KR20150053139A - 식각액 조성물, 식각액 조성물용 첨가제 및 식각 방법 - Google Patents
식각액 조성물, 식각액 조성물용 첨가제 및 식각 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 식각 반복으로 인해 특성이 저하된 구리/티타늄 합금용 식각액에 산화 포텐셜을 증가시킬 수 있는 물질이 포함된 식각 보조제를 첨가하여, 식각 특성을 유지시킬 수 있는 식각액 조성물 및 식각액 조성물용 첨가제 및 식각 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 식각액 조성물, 식각액 조성물용 첨가제 및 식각 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 및 TFT-LCD 등의 액정표시장치의 미세 회로는 기판상에 형성된 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금 등의 도전성 금속막, 또는 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트를 균일하게 도포한 다음, 패턴이 새겨진 마스크를 통하여 빛을 조사한 후 현상을 통하여 원하는 패턴의 포토레지스트를 형성시키고, 건식 또는 습식 식각으로 포토레지스트 하부에 있는 금속막 또는 절연막에 패턴을 전사한 후, 필요없는 포토레지스트를 박리 공정에 의해 제거하는, 일련의 리소그래프(lithography) 공정을 거쳐 완성된다.
대형 TFT-LCD 등에 사용되는 게이트 및 데이터 금속 배선은 종래 알루미늄 및 크롬 배선에 비해 저항이 낮고 환경적으로 문제가 없는 구리 금속이 사용됐으나, 유리 기판 및 실리콘 절연막과의 접착력이 낮으며 실리콘 막으로 확산되는 문제점이 있어 최근에는 티타늄 또는 구리/티타늄 합금 등이 사용되고 있다.
한편, TFT-LCD가 대형화됨에 따라, 습식 식각에 사용되는 식각액의 사용량이 증가하는 추세에 있으며, 제조 원가의 절감을 위해 식각액의 사용량을 감소시키거나, 동일한 양의 식각액으로 식각 가능한 식각 용량을 증가시키는 것이 매우 중요하다.
본 발명은 식각 반복으로 인해 특성이 저하된 구리/티타늄 합금용 식각액에 산화 포텐셜을 증가시킬 수 있는 물질이 포함된 식각 보조제를 첨가하여, 식각 특성을 유지시킬 수 있는 식각액 조성물 및 식각액 조성물용 첨가제 및 식각 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 구리/티타늄 합금막을 식각하는 식각방법으로서, 비과수계 식각액 조성물과, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 식각 첨가제를 각각 준비하여 식각액 조성물의 CD SKEW 값이 0.8 이하인 경우 양자를 혼합하여 조제되는 것인 조합물을 제공한다.
본 발명은 구리/티타늄 합금막을 식각하는 식각방법으로서, 비과수계 식각액 조성물과, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 식각 첨가제를 각각 준비하여 식각액 조성물의 CD SKEW 값이 0.8 이하인 경우 양자를 혼합하여 식각하는 식각방법을 제공한다.
본 발명은 구리/티타늄 합금막을 식각하는 식각방법으로서, 비과수계 식각액 조성물과, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 식각 첨가제를 각각 준비하여 식각액 조성물의 CD SKEW 값이 0.8 이하인 경우 양자를 혼합하여 식각하는 식각방법에 사용되는, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 첨가제를 제공한다.
본 발명은 구리/티타늄 합금막 식각 시 동일한 식각액으로 식각 특성이 저하되는 문제를 해결함으로써 식각액의 식각 용량을 증가시킬 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 구리/티타늄 합금막을 식각하는 식각방법으로서, 비과수계 식각액 조성물과, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 식각 첨가제를 각각 준비하여 식각액 조성물의 CD SKEW 값이 0.8 이하인 경우 양자를 혼합하여 조제되는 것인 조합물을 제공한다.
본 발명은 비과수계 식각액 조성물과 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하여 식각액 조성물과 별도 조제된 첨가액을 포함하는 조합물을 제공한다.
본 발명은 구리/티타늄 합금막을 식각하는 식각방법으로서, 비과수계 식각액 조성물과, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 식각 첨가제를 각각 준비하여 식각액 조성물의 CD SKEW 값이 0.8 이하인 경우 양자를 혼합하여 식각하는 식각방법을 제공한다.
상기 비과수계 식각액 조성물은 질산, 암모늄퍼설페이트, 불화암모늄, 개미산, 아미노테트라졸 LC 구연산암모늄을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 식각 보조제는 무기산, 무기염 및 유기산으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 식각 보조제의 성분 중 무기산으로는 인산, 질산, 황산, 불산, 염산 등이 사용되며, 무기염으로는 인산염, 질산염, 황산염, 불산염, 염산염 등을 들 수 있다. 또한 상기 식각 보조제에 사용되는 유기산의 예로는 옥살산, 아세트산, 부탄산 시트르산, 글리콜산, 말론산, 펜탄산, 프로피온산, 타프타르산, 숙신산, 글루콘산 및 그 외 수용산 유기산을 들 수 있다.
상기의 식각 보조제 성분 중 포타슘 모노퍼설페이트는 식각액의 산화 포텐셜을 증가시키는 주성분으로 전체 조성물의 10 내지 90 중량%로 사용된다.
또한 상기 성분 중 필요에 따라 식각 속도 조절을 위해 식각 억제제로써 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 테트라졸, 아미노테트라졸, 인돌, 퓨린, 피리딘, 피롤, 피롤리돈 및 피롤린 등과 같은 고리형 아민 화합물을 첨가할 수 있다.
Claims (3)
- 구리/티타늄 합금막을 식각하는 식각방법으로서, 비과수계 식각액 조성물과, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 식각 첨가제를 각각 준비하여 식각액 조성물의 CD SKEW 값이 0.8 이하인 경우 양자를 혼합하여 조제되는 것인 조합물
- 구리/티타늄 합금막을 식각하는 식각방법으로서, 비과수계 식각액 조성물과, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 식각 첨가제를 각각 준비하여 식각액 조성물의 CD SKEW 값이 0.8 이하인 경우 양자를 혼합하여 식각하는 식각방법
- 구리/티타늄 합금막을 식각하는 식각방법으로서, 비과수계 식각액 조성물과, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 식각 첨가제를 각각 준비하여 식각액 조성물의 CD SKEW 값이 0.8 이하인 경우 양자를 혼합하여 식각하는 식각방법에 사용되는, 모노퍼셀페이트 및 식각보조제를 포함하는 첨가제.
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| KR1020130134956A KR20150053139A (ko) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 식각액 조성물, 식각액 조성물용 첨가제 및 식각 방법 |
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| KR1020130134956A KR20150053139A (ko) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 식각액 조성물, 식각액 조성물용 첨가제 및 식각 방법 |
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| KR (1) | KR20150053139A (ko) |
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2013
- 2013-11-07 KR KR1020130134956A patent/KR20150053139A/ko not_active Application Discontinuation
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