KR20150036269A - 전기 컴포넌트 및 전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법 - Google Patents

전기 컴포넌트 및 전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법 Download PDF

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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은, 패시지 개구(3)를 갖는 폐쇄된 리드 프레임(2); 패시지 개구(3) 내에 배치된 적어도 하나의 전기 엘리먼트(5) ― 여기서, 전기 엘리먼트(5)는 전기 엘리먼트(5)의 제 1 측면(11) 상에 제 1 접속 표면(6) 및 제 1 측면(11)에 대면하는 전기 엘리먼트(5)의 제 2 측면(12) 상에 제 2 접속 표면(7)을 갖고, 제 2 접속 표면(7)은 제 2 리드 프레임(2)에 전기적으로 커플링됨 ―; 및 전기 엘리먼트(5)를 리드 프레임(2)에 기계적으로 커플링하는 인캡슐레이션(9)을 갖는 전기 컴포넌트에 관한 것이다.

Description

전기 컴포넌트 및 전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법{ELECTRICAL COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRICAL COMPONENTS}
본 발명은 전기 컴포넌트 및 전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 제10 2012 211 220.0호를 우선권으로 주장하며, 그 개시 내용은 인용에 의해 본원에 포함된다.
발광 다이오드들(LED)과 같은 컴포넌트들은, 리드 프레임(lead frame)들로 또한 지칭되는 컴포넌트 캐리어들 상에 어셈블링될 수 있고, 마무리된(finished) 전기 컴포넌트를 획득하기 위해 화합물에 의해 캡슐화될 수 있다. 이 컴포넌트의 충분히 높은 기계적 안정성을 보장하기 위해, 세라믹 기판들 또는 사전-형상화된 하우징 컴포넌트들과 같은 기계적 지지 구조물들이 이용된다. 그러나, 세라믹 기판들은 고가이며, 사전-형상화된 하우징 컴포넌트들은 추가적인 프로세스 단계들을 요구한다.
따라서, 본 발명의 목적은 기계적 지지 구조물들 없이 저렴하고 생산하기 쉬운 컴포넌트를 제공하는 것이다.
본 발명은, 패시지 개구(passage opening)를 갖는 폐쇄된 리드 프레임; 패시지 개구 내에 배치되는 적어도 하나의 전기 컴포넌트(전기 컴포넌트는, 전기 컴포넌트의 제 1 측면 상에 제 1 접촉 패드, 및 제 1 측면에 대면하는 전기 컴포넌트의 제 2 측면 상에 제 2 접촉 패드를 포함함); 리드 프레임에 전기적으로 접속되는 제 2 접촉 패드; 그리고 리드 프레임에 전기 컴포넌트를 기계적으로 커플링하는 인캡슐레이션(encapsulation)을 포함하는 전기 컴포넌트를 제공함으로써 이러한 목적을 해결한다.
전기 컴포넌트는 폐쇄된 리드 프레임의 패시지 개구 내에 배치된다. 리드 프레임이 폐쇄되기 때문에, 즉, 인터럽션 없이 전기 컴포넌트를 둘러싸기 때문에, 이 리드 프레임은 높은 기계적 안정성을 가지며, 이에 따라 어떠한 추가적인 기계적 지지 구조물들도 요구하지 않는다.
유리하게, 리드 프레임은, 인캡슐레이션이 리드 프레임에 고정되는(anchored) 방식으로 구성된 적어도 하나의 고정 구조물(anchoring structure)을 포함한다.
고정 구조물은 리드 프레임과 인캡슐레이션의 접속을 보강한다(reinforce). 따라서, 인캡슐레이션은 전기 컴포넌트의 기계적 안정성에 기여할 수 있다.
유리한 방식으로, 리드 프레임은 일 측면 상에 리세스(recess)를 포함하며, 이 리세스는 리드 프레임의 엣지로부터 패시지 개구로 연장한다.
리드 프레임의 엣지로부터 패시지 개구로 연장하는 리세스에 의해, 전기 컴포넌트에는 접속 라인들이 제공될 수 있다.
유리하게, 이 컴포넌트는 광전기(opto-electrical) 컴포넌트, 특히 발광 컴포넌트, 특히 발광 다이오드이다.
유리하게, 인캡슐레이션은 광전기 컴포넌트에 대한 렌즈를 제공한다.
인캡슐레이션은, 광전기 컴포넌트로부터 방출된 또는 광전기 컴포넌트에 의해 수신된 방사선에 대해 침투가능하며, 추가적으로 그 컴포넌트 상으로 균등한 방사선 또는 방사선의 포커싱이 달성되도록 렌즈로서 구성된다.
게다가, 본 발명은 전기 컴포넌트를 생산하기 위한 방법을 제공하며, 이 방법은: 캐리어 시트(carrier sheet)를 제공하는 단계; 폐쇄된 리드-프레임을 캐리어 시트 상에 증착하는 단계 ― 이 리드-프레임은 패시지 개구를 포함함 ―; 패시지 개구 내에 적어도 하나의 컴포넌트를 위치시키는 단계 ― 컴포넌트의 제 1 접촉 패드가 캐리어 시트와 접촉되도록 놓임 ―; 전기 컴포넌트 상에 그리고 리드-프레임 상에 인캡슐레이션을 증착하는 단계; 및 캐리어 시트를 제거하는 단계를 포함한다.
컴포넌트가 배치된 패시지 개구 내의 폐쇄된 리드 프레임은, 추가적인 기계적인 지지 구조물들이 요구되지 않도록, 높은 안정성을 갖는다. 캐리어 시트를 제거함으로써, 전기 컴포넌트는 더 작은 높이를 갖는다. 컴포넌트의 제 1 접촉 패드는, 리드 프레임에 의해 야기되는 어떠한 추가적인 내열성도 컴포넌트의 하부에서 발생하지 않도록, 컴포넌트의 납땜 이음부(soldering joint)로서 기능할 수 있다.
유리한 방식으로, 컴포넌트의 제 2 접촉 패드는, 특히 배선 본딩에 의해 리드 프레임에 전기적으로 커플링된다.
제 2 접촉 패드가 리드 프레임에 전기적으로 접속되기 때문에, 리드 프레임은 컴포넌트에 대한 납땜 이음부로서 기능할 수 있다.
게다가, 본 발명은 전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법을 제공하며, 이 방법은: 캐리어 시트를 제공하는 단계; 캐리어 시트 상에 리드-프레임 어레인지먼트를 증착하는 단계 ― 이 리드-프레임 어레인지먼트는 복수의 패시지 개구들을 포함함 ―; 개별적인 패시지 개구 내에 적어도 하나의 개별적인 컴포넌트를 위치시키는 단계 ― 컴포넌트들의 개별적인 제 1 접촉 패드는 캐리어 시트와 접촉하도록 놓임 ―; 컴포넌트들의 개별적인 제 2 접촉 패드를 리드-프레임 어레인지먼트와 전기적으로 커플링하는 단계; 리드-프레임 어레인지먼트에 개별적인 컴포넌트들을 기계적으로 커플링하기 위해 리드-프레임 어레인지먼트 상에 그리고 전기 컴포넌트들 상에 인캡슐레이션들을 증착하는 단계; 캐리어 시트를 제거하는 단계; 컴포넌트들을 단일화하는(singularising) 단계를 포함한다.
이하에서, 본 발명은, 첨부 도면들에 나타낸 실시예적 예시들과 함께 더욱 상세하게 설명될 것이다.
도 1은, 캐리어 시트의 일 실시예를 나타낸다.
도 2는, 리드 프레임을 포함하는 캐리어 시트의 실시예적 예시를 도시한다.
도 3은, 리드 프레임 및 컴포넌트를 포함하는 캐리어 시트의 실시예적 예시를 나타낸다.
도 4는, 리드 프레임, 컴포넌트 및 인캡슐레이션을 포함하는 캐리어 시트의 실시예적 예시를 나타낸다.
도 5는, 컴포넌트의 실시예적 예시를 도시한다.
도 6은, 리드-프레임 어레인지먼트의 실시예적 예시를 나타낸다.
이하 상세한 설명에서, 예시의 목적을 위해 본 발명이 실행될 수 있는 특정 실시예들이 나타나고 그리고 그들의 일부인 첨부 도면들에 대한 참조가 행해진다. 이와 관련하여, "최상부(top)", "저부(bottom)", "전면(front"), "후면(back)" 등과 같은 지향성 용어가 설명된 도면들의 배향에 관련하여 이용된다. 실시예들의 컴포넌트들이 다수의 상이한 배향들로 포지셔닝될 수 있기 때문에, 상기 지향성 용어는 오직 예시의 목적으로 기능하며 결코 제한적이지 않다. 물론, 다른 실시예들이 이용될 수 있으며, 구조적일 뿐만 아니라 논리적인 변형들도 본 발명의 보호 범위를 초과하지 않고 행해질 수 있다. 물론, 본원에 설명된 상이한 예시적인 실시예들의 특징들이 그렇지 않은 것으로 특정되지 않는 한 조합될 수 있다. 따라서, 이하 상세한 설명은 결코 제한적인 것으로 고려되지 않으며, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 청구항들에서 정의된다.
본 상세한 설명의 프레임워크 내에서, "접속된(connected)", "접촉된(contacted)" 및 "커플링된(coupled)"과 같은 용어들은 직접뿐만 아니라 간접 접속, 직접 또는 간접 접촉 뿐만 아니라 직접 또는 간접 커플링을 설명하기 위해 이용된다.
도면들에서, 동일한 또는 유사한 엘리먼트들에는 어디에서건 적합한 경우 동일한 참조 수치들이 제공된다. 명료함을 목적으로, 도면들의 모든 엘리먼트에 특정 참조 수치들이 제공되는 것은 아닐 수 있다. 이는, 다른 엘리먼트들과 동일한 엘리먼트들에 대해 특히 사실이다. 따라서, 상세한 설명 및 참조 수치들은 그래픽적으로 동일한 방식으로 설명된 모든 엘리먼트들에 대해 적용할 수 있다.
도 1은, 캐리어 시트(1)의 실시예적 예시를 나타낸다. 라인들 "A-A"을 따른 평면도 및 단면도가 이 도면에 나타난다. 캐리어 시트(1)는, 예를 들어, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌(ETFE) 또는 폴리에틸렌(PE)으로 이루어질 수 있다. 이는, 도 2와 비교하여, 예를 들어, 리드 프레임(2)이 글루잉된(glued) 접착 필름(adhesive film)일 수 있다. 캐리어 시트(1)는 20 내지 100㎛, 특히 50㎛의 두께를 가질 수 있다. 캐리어 시트(1)는, 컴포넌트(15)의 모든 추가적인 엘리먼트들이 그 상부에 직접적으로 또는 간접적으로 배치되기 때문에, 컴포넌트(15)의 구성에 대한 기초로서 기능할 수 있다.
도 2는, 도 1에 따른 문맥에서 설명된 바와 같이, 리드 프레임(2)을 갖는 캐리어 시트(1)의 실시예적 예시를 나타낸다. 다시, 라인들 "A-A"에 따른 평면도 및 단면도가 도시된다. 리드 프레임(2)은 일반적으로 금속으로 이루어지고 구리로 이루어질 수 있다. 구리 재료는, 예를 들어, 은(AG), 니켈-금(Ni-Au), 니켈-은(Ni-Ag), 또는 니켈-팔라듐-금(Ni-Pd-Au)에 의해 코팅될 수 있다. 리드 프레임(2)은 20 내지 500㎛, 특히 150㎛의 두께를 가질 수 있다.
리드 프레임(2)은 리드 프레임(2)의 중심에 배치될 수 있는 패시지 개구(3)를 포함한다. 용어 "패시지 개구(passage opening)"는, 일 측면으로부터, 제 1 측면에 대면하는 다른 측면으로 리드 프레임(2)을 횡단하는(traversing) 어퍼쳐(aperture)를 설명한다. 패시지 개구(3)는, 도 3을 참조하면, 그 내부에 컴포넌트(5)를 배치시키기 위해 충분히 커야만 한다. 패시지 개구(3)는 직사각형 형상으로 나타나지만, 다른 형상들을 가질 수도 있다. 예를 들어, 이는, 정사각형 또는 사다리꼴 형상을 가질 수 있으며, 또한, 마름모 또는 다각형, 타원형 또는 원형일 수 있다. 더욱이, 2개보다 많은 패시지 개구들(3)이 제공될 수 있다. 평면도에서, 리드 프레임(2)은, 패시지 개구(3)를 좌측으로부터, 우측으로부터, 최상부로부터, 그리고 저부로부터 둘러싼다. 따라서, 리드 프레임(2)은, 패시지 개구(3) 주변에 폐쇄 링(closed ring)을 형성하여, 리드 프레임(2) 그리고 결과적으로는 컴포넌트(15)의 기계적 안정성을 보강한다. 패시지 개구(3)는, 예를 들어, 리드 프레임(2)으로부터 스탬핑되거나 또는 에칭될 수 있다.
리드 프레임(2)은, 리드 프레임(2)의 엣지(13)로부터 패시지 개구(3)로 연장하는 리세스(4)를 가질 수 있다. 리세스(4)는 리드 프레임(2)의 엣지(13)로부터 패시지 개구(3) 내에 배치된 컴포넌트(5)로 적어도 하나의 전기 접속 엘리먼트를 접속시키기 위해 기능한다. 리세스는, 충분히 깊어야만(예를 들어, 리드 프레임(2) 두께의 절반) 하며, 전기 접속 엘리먼트들이 리드 프레임(2)과 전기 접촉하도록 놓이지 않는 것을 보장하기 위해 충분히 넓어야만 한다. 우측 엣지(13)로부터 유래하는 것 대신에, 리세스(4)는 또한 평면도에서 나타낸 리드 프레임(2)의 좌측, 저부, 또는 최상부 엣지로부터 유래할 수 있다. 복수의 리세스들(4)은, 예를 들어, 컴포넌트(5)의 복수의 접촉 패드들을 접촉하기 위해 또는 패시지 개구(3) 내에서 복수의 컴포넌트들(5)을 접촉하기 위해 제공될 수 있다. 리세스(4)는 에칭될 수 있다. 컴포넌트(5)의 제 1 접촉 패드(6)가 비아에 의해 접속될 수 있다면, 리세스(4)는 요구되지 않는다. 리세스(4)는 인캡슐레이션으로 충진될 수 있다. 이러한 방식으로, 플레이트에 컴포넌트들을 납땜할 때 단락 회로가 회피될 수 있다.
리드 프레임(2)은 고정 구조(anchoring structure)(10)를 가질 수 있다. 고정 구조(10)는, 예를 들어, 도 4를 참조하면, 리드 프레임(2)에 인캡슐레이션(9)을 고정(anchoring)하도록 기능한다. 이는, 리드 프레임(2)에 대하여 최상부 또는 저부로의 인캡슐레이션(9)의 움직임이 방지되어, 2개의 대향 측들, 예를 들어, 도 2의 단면도에서 리드 프레임(2)의 최상부 측 및 저부 측과 인캡슐레이션(9)이 접촉하도록 구성될 수 있다. 도 2의 평면도에서, 패시지 개구(3)를 통한 인캡슐레이션(9)의 좌측 또는 우측 또는, 개별적으로 최상부 또는 저부로의 움직임이 방지된다. 도 2의 평면도에서, 고정 구조(10)는 오직 패시지 개구(3)의 좌측 엣지에 나타난다. 또한, 이 고정 구조(10)는, 패시지 개구(3)의 우측 엣지, 최상부 엣지, 또는 저부 엣지 또는 엣지들의 조합에 배치될 수 있다. 리드 프레임(2)은, 예를 들어, 리드 프레임(2) 내에 추가적인 패시지 개구들(3)로 이루어진 추가적인 고정 구조들(10)을 더 포함할 수 있다. 어떠한 컴포넌트들(5)도 추가적인 패시지 개구들(3)로 허용되지 않아야 하기 때문에, 이들은 여기 나타낸 패시지 개구(3)보다 더 작을 수 있다.
도 3은, 도 1 및 도 2와 관련하여 설명된 것과 같은 리드 프레임(2), 및 컴포넌트(5)를 갖는 캐리어 시트(1)의 실시예적 예시를 나타낸다. 이 도면은 라인들 "A-A"을 따른 평면도 및 단면도를 나타낸다. 컴포넌트(5)는 임의의 바람직한 전기 컴포넌트일 수 있다. 이는, 예를 들어, 적외선 범위(IR) 또는 사람들에게 가시적인 범위를 위한 광전기 컴포넌트, 특히 발광 컴포넌트일 수 있다. 또한, 이는, 예를 들어, 적외선 또는 가시 범위에서의 전자기 방사선에 대한 검출기일 수 있다. 컴포넌트(5)는 정전 방전(ESD)에 대하여 보호하는 회로와 같은 추가적인 컴포넌트들을 포함할 수 있다.
컴포넌트(5)는 제 1 측면(11) 및 제 2 측면(12)을 포함한다. 제 1 측면(11)과 제 2 측면(12)은 서로 대면할 수 있다. 제 1 측면(11) 상에, 제 1 측면(11)을 완전하게 커버하는 제 1 접촉 패드(6)가 배치된다. 제 1 접촉 패드(6)는 또한 제 1 측면(11)의 오직 일부만을 커버할 수도 있다. 대안적으로, 1개 초과의 접촉 패드(6)가 제 1 측면(11) 상에 배치될 수 있다. 제 2 측면(12) 상에서, 제 2 측면(12)의 오직 일부만을 커버하는 제 2 접촉 패드(7)가 배치된다. 제 2 접촉 패드(7)가 컴포넌트(5)의 전체 영역을 커버하지 않기 때문에, 컴포넌트(5)는 더 큰 영역에 걸쳐 전자기 방사선을 수신 또는 방출할 수 있다. 제 2 측면(12) 상에, 제 2 접촉 패드(7)는, 예를 들어, 이 제 2 접촉 패드(7)가 전자기 방사선에 대해 투과성이라면, 심지어는 전체 영역에 걸쳐 요망되는 대로 배치될 수 있다. 제 1 접촉 패드(6) 및 제 2 접촉 패드(7)는 컴포넌트(5)를 전기적으로 접속하도록 기능한다. 제 1 접촉 패드(6)는 컴포넌트(15)의 납땜 이음부로서 직접적으로 기능할 수 있다. 제 2 접촉 패드(7)는 결합 배선(8)을 통해 리드 프레임(2)에 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 리드 프레임(2)은 컴포넌트(15)의 추가적인 납땜 이음부를 형성할 수 있다.
컴포넌트(5)는 패시지 개구(3)로 삽입된다. 제 1 접촉 패드(6)는 캐리어 시트(1)와 접촉할 수 있다. 캐리어 시트(1)가 접착 필름이면, 컴포넌트(5)는 글루잉(gluing)에 의해 그 상부에 고정된다. 리드 프레임(2) 및 제 1 접촉 패드(6) 둘 다가 캐리어 시트(1) 상에 놓이기 때문에, 그들의 표면들 ― 단면도에서 저부에 있음 ― 은 일 평면에 있다. 제 1 접촉 패드(6) 및 리드 프레임(2)이 컴포넌트(15)의 접촉 엘리먼트들(contacting elements)을 형성할 수 있기 때문에, 컴포넌트(15)는 간단한 방식으로 납땜될 수 있다.
도 4는, 인캡슐레이션(9)과 함께, 도 1, 도 2, 및 도 3과 함께 설명된 것과 같은 캐리어 시트(1), 리드 프레임(2), 및 컴포넌트(5)의 실시예적 예시들을 나타낸다. 이 도면은, 라인들 "A-A"을 따른 평면도 및 단면도를 나타낸다. 인캡슐레이션(9)은 폴리머들, 에폭시 재료 또는 실리콘으로 이루어질 수 있고, 이는 화합물일 수도 있다. 컴포넌트(5)가 광전기 컴포넌트이면, 컴포넌트(5)가 구성되는 인캡슐레이션(9)은 전자기 방사선에 대해 투과성인 것이 유리하다. 가시광의 경우, 인캡슐레이션(9)은 투명할(lucid) 수 있고, 적외선 검출기들의 경우, 이는 블랙(black)일 수 있다.
인캡슐레이션(9)은, 컴포넌트(5)에 의해 방출된 전자기 방사선이 균등하게 또는 다발적인(bundled) 방식으로 방사될 수 있도록, 렌즈로서 구성될 수 있다. 컴포넌트(5)가 전자기 방사선을 수용하기로 되어 있다면, 인캡슐레이션(9)은 전자기 방사선이 컴포넌트(5)로 포커싱되도록 형상화될 수 있다.
인캡슐레이션(9)은, 주형(mould) 재료일 수 있으며, 리드 프레임(2)에 견고하게 접속되도록, 패시지 개구(3)로 그리고 고정 구조(10)로 흐를 수 있다. 인캡슐레이션(9)은 컴포넌트(5) 및 결합 배선(8)을 커버할 수 있고, 그리고 이들을 손상으로부터 보호할 수 있다. 인캡슐레이션(9)은 리드 프레임(2)의 엣지들(13)로 연장하거나 또는 연장하지 않을 수도 있다.
도 5는, 컴포넌트(15)의 실시예적 예시를 라인들 "A-A"을 따른 평면도 및 단면도로 나타낸다. 컴포넌트(15)는 도 4와 함께 설명된 바와 같이 구성되는 반면에, 도 4와 비교하여 캐리어 시트(1)는 제거되어 있다. 캐리어 시트(1)가 접착 필름이거나 또는 글루(glue)에 의해 고정되었다면, 캐리어 시트(1)는 리드 프레임(2)으로부터 박리될(stripped) 수 있다. 컴포넌트(5) 및 리드 프레임(2)은 인캡슐레이션(9)에 의해 함께 홀딩된다. 리드 프레임(2)이 폐쇄되기 때문에, 즉, 인터럽션들 없이 링-형상으로 컴포넌트(5)를 둘러싸기 때문에, 이는 충분히 높은 기계적 안정성을 갖는다. 추가적인 기계적 지지 구조들은 요구되지 않는다.
단면도에 나타낸 바와 같이, 제 1 접촉 패드(6) 및 리드 프레임(2)은 저부를 향해서 드러나 있고 그리고 컴포넌트(15)를 접속하기 위해 전기적으로 접촉될 수 있다. 제 1 접촉 패드(6)로 이끄는 전선(electrical line)들은, 전기적으로 도전성인 리드 프레임(2)을 통해 단락 회로들이 발생하지 않으면서, 리세스(4)를 통해 안내될 수 있다.
컴포넌트(5)에 의해 발생된 열은, 제 1 접촉 패드(6)를 통해서 대응하는 납땜 이음부로 직접 방출될 수 있다. 컴포넌트(5)가 통상 배치되는 리드 프레임의 내열성(heat resistance)은 생략된다. 컴포넌트(5)가 리드 프레임 상부에 배치되지 않고 리드 프레임(2)의 패시지 개구(3) 내에 배치되기 때문에, 전기 컴포넌트(15)는 더 낮은 높이를 갖는다.
도 6은, 리드-프레임 어레인지먼트(14)의 실시예적 예시를 평면도로 나타낸다. 컴포넌트(15)를 생산하기 위해 도 1 내지 도 5에서 설명된 단계들이, 리드-프레임 어레인지먼트(14)에 의해 복수의 컴포넌트들(15)에 대해 효율적으로 수행될 수 있다. 하나의 단일 리드 프레임(2) 대신에, 리드-프레임 어레인지먼트(14)가 캐리어 시트(1) 상에 배치된다. 리드-프레임 어레인지먼트(14)는, 제 1 방향 X 및 제 2 방향 Y에서 매트릭스-형상으로 배치된 대응하는 복수의 패시지 개구들(3)을 갖는 복수의 접속된 리드 프레임들(2)의 형상을 갖는다. 각각의 단일 패시지 개구(3)에 대해 도 1 내지 도 5와 함께 설명된 단계들이 수행된다. 이 단계들은 부분적으로는 복수의 패시지 개구들(3)에 대해 병렬적으로 수행될 수 있다. 캐리어 시트(1)는 제거될 수 있고, 리드-프레임 어레인지먼트(14)는 제 1 방향 X 및 제 2 방향 Y을 따라서 분할(parting) 라인들(16)을 따라 분리될 수 있어서, 예를 들어, 스탬핑(stamping) 또는 쏘잉(sawing) 절차들에 의해, 개별적인 컴포넌트들(15)이 획득될 수 있다.
1 캐리어 시트
2 리드 프레임
3 패시지 개구
4 리세스
5 컴포넌트
6 제 1 접촉 패드
7 제 2 접촉 패드
8 결합 배선
9 인캡슐레이션
10 고정 구조
11 컴포넌트의 제 1 측면
12 컴포넌트의 제 2 측면
13 리드-프레임 엣지
14 리드-프레임 어레인지먼트
15 컴포넌트
16 분할 라인
X 제 1 방향
Y 제 2 방향

Claims (8)

  1. 전기 컴포넌트로서,
    - 패시지 개구(3)를 갖는 폐쇄된 리드 프레임(2);
    - 상기 패시지 개구(3) 내에 배치된 적어도 하나의 전기 컴포넌트(5) ― 상기 전기 컴포넌트(5)는 전자 컴포넌트(5)의 하나의 측면(11) 상에 제 1 접촉 패드(6) 및 상기 전기 컴포넌트(5)의 제 2 측면(12) 상에 제 2 접촉 패드(7)를 포함하고, 상기 제 2 측면(12)은 상기 제 1 측면(11)에 대면함 ―;
    - 상기 리드 프레임(2)에 전기적으로 커플링되는 상기 제 2 접촉 패드(7); 및
    - 상기 리드 프레임(2)에 상기 전기 컴포넌트(5)를 기계적으로 커플링하는 인캡슐레이션(9)을 포함하는,
    전기 컴포넌트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임(2)은, 상기 인캡슐레이션(9)이 상기 리드 프레임(2)에 고정되는 방식으로 구성된 적어도 하나의 고정 구조(10)를 포함하는,
    전기 컴포넌트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 리드 프레임(2)은, 일 측면 상에 리세스(4)를 포함하고,
    상기 리세스(4)는 상기 리드 프레임(2)의 엣지(13)로부터 상기 패시지 개구(3)로 연장하는,
    전기 컴포넌트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항에 있어서,
    상기 컴포넌트(5)는, 광전기 컴포넌트, 특히, 발광 컴포넌트, 특히 발광 다이오드인,
    전기 컴포넌트.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 인캡슐레이션(9)은, 상기 광전기 컴포넌트(5)에 대한 렌즈를 형성하는,
    전기 컴포넌트.
  6. 전기 컴포넌트를 생산하기 위한 방법으로서,
    - 캐리어 시트(1)를 제공하는 단계;
    - 상기 캐리어 시트(1) 상에 폐쇄된 리드 프레임(2)을 증착하는 단계 ― 상기 리드 프레임(2)은 패시지 개구(3)를 포함함 ―;
    - 상기 리드 프레임(2)의 상기 패시지 개구(3)에 적어도 하나의 컴포넌트(5)를 위치시키는 단계 ― 상기 컴포넌트(5)의 제 1 접촉 패드(6)는 상기 캐리어 시트(1)와 접촉하도록 놓임 ―;
    - 상기 전기 컴포넌트(5) 상에 그리고 상기 리드 프레임(2) 상에 인캡슐레이션(9)을 증착하는 단계; 및
    - 상기 캐리어 시트(1)를 제거하는 단계를 포함하는,
    전기 컴포넌트를 생산하기 위한 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 컴포넌트(5)의 제 2 접촉 패드(7)는, 특히, 배선 접합(wire bonding)에 의해 상기 리드 프레임(2)에 전기적으로 커플링되는,
    전기 컴포넌트를 생산하기 위한 방법.
  8. 전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법으로서,
    - 캐리어 시트(1)를 제공하는 단계;
    - 상기 캐리어 시트(1) 상에 리드-프레임 어레인지먼트(14)를 증착하는 단계 ― 상기 리드-프레임 어레인지먼트(14)는 복수의 패시지 개구들(3)을 포함함 ―;
    - 개별적인 패시지 개구(3) 내에 적어도 하나의 개별적인 컴포넌트(5)를 위치시키는 단계 ― 상기 컴포넌트들(5)의 개별적인 제 1 접촉 패드(6)는 상기 캐리어 시트와 접촉하도록 놓임 ―;
    - 상기 컴포넌트들(5)의 개별적인 제 2 접촉 패드(7)와 상기 리드-프레임 어레인지먼트(14)를 전기적으로 커플링하는 단계;
    - 상기 개별적인 컴포넌트들(5)을 상기 리드-프레임 어레인지먼트(14)에 기계적으로 커플링하기 위해 상기 전기 컴포넌트들(5) 상에 그리고 상기 리드-프레임 어레인지먼트(14) 상에 인캡슐레이션들(9)을 증착하는 단계;
    - 상기 캐리어 시트(1)를 제거하는 단계; 및
    - 상기 컴포넌트들(5)을 단일화하는(singularising) 단계를 포함하는,
    전기 컴포넌트들을 생산하기 위한 방법.

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017157683A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびその製造方法
US11681090B2 (en) 2019-05-30 2023-06-20 Nichia Corporation Light emitting module and method of manufacturing same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100820122B1 (ko) * 2005-12-14 2008-04-07 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
KR100888236B1 (ko) * 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
US20110121339A1 (en) * 2009-11-25 2011-05-26 Taiwan Solutions Systems Corp. Light-emitting diode module and manufacturing method thereof
DE102010025319A1 (de) * 2010-06-28 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4840568A (en) * 1987-03-31 1989-06-20 Adc Telecommunications, Inc. Jack assembly
US6326678B1 (en) * 1993-09-03 2001-12-04 Asat, Limited Molded plastic package with heat sink and enhanced electrical performance
US5834831A (en) * 1994-08-16 1998-11-10 Fujitsu Limited Semiconductor device with improved heat dissipation efficiency
US6358773B1 (en) * 2000-12-27 2002-03-19 Vincent Lin Method of making substrate for use in forming image sensor package
DE10334575B4 (de) * 2003-07-28 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil und Nutzen sowie Verfahren zur Herstellung derselben
TWI245429B (en) * 2003-12-23 2005-12-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Photosensitive semiconductor device, method for fabricating the same and lead frame thereof
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010023815A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements
CN102468375B (zh) * 2010-11-15 2015-06-17 光宝电子(广州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN102243298B (zh) * 2011-04-25 2013-01-23 中国民航大学 一种基于dem的机载气象雷达地杂波剔除方法
CN102856464B (zh) * 2011-06-29 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及封装方法
US8497165B2 (en) * 2011-10-20 2013-07-30 Intersil Americas Inc. Systems and methods for lead frame locking design features
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100820122B1 (ko) * 2005-12-14 2008-04-07 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
KR100888236B1 (ko) * 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
US20110121339A1 (en) * 2009-11-25 2011-05-26 Taiwan Solutions Systems Corp. Light-emitting diode module and manufacturing method thereof
DE102010025319A1 (de) * 2010-06-28 2011-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements

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