KR20150022936A

KR20150022936A - 도전 페이스트 및 도전 회로

Info

Publication number: KR20150022936A
Application number: KR20150004366A
Authority: KR
Inventors: 사또시 오끼쯔; 미찌꼬 가사마; 히로유끼 도까이; 노부유끼 야나기다
Original assignee: 다이요 홀딩스 가부시키가이샤
Priority date: 2012-03-30
Filing date: 2015-01-12
Publication date: 2015-03-04
Also published as: TWI550643B; KR20130111314A; CN103366861B; KR101568056B1; TW201344704A; CN103366861A

Abstract

본 발명은 저저항의 도전 회로의 형성을 가능하게 하는 도전 페이스트를 제공한다. 또한, 감광성을 부여한 도전 페이스트로서, 상기 특성을 구비함과 동시에 도전 회로의 고해상화를 달성할 수 있는 도전 페이스트를 제공한다.
본 실시 형태에 따른 도전 페이스트는 도전성 분말과, 유기 결합제와, 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체 중 적어도 어느 1종을 함유하는 것을 특징으로 한다.

Description

도전 페이스트 및 도전 회로 {CONDUCTIVE PASTE AND CONDUCTIVE CIRCUIT}

본 발명은 도전 페이스트 및 이를 이용한 도전 회로에 관한 것이다.

종래부터 플라즈마 디스플레이 패널(이하 "PDP"라고도 함) 등의 평판 디스플레이(이하 "FPD"라고도 함) 등에 대하여 도전 회로를 형성하는 기술로서, 유기 결합제에 은 분말 등의 도전성 분말을 혼합한 도전 페이스트를 기판 상에, 예를 들면 스크린 인쇄 등의 인쇄 기술을 이용한 수법이나, 감광성을 부여한 도전 페이스트를 이용하여 포토리소그래피 기술을 이용한 수법에 의해서 패턴 형성하고, 이어서 550℃ 이상에서의 소성을 행함으로써 유기 성분을 번아웃(burn out)시킴과 동시에 도전성 분말을 기판 상에 융착시켜 무기 성분만으로 이루어지는 도전 회로를 형성하는 방법이 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1, 2 등 참조). 그러나, 이 방법은 매우 고온 조건에서 행하기 때문에 적용할 수 있는 기재는 제한된다.

이에 대하여, 기재에 PET 등을 이용한 전자 페이퍼 등의 플렉시블 디바이스나, 터치 패널 등의 내열성이 낮은 디바이스에 대하여 도전 회로를 형성하는 기술로서, 도전 페이스트를 기재 상에 패턴 형성하고, 250℃ 이하의 온도에서 경화시켜 도전성 분말과 유기 성분을 포함하는 도전 회로를 형성하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면 특허문헌 3 등 참조).

이들 도전 페이스트에 의해 형성되는 도전 회로에서 높은 도전성을 얻기 위해서는, 예를 들면 도전 페이스트 중 도전성 분말의 함유율을 높게 하거나, 플레이크상 도전성 분말과 같은 형상을 특정하는 등의 검토가 이루어져 도전 회로의 저저항화가 도모되고 있지만, 아직 충분하다고는 할 수 없어 개선의 여지가 있다.

한편, 최근 고집적화된 LSI나 각종 전자 부품을 다수 탑재하기 위한 다층 회로 기판, 또는 PDP 등의 FPD에서 소형화, 고밀도화, 고정밀화 등의 요구가 높아지고 있어, 이들에 형성되는 회로나 전극 등의 파인화가 종래보다 더욱 요구되고 있다.

이러한 요구에 대하여, 스크린 인쇄법에 비하여 도전 회로의 고정밀화 등이 가능한 포토리소그래피법이 바람직하지만, 포토리소그래피법에서는 도전성 분말에 의해서 도막의 내부(심부)에까지 경화가 충분히 행해지기 어려워 조사광을 장시간 조사할 필요가 있고, 이에 따라 반응에서 생성된 라디칼이나 활성종의 확산이 진행되어 도전 회로의 해상성이 저하된다는 문제가 있었다.

일본 특허 공개 (평)10-269848호 공보(특허 청구 범위 등) 일본 특허 제3520798호 일본 특허 공개 제2004-355933호 공보(특허 청구 범위 등)

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그의 목적은 저저항의 도전 회로를 형성할 수 있는 도전 페이스트를 제공하는 데에 있다. 또한, 감광성을 부여한 도전 페이스트로서, 상기 특성을 구비함과 동시에 도전 회로의 고해상화를 달성할 수 있는 도전 페이스트를 제공하는 데에 있다.

본 실시 형태에 따른 도전 페이스트는 도전성 분말과, 유기 결합제와, 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체 중 적어도 어느 1종을 함유하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의해 도전 회로의 저저항화를 달성할 수 있다. 특히 유기 성분을 번아웃하지 않은 도전 회로에 있어서는, 종래 달성할 수 없었던 저저항을 달성할 수 있다.

본 실시 형태에 따른 도전 페이스트의 바람직한 양태로는, 상기 도전성 분말은 은 분말인 것이 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에 따른 도전 페이스트는 상기 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산 유도체 중 적어도 어느 1종의 배합량이 고형분 환산으로서, 상기 유기 결합제 수지 100 질량부당 0.01 내지 10 질량부인 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의해 도전 회로의 추가적인 저저항화를 달성할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따른 도전 페이스트는 상기 구성에 추가로, 광중합성 단량체, 옥심에스테르계 광중합 개시제를 함유하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의해, 얻어지는 도전 회로의 저저항화를 달성함과 동시에 고해상화를 도모할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따른 도전 회로는 상기한 도전 페이스트를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 도전 페이스트에 따르면, 저저항의 도전 회로를 형성할 수 있다. 또한, 감광성을 부여한 도전 페이스트에 있어서는, 상기 특성을 구비함과 동시에 도전 회로의 고해상화를 달성할 수 있다.

본 발명의 발명자들은 상기 과제에 대하여 예의 검토한 결과, 도전 회로 형성에 이용하는 페이스트에 도전성 분말과, 유기 결합제와, 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체 중 적어도 어느 1종을 함유함으로써 저저항의 도전 회로를 형성할 수 있는 것을 발견하고, 상기 페이스트에 감광성을 부여한 경우에 광중합 개시제로서 옥심에스테르계 광중합 개시제를 함유시킴으로써, 얻어지는 도전 회로의 저저항 뿐 아니라 고해상화를 도모할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

이하, 본 실시 형태의 도전 페이스트에 대해서 상세히 설명한다.

본 실시 형태의 도전 페이스트에 있어서의 도전성 분말은, 형성된 도전 회로에 도전성을 부여하는 것이고, 구체적으로는, 예를 들면 Ag, Au, Pt, Pd, Ni, Cu, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Ru 등을 들 수 있다. 이들 도전성 분말은 단체의 형태로 이용할 수도 있고, 이들 어느 하나의 합금이나, 이들 어느 하나를 코어 또는 피복층으로 하는 다층체일 수도 있다. 또한, 산화주석(SnO₂), 산화인듐(In₂O₃), ITO(인듐 주석 산화물) 등의 산화물을 이용할 수도 있다. 이들 도전성 분말 중에서도 Ag이 바람직하게 이용된다.

도전성 분말의 형상으로는, 구상, 플레이크(비늘 조각)상 이외에, 덴드라이트상 등 다양한 형상의 것을 사용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.

도전성 분말의 입경으로는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 구상의 도전성 분말을 이용하는 경우에는, 평균 입경이 0.1 내지 5 ㎛, 바람직하게는 0.2 내지 3 ㎛이다. 또한, 플레이크상의 도전성 분말을 이용하는 경우, 평균 입경이 0.1 내지 5 ㎛, 바람직하게는 0.3 내지 3 ㎛이다.

또한, 평균 입경은, SEM(주사형 전자 현미경)을 이용하여 관찰한 랜덤인 10개의 도전성 분말을 측정하여 평균을 산출함으로써 구해진다.

또한, 플레이크상 은 분말이란, 구체적으로는 종횡비가 3 이상인 은 분말을 말한다. 종횡비는 (평균 입경/평균 두께 T)에 의해 구할 수 있다.

여기서 "평균 입경"은, 주사형 전자 현미경으로 길이 방향으로 측정한 입자 10개의 평균 장경 L을 나타내고, "평균 두께 T"는, 주사형 전자 현미경으로 두께 방향으로 측정한 입자 10개의 평균 두께 T를 나타낸다.

이러한 도전성 분말은 도전 페이스트의 불휘발 성분(건조 공정에서 페이스트 중으로부터 휘발하지 않고, 막에 잔존하는 성분)을 기준으로 하여 30 내지 90 질량％인 것이 바람직하다. 30 질량％ 미만이면 충분한 도전성을 얻는 것이 곤란해지고, 90 질량％를 초과하면 인쇄성이 떨어져 도막 형성이 곤란해진다. 또한, 도전 페이스트가 감광성인 경우에는, 노광시의 광이 도막 심부까지 투과하지 않기 때문에 심부의 광 경화성이 악화되어 세선 패턴의 형성이 불가능해진다. 보다 바람직하게는 50 내지 85 질량％이다.

본 실시 형태의 도전 페이스트에 있어서의 유기 결합제는, 도전성 분말을 분산하여 기판 상에 도포 가능한 상태로 하고, 도전 페이스트가 감광성인 경우, 패턴 노광에 의해 현상함으로써, 도막에 패턴을 형성하기 위해서 이용된다.

유기 결합제로는 비감광성의 수지, 감광성의 수지 중 어느 것에도 사용할 수 있다. 유기 결합제로는 건조성 유기 결합제, 열 경화성 유기 결합제, 광 경화성 유기 결합제 중 어느 1종을 포함하는 것을 사용할 수 있다. 반드시 단체로 이용할 필요는 없고, 2종 이상 병용하는 것도 가능하다.

이 중, 건조성 유기 결합제 및 열 경화성 유기 결합제는 비감광성의 도전 페이스트에 이용된다. 건조성 유기 결합제는 후술하는 유기 용제와 함께 이용되며, 가열 건조에 의해서 유기 용제가 제거됨으로써 건조 도막을 형성한다. 또한, 열 경화성 유기 결합제는, 열 또는 촉매의 작용을 받아 분자간 가교함으로써 경화하여, 경화 도막을 형성한다.

이러한 건조성 유기 결합제 및 열 경화성 유기 결합제로는, 아크릴계 폴리올, 폴리비닐알코올, 폴리비닐아세탈, 스티렌-알릴알코올 수지, 페놀 수지 등의 올레핀계 수산기 함유 중합체, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체나, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 알키드 수지, 알키드페놀 수지, 부티랄 수지, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지 등의 수지를 사용할 수 있다. 특히, 열 경화성 유기 결합제로서, 열 경화에 의해 경화 도막을 형성하는 경우에는, 후술하는 과산화물의 열 중합 촉매를 병용하는 것이 바람직하다.

또한, 광 경화성 유기 결합제는 감광성을 부여하는 경우에 이용되며, 자외선, 전자선 등의 활성 에너지선의 작용을 받아 분자간 가교에 의해 경화하여, 경화 도막을 형성한다.

이러한 광 경화성 유기 결합제로는, 비닐기, 알릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 등의 에틸렌성 불포화 결합이나 프로파르길기 등의 감광성기를 갖는 수지, 예를 들면 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 아크릴계 공중합체, 불포화 카르복실산 변성 에폭시 수지 또는 그것에 추가로 다염기산 무수물을 부가한 수지 등, 종래 공지된 각종 감광성 수지(감광성 예비 중합체)를 사용할 수 있다.

이들 광 경화성 유기 결합제는, 분자 중에 1개 이상의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물, 즉 후술하는 광중합성 단량체와 병용하여 사용할 수 있다. 또한, 광 경화성 유기 결합제는, 광 중합을 보다 효율적으로 진행시키기 위해, 후술하는 광중합 개시제를 병용하는 것이 바람직하다.

포토리소그래피법에 이용하는 경우에는, 현상성 측면에서 상기 수지 등 중에서도, 특히 카르복실기를 갖는 수지가 바람직하다. 이러한 카르복실기를 갖는 수지(올리고머 및 중합체 중 어느 것일 수도 있음)로는, 구체적으로는 예를 들면 이하와 같은 것을 들 수 있다.

(1) (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 메틸(메트)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 공중합시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 수지.

(2) (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산과, 메틸(메트)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 글리시딜(메트)아크릴레이트나(메트)아크릴산클로라이드 등에 의해 에틸렌성 불포화기를 팬던트로서 부가시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(3) 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과, 메틸(메트)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산을 반응시키고, 생성된 2급의 수산기에 테트라히드로프탈산 무수물 등의 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(4) 무수 말레산 등의 불포화 이중 결합을 갖는 산 무수물과, 스티렌 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(5) 다관능 에폭시 화합물과 (메트)아크릴산 등의 불포화 카르복실산을 반응시키고, 생성된 2급의 수산기에 테트라히드로프탈산 무수물 등의 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(6) 메틸(메트)아크릴레이트 등의 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체의 에폭시기에 1 분자 중에 1개의 카르복실기를 갖고 에틸렌성 불포화 결합을 갖지 않는 유기산을 반응시키고, 생성된 2급의 수산기에 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

(7) 폴리비닐알코올 등의 수산기 함유 중합체에 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지.

(8) 폴리비닐알코올 등의 수산기 함유 중합체에 테트라히드로프탈산 무수물 등의 다염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 수지에, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 더 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지.

이들 중에서, 특히 (1), (2), (3), (6)의 수지가 바람직하게 이용된다. 또한, 이들 수지는 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 또한, 본 명세서 중 (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 및 이들의 혼합물을 총칭하는 용어이고, 다른 유사한 표현에 대해서도 마찬가지이다.

이러한 카르복실기를 갖는 수지의 배합량으로는, 불휘발 성분(건조 공정에서 페이스트 중에서 휘발하지 않고, 막에 잔존하는 성분)을 기준으로 하여 1 내지 50 질량％로 배합되는 것이 바람직하다. 1 질량％ 미만인 경우, 형성하는 도막 내의 이들 수지의 부족에 의해 현상성이 대폭 악화되어, 현상에 의한 패터닝이 곤란해진다. 한편, 50 질량％를 초과한 경우, 도전성 분말의 비율이 부족하여, 저항값이 악화되는 경향이 있다.

또한, 중량 평균 분자량으로는 1,000 내지 100,000인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 1,000 미만인 경우, 현상시 도막의 밀착성이 열화하고, 한편 100,000을 초과한 경우, 현상 불량을 일으키기 쉬워진다. 보다 바람직하게는 5,000 내지 70,000이다. 또한, 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정한 폴리스티렌 환산의 값이다.

또한, 카르복실기를 갖는 수지의 산가는 50 내지 250 mgKOH/g인 것이 바람직하다. 산가가 50 mgKOH/g 미만인 경우, 알칼리 수용액에 대한 용해성이 불충분하여 현상 불량을 일으키기 쉽고, 한편 250 mgKOH/g을 초과한 경우, 현상시에 도막의 밀착성의 열화나 광 경화부(노광부)의 용해가 발생한다.

또한, 카르복실기 함유 감광성 수지의 이중 결합 당량이 350 내지 2,000 g/eq인 것이 바람직하다. 카르복실기 함유 감광성 수지의 이중 결합 당량이 350 g/eq 미만인 경우, 패턴이 굵어지기 쉬워 라인의 샤프성이 악화되기 쉽다. 한편, 2,000 g/eq를 초과한 경우, 현상시의 작업 여유도가 좁으며, 광 경화시에 고노광량을 필요로 한다. 보다 바람직하게는 400 내지 1,500 g/eq이다.

티오디글리콜산은 금속 도금액의 안정성의 부여를 위해 첨가하는 것인데, 본 실시 형태에서는, 도전 회로 형성에 이용하는 도전 페이스트 중에 함유시킴으로써 저저항의 도전 회로의 형성을 달성할 수 있다. 또한, 도전 페이스트에 감광성을 부여하는 경우에는, 후술하는 옥심에스테르계 광중합 개시제와 병용함으로써, 상기한 도전 회로의 저저항화 뿐 아니라 고해상화를 달성할 수 있다. 티오디글리콜산으로는, 예를 들면 간토 가가꾸사 제조의 CICA(Chemicals, Industrial products, Collect, Associate) 1급 등의 티오디글리콜산을 사용할 수 있다.

또한, 티오디글리콜산의 유도체를 이용하여도 상기한 도전 회로를 형성할 수 있다. 또한, 유도체란, 어떤 화합물에 작은 부분의 구조상의 변화가 있어 만들어진 화합물을 말하며, 일반적으로는 화합물 중 수소 원자 또는 특정한 원자단이 다른 원자 또는 원자단에 의해서 치환된 화합물을 말한다.

티오디글리콜산의 유도체로는, 예를 들면 3,3'-티오디프로피온산, 티오디아세트산디알릴, 티오비스(아세트산부틸), 티오디글리콜산디나트륨, 2,2'-티오디아세트산비스(2-에틸헥실), 티오디아세트산디옥틸, 2,2'-티오비스(아세트산메틸), 티오디글리콜산디칼륨 등을 들 수 있다.

티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체 중 적어도 어느 1종의 배합 비율은, 고형분 환산으로서, 유기 결합제 100 질량부당 0.01 내지 10 질량부가 바람직하다. 0.01 질량부 미만이면, 도전성이 악화된다. 한편, 10 질량부를 초과하면, 마찬가지로 도전성이 악화되며, 현상성이 매우 양호한 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체 중 적어도 어느 1종의 특성에 의해 패터닝성이 악화된다. 보다 바람직하게는 0.1 내지 5 질량부이다.

또한, 본 실시 형태의 도전 페이스트에 감광성을 부여하는 경우에는, 광중합성 단량체를 사용할 수 있다.

광중합성 단량체로는, 예를 들면 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리우레탄디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥시드 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류; 프탈산, 아디프산, 말레산, 이타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 히드록시알킬(메트)아크릴레이트와의 모노-, 디-, 트리-, 또는 그 이상의 폴리에스테르 등을 들 수 있다.

이들 광중합성 단량체는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 이들 광중합성 단량체 중에서도, 1 분자 중에 2개 이상의 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 다관능 단량체가 바람직하다.

이러한 광중합성 단량체의 배합량으로는, 고형분 환산으로서, 유기 결합제 100 질량부당 5 내지 200 질량부가 바람직하다.

또한, 도전 페이스트에 감광성을 부여하는 경우에 광 경화를 촉진시키는 것을 목적으로 하여 광중합 개시제를 사용할 수 있다.

광중합 개시제로는, 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인과 벤조인알킬에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논 등의 아세토페논류; 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등의 아미노아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논 등의 벤조페논류; 또는 크산톤류; (2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스피네이트 등의 포스핀옥시드류; 각종 퍼옥시드류를 들 수 있다.

시판품으로는, 예를 들면 BASF 재팬사 제조의 이르가큐어(IRGACURE) 184, 이르가큐어 819, 이르가큐어 907, 이르가큐어 369, 이르가큐어 379, 이르가큐어 389, 루시린(등록상표) TPO 등을 들 수 있다.

광중합 개시제의 배합량으로는, 고형분 환산으로서, 유기 결합제 100 질량부당 0.01 내지 50 질량부가 바람직하다. 0.01 질량부 미만이면, 광 경화성이 불충분해져 패턴에 어긋남이 발생하기 쉬워진다. 또한 표면 경화성이 부족하여, 현상시에 도막 표면이 손상을 받아 도전성에 영향을 미친다. 한편, 50 질량부를 초과하면 패턴의 헐레이션(halation)이 발생하여, 패턴 단부 부분의 샤프성이 악화된다. 또한 패턴의 발출성이 악화되어, 스페이스가 작은 패턴을 그릴 수 없게 된다.

광중합 개시제 중에서도, 특히 옥심에스테르계 광중합 개시제는 고광감도이기 때문에 도전성 분말이 많이 배합된 페이스트여도, 적은 노광량으로 충분히 광 경화를 행할 수 있어, 해상성이 높은 도전 회로를 형성할 수 있다.

옥심에스테르계 광중합 개시제로는, 예를 들면 하기 화학식 (I)로 표시되는 기를 갖는 화합물,

(식 중, R¹은 수소 원자, 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수도 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수가 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수도 있음)를 나타내고, R²는 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수도 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수가 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수도 있음)를 나타냄)

하기 화학식 (II)로 표시되는 2-(아세틸옥시이미노메틸)티옥산텐-9-온,

하기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물,

(식 중, R³ 및 R⁴는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 나타내고, M은 S, O 또는 NH를 나타내고, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸ 및 R⁹는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, m 및 n은 0 내지 5의 정수를 나타냄)

하기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물,

(식 중, R¹⁰은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 벤질기, 벤조일기, 탄소수 2 내지 12의 알카노일기, 탄소수 2 내지 12의 알콕시카르보닐기(알콕실기를 구성하는 알킬기의 탄소수가 2 이상인 경우, 알킬기는 1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 또는 페녹시카르보닐기를 나타내고, R¹¹, R¹³은 각각 독립적으로 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수도 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수가 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수도 있음)를 나타내고, R¹²는 수소 원자, 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수도 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수가 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수도 있음)를 나타냄)

하기 화학식 (V)로 표시되는 화합물이나,

(식 중, R¹⁴는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기 또는 CN을 나타내고, 알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기의 수소 원자는 추가로 OR⁴¹, COR⁴¹, SR⁴¹, NR⁴²R⁴³, -NCOR⁴²-OCOR⁴³, CN, 할로겐 원자, -CR⁴¹=CR⁴²R⁴³ 또는 CO-CR⁴¹=CR⁴²R⁴³으로 치환될 수도 있고, R⁴¹, R⁴² 및 R⁴³은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기 또는 탄소수 2 내지 20의 복소환기를 나타내고, R¹⁵는 R⁵¹ 또는 OR⁵¹을 나타내고, R⁵¹은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기를 나타내고, 알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기의 수소 원자는 추가로 할로겐 원자로 치환될 수도 있고, R¹⁶은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기를 나타내고, R¹⁴, R¹⁶, R⁴¹, R⁴² 및 R⁴³으로 표시되는 치환기의 알킬렌 부분의 메틸렌기는 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합, 티오에스테르 결합, 아미드 결합 또는 우레탄 결합에 의해 1 내지 5회 중단될 수도 있고, 상기 치환기의 알킬 부분은 분지측 쇄일 수도 있고, 환상 알킬일 수도 있고, 상기 치환기의 알킬 말단은 불포화 결합일 수도 있고, R¹⁶은 인접하는 벤젠환과 하나가 되어 환을 형성할 수도 있다. R¹⁷ 및 R¹⁸은 각각 독립적으로 R⁵¹, OR⁵¹, CN 또는 할로겐 원자를 나타내고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 3임),

하기 화학식 (VI)으로 표시되는 카르바졸 이량체를 갖는 화합물을 사용할 수 있다.

(식 중, R¹⁹는 수소 원자, 탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 페닐기(탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 아미노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 의해 치환되어 있음), 나프틸기(탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 아미노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 의해 치환되어 있음)를 나타내고, R²⁰, R²¹은 각각 수소 원자, 탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 할로겐기, 페닐기, 페닐기(탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 아미노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 의해 치환되어 있음), 나프틸기(탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 아미노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 의해 치환되어 있음), 안트릴기, 피리딜기, 벤조푸릴기, 벤조티에닐기를 나타내고, Ar은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌, 비닐렌, 페닐렌, 비페닐렌, 피리딜렌, 나프틸렌, 안트릴렌, 티에닐렌, 푸릴렌, 2,5-피롤-디일, 4,4'-스틸벤-디일, 4,2'-스티렌-디일을 나타내고, n은 0 또는 1의 정수임)

시판품으로는, 예를 들면 BASF 재팬사 제조의 CGI-325, 이르가큐어(등록상표) OXE01, 이르가큐어 OXE02, 아데카(ADEKA)사 제조의 NCI-831 등을 사용할 수 있다.

옥심에스테르계 광중합 개시제의 배합량은, 고형분 환산으로서, 유기 결합제 100 질량부당 0.01 내지 30 질량부가 바람직하다. 0.01 질량부 미만이면, 상기한 광중합 개시제와 마찬가지로 광 경화성이 불충분해져 패턴에 결함이 발생하기 쉬워진다. 또한 표면 경화성이 부족하여 현상시에 도막 표면이 손상을 받아, 저항값의 악화가 발생한다. 한편, 30 질량부를 초과하면, 상기한 광중합 개시제와 마찬가지로 패턴의 헐레이션이 발생하여, 패턴 단부 부분의 샤프성이 악화된다. 또한 패턴의 발출성이 악화되어, 스페이스가 작은 패턴을 그릴 수 없게 된다. 보다 바람직하게는 0.05 내지 5 질량부이다.

상기한 광중합 개시제에는 N,N-디메틸아미노벤조산에틸에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 3급 아민류와 같은 광 증감제의 1종 또는 2종 이상과 조합시켜 사용할 수 있다.

또한, 도전 페이스트의 경화 촉진을 목적으로 하여, 필요에 따라 열 중합 촉매를 사용할 수 있다. 열 중합 촉매는 수분 내지 1시간 정도의 고온에서의 에이징에 의해 미경화된 중합성 성분을 반응시킬 수 있다.

이러한 열 중합 촉매로는, 예를 들면 과산화벤조일 등의 과산화물, 이소부티로니트릴 등의 아조 화합물이고, 바람직하게는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2,4-디발레로니트릴, 1,1'-아조비스-1-시클로헥산카르보니트릴, 디메틸-2,2'-아조비스이소부틸레이트, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드, 2-메틸-2,2'-아조비스프로판니트릴, 2,4-디메틸-2,2,2',2'-아조비스펜탄니트릴, 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄), 2,2,2',2'-아조비스(2-메틸부탄아미드옥심)디히드로클로라이드 등을 들 수 있다.

또한, 본 실시 양태의 도전 페이스트에는 점도를 조정하고, 균일한 도막을 형성하기 위해 유기 용제를 사용할 수 있다.

이러한 유기 용제로는, 예를 들면 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류; 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 카르비톨, 메틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부티레이트 등의 에스테르류; 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 테르피네올 등의 알코올류; 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소; 석유 에테르, 석유 나프타, 수소 첨가 석유 나프타, 솔벤트 나프타 등의 석유계 용제를 들 수 있고, 이들을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

이러한 도전 페이스트에 있어서, 보존 안정성을 향상시키고, 겔화나 유동성의 저하에 의한 도포 작업성의 악화를 억제하기 위해 안정제를 더 첨가할 수 있다.

이러한 안정제로는, 도전 페이스트 중 도전성 분말과의 착체화 또는 염 형성 등의 효과가 있는 화합물을 사용할 수 있다.

구체적으로는, 예를 들면 질산, 황산, 염산, 붕산 등의 각종 무기산; 포름산, 아세트산, 아세토아세트산, 시트르산, 스테아르산, 말레산, 푸마르산, 프탈산, 벤젠술폰산, 설파민산 등의 각종 유기산; 인산, 아인산, 차아인산, 인산메틸, 인산에틸, 인산부틸, 인산페닐, 아인산에틸, 아인산디페닐, 모노(2-메타크릴로일옥시에틸)애시드포스페이트, 디(2-메타크릴로일옥시에틸)애시드포스페이트 등의 각종 인산 화합물(무기 인산, 유기 인산) 등의 산을 들 수 있다. 이들 안정제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 도전 페이스트에는, 실리콘계, 아크릴계 등의 소포·레벨링제, 도막의 밀착성 향상을 위한 실란 커플링제 등의 다른 첨가제를 배합할 수 있다. 또한, 공지된 산화 방지제나, 보존시의 열적 안정성을 향상시키기 위한 열 중합 금지제 등을 첨가할 수도 있다.

이상과 같이 구성되는 도전 페이스트는 각 성분을 혼합함으로써 제조되며, 교반기 등에 의한 교반 후, 3축 롤밀 등에 의해 연육하여 페이스트화할 수 있다.

이와 같이 하여 제조된 도전 페이스트는, 비감광성의 도전 페이스트의 경우에는, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄 등의 인쇄법에 의해 유리 기판 등의 기재에 원하는 도전 회로를 인쇄하고, 그 후 도전 회로가 인쇄된 기재를 80 내지 300℃에서 5 내지 60분 건조, 또는 경화시킴으로써 기재 상에 원하는 도전 회로를 형성한다.

한편, 감광성의 도전 페이스트의 경우에는, 상기 방법 이외에 이하의 방법에 의해 도전 회로가 형성된다.

우선, 스크린 인쇄법, 바 코터, 블레이드 코터 등 적절한 도포 방법으로 유리 기판 등의 기재에 도포하여, 도막을 형성한다.

이어서, 얻어진 도막을 지촉 건조성을 얻기 위해 열풍 순환식 건조로, 원적외선 건조로 등에서 예를 들면 약 70 내지 120℃에서 5 내지 40분 정도 건조시켜, 태크프리의 도막(건조 도막)을 형성한다. 이 때, 미리 도전 페이스트를 필름 상에 성막하고 있는 경우에는, 기재 상에 라미네이트할 수도 있다.

그 후, 얻어진 건조 도막에 대하여 선택적 노광을 행한다. 선택적 노광으로는, 소정의 노광 패턴을 갖는 네가티브 마스크를 이용한 접촉 노광 및 비접촉 노광이 가능하다. 노광 광원으로는, 예를 들면 할로겐 램프, 고압 수은등, 레이저광, 메탈할라이드 램프, 블랙 램프, 무전극 램프 등이 사용된다. 노광량으로는 10 내지 700 mJ/㎠ 정도가 바람직하다.

선택적 노광 후의 도막에 대하여 현상을 행한다. 현상에는 스프레이법, 침지법 등이 이용된다. 현상액으로는, 도전 페이스트 중에 포함되는 유기 결합제 중에 포함되는 카르복실기가 비누화되어, 미경화부(미노광부)를 제거할 수 있으면 되고, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨 등의 금속 알칼리 수용액이나, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 아민 수용액, 특히 약 1.5 중량％ 이하의 농도의 희알칼리 수용액이 바람직하게 이용된다. 또한, 현상 후에 불필요한 현상액의 제거를 위해 수세나 산중화를 행하는 것이 바람직하다.

그 후, 현상에 의해 원하는 도전 패턴이 형성된 기판을 80 내지 300℃에서 5 내지 60분 건조, 또는 경화시킴으로써 기재 상에 원하는 도전 회로를 형성한다.

[실시예]

이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 실시 형태에 대해서 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에서 "％"는, 특별히 언급이 없는 한 전부 중량 기준이다.

<유기 결합제 수지 용액의 합성예>

온도계, 교반기, 적하 깔때기 및 환류 냉각기를 구비한 플라스크에 메틸메타크릴레이트, 메타크릴산을 0.87:0.13의 몰비로 투입하고, 용매로서 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 촉매로서 아조비스이소부티로니트릴을 넣고, 질소 분위기하에 80℃에서 2 내지 6시간 교반하여, 유기 결합제를 포함한 수지 용액을 얻었다. 이 유기 결합제는 중량 평균 분자량이 약 10,000, 산가가 74 mgKOH/g, 고형분이 57％였다.

또한, 유기 결합제의 중량 평균 분자량의 측정에는, 시마즈 세이사꾸쇼 제조 펌프 LC-6AD와 쇼와 덴꼬 제조 칼럼 쇼덱스(등록상표) KF-804, KF-803, KF-802를 3개 연결한 고속 액체 크로마토그래피를 사용하였다.

[도전 페이스트]

<도전 페이스트의 제조>

하기 표 1에 나타내는 각 성분·조성비로 배합하여 교반기에 의해 교반한 후, 3축 롤밀에 의해 연육하여 페이스트화를 행하고, 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4의 각 도전 페이스트를 제조하였다.

<비저항값 평가>

제조한 각 도전 페이스트를 유리 기판 상에 패턴 인쇄하여 0.4 cm×10 cm의 패턴을 형성하고, 170℃×30분으로 가열 처리하여 0.4 cm×10 cm의 도전 회로를 형성하였다. 이 도전 회로에 대해서, 밀리옴하이테스터를 이용한 사단자법에 의해 시트 저항값을 측정하고, 비저항값을 산출하였다.

*1: 평균 입경=1.5 ㎛

*2: 2,2'-티오디글리콜산(간토 가가꾸사 제조; 규격 CICA 1급)

*3: 3,3'-티오디프로피온산(간토 가가꾸사 제조; 규격 CICA 1급)

*4: 글리콜산(간토 가가꾸사 제조; 규격 CICA 1급)

*5: 티오글리콜산(간토 가가꾸사 제조; 규격 CICA 1급)

*6: 말론산(간토 가가꾸사 제조; 규격 CICA 1급)

*7: BYK-354(빅케미 재팬사 제조)

표 1에 나타낸 바와 같이, 티오디글리콜산 또는 그의 유도체를 이용한 실시예 1 내지 3에서는, 모두 10^-5(Ω·cm) 오더의 비저항값이 얻어져, 저저항인 것이 확인되었다. 한편, 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체 중 적어도 어느 1종을 이용하지 않는 비교예 1, 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체의 적어도 어느 1종 대신에 글리콜산, 티오글리콜산, 말론산을 각각 이용한 비교예 2, 3, 4에서는, 모두 10^-5(Ω·cm) 오더의 비저항값이 얻어지지 않으며, 실시예에 비하여 비저항값이 높은 것이 확인되었다.

[감광성 도전 페이스트]

<감광성 도전 페이스트의 제조>

하기 표 2에 나타내는 각 성분·조성비로 배합하여 교반기에 의해 교반한 후, 3축 롤밀에 의해 연육하여 페이스트화를 행하고, 실시예 4, 5, 참고예 1 및 비교예 5의 각 감광성 도전 페이스트를 제조하였다. 또한, 감광성 도전 페이스트에 이용하는 도전성 분말의 명도 L^* 값은 JIS 규격 Z8722에 따라 측정한 값이다.

*1: 은 분말; 명도 L^*=70, 평균 입경=2 ㎛

*2: 은 분말; 명도 L^*=58, 평균 입경=1.5 ㎛

*3: 옥심에스테르계 광중합 개시제; NCI-831(아데카사 제조)

*4: 티오크산톤계 광중합 개시제; 카야큐어(KAYACURE) DETX-S(닛본 가야꾸사 제조)

*5: 아세토아미노페논계 중합 개시제; 이르가큐어 379(BASF 재팬사 제조)

*6: 2,2'-티오디글리콜산(간토 가가꾸사 제조; 규격 CICA 1급)

*7: M-350(도아 고세이사 제조)

*8: 카르비톨아세테이트

*9: BYK-354(빅케미 재팬사 제조)

*10: 불휘발 성분을 기준으로 하여 산출

(해상성 평가)

유리 기판 상에 각 감광성 도전 페이스트를 200메쉬의 폴리에스테르 스크린을 이용하여, 웨트막 두께가 14 ㎛가 되도록 전체면에 도포하고, IR 건조로에서 100℃에서 20분간 건조하여 건조 도막을 형성하였다. 또한, 건조 후 도막의 막 두께는 10 ㎛였다.

다음으로, 얻어진 건조 도막에 광원으로서 초고압 수은등을 이용하여, 네가티브 마스크를 통해 남은 해상도는 라인=10/20/~90/100 ㎛의 스트레이트 라인 패턴 네가티브 마스크를 사용하였다. 발출 해상도에 대해서는 잔존 해상도의 네가티브 패턴의 네가티브/포지티브 역 패턴을 사용하였다. 각 건조 도막에 대하여, 200 mJ/㎠로 패턴 노광한 후, 액체 온도 30℃의 0.4％ 탄산나트륨 수용액을 이용하여 현상 시간을 10 및 20초로 하여 현상을 행하고, 수세하였다.

잔존 해상도; 최소 잔존 패턴의 네가티브 마스크 설계값.

발출 해상도; 패터닝이 된 최소 스페이스의 네가티브 마스크 설계값.

측정 결과를 하기 표 3에 나타내었다.

(비저항값 평가)

네가티브 설계 0.4×10(cm)의 직사각형 패턴을 형성하고, 열 경화 후의 저항값과 막 두께로부터 비저항값을 산출하였다. 측정 결과를 표 3에 나타내었다.

표 3에 나타낸 바와 같이, 티오디글리콜산을 사용한 본 실시 형태의 감광성 도전 페이스트를 이용한 실시예 4, 5 모두 티오디글리콜산을 사용하지 않은 비교예 5에 비하여 저저항인 것을 알 수 있다. 또한, 광중합 개시제에 옥심에스테르계를 사용한 실시예 4, 5에서는, 저저항인 것 이외에, 잔존 해상도, 발출 해상도가 광중합 개시제에 옥심에스테르계를 이용하지 않은 참고예 1에 비하여 양호하다는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 4, 5의 결과로부터 본 실시 형태의 감광성 도전 페이스트는, 도전성 분말의 명도 L^*값에 관계없이 패터닝은 양호하다는 것을 알 수 있다.

Claims

도전성 분말과, 유기 결합제와, 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체 중 적어도 어느 1종과, 옥심에스테르계 광중합 개시제를 함유하고, 유리 분말을 포함하지 않는 도전 페이스트이며,
상기 옥심에스테르계 광중합 개시제는 하기 화학식 (I)로 표시되는 기를 갖는 화합물, 하기 화학식 (II)로 표시되는 2-(아세틸옥시이미노메틸)티옥산텐-9-온, 하기 화학식 (III)으로 표시되는 화합물, 하기 화학식 (IV)로 표시되는 화합물, 하기 화학식 (V)로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 (VI)으로 표시되는 카르바졸 이량체를 갖는 화합물로부터 선택되는 적어도 어느 1종인 것을 특징으로 하는, 80 내지 300℃에서 경화시키는 도전 페이스트.
<화학식 (I)>

(식 중, R¹은 수소 원자, 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수도 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수가 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수도 있음)를 나타내고, R²는 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수도 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수가 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수도 있음)를 나타냄)
<화학식 (II)>

<화학식 (III)>

(식 중, R³ 및 R⁴는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 나타내고, M은 S, O 또는 NH를 나타내고, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸ 및 R⁹는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, m 및 n은 0 내지 5의 정수를 나타냄)
<화학식 (IV)>

(식 중, R¹⁰은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 페닐기, 벤질기, 벤조일기, 탄소수 2 내지 12의 알카노일기, 탄소수 2 내지 12의 알콕시카르보닐기(알콕실기를 구성하는 알킬기의 탄소수가 2 이상인 경우, 알킬기는 1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 또는 페녹시카르보닐기를 나타내고, R¹¹, R¹³은 각각 독립적으로 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수도 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수가 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수도 있음)를 나타내고, R¹²는 수소 원자, 페닐기(탄소수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기 또는 할로겐 원자로 치환될 수도 있음), 탄소수 1 내지 20의 알킬기(1개 이상의 수산기로 치환될 수도 있고, 알킬쇄의 중간에 1개 이상의 산소 원자를 가질 수도 있음), 탄소수 5 내지 8의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카노일기 또는 벤조일기(탄소수가 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수도 있음)를 나타냄)
<화학식 (V)>

(식 중, R¹⁴는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기 또는 CN을 나타내고, 알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기의 수소 원자는 추가로 OR⁴¹, COR⁴¹, SR⁴¹, NR⁴²R⁴³, -NCOR⁴²-OCOR⁴³, CN, 할로겐 원자, -CR⁴¹=CR⁴²R⁴³ 또는 CO-CR⁴¹=CR⁴²R⁴³으로 치환될 수도 있고, R⁴¹, R⁴² 및 R⁴³은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기 또는 탄소수 2 내지 20의 복소환기를 나타내고, R¹⁵는 R⁵¹ 또는 OR⁵¹을 나타내고, R⁵¹은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기를 나타내고, 알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기의 수소 원자는 추가로 할로겐 원자로 치환될 수도 있고, R¹⁶은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 30의 아릴알킬기를 나타내고, R¹⁴, R¹⁶, R⁴¹, R⁴² 및 R⁴³으로 표시되는 치환기의 알킬렌 부분의 메틸렌기는 불포화 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 에스테르 결합, 티오에스테르 결합, 아미드 결합 또는 우레탄 결합에 의해 1 내지 5회 중단될 수도 있고, 상기 치환기의 알킬 부분은 분지측 쇄일 수도 있고, 환상 알킬일 수도 있고, 상기 치환기의 알킬 말단은 불포화 결합일 수도 있고, R¹⁶은 인접하는 벤젠환과 하나가 되어 환을 형성할 수도 있다. R¹⁷ 및 R¹⁸은 각각 독립적으로 R⁵¹, OR⁵¹, CN 또는 할로겐 원자를 나타내고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 3임)
<화학식 (VI)>

(식 중, R¹⁹는 수소 원자, 탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 페닐기(탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 아미노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 의해 치환되어 있음), 또는 나프틸기(탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 아미노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 의해 치환되어 있음)를 나타내고, R²⁰, R²¹은 각각 수소 원자, 탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 할로겐기, 페닐기, 페닐기(탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 아미노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 의해 치환되어 있음), 나프틸기(탄소수 1 내지 17의 알킬기, 탄소수 1 내지 8의 알콕시기, 아미노기, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 알킬아미노기 또는 디알킬아미노기에 의해 치환되어 있음), 안트릴기, 피리딜기, 벤조푸릴기, 또는 벤조티에닐기를 나타내고, Ar은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌, 비닐렌, 페닐렌, 비페닐렌, 피리딜렌, 나프틸렌, 안트릴렌, 티에닐렌, 푸릴렌, 2,5-피롤-디일, 4,4'-스틸벤-디일, 또는 4,2'-스티렌-디일을 나타내고, n은 0 또는 1의 정수임)
제1항에 있어서, 상기 도전성 분말은 은 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
제1항에 있어서, 상기 티오디글리콜산 및 티오디글리콜산의 유도체 중 적어도 어느 1종은 고형분 환산으로서 상기 유기 결합제 100 질량부당 0.01 내지 10 질량부인 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
제1항에 있어서, 광중합성 단량체를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 도전 페이스트.
제1항 내지 제4항 중 어느 한항에 기재된 도전 페이스트를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 도전 회로.