KR102531933B1 - 반도체소자패키지 어레이 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이는 기판; 상기 기판 상에 배치되며,
제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층 및 제1도전형반도체층과 제2도전형반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체구조물 및 상기 반도체구조물 하면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 반도체소자, 상기 반도체소자를 둘러싸며 배치되는 투광부재 및 투광부재의 측면에 배치되는 반사부재를 포함하는 복수개의 반도체소자패키지; 및 상기 반도체소자패키지를 감싸며 기판 상에 배치되는 렌즈; 를 포함하고, 상기 렌즈는 반도체소자의 중심을 지난 직선으로 정의 되는 일축을 기준으로 일축방향으로 하면 및/또는 상면이 볼록하거나 오목한 형상을 포함하고,
상기 반도체소자패키지는 이격 거리를 갖고 기판 상에 배치되며, 상기 이격거리는 1mm 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.
본 발명을 통해, 본 발명을 통해 반도체소자패키지 어레이의 색 균일도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체소자패키지 어레이 {Semiconductor package array}
본 발명은 반도체소자패키지어레이 및 반도체소자패키지어레이의 제조방법에 관한 것이다.
GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN, GaAs, AlGaAs, InGaAs, GaP, AlGaInP, InP 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점이 있기 때문에 발광소자, 수광소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용되고 있다.
특히 반도체의 3-5족 또는 2-6족 등의 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조절함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안정성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광 검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안정성, 환경친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가지므로 전력 제어 또는 초고조파 회로나 통신용 모듈에서 용이하게 이용할 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold cathcode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas 나 화재를 감지하는 센서, 의료용 기기 등 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체소자는 고주파 응용회로나 기타 전력제어장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
최근에는, 표면실장소자형의 반도체소자가 기판에 실장되는 경우, 목표로 하는 지향각을 확보하고, 제조수율을 개선시키기 위한 구조에 대해 다양한 개발이 이루어지고 있다.
본 발명은 색 균일도를 향상시킨 반도체소자 어레이를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 배열공차가 발생되는 것을 방지하여, 신뢰성을 개선시킨 반도체소자 어레이를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이는 기판; 상기 기판 상에 배치되며,
제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층 및 제1도전형반도체층과 제2도전형반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체구조물 및 상기 반도체구조물 하면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 반도체소자, 상기 반도체소자를 둘러싸며 배치되는 투광부재 및 투광부재의 측면에 배치되는 반사부재를 포함하는 복수개의 반도체소자패키지; 및 상기 반도체소자패키지를 감싸며 기판 상에 배치되는 렌즈; 를 포함하고, 상기 렌즈는 반도체소자의 중심을 지난 직선으로 정의 되는 일축을 기준으로 일축방향으로 하면 및/또는 상면이 볼록하거나 오목한 형상을 포함하고,
상기 반도체소자패키지는 이격 거리를 갖고 기판 상에 배치되며, 상기 이격거리는 1mm 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.
상기 반도체소자패키지의 중심은 렌즈의 중심과 수직으로 중첩될 수 있다.
상기 렌즈의 중심부터 외측면까지의 수평방향 최대거리는, 10mm 이상 내지 20mm 이하일 수 있다.
상기 렌즈의 중심에서 인접하는 렌즈의 중심까지의 수평방향 거리는 렌즈의 최대 수평방향 폭 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.
상기 렌즈의 외측면과 인접하는 다른 렌즈의 외측면 사이의 수평방향 거리는
1mm 이상 내지 상기 반도체소자패키지의 최대 이격거리와 렌즈의 최대수평방향 폭의 차 이하일 수 있다.
상기 렌즈의 하면에서 최고점까지의 두께는, 6mm 이상 내지 12mm 이하일 수 있다.
상기 렌즈의 단면 형상은 원형, 타원형, 다각형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반도체소자패키지는 투광부재의 서로 마주보는 측면 2면에 배치되는 반사부재를 포함할 수 있다.
상기 반도체소자패키지는 상기 반도체구조물 일면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극 및 제2전극은 반사부재 일면과 동일 평면상에 배치될 수 있다.
상기 투광부재는 파장변환물질을 포함할 수 있다.
상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다.
본 발명을 통해 반도체소자패키지 어레이의 색 균일도를 향상시킬 수 있다.
본 발명을 통해, 배열공차가 발생되는 것을 방지하여 반도체소자패키지(160)의 신뢰성을 개선시킬 수 있다.
한편, 본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 반도체소자패키지 어레이의 사시도이다.
도 2는 반도체소자패키지 어레이의 분해사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체소자패키지의 단면을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체소자의 단면을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 렌즈 및 반도체소자패키지를 자세히 설명하기 위한 도민이다.
도 6은 본 발명에 따른 렌즈의 다른 예를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명에 따른 렌즈의 다른 예의 단면을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 렌즈의 다른 예를 도시한 것이다.
도 9는 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이의 제조방법을 도시한 것이다.
본 발명의 전술한 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 이하의 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
본 발명의 설명에 있어서, 이하 사용되는 제1, 제2 등과 같은 용어는 동일 또는 상응하는 구성 요소들을 구별하기 위한 식별 기호에 불과하며, 동일 또는 상응하는 구성요소들이 제1, 제2등의 용어에 의하여 한정되는 것은 아니다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. “포함한다” 또는 “가진다” 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.
이하 사용되는 “포함한다(Comprises)” 및/또는 “포함하는(comprising)”은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이를 도시한 것이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이의 분해사시도이다.
본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이는 반도체소자패키지(160), 기판(100) 및 렌즈(180)를 포함할 수 있다.
상기 반도체소자패키지(160)는 복수개로 구성되며 기판(100) 상에 배치될 수 있다.
상기 복수개의 반도체소자패키지(160)는 직렬 연결될 수 있다.
상기 반도체소자패키지(160)는 각각 서로 다른 색상을 갖는 적어도 두 개 이상의 반도체소자패키지(160)가 서로 교대로 배치될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
예를 들어, 단일 색상을 갖는 복수개의 반도체소자패키지(160)가 기판(100)에 배치될 수 있다.
또한, 반도체소자(130)의 사이즈에 따라 그룹을 이루어 기판(100)에 배치될 수 있다.
상기 반도체소자패키지(160)는 CSP(chip scale package)를 예를 들어 설명하나 이에 한정하지는 않는다.
상기 반도체소자패키지(160)는 패키지 형태가 아닌 다른 형태로 제공될 수 있다.
즉, 기판(100) 상에 반도체소자(130)가 직접 배치될 수 있다.
상기 반도체소자(130)는 플립칩(flipchip)일 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 반도체소자패키지(160) 및 반도체소자(130)에 대해서는 도 3내지 도 4를 참조하여 후술한다.
기판(100)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질을 포함할 수 있다.
기판(100)의 표면은 빛이 효율적으로 반사되는 색상, 예를 들어 백색, 은색 등으로 구성될 수 있다.
기판(100)은 인쇄회로기판(printed circuit board), 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board) 또는 MCPCB(Metal Core PCB)일 수 있다.
상기 인쇄회로기판인 경우, 단면 PCB(Printed circuit Board), 양면 PCB(Printed circuit Board) 또는 복수층으로 이루어진 PCB(Printed Circuit Board) 등을 사용할 수 있다.
본 발명에서는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)인 것을 예시로 설명하나, 이에 한정하지는 않는다.
도시하지 않았으나, 상기 기판(100)은 베이스층, 코팅층, 절연층 및 동박층을 포함할 수 있다.
베이스층은 FR4 재질일 수 있으며, 이외에 다른 절연재질이 적용될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
베이스층은 철을 포함할 수 있으며, 철을 포함하는 합금의 형태일 수 있다.
코팅층은 베이스층과 적어도 일면이 접하도록 배치될 수 있다.
예를 들어, 코팅층은 상기 베이스층의 상면 또는 하면에 접하도록 배치될 수 있다.
상기 코팅층은 베이스층이 직접 외부에 노출되는 것을 방지하고, 베이스층에 비해 반응성이 큰 금속을 포함함으로써, 베이스층이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
코팅층은 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 및 아연(Zn) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 상기의 물질이 혼합된 형태일 수 있다.
또한, 코팅층은 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.
코팅층은 연전도율이 높은 물질로 구성되어, 기판(100)의 방열효과를 향상시킬 수 있다.
보호층은 베이스층의 일측면과 접하도록 배치될 수 있다.
보호층은 산화막으로 구성될 수 있고, 상기 산화막은 베이스층을 구성하는 물질이 외부의 산소에 의해 산화되는 것을 방지할 수 있다.
절연층은 베이스층 상에 배치될 수 있다.
졀연층은 판 형상을 포함할 수 있다.
절연층은 절연 물질인 고분자 수지로 구성될 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 불소 수지 등으로 구성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
절연층은 PSR 잉크 및 절연성 필름 중 어느 하나로 구성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
또한, 절연층은 반도체소자(130)에서 방출되는 광을 반사시키는 고 반사물질을 포함할 수 있다.
동박층은 절연층 상에 배치될 수 있다.
동박층은 전도성 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어 구리로 구성될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
기판(100)이 양면 기판인 경우, 기판(100)의 배면에 동박층이 배치될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)를 감싸며 기판(100) 상에 배치될 수 있다.
렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)에서 방출되는 광의 지향각을 제1방향으로 넓히며, 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 지향각을 좁힐 수 있다.
렌즈(180)는 타원형, 원형, 다각형 등 다양한 단면 형상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
렌즈(180)는 구현하고자 하는 지향각 및 색 균일도에 따라, 구조 및 단면 형상이 정해질 수 있다.
본 발명에 따른 렌즈(180)는 단면 형상이 원형인 것을 예로 들어 설명하나 이에 한정하지는 않는다.
렌즈(180)는 제1방향으로 제1폭 및 제1방향과 수직하는 제2방향으로 제2폭을 포함할 수 있다.
상기 제1폭과 제2폭은 서로 같거나, 다를 수 있다.
렌즈(180)는 기판(100)에 반도체소자패키지(160)가 배치된 후 몰딩(molding)에 의해 배치될 수 있다.
렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)가 기판(100)에 배치되는 경우, 형광체(미도시) 및 광학산재(미도시) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
렌즈는 투광성 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 렌즈는 석영, 폴리카보네이트, 실리콘 수지 등으로 이루어질 수 있다.
상기 렌즈에 대해서는 도 5를 참조하여 후술한다.
도 3를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체소자패키지(160)에 대해 설명한다.
반도체소자패키지(160)는 반도체소자(130), 투광부재 및 반사부재를 포함할 수 있다.
상기 반도체소자패키지(160)는 CSP(Chip Scale Package) 일 수 있다.
도 4를 참조하여, 먼저 본 발명에 따른 반도체소자(130)에 대해 설명한다.
반도체소자는 발광소자, 수광소자 등 각종 전자소자를 포함할 수 있으며, 상기 발광소자는 UV 발광소자 또는 청색발광소자일 수 있다. 상기 발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해 결정되고, 자외선 대역부터 가시광 대역의 파장 범위 내에서 발광할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체소자는 플립칩(flip chip)발광소자일 수 있다..
상기 플립칩(flip chip) 발광소자는 6면 방향으로 빛이 방출되는 투과형 플립칩 발광소자일 수 있다.
본 발명에 따른 반도체소자(130)는 지지부(134), 반도체구조물(133), 제1전극(137) 및 제2전극(138)을 포함할 수 있다.
상기 지지부(134)는 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다.
상기 반도체구조물(133)은 제1도전형반도체층(133a), 제2도전형 반도체층(133c), 제1도전형반도체층(133a)과 제2도전형반도체층(133c) 사이에 배치된 활성층(133b)을 포함할 수 있다.
상기 반도체구조물(133)은 화합물반도체로 제공될 수 있다. 상기 반도체구조물(133)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 반도체구조물(133)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 반도체구조물(133)은 제1도전형반도체층(133a), 활성층(133b), 제2 도전형반도체층(133c)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2도전형반도체층(133a, 133c)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(133a,133c)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(133a)은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(133c)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
상기 활성층(133b)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다.
상기 활성층(133b)은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.
상기 활성층(133b)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(133b)은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다.
예컨대, 상기 활성층(133b)은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체소자(130)는 제1전극(137) 및 제2전극(138)을 포함할 수 있다.
상기 제1전극(137) 및 제2전극(138)은 상기 반도체구조물(133)의 일면에 배치될 수 있다.
상기 일면은 반도체구조물(133)이 외부에서 전류를 주입 받기위해 반도체구조물(133)이 부착되거나 배치되는 면일 수 있다.
상기 제1전극(137) 및 제2전극(138)은 서로 이격된 거리에 배치될 수 있다.
상기 제1전극(137) 및 제2전극(138)을 통해 반도체소자(130)로 전류가 흐를 수 있다.
상기 제1 전극(137)은 제1 패드전극(131)과 제1 가지전극(135)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(137)은 상기 제2도전형반도체층(133c)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 전극(138)은 제2 패드전극(132)과 제2 가지전극(136)을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(138)은 상기 제1도전형반도체층(133a)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 가지전극(135)과 상기 제2 가지전극(136)에 의하여 상기 제1 패드전극(131)과 상기 제2 패드전극(132)을 통하여 공급되는 전원이 상기 반도체구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.
상기 제1 전극(137)과 상기 제2 전극(138)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(137)과 상기 제2 전극(138)은 오믹 전극일 수 있다.
또한, 상기 제1 전극(137)과 상기 제2 전극(138)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.
한편, 상기 반도체구조물(133)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 반도체구조물(133)의 상면에 제공될 수 있다.
또한, 상기 보호층은 상기 반도체구조물(133)의 측면에 제공될 수도 있다.
상기 보호층은 상기 제1 패드전극(131)과 상기 제2 패드전극(132)이 노출되도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 보호층은 상기 지지부(134)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체소자(130)는, 상기 활성층(133b)에서 생성된 빛이 반도체소자(130)의 6면 방향으로 발광될 수 있다.
상기 활성층(133b)에서 생성된 빛이 반도체소자(130)의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.
다시 도 3를 참조하면, 투광부재(140)는 상기 반도체소자(130)를 둘러싸며 배치될 수 있다.
상기 투광부재(140)는 반도체소자(130)의 상면 및 측면 4면에 배치될 수 있다.
투광부재(140)의 측면은 반도체소자(130)의 측면과 평행하게 배치될 수 있다.
상기 투광부재(140)의 측면이 반도체소자(130)의 측면과 평행하게 배치됨에 따라, 반도체소자(130) 측면에서 방출되는 광이 투광부재(140)를 통해 투과하여, 효율적으로 측면 광이 반사될 수 있다.
투광부재(140)는 반도체소자(130)의 굴절률과 다른 굴절률을 포함할 수 있다.
상기 투광부재(140)의 굴절률은 상기 반도체소자(130)의 굴절률 이하의 굴절률을 가짐으로써, 상기 반도체소자패키지(160)에서 외부로 방출되는 광의 추출효율을 향상시킬 수 있다.
상기 투광부재(140)는 파장변환물질을 포함한 수지로 구성될 수 있다.
투광부재(140)는 반도체소자에서 투광부재(140)로 입사된 광이 외부로 방출되는 경우에 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다.
상기 수지는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다.
상기 파장변환물질은 황화물계, 산화물계 또는 질화물계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 형광체는 사용자가 원하는 색을 구현하기 위해 다양하게 선택될 수 있다.
예를 들어, 반도체소자(130)가 자외선 파장대의 광을 방출하는 경우 형광체는 녹색 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체가 선정될 수 있다.
반도체소자(130)가 청색 파장 대의 광을 방출하는 경우 형광체는 황색 형광체 또는 적색형광체 및 녹색형광체의 조합 또는 황색형광체, 적색형광체 및 녹색형광체의 조합이 선정될 수 있다.
도시하지 않았으나, 투광부재(140) 상면에 파장변환층이 배치될 수 있다.
파장변환층은 반사부재(150) 측면과 접하며 배치될 수 있다.
투광부재(140) 상면에 파장변환층이 배치되는 경우, 상기 투광부재(140)는 파장변환물질을 포함하지 않는다.
파장변환층은 반도체소자(130)에서 파장변환층으로 입사된 광이 외부로 방출될 때, 외부로 방출되는 광의 파장을 변환할 수 있다. 파장변환물질이 집적된 파장변환층을 배치함으로써, 반도체소자패키지(160)의 광변환율을 개선할 수 있다.
상기 파장변환층은 파장변환물질을 포함한 고분자 수지로 구성될 수 있다.
상기 고분자 수지는 투과성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다.
상기 파장변환물질은 황화물계, 산화물계 또는 질화물계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 형광체는 사용자가 원하는 색을 구현하기 위해 다양하게 선택될 수 있다.
예를 들어, 반도체소자(130)가 자외선 파장대의 광을 방출하는 경우 형광체는 녹색 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체가 선정될 수 있다.
반도체소자(130)가 청색 파장 대의 광을 방출하는 경우 형광체는 황색 형광체 또는 적색형광체 및 녹색형광체의 조합 또는 황색형광체, 적색형광체 및 녹색형광체의 조합이 선정될 수 있다.
반사부재(150)는 투광부재(140) 측면에 배치될 수 있다.
반사부재(150)는 반도체소자(130)의 측면 광을 반사하며, 반사된 광은 다시 반도체소자(130)로 유입되거나, 반도체소자패키지(160)의 일면으로 출사될 수 있다.
반사부재(150)의 일면은 반도체소자(130)가 포함하는 제1전극(137) 및 제2전극(138)의 일면과 동일 평면상에 배치될 수 있다.
상기 반사부재(150)는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 반사부재(150)는 반사물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어 상기 반사물질은 TiO2 또는 SiO2일 수 있다.
상기 반사부재(150)는 상기 반사부재(150)의 일면에 대하여 곡률을 가질 수 있다.
상기 곡률을 통해, 반도체소자(130)의 측면에서 방출된 광이 반사되어 광 추출효율이 증가할 수 있다.
상기 반사부재(150)는 투광부재(140)의 측면에 수평방향으로 서로 마주보도록 배치되며 적어도 투광부재(140)의 두 측면 이상에 배치될 수 있다.
상기 반사부재(150)는 원하는 지향각을 얻기 위해 투광부재(140)의 마주보는 측면 2면에 배치되거나, 측면 4면에 모두 배치될 수 있다.
도 5를 참조하여, 렌즈(180) 및 반도체소자패키지(160)에 대해 설명한다.
도 5는 렌즈(180) 및 반도체소자패키지(160)의 관계를 설명하기 위해, 도 1의 일부분을 도시한 것이다.
반도체소자패키지(160)는 복수개로 구성되며, 기판(100) 상에 배치될 수 있다.
복수개의 반도체소자패키지(160)는 일정한 이격 거리(L)를 갖고, 기판(100)에 배치될 수 있다.
상기 이격 거리(L)는 1mm 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.
상기 이격 거리(L)가 1mm 이상인 경우, 렌즈(180)가 배치되는 공간을 확보하여, 반도체소자패키지의 광속특성을 확보할 수 있다.
상기 이격 거리(L)가 200mm 이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 광 균일도를 개선시켜, 광속특성을 확보할 수 있다.
렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)를 감싸며 기판(100) 상에 배치될 수 있다.
렌즈(180) 중심과 반도체소자패키지(160)의 중심은 수직으로 중첩되며 배치될 수 있다.
렌즈(180)는 하나 또는 복수 개로 구성될 수 있으며, 반도체소자패키지(160) 상에 배치될 수 있다.
렌즈(180)는 하면이 원형 형상을 포함하는 것을 예시로 들어 설명하나 이에 한정하지는 않는다.
렌즈(180)의 수직방향 단면은 반원 형상을 포함할 수 있다.
상기 반원 형상은 반도체소자(130)의 중심을 지난 직선으로 정의되는 일축을 기준으로, 일축 방향으로 볼록한 반원 형상을 포함할 수 있다.
상기 일축은 반도체소자패키지(160) 또는 렌즈(180)의 중심과 일치할 수 있다.
또한, 상기 렌즈(180)는 수평방향으로 서로 마주보는 두 개 이상의 반사부재(150) 중심에서, 상기 수평방향에 대하여 수직인 방향으로 오목한 상면을 포함할 수 있다.
복수개의 렌즈(180)는 이격거리(d)를 갖고 배치될 수 있다.
렌즈(180) 중심과 인접하는 다른 렌즈(180) 중심 사이의 수평방향 거리(d)를 제1거리(d)라고 했을 때,
상기 제1거리(d)는 렌즈(180)의 최대 수평방향 폭(I) 이상 내지 200mm 이하일 수 있다.
상기 제1거리(d)가 렌즈(180)의 최대 수평방향 폭(I) 이상인 경우, 렌즈(180)가 배치되는 공간을 확보하여, 반도체소자패키지 어레이의 광 특성을 확보할 수 있다.
상기 제1거리(d)가 200mm 이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 색 균일도를 개선시켜, 광속특성을 확보할 수 있다.
상기 제1거리(d)는 상기 반도체소자패키지의 이격 거리(L)와 동일할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 렌즈(180)의 외측면 및 인접하는 다른 렌즈(180)의 외측면사이의 수평방향 거리(W)는 1mm 이상 내지 반도체소자패키지(160)의 최대 이격거리와 렌즈(180)의 최대 수평방향 폭의 차(L-I) 이하일 수 있다.
상기 렌즈(180)의 외측면 및 인접하는 다른 렌즈(180)의 외측면사이의 수평방향 거리(W)가 1mm 이상인 경우, 반도체소자패키지(160)의 지향각을 조절하여, 반도체소자패키지 어레이의 광 효율특성을 확보할 수 있다.
상기 렌즈(180)의 외측면 및 인접하는 다른 렌즈(180)의 외측면사이의 수평방향 거리(W)가 반도체소자패키지(160)의 최대 이격거리와 렌즈(180)의 최대 수평방향 폭의 차 (L-I)이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 제조수율을 확보할 수 있다.
상기 렌즈(180)의 중심에서 외측면까지의 수평방향 폭(r)은 10mm 이상 내지 20mm이하일 수 있다.
렌즈(180)의 중심에서 외측면까지의 수평방향 폭(r)이 10mm 이상인 경우, 반도체소자패키지(160)의 지향각을 조절할 수 있어, 반도체소자패키지 어레이의 광학특성을 확보할 수 있다.
렌즈(180)의 중심에서 외측면까지의 수평방향 폭(r)이 20mm 이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 제조수율을 확보할 수 있다.
렌즈(180)의 하면에서부터 최고점까지의 두께(h)는 6mm 이상 내지 12mm 이하일 수 있다.
상기 렌즈(180)의 하면에서부터 최고점까지의 두께(h)가 6mm 이상인 경우, 반도체소자패키지(160)로부터 입사된 광이 충분히 반사되기 때문에, 반도체소자패키지 어레이의 광학특성을 확보할 수 있다.
상기 렌즈(180)의 하면에서부터 최고점까지의 두께(h)가 12mm 이하인 경우, 반도체소자패키지 어레이의 두께가 일정두께 이하로 구성되기 때문에, 반도체소자패키지 어레이의 공정수율을 확보할 수 있다.
목표로 하는 지향각을 구현하기 위하여, 반도체소자패키지어레이가 포함하는 반도체소자패키지(160)의 구조, 렌즈(180)의 형상, 두께 및 렌즈(180) 사이의 간격이 정해질 수 있다.
예를 들어, 구현하고자 하는 지향각이 130도 이상 내지 135도 일 때, 렌즈(180)의 형상은 원형으로 정해질 수 있다.
렌즈(180)의 중심에서 외측면까지의 최대 수평방향 폭(r)은 10mm 이상 내지 20mm 이하일 수 있다.
또한, 반도체소자패키지(160)에서 입사되는 광이 렌즈(180)에서 충분히 확산되기 위해, 렌즈(180)의 하면에서 최고점까지의 거리(h)는 6mm 이상 내지 12mm 이하일 수 있다.
또한, 상기 지향각 및 광 균일도를 확보하기 위해 반도체소자패키지(160)는 투광부재(140)의 마주보는 측면 2면에 반사부재(150)가 배치되는 구조일 수 있다.
도 6 내지 도8을 참조하여, 렌즈(180)의 다른 예를 설명한다.
도 6은 렌즈(180)의 다른 예에 따른 사시도이고, 도 7은 도 6을 A-A'방향으로 절단한 단면을 도시한 것이다.
렌즈(180)는 반도체소자패키지(160) 상에 배치되어, 광원으로부터 입사되는 광의 경로를 변경시킬 수 있다.
렌즈(180)는 반도체소자패키지(160)에서 방출되는 광의 지향각을 제1방향으로 넓히며, 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 지향각을 좁힐 수 있다.
또한, 렌즈(180)는 비등방성 렌즈일 수 있다.
상기 렌즈(180)는 상기 반도체소자패키지(160)로부터 방출되는 빛의 전반사(total reflection)을 유도하여, 광을 측방으로 보내도록 광 출사면이 포물선 형태를 포함하는 비구면 형태일 수 있다.
상기 비등방성 렌즈는 반도체소자패키지(160)로부터 방출되는 빛이 수직축을 기준으로 수평방향으로 방사상 퍼지는 등방성 배광 분포가 아니라, 어느 일 축 방향으로 집중되어 멀리까지 퍼지도록 하는 비등방성 배광 분포를 이루도록 하는 렌즈일 수 있다.
상기 반도체소자패키지(160)에 비등방성 배광구조를 가지는 렌즈(180)를 적용하여, 광원으로부터 방출되는 빛을 최대한 평행하게 전반사시켜, 멀리까지 빛을 퍼지게 할 수 있다.
이를 통해, 광원의 개수(반도체소자의 개수)가 줄더라도, 반도체소자패키지 어레이의 광 효율과 조도 균일도가 동일하게 유지될 수 있다.
도 6 내지 도 7를 참조하면, 렌즈(180)의 단면은 다각형 형상을 포함할 수 있다.
복수개의 렌즈(180)가 복수개의 반도체소자패키지(160)를 각각 둘러싸며 기판(100)에 배치될 수 있다.
렌즈(180)의 상면은 렌즈(180) 상면 중심에서 내부방향으로 오목한 형상을 포함할 수 있다.
상기 오목한 형상은 렌즈(180) 내부로 갈수록 점차 좁아질 수 있다.
즉, 상기 오목한 형상은 렌즈(180)의 하부방향으로 점차 좁아질 수 있다.
렌즈(180)의 상면은 일축을 중심으로 상면에서 내부방향으로 오목한 형상을 포함한다.
렌즈(180)의 상면은 렌즈(180)의 상부방향으로 돌출된 볼록한 형상을 포함할 수 있다.
상기 렌즈(180)의 상면은 수평방향으로 서로 마주보는 두 개 이상의 반사부재(150) 중심에서 상기 수평방향에 대하여 수직방향으로 오목할 수 있다.
상기 렌즈(180)의 상면이 포함하는 오목한 형상의 높이는 렌즈(180)의 하면이 포함하는 오목한 형상의 높이보다 더 높을 수 있다.
렌즈(180)의 하면은 렌즈(180)의 하면의 중심에서 내부방향으로 오목한 형상을 포함할 수 있다.
상기 오목한 형상은 렌즈(180) 내부로 갈수록 점차 좁아질 수 있다.
즉, 상기 오목한 형상은 렌즈(180)의 상부방향으로 점차 좁아질 수 있다.
상기 렌즈(180)의 하면으로, 반도체소자패키지(160)로부터 출사된 광이 입사될 수 있다.
상기 오목한 형상은 반도체소자(130)의 중심을 지난 직선으로 정의되는 일축을 기준으로 일축 방향으로 오목한 형상을 포함할 수 있다.
상기 일축은 반도체소자패키지(160) 또는 렌즈(180)의 중심과 일치할 수 있다.
상기 렌즈(180)의 상면이 포함하는 오목한 형상의 높이는 렌즈(180)의 하면이 포함하는 오목한 형상의 높이보다 더 높을 수 있다.
렌즈(180)의 외측면은 광을 굴절시킬 수 있다.
렌즈(180)의 외측면은 렌즈(180)의 하부면을 기준으로 수직방향으로 배치된다.
상기 렌즈(180)의 외측면은 일축과 평행하여, 평평한 면 타입으로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 렌즈(180)의 외측면은 렌즈(180)의 외측방향으로 돌출된 볼록 타입으로 이루어질 수 있다.
또한, 렌즈(180)의 외측면은 복수의 경사면을 포함할 수 있다.
상기 렌즈(180)의 상면 및 하면에 형성되는 오목한 형상은 각각 서로 다른 곡률을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
렌즈(180)는 다양한 곡률을 갖는 구조를 구성될 수 있으며, 구현하고자 하는 지향각의 각도에 따라 그 구조 및 곡률이 상이할 수 있다.
도시하지 않았으나, 렌즈(180)의 하부에는 지지대를 포함할 수 있다.
지지대는 렌즈(180)를 반도체소자패키지(160) 상에 고정할 때, 지지하는 기능을 수행할 수 있다.
도 8은 렌즈(180)의 또 다른 예를 도시한 것이다.
도 8을 참조하면, 렌즈(180)는 단일의 막대(bar) 형상으로 구성될 수 있다.
상기 렌즈(180)는 일체형일 수 있으며, 동시에 복수개의 반도체소자패키지(160)를 감싸며 배치될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
예를 들어, 상기 단일 막대(bar)형상으로 구성되는 렌즈(180)의 중심에 하나의 반도체소자패키지(160) 상에 배치될 수 있다.
렌즈(180)는 제1방향으로 제1폭을 포함하고, 제1방향과 수직하는 제2방향으로 제2폭을 포함할 수 있다.
상기 제1폭과 제2폭은 서로 다른 폭을 가질 수 있다.
상기 제1폭은 제2폭에 대비하여 더 작을 수 있다.
상기 렌즈(180)의 제2폭은 일측 가장자리 측에 배치되는 반도체소자패키지(160)부터 타측 가장자리 측에 배치되는 반도체소자(130)를 전부 수용하는 길이로 연장될 수 있다.
상기 렌즈(180)의 중심부를 지나는 직선과 직교하는 방향의 수직면에 의해 절개되는 렌즈(180)의 종단면 형상은 도 7과 동일하다.
렌즈(180)의 상면은 중심점을 기준으로 원주방향으로 동일한 곡률의 비구면을 형성하는 렌즈(180)와 다른 형상을 포함할 수 있다.
렌즈(180)의 상면으로부터 함몰되는 중심부는 연속된 직선 형태로 연장되고, 상기 중심부의 어느 지점에서 상기 중심부의 연장방향에 직교하는 수직면에 의하여 절개되는 종단면 형상이 상기 중심부의 모든 지점에서 동일한 구조를 갖는다.
도 9를 참조하여, 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이의 제조방법에 대해 설명한다.
도 9는 본 발명의 목적을 달성함에 있어, 바람직한 예일 뿐이며, 필요에 따라 일부 단계가 추가되거나 삭제될 수 있음은 물론이다.
본 발명의 반도체소자패키지 어레이의 제조방법을 설명하는 데 있어서, 도 1 내지 도 8를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 구성에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
도 9(a)를 참조하면, 복수개의 반도체소자(130)는 공정기판(10)에 배치될 수 있다.
상기 공정기판(10)은 반도체소자패키지(160)를 제공하기 위한 기판일 수 있다.
상기 복수개의 반도체소자(130)는 일정한 간격을 가지며 배치될 수 있다.
상기 복수개의 반도체소자(130)는 투광부재(140) 및 반사부재(150)가 반도체소자(130) 상에 배치되는 간격 및 절단공정이 진행되는 공정의 간격이 모두 고려된 간격을 가지며 배치될 수 있다.
도 9(b)를 참조하면, 투광부재(140)는 배열된 반도체소자(130) 상에 배치될 수 있다.
상기 투광부재(140)는 반도체소자(130)의 상면 및 측면을 둘러싸며 배치될 수 있다.
상기 투광부재(140)는 파장변환물질을 포함하는 수지로 구성될 수 있다.
상기 수지는 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지 및 아크릴 수지 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 파장변환물질은 형광체일 수 있다.
상기 파장변환물질은 황화물계, 산화물계 또는 질화물계 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 형광체는 사용자가 원하는 색을 구현하기 위해 다양하게 선택될 수 있다
예를 들어, 반도체소자(130)가 자외선 파장대의 광을 방출하는 경우 형광체는 녹색 형광체, 청색 형광체 및 적색 형광체가 선정될 수 있다.
반도체소자(130)가 청색 파장 대의 광을 방출하는 경우 형광체는 황색 형광체 또는 적색형광체 및 녹색형광체의 조합 또는 황색형광체, 적색형광체 및 녹색형광체의 조합이 선정될 수 있다.
상기 투광부재(140)는 디스펜서(dispenser)로 주입될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
도 9(c)를 참조하면, 투광부재(140)가 배치된 반도체소자(130)에 제1절단공정이 진행될 수 있다.
투광부재(140)가 배치된 반도체소자(130) 배열이 제1간격(a)으로 절단되는 제1절단공정이 진행될 수 있다.
상기 제2절단공정은 제1방향 및 제2방향으로 진행될 수 있다.
상기 제2방향은 제1방향과 직교하는 방향이다.
상기 제1방향은 반사부재(150)가 배치되는 방향이고, 제2방향은 반사부재(150)가 배치되는 방향과 수직인 방향일 수 있다.
상기 제1간격(a)은 제1방향으로 이격된 거리를 가지며, 반도체소자(130)들의 측면과 측면사이에 배치될 수 있다.
제1간격(a)은 제2방향으로 연장되어 배치될 수 있다.
도 9(c)-2에 도시된 바와 같이, 상기 제1절단공정은 제1방향으로만 진행될 수 있다.
상기 제1절단공정은 블레이드(Blade)를 통해 진행될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
상기 블레이드 폭은 상기 제1간격(a)과 동일할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
예를 들어, 상기 블레이드 폭은 400um일 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
도 9(d)를 참조하면, 제1절단공정이 진행된 반도체소자(130)에 반사부재(150)가 배치될 수 있다.
상기 제1절단공정이 진행된 영역에 반사부재(150)가 배치될 수 있다.
상기 반사부재(150)가 투광부재(140)의 마주보는 측면 2면에 배치되는 반도체소자패키지(160)를 예를 들어 설명하나, 이에 한정하지는 않는다.
예를 들어, 반도체소자(130) 4면에 반사부재(150)가 배치될 수 있다.
상기 반사부재(150)는 디스펜서(Dispenser)로 주입될 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
도 9(e)를 참조하면, 상기 제1전극(137) 및 제2전극(138)의 일면과 반사부재(150)의 일면이 동일 평면 상에 배치되도록, 상기 제1전극(137) 및 제2전극(138) 상에 배치된 반사부재(150)를 제거할 수 있다.
예를 들어, 에칭공정을 통해 제1전극(137) 및 제2전극(138) 상면에 배치된 반사부재(150)를 제거할 수 있다.
도 9(f)를 참조하면, 반사부재(150)가 배치된 반도체소자(130)에 대해 제2절단공정이 진행될 수 있다.
상기 제2절단공정은 제1방향 및 제2방향으로 진행될 수 있다.
상기 제2방향은 제1방향과 직교하는 방향이다.
상기 제1방향은 반사부재(150)가 배치되는 방향이고, 제2방향은 반사부재(150)가 배치되는 방향과 수직인 방향일 수 있다.
도 9(f)-2에 도시된 바와 같이, 상기 절단공정은 격자무늬로 일정한 간격(b)을 가지며 수행될 수 있다.
상기 간격을 제2간격(b)이라고 했을 때, 상기 제1방향 및 제2방향으로 이격된 거리를 가지며, 반도체소자(130)들의 측면과 측면 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1간격(a)은 제2간격(b) 대비 2배 이상 내지 2.5배 이하일 수 있다.
상기 제1간격(a)이 제2간격(b) 대비 2배 이상인 경우, 반도체소자(130) 측면에 반사부재(150)가 배치되는 공간을 확보하여, 반도체소자패키지(160)의 광속특성을 확보할 수 있다.
상기 제1간격(a)이 제2간격(b) 대비 2.5 배 이하인 경우, 반도체소자패키지(160)의 공정 수율을 확보할 수 있다.
상기 제2절단공정은 블레이드(Blade)를 통해 진행될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
상기 제2절단공정을 수행하는 블레이드(Blade) 폭은 제1절단공정을 수행하는 블레이드(Blade) 폭 보다 작은 폭을 포함할 수 있다.
상기 제2절단공정을 수행하는 블레이드(Blade) 폭은 상기 제2간격(b)과 동일할 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
예를 들어, 상기 블레이드(blade) 폭은 200um 일 수 있다.
상기 절단공정을 통해, 반도체소자패키지(160)를 완성할 수 있다.
도 9(g)에 도시된 바와 같이, 완성된 반도체소자패키지(160)는 기판(100)에 배치될 수 있다.
렌즈(180)가 반도체소자패키지(160) 상에 배치되는 것을 고려하여, 상기 반도체소자패키지(160)는 일정한 간격을 가지고, 기판(100)에 배치될 수 있다.
도 9(h)에 도시된 바와 같이, 렌즈(180)가 상기 반도체소자패키지(160)를 둘러싸며, 기판(100)에 배치되면 반도체소자패키지 어레이가 제공될 수 있다.
도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체소자패키지 어레이 제조방법에 의하면, 반도체소자패키지(160)를 재배열하는 공정을 진행하지 않으므로, 반도체소자패키지 어레이의 배열공차가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상과 필수적 특징을 유지한 채로 다른 형태로도 실시될 수 있음을 인지할 수 있을 것이다.
본 발명의 범위는 특허청구범위에 의하여 규정되어질 것이지만, 특허청구범위 기재사항으로부터 직접적으로 도출되는 구성은 물론 그 외 등가인 구성으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태 또한 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 기판
130 : 반도체소자
140 : 투광부재
150 : 반사부재
160 : 반도체소자패키지
180 : 렌즈

Claims (12)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 복수개의 반도체소자패키지; 및
    상기 복수개의 반도체소자패키지 상에 각각 배치되는 복수개의 렌즈;
    를 포함하되,
    상기 복수개의 각 반도체소자패키지는,
    제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층 및 제1도전형반도체층과 제2도전형반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체구조물을 포함하는 반도체소자와,
    상기 반도체소자를 둘러싸며 배치되는 투광부재와,
    상기 투광부재의 측면에 배치되며, 수평방향으로 서로 마주보도록 배치되는 적어도 두 개 이상의 반사부재를 포함하고,
    상기 렌즈의 외측면 및 인접하는 다른 렌즈의 외측면 사이의 수평방향 거리는 1mm 이상이고 상기 반도체소자패키지의 최대 이격거리 L와 상기 렌즈의 최대 수평방향 폭 I의 차(L-I) 이하이고,
    상기 렌즈의 수직방향 단면은 반원 형상을 갖고,
    상기 반도체소자패키지의 최대 이격거리는 상기 렌즈의 최대 수평방향 폭 이상이고 200mm 이하이고,
    상기 렌즈의 최대 수평방향 폭은 20mm 이상이고 40mm 이하이고,
    상기 렌즈의 제1 중심과 인접한 다른 렌즈의 제2 중심 사이의 거리는 상기 렌즈의 최대 수평방향 폭 이상이고 200mm 이하이고,
    상기 렌즈의 하면에서부터 최고점까지의 두께는 6mm 이상이고 12mm 이하인, 반도체소자패키지 어레이.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 소자는, 상기 반도체구조물 하면에 배치되는 제1전극과 제2전극을 더 포함하는, 반도체소자패키지 어레이.
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