KR20150066486A - block copolymer - Google Patents
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- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 title claims abstract description 81
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 79
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 55
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 50
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 47
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 45
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 43
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 41
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 30
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 claims description 28
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 claims description 28
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 25
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 19
- 150000002738 metalloids Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 13
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 9
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 125000005389 trialkylsiloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 19
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 abstract description 2
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 14
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- -1 methacryloyl group Chemical group 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(C=C)C(F)=C1F LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000012985 polymerization agent Substances 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBLNBZIONSLZBU-UHFFFAOYSA-N 1-bromododecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCBr PBLNBZIONSLZBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSVOWVXHKOQYIP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylsulfanylcarbothioylsulfanyl-2-methylpropanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCCSC(=S)SC(C)(C)C#N QSVOWVXHKOQYIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229960000549 4-dimethylaminophenol Drugs 0.000 description 1
- SZBHRHYLUMGWPX-UHFFFAOYSA-N 5-ethenyl-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-1,3-dien-1-ol Chemical compound OC=1C(C(C=C)(C=C(C=1F)F)F)F SZBHRHYLUMGWPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMWDVXXJXLVXCA-UHFFFAOYSA-N C(CCC)[Si](C)(C)Cl.ClCCl Chemical compound C(CCC)[Si](C)(C)Cl.ClCCl OMWDVXXJXLVXCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010539 anionic addition polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229920000359 diblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229940030980 inova Drugs 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N phthalimide Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- 150000003498 tellurium compounds Chemical class 0.000 description 1
- ORUGTGTZBRUQIT-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-pyridin-2-ylcarbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)NC1=CC=CC=N1 ORUGTGTZBRUQIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- FIONWRDVKJFHRC-UHFFFAOYSA-N trimethyl(2-phenylethenyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=CC1=CC=CC=C1 FIONWRDVKJFHRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
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Abstract
Description
본 출원은, 블록 공중합체에 관한 것이다.The present application relates to block copolymers.
블록 공중합체는 서로 다른 화학적 구조를 가지는 고분자 블록들이 공유 결합을 통해 연결되어 있는 분자 구조를 가지고 있다. 블록 공중합체는 상분리에 의해서 스피어(sphere), 실린더(cylinder) 또는 라멜라(lamella) 등과 같은 주기적으로 배열된 구조를 형성할 수 있다. 블록 공중합체의 자기 조립 현상에 의해 형성된 구조의 도메인의 크기는 광범위하게 조절될 수 있으며, 다양한 형태의 구조의 제작이 가능하여 고밀도 자기저장매체, 나노선 제작, 양자점 또는 금속점 등과 같은 다양한 차세대 나노 소자나 자기 기록 매체 또는 리소그라피 등에 의한 패턴 형성 등에 응용될 수 있다.The block copolymer has a molecular structure in which polymer blocks having different chemical structures are linked via covalent bonds. The block copolymer can form a periodically arranged structure such as a sphere, a cylinder or a lamella by phase separation. The size of the domain of the structure formed by the self-assembling phenomenon of the block copolymer can be widely controlled, and various types of structures can be manufactured. Thus, various next-generation nano-structures such as high density magnetic storage media, nanowire fabrication, And can be applied to pattern formation by devices, magnetic recording media, lithography, or the like.
본 출원은, 블록 공중합체 및 그 용도를 제공한다.The present application provides block copolymers and uses thereof.
본 명세서에서 용어 알킬기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬기일 수 있으며, 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.As used herein, the term alkyl group may mean an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms or 1 to 4 carbon atoms, unless otherwise specified. The alkyl group may be a straight chain, branched or cyclic alkyl group and may be optionally substituted by one or more substituents.
본 명세서에서 용어 알콕시기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 의미할 수 있다. 상기 알콕시기는 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알콕시기일 수 있으며, 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. As used herein, unless otherwise specified, the term alkoxy group may mean an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy groups may be straight, branched or cyclic alkoxy groups and may optionally be substituted by one or more substituents.
본 명세서에서 용어 알케닐기 또는 알키닐기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기 또는 알키닐기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐기 또는 알키닐기는 직쇄형, 분지형 또는 고리형일 수 있으며, 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. As used herein, the term alkenyl or alkynyl group means an alkenyl group or alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms unless otherwise specified can do. The alkenyl or alkynyl group may be linear, branched or cyclic and may optionally be substituted by one or more substituents.
본 명세서에서 용어 알킬렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기를 의미할 수 있다. 상기 알킬렌기는 직쇄형, 분지형 또는 고리형 알킬렌기일 수 있으며, 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. As used herein, unless otherwise specified, the alkylene group may mean an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms. The alkylene group may be a straight, branched or cyclic alkylene group and may optionally be substituted by one or more substituents.
본 명세서에서 용어 알케닐렌기 또는 알키닐렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐렌기 또는 알키닐렌기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐렌기 또는 알키닐렌기는 직쇄형, 분지형 또는 고리형일 수 있으며, 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. As used herein, the term alkenylene group or alkynylene group means an alkenylene group or an alkynylene group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms, It can mean a group. The alkenylene or alkynylene group may be linear, branched or cyclic and may optionally be substituted by one or more substituents.
본 명세서에서 용어 아릴기 또는 아릴렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 하나의 벤젠 고리 구조, 2개 이상의 벤젠 고리가 하나 또는 2개의 탄소 원자를 공유하면서 연결되어 있거나, 또는 임의의 링커에 의해 연결되어 있는 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 또는 2가 잔기를 의미할 수 있다. 상기 아릴기 또는 아릴렌기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 6 내지 30, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 13의 아릴기일 수 있다. As used herein, the term "aryl" group or "arylene group" means, unless otherwise specified, one benzene ring structure, two or more benzene rings connected together sharing one or two carbon atoms, Or a monovalent or di-valent residue derived from a compound or a derivative thereof. The aryl group or the arylene group may be, for example, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, 6 to 25 carbon atoms, 6 to 21 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 13 carbon atoms unless otherwise specified.
본 출원에서 용어 방향족 구조는 상기 아릴기 또는 아릴렌기를 의미할 수 있다. The term aromatic structure in this application may mean the aryl group or the arylene group.
본 명세서에서 용어 지환족 고리 구조는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 방향족 고리 구조가 아닌 고리형 탄화수소 구조를 의미한다. 상기 지환족 고리 구조는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 예를 들면, 탄소수 3 내지 30, 탄소수 3 내지 25, 탄소수 3 내지 21, 탄소수 3 내지 18 또는 탄소수 3 내지 13의 지환족 고리 구조일 수 있다. As used herein, the term alicyclic ring structure means a cyclic hydrocarbon structure other than an aromatic ring structure unless otherwise specified. The alicyclic ring structure may be, for example, an alicyclic ring structure having 3 to 30 carbon atoms, 3 to 25 carbon atoms, 3 to 21 carbon atoms, 3 to 18 carbon atoms, or 3 to 13 carbon atoms unless otherwise specified .
본 출원에서 용어 단일 결합은 해당 부위에 별도의 원자가 존재하지 않는 경우를 의미할 수 있다. 예를 들어, A-B-C로 표시된 구조에서 B가 단일 결합인 경우에 B로 표시되는 부위에 별도의 원자가 존재하지 않고, A와 C가 직접 연결되어 A-C로 표시되는 구조를 형성하는 것을 의미할 수 있다. The term single bond in the present application may mean that no separate atom is present at the site. For example, in the structure represented by A-B-C, when B is a single bond, it may mean that no atom exists at a site represented by B and A and C are directly connected to form a structure represented by A-C.
본 출원에서 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, 알콕시기, 아릴기, 아릴렌기, 사슬 또는 방향족 구조 등에 임의로 치환되어 있을 수 있는 치환기로는, 히드록시기, 할로겐 원자, 카복실기, 글리시딜기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴로일기옥시, 메타크릴로일기옥시기, 티올기, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, 알콕시기 또는 아릴기 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. Examples of the substituent which may optionally be substituted in the present application include an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, an alkoxy group, an aryl group, an arylene group, A carboxyl group, a glycidyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an acryloyloxy group, a methacryloyloxy group, a thiol group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkylene group, an alkenylene group, , An alkoxy group or an aryl group, but are not limited thereto.
본 출원의 하나의 측면에서는, 블록 공중합체를 형성할 수 있는 신규한 구조의 단량체로서, 하기 화학식 1로 표시되는 단량체가 제공될 수 있다. In one aspect of the present application, as a monomer having a novel structure capable of forming a block copolymer, a monomer represented by the following formula (1) may be provided.
하기 화학식 1로 표시되는 블록 공중합체 형성용 단량체:A block copolymer-forming monomer represented by the following formula (1): < EMI ID =
[화학식 1][Chemical Formula 1]
화학식 1에서 R은 수소 또는 알킬기이고, X는 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 카보닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이며, 상기에서 X1은 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, Y는 8개 이상의 사슬 형성 원자를 가지는 사슬이 연결된 고리 구조를 포함하는 1가 치환기이다.X is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -S (= O) 2- , a carbonyl group, an alkylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) - is, in the X 1 is an oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 -, and the alkylene, alkenylene or alkynylene group, Y Is a monovalent substituent group including a ring structure having a chain having 8 or more chain forming atoms connected thereto.
화학식 1에서 X는 다른 예시에서 단일 결합, 산소 원자, 카보닐기, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-이거나, -C(=O)-O-일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.X in the formula 1 may be a single bond, an oxygen atom, a carbonyl group, -C (= O) -O- or -OC (= O) - or -C (= O) -O- in another example, But is not limited to.
화학식 1에서 Y의 1가 치환기는, 적어도 8개의 사슬 형성 원자로 형성되는 사슬 구조를 포함한다.The monovalent substituent of Y in formula (1) includes a chain structure formed by at least eight chain-forming atoms.
본 출원에서 용어 사슬 형성 원자는, 소정 사슬의 직쇄 구조를 형성하는 원자를 의미한다. 상기 사슬은 직쇄형이거나, 분지형일 수 있으나, 사슬 형성 원자의 수는 가장 긴 직쇄를 형성하고 있는 원자의 수만으로 계산되며, 상기 사슬 형성 원자에 결합되어 있는 다른 원자(예를 들면, 사슬 형성 원자가 탄소 원자인 경우에 그 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자 등)는 계산되지 않는다. 또한, 분지형 사슬인 경우에 상기 사슬 형성 원자의 수는 가장 긴 사슬을 형성하고 있는 사슬 형성 원자의 수로 계산될 수 있다. 예를 들어, 상기 사슬이 n-펜틸기인 경우에 사슬 형성 원자는 모두 탄소로서 그 수는 5이고, 상기 사슬이 2-메틸펜틸기인 경우에도 사슬 형성 원자는 모두 탄소로서 그 수는 5이다. 상기 사슬 형성 원자로는, 탄소, 산소, 황 또는 질소 등이 예시될 수 있고, 적절한 사슬 형성 원자는 탄소, 산소 또는 질소이거나, 탄소 또는 산소일 수 있다. 상기 사슬 형성 원자의 수는 8 이상, 9 이상, 10 이상, 11 이상 또는 12 이상일 수 있다. 상기 사슬 형성 원자의 수는, 또한 30 이하, 25 이하, 20 이하 또는 16 이하일 수 있다.The term chain forming atom in the present application means an atom forming a straight chain structure of a certain chain. The number of chain-forming atoms is calculated by the number of atoms forming the longest straight chain, and the number of the other atoms bonded to the chain-forming atoms (for example, the chain- A hydrogen atom bonded to the carbon atom in the case of a carbon atom, etc.) is not calculated. Also, in the case of a branched chain, the number of chain-forming atoms can be calculated as the number of chain-forming atoms forming the longest chain. For example, when the chain is an n-pentyl group, all of the chain-forming atoms are carbon, the number is 5, and even if the chain is a 2-methylpentyl group, all the chain-forming atoms are carbon, The chain-forming atom may be exemplified by carbon, oxygen, sulfur or nitrogen, and a suitable chain-forming atom may be carbon, oxygen or nitrogen, or carbon or oxygen. The number of chain-forming atoms may be 8 or more, 9 or more, 10 or more, 11 or more, or 12 or more. The number of the chain-forming atoms may be 30 or less, 25 or less, 20 or less, or 16 or less.
화학식 1의 화합물은 상기 사슬의 존재로 인하여 후술하는 블록 공중합체를 형성하였을 때에 그 블록 공중합체가 우수한 자기 조립 특성을 나타내도록 할 수 있다.The compound of the formula (1) can cause the block copolymer to exhibit excellent self-assembling properties when the block copolymer described later is formed due to the presence of the chain.
하나의 예시에서 상기 사슬은, 직쇄 알킬기와 같은 직쇄 탄화수소 사슬일 수 있다. 이러한 경우에 알킬기는, 탄소수 8 이상, 탄소수 8 내지 30, 탄소수 8 내지 25, 탄소수 8 내지 20 또는 탄소수 8 내지 16의 알킬기일 수 있다. 상기 알킬기의 탄소 원자 중 하나 이상은 임의로 산소 원자로 치환되어 있을 수 있고, 상기 알킬기의 적어도 하나의 수소 원자는 임의적으로 다른 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다.In one example, the chain may be a straight chain hydrocarbon chain such as a straight chain alkyl group. In this case, the alkyl group may be an alkyl group having 8 or more carbon atoms, 8 to 30 carbon atoms, 8 to 25 carbon atoms, 8 to 20 carbon atoms, or 8 to 16 carbon atoms. At least one of the carbon atoms of the alkyl group may optionally be substituted with an oxygen atom, and at least one hydrogen atom of the alkyl group may be optionally substituted by another substituent.
화학식 1에서 Y는 고리 구조를 포함하고, 상기 사슬은 상기 고리 구조에 연결되어 있을 수 있다. 이러한 고리 구조에 의해 상기 단량체에 의해 형성되는 블록 공중합체의 자기 조립 특성 등이 보다 향상될 수 있다. 고리 구조는 방향족 구조이거나, 지환족 구조일 수 있다.In Formula (1), Y may include a cyclic structure, and the chain may be connected to the cyclic structure. Such a ring structure can further improve the self-assembling property and the like of the block copolymer formed by the monomer. The ring structure may be an aromatic structure or an alicyclic structure.
상기 사슬은 상기 고리 구조에 직접 연결되어 있거나, 혹은 링커를 매개로 연결되어 있을 수 있다. 상기 링커로는, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 카보닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-가 시될 수 있고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기일 수 있으며, X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기일 수 있고, 상기에서 R2는, 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기일 수 있다. 적절한 링커로는 산소 원자 또는 질소 원자가 예시될 수 있다. 상기 사슬은, 예를 들면, 산소 원자 또는 질소 원자를 매개로 방향족 구조에 연결되어 있을 수 있다. 이러한 경우에 상기 링커는 산소 원자이거나, -NR1-(상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기)일 수 있다.The chain may be directly connected to the ring structure, or may be connected via a linker. The linker is an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, a carbonyl group, an alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) - may be when there is, in the above R 1 may be hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl date, X 1 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom , -NR 2 -, -S (═O) 2 -, an alkylene group, an alkenylene group or an alkynylene group, and R 2 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, have. An appropriate linker may be an oxygen atom or a nitrogen atom. The chain may be connected to the aromatic structure via, for example, an oxygen atom or a nitrogen atom. In this case, the linker may be an oxygen atom, or -NR 1 - (wherein R 1 may be hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group).
화학식 1의 Y는, 일 예시에서 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.Y in the formula (1) may be represented by the following formula (2) in one example.
[화학식 2](2)
화학식 2에서 P는 아릴렌기이고, Q는 단일 결합, 산소 원자 또는 -NR3-이며, 상기에서 R3는, 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, Z는 8개 이상의 사슬 형성 원자를 가지는 상기 사슬이다. 화학식 1의 Y가 상기 화학식 2의 치환기인 경우에 상기 화학식 2의 P가 화학식 1의 X에 직접 연결되어 있을 수 있다.In the formula 2 P is an arylene group, Q is a single bond, an oxygen atom or -NR 3 - and, at the R 3 is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, alkoxy group or aryl group, Z is 8 Or more of the chain forming atoms. When Y in the general formula (1) is a substituent of the general formula (2), P in the general formula (2) may be directly connected to X in the general formula (1).
화학식 2에서 P의 적절한 예시로는, 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기, 예를 들면, 페닐렌기를 예시할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.Suitable examples of P in formula (2) include, but are not limited to, an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, such as a phenylene group.
화학식 2에서 Q는 적절한 예시로는, 산소 원자 또는 -NR1-(상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기) 등을 들 수 있다.In formula (2), Q is an oxygen atom or -NR 1 - (where R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group) as a suitable example.
화학식 1의 단량체의 적절한 예시로는, 상기 화학식 1에서 R은 수소 또는 알킬기, 예를 들면, 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 -C(=O)-O-이며, Y는 상기 화학식 2에서 P는 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기 또는 페닐렌이고, Q는 산소 원자이며, Z는 사슬 형성 원자가 8개 이상인 전술한 사슬인 화합물을 들 수 있다.As a suitable example of the monomer represented by the formula (1), R is hydrogen or an alkyl group such as hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is -C (= O) -O-, In the formula (2), P is an arylene group having 6 to 12 carbon atoms or phenylene, Q is an oxygen atom, and Z is a group of the aforementioned chain having at least 8 chain-forming atoms.
따라서, 화학식 1의 적절한 예시의 단량체로는 하기 화학식 3의 단량체를 들 있다.Thus, suitable examples of monomers of formula (1) include the monomers of formula (3).
[화학식 3](3)
화학식 3에서 R은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 -C(=O)-O-이며, P는 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기이고, Q는 산소 원자이며, Z는 사슬 형성 원자가 8개 이상인 상기 사슬이다. R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is -C (= O) -O-, P is an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, Q is an oxygen atom, Z is a chain- Lt; RTI ID = 0.0 > 8 < / RTI >
본 출원의 다른 측면은, 상기 단량체를 중합시켜서 블록을 형성하는 단계를 포함하는 블록 공중합체의 제조 방법에 대한 것이다.Another aspect of the present application relates to a method for producing a block copolymer comprising polymerizing the monomer to form a block.
본 출원에서 블록 공중합체를 제조하는 구체적인 방법은, 전술한 단량체를 사용하여 블록 공중합체의 적어도 하나의 블록을 형성하는 단계를 포함하는 한 특별히 제한되지 않는다.A specific method for producing the block copolymer in the present application is not particularly limited as long as it includes the step of forming at least one block of the block copolymer using the above-mentioned monomer.
예를 들면, 블록 공중합체는 상기 단량체를 사용한 LRP(Living Radical Polymerization) 방식으로 제조할 있다. 예를 들면, 유기 희토류 금속 복합체를 중합 개시제로 사용하거나, 유기 알칼리 금속 화합물을 중합 개시제로 사용하여 알칼리 금속 또는 알칼리토금속의 염 등의 무기산염의 존재 하에 합성하는 음이온 중합, 유기 알칼리 금속 화합물을 중합 개시제로 사용하여 유기 알루미늄 화합물의 존재 하에 합성하는 음이온 중합 방법, 중합 제어제로서 원자 이동 라디칼 중합제를 이용하는 원자이동 라디칼 중합법(ATRP), 중합 제어제로서 원자이동 라디칼 중합제를 이용하되 전자를 발생시키는 유기 또는 무기 환원제 하에서 중합을 수행하는 ARGET(Activators Regenerated by Electron Transfer) 원자이동 라디칼 중합법(ATRP), ICAR(Initiators for continuous activator regeneration) 원자이동 라디칼 중합법(ATRP), 무기 환원제 가역 부가-개열 연쇄 이동제를 이용하는 가역 부가-개열 연쇄 이동에 의한 중합법(RAFT) 또는 유기 텔루륨 화합물을 개시제로서 이용하는 방법 등이 있으며, 이러한 방법 중에서 적절한 방법이 선택되어 적용될 수 있다. For example, the block copolymer can be prepared by the LRP (Living Radical Polymerization) method using the above monomers. For example, anionic polymerization in which an organic rare earth metal complex is used as a polymerization initiator, or an organic alkali metal compound is used as a polymerization initiator in the presence of an inorganic acid salt such as a salt of an alkali metal or an alkaline earth metal, An atomic transfer radical polymerization method (ATRP) using an atom transfer radical polymerization agent as a polymerization initiator, and an atom transfer radical polymerization agent as a polymerization initiator, (ATRP), Initiators for Continuous Activator Regeneration (ATR), Atomic Transfer Radical Polymerization (ATRP), Inorganic Reducing Agent Reversible Additive - Reversible addition-cleavage chain transfer using cleavage chain transfer agent And a method using the polymerization method of (RAFT) or an organic tellurium compound, etc. as an initiator, may be subject to a suitable method among these methods is selected.
예를 들면, 상기 블록 공중합체는, 라디칼 개시제 및 리빙 라디칼 중합 시약의 존재 하에, 상기 블록을 형성할 수 있는 단량체들을 포함하는 반응물을 리빙 라디칼 중합법으로 중합하는 것을 포함하는 방식으로 제조할 수 있다.For example, the block copolymer can be prepared in a manner that includes polymerizing a reactant containing monomers capable of forming the block in the presence of a radical initiator and a living radical polymerization reagent by living radical polymerization .
블록 공중합체의 제조 시에 상기 단량체를 사용하여 형성하는 블록과 함께 상기 공중합체에 포함되는 다른 블록을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 목적하는 블록의 종류를 고려하여 적절한 단량체를 선택하여 상기 다른 블록을 형성할 수 있다.The method of forming the other block included in the copolymer together with the block formed by using the monomer in the production of the block copolymer is not particularly limited and may be appropriately selected in consideration of the kind of the desired block, Block can be formed.
블록공중합체의 제조 과정은, 예를 들면 상기 과정을 거쳐서 생성된 중합 생성물을 비용매 내에서 침전시키는 과정을 추가로 포함할 수 있다. The preparation of the block copolymer may further include, for example, a step of precipitating the polymerization product produced through the above process in the non-solvent.
라디칼 개시제의 종류는 특별히 제한되지 않고, 중합 효율을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, AIBN(azobisisobutyronitrile) 또는 2,2'-아조비스-2,4-디메틸발레로니트릴(2,2'-azobis-(2,4-dimethylvaleronitrile)) 등의 아조 화합물이나, BPO(benzoyl peroxide) 또는 DTBP(di-t-butyl peroxide) 등과 같은 과산화물 계열을 사용할 수 있다.The kind of the radical initiator is not particularly limited and may be appropriately selected in consideration of the polymerization efficiency. For example, AIBN (azobisisobutyronitrile) or 2,2'-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile (2,2 ' -azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), and peroxides such as benzoyl peroxide (BPO) or di-t-butyl peroxide (DTBP).
리빙 라디칼 중합 과정은, 예를 들면, 메틸렌클로라이드, 1,2-디클로로에탄, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 벤젠,톨루엔, 아세톤, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 디옥산, 모노글라임, 디글라임, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드 또는 디메틸아세트아미드 등과 같은 용매 내에서 수행될 수 있다.The living radical polymerization process can be carried out in the presence of a base such as, for example, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, benzene, toluene, acetone, chloroform, tetrahydrofuran, dioxane, monoglyme, diglyme, Amide, dimethylsulfoxide or dimethylacetamide, and the like.
비용매로는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 노르말 프로판올 또는 이소프로판올 등과 같은 알코올, 에틸렌글리콜 등의 글리콜, n-헥산, 시클로헥산, n-헵탄 또는 페트롤리움 에테르 등과 같은 에테르 계열이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the non-solvent include ethers such as alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol or isopropanol, glycols such as ethylene glycol, n-hexane, cyclohexane, n-heptane or petroleum ether, But is not limited thereto.
본 출원의 다른 측면에서는, 상기 단량체를 통해 형성된 블록(이하, 제 1 블록으로 호칭될 수 있다.)을 포함하는 블록 공중합체가 제공될 수 있다.In another aspect of the present application, a block copolymer comprising a block formed through the monomer (hereinafter, may be referred to as a first block) may be provided.
상기 블록은 예를 들면, 하기 화학식 4로 표시될 수 있다.The block may be represented, for example, by the following formula (4).
[화학식 4][Chemical Formula 4]
화학식 4에서 R, X 및 Y는 각각 화학식 1에서의 R, X 및 Y에 대한 사항이 동일하게 적용될 수 있다.In the formula (4), R, X and Y may be the same with respect to R, X and Y in the formula (1).
따라서, 화학식 4에서 R은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 카보닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이며, 상기에서 X1은 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, Y는 8개 이상의 사슬 형성 원자를 가지는 사슬이 연결된 고리 구조를 포함하는 1가 치환기일 수 있으며, 상기 각 치환기의 구체적인 종류도 전술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.Therefore, in the general formula (4), R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and X is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -S (= O) 2- , a carbonyl group, an alkylene group, an alkenylene group, , -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (═O) -, wherein X 1 represents an oxygen atom, a sulfur atom, -S (═O) 2 -, an alkylene group, Or an alkynylene group, and Y may be a monovalent substituent group including a ring structure having a chain having at least 8 chain-forming atoms linked thereto, and the specific examples of the respective substituents may be the same as described above.
하나의 예시에서 상기 제 1 블록은, 상기 화학식 4에서 R이 수소 또는 알킬기, 예를 들면, 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 -C(=O)-O-이고, Y는 상기 화학식 2의 치환기인 블록일 수 있다. 이러한 블록은, 본 명세서에서 제 1A 블록으로 지칭될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 블록은 예를 들면 하기 화학식 5로 나타날 수 있다. In one embodiment, the first block is a compound wherein R is hydrogen or an alkyl group, for example, hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, X is -C (= O) -O-, May be a block which is a substituent of formula (2). Such a block may be referred to herein as the < RTI ID = 0.0 > 1A < / RTI > Such a block may be represented, for example, by the following formula (5).
[화학식 5][Chemical Formula 5]
화학식 5에서 R은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 단일 결합, 산소 원자, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-이며, P는 아릴렌기이고, Q는 산소 원자 또는 -NR3-이며, 상기에서 R3는, 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, Z는 사슬 형성 원자가 8개 이상인 직쇄 사슬이다. 다른 예시에서 화학식 5의 Q는 산소 원자일 수 있다.X is a single bond, an oxygen atom, -C (= O) -O- or -OC (= O) -, P is an arylene group, Q is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, An oxygen atom or -NR 3 -, wherein R 3 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, and Z is a straight chain having 8 or more chain forming atoms. In another example, Q in formula (5) may be an oxygen atom.
다른 예시에서 제 1 블록은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다. 이러한 제 1 블록은, 본 명세서에서 제 1B 블록으로 호칭될 수 있다.In another example, the first block may be represented by the following formula (6). This first block may be referred to herein as a first B block.
[화학식 6][Chemical Formula 6]
화학식 6에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 카보닐기, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이며, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, T는 단일 결합 또는 아릴렌기이고, Q는 단일 결합 또는 카보닐기이며, Y는 사슬 형성 원자가 8개 이상인 사슬이다.In Formula (6), R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and X is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -S (═O) 2 -, a carbonyl group, group, an alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) - is, in the X 1 is a single bond, oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 -, an alkylene group, an alkenylene group or an alkynylene group, T is a single bond or an arylene group, Q is a single bond or a carbonyl group, and Y is a chain having 8 or more chain forming atoms.
제 1B 블록인 상기 화학식 6에서 X는 단일 결합, 산소 원자, 카보닐기, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-일 수 있다.In the first block B, X may be a single bond, an oxygen atom, a carbonyl group, -C (= O) -O- or -O-C (= O) -.
제 1B 블록에 포함되는 상기 Y의 사슬의 구체적인 예로는, 화학식 1에서 기술한 내용이 유사하게 적용될 수 있다.As a specific example of the chain of Y included in the first B block, the contents described in the formula (1) may be similarly applied.
다른 예시에서 상기 제 1 블록은 상기 화학식 4 내지 6 중 어느 하나의 화학식에서 사슬 형성 원자가 8개 이상인 사슬의 적어도 하나의 사슬 형성 원자가 전기 음성도가 3 이상인 블록일 수 있다. 상기 원자의 전기 음성도는 다른 예시에서는 3.7 이하일 수 있다. 본 명세서에서 이러한 블록은 제 1C 블록으로 호칭될 수 있다. 상기에서 전기 음성도가 3 이상인 원자로는, 질소 원자 또는 산소 원자가 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.In another example, the first block may be a block in which at least one chain-forming atom of the chain having at least 8 chain-forming atoms in the formulas (4) to (6) has an electronegativity of 3 or more. The electronegativity of the atom may be 3.7 or less in another example. This block may be referred to herein as a first C block. In the above, the reactor having the electronegativity of 3 or more may be exemplified by nitrogen atom or oxygen atom, but is not limited thereto.
블록 공중합체에 상기 제 1A, 1B 또는 1C 블록과 같은 제 1 블록과 함께 포함될 수 있는 다른 블록(이하, 제 2 블록으로 지칭할 수 있다.)의 종류는 특별히 제한되지 않는다.The type of another block (hereinafter referred to as a second block) that can be included in the block copolymer together with the first block such as the first 1A, 1B, or 1C block is not particularly limited.
예를 들면, 상기 제 2 블록은, 폴리비닐피롤리돈 블록, 폴리락트산(polylactic acid) 블록, 폴리비닐피리딘 블록, 폴리스티렌 또는 폴리트리메틸실릴스티렌(poly trimethylsilylstyrene) 등과 같은 폴리스티렌(polystyrene) 블록, 폴리에틸렌옥시드(polyethylene oxide)와 같은 폴리알킬렌옥시드 블록, 폴리부타디엔(poly butadiene) 블록, 폴리이소프렌(poly isoprene) 블록 또는 폴리에틸렌(poly ethylene) 등의 폴리올레핀 블록이 예시될 수 있다. 이러한 블록은 본 명세서에서 제 2A 블록으로 지칭될 수 있다.For example, the second block may be a polystyrene block such as a polyvinyl pyrrolidone block, a polylactic acid block, a polyvinyl pyridine block, polystyrene or poly trimethylsilyl styrene, A polyalkylene oxide block such as polyethylene oxide, a polybutadiene block, a polyisoprene block, or a polyolefin block such as polyethylene may be exemplified. Such a block may be referred to herein as a 2A block.
하나의 예시에서 상기 제 1A, 1B 또는 1C 블록과 같은 제 1 블록과 함께 포함될 수 있는 제 2 블록으로는 하나 이상의 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 가지는 블록일 수 있다.In one example, the second block, which may be included with the first block such as the first 1A, 1B, or 1C block, may be a block having an aromatic structure comprising one or more halogen atoms.
이러한 제 2 블록은, 예를 들면, 하기 화학식 7로 표시되는 블록일 수 있다. 이러한 블록은, 본 명세서에서 제 2B 블록으로 지칭될 수 있다.Such a second block may be, for example, a block represented by the following general formula (7). Such a block may be referred to herein as a 2B block.
[화학식 7](7)
화학식 7에서 B는 하나 이상의 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 가지는 1가 치환기이다.In Formula (7), B is a monovalent substituent having an aromatic structure containing at least one halogen atom.
이러한 제 2 블록은, 전술한 제 1 블록과 우수한 상호 작용을 나타내어 블록 공중합체가 우수한 자기 조립 특성 등을 나타내도록 할 수 있다.Such a second block exhibits excellent interaction with the above-mentioned first block, so that the block copolymer can exhibit excellent self-assembling properties and the like.
화학식 7에서 방향족 구조는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 방향족 구조일 수 있다.The aromatic structure in formula (7) may be, for example, an aromatic structure having 6 to 18 carbon atoms or 6 to 12 carbon atoms.
또한, 화학식 7에 포함되는 할로겐 원자로는, 불소 원자 또는 염소 원자 등이 예시될 수 있고, 적절하게는 불소 원자가 사용될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the halogen atom contained in the general formula (7) include a fluorine atom, a chlorine atom, and the like, and a fluorine atom may be used as appropriate, but the present invention is not limited thereto.
하나의 예시에서 화학식 7의 B는 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상의 할로겐 원자로 치환된 탄소수 6 내지 12의 방향족 구조를 가지는 1가 치환기일 수 있다. 상기에서 할로겐 원자의 개수의 상한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 10개 이하, 9개 이하, 8개 이하, 7개 이하 또는 6개 이하의 할로겐 원자가 존재할 수 있다.In one example, B in formula (7) may be a monovalent substituent having an aromatic structure of 6 to 12 carbon atoms substituted with at least 1, at least 2, at least 3, at least 4, or at least 5 halogen atoms. The upper limit of the number of halogen atoms is not particularly limited and may be, for example, 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
예를 들어, 제 2B 블록인 화학식 7은 하기 화학식 8로 표시될 수 있다.For example, the second B block, formula (7), may be represented by the following formula (8).
[화학식 8][Chemical Formula 8]
화학식 8에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, W는 적어도 1개의 할로겐 원자를 포함하는 아릴기이다. 상기에서 W는 적어도 1개의 할로겐 원자로 치환된 아릴기, 예를 들면, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상의 할로렌 원자로 치환된 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다.In Formula 8 X 2 is a single bond, an oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 - , alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) - and, in the X 1 is a single bond, oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 - , alkylene group, alkenyl group or alkynyl group, and W is at least one halogen Is an aryl group containing an atom. In the above, W may be an aryl group substituted with at least one halogen atom, for example, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms substituted with at least 2, at least 3, at least 4, or at least 5 halolene atoms.
제 2B 블록은, 예를 들면, 하기 화학식 9로 표시될 수 있다.The 2B block can be represented, for example, by the following formula (9).
[화학식 9][Chemical Formula 9]
화학식 9에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이고, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 할로알킬기 또는 할로겐 원자이고, R1 내지 R5가 포함하는 할로겐 원자의 수는 1개 이상이다.In formula 9 X 2 is a single bond, an oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 - , alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) - and, in the X 1 is a single bond, oxygen atom, sulfur atom, -S (= O) 2 -, and the alkylene, alkenylene or alkynylene group, R 1 to R 5 is Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, a haloalkyl group or a halogen atom, and each of R 1 to R 5 contains one or more halogen atoms.
화학식 9에서 X2는, 다른 예시에서 단일 결합, 산소 원자, 알킬렌기, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-일 수 있다.X 2 in
화학식 9에서 R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 할로알킬기 또는 할로겐 원자이되, R1 내지 R5는 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상의 할로겐 원자, 예를 들면, 불소 원자를 포함할 수 있다. R1 내지 R5에 포함되는 할로겐 원자, 예를 들면, 불소 원자는, 10개 이하, 9개 이하, 8개 이하, 7개 이하 또는 6개 이하일 수 있다.In formula 9 R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen, an alkyl group, a haloalkyl group or a halogen are wonjayi, R 1 to R 5 are one or more, two or more, three or more, four or more or five or more halogen atoms , For example, a fluorine atom. The halogen atoms contained in R 1 to R 5 , for example, the fluorine atom, may be 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
하나의 예시에서 상기 제 2 블록은, 하기 화학식 10으로 표시되는 블록일 수 있다. 이러한 블록은, 본 명세서에서 제 2C 블록으로 지칭될 수 있다.In one example, the second block may be a block represented by
[화학식 10][Chemical formula 10]
화학식 10에서 T 및 K는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 단일 결합이고, U는 알킬렌기이다.In the formula (10), T and K are each independently an oxygen atom or a single bond, and U is an alkylene group.
일 예시에서 상기 제 2C 블록은, 상기 화학식 10에서 U는 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기인 블록일 수 있다.In one example, the second C block may be a block of an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms in the formula (10).
상기 제 2C 블록은, 상기 화학식 10의 T 및 K 중에서 어느 하나가 단일 결합이고, 다른 하나가 산소 원자인 블록일 수 있다. 이러한 블록에서 상기 U는 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기인 블록일 수 있다. The second C block may be a block in which one of T and K in
상기 제 2C 블록은, 상기 화학식 10의 T 및 K가 모두 산소 원자인 블록일 수 있다. 이러한 블록에서 상기 U는 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기인 블록일 수 있다.The second C block may be a block in which T and K in
제 2 블록은 또 다른 예시에서 금속 원자 또는 준금속 원자를 하나 이상 포함하는 블록일 수 있다. 이러한 블록은 본 명세서에서 제 2D 블록으로 지칭될 수 있다. 이러한 블록은, 예를 들어, 블록 공중합체를 사용하여 형성한 자기 조립된 막에 대하여 에칭 공정이 진행되는 경우에, 에칭 선택성을 개선할 수 있다.The second block may be a block comprising at least one metal atom or a metalloid atom in another example. Such a block may be referred to herein as a second 2D block. Such a block can improve the etch selectivity, for example, when an etching process is performed on a self-assembled film formed using a block copolymer.
제 2D 블록에 포함되는 금속 또는 준금속 원자로는, 규소 원자, 철 원자 또는 붕소 원자 등이 예시될 수 있지만, 블록 공중합체에 포함되는 다른 원자와의 차이에 의해 적절한 에칭 선택성을 보일 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다.As the metal or metalloid atom contained in the second block, a silicon atom, an iron atom or a boron atom can be exemplified. However, if it is possible to show appropriate etching selectivity by a difference from other atoms contained in the block copolymer, It is not limited.
제 2D 블록은, 상기 금속 또는 준금속 원자와 함께 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상의 할로겐 원자, 예를 들면, 불소 원자를 포함할 수 있다. 제 2D 블록에 포함되는 불소 원자와 같은 할로겐 원자는, 10개 이하, 9개 이하, 8개 이하, 7개 이하 또는 6개 이하일 수 있다.The second block may contain at least one, more than two, at least three, at least four, or at least five halogen atoms, such as fluorine atoms, together with the metal or metalloid atoms. The halogen atoms such as fluorine atoms contained in the second D block may be 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
제 2D 블록은, 하기 화학식 11로 표시될 수 있다.The second block may be represented by the following formula (11).
[화학식 11](11)
화학식 11에서 B는 금속 원자 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기 및 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 가지는 1가 치환기일 수 있다.In formula (11), B may be a monovalent substituent having an aromatic structure including a substituent including a metal atom or a metalloid atom and a halogen atom.
화학식 11의 상기 방향족 구조는, 탄소수 6 내지 12의 방향족 구조, 예를 들면, 아릴기이거나, 아릴렌기일 수 있다.The aromatic structure of formula (11) may be an aromatic structure having 6 to 12 carbon atoms, for example, an aryl group or an arylene group.
화학식 11의 제2 2D 블록은, 예를 들면, 하기 화학식 12로 표시될 수 있다.The second 2D block of formula (11) can be represented, for example, by the following formula (12).
[화학식 12][Chemical Formula 12]
화학식 12에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이며, W는 금속 원자 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기 및 적어도 1개의 할로겐 원자를 포함하는 아릴기이다.In the formula 12 X 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, wherein X 1 is a single bond, an oxygen atom, -NR 2 -, -S (= O ) 2 -, an alkylene group, an alkenylene group, or alkynylene group, W is an aryl group containing a substituent, and at least one halogen atom, which comprises a metal atom or metalloid atom .
상기에서 W는, 금속 원자 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기 및 적어도 1개의 할로겐 원자를 포함하는 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다.In the above, W may be a substituent group containing a metal atom or a metalloid atom, and an aryl group having 6 to 12 carbon atoms and containing at least one halogen atom.
이러한 아릴기에서 상기 금속 원자 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기는 적어도 1개 또는 1개 내지 3개 포함되어, 상기 할로겐 원자는 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상 포함될 수 있다.In the aryl group, at least one or one to three substituents including the metal atom or the quasi metal atom are included, and the halogen atom may be substituted with one or more, two or more, three or more, four or five Or more.
상기에서 할로겐 원자는, 10개 이하, 9개 이하, 8개 이하, 7개 이하 또는 6개 이하로 포함될 수 있다.In the above, the halogen atom may be contained in 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
화학식 12의 제 2D 블록은, 예를 들면, 하기 화학식 13으로 표시될 수 있다.The second block of formula (12) can be represented, for example, by the following formula (13).
[화학식 13][Chemical Formula 13]
화학식 13에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이며, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 할로알킬기, 할로겐 원자 및 금속 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기이고, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 할로겐 원자이며, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 금속 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기이다.In the formula 13 X 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, wherein X 1 is a single bond, an oxygen atom, -NR 2 -, -S (= O ) 2 -, alkylene, alkenylene or alkynylene is a carbonyl group, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen, an alkyl group, a haloalkyl group, a halogen atom and a metal or metalloid atom , At least one of R 1 to R 5 is a halogen atom, and at least one of R 1 to R 5 is a substituent containing a metal or a metalloid atom.
화학식 13에서 R1 내지 R5 중 적어도 1개, 1개 내지 3개 또는 1개 내지 2개는 전술한 금속 원자 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기일 수 있다.In formula (13), at least one, one to three, or one to two of R 1 to R 5 may be a substituent including the above-described metal atom or metalloid atom.
화학식 13에서 R1 내지 R5에는 할로겐 원자가 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상 포함될 수 있다. R1 내지 R5에 포함되는 할로겐 원자는, 10개 이하, 9개 이하, 8개 이하, 7개 이하 또는 6개 이하일 수 있다.In Formula 13, R 1 to R 5 may contain one or more halogen atoms, two or more, three or more, four or more, or five or more halogen atoms. The halogen atoms contained in R 1 to R 5 may be 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
상기 기술한 내용에서 금속 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기로는, 트리알킬실록시기, 페로세닐(ferrocenyl)기, 폴리헤드럴 올리고메릭 실세스퀴오켄(polyhedral oligomeric silsesquioxane)기 등과 같은 실세스퀴옥사닐기 또는 카보레이닐(carboranyl)기 등이 예시될 수 있지만, 이러한 치환기는, 적어도 하나의 금속 또는 준금속 원자를 포함하여, 에칭 선택성이 확보될 수 있도록 선택된다면 특별히 제한되지 않는다.In the above description, examples of the substituent containing a metal or a metalloid atom include silsesquioxane such as a trialkylsiloxy group, a ferrocenyl group, a polyhedral oligomeric silsesquioxane group, Or a carboranyl group can be exemplified. However, these substituents are not particularly limited as long as they include at least one metal or a metalloid atom and are selected so that etching selectivity can be ensured.
제 2 블록은 또 다른 예시에서 전기 음성도가 3 이상인 원자로서 할로겐 원자가 아닌 원자(이하, 비할로겐 원자로 호칭될 수 있다.)를 포함하는 블록일 수 있다. 상기와 같은 블록은 본 명세서에서 제 2E 블록으로 호칭될 수 있다. 제 2E 블록에 포함되는 상기 비할로겐 원자의 전기 음성도는 다른 예시에서는 3.7 이하일 수 있다.The second block may be a block including an atom other than a halogen atom (hereinafter, may be referred to as a non-halogen atom) as an atom having an electronegativity of 3 or more in another example. Such a block may be referred to herein as a second E block. The electronegativity of the non-halogen atom included in the second E block may be 3.7 or less in another example.
제 2E 블록에 포함되는 상기 비할로겐 원자로는, 질소 원자 또는 산소 원자 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. Examples of the non-halogen atom contained in the second E block include, but are not limited to, a nitrogen atom or an oxygen atom.
제 2E 블록은, 상기 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자와 함께 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상의 할로겐 원자, 예를 들면, 불소 원자를 포함할 수 있다. 제 2E 블록에 포함되는 불소 원자와 같은 할로겐 원자는, 10개 이하, 9개 이하, 8개 이하, 7개 이하 또는 6개 이하일 수 있다.The second E block may contain one or more, two or more, three or more, four or more, or five or more halogen atoms, for example, a fluorine atom, together with a non-halogen atom having an electronegativity of 3 or more . Halogen atoms such as fluorine atoms included in the second E block may be 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
제 2E 블록은, 하기 화학식 14로 표시될 수 있다.The second E block may be represented by the following formula (14).
[화학식 14][Chemical Formula 14]
화학식 14에서 B는 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자를 포함하는 치환기 및 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 가지는 1가 치환기일 수 있다.In formula (14), B may be a substituent containing a non-halogen atom having an electronegativity of 3 or more and a monovalent substituent having an aromatic structure containing a halogen atom.
화학식 14의 상기 방향족 구조는, 탄소수 6 내지 12의 방향족 구조, 예를 들면, 아릴기이거나, 아릴렌기일 수 있다.The aromatic structure of formula (14) may be an aromatic structure having 6 to 12 carbon atoms, for example, an aryl group or an arylene group.
화학식 14의 블록은, 다른 예시에서 하기 화학식 15로 표시될 수 있다.The block of formula (14) may be represented by the following formula (15) in another example.
[화학식 15][Chemical Formula 15]
화학식 15에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이며, W는 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자를 포함하는 치환기 및 적어도 1개의 할로겐 원자를 포함하는 아릴기이다.In the formula 15 X 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, wherein X 1 is a single bond, an oxygen atom, -NR 2 -, -S (= O ) 2 -, an alkylene group, an alkenylene group, or alkynylene group, W is a substituent containing at least one halogen atom and containing a non-halogen atoms is 3 or greater electronegativity Lt; / RTI >
상기에서 W는, 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자를 포함하는 치환기 및 적어도 1개의 할로겐 원자를 포함하는 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다.In the above, W may be a substituent group containing a non-halogen atom having an electronegativity of 3 or more and an aryl group having 6 to 12 carbon atoms and containing at least one halogen atom.
이러한 아릴기에서 상기 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자를 포함하는 치환기는 적어도 1개 또는 1개 내지 3개 포함될 수 있다. 도한, 상기 할로겐 원자는 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상 포함될 수 있다. 상기에서 할로겐 원자는, 10개 이하, 9개 이하, 8개 이하, 7개 이하 또는 6개 이하로 포함될 수 있다.In the aryl group, at least one or one to three substituents including a non-halogen atom having an electronegativity of 3 or more may be included. Also, the halogen atom may be contained in one or more, two or more, three or more, four or more, or five or more. In the above, the halogen atom may be contained in 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
화학식 15의 블록은, 다른 예시에서 하기 화학식 16으로 표시될 수 있다.The block of formula (15) may be represented by the following formula (16) in another example.
[화학식 16][Chemical Formula 16]
화학식 16에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이며, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 할로알킬기, 할로겐 원자 및 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자를 포함하는 치환기이고, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 할로겐 원자이며, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자를 포함하는 치환기이다.In the formula 16 X 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, wherein X 1 is a single bond, an oxygen atom, -NR 2 -, -S (= O ) 2 -, an alkylene group, an alkenylene group, or alkynylene group, R 1 to R 5 are independently hydrogen, an alkyl group, a haloalkyl group, a halogen atom and an electronegativity of each of three At least one of R 1 to R 5 is a halogen atom, and at least one of R 1 to R 5 is a substituent containing a non-halogen atom having an electronegativity of 3 or more.
화학식 16에서 R1 내지 R5 중 적어도 1개, 1개 내지 3개 또는 1개 내지 2개는 전술한 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자를 포함하는 치환기일 수 있다.In formula (16), at least one, one to three, or one to two of R 1 to R 5 may be a substituent containing a non-halogen atom having three or more electronegativity as described above.
화학식 16에서 R1 내지 R5에는 할로겐 원자가 1개 이상, 2개 이상, 3개 이상, 4개 이상 또는 5개 이상 포함될 수 있다. R1 내지 R5에 포함되는 할로겐 원자는, 10개 이하, 9개 이하, 8개 이하, 7개 이하 또는 6개 이하일 수 있다.In Formula 16, R 1 to R 5 may contain one or more halogen atoms, two or more, three or more, four or more, or five or more halogen atoms. The halogen atoms contained in R 1 to R 5 may be 10 or less, 9 or less, 8 or less, 7 or less, or 6 or less.
상기 기술한 내용에서 전기 음성도가 3 이상인 비할로겐 원자를 포함하는 치환기로는, 히드록시기, 알콕시기, 카복실기, 아미도기, 에틸렌 옥시드기, 니트릴기, 피리딘기 또는 아미노기 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.In the above description, examples of the substituent containing a non-halogen atom having an electronegativity of 3 or more include a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, an amido group, an ethylene oxide group, a nitrile group, a pyridine group or an amino group , But is not limited thereto.
다른 예시에서 제 2 블록은, 헤테로고리 치환기를 가지는 방향족 구조를 포함할 수 있다. 이러한 제 2 블록은 본 명세서에서 제 2F 블록으로 지칭될 수 있다. In another example, the second block may comprise an aromatic structure having a heterocyclic substituent. This second block may be referred to herein as a second F block.
제 2F 블록은 하기 화학식 17로 표시될 수 있다.The second F block may be represented by the following formula (17).
[화학식 17][Chemical Formula 17]
화학식 17에서 B는 헤테로고리 치환기로 치환된 탄소수 6 내지 12의 방향족 구조를 가지는 1가 치환기이다.In Formula 17, B is a monovalent substituent having an aromatic structure having 6 to 12 carbon atoms substituted with a heterocyclic substituent.
화학식 17의 방향족 구조는, 필요한 경우에 하나 이상이 할로겐 원자를 포함할 수 있다.The aromatic structure of formula (17) may, if necessary, contain one or more halogen atoms.
화학식 17의 단위는 하기 화학식 18로 표시될 수 있다.The unit of the formula (17) can be represented by the following formula (18).
[화학식 18][Chemical Formula 18]
화학식 18에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이며, W는 헤테로고리 치환기를 가지는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이다.In the formula 18 X 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, wherein X 1 is a single bond, an oxygen atom, -NR 2 -, -S (= O ) 2 -, an alkylene group, an alkenylene group or an alkynylene group, W is an aryl group having 6 to 12 carbon atoms having a heterocyclic substituent.
화학식 18의 단위는 하기 화학식 19로 표시될 수 있다.The unit of the formula (18) may be represented by the following formula (19).
[화학식 19][Chemical Formula 19]
화학식 19에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이며, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 할로알킬기, 할로겐 원자 및 헤테로고리 치환기이고, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 헤테로고리 치환기이다.In the formula 19 X 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, wherein X 1 is a single bond, an oxygen atom, and, an alkylene group, an alkenylene group, or alkynylene group, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen, an alkyl group, a haloalkyl group, a halogen atom, and the heterocyclic substituent, - -NR 2 -, -S ( = O) 2 At least one of R 1 to R 5 is a heterocyclic substituent.
화학식 19에서 R1 내지 R5 중 적어도 하나, 예를 들면, 1개 내지 3개 또는 1개 내지 2개는, 상기 헤테로고리 치환기이고, 나머지는 수소 원자, 알킬기 또는 할로겐 원자이거나, 수소 원자 또는 할로겐 원자이거나 또는 수소 원자일 수 있다.At least one, for example, 1 to 3 or 1 to 2 of R 1 to R 5 in the formula (19) is the above-mentioned heterocyclic substituent and the others are a hydrogen atom, an alkyl group or a halogen atom, Atom or a hydrogen atom.
전술한 헤테로고리 치환기로는, 프탈이미드 유래 치환기, 싸이오펜 유래 치환기, 싸이아졸 유래 치환기, 카바졸 유래 치환기 또는 이미다졸 유래 치환기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the above-mentioned heterocyclic substituent include phthalimide -derived substituents, thiophene-derived substituents, thiazole-derived substituents, carbazole-derived substituents, and imidazole-derived substituents.
본 출원의 블록 공중합체는 전술한 제 1 블록 중에서 하나 이상을 포함하고, 또한 전술한 제 2 블록 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다. 이러한 블록 공중합체는 2개의 블록 또는 3개의 블록을 포함하거나, 그 이상의 블록을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 블록 공중합체는, 상기 제 1 블록 중에서 어느 하나와 상기 제 2 블록 중에서 어느 하나를 포함하는 디블록 공중합체일 수 있다.The block copolymer of the present application includes at least one of the above-described first blocks, and may also include at least one of the above-mentioned second blocks. Such a block copolymer may include two blocks or three blocks, or may include more blocks. For example, the block copolymer may be a diblock copolymer including any one of the first blocks and the second blocks.
블록 공중합체의 수평균분자량(Mn (Number Average Molecular Weight))은, 예를 들면, 3,000 내지 300,000의 범위 내에 있을 수 있다. 본 명세서에서 용어 수평균분자량은, GPC(Gel Permeation Chromatograph)를 사용하여 측정한 표준 폴리스티렌에 대한 환산 수치이고, 본 명세서에서 용어 분자량은 특별히 달리 규정하지 않는 한 수평균분자량을 의미한다. 분자량(Mn)은 다른 예시에서는, 예를 들면, 3000 이상, 5000 이상, 7000 이상, 9000 이상, 11000 이상, 13000 이상 또는 15000 이상일 수 있다. 분자량(Mn)은 또 다른 예시에서 250000 이하, 200000 이하, 180000 이하, 160000이하, 140000이하, 120000이하, 100000이하, 90000이하, 80000이하, 70000이하, 60000이하, 50000이하, 40000이하, 30000 이하 또는 25000 이하 정도일 수 있다. 블록 공중합체는, 1.01 내지 1.60의 범위 내의 분산도(polydispersity, Mw/Mn)를 가질 수 있다. 분산도는 다른 예시에서 약 1.1 이상, 약 1.2 이상, 약 1.3 이상 또는 약 1.4 이상일 수 있다.The number average molecular weight (Mn) of the block copolymer may be in the range of, for example, 3,000 to 300,000. In the present specification, the term number average molecular weight refers to a value converted to standard polystyrene measured using GPC (Gel Permeation Chromatograph). In the present specification, the term molecular weight refers to a number average molecular weight unless otherwise specified. The molecular weight (Mn) may be, for example, 3000 or more, 5000 or more, 7000 or more, 9000 or more, 11000 or more, 13000 or more, or 15000 or more in other examples. In another example, the molecular weight (Mn) is not more than 250,000, less than 200,000, less than or equal to 180,000, less than or equal to 160,000, less than or equal to 140000, less than or equal to 120000, less than or equal to 100000, less than or equal to 90000, less than or equal to 80000, less than or equal to 70000, Or 25,000 or less. The block copolymer may have a polydispersity (Mw / Mn) in the range of 1.01 to 1.60. In another example, the degree of dispersion may be at least about 1.1, at least about 1.2, at least about 1.3, or at least about 1.4.
이러한 범위에서 블록 공중합체는 적절한 자기 조립 특성을 나타낼 수 있다. 블록 공중합체의 수평균 분자량 등은 목적하는 자기 조립 구조 등을 감안하여 조절될 수 있다. In this range, the block copolymer can exhibit proper self-assembling properties. The number average molecular weight of the block copolymer and the like can be adjusted in consideration of the desired self-assembling structure and the like.
블록 공중합체가 상기 제 1 및 제 2 블록을 적어도 포함할 경우에 상기 블록 공중합체 내에서 제 1 블록, 예를 들면, 전술한 상기 사슬을 포함하는 블록의 비율은 10몰% 내지 90몰%의 범위 내에 있을 수 있다.When the block copolymer contains at least the first and second blocks, the ratio of the first block in the block copolymer, for example, the block including the chain described above, is from 10 mol% to 90 mol% Lt; / RTI >
본 출원은 또한 상기 블록 공중합체를 포함하는 고분자 막에 대한 것이다. 상기 고분자 막은 다양한 용도에 사용될 수 있으며, 예를 들면, 다양한 전자 또는 전자 소자, 상기 패턴의 형성 공정 또는 자기 저장 기록 매체, 플래쉬 메모리 등의 기록 매체 또는 바이오 센서 등에 사용될 수 있다. The present application is also directed to a polymer membrane comprising said block copolymer. The polymer membrane can be used for various purposes, for example, various electronic or electronic devices, a process of forming the pattern, a recording medium such as a magnetic storage medium, a flash memory, or a biosensor.
하나의 예시에서 상기 고분자 막에서 상기 블록 공중합체는, 자기 조립을 통해 스피어(sphere), 실린더(cylinder), 자이로이드(gyroid) 또는 라멜라(lamellar) 등을 포함하는 주기적 구조를 구현하고 있을 수 있다.In one example, the block copolymer in the polymer membrane may be self-assembled to implement a cyclic structure including a sphere, a cylinder, a gyroid or a lamellar, .
예를 들면, 블록 공중합체에서 제 1 또는 제 2 블록 또는 그와 공유 결합된 다른 블록의 세그먼트 내에서 다른 세그먼트가 라멜라 형태 또는 실린더 형태 등과 같은 규칙적인 구조를 형성하고 있을 수 있다.For example, within the block of the first or second block or another block covalently bonded thereto, the other segment in the block copolymer may form a regular structure such as a lamellar shape or a cylinder shape.
본 출원은 또한 상기 블록 공중합체를 사용하여 고분자 막을 형성하는 방법에 대한 것이다. 상기 방법은 상기 블록 공중합체를 포함하는 고분자막을 자기 조립된 상태로 기판상에 형성하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 방법은 상기 블록 공중합체 또는 그를 적정한 용매에 희석한 코팅액의 층을 도포 등에 의해 기판 상에 형성하고, 필요하다면, 상기 층을 숙성하거나 열처리하는 과정을 포함할 수 있다.The present application also relates to a method for forming a polymer film using the block copolymer. The method may include forming a polymer membrane including the block copolymer on a substrate in a self-assembled state. For example, the method may include forming a layer of the block copolymer or a coating liquid in which the block copolymer is diluted with a suitable solvent on the substrate by applying or the like, and if necessary, aging or heat-treating the layer.
상기 숙성 또는 열처리는, 예를 들면, 블록 공중합체의 상전이온도 또는 유리전이온도를 기준으로 수행될 수 있고, 예를 들면, 상기 유리 전이 온도 또는 상전이 온도 이상의 온도에서 수행될 수 있다. 이러한 열처리가 수행되는 시간은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 약 1분 내지 72시간의 범위 내에서 수행될 수 있지만, 이는 필요에 따라서 변경될 수 있다. 또한, 고분자 박막의 열처리 온도는, 예를 들면, 100℃ 내지 250℃ 정도일 수 있으나, 이는 사용되는 블록 공중합체를 고려하여 변경될 수 있다.The aging or heat treatment may be performed based on, for example, the phase transition temperature or the glass transition temperature of the block copolymer, and may be performed at, for example, the glass transition temperature or a temperature higher than the phase transition temperature. The time at which this heat treatment is performed is not particularly limited, and can be performed within a range of, for example, about 1 minute to 72 hours, but this can be changed if necessary. The heat treatment temperature of the polymer thin film may be, for example, about 100 ° C to 250 ° C, but may be changed in consideration of the block copolymer to be used.
상기 형성된 층은, 다른 예시에서는 상온의 비극성 용매 및/또는 극성 용매 내에서, 약 1분 내지 72 시간 동안 용매 숙성될 수도 있다.The formed layer may be solvent aged for about 1 minute to 72 hours in a non-polar solvent and / or a polar solvent at room temperature in another example.
본 출원은 또한 패턴 형성 방법에 대한 것이다. 상기 방법은, 예를 들면, 기판 및 상기 기판의 표면에 형성되어 있고, 자기 조립된 상기 블록 공중합체를 포함하는 고분자막을 가지는 적층체에서 상기 블록 공중합체의 제 1 또는 제 2 블록을 선택적으로 제거하는 과정을 포함할 수 있다. 상기 방법은 상기 기판에 패턴을 형성하는 방법일 수 있다. 예를 들면 상기 방법은, 상기 블록 공중합체를 포함하는 고분자 막을 기판에 형성하고, 상기 막 내에 존재하는 블록 공중합체의 어느 하나 또는 그 이상의 블록을 선택적으로 제거한 후에 기판을 식각하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 예를 들면, 나노 스케일의 미세 패턴의 형성이 가능하다. 또한, 고분자 막 내의 블록 공중합체의 형태에 따라서 상기 방식을 통하여 나노 로드 또는 나노 홀 등과 같은 다양한 형태의 패턴을 형성할 수 있다. 필요하다면, 패턴 형성을 위해서 상기 블록 공중합체와 다른 공중합체 혹은 단독 중합체 등이 혼합될 수 있다. 이러한 방식에 적용되는 상기 기판의 종류는 특별히 제한되지 않고, 필요에 따라서 선택될 수 있으며, 예를 들면, 산화 규소 등이 적용될 수 있다.The present application also relates to a method of pattern formation. The above method is a method for selectively removing the first or second block of the block copolymer in a laminate having a substrate and a polymer film formed on the surface of the substrate and self-assembled with the block copolymer . ≪ / RTI > The method may be a method of forming a pattern on the substrate. For example, the method may include forming a polymeric film comprising the block copolymer on a substrate, selectively removing one or more blocks of the block copolymer present in the film, and then etching the substrate . In this way, it is possible to form, for example, a nanoscale fine pattern. In addition, various patterns such as nano-rods, nano-holes, and the like can be formed through the above-described method depending on the type of the block copolymer in the polymer film. If necessary, the block copolymer may be mixed with another copolymer or homopolymer for pattern formation. The type of the substrate to be applied to this method is not particularly limited and may be selected as required. For example, silicon oxide or the like may be applied.
예를 들면, 상기 방식은 높은 종횡비를 나타내는 산화 규소의 나노 스케일의 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들면, 산화 규소 상에 상기 고분자막을 형성하고, 상기 고분자막 내의 블록 공중합체가 소정 구조를 형성하고 있는 상태에서 블록 공중합체의 어느 한 블록을 선택적으로 제거한 후에 산화 규소를 다양한 방식, 예를 들면, 반응성 이온 식각 등으로 에칭하여 나노로드 또는 나노 홀의 패턴 등을 포함한 다양한 형태를 구현할 수 있다. 또한, 이러한 방법을 통하여 종횡비가 큰 나노 패턴의 구현이 가능할 수 있다.For example, the method can form a nanoscale pattern of silicon oxide that exhibits a high aspect ratio. For example, the polymer film is formed on silicon oxide, and one block of the block copolymer is selectively removed while the block copolymer in the polymer film forms a predetermined structure. Thereafter, the silicon oxide is removed in various ways, for example, , Reactive ion etching, or the like to form various patterns including patterns of nano-rods or nano holes. In addition, it is possible to realize a nano pattern having a large aspect ratio through such a method.
예를 들면, 상기 패턴은, 수십 나노미터의 스케일에서 구현될 수 있으며, 이러한 패턴은, 예를 들면, 차세대 정보전자용 자기 기록 매체 등을 포함한 다양한 용도에 활용될 수 있다.For example, the pattern can be implemented in a scale of several tens of nanometers, and such a pattern can be utilized for various purposes including, for example, a next-generation information electronic magnetic recording medium and the like.
예를 들면, 상기 방식에 의하면 약 3nm 내지 40 nm의 폭을 가지는 나노 구조물, 예를 들면, 나노 선들이 약 6 nm 내지 80 nm의 간격을 두고 배치되어 있는 패턴을 형성할 수 있다. 다른 예시에서는 약 3 nm 내지 40 nm의 너비, 예를 들면 직경을 가지는 나노 홀들이 약 6 nm 내지 80 nm의 간격을 형성하면 배치되어 있는 구조의 구현도 가능하다.For example, according to the above method, a pattern in which nanostructures having a width of about 3 nm to 40 nm, for example, nanowires are arranged at intervals of about 6 nm to 80 nm, can be formed. In another example, it is possible to implement a structure in which the width is about 3 nm to 40 nm, for example, nanoholes having a diameter of about 6 nm to 80 nm are formed.
또한, 상기 구조에서 나노 선이나 나노 홀들이 큰 종횡비(aspect ratio)를 가지도록 할 수 있다.Also, in the above structure, the nanowires and nano holes can have a large aspect ratio.
상기 방법에서 블록 공중합체의 어느 한 블록을 선택적으로 제거하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 고분자막에 적정한 전자기파, 예를 들면, 자외선 등을 조사하여 상대적으로 소프트한 블록을 제거하는 방식을 사용할 수 있다. 이 경우 자외선 조사 조건은 블록 공중합체의 블록의 종류에 따라서 결정되며, 예를 들면, 약 254 nm 파장의 자외선을 1분 내지 60 분 동안 조사하여 수행할 수 있다.The method of selectively removing one block of the block copolymer in the above method is not particularly limited. For example, a method of removing a relatively soft block by irradiating an appropriate electromagnetic wave, for example, ultraviolet light, Can be used. In this case, the ultraviolet ray irradiation conditions are determined depending on the type of the block of the block copolymer, and can be performed, for example, by irradiating ultraviolet light having a wavelength of about 254 nm for 1 minute to 60 minutes.
또한, 자외선 조사에 이어서 고분자 막을 산 등으로 처리하여 자외선에 의해 분해된 세그먼트를 추가로 제거하는 단계를 수행할 수도 있다.In addition, the ultraviolet irradiation may be followed by a step of treating the polymer membrane with an acid or the like to further remove the segment decomposed by ultraviolet rays.
또한, 선택적으로 블록이 제거된 고분자막을 마스크로 하여 기판을 에칭하는 단계는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, CF4/Ar 이온 등을 사용한 반응성 이온 식각 단계를 통해 수행할 수 있고, 이 과정에 이어서 산소 플라즈마 처리 등에 의해 고분자막을 기판으로부터 제거하는 단계를 또한 수행할 수 있다.The step of selectively etching the substrate using the polymer film having the removed block as a mask is not particularly limited. For example, the step of etching the substrate may be performed by a reactive ion etching step using CF 4 / Ar ions or the like. A step of removing the polymer membrane from the substrate by an oxygen plasma treatment or the like can also be performed.
본 출원은, 블록 공중합체 및 그 용도가 제공될 수 있다. 본 출원의 블록 공중합체는, 우수한 자기 조립 특성 내지는 상분리 특성을 가지며, 예를 들면, 에칭 선택성 등과 같은 요구되는 다양한 기능도 자유롭게 부여될 수 있다.The present application may provide block copolymers and uses thereof. The block copolymer of the present application has excellent self-assembling properties or phase separation characteristics and can be freely given various required functions such as, for example, etching selectivity.
도 1은 고분자막의 SEM 사진을 보여주는 도면이다.
도 2는 에칭 선택성을 보여주는 도면이다.1 is a SEM photograph showing a polymer membrane.
Figure 2 is a diagram showing etch selectivity.
이하 본 출원에 따르는 실시예 및 비교예를 통하여 본 출원을 보다 상세히 설명하나, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present application will be described in detail by way of examples and comparative examples according to the present application, but the scope of the present application is not limited by the following examples.
1. One. NMRNMR 측정 Measure
NMR 분석은 삼중 공명 5 mm 탐침(probe)을 가지는 Varian Unity Inova(500 MHz) 분광계를 포함하는 NMR 분광계를 사용하여 상온에서 수행하였다. NMR 측정용 용매(CDCl3)에 분석 대상 물질을 약 10 mg/ml 정도의 농도로 희석시켜 사용하였고, 화학적 이동은 ppm으로 표현하였다. NMR analysis was performed at room temperature using an NMR spectrometer including a Varian Unity Inova (500 MHz) spectrometer with a
<적용 약어><Application Abbreviation>
br = 넓은 신호, s = 단일선, d = 이중선, dd = 이중 이중선, t = 삼중선, dt = 이중 삼중선, q = 사중선, p = 오중선, m = 다중선.
br = broad signal, s = singlet, d = doublet, dd = doublet, t = triplet, dt = double triplet, q = quartet, p = octet, m = polyline.
2. GPC(2. GPC ( GelCome PermeationPermeation ChromatographChromatograph ))
수평균분자량(Mn) 및 분자량 분포는 GPC(Gel permeation chromatography)를 사용하여 측정하였다. 5 mL 바이얼(vial)에 실시예 또는 비교예의 블록 공중합체 또는 거대 개시제 등의 분석 대상 물일을 넣고, 약 1 mg/mL 정도의 농도가 되도록 THF(tetrahydro furan)에 희석한다. 그 후, Calibration용 표준 시료와 분석하고자 하는 시료를 syringe filter(pore size: 0.45 ㎛)를 통해 여과시킨 후 측정하였다. 분석 프로그램은 Agilent technologies 사의 ChemStation을 사용하였으며, 시료의 elution time을 calibration curve와 비교하여 중량평균분자량(Mw) 및 수평균분자량(Mn)을 각각 구하고, 그 비율(Mw/Mn)로 분자량분포(PDI)를 계산하였다. GPC의 측정 조건은 하기와 같다.The number average molecular weight (Mn) and molecular weight distribution were measured using GPC (Gel Permeation Chromatography). Add a sample to be analyzed such as a block copolymer or a macroinitiator of the example or comparative example into a 5 mL vial and dilute with tetrahydrofuran (THF) to a concentration of about 1 mg / mL. After that, the calibration standard sample and the sample to be analyzed were filtered through a syringe filter (pore size: 0.45 μm) and then measured. The analytical program used was a ChemStation from Agilent Technologies. The elution time of the sample was compared with a calibration curve to determine the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn), and the molecular weight distribution (PDI ) Were calculated. The measurement conditions of GPC are as follows.
<GPC 측정 조건>≪ GPC measurement condition >
기기 : Agilent technologies 사의 1200 series Devices: 1200 series from Agilent Technologies
컬럼 : Polymer laboratories 사의 PLgel mixed B 2개 사용Column: Using PLgel mixed B from Polymer laboratories
용매 : THFSolvent: THF
컬럼온도 : 35℃Column temperature: 35 ° C
샘플 농도 : 1mg/mL, 200L 주입Sample concentration: 1 mg / mL, 200 L injection
표준 시료 : 폴리스티렌(Mp : 3900000, 723000, 316500, 52200, 31400, 7200, 3940, 485)
Standard samples: Polystyrene (Mp: 3900000, 723000, 316500, 52200, 31400, 7200, 3940, 485)
제조예Manufacturing example 1. One.
하기 화학식 A의 화합물(DPM-C12)은 다음의 방식으로 합성하였다. 250 mL 플라스크에 히드로퀴논(hydroquinone)(10.0g, 94.2 mmol) 및 1-브로모도데칸(1-Bromododecane)(23.5 g, 94.2 mmol)을 넣고, 100 mL의 아세토니트릴(acetonitrile)에 녹인 후 과량의 포타슘 카보네이트(potassium carbonate)를 첨가하고, 75oC에서 약 48시간 동안 질소 조건하에서 반응시켰다. 반응 후 잔존하는 포타슘 카보네이트 및 반응에 사용한 아세토니트릴도 제거하였다. DCM(dichloromethane)과 물의 혼합 용매를 첨가하여 워크업(work up)하고, 분리된 유기층을 MgSO4로 탈수하였다. 이어서, CC(Column Chromatography)에서 DCM(dichloromethane)으로 정제하여 흰색 고체상의 중간체를 약 37%의 수득률로 얻었다.The compound (DPM-C12) shown below was synthesized in the following manner. Hydroquinone (10.0 g, 94.2 mmol) and 1-bromododecane (23.5 g, 94.2 mmol) were placed in a 250 mL flask and dissolved in 100 mL of acetonitrile. An excess of potassium Potassium carbonate was added and reacted at 75 ° C for about 48 hours under nitrogen. After the reaction, the remaining potassium carbonate and acetonitrile used for the reaction were also removed. The mixture was worked up by adding a mixed solvent of DCM (dichloromethane) and water, and the separated organic layer was dehydrated with MgSO 4 . Subsequently, the product was purified by DC (dichloromethane) in CC (Column Chromatography) to obtain a white solid intermediate with a yield of about 37%.
<중간체에 대한 <For intermediate NMRNMR 분석 결과> Analysis results>
1H-NMR(CDCl3): d6.77(dd, 4H); d4.45(s, 1H); d3.89(t, 2H); d1.75(p, 2H); d1.43(p, 2H); d1.33-1.26(m, 16H); d0.88(t, 3H).
1 H-NMR (CDCl 3) : d6.77 (dd, 4H); d4.45 (s, 1 H); d3.89 (t, 2H); d 1.75 (p, 2H); d1.43 (p, 2H); d 1.33-1.26 (m, 16H); d 0.88 (t, 3 H).
플라스크에 합성된 중간체(9.8 g, 35.2 mmol), 메타크릴산(6.0 g, 69.7 mmol), DCC(dicyclohexylcarbodiimide)(10.8 g, 52.3 mmol) 및 DMAP(p-dimethylaminopyridine)(1.7 g, 13.9 mmol)을 넣고, 120 mL의 메틸렌클로라이드를 첨가한 후, 상온의 질소 분위기에서 24시간 동안 반응시켰다. 반응 후에 반응 중에 생성된 염(urea salt)을 필터로 제거하고 잔존하는 메틸렌클로라이드도 제거하였다. CC(Column Chromatography)에서 헥산과 DCM(dichloromethane)을 이동상으로 하여 불순물을 제거하고, 얻어진 생성물을 메탄올과 물의 혼합 용매(1:1 중량 비율로 혼합)에서 재결정시켜 흰색 고체상의 목적물(DPM-C12)(7.7 g, 22.2 mmol)을 63%의 수득률로 얻었다.(9.8 g, 35.2 mmol), methacrylic acid (6.0 g, 69.7 mmol), DCC (dicyclohexylcarbodiimide) (10.8 g, 52.3 mmol) and p-dimethylaminopyridine (1.7 g, 13.9 mmol) 120 mL of methylene chloride was added, and the mixture was allowed to react for 24 hours in a nitrogen atmosphere at room temperature. After the reaction, the urea salt formed during the reaction was filtered off and the remaining methylene chloride was removed. The resulting product was recrystallized in a mixed solvent of methanol and water (mixed at a weight ratio of 1: 1) to obtain the title compound (DPM-C12) as a white solid, which was purified by CC (Column Chromatography) using hexane and dichloromethane as mobile phases, (7.7 g, 22.2 mmol) in 63% yield.
<< DPMDPM -- C12C12 NMRNMR 분석 결과> Analysis results>
1H-NMR(CDCl3): d7.02(dd, 2H); d6.89(dd, 2H); d6.32(dt, 1H); d5.73(dt, 1H); d3.94(t, 2H); d2.05(dd, 3H); d1.76(p, 2H); d1.43(p, 2H); 1.34-1.27(m, 16H); d0.88(t, 3H). 1 H-NMR (CDCl 3) : d7.02 (dd, 2H); d 6.89 (dd, 2 H); d6.32 (dt, 1 H); d5.73 (dt, 1 H); d 3.94 (t, 2 H); d 2.05 (dd, 3H); d, 1.76 (p, 2H); d1.43 (p, 2H); 1.34-1.27 (m, 16H); d 0.88 (t, 3 H).
[화학식 A](A)
화학식 A에서 R은 탄소수 12의 직쇄상 알킬기이다.
In formula (A), R is a straight chain alkyl group having 12 carbon atoms.
실시예Example 1. One.
단량체의 합성Synthesis of monomers
하기 화학식 I의 화합물을 다음의 방식으로 합성하였다. 펜타플루오로스티렌(Pentafluorostyrene)(25 g, 129 mmol)을 400 mL의 tert-부탄올과 포타슘히드록시드(potassium hydroxide)(37.5 g, 161 mmol)의 혼합 용액에 첨가하고, 2시간 동안 반응(reflux reaction)시켰다. 상온으로 반응물을 식힌 후에 물 1200 mL를 첨가하고, 반응에 사용된 잔존 부탄올을 휘발시켰다. 부가물들은 디에틸 에테르(300 mL)로 3회 추출하고, 수용액층은 10 중량%의 염산 용액으로 pH가 약 3 정도가 되도록 산성화시켜서 목적물을 침전시키고, 다시 디에틸에테르(300 mL)로 3회 추출하여 목적물이 포함되어 있는 유기층을 채취하였다. 유기층을 MgSO4로 탈수하고, 용매를 제거하였다. 조생성물(Crude product)을 컬럼 크로마토그래피에서 헥산과 DCM(dichloromethane)을 이동상으로 하여 정제하여 하여 무색 액체상의 중간체(3-히드록시-1,2,4,5-테트라플루오로스티렌)(11.4 g)을 수득하였다. 상기에 대한 NMR 분석 결과는 하기와 같다. The following compounds of formula (I) were synthesized in the following manner. Pentafluorostyrene (25 g, 129 mmol) was added to a mixed solution of 400 mL of tert -butanol and potassium hydroxide (37.5 g, 161 mmol), and the reaction was refluxed for 2 hours reaction. The reaction mixture was cooled to room temperature, 1200 mL of water was added, and the remaining butanol used in the reaction was volatilized. The adducts were extracted three times with diethyl ether (300 mL), and the aqueous layer was acidified with 10% by weight hydrochloric acid solution to a pH of about 3 to precipitate the desired product. The product was precipitated three times with diethyl ether (300 mL) And the organic layer containing the target substance was collected. Dehydrating the organic layer with MgSO 4 and the solvent was removed. Crude product was purified by column chromatography using hexane and dichloromethane as mobile phases to obtain a colorless liquid phase intermediate (3-hydroxy-1,2,4,5-tetrafluorostyrene) (11.4 g ). NMR analysis results for the above are as follows.
<< NMRNMR 분석 결과> Analysis results>
1H-NMR(DMSO-d): δ11.7 (s, 1H); δ6.60(dd, 1H); δ5.89(d, 1H); δ5.62(d, 1H) 1 H-NMR (DMSO-d ): δ11.7 (s, 1H); [delta] 6.60 (dd, 1H); [delta] 5.89 (d, IH); [delta] 5.62 (d, IH)
상기 중간체(11.4 g, 59 mmol)를 DCM(dichloromethane)(250 mL)에 녹인 용액에 이미다졸(imidazole)(8.0 g, 118 mmol), DMAP(p-dimethylaminopyridine)(0.29 g, 2.4 mmol)과 tert-부틸클로로디메틸실란(17.8 g, 118 mmol)을 가해준다. 24 시간 동안 상온에서 교반하여 반응시킨 후에 100 mL의 brine을 넣어주어 반응을 종료시킨 후, DCM으로 추가적인 추출을 수행한다. 모아진 DCM의 유기층은 MgSO4로 탈수하고, 용매를 제거하여 조생성물(crude product)을 얻었다. 컬럼 크로마토그래피에서 헥산과 DCM을 이동상으로 하여 정제하여 무색의 목적물(10.5 g)을 액체상으로 수득하였다. 얻어진 목적물의 NMR 결과는 하기와 같다. Imidazole (8.0 g, 118 mmol), DMAP (p-dimethylaminopyridine) (0.29 g, 2.4 mmol) and tert ( tert -butoxycarbonylamino) pyridine were added to a solution of the above intermediate (11.4 g, 59 mmol) in dichloromethane -Butylchlorodimethylsilane (17.8 g, 118 mmol). After stirring for 24 hours at room temperature, 100 mL of brine was added to terminate the reaction, followed by further extraction with DCM. The collected organic layer of DCM was dehydrated with MgSO 4 and the solvent was removed to give a crude product. Purification by column chromatography using hexane and DCM as mobile phases gave a colorless target (10.5 g) as a liquid phase. The NMR results of the obtained object are as follows.
<< NMRNMR 분석 결과> Analysis results>
1H-NMR(CDCl3): d6.62(dd, 1H); d6.01(d, 1H); d5.59(d, 1H); d1.02(t, 9H), d0.23(t, 6H) 1 H-NMR (CDCl 3) : d6.62 (dd, 1H); d 6.01 (d, 1 H); d5.59 (d, 1 H); d 1.02 (t, 9H), d 0.23 (t, 6H)
[화학식 I](I)
블록 공중합체의 합성Synthesis of block copolymer
AIBN(Azobisisobutyronitrile), RAFT(Reversible Addition?ragmentation chain Transfer) 시약(2-cyano-2-propyl dodecyl trithiocarbonate) 및 제조예 1의 화합물(DPM-C12)을 벤젠에 50:1:0.2의 중량 비율(DPM-C12:RAFT 시약: AIBN)로 용해시키고(농도: 70 중량%), 질소 분위기하 70oC에서 4 시간 동안 반응시켜서 거대 개시제(수평균분자량: 14000, 분자량 분포:1.2)를 합성하였다. 합성된 거대 개시제, 상기 화학식 I의 화합물(TFS-S) 및 AIBN(Azobisisobutyronitrile)을 1:200:0.5(거대 개시제:TFS-S:AIBN)의 중량 비율로 벤젠에 용해시키고(농도: 30 중량%), 질소 분위기 하의 70oC에서 6시간 동안 반응시켜서 블록 공중합체를 제조하였다(수평균분자량: 35000, 분자량 분포: 1.2). 상기 블록 공중합체는 제조예 1 화합물 유래의 제 1 블록과 상기 화학식 I 유래의 제 2 블록을 포함한다.
2-cyano-2-propyl dodecyl trithiocarbonate (RAFT) and the compound (DPM-C12) of Preparation Example 1 were dissolved in benzene in a weight ratio of 50: 1: 0.2 (DPM (Number average molecular weight: 14,000, molecular weight distribution: 1.2) was synthesized by dissolving the compound in a solvent (concentration: 70 wt%) at 70 ° C for 4 hours. The synthesized macromonomer, the compound of Formula I (TFS-S) and AIBN (Azobisisobutyronitrile) were dissolved in benzene in a weight ratio of 1: 200: 0.5 (macro initiator: TFS-S: AIBN) ) And reacted at 70 ° C under a nitrogen atmosphere for 6 hours to prepare a block copolymer (number average molecular weight: 35,000, molecular weight distribution: 1.2). The block copolymer comprises a first block derived from the compound of Preparation Example 1 and a second block derived from the above-mentioned Formula I.
비교예Comparative Example 1. One.
제조예 1의 화합물(DPM-C12) 2.0 g 및 RAFT(Reversible Addition-Fragmentation chain Transfer) 시약(cyanoisopropyl dithiobenzoate) 64 mg, AIBN(Azobisisobutyronitrile) 23 mg 및 벤젠 5.34 mL를 10 mL 플라스트(Schlenk flask)에 넣고 질소 분위기 하 상온에서 30분 동안 교반한 후, 70℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition-Fragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL에 침전시킨 후, 감압 여과 후 건조시켜, 분홍색의 거대 개시제를 제조하였다. 거대 개시제의 수득률은 약 82.6%였고, 수평균 분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 9,000 및 1.16이었다. 2.0 g of the compound (DPM-C12) of Preparation Example 1 and 64 mg of a reversible addition-fragmentation chain transfer (RAFT) reagent, 23 mg of AIBN (azobisisobutyronitrile) and 5.34 mL of benzene were charged into a 10 mL plunger (Schlenk flask) The mixture was stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere, and then subjected to Reversible Addition-Fragmentation Chain Transfer (RAFT) at 70 ° C for 4 hours. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, filtered under reduced pressure, and dried to obtain a pink macro initiator. The yield of the macro initiator was about 82.6%, and the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 9,000 and 1.16, respectively.
거대개시제 0.3 g, 펜타플루오로스티렌 2.7174 g 및 벤젠 1.306 mL를 10 mL 플라스크(Schlenk flask)에 넣고 질소 분위기 하에서 상온에서 30분 동안 교반한 후, 115℃에서 4시간 동안 RAFT(Reversible Addition-Fragmentation chain Transfer) 중합 반응을 수행하였다. 중합 후 반응 용액을 추출 용매인 메탄올 250 mL 에 침전시킨 다음, 감압 여과하여 건조시켜 연한 분홍색의 블록 공중합체를 제조하였다. 블록 공중합체의 수득률은 약 18%였고, 수평균분자량(Mn) 및 분자량분포(Mw/Mn)는 각각 16,300 및 1.13이었다. 상기 블록 공중합체는 제조예 1의 화합물(DPM-C12) 유래의 제 1 블록과 상기 펜타플루오로스티렌 유래의 제 2 블록을 포함한다.
0.3 g of a macroinitiator, 2.7174 g of pentafluorostyrene and 1.306 mL of benzene were placed in a 10 mL flask (Schlenk flask), stirred at room temperature for 30 minutes under a nitrogen atmosphere, and then subjected to Reversible Addition-Fragmentation Transfer polymerization reaction was carried out. After the polymerization, the reaction solution was precipitated in 250 mL of methanol, which was an extraction solvent, and then dried under reduced pressure to obtain a pale pink block copolymer. The yield of the block copolymer was about 18%, and the number average molecular weight (Mn) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) were 16,300 and 1.13, respectively. The block copolymer includes a first block derived from the compound (DPM-C12) of Preparation Example 1 and a second block derived from the pentafluorostyrene.
시험예Test Example 1. One.
실시예 1에서 합성된 블록 공중합체를 사용하여 자기 조립된 고분자막을 형성하고, 그 결과를 확인하였다. 구체적으로 공중합체를 약 1.0 중량%의 농도로 톨루엔에 용해시키고, 실리콘 웨이퍼상에 3000 rpm의 속도로 60초 동안 스핀 코팅하였다. 그 후, 160oC에서 1시간 동안 열숙성(annealing)시켜 자기 조립시켰다. 그 후, 고분자막에 대하여 SEM(scanning electron microscope: SEM) 사진을 촬영하여 자기 조립 효율을 평가하였다. 도 1은 실시예 1에 대한 결과이고, 이를 통해 적절한 상분리가 이루어졌음을 확인할 수 있다.
The self-assembled polymer membrane was formed using the block copolymer synthesized in Example 1, and the results were confirmed. Specifically, the copolymer was dissolved in toluene at a concentration of about 1.0 wt.% And spin-coated on a silicon wafer at a speed of 3000 rpm for 60 seconds. Then, it was self-assembled by annealing at 160 ° C for 1 hour. Thereafter, a scanning electron microscope (SEM) photograph was taken of the polymer membrane to evaluate self-assembly efficiency. Fig. 1 shows the results for Example 1, which confirms that proper phase separation has been achieved.
시험예Test Example 2. 2.
실시예 1 및 비교예 1의 블록 공중합체의 블록의 에칭 저항성을 평가하였다. 구체적으로 에칭 기기(SNTech)를 사용하여 동일 조건(RF 출력: 150W, 압력: 15mTorr)에서 에칭을 수행하면서 각 블록의 에칭 선택성을 비교하였다. 그 결과는 도 2에 나타나 있다. 도 2에서 X축은 에칭 시간이고, Y축은 에칭 과정에서 잔존하는 막의 두께(film thickness)를 백분율로 나타낸 것이다. 도 2에서 PDPM은 실시예 1 및 비교예 1의 제 1 블록의 에칭 시간을 나타내고, PTFSiS는 실시예 1의 제 2 블록의 에칭 시간이며, PPFS는 비교예 1의 제 2 블록의 에칭시간이다. 도 2로부터 본 출원의 실시예의 경우, 블록간의 에칭 저항성의 차이가 크게 나타나서, 에칭 선택성이 우수할 것을 확인할 수 있다.
The etching resistance of the block of the block copolymer of Example 1 and Comparative Example 1 was evaluated. Specifically, etching selectivities of the respective blocks were compared while performing etching under the same conditions (RF output: 150 W, pressure: 15 mTorr) using an etching machine (SNTech). The results are shown in Fig. In FIG. 2, the X axis represents the etching time, and the Y axis represents the film thickness remaining in the etching process as a percentage. In FIG. 2, PDPM represents the etching time of the first block of Example 1 and Comparative Example 1, PTFSiS is the etching time of the second block of Example 1, and PPFS is the etching time of the second block of Comparative Example 1. From FIG. 2, it can be seen that the etching resistance is greatly different between the blocks in the embodiment of the present application, and the etching selectivity is excellent.
Claims (15)
[화학식 5]
화학식 5에서 R은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, X는 단일 결합, 산소 원자, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-이고, P는 아릴렌기이고, Q는 산소 원자 또는 -NR3-이며, 상기에서 R3는, 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, Z는 사슬 형성 원자가 8개 이상인 직쇄 사슬이다.A block copolymer having a first block of formula (5) and a second block comprising at least one metal or metalloid atom:
[Chemical Formula 5]
X is a single bond, an oxygen atom, -C (= O) -O- or -OC (= O) -, P is an arylene group and Q is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, An oxygen atom or -NR 3 -, wherein R 3 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, and Z is a straight chain having 8 or more chain forming atoms.
[화학식 11]
화학식 11에서 B는 금속 원자 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기 및 할로겐 원자를 포함하는 방향족 구조를 가지는 1가 치환기이다.2. The block copolymer according to claim 1, wherein the second block is a block copolymer represented by Formula 11:
(11)
In Formula (11), B is a monovalent substituent having an aromatic structure including a substituent group containing a metal atom or a metalloid atom and a halogen atom.
[화학식 13]
화학식 13에서 X2는, 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR1-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기, 알키닐렌기, -C(=O)-X1- 또는 -X1-C(=O)-이고, 상기에서 R1은 수소, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 알콕시기 또는 아릴기이고, 상기에서 X1은 단일 결합, 산소 원자, 황 원자, -NR2-, -S(=O)2-, 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 알키닐렌기이며, R1 내지 R5는 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 할로알킬기, 할로겐 원자 및 금속 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기이고, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 할로겐 원자이며, R1 내지 R5 중 적어도 하나는 금속 또는 준금속 원자를 포함하는 치환기이다.2. The block copolymer according to claim 1, wherein the second block is a block copolymer represented by the following formula (13): < EMI ID =
[Chemical Formula 13]
In the formula 13 X 2 is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, -NR 1 -, -S (= O) 2 -, alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, -C (= O) -X 1 - or -X 1 -C (= O) -, wherein R 1 is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group or an aryl group, wherein X 1 is a single bond, an oxygen atom, -NR 2 -, -S (= O ) 2 -, alkylene, alkenylene or alkynylene is a carbonyl group, R 1 to R 5 each independently represent a hydrogen, an alkyl group, a haloalkyl group, a halogen atom and a metal or metalloid atom , At least one of R 1 to R 5 is a halogen atom, and at least one of R 1 to R 5 is a substituent containing a metal or a metalloid atom.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016536916A JP6432846B2 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
CN201480071865.5A CN105873969B (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
EP14867487.2A EP3078686B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
US15/102,139 US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
PCT/KR2014/012029 WO2015084126A1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130151867 | 2013-12-06 | ||
KR20130151866 | 2013-12-06 | ||
KR1020130151865 | 2013-12-06 | ||
KR20130151865 | 2013-12-06 | ||
KR20130151867 | 2013-12-06 | ||
KR1020130151866 | 2013-12-06 | ||
KR1020130159994 | 2013-12-20 | ||
KR20130159994 | 2013-12-20 | ||
KR1020140131964 | 2014-09-30 | ||
KR20140131964 | 2014-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150066486A true KR20150066486A (en) | 2015-06-16 |
KR101768288B1 KR101768288B1 (en) | 2017-08-17 |
Family
ID=53514851
Family Applications (15)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140175402A KR101832025B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Monomer and block copolymer |
KR1020140175413A KR101780099B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175406A KR101780098B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Boack copolymer |
KR1020140175412A KR101768291B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175400A KR101780097B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Monomer and block copolymer |
KR1020140175414A KR101780100B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175410A KR101768290B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175404A KR101763009B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175401A KR101763008B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Monomer and block copolymer |
KR1020140175403A KR101768288B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175407A KR101763010B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175415A KR101780101B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175408A KR101768289B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175405A KR101770882B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175411A KR101762487B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
Family Applications Before (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140175402A KR101832025B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Monomer and block copolymer |
KR1020140175413A KR101780099B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175406A KR101780098B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Boack copolymer |
KR1020140175412A KR101768291B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175400A KR101780097B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Monomer and block copolymer |
KR1020140175414A KR101780100B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175410A KR101768290B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175404A KR101763009B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175401A KR101763008B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Monomer and block copolymer |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140175407A KR101763010B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175415A KR101780101B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175408A KR101768289B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175405A KR101770882B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
KR1020140175411A KR101762487B1 (en) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | Block copolymer |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (15) | KR101832025B1 (en) |
TW (14) | TWI596128B (en) |
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Families Citing this family (51)
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---|---|---|---|---|
US10087276B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-02 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN105899557B (en) | 2013-12-06 | 2018-10-26 | 株式会社Lg化学 | Block copolymer |
JP6483693B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-13 | エルジー・ケム・リミテッド | Block copolymer |
EP3078689B1 (en) | 2013-12-06 | 2020-12-02 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3078692B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-01-27 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-09-25 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10227438B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP6361893B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-07-25 | エルジー・ケム・リミテッド | Block copolymer |
TWI596128B (en) * | 2013-12-06 | 2017-08-21 | Lg化學股份有限公司 | Block copolymer |
JP6483695B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-03-13 | エルジー・ケム・リミテッド | Block copolymer |
EP3078685B1 (en) | 2013-12-06 | 2020-09-09 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10202480B2 (en) | 2013-12-06 | 2019-02-12 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN106459326B (en) | 2013-12-06 | 2019-08-13 | 株式会社Lg化学 | Block copolymer |
US10150832B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-12-11 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3078654B1 (en) | 2013-12-06 | 2021-07-07 | LG Chem, Ltd. | Monomer and block copolymer |
US10633533B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-04-28 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3202801B1 (en) | 2014-09-30 | 2021-08-18 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
CN107075050B (en) | 2014-09-30 | 2019-08-13 | 株式会社Lg化学 | Block copolymer |
EP3202800B1 (en) | 2014-09-30 | 2021-12-29 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10281820B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-07 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
WO2016053010A1 (en) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | Block copolymer |
WO2016053001A1 (en) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | Block copolymer |
US10240035B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-03-26 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
US10287430B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-05-14 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
KR102183698B1 (en) | 2016-11-30 | 2020-11-26 | 주식회사 엘지화학 | Preparation method for polymer layer |
KR102088444B1 (en) * | 2016-11-30 | 2020-03-12 | 주식회사 엘지화학 | Polymer copolymer |
WO2018101743A2 (en) | 2016-11-30 | 2018-06-07 | 주식회사 엘지화학 | Laminate |
KR102096274B1 (en) * | 2016-11-30 | 2020-04-02 | 주식회사 엘지화학 | Block copolymer |
KR102096271B1 (en) * | 2016-11-30 | 2020-05-27 | 주식회사 엘지화학 | Block copolymer |
KR101946775B1 (en) * | 2016-11-30 | 2019-02-12 | 주식회사 엘지화학 | Block copolymer |
JP6822561B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-01-27 | エルジー・ケム・リミテッド | Laminate |
KR102096270B1 (en) * | 2017-07-14 | 2020-04-02 | 주식회사 엘지화학 | Compositon for neural layer |
WO2019013601A1 (en) | 2017-07-14 | 2019-01-17 | 주식회사 엘지화학 | Neutral layer composition |
US11732072B2 (en) | 2017-07-14 | 2023-08-22 | Lg Chem, Ltd. | Neutral layer composition |
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TWI805617B (en) | 2017-09-15 | 2023-06-21 | 南韓商Lg化學股份有限公司 | Laminate |
JP7120517B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-08-17 | エルジー・ケム・リミテッド | Random copolymer and pinning composition containing the same |
TWI695860B (en) * | 2017-11-07 | 2020-06-11 | 南韓商Lg化學股份有限公司 | Polymer composition |
KR102436923B1 (en) * | 2018-01-26 | 2022-08-26 | 주식회사 엘지화학 | Block copolymer containing photo-sensitive moiety |
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KR102550419B1 (en) | 2018-08-16 | 2023-07-04 | 주식회사 엘지화학 | Block copolymer |
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-
2014
- 2014-12-08 TW TW103142805A patent/TWI596128B/en active
- 2014-12-08 KR KR1020140175402A patent/KR101832025B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 TW TW103142782A patent/TWI596125B/en active
- 2014-12-08 TW TW103142963A patent/TWI596152B/en active
- 2014-12-08 KR KR1020140175413A patent/KR101780099B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 TW TW103142802A patent/TWI586691B/en active
- 2014-12-08 KR KR1020140175406A patent/KR101780098B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 TW TW103142784A patent/TWI532780B/en active
- 2014-12-08 KR KR1020140175412A patent/KR101768291B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 TW TW103142955A patent/TWI586692B/en active
- 2014-12-08 TW TW103142745A patent/TWI596119B/en active
- 2014-12-08 KR KR1020140175400A patent/KR101780097B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 KR KR1020140175414A patent/KR101780100B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 KR KR1020140175410A patent/KR101768290B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 KR KR1020140175404A patent/KR101763009B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 TW TW103142777A patent/TWI596124B/en active
- 2014-12-08 TW TW103142786A patent/TWI596126B/en active
- 2014-12-08 TW TW103142798A patent/TWI597300B/en active
- 2014-12-08 KR KR1020140175401A patent/KR101763008B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 TW TW103142794A patent/TWI596127B/en active
- 2014-12-08 KR KR1020140175403A patent/KR101768288B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 KR KR1020140175407A patent/KR101763010B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 KR KR1020140175415A patent/KR101780101B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 KR KR1020140175408A patent/KR101768289B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 KR KR1020140175405A patent/KR101770882B1/en active IP Right Grant
- 2014-12-08 TW TW103142956A patent/TWI557173B/en active
- 2014-12-08 TW TW103142790A patent/TWI591085B/en active
- 2014-12-08 TW TW103142780A patent/TWI598368B/en active
- 2014-12-08 KR KR1020140175411A patent/KR101762487B1/en active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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