KR20150046161A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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KR20150046161A
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신지 쿠마모토
나오키 세키네
모토키 나카자와
야스오 나가시마
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가부시키가이샤 신가와
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Abstract

반도체 장치(100)에 있어서, 와이어(12)의 측면이 패드(65~62)에 접합되어 있는 접합부(75~72)와, 접합부(75~72)로부터 패드(65~62)에 인접하는 다른 패드(64~61) 상까지 루핑되어 있는 루핑부(85~82)가 교대로 형성되어, 3개 이상의 패드(65~61)를 순차 접속하는 공통의 와이어(12)를 구비한다. 또, 패드(65~61)가 반도체 칩(55~51)의 표면으로부터 움푹 들어가 있는 경우에는, 공통의 와이어(12)를 패드(65~61)의 오목부 깊이보다 두꺼운 두께로 눌러 찌그러뜨려 편평형상으로 한다. 이것에 의해, 반도체 장치에 있어서, 반도체 칩에 주는 대미지를 저감하면서 적은 본딩 횟수로 와이어의 접속을 행함과 아울러 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어가 있는 전극에 대하여 효율적으로 본딩을 행한다.

Description

반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 장치의 구조 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 대용량화의 요구로부터, 복수의 반도체 칩을 기판 또는 리드 프레임 상에 적층하여 구성한 적층형 반도체 장치가 많이 사용되게 되고 있다. 또, 이러한 적층형 반도체 장치에서는 동시에 박형화, 소형화의 요청이 있는 점에서, 각 층의 반도체 칩의 패드와 리드 프레임을 따로따로 접속하는 것이 아니라, 인접하는 각 반도체 칩의 패드간 또는 반도체 칩의 패드와 리드 프레임의 리드와의 사이를 와이어에 의해 순차 접속하는 와이어 본딩 방법이 사용되고 있다. 이 방법에서는 와이어 본딩시에 반도체 칩에 대미지를 주지 않도록, 우선, 각 반도체 칩의 각 패드 상에 범프를 형성하고, 그 후, 리드 프레임의 리드로부터 반도체 칩의 패드 상을 향하여 역 본딩을 행하고, 또한, 본딩이 된 범프 상으로부터 인접하는 반도체 칩의 범프 상을 향하여 다음의 역 본딩을 행하도록 하여 와이어를 리드 프레임으로부터 최상층의 반도체 칩의 패드를 향하여 순차 접속하는 방법이 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
또, 적층형 반도체 장치의 중간층에 있는 각 패드면에 범프를 형성하고, 최상층의 반도체 칩의 패드에 볼 본딩을 행하고, 와이어를 중간층의 패드 상에 형성한 범프 상에 루핑하여 범프 상에 본딩하고, 그 후 또한 와이어를 다음의 반도체 칩의 범프 상에 루핑하여 본딩을 행하도록 하여, 인접하는 중간층의 패드간을 와이어로 접속하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
일본 특허 제3573133호 명세서 일본 특허 제3662461호 명세서
그러나, 특허문헌 1에 기재된 종래기술은 각 반도체 칩의 패드에 범프를 형성한 후에 와이어 본딩을 행하는 점에서, 공정수가 많고, 본딩에 시간, 비용이 든다는 문제가 있었다. 예를 들면, 2층으로 적층된 적층형 반도체의 각 패드와 리드와의 접속은 2층의 각 반도체 칩의 패드에 각각의 범프를 형성하는 공정(2공정)과, 리드와 1층째의 반도체 칩의 패드 상의 범프와의 사이의 본딩과, 1층째의 범프와 2층째의 반도체 칩의 패드 상의 범프와의 사이의 본딩의 합계 4공정이 필요하게 된다. 또, 특허문헌 2에 기재된 종래기술에서는 중간층에 있는 반도체 칩의 패드에 범프를 형성한 후에 본딩을 행하는 점에서, 특허문헌 1에 기재된 종래기술보다 공정수는 적어지지만, 본딩 공정과는 별개로 범프 형성 공정을 설치하는 것이 필요하여 공정수가 많다는 문제는 해결되지 않고 있다.
또, 반도체 칩에는 패드가 반도체 칩의 표면보다 움푹 들어가 있는 것이 사용되는 경우도 많다. 이와 같이 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어가 있는 패드 상에 본딩을 하는 경우, 캐필러리의 선단이 패드 주변의 반도체 칩의 표면에 닿는 것을 억제하기 위해서, 와이어의 누름량(캐필러리 가라앉음량)을 많게 할 수 없다. 이 때문에, 특허문헌 1, 2에 기재된 종래기술과 같이, 패드 상에 일단 범프를 형성한 후, 그 범프 상에 본딩을 하는 것이 필요하게 되어, 효율적인 본딩을 할 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명은 반도체 장치에 있어서, 반도체 칩에 주는 대미지를 저감하면서 적은 본딩 횟수로 와이어의 접속을 행하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어가 있는 전극에 대하여 효율적으로 본딩을 행하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체 장치는 그 측면이 전극에 접합되어 있는 접합부와, 접합부로부터 다른 전극 상까지 루핑되어 있는 루핑부가 교대로 형성되어, 3개 이상의 전극을 순차 접속하는 공통의 와이어를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 장치에 있어서, 전극은 반도체 칩의 패드인 것으로 해도 적합하고, 반도체 장치는 반도체 칩을 적층한 적층체이며, 공통의 와이어는 인접층의 반도체 칩의 전극간을 순차 접속하는 것으로 해도 적합하다.
본 발명의 반도체 장치에 있어서, 접합부는 공통의 와이어의 직경의 1/4~1/2의 두께로 눌러 찌그러진 편평형상이며, 루핑부는 접합부로부터 비스듬히 상방향으로 접혀 구부러져 뻗는 힐을 가지고, 힐의 두께는 공통의 와이어의 직경의 1/2~4/5의 두께인 것으로 해도 적합하다.
또, 본 발명의 반도체 장치에 있어서, 전극은 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어가 있고, 접합부의 두께는 전극의 오목부 깊이보다 두꺼운 것으로 해도 적합하다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 3개 이상의 반도체 칩 또는 기판의 전극을 공통의 와이어에 의해 순차 접속하는 와이어 본딩 방법으로서, 캐필러리에 의해 와이어의 측면을 1개의 전극에 누르고, 와이어의 측면을 1개의 전극에 접합하는 접합 공정과, 접합 공정 후, 캐필러리에 의해 와이어를 다른 전극 상까지 루핑하는 루핑 공정을 교대로 반복하여 3개 이상의 전극을 공통의 와이어에 의해 순차 접속하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 접합 공정은 캐필러리에 의해 공통의 와이어를 그 직경의 1/4~1/2의 두께로 눌러 찌그러뜨려 편평형상으로 함과 아울러 초음파 가진을 행하여 공통의 와이어를 각 전극에 접합하는 것으로 해도 적합하다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 루핑 공정은 접합 공정 후, 1개의 전극으로부터 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제1 상승 공정과, 제1 상승 공정 후, 다른 전극 쪽을 향하여 비스듬히 하방향으로 캐필러리를 이동시키는 제1 경사 이동 공정과, 제1 경사 이동 공정 후, 다시 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제2 상승 공정과, 제2 상승 공정 후, 다른 전극과 반대측을 향하여 비스듬히 하방향으로 캐필러리를 이동시키는 리버스 공정과, 리버스 공정 후, 1개의 전극 직상까지 비스듬히 상방향으로 캐필러리를 이동시키는 제2 경사 이동 공정과, 제2 경사 이동 공정 후, 다시 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제3 상승 공정과, 제3 상승 공정 후, 다른 전극의 직상을 향하여 호형상으로 캐필러리를 이동시키는 호형상 이동 공정을 포함하는 것으로 해도 적합하다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 리버스 공정은 접합부를 통과하는 전극에 수직인 선에 대한 각도가 10~20°가 되는 점까지 캐필러리를 이동시키는 것으로 해도 적합하다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전극 중 적어도 1개는 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어간 패드이며, 접합 공정은 캐필러리에 의해 공통의 와이어를 패드의 오목부 깊이보다 두꺼운 두께로 눌러 찌그러뜨려 편평형상으로 함과 아울러 초음파 가진을 행하여 공통의 와이어를 패드에 접합하는 것으로 해도 적합하다.
본 발명은 반도체 장치에 있어서, 반도체 칩에 주는 대미지를 저감하면서 적은 본딩 횟수로 와이어의 접속을 행할 수 있음과 아울러, 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어가 있는 전극에 대하여 효율적으로 본딩을 행할 수 있다는 효과를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 접합부를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 접합부를 형성하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 접합부의 측면도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 있어서의 반도체 장치를 제조하는 와이어 본딩 장치의 계통도이다.
도 6은 도 5에 나타낸 와이어 본딩 장치를 사용하여 본 발명의 반도체 장치를 제조하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 7은 도 5에 나타낸 와이어 본딩 장치를 사용하여 본 발명의 반도체 장치를 제조하는 공정을 나타내는 설명도이다.
도 8은 본 발명의 반도체 장치를 제조할 때의 루핑 공정에 있어서의 캐필러리 선단의 궤적을 나타내는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시형태에 있어서의 반도체 장치의 접합부의 측면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 반도체 장치(100)는 기판(10) 상에 복수층으로 반도체 칩(56~51)이 적층된 적층체로, 각 반도체 칩(56~51)의 표면에 설치된 전극인 패드(66~61)를 1개의 공통의 와이어(12)에 의해 순차 접속한 것이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(56~51)은 서로 인접하는 층의 반도체 칩이며, 각 패드(66~61)는 서로 인접하는 층의 패드이다. 또, 각 패드(66~61)는 서로 인접하는 패드이기도 하다. 공통의 와이어(12)는 금선이어도 되고, 알루미늄선, 구리선 등이어도 된다. 공통의 와이어(12)는 최상단의 반도체 칩(56)의 패드(66) 상에 볼 본딩되고, 패드(66) 상에는 압착 볼(90)이 형성되어 있다. 압착 볼(90)측의 시단부(86a)로부터 다음의 단의 반도체 칩(55)의 패드(65)의 측의 종단부(86b)를 향하여 와이어(12)가 호형상으로 루핑된 루핑부(86)가 형성되어 있다. 루핑부(86)의 종단부(86b)에서는 와이어(12)의 측면이 패드(65) 상에 압압, 접합되어 접합부(75)가 형성되어 있다. 그리고, 다시 접합부(75)측의 시단부(85a)로부터 다음의 층의 반도체 칩(54)의 패드(64)측의 종단부(85b)를 향하여 와이어(12)가 호형상으로 루핑되고, 패드(65)측의 시단부(85a)로부터 패드(64)측의 종단부(85b)를 향하는 호형상의 루핑부(85)가 형성되어 있다. 루핑부(85)의 종단부(85b)에서는 와이어(12)의 측면이 패드(64) 상에 압압, 접합되어 접합부(74)를 형성하고 있다. 마찬가지로, 루핑부(84), 접합부(73), 루핑부(83), 접합부(72), 루핑부(82), 접합부(71)가 순차 형성되고, 마지막에 패드(61)로부터 기판(10)의 전극(70) 상에 와이어(12)가 루핑되어 그 측면이 전극(70) 상에 접합된 후에 절단된다. 이와 같이, 본 실시형태의 반도체 장치(100)에서는 1개의 공통의 와이어(12)에 의해 각 반도체 칩(56~51)의 각 패드(66~61) 및 기판(10)의 전극(70)이 순차 접속되어 있다.
즉, 본 실시형태의 반도체 장치(100)는 도 1에 나타내는 바와 같이 루핑부(86~82), 접합부(75~71)를 교대로 형성하고, 인접층의 반도체 칩(55~51)의 5개의 패드(65~61)를 1개의 와이어(12)로 순차 접속하고 있는 것이다. 또한, 본 실시형태에서는 최상단의 반도체 칩(56)의 패드(66)에 볼 본딩을 행하여 와이어(12)와 패드(66)를 접합하는 것으로서 설명했지만, 접합의 방법은 이것에 한정되지 않고, 접합부(75~72)와 같이, 와이어(12)의 측면을 패드(66)의 면에 접합하도록 해도 된다.
다음에 도 2~도 4를 참조하면서, 본 실시형태의 반도체 장치(100)의 접합부(75~71), 루핑부(86~82)의 종단부(86b~82b), 루핑부(85~81)의 시단부(85a~81a)의 상세에 대해서 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 접합부(75~71)는 두께(높이)(H1)의 타원형의 편평한 판형상이며, 루핑부(86~82)의 종단부(86b~82b)와 루핑부(85~81)의 시단부(85a~81a)는 각각 접합부(75~71)의 각 장경단으로부터 비스듬히 상방향을 향하여 뻗음과 아울러, 그 단면형상이 편평형상으로부터 직경(D)의 원형으로 변화되어 가는 것이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 루핑부(85~81)의 시단부(85a~81a)는 패드(66~61)의 면에 대하여 각도(θ1)로 비스듬히 상방향으로 뻗어 있고, 힐부(75b~71b)의 두께(높이)는 두께(높이)(H2)이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 접합부(75~71)는 캐필러리(16)의 선단면(16b)을 도 3에 나타내는 화살표(p)와 같이 와이어(12)의 측면에 누르고, 직경(D)의 원형 단면의 와이어(12)를 두께(높이)(H1)의 원형 또는 타원형의 편평한 판형상으로 눌러 찌그러뜨린 것이다. 접합부(75~71)의 두께(높이)(H1)는 와이어(12)의 직경(D)의 1/4~1/2정도의 두께(높이)이다. 그리고, 와이어(12)는 캐필러리(16)의 선단면(16b)에 의해 편평형상으로 찌그러짐과 아울러, 도 3의 가로 방향의 화살표(q)에 나타내는 바와 같이 수평 방향으로 초음파 진동이 가해지고, 이것에 의해 도 3에 나타내는 금속 접합부(75a~71a)가 형성되어, 와이어(12)의 측면이 패드(65~61) 상에 금속 접합되어 있다.
또, 도 4에 나타내는 바와 같이, 접합부(75~71)의 금속 접합부(75a~71a)에 인접한 부분에서는, 와이어(12)의 측면은 패드(65~61)의 표면에 접한 상태로 되어 있고, 도 4의 점(75c~71c)에 있어서 패드(65~61)의 표면으로부터 기립하여, 각도(θ1)로 비스듬히 상방으로 뻗어 루핑부(85~81)의 시단부(85a~81a)에 연결되어 있다. 도 4에 나타내는 접합부(75~71)로부터 점(75c~71c)을 거쳐 루핑부(85~81)의 시단부(85a~81a)에 연결될 때까지의 부분이 힐부(75b~71b)이다. 힐부(75b~71b)의 접합부(75~71)측의 단면은 접합부(75~71)와 마찬가지로 와이어(12)의 직경(D)의 1/4~1/2의 편평형상으로 되어 있고, 시단부(85a~81a)를 향함에 따라 와이어(12)와 동일한 직경(D)의 원형 단면 형상이 된다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 점(75c~71c)의 힐부(75b~71b)의 두께(높이)(H2)는 와이어(12)의 직경(D)의 1/2~4/5정도이며, 접합부(75~71)의 두께(높이)의 약2배의 두께(높이)로 되어 있다.
접합부(75~71)는 와이어(12)의 직경(D)의 1/4~1/2의 두께(높이)(H1)까지밖에 눌러 찌그러져 있지 않으므로, 힐부(75b~71b)에 연결되는 충분한 강도를 가지고 있다. 또, 힐부(75b~71b)의 두께(높이)(H2)는 루핑시에 와이어(12)가 힐부(75b~71b)로부터 루핑부(85~81)의 시단부(85a~81a)에 크랙 등의 손상이 발생하지 않고 연결되어 갈 수 있는 두께(높이)이다. 힐부(75b~71b)의 각도(θ1)는 45~60°정도로 하는 것이 적합하다. 또, 나중에 설명하는 바와 같이, 접합부(75~71)를 형성할 때에 초음파 진동자의 입력 전압을 통상의 세컨드 본딩의 1.5배정도로 하고 있으므로, 적은 찌그러짐량으로도 금속 접합부(75a~71a)가 충분히 형성되고, 와이어(12)의 측면과 패드(66~61)와의 접합 강도가 충분하게 되어, 루핑시에 와이어(12)가 패드(66~61)로부터 벗겨지지 않는다.
이상 설명한 실시형태에서는, 접합부(75~71)의 두께(높이)(H1)는 와이어(12)의 직경(D)의 1/4~1/2로서 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 와이어(12)의 직경(D)의 8/30~12/30이어도 되고, 와이어(12)의 직경(D)의 9/30~11/30 또는 1/3정도이면 또한 바람직하다. 또, 힐부(75b~71b)의 두께(높이)(H2)는 와이어(12)의 직경(D)의 1/2~4/5로서 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 와이어(12)의 직경(D)의 16/30~24/30로 해도 되고, 18/30~22/30 또는 2/3정도이면 또한 바람직하다.
다음에 도 5~도 8을 참조하여 와이어 본딩 장치(101)에 의해 도 1~도 4를 참조하여 설명한 실시형태의 반도체 장치(100)를 제조하는 공정에 대해서 설명한다. 우선, 도 5를 참조하면서 반도체 장치(100)의 제조에 사용하는 와이어 본딩 장치(101)에 대해서 설명한다. 도 5에 있어서, 신호선은 일점쇄선으로 나타낸다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 와이어 본딩 장치(101)는 XY 테이블(20)과, XY 테이블(20) 상에 설치된 본딩 헤드(19)와, 기판(10)을 흡착 고정하는 본딩 스테이지(14)를 구비하고 있다. 본딩 헤드(19)에는 Z방향 모터에 의해 회전 중심(28)의 둘레에 구동되는 본딩 암(13)이 부착되고, 그 선단에는 초음파 혼(13b)이 부착되고, 초음파 혼(13b)의 선단은 본딩 스테이지(14)의 표면에 대하여 호형상으로 접리 동작하도록 구성되어 있다. 초음파 혼(13b)의 선단은 본딩 스테이지(14)의 표면의 근방에서는 상하 방향인 Z방향으로 이동한다. 또, 초음파 혼(13b)의 근원에는 초음파 진동자(15)가 부착되어 있고, 초음파 혼(13b)의 선단에 부착된 캐필러리(16)를 초음파 가진하도록 구성되어 있다. XY 테이블(20)과 본딩 헤드(19)는 이동 기구(18)를 구성하고, 이동 기구(18)는 XY 테이블(20)에 의해 본딩 헤드(19)를 본딩 스테이지(14)의 표면을 따른 면 내(XY면 내)에서 자유로운 위치로 이동할 수 있고, 본딩 암(13)의 선단에 부착된 초음파 혼(13b)의 선단 및 그 선단에 부착된 캐필러리(16)를 XYZ의 방향으로 자유롭게 이동시킬 수 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 와이어 본딩 장치(101)는 내부에 CPU를 가지는 제어부(31)에 의해 각 부의 위치의 검출 및 동작의 제어가 행해진다. XY 테이블(20)에는 본딩 헤드(19)의 XY 방향 위치를 검출하는 XY 위치 검출 수단이 내장되어 있다. 또, 본딩 헤드(19)에는 본딩 암(13)의 회전 중심(28)의 둘레의 회전 각도를 검출함으로써 캐필러리(16) 선단의 Z방향 높이를 검출하는 캐필러리 높이 검출기(29)가 설치되어 있다. 캐필러리 높이 검출기(29)는 회전 각도를 검출하는 것이 아니라, 본딩 암(13) 선단이나 캐필러리(16) 선단의 위치를 직접 검출하는 것 같은 것이어도 된다. 또, 캐필러리 높이 검출기(29)도 비접촉식이어도 되고, 접촉식이어도 된다.
캐필러리 높이 검출기(29)의 검출 신호는 캐필러리 높이 검출 인터페이스(36)를 통하여 데이터 버스(39)로부터 CPU를 포함하는 제어부(31)에 입력된다. 또, XY 테이블(20)과 본딩 헤드(19)에 의해 구성되는 이동 기구(18), 클램퍼 개폐 기구(27), 초음파 진동자(15)는 각각 이동 기구 인터페이스(38), 클램퍼 개폐 기구 인터페이스(35), 초음파 진동자 인터페이스(37)를 통하여 데이터 버스(39)로부터 제어부(31)에 접속되고, 제어부(31)로부터의 지령에 의해 각 기기가 동작하도록 구성되어 있다.
데이터 버스(39)에는 기억부(32)가 접속되어 있다. 기억부(32)에는 본딩 제어 전반을 컨트롤하는 제어 프로그램(33)과 제어부(31)가 행하는 위치 검출 처리나 제어 지령 출력 동작에 필요한 제어 데이터(34)가 격납되어 있고, 제어부(31)와 데이터 버스(39)와 기억부(32)와 각 인터페이스(35~38)는 일체로서 구성된 컴퓨터(30)이다.
이상과 같이 구성된 와이어 본딩 장치(101)에 의해 도 1에 나타내는 반도체 장치(100)를 제조하는 방법에 대해서 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 본딩 스테이지(14)의 표면에는 도시하지 않는 다이본더 장치 등에 의해 크기가 상이한 반도체 칩(56~51)이 계단형상으로 적층 고정된 기판(10)이 흡착 고정되어 있다(도 1에서는 적층수를 생략하여 도시하고 있음). 또, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 캐필러리(16)는 최상단의 반도체 칩(56)의 패드(66)의 직상에 위치하고, 그 선단의 높이는 높이 C1로 되어 있다.
제어부(31)는 도 6의 시각 t1에 캐필러리(16)를 높이 C1로부터 최상단의 반도체 칩(56)의 패드(66)를 향하여 강하시켜 볼 본딩을 개시한다. 캐필러리(16)의 높이는 도 5에 나타내는 캐필러리 높이 검출기(29)에 의해 검출되어, 캐필러리 높이 검출 인터페이스(36)로부터 제어부(31)에 입력된다. 제어부(31)는 도 6의 시각 t2에 캐필러리(16)의 높이가 높이 C3까지 강하한 신호가 입력되면, 캐필러리(16)의 강하 속도를 늦추어, 캐필러리(16) 선단의 프리 에어 볼(80)이 패드(66)의 표면에 접지하는지 여부를 서치하면서 더욱 캐필러리(16)를 강하시켜 간다. 그리고, 제어부(31)는 도 6의 시각 t3에 캐필러리(16)가 높이 C4가 되고, 프리 에어 볼(80)이 패드(66)의 표면에 접지한 신호를 검출하면, 또한, 캐필러리(16)를 강하시켜 프리 에어 볼(80)을 패드(66)의 표면에 눌러 압착 볼(90)로 한다. 그것과 함께, 제어부(31)는 도 5에 나타내는 초음파 진동자(15)에 통전하여 초음파 진동을 발생시키고, 캐필러리(16)에 의해 소정의 시간만큼 압착 볼(90)을 초음파 가진하여 패드(66)의 표면에 금속 접합한다. 접지의 검출은 예를 들면 캐필러리 높이 검출기(29)에 의해 검출되는 신호가 소정의 단위시간 당 변화하지 않는 경우에는, 접지라고 판단해도 되고, 또 반도체 칩(56)과 와이어(12) 사이에 전압을 걸어 두고, 반도체 칩(56)과 와이어(12) 사이에 전류가 흐르는 것을 검출하도록 해도 된다.
제어부(31)는 도 6의 시간 t4에 볼 본딩이 종료하면, 도 6(c), 도 6(d)에 나타내는 바와 같이 세컨드 본딩을 개시한다. 제어부(31)는 캐필러리(16)를 높이 C2까지 상승시킨 후, 다음 단의 반도체 칩(55)의 패드(65)를 향하여 캐필러리(16)의 선단을 호형상으로 움직여 캐필러리(16)를 패드(65)의 직상까지 이동시킴과 아울러, 캐필러리(16)를 높이 C5까지 강하시킨다. 그리고, 제어부(31)는 도 6의 시각 t5에 캐필러리의 높이가 C5가 되면, 캐필러리(16)의 강하 속도를 늦추어, 캐필러리(16) 선단의 와이어(12)의 측면이 패드(65)의 표면에 접지하는지 여부를 서치하면서 더욱 캐필러리(16)를 강하시켜 간다. 그리고, 제어부(31)는 도 6의 시각 t6에 캐필러리(16)가 높이 C8이 되고, 와이어(12)의 측면이 패드(65)의 표면에 접지한 신호를 검출하면, 도 3에 나타내는 바와 같이, 캐필러리(16)의 선단면(16b)을 와이어(12)의 측면에 누른다. 제어부(31)는 도 5에 나타내는 캐필러리 높이 검출기(29)에 의해 캐필러리(16)의 가라앉음량, 즉 와이어(12)의 찌그러짐량을 검출하고, 와이어(12)의 직경(D)의 2/3정도 와이어(12)를 눌러 찌그러뜨리고, 접합부(75)의 두께(높이)(H1)가 와이어(12)의 직경(D)의 1/3정도가 될 때까지 와이어(12)를 압압한다. 그리고, 접합부(75)의 두께(높이)(H1)가 와이어(12)의 직경(D)의 1/3정도가 되면 압압을 정지한다. 또, 와이어(12)의 압압과 함께, 제어부(31)는 도 5에 나타내는 초음파 진동자(15)에 통전하여 초음파 진동을 발생시키고, 캐필러리(16)에 의해 소정의 시간만큼 접합부(75)를 초음파 가진하여 패드(65)의 표면과의 사이에 금속 접합부(75a)를 형성한다. 도 7에 나타내는 시각 t7에 접합부(75)가 형성되면, 패드(66)와 패드(65)가 루핑부(86)에 의해 접속된다. 루핑부(86)는 도 2, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 패드(66)의 측의 시단부(86a)와 패드(65)의 측의 종단부(86b)를 구비하고 있고, 종단(86b)은 접합부(75)에 연결되어 있다. 접합부(75)를 형성하면, 패드(65)로의 세컨드 본딩이 종료한다. 세컨드 본딩이 종료하면, 도 3에 나타내는 바와 같이, 캐필러리(16)의 구멍(16a)에 삽입통과된 와이어(12)는 패드(65)로부터 대략 수직 상방으로 뻗어 있다.
패드(65)로의 세컨드 본딩이 종료하면, 제어부(31)는 도 8에 나타내는 바와 같이, 캐필러리(16)의 선단을 이동시키는 루핑을 행한다. 제어부(31)는 패드(65)로부터 수직 상방으로 캐필러리(16)를 도 8의 점 a까지 상승시킨다(제1 상승 공정). 다음에 도 8에 나타내는 점 a로부터 점 b를 향하여, 즉 패드(65)로부터 다음에 본딩을 행하는 패드(64)의 방향을 향하여, 캐필러리(16)를 원호형상으로 비스듬히 하방향으로 이동시킨다(제1 경사 이동 공정). 다음에, 제어부(31)는 캐필러리(16)를 점 b로부터 점 c까지 수직으로 상승시킨다(제2 상승 공정). 캐필러리(16)를 점 c까지 이동시키면, 제어부(31)는 리버스 공정을 행한다. 리버스 공정은 점 c로부터 다음의 패드(64)와 반대측을 향하여 캐필러리(16)를 원호형상으로 비스듬히 하방향으로 점 d까지 이동시킨다. 점 d는 접합부(75)를 통과하는 패드(65)에 수직인 선(제1 상승 공정시의 캐필러리(16)의 궤적)에 대한 각도가 10~20°가 되는 점이다. 캐필러리(16)가 점 d까지 이동하면, 도 7(e)에 나타내는 바와 같이, 캐필러리(16)의 선단에는 구부러진 와이어(12)가 접합부(75)로부터 뻗은 상태로 되어 있다. 다음에, 제어부(31)는 앞선 리버스 공정에 있어서의 점 c로부터 점 d까지의 캐필러리(16)의 궤적을 따라 캐필러리(16)를 다음의 패드(64)를 향하여 비스듬히 상방향으로 이동시키고, 캐필러리(16)의 위치를 패드(65)의 직상의 점 e로 한다(제2 경사 이동 공정). 그리고, 제어부(31)는 점 e로부터 점 f까지 캐필러리(16)를 다시 수직으로 상승시킨다(제3 상승 공정). 그 후, 제어부(31)는 점 f로부터 패드(64)의 직상의 점 g까지 캐필러리(16)를 호형상으로 이동시킨다. 이와 같이, 패드(65)로부터, 제1 상승 공정, 제1 경사 이동 공정, 제2 상승 공정, 리버스 공정, 제2 경사 이동 공정, 제3 상승 공정과 같이 캐필러리(16)를 이동시킨 후, 캐필러리(16)를 패드(64) 직상의 점 g를 향하여 호형상으로 이동시킴으로써, 도 2, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같은 형상의 힐부(75b~71b)와 루핑부(85)의 시단부(85a)가 형성된다. 특히, 리버스 공정에 있어서, 접합부(75)를 통과하는 패드(65)에 수직인 선(제1 상승 공정시의 캐필러리(16)의 궤적)에 대한 각도가 10~20°가 되는 점 d까지 캐필러리(16)를 이동시킴으로써, 힐부(75b)의 두께(높이)(H2)와 비스듬히 상방 45~60°의 각도(θ1)가 형성된다.
그리고, 도 7에 나타내는 시간 t8에 캐필러리(16)가 높이 C9까지 강하해 오면, 앞서 패드(65)로의 접합부(75)의 형성과 마찬가지로, 캐필러리(16)의 강하 속도를 작게 하여, 캐필러리(16) 선단의 와이어(12)의 측면이 패드(64)에 접지했는지 여부를 검출하는 서치 동작을 행하고, 도 7의 시각 t9에 캐필러리(16)가 높이 C10이 되고, 와이어(12)의 측면이 패드(64)의 표면에 접지한 신호를 검출하면, 도 3에 나타내는 바와 같이, 캐필러리(16)의 선단면(16b)을 와이어(12)의 측면에 누르고, 캐필러리 높이 검출기(29)에 의해 캐필러리(16)의 가라앉음량을 제어하면서, 접합부(74)의 두께(높이)(H1)가 와이어(12)의 직경(D)의 1/3정도가 될 때까지 와이어(12)를 압압함과 아울러 초음파 진동자(15)에 통전하여 초음파 진동을 발생시키고, 캐필러리(16)에 의해 소정의 시간만큼 접합부(74)를 초음파 가진하여 패드(64)의 표면과의 사이에 금속 접합부(74a)를 형성한다. 도 7의 시각 t10에 접합부(74)가 형성되면, 패드(65)와 패드(64)가 시단부(85a)와 종단부(85b)를 가지는 루핑부(85)에 의해 접속된다. 접합부(74)를 형성하면, 패드(64)로의 세컨드 본딩이 종료한다.
도 7의 시각 t10에 패드(64)로의 세컨드 본딩이 종료하면, 제어부(31)는 앞서 설명한 패드(65)와 패드(64) 사이의 접속과 마찬가지로, 도 7(g), 도 7(h)에 나타내는 바와 같이, 패드(64)로부터 도 8에 나타내는 점 a로부터 f와 같은 궤적으로 캐필러리(16)를 이동시킨 후, 패드(63)를 향하여 캐필러리(16)를 루핑시키고, 도 7의 시각 t11에 캐필러리(16)가 높이 C11이 되면 캐필러리(16)의 강하 속도를 작게 하여 서치를 행하면서 와이어(12)의 측면이 패드(63)의 표면에 접할 때까지 캐필러리(16)를 강하시키고, 도 7의 시각 t12에 접지를 검출하면, 캐필러리 높이 검출기(29)에 의해 캐필러리(16)의 높이를 검출하면서 와이어(12)를 패드(63)에 압압함과 아울러 초음파 진동자(15)에 전압을 인가하고, 접합부(73)를 초음파 가진하여 도 3에 나타내는 금속 접합부(73a)를 형성한다.
이하, 마찬가지로 패드(63)와 패드(62), 패드(62)와 패드(61)를 1개의 공통의 와이어(12)에 의해 순차 접속해 간다. 그리고, 패드(61)로의 세컨드 본딩이 종료하면, 제어부(31)는 캐필러리(16)를 기판(10)의 전극(70)을 향하여 루핑하고, 기판(10)의 전극(70) 상에 통상의 세컨드 본딩을 행한 후, 캐필러리(16)를 상승시킨 후, 도 5에 나타내는 클램퍼(17)를 닫고 캐필러리(16)를 더욱 상승시켜, 와이어(12)를 절단하고, 1개의 와이어(12)의 본딩을 종료한다. 여기서, 기판(10)의 전극(70)으로의 통상의 세컨드 본딩은 와이어(12)로의 절단을 원활하게 행할 수 있도록, 와이어(12)의 찌그러짐량이 접합부(75~71)를 형성할 때의 와이어(12)의 찌그러짐량의 2배 이상이며, 압압 하중도 접합부(75~71)를 형성할 때의 압압 하중보다 매우 크게 되어 있다. 한편, 압압 하중이 크므로, 초음파 가진이 적어도 충분히 와이어(12)와 전극(70)을 금속 접합할 수 있는 점에서, 초음파 진동자(15)에 인가하는 전압은 접합부(75~71)를 형성할 때의 전압보다 작고, 예를 들면, 1/1.5정도로 되어 있다.
이상 설명한 본 실시형태에서는, 와이어(12)의 찌그러짐량이 본딩 후에 와이어(12)를 절단하여 와이어 테일을 형성하는 통상의 세컨드 본딩시의 찌그러짐량의 절반정도로 적고, 와이어(12)의 압압 하중도 적으므로, 와이어(12)의 측면을 반도체 칩(55~51)의 패드(65~61)의 표면에 직접 본딩해도 반도체 칩(55~51)에 주는 대미지가 작아진다. 또, 초음파 가진은 통상의 세컨드 본딩시의 1.5배정도의 전압을 초음파 진동자(15)에 인가함으로써 행하고, 압압 하중이 적어도 충분히 도 3에 나타내는 금속 접합부(75a~71a)를 형성할 수 있어, 와이어(12)와 패드(65~61)의 접합 강도를 확보하고 있다. 또한, 접합부(75~71)의 두께(높이)(H1)를 와이어(12)의 직경(D)의 1/3정도의 두께(높이)로 함으로써, 루핑부(86~82)의 종단부(86b~82b) 및 루핑부(85~81)의 시단부(85a~81a)가 접합부(75~71)와 원활하게 연결되어, 크랙 등이 발생하지 않고, 양호하게 와이어(12)의 측면을 패드(65~61)에 본딩함으로써 패드(65)~패드(61)를 1개의 와이어(12)에 의해 접속할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 캐필러리 높이 검출기(29)에 의해 캐필러리(16)의 높이를 검출하여 와이어(12)의 찌그러짐량을 제어하여 접합부(75~71)의 높이를 와이어(12)의 직경(D)의 1/3정도로 하는 것으로서 설명했지만, 와이어(12)의 직경(D)이나 재료별로 압압 하중과 와이어(12)의 찌그러짐량의 관계를 맵으로 해두고, 캐필러리(16)의 압압 하중을 검출함으로써 와이어(12)의 찌그러짐량을 제어하여 접합부(75~71)의 높이가 와이어(12)의 직경(D)의 1/3정도가 되도록 해도 된다. 이 경우도 통상의 세컨드 본딩보다 압압 하중을 저감할 수 있으므로, 반도체 칩(55~51)으로의 대미지를 억제할 수 있다.
이상 서술한 바와 같이, 본 실시형태의 와이어 본딩 방법은, 반도체 칩(55~51)에 주는 대미지를 저감하면서 적은 본딩 횟수로 공통의 와이어(12)의 접속을 행할 수 있으므로, 효율적으로 반도체 장치(100)를 제조할 수 있다. 또, 본 발명의 반도체 장치(100)는 1개의 와이어(12)로 반도체 칩(55~51)의 각 패드(65~61)를 순차 접속해 가므로, 각 패드(65~61)와 와이어(12) 사이의 금속 접합면이 하나가 되므로, 패드(65~61) 상에 범프를 형성하여 본딩하는 경우에 비해 각 패드(65~61)와 공통의 와이어(12) 사이의 도통 저항이 적어지는 점에서, 각 패드(65~61) 사이의 전기적인 접속 저항을 저감할 수 있고, 신뢰성이 높은 반도체 장치로 할 수 있다.
다음에, 도 9를 참조하면서 본 발명의 다른 실시형태에 대해서 설명한다. 앞서 도 1~도 8을 참조하여 설명한 실시형태와 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다. 앞서 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 실시형태에서는, 반도체 칩(56~51)의 각 패드(66~61)는 각 반도체 칩(56~51)의 표면으로부터 돌출된 형상으로서 설명했지만, 반도체 칩(56~51)에서는 패드(66~61)가 반도체 칩(56~51)의 표면으로부터 움푹 들어간 오목부로 되어 있는 것도 있다. 이러한 오목부형상의 패드(65~61)에 와이어(12)의 측면을 눌러 접합부(75~71)를 형성할 때는, 도 3에 나타내는 캐필러리(16)의 선단면(16b)이 반도체 칩(55~51)의 표면에 부딪치지 않도록 하는 것이 필요하다. 이 경우, 패드(65~61)의 오목부 깊이(D1)보다 접합부(75~71)의 두께(높이)(H1)가 높아지도록, 본딩시의 캐필러리(16)의 가라앉음량을 제어한다. 또, 오목부 깊이(D1)가 와이어(12)의 직경(D)의 1/3정도보다 깊은 경우에는, 접합부(75~71)의 두께(높이)(H1)가 1/3보다 두꺼워지므로, 접합부(75~71)의 금속 접합부(75a~71a)의 접합 강도를 확보하기 위해서, 초음파 진동자(15)에 입력하는 전압을 보다 크게 하도록 해도 된다. 상기한 점 이외는 본 실시형태는 도 1~도 8을 참조하여 설명한 반도체 장치(100)와 동일하며, 그 제조 공정도 동일하다.
본 실시형태의 효과는 앞서 설명한 실시형태에 더해, 각 패드(65~61)가 각 반도체 칩(55~51)의 표면보다 움푹 들어가 있는 경우에도, 와이어(12)와 각 패드(65~61)의 접합 강도를 확보할 수 있으므로, 반도체 칩(55~51)의 표면으로부터 움푹 들어가 있는 패드(65~61)에 대해서도 일단 범프를 형성하거나 하지 않고, 와이어(12)의 측면을 직접 패드(65~61)의 표면에 본딩할 수 있으므로, 반도체 칩(55~51)의 표면보다 패드(65~61)가 움푹 들어가 있는 경우에도, 단시간에 본딩을 행할 수 있다는 효과를 나타낸다.
본 발명은 이상 설명한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 청구의 범위에 의해 규정되어 있는 본 발명의 기술적 범위 내지 본질로부터 일탈하지 않는 모든 변경 및 수정을 포함하는 것이다.
10…기판
12…와이어
13…본딩 암
13b…초음파 혼
14…본딩 스테이지
15…초음파 진동자
16…캐필러리
16a…구멍
16b…선단면
17…클램퍼
18…이동 기구
19…본딩 헤드
20…XY 테이블
27…클램퍼 개폐 기구
28…회전 중심
29…캐필러리 높이 검출기
30…컴퓨터
31…제어부
32…기억부
33…제어 프로그램
34…제어 데이터
35…클램퍼 개폐 기구 인터페이스
36…캐필러리 높이 검출 인터페이스
37…초음파 진동자 인터페이스
38…이동 기구 인터페이스
39…데이터 버스
51~56…반도체 칩
61~66…패드
70…전극
71~75…접합부
71a~75a…금속 접합부
71b~75b…힐부
71c~75c…점
80…프리 에어 볼
81~86…루핑부
81a~86a…시단부
86b~82b…종단부
90…압착 볼
100…반도체 장치
101…와이어 본딩 장치

Claims (16)

  1. 반도체 장치로서,
    그 측면이 전극에 접합되어 있는 접합부와, 상기 접합부로부터 다른 전극 상까지 루핑되어 있는 루핑부가 교대로 형성되어, 3개 이상의 전극을 순차 접속하는 공통의 와이어를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극은 반도체 칩의 패드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 장치는 상기 반도체 칩을 적층한 적층체이며,
    상기 공통의 와이어는 인접층의 반도체 칩의 전극간을 순차 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 접합부는 상기 공통의 와이어의 직경의 1/4~1/2의 두께로 눌러 찌그러진 편평형상이며,
    상기 루핑부는 상기 접합부로부터 비스듬히 상방향으로 접혀 구부러져 뻗는 힐부를 가지고, 상기 힐부의 두께는 상기 공통의 와이어의 직경의 1/2~4/5의 두께인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 접합부는 상기 공통의 와이어의 직경의 1/4~1/2의 두께로 눌러 찌그러진 편평형상이며,
    상기 루핑부는 상기 접합부로부터 비스듬히 상방향으로 접혀 구부러져 뻗는 힐부를 가지고, 상기 힐부의 두께는 상기 공통의 와이어의 직경의 1/2~4/5의 두께인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 접합부는 상기 공통의 와이어의 직경의 1/4~1/2의 두께로 눌러 찌그러진 편평형상이며,
    상기 루핑부는 상기 접합부로부터 비스듬히 상방향으로 접혀 구부러져 뻗는 힐부를 가지고, 상기 힐부의 두께는 상기 공통의 와이어의 직경의 1/2~4/5의 두께인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어가 있고,
    상기 접합부의 두께는 상기 전극의 오목부 깊이보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어가 있고,
    상기 접합부의 두께는 상기 전극의 오목부 깊이보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어가 있고,
    상기 접합부의 두께는 상기 전극의 오목부 깊이보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 3개 이상의 반도체 칩 또는 기판의 전극을 공통의 와이어에 의해 순차 접속하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    캐필러리에 의해 상기 와이어의 측면을 1개의 전극에 눌러, 상기 와이어의 측면을 상기 1개의 전극에 접합하는 접합 공정과, 상기 접합 공정 후, 캐필러리에 의해 상기 와이어를 다른 전극 상까지 루핑하는 루핑 공정을 교대로 반복하여 3개 이상의 상기 전극을 공통의 와이어에 의해 순차 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 접합 공정은 상기 캐필러리에 의해 상기 공통의 와이어를 그 직경의 1/4~1/2의 두께로 눌러 찌그러뜨려 편평형상으로 함과 아울러 초음파 가진을 행하여 상기 공통의 와이어를 상기 각 전극에 접합하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 루핑 공정은,
    상기 접합 공정 후, 상기 1개의 전극으로부터 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제1 상승 공정과,
    상기 제1 상승 공정 후, 다른 전극 쪽을 향하여 비스듬히 하방향으로 상기 캐필러리를 이동시키는 제1 경사 이동 공정과,
    상기 제1 경사 이동 공정 후, 다시 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제2 상승 공정과,
    상기 제2 상승 공정 후, 다른 전극과 반대측을 향하여 비스듬히 하방향으로 상기 캐필러리를 이동시키는 리버스 공정과,
    상기 리버스 공정 후, 상기 1개의 전극 직상까지 비스듬히 상방향으로 상기 캐필러리를 이동시키는 제2 경사 이동 공정과,
    상기 제2 경사 이동 공정 후, 다시 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제3 상승 공정과,
    상기 제3 상승 공정 후, 상기 다른 전극의 직상을 향하여 호형상으로 캐필러리를 이동시키는 호형상 이동 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 루핑 공정은,
    상기 접합 공정 후, 상기 1개의 전극으로부터 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제1 상승 공정과,
    상기 제1 상승 공정 후, 다른 전극 쪽을 향하여 비스듬히 하방향으로 상기 캐필러리를 이동시키는 제1 경사 이동 공정과,
    상기 제1 경사 이동 공정 후, 다시 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제2 상승 공정과,
    상기 제2 상승 공정 후, 다른 전극과 반대측을 향하여 비스듬히 하방향으로 상기 캐필러리를 이동시키는 리버스 공정과,
    상기 리버스 공정 후, 상기 1개의 전극 직상까지 비스듬히 상방향으로 상기 캐필러리를 이동시키는 제2 경사 이동 공정과,
    상기 제2 경사 이동 공정 후, 다시 상기 캐필러리를 수직으로 상승시키는 제3 상승 공정과,
    상기 제3 상승 공정 후, 상기 다른 전극의 직상을 향하여 호형상으로 캐필러리를 이동시키는 호형상 이동 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 리버스 공정은 상기 접합부를 통과하는 상기 전극에 수직인 선에 대한 각도가 10~20°가 되는 점까지 캐필러리를 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 리버스 공정은 상기 접합부를 통과하는 상기 전극에 수직인 선에 대한 각도가 10~20°가 되는 점까지 캐필러리를 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 전극 중 적어도 1개는 반도체 칩의 표면으로부터 움푹 들어간 패드이며,
    상기 접합 공정은,
    상기 캐필러리에 의해 상기 공통의 와이어를 상기 패드의 오목부 깊이보다 두꺼운 두께로 눌러 찌그러뜨려 편평형상으로 함과 아울러 초음파 가진을 행하여 상기 공통의 와이어를 상기 패드에 접합하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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