KR20150016372A - 광학 필터 부재 및 이것을 구비한 촬상장치 - Google Patents
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Abstract
[과제] 광의 입사각의 차이에 의한 화상의 질에 대한 영향을 저감시킨다.
[해결 수단] 광학 필터 부재는 투광성 재료로 이루어지는 기체(31)와 기체(31)의 표면에 형성된 광학막을 포함하고 있다. 광학막은 각각 굴절률이 다른 복수의 유전체층이 적층되어 있는 제 1, 제 2 및 제 3 유전체 다층막(32∼34)을 포함하고 있다. 제 1 유전체 다층막(32)은 가시광의 파장 범위에 있어서의 제 1 광투과 범위(W1)를 갖고 있다. 제 2 유전체 다층막(33)은 제 1 광투과 범위(W1) 내에 포함되는 제 2 광투과 범위(W2)를 가짐과 아울러 제 1 유전체 다층막(32)보다 높은 평균 굴절률을 갖고 있다. 제 3 유전체 다층막(34)은 제 2 광투과 범위(W2)를 포함하고 있고, 제 2 광투과 범위(W2)의 중심 파장의 2배의 파장의 광을 차단한다. 제 2 유전체 다층막(33)이 제 1 유전체 다층막(32) 또는 상기 제 3 유전체 다층막(34)과 함께 기체의 같은 주면측에 형성되어 있다.
[해결 수단] 광학 필터 부재는 투광성 재료로 이루어지는 기체(31)와 기체(31)의 표면에 형성된 광학막을 포함하고 있다. 광학막은 각각 굴절률이 다른 복수의 유전체층이 적층되어 있는 제 1, 제 2 및 제 3 유전체 다층막(32∼34)을 포함하고 있다. 제 1 유전체 다층막(32)은 가시광의 파장 범위에 있어서의 제 1 광투과 범위(W1)를 갖고 있다. 제 2 유전체 다층막(33)은 제 1 광투과 범위(W1) 내에 포함되는 제 2 광투과 범위(W2)를 가짐과 아울러 제 1 유전체 다층막(32)보다 높은 평균 굴절률을 갖고 있다. 제 3 유전체 다층막(34)은 제 2 광투과 범위(W2)를 포함하고 있고, 제 2 광투과 범위(W2)의 중심 파장의 2배의 파장의 광을 차단한다. 제 2 유전체 다층막(33)이 제 1 유전체 다층막(32) 또는 상기 제 3 유전체 다층막(34)과 함께 기체의 같은 주면측에 형성되어 있다.
Description
본 발명은 광학 필터 부재 및 이것을 구비한 촬상장치에 관한 것이다.
예를 들면, CCD 또는 CMOS 등의 촬상소자를 갖는 컬러 촬상장치 등에 있어서, 가시영역 밖의 파장 범위에 포함되는 적외선을 차단하는 부품으로서 투광성 재료로 이루어지는 기체의 표면에 광학막이 형성된 구조를 갖는 광학 필터 부재가 사용되고 있다. 컬러 촬상장치 등에 있어서 가시영역 밖의 파장 범위에 포함되는 적외선이 촬상소자에 입사되면, 촬상의 정밀도가 저하하기 때문에 적외선을 차단하는 광학 필터가 사용되고 있다. 광학 필터 부재에 있어서의 광학막은 서로 굴절률이 다른 2종류의 광학층이, 예를 들면 40∼50층에 걸쳐서 교대로 적층된 유전체 다층막이다. 또한, 촬상장치는 광학 필터 부재에 광을 모으는 렌즈를 갖는 경우가 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조.).
최근의 촬상장치의 박형화에 따라 렌즈와 광학 필터 부재 사이의 거리가 좁아지고 있어, 광학 필터 부재의 중앙 영역에 입사되는 광과 광학 필터 부재의 주변 영역에 입사되는 광에서 광의 입사각의 차이가 커지고 있다. 광학막을 구성하는 유전체 다층막은 광의 입사각의 차이에 의해서 다른 광학 특성을 갖는 것이며, 광의 입사각의 차이에 의해 촬상 화상의 중심 영역과 주변 영역의 색조에 차가 발생하기 쉬워져서 화상의 화질에 영향을 줄 경우가 있다. 또한, 광학 필터 부재에 관해서는 가시광에 있어서의 원하는 파장 범위의 광의 투과율을 향상시켜서 화상의 화질을 향상시키고 싶다고 하는 요구도 있다.
본 발명의 하나의 형태에 의한 광학 필터 부재는 투광성 재료로 이루어지는 기체와 기체의 표면에 형성된 광학막을 구비하고 있고, 광학막이 각각 굴절률이 다른 복수의 유전체층이 적층되어 있는 제 1, 제 2 및 제 3 유전체 다층막을 포함하고 있으며, 제 1 유전체 다층막이 가시광의 파장 범위에 있어서의 제 1 광투과 범위를 갖고 있고, 제 2 유전체 다층막이 제 1 광투과 범위 내에 포함되는 제 2 광투과 범위를 가짐과 아울러 제 1 유전체 다층막보다 높은 평균 굴절률을 갖고 있으며, 제 3 유전체 다층막이 제 2 광투과 범위를 포함하고 있고, 제 1 광투과 범위의 상한 파장보다 높은 상한 파장을 가짐과 아울러 제 2 광투과 범위의 중심 파장의 2배의 파장의 광을 차단하는 제 3 광투과 범위를 갖고 있고, 제 2 유전체 다층막은 기체에 접하고 있고, 제 1 유전체 다층막 또는 제 3 유전체 다층막과 함께 상기 기체의 같은 주면측에 형성되어 있다.
본 발명의 다른 형태에 의한 촬상장치는 상기 구성의 광학 필터 부재와, 광학 필터 부재의 하방에 설치된 촬상소자를 포함하고 있다.
(발명의 효과)
본 발명의 하나의 형태에 의한 광학 필터 부재는 광의 입사각의 차이에 의한 광학 특성의 변화가 저감되어 있고, 또한 원하는 광투과 범위를 확보할 수 있다.
본 발명의 다른 형태에 의한 촬상장치는 광학 필터 부재를 포함함으로써 촬상 화상의 화질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 있어서의 촬상장치를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 촬상장치에 있어서의 광학 필터 부재를 나타내는 종단면도이다.
도 3은 도 2에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서 부호 A에 의해 나타내어진 부분의 확대도이다.
도 4의 (a)는 본 발명의 실시형태의 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 유전체 다층막의 투과 특성을 나타내는 그래프이며, (b)는 제 3 유전체 다층막의 투과 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5의 (a)는 본 발명의 실시형태의 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 3 유전체 다층막의 양쪽을 투과했을 경우의 투과 특성을 나타내는 그래프이고, (b)는 제 1 유전체 다층막의 투과 특성을 나타내는 그래프이며, (c)는 광학 필터 부재의 투과 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6은 도 3에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서 부호 B에 의해 나타내어진 제 2 유전체 다층막의 부분의 확대도이다.
도 7은 도 3에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서 부호 B에 의해 나타내어진 제 2 유전체 다층막의 부분의 확대도의 다른 예이다.
도 8의 (a)는 본 발명의 실시형태의 광학 필터 부재에 있어서의 제 1 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이며, (b)는 본 발명의 실시형태의 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 3 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 9는 도 1에 나타내는 촬상장치에 있어서의 광학 필터 부재의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
도 10의 (a)는 도 9에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 1 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이며, (b)는 도 9에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 3 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 11의 (a)는 도 2에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 유전체 다층막에 있어서 응력차를 저감하는 기능을 설명하기 위한 모식도이며, (b)는 도 9에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 유전체 다층막에 있어서 응력차를 저감하는 기능에 대하여 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는 도 1에 나타내는 촬상장치에 있어서의 광학 필터 부재의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
도 13의 (a)는 도 12에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 1 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이며, (b)는 도 12에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 3 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 14는 도 12에 나타내는 광학 필터 부재의 제 2 유전체 다층막의 응력 조정층의 기능에 대하여 설명하기 위한 모식도이다.
도 15의 (a)∼(d)의 각각은 도 2에 나타내어진 광학 필터 부재의 제조방법에 있어서 각 공정에 의해 얻어지는 구조물을 나타내는 종단면도이다.
도 16은 도 2에 나타내는 광학 필터 부재의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 촬상장치에 있어서의 광학 필터 부재를 나타내는 종단면도이다.
도 3은 도 2에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서 부호 A에 의해 나타내어진 부분의 확대도이다.
도 4의 (a)는 본 발명의 실시형태의 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 유전체 다층막의 투과 특성을 나타내는 그래프이며, (b)는 제 3 유전체 다층막의 투과 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5의 (a)는 본 발명의 실시형태의 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 3 유전체 다층막의 양쪽을 투과했을 경우의 투과 특성을 나타내는 그래프이고, (b)는 제 1 유전체 다층막의 투과 특성을 나타내는 그래프이며, (c)는 광학 필터 부재의 투과 특성을 나타내는 그래프이다.
도 6은 도 3에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서 부호 B에 의해 나타내어진 제 2 유전체 다층막의 부분의 확대도이다.
도 7은 도 3에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서 부호 B에 의해 나타내어진 제 2 유전체 다층막의 부분의 확대도의 다른 예이다.
도 8의 (a)는 본 발명의 실시형태의 광학 필터 부재에 있어서의 제 1 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이며, (b)는 본 발명의 실시형태의 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 3 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 9는 도 1에 나타내는 촬상장치에 있어서의 광학 필터 부재의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
도 10의 (a)는 도 9에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 1 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이며, (b)는 도 9에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 3 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 11의 (a)는 도 2에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 유전체 다층막에 있어서 응력차를 저감하는 기능을 설명하기 위한 모식도이며, (b)는 도 9에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 유전체 다층막에 있어서 응력차를 저감하는 기능에 대하여 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는 도 1에 나타내는 촬상장치에 있어서의 광학 필터 부재의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
도 13의 (a)는 도 12에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 1 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이며, (b)는 도 12에 나타내는 광학 필터 부재에 있어서의 제 2 및 제 3 유전체 다층막의 고굴절률층과 저굴절률층의 두께의 분포의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 14는 도 12에 나타내는 광학 필터 부재의 제 2 유전체 다층막의 응력 조정층의 기능에 대하여 설명하기 위한 모식도이다.
도 15의 (a)∼(d)의 각각은 도 2에 나타내어진 광학 필터 부재의 제조방법에 있어서 각 공정에 의해 얻어지는 구조물을 나타내는 종단면도이다.
도 16은 도 2에 나타내는 광학 필터 부재의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시형태에 대해서 도면을 참조해서 설명한다.
도 1에 나타내어져 있는 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 있어서의 촬상장치는 소자 탑재용 부재(1)와, 소자 탑재용 부재(1)에 탑재된 촬상소자(2)와, 촬상소자(2)의 상방에 설치된 광학 필터 부재(3)를 포함하고 있다. 광학 필터 부재(3)는 촬상장치에 입사되는 광에 있어서의 특정 파장 범위의 차단을 행하는 것이다. 본 실시형태에 있어서 광학 필터 부재(3)는, 예를 들면 적외선의 파장 범위의 광을 차단하는 것이다.
우선, 본 실시형태에 있어서의 광학 필터 부재(3)에 대해서 도 2∼도 7을 참조해서 설명한다. 촬상장치에 있어서의 그 밖의 구성에 대해서는 후술한다. 또한, 도 2∼도 7에 있어서는 제 2 유전체 다층막(33)이 제 3 유전체 다층막(34)과 함께 기체(31)의 같은 주면측에 형성되어 있고, 제 1 유전체 다층막(32)이 기체(31)의 다른쪽 주면측에 형성되어 있는 예를 나타내고 있다.
광학 필터 부재(3)는 무색 투명의 평판으로 이루어지는 기체(31)와, 기체(31)의 표면에 형성된 광학막을 포함하고 있다. 광학막은 각각 굴절률이 다른 복수의 유전체층이 적층되어 있는 제 1 유전체 다층막(32), 제 2 유전체 다층막(33) 및 제 3 유전체 다층막(34)을 포함하고 있다.
제 1 유전체 다층막(32)은 기체(31)의 한쪽 주면에 접해서 형성되어 있고, 제 2 유전체 다층막(33)은 기체(31)의 다른쪽 주면에 접해서 형성되어 있다. 제 3 유전체 다층막(34)은 제 2 유전체 다층막(33) 상에 형성되어 있다.
기체(31)는, 예를 들면 붕규산 유리 등의 유리 재료, 니오브산 리튬, 수정 또는 사파이어 등의 복굴절을 갖는 재료, 또는 아크릴 수지 등의 고분자 재료로 이루어진다.
기체(31)는 유리 재료로 이루어질 경우에, 용융시킨 고순도의 유리 원료를 유리의 용융 온도보다 융점이 높은 금속으로 이루어지는 용기 내, 바람직하게는 불순물의 녹아듬을 효과적으로 방지할 수 있는 용기[예를 들면, 백금(Pt)] 내에 흘려 넣은 후, 수일에 걸쳐서 서냉각하여 블록 형상으로 형성된다. 그런 뒤, 소정의 판두께 및 외형 치수로 절단한다. 그 후 알루미나 등으로 이루어지는 연마재를 이용하여 랩 연마를 행하고, 또한 알루미나, 산화세륨 등으로 이루어지는 연마재를 이용하여 광학 연마함으로써 기체(31)로 할 수 있다. 이렇게 하여 제작함으로써 촬상소자(2)에 악영향을 미치는 α선을 발생하는 불순물이 고순도의 유리 원료에 녹아드는 것을 방지할 수 있다.
또한, 붕규산 유리는 유리 원료에 붕산을 첨가함으로써 내열성 또는 내약품성이 우수한 재료로 되고, 또한 투명하고 평탄한 무공성의 표면을 갖기 때문에 광학적으로 결함이 적은 재료로서 적합하게 사용된다.
이러한 붕규산 유리는 용융된 고순도의 유리 원료를 다운 드로우법에 의해 제작함으로써 무연마로 판두께의 불균일이 적은 투광성 평면 기판으로 할 수 있다.
또한, 기체(31)가 니오브산 리튬, 수정 또는 사파이어로 이루어질 경우에는 니오브산 리튬, 수정 또는 사파이어는 고압 고온으로 한 육성로 내에서 종결정으로 인공적으로 결정 성장시킴으로써 단결정으로 이루어지는 블록을 얻은 후, 커팅면이 결정축에 대하여 소정의 각도로 되도록 와이어 소어나 밴드 소어 등을 이용하여 웨이퍼로 잘라내어진다.
그리고, 이 웨이퍼를 소정의 판 두께 및 외형 치수로 절단함과 아울러 각 능선부를 기계적으로 절삭함으로써 C면 가공을 행한 후, 알루미나 등으로 이루어지는 연마재를 이용하여 랩 연마를 행하고, 또한 알루미나, 산화세륨 등으로 이루어지는 연마재를 이용하여 광학 연마함으로써 니오브산 리튬, 수정, 또는 사파이어는 투광성 평면 기판으로 할 수 있고, 기체(31)로 된다.
기체(31)는, 예를 들면 0.03㎜ 이상 0.5㎜ 이하의 범위에 포함되는 두께를 갖는 것이 바람직하다. 기체(31)의 두께가 0.03㎜ 이상임으로써 기체(31)를 촬상장치의 덮개체로서 사용했을 경우에 구조재로서의 강도를 유지할 수 있고, 내부의 촬상소자(2)를 기밀하게 밀봉할 수 있다. 또한, 기체(31)의 강도도 충분하게 얻을 수 있다. 기체(31)의 두께가 0.5㎜ 이하임으로써 박형화를 꾀할 수 있고, 촬상장치의 저배화를 실현할 수 있다. 또한, 기체(31)의 반사율은 200㎚에서 1200㎚까지의 범위에 걸쳐 수퍼센트 정도이다. 제 1 유전체 다층막(32)은 가시광의 파장 범위에 있어서의 제 1 광투과 범위(W1)를 갖고 있다. 여기에서 말하는 가시광이란, 예를 들면 350㎚에서 830㎚까지의 파장 범위에 포함되는 광을 말한다. 도 5(b)에 나타내어져 있는 바와 같이, 하나의 예에 있어서의 제 1 유전체 다층막(32)에 있어서 제 1 광투과 범위(W1)는 투과율 50%에 있어서 약 380㎚에서 약 700㎚까지의 범위이다. 또한, 도 5(b)에 있어서 제 1 광투과 범위(W1)가 부호 W1에 의해 나타내어져 있다.
제 1 유전체 다층막(32)은, 도 5(b)에 나타내어져 있는 바와 같이 400㎚보다 작은 파장 범위에 포함되는 자외선의 투과율이 저감되어 있는 것이며, 또한 700㎚보다 큰 파장 범위에 포함되는 적외선의 투과율이 저감되어 있는 것이다. 이러한 필터 특성을 얻기 위해서, 제 1 유전체 다층막(32)은 제 1 저굴절률 유전체층(32a)과 제 1 고굴절률 유전체층(32b)을 포함하고 있다. 제 1 고굴절률 유전체층(32b)은 굴절률이 1.7 이상의 유전체 재료로 이루어지고, 제 1 저굴절률 유전체층(32a)은 굴절률이 1.6 이하의 유전체 재료로 이루어진다.
그리고, 제 1 유전체 다층막(32)은 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제 1 저굴절률 유전체층(32a) 및 제 1 고굴절률 유전체층(32b)을 40∼50층에 걸쳐서 순차적으로 교대로 복수층 적층함으로써 형성된다. 제 1 유전체 다층막(32)은, 예를 들면 제 1 광투과 범위(W1)의 적외 영역측에 있어서 제 1 유전체 다층막(32)의 피크 투과율의 반값에 있어서의 파장(투과율이 50%일 때의 파장)이 입사각 0도일 때에 비하여 입사각이 40도일 경우에 약 40㎚ 단파장측으로 어긋나는 것이다. 즉, 입사각이 40도일 때에 제 1 유전체 다층막(32)은 제 1 광투과 범위(W1)의 적외 영역측의 피크 투과율의 반값에 있어서의 파장이 단파장측으로 약 40㎚ 시프트하게 된다. 또한, 시프트량이 크면 입사각 의존성이 커진다.
제 2 유전체 다층막(33)은 제 1 광투과 범위(W1) 내에 포함되는 제 2 광투과 범위(W2)를 갖고 있다. 도 4(a)에 나타내어져 있는 바와 같이, 하나의 예에 있어서의 제 2 유전체 다층막(33)에 있어서 제 2 광투과 범위(W2)는 투과율 50%에 있어서 약 410㎚에서 약 660㎚까지의 범위이다. 또한, 도 4 (a)에 있어서 제 2 광투과 범위(W2)가 부호 W2에 의해 나타내어져 있다.
또한, 제 2 유전체 다층막(33)은 제 1 유전체 다층막(32)보다 높은 평균 굴절률을 갖고 있다. 제 2 유전체 다층막(33)의 평균 굴절률을 제 1 유전체 다층막(32)의 평균 굴절률보다 높게 하기 위해서, 예를 들면 제 2 유전체 다층막(33)이 복수의 유전체층의 제 2 저굴절률 유전체층(33a)과 제 2 고굴절률 유전체층(33b)을 포함하고, 제 2 저굴절률 유전체층(33a)이 제 1 저굴절률 유전체층(32a)의 유전체 재료의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 유전체 재료를 사용하는 방법이 있다.
또한, 제 2 유전체 다층막(33)을 구성하는 복수의 유전체층[제 2 고굴절률 유전체층(33a) 및 제 2 저굴절률 유전체층(33b)]의 두께 비율과 제 1 유전체 다층막(32)을 구성하는 복수의 유전체층[제 1 고굴절률 유전체층(32a) 및 제 1 저굴절률 유전체층(32b)]의 두께 비율을 다르게 하는 방법이 있다. 예를 들면, 복수의 유전체층 중 굴절률이 높은 쪽의 유전체층의 두께를 굴절률이 낮은 쪽의 유전체층의 두께에 대하여 상대적으로 두꺼워지도록 설정하는 방법이 있다.
예를 들면, 제 1 유전체 다층막(32) 및 제 2 유전체 다층막(33)이 각각 산화규소(SiO2: 저굴절률층) 및 산화티탄(TiO2: 고굴절률층)이라는 복수의 유전체층으로 이루어질 경우, 제 2 유전체 다층막(33)에 있어서의 산화티탄(TiO2)에 대한 산화규소(SiO2)의 두께 비율을 제 1 유전체 다층막(32)에 있어서의 산화티탄(TiO2)에 대한 산화규소(SiO2)의 두께 비율보다 작게 함으로써, 제 2 유전체 다층막(33)은 평균 굴절률을 제 1 유전체 다층막(32)의 평균 굴절률보다 높게 할 수 있다.
제 2 유전체 다층막(33)이 제 1 유전체 다층막(32)보다 높은 평균 굴절률을 갖고 있음으로써, 제 2 유전체 다층막(33)은 제 1 유전체 다층막(32)에 비하여 광의 입사각에 의한 광의 투과율에 대한 영향이 저감된다.
제 2 유전체 다층막(33)은, 도 4(a)에 나타내어져 있는 바와 같이 400㎚보다 작은 파장 범위에 포함되는 자외선의 투과율이 저감되어 있는 것이며, 또한 650㎚보다 큰 파장 범위에 포함되는 적외선의 투과율이 저감되어 있는 것이다. 이러한 필터 특성을 얻기 위해서, 제 2 유전체 다층막(33)은 제 2 저굴절률 유전체층(33a)과 제 2 고굴절률 유전체층(33b)을 포함하고 있다. 제 2 고굴절률 유전체층(33b)은 굴절률이 2.0 이상인 유전체 재료로 이루어지고, 제 2 저굴절률 유전체층(33a)은 제 2 고굴절률 유전체층(33b)의 유전체 재료보다 굴절률이 0.1 이상 작은 유전체 재료로 이루어진다.
그리고, 제 2 유전체 다층막(33)은 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제 2 저굴절률 유전체층(33a) 및 제 2 고굴절률 유전체층(33b)을 40∼50층에 걸쳐서 순차적으로 교대로 복수층 적층함으로써 형성된다.
제 2 유전체 다층막(33)은, 예를 들면 제 2 광투과 범위(W2)의 적외 영역측에 있어서 제 2 유전체 다층막(33)의 피크 투과율의 반값에 있어서의 파장(투과율50%일 때의 파장)이 입사각 0도일 때에 비하여 입사각이 40도일 경우에 약 20㎚ 단파장측으로 어긋나는 것이다. 즉, 입사각이 40도일 때에 제 2 유전체 다층막(33)은 제 2 광투과 범위(W2)의 적외 영역측의 피크 투과율의 반값에 있어서의 파장이 단파장측으로 약 20㎚ 시프트하게 된다.
미리 예측되는 최대의 입사각도에 있어서도, 제 2 유전체 다층막(33)의 제 2 광투과 범위(W2)의 적외 영역측의 피크 투과율의 반값에 있어서의 파장을 제 1 유전체 다층막(32)의 제 1 광투과 범위(W1)의 적외 영역측의 피크 투과율의 반값에 있어서의 파장보다 단파장측에 설정해 둠으로써, 제 2 유전체 다층막(33)의 제 2 광투과 범위(W2)의 적외 영역측의 피크 투과율의 반값에 있어서의 파장을, 광이 제 1 유전체 다층막(32) 및 제 2 유전체 다층막(33)의 광학막을 지날 때의 광투과 범위의 피크 투과율의 반값에 있어서의 파장으로 할 수 있으므로, 광학막의 입사각에 대한 투과율의 각도 의존성을 작게 할 수 있다.
이와 같이, 광학 필터 부재(3)에 있어서 광학막은 제 2 광투과 범위(W2)가 제 1 광투과 범위(W1)[제 1 광투과 범위(W1)는 가시광의 파장 범위 내에 포함되어 있음] 내에 포함되어 있고, 제 2 유전체 다층막(33)이 제 1 유전체 다층막(32)보다 높은 평균 굴절률을 갖고 있음으로써, 촬상장치는 광의 입사각의 차이에 따라 중심 부근과 주변에서의 색조의 차가 저감되어서 화상의 화질이 향상된다.
제 1 유전체 다층막(32) 전체의 평균 굴절률을 n32, 제 2 유전체 다층막(33)전체의 평균 굴절률을 n33으로 하고, 제 1 및 제 2 고굴절률 유전체층(32b, 33b)의 유전체 재료 및 제 1 및 제 2 저굴절률 유전체층(32a, 33a)의 유전체 재료의 각 층의 굴절률을 n1, n2, n3, n4로 하며, 각 층의 층수를 p1, p2, p3, p4로 하고, 각 층의 두께를 t1, t2, t3, t4로 했을 경우에, 평균 굴절률(n32, n33)은 이하의 수식 1 및 수식 2와 같이 나타낼 수 있다. 또한, n33>n32이다.
[수식 1]
[수식 2]
제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33)은 복수의 유전체층의 적어도 일부가 같은 유전체 재료로 이루어지고, 제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33)의 양쪽에 있어서 같은 유전체 재료로 이루어지는 유전체층이 기체(31)에 접하고 있을 경우에는, 제 1 유전체 다층막(32) 및 제 2 유전체 다층막(33)의 기체(31)에 대한 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33)은 복수의 유전체층의 적어도 일부가 같은 유전체 재료로 이루어지는 구조로서는 다음 3가지의 예가 있다.
첫번째의 예는, 제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33)의 복수의 유전체층의 저굴절률 유전체층과 고굴절률 유전체층이 같은 유전체 재료로 이루어지는 구조이다. 예를 들면, 제 1 유전체 다층막(32)이 산화규소층(SiO2층: 저굴절률층) 및 산화티탄층(TiO2층: 고굴절률층)으로 이루어지고, 제 2 유전체 다층막(33)이 산화규소층(SiO2층: 저굴절률층) 및 산화티탄층(TiO2층: 고굴절률층)으로 이루어질 경우이다. 예를 들면, 기체(31)가 산화규소(SiO2)를 주성분으로서 포함하고 있을 경우, 제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33)의 양쪽에 있어서 산화규소층(SiO2층: 저굴절률층)이 기체(31)에 접하고 있으면 제 1 유전체 다층막(32) 및 제 2 유전체 다층막(33)의 기체(31)에 대한 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
두번째의 예는, 제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33)의 복수의 유전체층 중 저굴절률 유전체층 및 고굴절률 유전체층 중 한쪽이 같은 유전체 재료로 이루어지는 구조이다. 이 경우, 저굴절률 유전체층 및 고굴절률 유전체층 중 다른쪽은 다른 유전체 재료로 이루어져 있어도 좋다. 예를 들면, 제 1 유전체 다층막(32)이 산화규소층(SiO2층: 저굴절률층) 및 5산화탄탈층(고굴절률층)으로 이루어지고, 제 2 유전체 다층막(33)이 산화규소층(SiO2층: 저굴절률층) 및 산화티탄층(TiO2층: 고굴절률층)으로 이루어질 경우이다. 예를 들면, 기체(31)가 산화규소(SiO2)를 주성분으로서 포함하고 있을 경우, 제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33)의 양쪽에 있어서 산화규소층(SiO2층: 저굴절률층)이 기체(31)에 접하고 있으면 제 1 유전체 다층막(32) 및 제 2 유전체 다층막(33)의 기체(31)에 대한 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
세번째의 예는, 제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33) 중 한쪽의 유전체 다층막의 저굴절률 유전체층과, 제 1 및 제 2 유전체 다층막(32, 33) 중 다른쪽의 유전체 다층막의 고굴절률 유전체층이 같은 유전체 재료로 이루어지는 구조이다. 제 3 유전체 다층막(34)은 제 3 저굴절률 유전체층(34a)과 제 3 고굴절률 유전체층(34a)을 포함하고 있고, 제 3 광투과 범위(W3)를 갖고 있다. 제 3 광투과 범위(W3)는 제 2 광투과 범위(W2)를 포함하고 있고, 제 2 광투과 범위(W2)의 중심 파장의 2배의 파장의 광은 통과시키지 않는 범위로 되어 있다. 또한, 제 3 광투과 범위(W3)는 제 1 광투과 범위(W1)의 상한 파장보다 높은 상한 파장을 갖고 있다. 도 4(b)에 나타내어져 있는 바와 같이, 하나의 예에 있어서의 제 3 유전체 다층막(34)에 있어서 제 3 광투과 범위(W3)는 투과율 50%에 있어서 약 420㎚에서 약 920㎚까지의 범위이다. 또한, 도 4(b)에 있어서 제 3 광투과 범위가 부호 W3에 의해 나타내어져 있다. 또한, 소정 파장의 광을 통과시키지 않는다는 것은 그 파장의 광의 투과율이 10% 미만인 것을 말한다.
여기에서, 제 3 광투과 범위(W3)가 제 2 광투과 범위(W2)의 중심 파장의 2배의 파장의 광은 통과시키지 않도록 설계되어 있는 것은, 제 3 유전체 다층막(34)에 의해 제 2 유전체 다층막(33)에 있어서 투과하는 파장 범위(W4)의 광을 차단하기 위해서이다. 제 2 유전체 다층막(33) 및 제 3 유전체 다층막(34)을 투과하는 광의 파장은, 도 5(a)에 나타내어져 있는 바와 같이 파장 범위(W4)에 있어서 광이 차단되어 있다.
광학 필터 부재(3)에 있어서 제 3 유전체 다층막(34)이 제 2 유전체 다층막(33)의 제 2 광투과 범위(W2)를 포함하고 있고, 제 3 광투과 범위(W3)가 제 2 광투과 범위(W2)의 중심 파장의 2배의 파장의 광을 차단함으로써, 제 2 유전체 다층막(33)만으로는 차단할 수 없는 파장 범위의 광을 제 3 유전체 다층막(34)에 의해 차단할 수 있다.
도 3에 나타내어진 예에 있어서, 제 2 유전체 다층막(33) 및 제 3 유전체 다층막(34)은 기체(31)의 같은 주면측에 형성되어 있고, 제 2 유전체 다층막(33) 및 제 3 유전체 다층막(34)의 양쪽이 기체(31)의 하면측에 형성되어 있다.
제 2 유전체 다층막(33)과 제 3 유전체 다층막(34)이 기체(31)의 같은 주면측에 형성되어 있음으로써, 예를 들면 제 2 유전체 다층막(33)의 제 2 광투과 범위(W2)의 하한 파장(예를 들면, 400㎚)과 제 3 유전체 다층막(34)의 제 3 광투과 범위(W3)의 하한 파장(예를 들면, 400㎚)을 기준으로 제 3 광투과 범위(W3)를 제 2 광투과 범위(W2)의 2배로 설계해도, 제 2 유전체 다층막(33)과 제 3 유전체 다층막(34)이 같은 성막 조건으로 형성됨으로써 제 2 유전체 다층막(33)의 제 2 광투과 범위(W2)의 하한 파장과 제 3 유전체 다층막(34)의 제 3 광투과 범위(W3)의 하한 파장의 어긋남이 저감되므로 원하는 광투과 범위를 확보할 수 있다. 또한, 제 3 광투과 범위(W3)는 제 2 광투과 범위의 하한 파장과 같은 하한 파장을 가짐으로써 원하는 광투과 범위를 얻을 수 있다.
여기에서 말하는 원하는 광투과 범위란 제 2 광투과 범위(W2)이다. 가령, 예를 들면 제 2 유전체 다층막(33)과 제 3 유전체 다층막(34)의 성막 조건이 달라서 제 3 유전체 다층막(34)의 제 3 광투과 범위(W3)의 하한 파장이 제 2 유전체 다층막(33)의 제 2 광투과 범위(W2)의 하한 파장보다 장파장측으로 어긋나면, 제 2 광투과 범위(W2)의 일부가 깎여서, 즉 제 2 광투과 범위 중 일부가 광투과되지 않는 범위로 되어 원하는 제 2 광투과 범위(W2)를 확보할 수 없어진다. 제 3 광투과 범위(W3)는 제 2 광투과 범위(W2)의 하한 파장을 포함함으로써 제 2 광투과 범위(W2)의 일부를 깎기 어렵게 할 수 있다.
또한, 후술하는 바와 같이 제 1 유전체 다층막(32), 제 2 유전체 다층막(33) 및 제 3 유전체 다층막(34)은 이온빔 어시스트 증착법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 이상을 조합시킨 광학 필터 부재(3)는, 도 5(c)에 나타내어져 있는 바와 같이 400㎚보다 작은 파장 범위에 포함되는 자외선의 투과율이 저감되어 있는 것이며, 또한 650㎚보다 큰 파장 범위에 포함되는 적외선의 투과율이 저감되어 있는 것으로 된다. 각 파장에 있어서의 광학 필터 부재(3)의 투과율은 각 파장에서의 기체(31)의 투과율, 제 1 유전체 다층막(32)의 투과율, 제 2 유전체 다층막(33)의 투과율 및 제 3 유전체 다층막(34)의 투과율의 곱으로 된다. 또한, 기체(31)는 가시광 범위로부터 1200㎚까지의 범위에서는 거의 플랫의 투과율로 되므로 이 범위에서는 고려하지 않아도 좋다.
이와 같이, 광학막에 있어서의 광 입사각의 영향을 저감시킴으로써 광학 필터 부재(3) 전체에 있어서의 광 입사각의 영향을 저감시킬 수 있다.
제 1 유전체 다층막(32)의 제 1 고굴절률 유전체층(32b) 및 제 3 유전체 다층막(34)의 제 3 고굴절률 유전층(34b)에 적합한 굴절률이 1.7 이상인 고굴절률 유전체 재료로서는, 예를 들면 5산화탄탈(굴절률: 2.16), 산화티탄(굴절률: 2.52), 5산화니오브(굴절률: 2.33), 산화란탄(굴절률: 1.88) 또는 산화지르코늄(굴절률: 2.40) 등이 있고, 제 1 저굴절률 유전체층(32a) 및 제 3 저굴절률 유전체층(34a)에 적합한 굴절률이 1.6 이하인 저굴절률 유전체 재료로서는, 예를 들면 산화규소(굴절률: 1.46), 불화란탄(굴절률: 1.59) 또는 불화마그네슘(굴절률: 1.38) 등이 있다. 경도 또는 안정성 등의 기계적 특성, 및 원하는 광학 필터로서의 기능을 부여하기 위해서 필요한 굴절률 등의 광학적 특성으로부터, 제 1 및 제 3 고굴절률 유전체층(32b, 34b)으로서는 산화티탄을, 제 1 및 제 3 저굴절률 유전체층(32a, 34a)으로서는 산화규소를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 제 2 유전체 다층막(33)의 평균 굴절률을 제 1 유전체 다층막(32)의 평균 굴절률보다 높게 하는 방법으로서, 제 2 저굴절률 유전체층(33a)이 제 1 저굴절률 유전체층(32a)의 유전체 재료의 굴절률보다 높은 굴절률을 갖는 유전체 재료를 사용하는 방법이 있다. 이 경우에는, 도 3의 B부의 유전체층을 확대한 구조는, 예를 들면 도 6에 나타낸 바와 같이 제 1 유전체 다층막(32)과 마찬가지로, 제 2 저굴절률 유전체층(33a)과 제 2 고굴절률 유전체층(33b)의 각각의 물리 막두께를 Lt0, Ht0로 하고, 각각의 굴절률을 nL0, nH0로 하면, 광학 막두께는 거의 같은 광학 막두께로 되도록 Lt0×nL0=Ht0×nH0로 한다.
또한, 구체적인 물질로서는 이하와 같은 유전체 재료가 사용된다. 제 2 유전체 다층막(33)에 적합한 굴절률이 2.0 이상인 제 2 고굴절 유전체층(33b)의 고굴절률의 유전체 재료로서는, 예를 들면 5산화탄탈(굴절률: 2.16), 산화티탄(굴절률: 2.52), 5산화니오브(굴절률: 2.33) 또는 산화지르코늄(굴절률: 2.40) 등이 있고, 굴절률이 고굴절률인 유전체 재료보다 0.1 이상 작은 제 2 저굴절률 유전체층(33a)의 저굴절률 유전체 재료로서는, 예를 들면 산화티탄(굴절률: 2.52)에 대하여는 5산화탄탈(굴절률: 2.16), 5산화니오브(굴절률: 2.33), 산화지르코늄(굴절률: 2.40) 또는 산화규소(굴절률: 1.46) 등이 있다.
각각 사용하는 유전체 재료의 굴절률에 따라 사용하면 좋지만, 제 2 유전체 다층막(33)의 각도 의존성을 작게 하기 위해서는 제 2 유전체 다층막(33)의 제 2 고굴절 유전체층(33b)의 고굴절률의 유전체 재료와 제 2 저굴절률 유전체층(33a)의 저굴절률의 유전체 재료의 평균의 굴절률이 클수록 바람직하지만, 경도 또는 안정성 등의 기계적 특성, 및 원하는 광학 필터로서의 기능을 부여하기 위해서 필요로 하는 굴절률 등의 광학적 특성으로부터, 제 2 고굴절률 유전체층(33b)으로서는 산화티탄을, 제 2 저굴절률 유전체층(33a)로서는 5산화탄탈을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 제 2 유전체 다층막(33)을 구성하는 복수의 유전체층의 두께 비율과 제 1 유전체 다층막(32)을 구성하는 복수의 유전체층의 두께 비율을 다르게 하는 방법이 있다. 구체적으로는, 도 3의 B부의 유전체층을 확대한 구조는, 예를 들면 도 7에 나타내어져 있는 바와 같이 제 2 고굴절률 유전체층(33b)의 두께를 제 2 저굴절률 유전체층(33a)의 두께에 대하여 상대적으로 두꺼워지도록 설정하는 방법이다. 이 경우에는, 예를 들면 등가막이론에 의해 저굴절률층으로 간주할 수 있는 유전체층은 제 2 저굴절률 유전체층(33a)과 그 양측의 간주 저굴절률 유전체층에 포함되는 고굴절률층 부위(33b2)이며, 그 두께는 Lt0+2×Ht2로 간주할 수 있다. 그 때문에 실제의 제 2 고굴절률 유전체층(33b)의 두께(Ht0)는 간주 고굴절률 유전체층 부위(33b1)와 간주 저굴절률 유전체층에 포함되는 고굴절층 부위(33b2)의 2배를 더한 Ht1+2×Ht2로 되기 때문에, 실제의 제 1 저굴절률 유전체층(33a)의 유전체두께(Lt0)에 대하여 상대적으로 높게 설정할 수 있게 된다.
이와 같이 설정함으로써, 제 1 유전체 다층막(32), 제 2 유전체 다층막(33) 및 제 3 유전체 다층막(34)은 모두 같은 조성의 고굴절률의 유전체층과 같은 조성의 저굴절률의 유전체층의 두께의 조합으로 형성할 수 있게 되고, 제 3 조성이 다른 각 유전체층에 미량으로 함유되는 일이 없어지므로 보다 필터 특성에 영향을 주는 요인을 적게 할 수 있어 안정된 광학 특성을 형성할 수 있게 된다.
또한, 광학막은 유전체층의 조성이 2종류로 됨으로써 공정수도 감소한다. 또한, 기체(31)은 유리 재료 또는 수정이 많이 사용되고 있고, 광학막은 기체(31)에 직접 형성되는 제 2 저굴절 유전체층(33a)으로서 유리 재료 또는 수정과 밀착 강도가 강한 산화규소를 사용할 수 있게 되므로, 막의 밀착 강도가 높아져서 수분의 침투 등을 보다 방지할 수 있게 되므로 신뢰성이 향상된다.
상술한 바와 같이, 광학막은 이온빔 어시스트 증착법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 이온빔 어시스트 증착법은 성막 프로세스인 진공증착법에 양이온의 조사를 병용하는 진공증착법이다. 이온빔 어시스트법에서는 양이온이 사용되고, 양이온은 예를 들면 아르곤으로 이루어지는 불활성 가스와 산소 가스로 이루어지는 활성 가스의 양쪽을 장치의 이온원에 도입해서 플라즈마로 한 것으로부터 생성된 것이 사용된다.
이온빔 어시스트 증착법에서는, 예를 들면 기체(31)를 진공증착장치 내에 설치한 증착용 돔 내에 배치하고, 광학적으로 양질인 광학막을 얻기 위해서 산소결핍을 일으키지 않도록 충분하게 산소를 공급하고, 그리고, 진공증착장치 내를 1×10- 3Pa 정도의 진공도로 설정된 상태에서 양이온의 조사를 병용하면서 진공증착이 행하여진다. 진공증착장치 내에서 광학막이 형성될 때의 기체(31)의 표면 온도는 열전대에 의해 기체(31) 부근의 온도를 계측함으로써 관리되고, 전열선 히터 등을 이용하여 온도 범위 30∼350℃ 정도로 유지된다.
제 2 유전체 다층막(33)이 제 3 유전체 다층막(34)과 함께 기체(31)의 같은 주면측에 형성되고, 제 1 유전체 다층막(32)이 기체(31)의 다른 주면측에 형성되어 있을 경우에는, 예를 들면 기체(31)의 한쪽 주면의 전체면 또는 마스킹을 해서 촬상소자(2)에 대향하는 원하는 영역에, 제 1 유전체 다층막(32)을 형성하기 위해서 제 1 저굴절률 유전체층(32a)과 제 1 고굴절률 유전체층(32b)을 순차적으로 교대로 피착한다. 그리고, 다른쪽 주면의 전체면 또는 마스킹을 해서 촬상소자(2)에 대향하는 원하는 영역에, 제 2 유전체 다층막(33)을 형성하기 위해서 제 2 저굴절률 유전체층(33a)과 제 2 고굴절률 유전체층(33b)을 순차적으로 교대로 피착하고, 이어서, 제 2 유전체 다층막(33) 상에 제 3 유전체 다층막(33)을 형성하기 위해서 제 3 저굴절률 유전체층(34a)과 제 3 고굴절률 유전체층(34b)을 순차적으로 교대로 피착한다. 이와 같이, 양이온의 조사를 병용하면서 순차적으로 교대로 유전체층을 피착 함으로써 광학막을 형성한 광학 필터 부재(3)로 되는 모광학 필터 부재(3')가 얻어진다. 또한, 제 1, 제 2 및 제 3 유전체 다층막(32, 33, 34)은, 예를 들면 각각 합계 10∼50층 정도의 유전체층이 피착된다.
양이온이 진공 중을 비산되어 오는 증착 물질의 기체 분자에 충돌함으로써 증착 물질의 기체 분자는 여기되어서 큰 운동 에너지를 얻는다. 그리고, 이 큰 운동 에너지를 얻은 증착 물질의 기체 분자는 피착재인 기체(31)의 표면에 도달하면, 피착재 표면의 넓은 영역을 이동함과 아울러 넓은 영역의 이동에 따라 피착재 표면의 보다 낮은 에너지 상태에 있는 장소를 찾아내는 확률이 대폭 증대한다. 이것에 의해, 증착 물질의 분자끼리가 응집하지 않고 피착재의 표면에 균일하게 피착되어 주변에 존재하는 증착 물질의 분자끼리가 응집해서 핵을 형성하지 않고 치밀하게 충전된 광학막을 형성할 수 있다. 따라서, 예를 들면 광학막은 대기 중의 수분이 침투하는 것이 억제되어 있어 피착재인 기체(31)로부터 박리될 가능성이 저감된다.
또한, 기체(31)의 표면에 직접 형성되는 유전체층은 유리 재료와의 밀착성이 높은 산화규소막이면, 기체(31)와 광학막의 밀착성이 향상되기 때문에 바람직하다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 촬상장치는 상술의 광학 필터 부재(3)를 포함하고 있음으로써 광학 필터 부재(3)에 있어서 광의 입사각의 차이에 의한 광학 특성의 변화가 저감되어 있고, 촬상화상의 질에 관해서 향상되어 있다.
이상과 같이, 제 2 유전체 다층막(33)이 제 3 유전체 다층막(34)과 함께 기체(31)의 같은 주면측에 형성되고, 제 1 유전체 다층막(32)이 기체(31)의 다른 주면측에 형성되어 있는 예를 설명했다. 도 9 및 도 10에서 나타내는 바와 같이, 제 2 유전체 다층막(33)이 제 1 유전체 다층막(32)과 함께 기체(31)의 같은 주면측에 형성되고, 제 3 유전체 다층막(34)이 기체(31)의 다른 주면측에 형성되어 있는 구성이라도 좋다.
이 경우에는, 제 2 유전체 다층막(33)은 기체(31)의 한쪽 주면에 접해서 형성되어 있고, 제 3 유전체 다층막(34)은 기체(31)의 다른쪽 주면에 접해서 형성되어 있다. 제 1 유전체 다층막(32)은 제 2 유전체 다층막(33) 상에 형성되어 있다.
이러한 구성이여도, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이 400㎚보다 작은 파장 범위에 포함되는 자외선의 투과율이 저감되어 있는 것이며, 또한, 650㎚보다 큰 파장 범위에 포함되는 적외선의 투과율이 저감되어 있는 것으로 된다. 이와 같이, 광학막에 있어서의 광 입사각의 영향을 저감시킴으로써 광학 필터 부재(3) 전체에 있어서의 광 입사각의 영향을 저감시킬 수 있다.
각 유전체 다층막의 작성의 순서로서는, 최초에 기체(31)의 표면에 제 2 유전체 다층막(33)을 형성하고, 그 후 제 1 유전체 다층막(32) 또는 제 3 유전체 다층막(34)을 형성하도록 하면, 제 2 유전체 다층막(33)은 광학 필터 부재(3)의 입사 각도 의존성에 가장 영향이 크므로 유전체 다층막의 응력에 의해 만곡되기 전의 평면도가 높은 기체(31)에 대하여 제 2 유전체 다층막(33)을 형성함으로써, 기체(31)의 전체면에 각 유전체 다층막의 증착막이 균일하게 형성되기 쉬워지므로 광학 필터 부재(3)의 면내에서의 막두께의 불균일 등이 작아져 바람직하다.
제 2 유전체 다층막(33)은, 도 2 및 도 9에 나타내는 바와 같이 제 1 유전체 다층막(32) 또는 제 3 유전체 다층막(34)과 함께 기체(31)의 같은 주면측에 형성되어 있다. 제 2 유전체 다층막(33)은 광학 특성과는 다른 기능으로서, 기체(31)의 상면 및 하면에 있어서 유전체층의 구조의 차이에 의해 생기는 응력의 차를 저감하는 기능을 갖고 있다. 예를 들면, 기체(31)의 상면에 형성된 제 1 유전체 다층막(32)과 기체(31)의 하면에 형성된 제 3 유전체 다층막(34)의 유전체층 구조의 차이에 의해 기체(31)의 상면 및 하면에는 응력이 생길 가능성이 있고, 제 2 유전체 다층막(33)은 이 상면 및 하면에 있어서의 응력의 차를 저감할 수 있는 것이다. 기체(31)의 같은 주면측에 제 1 유전체 다층막(32)과 제 3 유전체 다층막(34)이 형성되었을 경우에는, 유전체 다층막이 형성되어 있지 않은 측의 기체(31)의 주면에 제 2 유전체 다층막(33)을 형성했다고 해도 기체(1)의 양쪽 주면에 가해지는 응력을 충분하게 저감할 수 없다.
여기에서, 도 11(a) 및 도 11(b)를 참조하여 제 2 유전체 다층막(33)이 응력의 차를 저감하는 기능에 대하여 설명한다. 도 11(a) 및 도 11(b)에서는, 제 2 유전체 다층막(33)은 기체(31)의 상면에 형성된 제 1 유전체 다층막(32)이 기체(31)에 주는 힘(F32)과, 기체(31)의 하면에 형성된 제 3 유전체 다층막(34)이 기체(31)에 주는 힘(F34)의 차이를 저감시켜서 기체(31)의 휘어짐을 저감시키는 것이다. 즉, 제 2 유전체 다층막(33)은 힘(F32)과 힘(F34)의 합계의 차이를 저감시키기 위한 것이다. 또한, 도 11(a)와 도 11(b)에서 힘(F32)과 힘(F34)의 값이 다르지만, 이것은 제 1 유전체 다층막(32)과 제 3 유전체 다층막(34)에서 사용하고 있는 유전체 재료 또는 목적으로 하는 광투과 범위 등에 의해 바뀌는 것이다.
예를 들면, 도 8 및 도 10에 나타내어져 있는 저굴절률 유전체층이 산화규소(SiO2)로 이루어짐과 아울러 고굴절률 유전체층이 산화티탄(TiO2)으로 이루어질 경우, 성막시에 내재하는 응력은 산화규소(SiO2) 쪽이 크다. 이 산화규소(SiO2)로 이루어지는 저굴절률 유전체층에 착안하면, 광학 필터 부재(3)의 각도 의존성을 작게 하기 위해서 제 2 유전체 다층막(33)의 평균에서의 굴절률을 제 1 유전체 다층막(32)의 평균 굴절률보다 높게 하고 있으므로, 제 2 유전체 다층막(33)에 있어서의 제 1 저굴절률 유전체층(33a)의 두께는 대폭 작아져 있다.
그 때문에 제 2 유전체 다층막(33)이 제 1 유전체 다층막(32) 또는 제 3 유전체 다층막(34)과 함께 기체(31)의 같은 주면측에 형성되어 있으면, 잔류응력이 큰 산화규소(SiO2)층의 두께가 제 1 유전체 다층막(32)이나 제 2 유전체 다층막(34)에 비해서 작음으로써 제 2 유전체 다층막(33)의 잔류응력은 제 1 유전체 다층막(32)이나 제 3 유전체 다층막(34)보다 대폭 작아진다. 그 결과, 기체(31)에 주어지는 힘(F33)은 F32나 F34에 비하면 작기 때문에, 기체(31)의 상하면이 받는 힘의 밸런스가 크게 벗어나지 않으므로 기체(31)가 크게 휘어 버리는 것이 저감된다.
또한, 도 8 및 도 10에 나타내어진 예에 있어서 기체(31)의 표면에 직접 형성되는 산화규소막(SiO2층)의 두께를 조정함으로써 F32와 힘(F33 및 F34)의 합계의 차이를 저감함으로써 기체(31)의 휘어짐을 보다 작게 할 수 있다. 또한, 기체(31)의 표면에 직접 형성되는 산화규소막(SiO2층)은 유전체 다층막의 광학 특성에 거의 영향을 주지 않으므로, 기체(31)의 양쪽 주면에 가해지는 응력차가 커질 경우에는 두께를 조정함으로써 광학 특성을 바꾸지 않고 응력을 조정할 수 있다.
본 발명에 있어서는 광학 필터 부재(3)의 양쪽 주면에 가해지는 응력차를 작게 할 수 있기 때문에, 상기 예에 있어서 기체(31)의 두께가 0.1㎜이며, 제 1, 제 2 및 제 3 유전체 다층막(32, 33, 34)의 합계의 두께가 0.013㎜의 두께가 되도록 광학 필터 부재(3)를 기체(31)에 형성했을 경우에는, 어느 면으로부터 3점 굽힘 강도를 측정해도 원래의 기체(31) 단체의 3점 굽힘 강도보다 강한 광학 필터 부재(3)가 얻어졌다. 또한, 0.013㎜는 기체(31)의 두께의 10%를 초과하는 두께이다.
또한, 도 12 및 도 13에 나타내어져 있는 바와 같이, 제 2 유전체 다층막(33)은 응력 조정층(33a1)을 포함하고 있어도 좋다. 여기에서 말하는 "응력 조정층(33a1)"이란 기체(31)의 상면에 형성된 제 1 유전체 다층막(32)과 기체(31)의 하면에 형성된 제 2 유전체 다층막(33) 및 제 3 유전체 다층막(34)의 유전체층 구조의 차이에 의해 기체(31)의 상면 및 하면에 생기는 응력의 차를 저감할 수 있는 것이다.
응력 조정층(33a1)은 제 2 유전체 다층막(33)의 복수의 제 1 저굴절률 유전체층(33a)의 일부이며, 다른 제 1 저굴절률 유전체층(33a)과는 막두께가 다른 것이다. 응력 조정층(33a1)은 기체(31)의 상면 및 하면에 생기는 응력의 차를 저감할 수 있도록 다른 제 1 저굴절률 유전체층(33a)과는 막두께가 다르도록 설계되어 있다.
여기에서, 도 13을 참조하여 응력 조정층(33a1)의 기능에 대하여 설명한다. 응력 조정층(33a1)은 기체(31)의 상면에 형성된 제 1 유전체 다층막(32)이 기체(31)에 주는 힘(F32)과, 기체(31)의 하면에 형성된 제 2 및 제 3 유전체 다층막(33 및 34)이 기체(31)에 주는 힘(F33 및 F34)의 차이를 저감시켜서 기체(31)의 휘어짐을 저감시키는 것이다. 즉, 응력 조정층(33a1)은 F32와 힘(F33 및 F34)의 합계의 차이를 저감시키기 위한 것이다.
예를 들면, 도 12에 나타내어져 있는 저굴절률 유전체층이 산화규소(SiO2)로 이루어짐과 아울러 고굴절률 유전체층이 산화티탄(TiO2)으로 이루어질 경우, 성막시에 내재하는 응력은 산화규소(SiO2) 쪽이 크다. 그래서, 이 산화규소(SiO2)로 이루어지는 저굴절률 유전체층에 착안해 보면, 요구되는 광학 특성을 실현하기 위해서 제 2 유전체 다층막(33)에 있어서의 저굴절률 유전체층의 두께가 극단적으로 작아져 있다.
이 상태에서, 응력 조정층(33a1)이 없을 경우에는 기체(31)에 주어지는 힘(F33)이 극단적으로 작아지고, 기체(31)의 상하면이 받는 힘의 밸런스가 크게 어긋나서 기체(31)가 크게 휘어 버릴 가능성이 있다. 그러나, 도 12에 나타내어진 예에 있어서, 광학막은 제 2 유전체 다층막(33)에 있어서의 다른 저굴절률 유전체층보다 막두께가 큰 응력 조정층(33a1)을 갖고 있음으로써 F32와 힘(F33 및 F34)의 합계의 차이가 저감되어 있다.
응력 조정층(33a1)은 제 2 유전체다층층(33)의 두께 방향에 있어서 기체(31)에 접하고 있는 제 1층째에 형성되어 있고, 기체(31)와 응력 조정층(33a1)이 서로 굴절률의 차가 비교적 작은 재료에 의해 형성되어 있을 경우에는 기체(31)와 응력 조정층(33a1)의 굴절률의 차에 의한 광학 특성에의 영향을 저감시킬 수 있다.
이 점에 있어서는, 응력 조정층(33a1)은 기체(31)의 주성분과 같은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 기체(31)의 주성분이 산화규소(SiO2)일 경우, 응력 조정층(33a1)도 산화규소(SiO2)로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 구조이면, 기체(31)와 응력 조정층(33a1)의 굴절률의 차에 의한 광학 특성에의 영향을 저감시킬 수 있다.
본 실시형태의 예에 있어서 제 2 유전체 다층막(33)은 산화규소(SiO2)로 이루어지는 복수의 제 2 저굴절률 유전체층(33a)과 산화티탄(TiO2)으로 이루어지는 복수의 제 2 고굴절률 유전체층(33b)을 포함하고 있고, 기체(31)의 주성분이 산화규소(SiO2)이며, 또한 응력 조정층(33a1)은 산화규소(SiO2)로 이루어진다. 기체(31)의 주성분이 산화규소(SiO2)로 이루어지고 응력 조정층(33a1)이 기체(31)의 주성분과 같은 산화규소(SiO2)로 이루어지는 경우에는, 기체(31)에 대한 응력 조정층(33a1)의 접합 강도가 향상되어서, 예를 들면 응력 조정층(33a1)이 기체(31)로부터 박리되기 어려워지고, 광학 필터 부재(3)에 있어서의 광학 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 광학 필터 부재(3)의 광학막은 투과형 전자현미경(Transmission Electron Microscope)을 사용함으로써 막두께, 조성, 막의 결정 상태 등을 확인할 수 있다. 또한, 막 조성을 특정함으로써 그 막 조성으로부터 문헌 등을 이용하여 각각의 굴절률을 확인할 수 있다.
여기서부터, 촬상장치에 있어서의 광학 필터 부재(3) 이외의 구성에 대하여 설명한다.
소자 탑재용 부재(1)는 기판(11)과, 리드 단자(13)를 끼우도록 기판(11)에 접합된 프레임체(12)를 포함하고 있다.
기판(11)은, 예를 들면 산화알루미늄질 소결체(알루미나 세라믹스), 뮬라이트질 소결체, 스테아타이트 소결체 또는 질화알루미늄질 소결체 등의 세라믹스로 이루어지는 것이다.
기판(11)은 이하와 같이 해서 제작할 수 있다. 예를 들면, 기판(11)이 산화알루미늄질 소결체로 이루어질 경우이면, 우선 산화알루미늄, 산화규소, 산화마그네슘, 산화칼슘 등의 원료 분말에 적당한 유기 바인더, 용제 및 가소제, 분산제를 첨가 혼합해서 마그마물을 만들고, 이 마그마물을 종래 주지의 스프레이 드라이법 을 이용하여 과립으로 한다. 이어서, 이 과립을 소정 형상의 프레스 금형에 의해 분체 프레스 성형해서 생성형체를 제작하고, 생성형체를 약 1500℃의 고온에서 소성함으로써 기판(11)이 된다. 또한, 상기 마그마물을 이용하여 그린 시트를 제작하고, 그린 시트를 펀칭 금형 등에 의해 펀칭하거나 해서 적당한 크기로 함으로써 생성형체를 얻을 수 있다. 생성형체는 복수의 그린 시트를 적층해서 소정의 두께로 해도 좋다.
이 기판(11)의 표면은 랩 연마 가공 등에 의해 평탄하게 해서 20㎛ 이하의 평탄도로 해 두면, 촬상소자(2)를 탑재했을 때에 경사나 비뚤어짐이 발생하기 어려워지므로 바람직하다. 기판(11)은 촬상소자(2)의 탑재부의 외주부에 프레임체(12)가 접합되지만, 프레임체(12)가 대향하는 외주부의 부분도 평탄하게 해 두면 프레임체(12)가 기울기 어려워진다. 따라서, 기체(11)와 프레임체(12)가 양호하게 접합되어서 그 위에 접착되는 광학 필터 부재(3)도 촬상소자(2)로 대하여 기울기 어려워지므로 바람직하다.
리드 단자(13)는, 예를 들면 Fe-Ni-Co 합금이나 Fe-Ni 합금, 구리(Cu) 또는 구리 합금 등의 금속 재료로 이루어지는 것이다. 기밀 신뢰성의 관점으로부터는 리드 단자(13), 기판(11)의 열팽창계수와의 차가 작아지는 열팽창계수를 갖는 재료가 바람직하고, 기판(11)이 산화알루미늄질 소결체로 이루어질 경우이면, 예를 들면Fe-42% Ni 합금이 바람직하다. 리드 단자(13)는 부식 방지 또는 도전성의 향상을 위해서 표면에 니켈 도금층 및 금 도금층을 순차적으로 피착시켜 두면 좋다.
리드 단자(13)는, 예를 들면 상기 금속 재료로 이루어지는 판재를, 금형을 사용한 펀칭 가공에 의해 리드 프레임을 형성한다. 리드 프레임은 복수의 리드 단자(13)가 프레임의 내주로부터 내측으로 연장되도록 전개된 형상을 갖고 있고, 기판(11)에 접속한 후에 프레임을 박리함으로써 복수의 리드 단자(13)로 된다. 리드 프레임은 에칭 가공에 의해 제작할 수도 있다. 금속판 상에 리드 프레임 형상의 레지스트막을 형성하고, 예를 들면 리드 단자(13)가 구리로 이루어질 경우이면 염화제2철에 의해 에칭한 후에 레지스트막을 분리함으로써 제작할 수 있다.
프레임체(12)는 기판(11)과 마찬가지로 산화알루미늄질 소결체(알루미나 세라믹스), 뮬라이트질 소결체, 스테아타이트 소결체 또는 질화알루미늄질 소결체 등의 세라믹스로 이루어지는 것이며, 기판(11)과 같은 방법으로 제작할 수 있다. 프레임체(12)와 기판(11)을 같은 재료를 사용하면, 열팽창계수가 같아지므로 이들간에 발생하는 열응력이 그 사이의 접합재(14) 또는 리드 단자(13)에 가해지기 어려워지므로 바람직하다.
프레임체(12)는 표면을 랩 연마 가공 등에 의해 평탄하게 해서 20㎛ 이하의 평탄도로 해 두면 기판(11)에 대하여 기울기 어려워진다. 또한, 광학 필터 부재(3)는 프레임체(12)에 접합되어 있으므로 프레임체(12)에 대하여 기울기 어려워진다. 이와 같이, 촬상장치는 기체(11), 프레임체(12) 및 광학 필터 부재(3)가 기울기 어려운 상태에서 서로 접합되므로, 결과적으로 광학 필터 부재(3)가 촬상소자(2)에 대하여 기울지 않도록 접착되므로 바람직하다.
접합재(14)는 리드 단자(13)를 사이에 끼워서 기판(11)과 프레임체(12)를 접합하고 있고, 유리 재료 또는 수지 재료를 사용할 수 있다. 접합재(14)는 유리 재료로서는 PbO계 유리, PbO-SiO계 유리, BiO-SiO계 유리, PO-SiO계 유리 또는 BO-SiO계 유리 등의 저융점 유리가 있다. 접합재(14)는, 수지 재료로서는 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 폴리에테르이미드 수지 등이 있다. 어느 경우에나, 접합재(14)는 열팽창계수를 기판(11) 또는 프레임체(12)의 열팽창계수에 가까운 것으로 하기 위해서, 예를 들면 실리카와 같은 무기분말 등의 필러를 함유하는 것이라도 좋다.
접합재(14)가 저융점 유리인 경우에는, 예를 들면 산화납 56∼66질량%, 산화붕소 4∼14질량%, 산화규소 1∼6질량% 및 산화아연 1∼11질량%를 포함하는 유리 성분에, 필러로서 산화지르코늄 실리카계 화합물의 분말을 4∼15질량% 첨가한 분말에 적당한 유기용제, 용매를 첨가 혼합해서 유리 페이스트를 얻는다. 이 유리 페이스트를 스크린 인쇄법 등의 인쇄법에 의해 프레임체(12)의 하면에 소정 두께로 인쇄 도포하고, 이것을 약 430℃의 온도에서 소성함으로써 프레임체(12)에 저융점 유리를 피착시킨다.
이 프레임체(12)를 기판(11) 상에 저융점 유리를 아래로 해서 적재하고, 터널식의 분위기로 또는 오븐 등의 가열장치에서 약 470℃로 가열함으로써 접합재(14)를 재용융시켜서 기판(11)의 상면과 프레임체(12)의 외주 가장자리부에 끼워진 각 리드 단자(13)의 주위를 접합재(14)로 피복하고, 냉각해서 저융점 유리를 고화시킨다. 이것에 의해서, 프레임체(12) 및 리드 단자(13)가 기판(11)에 강고하게 접합되어서 소자 탑재용 부재(1)로 된다.
접합재(14)가 수지인 경우에는, 예를 들면 비스페놀A형의 액상 에폭시 수지로 이루어지는 주제에 대하여, 경화제로서 테트라히드로메틸 무수 프탈산을 외부 첨가로 10∼30질량% 첨가하고, 필러로서 실리카 분말을 외부 첨가로 30∼80질량% 첨가하고, 카본블랙 등의 착색제, 2-메톡시에탄올 등의 유기용제를 첨가 혼합해서 에폭시 수지 페이스트를 얻는다. 이 에폭시 수지를 스크린 인쇄법 등의 인쇄법에 의해 프레임체(12)의 하면에 소정 두께로 인쇄 도포하고, 이것을 약 60℃∼80℃의 온도에서 용제를 건조시켜 프레임체(12)에 수지층을 피착시킨다.
이 프레임체(12)를 기판(11) 상에 접합재(14)를 아래로 해서 적재하고, 터널식의 분위기로 또는 오븐 등의 가열장치에서 가열해서 피크 온도 약 150℃에서 1시간 유지함으로써, 수지층을 용융시켜서 기판(11)의 상면과 프레임체(12)의 외주 가장자리부에 끼워진 각 리드 단자(13)의 주위를 수지로 피복한 후에 경화시킴으로써, 프레임체(12) 및 리드 단자(13)가 기판(11)에 강고하게 접합되어서 소자 탑재용 부재(1)로 된다.
이상과 같이 해서, 제작된 소자 탑재용 부재(1)와 광학 필터 부재(3)의 접합은, 일반적으로 자외선 경화형 에폭시 수지 또는 열경화형 에폭시 수지 등으로 이루어지는 접착제(5)를 개재해서 행하여진다. 소자 탑재용 부재(1)와 광학 필터 부재(3)의 접합은, 예를 들면 접착제(5)로서 열경화형 에폭시 수지를 사용할 경우, 종래 주지의 스크린 인쇄법 또는 디스펜스법 등으로 접착제(5)를 소자 탑재용 부재(1) 또는 광학 필터 부재(3)에 도포하고, 서로 겹치게 한 후, 90∼150℃의 온도에서 60∼90분간 가중해 가열함으로써 행하여진다. 촬상소자(2)는, 예를 들면 CCD 또는 CMOS 등이다. 촬상소자(2)는, 예를 들면 은 분말을 함유하는 에폭시 수지로 이루어지는 도전성 접착제에 의해 소자 탑재용 부재(1)의 상면에 접착해서 고정된다. 촬상소자(2)는 전극이 소자 탑재용 부재(1)의 단자에 금 등으로 이루어지는 본딩 와이어(4)로 접속된다. 그리고, 소자 탑재용 부재(1)의 개구부를 막도록 광학 필터 부재(3)를 접착제(5)로 소자 탑재용 부재(1)에 접착함으로써 촬상장치로 된다.
이하, 광학 필터 부재(3)의 제조방법에 대해서 도 15를 참조해서 설명한다. 또한, 이하에서는 도 2에 나타내는 바와 같은 광학 필터 부재(3)의 제조방법에 대하여 설명한다.
광학 필터 부재(3)의 제조방법은, 도 15(a)에 나타내어져 있는 바와 같이 무색 투명의 평판으로 이루어지는 모기체(31')의 한쪽 주면측에, 제 1 저굴절률 유전체층(32a)과 제 1 고굴절률 유전체층(32b)을 교대로 복수층 적층해서 제 1 유전체 다층막(32)을, 다른쪽 주면측에 제 2 저굴절률 유전체층(33a)과 제 2 고굴절률 유전체층(33b)을 교대로 복수층 적층해서 제 2 유전체 다층막(33)을, 계속해서 제 3 저굴절률 유전체층(34a)과 제 3 고굴절률 유전체층(34b)을 교대로 복수층 적층해서 제 3 유전체 다층막(34)을 피착 형성한다. 이와 같이, 제 1 유전체 다층막(32)을 피착하고, 제 2 유전체 다층막(33)과 제 3 유전체 다층막(34)을 연속해서 피착 형성하여 모광학 필터 부재(3')를 형성하는 공정과, 도 15(b)에 나타내어져 있는 바와 같이 외주부가 프레임체(72)에 지지된 점착 시트(71)에 모광학 필터 부재(3')의 다른쪽 주면을 밀착시켜서 고정하는 공정과, 도 15(c)에 나타내어져 있는 바와 같이 모광학 필터 부재(3')에 복수의 광학 필터 부재 영역이 종횡으로 배열되어 있고, 이 모광학 필터 부재(3')의 제 1 유전체 다층막(32)측에 자외선 레이저를 조사해서 주사함으로써 모광학 필터 부재(3')를 복수의 광학 필터 부재 영역으로 구분하는 홈(3a')을 형성하는 공정과, 도 15(d)에 나타내어져 있는 바와 같이 홈(3a')을 따라서 모광학 필터 부재(3')를 할단하는 공정을 포함하고 있다.
이것에 의해, 인접하는 광학 필터 부재 영역의 제 1 유전체 다층막(32)은 홈(3a')을 통해서 배치되게 되므로, 제조공정 중에 제 1 유전체 다층막(32)끼리가 접촉하는 것이 저감된다. 모광학 필터 부재(3')의 주면 상에 광학막을 형성한 평판 형상의 모광학 필터 부재(3')를 점착 시트(71)에 밀착시켜서 광학 필터 부재(3)를 작성해도 이물이 적은 광학 필터 부재(3)를 제작할 수 있다. 자외선 레이저를 조사함으로써 홈(3a')을 형성할 때에 모기체(31')의 표면에 형성된 광학막이 조사되는 자외선 레이저 파장의 85%를 초과하는 높은 비율로 레이저광을 반사할 경우에는, 자외선 레이저는 반사되어도 가공할 수 있는 에너지를 조사할 필요가 있다. 또한, 가공 중에는 반사율이 변화되기 때문에 자외선 레이저의 조정도 어렵게 되지만, 모기체(31')의 표면에 형성된 광학막이 조사된 자외선 레이저의 파장을 15% 이상 흡수 또는 투과하는 것이면, 자외선 레이저를 홈(3a') 형성에 효과적으로 사용할 수 있음과 아울러, 가공 중의 반사율의 변화도 작아지므로 자외선 레이저의 조정도 용이해지므로 바람직하다.
점착 시트(71)는, 일반적으로 지지 시트와 그 편측 표면 상에 형성한 점착제층의 2층 구조로 이루어진다. 점착 시트(71)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 30∼300㎛이며, 바람직하게는 50∼100㎛이다. 점착제층용의 점착제는 감압 접착제 성분으로서 범용의 감압 접착제를 구성하는 화합물로부터 선택할 수 있고, 예를 들면 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 폴리에스테르계 또는 폴리비닐에테르계의 접착제 등을 들 수 있다. 경우에 따라서는, 감압 접착제 성분에 레이저 광선의 흡수율을 높이기 위한 흡수성 부여제를 부여해서 점착제로 해도 된다. 점착제층의 두께는 특별하게 한정되지 않지만, 통상 1∼100㎛이며, 바람직하게는 5∼50㎛이다.
프레임체(72)는 통상 위치결정하기 위한 직선부 또는 홈이 외주에 형성된 프레임 형상체이며, 점착 시트(71)를 통해서 모광학 필터 부재(3')를 위치결정하기 위한 지그이다. 이러한 지그를 사용함으로써 양산성 또는 재현성을 향상시킬 수 있다. 프레임체(72)는 0.5㎜∼1㎜ 정도의 금속판을 에칭 가공으로 제작할 수 있다. 또한, 프레임체(72)는 금형을 이용하여 열가소성 수지로 사출성형해서 제작해도 좋다.
지지 시트 상에 점착제층을 형성해서 점착 시트(71)로 한 것을 프레임체(72)에 점착제층을 통해서 접착하고, 그 중앙에 모광학 필터 부재(3')를 점착제층에 붙임으로써 레이저 가공 공정의 양산성 또는 재현성을 향상시킬 수 있다.
레이저 장치는 파장 및 위상이 맞추어진 광을 발생시키는 장치이며, 본 실시형태에서는 266㎚의 자외선 파장을 가지는 레이저를 이용하여 가공을 행했다. 10㎛ 정도의 파장을 가지는 탄산 가스 레이저를 이용하여 가공할 수 있지만, 자외선 레이저를 사용했을 경우에는 탄산 가스 레이저를 사용했을 경우에 비해서 스폿 지름을 보다 작게 좁힐 수 있으므로, 자외선 레이저를 접촉시킨 부분의 주위에의 영향이 작고, 광학막의 양호한 특성이 얻어지는 영역을 넓게 할 수 있으므로 바람직하다.
본 실시형태에서 사용되는 레이저 다이싱 장치에서는, 프레임체(72)에 점착 시트(71)를 통해서 고정한 유리 재료로 이루어지는 모광학 필터 부재(3')의 상면의 제 1 유전체 다층막(32)에 대하여 초점이 맞도록 레이저 광선을 조사하고, 모광학 필터 부재(3')에 홈(3a')을 형성한다. 제 1 유전체 다층막(32)을 투과한 자외선 레이저의 에너지는 모광학 필터 부재(3')의 표면부에 있어서 열로 변환되어서 모광학 필터 부재(3')의 표면부의 일부를 녹인다. 제 1 유전체 다층막(32)은 모광학 필터 부재(3')의 표면부에 있어서 발생한 열에 의해 부분적으로 증발된다.
266㎚의 자외선 레이저는 스폿 지름을 20㎛ 정도로 좁힐 수 있고, 또한 일반적인 유리 재료가 자외선 레이저를 흡수해서 유리 재료를 투과하지 않으므로 점착 시트(71)에 열의 영향을 주기 어려워 고정밀도의 치수 가공을 행할 수 있다. 또한, 자외선 레이저가 조사되어서 홈(3a')이 형성된 부분에서는 제 1 유전체 다층막(32)과 기체(31)가 측면의 일부분에서 용착해서 일체의 유리질층으로 되어 있음으로써 측면으로부터의 수분의 침입을 저지하므로 광학 특성의 경시변화가 적은 구조로 된다.
다음에, 점착 시트(71)의 이면으로부터 각각의 홈(3a')의 바로 아래를 밀어 올림으로써 모광학 필터 부재(3')를 할단하여 광학 필터 부재(3)로 한다.
다음에, 점착 시트(71)의 이면으로부터 자외선광을 접촉시킴으로써 점착 시트(71)를 경화시키고 점착성을 저하시키며, 광학 필터 부재(3)를 픽업함으로써 광학 필터 부재(3)를 제작할 수 있다. 또한, 모광학 필터 부재(3')의 절단에는 다이싱 소어를 이용하여 분리할 수도 있다. 그 경우에는 제 1 유전체 다층막(32)과 기체(31)가 용착될 일은 없다.
또한, 유리 재료로 이루어지는 기체(31)가, 예를 들면 알칼리 금속 성분을 많이 함유하고, 비교적으로 수분에 대하여 약한 조성일 경우에는, 도 16에 나타내는 바와 같이 기체(31)의 상하면측에 수분을 통과시키기 어려운 성질을 갖는 배리어막(35)을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 도 2 또는 도 9의 광학막의 구조에 있어서, 제 1∼제 3 유전체 다층막(32, 33, 34)의 두께 방향의 일부분이 배리어층으로서의 기능을 가짐으로써, 비교적으로 수분에 대하여 약한 조성의 유리 재료를 기체(31)로서 사용했을 경우에 효과적이다. 그 구조의 예로서는, 복수의 고굴절률 유전체층 및 저굴절률 유전체층의 일부가 이온빔 어시스트 증착법에 의해 형성되어서 아모르포스화되어 있는 것이 있다. 복수의 고굴절률 유전체층 및 저굴절률 유전체층의 일부가 아모르포스화됨으로써 수분이 통과하기 어려워진다.
또한, 제 1∼제 3 유전체 다층막(32, 33, 34)의 두께 방향의 전부가 배리어층으로서의 기능을 갖는 구조의 예로서는, 복수의 고굴절률 유전체층 및 저굴절률 유전체층의 전부가 이온빔 어시스트 증착법에 의해 형성되어서 아모르포스화되어 있는 것이 있다.
본 실시형태에 있어서의 광학 필터 부재(3)에 있어서 수분을 통과시키기 어려운 성질을 갖는 배리어막(35)을 포함하고 있을 경우 또는 제 1∼제 3 유전체 다층막(32, 33, 34)이 배리어층으로서의 기능을 갖고 있을 경우에는, 비교적으로 수분에 대하여 약한 성질을 갖는 유리 재료로 이루어지는 기체(31)는 표면의 열화가 저감되어 있고, 예를 들면 제 1∼제 3 유전체 다층막(32, 33, 34)의 박리 등이 생길 가능성이 보다 저감된다.
1 : 소자 탑재용 부재 2 : 촬상소자
3, 3A : 광학 필터 부재 31 : 기체
32 : 제 1 유전체 다층막 32a : 제 1 저굴절률 유전체층
32b : 제 1 고굴절률 유전체층 33 : 제 2 유전체 다층막
33a : 제 2 저굴절률 유전체층 33a1 : 응력 완화층
33b : 제 2 고굴절률 유전체층 33b1 : 간주 고굴절률 유전체층 부위
33b2 : 간주 저굴절률 유전체층에 포함되는 고굴절률층 부위
34 : 제 3 유전체 다층막 34a : 제 3 저굴절률 유전체층
34b : 제 3 고굴절률 유전체층 35 : 배리어막
4 : 본딩 와이어 5 : 접착제
3, 3A : 광학 필터 부재 31 : 기체
32 : 제 1 유전체 다층막 32a : 제 1 저굴절률 유전체층
32b : 제 1 고굴절률 유전체층 33 : 제 2 유전체 다층막
33a : 제 2 저굴절률 유전체층 33a1 : 응력 완화층
33b : 제 2 고굴절률 유전체층 33b1 : 간주 고굴절률 유전체층 부위
33b2 : 간주 저굴절률 유전체층에 포함되는 고굴절률층 부위
34 : 제 3 유전체 다층막 34a : 제 3 저굴절률 유전체층
34b : 제 3 고굴절률 유전체층 35 : 배리어막
4 : 본딩 와이어 5 : 접착제
Claims (10)
- 투광성 재료로 이루어지는 기체와,
상기 기체의 표면에 형성된 광학막을 구비하고 있고,
상기 광학막은 각각 굴절률이 다른 복수의 유전체층이 적층되어 있는 제 1, 제 2 및 제 3 유전체 다층막을 포함하고 있고,
상기 제 1 유전체 다층막은 가시광의 파장 범위에 있어서의 제 1 광투과 범위를 갖고 있고,
상기 제 2 유전체 다층막은 상기 제 1 광투과 범위 내에 포함되는 제 2 광투과 범위를 가짐과 아울러 상기 제 1 유전체 다층막보다 높은 평균 굴절률을 갖고 있으며,
상기 제 3 유전체 다층막은 상기 제 2 광투과 범위를 포함하고 있고, 상기 제 1 광투과 범위의 상한 파장보다 높은 상한 파장을 가짐과 아울러 상기 제 2 광투과 범위의 중심 파장의 2배의 파장의 광을 차단하는 제 3 광투과 범위를 갖고 있으며,
상기 제 2 유전체 다층막은 상기 기체에 접하고 있고, 상기 제 1 유전체 다층막 또는 상기 제 3 유전체 다층막과 함께 상기 기체의 같은 주면측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 필터 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 유전체 다층막은 상기 제 3 유전체 다층막과 함께 상기 기체의 같은 주면측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 필터 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 유전체 다층막의 상기 복수의 유전체층 중 적어도 일부가 같은 재료이며,
상기 제 1 및 제 2 유전체 다층막의 양쪽에 있어서 같은 재료인 상기 유전체층이 상기 기체에 접하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 필터 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 유전체 다층막은 산화규소로 이루어지는 복수의 제 1 유전체층과 산화티탄으로 이루어지는 복수의 제 2 유전체층을 포함하고 있고,
상기 기체가 주성분으로서 산화규소를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 필름 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 유전체 다층막이 응력 조정층을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 광학 필터 부재. - 제 5 항에 있어서,
상기 응력 조정층은 상기 제 2 유전체 다층막의 두께 방향에 있어서 상기 기체에 접하고 있는 제 1층째에 형성되어 있고, 상기 기체의 주성분과 같은 재료를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 필터. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 2 유전체 다층막은 산화규소로 이루어지는 복수의 제 1 유전체층과 산화티탄으로 이루어지는 복수의 제 2 유전체층을 포함하고 있고,
상기 기체가 주성분으로서 산화규소를 포함하고 있으며,
상기 응력 조정층은 산화규소를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 필름 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 광학막은 이온빔 어시스트 증착법에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 필터 부재. - 제 1 항에 있어서,
상기 광학막의 표면에 형성된 배리어층을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광학 필터 부재. - 제 1 항에 기재된 광학 필터 부재와,
상기 광학 필터 부재의 하방에 설치된 촬상소자를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 촬상장치.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101726125B1 (ko) * | 2016-02-04 | 2017-04-13 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6166150B2 (ja) * | 2013-10-29 | 2017-07-19 | アルプス電気株式会社 | 受光装置 |
| JP6512217B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2019-05-15 | コニカミノルタ株式会社 | 光学フィルター及び撮像装置 |
| EP3248032B1 (en) * | 2015-01-23 | 2020-11-25 | Materion Corporation | Near infrared optical interference filters with improved transmission |
| CN107209306B (zh) | 2015-02-18 | 2020-10-20 | 美题隆公司 | 具有改进的透射率的近红外光学干涉滤波器 |
| WO2017022658A1 (ja) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタおよび近赤外線カットフィルタ |
| KR101904500B1 (ko) * | 2016-02-24 | 2018-11-28 | 주식회사 엘엠에스 | 광학물품 및 이를 포함하는 광학필터 |
| US20180024276A1 (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | Corning Incorporated | Optical elements with stress-balancing coatings |
| JP2018025732A (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-15 | 京セラ株式会社 | 光学フィルタ部材および撮像装置 |
| WO2018043500A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社大真空 | 光学フィルタ |
| JP2018055009A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社大真空 | 光学フィルタ及び撮像デバイス |
| CN108604041A (zh) * | 2016-10-13 | 2018-09-28 | 华为技术有限公司 | 终端设备、对焦方法及装置 |
| TWI629516B (zh) * | 2017-03-01 | 2018-07-11 | 澤米科技股份有限公司 | 抗光暈低翹曲之光學低通濾波片 |
| DE102017004828B4 (de) * | 2017-05-20 | 2019-03-14 | Optics Balzers Ag | Optischer Filter und Verfahren zur Herstellung eines optischen Filters |
| JP7259301B2 (ja) * | 2018-12-07 | 2023-04-18 | 日本電気硝子株式会社 | 偏光子及び光アイソレータ |
| US11488841B2 (en) * | 2019-02-20 | 2022-11-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for manufacturing semiconductor package |
| CN112147731B (zh) * | 2019-06-27 | 2023-12-05 | Jsr株式会社 | 光学滤波器、固体摄像装置及照相机模块 |
| US11693164B2 (en) * | 2019-10-09 | 2023-07-04 | Viavi Solutions Inc. | Multi-transmission optical filter |
| CN113093314A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-09 | 南昌欧菲光电技术有限公司 | 光学膜片和摄像模组 |
| US20230317751A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | Visera Technologies Company Ltd. | Image sensor and method of manufacturing the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002504715A (ja) * | 1998-02-20 | 2002-02-12 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 多層フィルムの応力により生じる光学素子の変形を調節する方法 |
| JP2004069865A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Alps Electric Co Ltd | 多層膜光フィルタ及びその製造方法とそれを用いる光学部品 |
| JP2007017890A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 位相差補償素子、液晶装置、及び投射型表示装置 |
| JP2007183525A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-07-19 | Murakami Corp | 誘電体多層膜フィルタ |
| JP2008060121A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Kyocera Corp | 固体撮像素子封止構造体および固体撮像装置 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0215372A3 (de) * | 1985-09-17 | 1989-01-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Kanten-Interferenzfilter für die optische Nachrichtenübertragung im Wellenlängenmultiplex |
| JPH11202127A (ja) | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Canon Inc | ダイクロイックミラー |
| JP2002353352A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Kyocera Corp | 撮像素子収納用パッケージ |
| JP2003029027A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | Tokai Kogaku Kk | 近赤外線カットフィルタ |
| TW584742B (en) * | 2002-01-25 | 2004-04-21 | Alps Electric Co Ltd | Multilayer film optical filter, method of producing the same, and optical component using the same |
| CN100394214C (zh) * | 2002-11-21 | 2008-06-11 | 台达电子工业股份有限公司 | 膜应力平衡镀膜方法以及应用该方法制造的光学组件 |
| JP2004317701A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Alps Electric Co Ltd | 多層膜光フィルタ及び光学部品 |
| JP2004354735A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Daishinku Corp | 光線カットフィルタ |
| CN100449690C (zh) * | 2003-10-15 | 2009-01-07 | 株式会社尼康 | 多层膜反射镜、多层膜反射镜的制造方法及曝光系统 |
| CN100580485C (zh) | 2004-07-09 | 2010-01-13 | 株式会社大真空 | 光学滤波器和光学滤波器的制造方法 |
| JP2007047530A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 光学多層膜フィルタおよびその製造方法 |
| JP2008158036A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Olympus Corp | 光学素子および光学機器 |
| JP4693836B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2011-06-01 | 日本電波工業株式会社 | 赤外線カットフィルタ及びその製造方法 |
| JP5543690B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2014-07-09 | キヤノン電子株式会社 | Ｕｖｉｒカット用光学フィルタ |
| WO2013077375A1 (ja) * | 2011-11-21 | 2013-05-30 | 旭硝子株式会社 | 光学多層膜付きガラス部材及び近赤外線カットフィルタガラス |
| JP5973747B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-08-23 | 旭硝子株式会社 | 近赤外線カットフィルター |
| WO2013184136A1 (en) * | 2012-06-08 | 2013-12-12 | Empire Technology Development Llc | Multi-frequency filter arrays for low cost spectrometers |
| CN104903760B (zh) * | 2012-12-27 | 2017-10-27 | 柯尼卡美能达株式会社 | Ir截止滤光片以及具备该ir截止滤光片的拍摄装置 |
| JP6269665B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2018-01-31 | 旭硝子株式会社 | 光学フィルタ、光学フィルタの製造方法 |
| CN107209306B (zh) * | 2015-02-18 | 2020-10-20 | 美题隆公司 | 具有改进的透射率的近红外光学干涉滤波器 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002504715A (ja) * | 1998-02-20 | 2002-02-12 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 多層フィルムの応力により生じる光学素子の変形を調節する方法 |
| JP2004069865A (ja) * | 2002-08-02 | 2004-03-04 | Alps Electric Co Ltd | 多層膜光フィルタ及びその製造方法とそれを用いる光学部品 |
| JP2007017890A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 位相差補償素子、液晶装置、及び投射型表示装置 |
| JP2007183525A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-07-19 | Murakami Corp | 誘電体多層膜フィルタ |
| JP2008060121A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Kyocera Corp | 固体撮像素子封止構造体および固体撮像装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101726125B1 (ko) * | 2016-02-04 | 2017-04-13 | 한양대학교 산학협력단 | Euv 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법 |
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