KR20150028765A - 수지 시트 적층체 및 그것을 사용한 반도체 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

수지 시트 적층체 및 그것을 사용한 반도체 발광 소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기재 상에 형광체 함유 수지층이 형성된 수지 시트 적층체이며, 상기 형광체 함유 수지층이 복수의 구획을 갖고, 기재는 길이 방향과 폭 방향을 갖고, 상기 복수의 구획이 길이 방향으로 반복 배치되어 열을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체에 의해, 형광체 함유 수지층을 부착한 반도체 발광 소자의 색이나 휘도의 균일성, 제조의 용이함, 설계의 자유도 등을 향상시키는 것을 목적으로 하는 것이다.

Description

수지 시트 적층체 및 그것을 사용한 반도체 발광 소자의 제조 방법{RESIN SHEET LAMINATE AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT USING SAME}
본 발명은 형광체 함유 수지 시트가 기재 상에 설치된 수지 시트 적층체에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기재가 길이 방향과 폭 방향을 갖고, 반도체 발광 소자의 발광 파장을 변환하기 위한 형광재 함유 수지 시트층의 구획이 길이 방향으로 반복 배치되어 열을 이루고 있는 수지 시트 적층체에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 그 발광 효율의 놀라운 향상을 배경으로 하여 낮은 소비전력, 고수명, 의장성 등을 특징으로 해서 액정 디스플레이(LCD)의 백라이트용이나, 차의 헤드라이트 등의 차량 탑재 분야뿐만 아니라 일반 조명용에서도 급격하게 시장을 확대하고 있다.
LED의 발광 스펙트럼은 반도체 발광 소자를 형성하는 반도체 재료에 의존하기 때문에 그 발광색은 한정되어 있다. 그 때문에, LED를 이용하여 LCD 백라이트나 일반 조명용의 백색광을 얻기 위해서는 반도체 발광 소자 상에 각각의 칩에 적합한 형광체를 배치하고, 발광 파장을 변환할 필요가 있다. 구체적으로는, 청색 발광하는 반도체 발광 소자 상에 황색 형광체를 설치하는 방법, 청색 발광하는 반도체 발광 소자 상에 적 및 녹의 형광체를 설치하는 방법, 자외선을 발하는 반도체 발광 소자 상에 적, 녹, 청 형광체를 설치하는 방법 등이 제안되어 있다. 이들 중에서 반도체 발광 소자의 발광 효율이나 비용의 면으로부터 청색 LED 상에 황색 형광체를 설치하는 방법, 및 청색 LED 상에 적 및 녹의 형광체를 설치하는 방법이 현재 가장 널리 채용되고 있다.
반도체 발광 소자 상에 형광체를 설치하는 구체적인 방법 중 하나로서, 반도체 발광 소자를 밀봉하기 위한 액상의 수지 중에 형광체를 분산시켜 두는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 및 2 참조). 그러나, 액상의 수지 중에서의 형광체의 분산이 불균일하면 반도체 발광 소자마다 색 변이가 발생해 버린다. 또한, 액상 수지를 반도체 발광 소자 형상으로 개별적으로 공급할 때에 분량을 일정하게 하는 것이 어렵고, 액상 수지의 경화 중에 두께에도 불균일이 쉽게 발생할 수 있기 때문에 반도체 발광 소자 형상으로 배치한 형광체의 양을 일정하게 하는 것이 어렵다.
그래서, 미리 형광 재료가 균일하게 분포된 시트 형상의 수지층을 사용하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 3 및 4 참조). 이러한 시트를 소편화(小片化)해서 반도체 발광 소자에 접합시킴으로써 각 반도체 발광 소자 상에 배치하는 형광체를 일정하게 할 수 있고, LED의 품질을 향상시킬 수 있다.
일본 특허 공개 평 5-152609호 공보 일본 특허 공개 평 7-99345호 공보 일본 특허 제 4146406호 공보 일본 특허 공개 2000-156528호 공보
LED가 백열전구나 형광등을 대신해서 일반 조명 용도로 널리 적응되어 가기 위해서는 발광색의 불균일이 작은 것을 안정되게 공급해 갈 필요가 있다. 상술한 바와 같이, 미리 형광 재료를 균일하게 분산시키고 균일한 두께로 시트화하는 방법은 색 편차를 억제하는 방법으로서 뛰어나지만, LED를 사용한 발광 소자의 제조 공정에 이하에 설명하는 바와 같은 시트를 커팅하는 공정이나, 접착제를 이용하여 시트와 반도체 발광 소자를 접합시키는 공정이 발생하여 제조 공정이 번잡해서 스루풋이 나쁘고, 제조 비용이 상승하는 문제가 있었다.
형광체 함유 수지를 미리 시트화했을 경우, 그것을 개별의 반도체 발광 소자에 설치해야 한다. 예를 들면, 형광체 함유 수지 시트를 미리 개별의 반도체 발광 소자에 설치하는 사이즈로 커팅해 둔 경우에는 1㎜ 정도의 개편(個片)으로 커팅한 형광체 함유 시트를 취급하는 것이 어려워진다. 또한, 각각의 개편을 1개씩 접착제를 사용해서 반도체 발광 소자에 부착하는 작업은 정밀도를 요구하는 것이 되어 생산 속도와 정확함을 양립시키는 것이 어렵다.
다른 방법으로서, 형광체 함유 수지 시트를 개편으로 커팅하지 않고 연속된 시트 형상인 상태로 LED에 부착하는 방법이 있다. 그 경우, 개편의 반도체 발광 소자를 시트 형상의 형광체 함유 수지층에 부착하는 경우와, LED측도 개편으로 나누기 전의 웨이퍼 형상인 상태로 형광체 함유 수지층에 일괄해서 부착하는 경우가 있다. 그러나, 어느 방법도 반도체 발광 소자와 부착한 후에 형광체 함유 수지 시트를 커팅하기 위해서는 방법이 한정되고, 특히 후자의 경우에는 LED의 웨이퍼를 절단하는 것과 동시에 형광체 함유 수지층을 절단하는 것이 곤란하다. 또한, 반도체 발광 소자에 부착한 후에 형광체 수지 시트를 절단하는 경우에는 절단 형상은 반도체 발광 소자를 따른 형상이거나 또는 그것보다 큰 형상에 한정된다. 그 때문에, 반도체 발광 소자의 일부를 형광체 함유 수지층으로 덮고 일부를 노출시키고 싶을 경우, 예를 들면 전극 인출부 등을 형성하고 싶을 경우에는 그 부분만의 형광체 함유 수지층을 제거하는 것은 곤란하다.
발명자들은 형광체 함유 수지 시트를 부착한 반도체 발광 소자의 색이나 휘도의 균일성, 제조의 용이함, 설계의 자유도 등을 예의 검토한 결과, 이것들을 전부 향상시키기 위해서는 기재 상의 형광체 함유 수지 시트의 가공 형상과 배열이 매우 중요한 것을 발견했다.
즉, 본 발명은 장척의 기재 상에 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 갖고, 상기 수지 시트의 구획이 상기 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체이다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 휘도나 색이 균일한 LED를 용이한 공정으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 수지 시트 적층체의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 수지 시트 적층체의 다른 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 수지 시트 적층체의 다른 일례를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 수지 시트 적층체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
도 6은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
도 7은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 8a는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
도 8b는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
도 9는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 10은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 11은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 12는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 13은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 14는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 15는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
본 발명은 장척의 기재 상에 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 갖고, 상기 수지 시트의 구획이 상기 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체이다. 이하, 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 「형광체 함유 수지 시트」라고 한다.
형광체 함유 수지 시트의 구획은 목적에 따라서 원하는 형상·치수·개수로 배치할 수 있다. 한편으로, 형광체 함유 수지 시트의 구획을 지지하는 기재는 형광체 함유 수지 시트의 복수의 구획에 걸쳐서 일체이며, 형광체 함유 수지 시트의 구획은 개별적으로 뿔뿔이 흩어지는 것은 아니다.
본 발명의 수지 시트 적층체는 형광체가 균일하게 분산된 수지 시트의 구획이 미리 원하는 두께·형상으로 형성되어 있기 때문에, 이것을 이용하여 개개의 LED에 균일한 막 두께, 균일한 조성의 형광체 함유 수지층을 형성할 수 있다. 또한, 형광체 함유 수지 시트의 구획은 미리 원하는 형상으로 나뉘어져 있는 한편으로, 그것들은 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있으므로 취급이 용이하고, 간편한 공정으로 반도체 발광 소자에 부착할 수 있다. 따라서, 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용함으로써 휘도나 색이 균일한 LED를 용이한 공정으로 제조할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 수지 시트 적층체에 있어서의 기재는 연속하고 있는 길이 방향과 폭 방향을 갖는다. 여기에서, 본 명세서에 있어서 기재가 연속하고 있다는 것은 기재가 완전하게는 분리되어 있지 않은 상태를 가리킨다. 즉, 기재에 절단선이 들어 있지 않은 경우에는 물론, 기재를 두께 방향으로 관통하지 않는 절단면을 갖고 있을 경우나, 부분적으로 관통하는 절단면을 갖고 있지만 전체로서는 일체의 연속된 형상을 유지하고 있을 경우 등도 포함된다.
도 1∼도 4를 이용하여 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성을 설명한다. 또한, 이것들은 일례이며 본 발명의 수지 시트 적층체는 이것들에 한정되는 것은 아니다.
도 1(a)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 일례이다. 길이 방향과 폭 방향을 갖고 연속된 기재(1) 상에, 소정의 형상으로 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 다수, 길이 방향으로 1열로 적층되어 있다.
도 1(b)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 다른 일례이다. 길이 방향과 폭 방향을 갖고 연속된 기재(1) 상에, 소정의 형상으로 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 다수, 길이 방향으로 2열로 적층되어 있다. 이와 같이, 형광체 함유 수지 시트(2)의 열은 1열일 필요는 없고 필요에 따라서 복수열 형성할 수 있다.
도 1(c)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 다른 일례이다. 길이 방향과 폭 방향을 갖고 연속된 기재(1) 상에, 소정의 형상으로 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 다수, 길이 방향으로 1열로 적층되어 있고, 기재(1)에는 형광체 함유 수지 시트(2)가 존재하지 않는 부분에 수지 시트 적층체를 반송할 때에 사용하는 구멍[반송 구멍(3)]이 길이 방향으로 열을 이루도록 형성되어 있다. 본 발명의 수지 시트 적층체를 이용하여 반도체 발광 소자의 발광면 상에 형광체 함유 수지 시트를 부착하는 공정에 있어서, 수지 시트 적층체를 길이 방향으로 이송하면서 위치 맞춤을 행할 경우에 이러한 반송 구멍(3)을 사용하여 기어식의 이송 장치로 반송함으로써 정밀한 위치 맞춤을 행할 수 있다.
도 1(d)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 다른 일례이다. 길이 방향과 폭 방향을 갖고 연속된 기재(1) 상에, 소정의 형상으로 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 다수, 길이 방향으로 3열로 적층되어 있고, 기재(1)에는 형광체 함유 수지 시트(2)가 존재하지 않는 부분에 반송 구멍(3)이 길이 방향으로 열을 이루도록 형성되어 있다. 반송 구멍(3)을 기재(1)에 형성할 경우에도 이와 같이 형광체 함유 수지 시트의 구획은 복수열 형성할 수 있다.
또한, 기재(1) 상에 배열된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획은 직사각형일 필요는 없고, 도 2(a)에 나타내는 바와 같은 육각형이나 그 외의 다각형, 또한 도2(b)와 같은 원형이라도 상관없다. 또한, 도 2(c)와 같이 직사각형, 타원형, 육각형 등의 다른 형태가 규칙적으로 또는 불규칙하게 배열되어 있어도 상관없다. 기본적으로는 반도체 발광 소자의 발광면의 형상에 일치하는 형상으로 만들어진다. 발광면측에 전극을 갖는 반도체 발광 소자에 접착할 경우에는 전극 접합 부분을 피해서 형광체 함유 수지 시트를 부착하기 때문에, 도 3(a)와 같이 일부분에 노치를 형성하거나, 도 3(b)와 같이 구멍을 형성하거나 해도 좋다.
도 4(a)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다. 기재(1) 상에, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 직접 접해서 배열되어 있다. 도 4(b)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 다른 일례이며, 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2) 사이에 이형층(4)이 존재한다. 이형층(4)은 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2) 사이의 접착력을 공정에 적합한 최적의 접착력으로 하기 위해서 형성되는 것이며, 공지의 것을 이용할 수 있다. 도 4(c)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 다른 일례이다. 형광체 함유 수지 시트(2)의 기재와는 다른 측의 면에 접착층(5)을 갖고 있다. 접착층(5)은 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자의 접착력을 향상시키기 위해서 형성되고, 성분 중에 접착 성분 또는 감압식 접착 성분, 소위 점착 성분을 갖고 있다. 형광체 함유 수지 시트(2) 자체가 접착성을 갖는 경우나 열융착성을 갖는 경우에는 접착층(5)은 불필요하다.
여기에서 말하는 「형광체 함유 수지 시트가 접착성을 갖는」 것이란 형광체 함유 수지 시트 자체가 반도체 발광 소자와 접착하는 성능을 갖는 것을 가리킨다. 구체적으로는, (1) 형광체 함유 수지 시트 중의 수지 성분이 감압성 접착 성분, 소위 점착 성분을 갖고 있고, 점착에 의해 반도체 발광 소자와 접착하는 것, 또는 (2) 형광체 함유 수지 시트 중의 수지 성분에 상온 또는 가열에 의한 경화 성분을 갖고 있고, 경화 반응에 의해 반도체 발광 소자와 접착하는 것을 들 수 있다.
또한, 여기에서 말하는 「형광체 함유 수지 성분이 열융착성을 갖는」이란 형광체 함유 수지 시트 중의 수지 성분에 온도 상승에 의해 탄성률이 대폭 저하되는 열가소성 성분을 갖고 있고, 가열해서 접합시킴으로써 반도체 발광 소자에 밀착하고, 실온으로 냉각시킴으로써 다시 탄성률이 높아져 고정화됨으로써 반도체 발광 소자와의 접착을 행하는 것을 가리킨다. 또한, 형광체 함유 수지 시트의 수지 성분 중에 경화성과 열융착성을 아울러 갖고, 가열에 의해 탄성률이 낮아져 반도체 발광 소자에 밀착되고, 더 가열함으로써 경화해서 반도체 발광 소자 상에 고정화되는 것이라도 상관없다.
접착층(5)은 형광체를 함유하고 있어도 상관없지만, 통상 입자를 고농도로 함유시키면 접착력이 저하되므로 접착층(5)은 형광체를 포함하지 않거나, 또는 형광체 함유 수지 시트(2)보다 낮은 농도의 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 도 4(b)에서 나타낸 이형층(4)과, 도 4(c)에서 나타낸 접착층(5)을 양쪽 갖는 것도 가능하다.
도 4(d)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 다른 일례이다. 기재(1) 상에 형광체 함유 수지 시트(2)가 배열되어 있고, 기재(1)는 형광체 함유 수지 시트(2)의 각 구획의 경계와 거의 같은 위치에 있어서 오목부를 갖고 있다. 이때, 기재의 오목부는 기재가 일체인 한은 부분적으로는 기재를 관통하는 균열선으로 되어 있어도 좋다. 이러한 구성이면, 형광체 함유 수지 시트(2)의 1개의 구획만을 박리할 때에 인접한 구획이 박리될 일이 없어지기 때문에 바람직하다. 구획으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)를 구획마다 기재로부터 박리할 때에, 기재에 이러한 오목부가 없으면 구획이 매우 작을 때에는 인접한 구획도 동시에 박리되어 버릴 우려가 있지만, 기재를 관통하지 않는 깊이로 오목부가 형성되어 있으면 응력이 분산되어 인접한 구획에는 큰 박리력이 작용하지 않기 때문이다. 이러한 기재(1)의 오목부는 도 4(b)에서 나타낸 이형층(4)을 갖는 구성의 경우나, 도 4(c)에서 나타낸 형광체 함유 수지 시트(2) 상에 접착층을 갖는 경우, 또는 도 4(b)와 도 4(c)의 이형층(4) 및 접착층(5)을 갖는 경우에 있어서도 적용 가능하다.
(기재)
장척의 기재(1)로서는 공지의 금속, 필름, 유리, 세라믹, 종이 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는 알루미늄(알루미늄 합금도 포함함), 아연, 구리, 철 등의 금속판이나 박, 셀룰로오스아세테이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리페닐렌술피드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리비닐아세탈, 아라미드 등의 수지 필름, 플라스틱(폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 등)이 라미네이트, 코팅되거나, 상기와 같은 금속이 라미네이트 또는 증착된 종이 또는 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 형광체 함유 수지 시트(2)를 반도체 발광 소자에 부착할 때의 밀착성으로부터 기재는 유연한 필름 형상인 것이 바람직하고, 또한 필름 형상의 기재를 취급할 때에 파단 등의 우려가 없도록 강도가 높은 필름이 바람직하다. 그들의 요구 특성이나 경제성의 면에서 수지 필름이 바람직하고, 그 중에서도 PET 필름이 특히 바람직하다. 반송 구멍 등의 펀칭 가공을 행할 때에는 기계적 가공에 의한 펀칭 가공성으로부터 폴리페닐렌술피드 필름이 더욱 바람직하다. 수지의 경화에 200℃ 이상의 고온을 필요로 하는 경우에는 내열성의 면에서 폴리이미드 필름이 보다 바람직하다. 또한, 기재가 금속판인 경우 표면에 크롬계나 니켈계 등의 도금 처리나 세라믹 처리되어 있어도 좋다.
기재의 막 두께는 특별하게 제한은 없지만, 하한으로서는 25㎛ 이상이 바람직하고, 50㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한으로서는 5000㎛ 이하가 바람직하고, 3000㎛ 이하가 보다 바람직하다.
형광체 함유 수지 시트(2)의 성분으로서는 주로 수지와 형광체를 포함하는 것이면 특별하게 한정되지 않고 여러 가지 것을 사용하는 것이 가능하다. 필요에 따라 기타 성분을 포함하고 있어도 좋다.
(형광체)
형광체는 반도체 발광 소자로부터 방출되는 광을 흡수해서 파장을 변환하고, 반도체 발광 소자의 광과 다른 파장의 광을 방출하는 것이다. 이에 따라, 반도체 발광 소자들 방출되는 광의 일부와 형광체로부터 방출되는 광의 일부가 혼합하여, 백색을 포함하는 다색계의 발광 장치가 얻어진다. 구체적으로는, 청색계 반도체 발광 소자에 반도체 발광 장치로부터의 광에 의해 황색계의 발광색을 발광하는 형광체를 광학적으로 조합시킴으로써 단일의 반도체 발광 소자를 이용하여 백색계의 발광을 얻을 수 있다.
상술한 바와 같은 형광체에는 녹색으로 발광하는 형광체, 청색으로 발광하는 형광체, 황색으로 발광하는 형광체, 적색으로 발광하는 형광체 등의 여러 가지 형광체가 있다. 본 발명에 사용되는 구체적인 형광체로서는 무기 형광체, 유기 형광체, 형광 안료, 형광 염료 등 공지의 형광체를 들 수 있다. 유기 형광체로서는 알릴술포아미드·멜라민포름알데히드 공축합 염색물이나 페릴렌계 형광체 등을 들 수 있고, 장기간 사용 가능한 점으로부터 페릴렌계 형광체가 바람직하게 사용된다. 본 발명에 특히 바람직하게 사용되는 형광 물질로서는 무기 형광체를 들 수 있다. 이하에, 본 발명에 사용되는 무기 형광체에 대해서 기재한다.
녹색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 SrAl2O4: Eu, Y2SiO5: Ce, Tb, MgAl11O19: Ce, Tb, Sr7Al12O25: Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)Ga2S4: Eu 등이 있다.
청색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 Sr5(PO4)3Cl: Eu, (SrCaBa)5(PO4)3Cl: Eu, (BaCa)5(PO4)3Cl: Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)2B5O9Cl: Eu, Mn, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)(PO4)6Cl2: Eu, Mn 등이 있다.
녹색에서 황색으로 발광하는 형광체로서, 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·가돌리늄·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·알루미늄·가닛 산화물 형광체, 및 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·갈륨·알루미늄 산화물 형광체 등이 있다(소위 YAG계 형광체). 구체적으로는, Ln3M5O12: R(Ln은 Y, Gd, La로부터 선택되는 적어도 1 이상이다. M은 Al, Ca 중 적어도 어느 한쪽을 포함한다. R은 란타노이드계이다),（Y1-xGax)3(Al1-yGay)5O12: R(R은 Ce, Tb, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho로부터 선택되는 적어도 1 이상이다. 0<Rx<0.5, 0<y<0.5이다)을 사용할 수 있다.
적색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 Y2O2S: Eu, La2O2S: Eu, Y2O3: Eu, Gd2O2S: Eu 등이 있다.
또한, 현재 주류의 청색 LED에 대응해 발광하는 형광체로서는 Y3(Al, Ga)5O12: Ce, (Y, Gd)3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce, Y3Al5O12: Ce 등의 YAG계 형광체, Tb3Al5O12: Ce 등의 TAG계 형광체, (Ba, Sr)2SiO4: Eu계 형광체나 Ca3Sc2Si3O12: Ce계 형광체, (Sr, Ba, Mg)2SiO4: Eu 등의 실리케이트계 형광체, (Ca, Sr)2Si5N8: Eu, (Ca, Sr)AlSiN3: Eu, CaSiAlN3: Eu 등의 나이트라이드계 형광체, Cax(Si, Al)12(O, N)16: Eu 등의 옥시나이트라이드계 형광체, 또한 (Ba, Sr, Ca)Si2O2N2: Eu계 형광체, Ca8MgSi4O16Cl2: Eu계 형광체, SrAl2O4: Eu, Sr4Al14O25: Eu 등의 형광체를 들 수 있다.
이들 중에서는 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 실리케이트계 형광체가 발광 효율이나 휘도 등의 점에서 바람직하게 사용된다.
상기 이외에도 용도나 목적으로 하는 발광색에 따라 공지의 형광체를 사용할 수 있다.
형광체의 입자 사이즈는 특별하게 제한은 없지만, D50이 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 3㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, D50이 30㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 여기에서, D50이란 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정법에 의해 측정해서 얻어지는 체적 기준 입도 분포에 있어서, 소입경측으로부터의 통과분 적산이 50%가 될 때의 입자 지름을 말한다. D50이 상기 범위이면, 시트 중의 형광체의 분산성이 양호해서 안정된 발광이 얻어진다.
(수지)
본 발명에 사용되는 수지는 형광체를 내부에 함유시키는 수지이며, 최종적으로 시트를 형성한다. 따라서, 내부에 형광체를 균질하게 분산시키는 것이며, 시트 형성할 수 있는 것이면 어떠한 수지라도 상관없다. 구체적으로는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리아릴레이트 수지, PET 변성 폴리아릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 환상 올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리메틸메타아크릴레이트 수지, 폴리프로필렌 수지, 변성 아크릴, 폴리스티렌 수지 및 아크릴니트릴·스티렌 공중합체 수지 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는 투명성의 면으로부터 실리콘 수지나 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다. 또한, 내열성의 면으로부터 실리콘 수지가 특히 바람직하게 사용된다.
본 발명에서 사용되는 실리콘 수지로서는 경화형 실리콘 고무가 바람직하다. 1액형, 2액형(3액형) 중 어느 액 구성을 사용해도 좋다. 경화형 실리콘 고무에는 공기 중의 수분 또는 촉매에 의해 축합 반응을 일으키는 타입으로서 탈알콜형, 탈옥심형, 탈아세트산형, 탈히드록실아민형 등이 있다. 또한, 촉매에 의해 히드로실릴화 반응을 일으키는 타입으로서 부가 반응형이 있다. 이들 중 어느 타입의 경화형 실리콘 고무를 사용해도 좋다. 특히, 부가 반응형의 실리콘 고무는 경화 반응에 따른 부생성물이 없고, 경화 수축이 작은 점, 가열에 의해 경화를 빠르게 하는 것이 용이한 점에서 보다 바람직하다.
부가 반응형의 실리콘 고무는, 일례로서 규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물의 히드로실릴화 반응에 의해 형성된다. 이러한 재료로서는 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 프로페닐트리메톡시실란, 노보네닐트리메톡시실란, 옥테닐트리메톡시실란 등의 규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 메틸하이드로겐폴리실록산, 디메틸폴리실록산-CO-메틸하이드로겐폴리실록산, 에틸하이드로겐폴리실록산, 메틸하이드로겐폴리실록산-CO-메틸페닐폴리실록산 등의 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물의 히드로실릴화 반응에 의해 형성되는 것을 들 수 있다. 또한, 그 밖에도 예를 들면 일본 특허 공개 2010-159411호 공보에 기재되어 있는 바와 같은 공지의 것을 이용할 수 있다.
또한, 시판되고 있는 것으로서 일반적인 LED 용도의 실리콘 밀봉재를 사용하는 것도 가능하다. 구체예로서는 도레이·다우코닝사 제의 OE-6630A/B, OE-6336A/B나 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제의 SCR-1012A/B, SCR-1016A/B 등이 있다.
또한, 수지가 열융착성을 갖는 경우에는 형광체 함유 수지 시트 상에 별도 후술의 접착층을 설치할 필요가 없기 때문에 공정이 간략화된다. 광학 특성이나 내구성으로부터, 부가 반응형 실리콘 고무이며 열융착성을 갖는 것이 가장 바람직하다.
(기타 성분)
또한, 첨가제로서 도포막 안정화를 위한 분산제나 레벨링제, 시트 표면의 개질제로서 실란커플링제 등의 접착 보조제 등을 첨가하는 것도 가능하다. 또한, 형광체 침강 억제제로서 실리콘 미립자 등의 무기 입자를 첨가하는 것도 가능하다.
형광체 침강 억제용의 실리콘 미립자는 평균 입경(D50)이 0.01㎛ 이상 5㎛ 미만인 것이 바람직하다. 0.01㎛ 이상이면 실리콘 미립자의 제조와 형광체 함유 수지 시트 중으로의 분산이 용이하다. 5㎛ 미만이면 형광체 함유 수지 시트의 투과율에 악영향을 주지 않는다.
(형광체 함유량)
형광체의 함유량은 형광체 함유 수지 시트 전체의 53중량% 이상인 것이 바람직하고, 60중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 형광체 함유 수지 시트 중의 형광체 함유량을 상기 범위로 함으로써 형광체 함유 수지 시트의 내광성을 높일 수 있다. 또한, 형광체 함유량의 상한은 특별하게 규정되지 않지만, 작업성이 뛰어난 시트가 작성하기 쉽다고 하는 관점으로부터 형광체 함유 수지 시트 전체의 95중량% 이하인 것이 바람직하고, 90중량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 85중량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 80중량% 이하인 것이 특히 바람직하다.
(형광체 함유 수지 시트의 막 두께)
형광체 함유 수지 시트의 내열성을 향상시키는 관점으로부터 형광체 함유 수지 시트의 막 두께는 200㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서의 시트의 막 두께는 JIS K7130(1999) 플라스틱 -필름 및 시트- 두께 측정 방법에 있어서의 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법에 의거하여 측정되는 막 두께(평균 막 두께)를 말한다.
LED는 작은 공간에서 대량의 열이 발생하는 환경에 있고, 특히 하이파워 LED의 경우 발열이 현저하다. 이러한 발열에 의해 형광체의 온도가 상승함으로써 LED의 휘도가 저하된다. 따라서, 발생한 열을 어떻게 효율적으로 방열할지가 중요하다. 본 발명에 있어서는 시트 막 두께를 상기 범위로 함으로써 내열성이 뛰어난 시트를 얻을 수 있다. 또한, 시트 막 두께에 불균일이 있으면 반도체 발광 소자마다 형광체량에 차이가 발생하고, 결과적으로 발광 스펙트럼에 불균일이 발생한다. 따라서, 시트 막 두께의 불균일은 바람직하게는 ±5% 이내, 보다 바람직하게는 ±3% 이내, 더욱 바람직하게는 ±1.5% 이내이다. 또한, 여기에서 말하는 막 두께 불균일이란 JIS K7130(1999) 플라스틱 -필름 및 시트- 두께 측정 방법에 있어서의 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법에 의거하여 막 두께를 측정하고, 하기에 나타내는 식에 의해 산출된다.
보다 구체적으로는, 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법의 측정 조건을 이용하고, 시판되고 있는 접촉식의 두께계 등의 마이크로미터를 사용해서 막 두께를 측정하고, 얻어진 막 두께의 최대값 또는 최소값과 평균 막 두께의 차를 계산하고, 이 값을 평균 막 두께로 나누어서 100분율로 나타낸 값이 막 두께 불균일 B(%)가 된다.
막 두께 불균일 B(%)=(최대 막 두께 어긋남값*-평균 막 두께)/평균 막 두께×100
*최대 막 두께 어긋남값은 막 두께의 최대값 또는 최소값 중 평균 막 두께와의 차가 큰 쪽을 선택한다.
(기타 구성)
이형층(4)의 재료에 대해서는 특별하게 제한은 없고, 일반적으로 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 범용적인 이형제로서는 왁스, 유동 파라핀, 실리콘계, 불소계 등의 이형제가 있지만, 통상 수지의 이형제로서는 실리콘계, 불소계인 것이 많이 사용되고, 본 발명에 있어서도 이것들을 바람직하게 사용할 수 있다. 특히, 실리콘계의 것이 이탈성이 높아 바람직하다. 이형층(4)의 재료 선정이나 기재 상으로의 도포량은 필요한 박리 강도에 따라 결정된다. 즉, 이형제의 종류, 양을 적정하게 선정함으로써 형광체 함유 수지 시트를 원하는 형상으로 가공할 때에는 기재로부터 박리되지 않고, 또한 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 부착할 때에는 신속하게 기재로부터 박리할 수 있다. 박리 강도는 동일한 이형제를 동료 사용한 경우에도 형광체 함유 수지 시트의 조성에 따라 다르므로, 필요한 박리성을 얻기 위해서는 사용하는 형광체 함유 수지 시트마다 조정하는 것이 바람직하다.
접착층(5)의 재료로서는 특별하게 제한은 없지만, 일반적인 고무계, 아크릴계, 우레탄계, 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다. 어떤 것을 사용해도 좋지만, 내열성, 절연성, 투명성에 적합한 점착제로서는 실리콘계 점착제가 유용하다.
접착층(5)의 두께는 2㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 점착제의 종류에 상관없이 2㎛ 이상 있으면 높은 점착 강도가 얻어진다. 200㎛ 이하임으로써 형광체 함유 수지 시트(2)를 원하는 형상으로 가공할 때에 접착층(5)의 점착성이 문제를 일으키지 않고 가공할 수 있고, 또한 반도체 발광 소자에 부착한 후에 광학적인 손실을 초래하지 않는다. 또한, 반도체 발광 소자 표면의 구조나 실장 전극 등의 돌기물을 매립할 필요가 있을 경우, 그것들의 구조는 통상 100㎛ 이하이므로 접착층(5)의 막 두께가 200㎛ 이하에서 충분한 매립성을 얻을 수 있다.
형광체 함유 수지 시트(2)에는 보호 필름이 설치되어 있어도 좋다. 보호 필름의 재료로서는 특별하게 제한은 없지만, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 셀로판 등을 들 수 있다. 또한, 보호 필름은 실리콘계나 불소계 등 공지의 이형제에 의해 이형 처리되어 있어도 좋다. 도 4(c)와 같이, 형광체 함유 수지 시트(2) 상에 접착층(5)이 존재하는 경우에는 접착층(5) 상에 보호 필름을 설치할 수 있다.
(수지 시트 적층체의 제작 방법)
본 발명의 수지 시트 적층체를 제조하는 방법을 설명한다. 또한, 이것들은 일례이며 본 발명의 수지 시트 적층체의 제조 방법은 이것들에 한정되는 것은 아니다.
기재(1) 상에 형광체 함유 수지 시트(2)를 후술의 방법으로 적층한다. 이어서, 포토레지스트를 적층하고, 패턴 가공을 실시함으로써 방촉 패턴을 형성하고, 그것을 마스크로 해서 형광체 함유 수지 시트(2)를 용해하는 것이 가능한 약액에 의해 에칭을 실시하여 형광체 함유 수지 시트(2)를 원하는 형상으로 분할한다. 포토레지스트로서는 시판하는 것을 이용할 수 있다.
또한, 별도의 방법으로서 기재(1) 상에 패턴이 형성된 스크린 인쇄판을 겹치고, 거기에 형광체를 수지 용액에 분산시킨 페이스트를 스퀴지에 의해 충전해서 인쇄, 건조함으로써 원하는 형상으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)를 형성한다. 이 방법에서는 형광체 함유 수지 시트(2)를 기재 상에 형성하는 데에 스크린 인쇄 등 패턴 형상으로 인쇄할 수 있는 방법을 사용하기 때문에, 직접적으로 원하는 패턴의 형광체 함유 수지 시트(2)를 얻을 수 있다. 스크린 인쇄판은 형광체 함유 수지 시트(2)에 포함되는 용제에 내구성이 있는 것을 선택할 필요가 있다. 스테인리스사에 고내약품성 수지에 의한 패턴이 실시된 것이 바람직하다.
또한, 별도의 방법으로서 기재(1) 상에 형광체 함유 수지 시트(2)를 후술의 방법으로 형성한다. 그 후에, 금형에 의한 펀칭, 레이저에 의한 가공, 또는 블레이드에 의한 절삭 중 어느 하나의 가공 방법에 의해 형광체 함유 수지 시트(2)를 원하는 형상으로 분할, 가공한다. 형광체 함유 수지 시트(2)를 각각의 구획으로 분할할 때에는 기재가 일체화한 상태가 되도록, 적어도 일부에 있어서 기재를 관통하지 않는 것이 중요하고, 그것을 위한 방법으로서는 블레이드에 의한 절삭이 바람직하다. 블레이드에 의한 절삭 방법으로서는 단순한 블레이드를 압입해서 자르는 방법과, 회전 블레이드에 의해 자르는 방법이 있다. 회전 블레이드에 의해 절단하는 장치로서는 다이서라고 불리는 반도체 기판을 개별의 칩으로 절단(다이싱)하는 데에 사용하는 장치를 바람직하게 이용할 수 있다. 다이서를 사용하면 회전 블레이드의 두께나 조건 설정에 의해 분할 라인의 폭을 정밀하게 제어할 수 있기 때문에, 단순한 블레이드의 압입에 의해 절단하는 것보다 높은 가공 정밀도가 얻어진다.
어느 블레이드를 사용하는 방법에 있어서나 매우 정밀한 블레이드의 위치 제어를 행하면 형광체 함유 수지 시트(2)를 분할하면서 기재를 절단하지 않는 것이 가능하지만, 현실적으로는 항상 완전하게 동일한 깊이로 절단하는 것은 매우 곤란하다. 따라서, 절단 깊이가 약간 어긋났을 경우에 형광체 함유 수지 시트(2)가 깔끔히 분할되지 않게 되어 버리는 것을 막기 위해서, 절단 깊이는 기재를 부분적으로 절단하는 깊이로 설정해 두는 것이 바람직하다.이 방법으로 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조했을 경우에는 사실상 대부분의 경우에 형광체 함유 수지 시트(2)의 절단 위치와 거의 동일한 위치에 기재를 관통하지 않는 오목부가 새겨진 것이 된다. 이 경우, 오목부는 연속적 또는 단속적인 홈 형상으로 형성되는 경우가 많지만, 기재가 분단되어 버리지 않는 한에 있어서 오목부가 부분적으로는 기재를 관통하는 균열선으로 되어 있어도 상관없다.
어느 방법에 의해서나 바람직하게 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조할 수 있지만, 특히 바람직한 것은 형광체 함유 수지 시트(2)를 형성하고 나서 각각의 구획으로 가공하는 방법이다. 레지스트, 약액이나 판재를 형광체 함유 수지 시트(2)에 접촉시키는 것에 의한 시트 손상의 우려가 없으므로, 균일한 형광체 함유 수지 시트(2)를 얻는 것이 용이하다.
본 발명의 수지 시트 적층체의 제작 방법을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 이하는 일례이며 수지 시트 적층체의 제작 방법은 이것에 한정되지 않는다. 우선, 형광체 함유 수지 시트 형성용의 도포액으로서 형광체를 수지에 분산시킨 용액(이하 「시트 용액」이라고 함)을 제작한다. 시트 용액은 형광체와 수지를 적당한 용매 중에서 혼합함으로써 얻어진다. 부가 반응형 실리콘 수지를 사용하는 경우에는 규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물을 혼합하면 실온에서도 경화 반응이 시작되는 경우가 있으므로, 아세틸렌 화합물 등의 히드로실릴화 반응 지연제를 시트 용액에 더 배합하여 포트 라이프를 연장하는 것도 가능하다. 또한, 첨가제로서 도포막 안정화를 위한 분산제나 레벨링제, 시트 표면의 개질제로서 실란커플링제 등의 접착 보조제 등을 시트 용액에 혼합하는 것도 가능하다. 또한, 형광체 침강 억제제로서 실리콘 미립자 등의 무기 입자를 시트 용액에 혼합하는 것도 가능하다.
용매는 유동 상태의 수지의 점도를 조정할 수 있는 것이면 특별하게 한정되지 않는다. 예를 들면, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 헥산, 아세톤 등을 들 수 있다.
이들 성분을 소정의 조성이 되도록 조합한 후, 호모지나이저, 자공전형 교반기, 3단 롤러, 볼 밀, 유성식 볼 밀, 비드 밀 등의 교반·혼련기로 균질하게 혼합 분산시킴으로써 시트 용액이 얻어진다. 혼합 분산 후, 또는 혼합 분산의 과정에서 진공 또는 감압 조건 하에서 탈포하는 것도 바람직하게 행해진다.
이어서, 시트 용액을 기재 상에 도포하고, 건조시킨다. 도포는 리버스 롤 코터, 블레이드 코터, 슬릿다이 코터, 다이렉트 그라비어 코터, 오프셋 그라비어 코터, 리버스 롤 코터, 블레이드 코터, 키스 코터, 스크린 인쇄, 내츄럴 롤 코터, 에어나이프 코터, 롤 블레이드 코터, 바리바 롤 블레이드 코터, 투 스트림 코터, 로드 코터, 와이어 바 코터, 애플리케이터, 딥 코터, 커튼 코터, 스핀 코터, 나이프 코터 등에 의해 행할 수 있다. 시트 막 두께의 균일성을 얻기 위해서는 슬릿다이 코터로 도포하는 것이 바람직하다. 또한, 스크린 인쇄나 그라비어 인쇄, 평판 인쇄 등의 인쇄법을 이용해서도 제작할 수도 있다. 특히, 스크린 인쇄가 바람직하게 사용된다.
시트의 건조는 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치를 이용하여 행할 수 있다. 시트의 가열 경화에는 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치가 사용된다. 이 경우, 가열 경화 조건은 통상 40∼250℃에서 1분∼5시간, 바람직하게는 100℃∼200℃에서 2분∼3시간이다.
상기한 바와 같이, 기재 상에 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)는 상술한 바와 같은 방법으로 소정의 형상과 구획으로 분할할 수 있다.
또한, 도 2 및 3에 나타내는 바와 같이 단순한 직사각형 이외의 형광체 함유 수지 시트(2)의 분할 형상을 얻고 싶을 경우에는 포토마스크 또는 스크린판으로서 원하는 패턴인 것을 준비해 두는 것만으로 좋다. 균일한 형광체 함유 수지 시트(2)를 후에 구획 형상으로 가공할 경우에는 형광체 수지층을 개별의 구획으로 분할하는 가공의 전후에 레이저 가공 등에 의해 가공을 실시할 필요가 있다.
[형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자의 접합]
이어서, 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 수지 시트 적층체는 장척의 기재 상에 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 갖고, 상기 수지 시트의 구획이 상기 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있으므로,
(A) 상기 장척의 기재 상에 상기 형광체 함유 수지 시트의 하나의 구획을 하나의 반도체 발광 소자의 발광면에 대향시키는 위치 맞춤 공정, 및
(B) 가압 툴에 의해 가압해서 상기 형광체 함유 수지 시트의 상기 하나의 구획과 상기 하나의 반도체 발광 소자의 발광면을 접착시키는 접착 공정
을 적어도 포함하고, (A) 및 (B)의 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 접착을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법에 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, (A) 및 (B)의 공정을 반복해 행한다는 것은 장척의 기재 상에 상기 형광체 함유 수지 시트의 n번째의 구획과 n개째의 반도체 발광 소자의 발광면의 세트에 대하여 (A) 및 (B) 공정을 행한 후, n+1번째의 구획과 n+1개째의 반도체 발광 소자의 발광면의 세트에 대하여 (A) 및 (B) 공정을 행하는 조작을 반복하여 행하는 것을 말한다. 여기에서, n은 1 이상의 정수이다.
도 5는 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트(2)가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법의 제 1 예이다. 장척의 기재(1)에 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 배열되어 있고, 이것들과 마주보는 위치에 이동 스테이지(8) 상에 반도체 발광 소자(9)가 배치되어 있다. 제 1 예는 상기 반도체 발광 소자가 상기 접착 공정이 행해지는 스테이지에 있어서 1의 방향으로 반복 배치되어 있는, 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법이다.
도 5(a)에서 나타내는 바와 같이, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 1 구획과 제 1 반도체 발광 소자(9)의 발광면이 대향하도록 각각의 위치를 맞춘다. 이 쌍방을 위치 맞춤함에 있어서 광학적인 위치 맞춤 시스템을 장비하고 있는 것이 바람직하다.
이어서, 도 5(b)에서 나타내는 바와 같이 가압 툴(7)을 사용하여 기재(1)의 측으로부터 가압함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)가 접착된다.
이어서, 도 5(c)에서 나타내는 바와 같이 가압 툴(7)을 상방으로 인상해서 가압을 멈춘다. 이때, 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착력과, 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)의 접착력을 적절하게 조정해 둠으로써 가압 툴(7)을 인상함과 동시에 기재(1)가 형광체 함유 수지 시트(2)로부터 박리되고, 형광체 함유 수지 시트(2)만이 반도체 발광 소자(9)에 접착된 상태가 된다.
기재(1)와 수지 시트의 접착력을 적절하게 조정하는 방법으로서는 기재(1)의 재질을 선택하는 방법이나, 도 4(b)에서 나타내는 바와 같이 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2) 사이에 이형층(4)을 설치하는 것을 예시할 수 있다.
이어서, 도 5(d)에서 나타내는 바와 같이 수지 시트 적층체와 반도체 발광 소자를 배열한 스테이지를 이동시키고, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획(도면에서는 부호 2'로 나타냄)과 제 2 반도체 발광 소자(9)(도면에서는 부호 9'로 나타냄)를 대향시켜서 위치 맞춤한다.
이렇게 해서, 도 5(b)∼도 5(d)에 나타내는 조작을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트(2) 첨부 반도체 발광 소자(10)를 높은 스루풋으로 연속적으로 생산할 수 있다.
이 제 1 예에서는 반도체 발광 소자는 미리 하나의 방향으로 반복 배치되어 있다. 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법은 반드시 이러한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 반도체 발광 소자가 스테이지에 개별적으로 이송되는 형태라도 좋지만, 제 1 예에 나타내는 형태는 보다 바람직한 실시형태로서 예시된다.
도 6에 본 발명에 의한 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트(2)가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법의 제 2 예를 나타낸다. 제 2 예는 상기 형광체 함유 수지 시트의 길이 방향의 배열 피치와 상기 반도체 발광 소자의 하나의 방향의 배열 피치가 같은, 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법이다.
여기에서, 형광체 함유 수지 시트의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자의 배열 피치가 같다는 것은 반도체 발광 소자에 형광체 함유 수지 시트를 접착시킬 때에 새로운 위치 맞춤을 필요로 하지 않을 정도로 피치가 같은 것을 말한다.
제 1 예에서는 수지 시트 적층체에 있어서의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자(9)의 배열 피치가 달랐기 때문에, 개개의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 반도체 발광 소자(9)를 개별적으로 위치 맞춤할 필요가 있었다. 제 2 예에서도 개별적으로 위치 맞춤을 행해도 좋지만, 미리 복수개의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 복수개의 반도체 발광 소자(9)의 위치 맞춤을 할 수도 있기 때문에 개별의 위치 맞춤을 생략할 수 있다.
따라서, 제 2 예에 있어서의 바람직한 실시형태는,
상기 (A)공정이 (C) 상기 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 복수개의 발광면을 각각 한번에 대향시키는 위치 맞춤 공정이고,
상기 (B)공정이 (D) 가압 툴에 의해 가압해서 상기 형광체 함유 수지 시트의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 발광면을 순차적으로 접착시키는 접착 공정이고,
(C) 및 (D)의 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 접착을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법이다.
도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 기재(1)에 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 배열되어 있고, 이것들과 마주보는 위치에 스테이지(8) 상에 반도체 발광 소자(9)가 배치되어 있는 기재(1) 상의 형광체 함유 수지 시트(2)와, 스테이지(8) 상의 반도체 발광 소자(9)는 동일한 피치로 배열되어 있고, 동시에 복수개의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 복수개의 반도체 발광 소자(9)가 위치를 맞춰서 대향되어 있다.
도 6(b)에서 나타내는 바와 같이, 가압 툴(7)을 사용하여 기재(1)의 측으로부터 가압함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 1 구획과 제 1 반도체 발광 소자(9)가 접착된다.
이어서, 도 6(c)에서 나타내는 바와 같이 가압 툴(7)을 상방으로 인상해서 가압을 멈춘다. 이때, 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착력과, 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)의 접착력을 적절하게 조정해 둠으로써 가압 툴(7)을 인상함과 동시에 기재(1)가 형광체 함유 수지 시트(2)로부터 박리되고, 형광체 함유 수지 시트(2)만이 반도체 발광 소자(9)에 접착된 상태가 된다.
계속해서, 도 6(d)에서 나타내는 바와 같이 가압 툴(7)이 이동하여 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획과 제 2 반도체 발광 소자(9) 상으로 이동한다.
이어서, 도 6(b)∼(d)에 나타내는 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자(10)를 높은 스루풋으로 연속적으로 생산할 수 있다.
형광체 함유 수지 시트의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자의 배열 피치가 같은 범위는 장척의 기재 전체에 걸쳐져 있을 필요는 없다. 수개∼십수개 정도라도 각각의 피치가 같은 부분이 있으면 그 범위에 대해서 상기 제 2 예를 실시하는 것이 가능해서 택트 타임을 짧게 할 수 있다. 피치가 어긋나 오는 부분에서 다시 공정(D)을 행하면 좋다.
또한, 도 6(d)에서는 가압 툴을 이동시키는 방법을 예시했지만, 가압 툴과, 위치 맞춤된 수지 시트 적층체 및 스테이지의 세팅은 상대적으로 이동의 관계에 있으면 좋다. 따라서, 가압 툴은 정지하고 있고 위치 맞춤된 수지 시트 적층체 및 스테이지의 세트를 이동시켜도 좋고, 양쪽 모두 움직여도 좋다.
또한, 형광체 함유 수지 시트의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자의 배열 피치가 같을 경우에는 복수개의 형광체 함유 수지 시트의 구획과 반도체 발광 소자에 대하여 가압을 실시하여 이것들을 동시에 접착할 수 있다. 즉, 상기 (E)공정에 있어서 대향시킨 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획 중 2개 이상을 동시에 가압함으로써, 상기 2개 이상의 형광체 함유 수지 시트의 구획을 2개 이상의 반도체 발광 소자의 발광면에 접착시킬 수 있다.
제 2 예의 변형예로서, 상기 (D)공정에 있어서 대향시킨 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획 중 2개 이상을 동시에 가압함으로써, 상기 2개 이상의 형광체 함유 수지 시트의 구획을 2개 이상의 반도체 발광 소자의 발광면에 접착시키는 방법을 들 수 있다. 도 7은 3개의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과, 3개의 반도체 발광 소자(9)를 일괄 가압 툴(13)에 의해 동시에 가압 접착하고 있는 예를 나타내고 있다. 도 7에 있어서는 동시에 가압·접착하고 있는 형광체 함유 수지 시트의 구획과 반도체 발광 소자의 수는 각각 3개이지만, 개수에 제한은 없다.
도 8(도 8a∼도 8b)은 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트(2)가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법의 제 3 예이며, 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착력이 비교적 높고, 가압 툴(7)과는 별도로 박리 툴을 필요로 할 경우의 예이다.
도 8a의 (a)는 기재(1)에 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 배열되어 있고, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 마주보는 위치에 이동 스테이지(8) 상에 반도체 발광 소자(9)가 배치되어 있다. 수지 시트 적층체의 기재(1)측에 가압 툴(7)과 박리 롤(11)이 배치되어 있다.
도 8a의 (b)에서 나타내는 바와 같이, 가압 툴(7)을 사용하여 기재(1)의 측으로부터 가압함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)가 접착된다. 그것과 동시에, 또는 그러고 나서 박리 롤(11)은 가압 툴(7)과 같은 높이까지 떨어져서 기재(1)에 접촉한다.
도 8a의 (c)에서 나타내는 바와 같이, 가압 툴(7)이 올라가서 가압을 해제해도 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착력이 비교적 강할 경우, 기재(1)가 자동적으로 형광체 함유 수지 시트(2)로부터 박리되지 않는다.
도 8a의 (d)에 나타내는 바와 같이, 기재(1), 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)는 접착된 상태에서 도면 우측 방향으로 이송된다.
도 8b의 (e) 및 (f)에서 나타내는 바와 같이, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획과 제 2 반도체 발광 소자(9)가 가압 툴(7)에 의해 접착되고, 수지 시트 적층체와 반도체 발광 소자는 도면의 더 우측 방향으로 이송된다.
도 8b의 (g)에 있어서, 제 1 형광체 함유 수지 시트(2)와 제 1 반도체 발광 소자(9)가 박리 롤(11)에 도달한 시점에서 기재(1)는 반도체 발광 소자(9)의 끝으로부터 순차적으로 상방으로 인상되고, 기재(1)가 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획으로부터 박리된다.
기재(1)를 형광체 함유 수지시트(2)로부터 박리하는 툴로서는 도 8a와 도 8b의 (a)∼(g)에 나타내는 바와 같은 박리 롤(11) 이외에도 도 8b의 (g')에 나타내는 바와 같은 흡착에 의해 상방으로 기재(1)를 인상하는 진공 흡착 박리 툴(12)이라도 좋다.
또한, 도 8에 있어서는 접착 전후의 반도체 발광 소자의 반송 속도를 변경할 수 있도록 해서 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획과 제 2 반도체 발광 소자(9)를 위치 맞춤하고 있다. 기재(1) 상의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 배열 피치와, 반도체 발광 소자(9)의 배열 피치가 다르기 때문에 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 1 구획과 제 1 반도체 발광 소자(9)를 접착하는 전후에서 기재(1)와 반도체 발광 소자(9)의 반송 속도가 모두 일정하면, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획과 제 2 반도체 발광 소자(9)를 위치 맞춤할 수 없기 때문이다. 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자(9)의 배열 피치가 같은 경우에는 그러한 조정을 행할 필요는 없다.
형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자의 발광면에 접착시킬 때에, 형광체 함유 수지 시트나 기재의 유연성에 따라서는 접착면에 기포가 들어가는 경우가 있다. 기포가 한번 들어가면 제거하는 것이 어렵고, 반도체 발광 소자로부터의 발광이 산란되어 광학 특성을 현저하게 손상시킨다. 따라서, 접착시에 기포가 들어가지 않도록 하는 것이 중요하지만, 그 방법으로서는 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자를 접착할 때에 면 전체에 있어서 동시에 균일하게 가압하는 것은 아니고, 일부분을 선행해서 가압하고, 거기에서 다른 영역을 향해서 가압하는 방법이 유효하다.
도 9는 기포 들어감을 막는 가압 툴 구조의 일례를 모식적으로 나타낸 것이다. 가압 툴 내부에 경첩과 같은 가동 부분(14)과, 스프링 등에 의한 탄성체 구조(15)를 갖고 있다. 가압을 개시하면 앞에 툴의 탄성체 구조(15)를 갖는 측이 수지 시트 적층체를 가압하기 시작하고, 가압 툴을 눌러서 내려감으로써 탄성체 구조(15)가 축소되고, 동시에 가동 부분(14)이 접혀서 탄성체 구조(15)의 끝으로부터 그 반대측의 끝을 향해서 가압해 가게 되고, 공기는 도면 중 오른쪽으로부터 왼쪽으로 압출되어 가므로 기포의 들어감을 막는 것이 가능해진다.
도 10은 기포 들어감을 막는 가압 툴의 제 2 예이다. 가압 롤(16)에 의해 기재(1)의 측으로부터 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획을 가압하고, 반도체 발광 소자(9)의 발광면 상에 접착된다. 가압 롤(16)은 도면의 우측으로부터 좌측을 향해서 가압하고, 이에 따라 접착 계면의 공기는 순차적으로 압출되어 기포의 들어감을 막는 것이 가능해진다.
도 9 및 도 10에서 나타낸 기포 들어감을 막는 가압 툴 구조는 도 5∼8에서 설명한 제조 방법 중 어느 쪽에나 적용 가능하다. 또한, 도 9 및 도 10은 모두 가압 툴이 기재측으로부터 가압할 경우의 예이지만, 이하에 설명하는 바와 같이 가압 툴이 반도체 발광 소자측으로부터 가압할 경우라도 적용할 수 있다. 즉, 가압 대상의 구획의 일부분을 선행해서 가압하고, 거기에서 다른 영역을 향해서 가압하는 것이 바람직하다.
도 5∼도 10에서 나타낸 제조 방법은 모두 본 발명의 수지 시트 적층체를 형광체 함유 수지 시트(2)를 하향으로 배치하고, 그 아래에 반도체 발광 소자(9)를 발광면을 위로 해서 스테이지 상에 배열하고, 수지 시트 적층체의 기재(1)측으로부터 가압 툴(7)로 가압해서 접착하는 방법이지만, 수지 시트 적층체, 반도체 발광 소자 및 가압 툴의 배치의 상하는 반드시 이 순서에 한정되는 것은 아니고, 수지 시트 적층체가 아래에, 반도체 발광 소자가 위에 배치되어 있어도 상관없고, 접착 공정에 있어서 가압 툴은 반도체 발광 소자측으로부터 가압하는 것도 가능하다.
도 11에 일례를 나타낸다. 이 예는,
(E) 스테이지 상에 수지 시트 적층체를 수지 시트의 구획이 위로 되도록 배치하는 공정,
(F) 반도체 발광 소자의 발광면을 하향으로 상기 수지 시트의 구획과 대향시키는 공정, 및
(G) 반도체 발광 소자측으로부터 가압함으로써 상기 수지 시트의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 발광면을 접착시키는 공정을 포함하는 방법이다.
수지 시트 적층체는 기재(1)를 아래로, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획을 위를 향해서 스테이지(8) 상에 배치되어 있다. 반도체 발광 소자(9)는 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 상부에 배치되고, 반도체 발광 소자(9)의 상부로부터 반도체 발광 소자를 흡착하여 지지한 가압 툴(7)에 의해 가압되어 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 반도체 발광 소자(9)가 접착된다.
도 5∼도 11에서 나타낸 모든 경우에 있어서, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 접착성, 점착성을 갖는 경우나, 또는 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획 상에 접착성, 점착성의 수지층이 적층되어 있을 경우에는 가압 툴에 의한 가압에 의해 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)는 서로 접착한다. 형광체 함유 수지 시트(2)가 열융착성일 경우나, 형광체 함유 수지 시트(2) 상에 열융착성을 갖는 수지가 적층되어 있을 경우에는 가압 툴에 의한 가압의 동안에 열을 부여함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 반도체 발광 소자(9)가 서로 접착한다.
가압의 동안에 열을 부여하는 방법으로서는 가압 툴(7)에 가열 기능을 갖게 하는 방법, 반도체 발광 소자(9)를 배열하는 스테이지(8)에 가열 기능을 갖게 하여 반도체 발광 소자(9)를 가열하는 방법, 적외선 등의 복사열을 이용하는 방법, 가압하는 장소의 분위기 온도를 높이는 방법 등을 적용할 수 있다.
도 5 및 도 7∼도 11에 있어서의 각 제조 방법에 있어서, 본 발명의 수지 시트 적층체와 반도체 발광 소자는 상대적으로 이동함으로써 연속적으로 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 반도체 발광 소자(9)의 접착을 행한다. 상대적으로 이동시키는 방향으로서는, 예를 들면 도 12(a)에 나타내는 바와 같이 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획으로 이루어지는 수지 시트 적층체의 길이 방향과, 반도체 발광 소자를 배열한 스테이지의 방향을 평행하게 하는 것이 일반적이지만, 반드시 평행할 필요는 없고 도 12(b)에 나타내는 바와 같이 직행하고 있어도 좋다. 즉, 반도체 발광 소자가 접착 공정이 행해지는 스테이지에 있어서 하나의 방향으로 반복 배치되어 있을 때의 「하나의 방향」은 형광체 함유 수지 시트의 길이 방향과 동일하지 않아도 좋다.
또한, 도 13에는 반도체 발광 소자(9)가 XY방향으로 이동하는 스테이지(19)에 2차원으로 배열되었을 경우의 예를 나타낸다. 수지 시트 적층체와 XY 이동 스테이지(19)를 서로 X방향으로 이동시키면서 2차원으로 배치된 반도체 발광 소자의 1행분의 배열에 대하여 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착을 순차적으로 행하고, 1행분의 반도체 발광 소자에 대하여 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착이 완료되면, 이어서 XY 이동 스테이지를 반도체 발광 소자 1열분 Y방향으로 이동시켜 제 2 행에 대하여 순차적으로 형광체 함유 수지 시트(2)를 접착해 감으로써, 2차원 형상으로 배치된 반도체 발광 소자에 대하여 연속적으로 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착을 행할 수 있는 것이다.
수지 시트 적층체 상의 형광체 함유 수지 시트(2)도 또한 2차원 형상으로 배치되어 있어도 좋고, 도 14에 나타내는 바와 같이 수지 시트 적층체와 반도체 발광 소자 각각을 2차원 형상으로 배열하고, 상대적으로 2차원 형상으로 이동시켜서 순차적으로 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)의 접착을 행하는 것도 가능하다. 즉, 수지 시트의 구획이 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있을 경우에 있어서는 상기 구획이 상기 길이 방향 이외의 방향에도 반복 배치되어 있는 것은 방해할 수 없다.
마찬가지로, 반도체 발광 소자가 접착 공정이 이루어지는 스테이지에 있어서 하나의 방향으로 반복 배치되어 있을 경우에 있어서는 상기 반도체 발광 소자가 상기 하나의 방향 이외의 방향에도 반복 배치되어 있는 것은 방해할 수 없다. 또한, 예를 들면 도 14에 있어서의 Y방향의 복수행에 대해서 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 위치 맞춤이 가능하면, 2행 이상을 동시에 접착시켜도 좋다.
도 5 및 도 7∼도 11에 있어서의 각 제조 방법에 있어서, 본 발명의 수지 시트 적층체의 형광체 함유 수지 시트(2)는 모두 반도체 발광 소자의 상부 발광면에 평면적으로 부착되는 도면에서 나타내고 있지만, 각 제조 방법은 모두 반도체 발광 소자의 측면 부분에까지 형광체 함유 수지 시트(2)를 부착하는 방법으로서 응용할 수 있다. 도 15에 일례를 나타낸다.
도 15(a)와 같이, 스테이지(8) 상에 배치된 반도체 발광 소자(9) 상에 본 발명의 수지 시트 적층체가 형광체 함유 수지 시트(2)를 하면으로 해서 배치되고, 기재측에 오목부를 갖는 가압 툴(7)이 배치된다. 형광체 함유 수지 시트(2)는 반도체 발광 소자(9)의 상부 발광면보다 크게 설계되어 있다.
도 15(b)에서 나타내는 바와 같이, 오목부를 갖는 가압 툴(7)로 기재측으로부터 수지 시트 적층체를 반도체 발광 소자(9) 상에 압박해서 가압한다. 이때, 가압 툴(7)의 오목부에 반도체 발광 소자(9)가 둘러싸이고, 수지 시트 적층체는 반도체 발광 소자(9)의 상면과, 측면의 일부에 압박되어 가압된다.
도 15(c)에서 나타내는 바와 같이, 가압 툴(7)을 상부로 이동시켜 분리함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)에 의해 상면 전체와 측면의 일부분을 피복한 반도체 발광 소자(9)가 제조된다. 반도체 발광 소자(9)가 측면에도 발광의 방사 방향을 갖는 경우에는 이와 같이 측면까지 형광체 함유 수지 시트(2)로 덮을 필요가 있지만, 본 발명에 의하면 용이하게 측면을 피복하는 것이 가능하다.
1 : 기재 2, 2' : 형광체 함유 수지 시트
3 : 반송 구멍 4 : 이형층
5 : 접착층 6 : 기재 상의 홈
7 : 가압 툴 8 : 이동 스테이지
9, 9' : 반도체 발광 소자
10 : 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자
11 : 박리 롤 12 : 흡착 박리 툴
13 : 일괄 가압 툴 14 : 가동 부분
15 : 탄성체 구조 16 : 가압 롤
19 : 스테이지

Claims (20)

  1. 장척의 기재 상에 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 갖고, 상기 수지 시트의 구획이 상기 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 시트의 막 두께는 200㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 수지 시트는 상기 장척의 기재의 폭 방향으로 복수열 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장척의 기재에 반송 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장척의 기재와 상기 수지 시트 사이에 이형층을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 시트의 상기 장척의 기재와 반대측의 면에 접착층 또는 점착층이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 시트는 열융착성을 갖는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장척의 기재에 있어서 상기 수지 시트의 구획과 대략 일치하는 위치에 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 시트는 LED의 발광면에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법으로서,
    (A) 상기 장척의 기재 상의 상기 형광체 함유 수지 시트의 하나의 구획을 하나의 반도체 발광 소자의 발광면에 대향시키는 위치 맞춤 공정, 및
    (B) 가압 툴에 의해 가압해서 상기 형광체 함유 수지 시트의 상기 하나의 구획과 상기 하나의 반도체 발광 소자의 발광면을 접착시키는 접착 공정
    을 적어도 포함하고, (A) 및 (B)의 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 접착을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 반도체 발광 소자는 상기 접착 공정이 행해지는 스테이지에 있어서 하나의 방향으로 반복 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 형광체 함유 수지 시트의 길이 방향의 배열 피치와 상기 반도체 발광 소자의 하나의 방향의 배열 피치가 같은 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 (A)공정은 (C) 상기 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 복수개의 발광면을 각각 한번에 대향시키는 위치 맞춤 공정이고,
    상기 (B)공정은 (D) 가압 툴에 의해 가압해서 상기 형광체 함유 수지 시트의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 발광면을 순차적으로 접착시키는 접착 공정이고,
    (C) 및 (D)의 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 접착을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 (D)공정에 있어서 대향시킨 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획 중 2개 이상을 동시에 가압함으로써, 상기 2개 이상의 형광체 함유 수지 시트의 구획을 2개 이상의 반도체 발광 소자의 발광면에 접착시키는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  15. 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 공정에 있어서 가압 툴은 기재측으로부터 가압하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  16. 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 공정에 있어서 가압 툴은 반도체 발광 소자측으로부터 가압하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  17. 제 10 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    형광체 함유 수지 시트의 구획과 반도체 발광 소자의 발광면을 접착시킨 후, 가압 툴과는 다른 박리 툴을 이용하여 기재를 박리하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  18. 제 10 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 공정에 있어서 가압 툴은 가압 대상의 구획의 일부분을 선행해서 가압하고, 거기에서 다른 영역을 향해서 가압하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    가압 툴은 가압 롤인 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  20. 제 9 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접착 공정에 있어서 가압과 함께 가열하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.
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