DE102010025319A1 - Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements - Google Patents

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements (100) angegeben, mit zumindest den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist; – Aufbringen zumindest eines Einlegeteils (4) und zumindest eines optoelektronischen Bauteils (3) auf eine Montagefläche (11) des Hilfsträgers (1); – Umhüllen des optoelektronischen Bauteils (3) und des Einlegeteils (4) mit einem gemeinsamen Formkörper (5), wobei – der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt, – das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen, und – das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden werden; – Entfernen des Hilfsträgers (1); – Erzeugen von einzelnen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen (100) mittels Durchtrennen des Formkörpers (5).

Description

  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements sowie ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements anzugeben, das zeitsparend und darüber hinaus kostengünstig ist. Ferner besteht eine zu lösende Aufgabe darin, ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement anzugeben, welches besonders platzsparend und kompakt im Aufbau ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem ersten Schritt ein Hilfsträger bereitgestellt, der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist. Der Hilfsträger kann aus einem Kunststoff bestehen oder ein Kunststoffmaterial enthalten. Zum Beispiel ist der Hilfsträger eine Folie, welche beispielsweise vollständig mit einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Silikon oder einem Polyimid, gebildet ist. Der Hilfsträger kann auch in Form einer selbsttragenden Scheibe oder Platte ausgebildet sein.
  • In einem weiteren Schritt werden zumindest ein Einlegeteil und zumindest ein optoelektronisches Bauteil auf eine Montagefläche des Hilfsträgers aufgebracht. ”Aufbringen” bedeutet in diesem Zusammenhang, dass das Einlegeteil und/oder das optoelektronische Bauteil in direktem Kontakt mit der Montagefläche des Hilfsträgers gebracht werden.
  • Ebenso ist denkbar, dass beispielsweise zwischen dem optoelektronischen Bauteil und/oder dem Einlegeteil und dem Hilfsträger ein oder mehrere Zwischenschichten oder weitere Bauteile angeordnet werden. Das Einlegeteil und/oder das optoelektronische Bauteil stehen in diesem Fall nach dem Aufbringen mit dem Hilfsträger lediglich in mittelbarem Kontakt. Beispielsweise ist auf die Montagefläche des Hilfsträgers ein Klebstoff aufgebracht, der ein Haftvermittler zwischen dem optoelektronischen Bauteil und dem Einlegeteil einerseits und dem Hilfsträger andererseits sein kann. Beispielsweise ist der Klebstoff dazu stellenweise oder vollflächig auf die Montagefläche des Hilfsträgers aufgebracht. Zum Beispiel ist der Klebstoff mit einem Silikon, einem Acryl oder einem UV-aktiven Kleber gebildet.
  • Bei dem optoelektronischen Bauteil kann es sich um einen strahlungsempfangenden oder um einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip handeln. Beispielsweise handelt es sich bei dem Halbleiterchip um einen Lumineszenzdiodenchip, wie etwa einem Leuchtdiodenchip oder einem Laserdiodenchip. Weiter ist es möglich, dass es sich bei dem optoelektronischen Bauteil um einen Fotodiodenchip handelt. Ferner kann das optoelektronische Bauteil einen strahlungsempfangenden und einen strahlungserzeugenden Halbleiterchip umfassen. Weiter ist es möglich, dass das optoelektronische Bauelement Lumineszenzdiodenchips umfasst, die geeignet sind, elektromagnetische Strahlung von untereinander verschiedenen Wellenlängen zu erzeugen.
  • ”Einlegeteil” bedeutet in diesem Zusammenhang ein strukturell separates Bauteil, welches beispielsweise unabhängig von dem optoelektronischen Bauteil auf die Montagefläche aufgebracht werden kann. Beispielsweise kann es sich bei dem Einlegeteil um zusätzliche (opto)-elektronische Bauteile oder um einen Träger handeln. Denkbar ist auch, dass das Einlegeteil eine Wärmsenke für das elektronische Bauteil ist oder aufweist. Nach dem Aufbringen sind das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil über die Montagefläche des Hilfsträgers miteinander verbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden in einem weiteren Schritt das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil mit einem gemeinsamen Formkörper umhüllt, wobei der Formkörper das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt. Das heißt, das Material des Formkörpers – die Formmasse – steht zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit dem optoelektronischen Bauteil und dem Einlegeteil. Beispielsweise ist der Formkörper strahlungsdurchlässig. ”Strahlungsdurchlässig” bedeutet in diesem Zusammenhang, dass der Formkörper dann wenigstens zu 80 bevorzugt zu mehr als 90 für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist. Beispielsweise geschieht das Umhüllen des optoelektronischen Bauteils und des Einlegeteils mit dem gemeinsamen Formkörper mittels Umgießen oder Umspritzen. Das heißt, der Formkörper ist beispielsweise mittels eines Guss- oder Pressverfahrens hergestellt. Der Formkörper stellt dabei zugleich einen Verguss des optoelektronischen Bauteils und ein Gehäuse für das spätere Halbleiterbauelement dar. Zum Beispiel können neben dem optoelektronischen Bauteil und dem Einlegeteil noch weitere Bauteile mit dem gemeinsamen Formkörper umhüllt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform stehen das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil nicht in direktem Kontakt miteinander, wobei das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden werden. Das heißt, dass sich das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil an keiner Stelle miteinander berühren. Das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil stehen lediglich durch den Formkörper in mittelbarem Kontakt miteinander. Vorzugsweise sind dann das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil voneinander durch den Formkörper elektrisch voneinander isoliert. Die durch den Formkörper vermittelte Verbindung ist gegen äußere mechanische Belastungen, wie sie bei sachgemäßen Gebrauch des Halbleiterbauelements auftreten können stabil, sodass die Position des optoelektronischen Bauteils und des Einlegeteils zueinander aufgrund der stabilisierenden Wirkung des Formkörpers im Wesentlichen gleich bleibt. ”Im Wesentlichen” heißt in diesem Zusammenhang, dass die Position des optoelektronischen Bauteils und des Einlegeteils zueinander bis auf eventuell auftretende thermische Effekte, wie einer thermischen Verformung oder Ausdehnung des Formkörpers, gleich bleibt.
  • In einem nächsten Schritt wird der Hilfsträger entfernt. Beispielsweise geschieht das Entfernen mittels mechanischem Ablösens. Beispielsweise geschieht das Ablösen des Hilfsträgers mittels Abziehens des Hilfsträgers von dem Formkörper, dem optoelektronischen Bauteil und dem Reflektor. Dazu kann ein Verbund bestehend aus dem Hilfsträger, dem Formkörper, dem optoelektronischen Bauteil und dem Reflektor auf eine Bearbeitungsoberfläche platziert werden, entlang derer der Verbund bewegt wird. Während der Bewegung des Verbunds kann der Hilfsträger, beispielsweise durch einen in die Bearbeitungsoberfläche eingebrachten Spalt oder Schlitz hindurch, abgezogen und dann aufgerollt werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in einem weiteren Schritt zur Erzeugung von einzelnen Halbleiterbauelementen durch den Formkörper durchtrennt. Das Durchtrennen kann vor oder nach dem Entfernen des Hilfsträgers erfolgen. Es ist nicht zwingend erforderlich, dass Halbleiterbauelemente mit nur einem einzigen elektronischen Bauteil und/oder Einlegeteil erzeugt werden. Es ist zum Beispiel auch möglich, dass mehrere elektronische Bauteile in einem einzelnen Halbleiterbauelement zusammengefasst sind. Beispielsweise wird beim Durchtrennen ausschließlich durch den Formkörper durchtrennt. Das heißt, zur Vereinzelung des Bauelements wird dann nicht durch weitere elektronische Bauteile und/oder Einlegeteile oder sonstige Bauteile vereinzelt. In diesem Fall sind Seitenflächen, welche das Halbleiterbauelement in lateraler Richtung seitlich begrenzen, vollständig durch den Formkörper gebildet. Die Seitenflächen können Spuren des Vereinzelungsprozesses, wie zum Beispiel Sägerillen, aufweisen. ”Laterale Richtung” bedeutet in diesem Zusammenhang eine Richtung parallel zur Haupterstreckungsrichtung des Hilfsträgers.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements wird zunächst ein Hilfsträger bereitgestellt, der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist. In einem weiteren Schritt werden zumindest ein Einlegeteil und zumindest ein elektronisches Bauteil auf eine Montagefläche des Hilfsträgers aufgebracht. In einem weiteren Schritt werden das elektronische Bauteil und das Einlegeteil mit einem gemeinsamen Formkörper umhüllt, wobei der Formkörper das elektronische Bauteil und das Einlegeteil zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt. Das elektronische Bauteil und das Einlegeteil stehen nicht in direktem Kontakt miteinander, wobei das elektronische Bauteil und das Einlegeteil durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden werden. In einem weiteren Schritt wird der Hilfsträger entfernt. Ferner wird in einem weiteren Schritt zur Erzeugung von einzelnen Halbleiterbauelementen durch den Formkörper durchtrennt.
  • Das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements beruht dabei unter anderem auf der Erkenntnis, dass eine Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements mit einem hohen Fertigungsaufwand verbunden sein kann. Um oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente zu fertigen, welche beispielsweise gegen äußere mechanische Einwirkungen stabil sind, kann als ein stabilisierendes Element des Halbleiterbauelements ein Träger bereitgestellt werden, auf dem dann weitere Komponenten des Halbleiterbauelements aufgebracht sind. Allerdings führt dies den Nachteil mit sich, dass beispielsweise die Bereitstellung und Vorfertigung eines solchen mechanisch stabilen Trägers oft mit hohem Aufwand verbunden ist. Dies kann zu einem Fertigungsverfahren führen, welches zu hohen Kosten und zu einem hohen Zeitaufwand in der Fertigung des Halbleiterbauelements führt.
  • Um nun ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements anzubieten, welches kostengünstig und zeitsparend ist, macht das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements unter anderem von der Idee Gebrauch, zunächst einen Hilfsträger bereitzustellen, der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist und vor oder nach dem Durchtrennen leicht entfernt werden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Hilfsträger eine Dicke von 50 μm bis 200 μm auf. ”Dicke” bedeutet hierbei eine maximale Ausdehnung des Hilfsträgers in vertikaler Richtung, wobei die vertikale Richtung eine Richtung senkrecht zur lateralen Richtung ist. Ein derartiger Dickenbereich für den Hilfsträger erweist sich als ganz besonders vorteilhaft, da der Hilfsträger nach dem Umhüllen des Formkörpers besonders einfach wieder entfernt werden kann.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Einlegeteil ein Reflektor, der vorgesehen ist, von dem optoelektronischen Bauteil im Betrieb erzeugte, auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren, wobei der Reflektor das optoelektronische Bauteil in lateraler Richtung zumindest stellenweise umrandet. Von dem optoelektronischen Bauteil emittierte elektromagnetische Strahlung kann dann auf den Reflektor treffen und von dem Reflektor in Richtung weg von dem optoelektronischen Bauteil reflektiert werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist oder weist das Einlegeteil eine Anschlussstelle für das optoelektronische Bauteil auf. Das Einlegeteil kann zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Bauteils innerhalb des späteren Halbleiterbauelements dienen. Die Anschlussstelle befindet sich bevorzugt zumindest teilweise im Formkörper. Bevorzugt ist dann die Anschlussstelle beziehungsweise das Einlegeteil von außen zugänglich, elektrisch kontaktierbar und schließt mit einer Außenfläche des Formkörpers bündig ab.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Umhüllen zwischen dem Hilfsträger und dem optoelektronischen Bauteil auf der Montagefläche des Hilfsträgers ein Trägerelement angeordnet, das eine weitere elektrische Anschlussstelle für das optoelektronische Bauteil ist oder aufweist. Bei dem Trägerelement kann es sich um einen metallischen Trägerstreifen (auch Leadframe) handeln. Zum Beispiel ist der Trägerstreifen dann mit zumindest einem streifenförmigen Metallstreifen gebildet, der als die weitere elektrische Anschlussstelle dient.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden das elektronische Bauteil, das Einlegeteil und das Trägerelement mit dem gemeinsamen Formkörper umhüllt, wobei der Formkörper das elektronische Bauteil, das Einlegeteil und das Trägerelement zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt. Das Trägerelement befindet sich bevorzugt zumindest teilweise im Formkörper. Bevorzugt ist das Trägerelement von außen zugänglich und elektrisch kontaktierbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens stehen das Einlegeteil und das Trägerelement nicht in direktem Kontakt miteinander, wobei das Einlegeteil und das Trägerelement durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Trägerelement eine maximale Dicke von 250 μm auf. Zum Beispiel ist das Trägerelement mittels eines Ätzprozesses vorstrukturiert. Das Trägerelement kann dann in vertikaler Richtung ”gedünnte” Stellen aufweisen. Vorteilhaft können mittels des Verfahrens beliebig vorstrukturierte Trägerelemente mit dem gemeinsamen Formkörper umhüllt werden. Insofern ist der Herstellungsprozess besonders variabel, da der Formkörper statt des Trägerelements die mechanische Stabilität des späteren Halbleiterbauelements gewährleistet. Dadurch kann eine Einschränkung in der Auswahl des Trägerelements beispielsweise im Hinblick auf die Dicke des Trägerelements vermieden werden, da an das Trägerelement in Bezug auf beispielsweise selbsttragende und/oder mechanische Eigenschaften geringere Anforderungen gestellt werden können.
  • Es wird darüber hinaus ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement angegeben. Beispielsweise kann das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement mittels des Verfahrens hergestellt werden, wie es in Verbindung mit einem oder mehreren der oben genannten Ausführungsformen beschrieben ist. Das heißt, die für das hier beschriebene Verfahren aufgeführten Merkmale sind auch für das hier beschriebene oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement zumindest ein optoelektronisches Bauteil mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche. Die Strahlungsdurchtrittsfläche kann dabei die Fläche sein, durch welche das optoelektronische Bauteil elektromagnetische Strahlung emittiert und/oder empfängt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement zumindest einen Reflektor, der vorgesehen ist, von dem optoelektronischen Bauteil im Betrieb erzeugte auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements umfasst dieses einen strahlungsdurchlässigen Formkörper, der mit dem optoelektronischen Bauteil und dem Reflektor zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement eine Auflagefläche, die zumindest stellenweise durch eine Oberfläche des Formkörpers gebildet ist. Die Auflagefläche des Halbleiterbauelements bezeichnet dabei jene Fläche des Halbleiterbauelements, die einem Träger – beispielsweise einer Leiterplatte –, auf die das Halbleiterbauelement montiert ist, zugewandt ist. Die Auflagefläche kann dabei eine tragende Fläche sein, mit der das Halbleiterbauelement auf dem Träger aufliegt. Dazu kann die Auflagefläche zumindest stellenweise mit dem Träger in mechanischem Kontakt stehen. Weiter ist es möglich, dass sich die Auflagefläche mit einem Anschlussmaterial – beispielsweise einem Lot –, über das das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement elektrisch kontaktiert ist, in Kontakt befindet. Das heißt, das Anschlussmaterial benetzt dann Teile der Auflagefläche und damit Teile des Formkörpers.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements stehen das optoelektronische Bauteil und der Reflektor nicht in direktem Kontakt miteinander und sind durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements umrandet der Reflektor das optoelektronische Bauteil zumindest stellenweise in lateraler Richtung. ”Laterale Richtung” bedeutet in diesem Zusammenhang eine Richtung parallel zur Haupterstreckungsrichtung des Halbleiterbauelements. Zum Beispiel umrandet der Reflektor das optoelektronische Bauteil in lateraler Richtung vollständig. Denkbar ist, dass der Reflektor in einer Draufsicht kreisförmig, oval, ellipsoid oder rechteckig ist. Ferner kann der Reflektor aus einem oder mehreren voneinander getrennten Teilen bestehen. Zum Beispiel ist dann der Reflektor eine Anschlussstelle für das optoelektronische Bauteil. Vorzugsweise ist der Reflektor an der Auflagefläche des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements von außen zugänglich. Das heißt, dass die Auflagefläche zumindest stellenweise durch den Reflektor gebildet sein kann, sodass das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement über die Auflagefläche elektrisch kontaktierbar ist.
  • Dem hier beschriebenen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelement liegt unter anderen die Erkenntnis zugrunde, dass oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente zum Beispiel durch die Ausgestaltung eines Trägers, beispielsweise eines Leadframes, wenig kompakt und platzsparend sind. Um eine mechanische Stabilität des Halbleiterbauelements zu gewährleisten, soll oftmals ein derartiger Träger beispielsweise eine bestimmte mechanische Stabilität und/oder Dicke aufweisen. Auf einem solchen Träger aufgebrachte Bauteile sind dann über den Träger mechanisch stabil miteinander verbunden. Dies kann jedoch zu einem Halbleiterbauelement führen, welches aufgrund der speziellen Anforderungen an einen solchen Träger in seiner Gestaltungsfreiheit eingeschränkt ist. Ferner kann ein solcher Träger zu einem Halbleiterbauelement führen, welches nur wenig kompakt und wenig platzsparend ist. Zudem kann ein derartiges Halbleiterbauelement beispielsweise in einem späteren Montageprozess nur schwer zu handhaben sein.
  • Um nun ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement anzugeben, welches kompakt und platzsparend ist, macht das hier beschriebene oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement unter anderem von der Idee Gebrauch, ein optoelektronisches Bauteil und einen Reflektor mit einem Formkörper zumindest stellenweise in direktem Kontakt zu bringen. Der Formkörper verbindet dann das optoelektronische Bauteil und den Reflektor mechanisch miteinander. Mit anderen Worten übernimmt ein derartiger Formkörper die mechanische Stabilisierung des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements. Vorteilhaft kann so auf einen oftmals dicken Träger verzichtet werden, wodurch das Bauteil besonders kompakt ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement zumindest ein Einlegeteil.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst dieses einen reflektierenden Formkörper, der mit dem optoelektronischen Bauteil an Seitenflächen und dem Einlegeteil zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist. ”Reflektierend” heißt in diesem Zusammenhang, dass der Formkörper für auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung zumindest zu 80%, bevorzugt zu mehr als 90%, reflektierend ist. Beispielsweise verlaufen die Seitenflächen des optoelektronischen Bauteils in einer vertikalen Richtung, also senkrecht, zur lateralen Richtung des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements. Mit anderen Worten begrenzen also die Seitenflächen des optoelektronischen Bauteils das optoelektronische Bauteil seitlich. ”Zumindest stellenweise” kann dabei bedeuten, dass der reflektierende Formkörper die Seitenflächen des optoelektronischen Bauteils nur bis zu einer gewissen Höhe formschlüssig umhüllt und mit den Seitenflächen in direktem Kontakt ist. Dadurch ist es möglich, dass das optoelektronische Bauteil selbst an seinen Seitenflächen durch den reflektierenden Formkörper teilweise oder vollständig verdeckt ist. Es sind also die Seitenflächen des optoelektronischen Bauteils vollständig oder bis zu einer vorgebbaren Höhe von dem reflektierenden Formkörper bedeckt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements stehen das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil nicht in direktem Kontakt miteinander und sind durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Bauteils frei von dem Formkörper. ”Frei” heißt, dass die Strahlungsdurchtrittsfläche weder von dem reflektierenden Formkörper bedeckt ist noch der reflektierende Formkörper beispielsweise entlang eines Strahlungsaustrittswegs des optoelektronischen Bauteils dem optoelektronischen Bauteil nachgeordnet ist. Die Strahlung kann daher ungehindert aus dem optoelektronischen Bauteil austreten oder durch die Strahlungsdurchtrittsfläche hindurch in das optoelektronische Bauteil eintreten und von diesem zum Beispiel detektiert werden. Es ist höchstens möglich, dass herstellungsbedingt sich noch Materialreste des reflektierenden Formkörpers auf der Strahlungsdurchtrittsfläche befinden, die die Strahlungsdurchtrittsfläche jedoch höchstens zu 10%, bevorzugt zu höchstens 5%, bedecken.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform besteht der Formkörper aus einem Epoxid oder enthält zumindest ein Epoxid, wobei in das Epoxid Licht reflektierende Partikel eingebracht sind. Epoxide haben den Vorteil, zu einem besonders mechanisch festen und stabilen Formkörper auszuhärten. Mit anderen Worten weist ein mit einem Epoxid gebildeter Formkörper eine verbesserte mechanische Stabilität auf. Der mit dem Epoxid gebildete reflektierende Formkörper kann dann überwiegend die mechanische Stabilisierung des Halbleiterbauelements gewährleisten.
  • Bei den Licht reflektierenden Partikeln kann es sich um Partikel handeln, die elektromagnetische Strahlung reflektieren können. Ferner wird durch die reflektierenden Partikel möglichst viel der elektromagnetischen Strahlung reflektiert, sodass eine Strahlungsschädigung des reflektierenden Formkörpers vermieden wird. Mit anderen Worten können die reflektierenden Partikel im reflektierenden Formkörper den Nachteil einer im Vergleich zu beispielsweise einem Silikon geringeren Strahlungsstabilität, beispielsweise im Hinblick auf UV-Strahlung, des Epoxids kompensieren. Beispielsweise handelt es sich bei den Licht reflektierenden Partikeln um Partikel, die aus zumindest einem der Materialien TiO2, BaSO4, ZnO oder Al2O3 bestehen oder eines der genannten Materialien enthalten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Formkörper mit einem Silikon oder einem Epoxid gebildet, in das strahlungsabsorbierende Partikel eingebracht. Beispielsweise handelt es sich bei den strahlungsabsorbierenden Partikeln um Rußpartikel. Für einen externen Betrachter kann dann der Formkörper schwarz oder farbig erscheinen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform besteht der Formkörper aus einem Silikon oder enthält zumindest ein Silikon. In das Silikon können strahlungsreflektierende Partikel der oben beschriebenen Art eingebracht sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens enthält der Formkörper Licht streuende Partikel. Bei den Licht streuenden Partikeln kann es sich um Diffusorpartikel handeln, die geeignet sind, beispielsweise vom elektronischen Bauteil zu emittierende oder zu empfangende Strahlung zu streuen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens enthält der Formkörper Licht absorbierende Partikel. Zum Beispiel sind solche Licht absorbierenden Partikel geeignet, elektromagnetische Strahlung eines bestimmten Wellenlängenbereichs zu absorbieren. Beispielsweise können solche Partikel im Halbleiterbauelement als Filter eingesetzt werden. Handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauteil beispielsweise um einen Detektor, ist auf diese Weise ein Detektor realisiert, der in einem bestimmten Wellenlängenbereich eine besonders große Empfindlichkeit aufweist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform enthält der Formkörper zumindest ein Lumineszenzkonversionsmaterial. Das Lumineszenzkonversionsmaterial ist bevorzugt geeignet, zumindest einen Teil einer von dem optoelektronischen Bauteil im Betrieb emittierte und/oder vom optoelektronischen Bauteil zu empfangende elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung zu emittieren, die aus einem zweiten Wellenlängenbereich stammt und vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der Formkörper das optoelektronische Bauteil seitlich nicht. Denkbar ist, dass der reflektierende Formkörper in vertikaler Richtung bündig mit der Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Bauteils abschließt. Der reflektierende Formkörper umhüllt dann die Seitenflächen des optoelektronischen Bauteils zum Beispiel vollständig, wodurch der von dem reflektierenden Formkörper zum Beispiel in das optoelektronische Bauteil zurückreflektierte Strahlungsanteil möglichst groß ist. Zum Beispiel kann die von dem optoelektronischen Bauteil erzeugte elektromagnetische Strahlung, bis auf eventuelle Absorptionseffekte des reflektierenden Formkörpers, nur an den in dafür vorgesehenen Stellen, das heißt ausschließlich durch die Strahlungsdurchtrittsfläche hindurch, das Halbleiterbauelement verlassen. Daher trägt der reflektierende Formkörper zu einer besonders effektiven Erhöhung der Strahlungsauskoppeleffizienz des Halbleiterbauelements bei.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zumindest stellenweise auf die Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Bauteils und freiliegende Stellen des Formkörpers ein weiterer strahlungsdurchlässiger Formkörper aufgebracht. Zum Beispiel besteht der weitere strahlungsdurchlässige Formkörper aus einem Silikon, einem Epoxid oder einer Mischung aus Silikon und Epoxid oder enthält zumindest eines der genannten Materialien.
  • Ebenso kann der weitere strahlungsdurchlässige Formkörper Licht streuende oder reflektierende Partikel, Licht absorbierende Partikel und/oder zumindest ein Lumineszenzkonversionsmaterial aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Strahlungsauskoppelfläche des weiteren Formkörpers zumindest stellenweise linsenförmig ausgeformt. Die Strahlungsauskoppelfläche kann durch eine dem optoelektronischen Bauteil abgewandte Außenfläche des weiteren Formkörpers zumindest stellenweise gebildet sein. Vorteilhaft erhöht eine derartige linsenförmige Ausformung der Strahlungsauskoppelfläche die Strahlungsauskoppeleffizienz des Halbleiterbauelements.
  • Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements sowie das hier beschriebene oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
  • Die 1A bis 1G, 2A und 2B zeigen in schematischen Ansichten einzelne Fertigungsschritte zur Herstellung zweier Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements.
  • Die 3A bis 3B zeigen in schematischen Seitenansichten zwei Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements.
  • In den Ausführungsbeispielen und den Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • In der 1A ist anhand einer schematischen Seitenansicht zunächst dargestellt, wie auf eine Montagefläche 11 eines Hilfsträgers 1 ein Trägerelement 2 aufgebracht ist. Der Hilfsträger 1 ist mit einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel Silikon, einem Polyimid, einem Acryl, oder einem strahlungsaktiven Film, gebildet. Mit anderen Worten handelt es sich bei dem Hilfsträger 1 um eine Kunststofffolie. Das Trägerelement 2 weist eine maximale Dicke D von 250 μm auf. Beispielsweise ist das Trägerelement 2 mit Kupfer gebildet. Auf eine Montagefläche 22 des Trägerelements 2 ist ein optoelektronisches Bauteil 3 aufgebracht, welches eine Strahlungsdurchtrittsfläche 32 aufweist. Die Strahlungsdurchtrittsfläche 32 ist eine dem Hilfsträger 1 abgewandte Außenfläche des optoelektronischen Bauteils 3. Zum Beispiel handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauteil 3 um einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip. Ebenso ist denkbar, dass es sich bei dem elektronischen Bauteil 3 um ein strahlungsempfangendes Bauteil, beispielsweise einen Fotodetektor, handelt. Der Hilfsträger 1, das Trägerelement 2 und das optoelektronische Bauteil 3 bilden zusammen einen Verbund 100A.
  • Die 1B zeigt in einer schematischen Draufsicht den Verbund 100A. Erkennbar ist, dass der Hilfsträger 1 und das Trägerelement 2 in einer vertikalen Richtung V nicht vollständig deckgleich miteinander sind. Das heißt, dass die Montagefläche 11 zumindest stellenweise frei von dem Trägerelement 2 ist.
  • In der 1C ist in einer schematischen Schnittdarstellung dargestellt, wie ein Einlegeteil 4, im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein Reflektor 41, auf die Montagefläche 11 des Hilfsträgers 1 aufgebracht ist. Der Reflektor 41 und das Trägerelement 2 stehen nicht in direktem Kontakt miteinander und berühren sich damit nicht. Ferner umrandet der Reflektor 41 das optoelektronische Bauteil 3 in lateraler Richtung L vollständig. Mittels einer Bonddrahtkontaktierung 31 ist das optoelektronische Bauteil 3 mit dem Reflektor 41 elektrisch kontaktiert (verdeckt dargestellt). Ferner ist in der 1C dargestellt, wie das optoelektronische Bauteil 3, der Reflektor 41 sowie das Trägerelement 2 mit einem gemeinsamen strahlungsdurchlässigen Formkörper 5 umhüllt sind. Der Formkörper 5 bedeckt alle freiliegenden Stellen des optoelektronischen Bauteils 3, des Reflektors 41 und des Trägerelements 2 formschlüssig und vollständig. Der Formkörper 5 verbindet das optoelektronische Bauteil 3, den Reflektor 41 sowie das Trägerelement 2 mechanisch miteinander. Mit anderen Worten ist in der 1C ein Verbund 100E bestehend aus dem Verbund 100A und dem Formkörper 5 gezeigt. In einem anschließenden Schritt kann dann der Hilfsträger 1 von dem Formkörper 5 und dem Trägerelement 2 entfernt werden. Schließlich können oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente 100 durch Durchtrennen des Formkörpers 5 entlang der Trennungslinien S erzeugt werden.
  • Umfasst der Verbund 100A beispielsweise mehrere optoelektronische Bauteile 3, so ist denkbar, dass jedes optoelektronische Bauteil 3 von einem ihm eindeutig zugeordneten Reflektor 41 zum Beispiel vollständig umrandet wird. Die optoelektronischen Bauteile 3 und der Reflektor 41 können dann in lateraler Richtung L jeweils paarweise nebeneinander angeordnet sein. Zum Beispiel wird dann in vertikaler Richtung V zwischen jedem Reflektor 41 durch den Formkörper 5 und/oder dem Trägerelement 2 durchtrennt.
  • Inder 1D ist eine schematische Draufsicht des in der 1C dargestellten Verbunds 100E gezeigt, wobei aus Vereinfachungsgründen auf die Darstellung des Formkörpers 5 verzichtet ist. Erkennbar ist, dass der Reflektor 41 das optoelektronische Bauteil 3 vollständig in lateraler Richtung L umrandet. Der Reflektor 41 ist vorliegend kreisförmig ausgebildet und weist einen Bonddrahtanschlussbereich 42 auf. Mit anderen Worten ist der Reflektor 41 eine Anschlussstelle A1 für das optoelektronische Bauteil 3.
  • Die 1E bis 1G zeigen entlang der in der 1D dargestellten Schnittlinien A-A, B-B, C-C schematische seitliche Schnittdarstellungen des Verbunds 100B.
  • In der 1E ist in einer seitlichen Ansicht entlang der Schnittlinie B-B wiederum erkennbar, dass der Reflektor 41 in direktem Kontakt mit der Montagefläche 11 des Hilfsträgers 1 steht.
  • Ferner ist in der 1F in einer seitlichen Ansicht entlang der Schnittlinie A-A dargestellt, dass in Bereichen des Verbunds 100B, in denen in vertikaler Richtung V der Reflektor 41 mit dem Trägerelement 2 überlappt, der Reflektor 41 von dem Trägerelement 2 beabstandet angeordnet ist. Das heißt, der Reflektor 41 und das optoelektronische Bauteil 3 berühren sich an keinem Punkt miteinander und sind daher elektrisch voneinander isoliert angeordnet. Das Trägerelement 2 kann dann einen weiteren elektrischen Anschluss A2 für das elektronische Bauteil 3 bilden.
  • In der 1G ist in einer seitlichen Ansicht entlang der Schnittlinie C-C gezeigt, wie die Bonddrahtkontaktierung 31 an den Bonddrahtanschlussbereich 42 des Reflektors 41 angebracht ist.
  • Die 2A und 2B zeigen in schematischen Ansichten Fertigungsschritte eines weiteren Ausführungsbeispiels des hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements 100.
  • Erkennbar ist, dass das optoelektronische Bauteil 3 an Seitenflächen 33 teilweise von dem Formkörper 5 formschlüssig umhüllt ist, wobei vorliegend der Formkörper 5 reflektierend ist. Der Formkörper 5 ist mit einem Epoxid oder einem Silikon gebildet, in das Licht reflektierende Partikel eingebracht sind. Beispielsweise handelt es sich bei den Licht reflektierenden Partikeln um Partikel, die aus zumindest einem der Materialien TiO2, BaSO4, ZnO oder Al2O3 bestehen oder eines der genannten Materialien enthalten.
  • Weiter ist die Strahlungsdurchtrittsfläche 32 frei von dem reflektierenden Formkörper 5. Ferner ist auf die Montagefläche 11 des Hilfsträgers 1 ein Einlegeteil 4 aufgebracht, welches den ersten elektrischen Anschluss A1 für das optoelektronische Bauteil 3 bildet. Mittels der Bonddrahtkontaktierung 31 ist das optoelektronische Bauteil 3 mit dem Einlegeteil 4 elektrisch kontaktiert. Zum Beispiel ist das Einlegeteil 4 mit einem Kupfer gebildet oder mit Kupfer beschichtet. Ferner ist auf einer dem Hilfsträger 1 abgewandten Außenfläche des optoelektronischen Bauteils 3 zwischen dem optoelektronischen Bauteil 3 und dem Hilfsträger 1 eine elektrische Kontaktschicht 34 aufgebracht, welche den weiteren elektrischen Anschluss A2 für das optoelektronische Bauteil 3 bildet. Das Einlegeteil 4 ist vollständig und formschlüssig an freiliegenden Stellen von dem reflektierenden Formkörper 5 bedeckt. Auf die Strahlungsdurchtrittsfläche 32 des optoelektronischen Bauteils 3 und freiliegende Stellen des reflektierenden Formkörpers 5 ist ein weiterer strahlungsdurchlässiger Formkörper 6 aufgebracht, wobei eine Strahlungsauskoppelfläche 61 des weiteren strahlungsdurchlässigen Formkörpers 6 linsenförmig ausgebildet ist. Der Hilfsträger 1, das optoelektronische Bauteil 3, das Einlegeteil 4 sowie die beiden Formkörper 5 und 6 bilden einen Verbund 100C.
  • Nach dem Entfernen des Hilfsträgers 1 kann dann mittels Durchtrennen der Formkörper 5 und 6 das oberflächemontierbare Halbleiterbauelement 100 erzeugt werden.
  • In der 2B ist der in der 2A dargestellte Verbund 100C in einer Draufsicht dargestellt. Erkennbar ist, dass die Bonddrahtkontaktierung 31 das optoelektronische Bauteil 3 und das Einlegeteil 4 elektrisch miteinander verbindet. Ferner ist erkennbar, dass das Einlegeteil 4 aus zwei separaten und voneinander in lateraler Richtung L beabstandet angeordneten Bauteilen 45 und 46 gebildet ist, die jeweils ”U”-förmig ausgebildet sind. Die beiden Bauteile 45, 46 sind zueinander derart angeordnet, dass sie eine Kavität 47 ausbilden, die in lateraler Richtung L durch die Bauteile 45 und 46 sowie in vertikaler Richtung V durch die Montagefläche 11 sowie durch eine der Montagefläche 11 gegenüberliegenden Öffnung begrenzt ist. Innerhalb der Kavität 47 ist das optoelektronische Bauteil 3 auf der Montagefläche 11 des Hilfsträgers 1 angeordnet. Eine derartige Kavität 47 kann, wie in der 2B dargestellt, Öffnungen 48 aufweisen, von denen aus die Kavität 47 von außen einsehbar und/oder geöffnet ist. Ebenso ist denkbar, dass das Einlegeteil 4 das optoelektronische Bauteil 3 vollständig in lateraler Richtung L umrandet und dann mit einem einzigen, zusammenhängenden Bauteil gebildet ist.
  • Die 3A und 3B zeigen in schematischen Seitenansichten Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements 100.
  • Das in der 3A dargestellte oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement 100 weist eine Auflagefläche 101 auf. Die Auflagefläche 101 ist durch den Reflektor 41, das Trägerelement 2 sowie den strahlungsdurchlässigen Formkörper 5 gebildet. Mit anderen Worten ist das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement 100 von außen über die Auflagefläche 101 elektrisch kontaktierbar. Zum Beispiel ist das oberflächemontierbare Halbleiterbauelement 100 durch das in Zusammenhang mit den 1A bis 1G beschriebene Verfahren hergestellt.
  • Bei dem in der 3B dargestellten Ausführungsbeispiel ist auf das Trägerelement 2 verzichtet, wobei auf die der Strahlungsdurchtrittsfläche 32 abgewandte Außenfläche des optoelektronischen Bauteils 3 die elektrische Kontaktschicht 34 aufgebracht ist. Das heißt, dass in diesem Fall die Auflagefläche 101 statt durch das Trägerelement 2 stellenweise durch die elektrische Kontaktschicht 34 gebildet ist, wobei vorliegend die Kontaktschicht 34 den weiteren elektrischen Anschluss A2 für das optoelektronische Bauteil 3 bildet. Zum Beispiel ist das oberflächemontierbare Halbleiterbauelement 100 durch das in Zusammenhang mit den 2A bis 2B beschriebene Verfahren hergestellt.
  • Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet. Dies gilt auch, wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims (12)

  1. Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements (100) mit zumindest den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist; – Aufbringen zumindest eines Einlegeteils (4) und zumindest eines optoelektronischen Bauteils (3) auf eine Montagefläche (11) des Hilfsträgers (1); – Umhüllen des optoelektronischen Bauteils (3) und des Einlegeteils (4) mit einem gemeinsamen Formkörper (5), wobei – der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt, – das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen, und – das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden werden; – Entfernen des Hilfsträgers (1); – Erzeugen von einzelnen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen (100) mittels Durchtrennen des Formkörpers (5).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Hilfsträger (1) eine Dicke von 50 μm bis 200 μm aufweist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Einlegeteil (4) ein Reflektor (41) ist, der vorgesehen ist, von dem optoelektronischen Bauteil (3) im Betrieb erzeugte, auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung, zu reflektieren, wobei der Reflektor (41) das optoelektronische Bauteil (3) in lateraler Richtung zumindest stellenweise umrandet.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Einlegeteil (4) eine Anschlussstelle (A1) für das optoelektronische Bauteil (3) ist oder aufweist.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor dem Umhüllen zwischen dem Hilfsträger (1) und dem optoelektronischen Bauteil (3) auf der Montagefläche (11) des Hilfsträgers (1) ein Trägerelement (2) angeordnet wird, das eine weitere elektrische Anschlussstelle (A2) für das optoelektronische Bauteil (3) ist oder aufweist.
  6. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem das optoelektronische Bauteil (3), das Einlegeteil (4) und das Trägerelement (2) mit dem gemeinsamen Formkörper (5) umhüllt werden, wobei – der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3), das Einlegeteil (4) und das Trägerelement (2) zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt, – das Einlegeteil (4) und das Trägerelement (2) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen, und – das Einlegeteil (4) und das Trägerelement (2) durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden werden.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, bei dem das Trägerelement (2) eine maximale Dicke (D) von 250 μm aufweist.
  8. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) umfassend: – zumindest ein optoelektronisches Bauteil (3) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (32); – zumindest einen Reflektor (41), der vorgesehen ist, von dem optoelektronischen Bauteil (3) im Betrieb erzeugte auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren; – einem strahlungsdurchlässigen Formkörper (5), der mit dem optoelektronischen Bauteil (3) und dem Reflektor (41) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist; – eine Auflagefläche (101), die zumindest stellenweise durch eine Oberfläche des Formkörpers (5) gebildet ist, wobei – das optoelektronische Bauteil (3) und der Reflektor (41) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen und durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden sind, und – der Reflektor (41) das optoelektronische Bauteil (3) zumindest stellenweise in lateraler Richtung umrandet.
  9. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) umfassend: – zumindest ein optoelektronisches Bauteil (3) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (32); – zumindest ein Einlegeteil (4); – einem reflektierenden Formkörper (5), der mit dem optoelektronischen Bauteil (3) an Seitenflächen (33) und dem Einlegeteil (4) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist; – eine Auflagefläche (101), die zumindest stellenweise durch eine Oberfläche des Formkörpers (5) gebildet ist, wobei – das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen und durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden sind, und – die Strahlungsdurchtrittsfläche (32) des optoelektronischen Bauteils (3) frei von dem Formkörper (5) ist.
  10. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) nach einem der Ansprüche 8 bis 9, bei dem der Formkörper (5) aus einem Epoxid besteht oder zumindest ein Epoxid enthält, wobei in das Epoxid Licht reflektierende Partikel eingebracht sind.
  11. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) nach einem der Ansprüche 8 bis 10, bei dem der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3) seitlich nicht überragt.
  12. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) nach einem der Ansprüche 8 bis 11, bei dem zumindest stellenweise auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (32) des optoelektronischen Bauteils (3) und freiliegende Stellen des Formkörpers (5) ein weiterer strahlungsdurchlässiger Formkörper (6) aufgebracht ist.
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