KR20150067737A - Cleaning agent composition for removing solder flux residues - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는 땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물, 땜납 플럭스 잔사의 세정 방법 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a detergent composition for removing solder flux residue, a cleaning method for solder flux residue, and a method for manufacturing electronic components.
최근 프린트 배선판이나 세라믹 기판에 대한 전자 부품의 실장에 관해서는 저소비 전력, 고속 처리와 같은 관점에서, 부품이 소형화되어 땜납 플럭스의 세정에 있어서는 세정해야 할 간극이 좁아지고 있다. 또, 환경 안전면에서 납프리 땜납이 사용되고 있으며, 이에 수반하여 로진계 플럭스가 이용되고 있다.Recently, mounting of electronic components to printed wiring boards and ceramic substrates has narrowed the gap to be cleaned in cleaning solder fluxes from the viewpoint of low power consumption and high-speed processing. Further, lead-free solder is used in terms of environmental safety, and rosin-based flux is used accordingly.
특허문헌 1 에는, 납땜한 부품의 간극에 잔존하는 플럭스 잔사의 세정에 바람직한 플럭스용 세정제 조성물로서, 특정 글리콜에테르와 알칸올아민 및 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염 및 물을 함유하는 플럭스용 세정제 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses an alkylbenzene sulfonic acid and / or a salt thereof having a specific glycol ether, an alkanolamine and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and an alkylbenzenesulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, as a flux cleaning composition for washing a flux residue remaining in a gap of a soldered component. Disclosed is a detergent composition for flux containing water.
특허문헌 2 에는, 좁은 간극에 존재하는 플럭스 잔사에 대한 세정성이 높을 뿐만 아니라, 물에 의한 헹굼성이 양호하여 기포 생성이 억제된, 플럭스 잔사가 부착된 피세정물의 세정 방법으로서, 물을 2 질량％ 이상 10 질량％ 이하, 글리콜에테르를 50 질량％ 이상 97.75 질량％ 미만 및 아민 화합물을 0.05 질량％ 이상 5 질량％ 이하 함유하는 세정제를 이용하여, 특정 세정 조건 및 세정 장치로 세정하는 방법이 개시되어 있다.Patent Document 2 discloses a method for cleaning a subject to be cleaned, which has a high cleaning property against a flux residue present in a narrow gap, and is excellent in rinsability by water and inhibited the formation of bubbles, A specific cleaning condition and a method of cleaning with a cleaning device using a cleaning agent containing not less than 10 mass% and not more than 97 mass% of glycol ether and not less than 0.05 mass% and not more than 5 mass% of an amine compound .
최근의 납프리화에 수반하여, 1) 리플로우 온도의 고온화, 2) 땜납 금속 중의 주석 함유량 증가가 원인으로 제거 곤란한 로진산 등의 주석염이 플럭스 잔사 중에 증가했기 때문에, 기존의 세정제로는 잔존하게 된다는 문제가 있다. 한편, 세정성이 양호한 것은 전극에 사용하는 구리를 부식시켜 버린다는 문제가 생긴다. 또한, 저소비 전력, 고속 처리와 같은 관점에서, 부품이 소형화되어 세정해야 할 간극이 좁아지고 있다. 표면 장력이 낮은 세정제는 침투력이 높아 좁은 간극의 플럭스 잔사를 용해시킬 수는 있지만, 헹굼 공정에서 사용하는 물은 표면 장력이 높기 때문에, 간극으로의 침투 속도가 느려 충분히 헹굴 수 없다는 문제가 일어나고 있다. 특허문헌 1 의 세정제에서도 추가적인 세정성과 헹굼성의 향상이 요망된다.With the recent lead-freeization, tin salts such as rosin acid, which is difficult to remove due to 1) high reflow temperature and 2) increase in tin content in the solder metal, have increased in the flux residue, There is a problem. On the other hand, if the cleaning property is good, there is a problem that the copper used for the electrode is corroded. In addition, from the viewpoint of low power consumption and high-speed processing, the gap between the parts to be cleaned and the parts to be cleaned becomes narrow. The detergent having a low surface tension has a high penetration ability and can dissolve the flux residue of a narrow gap. However, since the water used in the rinsing process has a high surface tension, the penetration rate into the gap is slow and the problem is that the rinse can not be sufficiently rinsed. It is desired to further improve the cleaning property and the rinsing property even in the cleaning agent of Patent Document 1.
그래서, 본 개시는 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납 플럭스를 이용하여 리플로우된 기판에 대한 세정성이 우수한 땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물을 제공한다. 또, 본 개시는 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납 플럭스를 이용하여 리플로우된 기판에 대한 세정성, 그리고 좁은 간극으로의 침투성 및 헹굼성이 우수하고, 나아가서는 양호한 구리 부식 억제, 발포 억제, 및 안전성 (인화성의 저감) 을 나타내는 땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물을 제공한다.Thus, the present disclosure provides, in one or more embodiments, a detergent composition for removing solder flux residues that is excellent in cleaning property against reflowed substrates using solder flux. In addition, the present disclosure relates to a method of manufacturing a semiconductor device which, in one or a plurality of embodiments, is excellent in cleanability for a substrate reflowed using a solder flux, penetration into narrow gaps and rinsability, , And safety (reduction in flammability) of the solder flux residue.
본 개시는 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 하기 식 (I) 로 나타내는 화합물 (성분 A), 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물 (성분 B), 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염 (성분 C) 및 물 (성분 D) 을 함유하고, The present disclosure relates to a compound (component A) represented by the following formula (I), a compound represented by the following formula (II) (component B), an alkyl benzene sulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, / Or a salt thereof (component C) and water (component D)
성분 A 의 함유량이 88.0 질량％ 이상 94.4 질량％ 이하이며, The content of the component A is 88.0 mass% or more and 94.4 mass% or less,
성분 A 중 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량이 90.0 질량％ 이상 100.0 질량％ 이하이고, The content of diethylene glycol monobutyl ether in component A is 90.0% by mass or more and 100.0% by mass or less,
성분 B 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하이며, , The content of the component B is not less than 0.3 mass% and not more than 5.0 mass%
성분 C 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인 When the content of the component C is 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less
땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물에 관한 것이다.To a cleaning agent composition for removing solder flux residues.
[상기 식 (I) 에 있어서, R 은 탄소수 3 ∼ 7 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 1 ∼ 5 이다][In the above formula (I), R represents a hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms and n is 1 to 5]
[상기 식 (II) 에 있어서, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 아미노에틸기, R2 는 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 또는 에틸기, R3 은 하이드록시에틸기 또는 하이드록시프로필기이다]Wherein R 1 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group, R 3 is a hydroxyethyl group or a hydroxy group Propyl group]
본 개시는 그 밖의 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 리플로우된 땜납을 갖는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 갖는 땜납 플럭스 잔사의 세정 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a method of cleaning a solder flux residue having a process of cleaning a material to be cleaned with reflowed solder with a detergent composition according to the present disclosure in one or more embodiments.
본 개시는 그 밖의 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 부품을, 플럭스를 사용한 납땜에 의해 회로 기판 상에 탑재하는 공정, 및 상기 탑재물을 본 개시에 관련된 플럭스 잔사의 세정 방법에 의해 세정하는 공정을 포함하는 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a process for mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor and a circuit board onto a circuit board by soldering using flux, And cleaning the mount by a cleaning method of a flux residue related to the present disclosure.
본 개시에 의하면, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납 플럭스를 이용하여 리플로우된 기판에 대한 세정성이 우수한 땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물, 그것을 사용한 세정 방법 및 그것을 사용한 전자 부품의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또, 본 개시에 의하면, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 땜납 플럭스를 이용하여 리플로우된 기판에 대한 세정성, 그리고 좁은 간극으로의 침투성 및 헹굼성이 우수하고, 나아가서는 양호한 구리 부식 억제, 발포 억제, 및 안전성 (인화성의 저감) 을 나타내는 땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물, 그것을 사용한 세정 방법 및 그것을 사용한 전자 부품의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present disclosure, there is provided a detergent composition for removing solder flux residue, which has excellent cleaning property against reflowed substrates using solder flux in one or a plurality of embodiments, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of an electronic part using the same . Further, according to the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, it is possible to use a solder flux to clean the reflowed substrate, to have excellent permeability to a narrow gap and rinse property, A cleaning method using the same, and a method of manufacturing an electronic part using the cleaning composition. The present invention also provides a cleaning agent composition for removing solder flux residue which shows foaming inhibition and safety (reduction in flammability).
본 개시는, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 주성분으로 하는 글리콜에테르가 다량으로 배합된 세정제 조성물은 종래보다 세정성이 향상된다는 지견에 기초한다. 또, 본 개시는, 그 세정제 조성물은 구리 부식 억제, 발포 억제, 및 안전성 (인화성의 저감) 이 양호하면서, 세정성과 더불어 좁은 간극으로의 침투성 및 헹굼성이 향상될 수 있다는 지견에 기초한다.The present disclosure is based on the knowledge that a detergent composition in which a large amount of glycol ether containing diethylene glycol monobutyl ether as a main component is blended improves cleaning properties than conventional ones. Further, the present disclosure is based on the knowledge that the detergent composition is capable of improving copper penetration, foaming inhibition, safety (reduction in flammability), penetration into narrow gaps, and rinsability.
즉, 본 개시는 일 양태에 있어서, 상기 식 (I) 로 나타내는 화합물 (성분 A), 상기 식 (II) 로 나타내는 화합물 (성분 B), 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염 (성분 C) 및 물 (성분 D) 을 함유하고, That is, the present disclosure relates to a process for preparing a compound represented by the formula (I) (component A), a compound represented by the formula (II) (component B), an alkylbenzenesulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and / Containing the salt (component C) and water (component D)
성분 A 의 함유량이 88.0 질량％ 이상 94.4 질량％ 이하이며, The content of the component A is 88.0 mass% or more and 94.4 mass% or less,
성분 A 중 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량이 90.0 질량％ 이상 100.0 질량％ 이하이고, The content of diethylene glycol monobutyl ether in component A is 90.0% by mass or more and 100.0% by mass or less,
성분 B 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하이며, , The content of the component B is not less than 0.3 mass% and not more than 5.0 mass%
성분 C 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인 When the content of the component C is 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less
땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물 (이하, 「본 개시에 관련된 세정제 조성물」이라고도 한다) 에 관한 것이다.(Hereinafter also referred to as " detergent composition related to the present disclosure ") for removing solder flux residues.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 효과의 작용 메커니즘의 자세한 것은 불분명한 부분이 있지만, 이하와 같이 추정된다. 즉, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르는 땜납 플럭스와의 친화성이 높고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 주성분으로 하는 글리콜에테르 (성분 A) 를 다량으로 함유함으로써, 세정제 조성물의 표면 장력이 낮아져 좁은 간극의 땜납 플럭스 잔사를 용해시켜 세정하는 바, 특정 알칸올아민 (성분 B) 과 알킬벤젠술폰산 또는 그 염 (성분 C) 에 의한 땜납 플럭스 잔사 중으로의 침투에 의한 팽윤 작용으로 성분 A 에 의한 세정성이 향상되는 것으로 생각된다. 또, 물에 의한 헹굼시에는, 본 개시에 관련된 세정제 조성물 중의 특정 알칸올아민 (성분 B) 과 알킬벤젠술폰산 또는 그 염 (성분 C) 및 물 (성분 D) 에 의해, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르와 헹굼수의 친화성이 높아져 헹굼성이 우수한 것으로 생각된다. 그리고, 알칸올아민 (성분 B) 을 특정 범위의 양으로 함으로써 구리의 부식이 억제되는 것으로 생각된다. 또한, 각 성분을 특정량으로 함으로써, 발포성과 안전성이 양호하게 유지되고 있는 것으로 생각된다. 단, 본 개시는 이 메커니즘에 한정하여 해석되지 않아도 된다.Although the details of the mechanism of action of the effect in the detergent composition related to the present disclosure are unclear, they are presumed as follows. That is, diethylene glycol monobutyl ether has high affinity for the solder flux and contains a large amount of glycol ether (component A) containing diethylene glycol monobutyl ether as a main component, so that the surface tension of the detergent composition becomes low, Cleaning by dissolving solder flux residues improves cleanability by component A due to swelling by penetration into solder flux residues by specific alkanolamine (component B) and alkyl benzene sulfonic acid or its salt (component C) . Further, at the time of rinsing with water, by using a specific alkanolamine (component B), alkylbenzenesulfonic acid or its salt (component C) and water (component D) in the detergent composition related to the present disclosure, diethylene glycol monobutyl ether And the rinsing water is increased, so that the rinsing property is considered to be excellent. It is considered that the corrosion of copper is suppressed by adjusting the amount of the alkanolamine (component B) within a specific range. Further, it is considered that the foamability and the safety are kept favorable by setting each component to a specific amount. However, the present disclosure is not limited to this mechanism.
본 개시에 있어서 「플럭스」란 납땜에 사용되는 로진 또는 로진 유도체를 함유하는 로진계 플럭스를 말하며, 본 개시에 있어서 「납땜」은 리플로우 방식 및 플로우 방식의 납땜을 포함한다. 본 개시에 있어서 「땜납 플럭스」란, 땜납과 플럭스의 혼합물을 말한다. 회로 기판 상에 다른 부품 (예를 들어, 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 다른 회로 기판 등) 이 적층되어 탑재되면 상기 회로 기판과 상기 다른 부품 사이에 공간 (간극) 이 형성된다. 상기 탑재를 위해서 사용되는 플럭스는, 리플로우 등에 의해 납땜된 후에 플럭스 잔사로서 이 간극에도 잔존할 수 있다. 본 개시에 있어서 「땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물」이란, 플럭스 또는 땜납 플럭스를 이용하여 납땜한 후의 플럭스 잔사를 세정하기 위한 세정제 조성물을 말한다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 의한 세정성 및 좁은 간극으로의 침투성의 현저한 효과 발현면에서, 땜납은 납 (Pb) 프리 땜납인 것이 바람직하다.In the present disclosure, "flux" refers to rosin-based fluxes containing rosin or rosin derivatives used for soldering, and in this disclosure, "soldering" includes reflow soldering and flow soldering. In the present disclosure, "solder flux" refers to a mixture of solder and flux. When another component (for example, a semiconductor chip, a chip capacitor, another circuit board, or the like) is stacked and mounted on a circuit board, a space (gap) is formed between the circuit board and the other component. The flux used for the mounting may remain in the gap as a flux residue after soldering by reflow or the like. In the present disclosure, the "detergent composition for removing solder flux residue" refers to a detergent composition for cleaning flux residues after soldering using flux or solder flux. In view of the remarkable effect of cleansing property and permeability into a narrow gap by the detergent composition relating to the present disclosure, the solder is preferably a lead (Pb) -free solder.
[성분 A][Component A]
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 A 는, 하기 식 (I) 로 나타내는 1 또는 1 이상의 (폴리)에틸렌글리콜모노알킬에테르이다.Component A in the detergent composition according to the present disclosure is one or more (poly) ethylene glycol monoalkyl ethers represented by the following formula (I).
[식 (I) 에 있어서, R 은 탄소수 3 ∼ 7 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 1 ∼ 5 이다][In the formula (I), R represents a hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms, and n is 1 to 5]
상기 식 (I) 에 있어서, R 은 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 탄소수 3 ∼ 7 의 탄화수소기이며, 바람직하게는 탄소수 3 ∼ 6 의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 4 ∼ 6 의 탄화수소기이다. R 은 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기를 함유한다. 평균 부가 몰수 n 은, 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 1 ∼ 5 이며, 바람직하게는 1 ∼ 3, 보다 바람직하게는 2 또는 3 이다. 탄화수소기는 바람직하게는 알킬기, 알케닐기 및 아릴기이며, 보다 바람직하게는 알킬기이다.In the above formula (I), R is a hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms, preferably a hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, more preferably a hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, from the viewpoint of improving the cleaning property of the flux residue remaining in the gap Is a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms. R in one or more embodiments contains a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. The average addition mole number n is 1 to 5, preferably 1 to 3, more preferably 2 or 3 from the viewpoint of improving the cleaning property with respect to the flux residue remaining in the gap. The hydrocarbon group is preferably an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group, more preferably an alkyl group.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 A 는, 적어도 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 (식 (I) 에 있어서, R 이 부틸기, n = 2) 를 함유한다. 또한, 본 개시에 있어서 부틸기는 특별히 언급이 없는 경우, n-부틸기를 말한다.Component A in the detergent composition according to the present disclosure contains at least diethylene glycol monobutyl ether (in formula (I), R is a butyl group, n = 2). The butyl group in the present disclosure refers to an n-butyl group unless otherwise specified.
디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분 A 로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르 ； 디에틸렌글리콜모노알릴에테르 등의 디에틸렌글리콜모노알케닐에테르 ； 디에틸렌글리콜모노벤질에테르 등의 디에틸렌글리콜모노아릴에테르 ； 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소부틸에테르 등의 트리에틸렌글리콜모노알킬에테르 ； 트리에틸렌글리콜모노알릴에테르 등의 트리에틸렌글리콜모노알케닐에테르 ； 테트라에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 테트라에틸렌글리콜모노알킬에테르 ； 펜타에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 펜타에틸렌글리콜모노알킬에테르가 바람직하다. 이들 중에서도, 동일한 관점에서 디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 ； 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르가 보다 바람직하다. 또, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분 A 는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 좁은 간극으로의 침투성 향상의 관점에서 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르가 바람직하다.As the component A other than diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, Diethylene glycol monoalkyl ethers such as diethylene glycol monohexyl ether; diethylene glycol monoalkenyl ethers such as diethylene glycol monoallyl ether; diethylene glycol monoaryl ethers such as diethylene glycol monobenzyl ether; triethylene glycol monoalkyl ethers such as triethylene glycol mono Triethylene glycol monoalkyl ethers such as isopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether and triethylene glycol monoisobutyl ether, triethylene glycol monoalkenyl ethers such as triethylene glycol monoallyl ether and the like, tetraethylene glycol monobutyl ether and the like Of tetraethylene glycol Monoalkyl ether, a pentaethylene glycol monobutyl ether and pentaethylene glycol monoalkyl ether. Of these, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether and triethylene glycol monoisopropyl ether are more preferable from the same viewpoint. Component A other than diethylene glycol monobutyl ether is preferably triethylene glycol monobutyl ether from the viewpoint of improving permeability into a narrow gap in one or more embodiments.
또, 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 A 는, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 (인화점 120 ℃) 이외의 성분으로서, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 인화점이 높아 안전성이 우수하고, 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성도 우수하다는 관점에서 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르 (인화점 112 ℃), 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 (인화점 141 ℃), 디에틸렌글리콜모노벤질에테르 (인화점 158 ℃), 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르 (인화점 156 ℃), 트리에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노알릴에테르가 바람직하다. 이들 중에서도, 동일한 관점에서 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르가 보다 바람직하다.Component A in the detergent composition according to the present disclosure is a component other than diethylene glycol monobutyl ether (a flash point of 120 占 폚) and has high flash point in one or a plurality of embodiments, Diethylene glycol monohexyl ether (flash point: 141 占 폚), diethylene glycol monobenzyl ether (flash point: 158 占 폚), triethylene glycol monoisobutyl ether Glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether (flash point: 156 占 폚), triethylene glycol monoisobutyl ether, and triethylene glycol monoallyl ether are preferable. Of these, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether and triethylene glycol monoisopropyl ether are more preferable from the same viewpoint.
또한 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 A 는, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분으로서, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 인화점으로부터의 안전성 및 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성과 더불어, 수용성이 우수하고 제제화도 우수하다는 관점에서 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노벤질에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노알릴에테르가 바람직하다. 이들 중에서도, 동일한 관점에서 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노벤질에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노알릴에테르가 보다 바람직하고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르가 더욱 바람직하다.Also, component A in the detergent composition according to the present disclosure is a component other than diethylene glycol monobutyl ether, and in addition to the safety from the flash point in one or more embodiments and the cleaning ability to the flux residue remaining in the gap, From the viewpoint of excellent water solubility and excellent formability, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monobenzyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monoisobutyl ether, triethylene glycol monoisobutyl ether, Glycol monoallyl ether is preferred. Of these, from the same viewpoint, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monobenzyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monoisobutyl ether , And triethylene glycol monoallyl ether are more preferable, and diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, and triethylene glycol monoisopropyl ether are more preferable.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 A 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 88.0 질량％ 이상이며, 바람직하게는 88.5 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 89.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 89.4 질량％ 이상이다. 또, 성분 A 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 94.4 질량％ 이하이며, 바람직하게는 93.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 92.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 91.0 질량％ 이하이다. 또, 성분 A 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 88.0 질량％ 이상 94.4 질량％ 이하이며, 바람직하게는 88.5 질량％ 이상 93.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 89.0 질량％ 이상 92.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 89.4 질량％ 이상 91.0 질량％ 이하이다. 상기 서술한 바와 같이, 성분 A 는 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하지만, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 단독이어도 되고, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 상기 식 (I) 로 나타내는 1 또는 복수 종류의 화합물로 이루어지는 것이어도 된다.The content of the component A in the detergent composition according to the present disclosure is 88.0% by mass or more, preferably 88.5% by mass or more, from the viewpoint of improving the cleaning property of the flux residue remaining in the gaps in one or more embodiments , More preferably not less than 89.0 mass%, further preferably not less than 89.4 mass%. The content of the component A is 94.4 mass% or less, preferably 93.0 mass% or less, more preferably 92.0 mass% or less, and further preferably 91.0 mass% or less, from the same viewpoint in one or a plurality of embodiments to be. The content of the component A is 88.0 mass% or more and 94.4 mass% or less, preferably 88.5 mass% or more and 93.0 mass% or less, and more preferably 89.0 mass% or more and 92.0 mass% or less, from the same viewpoint in one or a plurality of embodiments. By mass or less, and more preferably from 89.4% by mass or more to 91.0% by mass or less. As described above, the component A contains diethylene glycol monobutyl ether, but diethylene glycol monobutyl ether alone or diethylene glycol monobutyl ether alone or plural kinds of compounds represented by the above formula (I) other than diethylene glycol monobutyl ether .
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 A 중의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 90.0 질량％ 이상이며, 바람직하게는 93.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 94.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 96.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 98.0 질량％ 이상이다. 또, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 A 중의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 100.0 질량％ 이하이다.The content of diethylene glycol monobutyl ether in the component A in the detergent composition according to the present disclosure is 90.0% by mass or more from the viewpoint of improving the cleaning property of the flux residue remaining in the gaps in one or more embodiments, Preferably 93.0% by mass or more, more preferably 94.0% by mass or more, further preferably 96.0% by mass or more, still more preferably 98.0% by mass or more. The content of diethylene glycol monobutyl ether in component A is 100.0 mass% or less from the same viewpoint in one or a plurality of embodiments.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 조성물 중의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 바람직하게는 88.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 88.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 89.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 89.4 질량％ 이상이다. 또, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 세정제 조성물 중의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 바람직하게는 94.4 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 93.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 92.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 91.0 질량％ 이하이다. 또, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 바람직하게는 88.0 질량％ 이상 94.4 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 88.5 질량％ 이상 93.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 89.0 질량％ 이상 92.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 89.4 질량％ 이상 91.0 질량％ 이하이다.The content of the diethylene glycol monobutyl ether in the detergent composition according to the present disclosure in the detergent composition is preferably 88.0% by mass or less, more preferably 88.0% by mass or less from the viewpoint of improving the cleaning property of the flux residue remaining in the gap in one or more embodiments, More preferably 88.5% by mass or more, further preferably 89.0% by mass or more, and even more preferably 89.4% by mass or more. The content of diethylene glycol monobutyl ether in the detergent composition is preferably 94.4% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, still more preferably 92.0% by mass or less, Or less, still more preferably 91.0 mass% or less. The content of diethylene glycol monobutyl ether is preferably 88.0% by mass or more and 94.4% by mass or less, more preferably 88.5% by mass or more and 93.0% by mass or less, still more preferably from 88% Is not less than 89.0 mass% and not more than 92.0 mass%, and more preferably not less than 89.4 mass% and not more than 91.0 mass%.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분 A 가 함유되는 경우, 성분 A 중의 그 함유량 (복수 종류의 경우에는 합계의 함유량) 은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상을 저해하지 않는 관점에서 바람직하게는 10 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 7.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 6.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 2.0 질량％ 이하이다.When the detergent composition according to the present disclosure contains the component A other than the diethylene glycol monobutyl ether, the content thereof in the component A (the total content in the case of plural kinds) remains in the gap in one or more embodiments Preferably not more than 7.0% by mass, more preferably not more than 6.0% by mass, even more preferably not more than 4.0% by mass, from the viewpoint of not deteriorating the cleaning property of the flux residue, And even more preferably 2.0 mass% or less.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분 A 가 함유되는 경우, 세정제 조성물 중의 그 함유량 (복수 종류의 경우에는 합계의 함유량) 은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상을 저해하지 않는 관점에서 바람직하게는 8.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 6.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 5.0 질량％ 이하이다. 또, 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분 A 가 함유되는 경우, 세정제 조성물 중의 그 함유량 (복수 종류의 경우에는 합계의 함유량) 은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 바람직하게는 1.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 2.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 3.0 질량％ 이상이다.When the detergent composition according to the present disclosure contains component A other than diethylene glycol monobutyl ether, the content thereof (the content of the plural kinds in total) in the detergent composition may remain in the gaps in one or more embodiments Is preferably not more than 8.0% by mass, more preferably not more than 6.0% by mass, further preferably not more than 5.0% by mass from the viewpoint of not deteriorating the cleaning property of the flux residue. When the detergent composition according to the present disclosure contains a component A other than diethylene glycol monobutyl ether, the content thereof (the content of the plural kinds in total) in the detergent composition is preferably in one or more embodiments Is not less than 1.0% by mass, more preferably not less than 2.0% by mass, and further preferably not less than 3.0% by mass.
[성분 B][Component B]
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 B 는, 하기 식 (II) 로 나타내는 1 또는 복수 종류의 알칸올아민이다.Component B in the detergent composition according to the present disclosure is one or plural kinds of alkanolamines represented by the following formula (II).
[상기 식 (II) 에 있어서, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 아미노에틸기, R2 는 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 또는 에틸기, R3 은 하이드록시에틸기 또는 하이드록시프로필기이다]Wherein R 1 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group, R 3 is a hydroxyethyl group or a hydroxy group Propyl group]
성분 B 의 알칸올아민으로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 그리고 이들의 알킬화물 및 아미노알킬화물을 들 수 있으며, 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 모노메틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 디메틸모노에탄올아민, 모노에틸모노에탄올아민, 모노에틸디에탄올아민 및 모노아미노에틸이소프로판올아민이 바람직하고, 디에탄올아민, 모노에틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민 및 모노아미노에틸이소프로판올아민이 보다 바람직하고, 모노에틸모노에탄올아민 및 모노메틸디에탄올아민이 보다 바람직하다.Examples of the alkanolamine of component B include monoethanolamine, diethanolamine, and alkylated and aminoalkylated compounds thereof in one or more embodiments, and the cleaning property of the residue of flux remaining in the gap is improved Monoethanolamine, monoethylenediethanolamine, monomethyldiethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monoethyldiethanolamine, and monoaminoethyl isopropanolamine are preferable, and di More preferred are ethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine and monoaminoethylisopropanolamine, and monoethylmonoethanolamine and monomethyldiethanolamine are more preferred.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 B 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 0.3 질량％ 이상이며, 바람직하게는 0.5 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 1.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 1.5 질량％ 이상이다. 또, 성분 B 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 5.0 질량％ 이하이며, 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 3.5 질량％ 이하이다. 또, 성분 B 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하이며, 바람직하게는 0.5 질량％ 이상 4.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 1.5 질량％ 이상 3.5 질량％ 이하이다. 상기 서술한 바와 같이, 성분 B 는 상기 식 (II) 로 나타내는 단독의 화합물이어도 되고, 상기 식 (II) 로 나타내는 복수 종류의 화합물로 이루어지는 것이어도 된다.The content of the component B in the detergent composition according to the present disclosure is 0.3% by mass or more, preferably 0.5% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more from the viewpoint of improving the cleaning property of the flux residue remaining in the gaps in one or more embodiments , More preferably 1.0 mass% or more, and still more preferably 1.5 mass% or more. The content of the component B is 5.0 mass% or less, preferably 4.5 mass% or less, more preferably 4.0 mass% or less, still more preferably 3.5 mass% or less, from the same viewpoint in one or a plurality of embodiments to be. The content of the component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less, preferably 0.5% by mass or more and 4.5% by mass or less, and more preferably 1.0% by mass or more and 4.0% By mass or less, more preferably 1.5% by mass or more and 3.5% by mass or less. As described above, the component B may be a single compound represented by the formula (II), or may be composed of a plurality of compounds represented by the formula (II).
[성분 C][Component C]
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 C 는, 1 또는 복수 종류의 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염으로 이루어진다. 알킬벤젠술폰산 중에 복수의 알킬기를 가져도 되고, 그 경우에는 복수의 알킬기의 탄소수의 합계로 탄소수 1 ∼ 6 이다. 성분 C 의 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염에 있어서의 알킬기의 탄소수는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 점에서 1 ∼ 6 이고, 1 ∼ 4 가 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 한층 더 바람직하다. 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 알킬벤젠술폰산의 염으로는, 세정제 조성물로서 허용되는 점에서 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속염, 암모늄염, 유기 아민염이 바람직하고, 반도체 품질의 안정성의 관점에서 금속 이온이 잔류하지 않는 암모늄염, 유기 아민염이 더욱 바람직하다. 또한, 유기 아민염이 성분 B 에 의한 염이어도 된다.The component C in the detergent composition according to the present disclosure is composed of one or more kinds of alkylbenzenesulfonic acids having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and / or a salt thereof. The alkylbenzenesulfonic acid may have a plurality of alkyl groups, and in this case, the total number of carbon atoms of the plurality of alkyl groups is 1 to 6 carbon atoms. The number of carbon atoms of the alkyl group in the alkylbenzenesulfonic acid and / or its salt of the component C is 1 to 6 in order to improve the cleaning power against the flux residue remaining in the gap in one or more embodiments, More preferably 1 to 3, further preferably 1 or 2, and still more preferably 1. As the salt of the alkylbenzenesulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkali metal salt, an ammonium salt or an organic amine salt such as sodium or potassium is preferable from the point of view of the detergent composition composition, The remaining ammonium salts and organic amine salts are more preferred. Further, the organic amine salt may be a salt with the component B.
성분 C 에 함유되는 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염으로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 점에서 톨루엔술폰산, 자일렌술폰산, 에틸벤젠술폰산, 프로필벤젠술폰산, 이소프로필벤젠술폰산, 부틸벤젠술폰산, 펜틸벤젠술폰산, 헥실벤젠술폰산, 2,4-디메틸벤젠술폰산, 디프로필벤젠술폰산, 및/또는 이들의 염을 들 수 있으며, 이들은 오르토 위치, 메타 위치, 파라 위치 중 어느 것이어도 된다. 성분 C 는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 p-톨루엔술폰산, 자일렌술폰산, 에틸벤젠술폰산, 부틸벤젠술폰산, 및/또는 이들의 염이 보다 바람직하고, p-톨루엔술폰산이 더욱 바람직하다.As the alkylbenzenesulfonic acid and / or salt thereof contained in Component C, toluene sulfonic acid, xylenesulfonic acid, ethylbenzenesulfonic acid, propylbenzenesulfonic acid, propylbenzenesulfonic acid, propylbenzenesulfonic acid, and propylbenzenesulfonic acid are preferably used in order to improve the detergency against the flux residue remaining in the gaps in one or more embodiments. There may be mentioned benzenesulfonic acid, isopropylbenzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, pentylbenzenesulfonic acid, hexylbenzenesulfonic acid, 2,4-dimethylbenzenesulfonic acid, dipropylbenzenesulfonic acid, and / or their salts, , Or para position. Component C is more preferably p-toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, ethylbenzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, and / or a salt thereof in one or more embodiments, more preferably p-toluenesulfonic acid Do.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 C 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하이며, 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 관점에서 바람직하게는 0.4 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상이며, 그리고 세정제 조성물의 간극으로의 침투성을 향상시키는 관점에서 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 3.0 질량％ 이하이다. 상기 서술한 바와 같이, 성분 C 는 단독의 화합물이어도 되고, 복수 종류의 화합물로 이루어지는 것이어도 된다. 성분 C 가 염인 경우의 성분 C 의 함유량은, 산형 (酸型) 으로 환산하여 함유량을 계산한다.The content of the component C in the detergent composition according to the present disclosure is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less in one or more embodiments, and from the viewpoint of improving the detergency against the flux residue remaining in the gap, Preferably 0.4% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and preferably 4.5% by mass or less, more preferably 4.0% by mass or less, still more preferably 3.0% by mass or less from the viewpoint of improving permeability into the gap of the detergent composition % Or less. As described above, the component C may be a single compound or may be composed of plural kinds of compounds. When the component C is a salt, the content of the component C is calculated in terms of the acid type.
[성분 D][Component D]
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 D 는 물이다. 물은 증류수, 이온 교환수, 또는 초순수 등이 사용될 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 성분 D 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 인화성을 저감시키는 관점에서 바람직하게는 5.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상이다. 또, 성분 D 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 관점에서 바람직하게는 10.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 9.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 8.0 질량％ 이하이다. 성분 D 의 함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 점 및 인화성을 저감시키는 관점에서 바람직하게는 5.0 질량％ 이상 10.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상 9.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상 8.0 질량％ 이하이다.Component D in the detergent composition related to this disclosure is water. Water may be distilled water, ion exchange water, or ultra pure water. The content of the component D in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 5.0% by mass or more, more preferably 5.5% by mass or more, and still more preferably 1.5% by mass or more, from the viewpoint of reducing flammability in one or more embodiments. 6.5% by mass or more. The content of the component D is preferably 10.0% by mass or less, more preferably 9.0% by mass or less, and still more preferably 9.0% by mass or less, from the viewpoint of improving the detergency against the flux residue remaining in the gaps in one or more embodiments Is not more than 8.0% by mass. The content of the component D is preferably 5.0% by mass or more and 10.0% by mass or less, more preferably 5.0% by mass or more, and more preferably 10% by mass or less, from the viewpoint of improving the detergency against the flux residue remaining in the gaps in one or more embodiments and reducing the flammability. Is 5.5 mass% or more and 9.0 mass% or less, and more preferably 6.5 mass% or more and 8.0 mass% or less.
성분 A 와 성분 D 의 질량비 [A/D] 는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점에서 바람직하게는 10.0 이상, 보다 바람직하게는 11.0 이상, 더욱 바람직하게는 12.0 이상이다. 성분 A 와 성분 D 의 질량비 [A/D] 는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정성 향상의 관점 및 인화점을 높여 안전성을 향상시키는 관점에서 바람직하게는 19.0 이하, 보다 바람직하게는 17.0 이하, 더욱 바람직하게는 14.0 이하이다.The mass ratio [A / D] of the component A and the component D is preferably not less than 10.0, more preferably not less than 11.0, further preferably not less than 10.0, more preferably not less than 10.0, Preferably at least 12.0. The mass ratio [A / D] of the component A and the component D is preferably not more than 19.0 from the viewpoint of improving the cleaning property of the flux residue remaining in the gaps in one or more embodiments and improving the safety by increasing the flash point, , More preferably not more than 17.0, even more preferably not more than 14.0.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서 성분 A, B 및 C 의 질량비 (성분 A/성분 B/성분 C) 는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 세정제 조성물의 취급성 및 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정력의 향상면에서 바람직하게는 89.7 ∼ 99.4/0.3 ∼ 5.4/0.3 ∼ 5.4, 보다 바람직하게는 91.0 ∼ 98.6/1.0 ∼ 5.0/0.4 ∼ 4.0, 더욱 바람직하게는 94.0 ∼ 98.0/1.5 ∼ 4.0/0.5 ∼ 2.0 이다. 단, 성분 A, 성분 B, 성분 C 의 합계는 100.0 이다.In the detergent compositions according to the present disclosure, the mass ratios of components A, B and C (component A / component B / component C) are such that the handleability of the detergent composition in one or more embodiments, Preferably from 89.7 to 99.4 / 0.3 to 5.4 / 0.3 to 5.4, more preferably from 91.0 to 98.6 / 1.0 to 5.0 / 0.4 to 4.0, still more preferably from 94.0 to 98.0 / 1.5 to 4.0 / 0.5, 2.0. However, the total of Component A, Component B and Component C is 100.0.
[세정제 조성물의 그 밖의 성분][Other components of the detergent composition]
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서 성분 A, B, C 및 D 의 총함유량은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 점에서 98.0 질량％ 이상 100 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 99.0 질량％ 이상 100 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 99.5 질량％ 이상 100 질량％ 이하, 한층 더 바람직하게는 99.7 질량％ 이상 100 질량％ 이하이다. 따라서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 바람직하게는 0 질량％ 이상 2.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 0 질량％ 이상 1.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 0 질량％ 이상 0.3 질량％ 이하, 한층 더 바람직하게는 0 질량％ 이상 0.1 질량％ 이하의 범위에서 그 밖의 성분을 함유해도 된다.The total content of components A, B, C and D in the detergent composition according to the present disclosure is preferably 98.0% by mass or more and 100% by mass or less in terms of improving the detergency against the flux residue remaining in the gap in one or more embodiments, , More preferably not less than 99.0 mass% but not more than 100 mass%, still more preferably not less than 99.5 mass% nor more than 100 mass%, still more preferably not less than 99.7 mass% nor more than 100 mass%. Therefore, in one or more embodiments, the detergent composition according to the present disclosure is preferably 0 mass% or more and 2.0 mass% or less, more preferably 0 mass% or more and 1.0 mass% or less, still more preferably 0 mass% Or more and 0.3 mass% or less, and still more preferably 0 mass% or more and 0.1 mass% or less.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 그 밖의 성분으로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 헹굼성 향상의 관점에서 폴리알킬렌글리콜알킬아민형 비이온 계면활성제를 들 수 있다. 폴리알킬렌글리콜알킬아민형 비이온 계면활성제로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 하기 식 (III) 으로 나타내는 것을 들 수 있다.Other components in the detergent composition related to the present disclosure include a polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant in one or more embodiments from the viewpoint of improving the rinsability. Examples of the polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant include those represented by the following formula (III) in one or more embodiments.
[식 (III) 에 있어서, R4 는 탄소수 8 ∼ 18 의 탄화수소기, EO 는 옥시에틸렌기, n 및 m 은 각각 EO 의 평균 부가 몰수를 나타낸다]Wherein R < 4 > is a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms, EO is an oxyethylene group, n and m each represent an average addition mole number of EO,
상기 식 (III) 에 있어서, R4 는 헹굼성 향상면에서 바람직하게는 탄소수 10 ∼ 14 의 탄화수소기이며, n ＋ m 은 동일한 관점에서 바람직하게는 3 이상 6 이하이다.In the formula (III), R 4 is preferably a hydrocarbon group having 10 to 14 carbon atoms in terms of improvement in rinsability, and n + m is preferably 3 or more and 6 or less from the same viewpoint.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 그 밖의 성분으로는, 그 밖의 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 발포성 억제의 관점에서 탄소수 10 ∼ 18 의 불포화 결합을 갖거나 또는 갖지 않는 탄화수소를 들 수 있다. 탄화수소로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 동일한 관점에서 도데센, 테트라데센을 들 수 있다.Other components in the detergent composition related to the present disclosure include hydrocarbons having or not having an unsaturated bond of 10 to 18 carbon atoms in view of foam suppression in one or more other embodiments. As the hydrocarbon, dodecene and tetradecene can be used in one or more embodiments from the same viewpoint.
본 개시에 관련된 세정제 조성물에 있어서의 그 밖의 성분으로는, 그 밖의 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 하기 식 (IV) 로 나타내는 비이온 계면활성제를 들 수 있다.Examples of other components in the detergent composition related to the present disclosure include nonionic surfactants represented by the following formula (IV) in one or more embodiments.
[식 (IV) 에 있어서, R5 는 탄소수 8 ∼ 18 의 탄화수소기, EO 는 옥시에틸렌기, PO 는 옥시프로필렌기를 나타낸다. p, q, 및 r 은 각각 EO, PO 의 평균 부가 몰수를 나타내고, 각각 0 ∼ 15 의 수로서, p 및 r 은 동시에 0 이 되지 않고, 또한 q ＞ 0 의 경우에는 q ≤ p ＋ r ≤ 30, q = 0 의 경우에는 r = 0 이다][In the formula (IV), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, and PO represents an oxypropylene group. p, q, and r each represent an average addition mole number of EO and PO, and p and r are not 0 at the same time, and when q> 0, q ≤ p + r ≤ 30 , and r = 0 when q = 0]
추가적인 그 밖의 성분으로서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물은 본 개시의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라 통상 세정제에 사용되는 하이드록시에틸아미노아세트산, 하이드록시에틸이미노2아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산 등의 아미노카르복실산염 등의 킬레이트력을 갖는 화합물, 방부제, 방청제, 살균제, 항균제, 실리콘계 소포제, 산화 방지제, 야자유지방산메틸이나 아세트산벤질 등의 에스테르 혹은 알코올류 등을 적절히 병용할 수 있다.As additional and further components, the detergent compositions according to the present disclosure may contain, as necessary, conventional detergent compositions such as hydroxyethylaminoacetic acid, hydroxyethyliminocaproic acid, ethylenediaminetetraacetic acid A preservative, a rust inhibitor, a bactericide, an antibacterial agent, a silicone antifoaming agent, an antioxidant, an ester such as methyl palmitoylic acid methyl ester or benzoic acid, or an alcohol may be suitably used in combination.
본 개시에 관련된 세정제 조성물이 실리콘계 소포제를 함유하는 경우, 그 함유량으로는 발포성 억제가 발휘되는 유효량이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 질량％ 이상 0.6 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.03 질량％ 이상 0.5 질량％ 이하, 더욱 더 바람직하게는 0.05 질량％ 이상 0.3 질량％ 이하이다.When the detergent composition according to the present disclosure contains a silicone antifoaming agent, the effective amount is preferably 0.01% by mass or more and 0.6% by mass or less, more preferably 0.03% by mass or more and 0.5% By mass or less, still more preferably 0.05% by mass or more and 0.3% by mass or less.
[세정제 조성물의 조제 방법][Method of preparing detergent composition]
본 개시에 있어서의 세정제 조성물의 조제 방법은 전혀 제한되지 않으며, 성분 A, 성분 B, 성분 C 및 성분 D 를 혼합함으로써 조제할 수 있다.The method of preparing the detergent composition in the present disclosure is not limited at all and can be prepared by mixing component A, component B, component C and component D.
[세정제 조성물의 pH][PH of detergent composition]
본 개시에 관련된 세정제 조성물의 pH 는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 간극에 잔존하는 플럭스 잔사에 대한 세정력을 향상시키는 점에서 pH 8 이상 pH 14 이하가 바람직하다. pH 는 필요에 따라 질산, 황산 등의 무기산, 옥시카르복실산, 다가 카르복실산, 아미노폴리카르복실산, 아미노산 등의 성분 C 이외의 유기산, 및 그들의 금속염이나 암모늄염, 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 아민 등의 성분 B 이외의 염기성 물질을 적절히 원하는 양으로 배합함으로써 조정할 수 있다.The pH of the detergent composition according to the present disclosure is preferably pH 8 or higher and pH 14 or lower in order to improve the detergency against the flux residue remaining in the gaps in one or more embodiments. The pH may be adjusted according to necessity by adding an organic acid other than the component C such as an inorganic acid such as nitric acid or sulfuric acid, an oxycarboxylic acid, a polycarboxylic acid, an aminopolycarboxylic acid or an amino acid, and a metal salt or an ammonium salt thereof, ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide , Amines, etc., in a desired amount as appropriate.
[플럭스 잔사의 세정 방법][Cleaning method of flux residues]
본 개시는, 그 밖의 양태에 있어서 리플로우된 땜납을 갖는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물에 접촉시키는 것을 포함하는 땜납 플럭스 잔사의 세정 방법에 관한 것이다 (이하, 본 개시에 관련된 세정 방법이라고도 한다). 본 개시에 관련된 세정 방법은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 리플로우된 땜납을 갖는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 갖는다. 피세정물에 본 개시에 관련된 세정제 조성물을 접촉시키는 방법, 또는 피세정물을 본 개시에 관련된 세정제 조성물로 세정하는 방법으로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 초음파 세정 장치의 욕조 내에서 접촉시키는 방법이나, 세정제 조성물을 스프레이상으로 사출하여 접촉시키는 방법 (샤워 방식) 등을 들 수 있다. 본 개시에 관련된 세정제 조성물은 희석하지 않고 그대로 세정에 사용할 수 있다. 본 개시의 세정 방법은, 세정제 조성물에 피세정물을 접촉시킨 후, 물로 린스하여 건조시키는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 본 개시의 세정 방법이면, 납땜한 부품의 간극에 잔존하는 플럭스 잔사를 효율적으로 세정할 수 있다. 본 개시의 세정 방법에 의한 세정성 및 좁은 간극으로의 침투성의 현저한 효과 발현면에서, 땜납은 납 (Pb) 프리 땜납인 것이 바람직하다. 본 개시의 세정 방법은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 본 개시에 관련된 세정제 조성물의 세정력이 발휘되기 쉬운 점에서, 본 개시에 관련된 세정제 조성물과 피세정물의 접촉시에 초음파를 조사하는 것이 바람직하고, 그 초음파는 비교적 강한 것인 것이 보다 바람직하다. 상기 초음파로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 26 ∼ 72 Hz, 80 ∼ 1500 W 가 바람직하고, 36 ∼ 72 Hz, 80 ∼ 1500 W 가 보다 바람직하다.The present disclosure relates to a method of cleaning a solder flux residue comprising contacting an object to be cleaned having reflowed solder with the detergent composition according to the present disclosure in another aspect (hereinafter also referred to as the cleaning method according to the present disclosure do). The cleaning method according to the present disclosure has a process of cleaning a material to be cleaned with reflowed solder in one or more embodiments with a detergent composition according to the present disclosure. The method of contacting the article to be cleaned with the detergent composition according to the present disclosure or the method of washing the article to be washed with the detergent composition according to the present disclosure may be carried out in a bath of the ultrasonic cleaning apparatus in one or more embodiments A method in which the cleaning agent composition is injected into a sprayed state to be contacted (shower method), and the like. The detergent composition according to the present disclosure can be used for cleaning without dilution. The cleaning method of the present disclosure preferably includes a step of bringing the object to be cleaned into contact with the cleaning agent composition, followed by rinsing with water and drying. With the cleaning method of the present disclosure, the flux residue remaining in the gaps of the soldered parts can be efficiently cleaned. In view of manifesting the remarkable effect of cleansing property and permeability into a narrow gap by the cleaning method of the present disclosure, the solder is preferably lead (Pb) free solder. It is preferred that the cleaning method of the present disclosure is irradiated with ultrasound when contacting the cleaner composition and the object to be cleaned in connection with the present disclosure in that one or more embodiments tends to exhibit the cleaning power of the detergent composition related to this disclosure , It is more preferable that the ultrasonic waves are relatively strong. The ultrasonic wave is preferably 26 to 72 Hz, 80 to 1500 W, more preferably 36 to 72 Hz, and 80 to 1500 W in one or more embodiments.
[피세정물][Purified water]
본 개시에 관련된 세정제 조성물은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 전자 부품의 세정에 사용된다. 피세정물로는, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 리플로우된 땜납을 갖는 피세정물을 들 수 있고, 그 밖의 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 부품이 납땜된 전자 부품의 제조 중간물을 들 수 있거나, 혹은 납땜된 부품의 간극에 플럭스 잔사를 함유하는 제조 중간물을 들 수 있다. 상기 제조 중간물은, 반도체 패키지나 반도체 장치를 포함하는 전자 부품의 제조 공정에 있어서의 중간 제조물로서, 예를 들어 회로 기판 상에 플럭스를 사용한 납땜에 의해 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판 등이 탑재된 것을 포함한다. 피세정물에 있어서의 간극이란, 예를 들어 회로 기판과 그 회로 기판에 납땜되어 탑재된 부품 (반도체 칩, 칩형 콘덴서, 회로 기판 등) 과의 사이에 형성되는 공간으로서, 그 높이 (부품간의 거리) 가 예를 들어 5 ∼ 500 ㎛, 10 ∼ 250 ㎛, 혹은 20 ∼ 100 ㎛ 인 공간을 말한다. 간극의 폭 및 깊이는, 탑재되는 부품이나 회로 기판 상의 전극 (랜드) 의 크기나 간격에 의존한다.The detergent compositions according to the present disclosure are used for cleaning electronic components in one or more embodiments. Examples of the object to be cleaned include a material to be cleaned having reflowed solder in one or a plurality of embodiments, and in one or more embodiments, Or a manufacturing intermediate containing flux residues in the gaps of the soldered parts. The manufacturing intermediate is an intermediate product in a manufacturing process of an electronic component including a semiconductor package or a semiconductor device. For example, a semiconductor chip, a chip-type capacitor, a circuit board, and the like are formed on a circuit board by soldering using flux . The clearance in the object to be cleaned is, for example, a space formed between a circuit board and a component (semiconductor chip, chip type capacitor, circuit board, etc.) mounted by soldering to the circuit board, For example, 5 to 500 μm, 10 to 250 μm, or 20 to 100 μm. The width and the depth of the gap depend on the size and the interval of the electrodes (land) on the parts to be mounted or the circuit board.
[전자 부품의 제조 방법][Manufacturing method of electronic parts]
본 개시의 전자 부품의 제조 방법은, 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 부품을, 플럭스를 사용한 납땜에 의해 회로 기판 상에 탑재하는 공정, 및 본 개시의 세정 방법에 의해 상기 탑재물을 세정하는 공정을 포함한다. 플럭스를 사용한 납땜은, 하나 또는 복수의 실시형태에 있어서 납프리 땜납으로 이루어지는 것으로, 리플로우 방식이어도 되고, 플로우 방식이어도 된다. 전자 부품은, 반도체 칩이 탑재되지 않은 반도체 패키지, 반도체 칩이 탑재된 반도체 패키지 및 반도체 장치를 포함한다. 본 개시의 전자 부품의 제조 방법은, 본 개시의 세정 방법을 실시함으로써, 납땜된 부품의 간극에 잔존하는 플럭스 잔사가 저감되어 플럭스 잔사가 잔류하는 것에서 기인하는 전극간에서의 쇼트나 접착 불량이 억제되기 때문에, 신뢰성이 높은 전자 부품의 제조가 가능해진다. 또, 본 개시의 세정 방법을 실시함으로써, 납땜된 부품의 간극에 잔존하는 플럭스 잔사의 세정이 용이해지기 때문에, 세정 시간을 단축화시킬 수 있어 전자 부품의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.The method for manufacturing an electronic component of the present disclosure includes the steps of mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip capacitor, and a circuit board onto a circuit board by soldering using a flux, And cleaning the mount by a method. Soldering using a flux is made of lead-free solder in one or a plurality of embodiments, and may be a reflow method or a flow method. The electronic component includes a semiconductor package on which the semiconductor chip is not mounted, a semiconductor package on which the semiconductor chip is mounted, and a semiconductor device. The method of manufacturing an electronic component of the present disclosure is a method of reducing the shortage or adhesion failure between electrodes caused by the reduction of flux residues remaining in the gaps of the soldered parts due to the residue of flux residues, Therefore, it is possible to manufacture electronic parts with high reliability. Further, by performing the cleaning method of the present disclosure, the cleaning of the flux residue remaining in the gaps of the soldered parts is facilitated, so that the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of the electronic parts can be improved.
본 개시는 또한 이하의 하나 또는 복수의 실시형태에 관한 것이다.The present disclosure also relates to one or more of the following embodiments.
＜1＞ 하기 식 (I) 로 나타내는 화합물 (성분 A), 하기 식 (II) 로 나타내는 화합물 (성분 B), 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기를 갖는 알킬벤젠술폰산 및/또는 그 염 (성분 C) 및 물 (성분 D) 을 함유하고, (Component A) represented by the following formula (I), a compound represented by the following formula (II) (component B), an alkylbenzenesulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and / Water (component D)
성분 A 의 함유량이 88.0 질량％ 이상 94.4 질량％ 이하이며,The content of the component A is 88.0 mass% or more and 94.4 mass% or less,
성분 A 중 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량이 90.0 질량％ 이상 100.0 질량％ 이하이고, The content of diethylene glycol monobutyl ether in component A is 90.0% by mass or more and 100.0% by mass or less,
성분 B 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하이며,, The content of the component B is not less than 0.3 mass% and not more than 5.0 mass%
성분 C 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인When the content of the component C is 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less
땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물.A detergent composition for removing solder flux residues.
[상기 식 (I) 에 있어서, R 은 탄소수 3 ∼ 7 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 1 ∼ 5 이다][In the above formula (I), R represents a hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms and n is 1 to 5]
[상기 식 (II) 에 있어서, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 아미노에틸기, R2 는 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 또는 에틸기, R3 은 하이드록시에틸기 또는 하이드록시프로필기이다]Wherein R 1 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group, R 3 is a hydroxyethyl group or a hydroxy group Propyl group]
＜2＞ 성분 A 의 함유량이 바람직하게는 88.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 88.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 89.0 질량％ 이상, 한층 더 바람직하게는 89.4 질량％ 이상인 ＜1＞ 에 기재된 세정제 조성물.<2> The detergent composition according to <1>, wherein the content of the component A is preferably 88.0% by mass or more, more preferably 88.5% by mass or more, further preferably 89.0% by mass or more, and still more preferably 89.4% by mass or more. .
＜3＞ 성분 A 의 함유량이 바람직하게는 94.4 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 93.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 92.0 질량％ 이하, 한층 더 바람직하게는 91.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 또는 ＜2＞ 에 기재된 세정제 조성물.<3> The catalyst according to <1> or <2>, wherein the content of the component A is preferably 94.4% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, still more preferably 92.0% by mass or less, still more preferably 91.0% ≪ / RTI >
＜4＞ 성분 A 의 함유량이 바람직하게는 88.5 질량％ 이상 93.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 89.0 질량％ 이상 92.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 89.4 질량％ 이상 91.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜3＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<4> The positive electrode active material according to any one of <1> to <8>, wherein the content of the component A is 88.5% by mass or more and 93.0% by mass or less, more preferably 89.0% by mass or more and 92.0% by mass or less, and further preferably 89.4% by mass or more and 91.0% ≪ 3 >.
＜5＞ 성분 A 의 하나인 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 성분 A 중의 함유량이 바람직하게는 93.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 94.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 96.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 98.0 질량％ 이상이며, 그리고 100.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜4＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<5> The content of diethylene glycol monobutyl ether as component A is preferably 93.0% by mass or more, more preferably 94.0% by mass or more, further preferably 96.0% by mass or more, still more preferably 96.0% Is not less than 98.0 mass%, and not more than 100.0 mass%. ≪ < 4 >
＜6＞ 성분 A 의 하나인 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량이 바람직하게는 88.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 88.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 89.0 질량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 89.4 질량％ 이상인 ＜1＞ 내지 ＜5＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<6> The content of diethylene glycol monobutyl ether as one of component A is preferably 88.0% by mass or more, more preferably 88.5% by mass or more, still more preferably 89.0% by mass or more, still more preferably 89.4% by mass % Based on the total weight of the detergent composition.
＜7＞ 성분 A 의 하나인 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량이 바람직하게는 94.4 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 93.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 92.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 91.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜6＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<7> The content of diethylene glycol monobutyl ether as a component A is preferably 94.4% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, further preferably 92.0% by mass or less, still more preferably 91.0 mass% % Or less based on the total weight of the cleaning composition.
＜8＞ 성분 A 의 하나인 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량이 바람직하게는 88.0 질량％ 이상 94.4 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 88.5 질량％ 이상 93.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 89.0 질량％ 이상 92.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 89.4 질량％ 이상 91.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜7＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<8> The content of diethylene glycol monobutyl ether, which is one of component A, is preferably 88.0 mass% or more and 94.4 mass% or less, more preferably 88.5 mass% or more and 93.0 mass% or less, further preferably 89.0 mass% or more Wherein the cleaning agent composition has a composition of 92.0 mass% or less, and more preferably 89.4 mass% or more and 91.0 mass% or less.
＜9＞ 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분 A 가 함유되는 경우, 성분 A 중의 그 함유량이 바람직하게는 10 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 7.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 6.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 2.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜8＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<9> When component A other than diethylene glycol monobutyl ether is contained, the content thereof in component A is preferably 10% by mass or less, more preferably 7.0% by mass or less, further preferably 6.0% by mass or less, , More preferably not more than 4.0 mass%, still more preferably not more than 2.0 mass%, based on the total amount of the detergent composition.
＜10＞ 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분 A 가 함유되는 경우, 그 함유량이 바람직하게는 8.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 6.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 5.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜9＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<10> In the case where component A other than diethylene glycol monobutyl ether is contained, the content of component A is preferably 8.0% by mass or less, more preferably 6.0% by mass or less, still more preferably 5.0% The detergent composition according to any one of <9> to <9>.
＜11＞ 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 이외의 성분 A 가 함유되는 경우, 그 함유량이 바람직하게는 1.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 2.0 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 3.0 질량％ 이상인 ＜1＞ 내지 ＜10＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<11> In the case where component A other than diethylene glycol monobutyl ether is contained, the content of the component A is preferably 1.0% by mass or more, more preferably 2.0% by mass or more, still more preferably 3.0% The detergent composition according to any one of <10> to <10>.
＜12＞ 식 (I) 에 있어서, R 이 바람직하게는 탄소수 3 ∼ 6 의 탄화수소기, 보다 바람직하게는 탄소수 4 ∼ 6 의 탄화수소기인 ＜1＞ 내지 ＜11＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<12> The detergent composition according to any one of <1> to <11>, wherein R in the formula (I) is a hydrocarbon group preferably having 3 to 6 carbon atoms, more preferably a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms.
＜13＞ 식 (I) 에 있어서, 평균 부가 몰수 n 이 바람직하게는 1 ∼ 3, 보다 바람직하게는 2 또는 3 인 ＜1＞ 내지 ＜12＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<13> The detergent composition according to any one of <1> to <12>, wherein the average addition mole number n in the formula (I) is preferably 1 to 3, more preferably 2 or 3.
＜14＞ 성분 B 의 함유량이 바람직하게는 0.3 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 질량％ 이상, 한층 더 바람직하게는 1.5 질량％ 이상인 ＜1＞ 내지 ＜13＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<14> The composition according to any one of <1> to <13>, wherein the content of the component B is at least 0.3% by mass, more preferably at least 0.5% by mass, further preferably at least 1.0% by mass, and still more preferably at least 1.5% by mass. Wherein the detergent composition is a detergent composition.
＜15＞ 성분 B 의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 한층 더 바람직하게는 3.5 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜14＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<15> The composition according to any one of <1> to <14>, wherein the content of the component B is preferably 5.0 mass% or less, more preferably 4.5 mass% or less, further preferably 4.0 mass% or less, still more preferably 3.5 mass% Wherein the detergent composition is a detergent composition.
＜16＞ 성분 B 의 함유량이 바람직하게는 0.5 질량％ 이상 4.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 4.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 1.5 질량％ 이상 3.5 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜15＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.The content of Component B is preferably from 0.5% by mass to 4.5% by mass, more preferably from 1.0% by mass to 4.0% by mass, and still more preferably from 1.5% by mass to 3.5% by mass, 15] The cleaning composition according to any one of <1> to <15>.
＜17＞ 성분 C 의 함유량이 바람직하게는 0.4 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5 질량％ 이상인 ＜1＞ 내지 ＜16＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<17> The detergent composition according to any one of <1> to <16>, wherein the content of the component C is at least 0.4% by mass, and more preferably at least 0.5% by mass.
＜18＞ 성분 C 의 함유량이 바람직하게는 4.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 4.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 3.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜17＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<18> The detergent composition according to any one of <1> to <17>, wherein the content of the component C is preferably 4.5% by mass or less, more preferably 4.0% by mass or less, and still more preferably 3.0% by mass or less.
＜19＞ 성분 D 의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상인 ＜1＞ 내지 ＜18＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<19> The detergent composition according to any one of <1> to <18>, wherein the content of the component D is preferably 5.0% by mass or more, more preferably 5.5% by mass or more, and still more preferably 6.5% by mass or more.
＜20＞ 성분 D 의 함유량이 바람직하게는 10.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 9.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 8.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜19＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<20> The detergent composition according to any one of <1> to <19>, wherein the content of the component D is preferably 10.0% by mass or less, more preferably 9.0% by mass or less, and still more preferably 8.0% by mass or less.
＜21＞ 성분 D 의 함유량이 바람직하게는 5.0 질량％ 이상 10.0 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 5.5 질량％ 이상 9.0 질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 6.5 질량％ 이상 8.0 질량％ 이하인 ＜1＞ 내지 ＜20＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<21> The composition according to any one of <1> to <10>, wherein the content of the component D is preferably 5.0% by mass or more and 10.0% by mass or less, more preferably 5.5% by mass or more and 9.0% by mass or less, and still more preferably 6.5% And the cleaning agent composition according to any one of < 20 >
＜22＞ 성분 A 와 성분 D 의 질량비 [성분 A/성분 D] 가 바람직하게는 10.0 이상, 보다 바람직하게는 11.0 이상, 더욱 바람직하게는 12.0 이상인 ＜1＞ 내지 ＜21＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<22> A cleaning agent according to any one of <1> to <21>, wherein the mass ratio of the component A and the component D [component A / component D] is preferably 10.0 or more, more preferably 11.0 or more, and further preferably 12.0 or more. Composition.
＜23＞ 성분 A 와 성분 D 의 질량비 [성분 A/성분 D] 가 바람직하게는 19.0 이하, 보다 바람직하게는 17.0 이하, 더욱 바람직하게는 14.0 이하인 ＜1＞ 내지 ＜22＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.The cleaning agent according to any one of <1> to <22>, wherein the mass ratio of the component A and the component D [component A / component D] is preferably 19.0 or less, more preferably 17.0 or less, Composition.
＜24＞ 성분 A, B 및 C 의 질량비 (성분 A/성분 B/성분 C) 가 바람직하게는 89.7 ∼ 99.4/0.3 ∼ 5.4/0.3 ∼ 5.4, 보다 바람직하게는 91.0 ∼ 98.6/1.0 ∼ 5.0/0.4 ∼ 4.0, 더욱 바람직하게는 94.0 ∼ 98.0/1.5 ∼ 4.0/0.5 ∼ 2.0 이며, 성분 A 와 성분 B 와 성분 C 의 합계가 100.0 인 ＜1＞ 내지 ＜22＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.The mass ratio (component A / component B / component C) of the components A, B and C is preferably 89.7 to 99.4 / 0.3 to 5.4 / 0.3 to 5.4, more preferably 91.0 to 98.6 / 1.0 to 5.0 / 0.4 Wherein the total amount of Component A, Component B and Component C is 100.0. The detergent composition according to any one of <1> to <4>, wherein the total amount of Component A, Component B and Component C is 100.0.
＜25＞ 추가로, 폴리알킬렌글리콜알킬아민형 비이온 계면활성제를 함유하는 ＜1＞ 내지 ＜23＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<25> The detergent composition according to any one of <1> to <23>, further comprising a polyalkylene glycol alkylamine-type nonionic surfactant.
＜26＞ 땜납이 납 (Pb) 프리 땜납인 ＜1＞ 내지 ＜25＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물.<26> The detergent composition according to any one of <1> to <25>, wherein the solder is lead (Pb) -free solder.
＜27＞ 리플로우된 땜납을 갖는 피세정물을 ＜1＞ 내지 ＜26＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물로 세정하는 공정을 갖는 땜납 플럭스 잔사의 세정 방법.<27> A method for cleaning a residue of a solder flux having a reflowed solder with a detergent composition according to any one of <1> to <26>.
＜28＞ 피세정물이 부품이 땜납으로 납땜된 전자 부품의 제조 중간물인 ＜27＞ 에 기재된 세정 방법.<28> The cleaning method according to <27>, wherein the object to be cleaned is a manufacturing intermediate of an electronic component in which the component is soldered with solder.
＜29＞ 반도체 칩, 칩형 콘덴서, 및 회로 기판으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 부품을, 플럭스를 사용한 납땜에 의해 회로 기판 상에 탑재하는 공정, 및 상기 탑재물을 ＜27＞ 또는 ＜28＞ 에 기재된 플럭스 잔사의 세정 방법에 의해 세정하는 공정을 포함하는 전자 부품의 제조 방법.<29> A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip type capacitor, and a circuit board onto a circuit board by soldering using flux; And a cleaning step of cleaning the flux residue described in the above.
＜30＞ ＜1＞ 내지 ＜26＞ 중 어느 하나에 기재된 세정제 조성물의 전자 부품의 세정에 대한 사용.<30> Use of the cleaning composition according to any one of <1> to <26> for cleaning electronic components.
실시예Example
1. 세정제 조성물의 조제 (실시예 1 ∼ 16, 비교예 1 ∼ 16) 1. Preparation of detergent composition (Examples 1 to 16, Comparative Examples 1 to 16)
하기 표 1 및 표 2 에 나타내는 성분 A ∼ D, 및 필요에 따라 그 밖의 성분 (표 1 및 표 2) 을 혼합하여, 실시예 1 ∼ 16, 비교예 1 ∼ 16 의 세정제 조성물을 조제하였다. 하기 표 1 및 및 표 2 의 성분 A ∼ D 및 그 밖의 성분의 수치는, 조제한 세정제 조성물에 있어서의 함유량 (질량％) 을 나타낸다.The cleaning compositions of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 16 were prepared by mixing the components A to D shown in Tables 1 and 2 and other components (Table 1 and Table 2) as required. The numerical values of the components A to D and other components in the following Table 1 and Table 2 indicate the content (mass%) in the prepared detergent composition.
그 밖의 성분으로서 표 1 및 표 2 에 있어서 「*1」 「*2」및 「*3」으로 나타내는 것은 하기의 화합물이다.As the other components, "* 1", "* 2" and "* 3" in Tables 1 and 2 are the following compounds.
성분 *1 ： 하기 식 (III) 으로 나타내는 폴리알킬렌글리콜알킬아민형 비이온 계면활성제. 그 중에서도 R4 가 탄소수 12 의 탄화수소기이며, n ＋ m 가 4 인 것을 사용하였다.Component * 1: Polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant represented by the following formula (III). Among them, R 4 is a hydrocarbon group having 12 carbon atoms, and n + m is 4.
[식 (III) 에 있어서, R4 는 탄소수 8 ∼ 18 의 탄화수소기, EO 는 옥시에틸렌기, n 및 m 은 각각 EO 의 평균 부가 몰수를 나타낸다]Wherein R < 4 > is a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms, EO is an oxyethylene group, n and m each represent an average addition mole number of EO,
성분 *2 ： 하기 식 (IV) 로 나타내는 폴리옥시에틸렌옥시프로필렌알킬에테르형 비이온 계면활성제. 그 중에서도 R5 가 탄소수 12 또는 14 의 탄화수소기이며, p = 5, q = 2, r = 5 인 것을 사용하였다.Component * 2: polyoxyethylene oxypropylene alkyl ether type nonionic surfactant represented by the following formula (IV). Among them, R 5 is a hydrocarbon group having 12 or 14 carbon atoms, and p = 5, q = 2 and r = 5 were used.
[식 (IV) 에 있어서, R5 는 탄소수 8 ∼ 18 의 탄화수소기, EO 는 옥시에틸렌기, PO 는 옥시프로필렌기를 나타낸다. p, q, 및 r 은 각각 EO, PO 의 평균 부가 몰수를 나타내고, 각각 0 ∼ 15 의 수로서, p 및 r 은 동시에 0 이 되지 않고, 또한 q ＞ 0 의 경우에는 q ≤ p ＋ r ≤ 30, q = 0 의 경우에는 r = 0 이다][In the formula (IV), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, and PO represents an oxypropylene group. p, q, and r each represent an average addition mole number of EO and PO, and p and r are not 0 at the same time, and when q> 0, q ≤ p + r ≤ 30 , and r = 0 when q = 0]
성분 *3 ： 상기 식 (IV) 로 나타내는 폴리옥시에틸렌옥시프로필렌알킬에테르형 비이온 계면활성제. 그 중에서도 R5 가 탄소수 12 의 제 2 급 탄화수소기이며, p = 7, q = r = 0 인 것을 사용하였다.Component * 3: polyoxyethylene oxypropylene alkyl ether type nonionic surfactant represented by the formula (IV). Among them, R 5 is a secondary hydrocarbon group having 12 carbon atoms, and p = 7 and q = r = 0 were used.
2. 세정제 조성물의 평가2. Evaluation of detergent composition
조제한 실시예 1 ∼ 16 및 비교예 1 ∼ 16 의 세정제 조성물을 이용하여 테스트 기판의 세정성 (세정성 1 및 2), 유리 모세관 시험, 헹굼성, 부식성, 발포성, 그리고 안전성에 대하여 시험을 실시하여 평가하였다. 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.Tests were conducted for cleaning properties (cleaning properties 1 and 2), glass capillary test, rinsing property, corrosion resistance, foamability, and safety of test substrates using the cleaning composition of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 16 Respectively. The results are shown in Tables 1 and 2.
[세정성 시험 (세정성 1)][Cleansing Test (Cleansing 1)]
이하의 조건으로 테스트 기판을 세정하는 세정성 시험을 실시하였다.A cleaning test was performed to clean the test substrate under the following conditions.
[테스트 기판][Test Substrate]
칩 콘덴서 (0816) 를 10 개 탑재한 테스트 기판 (50 ㎜ × 50 ㎜, 칩 콘덴서와 기판의 간극은 약 50 ㎛) 을 사용하였다. 솔더 페이스트에는 납프리의 에코솔더 M705-BPS (센쥬 금속 공업 (주) 제조), 리플로우노에는 에코리플로우 SNR825 (센쥬 금속 공업 (주) 제조) 를 이용하여, 리플로우 피크 온도 240 ℃, 땜납 용융 시간 45 초, 질소 분위기하 (산소 농도 100 ppm) 에서 땜납 접속하였다.A test board (50 mm x 50 mm, with a gap of about 50 mu m between the chip capacitor and the substrate) on which 10 chip capacitors 0816 were mounted was used. Solder paste M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industries Co., Ltd.) was used as the solder paste, and echo reflow SNR825 (manufactured by Senju Metal Industries Co., Ltd.) was used for the reflow soldering at a reflow peak temperature of 240 캜, A melting time of 45 seconds, and a solder connection in a nitrogen atmosphere (oxygen concentration: 100 ppm).
[세정 방법][Cleaning method]
세정은 스프레이 세정을 실시하였다. 테스트 기판의 칩 콘덴서를 납땜한 면을 위로 향하고, 선형 노즐 VVP9060 (이케우치 제조), 압력 0.3 ㎫ (유량 6 ℓ/분) 로 위에서 밑으로 (거리 5 ㎝) 스프레이하고, 테스트 기판을 좌우로 0.5 m/분으로 이동시켜 2 분간 세정을 실시하였다. 세정 후, 예비 린스 및 마무리 린스를 각 1 회차의 조건으로 실시하였다. 수평으로 대향하는 거리 27 ㎝ 의 충원추 노즐 J050 (이케우치 제조), 압력 0.3 ㎫ (유량 0.6 ℓ/분) 로 노즐간의 중간에 2 분간 테스트 기판을 고정시킨다. 마무리 린스 후에 테스트 기판을 송풍 건조기 (85 ℃, 15 분) 로 건조시켰다. 또한, 사용하는 각 세정제 조성물 및 린스용 이온 교환수는 60 ℃ 로 가온시켰다.The cleaning was spray-cleaned. The chip capacitor of the test board was sprayed with the soldered surface facing up and with the linear nozzle VVP9060 (manufactured by IKEUCHI) at a pressure of 0.3 MPa (flow rate: 6 L / min) from top to bottom (distance of 5 cm) / Min for 2 minutes. After the cleaning, the preliminary rinsing and the finish rinsing were carried out under the conditions of one time each. Fix the test substrate for 2 minutes in the middle between the nozzles with a horizontal incrementally spaced 27 cm nozzle J050 (manufactured by Ikeuchi) and a pressure of 0.3 ㎫ (flow rate 0.6 l / min). After the finish rinsing, the test substrate was dried by a blow dryer (85 DEG C, 15 minutes). In addition, each detergent composition used and ion-exchanged water for rinsing were heated to 60 占 폚.
[세정성의 평가][Evaluation of cleaning property]
건조 후의 테스트 기판으로부터 칩 콘덴서를 박리하여, 광학 현미경으로 플럭스 잔사의 잔존 유무를 확인하였다. 평가 기준은 이하와 같음. 그 결과를 표 1 및 표 2 의 「세정성 1」의 란에 나타낸다.The chip capacitor was peeled from the test substrate after drying, and the presence or absence of the flux residue remained by an optical microscope. Evaluation criteria are as follows. The results are shown in the column of "Cleanliness 1" in Tables 1 and 2.
A ： 10 개 중 잔사 있는 것 제로 A: Zero with 10 of the remaining
B ： 10 개 중 잔사 있는 것 1 개 B: 1 of 10 pieces with residue
C ： 10 개 중 잔사 있는 것 2 개 이상C: 2 or more of 10 residues
[세정성 시험 (세정성 2)][Cleansing Test (Cleansing 2)]
상기 세정성 시험 (세정성 1) 과 동일한 방법으로, 세정 시간을 1 분간으로 짧게 하여 평가하였다. 그 결과를 표 1 및 표 2 의 「세정성 2」의 란에 나타낸다.The cleaning time was shortened to 1 minute in the same manner as the above cleaning property test (cleaning property 1). The results are shown in the column of "Cleanliness 2" in Tables 1 and 2.
[유리 모세관 시험][Glass capillary test]
질소 분위기하에서 구리판 상에서 에코솔더 M705-BPS (센쥬 금속 공업 (주) 제조) 를 250 ℃, 30 분간 가열하여, 액상의 플럭스 잔사를 분리 채취한다. DRUMMOND 제조 유리 캡 (유리 모세관) (길이 32 ㎜, 내경 140 ㎛) 에 상기 방법으로 제조한 플럭스 잔사를 충전하고 일방의 개구부를 밀봉하여 시험편을 제조하였다. 100 ㎖ 비커에 각 세정제 조성물 및 헹굼용 이온 교환수를 각 100 g 첨가하여 60 ℃ 로 가온시킨다. 시험편을 각 세정제 조성물에 침지시켜 초음파 (40 kHz, 200 W) 를 5 분간 조사 후, 헹굼용 이온 교환수로 옮겨 초음파 (40 kHz, 200 W) 를 5 분간 조사 후 꺼내었다. 꺼낸 시험편을 광학 현미경으로 관찰하여, 개구부로부터 용해된 플럭스 잔사의 거리를 측정하여 5 점의 평균치를 산출하였다. 플럭스 잔사가 용해된 거리가 길수록 용해 속도가 빨라 세정성이 좋다고 평가할 수 있다. 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.Eco solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industries Co., Ltd.) is heated on a copper plate at 250 占 폚 for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to separate and collect liquid flux residue. The flux residue produced by the above method was filled in a glass cap (glass capillary) (length 32 mm, inner diameter 140 탆) manufactured by DRUMMOND, and one opening was sealed to prepare a test piece. 100 g of each detergent composition and ion-exchanged water for rinsing was added to a 100 ml beaker and heated to 60 캜. The specimens were immersed in each detergent composition, irradiated with ultrasound (40 kHz, 200 W) for 5 minutes, transferred to ion-exchange water for rinsing, irradiated with ultrasound (40 kHz, 200 W) for 5 minutes and taken out. The extracted test piece was observed with an optical microscope, and the distance of the dissolved flux residue from the opening was measured to calculate an average value of five points. The longer the distance at which the flux residue is dissolved, the faster the dissolution rate and the more cleanliness can be evaluated. The results are shown in Tables 1 and 2.
[헹굼성][Rinseability]
질소 분위기하에서 구리판 상에서 에코솔더 M705-BPS (센쥬 금속 공업 (주) 제조) 를 250 ℃, 30 분간 가열하여, 액상의 플럭스 잔사를 분리 채취한다. 이 플럭스 잔사를 각 세정제 조성물과 혼합하여 1 질량％ 의 혼합액을 제조하였다. 사각형 커버글래스 (18 ㎜ × 18 ㎜, 마츠나미 가라스 공업 (주) 제조) 에 상기 방법으로 제조한 혼합액을 약 0.1 g 적하하고, 그 위에 다른 1 장의 사각형 커버글래스를 포개어 클립 (입 크기 19 ㎜, 고쿠요 (주) 제조) 으로 한 변을 집고 고정시켜 시험편을 제조하였다. 100 ㎖ 비커에 헹굼용 이온 교환수를 100 g 첨가하여 60 ℃ 로 가온시킨다. 시험편을 핀셋으로 유지시키고 헹굼용 이온 교환수에 상하로 10 회 요동시키면서 1 분간 침지시켜 꺼낸다. 꺼낸 시험편을 진공 건조기 (120 ℃, 15 분) 로 건조시켰다. 시험편을 관찰하여, 사각형 커버글래스간에 잔존물이 없어질 때까지의 헹굼 횟수를 세었다. 헹굼 횟수가 적을수록 헹굼성이 좋다고 평가할 수 있다. 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다. 또한, 5 회로 헹굴 수 없는 것은 「＞ 5」로 하였다.Eco solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industries Co., Ltd.) is heated on a copper plate at 250 占 폚 for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to separate and collect liquid flux residue. This flux residue was mixed with each detergent composition to prepare a 1% by mass mixed solution. About 0.1 g of the mixed liquid prepared by the above method was dropped on a rectangular cover glass (18 mm x 18 mm, manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd.), and another rectangular cover glass was stacked thereon to form a clip (mouth size 19 mm , Manufactured by Kokuyo Co., Ltd.) was picked and fixed to prepare a test piece. 100 g of ion-exchanged water for rinsing is added to a 100 ml beaker, and the mixture is heated to 60 占 폚. The test piece is held by tweezers and immersed in ion-exchange water for rinsing for 1 minute while being rocked 10 times up and down. The extracted test piece was dried in a vacuum dryer (120 DEG C, 15 minutes). The specimens were observed and the number of rinsing times until the remnants remained between square cover glasses was counted. The smaller the number of times of rinsing, the better the rinsability is. The results are shown in Tables 1 and 2. In addition, five cycles that can not be rinsed were "> 5 ".
[부식성][causticity]
각 세정제 조성물을 1 ℓ 비커에 채워 60 ℃ 로 가온시키고, 그 안에 두께 1 ㎜ 의 구리판 (30 ㎜ × 50 ㎜) 을 넣고 10 분간 침지. 그 후 이온 교환수로 충분히 헹구고, 송풍 건조기 (85 ℃, 15 분) 로 건조시켜 구리판의 표면 상태를 관찰하였다. 평가 기준은 이하와 같음. 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.Each detergent composition was filled in a 1 L beaker, heated to 60 DEG C, and a copper plate (30 mm x 50 mm) having a thickness of 1 mm was placed therein, followed by soaking for 10 minutes. Thereafter, it was thoroughly rinsed with ion-exchanged water and dried with a blow dryer (85 ° C, 15 minutes) to observe the surface condition of the copper plate. Evaluation criteria are as follows. The results are shown in Tables 1 and 2.
A ： 변색 없음 A: No discoloration
B ： 변색 있음B: There is discoloration
[발포성][Foaming property]
질소 분위기하에서 구리판 상에서 에코솔더 M705-BPS (센쥬 금속 공업 (주) 제조) 를 250 ℃, 30 분간 가열하여, 액상의 플럭스 잔사를 분리 채취하였다. 상기 조건으로 제조한 플럭스 잔사를 1 질량％ 함유하는 각 세정제 조성물을 이온 교환수로 10 배로 희석시키고, 그 50 ㎖ 를 200 ㎖ 공전 메스플라스크에 첨가하여 60 ℃ 로 가온시키고, 상하로 격렬하게 30 회 진탕하였다. 1 분 후의 기포 높이를 측정하여 하기의 기준으로 평가하였다. 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.Eco solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industries Co., Ltd.) was heated on a copper plate at 250 占 폚 for 30 minutes in a nitrogen atmosphere, and the liquid flux residue was separated therefrom. Each of the detergent compositions containing 1% by mass of the flux residue produced under the above conditions was diluted 10-fold with ion-exchanged water, and 50 ml thereof was added to a 200-ml volumetric flask and heated to 60 ° C. Shaking. The air bubble height after one minute was measured and evaluated according to the following criteria. The results are shown in Tables 1 and 2.
A ： 기포 없음 A: No air bubbles
B ： 5 ㎖ 미만 B: Less than 5 ml
C ： 5 ㎖ 이상C: 5 ml or more
[안전성][safety]
각 세정제 조성물의 인화점에 따라 이하와 같이 평가하였다. 또한, 물의 비점인 100 ℃ 에 있어서 인화되면 화재가 될 위험성이 높아진다. 물의 비점보다 10 ℃ 높은 110 ℃ 를 기준으로 인화점에 따라 안전성을 평가하였다. 그 결과를 표 1 및 표 2 에 나타낸다.The following evaluation was made according to the flash point of each detergent composition. In addition, the risk of fire is increased when the water is boiled at 100 ° C, which is the boiling point of water. The safety was evaluated according to the flash point based on 110 ° C, 10 ° C higher than the boiling point of water. The results are shown in Tables 1 and 2.
A ： 인화점이 110 ℃ 이상 A: A flash point of 110 ° C or more
B ： 인화점이 110 ℃ 미만B: Less than 110 캜
상기 표 1 및 표 2 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 16 의 세정제 조성물은 비교예 1 ∼ 10, 12 ∼ 16 의 세정제 조성물과 비교하여 우수한 세정성을 나타내고, 또한 유리 모세관 시험의 결과 (침투성) 및 헹굼성도 대체로 우수한 결과를 나타내었다. 또, 실시예 1 ∼ 13 의 세정제 조성물은 비교예 11 의 세정제 조성물보다 안전성면에서 우수하였다 (인화점이 높다).As shown in Tables 1 and 2, the detergent compositions of Examples 1 to 16 exhibited excellent cleaning properties as compared with the detergent compositions of Comparative Examples 1 to 10 and 12 to 16, and the results of the glass capillary test (permeability) And rinsing properties were generally excellent. In addition, the detergent compositions of Examples 1 to 13 were superior in safety to the detergent compositions of Comparative Example 11 (high flash point).
상기 표 1 및 표 2 에 나타내는 바와 같이, 폴리알킬렌글리콜알킬아민형 비이온 계면활성제가 첨가된 실시예 8 의 세정제 조성물은 헹굼성이 특히 우수하였다. 또, 탄화수소 또는 실리콘계 소포제를 함유하는 실시예 7 및 12 의 세정제 조성물은 저발포성이 특히 우수하였다.As shown in Tables 1 and 2, the detergent composition of Example 8 to which the polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant was added had particularly excellent rinsability. The detergent compositions of Examples 7 and 12 containing a hydrocarbon or silicone defoaming agent were particularly excellent in low foaming properties.
본 개시를 사용함으로써, 납땜된 부품의 간극에 잔존하는 플럭스 잔사의 세정을 양호하게 실시할 수 있기 때문에, 예를 들어 전자 부품의 제조 프로세스에 있어서의 플럭스 잔사의 세정 공정의 단축화 및 제조되는 전자 부품의 성능·신뢰성의 향상이 가능해져 반도체 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.By using this disclosure, it is possible to satisfactorily clean the residue of the flux remaining in the gaps of the soldered parts. Therefore, for example, it is possible to shorten the cleaning step of the flux residue in the manufacturing process of the electronic parts, The performance and reliability of the semiconductor device can be improved, and the productivity of the semiconductor device can be improved.
Claims (16)
성분 A 의 함유량이 88.0 질량％ 이상 94.4 질량％ 이하이며,
성분 A 중 디에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량이 90.0 질량％ 이상 100.0 질량％ 이하이고,
성분 B 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하이며,
성분 C 의 함유량이 0.3 질량％ 이상 5.0 질량％ 이하인
땜납 플럭스 잔사 제거용 세정제 조성물.
[상기 식 (I) 에 있어서, R 은 탄소수 3 ∼ 7 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 1 ∼ 5 이다]
[상기 식 (II) 에 있어서, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 아미노에틸기, R2 는 수소 원자, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 메틸기 또는 에틸기, R3 은 하이드록시에틸기 또는 하이드록시프로필기이다](Component A) represented by the following formula (I), a compound represented by the following formula (II) (component B), an alkylbenzenesulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and / or a salt thereof (component C) D)
The content of the component A is 88.0 mass% or more and 94.4 mass% or less,
The content of diethylene glycol monobutyl ether in component A is 90.0% by mass or more and 100.0% by mass or less,
, The content of the component B is not less than 0.3 mass% and not more than 5.0 mass%
When the content of the component C is 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less
A detergent composition for removing solder flux residues.
[In the above formula (I), R represents a hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms and n is 1 to 5]
Wherein R 1 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group, R 2 is a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group, R 3 is a hydroxyethyl group or a hydroxy group Propyl group]
성분 D 의 함유량이 5.0 질량％ 이상 10.0 질량％ 이하인 세정제 조성물.The method according to claim 1,
And the content of the component D is 5.0% by mass or more and 10.0% by mass or less.
성분 D 의 함유량이 5.0 질량％ 이상 9.0 질량％ 이하인 세정제 조성물.The method according to claim 1,
And the content of the component D is 5.0% by mass or more and 9.0% by mass or less.
성분 A 와 성분 D 의 질량비 [성분 A/성분 D] 가 10.0 이상 19.0 이하인 세정제 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the mass ratio of component A to component D (component A / component D) is 10.0 to 19.0.
성분 A 와 성분 D 의 질량비 [성분 A/성분 D] 가 11.0 이상 19.0 이하인 세정제 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the mass ratio of component A to component D (component A / component D) is not less than 11.0 and not more than 19.0.
성분 A, B, C 및 D 의 총함유량이 세정제 조성물 중 99.0 질량％ 이상 100 질량％ 이하인 세정제 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the total content of the components A, B, C, and D is not less than 99.0 mass% and not more than 100 mass% in the detergent composition.
성분 A, B, C 및 D 의 총함유량이 세정제 조성물 중 99.5 질량％ 이상 100 질량％ 이하인 세정제 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the total content of the components A, B, C, and D is 99.5% by mass or more and 100% by mass or less in the detergent composition.
추가로 실리콘계 소포제를 함유하고, 상기 소포제의 함유량이 세정제 조성물 중 0.01 질량％ 이상 0.6 질량％ 이하인 세정제 조성물.The method according to claim 1,
And a content of the defoaming agent in the detergent composition is 0.01 mass% or more and 0.6 mass% or less.
성분 A 가 디에틸렌글리콜모노부틸에테르와 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르를 함유하는 세정제 조성물.The method according to claim 1,
A detergent composition wherein component A contains diethylene glycol monobutyl ether and triethylene glycol monobutyl ether.
트리에틸렌글리콜모노부틸에테르의 함유량이 세정제 조성물 중 1.0 질량％ 이상 8.0 질량％ 이하인 세정제 조성물.10. The method of claim 9,
Wherein the content of triethylene glycol monobutyl ether in the detergent composition is from 1.0% by mass to 8.0% by mass.
성분 B 가 모노에틸모노에탄올아민과 모노메틸디에탄올아민을 함유하는 세정제 조성물.The method according to claim 1,
Wherein component B contains monoethyl monoethanolamine and monomethyl diethanolamine.
추가로 폴리알킬렌글리콜알킬아민형 비이온 계면활성제를 함유하는 세정제 조성물.The method according to claim 1,
Further comprising a polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant.
피세정물이 부품이 땜납으로 납땜된 전자 부품의 제조 중간물인 세정 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the object to be cleaned is a manufacturing intermediate of an electronic part whose part is soldered with solder.
전자 부품의 세정에 사용되는 세정제 조성물.13. The method according to any one of claims 1 to 12,
A detergent composition for use in cleaning electronic components.
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