KR20150033500A

KR20150033500A - 도전성 수지 조성물 및 이를 이용하는 디스플레이 장치

Info

Publication number: KR20150033500A
Application number: KR20140013330A
Authority: KR
Inventors: 김인; 방경; 현송원
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2013-09-24
Filing date: 2014-02-05
Publication date: 2015-04-01
Also published as: CN105580064B; CN105580064A; KR102220807B1

Abstract

본 발명은 도전성 수지 조성물 및 이를 이용하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 측면은 디스플레이 패널, 디스플레이 패널이 설치되며 도전성을 가지는 프레임을 포함하며, 프레임은 폴리에스터계 공중합체 수지를 포함하는 수지, 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 도전성 수지 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 전기전도성을 가지기 때문에 정전 방전을 방지할 수 있으며, 제조공정을 단순화 시켜 생산성 향상을 시킬 수 있다. 또한, 성형성 증대로 인해 박막 성형에 이용 가능하며, 난연성 부여로 화재 발생시 자소 기능을 가질 수 있다.

Description

도전성 수지 조성물 및 이를 이용하는 디스플레이 장치{Electrically Conductive Resin Composition and Display Apparatus Applying the Same}

본 발명은 도전성 수지 조성물 및 이를 이용하는 디스플레이 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도전성을 가지면서 외장재에 사용될 수 있도록 성형 가능한 도전성 수지 조성물 및 이를 이용하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.

일반적으로 디스플레이 장치는 화상신호를 전달받아 화상이 표시되는 장치로, 텔레비전이나 모니터 등이 이에 속한다.

디스플레이 장치의 소형화, 경량화, 다기능화가 이루어짐에 따라 시스템 칩의 민감도가 증가되었다. 이에 따라 두 물체 사이에 전하가 이동하는 현상인 정전방전(Electrostatic Discharger, ESD)을 방지할 필요가 생겼다. 정전방전이 일어나는 경우 제품의 조립 생산 시 혹은 사용시에 디스플레이 장치의 내부 구성요소를 손상시켜 디스플레이 장치가 정상적으로 구동되지 못했다.

정전방전을 방지하기 위해 프레임에 도전 테이프를 부착하였으나, 이러한 경우 조립 공정 후에 도전 테이프를 부착하여야 했기 때문에 추가적인 공정이 필요하여 생산성이 저하되고 추가 비용이 발생하였다.

또한, 도전성을 부여하기 위해 프레임을 금속 재료로 사용하는 경우도 있었으나 금속 재료의 경우 비중이 높아 디스플레이 장치의 경량화가 불가능했다.

본 발명의 일 측면은 전기전도성을 가지면서 성형이 용이한 도전성 수지 조성물 및 이를 이용하는 디스플레이 장치를 제공한다.

본 발명의 일 측면은 디스플레이 패널, 상기 디스플레이 패널이 설치되며 도전성을 가지는 프레임을 포함하며, 상기 프레임은, 폴리에스터계 공중합체 수지를 포함하는 수지, 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 도전성 수지 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.

상기 폴리에스터계 공중합체 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(Poly ethylene terephthalate glycol, PETG)과 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트글리콜(Poly cyclohexylene dimethylene terephthalate glycol) 중 적어도 하나일 수 있다.

상기 수지는 용융 지수가 60 내지 70인 고유동성 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 수지를 포함할 수 있다.

상기 수지는 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜 수지, 고무 변성 비닐계 그라프트 공중합체 수지, 스티렌아크릴로니트릴(Styrene-acrylonitrile, SAN)로 구성될 수 있다.

상기 수지 100중량%에 대하여, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜 수지는은 10 내지 30 중량%일 수 있다.

상기 수지 100중량%에 대하여, 상기 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 수지는 7 내지 20 중량%일 수 있다.

상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 탄소나노튜브는 1 내지 3 중량부일 수 있다.

상기 도전성 수지 조성물은 유리섬유(glass fiber)를 더 포함할 수 있다.

상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 유리섬유는 15 내지 30 중량부일 수 있다.

상기 도전성 수지 조성물은 난연제를 더 포함할 수 있다.

상기 난연제는 비스페놀에이비스디페닐포스페이트(BDP; Bisphenol-A-bisdiphenyl phosphate)과 적린(red phosphorus) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 비스페놀에이비스디페닐포스페이트는 10 내지 25 중량부일 수 있다.

상기 도전성 수지 조성물은 왁스(wax)를 더 포함할 수 있다.

상기 탄소나노튜브 및 왁스의 혼합중량비는 4:1 내지 12:1일 수 있다.

상기 도전성 수지 조성물은 카본블랙(carbon black), 안료, 나노클레이, 산화방지제(antioxidant) 중 적어도 하나를 포함하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 일 측면은 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 스티렌아크릴로니트릴을 포함하는 사성분계 공중합체 수지 100 중량부, 탄소나노튜브 1 내지 3 중량부, 유리섬유 15 내지 30 중량부;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물을 제공한다.

상기 수지 100중량%에 대하여 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜는 10 내지 30 중량%일 수 있다.

상기 수지 100중량%에 대하여 상기 아크릴로니트릴부타디엔스티렌은 7 내지 20 중량%일 수 있다.

상기 폴리카보네이트는 용융 지수가 60 내지 70인 고유동성 폴리카보네이트 수지를 포함할 수 있다.

비스페놀에이비스디페닐포스페이트와 적린 중 적어도 하나를 포함하는 난연제를 더 포함할 수 있다.

왁스를 더 포함할 수 있다.

카본블랙, 안료, 나노클레이, 산화방지제 중 적어도 하나를 포함하는 첨가제를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 일 측면은 폴리카보네이트, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 스티렌아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체 수지 100 중량부, 탄소나노튜브 1 내지 3 중량부, 유리섬유 15 내지 30 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물을 제공한다.

왁스를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 또 다른 일 측면은 후면을 지지하는 바텀 새시, 상기 바텀 새시의 전면에 결합되는 탑 새시, 상기 바텀 새시의 측면에 결합되는 측면 케이스, 상기 바텀 새시의 후면에 결합되는 후면 케이스를 포함하며, 상기 바텀 새시, 상기 탑 새시, 상기 측면 케이스, 상기 후면 케이스의 적어도 일부분은 도전성 수지 조성물로 성형되는 전자기기 프레임을 제공한다.

상기 도전성 수지 조성물은 폴리카보네이트, 아크릴로니트릴부타디엔 스티렌, 스티렌아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체 수지 100중량부, 탄소나노튜물 1 내지 3 중량부, 유리섬유 15 내지 30 중량부, 비스페놀에이비스디페닐포스페이트와 적린 중 적어도 하나를 포함하는 난연제를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 전기전도성을 가지기 때문에 정전 방전을 방지할 수 있으며, 제조공정을 단순화 시켜 생산성 향상을 시킬 수 있다.

또한, 성형성 증대로 인해 박막 성형에 이용 가능하며, 난연성 부여로 화재 발생시 자소 기능을 가질 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 전면을 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 유닛을 분해하여 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지 조성물의 제조과정을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지 조성물의 제조과정을 도시한 순서도이다.

이하에서는 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이하, 디스플레이 장치를 예로 들어 설명하나, 이에 제한되는 것은 아니며 본 발명은 전기전도성과 성형성을 필요로 하는 전자제품의 프레임에 대해 적용 가능하다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 전면을 도시한 사시도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 유닛을 분해하여 도시한 도면이다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)는 화상이 표시되는 디스플레이 패널(10)과, 사각 링 형상으로 형성되며 내부에 디스플레이 패널(10)이 설치되는 프레임(11)을 포함한다. 또한, 부수적으로 디스플레이 패널(10) 및 프레임(11)이 안정적으로 바닥에 서 있는 상태를 유지하도록 하기 위한 지지대(미도시)를 포함할 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치(1)는 화상이 표시되는 디스플레이 패널(10)과, 디스플레이 패널(10)의 후면을 지지하는 바텀 새시(120)와, 디스플레이 패널(10)의 전면 외곽측을 덮는 탑 새시(130)를 포함한다.

디스플레이 장치(1)는 디스플레이 장치(1)의 상하좌우 네 측면을 형성하여 디스플레이 패널(10) 및 바텀 새시(120)의 측면을 덮어 가리는 측면 케이스(160)와, 바텀 새시(120)의 후방측에 결합되어 디스플레이 장치(1)의 후면을 형성하여 바텀 새시(120)의 후면 및 후술할 인쇄회로기판(150)들을 덮어 가리는 후면 케이스(180)를 포함할 수 있다. 측면 케이스(160)와 후면 케이스(180)에 의해 디스플레이 장치(1)의 외관이 형성된다.

디스플레이 패널(10)은 유기 발광 다이오드 패널 또는 액정 표시 패널로 이루어질 수 있다.

바텀 새시(120)의 전면에는 바텀 새시(120)의 강도를 보강하기 위한 보강부재(미도시)가 설치되며, 바텀 새시(120)의 후면에는 디스플레이 장치(1)의 동작을 제어하기 위한 각종 인쇄회로기판(150)들이 설치된다.

탑 새시(130)는 사각 링 형상으로 형성되어 디스플레이 패널(10)의 전면 외곽을 지지하여, 디스플레이 패널(10)이 바텀 새시(120)에 설치된 상태를 유지할 수 있도록 한다.

또한, 보강부재(미도시)와 디스플레이 패널(10) 사이에는 열전달율이 큰 재질로 형성되어 디스플레이 패널(10)에서 발생한 열이 보다 빠른 시간 내에 분산되어 방열될 수 있도록 하는 방열시트(미도시)와, 단열성 재질로 형성되며 방열시트(미도시)와 바텀 새시(120) 사이에 배치되어 디스플레이 패널(10)에서 발생한 열이 후방측으로 전달되는 것을 방지하기 위한 단열시트(미도시)가 배치된다. 본 실시예에서 방열시트(미도시)는 그래파이트 시트로 이루어져 있으며, 단열시트(미도시)는 포론 시트로 이루어져 있다.

인쇄회로기판(150)들은 평판 형태의 기판에 각종 전기부품들이 실장되어 있는 것으로, 외부 전원과 연결되어 디스플레이 장치(1)에 전원이 공급될 수 있도록 하는 전원 기판과, 전원을 디스플레이 패널(10)에 전달하여 디스플레이 패널(10)이 구동할 수 있도록 하는 패널 구동기판과, 디스플레이 패널(10)로 화상 신호를 전달하는 타이밍 컨트롤 기판과, 각종 화상 및 소리 신호를 처리하기 위한 신호처리기판을 포함할 수 있다.

바텀 새시(130)의 후면에는 절연시트(155, 156)가 배치되어 전원기판 및 패널구동기판과 바텀 새시(130) 사이에서 전기적인 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

바텀 새시(130)의 후면 일측에는 우퍼 스피커(190)가 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 우퍼 스피커(190)는 L자 형상으로 형성될 수 있다.

측면 케이스(160)는 역U자 형상으로 형성된 제1측면 케이스(161)와, 제1측면 케이스(161)의 하단을 연결하는 제2측면 케이스(162)로 이루어질 수 있다. 제2측면 케이스(162)는 수지 재질로 이루어질 수 있다. 이는 제2측면 케이스(162)를 통해 디스플레이 장치(1) 내에 내장된 와이파이 모듈 및 블루투스 모듈 등이 외부 기기와 무선 통신을 할 수 있도록 하기 위함이다.

후면 케이스(180)는 후면 케이스(180)의 후면을 형성하는 후면판(181)과, 후면판(181)의 전면에 부착되어 인쇄회로기판(150)을 지지할 수 있는 지지판(182)을 포함할 수 있다. 후면판(181)의 후면에는 알루미늄 시트(미도시)가 부착될 수 있다.

이하, 프레임(11)에 사용될 수 있는 도전성 수지 조성물에 대해 설명한다. 도전성 수지 조성물은 본원 발명의 디스플레이 장치(1)의 외관을 형성하는 측면 케이스(160), 후면 케이스(180), 탑 새시(130), 바텀 새시(120)에 사용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며 정전 방전 현상이 생기는 것을 방지할 필요가 있는 부품에 대해 사용 가능하다.

본 발명의 일 측면에 따른 도전성 수지 조성물은 폴리에스터계 공중합체 수지를 포함하는 수지와 탄소나노튜브(CNT)를 포함할 수 있다. 여기에서 폴리에스터계 공중합체 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(Poly ethylene terephthalate glycol, PETG)과 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트글리콜(Poly cyclohexylene dimethylene terephthalate glycol) 중 적어도 하나일 수 있다.

수지는 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜 수지, 고무 변성 비닐계 그라프트 공중합체 수지, 스티렌아크릴로니트릴(SAN; Styrene-acrylonitrile) 수지로 구성될 수 있다.

본 발명의 도전성 수지 조성물의 제조에 사용되는 폴리카보네이트(PC)는 특별히 제한되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 알려진 방법에 의해 제조되거나, 상업적으로 구입 가능한 폴리카보네이트 수지를 사용할 수 있다.

하기 화학식 1으로 표시되는 폴리카보네이트(PC)는 디페놀 화합물을 포스겐, 할로겐 포르메이트 또는 탄산 디에스테르와 반응시킴으로서 제조될 수 있다.

[화학식 1]

상기 식에서, A는 단일 결합, C1-C5 알킬렌, C1-C5 알킬리덴, 치환 또는 비치환된 C3-C6의 사이클로 알킬렌, 치환 또는 비치환된 C5-C6의 사이클로알킬리덴, -CO-, -S- 또는 -SO2-로 이루어진 군으로부터 선택된다. 또한, R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C30의 알킬, 및 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴로 이루어진 군으로부터 선택되며, n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다. 여기서 "치환된"이란 수소 원자가 할로겐기, C1-C30의 알킬, C1-C30의 할로 알킬, C6-C30의 아릴, C6-C30의 헤테의아릴, C1-C20의 알콕시 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.

상기 화학식 1으로 표시되는 화합물의 구체예로서는 4, 4'-디히드록시디페닐, 2, 2-비스-(4-하이드록시페닐)-프로판, 2,4-비스-(4-하이드록시페닐)-2-메틸부탄, 1,1-비스-(4-하이드록시페닐)-사이클로헥산, 2, 2-비스-(3-클로로-4-하이드록시페닐)-프로판, 2, 2-비스-(3, 5-디클로로-4-하이드록시페닐)-프로판 등을 들 수 있다. 또한, 상기 디페놀 화학물로는 하이트로 퀴논, 레조시놀과 같은 화합물을 사용할 수 있다. 이들 중, 2, 2-비스-(4-하이드록시페닐)-프로판, 2, 2-비스-(3, 5-디클로로-4-하이드록시페닐-)프로판, 1, 1-비스-(4-하이드록시페닐)-사이클로헥산 등이 있으며, 가장 많이 사용되는 폴리카보네이트는 비스페놀-A라고도 불리는 2,2-비스-(4-히드록시페닐)-프로을 사용할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지 조성물의 제조에 사용되는 적합한 폴리카보네이트로서는 중량평균분자량이 10,000~200,000g/mol 이며, 특히 15,000 ~80,000 g/mol일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

본 발명의 도전성 수지 조성물의 제조에 사용되는 적합한 폴리카보네이트로는 수지로는 선형 폴리카보네이트 수지 뿐만 아니라 분지형 폴리카보네이트 수지 또는 선형과 분지형 폴리카보네이트 수지를 혼합하여 사용할 수 있다.

선형 폴리카보네이트 수지로는 비스페놀 A계 폴리카보네이트 수지가 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 분지형 폴리카보네이트 수지는 중합에 사용디는 디페놀 화합물의 전량에 대하여 0.05 내지 2몰%의 트리- 또는 그 이상의 다관능 화합물, 예를 들면 3가 또는 그 이상의 페놀기를 가진 화합물을 첨가하여 제조할 수 있다.

폴리카보네이트 수지는 호모폴리카보네이트 수지 또는 코폴리카보네이트 수지일 수 있으며, 코폴리카보네이트 수지와 호모폴리카보네이트 수지의 블렌드 형태도 사용 가능하다. 폴리카보네이트수지는 에스테르 전구체(precursor), 예컨대 2관능 카르복실산의 존재 하에서 중합 반응시켜 얻어진 방향족 폴리에스테르-카보네이트 수지로 일부 또는 전량 대체하는 것도 가능하다.

본 발명의 도전성 수지 조성물의 폴리에스터계 공중합체는 일반적으로 테레프탈산(Terephthalic Acid, TPA), 이소프탈산(Isophthalic Acid, IPA), 1,2-나프탈렌 디카르복실산, 1,4-나프탈렌 디카르복실산, 1,5-나프탈렌 디카르복실산, 1,6-나프탈렌 디카르복실산, 1, 7-나프탈렌 디카르복실산, 1,8-나프탈렌 디카르복실산, 2, 3- 나프탈렌 디카르복실산, 2, 6-나프탈렌 디카르복실산, 2, 7-나프탈렌 디카르복실산, 엑시드가 디메틸기로 치환된 방향족 디카르복실레이트(Aromatic Dicarboxylate)인 디메틸 테레프탈레이트(Dimethyl Terephtalate, DMT), 디메틸 이소프탈레이트(Dimethyl Isophthalate, DMT), 나프탈렌 디카르복실산의 알킬 에스테르 또는 디메틸-1, 2-나프탈레이트, 디메틸-1, 5- 나프탈레이트, 디메틸-1, 7-나프탈레이트, 디메틸-1, 8-나프탈레이트, 디메틸-2, 3-나프탈레이트, 디메틸-2, 6-나프탈레이트, 디메틸-2, 7-나프탈레이트 혹은 이들의 혼합물 등과 디올로서 C1-C12인 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜, 2,2-디메틸-1,3프로판디올, 2,2-디메틸-1,3-프로필렌글리콜, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,3-사이클로헥산 디메탄올, 1,4-사이클로헥산 디메탄올 혹은 이들의 혼합물 등을 축중합하여 얻을 수 있으며, 이는 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 용이하게 실시될 수 있다.

특히, 본 발명의 폴리에스터계 공중합체는 하기 [화학식 2]로 표시되는 1,4-사이클로헥산 디메탄올(1,4-cyclohexane dimethanol, CHDM)을 공중합 성분으로 하는 폴리에틸렌테레프탈레이트계 공중합체이다. 이는 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 구성하는 에틸렌글리콜(ethylene glycol)의 일부를 1,4-사이클로헥산 디메탄올로 대체하여 제조될 수 있다.

[화학식 2]

수지 100중량%에 대하여 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG)는 10 내지 30 중량%일 수 있다. 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG)의 함량이 10중량% 미만인 경우에는 열변형 온도가 높아지고 사출 특성이 저하될 수 있다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG)의 함량이 30중량% 이상인 경우에는 난연 특성이 낮아지며, 열변형 온도가 낮아져 사출 특성이 저하될 수 있다.

본 발명의 도전성 수지 조성물의 고무 변성 비닐계 그라프트 공중합체는 (1)스티렌, -메틸스티렌, 할로겐 또는 C1-C4 알킬 치환 스티렌, C1-C8 메타크릴산 알킬 에스테르류, C1-C8 아크릴산 알킬 에스테르류 또 는 이들의 혼합물 40~95 중량%와, (2)아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, C1-C8 메타크릴산 알킬 에스테르류, C1-C8아크릴산 알킬 에스테르류, 무수말레인산, C1-C4 알킬 또는 페닐 핵치환 말레이미드 또는 이들의 혼합물 5~60 중량%로 구성된 단량체 혼합물((1)과 (2)) 5~95 중량%를 부타디엔 고무, 아크릴 고무, 에틸렌/프로필렌 고무, 스티렌/부타디엔 고무, 아크릴로니트릴/부타디엔 고무, 이소프렌 고무, 에틸렌-프로필렌-디엔의 삼원공중합체(EPDM), 폴리오르가노실록산/폴리알킬(메타)아크릴레이트 고무 복합체 중 하나 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 고무질 중합체 5-95 중량%에 그라프트 중합하여 얻을 수 있다.

고무 변성 비닐계 그라프트 공중합체로는 부타디엔 고무, 아크릴 고무, 또는 스티렌/부타디엔 고무에 스티렌과 아크릴로니트릴 및 선택적으로 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 단량체를 혼합물의 형태로 그라프트 공중합한 것을 들 수 있다.

특히, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌(ABS) 그라프트 공중합체 또는 메타크릴레이트부타디엔스티렌(MBS)가 사용될 수 있다.

수지 100 중량%에 대하여 아크릴로니트릴부타디엔스티렌은 7 내지 20 중량%일 수 있다. 아크릴로니트릴부타디엔스티렌의 함량이 7 중량% 미만인 경우에는 사출 특성이 떨어질 수 있다. 또한, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌의 함량이 20 중량%를 초과하는 경우에는 사출 특성이 떨어지고 난연성이 떨어질 수 있다.

본 발명의 도전성 수지 조성물의 스티렌아크릴로니트릴(SAN) 수지는 방향족 비닐 단량체 50 내지 90 중량%와 불포화 니트릴단량체 10 내지 50 중량%를 공중합하여 조성될 수 있다. 방향족 비닐 단량체로는 스티렌, -메틸스티렌, 핵치환 스티렌 등이 사용될 수 있다.

불포화 니트릴 단량체로는 아크릴로니트릴, 메틸메타크릴로니트릴과 같은 불포화 니트릴계 단량체가 사용될 수 있다.

본 발명의 도전성 수지 조성물의 탄소나노튜브(Carbon nanotube, CNT)는 탄소 원자가 공유 결합으로 이루어진 흑연면(graphene)이 나노 크기의 직경으로 둥글게 말린 속이 빈 튜브 형태를 가진다. 흑연면이 이루고 있는 벽의 수에 따라서, 단일벽 탄소나노튜브(Single-walled carbon nanotube), 이중벽 탄소나노튜브(Double-walled carbon nanotube), 다중벽 탄소나노튜브(Multi-walled carbon nanotube), 다발형 탄소나노튜브(Rope carbon nanotube)로 구분할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에는, 다중벽 탄소나노튜브가 사용되었으나 이에 제한되는 것은 아니다.

탄소나노튜브의 합성법으로는 전기방전법(Arc-discharge method), 레이저 증착법(Laser vaporization method), 플라즈마 화학기상증착법(Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition), 열화학 기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 기상합성법(Vapor Phase Growth) 등이 있다.

탄소나노튜브에는 Ni, NiP3, Cu, Fe, Au, Ag, Pb, Co, Sn과 같은 금속 물지링 코팅될 수 있다.

탄소나노튜브는 전기전도성을 가질 수 있으나, 반데르발스 힘에 의해 서로 응집되고자 하는 성질이 강하여 균일한 분산이 어려워 기계적 물성이 떨어졌다.

본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지 조성물의 수지 100 중량부에 대하여 탄소나노튜브는 1 내지 3 중량부 포함될 수 있다. 탄소나노튜브의 함량이 1 중량부 미만인 경우에는 전기 전도성이 떨어질 수 있으며, 탄소나노튜브의 함량이 3중량부를 초과하는 경우에는 전기전도성은 우수하나, 성형 특성이 떨어질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지 조성물은 유리섬유(glass fiber)를 더 포함할 수 있다. 유리섬유는 일방향 유리섬유, 격자형 유리섬유, 직물형 유리섬유 및 그 등가물 중 선택된 어느 하나일 수 있다. 유리섬유는 프리프레그 상태, 즉 수지가 침투된 반경화상태일 수도 있다.

본 발명의 도전성 수지 조성물의 유리섬유는 수지 100 중량부에 대하여 15 내지 30 중량부 일 수 있다. 유리섬유의 함량이 14 중량부 이하인 경우에는 사출 특성과 전기전도성이 떨어질 수 있다. 또한, 유리섬유의 함량이 30 중량부를 초과하는 경우에는 광택도가 떨어지기 때문에 높은 광택을 가져야 하는 외장재에 대해 사용될 수 없으며, 금형 수명이 낮아질 수 있었다.

본 발명의 도전성 수지 조성물은 난연제를 더 포함할 수 있다. 난연제는 비스페놀에이비스디페닐포스페이트(Bisphenol-A-bisdiphenyl phosphate, BDP)와 적린(red phosporus) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

수지 100 중량부에 대하여 비스페놀에이비스디페닐포스페이트는 10 내지 25 중량부일 수 있다. 비스페놀에이비스디페닐포스페이트의 함량이 10 중량부 미만인 경우에는 난연성이 떨어질 수 있으며, 비스페놀에이비스디페닐포스페이트의 함량이 25 중량부를 초과하는 경우에는 난연성은 개선되지만 기계적 강성이 떨어지며 사출 특성이 떨어질 수 있다.

보다 구체적으로, 비스페놀에이비스디페닐포스페이트와 적린의 혼합 중량비는 10: 1 내지 25 : 1 일 수 있다.

본 발명의 도전성 수지 조성물은 왁스(wax)를 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 탄소나노튜브 및 왁스의 혼합 중량비는 4 : 1 내지 12 : 1 일 수 있다.

본 발명의 도전성 수지 조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제는 카본 블랙(carbon black), 안료, 나노클레이, 산화방지제(antioxidant) 중 적어도 하나일 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지 조성물의 제조과정을 도시한 도면이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지 조성물의 제조과정을 도시한 순서도이다.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지 조성물은 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 스티렌아크릴로니트릴, 탄소나노튜브, 왁스, 첨가제를 혼합기에서 믹싱한다.(S100)

이후, 믹싱한 재료(M1)를 연속식 트윈 스크류 압출기(200)의 제1호퍼(202)에 투입한다.(S200) 이후, 제2호퍼(203)에 제1난연제(M2)를 투입한다.(S300) 제3호퍼(204)에는 유리섬유(M3)를 투입한다.(S400) 즉 도 3의 M1은 믹싱한 재료에 해당하며, M2는 제1난연제에 해당하며, M3는 유리섬유에 해당할 수 있다. 제1난연제는 비스페놀에이디페닐포스페이트 및 이를 포함하는 혼합물일 수 있다. 이와 같이 비스페놀에이디페닐포스페이트와 유리섬유를 따로 투입하는 이유는 비스페놀에이디페닐포스페이트와 유리섬유가 트윈 스크류 압출기(200)에 머무르는 시간이 길어지는 경우에 분해될 수 있기 때문이다. 비스페놀에이디페닐포스페이트와 유리섬유가 먼저 트윈 스크류 압출기에 피딩되면 공정 중 분해되기 때문에 도전성 수지 조성물에서 비스페놀에이디페닐포스페이트와 유리섬유가 가지는 효과가 감소할 수 있기 때문에 이를 방지하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따르면, 비스페놀에이디페닐포스페이트(M2_와 유리섬유(M3)를 믹싱된 재료(M1)이 피딩된 이후에 피딩되도록 제2호퍼(203)와 제3호퍼를(204) 위치시킬 수 있다.

각각의 호퍼(202, 203, 204)에 피딩된 재료들은 호퍼(202, 203, 204)와 연결된 압축부(201)를 지나 냉각부(210)에서 냉각되어 펠렛(pellet) 형태로 제조될 수 있다. 이후 오븐(220)에서 건조된다.

이후 트윈 스크류 압출기를 통해 펠렛(pellet) 형태로 제조된 도전성 수지 조성물을 스팀 몰드 금형을 이용하여 사출성형한다.(S500) 이를 통해 디스플레이 장치 및 각종 전자기기의 외장재로 사용될 수 있는 사출물을 제조한다. .

이어서, 본 발명을 실시예를 통해 더 상세히 설명한다, 그러나 하기 비교예 및 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 한정되는 것은 아니다.

폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG), 아크릴로니트릴부타디엔스티렌(ABS), 스티렌아크릴로니트릴(SAN), 탄소나노튜브(CNT), 왁스, 기타 첨가제를 하기 표 1 및 표 2에 나타난 조성비로 통상의 혼합기에서 혼합하고, 믹싱된 재료를 트윈 스크류 압출기의 제1호퍼에 피딩한다. 비스페놀에이비스디페닐포스페이트(BDP)는 제2호퍼에 피딩하고, 유리섬유는 제3호퍼에 피딩한다. 트윈 스크류 압출기에 피딩된 재료는 용융/압축 단계, 분산 단계 및 토출단계를 거친다. 표 1은 실시예의 조성비이며, 표 2는 비교예의 조성비이다. 여기에서, 고유동성 폴리카보네이트(PC)라 함은 용융물의 흐름이 용이성을 나타내는 지수인 용융지수(melt index, MI)가 60 내지 70를 가지는 폴리카보네이트를 의미한다.

용융/ 압축 단계에서 온도를 250 내지 255로 설정하고, 분산 단계에서는 로 240 내지 250로 설정하며, 토출 단계에서는 255 내지 260로 설정하였다. 또한, 각 단계의 회전 속도는 200 내지 300RPM으로 설정하였다.

트윈 스크류 압출기를 통과한 압출물은 냉각부(210)인 수조 안에서 냉각되어 펠릿화(pelletization)된다. 펠릿(pellet)을 오븐 안에서 100로 건조하여 시편을 제조하였다. 이후 스팀 몰드금형을 사출하여 1.5 T 두께의 성형부품을 제조하였다.

제조된 시편을 이용하여 아래와 같이 물성을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 3 및 표 4에 나타내었다.

체적저항은 ASTM D257 규격에 따라 측정하였다.

인장 강도는 ASTM D638 규격에 따라 측정하였으며, 시편 규격은 Type 1을 사용하였으며, 인장 속도는 3mm/min이며, 5회 측정하여 평균을 낸 값이다.

노치 아이조드 충격강도는 ASTM D265 규격에 따라 측정하였으며, 시편 규격은 63.5 * 12.7 * 6.4 mm이며, 상온에서 아이조드 노치 방법으로 5회 측정하여 평균을 낸 값이다.

열변형온도는 ASTM D648 규격에 따라 측정하였으며, 시편 규격은 127 * 12.7 * 6.4mm이며, 응력하중은 1.8Mpa이다.

난연성은 미국의 언더라이터즈 레보러토리사(Underwriter's Laboratory Inc.)가 규정하는 방법인 UL94 시험에 의하여 두께 1.5T의 시편을 이용하여 난연성을 측정하였다. 이는 수직으로 유지한 크기의 시편에 버너의 불꽃을 10초간 접염한 후 잔염 시간이나 드립(drip)성으로 난연성을 평가한다. 잔염시간은 착화원을 멀리 떨어뜨린 후 시편이 유염연소를 계속하는 시간의 길이이고, 드립(drip)에 의한 면의 착화는 시편의 하단에서 약 300mm 아래에 있는 표지용의 면이 시편으로부터의 적하(드립)물에 의해 착화되는 것에 의해 결정되며, 난연성의 등급은 하기 표 5와 같다.

용융흐름지수(Melt flow index, MFI)는 ASTM D1238에 따라 측정하였으며, 이 때 용융흐름지수는 온도 250, 10kgf의 하중 조건에서 측정하였다.

정전방지(ESD) 내전압 테스트는 ESS-200AX 장비를 이용하였으며, 전압 8kV, 15kV에서 line defect가 발생하는 여부로 확인하였다. 표 3 및 표 4에서 "O"는 line defect가 발생하지 않은 경우이며, "X"는 line defect가 발생한 경우이다.

조성		실시예1	실시예2	실시예3	실시예4	실시예5	실시예6	실시예7	실시예8	실시예9	실시예10	실시예11
수지	PC	64	64	64	64	44	44	64	64	64	0	0
	PETG	10	10	10	10	30	30	10	10	10	0	0
	ABS	7	7	7	7	7	7	7	7	20	20	20
	SAN	19	19	19	19	19	19	19	19	6	6	6
	고유동성 PC	0	0	0	0	0	0	0	0	0	74	74
유리섬유		15	15	30	30	15	15	15	15	15	15	15
CNT		1.0	3.0	1.0	3.0	1.0	3.0	1.5	1.5	1.0	1.5	3.0
왁스		0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25
BDP		10	10	10	10	10	10	10	25	10	10	10
적린		1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0
첨가제		1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0

조성		비교예1	비교예2	비교예3	비교예4	비교예5	비교예6	비교예7	비교예8	비교예9	비교예10
수지	PC	60	60	65	43	64	64	64	64	64	64
	PETG	14	14	9	31	10	10	10	10	10	10
	ABS	7	7	7	7	7	7	7	7	6	21
	SAN	19	19	19	19	19	19	19	19	20	5
유리섬유		15	15	15	15	14	31	15	15	15	15
CNT		0.9	3.1	1.0	3.0	1.0	1.0	1.5	1.5	1.0	1.0
왁스		0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25	0.25
BDP		10	10	10	10	10	10	9	26	10	10
적린		1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0
첨가제		1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0

물성	실시예1	실시예2	실시예3	실시예4	실시예5	실시예6	실시예7	실시예8	실시예9	실시예10	실시예11
체적저항	E6	E3	E5	E3	E5	E3	E5	E5	E5	E5	E3
인장강도 (kgf/cm²)	900	950	1,000	1,100	900	1,100	1,150	1,010	900	966	971
노치아이조드 (kgf.cm/cm)	5.0	4.5	5.5	4.0	5.0	4.0	4.7	4.2	5.3	5.5	4.2
열변형온도(℃)	95	95	95	95	80	80	93	85	90	86	84
난연성	V1	V1	V1	V1	V2	V1	V1	V0	V1	V1	V1
용융흐름지수(g/10min)	20	20	18	18	28	25	18	25	20	10.5	0.9
광택도	45	45	38	38	45	45	40	40	20	45	45
내전압 8kV	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0
내전압 15kV	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0
3T이하 박막사출성	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0	0
Cycle time(sec)	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60

물성	비교예1	비교예2	비교예3	비교예4	비교예5	비교예6	비교예7	비교예8	비교예9	비교예10
체적저항	E12	E3	E5	E3	E6	E5	E5	E5	E5	E5
인장강도 (kgf/cm²)	1,000	1,150	900	1,100	832	1,200	1,050	1,080	890	850
노치 아이조드 (kgf.cm/cm)	5.1	3.2	5.0	4.0	3.7	5.7	5.3	3.0	3.5	5.3
열변형온도 (℃)	95	95	99	75	95	95	95	75	96	78
난연성	V1	V1	V1	HB	V1	V1	HB	V0	V1	HB
용융흐름지수(g/10min)	15	15	12	22	20	17	13	27	14	20
광택도	45	45	43	43	45	20	44	43	45	46
내전압 8kV	×	○	○	○	○	○	○	○	○	○
내전압 15kV	×	○	○	○	○	○	○	○	○	○
3T 이하 박막사출성	○	×	○	○	×	○	×	×	×	○
Cycle time(sec)	60	60	60	65	60	60	62	64	60	63

구분	V2	V1	V0	HB
각 시료의 잔염시간	30초 이하	30초 이하	10초 이하	난연불가
시료 5개의 전체 잔염시간	250초 이하	250초 이하	50초 이하
드립에 의한 면의 착화	있음	없음	없음

표 3의 실시예 1과 실시예 2와 같이 탄소나노튜브(CNT)가 1 내지 3 중량부인 경우, 8kV와 15kV에서의 정전방지 내전압 테스트에서 line defect가 발생하지 않는 경우로 정전방지 내전압 테스트를 모두 통과하였다. 그러나 표 4의 비교예 1과 같이 탄소나노튜브(CNT)가 1 중량부 미만인 경우에는 8kV와 15kV의 정전방지 내전압 테스트에서 line defect가 발생하여 정전방지 내전압 테스트를 통과하지 못하였다. 또한, 탄소나노튜브(CNT)가 3중량부를 초과하는 비교예 2의 경우에는 정전방지 내전압 테스트를 통과하였으나, 정전방지 내전압 테스트는 통과하였으나, 노치 아이조드 값이 3.2(kgf.cm/cm)로 3T이하 박막 사출 성형시에 크랙이 발생하여 성형성에 문제가 있는 것을 알 수 있다.

또한, 표 1의 실시예 1, 실시예 2, 실시예 5, 실시예 6과 같이 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG)의 함량이 수지에 대하여 10 내지 30중량%인 경우에 열변형 온도는 95에서 80로 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG)의 중량%가 증가할수록 열변형 온도가 감소하는 것을 알 수 있다. 표 2의 비교예 3과 같이 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG)의 함량이 수지에 대하여 9 중량% 이하인 경우에는 열변형온도가 99로 높아진 것을 확인할 수 있다. 또한 용융흐름지수가 12(g/10min)로 저하되어 박막 사출시에 용접선(weld lin)e 또는 플로마크(flowmark)가 발생할 수 있어 사출시에 문제가 생길 수 있음을 확인할 수 있다. 또한, 표 2의 비교예 4와 같이 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(PETG)의 함량이 수지에 대하여 30 중량%를 초과한 경우에는 난연성이 HB로 난연 불가한 경우이며, 열변형 온도가 75로 낮아지기 때문에 사출 성형시의 cycle tine이 60초서 65초로 길어지는 것을 확인할 수 있다.

또한, 표 1의 실시예 1 내지 실시예 4와 같이 유리섬유가 10 내지 30 중량부인 경우 인장 강도는 900 내지 1100(kgf/cm²)이며, 노치 아이조드는 4.0 내지 5.5 (kgf.cm/cm) 인 것을 확인할 수 있다. 다만, 표 2의 비교예 5와 같이 유리섬유가 14 중량부 이하인 경우에는 인장 강도가 832(kgf/cm²) 이며, 노치 아이조드는 3.7(kgf.cm/cm)로 3T이하 박막사출 성형에 있어서 문제가 있음을 알 수 있다. 또한, 표 2의 비교예 6과 같이 유리섬유가 30 중량부를 초과하는 경우에는 인장 강도가 1200(kgf/cm²)이며, 노치 아이조드는 5.7(kgf.cm/cm)로 3T이하 박막 사출에는 문제가 없으나, 광택도가 20으로 고광택 사출물을 제조할 수 없으며, 금형 수명이 낮아질 수 있다.

또한, 표 1의 실시예 1과 실시예 9와 같이 아크로니트릴부타디엔스티렌(ABS)이 수지에 대해 7 내지 20 중량%의 경우 노치 아이조드는 5.0 내지 5.3(kgf.cm/cm)이며, 열변형온도는 90 내지 95이어서 물성에 문제가 없는 것을 알 수 있다. 다만, 표 2의 비교예 9와 같이 아크로니트릴부타디엔스티렌(ABS)이 수지에 대해 6중량% 이하인 경우에는 노치 아이조드는 3.5(kgf.cm/cm)이며, 용융흐름지수는 14(g/10min)으로 기계적 특성 및 사출 성형시의 흐름성에 문제가 있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 표 2의 비교예 10과 같이 아크로니트릴부타디엔스티렌(ABS)이 수지에 대해 20 중량 %를 초과하는 경우에는 열변형 온도가 78로 사출 성형시의 cycle time이 63초로 길어지며 난연성이 HB로 난연 불가한 상태임을 알 수 있다.

또한, 표 1의 실시예 7, 실시예 8과 같이 비스페놀에이비스디페닐포스페이트(BDP)가 10 내지 25 중량부인 경우에는 열변형온도가 85 내지 93이며, 난연성이 V0 내지 V1이며, 인장 강도는 1010 내지 1150kgf/cm²)이며, 노치 아이조드는 4.2 내지 4.7(kgf.cm/cm)로 물성에 문제가 없는 것을 확인할 수 있다. 다만, 표 2의 비교예 7과 같이 비스페놀에이비스디페닐포스페이트(BDP)가 9 중량부 이하인 경우에는 용융지수가 13(g/10min)이며, 난연성이 HB로 난연 불가하여 사출 특성과 난연성에 있어서 문제가 있음을 알 수 있다. 또한, 표 2의 비교예 8과 같이 비스페놀에이비스디페닐포스페이트(BDP)이 26 중량부를 초과한 경우에는 용융지수가 27(g/10min)d이며, 난연성 V0으로 용융 흐름성과 난연성에는 문제가 없으나, 노치 아이조드가 3.0(kgf.cm/cm)이며, 열변형온도가 75로 물성을 만족하지 못하며 사출 성형시에 cycle time이 길어짐을 알 수 있다.

또한, 표 1의 실시예 10, 실시예 11는 고유동성 폴리카보네이트(PC) 수지가 74 중량%이며, 탄소 나노튜브(CNT)가 1.5내지 3 중량부 인 경우이다. 이러한 경우에는 상술한 바와 같이 탄소나노튜브(CNT)로 인해 정전방지 내전압 테스트를 통과할 수 있었다. 또한, 고유동성 폴리카보네이트(PC) 수지로 인해 인장 강도는 966 내지 971(kgf/cm²)이며, 노치 아이조드는 5.5 내지 4.2 (kgf.cm/cm) 인 것을 확인할 수 있는 바, 3T 이하의 박막 사출 성형에 있어서 문제가 없다. . 특히, 용융흐름지수가 0.9(g/10min) 내지 10.5(g/10min)를 나타내지만, 동시에 광택도를 측정했을 경우 45를 나타내므로, 사출성형성에는 문제가 없다는 것을 확인 가능하다.

이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 수지조성물은 전기전도성을 가짐과 동시에 기계적 물성과 용융흐름 특성을 함께 만족시킬 수 있다. 이에 따라 외장재를 효율적으로 사출성형할 수 있으며, 디스플레이 장치 및 가전기기의 사용시에 정전방지 효과를 가지는 것이 가능하다. 특히, 두께가 3T이하인 외장재를 성형하는데 있어서 사출성과 기계적 물성을 만족시킬 수 있는 도전성 수지 조성물로 사용될 수 있다.

1: 디스플레이 장치 10: 디스플레이 패널
11: 프레임 120: 바텀 새시
130: 탑 새시 160: 측면 케이스
180: 후면 케이스 200: 트윈 스크류 압출기
202: 제1호퍼 203: 제2호퍼
204 : 제3호퍼

Claims

디스플레이 패널;
상기 디스플레이 패널이 설치되며 도전성을 가지는 프레임;을 포함하며,
상기 프레임은,
폴리에스터계 공중합체 수지를 포함하는 수지;
탄소나노튜브(CNT);
를 포함하는 도전성 수지 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 폴리에스터계 공중합체 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜(Poly ethylene terephthalate glycol, PETG)과 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트글리콜(Poly cyclohexylene dimethylene terephthalate glycol) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 수지는 용융 지수가 60 내지 70인 고유동성 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 수지는 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜 수지, 고무 변성 비닐계 그라프트 공중합체 수지, 스티렌아크릴로니트릴(Styrene-acrylonitrile, SAN)로 구성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제4항에 있어서,
상기 수지 100중량%에 대하여, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜 수지는은 10 내지 30 중량%인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제4항에 있어서,
상기 수지 100중량%에 대하여, 상기 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 수지는 7 내지 20 중량%인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 탄소나노튜브는 1 내지 3 중량부인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 도전성 수지 조성물은 유리섬유(glass fiber)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제8항에 있어서,
상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 유리섬유는 15 내지 30 중량부인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 도전성 수지 조성물은 난연제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제10항에 있어서,
상기 난연제는 비스페놀에이비스디페닐포스페이트(Bisphenol-A-bisdiphenyl phosphate, BDP)과 적린(red phosphorus) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제11항에 있어서,
상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 비스페놀에이비스디페닐포스페이트는 10 내지 25 중량부인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 도전성 수지 조성물은 왁스(wax)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제13항에 있어서,
상기 탄소나노튜브 및 왁스의 혼합중량비는 4:1 내지 12:1인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 도전성 수지 조성물은 카본블랙(carbon black), 안료, 나노클레이, 산화방지제(antioxidant) 중 적어도 하나를 포함하는 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 스티렌아크릴로니트릴을 포함하는 사성분계 공중합체 수지 100 중량부;
탄소나노튜브 1 내지 3 중량부;
유리섬유 15 내지 30 중량부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제16항에 있어서,
상기 수지 100중량%에 대하여 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜는 10 내지 30 중량%인 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제17항에 있어서,
상기 수지 100중량%에 대하여 상기 아크릴로니트릴부타디엔스티렌은 7 내지 20 중량%인 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제16항에 있어서,
상기 폴리카보네이트는 용융 지수가 60 내지 70인 고유동성 폴리카보네이트 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제16항에 있어서,
비스페놀에이비스디페닐포스페이트와 적린 중 적어도 하나를 포함하는 난연제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물. .
제20항에 있어서,
상기 수지 100 중량부에 대하여 상기 비스페놀에이비스디페닐포스페이트는 10 내지 25 중량부인 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제16항에 있어서,
왁스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제16항에 있어서,
카본블랙, 안료, 나노클레이, 산화방지제 중 적어도 하나를 포함하는 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
폴리카보네이트, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 스티렌아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체 수지 100 중량부;
탄소나노튜브 1 내지 3 중량부;
유리섬유 15 내지 30 중량부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제24항에 있어서,
비스페놀에이비스디페닐포스페이트와 적린 중 적어도 하나를 포함하는 난연제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제24항에 있어서,
왁스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
제24항에 있어서,
카본블랙, 안료, 나노클레이, 산화방지제 중 적어도 하나를 포함하는 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 수지 조성물.
바텀 새시;
상기 바텀 새시의 전면에 결합되는 탑 새시;
상기 바텀 새시의 측면에 결합되는 측면 케이스;
상기 바텀 새시의 후면에 결합되는 후면 케이스;
를 포함하며,
상기 바텀 새시, 상기 탑 새시, 상기 측면 케이스, 상기 후면 케이스의 적어도 일부분은 도전성 수지 조성물로 성형되는 것을 특징으로 하는 전자기기 프레임.
제28항에 있어서,
상기 도전성 수지 조성물은,
폴리카보네이트, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 스티렌아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체 수지 100 중량부;
탄소나노튜브 1 내지 3 중량부;
유리섬유 15 내지 30 중량부;
비스페놀에이비스디페닐포스페이트와 적린 중 적어도 하나를 포함하는
난연제;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기기 프레임.