KR20150024208A - Heat Treatment Chamber of Substrate with Easy Maintenance, and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate heat treatment chamber that is easy to maintain, and a substrate heat treatment apparatus and method having the chamber.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 복수의 열처리 챔버를 제공하는 열처리 챔버 하우징에 각각이 복수의 램프를 포함하는 램프 유닛이 착탈 가능하게 장착되는 한 쌍의 가동 플레이트 하우징(paired movable plate housing)을 슬라이딩 방식으로 체결하되, 한 쌍의 가동 플레이트 하우징 상에 기판을 장착함으로써, 복수의 램프 히터 간의 열간섭이 배제되고, 흄 제거와 같은 세정 공정 및 복수의 램프의 고장 발생 시의 교체 공정과 같은 유지보수(maintenance)가 매우 용이하게 이루어지며, 유지 보수 공간의 확보가 가능하며, 그에 따라 전체 설비에 대해 상대적으로 좁은 설치 공간이 요구되어 궁극적으로 기판의 제조 비용이 감소되고, 특히 분할 구조를 갖는 플레이트 하우징에 대한 응력 집중의 분산에 따라 손상 발생 가능성이 크게 낮아지는 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법에 관한 것이다. More specifically, the present invention relates to a heat treatment chamber for providing a plurality of heat treatment chambers, and a pair of movable plate housings, each of which is detachably mounted on a lamp unit including a plurality of lamps, By mounting the substrate on the pair of movable plate housings, thermal interference between the plurality of lamp heaters is eliminated, and maintenance such as a cleaning process such as fume removal and a replacement process when a plurality of lamps is broken occurs maintenance can be carried out very easily and maintenance space can be ensured and accordingly a relatively small installation space is required for the whole installation, and ultimately the manufacturing cost of the substrate is reduced. Particularly, in the plate housing having the divided structure A substrate heat treatment chamber in which the possibility of damage is greatly reduced due to dispersion of stress concentration on the substrate, It relates to a substrate heat treatment apparatus and method provided.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 필름에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리를 수행하는 장치이다.An annealing apparatus used for manufacturing semiconductors, flat panel displays, and solar cells is an apparatus for performing heat treatment necessary for crystallization, phase change, and the like on a predetermined film deposited on a substrate such as a silicon wafer or glass .
대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.A typical annealing apparatus is a silicon crystallization apparatus for crystallizing amorphous silicon deposited on a glass substrate into polysilicon when a liquid crystal display or a thin film crystalline silicon solar cell is manufactured.
이와 같은 결정화 공정을 수행하기 위해서는 소정의 박막 필름(이하 "필름"이라 함)이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 최소한 550 내지 600℃의 온도가 필요하다.In order to perform such a crystallization process, a heat treatment apparatus capable of heating a substrate on which a predetermined thin film (hereinafter referred to as a "film") is formed must be provided. For example, for crystallization of amorphous silicon, a temperature of at least 550 to 600 DEG C is required.
통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어서 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.Generally, a heat treatment apparatus includes a single-wafer type in which heat treatment can be performed on one substrate, and a batch type in which heat treatment can be performed on a plurality of substrates. There is a merit of simple configuration of the apparatus, but there is a disadvantage that the productivity is low, and the batch formula is getting popular for the mass production in recent years.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2a는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이며, 도 2b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다. 이러한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치는 예를 들어, 허판선 등에 의해 2008년 7월 16일자에 "배치식 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2008-0069329로 출원된 후, 2011년 2월 11일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1016048호에 상세히 기술되어 있다.FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art, FIG. 2 (a) is a perspective view showing a configuration of a chamber of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art shown in FIG. 1, Fig. 5 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the first embodiment. Such a batch heat treatment apparatus according to the prior art is filed in Korean Patent Application No. 10-2008-0069329, entitled " Batch Heat Treatment Apparatus ", filed July 16, 2008 by Huh, Are described in detail in Korean Patent No. 10-1016048, filed on February 11,
도 1 내지 도 2b를 참조하면, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(100)와, 챔버(100)를 지지하는 프레임(110)을 포함하여 구성된다.1 to 2B, a batch type
챔버(100)의 일측에는 챔버(100)에 기판(10)을 로딩하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(140)가 설치된다. 도어(140)가 개방된 상태에서 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 기판(10)을 챔버(100)로 로딩할 수 있다. 한편, 열처리가 종료된 후 도어(140)를 통하여 챔버(100)로부터 기판(10)을 언로딩할 수도 있다.A
챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(120), 가스 공급관(300) 및 가스 배출관(320) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(160)가 개폐 가능하도록 설치된다.A
챔버(100)의 내부에는 기판(10)을 직접 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과, 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)과, 열처리가 종료된 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시키기 위한 냉각관(250)이 설치된다.A
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지면서 단위 메인 히터(210)를 포함한다. 단위 메인 히터(210)는 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체이다.Referring to FIGS. 2A and 2B, the
메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 복수개가 배치된다. 기판(10)은 복수의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치된다.A plurality of
상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 기판(10)의 상부 및 하부에 기판(10)의 전면적을 커버할 수 있는 단위 메인 히터(210)로 구성되는 메인 히터 유닛(200)이 설치됨으로써, 기판(10)은 단위 메인 히터로(210)로부터 전면적에 걸쳐서 균일하게 열을 인가받아 열처리가 균일하게 이루어질 수 있다.As described above, in the batch type
또한, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 보조 히터 유닛(220)은 기판(10)의 단변 방향을 따라 평행하게 배치되는 제1 보조 히터유닛(220a)과 기판(10)의 장변 방향을 따라 배치되는 제2 보조 히터 유닛(220b)을 포함한다. 제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 평행하게 배치되는 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 포함한다.2A and 2B, the auxiliary heater unit 220 includes a first
또한, 종래 기술에서는 복수의 기판(10)을 지지하기 위한 보트(120)가 사용된다.Further, in the prior art, a
좀 더 구체적으로, 도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 보트의 구성을 도시한 사시도 및 단면도이다.More specifically, FIGS. 3A and 3B are a perspective view and a cross-sectional view showing a configuration of a boat used in a batch type heat treatment apparatus according to the prior art.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 챔버(100)의 내부에는 챔버(100)로 로딩된 기판(10)을 지지하기 위한 보트(120)가 설치되어 있다. 보트(120)는 기판(10)의 장변측을 지지하도록 설치되는 것이 바람직하다.Referring to FIGS. 3A and 3B, a
또한, 기판(10)은 홀더(12)에 장착된 상태로 보트(120)에 로딩되는 것이 바람직하다. 열처리 과정 중에 열처리 온도가 복수의 기판(10)의 연화(softening) 온도에 도달하면 기판 자체의 무게 때문에 기판의 아래 방향으로의 휨 현상이 발생하는데, 특히 이러한 휨 현상은 기판이 대면적화 됨에 따라 더 큰 문제가 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 종래 기술에서는 기판(10)을 홀더(12)에 장착한 상태로 열처리를 진행한다.Further, the
상술한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)는 챔버에 로딩되는 복수의 기판에 대해 동시에 열처리가 가능함으로써 기판의 생산성을 향상시키는 효과가 달성되지만, 여전히 다음과 같은 문제점을 갖는다.The above-described batch type
1. 기판(10)을 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)이 모두 챔버(100)를 가로질러 제공되고 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 양단부는 모두 챔버(100)의 외부에 돌출되어 체결된다. 이러한 상태에서, 열처리에 의해 기판(10) 및 기판(10) 상의 필름에서 발생하는 흄(fume)이 메인 히터 유닛(200) 및 보조 히터 유닛(220) 상에 증착된다. 그에 따라, 시간이 경과함에 따라 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율이 크게 저하된다. 따라서, 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율을 유지하기 위해서는 흄을 제거하여야 한다. 이를 위해, 챔버(100)의 외부에 돌출되어 체결된 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 양단부를 모두 해제한 후, 흄을 제거하고, 다시 챔버(100)의 외부에 돌출되도록 체결하여야 한다. 통상적으로, 챔버(100)의 사이즈는 가로, 세로, 및 높이가 각각 수 미터로 상당히 크고, 사용되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)을 구성하는 복수의 단위 메인 히터(210) 및 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)의 길이도 수 미터로 상당히 길어, 작업자가 챔버(100) 내부로 진입하여 복수의 단위 메인 히터(210) 및 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 일일이 해제, 흄 제거, 및 재체결 공정을 수행하여야 한다. 또한, 작업자가 챔버(100) 내부로 진입하여 복수의 단위 메인 히터(210) 및 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 일일이 해제할 때, 챔버(100) 내에 장착된 보트(120)의 존재로 인하여 해제 공정 도중 고장이 발생하지 않은 단위 메인 히터(210) 및 제1 단위 보조 히터(230a)가 파손되는 등의 문제가 발생할 수 있으며, 이를 방지하기 위해 작업자의 상당한 주의력이 요구된다.1. Both the
따라서. 흄 세정에 따른 전체 공정 시간 및 비용이 크게 증가한다.therefore. The overall process time and cost due to the fume cleaning are greatly increased.
2. 또한, 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)을 구성하는 복수의 단위 메인 히터(210) 및 복수의 제1 단위 보조 히터(230a) 중 하나 이상이 고장이 발생한 경우, 고장이 발생한 단위 메인 히터(210) 또는 제1 단위 보조 히터(230a)를 교체하기 위해서는 상술한 바와 같이 해제, 교체, 및 재체결 공정을 수행하여야 한다. 이 때, 고장이 발생한 단위 메인 히터(210) 또는 제1 단위 보조 히터(230a)가 챔버(100)의 도어를 기준으로 내측에 위치된 경우, 도어와 고장이 발생한 단위 메인 히터(210) 또는 제1 단위 보조 히터(230a) 사이의 정상 상태의 단위 메인 히터(210) 또는 제1 단위 보조 히터(230a)를 해제, 교체, 및 재체결 공정을 수행하여야 한다. 따라서, 복수의 단위 메인 히터(210) 및 복수의 제1 단위 보조 히터(230a) 중 하나 이상의 고장 발생에 따른 교체 공정에 소요되는 시간이 지나치게 길어지게 되어 전체 공정 시간 및 비용이 크게 증가한다.2. When a failure occurs in one or more of the plurality of unit
3. 또한, 종래 기술의 배치식 열처리 장치(1)는 보트(120)가 일측 방향에서 챔버(100) 내에 로딩 및 언로딩되는 구조를 갖는다.3. Also, the batch
좀 더 구체적으로, 도 3c는 종래 기술의 배치식 열처리 장치에 사용되는 보트가 챔버 내에 로딩 및 언로딩되는 것을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3d는 도 3c에 도시된 종래 기술의 배치식 열처리 장치가 복수개 사용되는 경우 보트와 챔버 간의 배치 간격을 개략적으로 도시한 도면이다.3C is a view schematically showing that a boat used in a batch type heat treatment apparatus of the prior art is loaded and unloaded into a chamber, and FIG. 3D is a schematic view of a conventional batch heat treatment apparatus FIG. 2 is a view schematically showing an arrangement interval between a boat and a chamber when a plurality of vessels are used.
도 3c 및 도 3d를 도 1 내지 도 3b와 함께 참조하면, 종래 기술의 배치식 열처리 장치(1)에서는, 보트(120)가 챔버(100)의 일측 방향에서 챔버(100) 내에 슬라이딩 방식으로 로딩 및 언로딩된다(도 3c 참조). 이 경우, 기판(10)의 로딩/언로딩 동작, 또는 챔버(100) 내의 단위 메인 히터(210) 또는 제1 단위 보조 히터(230a)의 고장 발생에 따른 교체와 같은 유지 보수가 필요한 경우, 보트(120)의 전체 길이(L)만큼 챔버(100)로부터 언로딩되어야 한다. 따라서, 2개의 제 1 및 제 2 챔버(100a,100b)가 직렬 배치 타입으로 사용되는 경우, 제 1 챔버(100a)와 제 2 챔버(100b) 사이의 거리는 제 1 챔버(100a)에 대해 보트(120)의 전체 폭(L) + 유지 보수 영역(Ma)의 폭(M1)에 해당하는 L+M1이 요구된다. 만일, n개(여기서 n은 3개 이상의 자연수)의 챔버(100)가 직렬 배치 형태(batch type)로 사용되는 경우 n x (L+M1)의 길이에 대응되는 영역이 요구되고 이러한 영역은 사용자가 사용할 수 없는 데드 영역(dead region)이 된다. 따라서, 예를 들어 사용자가 단위 메인 히터(210) 또는 제1 단위 보조 히터(230a)의 고장 발생에 따른 교체와 같은 유지 보수를 위해 챔버(100) 내로 진입하기 위해서는 전체 설비에 대해 넓은 설치 공간이 요구되므로 궁극적으로 기판의 제조 비용이 증가한다.Referring to FIGS. 3C and 3D, with reference to FIGS. 1 to 3B, in the batch type
4. 또한, 종래 기술의 배치식 열처리 장치(1)에서는 챔버(100) 내에 로딩 및 언로딩되는 보트(120)가 단일 구조를 갖는다. 이 경우, 기판(10)의 대면적화에 따라, 챔버(100) 및 보트(120)의 사이즈도 대형화되어야 한다. 그에 따라, 기판(10)의 열처리를 위한 챔버(100) 내에 조성된 고온의 환경으로 인하여 대형화된 보트(120)에 열팽창 및 수축에 따라 상대적으로 더 심한 응력 집중에 의해 보트(120)에 손상이 발생하며, 이는 챔버(100) 내의 오염 발생의 원인이 된다.4. Also, in the batch
따라서, 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 새로운 방안이 요구된다. Therefore, there is a need for a new method for solving the problems of the above-described conventional techniques.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복수의 열처리 챔버를 제공하는 열처리 챔버 하우징에 각각이 복수의 램프를 포함하는 램프 유닛이 착탈 가능하게 장착되는 한 쌍의 가동 플레이트 하우징(paired movable plate housing)을 슬라이딩 방식으로 체결하되, 한 쌍의 가동 플레이트 하우징 상에 기판을 장착함으로써, 복수의 램프 히터 간의 열간섭이 배제되고, 흄 제거와 같은 세정 공정 및 복수의 램프의 고장 발생 시의 교체 공정과 같은 유지보수(maintenance)가 매우 용이하게 이루어지며, 유지 보수 공간의 확보가 가능하며, 그에 따라 전체 설비에 대해 상대적으로 좁은 설치 공간이 요구되어 궁극적으로 기판의 제조 비용이 감소되고, 특히 분할 구조를 갖는 플레이트 하우징에 대한 응력 집중의 분산에 따라 손상 발생 가능성이 크게 낮아지는 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and it is an object of the present invention is to provide a heat treatment chamber housing that provides a plurality of heat treatment chambers, a pair of movable plate housings a movable plate housing is fastened in a sliding manner. By mounting a substrate on a pair of movable plate housings, heat interference between the plurality of lamp heaters is eliminated, and a cleaning process such as fume removal, Maintenance such as the replacement process can be performed very easily, maintenance space can be secured, and accordingly, a relatively small installation space is required for the entire facility, which ultimately reduces the manufacturing cost of the substrate. Particularly, There is a high possibility of damage due to the dispersion of the stress concentration on the plate housing having the divided structure The charge is to provide a substrate heat treatment chamber, and a substrate having the same heat treatment apparatus and method.
본 발명의 제 1 특징에 따른 기판 열처리 챔버는 열처리 챔버 하우징; 및 상기 열처리 챔버 하우징에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징을 포함하고, 상기 열처리 챔버 하우징 및 상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징은 기판을 열처리하기 위한 열처리 공간을 형성하는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment chamber according to a first aspect of the present invention includes a heat treatment chamber housing; And a first and a second upper and lower movable plate housings removably mounted to the heat treatment chamber housings, respectively, wherein the heat treatment chamber housing and the first and second upper and lower movable plate housings comprise a substrate Thereby forming a heat treatment space for heat treatment.
본 발명의 제 2 특징에 따른 기판 열처리 장치는 복수의 기판 열처리 챔버를 포함하되, 상기 복수의 기판 열처리 챔버는 각각 열처리 챔버 하우징; 상기 열처리 챔버 하우징의 상부에 고정 장착되는 상부 고정 플레이트 하우징; 및 상기 상부 고정 플레이트 하우징의 하부에 제공되며, 상기 열처리 챔버 하우징에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징을 포함하고, 상기 열처리 챔버 하우징, 상기 상부 고정 플레이트 하우징, 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징은 각각 상기 기판을 열처리하기 위한 열처리 공간을 형성하는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment apparatus according to a second aspect of the present invention includes a plurality of substrate heat treatment chambers, each of the plurality of substrate heat treatment chambers comprising: a heat treatment chamber housing; An upper fixation plate housing fixedly mounted on the upper portion of the heat treatment chamber housing; And a plurality of first and second lower movable plate housings provided at a lower portion of the upper fixing plate housing and detachably mounted to the thermal processing chamber housing in a sliding manner, respectively, wherein the heat processing chamber housing, The housing, and the plurality of first and second movable plate housings form heat treatment spaces for heat-treating the substrate, respectively.
본 발명의 제 3 특징에 따른 기판 열처리 방법은 a) 열처리 챔버 하우징의 상부에 고정 장착되는 상부 고정 플레이트 하우징 및 상기 상부 고정 플레이트 하우징의 하부에서 상기 열처리 챔버 하우징에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징에 의해 복수의 열처리 공간을 구비한 복수의 기판 열처리 챔버를 제공하는 단계; b) 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징 각각의 상부에 제공되는 복수의 리프트 핀 상에 기판을 장착하는 단계; 및 c) 상기 상부 고정 플레이트 하우징 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징에 각각 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부를 따라 착탈 가능하게 장착되는 복수의 램프 히터를 이용하여 상기 각각의 기판을 가열하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 램프 히터의 유지보수가 필요한 경우 상기 복수의 하부 가동 플레이트 하우징의 일부 또는 전부를 상기 열처리 챔버 하우징에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행되는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment method according to a third aspect of the present invention comprises the steps of a) an upper fixation plate housing fixedly mounted on a top of a heat treatment chamber housing, and a plurality of heat dissipation plate housings detachably mounted on the heat treatment chamber housing in a lower portion of the upper fixation plate housing, Providing a plurality of substrate heat treatment chambers having a plurality of heat treatment spaces by a plurality of first and second lower movable plate housings; b) mounting a substrate on a plurality of lift pins provided on top of each of said plurality of first and second lower movable plate housings; And c) heating each of the substrates using a plurality of lamp heaters detachably mounted along a plurality of cut-off portions formed at regular intervals in the upper and lower fixed plate housings and the plurality of first and second movable lower plate plates, respectively, Wherein when maintenance of the plurality of lamp heaters is required, the maintenance operation is performed after part or all of the plurality of lower movable plate housings are detached from the heat treatment chamber housing.
본 발명의 제 4 특징에 따른 기판 열처리 방법은 a) 열처리 챔버 하우징의 상부에 고정 장착되는 상부 고정 플레이트 하우징 및 상기 상부 고정 플레이트 하우징의 하부에서 상기 열처리 챔버 하우징에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징에 의해 복수의 열처리 공간을 구비한 복수의 기판 열처리 챔버를 제공하는 단계; b) 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징 각각의 상부에 제공되는 복수의 리프트 핀 상에 기판을 장착하는 단계; 및 c) 상기 상부 고정 플레이트 하우징 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징에 각각 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부를 따라 착탈 가능하게 장착되는 복수의 램프 히터를 이용하여 상기 각각의 기판을 가열하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 램프 히터의 유지보수가 필요한 경우 상기 복수의 하부 가동 플레이트 하우징의 일부 또는 전부를 상기 열처리 챔버 하우징에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행되는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment method according to a fourth aspect of the present invention comprises the steps of: a) an upper fixation plate housing fixedly mounted on a top of a heat treatment chamber housing; and a plurality of heat dissipation plate housings mounted on the heat treatment chamber housing in a sliding manner, Providing a plurality of substrate heat treatment chambers having a plurality of heat treatment spaces by a plurality of first and second lower movable plate housings; b) mounting a substrate on a plurality of lift pins provided on top of each of said plurality of first and second lower movable plate housings; And c) heating each of the substrates using a plurality of lamp heaters detachably mounted along a plurality of cut-off portions formed at regular intervals in the upper and lower fixed plate housings and the plurality of first and second movable lower plate plates, respectively, Wherein when maintenance of the plurality of lamp heaters is required, the maintenance operation is performed after part or all of the plurality of lower movable plate housings are detached from the heat treatment chamber housing.
본 발명에 따른 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법을 사용하면 다음과 같은 효과가 달성된다.INDUSTRIAL APPLICABILITY By using the substrate heat treatment chamber and the substrate heat treatment apparatus and method having the same which are easy to maintain according to the present invention, the following effects can be achieved.
1. 복수의 램프 히터 간의 열간섭이 배제되어 열처리 챔버 내부 온도 균일성이 크게 향상된다.1. Heat interference between the plurality of lamp heaters is eliminated, and the temperature uniformity inside the heat treatment chamber is greatly improved.
2. 흄 제거 공정 및 복수의 램프의 고장 발생 시의 교체 공정이 매우 편리하고 용이하게 이루어진다.2. It is very convenient and easy to perform the fume removal process and the replacement process when a plurality of lamps fail.
3. 한 쌍의 플레이트 하우징이 슬라이딩 방식으로 체결되므로, 작업자의 유지 보수 공간의 확보가 가능하다.3. Since a pair of plate housings are fastened in a sliding manner, it is possible to secure a maintenance space for the operator.
4. 전체 설비에 대해 상대적으로 좁은 설치 공간이 요구되어 궁극적으로 기판의 제조 비용이 감소된다.4. A relatively small installation space is required for the entire installation, which ultimately reduces the manufacturing cost of the substrate.
5. 특히, 분할 구조를 갖는 플레이트 하우징에 대한 응력 집중의 분산에 따라 손상 발생 가능성이 크게 낮아진다.5. Particularly, the possibility of damage is greatly reduced due to the dispersion of the stress concentration on the plate housing with the divided structure.
본 발명의 추가적인 장점은 동일 또는 유사한 참조번호가 동일한 구성요소를 표시하는 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다.Further advantages of the present invention can be clearly understood from the following description with reference to the accompanying drawings, in which like or similar reference numerals denote like elements.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 보트의 구성을 도시한 사시도 및 단면도이다.
도 3c는 종래 기술의 배치식 열처리 장치에 사용되는 보트가 챔버 내에 로딩 및 언로딩되는 것을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3d는 도 3c에 도시된 종래 기술의 배치식 열처리 장치가 복수개 사용되는 경우 보트와 챔버 간의 배치 간격을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버를 구비한 기판 열처리 장치의 부분 절개 사시도를 도시한 도면이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4c는 도 4b에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버의 평면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4d는 도 4c에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버의 플레이트 하우징의 구체적인 구현예를 도시한 도면이다.
도 4e는 도 4d에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트 하우징의 구체적인 구현예에서 A-A 라인을 따라 절개한 B 부분의 확대 단면도를 도시한 도면이다.
도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치에 사용되는 플레이트 하우징이 챔버 내에 로딩 및 언로딩되는 것을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4g는 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치가 복수개 사용되는 경우 플레이트 하우징과 챔버 간의 배치 간격을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다.
도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다. 1 is a perspective view showing a configuration of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art.
FIG. 2A is a perspective view showing a configuration of a chamber of the batch type heat treatment apparatus according to the prior art shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 2B is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the related art.
FIGS. 3A and 3B are a perspective view and a sectional view showing a configuration of a boat used in a batch type heat treatment apparatus according to the related art.
3C is a view schematically showing how a boat used in the batch heat treatment apparatus of the prior art is loaded and unloaded into the chamber.
FIG. 3D is a view schematically showing an arrangement interval between a boat and a chamber when a plurality of batch heat treatment apparatuses of the prior art shown in FIG. 3C are used.
4A is a partial cutaway perspective view of a substrate heat treatment apparatus having a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention.
4B is a schematic cross-sectional view of the substrate heat treatment chamber and substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
4C is a schematic plan view of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4B.
FIG. 4D is a view showing a specific embodiment of the plate housing of the substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4C.
FIG. 4E is an enlarged cross-sectional view of portion B cut along AA line in a specific embodiment of the plate housing according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4D.
FIG. 4F is a schematic view illustrating a plate housing used in a heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, which is loaded into and unloaded from a chamber.
FIG. 4G is a view schematically showing an arrangement interval between the plate housing and the chamber when a plurality of heat treatment apparatuses according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4F are used.
5A is a flowchart showing a substrate heat treatment method according to the first embodiment of the present invention.
5B is a flowchart showing a substrate heat treatment method according to the second embodiment of the present invention.
이하에서 본 발명의 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 기술한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to embodiments and drawings of the present invention.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버를 구비한 기판 열처리 장치의 부분 절개 사시도를 도시한 도면이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 단면도를 개략적으로 도시한 도면이며, 도 4c는 도 4b에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버의 평면도를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4d는 도 4c에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버의 플레이트 하우징의 구체적인 구현예를 도시한 도면이며, 도 4e는 도 4d에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트 하우징의 구체적인 구현예에서 A-A 라인을 따라 절개한 B 부분의 확대 단면도를 도시한 도면이다.FIG. 4A is a partially cutaway perspective view of a substrate heat treatment apparatus having a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention, FIG. 4B is a cross-sectional perspective view of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4C is a schematic plan view of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4B, and FIG. 4D is a cross-sectional view of the substrate heat treatment chamber shown in FIG. FIG. 4E is a cross-sectional view of a plate heat exchanger according to an embodiment of the present invention; FIG. 4E is a cross-sectional view taken along the line AA in a specific embodiment of the plate housing according to an embodiment of the present invention shown in FIG. Fig. 5 is an enlarged cross-sectional view of a portion B cut along the line A-B in Fig.
도 4a 내지 도 4e를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)는 열처리 챔버 하우징(470); 및 상기 열처리 챔버 하우징(470)에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)을 포함하고, 상기 열처리 챔버 하우징(470) 및 상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 기판(10)을 열처리하기 위한 열처리 공간(472)을 형성한다.4A through 4E, a substrate
상기 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)의 상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부(cut-off: 422)를 따라 착탈 가능하게 장착되는 복수의 램프 히터(412)로 구성되는 히터 유닛(410); 및 상기 한 쌍의 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 상부에 각각 제공되며, 상기 기판(10)을 장착하기 위한 복수의 제 1 및 제 2 리프트 핀(424a,424b)을 포함한다.The first and second upper and lower
또한, 상기 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는 상기 복수의 램프 히터(412)의 유지보수가 필요한 경우 상기 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)을 상기 열처리 챔버 하우징(470)에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행된다.In the substrate
상술한 유지보수 동작은 상기 복수의 램프 히터(412)를 세정하는 동작 및 상기 복수의 램프 히터(412) 중 고장이 발생한 램프 히터를 교체하는 동작 중 어느 하나 또는 양자를 포함할 수 있다.The maintenance operation described above may include either or both of an operation of cleaning the plurality of
또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서, 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)과 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)는 모두 동일한 가동 플레이트 하우징으로 구현된다.In the substrate
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에 사용되는 상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각의 외부면 상에 손잡이부 장착부(426) 및 상기 손잡이부 장착부(426)에 장착되는 손잡이부(428)를 추가로 포함할 수 있다.The first and second upper and lower
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)의 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 상기 복수의 컷오프부(422) 사이에 제공되는 복수의 몸체부(421); 상기 복수의 몸체부(421) 내부를 관통하여 형성되는 복수의 냉각홀(486); 상기 복수의 냉각홀(486)의 일단부와 각각 연결되며, 냉각 매체가 유입되는 유입홀(482); 및 상기 복수의 냉각홀(486)의 타단부와 각각 연결되며, 상기 냉각 매체가 배출되는 배출홀(484)을 포함할 수 있다.The first and second upper and lower
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(401)는 복수의 기판 열처리 챔버(400)를 포함하되, 상기 복수의 기판 열처리 챔버(400)는 각각 열처리 챔버 하우징(470); 상기 열처리 챔버 하우징(470)의 상부에 고정 장착되는 상부 고정 플레이트 하우징(420); 및 상기 상부 고정 플레이트 하우징(420)의 하부에 제공되며, 상기 열처리 챔버 하우징(470)에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)을 포함하고, 상기 열처리 챔버 하우징(470), 상기 상부 고정 플레이트 하우징(420), 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 상기 기판(10)을 열처리하기 위한 열처리 공간(472)을 형성한다.Meanwhile, the
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(401)의 상기 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부(422)를 따라 배열되는 복수의 램프 히터(412)로 구성되는 히터 유닛(410); 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 각각의 상부에 제공되며, 상기 기판(10)을 장착하기 위한 복수의 리프트 핀(424)을 포함한다.The upper
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(401)에서는 상 상기 복수의 램프 히터(412)의 유지보수가 필요한 경우 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 일부 또는 전부를 상기 열처리 챔버 하우징(470)에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행된다. 여기서, 상기 유지보수 동작은 상기 복수의 램프 히터(412)를 세정하는 동작 및 상기 복수의 램프 히터(412) 중 고장이 발생한 램프 히터를 교체하는 동작 중 어느 하나 또는 양자를 포함할 수 있다.In the
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(401)에 사용되는 복수의 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각의 외부면 상에 손잡이부 장착부(426), 및 상기 손잡이부 장착부(426)에 장착되는 손잡이부(428)를 추가로 포함할 수 있다(도 4a 참조).The plurality of first and second
또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(401)에 사용되는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 상기 복수의 컷오프부(422) 사이에 사용되는 복수의 몸체부(421); 상기 복수의 몸체부(421) 내부를 관통하여 형성되는 복수의 냉각홀(486); 상기 복수의 냉각홀(486)의 일단부와 각각 연결되며, 냉각 매체가 유입되는 유입홀(482); 및 상기 복수의 냉각홀(486)의 타단부와 각각 연결되며, 상기 냉각 매체가 배출되는 배출홀(484)을 추가로 포함할 수 있다.The plurality of first and second lower
또한, 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)에 각각 사용되는 복수의 램프 히터(412)로 구성되는 히터 유닛(410)의 파워 출력은 각각의 히터 유닛 단위로 그룹으로 제어되거나(그룹 제어 방식), 또는 각각의 램프 히터(412) 단위로 개별적으로 제어될 수 있다(개별 제어 방식).The power outputs of the
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400) 및 기판 열처리 장치(401)의 구체적인 구성 및 동작에 대해 상세히 기술하기로 한다.Hereinafter, the detailed configuration and operation of the substrate
다시 도 4a 내지 도 4e를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)는 열처리 챔버 하우징(470)에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)을 포함한다. 이러한 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 모두 동일한 가동 플레이트 하우징으로 구현되므로 이하에서는 필요에 따라 통칭하여 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)으로 지칭하기로 한다.4A to 4E, the substrate
상술한 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)에는 복수의 컷오프부(422)가 일정 간격으로 형성되어 있다(도 4a 및 도 4c 참조). 이러한 복수의 컷오프부(422)를 따라 복수의 램프 히터(412)가 각각 착탈 가능하게 장착된다. 복수의 램프 히터(412)는 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 복수의 컷오프부(422)를 따라 장착되는 히터 유닛(410)을 구성한다.A plurality of cut-off
또한, 복수의 냉각홀(486)이 복수의 컷오프부(422) 사이에 제공되는 복수의 몸체부(421) 내부를 관통하여 형성되어 있다. 이러한 복수의 냉각홀(486)의 일단부는 각각 유입홀(482)과 연결되고, 타단부는 각각 배출홀(484)과 연결된다. 유입홀(482)의 유입구(481)로 유입되는 냉각 매체는 복수의 냉각홀(486)을 통해 분산되어 흐른 후 배출홀(484)로 모아진 다음 배출구(483)를 통해 배출된다. 여기서, 냉각 매체는 예를 들어 물 또는 질소일 수 있다.Further, a plurality of
또한, 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 상부에는 각각 복수의 리프트 핀(424)이 제공된다. 이러한 복수의 리프트 핀(424) 상에는 기판(10)이 장착된다.Further, a plurality of lift pins 424 are provided on the upper portions of the first and second
또한, 열처리 챔버 하우징(470) 및 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)(기판 열처리 챔버(400)의 경우), 및 열처리 챔버 하우징(470), 상부 고정 플레이트 하우징(420), 및 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)(기판 열처리 장치(401)의 경우)은 각각 기판(10)을 열처리하기 위한 열처리 공간(472)을 형성한다.The first and second upper and lower
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)는 상기 기판(10)의 장변 방향의 엣지(edge) 상부에 제공되며, 상기 복수의 램프 히터(412)와 수직한 방향을 따라 상기 제 1 및 제 2 상부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 하부에 각각 착탈 가능하게 장착되는 하나 이상의 보조 램프 히터(414)를 추가로 포함할 수 있다.The substrate
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)는 상기 열처리 챔버 하우징(470)의 내측에 제공되며, 상기 열처리 공간(472) 내로 가스를 공급하기 위한 급기 부재(490a); 및 상기 열처리 챔버 하우징(470)의 후방 내측에 제공되며, 상기 열처리 공간(472)으로부터 상기 가스를 배기하기 위한 배기 부재(490b)를 추가로 포함한다.Also, a substrate
상술한 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현될 수 있으며, 복수의 램프 히터(412)와 하나 이상의 보조 램프 히터(414)는 각각 적외선(IR) 램프 히터로 구현될 수 있다.The first and second
한편, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(401)는 복수의 기판 열처리 챔버(400)를 포함한다. 이러한 복수의 기판 열처리 챔버(400)는 각각 열처리 챔버 하우징(470)을 포함한다. 열처리 챔버 하우징(470)의 상부에는 상부 고정 플레이트 하우징(420)이 고정 장착되고, 상부 고정 플레이트 하우징(420)의 하부에는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)이 열처리 챔버 하우징(470)에 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착된다. 이 경우, 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 도 4c에 도시된 바와 같이 좌우 방향(L 방향)으로 이동 가능한 반면, 기판(10)은 좌우 방향(L 방향)과 수직한 방향(도 4c에서 H 방향)으로 이동가능하다.Referring to FIGS. 4A and 4B, a substrate
상술한 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)에는 각각 복수의 컷오프부(422)가 일정 간격으로 형성되어 있다(도 4d 및 도 4e 참조). 복수의 램프 히터(412)는 각각 복수의 컷오프부(422)를 따라 착탈 가능하게 장착된다. 복수의 컷오프부(422)를 따라 장착되는 복수의 램프 히터(412)는 히터 유닛(410)을 구성한다. 복수의 냉각홀(486)이 복수의 컷오프부(422) 사이에 제공되는 복수의 몸체부(421)의 내부를 관통하여 형성되어 있다. 이러한 복수의 냉각홀(486)의 일단부는 각각 유입홀(482)과 연결되고, 타단부는 각각 배출홀(484)과 연결된다. 유입홀(482)의 유입구(481)로 유입되는 냉각 매체는 복수의 냉각홀(486)을 통해 분산되어 흐른 후 배출홀(484)로 모아진 다음 배출구(483)를 통해 배출된다.A plurality of
한편, 상부 고정 플레이트 하우징(420)의 상부에는 복수의 리프트 핀(424)이 제공되지 않는다는 점에 유의하여야 한다. 반면에, 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 상부에는 각각 복수의 리프트 핀(424)이 제공된다. 이러한 각각의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 상부에 제공되는 리프트 핀(424) 상에는 각각 기판(10)이 장착된다.It should be noted that a plurality of lift pins 424 are not provided at the upper portion of the upper
또한, 열처리 챔버 하우징(470)과 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 최상부 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b), 및 열처리 챔버 하우징(470)과 수직방향으로 서로 인접한 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 기판(10)을 열처리하기 위한 열처리 공간(472)을 형성한다.The first and second lower
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(401)는 상기 기판(10)의 장변 방향의 엣지(edge) 상부에 제공되며, 상기 복수의 램프 히터(412)에 대해 수직한 방향을 따라 상기 상부 고정 플레이트 하우징(420), 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 각각의 하부에 착탈 가능하게 장착되는 하나 이상의 보조 램프 히터(414)를 추가로 포함할 수 있다.The
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(401)는 상기 열처리 챔버 하우징(470)의 내측에 제공되며, 상기 복수의 열처리 공간(472) 내로 각각 가스를 공급하기 위한 복수의 급기 부재(490a); 및 상기 열처리 챔버 하우징(470)의 후방 내측에 제공되며, 상기 복수의 열처리 공간(472)으로부터 각각 상기 가스를 배기하기 위한 복수의 배기 부재(490b)를 추가로 포함한다(도 4b 참조).The substrate
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현될 수 있으며, 복수의 램프 히터(412)는 각각 적외선(IR) 램프 히터로 구현될 수 있다.The upper
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400) 및 기판 열처리 장치(401)에서는, 복수의 램프 히터(412)가 각각 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)에 각각 형성된 복수의 컷오프부(422) 내에 착탈가능하게 제공된다. 이 경우, 복수의 컷오프부(422)의 사이에 제공되는 복수의 몸체부(421)에 의해 복수의 램프 히터(412) 간의 열간섭이 배제되고, 아울러 알루미늄으로 구현될 수 있는 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각 복수의 램프 히터(412)에서 방출되는 열에너지를 반사하여 기판(10)에 대한 가열 효율이 증가된다. 또한, 복수의 램프 히터(412)에 의한 기판(10)의 열처리 공정이 완료된 직후, 복수의 냉각홀(486)을 통해 냉각 매체가 제공되므로 냉각 효율이 향상된다.In the substrate
도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치에 사용되는 플레이트 하우징이 챔버 내에 로딩 및 언로딩되는 것을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4g는 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치가 복수개 사용되는 경우 플레이트 하우징과 챔버 간의 배치 간격을 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 4F is a schematic view illustrating the plate housing used in the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention being loaded into and unloaded from the chamber. FIG. 4G is a cross- FIG. 3 is a view schematically showing the arrangement interval between the plate housing and the chamber when a plurality of heat treatment apparatuses are used. FIG.
도 4f 및 도 4g를 도 4a 내지 도 4e와 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400) 및 기판 열처리 장치(401)에서는, 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b) 또는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)(이하 통칭하여 "제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)"이라 합니다)은 각각 열처리 챔버 하우징(470)에 슬라이딩 방식으로 착탈 가능하게 장착된다. 이를 위해, 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)은 각각의 외부면 상에 손잡이부 장착부(426) 및 상기 손잡이부 장착부(426)에 장착되는 손잡이부(428)를 추가로 포함할 수 있다(도 4a 참조). 따라서, 복수의 램프 히터(412) 상에 증착된 흄을 제거(세정)하거나 또는 복수의 램프 히터(412) 중 일부에 고장이 발생하여 교체가 필요한 경우와 같은 유지보수가 필요한 경우, 작업자는 손잡이부(428)를 이용하여 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 일부 일부 또는 전부를 열처리 챔버 하우징(470)으로부터 예를 들어 슬라이딩 방식으로 탈착시켜 흄 제거(세정 공정) 또는 고장이 발생한 램프 히터만을 교체할 수 있다. 그에 따라, 종래 기술과는 달리 작업자가 기판 열처리 챔버(400) 내로 진입할 필요가 없이 기판 열처리 챔버(400)의 외부에서 유지보수 작업을 매우 용이하게 수행할 수 있다. 특히, 본 발명에서는 종래 기술의 배치형 보트(120)를 사용하는 대신 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 상부에 제공되는 복수의 리프트 핀(424)을 사용하므로, 유지보수 작업 시 램프 히터의 파손 등의 문제 발생이 최소화되거나 제거된다.Referring to Figures 4F and 4G with Figures 4A through 4E, in the substrate
또한, 본 발명에서는 복수의 램프 히터(412) 상에 증착된 흄을 제거(세정)하거나 또는 복수의 램프 히터(412) 중 일부에 고장이 발생하여 교체가 필요한 경우와 같은 유지보수가 필요한 경우, 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 길이가 L/2로 각각 종래 기술에 비해 1/2만큼만 열처리 챔버 하우징(470)으로부터 언로딩되면 충분하다.Further, in the present invention, when the fumes deposited on the plurality of
좀 더 구체적으로, 다시 도 4g를 참조하면, 예를 들어 2개의 제 1 및 제 2 열처리 챔버 하우징(470a,470b)이 사용되는 경우, 제 1 챔버(470a)와 제 2 챔버(470b) 사이의 거리는 제 1 챔버(470a)의 제 2 가동 플레이트 하우징(420b)의 폭(L/2) + 유지 보수 영역(Ma)의 폭(M2)에 해당하는 L/2+M2가 요구된다. 이 경우, 제 1 챔버(470a)의 제 2 가동 플레이트 하우징(420b1)의 폭(L/2)이 도 3d에 도시된 종래 기술의 보트(120)의 전체 폭(L)에 비해 1/2이므로, M2는 도 3d에 도시된 종래 기술의 M1에 비해 상대적으로 더 좁은 폭을 갖는다(즉, M1 > M2이므로, 더 좁은 폭의 M2로도 제 1 챔버(470a)의 제 2 가동 플레이트 하우징(420b1)의 유지 보수가 가능하다). 특히, 제 2 챔버(470b)의 제 1 가동 플레이트 하우징(420a1)의 유지 보수가 필요한 경우 제 1 가동 플레이트 하우징(420a1)을 유지 보수 영역(Mb) 방향으로 이동시킨 후 유지 보수 영역(Mb)에서 유지 보수가 가능하다. 따라서, L/2+M2의 길이에 대응되는 영역은 제 1 챔버(470a)의 제 2 가동 플레이트 하우징(420b1)과 제 2 챔버(470b)의 제 1 가동 플레이트 하우징(420a1)에 대한 공동 유지 보수가 가능한 영역으로 본 발명에서는 2개의 제 1 및 제 2 열처리 챔버 하우징(470a,470b)이 사용되는 경우. 사용자가 사용할 수 없는 데드 영역(dead region)이 L/2+M2이 된다. 만일, n개(여기서 n은 3개 이상의 자연수)의 챔버 하우징(470)이 직렬 배치 형태(batch type)로 사용되는 경우 n x (L/2+M2)의 길이에 대응되는 영역이 요구되므로 n값이 증가할수록 종래 기술과 비교하여 유지 보수 영역이 현저하게 감소되어, 전체 설비에 대해 설치 공간이 현저하게 감소되어 궁극적으로 기판의 제조 비용이 감소된다.More specifically, referring again to FIG. 4g, when two first and second heat
특히, 본 발명에서는 가동 플레이트 하우징이 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 분할 구조를 가지므로 제 1 및 제 2 가동 플레이트 하우징(420a,420b)에 대한 응력 집중의 분산에 따라 손상 발생 가능성이 크게 낮아진다.Particularly, in the present invention, since the movable plate housing has the divided structure of the first and second
도 5a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다.5A is a flowchart showing a substrate heat treatment method according to the first embodiment of the present invention.
도 5a를 도 4a 내지 도 4g와 함께 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)은 a) 열처리 챔버 하우징(470)에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)에 의해 열처리 공간(472)을 형성하는 단계(510); b) 상기 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 상부에 각각 제공되는 복수의 리프트 핀(424) 상에 기판(10)을 장착하는 단계(520); 및 c) 상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b) 각각에 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부(422)를 따라 착탈 가능하게 장착되는 복수의 램프 히터(412)를 이용하여 상기 기판(10)을 가열하여 열처리하는 단계(530)를 포함하되, 상기 복수의 램프 히터(412)의 유지보수가 필요한 경우 상기 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)을 각각 상기 열처리 챔버 하우징(470)에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행된다.Referring to FIG. 5A, with reference to FIGS. 4A through 4G, a substrate
상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)에서, 상기 유지보수 동작은 상기 복수의 램프 히터(412)를 세정하는 동작 및 상기 복수의 램프 히터(412) 중 고장이 발생한 램프 히터를 교체하는 동작 중 어느 하나 또는 양자를 포함할 수 있다.In the
도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다.5B is a flowchart showing a substrate heat treatment method according to the second embodiment of the present invention.
도 5b를 도 4a 내지 도 4g와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)은 a) 열처리 챔버 하우징(470)의 상부에 고정 장착되는 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 상기 상부 고정 플레이트 하우징(420)의 하부에서 상기 열처리 챔버 하우징(470)에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)에 의해 복수의 열처리 공간(472)을 구비한 복수의 기판 열처리 챔버(400)를 제공하는 단계(510); b) 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b) 각각의 상부에 제공되는 복수의 리프트 핀(424) 상에 기판(10)을 장착하는 단계(520); 및 c) 상기 상부 고정 플레이트 하우징(420) 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)에 각각 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부(422)를 따라 착탈 가능하게 장착되는 복수의 램프 히터(412)를 이용하여 상기 각각의 기판(10)을 가열하여 열처리하는 단계(530)를 포함하되, 상기 복수의 램프 히터(412)의 유지보수가 필요한 경우 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징(420a,420b)의 일부 또는 전부를 상기 열처리 챔버 하우징(470)에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행된다.Referring to FIG. 5B, with reference to FIGS. 4A through 4G, a substrate thermal processing method 500 according to a second embodiment of the present invention includes a) an upper fixing plate housing 420 fixedly mounted on a top of a thermal processing chamber housing 470, And a plurality of first and second lower movable plate housings (420a, 420b) detachably mounted to the heat treatment chamber housing (470) in a sliding manner from a lower portion of the upper fixing plate housing (420) Providing (510) a plurality of substrate thermal processing chambers (400) having a space (472); b) mounting (520) the substrate (10) on a plurality of lift pins (424) provided on top of each of the plurality of first and second lower movable plate housings (420a, 420b); And c) a plurality of detachably mounted cut-off portions 422 formed at predetermined intervals in the upper and lower fixed plate housings 420 and 420a and 420b, respectively, (530) heating and heating the respective substrates (10) by using a lamp heater (412) of a plurality of lamp heaters (412), wherein when maintenance of the plurality of lamp heaters (412) After the part or all of the two lower movable plate housings 420a and 420b are detached from the heat treatment chamber housing 470, the maintenance operation is performed.
상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)에서, 상기 유지보수 동작은 상기 복수의 램프 히터(412)를 세정하는 동작 및 상기 복수의 램프 히터(412) 중 고장이 발생한 램프 히터를 교체하는 동작 중 어느 하나 또는 양자를 포함할 수 있다.In the
다양한 변형예가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 본 명세서에 기술되고 예시된 구성 및 방법으로 만들어질 수 있으므로, 상기 상세한 설명에 포함되거나 첨부 도면에 도시된 모든 사항은 예시적인 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 예시적인 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이하의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.Various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims. It is not. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by the above-described exemplary embodiments, but should be determined only in accordance with the following claims and their equivalents.
1,401: 기판 열처리 장치 10: 기판 12: 홀더 100,400: 챔버
110: 프레임 120: 보트 140: 도어 160: 커버 122: 지지 부재
200: 메인 히터 유닛 210: 단위 메인 히터
220,220a,220b: 보조 히터 유닛 230a: 제1 단위 보조 히터
250: 냉각관 300: 가스 공급관 320: 가스 배출관
410: 히터 유닛 412: 램프 히터 414: 보조 램프 히터
420: 고정 플레이트 하우징 420a,420b: 가동 플레이트 하우징
421: 몸체부 422: 컷오프부 424: 리프트 핀
426: 손잡이부 장착부 428: 손잡이부 470: 챔버 하우징
472: 열처리 공간 481: 유입구 482: 유입홀 483: 배출구
484: 배출홀 486: 냉각홀 490a: 급기 부재 490b: 배기 부재1.401: substrate heat treatment apparatus 10: substrate 12:
110: frame 120: boat 140: door 160: cover 122: support member
200: main heater unit 210: unit main heater
220, 220a, 220b:
250: cooling pipe 300: gas supply pipe 320: gas discharge pipe
410: heater unit 412: lamp heater 414: auxiliary lamp heater
420:
421: body portion 422: cut-off portion 424: lift pin
426: handle portion mounting portion 428: handle portion 470: chamber housing
472: heat treatment space 481: inlet port 482: inlet hole 483:
484: exhaust hole 486: cooling
Claims (14)
열처리 챔버 하우징; 및
상기 열처리 챔버 하우징에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징
을 포함하고,
상기 열처리 챔버 하우징 및 상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징은 기판을 열처리하기 위한 열처리 공간을 형성하는
기판 열처리 챔버. In the substrate heat treatment chamber,
A heat treatment chamber housing; And
The first and second upper and lower movable plate housings, which are detachably mounted on the heat treatment chamber housing in a sliding manner,
/ RTI >
The heat treatment chamber housing and the first and second upper and lower movable plate housings form a heat treatment space for heat treating the substrate
Substrate heat treatment chamber.
상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징은 각각 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부를 따라 착탈 가능하게 장착되는 복수의 램프 히터; 및
상기 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징의 상부에 각각 제공되며, 기판을 장착하기 위한 복수의 리프트 핀
을 포함하는 기판 열처리 챔버. The method according to claim 1,
Wherein the first and second upper and lower movable plate housings are detachably mounted along a plurality of cut-off portions formed at regular intervals, respectively; And
A plurality of lift pins for mounting the substrate, each of the lift pins being provided on top of the first and second lower movable plate housings,
And a heat treatment chamber.
상기 복수의 램프 히터의 유지보수가 필요한 경우 상기 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징을 상기 열처리 챔버 하우징에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행되는 기판 열처리 챔버. The method according to claim 1,
Wherein when the maintenance of the plurality of lamp heaters is required, the maintenance operation is performed after the first and second lower movable plate housings are detached from the heat treatment chamber housing.
상기 유지보수 동작은 상기 복수의 램프 히터를 세정하는 동작 및 상기 복수의 램프 히터 중 고장이 발생한 램프 히터를 교체하는 동작 중 어느 하나 또는 양자를 포함하는 기판 열처리 챔버.The method of claim 3,
Wherein the maintenance operation includes either or both of an operation of cleaning the plurality of lamp heaters and an operation of replacing a lamp heater in which a failure occurs among the plurality of lamp heaters.
상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징은
각각의 외부면 상에 손잡이부 장착부; 및
상기 손잡이부 장착부에 장착되는 손잡이부
를 추가로 포함하는 기판 열처리 챔버. 5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The first and second upper and lower movable plate housings
A handle attaching portion on each outer surface; And
The handle portion mounting portion
Further comprising a substrate heating chamber.
복수의 기판 열처리 챔버를 포함하되,
상기 복수의 기판 열처리 챔버는 각각
열처리 챔버 하우징;
상기 열처리 챔버 하우징의 상부에 고정 장착되는 상부 고정 플레이트 하우징; 및
상기 상부 고정 플레이트 하우징의 하부에 제공되며, 상기 열처리 챔버 하우징에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징
을 포함하고,
상기 열처리 챔버 하우징, 상기 상부 고정 플레이트 하우징, 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징은 각각 상기 기판을 열처리하기 위한 열처리 공간을 형성하는
기판 열처리 장치.In the substrate heat treatment apparatus,
A plurality of substrate heat treatment chambers,
The plurality of substrate heat treatment chambers
A heat treatment chamber housing;
An upper fixation plate housing fixedly mounted on the upper portion of the heat treatment chamber housing; And
A plurality of first and second lower movable plate housings provided on a lower portion of the upper fixed plate housing and detachably mounted on the heat treatment chamber housings respectively in a sliding manner,
/ RTI >
The heat treatment chamber housing, the upper fixing plate housing, and the plurality of first and second lower movable plate housings respectively form a heat treatment space for heat-treating the substrate
Substrate heat treatment apparatus.
상기 상부 고정 플레이트 하우징 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징은 각각 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부를 따라 배열되는 복수의 램프 히터로 구성되는 히터 유닛; 및
상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징의 각각의 상부에 제공되며, 상기 기판을 장착하기 위한 복수의 리프트 핀
을 포함하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the upper fixing plate housing and the plurality of first and second lower movable plate housings are composed of a plurality of lamp heaters arranged along a plurality of cut-off portions formed at regular intervals, respectively; And
A plurality of lift pins provided on respective upper portions of the plurality of first and second lower movable plate housings for mounting the substrate,
And a substrate heating device for heating the substrate.
상기 복수의 램프 히터의 유지보수가 필요한 경우 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징의 일부 또는 전부를 상기 열처리 챔버 하우징에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행되는 기판 열처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein when maintenance of the plurality of lamp heaters is required, the maintenance operation is performed after part or all of the first and second lower movable plate housings are detached from the heat treatment chamber housing.
상기 유지보수 동작은 상기 복수의 램프 히터를 세정하는 동작 및 상기 복수의 램프 히터 중 고장이 발생한 램프 히터를 교체하는 동작 중 어느 하나 또는 양자를 포함하는 기판 열처리 장치. 9. The method of claim 8,
Wherein the maintenance operation includes either or both of an operation of cleaning the plurality of lamp heaters and an operation of replacing a lamp heater in which a failure occurs among the plurality of lamp heaters.
상기 복수의 가동 플레이트 하우징은
각각의 외부면 상에 손잡이부 장착부; 및
상기 손잡이부 장착부에 장착되는 손잡이부
를 추가로 포함하는 기판 열처리 장치.10. The method according to any one of claims 6 to 9,
The plurality of movable plate housings
A handle attaching portion on each outer surface; And
The handle portion mounting portion
Further comprising a substrate heating device for heating the substrate.
a) 열처리 챔버 하우징에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징에 의해 열처리 공간을 형성하는 단계;
b) 상기 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징의 상부에 각각 제공되는 복수의 리프트 핀 상에 기판을 장착하는 단계; 및
c) 상기 제 1 및 제 2 상부 및 하부 가동 플레이트 하우징 각각에 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부를 따라 착탈 가능하게 장착되는 복수의 램프 히터를 이용하여 상기 기판을 가열하여 열처리하는 단계
를 포함하되,
상기 복수의 램프 히터의 유지보수가 필요한 경우 상기 하부 가동 플레이트 하우징을 상기 열처리 챔버 하우징에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행되하는
기판 열처리 방법. In the substrate heat treatment method,
a) forming a heat treatment space by first and second upper and lower movable plate housings, each of which is detachably mounted on a heat treatment chamber housing in a sliding manner;
b) mounting a substrate on a plurality of lift pins provided on top of the first and second lower movable plate housings, respectively; And
c) heating and heat-treating the substrate using a plurality of lamp heaters detachably mounted on the first and second upper and lower movable plate housings along a plurality of cut-off portions formed at regular intervals,
, ≪ / RTI &
Wherein when the maintenance of the plurality of lamp heaters is required, the lower movable plate housing is detached from the heat treatment chamber housing and then the maintenance operation is performed
A method for heat treatment of a substrate.
상기 유지보수 동작은 상기 복수의 램프 히터를 세정하는 동작 및 상기 복수의 램프 히터 중 고장이 발생한 램프 히터를 교체하는 동작 중 어느 하나 또는 양자를 포함하는 기판 열처리 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the maintenance operation includes either or both of an operation of cleaning the plurality of lamp heaters and an operation of replacing a lamp heater in which a failure occurs among the plurality of lamp heaters.
a) 열처리 챔버 하우징의 상부에 고정 장착되는 상부 고정 플레이트 하우징 및 상기 상부 고정 플레이트 하우징의 하부에서 상기 열처리 챔버 하우징에 각각 슬라이딩 방식으로 착탈가능하게 장착되는 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징에 의해 복수의 열처리 공간을 구비한 복수의 기판 열처리 챔버를 제공하는 단계;
b) 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징 각각의 상부에 제공되는 복수의 리프트 핀 상에 기판을 장착하는 단계; 및
c) 상기 상부 고정 플레이트 하우징 및 상기 복수의 제 1 및 제 2 하부 가동 플레이트 하우징에 각각 일정 간격으로 형성된 복수의 컷오프부를 따라 착탈 가능하게 장착되는 복수의 램프 히터를 이용하여 상기 각각의 기판을 가열하는 단계
를 포함하되,
상기 복수의 램프 히터의 유지보수가 필요한 경우 상기 복수의 하부 가동 플레이트 하우징의 일부 또는 전부를 상기 열처리 챔버 하우징에서 탈착시킨 후 상기 유지보수 동작이 수행되는
기판 열처리 방법. In the substrate heat treatment method,
a) an upper fixed plate housing fixedly mounted on the upper portion of the heat treatment chamber housing, and a plurality of first and second lower movable plate housings detachably mounted on the heat treatment chamber housing from the lower portion of the upper fixed plate housing, Providing a plurality of substrate heat treatment chambers having a plurality of heat treatment spaces;
b) mounting a substrate on a plurality of lift pins provided on top of each of said plurality of first and second lower movable plate housings; And
c) heating each of the substrates using a plurality of lamp heaters detachably mounted on the upper fixed plate housing and the plurality of first and second lower movable plate housings along a plurality of cutoff portions formed at regular intervals, step
, ≪ / RTI &
When maintenance of the plurality of lamp heaters is required, part or all of the plurality of lower movable plate housings are detached from the heat treatment chamber housing and then the maintenance operation is performed
A method for heat treatment of a substrate.
상기 유지보수 동작은 상기 복수의 램프 히터를 세정하는 동작 및 상기 복수의 램프 히터 중 고장이 발생한 램프 히터를 교체하는 동작 중 어느 하나 또는 양자를 포함하는 기판 열처리 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the maintenance operation includes either or both of an operation of cleaning the plurality of lamp heaters and an operation of replacing a lamp heater in which a failure occurs among the plurality of lamp heaters.
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KR101723576B1 (en) * | 2015-10-19 | 2017-04-07 | (주) 예스티 | Stack-type chamber structure of a thermal processing apparatus |
KR101853364B1 (en) * | 2016-08-01 | 2018-06-20 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
KR20200062799A (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 주식회사 원익아이피에스 | Heater module and apparatus for processing substrate |
KR102304509B1 (en) * | 2020-03-17 | 2021-09-24 | (주) 예스티 | Apparatus for treating substrate of display |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11340114A (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate heat-treating device and its maintenance method |
KR101016048B1 (en) * | 2008-07-16 | 2011-02-23 | 주식회사 테라세미콘 | Batch Type Heat Treatment Apparatus |
KR101235342B1 (en) * | 2012-02-15 | 2013-02-19 | 주식회사 테라세미콘 | Method for transfering a substrate |
-
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101723576B1 (en) * | 2015-10-19 | 2017-04-07 | (주) 예스티 | Stack-type chamber structure of a thermal processing apparatus |
KR101853364B1 (en) * | 2016-08-01 | 2018-06-20 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
KR20200062799A (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 주식회사 원익아이피에스 | Heater module and apparatus for processing substrate |
KR102304509B1 (en) * | 2020-03-17 | 2021-09-24 | (주) 예스티 | Apparatus for treating substrate of display |
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