JP6158060B2 - Detergent composition for removing solder flux residue - Google Patents
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Description
本開示は、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、半田フラックス残渣の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a cleaning composition for removing a solder flux residue, a method for cleaning a solder flux residue, and a method for manufacturing an electronic component.
近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。 In recent years, regarding the mounting of electronic components on a printed wiring board or a ceramic substrate, the components are downsized from the viewpoint of low power consumption and high-speed processing, and the gap to be cleaned in solder flux cleaning has become narrower. In addition, lead-free solder has been used from the viewpoint of environmental safety, and accordingly, rosin-based flux is used.
特許文献１には、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄に好適なフラックス用洗浄剤組成物として、特定のグリコールエーテルと、アルカノールアミン、及び、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩及び水を含有するフラックス用洗浄剤組成物が開示されている。 Patent Document 1 discloses a specific glycol ether, an alkanolamine, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms as a flux cleaning composition suitable for cleaning a flux residue remaining in a gap between soldered parts. Disclosed is a flux cleaning composition containing an alkylbenzenesulfonic acid and / or a salt thereof and water.
特許文献２には、狭い隙間に存在するフラックス残渣に対する洗浄性が高いだけでなく、水によるすすぎ性が良好であり、泡立ちが抑制された、フラックス残渣が付着した被洗浄物の洗浄方法として、水を２質量％以上１０質量％以下、グリコールエーテルを５０質量％以上９７．７５質量％未満及び、アミン化合物を０．０５質量％以上５質量％以下含む洗浄剤を用いて、特定の洗浄条件及び洗浄装置で洗浄する方法が開示されている。 Patent Document 2 describes a cleaning method for an object to be cleaned to which a flux residue is adhered, in which not only the cleaning property for a flux residue existing in a narrow gap is high, but also rinseability with water is good and foaming is suppressed. Specific cleaning conditions using a cleaning agent containing 2% to 10% by weight of water, 50% to less than 97.75% by weight of glycol ether and 0.05% to 5% by weight of amine compound And a method of cleaning with a cleaning device is disclosed.
近年の鉛フリー化に伴い、１）リフロー温度の高温化、２）半田金属中のスズ含有量増加が原因で除去困難なロジン酸等のスズ塩がフラックス残渣中に増えたため、既存の洗浄剤では残存してしまうという問題がある。一方で、洗浄性の良いものは電極に用いる銅を腐食してしまうという問題が生じる。さらに、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し洗浄すべき隙間が狭くなってきている。表面張力の低い洗浄剤は浸透力が高く、狭い隙間のフラックス残渣を溶解できるものの、すすぎ工程で使用する水は表面張力が高いため、隙間への浸透速度が遅く十分にすすげないといった問題が起こってきている。特許文献１の洗浄剤でも更なる洗浄性とすすぎ性の向上が望まれる。 With the recent lead-free process, 1) higher reflow temperature and 2) tin salts such as rosin acid, which are difficult to remove due to increased tin content in the solder metal, increased in the flux residue. Then there is a problem of remaining. On the other hand, those having good cleaning properties cause a problem that the copper used for the electrodes is corroded. Furthermore, from the viewpoints of low power consumption and high-speed processing, parts are downsized and gaps to be cleaned are becoming narrower. Although detergents with low surface tension have high penetrating power and can dissolve flux residues in narrow gaps, the water used in the rinsing process has high surface tension, so there is a problem that the penetration speed into the gaps is slow and not enough. Is happening. Even with the cleaning agent of Patent Document 1, further improvements in cleaning properties and rinsing properties are desired.
そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。また、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性、並びに、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性に優れ、さらには、良好な銅腐食抑制、発泡抑制、及び安全性（引火性の低減）を示す半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。 Therefore, in one or a plurality of embodiments, the present disclosure provides a cleaning composition for removing a solder flux residue that is excellent in cleaning performance with respect to a substrate reflowed using a solder flux. Further, in one or a plurality of embodiments, the present disclosure is excellent in cleaning performance with respect to a substrate reflowed using a solder flux, penetration into a narrow gap, and rinsing performance, and further, good copper corrosion suppression, Provided is a cleaning composition for removing solder flux residue that exhibits foam suppression and safety (reduction in flammability).
本開示は、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、
成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。
The content of Component A is 88.0% by mass or more and 94.4% by mass or less,
In Component A, the content of diethylene glycol monobutyl ether is 90.0% by mass or more and 100.0% by mass or less,
The content of component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less,
The content of component C is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less.
The present invention relates to a cleaning composition for removing solder flux residue.
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する。 In one or a plurality of other embodiments, the present disclosure relates to a method for cleaning a solder flux residue, which includes a step of cleaning an object to be cleaned having reflowed solder with the cleaning composition according to the present disclosure.
本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を本開示に係るフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む電子部品の製造方法に関する。 In one or more embodiments of the present disclosure, at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board is mounted on the circuit board by soldering using a flux. The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component including a step and a step of cleaning the mounted object by a flux residue cleaning method according to the present disclosure.
本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性、並びに、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性に優れ、さらには、良好な銅腐食抑制、発泡抑制、及び安全性（引火性の低減）を示す半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。 According to the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, a cleaning composition for removing a solder flux residue that is excellent in cleaning performance for a reflowed substrate using a solder flux, a cleaning method using the same, and a method for using the same It is possible to provide a method for manufacturing an electronic component. In addition, according to the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, the cleaning performance with respect to the substrate reflowed using the solder flux, the penetration into the narrow gap and the rinsing performance are excellent, and further, the copper corrosion is good. It is possible to provide a cleaning composition for removing solder flux residue that exhibits suppression, suppression of foaming, and safety (reduction in flammability), a cleaning method using the same, and a method for manufacturing an electronic component using the same.
本開示は、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを主成分とするグリコールエーテルが多量に配合された洗浄剤組成物は、従来よりも洗浄性が向上するという知見に基づく。また、本開示は、該洗浄剤組成物は、銅腐食抑制、発泡抑制、及び安全性（引火性の低減）が良好でありながら、洗浄性に加え、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性が向上しうるという知見に基づく。 The present disclosure is based on the knowledge that a cleaning composition containing a large amount of glycol ether containing diethylene glycol monobutyl ether as a main component has improved cleaning performance than before. In addition, the present disclosure shows that the cleaning composition has good copper corrosion inhibition, foaming inhibition, and safety (reduced flammability), but also has good permeability and rinsing properties in a narrow gap in addition to detergency. Based on the knowledge that it can be improved.
すなわち、本開示は一態様において、前記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、前記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、
成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう。）に関する。
That is, in one embodiment of the present disclosure, the compound represented by the formula (I) (component A), the compound represented by the formula (II) (component B), and an alkylbenzene having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Containing sulfonic acid and / or salt thereof (component C) and water (component D),
The content of Component A is 88.0% by mass or more and 94.4% by mass or less,
In Component A, the content of diethylene glycol monobutyl ether is 90.0% by mass or more and 100.0% by mass or less,
The content of component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less,
The content of component C is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less.
The present invention relates to a cleaning composition for removing solder flux residue (hereinafter also referred to as “a cleaning composition according to the present disclosure”).
本開示に係る洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。すなわち、ジエチレングリコールモノブチルエーテルは半田フラックスとの親和性が高く、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを主成分とするグリコールエーテル（成分Ａ）を多量に含有することで、洗浄剤組成物の表面張力が低くなり狭い隙間の半田フラックス残渣を溶解し洗浄するところ、特定のアルカノールアミン（成分Ｂ）とアルキルベンゼンスルホン酸又はその塩（成分Ｃ）による半田フラックス残渣中への浸透による膨潤作用で成分Ａによる洗浄性が向上すると考えられる。また、水によるすすぎの際には、本開示に係る洗浄剤組成物中の特定のアルカノールアミン（成分Ｂ）とアルキルベンゼンスルホン酸又はその塩（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）により、ジエチレングリコールモノブチルエーテルとすすぎ水との親和性が高められすすぎ性に優れると考えられる。そして、アルカノールアミン（成分Ｂ）を特定範囲の量とすることで銅の腐食が抑制されると考えられる。さらに、各成分を特定量とすることで、発泡性と安全性が良好に維持されていると考えられる。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。 Although the details of the action mechanism of the effect in the cleaning composition according to the present disclosure are unclear, it is estimated as follows. That is, diethylene glycol monobutyl ether has a high affinity with the solder flux, and by containing a large amount of glycol ether (component A) containing diethylene glycol monobutyl ether as a main component, the surface tension of the cleaning composition is lowered and a narrow gap is formed. When the solder flux residue is dissolved and washed, it is thought that the washing performance by component A is improved by the swelling action of the specific alkanolamine (component B) and alkylbenzenesulfonic acid or its salt (component C) penetrating into the solder flux residue. It is done. In the case of rinsing with water, diethylene glycol monobutyl ether is obtained with a specific alkanolamine (component B), alkylbenzenesulfonic acid or a salt thereof (component C) and water (component D) in the cleaning composition according to the present disclosure. It is thought that the affinity with rinsing water is increased and the rinsing property is excellent. And it is thought that corrosion of copper is suppressed by making alkanolamine (component B) into the quantity of a specific range. Furthermore, it is thought that foamability and safety are maintained well by making each component a specific amount. However, the present disclosure is not limited to this mechanism.
本開示において「フラックス」とは半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスをいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板など）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフローなどにより半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田付けした後のフラックス残渣を洗浄するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。 In this disclosure, “flux” refers to a rosin-based flux containing rosin or a rosin derivative used for soldering. In this disclosure, “soldering” includes reflow-type and flow-type soldering. In the present disclosure, “solder flux” refers to a mixture of solder and flux. When other components (for example, semiconductor chips, chip capacitors, other circuit boards, etc.) are stacked and mounted on the circuit board, a space (gap) is formed between the circuit board and the other parts. The The flux used for mounting can remain in this gap as a flux residue after being soldered by reflow or the like. In the present disclosure, “a cleaning composition for removing solder flux residue” refers to a cleaning composition for cleaning a flux residue after soldering using a flux or a solder flux. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the standpoint of a remarkable effect of cleaning properties and penetration into narrow gaps by the cleaning composition according to the present disclosure.
［成分Ａ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、下記式（Ｉ）で表される１又は１以上の（ポリ）エチレングリコールモノアルキルエーテルである。
Component A in the cleaning composition according to the present disclosure is one or more (poly) ethylene glycol monoalkyl ethers represented by the following formula (I).
上記式（Ｉ）において、Ｒは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性の向上の観点から、炭素数３〜７の炭化水素基であり、好ましくは炭素数３〜６の炭化水素基であることが好ましく、より好ましくは炭素数４〜６の炭化水素基である。Ｒは、一又は複数の実施形態において、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基を含む。平均付加モル数ｎは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、１〜５であり、好ましくは１〜３、より好ましくは２又は３である。炭化水素基は、好ましくはアルキル基、アルケニル基及びアリール基であり、より好ましくはアルキル基である。 In the above formula (I), R is a hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms, preferably a hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. It is preferably a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms. In one or more embodiments, R includes a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. The average added mole number n is 1 to 5, preferably 1 to 3, and more preferably 2 or 3 from the viewpoint of improving the detergency with respect to the flux residue remaining in the gap. The hydrocarbon group is preferably an alkyl group, an alkenyl group, and an aryl group, more preferably an alkyl group.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、少なくともジエチレングリコールモノブチルエーテル（式（Ｉ）において、Ｒがブチル基、ｎ＝２）を含む。なお、本開示において、ブチル基は、特に言及がない場合、ｎ−ブチル基をいう。 Component A in the cleaning composition according to the present disclosure contains at least diethylene glycol monobutyl ether (in formula (I), R is a butyl group, n = 2). In the present disclosure, a butyl group refers to an n-butyl group unless otherwise specified.
ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａとしては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル；ジエチレングリコールモノアリルエーテル等のジエチレングリコールモノアルケニルエーテル；ジエチレングリコールモノベンジルエーテル等のジエチレングリコールモノアリールエーテル；トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルキルエーテル；トリエチレングリコールモノアリルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルケニルエーテル；テトラエチレングリコールモノブチルエーテル等のテトラエチレングリコールモノアルキルエーテル；ペンタエチレングリコールモノブチルエーテル等のペンタエチレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。これらの中でも、同様の観点から、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル；トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテルがより好ましい。また、ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａは、一又は複数の実施形態において、狭い隙間への浸透性向上の観点から、トリエチレングリコールモノブチルエーテルが好ましい。 As component A other than diethylene glycol monobutyl ether, in one or a plurality of embodiments, from the viewpoint of improving detergency with respect to the flux residue remaining in the gap, diethylene glycol monoisopropyl ether such as diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, etc. Alkyl ethers; diethylene glycol monoalkenyl ethers such as diethylene glycol monoallyl ether; diethylene glycol monoaryl ethers such as diethylene glycol monobenzyl ether; triethylene glycol monoaryl ethers such as triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether and triethylene glycol monoisobutyl ether Archi Ethers; tetraethylene glycol monoalkyl ethers such as tetraethylene glycol monobutyl ether; triethylene glycol monoalkenyl ether and triethylene glycol monoallyl ether pentaethylene glycol monoalkyl ether of pentaethylene glycol monobutyl ether and the like are preferable. Among these, from the same viewpoint, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether; triethylene glycol monoisopropyl ether is more preferable. In addition, the component A other than diethylene glycol monobutyl ether is preferably triethylene glycol monobutyl ether in one or a plurality of embodiments from the viewpoint of improving permeability into a narrow gap.
また、本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（引火点１２０℃）以外の成分として、一又は複数の実施形態において、引火点が高く安全性に優れ、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性にも優れるという観点から、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル（引火点１１２℃）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（引火点１４１℃）、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル（引火点１５８℃）、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（引火点１５６℃）、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテルが好ましい。これらの中でも、同様の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテルがより好ましい。 In addition, component A in the cleaning composition according to the present disclosure is a component other than diethylene glycol monobutyl ether (flash point 120 ° C.), and in one or more embodiments, has a high flash point and excellent safety, and remains in the gap. Diethylene glycol monoisobutyl ether (flash point 112 ° C.), diethylene glycol monohexyl ether (flash point 141 ° C.), diethylene glycol monobenzyl ether (flash point 158 ° C.), triethylene glycol monoisopropyl Ether, triethylene glycol monobutyl ether (flash point 156 ° C.), triethylene glycol monoisobutyl ether, and triethylene glycol monoallyl ether are preferable. Among these, from the same viewpoint, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, and triethylene glycol monoisopropyl ether are more preferable.
さらに、本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分として、一又は複数の実施形態において、引火点からの安全性及び隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性に加えて、水溶性に優れ製剤化にも優れるという観点から、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテルが好ましい。これらの中でも、同様の観点から、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノアリルエーテルがより好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテルがさらに好ましい。 Furthermore, in the cleaning composition according to the present disclosure, the component A is a component other than diethylene glycol monobutyl ether, in one or a plurality of embodiments, in addition to safety from the flash point and detergency against the flux residue remaining in the gap. From the viewpoint of excellent water solubility and formulation, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monobenzyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monoisobutyl ether, triethylene glycol monoallyl ether Is preferred. Among these, from the same viewpoint, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monobenzyl ether, triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monoisobutyl ether, triethylene glycol monoallyl ether More preferred are diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, and triethylene glycol monoisopropyl ether.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、８８．０質量％以上であり、好ましくは８８．５質量％以上、より好ましくは８９．０質量％以上、さらに好ましくは８９．４質量％以上である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、９４．４質量％以下であり、好ましくは９３．０質量％以下、より好ましくは９２．０質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であって、好ましくは８８．５質量％以上９３．０質量％以下、より好ましくは８９．０質量％以上９２．０質量％以下、さらに好ましくは８９．４質量％以上９１．０質量％以下である。上述のとおり、成分Ａは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを含むが、ジエチレングリコールモノブチルエーテル単独であってもよく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の上記式（Ｉ）で表される１又は複数種類の化合物からなるものであってもよい。 In one or a plurality of embodiments, the content of Component A in the cleaning composition according to the present disclosure is 88.0% by mass or more, preferably 88%, from the viewpoint of improving detergency with respect to the flux residue remaining in the gap. 0.5% by mass or more, more preferably 89.0% by mass or more, and further preferably 89.4% by mass or more. In one or more embodiments, the content of component A is 94.4% by mass or less, preferably 93.0% by mass or less, more preferably 92.0% by mass or less, from the same viewpoint. More preferably, it is 91.0 mass% or less. In one or more embodiments, the content of Component A is 88.0% by mass or more and 94.4% by mass or less, and preferably 88.5% by mass or more and 93.0% by mass from the same viewpoint. % Or less, more preferably 89.0% by mass or more and 92.0% by mass or less, and further preferably 89.4% by mass or more and 91.0% by mass or less. As described above, component A contains diethylene glycol monobutyl ether, but may be diethylene glycol monobutyl ether alone, and is composed of one or more kinds of compounds represented by the above formula (I) other than diethylene glycol monobutyl ether. May be.
本開示に係る洗浄剤組成物におけるジエチレングリコールモノブチルエーテルの成分Ａ中の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、９０．０質量％以上であり、好ましくは９３．０質量％以上、より好ましくは９４．０質量％以上、さらに好ましくは９６．０質量％以上、よりさらに好ましくは９８．０質量％以上である。また、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの成分Ａ中の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１００．０質量％以下である。 In one or more embodiments, the content of diethylene glycol monobutyl ether in component A in the cleaning composition according to the present disclosure is 90.0% by mass or more from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. Yes, preferably 93.0% by mass or more, more preferably 94.0% by mass or more, further preferably 96.0% by mass or more, and still more preferably 98.0% by mass or more. Moreover, content in the component A of diethylene glycol monobutyl ether is 100.0 mass% or less from the same viewpoint in one or some embodiment.
本開示に係る洗浄剤組成物におけるジエチレングリコールモノブチルエーテルの洗浄剤組成物中の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは８８．０質量％以上、より好ましくは８８．５質量％以上、さらに好ましくは８９．０質量％以上、よりさらに好ましくは８９．４質量％以上である。また、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの洗浄剤組成物中の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９４．４質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９２．０質量％以下、よりさらに好ましくは９１．０質量％以下である。また、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは８８．０質量％以上９４．４質量％以下、より好ましくは８８．５質量％以上９３．０質量％以下、さらに好ましくは８９．０質量％以上９２．０質量％以下、よりさらに好ましくは８９．４質量％以上９１．０質量％以下である。 The content of diethylene glycol monobutyl ether in the cleaning composition according to the present disclosure in the cleaning composition is preferably 88.0 in one or a plurality of embodiments from the viewpoint of improving the cleaning performance with respect to the flux residue remaining in the gap. It is 8 mass% or more, More preferably, it is 88.5 mass% or more, More preferably, it is 89.0 mass% or more, More preferably, it is 89.4 mass% or more. In addition, the content of diethylene glycol monobutyl ether in the cleaning composition is preferably 94.4% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, and still more preferably in one or more embodiments from the same viewpoint. Is 92.0 mass% or less, more preferably 91.0 mass% or less. In one or a plurality of embodiments, the content of diethylene glycol monobutyl ether is preferably 88.0% by mass or more and 94.4% by mass or less, more preferably 88.5% by mass or more and 93.0% from the same viewpoint. It is 8 mass% or less, More preferably, it is 89.0 mass% or more and 92.0 mass% or less, More preferably, it is 89.4 mass% or more and 91.0 mass% or less.
本開示に係る洗浄剤組成物にジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、成分Ａ中のその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上を阻害しない観点から、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下、よりさらに好ましくは４．０質量％以下、よりさらに好ましくは２．０質量％以下である。 When component A other than diethylene glycol monobutyl ether is contained in the cleaning composition according to the present disclosure, the content in component A (the total content in the case of multiple types) is a gap in one or more embodiments. From the viewpoint of not hindering the improvement of the washing performance with respect to the flux residue remaining in the substrate, it is preferably 10% by mass or less, more preferably 7.0% by mass or less, further preferably 6.0% by mass or less, and still more preferably 4.0% by mass. % Or less, more preferably 2.0% by mass or less.
本開示に係る洗浄剤組成物にジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、洗浄剤組成物中のその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上を阻害しない観点から、好ましくは８．０質量％以下、より好ましくは６．０質量％以下、さらに好ましくは５．０質量％以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物にジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、洗浄剤組成物中のその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、好ましくは１．０質量％以上、より好ましくは２．０質量％以上、さらに好ましくは３．０質量％以上である。 When component A other than diethylene glycol monobutyl ether is included in the cleaning composition according to the present disclosure, the content in the cleaning composition (the total content in the case of a plurality of types) is one or more embodiments. From the viewpoint of not hindering the improvement in cleaning properties with respect to the flux residue remaining in the gap, it is preferably 8.0% by mass or less, more preferably 6.0% by mass or less, and further preferably 5.0% by mass or less. In addition, when the cleaning composition according to the present disclosure contains component A other than diethylene glycol monobutyl ether, the content in the cleaning composition (total content in the case of multiple types) is one or more implementations. In a form, Preferably it is 1.0 mass% or more, More preferably, it is 2.0 mass% or more, More preferably, it is 3.0 mass% or more.
［成分Ｂ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂは、下記式（ＩＩ）で表される１又は複数種類のアルカノールアミンである。
Component B in the cleaning composition according to the present disclosure is one or more types of alkanolamines represented by the following formula (II).
成分Ｂのアルカノールアミンとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、並びに、これらのアルキル化物及びアミノアルキル化物が挙げられ、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノエチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンが好ましく、ジエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンがより好ましく、モノエチルモノエタノールアミン及びモノメチルジエタノールアミンがより好ましい。 Examples of the alkanolamine of component B include, in one or more embodiments, monoethanolamine, diethanolamine, and alkylated products and aminoalkylated products thereof. From the viewpoint of improving the cleaning property against the flux residue remaining in the gap, Monoethanolamine, diethanolamine, monomethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monoethyldiethanolamine and monoaminoethylisopropanolamine are preferred, diethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine and monoamino More preferred are ethyl isopropanolamine, monoethyl monoethanolamine and monomethyldiethanol Triethanolamine is more preferable.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、０．３質量％以上であり、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である。また、成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、５．０質量％以下であり、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．５質量％以下である。また、成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．３質量％以上５．０質量％以下であって、好ましくは０．５質量％以上４．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上４．０質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上３．５質量％以下である。上述のとおり、成分Ｂは、上記式（ＩＩ）で表される単独の化合物であってもよく、上記式（ＩＩ）で表される複数種類の化合物からなるものであってもよい。 In one or a plurality of embodiments, the content of Component B in the cleaning composition according to the present disclosure is 0.3% by mass or more, preferably 0, from the viewpoint of improving the cleaning property with respect to the flux residue remaining in the gap. 0.5% by mass or more, more preferably 1.0% by mass or more, and further preferably 1.5% by mass or more. In one or more embodiments, the content of component B is 5.0% by mass or less, preferably 4.5% by mass or less, more preferably 4.0% by mass or less, from the same viewpoint. More preferably, it is 3.5 mass% or less. In addition, in one or a plurality of embodiments, the content of Component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less, and preferably 0.5% by mass or more and 4.5% by mass from the same viewpoint. % Or less, more preferably 1.0% by mass or more and 4.0% by mass or less, and further preferably 1.5% by mass or more and 3.5% by mass or less. As described above, the component B may be a single compound represented by the above formula (II) or may be composed of a plurality of types of compounds represented by the above formula (II).
［成分Ｃ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃは、１又は複数種類の、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩からなる。アルキルベンゼンスルホン酸中に複数のアルキル基を有してもよく、その場合は、複数のアルキル基の炭素数の合計で炭素数１〜６である。成分Ｃのアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩におけるアルキル基の炭素数は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、１〜６であって、１〜４が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１がさらにより好ましい。炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸の塩としては、洗浄剤組成物として許容される点から、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩が好ましく、半導体品質の安定性の観点から金属イオンが残留しない、アンモニウム塩、有機アミン塩がさらに好ましい。なお、有機アミン塩が成分Ｂによる塩であってもよい。
[Component C]
Component C in the cleaning composition according to the present disclosure is composed of one or a plurality of types of alkylbenzenesulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and / or a salt thereof. The alkylbenzene sulfonic acid may have a plurality of alkyl groups. In that case, the total number of carbon atoms of the plurality of alkyl groups is 1 to 6 carbon atoms. In one or a plurality of embodiments, the number of carbon atoms of the alkyl group in the alkylbenzene sulfonic acid and / or salt thereof of Component C is 1 to 6, from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. -4 are preferable, 1-3 are more preferable, 1 or 2 is more preferable, and 1 is still more preferable. As the salt of alkylbenzene sulfonic acid having an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, alkali metal salts such as sodium and potassium, ammonium salts, and organic amine salts are preferable from the viewpoint of being acceptable as a detergent composition. From the viewpoint of stability, ammonium salts and organic amine salts in which metal ions do not remain are more preferable. The organic amine salt may be a salt of component B.
成分Ｃに含まれるアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩としては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、プロピルベンゼンスルホン酸、イソプロピルベンゼンスルホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、ペンチルベンゼンスルホン酸、ヘキシルベンゼンスルホン酸、２，４−ジメチルベンゼンスルホン酸、ジプロピルベンゼンスルホン酸、及び／又はこれらの塩が挙げられ、これらはオルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよい。成分Ｃは、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、ｐ−トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、及び／又はこれらの塩がより好ましく、ｐ−トルエンスルホン酸がさらに好ましい。 In one or a plurality of embodiments, the alkylbenzene sulfonic acid and / or salt thereof contained in Component C is toluene sulfonic acid, xylene sulfonic acid, ethyl benzene sulfonic acid from the viewpoint of improving the detergency against the flux residue remaining in the gap. Propylbenzenesulfonic acid, isopropylbenzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, pentylbenzenesulfonic acid, hexylbenzenesulfonic acid, 2,4-dimethylbenzenesulfonic acid, dipropylbenzenesulfonic acid, and / or salts thereof. These may be in the ortho, meta, or para positions. In one or a plurality of embodiments, Component C is more preferably p-toluenesulfonic acid, xylenesulfonic acid, ethylbenzenesulfonic acid, butylbenzenesulfonic acid, and / or a salt thereof. Acid is more preferred.
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは０．４質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上であり、そして、洗浄剤組成物の隙間への浸透性を向上させる観点から、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．０質量％以下である。上述のとおり、成分Ｃは、単独の化合物であってもよく、複数種類の化合物からなるものであってもよい。成分Ｃが塩の場合の成分Ｃの含有量は、酸型に換算して含有量を計算する。 In one or a plurality of embodiments, the content of component C in the cleaning composition according to the present disclosure is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less, and improves the cleaning power for the flux residue remaining in the gap. From the viewpoint of improving, it is preferably 0.4% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and from the viewpoint of improving the permeability of the cleaning composition into the gap, preferably 4.5% by mass. Hereinafter, it is more preferably 4.0% by mass or less, and still more preferably 3.0% by mass or less. As described above, the component C may be a single compound or a plurality of types of compounds. When the component C is a salt, the content of the component C is calculated in terms of acid type.
［成分Ｄ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄは、水である。水は、蒸留水、イオン交換水、又は超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、引火性を低減する観点から、好ましくは５．０質量％以上、より好ましくは５．５質量％以上、さらに好ましくは６．５質量％以上である。また、成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは１０．０質量％以下、より好ましくは９．０質量％以下、さらに好ましくは８．０質量％以下である。成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点及び引火性を低減する観点から、好ましくは５．０質量％以上１０．０質量％以下、より好ましくは５．５質量％以上９．０質量％以下、さらに好ましくは６．５質量％以上８．０質量％以下である。
[Component D]
Component D in the cleaning composition according to the present disclosure is water. As the water, distilled water, ion-exchanged water, ultrapure water, or the like can be used. In one or more embodiments, the content of Component D in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 5.0% by mass or more, more preferably 5.5% by mass or more, from the viewpoint of reducing flammability. More preferably, it is 6.5% by mass or more. In addition, in one or a plurality of embodiments, the content of the component D is preferably 10.0% by mass or less, more preferably 9.0% by mass or less, from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. More preferably, it is 8.0 mass% or less. In one or a plurality of embodiments, the content of component D is preferably 5.0% by mass or more and 10.0% by mass from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap and reducing flammability. In the following, it is more preferably 5.5% by mass or more and 9.0% by mass or less, and further preferably 6.5% by mass or more and 8.0% by mass or less.
成分Ａと成分Ｄの質量比〔Ａ／Ｄ〕は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上である。成分Ａと成分Ｄの質量比〔Ａ／Ｄ〕は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点及び引火点を下げて安全性を向上する観点から、好ましくは１９．０以下、より好ましくは１７．０以下、さらに好ましくは１４．０以下である。 In one or a plurality of embodiments, the mass ratio [A / D] of component A and component D is preferably 10.0 or more, more preferably 11.0, from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. As mentioned above, More preferably, it is 12.0 or more. In one or a plurality of embodiments, the mass ratio [A / D] of component A and component D is preferably from the viewpoint of improving the detergency for the flux residue remaining in the gap and improving the safety by lowering the flash point. Is 19.0 or less, more preferably 17.0 or less, and still more preferably 14.0 or less.
本開示に係る洗浄剤組成物において成分Ａ、Ｂ及びＣの質量比（成分Ａ／成分Ｂ／成分Ｃ）は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物の取り扱い性及び隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力の向上の点から、好ましくは８９．７〜９９．４／０．３〜５．４／０．３〜５．４、より好ましくは９１．０〜９８．６／１．０〜５．０／０．４〜４．０、さらに好ましくは９４．０〜９８．０／１．５〜４．０／０．５〜２．０である。ただし、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃの合計は１００．０である。 In one or more embodiments, the mass ratio of components A, B, and C (component A / component B / component C) in the cleaning composition according to the present disclosure remains in the handleability and gaps of the cleaning composition. From the point of the improvement of the detergency with respect to a flux residue, Preferably it is 89.7-99.4 / 0.3-5.4 / 0.3-5.4, More preferably, 91.0-98.6 / 1. It is 0-5.0 / 0.4-4.0, More preferably, it is 94.0-98.0 / 1.5-4.0 / 0.5-2.0. However, the sum of component A, component B, and component C is 100.0.
［洗浄剤組成物のその他の成分］
本開示に係る洗浄剤組成物において成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの総含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、９８．０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは９９．０質量％以上１００質量％以下、さらに好ましくは９９．５質量％以上１００質量％以下、さらにより好ましくは９９．７質量％以上１００質量％以下である。したがって、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、好ましくは０質量％以上２．０質量％以下、より好ましくは０質量％以上１．０質量％以下、さらに好ましくは０質量％以上０．３質量％以下、さらにより好ましくは０質量％以上０．１質量％以下の範囲で、その他の成分を含んでもよい。
[Other components of cleaning composition]
In the cleaning composition according to the present disclosure, the total content of components A, B, C, and D is 98.0 masses in one or a plurality of embodiments from the viewpoint of improving the cleaning power against the flux residue remaining in the gap. % To 100% by mass, more preferably 99.0% to 100% by mass, still more preferably 99.5% to 100% by mass, and even more preferably 99.7% by mass or more. 100% by mass or less. Therefore, in one or a plurality of embodiments, the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 0% by mass or more and 2.0% by mass or less, more preferably 0% by mass or more and 1.0% by mass or less, and still more preferably. Other components may be included in the range of 0% by mass to 0.3% by mass, and more preferably 0% by mass to 0.1% by mass.
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、一又は複数の実施形態において、すすぎ性向上の観点から、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤が挙げられる。ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤としては、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩＩ）で表されるものが挙げられる。
上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ4は、すすぎ性向上の点から、好ましくは炭素数１０〜１４の炭化水素基であり、ｎ＋ｍは、同様の観点から、好ましくは３以上６以下である。 In the above formula (III), R 4 is preferably a hydrocarbon group having 10 to 14 carbon atoms from the viewpoint of improving rinsing properties, and n + m is preferably 3 or more and 6 or less from the same viewpoint.
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、発泡性の抑制の観点から、炭素数１０〜１８の不飽和結合を有する又は有さない炭化水素が挙げられる。炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、ドデセン、テトラデセンが挙げられる。 As another component in the cleaning composition according to the present disclosure, in one or a plurality of other embodiments, from the viewpoint of suppressing foaming, a hydrocarbon having or not having an unsaturated bond having 10 to 18 carbon atoms Is mentioned. Examples of the hydrocarbon in one or more embodiments include dodecene and tetradecene from the same viewpoint.
本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＶ）で表される非イオン界面活性剤が挙げられる。
さらなるその他の成分として、本開示に係る洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、シリコーン系消泡剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等を適宜併用することができる。 As yet another component, the cleaning composition according to the present disclosure is used in a normal cleaning agent as needed, as long as the effects of the present disclosure are not impaired, hydroxyethylaminoacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, ethylenediamine. Compounds having chelating power such as aminocarboxylates such as tetraacetic acid, preservatives, rust preventives, bactericides, antibacterial agents, silicone antifoaming agents, antioxidants, esters or alcohols such as palm fatty acid methyl and benzyl acetate Etc. can be used together as appropriate.
［洗浄剤組成物の調製方法］
本開示における洗浄剤組成物の調製方法は、何ら制限されず、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを混合することによって調製できる。
[Method for preparing cleaning composition]
The preparation method of the cleaning composition in this indication is not restrict | limited at all, It can prepare by mixing the component A, the component B, the component C, and the component D.
［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示に係る洗浄剤組成物のｐＨは、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、ｐＨ８以上ｐＨ１４以下が好ましい。ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の成分Ｃ以外の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分Ｂ以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
[PH of cleaning composition]
In one or a plurality of embodiments, the pH of the cleaning composition according to the present disclosure is preferably pH 8 or more and pH 14 or less from the viewpoint of improving the cleaning power against the flux residue remaining in the gap. If necessary, the pH is adjusted with inorganic acids such as nitric acid and sulfuric acid, organic acids other than component C such as oxycarboxylic acid, polyvalent carboxylic acid, aminopolycarboxylic acid and amino acid, and metal salts and ammonium salts thereof, ammonia and water. It can adjust by mix | blending basic substances other than component B, such as sodium oxide, potassium hydroxide, an amine, in a desired quantity suitably.
［フラックス残渣の洗浄方法］
本開示は、その他の態様において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する（以下、本開示に係る洗浄方法ともいう）。本開示に係る洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法や、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）などが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波としては、一又は複数の実施形態において、２６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗが好ましく、３６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗがより好ましい。
[Flux residue cleaning method]
In another aspect, the present disclosure relates to a solder flux residue cleaning method (hereinafter referred to as a cleaning method according to the present disclosure), including bringing a cleaning target having reflowed solder into contact with the cleaning composition according to the present disclosure. Also called). In one or a plurality of embodiments, a cleaning method according to the present disclosure includes a step of cleaning an object to be cleaned having reflowed solder with the cleaning composition according to the present disclosure. In one or a plurality of embodiments, an ultrasonic cleaning apparatus is used as a method of bringing the cleaning composition according to the present disclosure into contact with an object to be cleaned or a method of cleaning the object with the cleaning composition according to the present disclosure. The method of making it contact in the bathtub of this, the method of injecting a cleaning composition in a spray form and making it contact (shower system), etc. are mentioned. The cleaning composition according to the present disclosure can be used for cleaning as it is without being diluted. It is preferable that the cleaning method of the present disclosure includes a step of bringing an object to be cleaned into contact with the cleaning composition, rinsing with water, and drying. With the cleaning method of the present disclosure, it is possible to efficiently clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered parts. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the standpoint of a significant effect of cleaning performance and penetration into a narrow gap by the cleaning method of the present disclosure. In one or a plurality of embodiments, the cleaning method of the present disclosure is superfluous when the cleaning composition according to the present disclosure and the object to be cleaned are in contact with each other because the cleaning power of the cleaning composition according to the present disclosure is easily exhibited. It is preferable to irradiate a sound wave, and it is more preferable that the ultrasonic wave is relatively strong. As said ultrasonic wave, in one or some embodiment, 26-72Hz and 80-1500W are preferable, and 36-72Hz and 80-1500W are more preferable.
［被洗浄物］
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、電子部品の洗浄に使用される。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられ、その他の一又は複数の実施形態において、部品が半田付けされた電子部品の製造中間物が挙げられ、或いは、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む製造中間物が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、回路基板上にフラックスを使用した半田付けにより半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板などが搭載された物を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板など）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５〜５００μｍ、１０〜２５０μｍ、或いは２０〜１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。
[To be cleaned]
In one or a plurality of embodiments, the cleaning composition according to the present disclosure is used for cleaning electronic components. The object to be cleaned includes an object to be cleaned having reflowed solder in one or a plurality of embodiments, and in one or a plurality of embodiments, an intermediate for manufacturing an electronic component to which a component is soldered is used. Or a production intermediate containing a flux residue in the gap between the soldered parts. The manufacturing intermediate is an intermediate product in a manufacturing process of an electronic component including a semiconductor package or a semiconductor device, and for example, a semiconductor chip, a chip-type capacitor, a circuit board, etc. by soldering using a flux on a circuit board Including those equipped with. The gap in the object to be cleaned is, for example, a space formed between a circuit board and a component (semiconductor chip, chip capacitor, circuit board, etc.) soldered and mounted on the circuit board. The height (distance between components) refers to a space of, for example, 5 to 500 μm, 10 to 250 μm, or 20 to 100 μm. The width and depth of the gap depend on the size and interval of the components to be mounted and the electrodes (lands) on the circuit board.
［電子部品の製造方法］
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、及び、本開示の洗浄方法により前記搭載物を洗浄する工程を含む。フラックスを使用した半田付けは、一又は複数の実施形態において、鉛フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。また、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
[Method of manufacturing electronic parts]
A method of manufacturing an electronic component according to the present disclosure includes a step of mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux, and A step of cleaning the mounted object by the cleaning method of the present disclosure; In one or a plurality of embodiments, the soldering using the flux is performed with lead-free solder, and may be a reflow method or a flow method. The electronic component includes a semiconductor package in which no semiconductor chip is mounted, a semiconductor package in which a semiconductor chip is mounted, and a semiconductor device. In the electronic component manufacturing method of the present disclosure, by performing the cleaning method of the present disclosure, the flux residue remaining in the gap between the soldered components is reduced, and a short circuit between the electrodes due to the residual flux residue is achieved. In addition, it is possible to manufacture highly reliable electronic components because adhesion failure is suppressed. Further, by performing the cleaning method of the present disclosure, it becomes easy to clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered components, so that the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of electronic components can be improved.
本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。 The present disclosure further relates to one or more of the following embodiments.
＜１＞ 下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ａ）、下記式（ＩＩ）で表される化合物（成分Ｂ）、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、
成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
The content of Component A is 88.0% by mass or more and 94.4% by mass or less,
In Component A, the content of diethylene glycol monobutyl ether is 90.0% by mass or more and 100.0% by mass or less,
The content of component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less,
The content of component C is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less.
A cleaning composition for removing solder flux residue.
＜２＞ 成分Ａの含有量が、好ましくは８８．０質量％以上、より好ましくは８８．５質量％以上、さらに好ましくは８９．０質量％以上、さらにより好ましくは８９．４質量％以上である、＜１＞記載の洗浄剤組成物。
＜３＞ 成分Ａの含有量が、好ましくは９４．４質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９２．０質量％以下、さらにより好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞ 成分Ａの含有量が、好ましくは８８．５質量％以上９３．０質量％以下、より好ましくは８９．０質量％以上９２．０質量％以下、さらに好ましくは８９．４質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞ 成分Ａの１つであるジエチレングリコールモノブチルエーテルの成分Ａ中の含有量が、好ましくは９３．０質量％以上、より好ましくは９４．０質量％以上、さらに好ましくは９６．０質量％以上、よりさらに好ましくは９８．０質量％以上であり、そして１００．０質量％以下である。＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞ 成分Ａの１つであるジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、好ましくは８８．０質量％以上、より好ましくは８８．５質量％以上、さらに好ましくは８９．０質量％以上、よりさらに好ましくは８９．４質量％以上である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞ 成分Ａの１つであるジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、好ましくは９４．４質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９２．０質量％以下、よりさらに好ましくは９１．０質量％以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞ 成分Ａの１つであるジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、好ましくは８８．０質量％以上９４．４質量％以下、より好ましくは８８．５質量％以上９３．０質量％以下、さらに好ましくは８９．０質量％以上９２．０質量％以下、よりさらに好ましくは８９．４質量％以上９１．０質量％以下である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞ ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、成分Ａ中のその含有量が、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下、よりさらに好ましくは４．０質量％以下、よりさらに好ましくは２．０質量％以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞ ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、その含有量が、好ましくは８．０質量％以下、より好ましくは６．０質量％以下、さらに好ましくは５．０質量％以下である、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞ジエチレングリコールモノブチルエーテル以外の成分Ａが含まれる場合、その含有量が、好ましくは１．０質量％以上、より好ましくは２．０質量％以上、さらに好ましくは３．０質量％以上である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞ 式（Ｉ）において、Ｒが、好ましくは炭素数３〜６の炭化水素基、より好ましくは炭素数４〜６の炭化水素基である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞ 式（Ｉ）において、平均付加モル数ｎが、好ましくは１〜３、より好ましくは２又は３である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞ 成分Ｂの含有量が、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１．０質量％以上、さらにより好ましくは１．５質量％以上である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１５＞ 成分Ｂの含有量が、好ましくは５．０質量％以下、より好ましくは４．５質量％以下、さらに好ましくは４．０質量％以下、さらにより好ましくは３．５質量％以下である、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞ 成分Ｂの含有量が、好ましくは０．５質量％以上４．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上４．０質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上３．５質量％以下である、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞ 成分Ｃの含有量が、好ましくは０．４質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上である、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞ 成分Ｃの含有量が、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．０質量％以下である、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞ 成分Ｄの含有量が、好ましくは５．０質量％以上、より好ましくは５．５質量％以上、さらに好ましくは６．５質量％以上である、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞ 成分Ｄの含有量が、好ましくは１０．０質量％以下、より好ましくは９．０質量％以下、さらに好ましくは８．０質量％以下である、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞ 成分Ｄの含有量が、好ましくは５．０質量％以上１０．０質量％以下、より好ましくは５．５質量％以上９．０質量％以下、さらに好ましくは６．５質量％以上８．０質量％以下である、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞ 成分Ａと成分Ｄの質量比〔成分Ａ／成分Ｄ〕が、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上である、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞ 成分Ａと成分Ｄの質量比〔成分Ａ／成分Ｄ〕が、好ましくは１９．０以下、より好ましくは１７．０以下、さらに好ましくは１４．０以下である、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞ 成分Ａ、Ｂ及びＣの質量比（成分Ａ／成分Ｂ／成分Ｃ）が、好ましくは８９．７〜９９．４／０．３〜５．４／０．３〜５．４、より好ましくは９１．０〜９８．６／１．０〜５．０／０．４〜４．０、さらに好ましくは９４．０〜９８．０／１．５〜４．０／０．５〜２．０であり、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃの合計が１００．０である、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞ さらに、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤を含む、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２６＞ 半田が、鉛（Ｐｂ）フリー半田である、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２７＞ リフローされた半田を有する被洗浄物を＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
＜２８＞ 被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、＜２７＞記載の洗浄方法。
＜２９＞ 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を＜２７＞又は＜２８＞記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
＜３０＞ ＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。
<2> The content of component A is preferably 88.0% by mass or more, more preferably 88.5% by mass or more, further preferably 89.0% by mass or more, and even more preferably 89.4% by mass or more. The cleaning composition according to <1>.
<3> The content of component A is preferably 94.4% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, still more preferably 92.0% by mass or less, and even more preferably 91.0% by mass or less. The cleaning composition according to <1> or <2>.
<4> The content of Component A is preferably 88.5% by mass or more and 93.0% by mass or less, more preferably 89.0% by mass or more and 92.0% by mass or less, and further preferably 89.4% by mass or more. The cleaning composition according to any one of <1> to <3>, which is 91.0% by mass or less.
<5> The content in component A of diethylene glycol monobutyl ether which is one of component A is preferably 93.0% by mass or more, more preferably 94.0% by mass or more, and further preferably 96.0% by mass or more. More preferably, it is 98.0% by mass or more and 100.0% by mass or less. The cleaning composition according to any one of <1> to <4>.
<6> The content of diethylene glycol monobutyl ether which is one of component A is preferably 88.0% by mass or more, more preferably 88.5% by mass or more, further preferably 89.0% by mass or more, and still more preferably. Is a cleaning composition according to any one of <1> to <5>, which is 89.4% by mass or more.
<7> The content of diethylene glycol monobutyl ether which is one of component A is preferably 94.4% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, further preferably 92.0% by mass or less, and still more preferably Is 91.0 mass% or less, The cleaning composition in any one of <1> to <6>.
<8> The content of diethylene glycol monobutyl ether which is one of component A is preferably 88.0% by mass to 94.4% by mass, more preferably 88.5% by mass to 93.0% by mass, The cleaning composition according to any one of <1> to <7>, preferably 89.0% by mass or more and 92.0% by mass or less, and more preferably 89.4% by mass or more and 91.0% by mass or less. object.
<9> When component A other than diethylene glycol monobutyl ether is contained, its content in component A is preferably 10% by mass or less, more preferably 7.0% by mass or less, and even more preferably 6.0% by mass or less. The cleaning composition according to any one of <1> to <8>, more preferably 4.0% by mass or less, and still more preferably 2.0% by mass or less.
<10> When component A other than diethylene glycol monobutyl ether is included, the content thereof is preferably 8.0% by mass or less, more preferably 6.0% by mass or less, and further preferably 5.0% by mass or less. <1> to <9>.
When component A other than <11> diethylene glycol monobutyl ether is included, the content thereof is preferably 1.0% by mass or more, more preferably 2.0% by mass or more, and further preferably 3.0% by mass or more. <1> to <10> The cleaning composition in any one of <10>.
<12> In the formula (I), R is preferably a hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, more preferably a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms, and any one of <1> to <11> The cleaning composition as described.
<13> The cleaning composition according to any one of <1> to <12>, wherein in formula (I), the average added mole number n is preferably 1 to 3, more preferably 2 or 3.
<14> The content of component B is preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1.0% by mass or more, and even more preferably 1.5% by mass or more. The cleaning composition according to any one of <1> to <13>.
<15> The content of component B is preferably 5.0% by mass or less, more preferably 4.5% by mass or less, still more preferably 4.0% by mass or less, and even more preferably 3.5% by mass or less. The cleaning composition according to any one of <1> to <14>.
<16> The content of component B is preferably 0.5% by mass or more and 4.5% by mass or less, more preferably 1.0% by mass or more and 4.0% by mass or less, and further preferably 1.5% by mass or more. The cleaning composition according to any one of <1> to <15>, which is 3.5% by mass or less.
<17> The cleaning composition according to any one of <1> to <16>, wherein the content of component C is preferably 0.4% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more.
<18> The content of component C is preferably 4.5% by mass or less, more preferably 4.0% by mass or less, and even more preferably 3.0% by mass or less, any one of <1> to <17> A cleaning composition according to claim 1.
<19> Any of <1> to <18>, wherein the content of component D is preferably 5.0% by mass or more, more preferably 5.5% by mass or more, and still more preferably 6.5% by mass or more. A cleaning composition according to claim 1.
<20> The content of component D is preferably 10.0% by mass or less, more preferably 9.0% by mass or less, and still more preferably 8.0% by mass or less, and any one of <1> to <19> A cleaning composition according to claim 1.
<21> The content of the component D is preferably 5.0% by mass or more and 10.0% by mass or less, more preferably 5.5% by mass or more and 9.0% by mass or less, and further preferably 6.5% by mass or more. The cleaning composition according to any one of <1> to <20>, which is 8.0% by mass or less.
<22> The mass ratio of component A to component D [component A / component D] is preferably 10.0 or more, more preferably 11.0 or more, and even more preferably 12.0 or more, from <1> to <21> The cleaning composition in any one of.
<23> The mass ratio [component A / component D] of component A and component D is preferably 19.0 or less, more preferably 17.0 or less, and even more preferably 14.0 or less, from <1> to <1. 22> The cleaning composition according to any one of the above.
<24> The mass ratio of components A, B and C (component A / component B / component C) is preferably 89.7 to 99.4 / 0.3 to 5.4 / 0.3 to 5.4, More preferably 91.0-98.6 / 1.0-5.0 / 0.4-4.0, and still more preferably 94.0-98.0 / 1.5-4.0 / 0.5- The cleaning composition according to any one of <1> to <22>, which is 2.0 and the sum of Component A, Component B, and Component C is 100.0.
<25> The cleaning composition according to any one of <1> to <23>, further comprising a polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant.
<26> The cleaning composition according to any one of <1> to <25>, wherein the solder is lead (Pb) -free solder.
<27> A method for cleaning a solder flux residue, comprising a step of cleaning an object having reflowed solder with the cleaning composition according to any one of <1> to <26>.
<28> The cleaning method according to <27>, wherein the object to be cleaned is a manufacturing intermediate of an electronic component in which the component is soldered with solder.
<29> A step of mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux; Or the manufacturing method of an electronic component including the process wash | cleaned with the washing | cleaning method of the flux residue as described in <28>.
<30> Use of the cleaning composition according to any one of <1> to <26> for cleaning electronic parts.
１．洗浄剤組成物の調製（実施例１〜１３、比較例１〜１６）
下記表１に示す成分Ａ〜Ｄ、及び必要に応じてその他の成分（表１）を混合し、実施例１〜１３、比較例１〜１６の洗浄剤組成物を調製した。下記表１の成分Ａ〜Ｄ及びその他の成分の数値は、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。
1. Preparation of cleaning composition (Examples 1-13, Comparative Examples 1-16)
Components A to D shown in Table 1 below and other components (Table 1) as necessary were mixed to prepare cleaning compositions of Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 16. The numerical values of components A to D and other components in Table 1 below indicate the content (% by mass) in the prepared cleaning composition.
その他の成分として表１において「＊１」「＊２」及び「＊３」で示されるのは、下記の化合物である。
成分＊１：下記式（ＩＩＩ）で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤。そのなかでも、Ｒ4が炭素数１２の炭化水素基であり、ｎ＋ｍが４のものを使用した。
Component * 1: Polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant represented by the following formula (III). Among them, R 4 is a hydrocarbon group having 12 carbon atoms and n + m is 4.
成分＊２：下記式（ＩＶ）で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤。そのなかでも、Ｒ5が炭素数１２又は１４の炭化水素基であり、ｐ＝５、ｑ＝２、ｒ＝５のものを使用した。
成分＊３：上記式（ＩＶ）で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤。そのなかでも、Ｒ5が炭素数１２の第２級炭化水素基であり、ｐ＝７、ｑ＝ｒ＝０のものを使用した。 Component * 3: A polyoxyethyleneoxypropylene alkyl ether type nonionic surfactant represented by the above formula (IV). Among them, R 5 is a secondary hydrocarbon group having 12 carbon atoms, and p = 7 and q = r = 0.
２．洗浄剤組成物の評価
調製した実施例１〜１３及び比較例１〜１６の洗浄剤組成物を用いてテスト基板の洗浄性（洗浄性１及２）、ガラス毛細管試験、すすぎ性、腐食性、発泡性、並びに安全性について試験を行い、評価した。その結果を表１に示す。
2. Evaluation of cleaning composition Using the prepared cleaning compositions of Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 16, the test substrate was cleaned (cleanability 1 and 2), glass capillary test, rinse, corrosive, Tests were conducted and evaluated for foamability and safety. The results are shown in Table 1.
［洗浄性試験（洗浄性１）］
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
〔テスト基板〕
チップコンデンサ（０８１６）を１０個搭載したテスト基板（５０ｍｍ×５０ｍｍ、チップコンデンサと基板の隙間は約５０μｍ）を用いた。ソルダーペーストには鉛フリーのエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）、リフロー炉にはエコリフローＳＮＲ８２５（千住金属工業（株）製）を用い、リフローピーク温度２４０℃、半田溶融時間４５秒、窒素雰囲気下（酸素濃度１００ｐｐｍ）で半田接続した。
〔洗浄方法〕
洗浄はスプレー洗浄を行った。テスト基板のチップコンデンサを半田付けした面を上に向け、扇形ノズルＶＶＰ９０６０（いけうち製）、圧力０．３ＭＰａ（流量６Ｌ／分）で上から下へ（距離５ｃｍ）スプレーし、テスト基板を左右に０．５ｍ／分で移動させ、２分間洗浄を行った。洗浄後、プレリンス及び仕上げリンスを各１回次の条件で行った。水平に対向する距離２７ｃｍの充円錐ノズルＪ０５０（いけうち製）、圧力０．３ＭＰａ（流量０．６Ｌ／分）でノズル間の中間に２分間テスト基板を固定する。仕上げリンス後にテスト基板を送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥した。なお、使用する各洗浄剤組成物及びリンス用イオン交換水は６０℃に加温した。
〔洗浄性の評価〕
乾燥後のテスト基板からチップコンデンサを剥離し、光学顕微鏡にてフラックス残渣の残存有無を確認した。評価基準は以下の通り。その結果を表１の「洗浄性１」の欄に示す。
Ａ：１０個中残渣あるものゼロ
Ｂ：１０個中残渣あるもの１個
Ｃ：１０個中残渣あるもの２個以上
[Cleanability test (cleanability 1)]
A detergency test was performed to clean the test substrate under the following conditions.
[Test board]
A test substrate (50 mm × 50 mm, the gap between the chip capacitor and the substrate was about 50 μm) on which ten chip capacitors (0816) were mounted was used. Lead-free eco solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is used for the solder paste, and Eco Reflow SNR825 (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is used for the reflow furnace. Reflow peak temperature is 240 ° C., solder melting time Solder connection was performed in a nitrogen atmosphere (oxygen concentration: 100 ppm) for 45 seconds.
[Cleaning method]
Cleaning was performed by spray cleaning. The test board with the chip capacitor soldered side facing up, sprayed from top to bottom (distance 5 cm) with fan-shaped nozzle VVP 9060 (manufactured by Ikeuchi) at a pressure of 0.3 MPa (flow rate 6 L / min). It was moved at 0.5 m / min and washed for 2 minutes. After washing, pre-rinsing and finishing rinsing were performed once under the following conditions. The test substrate is fixed for 2 minutes in the middle between the nozzles with a horizontally conical nozzle J050 (manufactured by Ikeuchi) at a distance of 27 cm and a pressure of 0.3 MPa (flow rate 0.6 L / min). After the final rinse, the test substrate was dried with an air dryer (85 ° C., 15 minutes). In addition, each detergent composition to be used and ion-exchange water for rinses were heated at 60 degreeC.
[Evaluation of cleanability]
The chip capacitor was peeled from the dried test substrate, and the presence or absence of residual flux residue was confirmed with an optical microscope. The evaluation criteria are as follows. The results are shown in the column “Detergency 1” in Table 1.
A: There is a residue in 10 pieces Zero B: 1 piece with 10 pieces of residue C: Two pieces or more with 10 pieces of residue
［洗浄性試験（洗浄性２）］
上記洗浄性試験（洗浄性１）と同様の方法で、洗浄時間を１分間に短くして評価した。その結果を表１の「洗浄性２」の欄に示す。
[Cleanability test (cleanability 2)]
Evaluation was performed by shortening the cleaning time to 1 minute by the same method as in the above-described cleaning property test (cleaning property 1). The results are shown in the column “Detergency 2” in Table 1.
［ガラス毛細管試験］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。ＤＲＵＭＭＯＮＤ製ガラスキャップ（ガラス毛細管）（長さ３２ｍｍ、内径１４０μm）に上記方法にて作成したフラックス残渣を充填し一方の開口部を封止して試験片を作成した。１００ｍＬビーカーに各洗浄剤組成物及びすすぎ用イオン交換水を各１００ｇ加え６０℃に加温する。試験片を各洗浄剤組成物に浸漬し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後、すすぎ用イオン交換水に移し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後取り出した。取り出した試験片を光学顕微鏡にて観察し、開口部から溶解したフラックス残渣の距離を測定し、５点の平均値を算出した。フラックス残渣が溶解した距離が長いほど溶解速度が速く洗浄性が良いと評価できる。その結果を表１に示す。
[Glass capillary test]
Under a nitrogen atmosphere, Eco Solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is heated on a copper plate at 250 ° C. for 30 minutes to separate and collect a liquid flux residue. A DRUMOND glass cap (glass capillary tube) (length: 32 mm, inner diameter: 140 μm) was filled with the flux residue prepared by the above method, and one of the openings was sealed to prepare a test piece. Add 100 g of each cleaning composition and ion exchange water for rinsing to a 100 mL beaker and heat to 60 ° C. The test piece was immersed in each cleaning composition, irradiated with ultrasonic waves (40 kHz, 200 W) for 5 minutes, then transferred to ion-exchange water for rinsing, and extracted after being irradiated with ultrasonic waves (40 kHz, 200 W) for 5 minutes. The taken-out test piece was observed with the optical microscope, the distance of the flux residue melt | dissolved from the opening part was measured, and the average value of 5 points | pieces was computed. It can be evaluated that the longer the distance at which the flux residue is dissolved, the faster the dissolution rate and the better the detergency. The results are shown in Table 1.
［すすぎ性］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。このフラックス残渣を各洗浄剤組成物と混合し１質量％の混合液を作成した。角カバーグラス（１８ｍｍ×１８ｍｍ、松浪硝子工業（株）製）に上記方法にて作成した混合液を約０．１ｇ滴下し、その上にもう一枚の角カバーグラスを重ね、クリップ（口幅１９ｍｍ、コクヨ（株）製）で一辺を挟み固定し試験片を作成した。１００ｍＬビーカーにすすぎ用イオン交換水を１００ｇ加え６０℃に加温する。試験片をピンセットで保持してすすぎ用イオン交換水に上下に１０回揺動しながら１分間浸漬し、取り出す。取り出した試験片を真空乾燥機（１２０℃、１５分）で乾燥した。試験片を観察し、角カバーグラス間に残存物がなくなるまでのすすぎ回数を数えた。すすぎ回数が少ないほどすすぎ性が良いと評価できる。その結果を表１に示す。なお、５回ですすげないものは「＞５」とした。
[Rinse]
Under a nitrogen atmosphere, Eco Solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is heated on a copper plate at 250 ° C. for 30 minutes to separate and collect a liquid flux residue. This flux residue was mixed with each cleaning composition to prepare a 1% by mass mixed solution. About 0.1 g of the mixed liquid prepared by the above method is dropped on a square cover glass (18 mm × 18 mm, manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd.), and another square cover glass is overlaid thereon, and a clip (mouth width) A test piece was prepared by sandwiching and fixing one side with 19 mm, manufactured by KOKUYO. Add 100 g of rinsing ion exchange water to a 100 mL beaker and heat to 60 ° C. The test piece is held with tweezers and immersed in ion-exchange water for rinsing 10 times up and down for 1 minute and taken out. The taken-out test piece was dried with the vacuum dryer (120 degreeC, 15 minutes). The test piece was observed and the number of times of rinsing until no residue remained between the square cover glasses was counted. It can be evaluated that the smaller the number of rinses, the better the rinsing properties. The results are shown in Table 1. In addition, “> 5” was set for items that could not be used 5 times.
［腐食性］
各洗浄剤組成物を１Ｌビーカーに満たして６０℃に加温し、その中へ厚さ１ｍｍの銅板（３０ｍｍ×５０ｍｍ）を入れ１０分間浸漬。その後イオン交換水にて十分にすすぎ、送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥し、銅板の表面状態を観察した。評価基準は以下の通り。その結果を表１に示す。
Ａ：変色無し
Ｂ：変色あり
[Corrosive]
Each cleaning composition is filled in a 1 L beaker and heated to 60 ° C., and a 1 mm thick copper plate (30 mm × 50 mm) is placed therein and immersed for 10 minutes. Thereafter, it was sufficiently rinsed with ion-exchanged water, dried with an air dryer (85 ° C., 15 minutes), and the surface state of the copper plate was observed. The evaluation criteria are as follows. The results are shown in Table 1.
A: No discoloration B: Discoloration
［発泡性］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取した。上記条件にて作成したフラックス残渣を１質量％含有する各洗浄剤組成物をイオン交換水にて１０倍に希釈し、その５０ｍＬを２００ｍＬ共栓付きメスフラスコに加え、６０℃に加温し、上下に激しく３０回振とうした。１分後の泡高さを測定し、下記の基準にて評価した。その結果を表１に示す。
Ａ：泡無し
Ｂ：５ｍＬ未満
Ｃ：５ｍＬ以上
[Foaming]
Eco solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) was heated at 250 ° C. for 30 minutes on a copper plate under a nitrogen atmosphere, and a liquid flux residue was separated and collected. Each cleaning composition containing 1% by mass of the flux residue prepared under the above conditions was diluted 10 times with ion-exchanged water, 50 mL thereof was added to a 200 mL stoppered volumetric flask, heated to 60 ° C., Shake vigorously 30 times up and down. The bubble height after 1 minute was measured and evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 1.
A: No bubbles B: Less than 5 mL C: 5 mL or more
［安全性］
各洗浄剤組成物の引火点により、以下のように評価した。なお、水の沸点の１００℃において引火すると火災となる危険性が高くなる。水の沸点より１０℃高い１１０℃を基準に引火点により安全性を評価した。その結果を表１に示す。
Ａ：引火点が１１０℃以上
Ｂ：引火点が１１０℃未満
[safety]
It evaluated as follows by the flash point of each cleaning composition. In addition, when it ignites at 100 degreeC of the boiling point of water, the danger of becoming a fire will become high. Safety was evaluated by the flash point based on 110 ° C., which is 10 ° C. higher than the boiling point of water. The results are shown in Table 1.
A: Flash point is 110 ° C or higher B: Flash point is lower than 110 ° C
上記表１に示すとおり、実施例１〜１３の洗浄剤組成物は、比較例１〜１０、１２〜１６の洗浄剤組成物と比べて優れた洗浄性を示し、かつ、ガラス毛細管試験の結果（浸透性）及びすすぎ性も概ね優れた結果を示した。また、実施例１〜１３の洗浄剤組成物は、比較例１１の洗浄剤組成物よりも安全性の点が優れていた（引火点が高い）。 As shown in Table 1 above, the cleaning compositions of Examples 1 to 13 showed excellent cleaning properties as compared with the cleaning compositions of Comparative Examples 1 to 10 and 12 to 16, and the results of the glass capillary test. (Penetration) and rinsing properties were generally excellent. Moreover, the cleaning composition of Examples 1-13 was superior to the cleaning composition of Comparative Example 11 in terms of safety (high flash point).
上記表１に示すとおり、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤が添加された実施例８の洗浄剤組成物は、すすぎ性が特に優れていた。また、炭化水素又はシリコーン系消泡剤を含有する実施例７及び１２の洗浄剤組成物は、低発泡性に特に優れていた。 As shown in Table 1 above, the cleaning composition of Example 8 to which the polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant was added was particularly excellent in rinsing properties. Moreover, the cleaning composition of Examples 7 and 12 containing a hydrocarbon or silicone-based antifoaming agent was particularly excellent in low foaming properties.
本開示を用いることにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。 By using the present disclosure, it is possible to satisfactorily clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered components. For example, the flux residue cleaning process in the electronic component manufacturing process can be shortened and the electronic component to be manufactured. The performance and reliability of the semiconductor device can be improved, and the productivity of the semiconductor device can be improved.
Claims (8)
成分Ａの含有量が、８８．０質量％以上９４．４質量％以下であり、
成分Ａ中、ジエチレングリコールモノブチルエーテルの含有量が、９０．０質量％以上１００．０質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、
成分Ｃの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
The content of Component A is 88.0% by mass or more and 94.4% by mass or less,
In Component A, the content of diethylene glycol monobutyl ether is 90.0% by mass or more and 100.0% by mass or less,
The content of component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less,
The content of component C is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less.
A cleaning composition for removing solder flux residue.
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