JP2012018982A - Resist stripping agent and stripping method using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体集積回路、プリント配線基板、液晶の製造工程におけるフォトレジスト層を剥離するための剥離剤に関するものである。 The present invention relates to a release agent for removing a photoresist layer in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, a printed wiring board, and a liquid crystal.
半導体集積回路、フラットパネルディスプレイは、基体上にフォトレジスト（以下、単に「レジスト」と称する。）を塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回路を形成した後、レジストを基体上から剥離するか、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造される。 In a semiconductor integrated circuit and a flat panel display, a photoresist (hereinafter simply referred to as “resist”) is applied on a substrate, and after exposure and development, etching is performed to form a circuit. After peeling or circuit formation, ashing is performed to remove the resist, and then the remaining resist residue is peeled off.
レジストを基体上から剥離するため、又はレジスト残渣を基体上から剥離するため、従来、様々なレジスト剥離剤が提案されてきた。これらのレジスト剥離剤は、半導体やフラットパネルディスプレイを構成する材料（例えば、配線材料、基板のシリコンや酸化ケイ素等）にダメージを与えることなく、レジストを除去することが要求される。配線材料に使用されている金属は特に腐食され易く、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイに多く使用されている配線材料は、アルミと銅である。 Conventionally, various resist stripping agents have been proposed for stripping a resist from a substrate or stripping a resist residue from a substrate. These resist removers are required to remove the resist without damaging the materials constituting the semiconductor and the flat panel display (for example, wiring materials, silicon of the substrate, silicon oxide, etc.). Metals used for wiring materials are particularly susceptible to corrosion, and wiring materials frequently used for semiconductor integrated circuits and flat panel displays are aluminum and copper.
現在、レジスト剥離剤として、最も広く使用されているのは、モノエタノールアミンと有機溶媒の組合せである（例えば、特許文献１参照）。このレジスト剥離剤は、安価で工業的に入手しやすいモノエタノールアミンを使用しており、しかもアルミの腐食が小さい。しかしながら、銅に対しては腐食が大きいため、銅配線プロセスに用いられるレジスト剥離に使用することが困難である。 Currently, a combination of monoethanolamine and an organic solvent is most widely used as a resist stripper (see, for example, Patent Document 1). This resist stripper uses monoethanolamine, which is inexpensive and easily available industrially, and has little corrosion of aluminum. However, since corrosion is large with respect to copper, it is difficult to use it for resist stripping used in the copper wiring process.
銅配線の腐食が小さいレジスト剥離剤としては、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノールを必須成分とするレジスト剥離剤が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。この剥離剤は優れたレジスト剥離性を示すとともに、銅への腐食性が小さいため、銅配線プロセスに用いられるレジスト剥離には有効である。しかしながら、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノールは、モノエタノールアミンほど工業的に多量に生産されておらず、高価である。 As a resist stripper that has low corrosion of copper wiring, a resist stripper containing 2- (N, N-dimethyl-2-aminoethoxy) ethanol as an essential component has been proposed (for example, see Patent Document 2). This stripping agent exhibits excellent resist stripping properties and is less corrosive to copper, and is therefore effective for stripping resists used in copper wiring processes. However, 2- (N, N-dimethyl-2-aminoethoxy) ethanol is not industrially produced as much as monoethanolamine and is expensive.
さらに、アルミ用のレジスト剥離剤と銅用のレジスト剥離剤とを使い分ける場合、レジスト剥離剤を使用する装置、タンク、廃水処理設備等を複数設置しなければならず、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイの製造において、コスト面で著しく不利になる。 In addition, when using different resist removers for aluminum and copper, it is necessary to install multiple devices, tanks, wastewater treatment facilities, etc. that use resist removers. Semiconductor integrated circuits, flat panel displays In the manufacturing process, there is a significant disadvantage in terms of cost.
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅に対してもダメージが小さく、更に安価で工業的に入手しやすいアミンを使用したレジスト剥離剤を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to provide an amine that exhibits excellent resist releasability, is less damaging to aluminum and copper, and is cheap and industrially available. It is to provide a used resist stripper.
本発明者らは、レジスト剥離剤について鋭意検討した結果、芳香族有機酸とエチレンアミンを含むレジスト剥離剤が、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。 As a result of intensive studies on the resist stripping agent, the present inventors have found that a resist stripping agent containing an aromatic organic acid and ethyleneamine can achieve the above object, and has completed the present invention.
すなわち、本発明は、以下に示すとおりのレジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法である。 That is, the present invention is a resist stripper as shown below and a stripping method using the same.
［１］アルカノールアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤。 [1] A resist remover containing an alkanolamine and an aromatic organic acid.
［２］アルカノールアミンが、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルエタノールアミン、アミノエトキシエタノール、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエトキシエタノール、プロパノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする上記［１］に記載のレジスト剥離剤。 [2] Alkanolamine is monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-methylethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N-methyldiethanolamine, aminoethylethanolamine, N, N-dimethylaminoethylethanolamine , Aminoethoxyethanol, and N, N-dimethylaminoethoxyethanol, propanolamine, and at least one selected from the group consisting of propanolamine.
［３］芳香族有機酸が、芳香族スルホン酸及び芳香族カルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする上記［１］又は［２］に記載のレジスト剥離剤。 [3] The resist remover according to [1] or [2] above, wherein the aromatic organic acid is at least one selected from the group consisting of aromatic sulfonic acids and aromatic carboxylic acids.
［４］芳香族有機酸が、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、安息香酸、フタル酸、及びサリチル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする上記［１］乃至［３］のいずれかに記載のレジスト剥離剤。 [4] The aromatic organic acid is at least one selected from the group consisting of benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid, styrenesulfonic acid, polystyrenesulfonic acid, benzoic acid, phthalic acid, and salicylic acid. The resist remover according to any one of [1] to [3] above.
［５］レジスト剥離剤中のアルカノールアミンの量が０．１重量％以上８０重量％以下の範囲であり、かつ芳香族有機酸の量が０．１重量％以上３０重量％以下であることを特徴とする上記［１］乃至［４］のいずれかに記載のレジスト剥離剤。 [5] The amount of alkanolamine in the resist stripper is in the range of 0.1 wt% to 80 wt%, and the amount of aromatic organic acid is 0.1 wt% to 30 wt%. The resist remover according to any one of [1] to [4] above,
［６］さらに水及び／又は水溶性有機溶媒を含むことを特徴とする上記［１］乃至［５］のいずれかに記載のレジスト剥離剤。 [6] The resist remover according to any one of [1] to [5] above, further comprising water and / or a water-soluble organic solvent.
［７］水溶性有機溶媒が、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、及びジプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする上記［１］乃至［６］のいずれかに記載のレジスト剥離剤。 [7] Water-soluble organic solvent is dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, diethyl sulfone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methyl- 2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, Propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene Selected from the group consisting of glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, and dipropylene glycol monobutyl ether The resist remover according to any one of the above [1] to [6], which is at least one kind.
［８］上記［１］乃至［７］のいずれかに記載のレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離することを特徴とするレジスト剥離法。 [8] A resist stripping method comprising stripping a copper wiring resist or an aluminum wiring resist using the resist stripping agent according to any one of [1] to [7].
本発明のレジスト剥離剤は、優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤として、工業的に極めて有用である。 The resist remover of the present invention is extremely industrially useful as an inexpensive resist remover that does not corrode aluminum and copper while exhibiting excellent resist peelability.
本発明のレジスト剥離剤は、アルカノールアミンと芳香族有機酸を含む。 The resist stripper of the present invention contains an alkanolamine and an aromatic organic acid.
本発明において、「アルカノールアミン」とは、窒素原子に直結する置換又は非置換のアルカノール基を少なくとも１個有する化合物を意味する。アルカノールアミンは、水、有機溶媒に対する親和性が高く、レジスト剥離能力も高い。本発明のレジスト剥離剤に好適なアルカノールアミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のエタノールアミン類、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン等のアルキル化エタノールアミン類、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルエタノールアミン、アミノエトキシエタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエトキシエタノール、プロパノールアミン等が挙げられる。これらのうち、エタノールアミン類が工業的に入手しやすく安価なため好ましい。しかしながら、これら以外のアルカノールアミンを使用しても一向に差し支えない。 In the present invention, “alkanolamine” means a compound having at least one substituted or unsubstituted alkanol group directly linked to a nitrogen atom. Alkanolamine has a high affinity for water and organic solvents, and has a high resist stripping ability. Examples of the alkanolamine suitable for the resist stripper of the present invention include ethanolamines such as monoethanolamine, diethanolamine and triethanolamine, N-methylethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N-methyldiethanolamine and the like. And alkylated ethanolamines, aminoethylethanolamine, N, N-dimethylaminoethylethanolamine, aminoethoxyethanol, N, N-dimethylaminoethoxyethanol, propanolamine and the like. Of these, ethanolamines are preferred because they are industrially available and inexpensive. However, other alkanolamines may be used.
本発明において、「芳香族有機酸」とは、芳香環を有する酸を意味し、例えば、芳香族スルホン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。芳香族スルホン酸と芳香族カルボン酸を比較すると、芳香族スルホン酸の方がアルミ、銅に対して低ダメージとなる。芳香族有機酸は、レジストへの浸透速度が速く、レジスト剥離能力が高い。しかも、アルミや銅の腐食を抑制する効果が著しく高い。本発明のレジスト剥離剤に使用する芳香族有機酸には、さらに水酸基やアルキル基、シアノ基、アミノ基等の置換基が含まれていても一向に差し支えない。本発明のレジスト剥離剤に好適な芳香族有機酸としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、安息香酸、フタル酸、サリチル酸等が挙げられるが、これら以外の芳香族有機酸を使用しても一向に差し支えない。また、これら芳香族有機酸は単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。 In the present invention, the “aromatic organic acid” means an acid having an aromatic ring, and examples thereof include aromatic sulfonic acid and aromatic carboxylic acid. Comparing aromatic sulfonic acid and aromatic carboxylic acid, aromatic sulfonic acid is less damaging to aluminum and copper. Aromatic organic acids have a high penetration rate into the resist and high resist stripping ability. And the effect which suppresses corrosion of aluminum and copper is remarkably high. The aromatic organic acid used for the resist stripper of the present invention may further include a substituent such as a hydroxyl group, an alkyl group, a cyano group, or an amino group. Examples of the aromatic organic acid suitable for the resist stripper of the present invention include benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid, alkylbenzenesulfonic acid, styrenesulfonic acid, polystyrenesulfonic acid, benzoic acid, phthalic acid, and salicylic acid. Even if other aromatic organic acids are used, there is no problem. These aromatic organic acids may be used alone or in combination of two or more.
本発明のレジスト剥離剤はエチレンアミン、芳香族有機酸を含むが、更に、水及び／又は水溶性有機溶媒を含んでも良い。 The resist stripper of the present invention contains ethyleneamine and an aromatic organic acid, but may further contain water and / or a water-soluble organic solvent.
水溶性有機溶媒としては、レジスト剥離剤として一般に使用しているものを用いることができ、特に制限はない。具体的には、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン等のスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類が例示される。これら水溶性有機溶媒は単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。 As the water-soluble organic solvent, those generally used as a resist stripper can be used, and there is no particular limitation. Specifically, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, sulfones such as dimethyl sulfone and diethyl sulfone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide and the like Amides, lactams such as N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazo Imidazolidinones such as lydinone, glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene Lenglycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol Examples include glycol ethers such as monobutyl ether. These water-soluble organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
また、本発明のレジスト剥離剤には、ベンゾトリアゾール類等の一般に使用されている防食剤も使用する事ができる。 Moreover, generally used anticorrosive agents, such as benzotriazoles, can also be used for the resist stripper of this invention.
本発明のレジスト剥離剤中の各成分の含有量としては、アルカノールアミンが通常０．１〜８０重量％の範囲であり、好ましくは０．１〜５０重量％、特に好ましくは０．１〜３０重量％の範囲である。０．１重量％未満では、レジスト剥離性が小さくなるおそれがある。８０重量％を超えて含有しても、入れただけの向上効果が得られないおそれがある。 As content of each component in the resist remover of this invention, alkanolamine is 0.1 to 80weight% of a range normally, Preferably it is 0.1 to 50 weight%, Most preferably, it is 0.1-30. It is in the range of wt%. If it is less than 0.1% by weight, the resist peelability may be reduced. Even if it contains more than 80% by weight, there is a possibility that an improvement effect just by putting it may not be obtained.
芳香族有機酸の含有量としては、通常０．１〜３０重量％の範囲であり、好ましくは０．１〜２０重量％、特に好ましくは１〜１０重量％の範囲である。０．１重量％未満ではアルミ、銅への腐食抑制効果が小さくなるおそれがある。３０重量％を超えて含有しても入れただけの向上効果が得られないおそれがあり、かえってレジスト剥離能力が低下するおそれがある。 The content of the aromatic organic acid is usually in the range of 0.1 to 30% by weight, preferably 0.1 to 20% by weight, and particularly preferably 1 to 10% by weight. If it is less than 0.1% by weight, the effect of inhibiting corrosion on aluminum and copper may be reduced. Even if it contains more than 30% by weight, there is a possibility that the improvement effect just added cannot be obtained, and there is a possibility that the resist stripping ability may be lowered.
水を用いる場合、水の含有量としては、通常１重量％〜９０重量％の範囲であり、好ましくは１重量％〜５０重量％、特に好ましくは１重量％〜４０重量％の範囲である。１重量％未満ではアルカノールアミンと芳香族有機酸塩の溶解性が低下し、結晶析出のおそれがある。９０重量％を超えて含有すると、レジスト剥離能力が低下するおそれがある。 When water is used, the water content is usually in the range of 1% to 90% by weight, preferably 1% to 50% by weight, and particularly preferably 1% to 40% by weight. If it is less than 1% by weight, the solubility of the alkanolamine and the aromatic organic acid salt is lowered, and there is a risk of crystal precipitation. If the content exceeds 90% by weight, the resist stripping ability may be lowered.
水溶性有機溶媒を用いる場合には、通常１〜９０重量％以下の範囲で用いることが好ましい。１重量％未満では入れた効果が得られないおそれがあり、９０重量％を超えるとレジスト剥離性が低下するおそれがある。 When a water-soluble organic solvent is used, it is usually preferably used in the range of 1 to 90% by weight. If the amount is less than 1% by weight, the effect may not be obtained. If the amount exceeds 90% by weight, the resist peelability may be lowered.
レジスト剥離剤中の各種成分の含有量がこの範囲にあれば、レジストの剥離性、安定性、各種金属への耐腐食性が優れたものとなる。 If the content of various components in the resist stripper is within this range, the resist strippability, stability, and corrosion resistance to various metals will be excellent.
レジスト剥離剤中の各成分の含有量が上記した範囲にあれば、レジストの剥離性、安定性、各種金属への耐腐食性が優れたものとなる。なお、上記したレジスト剥離剤中の各成分の含有量の合計が１００重量％を超えることがないことはいうまでもない。 If the content of each component in the resist stripper is within the above-described range, the resist strippability, stability, and corrosion resistance to various metals are excellent. In addition, it cannot be overemphasized that the sum total of content of each component in an above-described resist stripper does not exceed 100 weight%.
本発明のレジスト剥離剤は上記した成分及び含有量から構成されるが、これらの各成分はレジストを剥離する際に各成分を添加して使用してもよいし、予め混合したものを使用してもよい。 The resist stripper of the present invention is composed of the above-described components and contents. These components may be used by adding each component when stripping the resist, or those previously mixed are used. May be.
本発明のレジスト剥離法は、上記した本発明のレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離することをその特徴とする。 The resist stripping method of the present invention is characterized in that the resist for copper wiring or the resist for aluminum wiring is stripped using the resist stripping agent of the present invention described above.
本発明のレジスト剥離剤を使用して、レジストを剥離する際の温度は通常、１５〜１００℃の範囲であるが、レジストの剥離性、配線材料へのアタックを考慮すると２０〜５０℃の範囲が好ましい。 The temperature at which the resist is stripped using the resist stripper of the present invention is usually in the range of 15 to 100 ° C., but it is in the range of 20 to 50 ° C. in view of resist strippability and attack on the wiring material. Is preferred.
本発明のレジスト剥離剤は、無機質基体上に塗布されたレジスト膜、無機質基体上に塗布されたレジスト膜をドライエッチング後に残存するレジスト層、ドライエッチング後にアッシングを行い残存するレジスト残渣物等を剥離するのに用いられる。本発明のレジスト剥離剤は、銅、アルミ等の金属に対する腐食性が特に小さいため、微細化された銅配線用のレジストを剥離するのに好適に用いられる。また、本発明のレジスト剥離剤を使用する際には、加熱、超音波等で剥離を促進してもよい。 The resist remover of the present invention removes a resist film applied on an inorganic substrate, a resist layer remaining after dry etching of the resist film applied on the inorganic substrate, ashing after dry etching, and remaining resist residues, etc. Used to do. Since the resist stripper of the present invention has particularly low corrosiveness to metals such as copper and aluminum, it is preferably used for stripping a miniaturized resist for copper wiring. Moreover, when using the resist stripper of this invention, you may accelerate | stimulate peeling by a heating, an ultrasonic wave, etc.
本発明のレジスト剥離剤の使用方法としては、特に制限はなく、浸漬法、スプレー噴霧式、その他従来公知の方法を使用しても差し支えない。 The method for using the resist stripper of the present invention is not particularly limited, and a dipping method, a spray spray method, and other conventionally known methods may be used.
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定して解釈されるものではない。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention should not be construed as being limited thereto.
なお、表記を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。 In order to simplify the notation, the following abbreviations were used.
ＭＥＡ：モノエタノールアミン、
ＤＥＡ：ジエタノールアミン、
ＡＥＥＡ：アミノエチルエタノールアミン、
ＤＭＥＡ：Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、
ＤＭＡＥＥ：２−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエトキシ）エタノール、
ＢＳＡ：ベンゼンスルホン酸、
ＴＳＡ：ｐ−トルエンスルホン酸、
ＰＳＳＡ：ポリスチレンスルホン酸、
ＢＡ：安息香酸、
ＳＡ：サリチル酸、
ＡＡ：酢酸、
ＣＡ：クエン酸、
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド、
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン、
ＢＤＧ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド。
MEA: monoethanolamine,
DEA: diethanolamine,
AEEA: aminoethylethanolamine,
DMEA: N, N-dimethylethanolamine,
DMAEE: 2- (N, N-dimethyl-2-aminoethoxy) ethanol,
BSA: benzenesulfonic acid,
TSA: p-toluenesulfonic acid,
PSSA: polystyrene sulfonic acid,
BA: benzoic acid,
SA: salicylic acid,
AA: acetic acid,
CA: citric acid,
DMSO: dimethyl sulfoxide,
NMP: N-methylpyrrolidone,
BDG: diethylene glycol monobutyl ether,
DMAc: dimethylacetamide.
また、以下の実施例、比較例において、レジストの剥離性は以下のように評価した。 In the following Examples and Comparative Examples, the resist peelability was evaluated as follows.
○：剥離性良好、
△：一部残存物あり、
×：大部分残存していた。
○: Good peelability,
Δ: Some residue
X: Most remained.
実施例１〜９、比較例１〜４．
シリコン基板上に銅が成膜された基板、及びシリコン基板上にアルミが成膜された基板を用い、パターニングされたポジ型フォトレジストをマスクとして、そのエッチングを行った。すなわち、これらの基板を表１に示す剥離剤に３０℃で３０秒間、浸漬し、その後、水洗いし、乾燥した。基板上のレジストの有無を光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で観察して、レジストの剥離性を評価した。また、これらの基板を表１に示す剥離剤に５０℃で３０分間浸漬し、エッチング速度を測定して、銅、アルミの腐食を評価した。
Examples 1-9, Comparative Examples 1-4.
Etching was performed using a patterned positive photoresist as a mask using a substrate in which copper was formed on a silicon substrate and a substrate in which aluminum was formed on a silicon substrate. That is, these substrates were immersed in a release agent shown in Table 1 at 30 ° C. for 30 seconds, then washed with water and dried. The presence or absence of the resist on the substrate was observed with an optical microscope and a scanning electron microscope, and the peelability of the resist was evaluated. Further, these substrates were immersed in a release agent shown in Table 1 at 50 ° C. for 30 minutes, and the etching rate was measured to evaluate the corrosion of copper and aluminum.
一方、アルカノールアミンを単独使用した比較例１はレジスト剥離性に劣るとともに、銅、アルミのエッチング速度が大きく、アルカノールアミンと水溶性有機溶媒を併用した比較例２は、レジスト剥離性は良好なものの、銅のエッチング速度が大きく、アルカノールアミンと酢酸、クエン酸を併用した比較例３、４は、レジスト剥離性に劣るとともに、銅、アルミのエッチング速度が大きかった。 On the other hand, Comparative Example 1 using alkanolamine alone is inferior in resist stripping property, and has a high etching rate for copper and aluminum. Comparative Example 2 using alkanolamine and a water-soluble organic solvent in combination has good resist stripping property In Comparative Examples 3 and 4 in which the etching rate of copper was high and alkanolamine, acetic acid and citric acid were used in combination, the resist peelability was inferior and the etching rates of copper and aluminum were high.
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| JP2010154155A JP2012018982A (en) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Resist stripping agent and stripping method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010154155A JP2012018982A (en) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Resist stripping agent and stripping method using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012018982A true JP2012018982A (en) | 2012-01-26 |
Family
ID=45604043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010154155A Pending JP2012018982A (en) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Resist stripping agent and stripping method using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012018982A (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140807 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150312 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150331 |