KR20150050093A - 지향성 광 추출 장치 및 이를 포함한 광 인터커넥션 시스템 - Google Patents
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Abstract
지향성 광 추출 장치 및 이를 포함한 광 인터커넥션 시스템이 개시된다.
개시된 지향성 광 추출 장치는, 광을 방출하는 발광 구조물과, 상기 발광 구조물 상에 구비된 것으로, 상기 광을 공진시키는 광 공급부 및 상기 광 공급부로부터 나온 광이 지향성을 갖도록 반사시키는 광 반사부를 포함하는 광학 안테나층을 포함하고, 상기 광 공급부는 상기 광학 안테나층을 관통하는 슬롯 형상을 가진다.
개시된 지향성 광 추출 장치는, 광을 방출하는 발광 구조물과, 상기 발광 구조물 상에 구비된 것으로, 상기 광을 공진시키는 광 공급부 및 상기 광 공급부로부터 나온 광이 지향성을 갖도록 반사시키는 광 반사부를 포함하는 광학 안테나층을 포함하고, 상기 광 공급부는 상기 광학 안테나층을 관통하는 슬롯 형상을 가진다.
Description
지향성 광 추출 장치 및 이를 포함한 광 인터커넥션 시스템에 관한 것으로, 발광 소자에 결합되어 광의 진행 방향을 제어하는 지향성 광 추출 장치 및 광 인터커넥션 시스템에 관한 것이다.
근래에 광을 이용하는 광학 소자들이 많이 개발되고 있다. 광학 소자들은 광을 이용하기 때문에 신호 처리 속도가 매우 빠르다. 그런데, 전자 소자(electrical device)는 수십-수백 나노미터 사이즈로 작아지고 있는 반면에, 신호 처리 속도는 광학 소자에 비해 상대적으로 느리다. 하지만, 광학 소자는 신호 처리 속도는 빠른 반면, 광의 회절한계 특성으로 인해 파장 이하의 크기를 가지기가 어려워 그 크기를 수 ㎛ 미만으로 제작하는 것이 어렵다. 따라서, 광학 소자를 이용하여 집적된 광학적 회로를 만드는데 한계가 있다. 또한, 램버시안 프로파일을 가지는 광을 출력하는 광소자는 광의 지향성을 위해 렌즈나 미러와 같은 광학 소자들을 사용해야 하는데, 이런 경우 시스템의 부피가 커지고, 마이크로 스케일의 장치에 광 소자를 집적할 경우에는 이러한 광학 소자들을 사용하기 어렵다.
발광 소자와 결합되어 광의 진행 방향을 제어하는 지향성 광 추출 장치를 제공한다.
발광 소자에 결합되어 광의 진행 방향을 제어하는 지향성 광 추출 장치를 포함하는 광 인터커넥션 시스템을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치는, 광을 방출하는 발광층을 포함하는 발광 구조물; 및 상기 발광 구조물 상에 구비된 것으로, 상기 발광층으로부터의 광을 공진시키는 광 공급부(light feeder) 및 상기 광 공급부로부터 나온 광이 지향성을 갖도록 반사시키는 광 반사부(light reflector)를 포함하는 광학 안테나층;을 포함하고,
상기 광 공급부는 상기 광학 안테나층을 관통하는 슬롯 형상을 가진다.
상기 광 반사부는 상기 광학 안테나층에 음각 구조로 형성된 그르부 형상을 가질 수 있다.
상기 광학 안테나층은 상기 광 공급부로부터의 광을 안내하는 광 지향부(light director)를 더 구비할 수 있다.
상기 광 지향부는 상기 광학 안테나층에 음각 구조로 형성된 그르부 형상을가질 수 있다.
상기 광 공급부 및 광 반사부는 나노 사이즈를 가질 수 있다.
상기 광 공급부와 광 반사부는 직육면체 형상을 가질 수 있다.
상기 광 공급부는 원형 단면을 가질 수 있다.
상기 광 반사부는 상기 광 공급부를 향해 오목한 곡면 형상을 가질 수 있다.
상기 광 지향부는 상기 광 공급부를 향해 오목한 곡면 형상을 가질 수 있다.
상기 발광 구조물은 상기 발광층 하부의 제1형 반도체층, 상기 발광층 상부의 제2형 반도체층을 포함할 수 있다.
상기 광학 안테나 층은 전극으로 사용될 수 있다.
상기 발광층은 양자점을 포함할 수 있다.
상기 발광층은 형광층을 포함할 수 있다.
상기 광학 안테나 층은 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광학 안테나 층은 Ti, Au, Ag, Pt Cu, Al, Ni 및 Cr 으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 형성될 수 있다.
상기 광 공급부와 광 반사부는 상기 발광층으로부터 방출되는 광의 파장보다 작은 사이즈를 가질 수 있다.
상기 발광 구조물과 광학 안테나층 사이에 표면 플라즈몬이 형성될 수 있다.
상기 광 공급부 및 광 반사부를 가지는 광학 안테나 유닛이 어레이 형태로 배열될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광 인터커넥션 시스템은, 광을 방출하는 발광층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 상에 구비된 것으로 지향성 광을 추출하는 광 송신부; 및 상기 광 송신부와 이격되어 배치되며, 상기 광 송신부로부터 전송되는 광을 수신하는 광 수신부;를 포함하고,
상기 광 송신부와 광 수신부 중 적어도 하나가, 상기 발광층으로부터의 광을 공진시키는 광 공급부(light feeder) 및 상기 광 공급부로부터 나온 광이 지향성을 갖도록 반사하는 광 반사부(light reflector)를 포함하는 광학 안테나층을 포함하고, 상기 광 공급부는 상기 광학 안테나층을 관통하는 슬롯 형상을 가진다.
본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치는 별도의 결합 수단 없이 발광 소자에 직접 결합되어 광의 진행 방향을 제어할 수 있다. 또한, 발광 소자의 반도체 공정을 그대로 이용하여 제조 가능하므로 생산 단가를 낮출 수 있고, 발광 소자와 일체형으로 제조할 수 있으므로 집적도를 높일 수 있다.
본 발명의 실시에에 따른 광 인터커넥션 시스템은 복잡한 배선 구조의 도입 없이 신호를 전송할 수 있으며, 광속도로 신호가 전달되므로 전자에 비해 훨씬 빠른 전송 속도를 얻을 수 있다. 또한, 집적 회로의 간략화 및 적층형 집적 회로의 광 인터커넥션을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 광 추출 장치에 광 지향부가 더 구비된 예를 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치가 발광 소자에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치의 복사 패턴을 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치의 광학 안테나층의 다른 예를 도시한 것이다.
도 11은 도 10의 단면도이다.
도 12 내지 도 16은 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치의 광학 안테나 층의 여러 예들을 도시한 것이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치를 도시한 것이다.
도 18은 도 17의 사시도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치를 포함한 광 인터커넥션 시스템을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 광 추출 장치에 광 지향부가 더 구비된 예를 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치가 발광 소자에 적용된 예를 도시한 것이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치의 복사 패턴을 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치의 광학 안테나층의 다른 예를 도시한 것이다.
도 11은 도 10의 단면도이다.
도 12 내지 도 16은 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치의 광학 안테나 층의 여러 예들을 도시한 것이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치를 도시한 것이다.
도 18은 도 17의 사시도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치를 포함한 광 인터커넥션 시스템을 개략적으로 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치 및 이를 포함한 광 인터커넥션 시스템에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도면에서 동일한 참조번호는 동일한 구성 요소를 지칭하며, 각 구성 요소의 크기나 두께는 설명의 편의를 위해 과장되어 있을 수 있다. 한편, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 지향성 광 추출 장치는 광을 방출하는 발광 구조물(10)과, 상기 발광 구조물(10) 상의 광학 안테나 층(20)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(10)은 광을 방출하는 발광층(15)을 포함할 수 있다. 발광 구조물(10)은 예를 들어, 레이저, 발광 다이오드 (LED), 형광층, 또는 양자점(Quantum dot)을 포함할 수 있다.
상기 광학 안테나 층(20)은 광 공급부(light feeder)(22)와, 광 반사부(light reflector)(24)를 포함할 수 있다. 상기 광 공급부(22)는 상기 발광층으로부터 나온 광을 공진시키는 공진 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 광 공급부(22)는 상기 광학 안테나 층(20)을 관통하는 슬롯 형상을 가질 수 있다. 상기 광학 안테나 층(20)은 금속층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 안테나 층(20)은 Ti, Au, Ag, Pt Cu, Al, Ni 및 Cr 으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 형성될 수 있다. 상기 광학 안테나 층은 Ti, Au, Ag, Pt Cu, Al, Ni및 Cr에서 선택된 적어도 두 개에 의한 합금으로 형성될 수 있음은 물론이다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광학 안테나 층(20)은 금속으로 형성되어 있어 전극으로 사용될 수 있다. 따라서, 발광 구조물(10)에서 전극이 필요한 경우, 상기 광학 안테나 층(20)은 전극 겸용 안테나로 작용할 수 있다. 광학 안테나 층(20)은 상기 광 공급부(22)에서 광이 공진되고, 광 반사부(24)에서는 광이 공진되지 않으므로 발광 구조물(10)의 상부에 직접적으로 결합되어 발광 구조물(10)로부터의 광을 지향성을 가지도록 하는 안테나 역할을 수 있다. 그러므로, 광학 안테나 층을 별도의 제조 설비나 공정을 거치지 않고, 발광 구조물의 제조 공정에 연속적으로 제조할 수 있다.
한편, 광학 안테나 층(20)은 예를 들어 수십 나노미터 내지 수백 나노미터 두께를 가질 수 있다. 하지만, 여기에 한정되는 것은 아니고, 광학 안테나로서의 기능을 고려하여 광학 안테나 층의 두께를 정할 수 있다.
상기 광 공급부(22)와 광 반사부(24)는 서로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 광 공급부(22)는 상기 광학 안테나 층을 관통하는 슬롯 형상을 가질 수 있다. 상기 광 반사부(24)는 광학 안테나 층(20)에 음각 구조로 형성된 그루브 형상을 가질 수 있다. 상기 광 공급부(22)는 광학 안테나 층(20)을 관통하는 슬롯 형상을 가지는데 반해, 상기 광 반사부(24)는 광학 안테나 층(20)을 관통하지 않고 광학 안테나 층의 표면에 음각 구조로 형성될 수 있다. 이러한 구조에 의해, 상기 발광 구조물(10)에서 나온 광이 상기 광 공급부(22)에서만 출력될 수 있다. 또한, 상기 광 공급부(22)에서 출력되는 광은 단일 모드 또는 다중 모드를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 광 공급부(22)의 사이즈를 조절하여 다중 모드의 광이 출력되도록 함으로써 광 효율을 높이거나, 다중 모드의 광이 필요한 장치에 적용할 수 있다.
상기 광 공급부(22)와 광 반사부(24)는 예를 들어, 짧은 길이를 가지는 변과 긴 길이를 가지는 변을 포함하는 다각형의 횡단면 형상을 가질 수 있다. 여기서, 긴 길이는 짧은 길이에 비해 상대적으로 긴 것을 나타낼 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 상기 광 공급부(22)와 광 반사부(24)는 예를 들어, 직육면체 형상을 가질 수 있다. 상기 광 공급부(22)가 제1 깊이(t1)를 가지는 제1변, 제1 짧은 길이(w1)를 가지는 제2변, 제1 긴 길이(L1)를 가지는 제3변을 포함하는 직육면체 형상을 가질 수 있다. 상기 광 반사부(24)가 제2 깊이(t2)를 가지는 제4변, 제2 짧은 길이(w2)를 가지는 제5변, 제2 긴 길이(L2)를 가지는 제6변을 포함하는 직육면체 형상을 가질 수 있다. 상기 광 공급부(22)의 깊이(t1)는 상기 광학 안테나 층(20)의 두께와 같을 수 있다.
상기 제1깊이(t1)는 제2깊이(t2)보다 크다. 제1 긴 길이(L1)와 제2 긴 길이(L2)는 같거나 다를 수 있다. 상기 제1 짧은 길이(w1)와 제2 짧은 길이(w2)는 같거나 다를 수 있다. 상기 제1 긴 길이(L1)는 제1 짧은 길이(W1)보다 상대적으로 길다. 상기 제2 긴 길이(L2)는 제2 짧은 길이(w2)보다 상대적으로 길다.
예를 들어, 상기 광 공급부(22)의 긴 길이(L1)를 변화시켜 광의 공진 파장을 선택할 수 있다. 하지만, 여기에 한정되는 것은 아니고, 광 공급부(22)의 제1 긴 길이(L1), 제1 짧은 길이(w1), 제1 깊이(t1) 및 상기 광 공급부(22)와 상기 광 반사부(24) 사이의 간격(D1) 중 적어도 하나를 조절하여 광의 공진 파장을 선택할 수 있다. 상기 발광 구조물(10)에서 광이 출사되면, 상기 발광 구조물(10)과 광학 안테나(20) 사이의 계면에서 표면 플라즈몬이 발생될 수 있다. 표면 플라즈몬은 금속으로 형성된 광학 안테나 층(20)에 입사된 광이 금속층 내에 존재하는 전자들과 상호작용하여 발생하며, 광의 움직임과 금속층 내의 전자들의 움직임이 일치할 때 입사 광의 전자기 에너지가 전자 운동에너지로 전이될 수 있다. 전자의 움직임으로 인해 발생하는 전자기장을 플라즈몬이라 하며, 금속층의 표면에 플라즈몬이 존재할 수 있다. 입사 광은 금속층에서 표면 플라즈몬으로 전환되어 발광 구조물과 광학 안테나 층 사이의 계면을 따라 이동할 수 있다. 표면 플라즈몬의 파장은 상기 발광 구조물로부터의 광의 파장보다 짧을 수 있다.
상기 발광 구조물(10)과 광학 안테나 층(20) 사이의 계면에서는 표면 플라즈몬이 생성되고, 상기 광학 안테나층(20)의 광 공급부(22)와 광 반사부(24) 중 적어도 하나에서는 표면 플라즈몬 일부가 광으로 전환될 수 있다. 표면 플라즈몬은 상기 광학 안테나 층과의 상호 작용에 의해 지향성을 가지는 광으로 출력될 수 있다.
예를 들어, 광이 공진되는 광 공급부(light feeder)(22)에서 광이 출력될 수 있다. 그리고, 광이 공진되지 않는 광 반사부(24)는 상기 광 공급부(22)로부터의 광을 반사시켜 광이 지향성을 갖도록 할 수 있다. 상기 광 반사부(24)에 의해 광이 반사되는 방향은 상기 광 반사부(24)의 사이즈, 광 공급부(22)와 광 반사부(24) 사이의 간격, 상기 광 공급부(22)의 사이즈 중 적어도 하나를 조절하여 제어할 수 있다. 여기서, 사이즈는 폭, 길이, 깊이 중 어느 하나를 나타낼 수 있다.
도 1 및 도 2에서는 광 반사부(24)가 하나인 예를 도시하였으나, 상기 광 반사부가 복수 개 구비되는 것도 가능하다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치의 광학 안테나 층(20)에는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 광 지향부(light director)(26)가 더 구비될 수 있다. 상기 광 지향부(26)는 상기 광 공급부(22)와 상기 광 반사부(24)로부터의 광을 안내하는 기능을 할 수 있다. 상기 광 지향부(26)는 광학 안테나 층(20)을 관통하지 않고 광학 안테나 층의 표면에 음각 구조로 형성될 수 있다. 상기 광 공급부, 광 반사부 및 광 지향부는 나노 사이즈를 가질 수 있다. 여기서, 사이즈는 형상에 따라 폭, 길이, 깊이, 직경 등을 나타낼 수 있다. 또는, 상기 광 공급부, 광 반사부, 광 지향부는 상기 발광층으로부터 방출되는 광의 파장보다 작은 사이즈를 가질 수 있다.
상기 광 지향부(26)는 상기 광 공급부(22)를 중심으로 상기 광 반사부(24)와 마주보게 배치될 수 있다. 하지만, 여기에 한정되는 것은 아니고, 광 공급부(22)로부터의 광을 전송하기 위한 방향에 따라 광 지향부(26)의 위치를 변화시킬 수 있다. 상기 광 지향부(26)는 예를 들어, 짧은 길이를 가지는 변과 긴 길이를 가지는 변을 포함하는 다각형의 횡단면 형상을 가질 수 있다. 여기서, 긴 길이는 짧은 길이에 비해 상대적으로 긴 것을 나타낼 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 상기 광 지향부(26)는 예를 들어, 직육면체 형상을 가질 수 있다. 상기 광 지향부(26)가 제3 깊이(t3)를 가지는 제7변, 제3 짧은 길이(w3)를 가지는 제8변, 제3 긴 길이(L3)를 가지는 제9변을 포함하는 직육면체 형상을 가질 수 있다. 상기 광 지향부(26)의 제3 깊이(t3)는 광 공급부(22)의 제1깊이(t1)보다 얕을 수 있다. 상기 제1 긴 길이(L1), 제2 긴 길이(L2), 제3 긴 길이(L3)는 같거나 다를 수 있다. 상기 제1 짧은 길이(w1), 제2 짧은 길이(w2), 제3 짧은 길이(w3)는 서로 같거나 다를 수 있다. 상기 제3 긴 길이(L3)는 제3 짧은 길이(w3)보다 상대적으로 길다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치가 발광 소자에 적용된 예를 도시한 것이다. 도 5에 도시된 지향성 광 추출 장치(100)는 발광 구조물(110)과, 상기 발광 구조물(110)로부터 발광된 광을 지향성을 가지고 출광되도록 하는 광학 안테나층(120)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(110)은 기판(111), 상기 기판(111) 상의 제1 반도체층(113), 발광층(115), 및 제2반도체층(117)을 포함할 수 있다. 상기 기판(111)은 예를 들어, 사파이어 기판 또는 실리콘계 기판으로 형성될 수 있다. 실리콘계 기판은 예를 들어, 실리콘(Si) 기판 또는 실리콘카바이드(SiC) 기판을 포함할 수 있다. 상기 기판(111)은 제조 공정 중 또는 제조 완료 후에 제거될 수 있다. 상기 제1 반도체층(113)은 제1형, 예컨대 p형(또는 n형)으로 도핑되고, 상기 제2 반도체층(117)은 제2형, 예컨대 n형(또는 p형)으로 도핑될 수 있다.
상기 제1 및 제2 반도체층(113)(117)은 AlxInyGa1 -x-yN(0≤x,y≤1, x+y<1)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 반도체층(113)(117)은 Ⅴ-Ⅲ족 반도체 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 질화물 반도체층으로 형성될 수 있다. 제1 반도체층(113)은 p형 GaN으로 형성되고, 제2반도체층(117)은 n형 GaN으로 형성될 수 있다. p형 도펀트(dopant)로는 예를 들어, B, Al, Mg, Ca, Zn, Cd, Hg, Ga 으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다. n형 도펀트로는 예를 들어, Si, In, Sn으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다.
상기 발광층(115)은 전자-정공 재결합에 의해 빛을 발광하는 층으로, 예를 들어, InGaN 기반의 질화물 반도체층으로 이루어지며, 밴드갭 에너지를 제어함으로써 그 발광 파장 대역이 조절될 수 있다. 발광층(115)은 양자우물층과 장벽층을 포함하는 양자 우물 구조를 가질 수 있다. 예를 들어 발광층(115)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/AlGaN 또는 InGaN/InAlGaN로 이루어진 양자우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 양자우물층은 단일양자우물층(single quantum well) 또는 다중양자우물층(multi quantum well)으로 이루어질 수 있다.
상기 광학 안테나 층(120)은 광 공급부(light feeder)(122)와, 광 반사부(light reflector)(124), 및 광 지향부(126)를 포함할 수 있다. 상기 광 공급부(122)는 상기 발광층(115)으로부터 나온 광을 공진시키는 공진 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 광 공급부(122)는 상기 광학 안테나 층(120)을 관통하는 슬롯 형상을 가질 수 있다. 상기 광학 안테나 층(120)은 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 광 공급부(122), 광 반사부(124) 및 광 지향부(126)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 바와 실질적으로 동일한 구조 및 작용을 가지므로 여기서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
한편, 상기 광학 안테나 층(120)은 발광 구조물(110)의 전극으로 사용될 수 있다. 즉, 상기 광학 안테나 층은 안테나 겸용 전극으로 사용될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 기판(111)과 제1반도체층(113) 사이에 다른 전극이 더 구비될 수 있다. 또는, 기판(111)이 제거되는 경우, 기판(111)이 제거된 후 전극이 더 구비될 필요가 있는 경우가 있다. 이런 경우에는 광학 안테나 층(120)이 상기 제2 반도체층(117) 상부가 아니라 상기 제1반도체층(113) 쪽에 배치될 수 있다. 또는, 광학 안테나 층이 제1반도체층(113)의 일면과 제2반도체층(117)의 일면에 각각 구비되는 것도 가능하다.
이와 같이, 발광 구조물(110) 상에 광학 안테나 층을 바로 적층할 수 있으므로, 발광 구조물과 광학 안테나 층이 하나의 통일된 공정으로 적층된 구조의 지향성 광 추출 장치를 구현할 수 있다. 본 발명의 실시예들에서 발광 구조물은 발광 소자들에서 전극을 포함한 구조를 가지거나 전극을 제외한 나머지 구조를 가질 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치가 다른 예의 발광 소자에 적용된 예를 도시한 것이다. 도 6에 도시된 지향성 광 추출 장치(200)는 발광 구조물(210)과, 상기 발광 구조물(210)로부터 발광된 광을 지향성을 가지고 출광되도록 하는 광학 안테나층(220)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(210)은 기판(211), 상기 기판(211) 상의 제1 반도체층(213), 발광층(215), 및 제2반도체층(217)을 포함할 수 있다. 상기 기판(211)은 예를 들어, 사파이어 기판으로 형성될 수 있다. 상기 상기 제1 반도체층(213)은 제1형, 예컨대 p형(또는 n형)으로 도핑되고, 상기 제2 반도체층(217)은 제2형, 예컨대 n형(또는 p형)으로 도핑될 수 있다. 상기 기판(211)과 제1반도체층(213) 사이에 제3반도체층(212)이 더 구비될 수 있다. 상기 제3반도체층(212)은 언도핑 반도체층일 수 있다.
상기 제1 내지 제3 반도체층(213)(217)(212)은 AlxInyGa1 -x-yN(0≤x,y≤1, x+y<1)으로 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 반도체층(213)(217)(212)은 Ⅴ-Ⅲ족 반도체 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 질화물 반도체층으로 형성될 수 있다. 제1 반도체층(213)과 제2 반도체층(217)은 도 5에 도시된 제1 반도체층(113)과 제2 반도체층(117)과 실질적으로 동일하므로 여기서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
상기 발광층(225)은 예를 들어, InGaN 기반의 질화물 반도체층으로 형성될 수 있다. 발광층(215)은 양자우물층과 장벽층을 포함하는 양자 우물 구조를 가질 수 있다. 예를 들어 발광층(215)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/AlGaN 또는 InGaN/InAlGaN로 이루어진 양자우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 양자우물층은 단일양자우물층(single quantum well) 또는 다중양자우물층(multi quantum well)으로 이루어질 수 있다.
상기 제1반도체층(213)의 일측부는 노출되도록 형성되고, 상기 노출된 제1반도체층(213) 상에 제1 콘택 패드(231)가 구비될 수 있다. 그리고, 상기 광학 안테나층(220)의 상부면 일부에 제2 콘택 패드(232)가 구비될 수 있다. 상기 제1 콘택 패드(231)와 제2 콘택 패드(232)를 통해 전압이 공급될 수 있다. 도 6에 도시된 지향성 광 추출 장치는 수평 전극 구조를 가지는 발광 소자에 적용되는 예를 도시한 것이다.
상기 광학 안테나 층(120)은 광 공급부(light feeder)(222)와, 광 반사부(light reflector)(224), 및 광 지향부(226)을 포함할 수 있다. 상기 광 공급부(222)는 상기 발광층(215)으로부터 나온 광을 공진시키는 공진 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 광 공급부(222)는 상기 광학 안테나 층(220)을 관통하는 슬롯 형상을 가질 수 있다. 상기 광학 안테나 층(220)은 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 광 공급부(222), 광 반사부(224), 광 지향부(226)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 바와 실질적으로 동일한 구조 및 작용을 가지므로 여기서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치가 양자점 발광 소자에 적용된 예를 도시한 것이다. 도 7에 도시된 지향성 광 추출 장치(300)는 발광 구조물(310)과, 상기 발광 구조물(310)로부터 발광된 광을 지향성을 가지고 출광되도록 하는 광학 안테나층(320)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(310)은 정공 수송층(hole transporting layer)(313), 양자점층(315), 및 전자 수송층(electron transporting layer)(317)을 포함할 수 있다. 상기 정공 수송층(313) 하부에 전극(311)이 구비될 수 있다. 상기 전극(311)은 예를 들어 에노드(anode) 전극일 수 있다.
상기 광학 안테나층(320)은 광 공급부(light feeder)(322)와, 광 반사부(light reflector)(324), 및 광 지향부(326)을 포함할 수 있다. 상기 광학 안테나층(320)은 전극으로도 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 안테나층(320)은 캐소드(cathode) 전극일 수 있다.
상기 광 공급부(222), 광 반사부(224), 광 지향부(226)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 바와 실질적으로 동일한 구조 및 작용을 가지므로 여기서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
상기 전극(311)과 상기 광학 안테나층(320)을 통해 전류가 공급되면, 상기 정공 수송층(313)을 통해 정공이 양자점층(315)으로 공급되고, 상기 전자 수송층(317)을 통해 전자가 양자점층(315)으로 공급될 수 있다. 상기 정공 수송층(313)은 예를 들어 유기물로 형성되고, 상기 전자 수송층(317)은 산화아연으로 형성될 수 있다. 상기 전자와 정공이 양자점층(315)에서 만나 여기되고, 다시 재결합되면서 발광하게 된다. 본 예에서는 상기 양자점층(315)이 발광층일 수 있다. 상기 양자점층(315)에서 발광된 광(L)은 상기 광학 안테나층 (320)을 통해 지향성을 가지고 출력될 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치가 레이저에 적용된 예를 도시한 것이다. 도 8에 도시된 지향성 광 추출 장치(400)는 발광 구조물(410)과, 상기 발광 구조물(410)로부터 발광된 광을 지향성을 가지고 출광되도록 하는 광학 안테나층(420)을 포함할 수 있다. 상기 레이저는 예를 들어, 수직 공동 면발광 레이저(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)일 수 있다.
상기 발광 구조물(410)은 제1 DBR(Distributed Bragg Reflector)층(413), 발광층(415), 제2 DBR층(417)을 포함할 수 있다. 상기 제1 DBR층(413) 하부에 컨택층(411)이 구비될 수 있다.
상기 광학 안테나층(420)은 광 공급부(light feeder)(422)와, 광 반사부(light reflector)(424), 및 광 지향부(426)을 포함할 수 있다. 상기 광학 안테나층(420)은 전극으로도 사용될 수 있다.
상기 광 공급부(422), 광 반사부(424), 광 지향부(426)는 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 바와 실질적으로 동일한 구조 및 작용을 가지므로 여기서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
상기 발광층(415)은, 예컨대, RPG(Resonant Periodic Gain) 구조를 갖는 다중 양자우물 구조를 가질 수 있다. 상기 발광층(415)에 펌프 광이 조사되면 발광층(415)이 여기되어 소정 파장의 광이 방출될 수 있다. 상기 발광층(415)에서 방출된 광은 제1 DBR층(413)과 제2 DBR층(417) 사이에서 반사를 되풀이하면서 증폭될 수 있다. 이렇게 증폭된 광이 상기 광학 안테나층(420)으로 입사될 수 있다. 상기 광학 안테나층(420)으로 입사된 광은 상기 광학 안테나층(520)을 통해 지향성을 가지고 출력될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치의 복사 패턴을 도시한 것이다. 예를 들어, 두께 300nm의 Ag층에 길이 180nm의 광 공급부와, 길이 230nm, 깊이 150nm의 광 반사부를 가지는 지향성 광 추출 장치의 복사 패턴을 도시한 것이다. 상기 복수 패턴은 상기 지향성 광 추출 장치가 지향성을 가짐을 보여준다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치는 다양한 구조의 발광 소자에 별도의 연결 수단 없이 직접적으로 적용될 수 있다.
다음, 도 10 내지 도 16은 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치에 채용되는 광학 안테나 층의 여러 예들을 도시한 것이다.
도 10 및 도 11에 도시된 지향성 광 추출 장치는 발광 구조물(510)과 광학 안테나층(520)을 포함할 수 있다. 상기 광학 안테나 층(520)은 광 공급부(522), 광 반사부(524), 광 지향부(526)를 포함할 수 있다. 상기 광 지향부(526)은 예를 들어, 제1 광 지향부(5261), 제2 광 지향부(5262) 및 제3 광 지향부(5263)을 포함할 수 있다. 여기서, 광 지향부는 동일한 사이즈를 가지는 예를 도시하였으나, 여기에 한정되는 것은 아니고, 서로 다른 사이즈를 가지는 복수 개의 광 지향부를 포함하는 것도 가능하다. 또한, 광 공급부(522)와 광 반사부(524)가 각각 하나씩 구비되었지만, 광 공급부와 광 반사부도 복수 개로 구성하는 것도 가능하다. 상기 발광 구조물(510)은 예를 들어, 도 5 내지 도 8을 참조하여 설명한 예들이 적용될 수 있다.
도 12에 도시된 광학 안테나층(520a)은 광 공급부(522a), 광 반사부(524a), 광 지향부(526a)를 포함할 수 있다. 상기 광 공급부(522a)는 원형 단면을 가질 수 있다. 하지만, 광 공급부의 형상이 여기에 한정되는 것은 아니고, 타원 단면, 사각 단면, 다각 단면을 가지는 것도 가능하다. 상기 광 공급부(522a)는 광학 안테나층(520a)을 관통하는 슬롯 형상의 공진 구조를 가질 수 있다. 광 반사부(524a)와 광 지향부(526a)는 그르부 형상을 가질 수 있다. 이러한 구조는 이하에서 설명하는 다른 예의 광학 안테나층에도 동일하게 적용될 수 있다.
상기 광 공급부(522a)의 일측에는 광 반사부(524a)가 배치되고, 타측에는 광 지향부(526a)가 배치될 수 있다. 상기 광 반사부(524a)와 상기 광 지향부(526a)는 광 공급부(522a)를 중심으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 상기 광 반사부(524a)와 광 지향부(526a)는 곡면 형상을 가질 수 있다. 상기 광 반사부(524a)와, 광 지향부(526a)는 상기 광 공급부(524a)를 향해 오목한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 광 반사부(524a)와 광 지향부(526a)를 연장하여 이으면, 원형 형상이 되거나, 타원 형상이 될 수 있다.
도 13에 도시된 광학 안테나층(520b)은 광 공급부(522b), 광 반사부(524b)를 포함할 수 있다.
상기 광 공급부(522b)는 원형 단면을 가질 수 있다. 상기 광 반사부(524b)는 상기 광 공급부(522b)와 연결될 수 있다. 상기 광 반사부(524b)는 예를 들어, 원형의 고리 형상을 가질 수 있으며, 상기 광 공급부(522b)가 광 반사부(524b)의 어느 한 지점에 형성될 수 있다. 본 예에서 상기 광 반사부(524b)의 일부는 광을 반사시키는 기능을 하고 나머지 부분은 광을 일 방향으로 안내하는 광 지향부 기능을 할 수 있다.
다음, 도 14에 도시된 광학 안테나층(520c)은 광 공급부(522c) 및 광 반사부(524c)를 포함할 수 있다. 상기 광 공급부(522c)는 예를 들어, 원형 단면을 가질 수 있다. 하지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 상기 광 반사부(524c)는 타원형의 고리 형상을 가질 수 있다. 상기 광 공급부(522c)는 상기 광 반사부(524c)의 타원형의 일 초점에 위치할 수 있다. 본 예에서 상기 광 반사부(524c)의 일부는 광을 반사시키는 기능을 하고 나머지 부분은 광을 일 방향으로 안내하는 광 지향부 기능을 할 수 있다. 즉, 광 반사부(524c)가 광 지향부 겸용일 수 있다.도 15는 광학 안테나층(520d)은 광 공급부(522d), 광 반사부(524d) 및 광 지향부(526d)를 포함할 수 있다. 상기 광 공급부(522d)는 예를 들어, 원형 단면을 가질 수 있다. 상기 광 반사부(524d)와 광 지향부(526d)는 각각 나선형의 그르부 형상을 가질 수 있다.
도 16은 광학 안테나층(520e)은 광 공급부(522e) 및 광 반사부(524e)를 포함할 수 있다. 상기 광 공급부(522e)는 원형 단면을 가질 수 있다. 상기 반사부(524e)는 곡면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사부(524e)는 타원형의 일부 곡면 형상을 가질 수 있다. 하지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 반사부(524e)가 타원형의 일부 곡면 형상을 가질 때, 상기 광 공급부(522e)는 상기 타원형의 일 초점에 위치할 수 있다.
상술한 바와 같이 광학 안테나 층은 광 공급부가 공진 구조와 표면 플라즈몬 구조를 가지고, 광 반사부와 광 지향부가 그루브 형상을 가지는 범위에서 다양하게 변형될 수 있다. 그럼으로써, 광 공급부에서 광이 공급되고, 광 반사부와 광 지향부에 의해 광의 출력 방향이 제어될 수 있다. 그리고, 본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치는 광학 안테나 층을 별도의 결합 부재 없이 발광 소자에 직접 결합하여 사용할 수 있어 제조가 용이하고, 하나의 칩 또는 하나의 소자로 구현될 수 있다. 그러므로, 다양한 종류의 발광 소자에 적용하기 용이하다. 또한, 광을 이용하여 신호을 송수신할 수 있으므로 고집적 회로의 구성이 가능해질 수 있다.
다음, 위에서 설명한 광학 안테나 층이 어레이 형태로 배열될 수 있다. 도 17 및 도 18은 어레이 구조의 지향성 광 추출 장치(600)를 도시한 것이다. 상기 지향성 광 추출 장치(600)는 발광 구조물(610)과, 발광 구조물로부터의 광의 진행 방향을 제어하기 위한 광학 안테나 층(620)을 포함한다. 상기 광학 안테나 층(620)은 복수 개의 광학 안테나 유닛(621)이 배열된 어레이 구조를 가질 수 있다.
상기 발광 구조물(610)은 광을 발광하는 구조이면 어떠한 구조라도 가능하다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(610)은 컨택층(611), 제1 질화물 반도체층(613), 발광층(615), 및 제2 질화물 반도체층(617)을 포함할 수 있다. 상기 제1질화물 반도체층(613)은 p형(또는 n형)으로 도핑될 수 있으며, 제2질화물 반도체층(617)은 n형(또는 p형)으로 도핑될 수 있다. 하지만, 질화물 반도체층의 도핑은 선택적일 수 있다. 상기 컨택층(611)은 전극일 수 있다.
상기 광학 안테나 유닛(621)은 광 공급부(622), 광 반사부(624) 및 광 지향부(626)을 포함할 수 있다. 상기 광 지향부(626)는 제1 내지 제3 광 지향부(6261)(6262)(6263)을 포함할 수 있다. 이러한 구조는 일 예일 뿐이며, 이 밖에도 앞에서 설명한 다양한 구조의 광학 안테나가 적용될 수 있다.
상기 광학 안테나 층(610)은 전극 겸용으로 사용될 수 있다.
본 실시예에서와 같이 광학 안테나 층(610)이 어레이 구조를 가짐으로써 발광 효율을 높일 수 있다.
다음, 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 인터커넥션 시스템(700)을 개략적으로 도시한 것이다.
광 인터커넥션 시스템(700)은 광을 방출하는 발광 구조물(710), 상기 발광 구조물(710) 상에 구비된 것으로 지향성 광을 추출하는 광 송신부(720), 및 상기 광 송신부(720)와 이격되게 배치되며, 상기 광 송신부로부터 전송되는 광을 수신하는 광 수신부(730)을 포함한다. 상기 광 수신부(730)의 일면에 지지 기판(740)이 더 구비될 수 있다.
상기 광 송신부(720)는 상기 발광 구조물(710)로부터의 광을 공진시키는 광 공급부(light feeder)(722) 및 상기 광 공급부(722)로부터 나온 광이 지향성을 갖도록 반사하는 광 반사부(light reflector)(724)을 포함하는 광학 안테나 층을 포함할 수 있다. 여기서, 광학 안테나 층은 광 송신부와 같은 부재 번호를 사용하는 것으로 한다. 상기 광 공급부(722)는 상기 광학 안테나 층을 관통하는 슬롯 형상을 가질 수 있다. 상기 광 반사부(724)은 그르부 형상을 가질 수 있다. 또한, 광 지향부(726)이 더 구비될 수 있다. 광학 안테나 층은 도 1 내지 도 18을 참조하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 구성 및 작용을 하는 것으로 여기서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
상기 광 수신부(730)는 광 공급부(732), 광 지향부(734) 및 상기 광 공급부(732)로부터 나온 광이 지향성을 갖도록 반사하는 광 반사부(736)를 포함할 수 있다. 상기 광 공급부(732)는 상기 광 송신부(720)로부터 출력된 광을 수신한다.
상기 광 송신부(620)와 광 수신부(630)는 이격되게 배치될 수 있다. 상기 광 송신부(620)와 광 수신부(630) 사이의 공간(650)은 다른 물질로 채워지거나 공기 간격으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 광 송신부(620)와 광 수신부(630)는 층-대-층, 칩-대-칩 통신을 위해 채용될 수 있다. 그럼으로써, 복잡한 배선 구조의 도입 없이 신호를 전송할 수 있으며, 광속도로 신호가 전달되므로 전자에 비해 훨씬 빠른 전송 속도를 얻을 수 있다. 또한, 집적 회로의 간략화 및 적층형 집적 회로의 광 인터커넥션을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 지향성 광 추출 장치 및 이를 포함한 광 인터커넥션 시스템은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
10,110,210,310,410,510,610...발광 구조물
20,120,220,320,420,520,620...광학 안테나층
15,115,215,315,415,515,615...발광층
113,115...반도체층
22,122,222,322,422,522...광 공급부
24,124,224,324,424,524...광 반사부
26,126,226,326,426,526...광 지향부
621...광학 안테나 유닛
720...광 송신부
730...광 수신부
20,120,220,320,420,520,620...광학 안테나층
15,115,215,315,415,515,615...발광층
113,115...반도체층
22,122,222,322,422,522...광 공급부
24,124,224,324,424,524...광 반사부
26,126,226,326,426,526...광 지향부
621...광학 안테나 유닛
720...광 송신부
730...광 수신부
Claims (23)
- 광을 방출하는 발광층을 포함하는 발광 구조물; 및
상기 발광 구조물 상에 구비된 것으로, 상기 발광층으로부터의 광을 공진시키는 광 공급부(light feeder) 및 상기 광 공급부로부터 나온 광이 지향성을 갖도록 반사시키는 광 반사부(light reflector)를 포함하는 광학 안테나층;을 포함하고,
상기 광 공급부는 상기 광학 안테나층을 관통하는 슬롯 형상을 가지는 지향성 광 추출 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 광 반사부는 상기 광학 안테나층에 음각 구조로 형성된 그르부 형상을가지는 지향성 광 추출 장치. - 제1항에 있어서,
상기 광학 안테나층은 상기 광 공급부로부터의 광을 안내하는 광 지향부(light director)를 더 구비하는 지향성 광 추출 장치. - 제3항에 있어서,
상기 광 지향부는 상기 광학 안테나층에 음각 구조로 형성된 그르부 형상을가지는 지향성 광 추출 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 공급부 및 광 반사부는 나노 사이즈를 가지는 지향성 광 추출 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 공급부와 광 반사부는 직육면체 형상을 가지는 지향성 광 추출 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 공급부는 원형 단면을 가지는 지향성 광 추출 장치. - 제 7항에 있어서,
상기 광 반사부는 상기 광 공급부를 향해 오목한 곡면 형상을 가지는 지향성 광 추출 장치. - 제 8항에 있어서,
상기 광 지향부는 상기 광 공급부를 향해 오목한 곡면 형상을 가지는 지향성 광 추출 장치. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 구조물은 상기 발광층 하부의 제1형 반도체층, 상기 발광층 상부의 제2형 반도체층을 포함하는 지향성 광 추출 장치. - 제 10항에 있어서,
상기 광학 안테나 층은 전극으로 사용되는 지향성 광 추출 장치. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은 양자점을 포함하는 지향성 광 추출 장치. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은 형광층을 포함하는 지향성 광 추출 장치. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 안테나 층은 금속으로 형성된 지향성 광 추출 장치. - 제 14항에 있어서,
상기 광학 안테나 층은 Ti, Au, Ag, Pt Cu, Al, Ni 및 Cr 으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속으로 형성된 지향성 광 추출 장치. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 안테나 층은 전극으로 사용되는 지향성 광 추출 장치. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 공급부와 광 반사부는 상기 발광층으로부터 방출되는 광의 파장보다 작은 사이즈를 가지는 지향성 광 추출 장치. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 구조물과 광학 안테나층 사이에 표면 플라즈몬이 형성된 지향성 광 추출 장치. - 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 공급부 및 광 반사부를 가지는 광학 안테나 유닛이 어레이 형태로 배열된 지향성 광 추출 장치. - 광을 방출하는 발광층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 상에 구비된 것으로 지향성 광을 추출하는 광 송신부; 및
상기 광 송신부와 이격되어 배치되며, 상기 광 송신부로부터 전송되는 광을 수신하는 광 수신부;를 포함하고,
상기 광 송신부와 광 수신부 중 적어도 하나가, 상기 발광층으로부터의 광을 공진시키는 광 공급부(light feeder) 및 상기 광 공급부로부터 나온 광이 지향성을 갖도록 반사하는 광 반사부(light reflector)를 포함하는 광학 안테나층을 포함하고, 상기 광 공급부는 상기 광학 안테나층을 관통하는 슬롯 형상을 가지는 광 인터커넥션 시스템. - 제 20항에 있어서,
상기 광 반사부는 상기 광학 안테나층에 음각 구조로 형성된 그르부 형상을가지는 광 인터커넥션 시스템. - 제 1항에 있어서,
상기 광학 안테나층은 상기 광 공급부로부터의 광을 안내하는 광 지향부(light director)를 더 구비하는 광 인터커넥션 시스템. - 제 22항에 있어서,
상기 광 지향부는 상기 광학 안테나층에 음각 구조로 형성된 그르부 형상을가지는 광 인터커넥션 시스템.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |