KR20180011159A - 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 led를 본딩 패키징하는 공정방법 - Google Patents

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Abstract

롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법은, 적어도 광 변환 필름시트 준비 단계, 광 변환 필름시트 어레이의 성형 및 절단단계, LED 패키지 소자의 롤링 본딩 성형 단계 및 LED 패키지 소자의 경화 성형 단계로 구성된 흐름식 연속 공정을 포함한다. 연속적인 롤링에 의해 LED를 본딩 패키징하는 뚜렷한 장점이 있고, 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 조건 요구를 만족시킬 수 있어, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 효율 및 우수 제품 비율을 향상시킬 수 있다.

Description

롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법
본 발명은 광 변환체 LED의 패키징 기술분야에 관한 것으로, 특히 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에 관한 것이다.
LED는 휘도가 높고, 열량이 적고, 수명이 길고, 환경친화적이고, 재활용이 가능한 장점을 보유하고 있어, 21세기 가장 발전 전망이 있는 차세대 녹색 조명으로 불린다. 현재, LED의 이론적 수명은 100000시간 이상에 도달할 수 있으나, 실제 사용 시, 칩 오류, 패키징 오류, 열 과응력 오류, 전기적 과응력 오류 및/또는 조립 오류 등 다양한 요인의 제한을 받게 되고, 특히 패키징 오류로 인하여, LED의 광 감쇠 또는 광 오류 현상이 빨리 나타나게 되고, 이는 새로운 에너지 절약 조명광원으로서의 LED의 발전속도를 방해한다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 업계의 많은 학자들이 관련 연구를 진행하였고, LED 광효율 및 실제 사용 수명을 향상시킬 수 있는 일부 개선조치를 제시했다. 예를 들면 최근 몇 년 동안 새롭게 개발된 플립형 LED는 종래의 일반형(正裝) LED에 비해, 광 효율이 높고, 신뢰도가 높으며 집적이 용이한 장점이 있고, 또한 패키징 재료가 크게 간소화되었고, 예컨대 종래의 일반형 LED 패키징의 금 와이어(金線), 다이 본딩 접착제, 지지체 등 재료가 모두 더 이상 필요 없게 되었고, 패키징 공정의 절차도 크게 간소화되었고, 예컨대 종래의 일반형 LED 패키징 공정의 다이 본딩, 용접 와이어, 심지어 분광 등이 모두 더 이상 필요하지 않게 되어, 플립형 LED가 점점 광범위하게 사용되고 있다. 그러나 동시에, 종래의 플립형 LED 패키징 기술은 대부분 유기 실리콘 수지계 광 변환체와 플립형 LED 칩을 본딩하는 캐스팅(流延) 공정, 스크린 인쇄 공정, 상하 평판 몰드 공정, 단일 롤러 압착 공정 등을 사용했고, 이러한 공정 및 이와 결합된 패키징 장비는 모두 유기 실리콘 수지계 광 변환체에 존재하는 기공, 두께 불균일 등의 결함을 잘 해결할 수 없어 광 변환체 LED패키징의 수율이 낮아지고, 동시에 낮은 생산 효율로 인해 제품 비용이 높다.
중국 특허출원 제201010204860.9호는 “플립형 LED 칩의 패키징 방법”을 공개했고, (a) 스크린 인쇄를 통해 광 변환체를 LED 칩 표면에 코팅하고, 광 변환체를 가열하여 경화시키는 단계; (b) LED 칩을 칩 기판 상에 고정하여, LED 칩 전극과 칩 기판 전극을 결합(鍵合)시키는 단계; (c) LED 칩 및 칩 기판을 지지체 반사컵의 컵 바닥에 고정시키는 단계; (d) 도선을 이용하여, 고정된 칩 기판의 양의 전극과 음의 전극을 지지체의 양의 전극과 음의 전극에 각각 연결시키는 단계; (e) 패키징 몰드 또는 렌즈를 LED 칩 및 칩 기판이 고정되어 있는 지지체에 커버한 후, 실리카겔을 충진시키는 단계; (f) 전체 구조를 가열하여 경화시키는 단계; 를 포함한다. 비록 상기 방법은 스크린 인쇄 공정을 통해 광 변환체 코팅 두께의 균일성을 향상시키고, 형광분말 입자의 분포 균일성을 높여, 수율을 향상시키는 목적에 도달하였으나, 여전히 아래와 같은 명백한 단점이 존재한다. 첫째, 스크린 인쇄는 유기 실리콘 수지계의 광 변환체를 LED 칩 표면에 코팅한 후, 가열 및 경화하는 과정에서 열 과응력 영향을 받게 되어 여전히 광 변환체 코팅층과 LED 칩의 코팅면 층에 부분적으로 기포가 발생하여 고르지 못한 결함을 형성하게 되고, 둘째, 패키징 몰드 또는 렌즈 커버에 실리카겔을 충진시켜 광 변환체가 코팅되어 있는 LED 칩과 패키징한 후 전체 구조를 가열 및 경화하는 과정에서 열 과응력 영향을 받게 되므로, 여전히 패키징 몰드 또는 렌즈 커버 중의 실리카겔 표면층에 부분적으로 기포가 발생하여 고르지 못한 결함을 형성하게 된다. LED 칩의 패키징 과정에서 열 과응력 영향을 받는 것을 해결할 수 없다면, 필연적으로 LED의 광 효율 감소로 이어지고, 셋째는 전체 LED 칩 패키징 공정에서 지능형 제어 시스템이 없이 제어를 할 경우, 수율의 향상에 직접적으로 영향을 준다.
중국 특허출원 제201310270747.4호는 “광 변환체층이 피복된 LED 및 이의 제조방법 및 LED 장치”를 공개했고, 상기 방안은, 지지 시트의 두께 방향의 한쪽 면에 LED를 배치하는 LED 배치 공정; 활성 에너지선의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지 및 광 변환체를 함유하는 형광 수지 조성물로 형성되는 광 변환체층을 LED를 피복하도록 지지시트의 두께 방향의 한쪽 면에 배치하는 층 배치 공정; 활성 에너지선을 광 변환체층에 조사하여 광 변환체층을 경화시키는 경화 공정; LED에 대응하게 광 변환체층을 절단하여, LED와 LED를 피복하는 광 변환체층을 구비하는 광 변환체층이 피복된 LED를 얻는 절단 공정; 및 절단 공정 후에, 광 변환체층이 피복된 LED를 지지 시트로부터 박리하는 LED 박리 공정;을 포함한다. 상기 방법의 목적은 손상을 방지하도록 LED의 주위에 광 변환체를 균일하게 배치시켜, 광 변환체층이 피복된 LED를 얻는 방법 및 상기 광 변환체층이 피복된 LED를 구비하는 LED 장치를 제공하는 것이다. 그러나 여전히 아래와 같은 명백한 단점이 존재한다. 첫째, 광 변환체의 형광 수지 조성물은 경화과정에서, 열 과응력 영향을 받아, 여전히 광 변환체 표면층에 부분적으로 기포가 발생하여 고르지 못한 결함을 형성하게 되고, 둘째, 광 변환체층이 피복된 LED는, 여전히 열 과응력 영향을 받아, LED 사용 시 광 효율이 감소되고, 셋째, 전체 패키징 공정에서 공정 절차가 비교적 복잡하여, LED 패키징의 생산 효율이 높지 않고, 넷째, 상하 평판 몰드 공정으로 인해 플립 칩에 변위가 발생하게 되고, 또한 정확한 제어를 위한 지능형 제어 시스템이 없으므로, 필연적으로 수율이 낮아진다.
중국 특허출원 제201380027218.X호는 “수지 시트 적층체 및 그것을 사용한 반도체 발광 소자의 제조 방법”을 공개했고, 상기 방안에서 설명한 수지 시트 적층체는  기재 상에 형광체 함유 수지층이 설치되어 있는 것이고, 기재는 길이 방향과 폭 방향을 갖고, 상기 형광체 함유 수지층은 길이 방향으로 반복 배치되어 열을 이루고 있는 복수의 블록을 구비한다. 비록 상기 방안의 발명의 목적은, 상기 수지 시트 적층체를 통해, 형광체 함유 수지층이 부착된 반도체 발광소자의 색이나 휘도의 균일성, 제조의 용이함, 설계의 자유도 등을 향상시키는 것이지만 여전히 아래와 같은 명백한 단점이 존재한다. 첫째, 사용된 형광체 수지 시트는 경화된 형광체 수지 시트이므로 내부에 잔존하는 기공, 고르지 않은 문제 또는 기타 가공 결함 등을 효과적으로 해소할 수 없고, 둘째, 접착공정에서, 가압 도구는 반도체 발광소자로부터 측 방향으로 가압하므로 반도체 발광소자를 손상시키고, 셋째, 형광체 수지층에 접착제를 함유하는 접착 공정을 이용하면, 접착 후의 반도체 발광소자 중의 잔류물을 제거하기 어렵고, 접착과정에서 기공이 발생하기 쉬우므로 수율이 낮아지고, 동시에, 접착층의 존재로 인해 LED 소자의 출광 효율을 더 감소시키고, 넷째, 반도체 발광소자의 발광면에 접착된 형광체 수지 시트의 기재가 박리되지 않아, 반도체 발광소자의 광 효율에 직접적으로 영향을 미치고, 다섯째, 형광체 수지층은 복수의 블록이 길이 방향으로 반복 배치되어 열을 이루는 방식으로 형성되는데, 상기 형광체 수지층의 복수의 블록의 배치를 실현하는 실제 조작 절차가 복잡하여 전체 소자의 패키징 효율에 영향을 미치고, 복수의 블록의 위치 상의 배치 오차는 후속 발광소자와의 부착의 정밀도에 직접적으로 영향을 미치고, 복수의 블록 간의 크기 및 두께의 일치성 요구를 또한 만족시키지 못할 경우, 심각한 제품 일치성 문제를 초래할 수 있다.
결론적으로, 종래기술에 존재하는 단점을 극복하는 것은 현재 광 변환체로 LED를 패키징하는 기술분야에서 시급히 해결해야 할 중요한 문제 중 하나가 되었다.
본 발명의 목적은 종래 기술에 존재하는 단점을 극복하기 위한 것으로, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법을 제공하는 것이고, 본 발명은 연속적인 롤링에 의해 LED를 본딩 패키징하는 뚜렷한 장점이 있고, 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 조건의 요구를 만족시킬 수 있어, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 효율 및 수율을 향상시킨다.
본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에 있어서, 적어도 광 변환 필름시트 준비 단계, 광 변환 필름시트 어레이의 롤링 성형 및 절단 단계, LED 패키지 소자의 롤링 본딩 성형 및 LED 패키지 소자의 경화 성형 단계로 구성된 흐름식 연속공정을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 공정방법의 기본단계는,
단계 1, 적어도 열가소성 수지 및 광 변환 재질을 포함하여 조성된 광 변환 필름시트를 얻는, 광 변환 필름시트 준비 단계;
단계 2, 진공 조건 하에서, 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해, 단계 1에서의 광 변환 필름시트에 대해 협동(同) 롤링 성형 및 절단을 진행하여, 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이를 얻고, 상기 광 변환 필름시트 어레이 중의 각 단일 광 변환 필름시트는 상호간에 단일 광 변환 필름시트를 분할하는 절단 슬릿이 구비되는, 광 변환 필름시트 어레이의 롤링 성형 및 절단 단계;
단계 3, 진공 조건 하에서, 단계 2에서의 광 변환 필름시트 어레이와 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이에 대해 서로 마주하게 정렬되는 롤링 본딩을 진행하여, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 상기 광 변환 필름시트 어레이의 단일 광 변환 필름시트의 오목홈 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻고, 상기 LED 플립칩은 단일 LED 플립칩 또는 LED 플립칩 어셈블리를 의미하며, 상기 LED 플립칩 어셈블리는 2개 이상의 단일 LED 플립칩으로 구성되는, LED 패키지 소자의 롤링 본딩 성형 단계;
단계 4, 진공 조건 하에서, 냉각 경화 방법으로, 상기 LED 패키지 소자를 경화시켜, LED 플립칩 어레이 상에 부착된 각 단일 광 변환 필름시트를 수축시켜 자연스럽게 패키징되도록 함으로써, LED 패키지 소자 완성품을 얻는, LED 패키지 소자의 경화 성형 단계; 를 포함한다.
필요에 따라, 단계 4에서 설명한 LED 패키지 소자 완성품에 대해, 연신기를 통해 신축성 캐리어 필름시트를 연신시켜, 연신 후 LED 패키지 소자 완성품을 절단 슬릿을 따라 분할함으로써, 단일 LED 패키지 소자 완성품을 얻을 수 있다.
본 발명의 실현원리는 다음과 같다. 본 발명은 종래의 LED 플립칩 패키징 공정에 존재하는 문제점을 더 잘 해결하기 위하여, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 새로운 공정을 독창적으로 설계했다. 본 발명의 롤링 본딩 패키징 원리는 한편으로는, 진공 조건 하에서, 롤러로 롤링하여 열가소성 수지 광 변환 필름시트 중 고르지 못한 부분에 소성 흐름이 생기도록 하여, 광 변환 필름시트에 잔존할 수 있는 기공, 고르지 못한 부분 또는 기타 가공 결함 등을 제거하여, 기공이 없고, 평탄하고 두께가 균일한 정밀 광 변환 필름시트를 얻는 것이고; 다른 한편으로는, 롤링된 열가소성 수지 광 변환 필름시트가 가공과정에서 소성 변형되어, 필요한 최적화된 광 변환체 발광면 형상(예컨대 호형, 반구형 및 직사각형 등)을 형성하게 하여, LED 패키지 소자의 출광 효율 및 출광 균일성을 향상시키는 것이다. 또한 본 발명은 연속적인 공정으로서, LED 패키지 소자를 대량 생산하기 위한 가공조건 및 규격크기의 완전 일치를 만족시키는데 유리하고, LED 패키지 소자의 생산 효율을 향상시킬 뿐만 아니라, 동시에 LED 패키지 소자 완성품의 광색의 일치성을 향상시키고, 우수 제품 비율이 크게 향상시킨다.
종래 기술에 비해 본 발명의 뚜렷한 장점은 다음과 같다.
첫째, 본 발명에서 제공한 공정방법은 롤링 방식으로 LED를 본딩 패키징하는 새로운 제조 공정이고, 종래의 캐스팅 공정, 스크린 인쇄 공정, 상하 평판 몰드 공정 및 단일 롤러 압착 공정 등 종래 공정에 존재하는 본딩 패키징한 LED의 출광 효율, 우수 제품 비율 및 생산 효율이 현저히 부족한 문제를 극복했고, 본 발명은 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 흐름식 연속 공정의 요구를 만족시킬 수 있어, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 효율 및 우수 제품 비율을 향상시켰다.
둘째, 본 발명에서 제공한 공정방법은 광 변환 필름시트에 잔존할 수 있는 기공, 고르지 못한 부분 및 기타 가공 결함 등을 효과적으로 제거할 수 있어, LED 패키지 소자 완성품의 광색의 일치성을 현저히 향상시키고, 본 발명에 따라 제조된 LED 패키지 소자의 우수 제품 비율은 종래의 동일한 종류의 제품에 비해 현저히 향상되었다.
셋째, 본 발명에서 제공한 협동 롤링 성형 및 절단 방식은, 롤링 성형 및 절단을 동시에 진행하므로, 종래의 공정에서 형광 시트와 LED 칩을 패키징한 다음 절단하는 공정과 비교했을 때, 광 변환 필름시트 어레이 중 단일 광 변환 필름시트의 크기 일치성을 효과적으로 보장함으로써 LED 패키지 소자 완성품의 우수 제품 비율을 보장했을 뿐만 아니라, 동시에 공정과정을 간소화하여, 생산 효율을 크게 향상시켰다.
넷째, 본 발명에서 제공한 롤링 성형을 통한 최적화된 광 변환 필름시트는, LED 패키지 소자의 출광 효율 및 출광 균일성을 향상시켰다.
다섯째, 본 발명에서 제공한 광 변환 필름시트 어레이의 협동 성형 및 절단, LED 패키지 소자의 본딩 성형 공정방법은 다양한 구체적인 실시예를 포함하며, 종래의 공정 기술의 단점을 극복할 수 있을 뿐만 아니라, 연속 공정 장치 시스템을 결합시키고 지능형 제어를 실시하기에 적합하여, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 요구를 만족시키고, 산업화 대규모 LED 패키징의 생산 효율을 현저히 향상시킬 뿐만 아니라, LED 패키지 소자 완성품의 광색의 일치성을 크게 상승시켜, 종래의 LED패키징 공정 중 분관공정을 생략할 수 있다.
여섯째, 본 발명에서 제공한 공정방법은 열가소성 수지 광 변환체와 전력 크기가 다양한 LED 플립칩의 본딩 패키징 공정에 널리 사용될 수 있고, 산업화 대규모 LED 패키징 과정에서 제품 생산 가공에 대한 정밀 가공 요구를 완전히 만족시킨다.
도 1은 본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 흐름을 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 제1 흐름 배치 구조 개략도이다.
도 3은 본 발명의 도 2에 도시된 제1 흐름 배치 구조 개략도 중 광 변환 필름시트를 준비하는 공정 개략도이다.
도 4는 본 발명의 도 2에 도시된 제1 흐름 배치 구조 개략도 중 광 변환 필름시트 어레이의 성형 및 절단, 및 LED 플립칩과 본딩 성형하는 공정 개략도이다.
도 5a는 본 발명의 도 2에 도시된 제1 흐름 배치 구조 개략도 중 광 변환 필름시트 어레이의 성형 및 절단 중의 절단 방식 1의 구조 개략도이다.
도 5b는 본 발명의 도 2에 도시된 제1 흐름 배치 구조 개략도 중 광 변환 필름시트 어레이의 성형 및 절단 중의 절단 방식 2의 구조 개략도이다.
도 6은 본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 제2 흐름 배치 구조 개략도이다.
도 7은 본 발명의 도 6에 도시된 제2 흐름 배치 구조 개략도 중 광 변환 필름시트 어레이의 성형 및 절단, 및 LED 플립칩과 본딩 성형하는 공정 개략도이다.
도 8은 본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 제3 흐름 배치 구조 개략도이다.
도 9는 본 발명의 도 8에 도시된 제3 흐름 배치 구조 개략도 중 광 변환 필름시트 어레이의 성형 및 절단, 및 LED 플립칩과 본딩 성형하는 공정 개략도이다.
도 10은 본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 제4 흐름 배치 구조 개략도이다.
도 11a는 본 발명의 도 10에 도시된 제4 흐름 배치 구조 개략도 중 광 변환 필름시트 어레이의 성형 및 절단의 공정 개략도이다.
도 11b은 본 발명의 도 10에 도시된 제4 흐름 배치 구조 개략도 중 성형 및 절단 후의 광 변환 필름시트 어레이를 LED 플립칩과 본딩 성형하는 공정 개략도이다.
도 12a는 본 발명에 따라 제조된 LED 패키지 소자 완성품의 평면 구조 개략도이다.
도 12b는 본 발명에서 연신을 통해 제조된 단일 LED 패키지 소자 완성품의 평면 구조 개략도이다.
도 13a는 본 발명에 따라 제조된 호형 LED 패키지 소자고, 도 13a-1은 좌측면도이고, 도 13a-2는 우측면도이고, 도 13a-3는 저면도이고, 도 13a-4는 사시도이다.
도 13b는 본 발명에 따라 제조된 반원형 LED 패키지 소자고, 도 13b-1은 좌측면도이고, 도 13b-2는 우측면도이고, 도 13b-3은 저면도이고, 도 13b-4는 사시도이다.
도 13c는 본 발명에 따라 제조된 직사각형 LED 패키지 소자고, 도 13c-1은 좌측면도이고, 도 13c-2는 우측면도이고, 도 13c-3는 저면도이고, 도 13c-4는 사시도이다.
이하, 도면 및 실시예를 결합하여 본 발명의 구체적인 실시방식에 대해 더 자세히 설명한다.
실시예 1:
도 1, 도 2, 도 8 및 도 10을 참조하면, 본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법은, 적어도 광 변환 필름시트 준비 단계, 광 변환 필름시트 어레이의 롤링 성형 및 절단 단계, LED 패키지 소자의 롤링 본딩 성형 및 LED 패키지 소자의 경화 성형 단계로 구성된 흐름식 연속공정을 포함하고, 상기 공정방법의 기본단계는,
단계 1, 적어도 열가소성 수지 및 광 변환 재질을 포함하여 조성된 광 변환 필름시트를 얻는, 광 변환 필름시트 준비 단계;
단계 2, 진공 조건 하에서, 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해, 단계 1에서의 광 변환 필름시트에 대해 협동(同) 롤링 성형 및 절단을 진행하여, 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이를 얻고, 상기 광 변환 필름시트 어레이 중의 각 단일 광 변환 필름시트는 상호간에 단일 광 변환 필름시트를 분할하는 절단 슬릿이 구비되는, 광 변환 필름시트 어레이의 롤링 성형 및 절단 단계;
단계 3, 진공 조건 하에서, 단계 2에서의 광 변환 필름시트 어레이와 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이에 대해 서로 마주하게 정렬되는 롤링 본딩을 진행하여, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 상기 광 변환 필름시트 어레이의 단일 광 변환 필름시트의 오목홈 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻고, 상기 LED 플립칩은 단일 LED 플립칩 또는 LED 플립칩 어셈블리를 의미하며, 상기 LED 플립칩 어셈블리는 2개 이상의 단일 LED 플립칩으로 구성되는, LED 패키지 소자의 롤링 본딩 성형 단계;
단계 4, 진공 조건 하에서, 냉각 경화 방법으로, 상기 LED 패키지 소자를 경화시켜, LED 플립칩 어레이 상에 부착된 각 단일 광 변환 필름시트를 수축시켜 자연스럽게 패키징되도록 함으로써, LED 패키지 소자 완성품을 얻는, LED 패키지 소자의 경화 성형 단계;를 포함한다.
특별히 설명드릴 것은,
본 발명은 LED 플립칩과 구조가 동일한 광전소자 또는 전자부품의 생산과 가공에 적용된다.
투광율이 높고, 내온성이 좋은 종래의 열가소성 수지는 모두 본 발명의 공정방법에 사용될 수 있고, 일반 LED 패키지 소자의 사용 시 리플로우 솔더링 온도조건을 만족시키기 위하여, 본 발명은 열변형 온도가 120℃~250℃ 범위 내인 열가소성 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 종래의 양자점 형광체, 형광분말은 모두 본 발명의 공정방법에 사용될 수 있다.
일반적으로, 본 발명에서 사용한 혼합 슬러리에는 접착제를 포함할 필요가 없고, 극단적인 조건에서의 LED 패키지 소자 완성품의 사용을 선택하여, 광 변환체와 LED 플립칩 사이의 접착력을 추가로 증강시켜야 할 경우에는, 본 발명에서 사용한 혼합 슬러리에 접착제를 포함시킬 수 있다.
본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 추가적인 바람직한 방안은 다음과 같다.
단계 1의 상기 광 변환 필름시트 준비 단계는, 진공 가열 조건에서, 적어도 열가소성 수지 및 광 변환 재질을 포함하는 혼합 슬러리를 활면 쌍롤러로 롤링하여, 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하고, 상기 혼합 슬러리를 활면 쌍롤러로 롤링하여, 광 변환 필름시트를 얻는다고 함은, 먼저 혼합 슬러리를 제1 활면 쌍롤러 롤링 압착기로 롤링 성형하여, 조제(粗制) 광 변환 필름시트를 얻은 다음, 성형된 조제 광 변환 필름시트를 제2 활면 쌍롤러 롤링 압착기로 롤링 성형하여, 정제(精制) 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하고, 상기 조제 광 변환 필름시트의 두께는 850㎛ 이내이고, 정제 광 변환 필름시트의 두께는 800㎛ 이내이고, 상기 혼합 슬러리를 활면 쌍롤러로 롤링하여, 광 변환 필름시트를 얻는다고 함은, 상기 혼합 슬러리를 3세트 이상의 쌍롤러로 롤링 성형하여, 정제 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하고, 상기 정제 광 변환 필름시트의 두께는 200㎛ 이내dl고, 상기 혼합 슬러리의 재질은 접착제를 더 포함할 수 있다. 도 3을 참고하기 바란다.
단계 1에서 선택된 열가소성 수지의 용융 온도는 180℃~320℃이고, 가장 바람직한 열가소성 수지의 용융 온도는 240℃~280℃이다.
단계 1에서의 혼합 슬러리의 온도는 180℃~320℃이고, 가장 바람직한 혼합 슬러리의 온도는 240℃~280℃이다.
단계 1에서의 광 변환 재질은 양자점 형광체이고, 상기 광 변환 필름시트는 양자점 필름시트이다.
단계 1에서의 광 변환 재질은 형광분말이고, 상기 광 변환 필름시트는 형광체 필름시트이다.
단계 2에서의 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 협동 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 롤링 성형 및 절단을 동시에 진행하는 것을 의미한다. 즉, 롤링 성형과 롤링 절단을 동시에 진행하여, 두 가지 기능을 한번에 실현하는 것을 의미한다.
단계 2에서의, 서로 마주하게 정렬된 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 상기 광 변환 필름시트를 롤링 성형하여, 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이를 얻는 것을 의미하고, 또한 상기 범프 어레이의 범프 외주 및/또는 상기 오목홈 어레이의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있고, 롤링 성형과 동시에 상기 광 변환 필름시트에 대해 절단 슬릿을 형성하기 위한 롤링 절단을 진행하여, 상기 단일 광 변환 필름시트를 분할하는 절단 슬릿을 형성한다.
단계 2에서의, 서로 마주하게 정렬된 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 범프 어레이 및 오목홈 어레이가 각각 구비된 쌍롤러 롤링 장치를 통해 상기 광 변환 필름시트에 대해 롤링 성형 및 절단을 동시에 진행하는 것을 의미하고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치는 상기 쌍롤러 롤링 장치 중 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러이고, 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치는 상기 쌍롤러 롤링 장치 중 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러이고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러의 범프 외주 또는 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있다. 도 5a 및 도 5b를 참고하기 바란다.
단계 2에서 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치를 통해 상기 광 변환 필름시트에 대해 롤링 성형 및 절단을 동시에 진행하는 것을 의미하고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러이고, 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러의 범프 외주 또는 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있다.
단계 2에서 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 범프 어레이가 구비된 제1 평면 전송장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러를 통해 상기 광 변환 필름시트에 대해 롤링 성형 및 절단을 동시에 진행하는 것을 의미하고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 평면 전송장치이고, 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러이고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 평면 전송장치의 범프 외주 또는 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있다.
단계 2에서의 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이 중의 단일 광 변환 필름시트의 외형 형상은 호형, 반구형 또는 직사각형이다.
단계 2에서의 협동 롤링 성형 및 절단을 진행하는 온도는 120℃~250℃이다.
열가소성 수지로 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 사용한 경우, 단계 2에서의 협동 롤링 성형 및 절단을 진행하는 온도는 120℃인 것이 바람직하고, 열가소성 수지로 변성 폴리메틸메타크릴레이트(M-PMMA)를 사용한 경우, 단계 2에서의 협동 롤링 성형 및 절단을 진행하는 온도는 200℃인 것이 바람직하고, 열가소성 수지로 변성 폴리카보네이트(M-PC)를 사용한 경우, 단계 2에서의 협동 롤링 성형 및 절단을 진행하는 온도는 250℃인 것이 바람직하다.
단계 2에서의 절단 슬릿의 깊이는 상기 정제 광 변환 필름시트 두께의 50%~100%이고, 가장 바람직한 절단 슬릿의 깊이는 상기 정제 광 변환 필름시트 두께의 70%~80%이다.
단계 2에서의 절단 슬릿의 폭은 20㎛ 이내이다.
본 발명에서 설명한 롤링 성형 및 절단에서 범프 외주 또는 오목홈 가장자리에 설치된 블레이드의 블레이드 폭은 단계 2에서의 절단 슬릿의 폭을 결정하고, 15㎛인 것이 바람직하다.
단계 2에서의, 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이 중의 오목홈의 길이, 폭, 높이의 크기는 LED 플립칩의 길이, 폭, 높이의 크기의 1.01~1.05배이다.
본 발명에서 설명한, 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이 중의 오목홈의 길이, 폭, 높이의 크기는 선택된 열가소성 수지의 수축율에 의해 결정되고, LED 플립칩의 길이, 폭, 높이의 크기의 1.02배인 것이 바람직하다.
단계 3에서 설명한 롤링 본딩은, 상기 광 변환 필름시트 어레이를 오목홈 어레이가 구비된 제4 단일 롤러 또는 오목홈 어레이가 구비된 제4 평면 전송장치에 설치하고, 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이를 롤러 표면이 활면인 제3 단일 롤러 또는 평면이 활면인 제3 평면 전송장치에 설치하여 롤링 본딩을 진행하여 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 상기 광 변환 필름시트 어레이의 단일 광 변환 필름시트의 오목홈 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻는 것이고, 광 변환 필름시트 어레이가 배치된 장치와 LED 플립칩이 배치된 장치 중 적어도 하나는 단일 롤러이다.
단계 3에서 설명한 롤링 본딩의 온도는 120℃~250℃이고, 가장 바람직한 롤링 본딩 온도는 180℃~220℃이다.
단계 3에서 설명한 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이 중의 캐리어 필름시트는 신축성 캐리어 필름시트이다.
단계 3에서 설명한 신축성 캐리어 필름시트의 재질은 고온 폴리에스테르 또는 폴리디메틸실록산, 폴리염화비닐로부터 선택된 1종이다.
단계 4에서 설명한 냉각 경화 방법은 기울기 냉각 경화 방법이거나 또는 균일 냉각 경화 방법이고, 그 중,
상기 기울기 냉각 경화 방법의 온도 기울기는, 복수의 기울기를 따라 LED 패키지 소자의 온도를 실온으로 냉각시키는 것을 의미하고, 냉각 경화 시간은 3~10min이고, 각각의 냉각 경화 단계의 시간은 다소 조절이 가능하다.
상기 균일 냉각 경화 방법은, LED 패키지 소자의 온도를 실온으로 균일하게 냉각시키는 것을 의미하고, 냉각 경화 시간은 3~10min이다.
추가로 설명드릴 것은, 상술한 협동 롤링 성형 및 절단 공정과 상기 롤링 본딩 공정의 구체적인 실시방식은 다음과 같다.
범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러를 통해 광 변환 필름시트에 대해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하고 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러와 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이의 활면인 제3 단일 롤러를 통해 LED의 롤링 본딩 패키징을 진행하는 공정은 도 4를 참조하기 바라며, 공정 흐름 배치는 도 2를 참조하기 바란다. 본 예에서, 오목홈 어레이가 구비된 제4 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러는 동일한 장치이다.
범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러를 통해 광 변환 필름시트에 대해, 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하고, 오목홈 어레이가 구비된 제4 단일 롤러와 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이의 활면인 제3 단일 롤러를 통해 LED의 롤링 본딩 패키징을 진행하는 공정은 도 7을 참조하기 바라고, 공정 흐름 배치는 도 6을 참조하기 바란다.
범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치를 통해 광 변환 필름시트에 대해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하고, 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치와 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이의 활면인 제3 단일 롤러를 통해 LED의 롤링 본딩 패키징을 진행하는 공정은 도 9를 참조하기 바라고, 공정 흐름 배치는 도 8을 참조하기 바란다. 본 예에서, 오목홈 어레이가 구비된 제4 평면 전송장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치는 동일한 장치이다.
범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러를 통해 광 변환 필름시트에 대해, 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하고, 오목홈 어레이가 구비된 제4 평면 전송장치와 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이의 활면인 제3 단일 롤러를 통해 LED의 롤링 본딩 패키징을 진행하는 공정은 도 11a 및 도 11b를 참조하기 바라고, 공정 흐름 배치는 도 10을 참조하기 바란다.
필요에 따라, 단계 4에서 설명한 LED 패키지 소자 완성품에 대해, 연신기를 통해 신축성 캐리어 필름시트를 연신시켜, 연신 후 LED 패키지 소자 완성품을 절단 슬릿을 따라 분할함으로써, 단일 LED 패키지 소자 완성품을 얻을 수 있다. 도 12a 및 도 12b를 참조하기 바라며, 얻어진 단일 LED 패키지 소자 완성품의 형상은, 도 13a, 도 13b 및 도 13c를 참조하기 바란다.
본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법은, 열가소성 수지 광 변환체와 전력 크기가 다양한 LED 플립칩의 본딩 패키징 공정에 널리 사용된다.
실시예 2:
본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 장치 시스템은, 광 변환 필름시트를 롤링 성형 및 롤링 절단하여 광 변환 필름시트 어레이를 형성하는 협동 롤링 성형 및 절단 장치, 및 상기 광 변환 필름시트 어레이와 LED 플립칩 어레이를 압착하는 롤링 본딩 장치를 포함하고, 상기 협동 롤링 성형 및 절단 장치와 상기 롤링 본딩 장치는 순차적으로 협동 연동되는 공정 장치를 구성하고, 그 중, 상기 협동 롤링 성형 및 절단 장치는 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 포함하고, 상기 롤링 본딩 장치는 서로 마주하게 정렬된, 오목홈 어레이가 구비된 제4 롤링 장치와 롤링 표면이 활면인 제3 롤링 장치를 포함하고, 그 중,
상기 협동 롤링 성형 및 절단 장치 중 제1 롤링 장치의 범프 어레이의 범프 외주 및/또는 상기 제2 롤링 장치의 오목홈 어레이의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있고, 도 5a, 도 5b를 참조하기 바란다.
상기 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러 또는 범프 어레이가 구비된 제1 평면 전송장치이고, 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러 또는 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치 중 적어도 하나는 단일 롤러이다.
상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러 또는 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치 중 오목홈 어레이의 오목홈 형상은 호형, 반구형 또는 직사각형이다.
상기 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러 또는 범프 어레이가 구비된 제1 평면 전송장치 중, 범프 어레이의 범프의 형상은 플립칩의 형상과 동일하고, 범프 길이, 폭, 높이의 크기는 각각 플립칩의 길이, 폭, 높이의 크기의 1.01~1.05배이다.
상기 롤링 본딩 장치 중 오목홈 어레이가 구비된 제4 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제4 단일 롤러 또는 오목홈 어레이가 구비된 제4 평면 전송장치이고,
상기 롤링 본딩 장치 중의 제3 롤링 장치는 활면인 제3 단일 롤러 또는 활면인 제3 평면 전송장치이고, 상기 제4 롤링 장치와 제3 롤링 장치 중 적어도 하나는 단일 롤러이고,
상기 제4 단일 롤러 또는 제4 평면 전송장치 중 오목홈 어레이의 오목홈 형상은 상기 제2 단일 롤러 또는 제2 평면 전송장치 중의 오목홈 어레이의 오목홈 형상과 동일하다.
상기 협동 롤링 성형 및 절단 장치 중의 제2 롤링 장치와 상기 롤링 본딩 장치 중의 제4 롤링 장치는 이중 기능이 구비된 동일한 장치이다.
추가로 설명드릴 것은, 상기 협동 롤링 성형 및 절단 장치와 상기 롤링 본딩 장치의 구체적인 실시방식은 다음과 같다.
제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러이고, 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러이고, 제3 롤링 장치는 활면인 제3 단일 롤러이고, 제4 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러인 경우, 도 4를 참조하기 바라며, 본 예에서, 오목홈 어레이가 구비된 제4 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러는 동일한 장치이다.
제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러이고, 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러이고, 제3 롤링 장치는 활면인 제3 단일 롤러이고, 제4 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제4 단일 롤러인 경우, 도 6을 참조하기 바란다.
제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러이고, 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치이고, 제3 롤링 장치는 활면인 제3 단일 롤러이고, 제4 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치인 경우, 도 9를 참조하기 바라며, 본 예에서, 오목홈 어레이가 구비된 제4 평면 전송장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치는 동일한 장치이다.
제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러이고, 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러이고, 제3 롤링 장치는 활면인 제3 단일 롤러이고, 제4 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제4 평면 전송장치인 경우, 도 11a 및 도 11b를 참조하기 바란다.
상기 평면 전송장치는 2개 이상의 롤러에 의해 평면 전송 벨트를 지지하면서 전진시키는 장치이고, 적어도 하나의 롤러는 모터에 의해 구동된다.
상기 장비 시스템은 LED 패키지 소자 완성품을 얻기 위한 냉각 경화 장치를 더 포함하고, 상기 냉각 경화 장치는 상기 롤링 본딩 장치 후방에 위치하는 공정장비이다.
상기 장비 시스템은 LED 패키지 소자 완성품을 얻기 위한 냉각 경화 장치를 더 포함하고, 상기 냉각 경화 장치는 상기 롤링 본딩 장치 후방에 위치하는 공정장비이다.
상기 냉각 경화 장치는 온도 조절 부품 및 컨베이어 벨트 통로가 설치된 터널식 다중 온도 영역 장치를 포함한다.
상기 장비 시스템은 광 변환 필름시트를 제조하기 위한 쌍롤러 롤링 압착 장치를 더 포함하고, 상기 쌍롤러 롤링 압착 장치는 상기 협동 롤링 성형 및 절단 장치 전방에 위치한 공정장치이다.
상기 쌍롤러 롤링 압착 장치는 제1 활면 쌍롤러 롤링 압착기를 포함하고, 상기 제1 활면 쌍롤러 롤링 압착기는 서로 마주하게 정렬되어 롤링하는 롤링 표면이 활면인 활면 단일 롤러(A1)와 롤링 표면이 활면인 활면 단일 롤러(A2)를 포함한다.
상기 쌍롤러 롤링 압착 장치는 제2 활면 쌍롤러 롤링 압착기를 포함하고, 상기 제2 활면 쌍롤러 롤링 압착기는 서로 마주하게 정렬되어 롤링하는 롤링 표면이 활면인 활면 단일 롤러(B1)와 롤링 표면이 활면인 활면 단일 롤러(B2)를 더 포함한다. 도 3을 참조하기 바란다.
상기 A 쌍롤러 롤링 압착기의 쌍롤러의 간격은 850㎛ 이내이고, B 쌍롤러 롤링 압착기의 쌍롤러의 간격은 800㎛ 이내다.
상기 장비 시스템은 적어도 열가소성 수지 및 광 변환 재질을 혼합시키는 용융 혼합 장치를 더 포함하고, 상기 용융 혼합 장치는 상기 쌍롤러 롤링 압착 장치 전방에 위치하는 공정장비이다.
상기 용융 혼합 장치, 쌍롤러 롤링 압착 장치, 협동 롤링 성형 및 절단 장치, 롤링 본딩 장치와 냉각 경화 장치는 순차적으로 협동 연동되어, 흐름식 연속 공정장비를 구성한다. 도 2, 도 6, 도 8 및 도 10을 참조하기 바란다.
본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 형광체로 LED를 본딩 패키징하는 장비 시스템은, 다양한 열가소성 수지 광 변환체와 다양한 전력의 LED 플립칩을 본딩 패키징하는 새로운 공정에 널리 사용될 수 있다.
본 발명의 구체적인 실시예에서 언급되지 않은 설명은 해당분야의 공지기술에 해당하므로, 공지기술을 참고하여 추가로 실시할 수 있다.
본 발명은 반복적인 실험 검증을 통해, 만족스러운 실험 효과를 얻었다.
이상 구체적인 실시방식 및 실시예는 본 발명에서 제공한 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법의 기술사상을 구체적으로 뒷받침하는 것으로, 이에 의해 본 발명의 보호범위를 한정해서는 안되고, 본 발명에서 제공한 기술사상에 따라, 본 기술방안을 바탕으로 진행한 모든 동등한 변경 또는 등가적 변동은 모두 본 발명의 기술방안의 보호범위에 해당한다.
1-1 용융 혼합 장치
2-1 제1 활면 쌍롤러 롤링 압착기의 활면 단일 롤러(A1)
2-2 제1 활면 쌍롤러 롤링 압착기의 활면 단일 롤러(A2)
2-3 제2 활면 쌍롤러 롤링 압착기의 활면 단일 롤러(B1)
2-4 제2 활면 쌍롤러 롤링 압착기의 활면 단일 롤러(B2)
2-5 혼합 슬러리
2-6 조제 광 변환 필름시트
2-7 정제 광 변환 필름시트
3-1 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러
3-2 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러
3-3 활면인 제3 단일 롤러
3-4 오목홈 어레이가 구비된 제4 단일 롤러
3-5 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치
3-6 오목홈 어레이가 구비된 제4 평면 전송장치
4-1 제1 단일 롤러 상의 범프
4-2 제2 단일 롤러 상의 오목홈
4-3 범프 외주 블레이드
4-4 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트
4-5 LED 플립칩
4-6 캐리어 필름시트
4-7 LED 패키지 소자
4-8 오목홈 가장자리 블레이드
4-9 제4 단일 롤러 상의 오목홈
5 경화 장치
6-1 LED 플립칩 버퍼롤러
6-2 제1 버퍼롤러
6-3 제2 버퍼롤러
7 권취 롤러

Claims (28)

  1. 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법에 있어서,
    적어도 광 변환 필름시트 준비 단계; 광 변환 필름시트 어레이의 롤링 성형 및 절단 단계; LED 패키지 소자의 롤링 본딩 성형 및 LED 패키지 소자의 경화 성형 단계로 구성된 흐름식 연속 공정을 포함하고, 상기 공정방법의 기본 단계는,
    단계 1, 적어도 열가소성 수지 및 광 변환 재질을 포함하여 조성된 광 변환 필름시트를 얻는, 광 변환 필름시트 준비 단계;
    단계 2, 진공 조건 하에서, 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해, 상기 단계 1에서의 광 변환 필름시트에 대해 협동 롤링 성형 및 절단을 진행하여, 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이를 얻고, 상기 광 변환 필름시트 어레이 중의 각 단일 광 변환 필름시트는 상호간에 단일 광 변환 필름시트를 분할하는 절단 슬릿이 구비되는, 광 변환 필름시트 어레이의 롤링 성형 및 절단 단계;
    단계 3, 진공 조건 하에서, 상기 단계 2에서의 광 변환 필름시트 어레이와 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이에 대해 서로 마주하게 정렬되는 롤링 본딩을 진행하여, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 상기 광 변환 필름시트 어레이의 단일 광 변환 필름시트의 오목홈 내로 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻고, 상기 LED 플립칩은 단일 LED 플립칩 또는 LED 플립칩 어셈블리를 의미하며, 상기 LED 플립칩 어셈블리는 2개 이상의 단일 LED 플립칩으로 구성되는, LED 패키지 소자의 롤링 본딩 성형 단계;
    단계 4, 진공 조건 하에서, 냉각 경화 방법으로 상기 LED 패키지 소자를 경화시켜, LED 플립칩 어레이 상에 부착된 각 단일 광 변환 필름시트를 수축시켜 자연스럽게 패키징되도록 함으로써, LED 패키지 소자 완성품을 얻는, LED 패키지 소자의 경화 성형 단계;
    를 포함하는 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단계 1에서의, 상기 광 변환 필름시트 준비 단계는, 진공 가열 조건에서, 활면 쌍롤러를 통해 적어도 열가소성 수지 및 광 변환 재질을 포함하는 혼합 슬러리를 롤링하여, 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 활면 쌍롤러를 통해 상기 혼합 슬러리를 롤링하여, 광 변환 필름시트를 얻는 것은, 먼저 제1 활면 쌍롤러 롤링 압착기를 통해 혼합 슬러리를 롤링 성형하여, 조제 광 변환 필름시트를 얻은 후, 제2 활면 쌍롤러 롤링 압착기를 통해 성형된 조제 광 변환 필름시트를 롤링 성형하여, 정제 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 조제 광 변환 필름시트의 두께는 850㎛ 이내고, 정제 광 변환 필름시트의 두께는 800㎛ 이내인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 활면 쌍롤러를 통해 상기 혼합 슬러리를 롤링하여, 광 변환 필름시트를 얻는 것은, 3세트 이상의 쌍롤러를 통해 상기 혼합 슬러리를 롤링 성형하여, 정제 광 변환 필름시트를 얻는 것을 의미하고, 상기 정제 광 변환 필름시트의 두께는 800㎛ 이내인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 단계 1에서의 혼합 슬러리의 온도는 180℃~320℃인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 단계 1에서의 혼합 슬러리의 온도는 240℃~280℃인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 단계 1에서의 광 변환 재질은 양자점 형광체이고, 상기 광 변환 필름시트는 양자점 형광체 필름시트인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 단계 1에서의 광 변환재는 형광분말이고, 광 변환 필름시트는 형광체 필름시트인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 혼합 슬러리의 재질 중에는 접착제를 포함하는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  11. 제1항, 제4항, 제5항 또는 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 서로 마주하게 정렬된 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 협동 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 서로 마주하게 정렬된 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것을 의미하고, 롤링 성형과 롤링 절단을 동시에 진행하여, 두 가지 기능을 한번에 실현하는 것을 의미하는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 상기 광 변환 필름시트를 롤링 성형하여, 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이를 얻는 것을 의미하고,
    또한, 상기 범프 어레이의 범프 외주 및/또는 상기 오목홈 어레이의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있고, 롤링 성형과 동시에 상기 광 변환 필름시트에 대해 절단 슬릿을 형성하는 롤링 절단을 진행하여, 상기 단일 광 변환 필름시트를 분할하는 절단 슬릿을 형성하는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 상기 광 변환 필름시트에 대해 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러를 통해 롤링 성형 및 절단을 동시에 진행하는 것을 의미하고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러이고, 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러이고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러의 범프 외주 또는 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 상기 광 변환 필름시트에 대해 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러와 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치를 통해 롤링 성형 및 절단을 동시에 진행하는 것을 의미하고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러이고, 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치이고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 단일 롤러의 범프 외주 또는 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 평면 전송장치의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 서로 마주하게 정렬된, 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치를 통해 동시에 롤링 성형 및 절단을 진행하는 것은, 상기 광 변환 필름시트에 대해 범프 어레이가 구비된 제1 평면 전송장치와 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러를 통해 롤링 성형 및 절단을 동시에 진행하는 것을 의미하고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 롤링 장치는 범프 어레이가 구비된 제1 평면 전송장치이고, 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 롤링 장치는 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러이고, 상기 범프 어레이가 구비된 제1 평면 전송장치의 범프 외주 또는 상기 오목홈 어레이가 구비된 제2 단일 롤러의 오목홈 가장자리에는 블레이드가 설치되어 있는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이 중의 단일 광 변환 필름시트의 외형 형상은 호형, 반구형 또는 직사각형인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 협동 롤링 성형 및 절단을 진행하는 온도는 120℃~250℃인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 절단 슬릿의 깊이는 상기 정제 광 변환 필름시트 두께의 50%~100%인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 절단 슬릿의 깊이는 상기 정제 광 변환 필름시트 두께의 70%~80%인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 절단 슬릿의 폭은 20㎛ 이내인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 단계 2에서의 오목홈이 구비된 단일 광 변환 필름시트로 조성된 광 변환 필름시트 어레이 중의 오목홈의 길이, 폭, 높이의 크기는 LED 플립칩의 길이, 폭, 높이의 크기의 1.01~1.05배인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  22. 제1항, 제13항, 제14항, 제15항 또는 제21항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단계 3에서 설명한 롤링 본딩은, 상기 광 변환 필름시트 어레이를 오목홈 어레이가 구비된 제4 단일 롤러 또는 오목홈 어레이가 구비된 제4 평면 전송장치에 설치하고, 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이를 롤러 표면이 활면인 제3 단일 롤러 또는 평면이 활면인 제3 평면 전송장치에 롤링 본딩을 진행하여, 상기 LED 플립칩 어레이 중의 LED 플립칩을 상기 광 변환 필름시트 어레이의 단일 광 변환 필름시트의 오목홈 내에 본딩 삽입시켜, LED 패키지 소자를 얻는 것을 의미하고, 광 변환 필름시트 어레이가 배치되는 장치와 LED 플립칩 어레이가 배치되는 장치 중 적어도 하나는 단일 롤러인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 단계 3에서 설명한 롤링 본딩의 온도는 120℃~250℃인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  24. 제1항 또는 제23항에 있어서,
    상기 단계 4에서 설명한 냉각 경화 방법은 기울기 냉각 경화 방법이거나 균일 냉각 경화 방법이고,
    상기 기울기 냉각 경화 방법의 온도 기울기는, 복수의 기울기에 따라 LED 패키지 소자의 온도를 실온으로 냉각시키는 것을 의미하고, 냉각 경화 시간은 3min~10min이고, 각각의 냉각 경화 단계의 시간은 다소 조절이 가능하고,
    상기 균일 냉각 경화 방법은, LED 패키지 소자의 온도를 실온으로 균일하게 냉각시키는 것을 의미하고, 냉각 경화의 시간은 3min~10min인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  25. 제1항에 있어서,
    상기 단계 3에서 설명한 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이 중의 캐리어 필름시트는 신축성 캐리어 필름시트인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 단계 3에서 설명한 캐리어 필름시트가 구비된 LED 플립칩 어레이 중의 캐리어 필름시트는 신축성 캐리어 필름시트인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  27. 제25항 또는 제26항에 있어서,
    상기 단계 3에서 설명한 신축성 캐리어 필름시트의 재질은 고온 폴리에스테르 또는 폴리디메틸실록산, 폴리염화비닐로부터 선택된 1종인, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 단계 4에서 설명한 LED 패키지 소자 완성품에 대해, 연신기를 통해 신축성 캐리어 필름시트를 연신시켜, 연신 후 LED 패키지 소자 완성품을 절단 슬릿을 따라 분할함으로써, 단일 LED 패키지 소자 완성품을 얻는, 롤링 방식에 기반한 열가소성 수지 광 변환체로 LED를 본딩 패키징하는 공정방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190100747A (ko) * 2018-02-21 2019-08-29 대성앤텍 주식회사 엘이디 기판의 제조방치 및 이의 제조방법
KR20190104680A (ko) * 2018-03-02 2019-09-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106469772B (zh) 2015-08-18 2018-01-05 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
CN108058411A (zh) * 2017-11-24 2018-05-22 宁波东旭成新材料科技有限公司 一种双向拉伸制备量子点复合膜的方法
CN111900243A (zh) * 2020-06-29 2020-11-06 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 显示背板及其封装方法、封装材料的填充方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090019797A (ko) * 2006-05-03 2009-02-25 트릴리온 사이언스 인코포레이티드 비불규칙정렬 이방성 전도필름과 그의 제조방법
WO2011105185A1 (ja) * 2010-02-26 2011-09-01 コニカミノルタオプト株式会社 光学半導体素子モジュールの製造方法
KR20120108754A (ko) * 2011-03-25 2012-10-05 삼성전자주식회사 발광소자에 형광체층을 형성하는 방법 및 장치
KR20120109737A (ko) * 2011-03-25 2012-10-09 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20150001766A (ko) * 2012-04-12 2015-01-06 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 발광장치 제조방법
KR20150028765A (ko) * 2012-06-28 2015-03-16 도레이 카부시키가이샤 수지 시트 적층체 및 그것을 사용한 반도체 발광 소자의 제조 방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11513333A (ja) * 1995-10-12 1999-11-16 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー ミクロ構造ポリマ支持体
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP2002304945A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Toshiba Corp メタルバック付き蛍光面の形成方法および画像表示装置
JP3682584B2 (ja) * 2001-08-06 2005-08-10 ソニー株式会社 発光素子の実装方法及び画像表示装置の製造方法
JP2004006325A (ja) * 2002-04-26 2004-01-08 Oce Technol Bv 基礎支持体にコーティング層を自由選択でコーティング模様の形態に形成する方法
JP2005259847A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
CN101789378B (zh) * 2004-06-02 2012-07-04 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体器件的方法
US7591863B2 (en) * 2004-07-16 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip
US7319246B2 (en) * 2005-06-23 2008-01-15 Lumination Llc Luminescent sheet covering for LEDs
FR2941227B1 (fr) * 2008-08-20 2013-02-08 Ugolin Nicolas Procede de dessalement ou d'epuration d'eau par distillation d'un spray
KR101040552B1 (ko) * 2008-11-06 2011-06-16 엘지전자 주식회사 광학 필름, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 액정표시장치
US8247248B2 (en) * 2009-05-15 2012-08-21 Achrolux Inc. Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure
US20110031516A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
KR101321345B1 (ko) * 2009-12-31 2013-10-23 엘아이지에이디피 주식회사 Led 백라이트 유닛 제조장치,이를 이용한 제조 방법 및 이를 통해 제조된 백라이트 유닛
US20110225799A1 (en) * 2010-03-18 2011-09-22 Casio Computer Co., Ltd. Production apparatus and production method of light emitting device
KR101372084B1 (ko) * 2010-06-29 2014-03-07 쿨레지 라이팅 인크. 항복형 기판을 갖는 전자 장치
WO2012102107A1 (ja) * 2011-01-28 2012-08-02 昭和電工株式会社 量子ドット蛍光体を含む組成物、量子ドット蛍光体分散樹脂成形体、量子ドット蛍光体を含む構造物、発光装置、電子機器、機械装置及び量子ドット蛍光体分散樹脂成形体の製造方法
CN102881780B (zh) * 2011-07-15 2015-04-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光模组及其制造方法
JP5800640B2 (ja) * 2011-08-30 2015-10-28 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
WO2013085731A2 (en) * 2011-12-06 2013-06-13 Cooledge Lighting, Inc. Formation of uniform phosphor regions for broad-area lighting systems
WO2013112435A1 (en) * 2012-01-24 2013-08-01 Cooledge Lighting Inc. Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods
US8907362B2 (en) * 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
JP2013157408A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置およびその製造方法
CN103378265A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光模组载板的制造方法
JP6279209B2 (ja) * 2013-01-17 2018-02-14 山本化成株式会社 波長変換層、及びこれを用いた波長変換フィルタ
US20160185074A1 (en) * 2013-08-12 2016-06-30 Seiji Kagawa Heat-dissipating film, and its production method and apparatus
KR101557942B1 (ko) * 2014-01-08 2015-10-12 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
CN203839411U (zh) 2014-04-18 2014-09-17 立达信绿色照明股份有限公司 模压一体化封装led光源的成型模具
CN106469772B (zh) 2015-08-18 2018-01-05 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的工艺方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090019797A (ko) * 2006-05-03 2009-02-25 트릴리온 사이언스 인코포레이티드 비불규칙정렬 이방성 전도필름과 그의 제조방법
WO2011105185A1 (ja) * 2010-02-26 2011-09-01 コニカミノルタオプト株式会社 光学半導体素子モジュールの製造方法
KR20120108754A (ko) * 2011-03-25 2012-10-05 삼성전자주식회사 발광소자에 형광체층을 형성하는 방법 및 장치
KR20120109737A (ko) * 2011-03-25 2012-10-09 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20150001766A (ko) * 2012-04-12 2015-01-06 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 발광장치 제조방법
KR20150028765A (ko) * 2012-06-28 2015-03-16 도레이 카부시키가이샤 수지 시트 적층체 및 그것을 사용한 반도체 발광 소자의 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190100747A (ko) * 2018-02-21 2019-08-29 대성앤텍 주식회사 엘이디 기판의 제조방치 및 이의 제조방법
KR20190104680A (ko) * 2018-03-02 2019-09-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법

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