JP6202678B2 - Detergent composition for removing solder flux residue - Google Patents

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本開示は、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、半田フラックス残渣の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。   The present disclosure relates to a cleaning composition for removing a solder flux residue, a method for cleaning a solder flux residue, and a method for manufacturing an electronic component.

近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。   In recent years, regarding the mounting of electronic components on a printed wiring board or a ceramic substrate, the components are downsized from the viewpoint of low power consumption and high-speed processing, and the gap to be cleaned in solder flux cleaning has become narrower. In addition, lead-free solder has been used from the viewpoint of environmental safety, and accordingly, rosin-based flux is used.

特許文献1には、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄に好適なフラックス用洗浄剤組成物として、特定のグリコールエーテルと、アルカノールアミン、及び、炭素数1〜6のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び/又はその塩及び水を含有するフラックス用洗浄剤組成物が開示されている。   Patent Document 1 discloses a specific glycol ether, an alkanolamine, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms as a flux cleaning composition suitable for cleaning a flux residue remaining in a gap between soldered parts. Disclosed is a flux cleaning composition containing an alkylbenzenesulfonic acid and / or a salt thereof and water.

特許文献2には、鉛フリーはんだフラックスを用いて得られた被洗浄物を洗浄した場合でも、十分な洗浄力を有し、かつ、プレリンス水から容易に分離できる洗浄剤組成物として、水に対する溶解度と比重が異なる3種のグリコールエーテル類と、ポリオキシアルキレンアミン類と、キレート剤とを含有する鉛フリーはんだフラックス用洗浄剤組成物が開示されている。   Patent Document 2 discloses a cleaning composition that has sufficient detergency and can be easily separated from pre-rinse water even when the object to be cleaned obtained using a lead-free solder flux is cleaned. A cleaning composition for lead-free solder flux containing three types of glycol ethers having different solubility and specific gravity, polyoxyalkylene amines, and a chelating agent is disclosed.

特許文献3には、狭い隙間に存在するフラックス残渣に対する洗浄性が高いだけでなく、水によるすすぎ性が良好であり、泡立ちが抑制された、フラックス残渣が付着した被洗浄物の洗浄方法として、水を2質量%以上10質量%以下、グリコールエーテルを50質量%以上97.75質量%未満及び、アミン化合物を0.05質量%以上5質量%以下含む洗浄剤を用いて、特定の洗浄条件及び洗浄装置で洗浄する方法が開示されている。   In Patent Document 3, as a cleaning method for an object to be cleaned to which a flux residue is attached, not only has a high cleaning property with respect to a flux residue existing in a narrow gap, but also has a good rinsing property with water and foaming is suppressed. Specific cleaning conditions using a cleaning agent containing 2% to 10% by weight of water, 50% to less than 97.75% by weight of glycol ether and 0.05% to 5% by weight of amine compound And a method of cleaning with a cleaning device is disclosed.

特許文献4には、電子部品又は精密部品類を洗浄剤で洗浄する洗浄方法において、非イオン性界面活性剤等の活性成分と性質を有する洗浄剤の水希釈液を用いて20〜100℃の温度で相分離しない状態にて洗浄する工程、および洗浄後の洗浄液を20℃以上に保温しながら洗浄液中の有機物を分離する工程を有することを特徴とする電子部品又は精密部品類の洗浄方法が開示されている。   In Patent Document 4, in a cleaning method for cleaning electronic components or precision components with a cleaning agent, an aqueous component of a cleaning agent having a property and an active ingredient such as a nonionic surfactant is used. A method for cleaning electronic parts or precision parts, characterized by having a step of washing without phase separation at a temperature, and a step of separating organic substances in the washing liquid while keeping the washing liquid after washing at 20 ° C. or higher It is disclosed.

特開2009−298940号公報JP 2009-298940 A WO2010/24141WO2010 / 24141 WO2011/081071WO2011 / 081071 特開平7−195044号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-195044

近年の鉛フリー化に伴い、1)リフロー温度の高温化、2)半田金属中のスズ含有量増加が原因で除去困難なロジン酸等のスズ塩がフラックス残渣中に増えたため、既存の洗浄剤では残存してしまうという問題がある。一方で、洗浄性の良いものは電極に用いる銅を腐食してしまうという問題が生じる。さらに、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し洗浄すべき隙間が狭くなってきている。表面張力の低い洗浄剤は浸透力が高く、狭い隙間のフラックス残渣を溶解できるものの、すすぎ工程で使用する水は表面張力が高いため、隙間への浸透速度が遅く十分にすすげないといった問題が起こってきている。特許文献1や特許文献2の洗浄剤でも更なる洗浄性とすすぎ性の向上が望まれる。   With the recent lead-free process, 1) higher reflow temperature and 2) tin salts such as rosin acid, which are difficult to remove due to increased tin content in the solder metal, increased in the flux residue. Then there is a problem of remaining. On the other hand, those having good cleaning properties cause a problem that the copper used for the electrodes is corroded. Furthermore, from the viewpoints of low power consumption and high-speed processing, parts are downsized and gaps to be cleaned are becoming narrower. Although detergents with low surface tension have high penetrating power and can dissolve flux residues in narrow gaps, the water used in the rinsing process has high surface tension, so there is a problem that the penetration speed into the gaps is slow and not enough. Is happening. Even with the cleaning agents of Patent Document 1 and Patent Document 2, further improvements in cleaning properties and rinsing properties are desired.

また、いわゆる水系、準水系洗浄剤の場合、すすぎに水を使用するため排水中に有機物が多い状態で排水処理を行うと処理後のCOD値を下げるために非常に労力がかかり、河川などに排出される排水処理水中のCOD値を十分に下げられない可能性があり、排水処理負荷を低減できる効率的な処理方法が必要とされる。さらに、電子部品の性能向上並びに高機能化に伴い、極めて高い清浄度を求められるようになったため、すすぎ回数の増加、即ちすすぎ水の使用量が増加したため排水処理負荷が大きくなってきており、効率的にすすげる洗浄剤が必要とされている。   Also, in the case of so-called water-based and semi-aqueous cleaning agents, water is used for rinsing, so if wastewater treatment is performed in a state where there is a lot of organic matter in the wastewater, it takes a lot of labor to lower the COD value after treatment, and it is difficult to There is a possibility that the COD value in the discharged wastewater is not sufficiently lowered, and an efficient treatment method capable of reducing the wastewater treatment load is required. Furthermore, as the performance of electronic parts has been improved and the functionality has been increased, a very high degree of cleanliness has been required, so the number of times of rinsing increased, that is, the amount of rinse water used has increased, and the wastewater treatment load has increased. There is a need for cleaners that can be efficiently run.

そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。また、本開示は、一又は複数の実施形態において、すすぎ水の良好な油水分離性及び安全性(引火性の低減)を示しつつ、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性、並びに、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性に優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。   Therefore, in one or a plurality of embodiments, the present disclosure provides a cleaning composition for removing a solder flux residue that is excellent in cleaning performance with respect to a substrate reflowed using a solder flux. Further, the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, exhibits good oil water separation performance and safety (reduced flammability) while rinsing water, cleaning performance on a substrate reflowed using a solder flux, and Provided is a cleaning composition for removing a solder flux residue, which is excellent in penetrating into a narrow gap and rinsing.

本開示は、一又は複数の実施形態において、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(成分A−1)、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(成分A−2)、下記式(I)で表される化合物(成分B)、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤(成分C)、及び、水(成分D)を含有し、
成分A−1の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下であり、成分A−2の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下であり、
成分Bの含有量が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、及び、
成分Cの含有量が、0.1質量%以上5.0質量%以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。

Figure 0006202678
[上記式(I)において、Rは水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、炭素数1〜7の炭化水素基又はアミノエチル基、Rは水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基又は炭素数1〜7の炭化水素基、Rはヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。] In one or a plurality of embodiments, the present disclosure provides diethylene glycol monobutyl ether (component A-1), diethylene glycol monohexyl ether (component A-2), a compound represented by the following formula (I) (component B), polyalkylene Containing a glycol alkylamine type nonionic surfactant (component C) and water (component D),
The content of Component A-1 is 40.0% by mass or more and 54.6% by mass or less, and the content of Component A-2 is 40.0% by mass or more and 54.6% by mass or less,
The content of component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less, and
The content of component C is 0.1% by mass or more and 5.0% by mass or less.
The present invention relates to a cleaning composition for removing solder flux residue.
Figure 0006202678
[In the above formula (I), R 1 represents a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms or an aminoethyl group, R 2 represents a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, or A hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, R 3 is a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group. ]

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する。   In one or a plurality of other embodiments, the present disclosure relates to a method for cleaning a solder flux residue, which includes a step of cleaning an object to be cleaned having reflowed solder with the cleaning composition according to the present disclosure.

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を本開示に係るフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む電子部品の製造方法に関する。   In one or more embodiments of the present disclosure, at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board is mounted on the circuit board by soldering using a flux. The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component including a step and a step of cleaning the mounted object by a flux residue cleaning method according to the present disclosure.

本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、すすぎ水の良好な油水分離性及び安全性(引火性の低減)を示しつつ、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性、並びに、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性に優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。   According to the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, a cleaning composition for removing a solder flux residue that is excellent in cleaning performance for a reflowed substrate using a solder flux, a cleaning method using the same, and a method for using the same It is possible to provide a method for manufacturing electronic components. In addition, according to the present disclosure, in one or a plurality of embodiments, while exhibiting good oil water separation performance and safety (reduction in flammability) of rinse water, cleaning performance for a reflowed substrate using a solder flux, In addition, it is possible to provide a cleaning composition for removing a solder flux residue that is excellent in penetrating into a narrow gap and rinsing, a cleaning method using the same, and a method for manufacturing an electronic component using the same.

本開示は、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを主成分とするグリコールエーテルが多量に配合された洗浄剤組成物は、従来よりも洗浄性が向上するという知見に基づく。また、本開示は、該洗浄剤組成物は、すすぎ水の油水分離性、及び安全性(引火性の低減)が良好でありながら、洗浄性に加え、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性が向上しうるという知見に基づく。   The present disclosure is based on the knowledge that a cleaning composition containing a large amount of glycol ether containing diethylene glycol monobutyl ether as a main component has improved cleaning performance than before. In addition, the present disclosure shows that the cleaning composition has good water separability in rinsing water and safety (reduction in flammability), but also has good permeability and rinsing properties in a narrow gap in addition to cleaning properties. Based on the knowledge that it can be improved.

すなわち、本開示は一態様において、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(成分A−1)、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(成分A−2)、上記式(I)で表される化合物(成分B)、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤(成分C)、及び、水(成分D)を含有し、成分A−1の含有量が40.0質量%以上54.6質量%以下、成分A−2の含有量が40.0質量%以上54.6質量%以下であり、成分Bの含有量が0.3質量%以上5.0質量%以下であり、及び、成分Cの含有量が0.1質量%以上5.0質量%以下である、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物(以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう。)に関する。   That is, in one aspect of the present disclosure, diethylene glycol monobutyl ether (component A-1), diethylene glycol monohexyl ether (component A-2), the compound represented by the above formula (I) (component B), polyalkylene glycol alkylamine Type nonionic surfactant (component C) and water (component D), the content of component A-1 is 40.0 mass% or more and 54.6 mass% or less, the content of component A-2 Is 40.0 mass% or more and 54.6 mass% or less, the content of component B is 0.3 mass% or more and 5.0 mass% or less, and the content of component C is 0.1 mass% or less. The present invention relates to a solder flux residue removing cleaning composition (hereinafter also referred to as “cleaning composition according to the present disclosure”) of 5.0% by mass or less.

本開示に係る洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。まず、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(成分A−1)は半田フラックスとの親和性が極めて高い。また、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(成分A−2)は半田フラックスとの親和性と希釈された洗浄剤の油水分離性を兼ね備えている。成分A−1だけでは油水分離性するまでの疎水性が得られない。本開示に係る洗浄剤組成物は、40質量%以上の成分A−1と成分A−1よりも疎水性が高く分子構造が類似している成分A−2を40質量%以上含有する。成分A−1と成分A−2の混合物においては、成分A−2が水から油相として分離した際に成分A−1も油相に移るため、油水分離性が発揮されると考えられる。また、成分A−1により溶解した半田フラックスは成分A−2にも容易に溶解及び拡散するため、成分A−1と成分A−2の混合物において狭い隙間の半田フラックス残渣を溶解する洗浄性が発揮されると考えられる。そして、特定のアルカノールアミン(成分B)及びポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤(成分C)が半田フラックス残渣中へ浸透することによる膨潤作用が、成分A−1及び成分A−2による半田フラックス残渣の溶解性を向上すると考えられる。また、水によるすすぎの際には、本開示に係る洗浄剤組成物中の特定のアルカノールアミン(成分B)とポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤(成分C)により、成分A−1及び成分A−2の油水分離性を維持しつつ適度な水への溶解性が付与され、すすぎ水との親和性が高められすすぎ性に優れると考えられる。さらに、水(成分D)を含有することで引火点が高くなり安全性が確保される。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。   Although the details of the action mechanism of the effect in the cleaning composition according to the present disclosure are unclear, it is estimated as follows. First, diethylene glycol monobutyl ether (component A-1) has an extremely high affinity with the solder flux. Moreover, diethylene glycol monohexyl ether (component A-2) has both the affinity with the solder flux and the oil / water separation property of the diluted cleaning agent. Hydrophobicity until oil-water separation is not obtained with only component A-1. The cleaning composition according to the present disclosure contains 40% by mass or more of Component A-1 and 40% by mass or more of Component A-2 that is more hydrophobic and similar in molecular structure than Component A-1. In the mixture of Component A-1 and Component A-2, when Component A-2 is separated from water as an oil phase, Component A-1 is also transferred to the oil phase, so that it is considered that oil / water separation properties are exhibited. Further, since the solder flux dissolved by the component A-1 is easily dissolved and diffused in the component A-2, the detergency of dissolving the solder flux residue in a narrow gap in the mixture of the component A-1 and the component A-2 is obtained. It is thought that it is demonstrated. The swelling action caused by the penetration of the specific alkanolamine (component B) and the polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant (component C) into the solder flux residue is caused by the component A-1 and the component A-2. It is considered that the solubility of the solder flux residue is improved. In addition, when rinsing with water, component A-1 is obtained by using a specific alkanolamine (component B) and a polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant (component C) in the cleaning composition according to the present disclosure. In addition, it is considered that moderate water solubility is imparted while maintaining the oil / water separability of component A-2, and the affinity with rinsing water is enhanced, resulting in excellent rinsing properties. Furthermore, by containing water (component D), the flash point becomes high and safety is ensured. However, the present disclosure is not limited to this mechanism.

本開示において「フラックス」とは半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスをいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。回路基板上に他の部品(例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板など)が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間(隙間)が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフローなどにより半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田付けした後のフラックス残渣を洗浄するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛(Pb)フリー半田であることが好ましい。   In this disclosure, “flux” refers to a rosin-based flux containing rosin or a rosin derivative used for soldering. In this disclosure, “soldering” includes reflow-type and flow-type soldering. In the present disclosure, “solder flux” refers to a mixture of solder and flux. When other components (for example, semiconductor chips, chip capacitors, other circuit boards, etc.) are stacked and mounted on the circuit board, a space (gap) is formed between the circuit board and the other parts. The The flux used for mounting can remain in this gap as a flux residue after being soldered by reflow or the like. In the present disclosure, “a cleaning composition for removing solder flux residue” refers to a cleaning composition for cleaning a flux residue after soldering using a flux or a solder flux. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the standpoint of a remarkable effect of cleaning properties and penetration into narrow gaps by the cleaning composition according to the present disclosure.

[成分A−1及び成分A−2]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分A−1は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(以下、「BDG」とも表す。)であり、成分A−2はジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(以下、「HeDG」とも表す。)である。
[Component A-1 and Component A-2]
Component A-1 in the cleaning composition according to the present disclosure is diethylene glycol monobutyl ether (hereinafter also referred to as “BDG”), and component A-2 is diethylene glycol monohexyl ether (hereinafter also referred to as “HeDG”). It is.

本開示に係る洗浄剤組成物における成分A−1の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、40.0質量%以上であり、好ましくは41.0質量%以上、より好ましくは42.0質量%以上、さらに好ましくは43.0質量%以上である。また、成分A−1の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、54.6質量%以下であり、好ましくは47.3質量%以下、より好ましくは46.5質量%以下、さらに好ましくは45.5質量%以下、さらにより好ましくは45.0質量%以下である。   In one or a plurality of embodiments, the content of Component A-1 in the cleaning composition according to the present disclosure is 40.0% by mass or more from the viewpoint of improving the cleaning property with respect to the flux residue remaining in the gap. Is 41.0% by mass or more, more preferably 42.0% by mass or more, and further preferably 43.0% by mass or more. In one or more embodiments, the content of Component A-1 is 54.6% by mass or less, preferably 47.3% by mass or less, more preferably 46.5% by mass, from the same viewpoint. Hereinafter, it is more preferably 45.5% by mass or less, and still more preferably 45.0% by mass or less.

本開示に係る洗浄剤組成物における成分A−2の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ水の良好な油水分離性の観点から、40.0質量%以上であり、好ましくは41.0質量%以上、より好ましくは42.0質量%以上、さらに好ましくは43.0質量%以上である。また、成分A−2の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、54.6質量%以下であり、好ましくは47.3質量%以下、より好ましくは46.5質量%以下、さらに好ましくは45.5質量%以下、さらにより好ましくは45.0質量%以下である。   In one or a plurality of embodiments, the content of Component A-2 in the cleaning composition according to the present disclosure is 40 from the viewpoint of improvement in cleaning properties against the flux residue remaining in the gap and good oil-water separation properties of rinsing water. It is 0.0 mass% or more, preferably 41.0 mass% or more, more preferably 42.0 mass% or more, and further preferably 43.0 mass% or more. In one or more embodiments, the content of Component A-2 is 54.6% by mass or less, preferably 47.3% by mass or less, more preferably 46.5% by mass, from the same viewpoint. Hereinafter, it is more preferably 45.5% by mass or less, and still more preferably 45.0% by mass or less.

本開示に係る洗浄剤組成物における成分A−1と成分A−2との含有量比(A−1/A−2、質量比)は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.9以上であり、そして、好ましくは1.4以下、より好ましくは1.2以下、さらに好ましくは1.1以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物における成分A−1と成分A−2との含有量比(A−1/A−2、質量比)は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、好ましくは0.7以上1.4以下、より好ましくは0.9以上1.2以下、さらに好ましくは0.9以上1.1以下である。   Content ratio (A-1 / A-2, mass ratio) of component A-1 and component A-2 in the cleaning composition according to the present disclosure is a flux remaining in a gap in one or more embodiments. From the viewpoint of improving detergency against residues and improving rinsing properties, it is preferably 0.7 or more, more preferably 0.9 or more, and preferably 1.4 or less, more preferably 1.2 or less, and still more preferably. 1.1 or less. Moreover, content ratio (A-1 / A-2, mass ratio) of component A-1 and component A-2 in the cleaning composition according to the present disclosure remains in the gap in one or more embodiments. From the viewpoint of improving the cleaning performance and rinsing performance of the flux residue, preferably 0.7 or more and 1.4 or less, more preferably 0.9 or more and 1.2 or less, and further preferably 0.9 or more and 1.1 or less. is there.

本開示に係る洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2の洗浄剤組成物中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは80.0質量%以上、より好ましくは82.0質量%以上、さらに好ましくは84.0質量%以上、よりさらに好ましくは86.0質量%以上、よりさらに好ましくは87.0質量%以上である。また、成分A−1及び成分A−2の洗浄剤組成物中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは94.6質量%以下、より好ましくは93.0質量%以下、さらに好ましくは91.0質量%以下、よりさらに好ましくは90.0質量%以下、よりさらに好ましくは89.0質量%以下である。また、成分A−1及び成分A−2の洗浄剤組成物中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは80.0質量%以上94.6質量%以下、より好ましくは82.0質量%以上93.0質量%以下、さらに好ましくは84.0質量%以上91.0質量%以下、よりさらに好ましくは86.0質量%以上90.0質量%以下、よりさらに好ましくは87.0質量%以上89.0質量%以下である。   The total content of the component A-1 and the component A-2 in the cleaning composition according to the present disclosure is improved in the cleaning performance with respect to the flux residue remaining in the gap in one or more embodiments. From the viewpoint, it is preferably 80.0% by mass or more, more preferably 82.0% by mass or more, further preferably 84.0% by mass or more, still more preferably 86.0% by mass or more, and still more preferably 87.0%. It is at least mass%. Further, the total content of the component A-1 and the component A-2 in the cleaning composition is preferably 94.6% by mass or less, more preferably 93, from the same viewpoint in one or more embodiments. It is 0.0 mass% or less, More preferably, it is 91.0 mass% or less, More preferably, it is 90.0 mass% or less, More preferably, it is 89.0 mass% or less. In addition, the total content of the component A-1 and the component A-2 in the detergent composition is preferably 80.0% by mass or more and 94.6% by mass in one or more embodiments from the same viewpoint. Or less, more preferably 82.0% by mass or more and 93.0% by mass or less, further preferably 84.0% by mass or more and 91.0% by mass or less, and further more preferably 86.0% by mass or more and 90.0% by mass or less. More preferably, it is 87.0 mass% or more and 89.0 mass% or less.

[成分A]
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、下記式(II)で表される(ポリ)エチレングリコールモノアルキルエーテル(成分A)のうち、成分A−1及び成分A−2以外の成分Aをさらに含有してもよい。なお、本開示において単に「成分A」という場合、特に言及のない場合、成分A−1及び成分A−2を含むものとする。

Figure 0006202678
[式(II)において、Rは炭素数3〜7の炭化水素基を示し、nは1〜5である。] [Component A]
In one or a plurality of embodiments, the cleaning composition according to the present disclosure includes (A) and (A) among (poly) ethylene glycol monoalkyl ether (component A) represented by the following formula (II). Component A other than 2 may be further contained. In the present disclosure, the term “component A” includes component A-1 and component A-2 unless otherwise specified.
Figure 0006202678
[In Formula (II), R shows a C3-C7 hydrocarbon group, and n is 1-5. ]

上記式(II)において、Rは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性の向上の観点から、炭素数3〜7の炭化水素基であり、好ましくは炭素数3〜6の炭化水素基であることが好ましく、より好ましくは炭素数4〜6の炭化水素基である。Rは、一又は複数の実施形態において、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基を含む。平均付加モル数nは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、1〜5であり、好ましくは1〜3、より好ましくは2又は3である。炭化水素基は、好ましくはアルキル基、アルケニル基及びアリール基であり、より好ましくはアルキル基である。   In the above formula (II), R is a hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms, preferably a hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. It is preferably a hydrocarbon group having 4 to 6 carbon atoms. In one or more embodiments, R includes a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. The average added mole number n is 1 to 5, preferably 1 to 3, and more preferably 2 or 3 from the viewpoint of improving the detergency with respect to the flux residue remaining in the gap. The hydrocarbon group is preferably an alkyl group, an alkenyl group, and an aryl group, more preferably an alkyl group.

式(II)においてRがブチル基及びn=2の場合に成分A−1となり、式(II)においてRがヘキシル基及びn=2の場合に成分A−2となる。なお、本開示において、ブチル基は、特に言及がない場合、n−ブチル基をいい、ヘキシル基は、特に言及がない場合、n−ヘキシル基をいう。   In the formula (II), when R is a butyl group and n = 2, it becomes a component A-1, and when R is a hexyl group and n = 2 in the formula (II), it becomes a component A-2. In the present disclosure, a butyl group refers to an n-butyl group unless otherwise specified, and a hexyl group refers to an n-hexyl group unless otherwise specified.

成分A−1及び成分A−2以外の成分Aとしては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル;ジエチレングリコールモノアリルエーテル等のジエチレングリコールモノアルケニルエーテル;ジエチレングリコールモノベンジルエーテル等のジエチレングリコールモノアリールエーテル;トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルキルエーテル;トリエチレングリコールモノアリルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルケニルエーテルが好ましい。これらの中でも、同様の観点から、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテルがより好ましい。   As component A other than component A-1 and component A-2, in one or a plurality of embodiments, diethylene glycol such as diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, etc., from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap Monoalkyl ethers; diethylene glycol monoalkenyl ethers such as diethylene glycol monoallyl ether; diethylene glycol monoaryl ethers such as diethylene glycol monobenzyl ether; triethylene glycols such as triethylene glycol monoisopropyl ether, triethylene glycol monobutyl ether and triethylene glycol monoisobutyl ether Monoalkyl ethers; triethylene glycol monoallyl ether, etc. Triethylene glycol monoalkenyl ether. Among these, from the same viewpoint, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, and triethylene glycol monoisopropyl ether are more preferable.

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Aの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、80.0質量%以上であり、好ましくは82.0質量%以上、より好ましくは84.0質量%以上、さらに好ましくは86.0質量%以上である。また、成分Aの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは94.6質量%以下であり、より好ましくは93.0質量%以下、さらに好ましくは91.0質量%以下、よりさらに好ましくは90.0質量%以下である。また、成分Aの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは80.0質量%以上94.6質量%以下であって、より好ましくは82.0質量%以上93.0質量%以下、さらに好ましくは84.0質量%以上91.0質量%以下、よりさらに好ましくは86.0質量%以上90.0質量%以下である。上述のとおり、成分Aは、成分A−1及び成分A−2を含むが、成分A−1及び成分A−2からなるものであってもよく、成分A−1及び成分A−2と、成分A−1及び成分A−2以外の上記式(II)で表される1又は複数種類の化合物とからなるものであってもよい。   In one or a plurality of embodiments, the content of Component A in the cleaning composition according to the present disclosure is 80.0% by mass or more, preferably 82%, from the viewpoint of improving the detergency against the flux residue remaining in the gap. It is 0.0 mass% or more, More preferably, it is 84.0 mass% or more, More preferably, it is 86.0 mass% or more. In one or more embodiments, the content of component A is preferably 94.6% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, and further preferably 91.0% by mass from the same viewpoint. % Or less, more preferably 90.0% by mass or less. In one or more embodiments, the content of Component A is preferably 80.0% by mass or more and 94.6% by mass or less, more preferably 82.0% by mass or more and 93 from the same viewpoint. It is 0.0 mass% or less, More preferably, it is 84.0 mass% or more and 91.0 mass% or less, More preferably, it is 86.0 mass% or more and 90.0 mass% or less. As described above, the component A includes the component A-1 and the component A-2, but may include the component A-1 and the component A-2, and the component A-1 and the component A-2, It may be composed of one or a plurality of types of compounds represented by the above formula (II) other than Component A-1 and Component A-2.

本開示に係る洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2の成分A中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは90.0質量%以上であり、より好ましくは93.0質量%以上、さらに好ましくは94.0質量%以上、よりさらに好ましくは96.0質量%以上、よりさらに好ましくは98.0質量%以上である。また、成分A−1及び成分A−2の成分A中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、100.0質量%以下である。   The total content of component A-1 and component A-2 in component A in the cleaning composition according to the present disclosure is, in one or more embodiments, from the viewpoint of improving detergency with respect to the flux residue remaining in the gap. Preferably, it is 90.0 mass% or more, More preferably, it is 93.0 mass% or more, More preferably, it is 94.0 mass% or more, More preferably, it is 96.0 mass% or more, More preferably, it is 98.0. It is at least mass%. Moreover, the total content in component A of component A-1 and component A-2 is 100.0 mass% or less from the same viewpoint in one or some embodiment.

本開示に係る洗浄剤組成物に成分A−1及び成分A−2以外の成分Aが含まれる場合、成分Aに対するその含有量(複数種類の場合は合計の含有量)は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上を阻害しない観点から、好ましくは10質量%以下、より好ましくは7.0質量%以下、さらに好ましくは6.0質量%以下、よりさらに好ましくは4.0質量%以下、よりさらに好ましくは2.0質量%以下である。   When component A other than component A-1 and component A-2 is included in the cleaning composition according to the present disclosure, the content thereof relative to component A (the total content in the case of multiple types) is one or more. In the embodiment, from the viewpoint of not hindering the improvement in cleaning properties with respect to the flux residue remaining in the gap, it is preferably 10% by mass or less, more preferably 7.0% by mass or less, still more preferably 6.0% by mass or less, and still more preferably. Is 4.0 mass% or less, more preferably 2.0 mass% or less.

本開示に係る洗浄剤組成物に成分A−1及び成分A−2以外の成分Aが含まれる場合、洗浄剤組成物中のその含有量(複数種類の場合は合計の含有量)は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上を阻害しない観点から、好ましくは14.6質量%以下、より好ましくは13.0質量%以下、さらに好ましくは11.0質量%以下、さらにより好ましくは10.0質量%以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分A−1及び成分A−2以外の成分Aが含まれる場合、洗浄剤組成物中のその含有量(複数種類の場合は合計の含有量)は、一又は複数の実施形態において、好ましくは0質量%を超え、より好ましくは1.0質量%以上、さらに好ましくは2.0質量%以上、さらにより好ましくは3.0質量%以上である。   When component A other than component A-1 and component A-2 is included in the cleaning composition according to the present disclosure, the content in the cleaning composition (the total content in the case of multiple types) is one. Alternatively, in a plurality of embodiments, from the viewpoint of not impairing the improvement in cleaning properties with respect to the flux residue remaining in the gap, it is preferably 14.6% by mass or less, more preferably 13.0% by mass or less, and further preferably 11.0% by mass. Hereinafter, it is still more preferably 10.0% by mass or less. Moreover, when component A other than component A-1 and component A-2 is contained in the cleaning composition according to the present disclosure, the content in the cleaning composition (the total content in the case of multiple types) is In one or a plurality of embodiments, it is preferably more than 0% by mass, more preferably 1.0% by mass or more, further preferably 2.0% by mass or more, and even more preferably 3.0% by mass or more.

[成分B]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Bは、下記式(I)で表される1又は複数種類のアルカノールアミンである。

Figure 0006202678
[上記式(I)において、Rは水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、炭素数1〜7の炭化水素基又はアミノエチル基、Rは水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基又は炭素数1〜7の炭化水素基、Rはヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。] [Component B]
Component B in the cleaning composition according to the present disclosure is one or more types of alkanolamines represented by the following formula (I).
Figure 0006202678
[In the above formula (I), R 1 represents a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms or an aminoethyl group, R 2 represents a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, or A hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, R 3 is a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group. ]

成分Bのアルカノールアミンとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、並びに、これらのアルキル化物及びアミノアルキル化物が挙げられ、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノエチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンが好ましく、ジエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンがより好ましく、モノメチルジエタノールアミンがより好ましい。   Examples of the alkanolamine of component B include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, and alkylated products and aminoalkylated products thereof in one or a plurality of embodiments. From the viewpoint of, monoethanolamine, diethanolamine, monomethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monoethyldiethanolamine and monoaminoethylisopropanolamine are preferred, diethanolamine, monoethylmonoethanolamine, monomethyl Diethanolamine and monoaminoethylisopropanolamine are more preferred, and monomethyldiethanolamine is preferred. Ri preferred.

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Bの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、0.3質量%以上であり、好ましくは0.5質量%以上、より好ましくは1.0質量%以上、さらに好ましくは1.5質量%以上である。また、成分Bの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、5.0質量%以下であり、好ましくは4.5質量%以下、より好ましくは4.0質量%以下、さらに好ましくは3.5質量%以下である。また、成分Bの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、0.3質量%以上5.0質量%以下であって、好ましくは0.5質量%以上4.5質量%以下、より好ましくは1.0質量%以上4.0質量%以下、さらに好ましくは1.5質量%以上3.5質量%以下である。上述のとおり、成分Bは、上記式(I)で表される単独の化合物であってもよく、上記式(I)で表される複数種類の化合物からなるものであってもよい。   In one or a plurality of embodiments, the content of Component B in the cleaning composition according to the present disclosure is 0.3% by mass or more, preferably 0, from the viewpoint of improving the cleaning property with respect to the flux residue remaining in the gap. 0.5% by mass or more, more preferably 1.0% by mass or more, and further preferably 1.5% by mass or more. In one or more embodiments, the content of component B is 5.0% by mass or less, preferably 4.5% by mass or less, more preferably 4.0% by mass or less, from the same viewpoint. More preferably, it is 3.5 mass% or less. In addition, in one or a plurality of embodiments, the content of Component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less, and preferably 0.5% by mass or more and 4.5% by mass from the same viewpoint. % Or less, more preferably 1.0% by mass or more and 4.0% by mass or less, and further preferably 1.5% by mass or more and 3.5% by mass or less. As described above, the component B may be a single compound represented by the above formula (I) or may be composed of a plurality of types of compounds represented by the above formula (I).

[成分C]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Cは、1又は複数種類のポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤である。ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤としては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、下記式(III)で表されるものが挙げられる。

Figure 0006202678
[式(III)において、Rは炭素数8から18の炭化水素基、EOはエチレンオキシ基、n及びmは、それぞれ、EOの平均付加モル数を示す。] [Component C]
Component C in the cleaning composition according to the present disclosure is one or a plurality of polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactants. In one or a plurality of embodiments, the polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant is represented by the following formula (III) from the viewpoint of improving the cleaning performance and rinsing performance of the flux residue remaining in the gap. Is mentioned.
Figure 0006202678
[In the formula (III), R 4 represents a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms, EO represents an ethyleneoxy group, and n and m represent the average added mole number of EO, respectively. ]

上記式(III)において、Rは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、炭素数8以上、好ましくは炭素数10以上の炭化水素基であり、炭素数18以下、好ましくは炭素数14以下の炭化水素基である。n+mは、同様の観点から、好ましくは2以上10以下、より好ましくは3以上6以下である。 In the above formula (III), R 4 is a hydrocarbon group having 8 or more carbon atoms, preferably 10 or more carbon atoms, and 18 carbon atoms from the viewpoints of improving the cleaning property and rinsing properties for the flux residue remaining in the gap. Hereinafter, it is preferably a hydrocarbon group having 14 or less carbon atoms. From the same viewpoint, n + m is preferably 2 or more and 10 or less, more preferably 3 or more and 6 or less.

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Cの含有量は、一又は複数の実施形態において、0.1質量%以上5.0質量%以下であり、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力及びすすぎ性を向上させる観点から、好ましくは0.2質量%以上、より好ましくは0.3質量%以上であり、さらに好ましくは0.5質量%以上、そして、同様の観点から、好ましくは4.5質量%以下、より好ましくは4.0質量%以下、さらに好ましくは3.0質量%以下である。   In one or a plurality of embodiments, the content of component C in the cleaning composition according to the present disclosure is 0.1% by mass or more and 5.0% by mass or less, and the cleaning power and the rinse with respect to the flux residue remaining in the gap From the viewpoint of improving the property, it is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, further preferably 0.5% by mass or more, and from the same viewpoint, preferably 4.5% or more. It is not more than mass%, more preferably not more than 4.0 mass%, still more preferably not more than 3.0 mass%.

[成分D]
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Dは、水である。水は、蒸留水、イオン交換水、又は超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Dの含有量は、一又は複数の実施形態において、引火性を低減する観点から、好ましくは5.0質量%以上、より好ましくは5.5質量%以上、さらに好ましくは6.5質量%以上である。また、成分Dの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは10.0質量%以下、より好ましくは9.0質量%以下、さらに好ましくは8.0質量%以下である。成分Dの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点及び引火性を低減する観点から、好ましくは5.0質量%以上10.0質量%以下、より好ましくは5.5質量%以上9.0質量%以下、さらに好ましくは6.5質量%以上8.0質量%以下である。
[Component D]
Component D in the cleaning composition according to the present disclosure is water. As the water, distilled water, ion-exchanged water, ultrapure water, or the like can be used. In one or more embodiments, the content of Component D in the cleaning composition according to the present disclosure is preferably 5.0% by mass or more, more preferably 5.5% by mass or more, from the viewpoint of reducing flammability. More preferably, it is 6.5% by mass or more. In addition, in one or a plurality of embodiments, the content of the component D is preferably 10.0% by mass or less, more preferably 9.0% by mass or less, from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. More preferably, it is 8.0 mass% or less. In one or a plurality of embodiments, the content of component D is preferably 5.0% by mass or more and 10.0% by mass from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap and reducing flammability. In the following, it is more preferably 5.5% by mass or more and 9.0% by mass or less, and further preferably 6.5% by mass or more and 8.0% by mass or less.

成分Aと成分Dの質量比〔A/D〕は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは10.0以上、より好ましくは11.0以上、さらに好ましくは12.0以上である。成分Aと成分Dの質量比〔A/D〕は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点及び引火点を下げて安全性を向上する観点から、好ましくは19.0以下、より好ましくは17.0以下、さらに好ましくは14.0以下である。   In one or a plurality of embodiments, the mass ratio [A / D] of component A and component D is preferably 10.0 or more, more preferably 11.0, from the viewpoint of improving detergency against the flux residue remaining in the gap. As mentioned above, More preferably, it is 12.0 or more. In one or a plurality of embodiments, the mass ratio [A / D] of component A and component D is preferably from the viewpoint of improving the detergency for the flux residue remaining in the gap and improving the safety by lowering the flash point. Is 19.0 or less, more preferably 17.0 or less, and still more preferably 14.0 or less.

本開示に係る洗浄剤組成物において成分A、B及びCの質量比(成分A/成分B/成分C、ただし、成分A、成分B及び成分Cの合計は100.0)は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣に対する洗浄力の向上の点から、好ましくは89.0〜99.6/0.3〜5.5/0.1〜5.5、より好ましくは90.0〜99.3/0.5〜5.0/0.2〜5.0、さらに好ましくは91.0〜98.7/1.0〜4.5/0.3〜4.5、特に好ましくは93.0〜97.9/1.6〜3.8/0.5〜3.2である。   In the cleaning composition according to the present disclosure, the mass ratio of components A, B, and C (component A / component B / component C, where the total of component A, component B, and component C is 100.0) is one or more. In the embodiment, from the viewpoint of improving the detergency against the flux residue, preferably 89.0 to 99.6 / 0.3 to 5.5 / 0.1 to 5.5, more preferably 90.0 to 99. .3 / 0.5 to 5.0 / 0.2 to 5.0, more preferably 91.0 to 98.7 / 1.0 to 4.5 / 0.3 to 4.5, particularly preferably 93 0.0-97.9 / 1.6-3.8 / 0.5-3.2.

[洗浄剤組成物のその他の成分]
本開示に係る洗浄剤組成物において成分A、B、C及びDの総含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、98.0質量%以上100質量%以下であることが好ましく、より好ましくは99.0質量%以上100質量%以下、さらに好ましくは99.5質量%以上100質量%以下、さらにより好ましくは99.7質量%以上100質量%以下である。したがって、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分A、B、C及びD以外のその他の成分の含有量は、好ましくは0質量%以上2.0質量%以下、より好ましくは0質量%以上1.0質量%以下、さらに好ましくは0質量%以上0.3質量%以下、さらにより好ましくは0質量%以上0.1質量%以下である。
[Other components of cleaning composition]
In the cleaning composition according to the present disclosure, the total content of components A, B, C, and D is 98.0 masses in one or a plurality of embodiments from the viewpoint of improving the cleaning power against the flux residue remaining in the gap. % To 100% by mass, more preferably 99.0% to 100% by mass, still more preferably 99.5% to 100% by mass, and even more preferably 99.7% by mass or more. 100% by mass or less. Therefore, in one or a plurality of embodiments, the cleaning composition according to the present disclosure preferably has a content of other components other than components A, B, C, and D of 0% by mass or more and 2.0% by mass or less. More preferably, it is 0 mass% or more and 1.0 mass% or less, More preferably, it is 0 mass% or more and 0.3 mass% or less, More preferably, it is 0 mass% or more and 0.1 mass% or less.

本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、発泡性の抑制の観点から、炭素数が10〜18である不飽和結合を有する又は有さない炭化水素が挙げられる。炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、ドデセン、テトラデセンが挙げられる。   As other components in the cleaning composition according to the present disclosure, in one or a plurality of other embodiments, from the viewpoint of suppression of foaming properties, it has or does not have an unsaturated bond having 10 to 18 carbon atoms. A hydrocarbon is mentioned. Examples of the hydrocarbon in one or more embodiments include dodecene and tetradecene from the same viewpoint.

本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、炭素数8〜18の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールエーテル型非イオン界面活性剤が挙げられる。具体的には下記式(IV)で表される非イオン界面活性剤が挙げられる。炭化水素基は、好ましくはアルキル基及びアルケニル基、より好ましくはアルキル基である。

Figure 0006202678
[式(IV)において、Rは炭素数8から18の炭化水素基、EOはエチレンオキシ基、POはプロピレンオキシ基を示す。p、q、及びrは、それぞれ、EO、POの平均付加モル数を示し、それぞれ、0〜15の数であって、p及びrは同時に0とならず、かつ、q>0の場合はq≦p+r≦30、q=0の場合はr=0である。] As other components in the cleaning composition according to the present disclosure, in one or a plurality of other embodiments, a polyalkylene glycol ether type nonionic surfactant having a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms may be mentioned. Specific examples include nonionic surfactants represented by the following formula (IV). The hydrocarbon group is preferably an alkyl group and an alkenyl group, more preferably an alkyl group.
Figure 0006202678
[In the formula (IV), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms, EO represents an ethyleneoxy group, and PO represents a propyleneoxy group. p, q, and r represent the average added moles of EO and PO, respectively, and are each a number from 0 to 15, p and r are not simultaneously 0, and q> 0 When q ≦ p + r ≦ 30 and q = 0, r = 0. ]

さらなるその他の成分として、本開示に係る洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ2酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、シリコーン系消泡剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等を適宜併用することができる。   As yet another component, the cleaning composition according to the present disclosure is used in a normal cleaning agent as needed, as long as the effects of the present disclosure are not impaired, hydroxyethylaminoacetic acid, hydroxyethyliminodiacetic acid, ethylenediamine. Compounds having chelating power such as aminocarboxylates such as tetraacetic acid, preservatives, rust preventives, bactericides, antibacterial agents, silicone antifoaming agents, antioxidants, esters or alcohols such as palm fatty acid methyl and benzyl acetate Etc. can be used together as appropriate.

[洗浄剤組成物の調製方法]
本開示における洗浄剤組成物の調製方法は、何ら制限されず、成分A、成分B、成分C及び成分Dを混合することによって調製できる。
[Method for preparing cleaning composition]
The preparation method of the cleaning composition in this indication is not restrict | limited at all, It can prepare by mixing the component A, the component B, the component C, and the component D.

[洗浄剤組成物のpH]
本開示に係る洗浄剤組成物のpHは、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、pH8以上pH14以下が好ましい。pHは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分B以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
[PH of cleaning composition]
In one or a plurality of embodiments, the pH of the cleaning composition according to the present disclosure is preferably pH 8 or more and pH 14 or less from the viewpoint of improving the cleaning power against the flux residue remaining in the gap. If necessary, the pH is adjusted with inorganic acids such as nitric acid and sulfuric acid, organic acids such as oxycarboxylic acid, polyvalent carboxylic acid, aminopolycarboxylic acid and amino acid, and metal salts and ammonium salts thereof, ammonia, sodium hydroxide and water. It can adjust by mix | blending basic substances other than component B, such as potassium oxide and an amine, with a desired quantity suitably.

[フラックス残渣の洗浄方法]
本開示は、その他の態様において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する(以下、本開示に係る洗浄方法ともいう)。本開示に係る洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法や、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法(シャワー方式)などが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛(Pb)フリー半田であることが好ましい。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波としては、一又は複数の実施形態において、26〜72Hz、80〜1500Wが好ましく、36〜72Hz、80〜1500Wがより好ましい。
[Flux residue cleaning method]
In another aspect, the present disclosure relates to a solder flux residue cleaning method (hereinafter referred to as a cleaning method according to the present disclosure), including bringing a cleaning target having reflowed solder into contact with the cleaning composition according to the present disclosure. Also called). In one or a plurality of embodiments, a cleaning method according to the present disclosure includes a step of cleaning an object to be cleaned having reflowed solder with the cleaning composition according to the present disclosure. In one or a plurality of embodiments, an ultrasonic cleaning apparatus is used as a method of bringing the cleaning composition according to the present disclosure into contact with an object to be cleaned or a method of cleaning the object with the cleaning composition according to the present disclosure. The method of making it contact in the bathtub of this, the method of injecting a cleaning composition in a spray form and making it contact (shower system), etc. are mentioned. In one or a plurality of embodiments, the cleaning composition according to the present disclosure can be used for cleaning without being diluted. It is preferable that the cleaning method of the present disclosure includes a step of bringing an object to be cleaned into contact with the cleaning composition, rinsing with water, and drying. With the cleaning method of the present disclosure, it is possible to efficiently clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered parts. The solder is preferably lead (Pb) -free solder from the standpoint of a significant effect of cleaning performance and penetration into a narrow gap by the cleaning method of the present disclosure. In one or a plurality of embodiments, the cleaning method of the present disclosure is superfluous when the cleaning composition according to the present disclosure and the object to be cleaned are in contact with each other because the cleaning power of the cleaning composition according to the present disclosure is easily exhibited. It is preferable to irradiate a sound wave, and it is more preferable that the ultrasonic wave is relatively strong. As said ultrasonic wave, in one or some embodiment, 26-72Hz and 80-1500W are preferable, and 36-72Hz and 80-1500W are more preferable.

[被洗浄物]
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、電子部品の洗浄に使用される。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられ、その他の一又は複数の実施形態において、部品が半田付けされた電子部品の製造中間物が挙げられ、或いは、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む製造中間物が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、回路基板上にフラックスを使用した半田付けにより半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板などが搭載された物を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品(半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板など)との間に形成される空間であって、その高さ(部品間の距離)が、例えば、5〜500μm、10〜250μm、或いは20〜100μmの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極(ランド)の大きさや間隔に依存する。
[To be cleaned]
In one or a plurality of embodiments, the cleaning composition according to the present disclosure is used for cleaning electronic components. The object to be cleaned includes an object to be cleaned having reflowed solder in one or a plurality of embodiments, and in one or a plurality of embodiments, an intermediate for manufacturing an electronic component to which a component is soldered is used. Or a production intermediate containing a flux residue in the gap between the soldered parts. The manufacturing intermediate is an intermediate product in a manufacturing process of an electronic component including a semiconductor package or a semiconductor device, and for example, a semiconductor chip, a chip-type capacitor, a circuit board, etc. by soldering using a flux on a circuit board Including those equipped with. The gap in the object to be cleaned is, for example, a space formed between a circuit board and a component (semiconductor chip, chip capacitor, circuit board, etc.) soldered and mounted on the circuit board. The height (distance between components) refers to a space of, for example, 5 to 500 μm, 10 to 250 μm, or 20 to 100 μm. The width and depth of the gap depend on the size and interval of the components to be mounted and the electrodes (lands) on the circuit board.

[電子部品の製造方法]
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、及び、本開示の洗浄方法により前記搭載物を洗浄する工程を含む。フラックスを使用した半田付けは、一又は複数の実施形態において、鉛(Pb)フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。また、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
[Method of manufacturing electronic parts]
A method of manufacturing an electronic component according to the present disclosure includes a step of mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux, and A step of cleaning the mounted object by the cleaning method of the present disclosure; In one or a plurality of embodiments, soldering using a flux is performed with lead (Pb) -free solder, and may be a reflow method or a flow method. The electronic component includes a semiconductor package in which no semiconductor chip is mounted, a semiconductor package in which a semiconductor chip is mounted, and a semiconductor device. In the electronic component manufacturing method of the present disclosure, by performing the cleaning method of the present disclosure, the flux residue remaining in the gap between the soldered components is reduced, and a short circuit between the electrodes due to the residual flux residue is achieved. In addition, it is possible to manufacture highly reliable electronic components because adhesion failure is suppressed. Further, by performing the cleaning method of the present disclosure, it becomes easy to clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered components, so that the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of electronic components can be improved.

本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。   The present disclosure further relates to one or more of the following embodiments.

<1> ジエチレングリコールモノブチルエーテル(成分A−1)、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(成分A−2)、下記式(I)で表される化合物(成分B)、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤(成分C)、及び、水(成分D)を含有し、成分A−1の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下、成分A−2の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下であり、成分Bの含有量が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、及び、成分Cの含有量が、0.1質量%以上5.0質量%以下である、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。

Figure 0006202678
[上記式(I)において、Rは水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、炭素数1〜7の炭化水素基又はアミノエチル基、Rは水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基又は炭素数1〜7の炭化水素基、Rはヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。] <1> Diethylene glycol monobutyl ether (component A-1), diethylene glycol monohexyl ether (component A-2), a compound represented by the following formula (I) (component B), a polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant (Component C) and water (Component D) are contained, the content of Component A-1 is 40.0% by mass or more and 54.6% by mass or less, and the content of Component A-2 is 40.0%. The content of component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less, and the content of component C is 0.1% by mass or more and 5% by mass or less. A cleaning composition for removing solder flux residue, which is 0.0 mass% or less.
Figure 0006202678
[In the above formula (I), R 1 represents a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms or an aminoethyl group, R 2 represents a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, or A hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, R 3 is a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group. ]

<2> 前記洗浄剤組成物における成分A−1の含有量が、好ましくは40.0質量%以上、より好ましくは41.0質量%以上、さらに好ましくは42.0質量%以上、さらにより好ましくは43.0質量%以上である、<1>記載の洗浄剤組成物。
<3> 前記洗浄剤組成物における成分A−1の含有量が、好ましくは54.6質量%以下、より好ましくは47.3質量%以下、さらに好ましくは46.5質量%以下、さらにより好ましくは45.5質量%以下、さらにより好ましくは45.0質量%以下である、<1>又は<2>に記載の洗浄剤組成物。
<4> 前記洗浄剤組成物における成分A−1の含有量が、好ましくは40.0質量%以上47.3質量%以下、より好ましくは41.0質量%以上46.5質量%以下、さらに好ましくは42.0質量%以上45.5質量%以下、さらにより好ましくは43.0質量%以上45.0質量%以下である、<1>から<3>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<5> 前記洗浄剤組成物における成分A−2の含有量が、好ましくは40.0質量%以上、より好ましくは41.0質量%以上、さらに好ましくは42.0質量%以上、さらにより好ましくは43.0質量%以上である、<1>から<4>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<6> 前記洗浄剤組成物における成分A−2の含有量が、好ましくは54.6質量%以下、より好ましくは47.3質量%以下、さらに好ましくは46.5質量%以下、さらにより好ましくは45.5質量%以下、さらにより好ましくは45.0質量%以下である、<1>から<5>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<7> 前記洗浄剤組成物における成分A−2の含有量が、好ましくは40.0質量%以上47.3質量%以下、より好ましくは41.0質量%以上46.5質量%以下、さらに好ましくは42.0質量%以上45.5質量%以下、さらにより好ましくは43.0質量%以上45.0質量%以下である、<1>から<6>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<8> 前記洗浄剤組成物における成分A−1と成分A−2との含有量比(A−1/A−2、質量比)が、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.9以上である、<1>から<7>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<9> 前記洗浄剤組成物における成分A−1と成分A−2との含有量比(A−1/A−2、質量比)が、好ましくは1.4以下、より好ましくは1.2以下、さらに好ましくは1.1以下である、<1>から<8>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<10> 前記洗浄剤組成物における成分A−1と成分A−2との含有量比が、好ましくは0.7以上1.4以下、より好ましくは0.9以上1.2以下、さらに好ましくは0.9以上1.1以下である、<1>から<8>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<11> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2の含有量が、好ましくは80.0質量%以上、より好ましくは82.0質量%以上、さらに好ましくは84.0質量%以上、よりさらに好ましくは86.0質量%以上、よりさらに好ましくは87.0質量%以上である、<1>から<10>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<12> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2の含有量が、好ましくは94.6質量%以下、より好ましくは93.0質量%以下、さらに好ましくは91.0質量%以下、よりさらに好ましくは90.0質量%以下、よりさらに好ましくは89.0質量%以下である、<1>から<11>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<13> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2の含有量が、好ましくは82.0質量%以上93.0質量%以下、より好ましくは84.0質量%以上91.0質量%以下、さらに好ましくは86.0質量%以上90.0質量%以下、よりさらに好ましくは87.0質量%以上89.0質量%以下である、<1>から<12>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<14> 前記洗浄剤組成物が、成分A−1及び成分A−2を含む下記式(II)で表される(ポリ)エチレングリコールモノアルキルエーテル(成分A)を含有する、<1>から<13>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。

Figure 0006202678
[式(II)において、Rは炭素数3〜7の炭化水素基を示し、nは1〜5である。]
<15> 前記洗浄剤組成物における成分Aの含有量が、好ましくは80.0質量%以上、より好ましくは82.0質量%以上、さらに好ましくは84.0質量%以上、さらにより好ましくは86.0質量%以上である、<14>に記載の洗浄剤組成物。
<16> 前記洗浄剤組成物における成分Aの含有量が、好ましくは94.6質量%以下、より好ましくは93.0質量%以下、さらに好ましくは91.0質量%以下、さらにより好ましくは90.0質量%以下である、<14>又は<15>に記載の洗浄剤組成物。
<17> 前記洗浄剤組成物における成分Aの含有量が、好ましくは82.0質量%以上93.0質量%以下、より好ましくは84.0質量%以上91.0質量%以下、さらに好ましくは86.0質量%以上90.0質量%以下である、<14>から<16>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<18> 前記成分Aに対する成分A−1及び成分A−2の合計の含有量が、好ましくは90.0質量%以上、より好ましくは93.0質量%以上、さらに好ましくは94.0質量%以上、さらにより好ましくは96.0質量%以上、さらにより好ましくは98.0質量%以上である、<14>から<17>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<19> 前記成分Aに対する成分A−1及び成分A−2以外の成分Aの合計の含有量が、好ましくは10質量%以下、より好ましくは7.0質量%以下、さらに好ましくは6.0質量%以下、よりさらに好ましくは4.0質量%以下、よりさらに好ましくは2.0質量%以下である、<14>から<18>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<20> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2以外の成分Aの合計の含有量が、好ましくは14.6質量%以下、より好ましくは13.0質量%以下、さらに好ましくは11.0質量%以下、さらにより好ましくは10.0質量%以下である、<14>から<19>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<21> 前記洗浄剤組成物における成分A−1及び成分A−2以外の成分Aの合計の含有量が、好ましくは0質量%を超え、より好ましくは1.0質量%以上、さらに好ましくは2.0質量%以上、さらにより好ましくは3.0質量%以上である、<14>から<20>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<22> 成分Bの含有量が、好ましくは0.3質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1.0質量%以上、さらにより好ましくは1.5質量%以上である、<1>から<21>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<23> 成分Bの含有量が、好ましくは5.0質量%以下、より好ましくは4.5質量%以下、さらに好ましくは4.0質量%以下、さらにより好ましくは3.5質量%以下である、<1>から<22>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<24> 成分Bの含有量が、好ましくは0.5質量%以上4.5質量%以下、より好ましくは1.0質量%以上4.0質量%以下、さらに好ましくは1.5質量%以上3.5質量%以下である、<1>から<23>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<25> 成分Cが、好ましくは下記式(III)で表される、<1>から<24>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
Figure 0006202678
[式(III)において、Rは炭素数8から18の炭化水素基、EOはエチレンオキシ基、n及びmは、それぞれ、EOの平均付加モル数を示す。]
<26> 式(III)において、n+mが、好ましくは2以上10以下、より好ましくは3以上6以下である、<25>記載の洗浄剤組成物。
<27> 成分Cの含有量が、好ましくは0.2質量%以上、より好ましくは0.3質量%以上であり、さらに好ましくは0.5質量%以上である、<1>から<26>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<28> 成分Cの含有量が、好ましくは4.5質量%以下、より好ましくは4.0質量%以下、さらに好ましくは3.0質量%以下である、<1>から<27>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<29> 成分Dの含有量が、好ましくは5.0質量%以上、より好ましくは5.5質量%以上、さらに好ましくは6.5質量%以上である、<1>から<28>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<30> 成分Dの含有量が、好ましくは10.0質量%以下、より好ましくは9.0質量%以下、さらに好ましくは8.0質量%以下である、<1>から<29>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<31> 成分Dの含有量が、好ましくは5.0質量%以上10.0質量%以下、より好ましくは5.5質量%以上9.0質量%以下、さらに好ましくは6.5質量%以上8.0質量%以下である、<1>から<30>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<32> 成分Aと成分Dの質量比〔成分A/成分D〕が、好ましくは10.0以上、より好ましくは11.0以上、さらに好ましくは12.0以上である、<1>から<31>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<33> 成分Aと成分Dの質量比〔成分A/成分D〕が、好ましくは19.0以下、より好ましくは17.0以下、さらに好ましくは14.0以下である、<1>から<32>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<34> 成分A、B及びCの質量比(成分A/成分B/成分C、ただし、成分A、成分B及び成分Cの合計は100.0)が、好ましくは89.0〜99.6/0.3〜5.5/0.1〜5.5、より好ましくは90.0〜99.3/0.5〜5.0/0.2〜5.0、さらに好ましくは91.0〜98.7/1.0〜4.5/0.3〜4.5、さらにより好ましくは93.0〜97.9/1.6〜3.8/0.5〜3.2であり、成分Aと成分Bと成分Cの合計が100.0である、<1>から<33>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<35> さらに、炭化水素及び/又は炭素数8〜18の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールエーテル型非イオン界面活性剤を含む、<1>から<34>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<36> 前記非イオン界面活性剤が、下記式(IV)で表される<35>に記載の洗浄剤組成物。
Figure 0006202678
[式(IV)において、Rは炭素数8から18の炭化水素基、EOはエチレンオキシ基、POはプロピレンオキシ基を示す。p、q、及びrは、それぞれ、EO、POの平均付加モル数を示し、それぞれ、0〜15の数であって、p及びrは同時に0とならず、かつ、q>0の場合はq≦p+r≦30、q=0の場合はr=0である。]
<37> 半田が、鉛(Pb)フリー半田である、<1>から<36>のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
<38> リフローされた半田を有する被洗浄物を<1>から<37>のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
<39> 被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、<38>記載の洗浄方法。
<40> 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を<38>又は<39>記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
<41> <1>から<37>のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。 <2> The content of the component A-1 in the cleaning composition is preferably 40.0% by mass or more, more preferably 41.0% by mass or more, further preferably 42.0% by mass or more, and even more preferably. The cleaning composition according to <1>, wherein is 43.0% by mass or more.
<3> The content of the component A-1 in the cleaning composition is preferably 54.6% by mass or less, more preferably 47.3% by mass or less, further preferably 46.5% by mass or less, and still more preferably. Is 45.5 mass% or less, More preferably, it is 45.0 mass% or less, The cleaning composition as described in <1> or <2>.
<4> The content of the component A-1 in the cleaning composition is preferably 40.0% by mass or more and 47.3% by mass or less, more preferably 41.0% by mass or more and 46.5% by mass or less, and further The cleaning composition according to any one of <1> to <3>, preferably 42.0% by mass or more and 45.5% by mass or less, and more preferably 43.0% by mass or more and 45.0% by mass or less. object.
<5> The content of Component A-2 in the cleaning composition is preferably 40.0% by mass or more, more preferably 41.0% by mass or more, further preferably 42.0% by mass or more, and even more preferably. Is 43.0 mass% or more, The cleaning composition in any one of <1> to <4>.
<6> The content of component A-2 in the cleaning composition is preferably 54.6% by mass or less, more preferably 47.3% by mass or less, further preferably 46.5% by mass or less, and even more preferably. Is 45.5 mass% or less, More preferably, it is 45.0 mass% or less, The cleaning composition in any one of <1> to <5>.
<7> The content of Component A-2 in the cleaning composition is preferably 40.0% by mass or more and 47.3% by mass or less, more preferably 41.0% by mass or more and 46.5% by mass or less, and further The cleaning composition according to any one of <1> to <6>, preferably 42.0% by mass or more and 45.5% by mass or less, and more preferably 43.0% by mass or more and 45.0% by mass or less. object.
<8> The content ratio (A-1 / A-2, mass ratio) of Component A-1 and Component A-2 in the cleaning composition is preferably 0.7 or more, more preferably 0.9. The cleaning composition according to any one of <1> to <7>.
<9> The content ratio (A-1 / A-2, mass ratio) of Component A-1 and Component A-2 in the cleaning composition is preferably 1.4 or less, more preferably 1.2. The cleaning composition according to any one of <1> to <8>, further preferably 1.1 or less.
<10> The content ratio of Component A-1 to Component A-2 in the cleaning composition is preferably 0.7 or more and 1.4 or less, more preferably 0.9 or more and 1.2 or less, and still more preferably. The cleaning composition according to any one of <1> to <8>, wherein is 0.9 or more and 1.1 or less.
<11> The content of Component A-1 and Component A-2 in the cleaning composition is preferably 80.0% by mass or more, more preferably 82.0% by mass or more, and further preferably 84.0% by mass. As described above, the cleaning composition according to any one of <1> to <10>, more preferably 86.0% by mass or more, and still more preferably 87.0% by mass or more.
<12> The content of Component A-1 and Component A-2 in the cleaning composition is preferably 94.6% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, and further preferably 91.0% by mass. The cleaning composition according to any one of <1> to <11>, more preferably 90.0% by mass or less, and still more preferably 89.0% by mass or less.
<13> The content of Component A-1 and Component A-2 in the cleaning composition is preferably 82.0% by mass or more and 93.0% by mass or less, more preferably 84.0% by mass or more and 91.0%. <1> to <12>, which is not more than mass%, more preferably not less than 86.0 mass% and not more than 90.0 mass%, still more preferably not less than 87.0 mass% and not more than 89.0 mass%. The cleaning composition as described.
<14> The cleaning composition contains (poly) ethylene glycol monoalkyl ether (component A) represented by the following formula (II) including component A-1 and component A-2, from <1>. <13> The cleaning composition according to any one of the above.
Figure 0006202678
[In Formula (II), R shows a C3-C7 hydrocarbon group, and n is 1-5. ]
<15> The content of Component A in the cleaning composition is preferably 80.0% by mass or more, more preferably 82.0% by mass or more, further preferably 84.0% by mass or more, and even more preferably 86. The cleaning composition according to <14>, which is 0.0% by mass or more.
<16> The content of Component A in the cleaning composition is preferably 94.6% by mass or less, more preferably 93.0% by mass or less, still more preferably 91.0% by mass or less, and still more preferably 90%. The cleaning composition according to <14> or <15>, which is 0.0% by mass or less.
<17> The content of Component A in the cleaning composition is preferably 82.0% by mass or more and 93.0% by mass or less, more preferably 84.0% by mass or more and 91.0% by mass or less, and still more preferably. The cleaning composition according to any one of <14> to <16>, which is 86.0% by mass or more and 90.0% by mass or less.
<18> The total content of Component A-1 and Component A-2 with respect to Component A is preferably 90.0% by mass or more, more preferably 93.0% by mass or more, and even more preferably 94.0% by mass. As described above, the cleaning composition according to any one of <14> to <17>, which is more preferably 96.0% by mass or more, and still more preferably 98.0% by mass or more.
<19> The total content of Component A other than Component A-1 and Component A-2 with respect to Component A is preferably 10% by mass or less, more preferably 7.0% by mass or less, and even more preferably 6.0. The cleaning composition according to any one of <14> to <18>, wherein the cleaning composition is at most mass%, more preferably at most 4.0 mass%, even more preferably at most 2.0 mass%.
<20> The total content of component A other than component A-1 and component A-2 in the cleaning composition is preferably 14.6% by mass or less, more preferably 13.0% by mass or less, and still more preferably. Is 11.0 mass% or less, More preferably, it is 10.0 mass% or less, The cleaning composition in any one of <14> to <19>.
<21> The total content of component A other than component A-1 and component A-2 in the cleaning composition is preferably more than 0% by mass, more preferably 1.0% by mass or more, and still more preferably. The cleaning composition according to any one of <14> to <20>, which is 2.0% by mass or more, and more preferably 3.0% by mass or more.
<22> The content of component B is preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1.0% by mass or more, and even more preferably 1.5% by mass or more. The cleaning composition according to any one of <1> to <21>.
<23> The content of component B is preferably 5.0% by mass or less, more preferably 4.5% by mass or less, still more preferably 4.0% by mass or less, and even more preferably 3.5% by mass or less. The cleaning composition according to any one of <1> to <22>.
<24> The content of component B is preferably 0.5% by mass or more and 4.5% by mass or less, more preferably 1.0% by mass or more and 4.0% by mass or less, and further preferably 1.5% by mass or more. The cleaning composition according to any one of <1> to <23>, which is 3.5% by mass or less.
<25> The cleaning composition according to any one of <1> to <24>, wherein component C is preferably represented by the following formula (III).
Figure 0006202678
[In the formula (III), R 4 represents a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms, EO represents an ethyleneoxy group, and n and m represent the average added mole number of EO, respectively. ]
<26> The cleaning composition according to <25>, wherein in formula (III), n + m is preferably 2 or more and 10 or less, more preferably 3 or more and 6 or less.
<27> The content of component C is preferably 0.2% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, and further preferably 0.5% by mass or more, from <1> to <26>. The cleaning composition according to any one of the above.
<28> The content of component C is preferably 4.5% by mass or less, more preferably 4.0% by mass or less, and even more preferably 3.0% by mass or less. Any one of <1> to <27> A cleaning composition according to claim 1.
<29> Any of <1> to <28>, wherein the content of component D is preferably 5.0% by mass or more, more preferably 5.5% by mass or more, and still more preferably 6.5% by mass or more. A cleaning composition according to claim 1.
<30> The content of component D is preferably 10.0% by mass or less, more preferably 9.0% by mass or less, and still more preferably 8.0% by mass or less, and any of <1> to <29> A cleaning composition according to claim 1.
<31> The content of component D is preferably 5.0% by mass or more and 10.0% by mass or less, more preferably 5.5% by mass or more and 9.0% by mass or less, and still more preferably 6.5% by mass or more. The cleaning composition according to any one of <1> to <30>, which is 8.0% by mass or less.
<32> The mass ratio [component A / component D] of component A and component D is preferably 10.0 or more, more preferably 11.0 or more, and even more preferably 12.0 or more, from <1> to <31> The cleaning composition in any one of 31.
<33> The mass ratio [component A / component D] of component A and component D is preferably 19.0 or less, more preferably 17.0 or less, and even more preferably 14.0 or less, from <1> to <1. 32>. The cleaning composition according to any one of 32.
<34> Mass ratio of components A, B and C (component A / component B / component C, where the total of component A, component B and component C is 100.0), preferably 89.0 to 99.6 /0.3 to 5.5 / 0.1 to 5.5, more preferably 90.0 to 99.3 / 0.5 to 5.0 / 0.2 to 5.0, still more preferably 91.0 To 98.7 / 1.0 to 4.5 / 0.3 to 4.5, and even more preferably 93.0 to 97.9 / 1.6 to 3.8 / 0.5 to 3.2. The cleaning composition according to any one of <1> to <33>, wherein the sum of component A, component B, and component C is 100.0.
<35> The cleaning composition according to any one of <1> to <34>, further comprising a polyalkylene glycol ether type nonionic surfactant having a hydrocarbon and / or a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms. object.
<36> The cleaning composition according to <35>, wherein the nonionic surfactant is represented by the following formula (IV).
Figure 0006202678
[In the formula (IV), R 5 represents a hydrocarbon group having 8 to 18 carbon atoms, EO represents an ethyleneoxy group, and PO represents a propyleneoxy group. p, q, and r represent the average added moles of EO and PO, respectively, and are each a number from 0 to 15, p and r are not simultaneously 0, and q> 0 When q ≦ p + r ≦ 30 and q = 0, r = 0. ]
<37> The cleaning composition according to any one of <1> to <36>, wherein the solder is lead (Pb) -free solder.
<38> A method for cleaning a solder flux residue, comprising a step of cleaning an object having reflowed solder with the cleaning composition according to any one of <1> to <37>.
<39> The cleaning method according to <38>, wherein the object to be cleaned is an electronic component manufacturing intermediate in which the component is soldered with solder.
<40> A step of mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux; Or the manufacturing method of an electronic component including the process wash | cleaned by the washing | cleaning method of the flux residue as described in <39>.
<41> Use of the cleaning composition according to any one of <1> to <37> for cleaning electronic parts.

1.洗浄剤組成物の調製(実施例1〜11、比較例1〜13)
下記表1に示す成分A〜D、及び必要に応じてその他の成分(表1)を混合し、実施例1〜11、比較例1〜13の洗浄剤組成物を調製した。下記表1の成分A〜D及びその他の成分の数値は、調製した洗浄剤組成物における含有量(質量%)を示す。
1. Preparation of cleaning composition (Examples 1-11, Comparative Examples 1-13)
Components A to D shown in Table 1 below and other components (Table 1) as necessary were mixed to prepare cleaning compositions of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 13. The numerical values of components A to D and other components in Table 1 below indicate the content (% by mass) in the prepared cleaning composition.

その他の成分として表1において「*1」「*2」「*3」及び「*4」で示されるのは、下記の化合物である。
成分*1:下記式(III)で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、Rが炭素数12の炭化水素基であり、n+mが4のものを使用した。
成分*2:下記式(III)で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、Rが炭素数12の炭化水素基であり、n+mが10のものを使用した。

Figure 0006202678
[式(III)において、EOはエチレンオキシ基、n及びmは、それぞれ、EOの平均付加モル数を示す。] In Table 1, “* 1”, “* 2”, “* 3” and “* 4” are the following compounds as other components.
Component * 1: A polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant represented by the following formula (III), wherein R 4 is a hydrocarbon group having 12 carbon atoms and n + m is 4 was used.
Component * 2: A polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant represented by the following formula (III), wherein R 4 is a hydrocarbon group having 12 carbon atoms and n + m is 10 was used.
Figure 0006202678
[In Formula (III), EO represents an ethyleneoxy group, and n and m represent the average number of moles of EO added, respectively. ]

成分*3:下記式(IV)で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、Rが炭素数12の第2級炭化水素基であり、p=7、q=r=0のものを使用した。
成分*4:下記式(IV)で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、Rが炭素数12又は14の炭化水素基であり、p=5、q=2、r=5のものを使用した。

Figure 0006202678
[式(IV)において、EOはエチレンオキシ基、POはプロピレンオキシ基を示す。p、q、及びrは、それぞれ、EO、POの平均付加モル数を示す。] Component * 3: A polyoxyethyleneoxypropylene alkyl ether type nonionic surfactant represented by the following formula (IV), wherein R 5 is a secondary hydrocarbon group having 12 carbon atoms, p = 7, The one with q = r = 0 was used.
Component * 4: A polyoxyethyleneoxypropylene alkyl ether type nonionic surfactant represented by the following formula (IV), wherein R 5 is a hydrocarbon group having 12 or 14 carbon atoms, p = 5, q = 2 and r = 5 were used.
Figure 0006202678
[In the formula (IV), EO represents an ethyleneoxy group and PO represents a propyleneoxy group. p, q, and r show the average added mole number of EO and PO, respectively. ]

2.洗浄剤組成物の評価
調製した実施例1〜11、比較例1〜13の洗浄剤組成物を用いてテスト基板の洗浄性(洗浄性1及び2)、ガラス毛細管試験、すすぎ性、プレリンスの油水分離性、並びに安全性(引火点)について試験を行い、評価した。その結果を表1に示す。
2. Evaluation of Cleaning Composition Using the prepared cleaning compositions of Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 13, test substrate cleaning properties (cleaning properties 1 and 2), glass capillary test, rinsing properties, pre-rinse oil water Tests were conducted and evaluated for separability and safety (flash point). The results are shown in Table 1.

[洗浄性試験(洗浄性1)]
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
〔テスト基板〕
チップコンデンサ(0816)を10個搭載したテスト基板(50mm×50mm、チップコンデンサと基板の隙間は約50μm)を用いた。ソルダーペーストには鉛フリーのエコソルダーM705−BPS(千住金属工業(株)製)、リフロー炉にはエコリフローSNR825(千住金属工業(株)製)を用い、リフローピーク温度240℃、半田溶融時間45秒、窒素雰囲気下(酸素濃度100ppm)で半田接続した。
〔洗浄方法〕
60℃水浴内で加温した(i)各洗浄剤組成物を満たした1Lビーカー、(ii)プレリンス用のイオン交換水を満たした1Lビーカー、(iii)仕上げリンス用のイオン交換水を満たした1Lビーカーを用意する。(i)にテスト基板を浸漬し超音波(40kHz、600W)を5分間照射して洗浄、次いで(ii)にテスト基板を浸漬し、超音波(40kHz、600W)を5分間照射してプレリンス、次いで(iii)にテスト基板を浸漬し、超音波(40kHz、600W)を5分間照射して仕上げリンスを行い、送風乾燥機(85℃、15分)で乾燥した。
なお、使用する各洗浄剤組成物及びリンス用イオン交換水は60℃に加温した。
〔洗浄性の評価〕
乾燥後のテスト基板からチップコンデンサを剥離し、光学顕微鏡にてフラックス残渣の残存有無を確認した。評価基準は以下の通り。その結果を表1の「洗浄性1」の欄に示す。
A:10個中残渣あるものゼロ
B:10個中残渣あるもの1個
C:10個中残渣あるもの2個以上
[Cleanability test (cleanability 1)]
A detergency test was performed to clean the test substrate under the following conditions.
[Test board]
A test substrate (50 mm × 50 mm, the gap between the chip capacitor and the substrate was about 50 μm) on which ten chip capacitors (0816) were mounted was used. Lead-free Eco Solder M705-BPS (Senju Metal Industry Co., Ltd.) is used for the solder paste, Eco Reflow SNR825 (Senju Metal Industry Co., Ltd.) is used for the reflow furnace, reflow peak temperature 240 ° C., solder melting time Solder connection was performed in a nitrogen atmosphere (oxygen concentration: 100 ppm) for 45 seconds.
[Cleaning method]
(I) 1 L beaker filled with each cleaning composition, (ii) 1 L beaker filled with ion exchange water for pre-rinsing, and (iii) ion exchange water for finishing rinse. Prepare a 1L beaker. The test substrate is immersed in (i) and cleaned by irradiating with ultrasonic waves (40 kHz, 600 W) for 5 minutes, and then the test substrate is immersed in (ii) and irradiated with ultrasonic waves (40 kHz, 600 W) for 5 minutes for pre-rinsing, Next, the test substrate was immersed in (iii), subjected to a final rinse by irradiating with ultrasonic waves (40 kHz, 600 W) for 5 minutes, and dried with a blow dryer (85 ° C., 15 minutes).
In addition, each detergent composition to be used and ion-exchange water for rinses were heated at 60 degreeC.
[Evaluation of cleanability]
The chip capacitor was peeled from the dried test substrate, and the presence or absence of residual flux residue was confirmed with an optical microscope. The evaluation criteria are as follows. The results are shown in the column “Detergency 1” in Table 1.
A: There is a residue in 10 pieces Zero B: 1 piece with 10 pieces of residue C: Two pieces or more with 10 pieces of residue

[洗浄性試験(洗浄性2)]
上記洗浄性試験(洗浄性1)と同様の方法で、洗浄時間、プレリンス時間及び仕上げリンス時間をそれぞれ1分間に短くして評価した。その結果を表1の「洗浄性2」の欄に示す。
[Cleanability test (cleanability 2)]
In the same manner as in the cleaning property test (cleaning property 1), the cleaning time, pre-rinsing time and finishing rinsing time were each shortened to 1 minute for evaluation. The results are shown in the column “Detergency 2” in Table 1.

[ガラス毛細管試験]
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーM705−BPS(千住金属工業(株)製)を250℃、30分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。DRUMMOND製ガラスキャップ(ガラス毛細管)(長さ32mm、内径140μm)に上記方法にて作成したフラックス残渣を充填し一方の開口部を封止して試験片を作成した。100mLビーカーに各洗浄剤組成物及びすすぎ用イオン交換水を各100g加え60℃に加温する。試験片を各洗浄剤組成物に浸漬し超音波(40kHz、200W)を5分間照射後、すすぎ用イオン交換水に移し超音波(40kHz、200W)を5分間照射後取り出した。取り出した試験片を光学顕微鏡にて観察し、開口部から溶解したフラックス残渣の距離を測定し、5点の平均値を算出した。フラックス残渣が溶解した距離が長いほど溶解速度が速く洗浄性が良いと評価できる。その結果を表1に示す。
[Glass capillary test]
Under a nitrogen atmosphere, Eco Solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is heated on a copper plate at 250 ° C. for 30 minutes to separate and collect a liquid flux residue. A DRUMOND glass cap (glass capillary tube) (length: 32 mm, inner diameter: 140 μm) was filled with the flux residue prepared by the above method, and one of the openings was sealed to prepare a test piece. Add 100 g of each cleaning composition and ion exchange water for rinsing to a 100 mL beaker and heat to 60 ° C. The test piece was immersed in each cleaning composition, irradiated with ultrasonic waves (40 kHz, 200 W) for 5 minutes, then transferred to ion-exchange water for rinsing, and extracted after being irradiated with ultrasonic waves (40 kHz, 200 W) for 5 minutes. The taken-out test piece was observed with the optical microscope, the distance of the flux residue melt | dissolved from the opening part was measured, and the average value of 5 points | pieces was computed. It can be evaluated that the longer the distance at which the flux residue is dissolved, the faster the dissolution rate and the better the detergency. The results are shown in Table 1.

[すすぎ性]
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーM705−BPS(千住金属工業(株)製)を250℃、30分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。このフラックス残渣を各洗浄剤組成物と混合し1質量%の混合液を作成した。角カバーグラス(18mm×18mm、松浪硝子工業(株)製)に上記方法にて作成した混合液を約0.1g滴下し、その上にもう一枚の角カバーグラスを重ね、クリップ(口幅19mm、コクヨ(株)製)で一辺を挟み固定し試験片を作成した。100mLビーカーにすすぎ用イオン交換水を100g加え60℃に加温する。試験片をピンセットで保持してすすぎ用イオン交換水に上下に10回揺動しながら1分間浸漬し、取り出す。取り出した試験片を真空乾燥機(120℃、15分)で乾燥した。試験片を観察し、角カバーグラス間に残存物がなくなるまでのすすぎ回数を数えた。すすぎ回数が少ないほどすすぎ性が良いと評価できる。その結果を表1に示す。なお、5回ですすげないものは「>5」とした。
[Rinse]
Under a nitrogen atmosphere, Eco Solder M705-BPS (manufactured by Senju Metal Industry Co., Ltd.) is heated on a copper plate at 250 ° C. for 30 minutes to separate and collect a liquid flux residue. This flux residue was mixed with each cleaning composition to prepare a 1% by mass mixed solution. About 0.1 g of the mixed liquid prepared by the above method is dropped on a square cover glass (18 mm × 18 mm, manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd.), and another square cover glass is overlaid thereon, and a clip (mouth width) A test piece was prepared by sandwiching and fixing one side with 19 mm, manufactured by KOKUYO. Add 100 g of rinsing ion exchange water to a 100 mL beaker and heat to 60 ° C. The test piece is held with tweezers and immersed in ion-exchange water for rinsing 10 times up and down for 1 minute and taken out. The taken-out test piece was dried with the vacuum dryer (120 degreeC, 15 minutes). The test piece was observed and the number of times of rinsing until no residue remained between the square cover glasses was counted. It can be evaluated that the smaller the number of rinses, the better the rinsing properties. The results are shown in Table 1. In addition, “> 5” was set for items that could not be used 5 times.

[プレリンスの油水分離性]
洗浄剤組成物で洗浄した後の水によるリンス工程で生じる、洗浄剤組成物を含むリンス廃液を想定し各洗浄剤組成物をイオン交換水で10倍希釈した。分離処理する温度での油水分離性を確認するために、この希釈液の60℃で1時間静置後の相分離の状態を観察した。各洗浄剤組成物の相分離の状態により、以下のように評価した。2相分離が良好であれば、プレリンスに用いた廃液を油相と水相を分離することで、水相を再び洗浄剤の希釈用に使用して、洗浄剤の希釈に使用する新たな水の量とプレリンス液の廃液の量とを低減できる。
A:2相に分離し、下相が透明
B:2相に分離し、下相が白濁
C:2相に分離しない
[Preliminary oil-water separation]
Each rinse composition was diluted 10 times with ion-exchanged water, assuming a rinse waste liquid containing the cleanser composition, which is generated in the rinse process with water after being washed with the detergent composition. In order to confirm the oil / water separation property at the temperature for the separation treatment, the state of phase separation after standing at 60 ° C. for 1 hour of this diluted solution was observed. Depending on the state of phase separation of each cleaning composition, evaluation was performed as follows. If the two-phase separation is good, the waste liquid used for pre-rinsing is separated into an oil phase and an aqueous phase, so that the aqueous phase is used again for diluting the cleaning agent and new water used for diluting the cleaning agent. And the amount of waste liquid of pre-rinsing liquid can be reduced.
A: Separate into two phases, lower phase is transparent B: separate into two phases, lower phase is cloudy C: not separated into two phases

[安全性]
各洗浄剤組成物の引火点により、以下のように評価した。なお、水の沸点の100℃において引火すると火災となる危険性が高くなる。水の沸点より10℃高い110℃を基準に引火点により安全性を評価した。その結果を表1に示す。
A:引火点が110℃以上
B:引火点が110℃未満
[safety]
It evaluated as follows by the flash point of each cleaning composition. In addition, when it ignites at 100 degreeC of the boiling point of water, the danger of becoming a fire will become high. Safety was evaluated by the flash point based on 110 ° C., which is 10 ° C. higher than the boiling point of water. The results are shown in Table 1.
A: Flash point is 110 ° C or higher B: Flash point is lower than 110 ° C

Figure 0006202678
Figure 0006202678

上記表1に示すとおり、実施例1〜11の洗浄剤組成物は、比較例1〜4、6、8〜13の洗浄剤組成物と比べて優れた洗浄性を示し、かつ、ガラス毛細管試験の結果(浸透性)及びすすぎ性も概ね優れた結果を示した。また、実施例1〜11の洗浄剤組成物は、比較例5及び7の洗浄剤組成物よりも油水分離性の点が優れていた。また、比較例9は、実施例1〜11と比べて洗浄性、ガラス毛細管試験及びすすぎ性で劣る結果となったが、比較例9でトリエタノールアミンをジエタノールアミンに置き換えても、評価結果はほとんど変わらないと考えられる。   As shown in Table 1 above, the cleaning compositions of Examples 1 to 11 showed excellent cleaning properties compared to the cleaning compositions of Comparative Examples 1 to 4, 6, and 8 to 13, and the glass capillary test. The results (permeability) and rinsing properties were generally excellent. In addition, the cleaning compositions of Examples 1 to 11 were superior in oil / water separation properties to the cleaning compositions of Comparative Examples 5 and 7. Further, Comparative Example 9 was inferior in cleaning properties, glass capillary test and rinsing properties as compared with Examples 1 to 11. However, even if triethanolamine was replaced with diethanolamine in Comparative Example 9, the evaluation results were almost no. It is thought that it does not change.

本開示を用いることにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。   By using the present disclosure, it is possible to satisfactorily clean the flux residue remaining in the gaps between the soldered components. For example, the flux residue cleaning process in the electronic component manufacturing process can be shortened and the electronic component to be manufactured. The performance and reliability of the semiconductor device can be improved, and the productivity of the semiconductor device can be improved.

Claims (8)

ジエチレングリコールモノブチルエーテル(成分A−1)、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(成分A−2)、下記式(I)で表される化合物(成分B)、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤(成分C)、及び、水(成分D)を含有し、
成分A−1の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下、成分A−2の含有量が、40.0質量%以上54.6質量%以下であり、
成分Bの含有量が、0.3質量%以上5.0質量%以下であり、及び、
成分Cの含有量が、0.1質量%以上5.0質量%以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。
Figure 0006202678
[上記式(I)において、Rは水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、炭素数1〜7の炭化水素基又はアミノエチル基、Rは水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基又は炭素数1〜7の炭化水素基、Rはヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。]
Diethylene glycol monobutyl ether (component A-1), diethylene glycol monohexyl ether (component A-2), a compound represented by the following formula (I) (component B), polyalkylene glycol alkylamine type nonionic surfactant (component C) ) And water (component D),
The content of Component A-1 is 40.0% by mass or more and 54.6% by mass or less, and the content of Component A-2 is 40.0% by mass or more and 54.6% by mass or less.
The content of component B is 0.3% by mass or more and 5.0% by mass or less, and
The content of component C is 0.1% by mass or more and 5.0% by mass or less.
A cleaning composition for removing solder flux residue.
Figure 0006202678
[In the above formula (I), R 1 represents a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms or an aminoethyl group, R 2 represents a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, or A hydrocarbon group having 1 to 7 carbon atoms, R 3 is a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group. ]
成分Dの含有量が、5.0質量%以上10.0質量%以下である、請求項1記載の洗浄剤組成物。   The cleaning composition of Claim 1 whose content of the component D is 5.0 mass% or more and 10.0 mass% or less. 成分A−1と成分A−2の合計の含有量が、80.0質量%以上94.6質量%以下である、請求項1又は2に記載の洗浄剤組成物。   The cleaning composition of Claim 1 or 2 whose total content of component A-1 and component A-2 is 80.0 mass% or more and 94.6 mass% or less. さらに、炭化水素及び/又は炭素数8〜18の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールエーテル型非イオン界面活性剤を含む請求項1から3のいずれかに記載の洗浄剤組成物。   Furthermore, the cleaning composition in any one of Claim 1 to 3 containing the polyalkylene glycol ether type nonionic surfactant which has a hydrocarbon and / or a C8-C18 hydrocarbon group. リフローされた半田を有する被洗浄物を請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。   A method for cleaning a solder flux residue, comprising a step of cleaning an object to be cleaned having reflowed solder with the cleaning composition according to any one of claims 1 to 4. 被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、請求項5記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 5, wherein the object to be cleaned is a manufacturing intermediate of an electronic component in which the component is soldered. 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも1つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を請求項5又は6記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。   7. The process of mounting at least one component selected from the group consisting of a semiconductor chip, a chip-type capacitor, and a circuit board on the circuit board by soldering using a flux, and the mounted object according to claim 5 or 6. The manufacturing method of an electronic component including the process wash | cleaned with the washing | cleaning method of the flux residue of. 請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。   Use of the cleaning composition according to any one of claims 1 to 4 for cleaning electronic parts.
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