레이이며, 이미지의 각 라인은 각 방향(A 및 B)에서 동시에 판독된다. 각 라인은 그 후에 가장 단순한 경우에 한번에 한 픽셀씩 판독된다. 따라서, 바람직한 실시예들에서, 직렬 레지스터들(serial registers)(202A 및 202B)은 복수의 레지스터 세그먼트들로 분할될 수 있다(예를 들어, 도 2A는 각 직렬 레지스터가 6개의 세그먼트들로 분할되는 것을 도시하며, 그에 의해 복수의 증폭기들(204A 및 204B)을 사용한 병렬 판독을 허용한다).
두드러지게, 판독 회로들(201A 및 201B)은 독립적으로 동작될 수 있으며, 그에 의해 이미지 센서(110)가 2개의 판독 방향들(A 및 B)을 제공하게 허용한다. 분리-판독 모드에서, 이미지 구역(203)의 각 측(즉, 측면들(203A 및 203B))은 하나의 이미지 라인을 그들의 각각의 출력 채널들로 판독하기 위해 동기적으로 클로킹될 수 있다. 일 실시예에서, 이미지 구역(203)은 1000개의 라인들을 가질 수 있으며, 각 라인은 픽셀들의 열에 의해 형성된다. 따라서, 분리-판독 모드 동안, 500개 라인들이 방향(A)에서 판독될 수 있으며, 동시에 500개 라인들이 방향(B)에서 판독될 수 있다.
이러한 분리-판독 모드는 이미지 센서(110)에서의 전하-커플링 디바이스(charge-coupled device: CCD) 구동기들의 시간 활성화에 기초하여 가능하다. 예를 들어, 복수의 CCD 구동기들(P1a, P2a, P3a, P1b, P2b 및 P3b)은 위상들(phases)을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 도 2b에 도시된 바와 같이, CCD 구동기들(P1a, P2a, P3a, P1b, P2b 및 P3b)은 게이트 전극들(이하에서는 게이트들)의 구동 세트들로서 특성화될 수 있으며, 각 세트는 6개 게이트들을 가진다. 이미지 센서(110)의 하나의 바람직한 실시예에서, 3개의 위상들을 제공하기 위해 각 픽셀에 대해 3개의 게이트들이 제공된다. 도 2b에서, 2개의 픽셀들(210 및 211)이 도시되며, 여기서 게이트들(231, 232 및 233)은 픽셀(210) 위에 포지셔닝되며(positioned) 게이트들(234, 235 및 236)은 픽셀(211) 위에 포지셔닝된다. 이미지 센서(110)에서, 픽셀들(210 및 211)은 이미지 구역(203)을 형성하는 픽셀들의 2D 어레이의 열의 부분을 형성하기 위해 판독 축을 따라 정렬된다.
이미지 구역(203)은 광학 센서 또는 광전음극(photocathode)으로서 구현될 수 있다. 하나의 광학 센서 실시예에서, 이미지 구역(203)은 광감지(photo-sensitive) p-타입 실리콘 기판(214) 및 n-타입 매립 채널(buried channel)(213)을 포함할 수 있다. 실리콘 기판(214)에서의 정전기력들은 클록 입력 신호(예를 들어, CCD 구동기들(P1a, P2a, P3a, P1b, P2b 및 P3b)로부터의 클록 신호들 중 하나)에 의해 특정 게이트에 인가되는 전압 레벨에 의해 결정된다. 하이 레벨(high level) 전압들은 게이트 밑의 포텐셜 "웰"(potential "well")의 형성을 유발하는 한편, 로우 레벨(low level) 전압들은 전자 이동에 대해 포텐셜 배리어(potential barrier)를 형성한다. 한 픽셀로부터의 전하가 다른 픽셀들과 혼합되지 않음을 보장하기 위해, 인접한 게이트 전압이 로우로 구동될 때 게이트 전압이 하이로 구동된다(도 3a 및 3b를 참조하여 더 상세하게 설명된다). 시간(220)에서의 초기 상태에서, 픽셀들(210 및 211)의 게이트들(231 및 234) 각각은 적분된 전하(즉, 전자들)로 포텐셜 웰들을 형성하는 하이 레벨 전압들을 가지며, (픽셀(210)의) 게이트들(232, 233) 및 (픽셀(211))의 게이트들(235, 236)은 포텐셜 배리어들(barriers)을 형성하는 로우 레벨 전압들을 가진다. 후속적인 시간(221)에서, 픽셀들(210 및 211)의 게이트들(232 및 235) 각각은 적분된 전하(즉, 전자들)로 포텐셜 웰들을 형성하는 하이 레벨 전압들을 가지며, (픽셀(210)의) 게이트들(231, 233) 및 (픽셀(211))의 게이트들(234, 236)은 포텐셜 배리어들을 형성하는 로우 레벨 전압들을 가진다. 후속적인 시간(222)에서, 픽셀들(210 및 211)의 게이트들(233 및 236) 각각은 통합된 전하(즉, 전자들)로 포텐셜 웰들을 형성하는 하이 레벨 전압들을 가지며, (픽셀(210)의) 게이트들(231, 232) 및 (픽셀(211)의) 게이트들(234, 235)은 포텐셜 배리어들을 형성하는 로우 레벨 전압들을 가진다. 전하를 시프팅할 때 인접 게이트들은 바람직하게는 둘 다 전하 전달을 용이하게 하기 위해 짧은 시간 동안 하이 레벨 전압을 가지는 것을 주목한다. (이하에 설명되는 도 3a는 이러한 타이밍 중복을 도시한다.) 따라서 시간(220)에서 시간(222)까지, 전하는 왼쪽으로부터 오른쪽으로, 즉 픽셀(210)로부터 픽셀(211)로 시프트된다. 이러한 전하의 방향성 시프팅은 도 3을 참조하여 설명된 바와 같은 조사 시스템의 모드들 동안 유용하게 수정될 수 있다.
도 3a는 CCD 구동기들(P1a, P2a, P3a, P1b, P2b 및 P3b)에 의해 출력된 신호들, 클록 신호들(ck), 외부 동기화 펄스(sync) 및 펄스 조명 시간(pulse)을 표시하는 예시적인 타이밍도(300)를 예시한다. CCD 구동기들에 의해 출력된 각 신호의 전압 천이의 시작 및 중단은 클록 신호들(ck)에 동기화될 수 있음을 주목한다. 외부 동기화 펄스(sync)는 3-모드 사이클을 트리거한다(하나의 완전한 사이클이 도 3a에 도시된다). 도 3a의 예에서, 하나의 레이저 펄스는 각 사이클 동안 제공된다.
3개의 센서 모드들은 "0", "1" 및 "2"로서 도 3a에 표시된다. 센서 모드(1)는 레이저 펄스가 발생하며 따라서 객체의 조명 구역의 이미지가 발생될 수 있는 TDI-모드 동작이다. 일 실시예에서, 펄스 지속기간은 예를 들어, 1 마이크로초일 수 있는 고속 TDI의 라인 주기에 가까울 수 있거나 더 길 수 있다. 조명 펄스가 길 수 있기 때문에(예를 들어, 1 마이크로초보다 더 큼), 이미지 상의 고정 포인트(fixed point)는 하나 이상의 센서 픽셀들에 걸쳐 시프트할 것이다. 따라서, (도 3에 도시되는) CCD 구동기들(P1a/P1b, P2a/P2b, 및 P3a/P3b)의 연속적인 클로킹은 TDI-모드 동작을 제공하며 블러링(blurring) 없음을 보장하기 위해, 이미지 구역에서 발생된 전하가 이미지를 따라 시프팅됨을 보장하도록 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 이미지의 블러링이 없음을 보장하기 위해 단지 1-2 픽셀들 사이에 전하의 시프팅이 수행될 수 있다. 또한 센서 라인 레이트(sensor line rate)로 칭해지는 이러한 전하 시프팅의 레이트는 이미지의 모션을 정확하게 매칭하기 위해 선택될 수 있다. 동작의 TDI 모드에서의 총 시간은 총 조명 펄스 시간에 따라 단지 하나 또는 약간의 라인 클록 주기들일 수 있다. 그러나, 블러링으로 인한 이미지 품질 손실 및 그 결과로 인한 결함 검출의 저하는 동작의 TDI-모드를 제공하지 않고서 매우 상당할 것이다.
센서 모드(2)는 조명이 오프인(즉, 레이저 펄스가 존재하지 않음) 고속 분리-판독 동작이다. 두드러지게, 조명이 오프이기 때문에, 직렬 레지스터들에 대한 클록 신호들이 허용하는 한 빨리 2개 측면들(예를 들어, 도 2a의 이미지 구역(203)의 측면들(203A 및 203B))로부터 데이터가 판독될 수 있다. 이러한 시간 동안, 이미지 센서(110)는 이미지 모션(109)과 동기화되지 않는다.
도 2a를 다시 참조하면, 일 실시예에서, 실제 조명 구역(205)은 센서 이미지 구역(203)보다 약간 작을 수 있다. 따라서, TDI-모드 동작 동안 전하 시프팅이 발생할 때, 이미지는 광학 시야 밖으로 이동할 것이다. 그러나, 픽셀들에 저장되는 전하 때문에 이미지 구역(203)에 의해 이미지가 여전히 저장된다. 따라서, 고속 분리-판독 모드 동안, 균일하게 조명된 이미지 데이터 전에 먼저 판독되는 일부 블랭크 또는 더 낮은-신호 라인들이 존재할 것이다. 이러한 인공물은 프로세싱 동안 보상될 수 있거나, 프레임 에지들 근처의 리던던시에 대해 허용하는 적합한 이미지 프레임 중복이 선택된다면 무시될 수 있다. 구체적으로, 신호들이 증폭기들로부터 출력될 때, 이미지는 이미지 프레임의 에지 근처의 조명 효과들에 대한 보상으로 복원될 수 있다.
센서 모드(0)는 센서 이미지 전하(객체가 아님)가 정적인(즉, 중단된) 휴지 동작이다. 일 실시예에서, CCD 구동기들(P3a 및 P3b)의 신호들과 같은 신호들의 일 세트는 미리 결정된 픽셀들의 프리-차징(pre-charging)을 제공하기 위해 그리고 필드의 에지에서 신호 전하 또는 이미지 데이터를 잃지 않고서 상태들 사이의 천이를 보장하기 위해 휴지 동작 동안 하이로 유지될 수 있다. 이미지 센서는 1 밀리볼트(millivolt)보다 작은 정확도로 각 픽셀 상에 전하를 급격하게 측정해야 함을 주목한다. 이미지 센서는 기판에서의 전압 잡음의 존재에서 그와 같이 측정하지 못할 수 있다. 이러한 쟁점을 해결하기 위해, 픽셀 간에 전하를 이동시키는 것은 판독 증폭기들이 직렬 레지스터들로부터 신호들을 판독하는 동안 중단될 수 있다. 일 실시예에서, 조명 펄스는 조명원의 타이밍 불확실성들로 인해 발생할 적어도 하나의 전하 전달을 위해 충분한 주기 후에 발생할 수 있다. TDI-모드 동작을 시작하기 위해 센서에 대한 트리거는 카메라 클록으로부터 또는 조명 펄스의 광학 검출에 기초하여 도출될 수 있다. 객체 모션 및 이미지 센서 라인 레이트가 잘 동기화되기 때문에, 소스의 타이밍 안정성은 상당히 열악할 수 있으며 결과에 대해 예리하게 그리고 정확하게 포지셔닝된 이미지를 허용한다. 센서 모드(2)의 종료 후에, 이미지 센서(110)는 센서 모드(0)(휴지 모드)로 리턴하며, 다음의 동기화 신호 및 조명 펄스에 대해 대기한다. 증폭기들(204A 및 204B)로부터 외부 이미지 프로세싱 컴퓨터(도시되지 않음)에 수집 데이터의 프로세싱, 버퍼링(buffering) 및 전송은 모든 센서 모드들 동안 진행할 수 있음을 주목한다.
도 3b는 CCD 구동 신호들의 시퀀스에 기초하여 서로 다른 방향들로 전하가 시프팅되는 방법을 예시한다. 구체적으로, TDI-모드 동작(센서 모드(1))(320) 동안, CCD 구동 신호들은 전하들이 일 방향에서 모두 픽셀들을 통해 시프트될 수 있도록 시퀀싱된다. 반대로, 분리-판독 동작(센서 모드(2))(321) 동안, CCD 구동 신호들은 전하들 중 절반이 일 방향에서 시프팅되며 픽셀의 전하들의 다른 절반은 반대 방향에서 시프팅되도록 시퀀싱된다. 각 CCD 구동 신호는 센서 어레이의 이미지 구역의 하나 이상의 픽셀 열들에서 모든 게이트들에 제공되는 것을 주목한다. 따라서, 시퀀스는 센서의 물리적 배선(wiring)에 기초한다. 18개 열들이 도 3b에 도시되더라도, 센서 어레이의 다른 실시예들은 더 적거나 더 많은 픽셀들의 열들을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, CCD 구동 신호들은 도 3a에 도시된 바와 같이 정사각형일 수 있다. 다른 실시예들에서, CCD 구동 신호들은 다른 형상들을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 4는 3-상 CCD를 위한 사인 곡선 구동 신호들을 예시한다. 예를 들어, 전압 파형들(401, 402 및 403)은 이미지 구역(203)에서(또한 도 2a를 참조) 각각 게이트들(231 및 234), 게이트들(232 및 235) 및 게이트들(233 및 236)을 구동시킬 수 있다. 두드러지게, 이들 파형 형상들은 접지 상에 그리고 DC 전압 기준 평면들 상의 실질적으로 최소의 순 전압 요동(fluctuation)을 제공하도록 인접 게이트들에서 서로 다른 전압 위상들에서 동작한다. 더욱이, 정사각 파형보다는 오히려, 비-정사각 파형, 예를 들어, 사인곡선을 사용하여 전하를 전달하는 것은 일반적으로 게이트들을 제어하기 위해 더 낮은 피크 전류들을 요구한다. 결과적으로, 기판에서 흐르는 피크 변위(peak displacement) 전류들은 훨씬 더 낮으며, 그에 의해 더 낮은 전압 요동들 및 기판에서 감소된 열 발생을 보장한다.
기판에서의 전압 요동들의 로우 레벨들은 또한 심지어 센서가 이미지 구역에서 전하를 전달할 때도 시스템이 충분한 민감도로 직렬 레지스터에서의 픽셀들의 컨텐츠(contents)를 정확하게 판독하게 할 수 있다. 따라서, 사인곡선의 파형들을 사용함으로써, 판독 증폭기들은 일 픽셀로부터 다른 픽셀로의 이미지 영역에서 전하를 이동하는 동안 동시에 동작할 수 있다. 다른 실시예들에서, CCD 구동 신호들은 또한 사인곡선의 파형들을 위해 논의된 것들에 유사한 이점들을 제공할 수 있는 다른 비-정사각 파형 형상들을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 센서 사이클 당 하나의 펄스를 가지는 대신에(즉, 센서 모드들(0, 1, 2)), 다수의 그룹화된 펄스들(예를 들어, 적어도 2개의 펄스들의 스트로브-유사(strobe-like) 세트)이 사용될 수 있다. 판독 후에, 이미지는 다수의, 그룹화된 펄스들을 고려하기 위해 프로세싱될 수 있다. 구체적으로, 객체의 위치 및 조명 타이밍이 알려지기 때문에, 측정 이미지는 정정된 "실제" 이미지로 디컨볼빙될(deconvolved) 수 있다. 적어도 2개의 샘플들이 각 픽셀에 대해 제공되기 때문에 이러한 타입의 펄싱 및 후속적인 프로세싱은 원래 이미지의 민감도를 개선할 수 있다. 구체적으로, (단일 펄스와 비교되는) 적어도 2배 많은 데이터가 (상술한 바와 같은) 작은 추가의 잡음으로 제공되기 때문에 다수의 펄스들은 더 높은 신호 대 잡음 비를 제공한다.
더욱이, 각 픽셀에 대해 2개의 샘플들을 가지는 것은 (예를 들어, 결함들을 표시하는) 적은 밝은 스폿들(bright spots)을 가지는 지배적으로 어두운 이미지가 캡처될 때 유익할 수 있다. 이러한 타입의 이미지에서, 이미지의 다른 부분들과의 최소 간섭이 존재한다. 판독 동안 발생된 2개의 밝은 스폿들은 예를 들어, 2개의 밝은 스폿들이 실제로 하나의 결함인지 여부를 결정하기 위해 디콘볼빙될 수 있다. 이러한 디콘볼빙은 필요한 복원을 제공하기 위해 (이미지가 펄스들 사이를 이동하기 때문에) 시간 및 이미지 이동 속도를 포함하는 정보를 사용할 것이다.
이러한 다수의, 그룹화된 펄스 실시예는 또한 센서 결함 검출을 해결하기 위해 사용될 수 있음을 주목한다. 구체적으로, (이미지 상의 소실(missing) 정보를 발생시킬) 센서 자체 상의 결함이 존재한다면, 그 후에 2개의 샘플들은 그렇지 않다면 비이용가능할 이미지 정보의 포함을 허용한다. 다시 말해, 하나보다 많은 픽셀 위의 이미지들은 결함있는 센서 픽셀 위치에서 이미지 데이터를 복구하기 위해 조명 펄스들 동안 수집될 수 있다. 모든 이미지 정보(또는 2개의 센서 결함들이 다수의 그룹화된 펄스들 동안 이미지 데이터를 캡처하는 픽셀들과 일치하는 것과 달리 실질적으로 모든 이미지 정보)의 수집을 여전히 보장하면서 불완전성의 증가 레벨들이 센서들에서 허용될 수 있기 때문에 이러한 다중 펄스 동작은 센서들의 비용을 감소시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 시스템(100)은 TDI 판독 모드의 특정의 유익한 특성들을 펄스 이미지 아키텍처들(pulsed image architectures)의 빠른 판독 능력과 유용하게 조합할 수 있다. 빠른 판독 속도 때문에, 시스템(100)은 소유 비용을 효과적으로 감소시킬 수 있다. 추가로, 시스템(100)은 종래의 이미지 센서들로 수집될 때 흐릿한 조명 시간들 동안 이미지의 개선된 해상도를 제공한다. 다시 말해, 종래의 이미지 센서들은 이미지 블러링으로 인한 긴 펄스 광원들을 사용할 수 없다. 두드러지게, 긴 펄스 광원들은 피크 파워 조명을 감소시킴으로써 웨이퍼 손상을 감소시킬 수 있다. 더욱이, 시스템(100)은 사인곡선의 파형들을 포함하는 다양한 CCD 구동 파형 형상들을 사용할 수 있다. 이들 사인곡선 파형들은 낮은 잡음이 결정적인 고속 조사 및 계측 애플리케이션들에서 효과적으로 사용될 수 있다. 추가로, 연속적인-클로킹 기술(즉, 상술한 3개의 센서 모드들, 여기서 휴지 모드는 정사각형-파 및 사인곡선 파형 동작 둘 다에서 고정 전압들을 사용함)은 열 발생을 감소시킬 수 있으며 제어 및 판독 전자부(electronics)에서의 타이밍 지터(jitter)의 부정적인 영향들을 완화시킬 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 첨부하는 도면들을 참조하여 본원에 상세하게 설명되었을지라도, 본 발명은 그 정밀한 실시예들에 제한되지 않음이 이해될 것이다. 이 실시예들은 소모적이거나 본 발명을 개시되는 정밀한 형태들로 제한하지 않는다. 그와 같이, 많은 수정들 및 변화들은 본 기술분야의 당업자들에게 명백할 것이다. 예를 들어, 일 실시예에서, 이미지 센서는 후방-조명된(back-illuminated) 후방-박형(back-thinned) CCD를 포함할 수 있다. 후방-조명의 박형 센서는 UV 광에 대해 양호한 민감도를 보장한다. 일부 실시예들에서, 후방-조명된 후방-박형 CCD는 DUV 또는 진공 UV 방사선으로 이용될 때 디바이스의 수명을 증가시키기 위해 광-감지 후방 표면 상에 얇은 붕소 코팅을 가질 수 있다. 후방-박형 센서들 상의 붕소 코팅들의 사용은 2012년 4월 10일에 출원된 Chern 등에 의해 미국 가 특허출원번호 제 61/622,295 호에 설명된다. 본 가 출원은 본원에 인용에 의해 통합된다. 일부 실시예들에서, 이미지 센서는 전자-충격(electron-bombarded) CCD(EBCCD) 센서를 포함할 수 있다. EBCCD들은 종종 암시야(dark-field) 조사 시스템들에서 조우되는 바와 같은 매우 낮은 광 레벨들에 대한 높은 민감도 및 낮은 잡음을 가진다. EBCCD의 일부 실시예들에서, CCD는 낮은-에너지 전자들에 대한 CCD의 민감도를 개선하고, 따라서, 이미지 센서 잡음 및 공간 해상도를 개선하기 위해 그 후방 표면 상에 붕소 코팅을 가지는 후방-박형 디바이스일 수 있다. EBCCD들에서의 붕소 코팅들의 사용은 또한 본원에 인용에 의해 통합되는 2012년 6월 12일에 출원된 Chuang 등에 의해 미국 가 특허출원번호 제 61/658,758 호에 설명된다. 따라서, 본 발명의 범위는 다음의 청구범위 및 그 등가물들에 의해 정의되도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 계속적으로 이동하는 객체(moving object)로 이미지 센서(image sensor)를 동작시키는 방법에 있어서,
    조명 펄스 동안 시간 지연 적분 모드(timed delay integration mode : TDI-모드) 동작 ― 상기 TDI-모드 동작 동안 상기 이미지 센서의 픽셀들에 의해 저장되는 전하들은 제 1 방향에서만 시프트됨 ― 을 수행하는 단계; 및
    비-조명(non-illumination) 동안 분리-판독(split-readout) 동작을 수행하는 단계를 포함하며,
    상기 이미지 센서의 제 1 픽셀(pixel)들에 의해 저장되는 제 1 전하들은 상기 제 1 방향에서 시프트되며 상기 이미지 센서의 제 2 픽셀들에 의해 저장되는 제 2 전하들은 분리-판독 동작 동안 제 2 방향에서 동시에 시프트되며, 상기 제 2 방향은 상기 제 1 방향에 대해 반대인 것인, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 TDI-모드 동작은 상기 조명 펄스와 동기화되는 것인, 연속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 TDI-모드 동작은 전자 또는 광학 동기화를 사용하여 상기 조명 펄스의 일 클록 주기(one clock period) 내에서 시작하도록 트리거되는 것인, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 TDI-모드 동작의 시간은 상기 펄스 조명의 주기를 포함하는 것인, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 분리-판독 동작 동안, 상기 이미지 센서는 이미지 모션(image motion)과 동기화되지 않는 것인, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 분리-판독 동작을 수행하는 단계는 복수의 직렬 레지스터(serial register)들의 병렬 판독을 포함하는 것인, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 TDI-모드 동작과 상기 분리-판독 동작 사이에 휴지 동작(idle operation)을 제공하는 단계를 더 포함하는, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 휴지 동작을 제공하는 단계는 상기 이미지 센서의 상기 TDI-모드 동작 전에 수행되는 것인, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    조명 간격은 하나 이상의 TDI 라인 주기(TDI line period)들에 걸쳐 연장하는 복수의 조명 펄스들을 포함하는 것인, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 조명 펄스들에 대응하는 픽셀 출력들을 분석하는 것에 기초하여 상기 이미지 센서의 픽셀 결함으로부터 복구시키는 단계를 더 포함하는, 계속적으로 이동하는 객체로 이미지 센서를 동작시키는 방법.
  11. 시스템에 있어서,
    펄스 조명원(pulsed illumination source);
    이미지 센서(image sensor);
    상기 펄스 조명원으로부터 계속적으로 이동하는 객체에 펄스 조명을 지시(direct)하도록, 그리고 상기 객체로부터 상기 이미지 센서에 반사 광을 지시하도록 구성되는 광학 컴포넌트(optical component)들; 및
    상기 이미지 센서를 동작시키고, 프로세스를 수행하도록 구성되는 프로세서를 포함하고,
    상기 프로세스는,
    조명 펄스 동안 시간 지연 적분 모드(timed delay integration : TDI-모드) 동작 ― 상기 TDI-모드 동작 동안 상기 이미지 센서의 픽셀들에 의해 저장되는 전하들은 제 1 방향에서만 시프트됨 ― 을 수행하는 단계; 및
    비-조명 동안 분리-판독(split-readout) 동작을 수행 ― 상기 이미지 센서의 제 1 픽셀들에 의해 저장되는 제 1 전하들은 상기 제 1 방향에서 시프트되며 상기 이미지 센서의 제 2 픽셀들에 의해 저장되는 제 2 전하들은 상기 분리-판독 동작 동안 제 2 방향에서 동시에 시프트되며, 상기 제 2 방향은 상기 제 1 방향에 대해 반대임 ― 하는 단계를 포함하는 것인, 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 TDI-모드 동작은 상기 조명 펄스와 동기화되는 것인, 시스템.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 TDI-모드 동작은 전자 또는 광학 동기화를 사용하여 상기 조명 펄스의 일 클록 주기(one clock period) 내에서 시작하도록 트리거되는 것인, 시스템.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 TDI-모드 동작의 시간은 상기 펄스 조명의 주기를 포함하는 것인, 시스템.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 분리-판독 동작 동안, 상기 이미지 센서는 이미지 모션과 동기화되지 않는 것인, 시스템.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 분리-판독 동작을 수행하는 단계는 복수의 직렬 레지스터들의 병렬 판독을 포함하는 것인, 시스템.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 TDI-모드 동작과 상기 분리-판독 동작 사이의 휴지 동작(idle operation)을 제공하는 단계를 더 포함하는 것인, 시스템.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 휴지 동작을 제공하는 단계는 상기 이미지 센서의 TDI-모드 동작 전에 수행되는 것인, 시스템.
  19. 제 11 항에 있어서,
    조명 간격은 하나 이상의 TDI 라인 주기(TDI line period)들에 걸쳐 연장하는 복수의 조명 펄스들을 포함하는 것인, 시스템.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 복수의 조명 펄스들에 대응하는 픽셀 출력들을 분석하는 것에 기초하여 상기 이미지 센서의 픽셀 결함으로부터 복구하는 단계를 더 포함하는, 시스템.
KR1020157017888A 2012-12-10 2013-12-10 펄스 조명을 사용한 동영상들의 고속 획득을 위한 방법 및 장치 KR101975081B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261735427P 2012-12-10 2012-12-10
US61/735,427 2012-12-10
US14/096,911 2013-12-04
US14/096,911 US9426400B2 (en) 2012-12-10 2013-12-04 Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination
PCT/US2013/074124 WO2014093341A1 (en) 2012-12-10 2013-12-10 Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150095737A true KR20150095737A (ko) 2015-08-21
KR101975081B1 KR101975081B1 (ko) 2019-08-23

Family

ID=50879908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157017888A KR101975081B1 (ko) 2012-12-10 2013-12-10 펄스 조명을 사용한 동영상들의 고속 획득을 위한 방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9426400B2 (ko)
JP (1) JP6129334B2 (ko)
KR (1) KR101975081B1 (ko)
CN (1) CN104904194B (ko)
TW (1) TWI597981B (ko)
WO (1) WO2014093341A1 (ko)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793673B2 (en) 2011-06-13 2017-10-17 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US8873596B2 (en) 2011-07-22 2014-10-28 Kla-Tencor Corporation Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal
US10197501B2 (en) 2011-12-12 2019-02-05 Kla-Tencor Corporation Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors
US9496425B2 (en) 2012-04-10 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor with boron layer
US9601299B2 (en) 2012-08-03 2017-03-21 Kla-Tencor Corporation Photocathode including silicon substrate with boron layer
US9151940B2 (en) 2012-12-05 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US9529182B2 (en) 2013-02-13 2016-12-27 KLA—Tencor Corporation 193nm laser and inspection system
US9608399B2 (en) 2013-03-18 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser
US9478402B2 (en) 2013-04-01 2016-10-25 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor
US9347890B2 (en) 2013-12-19 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor
US9748294B2 (en) 2014-01-10 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Anti-reflection layer for back-illuminated sensor
US9410901B2 (en) 2014-03-17 2016-08-09 Kla-Tencor Corporation Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article
US9804101B2 (en) 2014-03-20 2017-10-31 Kla-Tencor Corporation System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser
US9767986B2 (en) 2014-08-29 2017-09-19 Kla-Tencor Corporation Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples
US9419407B2 (en) 2014-09-25 2016-08-16 Kla-Tencor Corporation Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus
US9891177B2 (en) 2014-10-03 2018-02-13 Kla-Tencor Corporation TDI sensor in a darkfield system
US9748729B2 (en) 2014-10-03 2017-08-29 Kla-Tencor Corporation 183NM laser and inspection system
TWI564754B (zh) * 2014-11-24 2017-01-01 圓剛科技股份有限公司 空間運動感測器與空間運動感測方法
US20160295149A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 Thorlabs, Inc. Simultaneous multi-channel tdi imaging on a multi-tap imager
US9860466B2 (en) 2015-05-14 2018-01-02 Kla-Tencor Corporation Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems
US10748730B2 (en) 2015-05-21 2020-08-18 Kla-Tencor Corporation Photocathode including field emitter array on a silicon substrate with boron layer
US10462391B2 (en) 2015-08-14 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Dark-field inspection using a low-noise sensor
US10313622B2 (en) * 2016-04-06 2019-06-04 Kla-Tencor Corporation Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor
US10778925B2 (en) 2016-04-06 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology
CN109416496B (zh) * 2016-07-22 2021-07-09 剑桥机电有限公司 照相机中的pwm屏蔽
US10175555B2 (en) 2017-01-03 2019-01-08 KLA—Tencor Corporation 183 nm CW laser and inspection system
CN107018341B (zh) * 2017-04-14 2020-04-03 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种tdi ccd图像传感器以及驱动方法
NL2020622B1 (en) 2018-01-24 2019-07-30 Lllumina Cambridge Ltd Reduced dimensionality structured illumination microscopy with patterned arrays of nanowells
CN108449556B (zh) 2018-03-16 2019-12-24 成都中信华瑞科技有限公司 跨行时延积分方法、装置及相机
US11114489B2 (en) 2018-06-18 2021-09-07 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor
US10943760B2 (en) 2018-10-12 2021-03-09 Kla Corporation Electron gun and electron microscope
US10724964B1 (en) 2019-04-10 2020-07-28 Kla-Tencor Corporation Multi-sensor tiled camera with flexible electronics for wafer inspection
CN113039633B (zh) * 2018-11-15 2022-08-16 科磊股份有限公司 具有用于晶片检查的柔性电子器件的多传感器铺砖式相机
US11114491B2 (en) 2018-12-12 2021-09-07 Kla Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor
CN110233964A (zh) * 2019-05-29 2019-09-13 天津大学 一种应用于tdi cmos图像传感器的防抖动方法
US11933717B2 (en) * 2019-09-27 2024-03-19 Kla Corporation Sensitive optical metrology in scanning and static modes
KR20210076238A (ko) 2019-12-13 2021-06-24 삼성전자주식회사 이미지 센서, 그것을 포함하는 이미지 장치 및 그것의 동작 방법
US11848350B2 (en) 2020-04-08 2023-12-19 Kla Corporation Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer
US20220150394A1 (en) * 2020-11-06 2022-05-12 Illumina, Inc. Apparatus and method of obtaining an image of a sample in motion
US11526086B2 (en) 2021-03-08 2022-12-13 Kla Corporation Multi-field scanning overlay metrology
CN113347375B (zh) * 2021-06-01 2023-01-03 天津大学 脉冲图像传感器的像素闪烁抑制方法
US20230254589A1 (en) * 2022-02-04 2023-08-10 Applied Materials, Inc. Pulsed illumination for fluid inspection

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5428392A (en) * 1992-11-20 1995-06-27 Picker International, Inc. Strobing time-delayed and integration video camera system
JP2005241290A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Toshiba Corp 画像入力装置及び検査装置
US20070064135A1 (en) * 2004-11-18 2007-03-22 Brown David L Apparatus for continuous clocking of TDI sensors
WO2011123469A1 (en) * 2010-03-29 2011-10-06 Intevac, Inc. Time resolved photoluminescence imaging systems and methods for photovoltaic cell inspection

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3755704A (en) 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
US3870917A (en) 1971-05-10 1975-03-11 Itt Discharge device including channel type electron multiplier having ion adsorptive layer
GB1444951A (en) 1973-06-18 1976-08-04 Mullard Ltd Electronic solid state devices
GB1536412A (en) 1975-05-14 1978-12-20 English Electric Valve Co Ltd Photocathodes
US4210922A (en) 1975-11-28 1980-07-01 U.S. Philips Corporation Charge coupled imaging device having selective wavelength sensitivity
NL7611593A (nl) 1976-10-20 1978-04-24 Optische Ind De Oude Delft Nv Werkwijze voor het in een beeldversterkerbuis aanbrengen van een lichtabsorberende, voor elek- tronen doorlaatbare laag.
JPS58146B2 (ja) 1980-10-14 1983-01-05 浜松テレビ株式会社 フレ−ミング管
US4348690A (en) 1981-04-30 1982-09-07 Rca Corporation Semiconductor imagers
US4555731A (en) 1984-04-30 1985-11-26 Polaroid Corporation Electronic imaging camera with microchannel plate
US4760031A (en) 1986-03-03 1988-07-26 California Institute Of Technology Producing CCD imaging sensor with flashed backside metal film
NL8902271A (nl) 1989-09-12 1991-04-02 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van twee lichamen.
US5120949A (en) 1991-01-17 1992-06-09 Burle Technologies, Inc. Semiconductor anode photomultiplier tube
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
US5376810A (en) 1992-06-26 1994-12-27 California Institute Of Technology Growth of delta-doped layers on silicon CCD/S for enhanced ultraviolet response
US5227313A (en) 1992-07-24 1993-07-13 Eastman Kodak Company Process for making backside illuminated image sensors
US5315126A (en) 1992-10-13 1994-05-24 Itt Corporation Highly doped surface layer for negative electron affinity devices
US5475227A (en) 1992-12-17 1995-12-12 Intevac, Inc. Hybrid photomultiplier tube with ion deflector
US5326978A (en) 1992-12-17 1994-07-05 Intevac, Inc. Focused electron-bombarded detector
FI940740A0 (fi) 1994-02-17 1994-02-17 Arto Salokatve Detektor foer paovisning av fotoner eller partiklar, foerfarande foer framstaellning av detektorn och maetningsfoerfarande
US6271916B1 (en) 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
US5493176A (en) 1994-05-23 1996-02-20 Siemens Medical Systems, Inc. Photomultiplier tube with an avalanche photodiode, a flat input end and conductors which simulate the potential distribution in a photomultiplier tube having a spherical-type input end
US20080315092A1 (en) 1994-07-28 2008-12-25 General Nanotechnology Llc Scanning probe microscopy inspection and modification system
EP0702221A3 (en) 1994-09-14 1997-05-21 Delco Electronics Corp Sensor integrated on a chip
US5852322A (en) 1995-05-19 1998-12-22 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Radiation-sensitive detector element and method for producing it
US6362484B1 (en) 1995-07-14 2002-03-26 Imec Vzw Imager or particle or radiation detector and method of manufacturing the same
US5731584A (en) 1995-07-14 1998-03-24 Imec Vzw Position sensitive particle sensor and manufacturing method therefor
US5999310A (en) 1996-07-22 1999-12-07 Shafer; David Ross Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability
US5717518A (en) 1996-07-22 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system
US5760899A (en) 1996-09-04 1998-06-02 Erim International, Inc. High-sensitivity multispectral sensor
US5940685A (en) 1996-10-28 1999-08-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fabrication of UV-sensitive back illuminated CCD image sensors
JPH10171965A (ja) 1996-12-05 1998-06-26 Toshiba Corp 積算型エリアセンサの画像入力方法及びその装置
US6608676B1 (en) 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US6201601B1 (en) 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
US6403963B1 (en) 1997-09-29 2002-06-11 California Institute Of Technology Delta-doped CCD's as low-energy particle detectors and imagers
US6278119B1 (en) 1997-10-21 2001-08-21 California Institute Of Technology Using a delta-doped CCD to determine the energy of a low-energy particle
US6297879B1 (en) 1998-02-27 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Inspection method and apparatus for detecting defects on photomasks
US6162707A (en) 1998-05-18 2000-12-19 The Regents Of The University Of California Low work function, stable thin films
US6373869B1 (en) 1998-07-30 2002-04-16 Actinix System and method for generating coherent radiation at ultraviolet wavelengths
US6013399A (en) 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials
US6285018B1 (en) 1999-07-20 2001-09-04 Intevac, Inc. Electron bombarded active pixel sensor
US6657178B2 (en) 1999-07-20 2003-12-02 Intevac, Inc. Electron bombarded passive pixel sensor imaging
US6307586B1 (en) 1999-07-20 2001-10-23 Intevac, Inc. Electron bombarded active pixel sensor camera incorporating gain control
US6549647B1 (en) 2000-01-07 2003-04-15 Cyberoptics Corporation Inspection system with vibration resistant video capture
US6711283B1 (en) 2000-05-03 2004-03-23 Aperio Technologies, Inc. Fully automatic rapid microscope slide scanner
US6507147B1 (en) 2000-08-31 2003-01-14 Intevac, Inc. Unitary vacuum tube incorporating high voltage isolation
US7136159B2 (en) 2000-09-12 2006-11-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Excimer laser inspection system
JP2002184302A (ja) 2000-12-18 2002-06-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光電陰極
US6545281B1 (en) 2001-07-06 2003-04-08 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Pocked surface neutron detector
JP3573725B2 (ja) 2001-08-03 2004-10-06 川崎重工業株式会社 X線顕微鏡装置
JP2003043533A (ja) 2001-08-03 2003-02-13 Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology レーザーの第二高調波の方向を一定に保つための自動追尾装置
US7015452B2 (en) 2001-10-09 2006-03-21 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Intensified hybrid solid-state sensor
US6747258B2 (en) 2001-10-09 2004-06-08 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Intensified hybrid solid-state sensor with an insulating layer
AU2002356951A1 (en) 2001-11-13 2003-05-26 Nanosciences Corporation Photocathode
US7130039B2 (en) 2002-04-18 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Simultaneous multi-spot inspection and imaging
JP4165129B2 (ja) 2002-06-21 2008-10-15 三菱電機株式会社 裏面入射型固体撮像素子
US20040021061A1 (en) 2002-07-30 2004-02-05 Frederik Bijkerk Photodiode, charged-coupled device and method for the production
US7446474B2 (en) 2002-10-10 2008-11-04 Applied Materials, Inc. Hetero-junction electron emitter with Group III nitride and activated alkali halide
US7283166B1 (en) 2002-10-15 2007-10-16 Lockheed Martin Corporation Automatic control method and system for electron bombarded charge coupled device (“EBCCD”) sensor
US7126699B1 (en) 2002-10-18 2006-10-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for multi-dimensional metrology and/or inspection of a specimen
US7005637B2 (en) 2003-01-31 2006-02-28 Intevac, Inc. Backside thinning of image array devices
US6990385B1 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection using multiple sensors and parallel processing
GB2398118B (en) 2003-02-07 2006-03-15 Imp College Innovations Ltd Photon arrival time detection
US7141785B2 (en) 2003-02-13 2006-11-28 Micromass Uk Limited Ion detector
US7313155B1 (en) 2004-02-12 2007-12-25 Liyue Mu High power Q-switched laser for soft tissue ablation
JP4365255B2 (ja) 2004-04-08 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置
US7301263B2 (en) 2004-05-28 2007-11-27 Applied Materials, Inc. Multiple electron beam system with electron transmission gates
KR100688497B1 (ko) 2004-06-28 2007-03-02 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US7455565B2 (en) 2004-10-13 2008-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fabrication of group III-nitride photocathode having Cs activation layer
US7609309B2 (en) * 2004-11-18 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuous clocking of TDI sensors
US7491943B2 (en) * 2005-01-13 2009-02-17 Whitehead Institute For Biomedical Research Method and apparatus for UV imaging
JP4751617B2 (ja) 2005-01-21 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
US7335874B2 (en) * 2005-03-18 2008-02-26 Whitehead Institute For Biomedical Research Method and apparatus for generating a circularly polarized illumination beam
JP2006284183A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Toshiba Corp 検査装置及び撮像装置
DE602006004913D1 (de) 2005-04-28 2009-03-12 Semiconductor Energy Lab Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitern mittels Laserstrahlung
US7531826B2 (en) 2005-06-01 2009-05-12 Intevac, Inc. Photocathode structure and operation
US7345825B2 (en) 2005-06-30 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system
JP5403852B2 (ja) 2005-08-12 2014-01-29 株式会社荏原製作所 検出装置及び検査装置
WO2007032217A1 (ja) 2005-09-16 2007-03-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. コンポジット材料、及びこれを用いた光学部品
KR101003054B1 (ko) 2005-09-21 2010-12-21 알제이에스 테크놀로지, 인코포레이티드 고 분해능 및 넓은 동작범위의 적분기
US7715459B2 (en) 2005-11-01 2010-05-11 Cymer, Inc. Laser system
JP2007133102A (ja) 2005-11-09 2007-05-31 Canon Inc 反射防止膜を有する光学素子及びそれを有する露光装置
US7329860B2 (en) * 2005-11-23 2008-02-12 Illumina, Inc. Confocal imaging methods and apparatus
US7528943B2 (en) 2005-12-27 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for simultaneous high-speed acquisition of multiple images
JP4911494B2 (ja) 2006-03-18 2012-04-04 国立大学法人大阪大学 波長変換光学素子、波長変換光学素子の製造方法、波長変換装置、紫外線レーザ照射装置およびレーザ加工装置
WO2007112058A2 (en) 2006-03-24 2007-10-04 Applied Materials, Inc. Carbon precursors for use during silicon epitaxial firm formation
US7113325B1 (en) 2006-05-03 2006-09-26 Mitsubishi Materials Corporation Wavelength conversion method with improved conversion efficiency
EP2033036A4 (en) 2006-06-13 2009-07-15 Invent Technologies Llc DEVICE AND METHOD FOR OPTICAL UV DEEP MICROSCOPY
US7457330B2 (en) 2006-06-15 2008-11-25 Pavilion Integration Corporation Low speckle noise monolithic microchip RGB lasers
US8482197B2 (en) 2006-07-05 2013-07-09 Hamamatsu Photonics K.K. Photocathode, electron tube, field assist type photocathode, field assist type photocathode array, and field assist type electron tube
US7791170B2 (en) 2006-07-10 2010-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making a deep junction for electrical crosstalk reduction of an image sensor
KR100826407B1 (ko) 2006-10-12 2008-05-02 삼성전기주식회사 자외선 수광용 포토 다이오드 및 이를 포함하는 이미지센서
KR100874954B1 (ko) 2006-12-04 2008-12-19 삼성전자주식회사 후면 수광 이미지 센서
JP5342769B2 (ja) 2006-12-28 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極、電子管及び光電子増倍管
US8323406B2 (en) 2007-01-17 2012-12-04 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
CN101021490B (zh) * 2007-03-12 2012-11-14 3i系统公司 平面基板自动检测系统及方法
US7586108B2 (en) 2007-06-25 2009-09-08 Asml Netherlands B.V. Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector and lithographic apparatus comprising a radiation detector
US8138485B2 (en) 2007-06-25 2012-03-20 Asml Netherlands B.V. Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector, and lithographic apparatus comprising a radiation detector
WO2009009081A2 (en) 2007-07-10 2009-01-15 Massachusetts Institute Of Technology Tomographic phase microscopy
WO2009012222A1 (en) 2007-07-13 2009-01-22 Purdue Research Foundation Time-resolved raman spectroscopy
US7999342B2 (en) 2007-09-24 2011-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Image sensor element for backside-illuminated sensor
JP5039495B2 (ja) 2007-10-04 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マスクブランク検査方法、反射型露光マスクの製造方法、反射型露光方法および半導体集積回路の製造方法
US7525649B1 (en) 2007-10-19 2009-04-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging
JP5132262B2 (ja) 2007-11-02 2013-01-30 三菱電機株式会社 裏面入射型リニアイメージセンサ、その駆動方法、及びその製造方法
US7741666B2 (en) 2008-02-08 2010-06-22 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with backside P+ doped layer
US20120170021A1 (en) 2008-09-02 2012-07-05 Phillip Walsh Method and apparatus for providing multiple wavelength reflectance magnitude and phase for a sample
US7880127B2 (en) 2008-10-27 2011-02-01 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Apparatus and method for aligning an image sensor including a header alignment means
US8581228B2 (en) 2009-01-22 2013-11-12 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Corner cube enhanced photocathode
US8624971B2 (en) 2009-01-23 2014-01-07 Kla-Tencor Corporation TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection
US20100301437A1 (en) 2009-06-01 2010-12-02 Kla-Tencor Corporation Anti-Reflective Coating For Sensors Suitable For High Throughput Inspection Systems
US7985658B2 (en) 2009-06-08 2011-07-26 Aptina Imaging Corporation Method of forming substrate for use in imager devices
JP5748748B2 (ja) 2009-06-19 2015-07-15 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation 極紫外線検査システム
JP2012530929A (ja) 2009-06-22 2012-12-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. オブジェクト検査システムおよび方法
US8629384B1 (en) 2009-10-26 2014-01-14 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube optimized for surface inspection in the ultraviolet
CN102640015B (zh) 2009-12-15 2014-10-22 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 用于分析由辐射检测器输出的电脉冲的辐射检测系统和方法
EP2346094A1 (en) 2010-01-13 2011-07-20 FEI Company Method of manufacturing a radiation detector
EP2526566B1 (en) 2010-01-21 2018-03-07 Roper Scientific, Inc. Solid state back-illuminated photon sensor and its method of fabrication
CA2786149C (en) 2010-01-22 2019-11-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Inhibition of axl signaling in anti-metastatic therapy
US8558234B2 (en) 2010-02-11 2013-10-15 California Institute Of Technology Low voltage low light imager and photodetector
US8269223B2 (en) 2010-05-27 2012-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Polarization enhanced avalanche photodetector and method thereof
US8310021B2 (en) 2010-07-13 2012-11-13 Honeywell International Inc. Neutron detector with wafer-to-wafer bonding
JP6010042B2 (ja) 2010-12-16 2016-10-19 ケーエルエー−テンカー コーポレイション ウェーハ検査
US8669512B2 (en) 2010-12-28 2014-03-11 Technion Research & Development Foundation Limited System and method for analyzing light by three-photon counting
US8513587B2 (en) 2011-01-24 2013-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor with anti-reflection layer and method of manufacturing the same
US8455971B2 (en) 2011-02-14 2013-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for improving charge transfer in backside illuminated image sensor
JP2012189385A (ja) 2011-03-09 2012-10-04 Fujifilm Corp 放射線画像検出装置の保守方法
US9318870B2 (en) 2011-05-06 2016-04-19 Kla-Tencor Corporation Deep ultra-violet light sources for wafer and reticle inspection systems
US9279774B2 (en) 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
US8871557B2 (en) 2011-09-02 2014-10-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Photomultiplier and manufacturing method thereof
US8872159B2 (en) 2011-09-29 2014-10-28 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Graphene on semiconductor detector
US10197501B2 (en) 2011-12-12 2019-02-05 Kla-Tencor Corporation Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors
US8754972B2 (en) 2012-02-01 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Integrated multi-channel analog front end and digitizer for high speed imaging applications
US9496425B2 (en) 2012-04-10 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Back-illuminated sensor with boron layer
US10079257B2 (en) 2012-04-13 2018-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Anti-reflective layer for backside illuminated CMOS image sensors
KR101914231B1 (ko) 2012-05-30 2018-11-02 삼성디스플레이 주식회사 주사 전자 현미경을 이용한 검사 시스템
NL2011568A (en) 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Sensor and lithographic apparatus.
US8912615B2 (en) 2013-01-24 2014-12-16 Osi Optoelectronics, Inc. Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US9478402B2 (en) 2013-04-01 2016-10-25 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor
US9350921B2 (en) 2013-06-06 2016-05-24 Mitutoyo Corporation Structured illumination projection with enhanced exposure control
US9347890B2 (en) 2013-12-19 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor
US9748294B2 (en) 2014-01-10 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Anti-reflection layer for back-illuminated sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5428392A (en) * 1992-11-20 1995-06-27 Picker International, Inc. Strobing time-delayed and integration video camera system
JP2005241290A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Toshiba Corp 画像入力装置及び検査装置
US20070064135A1 (en) * 2004-11-18 2007-03-22 Brown David L Apparatus for continuous clocking of TDI sensors
WO2011123469A1 (en) * 2010-03-29 2011-10-06 Intevac, Inc. Time resolved photoluminescence imaging systems and methods for photovoltaic cell inspection

Also Published As

Publication number Publication date
CN104904194B (zh) 2018-08-07
TWI597981B (zh) 2017-09-01
CN104904194A (zh) 2015-09-09
TW201433165A (zh) 2014-08-16
JP2016500493A (ja) 2016-01-12
WO2014093341A1 (en) 2014-06-19
JP6129334B2 (ja) 2017-05-17
US20140158864A1 (en) 2014-06-12
KR101975081B1 (ko) 2019-08-23
US9426400B2 (en) 2016-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101975081B1 (ko) 펄스 조명을 사용한 동영상들의 고속 획득을 위한 방법 및 장치
KR102700625B1 (ko) 컴퓨터 비전 애플리케이션들을 위한 글로벌 셔터 픽셀 회로 및 방법
CN112113977B (zh) 晶片检查
KR102179984B1 (ko) 저-잡음 센서 및 저-잡음 센서를 이용한 검사 시스템
TWI704809B (zh) 使用低雜訊感測器之暗場檢測
US20160337608A1 (en) Solid-state image sensor, and ranging apparatus and imaging apparatus using same
JP2010213231A (ja) 固体撮像素子、その駆動方法及び撮像システム
CN110268282B (zh) 从动态位置提供接收光的动态视场
JP2007178314A (ja) 固体撮像素子を用いた三次元画像取得方法
Downing et al. Backside-illuminated, high-QE, 3e-RoN, fast 700fps, 1760x1680 pixels CMOS imager for AO with highly parallel readout
JP2011029790A (ja) 撮像システム
Mantsvetov et al. Controlling the accumulation regime in solid-state photodetectors
JP2006014133A (ja) 撮像装置及び撮像方法
Walasek-Hoehne et al. Video Cameras used in Beam Instrumentation--an Overview
GB2461042A (en) Determination of imaged object centroid using CCD charge binning
JP2008002932A (ja) 試料撮像装置及び試料の照明方法
JP2024085815A (ja) 放射線検出器、放射線検出器の駆動方法、および放射線撮像システム
Yao et al. Research on smear effect modeling of frame transfer CCD sensor
Bulayev TDI Imaging: An Efficient AOI and AXI Tool
JPH09280825A (ja) 位置検出方法及びその装置
Dupont et al. Backside-Illuminated, high QE, 3e-RoN, fast 700fps, 1760x1680 pixels CMOS Imager for AO with highly parallel readout

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right