JP6345512B2 - Detergent composition for removing solder flux residue - Google Patents
Detergent composition for removing solder flux residue Download PDFInfo
- Publication number
- JP6345512B2 JP6345512B2 JP2014135358A JP2014135358A JP6345512B2 JP 6345512 B2 JP6345512 B2 JP 6345512B2 JP 2014135358 A JP2014135358 A JP 2014135358A JP 2014135358 A JP2014135358 A JP 2014135358A JP 6345512 B2 JP6345512 B2 JP 6345512B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- mass
- cleaning composition
- cleaning
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 141
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims description 74
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims description 46
- 239000003599 detergent Substances 0.000 title description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 195
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- -1 hydroxyethyl group Chemical group 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 11
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 11
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims description 8
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MXVMODFDROLTFD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCO MXVMODFDROLTFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- JLFNLZLINWHATN-UHFFFAOYSA-N pentaethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCOCCO JLFNLZLINWHATN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 19
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 8
- AZYICGMHYYVGBY-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCOCCO AZYICGMHYYVGBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KODLUXHSIZOKTG-UHFFFAOYSA-N 1-aminobutan-2-ol Chemical compound CCC(O)CN KODLUXHSIZOKTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical class [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1 -dodecene Natural products CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOUZISDNESEYLX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylazaniumyl)acetate Chemical compound OCCNCC(O)=O FOUZISDNESEYLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 2-[butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCO GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 7028-40-2 Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N abietic acid Chemical compound C([C@@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
- 229940095068 tetradecene Drugs 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
本開示は、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、半田フラックス残渣の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a cleaning composition for removing a solder flux residue, a method for cleaning a solder flux residue, and a method for manufacturing an electronic component.
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。 In recent years, regarding the mounting of electronic components on a printed wiring board or a ceramic substrate, the components are downsized from the viewpoint of low power consumption and high-speed processing, and the gap to be cleaned in solder flux cleaning has become narrower. In addition, lead-free solder has been used from the viewpoint of environmental safety, and accordingly, rosin-based flux is used.
特許文献１には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９０．０質量％、及び、メチルジエタノールアミンを５．０質量％含有する洗浄剤（実施例１０）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９４．０質量％、及び、ジエタノールアミンを１．０質量％含有する洗浄剤（実施例８）等が開示される。 Patent Document 1 discloses a cleaning agent (Example 10) containing 90.0% by mass of diethylene glycol monobutyl ether and 5.0% by mass of methyl diethanolamine, 94.0% by mass of diethylene glycol monobutyl ether, and diethanolamine. A cleaning agent (Example 8) containing 1.0% by mass is disclosed.
特許文献２には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９２．５質量％、ジエタノールアミンを１質量％、及び、ｐ−トルエンスルホン酸を１質量％含有する洗浄剤等が開示されている（実施例６）。 Patent Document 2 discloses a cleaning agent containing 92.5% by mass of diethylene glycol monobutyl ether, 1% by mass of diethanolamine, and 1% by mass of p-toluenesulfonic acid (Example 6).
特許文献３には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９１質量％、及び、トリエタノールアミンを１．５質量％含有する洗浄剤等が開示されている（実施例Ｂ）。 Patent Document 3 discloses a cleaning agent containing 91% by mass of diethylene glycol monobutyl ether and 1.5% by mass of triethanolamine (Example B).
特許文献４には、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを９２．０質量％、Ｎ−ブチルジエタノールアミンを１．５質量％、及び、クエン酸を０．５質量％含有する洗浄剤等が開示されている（実施例６）。 Patent Document 4 discloses a cleaning agent containing 92.0% by mass of diethylene glycol monobutyl ether, 1.5% by mass of N-butyldiethanolamine, and 0.5% by mass of citric acid (Examples). 6).
近年の鉛フリー化に伴い、１）リフロー温度の高温化、２）半田金属中のスズ含有量増加が原因で除去困難なロジン酸等のスズ塩がフラックス残渣中に増えたため、既存の洗浄剤では残存してしまうという問題がある。一方で、洗浄性の良いものは電極に用いる銅を腐食してしまうという問題が生じる。さらに、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し洗浄すべき隙間が狭くなってきているため、浸透力が高く、狭い隙間のフラックス残渣を溶解できるものが望まれている。上述の特許文献の洗浄剤でも更なる洗浄性と浸透性の向上が望まれる。 With the recent lead-free process, 1) higher reflow temperature and 2) tin salts such as rosin acid, which are difficult to remove due to increased tin content in the solder metal, increased in the flux residue. Then there is a problem of remaining. On the other hand, those having good cleaning properties cause a problem that the copper used for the electrodes is corroded. Further, from the viewpoints of low power consumption and high-speed processing, since the parts are downsized and the gaps to be cleaned are narrowed, it is desired to have a high penetrating power and dissolve the flux residue in the narrow gaps. Even with the cleaning agents of the above-mentioned patent documents, further improvements in cleaning properties and permeability are desired.
そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。また、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対して、銅腐食抑制及び発泡抑制が良好でありながら、洗浄性、及び、狭い隙間への浸透性に優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。 Therefore, in one or a plurality of embodiments, the present disclosure provides a cleaning composition for removing a solder flux residue that is excellent in cleaning performance with respect to a substrate reflowed using a solder flux. Further, according to one or more embodiments of the present disclosure, the substrate that has been reflowed using the solder flux has good copper corrosion suppression and foam suppression, but has good cleaning properties and permeability into narrow gaps. The present invention provides a cleaning composition for removing a solder flux residue that is excellent in resistance.
本開示は、一又は複数の実施形態において、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び、選択的に、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分（成分Ｄ）を含有し、成分Ａ及び成分Ｄの合計の含有量が、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、成分Ｄの含有量が、０質量％以上８．０質量％以下である、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する。 In one or a plurality of other embodiments, the present disclosure relates to a method for cleaning a solder flux residue, which includes a step of cleaning an object to be cleaned having reflowed solder with the cleaning composition according to the present disclosure.
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を本開示に係るフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む電子部品の製造方法に関する。 In one or more embodiments of the present disclosure, at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board is mounted on the circuit board by soldering using a flux. The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component including a step and a step of cleaning the mounted object by a flux residue cleaning method according to the present disclosure.
本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対して、銅腐食抑制及び発泡抑制が良好でありながら、洗浄性、及び、狭い隙間への浸透性に優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。 According to the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, a cleaning composition for removing a solder flux residue that is excellent in cleaning performance for a reflowed substrate using a solder flux, a cleaning method using the same, and a method for using the same It is possible to provide a method for manufacturing electronic components. In addition, according to the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, while the copper corrosion suppression and the foam suppression are good for the substrate reflowed using the solder flux, the cleaning property and the narrow gap are reduced. It is possible to provide a cleaning composition for removing solder flux residue having excellent permeability, a cleaning method using the same, and a method for manufacturing an electronic component using the same.
本開示は、所定量のジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）と所定量の式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）と所定量の水（成分Ｃ）とを含有する洗浄剤組成物が半田フラックス残渣に対して優れた洗浄性を示すという知見に基づく。また、本開示は、該洗浄剤組成物は、銅腐食抑制及び発泡抑制が良好でありながら、洗浄性に加え、狭い隙間への浸透性が向上しうるという知見に基づく。 In the present disclosure, a cleaning composition containing a predetermined amount of diethylene glycol monobutyl ether (component A), a predetermined amount of a compound represented by formula (I) (component B), and a predetermined amount of water (component C) is soldered. Based on the finding that it exhibits excellent cleaning properties against flux residues. Further, the present disclosure is based on the knowledge that the detergent composition can improve the penetration into narrow gaps in addition to the detergency while having good copper corrosion inhibition and foam inhibition.
すなわち、本開示は一態様において、エチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）、前記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び、選択的に、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａ及び成分Ｄの合計の含有量が、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、
成分Ｄの含有量が、０質量％以上８．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう。）に関する。
That is, the present disclosure is, in one aspect, ethylene glycol monobutyl ether (component A), the compound represented by formula (I) (component B), water (component C), and, optionally, triethylene glycol monobutyl ether. A component (component D) selected from the group consisting of tetraethylene glycol monobutyl ether, pentaethylene glycol monobutyl ether, and diethylene glycol monohexyl ether, and combinations thereof,
The total content of Component A and Component D is 90.0% by mass or more and 92.0% by mass or less,
The content of component B is 0.3% by mass or more and 3.0% by mass or less,
The content of component C is 5.0% by mass or more and 9.0% by mass or less,
The content of component D is 0% by mass or more and 8.0% by mass or less.
The present invention relates to a cleaning composition for removing solder flux residue (hereinafter also referred to as “a cleaning composition according to the present disclosure”).
本開示に係る洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。すなわち、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）は半田フラックスとの親和性が高く、成分Ａを多量に含有することで、洗浄剤組成物の表面張力が低くなり狭い隙間の半田フラックス残渣を溶解し洗浄するところ、特定のアルカノールアミン（成分Ｂ）と水（成分Ｃ）をそれぞれ所定量含むことによる半田フラックス残渣中への浸透による膨潤作用により、洗浄性が向上すると考えられる。成分Ａと構造が類似する成分Ｄは、成分Ａよりも半田フラックスとの親和性が劣り、狭い隙間の洗浄性が低下するため、特定量以下にする必要があると考えられる。また、アルカノールアミン（成分Ｂ）は銅腐食性を有するが、含有量を限定することで銅の腐食が抑制されると考えられる。さらに、各成分を特定量とすることで、発泡性が良好に維持されていると考えられる。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。 Although the details of the action mechanism of the effect in the cleaning composition according to the present disclosure are unclear, it is estimated as follows. That is, diethylene glycol monobutyl ether (component A) has a high affinity with the solder flux, and by containing a large amount of component A, the surface tension of the cleaning composition is lowered and the solder flux residue in a narrow gap is dissolved and washed. However, it is considered that the detergency is improved by the swelling action due to penetration into the solder flux residue by containing specific amounts of specific alkanolamine (component B) and water (component C). The component D, which is similar in structure to the component A, is inferior in affinity to the solder flux than the component A, and the detergency of narrow gaps is lowered. Moreover, although alkanolamine (component B) has copper corrosivity, it is thought that corrosion of copper is suppressed by limiting content. Furthermore, it is thought that foamability is maintained favorably by setting each component to a specific amount. However, the present disclosure is not limited to this mechanism.
本開示において「フラックス」とは半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスをいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板など）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフローなどにより半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田付けした後のフラックス残渣を洗浄するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。 In this disclosure, “flux” refers to a rosin-based flux containing rosin or a rosin derivative used for soldering. In this disclosure, “soldering” includes reflow-type and flow-type soldering. In the present disclosure, “solder flux” refers to a mixture of solder and flux. When other components (for example, semiconductor chips, chip capacitors, other circuit boards, etc.) are stacked and mounted on the circuit board, a space (gap) is formed between the circuit board and the other parts. The The flux used for mounting can remain in this gap as a flux residue after being soldered by reflow or the like. In the present disclosure, “a cleaning composition for removing solder flux residue” refers to a cleaning composition for cleaning a flux residue after soldering using a flux or a solder flux. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the standpoint of a remarkable effect of cleaning properties and penetration into narrow gaps by the cleaning composition according to the present disclosure.
［成分Ａ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルである。なお、本開示において、ブチル基は、特に言及がない場合、ｎ−ブチル基をいう。
[Component A]
Component A in the cleaning composition according to the present disclosure is diethylene glycol monobutyl ether. In the present disclosure, a butyl group refers to an n-butyl group unless otherwise specified.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは８２．０質量％以上、より好ましくは８４．０質量％以上、さらに好ましくは８６．０質量％以上が、よりさらに好ましくは９０．０質量％以上である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９２．０質量％以下、より好ましくは９１．５質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは８４．０質量％以上９２．０質量％以下、より好ましくは８６．０質量％以上９１．５質量％以下、さらに好ましくは９０．０質量％以上９１．０質量％以下である。 In one or a plurality of embodiments, the content of Component A in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 82.0% by mass or more, more preferably, from the viewpoint of improving detergency with respect to the flux residue remaining in the gap. It is 84.0 mass% or more, More preferably, it is 86.0 mass% or more, More preferably, it is 90.0 mass% or more. In one or more embodiments, the content of component A is preferably 92.0% by mass or less, more preferably 91.5% by mass or less, and further preferably 91.0% by mass or less, from the same viewpoint. It is. In one or a plurality of embodiments, the content of Component A is preferably 84.0% by mass or more and 92.0% by mass or less, more preferably 86.0% by mass or more and 91.5% by mass from the same viewpoint. % Or less, more preferably 90.0 mass% or more and 91.0 mass% or less.
また、洗浄剤組成物に後述する成分Ｄを含まない場合の成分Ａの含有量は、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは９０．５質量％以上、より好ましくは９０．７質量％以上である。また、成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量は、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９１．５質量％以下、より好ましくは９１．０質量％以下である。 In addition, the content of component A in the case where the cleaning composition does not include component D described later is 90.0 mass% or more and 92.0 mass% or less, and remains in the gap in one or more embodiments. From the viewpoint of improving detergency against the flux residue, it is preferably 90.5% by mass or more, more preferably 90.7% by mass or more. The total content of Component A and Component D is 90.0% by mass or more and 92.0% by mass or less. In one or a plurality of embodiments, from the same viewpoint, preferably 91.5% by mass. Hereinafter, it is more preferably 91.0% by mass or less.
［成分Ｄ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、一又は複数の実施形態において、その一部がその他のグリコールエーテル（成分Ｄ）と置換していてもよい。成分Ｄとしては、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分が挙げられる。これらの中でも、成分Ｄは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくはトリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分、より好ましくはトリエチレングリコールモノブチルエーテルである。
[Component D]
Component A in the cleaning composition according to the present disclosure may be partially substituted with other glycol ether (component D) in one or more embodiments. Component D is a group consisting of triethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monobutyl ether, pentaethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, and combinations thereof from the viewpoint of improving the cleaning properties for the flux residue remaining in the gap. Ingredients selected from: Among these, the component D is preferably selected from the group consisting of triethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monobutyl ether, pentaethylene glycol monobutyl ether, and combinations thereof from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. Component, more preferably triethylene glycol monobutyl ether.
本開示に係る洗浄剤組成物が成分Ｄを含有する場合、成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、成分Ｄを含まない場合の成分Ａの含有量（上述）と同様である。すなわち、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、好ましくは９０．５質量％以上、より好ましくは９０．７質量％以上である。また、成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量は、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９１．５質量％以下、より好ましくは９１．０質量％以下である。また、成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９０．５質量％以上９１．５質量％以下、より好ましくは９０．７質量％以上９１．０質量％以下である。 When the cleaning composition according to the present disclosure contains the component D, the total content of the component A and the component D is, in one or a plurality of embodiments, from the viewpoint of improving the cleaning property with respect to the flux residue remaining in the gap. The same as the content of the component A (noted above) when the component D is not included. That is, it is 90.0 mass% or more and 92.0 mass% or less, Preferably it is 90.5 mass% or more, More preferably, it is 90.7 mass% or more. The total content of Component A and Component D is 90.0% by mass or more and 92.0% by mass or less. In one or a plurality of embodiments, from the same viewpoint, preferably 91.5% by mass. Hereinafter, it is more preferably 91.0% by mass or less. In addition, in one or a plurality of embodiments, the total content of Component A and Component D is preferably 90.5% by mass or more and 91.5% by mass or less, more preferably 90.7% by mass, from the same viewpoint. % Or more and 91.0% by mass or less.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａの成分Ｄとの置換量、すなわち、本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、０質量％を超え、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは３．０質量％以上である。また、成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは８．０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下である。 The amount of substitution of component A with component D in the cleaning composition according to the present disclosure, that is, the content of component D in the cleaning composition according to the present disclosure exceeds 0% by mass in one or more embodiments. , Preferably 0.5% by mass or more, more preferably 3.0% by mass or more. In addition, in one or a plurality of embodiments, the content of the component D is preferably 8.0% by mass or less, more preferably 7.0% by mass or less, from the viewpoint of improving detergency with respect to the flux residue remaining in the gap. More preferably, it is 6.0 mass% or less.
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分Ｄを含まない。また、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分Ｄを含む。 The cleaning composition which concerns on this indication does not contain the component D in one or some embodiment. Moreover, the cleaning composition which concerns on this indication contains the component D in one or some embodiment.
［成分Ｂ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂは、下記式（Ｉ）で表される１又は複数種類のアルカノールアミンである。
Component B in the cleaning composition according to the present disclosure is one or more types of alkanolamines represented by the following formula (I).
成分Ｂのアルカノールアミンとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、並びに、これらのアルキル化物及びアミノアルキル化物が挙げられ、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノエチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンが好ましく、ジエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンがより好ましく、モノエチルモノエタノールアミン及びモノメチルジエタノールアミンがより好ましい。 Examples of the alkanolamine of component B include, in one or more embodiments, monoethanolamine, diethanolamine, and alkylated products and aminoalkylated products thereof. From the viewpoint of improving the cleaning property against the flux residue remaining in the gap, Monoethanolamine, diethanolamine, monomethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monoethyldiethanolamine and monoaminoethylisopropanolamine are preferred, diethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine and monoamino More preferred are ethyl isopropanolamine, monoethyl monoethanolamine and monomethyldiethanol Triethanolamine is more preferable.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である。また、成分Ｂの含有量は、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは２．５質量％以下、より好ましくは２．０質量％以下である。また、成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．３質量％以上３．０質量％以下であって、好ましくは０．５質量％以上３．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上２．５質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上２．０質量％以下である。成分Ｂは、上記式（Ｉ）で表される単独の化合物であってもよく、上記式（Ｉ）で表される複数種類の化合物からなるものであってもよい The content of the component B in the cleaning composition according to the present disclosure is 0.3% by mass or more and 3.0% by mass or less, and in one or a plurality of embodiments, the cleaning performance for the flux residue remaining in the gap is improved. From the viewpoint, it is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1.0% by mass or more, and further preferably 1.5% by mass or more. Further, the content of Component B is 0.3% by mass or more and 3.0% by mass or less, and in one or a plurality of embodiments, from the same viewpoint, preferably 2.5% by mass or less, more preferably 2%. 0.0 mass% or less. In addition, in one or a plurality of embodiments, the content of Component B is 0.3% by mass or more and 3.0% by mass or less, and preferably 0.5% by mass or more and 3.0% by mass from the same viewpoint. % Or less, more preferably 1.0 mass% or more and 2.5 mass% or less, and further preferably 1.5 mass% or more and 2.0 mass% or less. Component B may be a single compound represented by the above formula (I) or may comprise a plurality of types of compounds represented by the above formula (I).
［成分Ｃ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃは、水である。水は、蒸留水、イオン交換水、又は超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、引火性を低減する観点から、好ましくは５．５質量％以上、より好ましくは６．５質量％以上である。また、成分Ｃの含有量は、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは８．０質量％以下、さらに好ましくは７．５質量％以下である。成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点及び引火性を低減する観点から、好ましくは５．５質量％以上８．０質量％以下、より好ましくは６．５質量％以上７．５質量％以下である。
[Component C]
Component C in the cleaning composition according to the present disclosure is water. As the water, distilled water, ion-exchanged water, ultrapure water, or the like can be used. In one or more embodiments, the content of Component C in the cleaning composition according to the present disclosure is 5.0% by mass or more and 9.0% by mass or less, and preferably 5 from the viewpoint of reducing flammability. 0.5% by mass or more, more preferably 6.5% by mass or more. In addition, the content of Component C is 5.0% by mass or more and 9.0% by mass or less, and in one or a plurality of embodiments, preferably 8 from the viewpoint of improving the detergency against the flux residue remaining in the gap. 0.0 mass% or less, more preferably 7.5 mass% or less. In one or a plurality of embodiments, the content of component C is preferably 5.5% by mass or more and 8.0% by mass from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap and reducing flammability. Hereinafter, it is more preferably 6.5% by mass or more and 7.5% by mass or less.
［洗浄剤組成物のその他の成分］
本開示に係る洗浄剤組成物において成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの総含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、９８．０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは９９．０質量％以上１００質量％以下、さらに好ましくは９９．５質量％以上１００質量％以下、さらにより好ましくは９９．７質量％以上１００質量％以下である。したがって、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、好ましくは０質量％以上２．０質量％以下、より好ましくは０質量％以上１．５質量％以下、さらに好ましくは０質量％以上１．３質量％以下、さらにより好ましくは０質量％以上１．０質量％以下の範囲で、その他の成分を含んでもよい。
[Other components of cleaning composition]
In the cleaning composition according to the present disclosure, the total content of components A, B, C, and D is 98.0 masses in one or a plurality of embodiments from the viewpoint of improving the cleaning power against the flux residue remaining in the gap. % To 100% by mass, more preferably 99.0% to 100% by mass, still more preferably 99.5% to 100% by mass, and even more preferably 99.7% by mass or more. 100% by mass or less. Therefore, in one or a plurality of embodiments, the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0% by mass to 2.0% by mass, more preferably 0% by mass to 1.5% by mass, and still more preferably. Other components may be included in the range of 0% by mass to 1.3% by mass, and more preferably 0% by mass to 1.0% by mass.
［成分Ｅ］
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、一又は複数の実施形態において、発泡性の抑制の観点から、炭化水素（成分Ｅ）が挙げられる。成分Ｅとしては、一又は複数の実施形態において、好ましくは炭素数１０以上、より好ましくは炭素数１２以上であり、そして好ましくは炭素数１８以下、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１４以下の不飽和結合を有する又は有さない炭化水素が挙げられる。成分Ｅは、さらなる一又は複数の実施形態において、同様の観点から、ドデセン、テトラデセンが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｅの含有量は、発泡性の抑制の観点から、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．３質量％以下、さらにより好ましくは１．０質量％以下である。
[Component E]
As another component in the cleaning composition according to the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, a hydrocarbon (component E) may be mentioned from the viewpoint of suppressing foamability. In one or a plurality of embodiments, component E preferably has 10 or more carbon atoms, more preferably 12 or more carbon atoms, and preferably 18 or less carbon atoms, more preferably 16 or less, and still more preferably 14 or less. And hydrocarbons with or without unsaturated bonds. Component E includes dodecene and tetradecene from the same viewpoint in one or more embodiments. The content of Component E in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and still more preferably 0.8% by mass, from the viewpoint of suppressing foamability. %, And preferably 1.5% by mass or less, more preferably 1.3% by mass or less, and even more preferably 1.0% by mass or less.
［成分Ｆ］
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、すすぎ性向上の観点から、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｆ）が挙げられる。成分Ｆのアルキル基の炭素数は、好ましくは８以上、より好ましくは１０以上であり、そして、好ましくは１８以下、より好ましくは１４以下である。成分Ｆのアルキレングリコールは、好ましくはエチレングリコール及びプロピレングリコールから選ばれる１種以上、より好ましくはエチレングリコールである。成分Ｆのアルキレングリコールの平均付加モル数は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上であり、そして、好ましくは１２以下、より好ましくは８以下、さらに好ましくは６以下である。成分Ｆとしては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩ）で表されるものが挙げられる。
As other components in the cleaning composition according to the present disclosure, in one or a plurality of other embodiments, a polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant (component F) may be mentioned from the viewpoint of improving rinsing properties. . The number of carbon atoms of the alkyl group of component F is preferably 8 or more, more preferably 10 or more, and is preferably 18 or less, more preferably 14 or less. The alkylene glycol of component F is preferably one or more selected from ethylene glycol and propylene glycol, more preferably ethylene glycol. The average added mole number of the alkylene glycol of component F is preferably 2 or more, more preferably 3 or more, and is preferably 12 or less, more preferably 8 or less, and even more preferably 6 or less. As component F, what is represented by following formula (II) in one or some embodiment is mentioned.
上記式（ＩＩ）において、Ｒ4は、すすぎ性向上の観点から、好ましくは炭素数１０〜１４の炭化水素基であり、ｎ＋ｍは、同様の観点から、好ましくは３以上６以下である。 In the above formula (II), R 4 is preferably a hydrocarbon group having 10 to 14 carbon atoms from the viewpoint of improving rinsing properties, and n + m is preferably 3 or more and 6 or less from the same viewpoint.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｆの含有量は、すすぎ性向上の観点から、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下、さらにより好ましくは０．５質量％以下である。 The content of Component F in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and further preferably 0.3% by mass from the viewpoint of improving rinsing properties. And preferably 1.5% by mass or less, more preferably 1.0% by mass or less, and even more preferably 0.5% by mass or less.
［成分Ｇ］
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、炭素数８以上１８以下の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤（成分Ｇ）が挙げられる。成分Ｇの炭化水素基の炭素数は、好ましくは１０以上、より好ましくは１２以上であり、そして、好ましくは１６以下、より好ましくは１４以下である。成分Ｇの炭化水素基としては、好ましくは１級又は２級であり、より好ましくは１級である。成分Ｇのアルキレングリコールは、好ましくはエチレングリコール及びプロピレングリコールから選ばれる１種以上、より好ましくはエチレングリコール及びプロピレングリコールを有する化合物である。成分Ｇのアルキレングリコールの平均付加モル数は、好ましくは２以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは１０であり、そして、好ましくは２０以下、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１４以下である。成分Ｇとしては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩＩ）で表される非イオン界面活性剤が挙げられる。
As other components in the cleaning composition according to the present disclosure, in one or a plurality of other embodiments, a hydrocarbon group having 8 or more and 18 or less carbon atoms is used from the viewpoint of improving detergency with respect to a flux residue remaining in a gap. The polyalkylene glycol alkyl ether type nonionic surfactant which has (component G) is mentioned. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group of component G is preferably 10 or more, more preferably 12 or more, and preferably 16 or less, more preferably 14 or less. The hydrocarbon group of component G is preferably primary or secondary, more preferably primary. The alkylene glycol of component G is preferably a compound having at least one selected from ethylene glycol and propylene glycol, more preferably ethylene glycol and propylene glycol. The average added mole number of the alkylene glycol of component G is preferably 2 or more, more preferably 5 or more, still more preferably 10, and preferably 20 or less, more preferably 16 or less, and even more preferably 14 or less. . Component G includes a nonionic surfactant represented by the following formula (III) in one or more embodiments.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｇの含有量は、、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下、さらにより好ましくは０．５質量％以下である。 The content of the component G in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, from the viewpoint of improving detergency with respect to the flux residue remaining in the gap. More preferably, it is 0.3% by mass or more, and preferably 1.5% by mass or less, more preferably 1.0% by mass or less, and still more preferably 0.5% by mass or less.
［成分Ｈ］
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、発泡性の抑制の観点から、シリコーン系消泡剤（成分Ｈ）が挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｈの含有量は、、発泡性の抑制の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、そして好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、さらにより好ましくは０．３質量％以下である。
[Component H]
As another component in the cleaning composition according to the present disclosure, in one or more other embodiments, a silicone-based antifoaming agent (component H) may be mentioned from the viewpoint of suppressing foamability. The content of Component H in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, and still more preferably 0.1% from the viewpoint of suppressing foamability. And preferably 1.0% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and still more preferably 0.3% by mass or less.
さらなるその他の成分として、本開示に係る洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等を適宜併用することができる。 As yet another component, the cleaning composition according to the present disclosure is used in a normal cleaning agent as needed, as long as the effects of the present disclosure are not impaired, hydroxyethylaminoacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, ethylenediamine. A compound having a chelating power such as an aminocarboxylate salt such as tetraacetic acid, an antiseptic, a rust inhibitor, a bactericide, an antibacterial agent, an antioxidant, an ester such as methyl coconut fatty acid or benzyl acetate, or an alcohol is appropriately used in combination. be able to.
［洗浄剤組成物の調製方法］
本開示における洗浄剤組成物の調製方法は、何ら制限されず、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び必要に応じて成分Ｄ等を混合することによって調製できる。
[Method for preparing cleaning composition]
The preparation method of the cleaning composition in the present disclosure is not limited at all, and can be prepared by mixing Component A, Component B, Component C, and Component D as necessary.
［フラックス残渣の洗浄方法］
本開示は、その他の態様において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する（以下、本開示に係る洗浄方法ともいう）。本開示に係る洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法や、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）などが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波としては、一又は複数の実施形態において、２６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗが好ましく、３６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗがより好ましい。
[Flux residue cleaning method]
In another aspect, the present disclosure relates to a solder flux residue cleaning method (hereinafter referred to as a cleaning method according to the present disclosure), including bringing a cleaning target having reflowed solder into contact with the cleaning composition according to the present disclosure. Also called). In one or a plurality of embodiments, a cleaning method according to the present disclosure includes a step of cleaning an object to be cleaned having reflowed solder with the cleaning composition according to the present disclosure. In one or a plurality of embodiments, an ultrasonic cleaning apparatus is used as a method of bringing the cleaning composition according to the present disclosure into contact with an object to be cleaned or a method of cleaning the object with the cleaning composition according to the present disclosure. The method of making it contact in the bathtub of this, the method of injecting a cleaning composition in a spray form and making it contact (shower system), etc. are mentioned. The cleaning composition according to the present disclosure can be used for cleaning as it is without being diluted. It is preferable that the cleaning method of the present disclosure includes a step of bringing an object to be cleaned into contact with the cleaning composition, rinsing with water, and drying. With the cleaning method of the present disclosure, it is possible to efficiently clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered parts. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the standpoint of a significant effect of cleaning performance and penetration into a narrow gap by the cleaning method of the present disclosure. In one or a plurality of embodiments, the cleaning method of the present disclosure is superfluous when the cleaning composition according to the present disclosure and the object to be cleaned are in contact with each other because the cleaning power of the cleaning composition according to the present disclosure is easily exhibited. It is preferable to irradiate a sound wave, and it is more preferable that the ultrasonic wave is relatively strong. As said ultrasonic wave, in one or some embodiment, 26-72Hz and 80-1500W are preferable, and 36-72Hz and 80-1500W are more preferable.
［被洗浄物］
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、電子部品の洗浄に使用される。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられ、その他の一又は複数の実施形態において、部品が半田付けされた電子部品の製造中間物が挙げられ、或いは、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む製造中間物が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、回路基板上にフラックスを使用した半田付けにより半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板などが搭載された物を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板など）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５〜５００μｍ、１０〜２５０μｍ、或いは２０〜１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。
[To be cleaned]
In one or a plurality of embodiments, the cleaning composition according to the present disclosure is used for cleaning electronic components. The object to be cleaned includes an object to be cleaned having reflowed solder in one or a plurality of embodiments, and in one or a plurality of embodiments, an intermediate for manufacturing an electronic component to which a component is soldered is used. Or a production intermediate containing a flux residue in the gap between the soldered parts. The manufacturing intermediate is an intermediate product in a manufacturing process of an electronic component including a semiconductor package or a semiconductor device, and for example, a semiconductor chip, a chip-type capacitor, a circuit board, etc. by soldering using a flux on a circuit board Including those equipped with. The gap in the object to be cleaned is, for example, a space formed between a circuit board and a component (semiconductor chip, chip capacitor, circuit board, etc.) soldered and mounted on the circuit board. The height (distance between components) refers to a space of, for example, 5 to 500 μm, 10 to 250 μm, or 20 to 100 μm. The width and depth of the gap depend on the size and interval of the components to be mounted and the electrodes (lands) on the circuit board.
［電子部品の製造方法］
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、及び、本開示の洗浄方法により前記搭載物を洗浄する工程を含む。フラックスを使用した半田付けは、一又は複数の実施形態において、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。また、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
[Method of manufacturing electronic parts]
A method of manufacturing an electronic component according to the present disclosure includes a step of mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux, and A step of cleaning the mounted object by the cleaning method of the present disclosure; In one or a plurality of embodiments, the soldering using the flux is performed with lead-free solder, and may be a reflow method or a flow method. The electronic component includes a semiconductor package in which no semiconductor chip is mounted, a semiconductor package in which a semiconductor chip is mounted, and a semiconductor device. In the electronic component manufacturing method of the present disclosure, by performing the cleaning method of the present disclosure, the flux residue remaining in the gap between the soldered components is reduced, and a short circuit between the electrodes due to the residual flux residue is achieved. In addition, it is possible to manufacture highly reliable electronic components because adhesion failure is suppressed. Further, by performing the cleaning method of the present disclosure, it becomes easy to clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered components, so that the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of electronic components can be improved.
本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。 The present disclosure further relates to one or more of the following embodiments.
＜１＞ ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ）、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、水（成分Ｃ）、及び、選択的に、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル、及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される成分（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａ及び成分Ｄの合計の含有量が、９０．０質量％以上９２．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、
成分Ｄの含有量が、０質量％以上８．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
The total content of Component A and Component D is 90.0% by mass or more and 92.0% by mass or less,
The content of component B is 0.3% by mass or more and 3.0% by mass or less,
The content of component C is 5.0% by mass or more and 9.0% by mass or less,
The content of component D is 0% by mass or more and 8.0% by mass or less.
A cleaning composition for removing solder flux residue.
＜２＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは８２．０質量％以上、より好ましくは８４．０質量％以上、さらに好ましくは８６．０質量％以上が、よりさらに好ましくは９０．０質量％以上である、＜１＞記載の洗浄剤組成物。
＜３＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは９２．０質量％以下、より好ましくは９１．５質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは８４．０質量％以上９２．０質量％以下、より好ましくは８６．０質量％以上９１．５質量％以下、さらに好ましくは９０．０質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含まない場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、９０．０質量％以上であり、好ましくは９０．５質量％以上、より好ましくは９０．７質量％以上である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含まない場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、９２．０質量％以下であり、好ましくは９１．５質量％以下、より好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含まない場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは９０．５質量％以上９１．５質量％以下、より好ましくは９０．７質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量が、９０．０質量％以上であり、好ましくは９０．５質量％以上、より好ましくは９０．７質量％以上である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量が、９２．０質量％以下であり、好ましくは９１．５質量％以下、より好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ａと成分Ｄとの合計の含有量が、好ましくは９０．５質量％以上９１．５質量％以下、より好ましくは９０．７質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量が０質量％を超え、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは３．０質量％以上である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含む場合、前記洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量が、好ましくは８．０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞ 前記洗浄剤組成物が成分Ｄを含有しない、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上であり、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１５＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量が、３．０質量％以下であり、好ましくは２．５質量％以下、より好ましくは２．０質量％以下である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量が、好ましくは０．５質量％以上３．０質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上２．５質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上２．０質量％以下である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上であり、好ましくは５．５質量％以上、より好ましくは６．５質量％以上である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量が、９．０質量％以下であり、好ましくは８．０質量％以下、さらに好ましくは７．５質量％以下である、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量が、好ましくは５．５質量％以上８．０質量％以下、より好ましくは６．５質量％以上７．５質量％以下である、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの総含有量は、好ましくは９８．０質量％以上１００質量％以下、より好ましくは９９．０質量％以上１００質量％以下、さらに好ましくは９９．５質量％以上１００質量％以下、さらにより好ましくは９９．７質量％以上１００質量％以下である、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞ さらに、炭化水素（成分Ｅ）を含有する、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞ 前記成分Ｅが、好ましくは炭素数１０以上、より好ましくは炭素数１２以上であり、そして好ましくは炭素数１８以下、より好ましくは１６以下、さらに好ましくは１４以下の不飽和結合を有する又は有さない炭化水素である、＜２１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｅの含有量が、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．８質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．３質量％以下、さらにより好ましくは１．０質量％以下である、＜２１＞又は＜２２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞ さらに、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｆ）を含有する、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｆの含有量が、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下、さらにより好ましくは０．５質量％以下である、＜２４＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２６＞ さらに、炭素数８以上１８以下の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤（成分Ｇ）を含む、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２７＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｇの含有量が、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、そして好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以下、さらにより好ましくは０．５質量％以下である、＜２６＞に記載の洗浄剤組成物。
＜２８＞ さらに、シリコーン系消泡剤（成分Ｈ）を含む、＜１＞から＜２７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２９＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ｈの含有量が、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、そして好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下、さらにより好ましくは０．３質量％以下である、＜２８＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３０＞ リフローされた半田を有する被洗浄物を＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
＜３１＞ 被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、＜３０＞の洗浄方法。
＜３２＞ 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を＜３０＞又は＜３１＞に記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
＜３３＞ ＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。
<2> The content of Component A in the cleaning composition is preferably 82.0% by mass or more, more preferably 84.0% by mass or more, further preferably 86.0% by mass or more, and still more preferably. The cleaning composition according to <1>, which is 90.0% by mass or more.
<3> The content of component A in the cleaning composition is preferably 92.0% by mass or less, more preferably 91.5% by mass or less, and still more preferably 91.0% by mass or less, <1> Or the cleaning composition as described in <2>.
<4> The content of Component A in the cleaning composition is preferably 84.0% by mass or more and 92.0% by mass or less, more preferably 86.0% by mass or more and 91.5% by mass or less, and still more preferably. The cleaning composition according to any one of <1> to <3>, which is 90.0% by mass or more and 91.0% by mass or less.
<5> When the cleaning composition does not contain Component D, the content of Component A in the cleaning composition is 90.0% by mass or more, preferably 90.5% by mass or more, more preferably The cleaning composition according to any one of <1> to <4>, which is 90.7% by mass or more.
<6> When the cleaning composition does not contain Component D, the content of Component A in the cleaning composition is 92.0% by mass or less, preferably 91.5% by mass or less, more preferably The cleaning composition according to any one of <1> to <5>, which is 91.0% by mass or less.
<7> When the cleaning composition does not contain Component D, the content of Component A in the cleaning composition is preferably 90.5% by mass or more and 91.5% by mass or less, more preferably 90.7%. The cleaning composition according to any one of <1> to <6>, wherein the cleaning composition is not less than mass% and not more than 91.0 mass%.
<8> When the cleaning composition contains Component D, the total content of Component A and Component D in the cleaning composition is 90.0% by mass or more, preferably 90.5% by mass. As described above, the cleaning composition according to any one of <1> to <7>, more preferably 90.7% by mass or more.
<9> When the cleaning composition contains Component D, the total content of Component A and Component D in the cleaning composition is 92.0 mass% or less, preferably 91.5 mass% The cleaning composition according to any one of <1> to <8>, more preferably 91.0% by mass or less.
<10> When the cleaning composition contains component D, the total content of component A and component D in the cleaning composition is preferably 90.5% by mass or more and 91.5% by mass or less. The cleaning composition according to any one of <1> to <9>, preferably 90.7% by mass or more and 91.0% by mass or less.
<11> When the cleaning composition contains component D, the content of component D in the cleaning composition exceeds 0% by mass, preferably 0.5% by mass or more, more preferably 3.0% by mass. The cleaning composition according to any one of <1> to <10>.
<12> When the cleaning composition contains component D, the content of component D in the cleaning composition is preferably 8.0% by mass or less, more preferably 7.0% by mass or less, and still more preferably. The cleaning composition according to any one of <1> to <11>, which is 6.0% by mass or less.
<13> The cleaning composition according to any one of <1> to <12>, wherein the cleaning composition does not contain component D.
<14> The content of Component B in the cleaning composition is 0.3% by mass or more, preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1.0% by mass or more, and further preferably 1.5%. The cleaning composition according to any one of <1> to <13>, which is at least% by mass.
<15> The content of Component B in the cleaning composition is 3.0% by mass or less, preferably 2.5% by mass or less, more preferably 2.0% by mass or less, from <1>. The cleaning composition according to any one of <14>.
<16> The content of component B in the cleaning composition is preferably 0.5% by mass or more and 3.0% by mass or less, more preferably 1.0% by mass or more and 2.5% by mass or less, and still more preferably. The cleaning composition according to any one of <1> to <15>, which is 1.5% by mass or more and 2.0% by mass or less.
<17> The content of Component C in the cleaning composition is 5.0% by mass or more, preferably 5.5% by mass or more, more preferably 6.5% by mass or more, from <1>. <16> The cleaning composition according to any one of the above.
<18> The content of Component C in the cleaning composition is 9.0% by mass or less, preferably 8.0% by mass or less, more preferably 7.5% by mass or less, from <1>. <17> The cleaning composition according to any one of the above.
<19> The content of Component C in the cleaning composition is preferably 5.5% by mass or more and 8.0% by mass or less, more preferably 6.5% by mass or more and 7.5% by mass or less. The cleaning composition according to any one of <1> to <18>.
<20> The total content of components A, B, C and D in the cleaning composition is preferably 98.0% by mass to 100% by mass, more preferably 99.0% by mass to 100% by mass, The cleaning composition according to any one of <1> to <19>, more preferably 99.5% by mass to 100% by mass, and still more preferably 99.7% by mass to 100% by mass.
<21> The cleaning composition according to any one of <1> to <20>, further containing a hydrocarbon (component E).
<22> The component E preferably has 10 or more carbon atoms, more preferably 12 or more carbon atoms, and preferably has an unsaturated bond having 18 or less carbon atoms, more preferably 16 or less, and even more preferably 14 or less. Or the detergent composition as described in <21> which is a hydrocarbon which does not have.
<23> The content of component E in the cleaning composition is preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 0.8% by mass or more, and preferably The cleaning composition according to <21> or <22>, which is 1.5% by mass or less, more preferably 1.3% by mass or less, and still more preferably 1.0% by mass or less.
<24> The cleaning composition according to any one of <1> to <23>, further comprising a polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant (component F).
<25> The content of component F in the cleaning composition is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, still more preferably 0.3% by mass or more, and preferably The cleaning composition according to <24>, which is 1.5% by mass or less, more preferably 1.0% by mass or less, and still more preferably 0.5% by mass or less.
<26> The cleaning agent according to any one of <1> to <25>, further comprising a polyalkylene glycol alkyl ether type nonionic surfactant (component G) having a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms. Composition.
<27> The content of the component G in the cleaning composition is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, further preferably 0.3% by mass or more, and preferably The cleaning composition according to <26>, which is 1.5% by mass or less, more preferably 1.0% by mass or less, and still more preferably 0.5% by mass or less.
<28> The cleaning composition according to any one of <1> to <27>, further comprising a silicone-based antifoaming agent (component H).
<29> The content of component H in the cleaning composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, still more preferably 0.1% by mass or more, and preferably The cleaning composition according to <28>, which is 1.0% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and still more preferably 0.3% by mass or less.
<30> A method for cleaning a solder flux residue, comprising a step of cleaning an object having reflowed solder with the cleaning composition according to any one of <1> to <29>.
<31> The cleaning method according to <30>, wherein the object to be cleaned is an intermediate for manufacturing an electronic component in which the component is soldered with solder.
<32> A step of mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux; Or the manufacturing method of an electronic component including the process wash | cleaned with the washing | cleaning method of the flux residue as described in <31>.
<33> Use of the cleaning composition according to any one of <1> to <29> for cleaning electronic parts.
１．洗浄剤組成物の調製（実施例１〜１１、比較例１〜１８）
下記表１に示す成分Ａ〜Ｃ、及び必要に応じてその他の成分（表１）を混合し、実施例１〜１１、比較例１〜１８の洗浄剤組成物を調製した。下記表１の成分Ａ〜Ｈ及びその他の成分の数値は、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
1. Preparation of cleaning composition (Examples 1-11, Comparative Examples 1-18)
Components A to C shown in Table 1 below and other components (Table 1) as necessary were mixed to prepare cleaning compositions of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 18. The numerical values of components A to H and other components in Table 1 below indicate the content (% by mass) in the prepared cleaning composition.
表１における成分Ｆ「＊１」及び「＊２」は、下記の化合物である。
成分＊１：下記式（ＩＩ）で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、Ｒ4が炭素数１２の炭化水素基であり、ｎ＋ｍが４のもの。
成分＊２：下記式（ＩＩ）で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、Ｒ4が炭素数１２の炭化水素基であり、ｎ＋ｍが１０のもの。
Component * 1: Polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant represented by the following formula (II), wherein R 4 is a hydrocarbon group having 12 carbon atoms and n + m is 4.
Component * 2: Polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant represented by the following formula (II), wherein R 4 is a hydrocarbon group having 12 carbon atoms and n + m is 10.
表１における成分Ｇ「＊３」及び「＊４」は、下記の化合物である。
成分＊３：下記式（ＩＩＩ）で表されるポリエチレングリコールポリプロピレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、Ｒ5が炭素数１２及び１４の１級炭化水素基の混合物であり、ｐ＝５、ｑ＝２、ｒ＝５のもの。
成分＊４：下記式（ＩＩＩ）で表されるポリエチレングリコールポリプロピレングリコールアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、Ｒ5が炭素数１２の２級炭化水素基であり、ｐ＝５、ｑ＝ｒ＝０のもの。
Component * 3: Polyethylene glycol polypropylene glycol alkyl ether type nonionic surfactant represented by the following formula (III), wherein R 5 is a mixture of primary hydrocarbon groups having 12 and 14 carbon atoms, p = 5, q = 2, r = 5.
Component * 4: Polyethylene glycol polypropylene glycol alkyl ether type nonionic surfactant represented by the following formula (III), wherein R 5 is a secondary hydrocarbon group having 12 carbon atoms, p = 5, q = r = 0.
２．洗浄剤組成物の評価
調製した実施例１〜１１及び比較例１〜１８の洗浄剤組成物を用いてテスト基板の洗浄性（洗浄性１及２）、ガラス毛細管試験、腐食性、並びに発泡性について試験を行い、評価した。その結果を表１に示す。
2. Evaluation of cleaning composition Using the prepared cleaning compositions of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 18, the test substrate was cleaned (cleaning properties 1 and 2), glass capillary test, corrosiveness, and foamability. Were tested and evaluated. The results are shown in Table 1.
［洗浄性試験（洗浄性１）］
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
〔テスト基板〕
チップコンデンサ（２０１２）を１０個搭載したテスト基板（５０ｍｍ×５０ｍｍ、チップコンデンサと基板の隙間は約５０μｍ）を用いた。ソルダーペーストには鉛フリーのエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）、リフロー炉にはエコリフローＳＮＲ８２５（千住金属工業（株）製）を用い、リフローピーク温度２４０℃、半田溶融時間４５秒、窒素雰囲気下（酸素濃度１００ｐｐｍ）で半田接続した。
〔洗浄方法〕
洗浄は洗浄液への浸漬で行った。まず、［１］各洗浄剤組成物を満たした１Ｌビーカー、［２］プレリンス用のイオン交換水を満たした１Ｌビーカー、［３］仕上げリンス用のイオン交換水を満たした１Ｌビーカーを用意し、それぞれのビーカーを６０℃水浴内で加温する。まず、テスト基板を［１］のビーカー内に浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射して洗浄する。次に、該テスト基板を［２］のビーカーに浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射してプレリンスを行う。そして、該テスト基板を［３］のビーカー内に浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射して仕上げリンスを行う。最後に、送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥する。
〔洗浄性の評価〕
乾燥後のテスト基板からチップコンデンサを剥離し、光学顕微鏡にてフラックス残渣の残存有無を確認した。評価基準は以下の通り。その結果を表１の「洗浄性１」の欄に示す。
○：１０個中残渣あるものゼロ
△：１０個中残渣あるもの１個
×：１０個中残渣あるもの２個以上
[Cleanability test (cleanability 1)]
A detergency test was performed to clean the test substrate under the following conditions.
[Test board]
A test substrate (50 mm × 50 mm, the gap between the chip capacitor and the substrate was about 50 μm) on which ten chip capacitors (2012) were mounted. Lead-free Eco Solder M705-BPS (Senju Metal Industry Co., Ltd.) is used for the solder paste, Eco Reflow SNR825 (Senju Metal Industry Co., Ltd.) is used for the reflow furnace, reflow peak temperature 240 ° C., solder melting time Solder connection was performed in a nitrogen atmosphere (oxygen concentration: 100 ppm) for 45 seconds.
[Cleaning method]
Cleaning was performed by immersion in a cleaning solution. First, [1] 1 L beaker filled with each cleaning composition, [2] 1 L beaker filled with ion exchange water for pre-rinsing, [3] 1 L beaker filled with ion exchange water for finishing rinse, Each beaker is warmed in a 60 ° C. water bath. First, the test substrate is immersed in the beaker of [1] and cleaned by irradiating with ultrasonic waves (40 kHz, 600 W) for 5 minutes. Next, the test substrate is immersed in the beaker of [2] and pre-rinsing is performed by irradiating with ultrasonic waves (40 kHz, 600 W) for 5 minutes. Then, the test substrate is immersed in the beaker of [3], and a final rinse is performed by irradiating with ultrasonic waves (40 kHz, 600 W) for 5 minutes. Finally, it is dried with an air dryer (85 ° C., 15 minutes).
[Evaluation of cleanability]
The chip capacitor was peeled from the dried test substrate, and the presence or absence of residual flux residue was confirmed with an optical microscope. The evaluation criteria are as follows. The results are shown in the column “Detergency 1” in Table 1.
○: There are zero residues in 10 Δ: One in 10 residues ×: Two or more in 10 residues
［洗浄性試験（洗浄性２）］
上記洗浄性試験（洗浄性１）と同様の方法で、洗浄時間、プレリンス時間、及び、仕上げリンス時間を、それぞれ１分間に短くして評価した。その結果を表１の「洗浄性２」の欄に示す。
[Cleanability test (cleanability 2)]
In the same manner as in the cleaning property test (cleaning property 1), the cleaning time, pre-rinsing time, and finishing rinsing time were each shortened to 1 minute for evaluation. The results are shown in the column “Detergency 2” in Table 1.
［ガラス毛細管試験］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。ＤＲＵＭＭＯＮＤ製ガラスキャップ（ガラス毛細管）（長さ３２ｍｍ、内径１４０μm）に上記方法にて作成したフラックス残渣を充填し一方の開口部を封止して試験片を作成した。１００ｍＬビーカーに各洗浄剤組成物及びすすぎ用イオン交換水を各１００ｇ加え６０℃に加温する。試験片を各洗浄剤組成物に浸漬し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後、すすぎ用イオン交換水に移し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後取り出した。取り出した試験片を光学顕微鏡にて観察し、開口部から溶解したフラックス残渣の距離を測定し、５点の平均値を算出した。フラックス残渣が溶解した距離が長いほど溶解速度が速く洗浄性が良いと評価できる。その結果を表１に示す。
[Glass capillary test]
Under a nitrogen atmosphere, Eco Solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is heated on a copper plate at 250 ° C. for 30 minutes to separate and collect a liquid flux residue. A DRUMOND glass cap (glass capillary tube) (length: 32 mm, inner diameter: 140 μm) was filled with the flux residue prepared by the above method, and one of the openings was sealed to prepare a test piece. Add 100 g of each cleaning composition and ion exchange water for rinsing to a 100 mL beaker and heat to 60 ° C. The test piece was immersed in each cleaning composition, irradiated with ultrasonic waves (40 kHz, 200 W) for 5 minutes, then transferred to ion-exchange water for rinsing, and extracted after being irradiated with ultrasonic waves (40 kHz, 200 W) for 5 minutes. The taken-out test piece was observed with the optical microscope, the distance of the flux residue melt | dissolved from the opening part was measured, and the average value of 5 points | pieces was computed. It can be evaluated that the longer the distance at which the flux residue is dissolved, the faster the dissolution rate and the better the detergency. The results are shown in Table 1.
［腐食性］
各洗浄剤組成物を１Ｌビーカーに満たして６０℃に加温し、その中へ厚さ１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×５０ｍｍ）を入れ１０分間浸漬。その後イオン交換水にて十分にすすぎ、送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥し、銅板の表面状態を観察した。評価基準は以下の通り。その結果を表１に示す。
○：変色無し
×：変色あり
[Corrosive]
Each cleaning composition is filled in a 1 L beaker and heated to 60 ° C., and a 1 mm thick copper plate (30 mm × 50 mm) is placed therein and immersed for 10 minutes. Thereafter, it was sufficiently rinsed with ion-exchanged water, dried with an air dryer (85 ° C., 15 minutes), and the surface state of the copper plate was observed. The evaluation criteria are as follows. The results are shown in Table 1.
○: No discoloration ×: Discoloration
［発泡性］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取した。上記条件にて作成したフラックス残渣を１質量％含有する各洗浄剤組成物をイオン交換水にて１０倍に希釈し、その５０ｍＬを２００ｍＬ共栓付きメスフラスコに加え、６０℃に加温し、上下に激しく３０回振とうした。１分後の泡高さを測定し、下記の基準にて評価した。その結果を表１に示す。
◎：泡無し
○：５ｍＬ未満
×：５ｍＬ以上
[Foaming]
Eco solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) was heated at 250 ° C. for 30 minutes on a copper plate under a nitrogen atmosphere, and a liquid flux residue was separated and collected. Each cleaning composition containing 1% by mass of the flux residue prepared under the above conditions was diluted 10 times with ion-exchanged water, 50 mL thereof was added to a 200 mL stoppered volumetric flask, heated to 60 ° C., Shake vigorously 30 times up and down. The bubble height after 1 minute was measured and evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 1.
◎: No bubble ○: Less than 5 mL ×: 5 mL or more
上記表１に示すとおり、実施例１〜１１の洗浄剤組成物は、比較例１〜１８の洗浄剤組成物と比べて優れた洗浄性を示し、かつ、ガラス毛細管試験の結果、すなわち、浸透性も概ね優れた結果を示した。また、実施例１〜１１の洗浄剤組成物は、比較例４の洗浄剤組成物よりも腐食性が低い点で優れていた。 As shown in Table 1 above, the cleaning compositions of Examples 1 to 11 showed excellent cleaning properties compared to the cleaning compositions of Comparative Examples 1 to 18, and the results of the glass capillary test, that is, penetration In general, the results showed excellent results. In addition, the cleaning compositions of Examples 1 to 11 were superior in that they were less corrosive than the cleaning composition of Comparative Example 4.
本開示を用いることにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。 By using the present disclosure, it is possible to satisfactorily clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered components. For example, the flux residue cleaning process in the electronic component manufacturing process can be shortened and the electronic component to be manufactured. The performance and reliability of the semiconductor device can be improved, and the productivity of the semiconductor device can be improved.
Claims (10)
成分Ａ及び成分Ｄの合計の含有量が、９０．０質量％以上９１．５質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上３．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、５．０質量％以上９．０質量％以下であり、
成分Ｄの含有量が、０質量％以上８．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
The total content of Component A and Component D is 90.0% by mass or more and 91.5 % by mass or less,
The content of component B is 0.3% by mass or more and 3.0% by mass or less,
The content of component C is 5.0% by mass or more and 9.0% by mass or less,
The content of component D is 0% by mass or more and 8.0% by mass or less.
A cleaning composition for removing solder flux residue.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014135358A JP6345512B2 (en) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | Detergent composition for removing solder flux residue |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014135358A JP6345512B2 (en) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | Detergent composition for removing solder flux residue |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016014081A JP2016014081A (en) | 2016-01-28 |
| JP6345512B2 true JP6345512B2 (en) | 2018-06-20 |
Family
ID=55230535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014135358A Active JP6345512B2 (en) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | Detergent composition for removing solder flux residue |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6345512B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114196486A (en) | 2020-09-17 | 2022-03-18 | 荒川化学工业株式会社 | Stock solution for detergent composition, and detergent composition containing the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2816805B2 (en) * | 1993-12-29 | 1998-10-27 | 花王株式会社 | Cleaning method |
| JP3255392B2 (en) * | 1994-12-06 | 2002-02-12 | 花王株式会社 | Aqueous detergent composition |
| JPH0987668A (en) * | 1995-09-27 | 1997-03-31 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Cleansing agent composition and its regeneration method |
| CN101827928B (en) * | 2007-08-08 | 2012-10-03 | 荒川化学工业株式会社 | Cleanser composition for removal of lead-free soldering flux, and method for removal of lead-free soldering flux |
| JP5466836B2 (en) * | 2008-06-13 | 2014-04-09 | 花王株式会社 | Cleaning composition for flux |
| WO2010024141A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | 荒川化学工業株式会社 | Cleaning composition for removing lead-free solder flux and system for removing lead-free solder flux |
| CN102482625A (en) * | 2009-09-03 | 2012-05-30 | 荒川化学工业株式会社 | Cleaning agent for removal of, removal method for, and cleaning method for water-soluble, lead-free solder flux |
| KR101824445B1 (en) * | 2009-12-28 | 2018-02-01 | 가오 가부시키가이샤 | Cleaning method and cleaning device used in said cleaning method |
| WO2012082565A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Kyzen Corporation | Cleaning agent for removal of soldering flux |
-
2014
- 2014-06-30 JP JP2014135358A patent/JP6345512B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016014081A (en) | 2016-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5466836B2 (en) | Cleaning composition for flux | |
| JP5428859B2 (en) | Cleaning composition for removing lead-free solder flux and method for removing lead-free solder flux | |
| JP5857740B2 (en) | Lead-free solder water-soluble flux removing detergent, removing method and washing method | |
| KR102176804B1 (en) | Screen plate cleaner composition | |
| TWI437094B (en) | A detergent composition for removing lead-free flux flux and a flux-free flux flux removal system | |
| JP6598671B2 (en) | Cleaning composition for flux | |
| JP6158060B2 (en) | Detergent composition for removing solder flux residue | |
| TW201617443A (en) | Method for manufacturing soldered circuit board, method for manufacturing circuit board having electronic component | |
| JP7370339B2 (en) | Cleaning flux residue | |
| JP7385597B2 (en) | Cleaning composition for removing flux residue | |
| KR102419315B1 (en) | A cleaning composition for a lead-free soldering solvent, a cleaning method for a lead-free soldering solvent | |
| JP5252853B2 (en) | Detergent composition for solder flux | |
| JP2017119782A (en) | Detergent composition for water-soluble flux | |
| JP6202678B2 (en) | Detergent composition for removing solder flux residue | |
| JP6345512B2 (en) | Detergent composition for removing solder flux residue | |
| JP2022044034A (en) | Detergent composition for flux | |
| JP6316713B2 (en) | Circuit board manufacturing method | |
| RU2445353C1 (en) | Liquid cleaning composition | |
| JP2021042327A (en) | Detergent composition for removing flux residues | |
| KR20170056139A (en) | Cleaner composition for removal of lead-free soldering flux | |
| KR20100125772A (en) | Cleaner composition for removal of lead-free soldering flux |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170306 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180326 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180522 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180523 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6345512 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |