KR20150005922A - 전기 광학 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

매트릭스 형상으로 배치되는 복수의 화소 회로들; y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2 열에 2 개씩 배치되어 제 1 전압과 제 2 전압이 교대로 인가되는 1 세트의 전원 공급 배선; 상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압들을 전달하는 데이터선들; 및 상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하는 전기 광학 장치로서, 상기 복수의 화소 회로들의 각각은, 전류 발광 소자; 라이트 제어 트랜지스터; 구동 트랜지스터; 전원 공급 제어 트랜지스터; 스위칭 트랜지스터; 및 용량 소자를 포함하고, 상기 2 열의 복수의 화소 회로들은 1 행 마다 2 열 중의 어느 한 쪽의 열의 화소 회로가 교대로 상기 1 세트의 전원 공급 배선 중 어느 하나에 접속된다.

Description

전기 광학 장치 및 그 구동 방법{ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}
본 발명은 전류에 의해 발광하는 전류 발광 소자를 구비한 전기 광학 장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
최근, 유기 EL(Organic Electroluminescence) 등, 공급되는 전류에 따른 강도로 발광하는 소자(이하, 전류 발광 소자라고 함)를 사용한 표시 장치가 개발되어 있다. 이와 같은 전류 발광 소자에 공급되는 전류 량을, 각 화소에 있어서 구동 트랜지스터의 제어에 의해, 표시 영상의 계조가 제어된다. 그러므로, 이 구동 트랜지스터에 특성 변화(예를 들어, 문턱 값 전압이나 전자의 이동도)가 있으면, 그 특성 변화가 표시 영상에 직접 나타나 버린다. 한편으로, 발광하고 있는 화소 수와 소등하고 있는 화소 수의 1 프레임 당의 비율에 의해서는 충분한 발광 듀티비를 얻을 수 없고, 표시 품질이 낮아져 버린다는 문제가 있다. 여기서, 예를 들어, 구동 트랜지스터의 문턱 값 전압의 변화를 보상하면서, 충분한 발광 듀티비를 얻기 위한 회로 구성이 개발되어 있다(특허문헌 1).
또한, 전류 발광 소자로 공급되는 전류를 정확하게 제어하기 위해 구동 트랜지스터의 게이트 전위를 고정밀도 또는 신속하게 제어하기 위해서는 데이터 전압의 라이트에 앞서, 구동 트랜지스터의 게이트를 소정의 전압으로 초기화하는 것이 바람직하다. 여기서, 초기화를 실현하기 위해 화소 회로의 구성을 복잡화하지 않고, 초기화를 행하는 회로 구성이 개발 제안되어 있고, 여기서의 구동 트랜지스터는 전자의 이동도가 n 형 도전성의 트랜지스터에 비해 낮은 p 형 도전성의 트랜지스터가 사용되고 있는 예가 개시되어 있다(특허문헌 2).
특허문헌 1 국제특허출원 공개 공보 제WO2009/142033호 특허문헌 2 일본 특허 공개 공보 제2011-247981호
상기 특허문헌 1에 에 기재된 기술에 있어서는, 화소 회로의 구동 트랜지스터는 n 형 도전성의 트랜지스터가 사용되고 있고, p 형 도전성의 트랜지스터로 치환하면, 전원 배선(VP)은 고정 전위이기 때문에, 구동 트랜지스터의 게이트로 공급되는 전압도 VP로 된다. 따라서, p 형 도전성의 트랜지스터는 오프로 되고, 전류를 전기 발광 소자로 공급할 수 없다. 또한, 상기 특허문헌 2에 에 기재된 기술에 있어서는, 화소 회로의 구동 트랜지스터는 p 형 도전성의 트랜지스터가 사용되고 있지만, p 형 도전성의 트랜지스터를 온 또는 오프시키면서, 전기 발광 소자로 발광에 필요한 전원을 공급시키기 위해 전원 배선(특허문헌 2의 도 2의 부호 17)은 스캔되고, Low 전위와 High 전위의 2 개의 값을 갖는다. 이 경우, 예를 들어, 도 21에 나타내는 바와 같이, 기판의 횡방향으로 연장되는 전원 배선을 스캔하는 드라이버를 좌우 어느 한쪽의 테두리에 배치되기 때문에, 한쪽의 테두리가 커져 버린다는 문제가 발생한다.
여기서, 본 발명은 구동 트랜지스터의 특성 변화(예를 들어, 문턱 값 전압이나 전자의 이동도)를 해소하고, 발광 듀티비를 확보하고, 아울러 표시 영역의 좌우의 협테두리화를 도모하고, 표시 품질을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 있어서는, 매트릭스 형상으로 배치되는 복수의 화소 회로들; y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2 열에 2 개씩 배치되어 제 1 전압과 제 2 전압이 교대로 인가되는 1 세트의 전원 공급 배선; 상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압들을 전달하는 데이터선들; 및 상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하는 전기 광학 장치로서, 상기 복수의 화소 회로들의 각각은,
전류 량에 따른 휘도로 발광하는 전류 발광 소자;상기 데이터선들 중 대응하는 데이터선에 접속되어 데이터 전압의 라이트를 제어하는 라이트 제어 트랜지스터;상기 전류 발광 소자로 공급되는 전류 량을 제어하는 구동 트랜지스터;상기 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 하나에 접속되어 상기 제 1 전압 또는 상기 제 2 전압의 공급을 제어하는 전원 공급 제어 트랜지스터;상기 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 전원 공급 제어 트랜지스터의 소스 또는 드레인 사이에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 스위칭 트랜지스터; 및한 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트에 접속되고 다른 쪽의 단자가 상기 복수의 게이트선들 중 하나에 접속되어 계조에 따른 전압을 유지하는 용량 소자를 포함하고, 상기 1 세트의 전원 공급 배선은, 제 1 전원 공급 배선과 제 2 전원 공급 배선으로 이루어지고, 상기 제 1 전원 공급 배선 및 상기 제 2 전원 공급 배선은, 각각 상기 인접하는 2 열의 화소 회로들의 짝수 행들 또는 홀수 행들 중의 어느 하나에 접속되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치가 제공된다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 표시 장치의 표시 영역의 좌우를 협테두리화하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 용량 소자는, 제 3 전압과 상기 제 3 전압보다도 높은 전압인 제 4 전압 중의 어느 하나를 전달하는 제 1 게이트선에 접속될 수도 있다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 용량 소자로의 데이터 전압의 라이트 시에 전류 발광 소자를 발광시키지 않는 것이 용이하게 된다.
또한, 상기 1 세트의 전원 공급 배선의 구동을 제어하는 전원 공급 배선 제어 회로를 더 포함하고, 상기 전원 공급 배선 제어 회로는 상기 y 방향을 따라 배치될 수도 있다. 이러한 구성에 의해, 표시 화면의 좌우의 어느 한쪽만의 협테두리화를 방지하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 라이트 제어 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 상기 전원 공급 제어 트랜지스터, 및 상기 스위칭 트랜지스터는, 모두 제 1 도전성 트랜지스터로 형성될 수 있다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 소정의 영역에 도전성이 다른 트랜지스터가 형성되는 경우에 비해 제조 공정이 용이하게 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 제 1 도전성 트랜지스터는 p 형의 도전성 트랜지스터일 수 있다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 화소 회로를 구성하는 각 요소의 동작 시에 있어서 전자의 이동도가 감소하고, 보다 정밀하게 전기 발광 소자로 공급하는 전류를 제어하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 데이터 전압은, 상기 전류 발광 소자의 발광 문턱 값 전압보다도 낮은 전압일 수 있다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 데이터 전압의 라이트 만큼에서는 전기 발광 소자는 발광하지 않기 때문에, 화소 회로로의 데이터 전압의 라이터의 타이밍의 자유도가 높아진다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 1 세트의 전원 공급 배선은, 복수로제공되고, 상기 복수로 제공된 전원 공급 배선들 중에서 제 1 기간에 상기 제 1 전압이 공급되는 전원 공급 배선들끼리는 상기 x 방향으로 연장되는 배선에서 접속되고, 상기 복수로 제공된 상기 전원 공급 배선들 중에서 상기 제 1 기간에 상기 제 2 전압이 공급되는 전원 공급 배선들끼리는 상기 x 방향으로 연장되는 배선에서 접속될 수도 있다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 전원 공급 배선이 그물망 형상으로 이루어지고, 전원 공급 배선에 접속되는 각 화소 회로의 전류 발광 소자로 흐르는 전류의 량에 따라서 전원 공급 배선의 전압 강하로 불균일이 발생하기 때문에 발생하는 크로스토크를 눈에 띄지 않게 하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 매트릭스 형상으로 배치되는 복수의 화소 회로들; y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2 열에 2 개씩 배치되 1 세트의 전원 공급 배선; 상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압들을 전달하는 데이터선들; 및 상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하고, 상기 복수의 화소 회로들의 각각은, 전류 량에 따른 휘도로 발광하는 전류 발광 소자; 상기 데이터선들 중 대응하는 데이터선에 접속되어 데이터 전압의 라이트를 제어하는 라이트 제어 트랜지스터; 상기 전류 발광 소자로 공급되는 전류 량을 제어하는 구동 트랜지스터; 상기 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 하나에 접속되어 전압의 공급을 제어하는 전원 공급 제어 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 전원 공급 제어 트랜지스터의 소스 또는 드레인 사이에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 스위칭 트랜지스터; 및 한 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 및 상기 스위칭 트랜지스터의 소스 또는 드레인에 접속되고 다른 쪽의 단자가 상기 복수의 게이트선들 중 하나에 접속되어 계조에 따른 전압을 유지하는 용량 소자를 포함하고,상기 1 세트의 전원 공급 배선은, 제 1 전원 공급 배선과 제 2 전원 공급 배선으로 이루어지고, 상기 제 1 전원 공급 배선 및 상기 제 2 전원 공급 배선은, 각각 상기 인접하는 2 열의 화소 회로들의 짝수 행들 또는 홀수 행들 중의 어느 하나에 접속되는 전기 광학 장치를 구동하는 구동 방법으로서, 상기 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 한 쪽의 전원 공급 배선으로 제 1 전압을 공급하고, 다른 쪽의 전원 공급 배선으로 상기 제 1 전압과는 다른 제 2 전압을 공급하고, 상기 제 1 전압이 공급되는 적어도 하나의 화소 회로에 있어서는, 상기 전류 발광 소자로 상기 구동 트랜지스터를 통해 전류의 공급을 행하고, 상기 제 2 전압이 공급되는 적어도 하나의 화소 회로에 있어서는, 상기 제 2 전압을 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 상기 용량 소자로 공급하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법이 제공된다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 같은 열에 배치되는 화소 회로에 있어서, 임의의 행의 화소 회로에서는 전기 발광 소자로 전류를 공급하면서, 임의의 화소 회로에서는 초기화를 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 제 1 전압이 공급되는 적어도 하나의 화소 회로에 있어서는, 상기 라이트 제어 트랜지스터를 통해 데이터 전압의 라이트를 행하는 것을 더 포함할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 같은 열에 배치되는 화소 회로에 있어서, 임의의 행의 화소 회로에서는 전기 발광 소자로 전류를 공급하면서, 임의의 화소 회로에서는 데이터 전압의 라이트를 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 상기 매트릭스 형상으로 배치되는 상기 복수의 화소 회로들의 제 2N 행의 화소 회로들의 스위칭 트랜지스터들의 게이트 전압들을 제어하는 제어 신호와 제 2N - 1 행의 화소 회로들의 라이트 제어 트랜지스터들의 게이트 전압들을 제어하는 제어 신호를 공용으로 할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 게이트 드라이버의 구성을 간소화하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 전류 량에 따른 휘도로 발광하는 전류 발광 소자,입력 데이터의 라이트를 제어하는 라이트 제어 트랜지스터, 상기 전류 발광 소자로 공급되는 전류 량을 제어하는 구동 트랜지스터, 전원 전압의 공급을 제어하는 전원 공급 제어 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 전원 공급 제어 트랜지스터의 소스 또는 드레인 사이에 접속되는 스위칭 트랜지스터, 및 한 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트에 접속되는 용량 소자를 각각이 포함하는 복수의 화소 회로들, y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2 열의 사이에 배치되어 상기 2 열의 화소 회로들이 각각 접속되는 전원 공급 배선, 상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압을 전달하는 데이터선, 및 상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하는 구동 회로의 구동 방법에 있어서, 상기 전원 공급 배선으로 제 1 전압이 공급되는 제 1 기간에 제 2N 행의 화소 회로에 라이트 제어 트랜지스터를 오프함으로써, 상기 용량 소자가 유지하는 전위의 초기화를 행하고, 상기 제 1 기간 경과 후의 상기 전원 공급 배선으로 제 2 전압이 공급되는 제 2 기간에 상기 제 2N 행의 상기 화소 회로에는 라이트 제어 트랜지스터를 오프하여 상기 데이터선으로 소정의 데이터 전압의 공급을 행하고, 상기 제 2 기간 경과 후의 상기 전원 공급 배선으로 상기 제 1 전압이 공급되는 제 3 기간에 상기 제 2N 행의 상기 화소 회로로 상기 라이트 제어 트랜지스터를 통해 상기 소정의 데이터 전압을 라이트하고, 상기 라이트된 전압의 승압을 행하고, 상기 제 3 기간 경과 후의 상기 전원 공급 배선으로 상기 제 2 전압이 공급되는 제 4 기간에 상기 제 2N 행의 상기 화소 회로의 상기 전류 발광 소자로 상기 구동 트랜지스터를 통해 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법이 제공된다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 같은 열에 배치되는 화소 회로에 있어서, 임의 의 행의 화소 회로에서는 전기 발광 소자로 전류를 공급하면서, 임의의 화소 회로에서는 데이터 전압의 라이트를 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 전류 량에 따른 휘도로 발광하는 전류 발광 소자, 입력 데이터의 라이트를 제어하는 라이트 제어 트랜지스터, 상기 전류 발광 소자로 공급되는 전류 량을 제어하는 구동 트랜지스터, 전원 전압의 공급을 제어하는 전원 공급 제어 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 전원 공급 제어 트랜지스터의 소스 또는 드레인 사이에 접속되는 스위칭 트랜지스터, 및 한 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트에 접속되는 용량 소자를 각각이 포함하는 복수의 화소 회로들, y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2 열의 사이에 배치되어 상기 2 열의 화소 회로들이 각각 접속되는 전원 공급 배선, 상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압을 전달하는 데이터선, 및 상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하는 구동 회로의 구동 방법에 있어서,상기 전원 공급 배선으로 제 1 전압이 공급되는 제 1 기간에, 모든 행의 화소 회로들의 라이트 제어 트랜지스터들을 오프하여, 상기 데이터선으로 계조에 따른 데이터 전압을 공급함으로써, 상기 데이터선을 상기 계조에 따른 상기 데이터 전압으로 프로그램하고, 제 2N 행의 화소 회로에 대해서는 또한, 상기 전원 공급 제어 트랜지스터 및 상기 스위칭 트랜지스터를 온함으로써, 상기 제 2N 행의 상기 화소 회로의 상기 용량 소자가 유지하는 전위의 초기화를 행하는 것을 특징하는 전기 광학 장치의 구동 방법이 제공된다. 이러한 구동 방법에 의해, 데이터선을 계조에 따른 데이터 전압으로 프로그램하고 있는 동안에, 초기화를 행하는 것이 가능하게 된다.
이상, 설명한 본 발명에 의하면, 전원 공급 배선이 전기 광학 장치의 표시부의 세로 방향(y 방향)으로 연장되기 때문에, 전원 공급 배선을 구동하는 드라이버를 표시부의 세로 방향을 따라 배치하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 소정의 영상이 표시되는 표시 영역의 좌우의 협테두리화를 도모하는 것이 가능하게 된다.
또한, 같은 열에 배치되는 화소 회로에 있어서, 임의의 행의 화소 회로에서는 전기 발광 소자로 전류를 공급하면서, 임의의 화소 회로에서는 데이터 전압의 라이트를 행하는 것이 가능하게 되기 때문에, 데이터 전압의 라이트 시간을 충분히 갖는 것이 가능하게 되고, 전류 발광 소자로의 전류의 공급을 제어하는 구동 트랜지스터의 특성 변화(예를 들어, 문턱 값 전압)를 해소하면서, 표시 품질을 향상되는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 발명에서는 전원 공급 배선이 그물망 형상으로 배치되기 때문에, 전원 공급 배선이 세로 방향으로만 연장되어 배치되는 경우에 비해 전압 강하에 의한 크로스토크를 눈에 띄지 않게 하는 것이 가능하게 된다.
또한, 1 세트의 전원 공급 배선 중 어느 한쪽의 전원 공급 배선에 제 1 전압을 공급하고, 다른 쪽의 전원 공급 배선에 제 1 전압과는 다른 제 2 전압을 공급하고, 제 1 전압이 공급되는 적어도 하나의 화소 회로에 있어서는, 전류 발광 소자로 구동 트랜지스터를 통해 전류를 공급하고, 제 2 전압이 공급되는 적어도 하나의 화소 회로에 있어서는, 제 2 전압을 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 상기 용량 소자로 공급하기 때문에, 같은 열에 배치되는 화소 회로에 있어서, 임의의 행의 화소 회로에서는 전기 발광 소자로 전류를 공급하면서, 다른 임의의 행의 화소 회로에서는 초기화를 행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 데이터선으로의 데이터 전압의 프로그램, 화소 회로로의 데이터의 라이트 및 그 데이터 전압의 승압, 화소 회로의 전기 발광 소자로의 전류의 공급, 화소 회로의 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 초기화의 4개의 동작에 대해서, 화소 회로의 각 트랜지스터의 제어 및 전원 공급 배선에 공급되는 전압을 제어함으로써, 같은 열에 배치되는 화소 회로에 있어서, 임의의 행의 화소 회로에서는 데이터 전압의 라이트를 행하고, 다른 임의의 행의 화소 회로에서는 초기화가 행해지고, 또한, 임의의 2 열에 배치되는 화소 회로에 접속되는 데이터선에 데이터 전압의 프로그램을 행하면서, 같은 2 열의 화소 회로에 있어서는 초기화를 행하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 데이터 전압의 라이트에 요하는 시간을 충분히 확보하면서, 발광 듀티비를 높게 하는 것이 가능하게 되고, 표시 품질이 높아진다.
도 1은 본 발명에 따른 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 기기(1)의 구성을 나타내는 개략도를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 디멀티플렉서(41)의 하나의 블록 내의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 각 화소(100)가 갖는 화소 회로(110)의 구성을 나타내는 회로도를 나타낸다.
도 4는 제K 열 및 제K + 1 열의 화소(100)의 사이에 E/NL1 및 E/NL2로 이루어지는 1 세트의 전원 공급 배선(E/NL)이 배치되어 있는 예를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 각 전압의 전위의 관계를 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따른 구동 트랜지스터의 Vth 보상을 위한 동작을 나타낸다.
도 7은 본 발명에 따른 구동 트랜지스터의 Vth 보상을 위한 동작을 나타낸다.
도 8은 본 발명에 따른 제N 행의 화소 회로(110)에 관한 각 신호의 타이밍차트를 나타낸다.
도 9(a)은 본 발명에 따른 각 기간에 있어서, 제K 열 및 제K + 1 열의 제 2N 행 및 전후의 행(제2N - 1 행 및 제2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 9(b)는 본 발명에 따른 각 기간에 있어서, 제 K 열 및 제 K + 1 열의 제 2N 행 및 전후의 행(제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 9(c)은 본 발명에 따른 각 기간에 있어서, 제K 열 및 제K + 1 열의 제 2N 행 및 전후의 행(제2N - 1 행 및 제2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 9(d)는 본 발명에 따른 각 기간에 있어서, 제K 열 및 제K + 1 열의 제 2N 행 및 전후의 행(제2N - 1 행 및 제2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 9(e)는 본 발명에 따른 각 기간에 있어서, 제K 열 및 제K + 1 열의 제 2N 행 및 전후의 행(제2N - 1 행 및 제2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 9(f)은 본 발명에 따른 각 기간에 있어서, 제K 열 및 제K + 1 열의 제 2N 행 및 전후의 행(제2N - 1 행 및 제2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 관한 각 신호의 제 2 실시예에 따른 타이밍차트를 나타낸다.
도 11은 본 발명에 따른 전기 광학 장치의 제 3 실시예에 따른 전기 광학 장치(10)의 전체 구성도이다.
도 12의 (1)은 제 1 실시예에 따른 전기 광학 장치(10)에 있어서, 전 화면 그레이의 배경에 흰 윈도우를 표시한 경우의 영상을 나타낸다.
도 12의 (2)는 실시예3에 따른 전기 광학 장치(10)에 있어서, 전 화면 그레이의 배경에 흰 윈도우를 표시한 경우의 영상을 나타낸다.
도 13은 제 4 실시 형태에 따른 전자 기기(1-1)의 구성을 나타내는 개략도를 나타낸다.
도 14는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 디멀티플렉서(41-1)의 하나의 블록 내의 구성을 나타내는 회로도를 나타낸다.
도 15는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 각 화소(100)가 갖는 화소 회로(110)의 구성을 나타내는 회로도를 나타낸다.
도 16은 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 관한 각 신호의 타이밍차트를 나타내는 도면을 나타낸다.
도 17(a)은 본 발명의 제 4 실시 형태에 따른 각 기간에 있어서, 제 2N 행 및 전후의 행(제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 17(b)는 본 발명의 제 4 실시 형태에 따른 각 기간에 있어서, 제 2N 행 및 전후의 행(제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 17(c)은 본 발명의 제 4 실시 형태에 따른 각 기간에 있어서, 제 2N 행 및 전후의 행(제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 17(d)는 본 발명의 제 4 실시 형태에 따른 각 기간에 있어서, 제 2N 행 및 전후의 행(제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 17(e)는 본 발명의 제 4 실시 형태에 따른 각 기간에 있어서, 제 2N 행 및 전후의 행(제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 18은 본 발명에 따른 구동 트랜지스터의 Vth 보상을 위한 동작을 나타낸다.
도 19(a)은 제 5 실시 형태에 따른 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 19(b)는 제 5 실시 형태에 따른 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 19(c)은 제 5 실시 형태에 따른 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 19(d)는 제 5 실시 형태에 따른 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 19(e)는 제 5 실시 형태에 따른 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다.
도 20은 본 발명에 따른 전기 광학 장치의 제 6 실시 형태에 따른 전기 광학 장치(10 - 1)의 전체 구성도를 나타낸다.
도 21은 기판의 횡 방향으로 연장되는 전원 배선을 스캔하는 드라이버를 좌우 어느 한쪽의 테두리에 배치되기 때문에, 한쪽의 테두리가 커져 버린다는 종래의 문제를 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 전기 광학 장치에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태는 본 발명의 실시형태의 일 예로서, 본 발명은 이들의 실시형태에 한정되지 않는다.
(제 1 실시형태)
본 발명의 제 1 실시형태에 따른 전자 기기에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
(전체 구성)
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 전자 기기(1)의 구성을 나타내는 개략도이다. 전자 기기(1)는 스마트폰, 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터, 텔레비젼 등, 영상을 표시하는 표시부를 갖는 장치이다. 전자 기기(1)는 전기 광학 장치(10), 제어부(80) 및 전원(90)을 갖는다. 전기 광학 장치(10)는 매트릭스 형상으로 배치된 화소(100)를 갖는다. 전기 광학 장치는 각 화소(100)에 있어서 전류 발광 소자를 발광시켜서 영상을 표시하고, 상술한 표시부를 구성한다. 각 화소(100)는 전류 발광 소자(190) 및 전류 발광 소자(190)를 구동하는 화소 회로(110)를 갖는다(도 3 참조). 이 예에서는 전류 발광 소자(190)는 유기 EL을 사용한 발광 소자인 것으로 하지만, 공급되는 전류량에 따라서 발광 강도가 변화하는 발광 소자이면, 다른 발광 소자일 수 있다.
또한, 도 1에 있어서, 화소(100)는 6 행 6 열의 매트릭스 형상으로 배치되어 있지만, 그 배치에 한정되지 않고, 더 많은 화소(100)가 존재할 수도 있고, 적을 수도 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 화소(100)는 i 행 j 열의 매트릭스 형상으로 배치되는 것으로 한다. 전기 광학 장치(10)의 상세에 대해서는 후술한다.
제어부(80)는 CPU(Central Processing Unit), 메모리 등을 갖고, 전기 광학 장치(10)의 동작을 제어하는 컨트롤러이다. 제어부(80)의 제어에는 전자 기기(1)의 표시부에 표시시키는 영상을 나타내는 영상 데이터에 기초하여 각 화소(100)에 있어서 계조를 결정하고, 결정한 계조에 따른 데이터 전압을 화소 회로(110)에 라이트함으로써, 각 화소(100)의 전류 발광 소자(190)를 발광시킨다. 전원(90)은 전기 광학 장치(10) 및 제어부(80) 등, 전자 기기(1)의 각 부로 전력을 공급한다.
(전기 광학 장치(10)의 구성)
전기 광학 장치(10)는 매트릭스 형상으로 배치된 화소(100), 게이트 드라이버(20), 발광 제어용 드라이버(30), 데이터선 및 전원 공급 배선 제어 회로(40) 및 전원 공급 배선(E/NL), 발광 제어선(ECL), 데이터선(DL), 및 복수의 게이트선들(GL1, GL2, GL3)을 갖는다.
게이트 드라이버(20)는 각 행의 화소(100)에 대응하여 마련된 복수의 게이트선들(GL1, GL2, GL3)에 각각 제어 신호를 공급한다. 게이트선(GL1)에는, 상세한 것은 후술하지만, VMM와 VSS의 두 값의 신호를 소정의 타이밍으로 공급하고, 구동 트랜지스터(115)의 게이트의 온, 오프의 제어를 가능하게 한다. 게이트선(GL2)에는, 스위칭 트랜지스터(113)의 온, 오프를 지정하는 제어 신호(G2)를 제공한다. 게이트선(GL3)에는, 라이트 제어 트랜지스터(112)의 온, 오프를 지정하는 제어 신호(G3)를 공급한다.
발광 제어용 드라이버(30)는 각 행의 화소(100)에 대응하여 마련된 발광 제어선(ECL)에 발광 또는 후술하는 구동 트랜지스터의 게이트 전압의 초기화를 제어하는 발광/ 초기화 신호(EM)를 공급한다.
데이터선 및 전원 공급 배선 제어 회로(40)는 데이터선(DL)에 각 화소에 표시되는 계조에 따른 데이터 전압을 공급한다. 또한, 전원 공급 배선(E/NL)에는, 전류 발광 소자(190)에 공급하는 전류의 전원으로 고전위측의 전압인 ELVDD 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 초기화하는 전압인 Vinit를, 하나의 수평 기간마다 교대로 공급한다.
전기 광학 장치(10)의 표시부는 적어도 게이트 드라이버(20), 발광 제어용 드라이버(30) 및 데이터선 및 전원 공급 배선 제어 회로(40)로 둘러싸인 영역으로 되고, 전원 공급 배선(E/NL)은 표시부의 세로 방향으로 연장되어, 인접하는 2개 열의 화소(100, 이하 2 열의 화소)마다 2 개씩 배치된다. 인접하는 2 열의 화소(100)는 2 개씩 배치된 전원 공급 배선(E/NL)(이하, 「1 세트의 전원 공급 배선(E/NL)」이라 칭한다)에 1 행마다 교대로 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 하나에 각각 접속된다. 즉, 1 세트의 전원 공급 배선은 제 1 전원 공급 배선과 제 2 전원 공급 배선으로 이루어지고, 제 1 전원 공급 배선 및 제 2 전원 공급 배선은 인접하는 2 열의 화소 회로의 짝수 행 또는 홀수 행 중의 다른 하나에 각각 접속된다. 또한, 본 실시예에서는, 전원 공급 배선(E/NL)은 2 열의 화소(100)의 각 열의 사이에 배치되어 있지만, 인접하는 2 열의 화소(100)마다 2 개씩 배치되어 있으면, 인접하는 2 열의 화소(100)와의 관계로 배치가 한정되는 것은 아니다. 단, 인접하는 2 열의 화소(100)의 사이에 전원 공급 배선(E/NL)이 배치되는 경우, 각 화소(100)를 전원 공급 배선(E/NL)에 접속하기 위한 배선의 길이를 짧게 하는 것이 가능하게 되고, 쓸모 없는 기생 캐패시터를 감소할 수 있는 등의 작용이 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 디멀티플렉서(41)의 하나의 블록 내의 구성을 나타내는 회로도이다. 이 예에서는 디멀티플렉서(41)는 화소(100)의 2 열마다 대응하는 복수의 블록들을 갖고, 제어부(80)의 제어에 따라서 공급되는 제어 신호(CLA1, CLA2, CLA3, CLA4)에 의해 동작한다. 도 8 또는 도 10에 나타내는 바와 같이, 디멀티플렉서(41)는 제어 신호(CLA1 및 CLA2)에 따라서 데이터 전압을 데이터선(DL)으로 공급하고, 제어 신호(CLA3 및 CLA4)에 따라서 ELVDD 또는 Vinit를 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 하나로 각각 공급한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 각 화소(100)가 갖는 화소 회로(110)의 구성을 나타내는 회로도이다. 화소 회로(110)는 전류 발광 소자(190), 전원 공급 제어 트랜지스터(111), 라이트 제어 트랜지스터(112), 스위칭 트랜지스터(113), 구동 트랜지스터(115) 및 용량 소자(114)를 포함한다. 화소 회로(110)에 포함되는 트랜지스터는 모두 P 형 도전성의 트랜지스터로 구성된다. p 형 도전성의 트랜지스터로 구성한 경우, 전자의 이동도가 n 형 도전성의 트랜지스터에 비해 낮기 때문에, 보다 정밀한 제어가 가능하게 된다.
화소 회로(110)는 1 세트의 전원 공급 배선(E/NL) 중에서 하나의 전원 공급 배선(E/NL), 복수의 게이트선들(GL1, GL2, GL3), 발광 제어선(ECL), 데이터선(DL) 및 저전위측(ELVSS)에 접속되어 있다. 또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 매트릭스 형상으로 배치된 화소(100) 중에서 인접하는 제 K 열 및 제 K + 1 열의 화소(100)의 사이에 전원 공급 배선(E/NL1) 및 전원 공급 배선(E/NL2)으로 이루어지는 1 세트의 전원 공급 배선(E/NL)이 배치되어 있는 경우, 제 K 열 및 제 K + 1 열의 제 2N - 1 행의 화소(100)의 화소 회로(110)는 전원 공급 배선(E/NL1)에 접속된다. 제 K 열 및 제 K + 1 열의 제 2N 행의 화소(100)의 화소 회로(110)는 전원 공급 배선(E/NL2)에 접속된다. 제 K 열 및 제 K + 1 열의 제 2N + 1 행의 화소(100)의 화소 회로(110)는 전원 공급 배선(E/NL1)에 접속된다. 이와 같이, 화소 회로(110)는 행마다 좌우 교대로 상기 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 하나에 접속된다.
다시, 도 3을 참조하면서, 화소 회로(110)의 구성을 설명한다. 전술한 바와 같이, 화소 회로(110)는 전원 공급 배선(E/NL)에 접속되지만, 전원 공급 배선(E/NL)과 저전위측(ELVSS)를 연결하는 경로 상에는 전원 공급 배선(E/NL) 측으로부터 순서대로 전원 공급 제어 트랜지스터(111), 구동 트랜지스터(115) 및 전류 발광 소자(190)가 접속되어 있다. 전원 공급 제어 트랜지스터(111)의 게이트는 발광 제어선(ECL)에 접속된다. 라이트 제어 트랜지스터(112)의 게이트는 게이트선(GL3)에 접속되고, 라이트 제어 트랜지스터(112)의 제 1 단자(소스 또는 드레인) 및 제 2 단자(소스 또는 드레인)는 각각 데이터선(DL)과 전류 발광 소자(190)에 접속된다. 용량 소자(114)는 상세한 것은 후술되지만, 한 쪽의 단자는 VSS 또는 VMM을 전달하는 게이트선(GL1)에 접속되고, 다른 쪽의 단자는 구동 트랜지스터(115)의 게이트에 접속된다. 스위칭 트랜지스터(113)의 게이트는 게이트선(GL2)에 접속되고, 스위칭 트랜지스터(113)의 제 1 단자 및 제 2 단자는 각각 용량 소자(114)와 구동 트랜지스터(115)의 제 1 단자(소스 또는 드레인)에 접속된다.
화소 회로(110)를 구성하는 각 소자와 그것이 관련하는 동작에 대해서 이하 설명한다.
(라이트 제어 트랜지스터(112))
라이트 제어 트랜지스터(112)는 게이트선(GL3)으로부터 공급되는 제어 신호(G3)에 따라서 데이터선(DL)에 의해 전달되는 데이터 전압의 공급의 여부를 제어한다. 또한, 데이터 전압은 각 화소에 표시되는 계조에 따른 것이지만, 전류 발광 소자(190)가 소등 상태로 되는 범위 내에서 결정된다. 구체적으로는, 저전위측의 전위(ELVSS), 전류 발광 소자(190)의 발광 문턱 값 전압을 Vth_E로 한 경우, 데이터 전압은 전위(ELVSS)와의 차가 발광 문턱 값 전압(Vth_ E)보다 작아지도록 결정된다.
본 발명에 따른 화소 회로(110)의 동작의 상세한 것은 후술하지만, 데이터 전압이 화소 회로(110)에 라이트되기 전에, 용량 소자(114)의 전압은 그 한 쪽의 단자에는 전원 공급 배선(E/NL)으로부터 Vinit가 공급되고, 다른 쪽의 단자에는 게이트선(GL1)으로부터 VSS가 공급됨으로써 초기화된다. 따라서, 데이터 전압의 라이트의 전에 있어서는 p 형 도전성 트랜지스터의 구동 트랜지스터(115)는 온 상태이다. 또한, 스위칭 트랜지스터(113)는 게이트선(GL2)을 통하여 제어 신호(G2)를 받아서 온됨으로써, 데이터 전압이 용량 소자(114)에 공급된다.
(전원 공급 제어 트랜지스터(111))
전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 전원 공급 배선(E/NL)에 접속되어, 발광 제어선(ECL)을 통하여 전달되는 발광/초기화 신호(EM)에 따라서 ELVDD 또는 Vinit의 화소(100)로의 공급을 제어한다.
ELVDD가 전원 공급 제어 트랜지스터(111)를 통하여 구동 트랜지스터(115)의 제 1 단자에 공급되고, ELVDD는 구동 트랜지스터(115)의 게이트 전압 즉, 용량 소자(114)가 유지하고 있는 전압보다도 높은 전압(도 5 참조)이기 때문에, 구동 트랜지스터(115)는 온하여, 용량 소자(114)가 유지하고 있는 전압, 다시 말하면, 구동 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 전류가 전류 발광 소자(190)에 제공된다.
Vinit가 전원 공급 제어 트랜지스터(111)를 통하여 스위칭 트랜지스터(113)의 제 1 단자에 공급되면, 게이트선(GL2)의 제어 신호(G2)에 따라서 스위칭 트랜지스터(113)가 온함으로써, Vinit가 용량 소자(114)로 공급된다. 또한, 게이트선(GL1)에는 VSS가 공급되어, 구동 트랜지스터(115)의 게이트 전압, 즉 용량 소자(114)가 유지하는 전압은 초기화된다.
(구동 트랜지스터(115))
구동 트랜지스터(115)는 제 1 단자가 전원 공급 제어 트랜지스터(111)의 제 2 단자 및 스위칭 트랜지스터(113)의 제 1 단자에 접속되고, 제 2 단자는 전류 발광 소자(190)에 접속된다. 또한, 구동 트랜지스터(115)의 게이트는 용량 소자(114)에 접속된다.
구동 트랜지스터(115)는 용량 소자(114)에 유지되는 전압에 따라서 전류 발광 소자(190)에 공급하는 전류를 제어한다. 전술한 바와 같이, 용량 소자(114)에는 각 화소(100)에 표시되는 계조에 따른 전압이 유지된다. 전원 공급 제어 트랜지스터(111)가 발광/ 초기화 신호(EM)에 따라서 온되면, 구동 트랜지스터(115)는 전원 공급 제어 트랜지스터(111)를 통하여 ELVDD를 받아서, 용량 소자(114)에 의해 유지되어 있는 전압에 따라서 전류 발광 소자(190)로 전류를 공급한다.
(스위칭 트랜지스터(113))
스위칭 트랜지스터(113)는 전술한 바와 같이, Vinit가 제 1 단자에 공급되는 타이밍으로, 게이트선(GL2)을 통하여 공급되는 제어 신호(G2)에 따라서, 온된 경우, Vinit를 용량 소자(114)에 공급한다.
ELVDD가 제 1 단자에 공급되는 타이밍에서, 스위칭 트랜지스터(113)가 게이트선(GL2)을 통하여 공급되는 제어 신호(G2)에 따라서 오프된 경우, ELVDD를 용량 소자(114)에 공급하지 않기 때문에, 구동 트랜지스터(115)는 용량 소자(114)가 유지하는 전압에 따라서 전류를 전류 발광 소자(190)로 공급하는 것이 가능하게 된다.
(전류 발광 소자(190))
전류 발광 소자(190)는 제 1 단자는 구동 트랜지스터(115)의 제 2 단자에 접속되고, 제 2 단자는 저전위측(ELVSS)에 접속되어 있다. 구동 트랜지스터(115)를 통하여 전류를 공급받는다면, 그 전류에 따른 광량으로 발광한다. 이상이 전기 광학 장치(10)의 구성에 대한 설명이다.
(각 전위의 관계)
여기에, 고전위측의 전압인 ELVDD, 저전위측의 전압인 ELVSS, 초기화의 전압인 Vinit, 게이트선(GL1)에 공급되는 VSS 및 VMM, 데이터 전압(여기에서는 Data)의 관계의 일 예를 도 5에 나타낸다. VSS는 적어도 전술한 바와 같이 낮고, 데이터 전압(Data)은 전류 발광 소자(190)의 발광 문턱 값 전압보다도 낮은 전압의 범위를 포함하면서, 또한 계조에 따라서 설정되어 있다.
(동작)
전류 발광 소자(190)를 구동하는 전류의 제어 관련하여, 데이터 전압을라이트할 때에 있어서 구동 트랜지스터의 게이트의 문턱 값(Vth) 변화가 문제이지만, 본 발명에서는 예를 들어, 도 6 및 도 7의 동작을 행함으로써, 구동 트랜지스터의 Vth 보상을 행하고 있다.
도 6에는 게이트선(GL1)에는 VSS가 공급되고, 데이터선(DL)으로 공급되는 데이터 전압(Vdata)이, 예를 들어, T1의 기간에서 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 구동 트랜지스터(115) 및 스위칭 트랜지스터(113)가 모두 온하고, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)만 오프됨으로써, 용량 소자(114)로 공급된다. 이 때, 용량 소자(114)로 공급되는 전압, 즉 구동 트랜지스터의 게이트 전압(Vg)은 이하의 수학식 (1)로 나타낸다.
수학식 (1)
Vg = Vdata - Vth< ELVSS
T1의 기간 경과 후의 T2의 기간에, 도 7에 나타내는 바와 같이, 또한, 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)의 게이트가 오프하고, 게이트선(GL1)에는 VMM가 공급됨으로써, Vg는 이하의 수학식 (2)에 나타내는 바와 같이, 승압된다.
수학식 (2)
Vg'= Vdata - Vth + VMM - VSS
이상과 같이, 본 발명에 있어서 구동 트랜지스터 Vth 보상의 일 예를 나타내었다.
도 8은 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 관한 각 신호의 타이밍차트를 나타내는 도면이다. 도 9(a)~(f)은 각 기간에 있어서, 제 K 열 및 제 K + 1 열의 제 2N 행 및 전후의 행(2N - 1 행 및 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다. 여기서, 2N 및 K+1은 짝수인 것으로 한다. 따라서, 2N 행은 짝수 행이고, 2N + 1 또는 2N - 1 은 홀수 행으로 된다. 또한, 전술한 바와 같이, 2 열의 화소 회로(110)마다 1 세트의 전원 공급 배선이 배치되지만, 2 열의 화소 회로(110)는 1 행마다 교대로 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 하나와 접속되기 때문에, 짝수 행의 화소 회로(110)는 같은 전원 공급 배선에 접속되고, 홀수 행의 화소 회로(110)도 같은 전원 공급 배선에 접속된다. 여기에 있어서, 1 세트의 전원 공급 배선은 1 수평 기간마다 ELVDD와 Vinit가 교대로 공급된다. 따라서, 짝수 행의 화소 회로(110)에 ELVDD가 공급되는 경우에는, 홀수 행의 화소 회로(110)에는 Vinit가 공급되는 것으로 된다. 또한, 도 8에 있어서, 각 신호의 명칭에 붙인 (2n), (2n - 1) 등은 각각 제 2N 행, 제 2N - 1 행 등에 공급되는 신호를 나타내고 있다. 예를 들어, EM(2n)은 제 2n 행에 공급되는 발광/ 초기화 신호(EM)를 나타내고 있다.
도 8에 나타내는 「1H」는 1 수평 주사 기간을 나타내고 있다. 또한, 도 9에 있어서 (a)~(f)은 도 8에 있어서 각 기간에 대응한다. 또한, 데이터 전압(Data)의 신호 이외의 각 신호는 H 레벨, L 레벨의 전압으로 되어 있다. 이 예에서는 트랜지스터는 p 형이기 때문에, L 레벨의 전압이 게이트 전극으로 공급되면, 온 상태로 되도록 구성되어 있다.
도 8에 있어서 (a)로부터 (f)의 기간에 대해서, 도 9(a) 내지 9(f)를 사용하여 짝수 행인 제 2N 행의 화소 회로(110)의 동작을 중심으로 설명한다. 도 9(a)에 있어서는, 제 2N 행의 화소 회로(110)가 접속되어 있는 전원 공급 배선(E/NL2)에는 ELVDD가 공급된다. 먼저, 도 9(a)에 대응하는 기간에 있어서는, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL2) 및 게이트선(GL3)에는 H 레벨의 제어 신호가 공급되기 때문에, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 스위칭 트랜지스터(113) 및 라이트 제어 트랜지스터(112)는 모두 오프로 된다. 제 2N 행의 화소 회로(110)의 발광 제어선(ECL)에는 L 레벨의 EM 신호가 공급되어 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온 상태이기 때문에, 전원 공급 배선(E/NL2)으로부터 공급된 ELVDD는 구동 트랜지스터(115)에 공급된다. 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL1)에 VMM이 공급되면, 용량 소자(114)의 전압은 VMM 분 상승하여 구동 트랜지스터(115)가 온하고, 용량 소자(114)의 전압에 따른 전류가 전류 발광 소자(190)에 공급되고, 전류 발광 소자(190)가 발광한다.
또한, 홀수 행인 제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 있어서는, 전원 공급 배선(E/NL1)에는 Vinit가 공급되어, 모두 소등하고 있고, 제 2N - 1 행의 화소 회로(110)에 있어서는 초기화가 행해지고 있다.
도 9(b)에 대응하는 기간에 있어서는, 제 2N 행의 화소 회로(110)가 접속하고 있는 전원 공급 배선(E/NL2)에는 Vinit가 공급된다. 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3)에는 H 레벨의 제어 신호가 공급되기 때문에, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 라이트 제어 트랜지스터(112)는 오프로 된다. 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL2)에는 L 레벨의 제어 신호(G2)가 공급되기 때문에, 스위칭 트랜지스터(113)는 온으로 된다. 제 2N 행의 화소 회로(110)의 발광 제어선(ECL)에는 L 레벨의 EM 신호가 공급되어 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온하기 때문에, 전원 공급 배선(E/NL2)에 의해 공급된 Vinit는 용량 소자(114)로 공급된다. 그 후, 게이트선(GL1)에는 VSS가 공급되어, 용량 소자(114)의 전압은 초기화된다.
또한, 홀수 행인 제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 있어서는, 전원 공급 배선(E/NL1)에는 ELVDD가 공급되어 있다. 제 2N - 1 행의 화소 회로(110)는 전원 공급 제어 트랜지스터의 게이트는 오프로 제어되어, 데이터 전압의 라이트가 행해지고 있다. 데이터 전압의 라이트가 행해지고 있는 제 2N - 1 행의 화소 회로(110) 이외의 홀수 행의 화소 회로(110)는 발광하고 있다.
도 9(c) 및 도 9(d)에 대응하는 기간에 있어서는, 제 2N 행의 화소 회로(110)가 접속하고 있는 전원 공급 배선(E/NL2)에는 ELVDD가 공급된다. 그러나, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 발광 제어선(ECL)에는 H 레벨의 EM 신호를 공급하고, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)를 오프로 한다. 게이트선(GL3)으로부터 제공되는 L 레벨의 제어 신호(G3)에 의해 온된 라이트 제어 트랜지스터(112)를 통하여 데이터선(DL1)의 Data1 및 데이터선(DL2)의 Data2가 각각 제 K 열의 제 2N 행의 화소 회로(110) 및 제 K + 1 열의 제 2N 행의 화소 회로(110)로 공급된다. 또한, 전술한 바와 같이, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 용량 소자(114)의 전압은 초기화되어 있기 때문에, 데이터 전압의 라이트의 전에 있어서는 p 형 도전성 트랜지스터의 구동 트랜지스터(115)의 게이트는 온 상태이다. 또한, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 스위칭 트랜지스터(113)는 게이트선(GL2)을 통하여 L 레벨의 제어 신호를 받아서 온함으로써, Data1와 Data2는 각각 대응하는 화소 회로(110)의 용량 소자(114)로 공급되고, 데이터 전압의 라이트가 완료한다. 또한, 용량 소자(114)는 표시부에 표시되는 계조에 따른 전압을 유지하게 된다. 보다 구체적으로는, 용량 소자(114)는 Data1 또는 Data2의 전압으로부터 구동 트랜지스터(115)의 게이트의 문턱 값(Vth)만큼 하강한 전압을 유지하게 된다. 제 2N 행의 화소 회로(110) 이외의 짝수 행의 화소 회로(110)의 전류 발광 소자(190)는 발광 상태이다.
또한, 홀수 행인 제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 있어서는, 전원 공급 배선(E/NL1)에는 Vinit가 공급되어 있다. 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)는 초기화되어 있다.
그 후, 도 9(d)에 나타내는 바와 같이, 데이터선(GL1)으로 공급되는 전압이 VSS로부터 VMM으로 천이하고, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 용량 소자(114)의 전압은 VMM으로부터 VSS를 뺀 전압만큼 승압되고, 구동 트랜지스터의 Vth 보상이 행해진다. 즉, 용량 소자(114)가 유지하는 전압(Vgate)은 제 K 열의 제 2N 행의 화소 회로(110)이면, Data1의 전압으로부터 구동 트랜지스터(115)의 게이트의 문턱 값(Vth)만큼 하강한 전압에 대해서 VMM으로부터 VSS를 뺀 전압만큼의 승압을 행한다. 제 K + 1 열의 제 2N 행의 화소 회로(110)이면, Data2의 전압으로부터 구동 트랜지스터(115)의 게이트의 문턱 값(Vth)만큼 하강한 전압에 대해서 VMM으로부터 VSS를 뺀 전압만큼의 승압을 행한다. 구체적인 수식으로 표현하면, 이하의 수학식 (3)으로 나타내는 바와 같다.
수학식 (3)
Vgate = Data - Vth + VMM - VSS
도 9(e)에 대응하는 기간에 있어서는, 제 2N 행의 화소 회로(110)가 접속하고 있는 전원 공급 배선(E/NL2)에는 Vinit가 공급된다. 게이트선(GL1), 게이트선(GL2) 및 게이트선(GL3)에 공급되는 제어 신호(G1, G2 및 G3)는 모두 H 레벨로 제어되어, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 전원 공급 제어 트랜지스터(111), 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)의 게이트는 모두 오프 상태이고, 당연히 소등 상태로 된다. 또한, 다른 짝수 행의 화소 회로(110)도 소등 상태이다.
또한, 도 9(e)에 대응하는 기간에 있어서는, 제 2N + 1 행 또는 제 2N - 1 행의 화소 회로(110)가 접속하고 있는 전원 공급 배선(E/NL2)에는 ELVDD가 공급된다. 따라서, 데이터 전압의 라이트가 행해지는 제 2N + 1 행의 화소 회로(110) 이외의 홀수 행의 화소 회로(110)는 발광 상태이다.
도 9(f)에 대응하는 기간에 있어서는, 제 2N 행의 화소 회로(110)가 접속하고 있는 전원 공급 배선(E/NL2)에는 ELVDD가 공급된다. 여기에 있어서, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 용량 소자(114)는 도 9(c) 및 도 9(d)를 사용하여 설명한 동작을 거쳐 표시부에 표시되는 계조에 따른 전압을 보유한 상태이다. 발광 제어선(ECL)에 의해 L 레벨의 EM 신호가 공급되고, 게이트선(GL3) 및 게이트선(GL2)에 의해 H 레벨의 제어 신호가 공급되기 때문에, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)는 모두 오프로 되지만, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온 상태로 된다. 따라서, ELVDD가 제 2N 행의 화소 회로(110)의 전원 공급 제어 트랜지스터(111)를 통해 구동 트랜지스터(115)의 제 1 단자로 공급된다. 그리고, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 구동 트랜지스터(115)의 제 1 단자에 공급되는 ELVDD는 용량 소자(114)가 유지하는 전압보다도 높은 전압으로 설정되어 있기 때문에(도 5를 참조), 구동 트랜지스터(115)의 게이트는 온되고, 구동 트랜지스터(115)는 용량 소자(114)가 유지하는 전압에 따른 전류를 전류 발광 소자(190)로 공급한다. 제 2N 행의 화소 회로(110)의 전류 발광 소자(190)는 전류 량에 따른 휘도로 발광한다. 또한, 짝수 행의 제 2N + 2 행의 화소 회로(110)는 데이터 전압의 라이트가 행해지고 있기 때문에 발광하지 않지만, 그 이외의 짝수 행의 화소 회로(110)는 발광하고 있다.
도 9(f)에 대응하는 기간에 있어서는, 제 2N + 1 행 또는 제 2N - 1 행의 화소 회로(110)가 접속하고 있는 전원 공급 배선(E/NL2)에는 Vinit가 공급된다. 따라서, 제 2N + 1 행 및 제 2N - 1 행의 화소 회로(110)를 포함하는 모든 홀수 행의 화소 회로(110)는 소등 상태이다.
이상과 같이, 제 N 행의 화소 회로(110)의 동작을 중심으로 본 발명에 따른 전기 광학 장치의 일련의 동작을 설명하였다. 이상의 일련의 동작의 후에는 다음 데이터 전압의 라이트되기까지, 도 9 (e) 및 도 9 (f)의 상태가 반복된다.
(제 2 실시형태)
도 10은 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 관한 각 신호의 제 2 실시예에 따른 타이밍차트를 나타내는 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 임의의 1 수평 기간에 제 2N 행의 게이트선(GL3)에 L 레벨의 제어 신호(G3)가 공급된 후, 그 후에 연속하는 1 수평 기간에 동일하게 L 레벨의 제어 신호(G3)가 공급되도록 제어하는 경우(도 10에 원으로 둘러싼), 제 2N 행의 게이트선(GL2)의 2 수평 기간의 제어 신호의 파형은 제 2N - 1 행의 게이트선(GL3)의 2 수평 기간의 제어 신호의 파형과 같기 때문에, 제 2N 행의 게이트선(GL2)의 제어 신호(G2)는 제 2N - 1 행의 게이트선(GL3)의 제어 신호(G3)와 공유할 수 있으므로, 게이트 드라이버(20)를 간소화하는 것이 가능하게 된다. 즉, 게이트선들(GL2, GL3)은 하나의 게이트선으로 구성될 수 있다.
또한, 제 2N 행의 게이트선(GL3)의 L 레벨의 제어 신호(G3)가 임의의 1 수평 기간에 공급된 후, 그 후에 연속하는 1 수평 기간에도 동일하게 L 레벨의 제어 신호(G3)가 공급되도록 제어할지라도 잘못된 것은 아니다. 짝수 행의 화소 회로(110)는 Vinit가 공급되어 소등 상태이기 때문에, 제어 신호(G3)에 의해, 라이트 제어 트랜지스터(112)가 온하여 데이터 전압이 화소 회로(110)로 공급될지라도 전류 발광 소자(190)는 발광하지 않기 때문이다.
(제 3 실시형태)
도 11은 본 발명에 따른 전기 광학 장치의 제 3 실시예에 따른 전기 광학 장치(10)의 전체 구성도이다. 복수 세트의 전원 공급 배선(E/NL1) 및 전원 공급 배선(E/NL2) 중에서 1 수평 기간에 ELVDD가 공급되는 전원 공급 배선끼리는 횡 방향으로 연장되는 제1 배선(LL1)에서 접속되고, 복수 세트의 전원 공급 배선 중에서 같은 1 수평 기간에 Vinit가 공급되는 전원 공급 배선끼리는 횡 방향으로 연장되는 제2 배선(LL2)에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 예를 들어, 전원 공급 배선이 그물망 형상으로 이루어지고, 전원 공급 배선에 접속되는 각 화소 회로(110)의 전류 발광 소자로 흐르는 전류의 량에 따라서 전원 공급 배선의 전압 강하에 의한 변화가 발생하기 때문에 발생하는 크로스토크를 눈에 띄지 않게 하는 것이 가능하게 된다.
도 12의 (1)은 제 1 실시 형태에 따른 전기 광학 장치(10)에 있어서, 모든 화면 그레이의 배경에 흰 윈도우를 표시한 경우의 영상이다. 한편, 도 12의 (2)는 제 3 실시 형태에 따른 전기 광학 장치(10)에 있어서, 전 화면 그레이의 배경에 흰 윈도우를 표시한 경우의 영상이다. 실시예1에 따른 전기 광학 장치(10)의 경우, 전원 공급 배선(E/NL)은 세로 방향으로 밖에 배치되지 않기 때문에, 백 윈도우를 표시하면, 그 상하의 화소는 전압 강하가 크기 때문에, 다른 화소에 비해 어둡게 된다. 한편, 실시예3에 따른 전기 광학 장치(10)의 경우, 전원 공급 배선(E/NL)는 그물망 형상으로 배치되기 때문에, 백 윈도우의 상하에서의 경계가 희미해지므로, 전압 강하의 불균일(크로스토크)이 눈에 띄지 않는다. 또한, 제 1 실시 형태에 따른 전기 광학 장치 내지 제 3 실시 형태에 따른 전기 광학 장치를 조합하여 실시하는 것이 가능하고, 각 실시형태를 조합하여 실시함으로써, 적어도 각 실시 형태에 의한 작용 효과를 각각 향유하는 것이 가능하게 된다.
(제 4 실시형태)
도 13은 제 4 실시 형태에 따른 전자 기기(1 - 1)의 구성을 나타내는 개략도이다. 제 1, 제 2 및 제 3 실시 형태에 따른 전자 기기(1)의 구성과 기본적으로 같지만, 전원 공급 배선(E/NL)의 배치가 다르다. 제 1, 제 2 및 제 3 실시 형태에 따른 전자 기기(1)의 경우, 인접하는 2 열의 화소(100)마다 전원 공급 배선(E/NL)가 2 개씩 배치되었지만, 제 4 실시 형태에 따른 전자 기기(1 - 1)의 경우, 인접하는 2 열의 화소(100)마다 전원 공급 배선(E/NL)은 1 개씩 배치된다. 따라서, 본 실시예의 경우, 인접하는 2 열의 화소(100)는 같은 전원 공급 배선(E/NL)에 접속된다. 본 실시예에서는, 전원 공급 배선(E/NL)은 2 열의 화소(100)의 각 열의 사이에 배치되어 있지만, 인접하는 2 열의 화소(100)마다 1 개씩 배치되어 있으면, 인접하는 2 열의 화소(100)와의 관계로 배치가 한정되는 것은 아니다. 단, 인접하는 2 열의 화소(100)의 사이에 전원 공급 배선(E/NL)가 배치되는 경우, 각 화소(100)를 전원 공급 배선(E/NL)에 접속하기 위한 배선의 길이를 짧게 하는 것이 가능하게 되고, 쓸모 없는 기생 캐패시터를 감소할 수 있는 등의 작용이 있다.
도 14는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 디멀티플렉서(41-1)의 하나의 블록 내의 구성을 나타내는 회로도이다. 이 예에서는 디멀티플렉서(41-1)는 전원 공급 배선(E/NL)의 2 열마다 대응하는 복수의 블록들을 갖고, 제어부(80)의 제어에 따라서 공급되는 제어 신호(CLA1, CLA2, CLA3, CLA4)에 의해 동작한다. 도 16 또는 도 18에 나타내는 바와 같이, 디멀티플렉서(41-1)는 제어 신호(CLA1 및 CLA2)에 따라서 데이터 전압을 데이터선(DL)에 공급하고, 제어 신호(CLA3 및 CLA4)에 따라서 ELVDD 또는 Vinit를 전원 공급 배선으로 공급한다. 또한, 도 16 및 도 18에 있어서는, 제어 신호(CLA1 및 CLA2)는 1 수평 주사 기간의 1/4의 간격으로 공급되도록 구성되어 있다. 이러한 구성에 의해 제어부(80)와 디멀티플렉서(41-1) 사이에서 데이터 전압을 전달하는 배선 수를 적게 하는 것이 가능하게 된다. 한편, 본 발명의 일 실시예에서 데이터선(DL1 및 DL2)을 제어하는 제어 신호(CLA1 및 CLA2)는 1 수평 주사 기간의 1/2의 간격으로 공급되도록 구성하여도 상관없다.
도 15는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 각 화소(100)가 갖는 화소 회로(110)의 구성을 나타내는 회로도이다. 화소 회로(110)의 구성은 제 1, 제 2 및 제 3 실시 형태에 따른 화소 회로(110)의 구성과 같다.
화소 회로(110)는 전원 공급 배선(E/NL), 복수의 게이트선들(GL1, GL2, GL3), 발광 제어선(ECL), 데이터선(DL) 및 저전위측(ELVSS)에 접속된다. 화소 회로(110)를 구성하는 각 트랜지스터(111, 112, 113 및 115), 용량 소자(114) 및 전류 발광 소자(190)와 전원 공급 배선(E/NL), 게이트선(GL1, GL2 및 GL3), 발광 제어선(ECL), 데이터선(DL) 및 저전위측(ELVSS)과의 접속 관계는 제 1 내지 제 3 실시 형태에 따른 화소 회로(110)와 같다. 따라서, 제 4 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자와 그것이 관련하는 동작도 제 1 내지 제 3 실시 형태에 따른 화소 회로(110)를 구성하는 각 소자와 동일하다. 또한, 고전위측의 전압인 ELVDD, 저전위측의 전압인 ELVSS, 초기화의 전압인 Vinit, 게이트선(GL1)으로 공급되는 VSS 및 VMM, 데이터 전압(여기에서는 Data)의 관계도, 제 1 내지 제 3 실시형태와 동일하다.
(타이밍차트)
도 16은 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 관한 각 신호의 타이밍차트를 나타내는 도면이다. 도 17(a)~(e)는 각 기간에 있어서, 제 2N 행 및 전후의 행(2N - 1 행 및 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다. 여기서, 2N은 짝수인 것으로 한다. 따라서, 2N 행은 짝수 행이고, 2N + 1 또는 2N - 1은 홀수 행으로 된다. 또한, 전술한 바와 같이, 인접하는 2 열의 화소 회로(110)마다 1 개의 전원 공급 배선이 배치되기 때문에, 인접하는 2 열의 화소 회로(110)는 같은 전원 공급 배선에 접속된다. 또한, 도 16에 있어서, 각 신호의 명칭에 붙인 (2n), (2n - 1) 등은 각각 제 2N 행, 제 2N - 1 행 등으로 공급되는 신호를 나타내고 있다. 예를 들어, EM(2n)은 제 2n 행으로 공급되는 발광 제어 신호인 EM 신호를 나타내고 있다.
도 16에 나타내는 「1H」는 1 수평 주사 기간을 나타내고 있다. 제 4 실시 형태에 있어서는, 「1H」의 1/2의 기간의 단위로 Vinit 또는 ELVDD가 전원 공급 배선(E/NL)으로 교대로 공급된다. 도 17에 있어서 (a)~(e)는 도 16에 있어서 각 기간에 대응한다. 또한, 데이터 전압(Data)의 신호 이외의 각 신호는 H 레벨, L 레벨의 전압으로 되어 있다. 이 예에서는 트랜지스터는 p 형이기 때문에, L 레벨의 전압이 게이트 전극으로 공급되면, 온 상태로 되도록 구성되어 있다.
도 16에 있어서 (a)로부터 (e)의 기간에 대해서, 도 17(a) 내지 17(e)를 사용하여 제 2N 행의 화소 회로(110)의 동작을 중심으로 각각 설명한다. 도 17(a)에 대응하는 기간에 있어서는 전원 공급 배선(E/NL)에는 Vinit가 공급된다. 먼저, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3)에는 H 레벨의 제어 신호가 공급되고, 게이트선(GL2) 및 발광 제어선(ECL)에는L 레벨의 제어 신호 및 EM 신호가 공급됨으로써, 라이트 제어 트랜지스터(112)는 오프하고, 스위칭 트랜지스터(113) 및 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온한다. 그리고, 게이트선(GL1)이 VMM으로부터 VSS로 천이함으로써, 초기화가 행해진다. 또한, 제 2N - 1 행의 화소 회로(110)에 있어서는, 게이트선(GL3 및 GL2)으로 L 레벨의 제어 신호가 공급되어 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)가 온 함으로써, 용량 소자(114)에는 데이터 전압의 라이트가 행해진다.
도 17(b)에 대응하는 기간에 있어서는, 전원 공급 배선(E/NL)에는 ELVDD가 공급된다. 또한, 데이터선(DL1 및 DL2)의 각 배선에는, 계조에 따른 전압이 각각 공급되어, 각 데이터선에 데이터 전압이 프로그램된다. 이 때, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3) 및 발광 제어선(ECL)에는 H 레벨의 제어 신호 및 EM 신호가 공급되기 때문에, 전원 공급 제어 트랜지스터(111) 및 라이트 제어 트랜지스터(112)는 모두 오프되므로, 데이터 전압이 라이트되지도 않고, 발광하지도 않는다. 제 2N - 1 행의 화소 회로(110) 및 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 있어서는, 발광 제어선(ECL)으로 L 레벨의 EM 신호가 공급되고, 게이트선(GL2) 및 게이트선(GL3)으로 H 레벨의 제어 신호가 공급됨으로써, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온하고, 스위칭 트랜지스터(113) 및 라이트 제어 트랜지스터(112)는 오프함으로써, 전류 발광 소자로 전류가 공급된다.
도 17(c) 및 도 17(d)에 대응하는 기간은 1 수평 주사 기간의 1/2의 기간으로 구성되지만, 그 동안에 있어서는, 전원 공급 배선(E/NL)에는 Vinit가 공급된다. 먼저, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3 및 GL2)에는, L 레벨의 제어 신호가 공급되어 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)가 온하고, 발광 제어선(ECL)에는 H 레벨의 EM 신호가 공급되어 전원 공급 제어 트랜지스터(111)가 오프됨으로써, 도 17(b)에 대응하는 기간에 각 데이터선(DL1 및 DL 2)에 라이트된 데이터 전압이 용량 소자(114)로 공급된다. 도 17(d)에 대응하는 기간에 있어서, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3) 및 게이트선(GL2)으로 공급되는 제어 신호도 H 레벨의 제어 신호로 천이함으로써, 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)는 오프된다. 또한, 게이트선(GL1)의 전위는 VSS으로부터 VMM로 천이하기 때문에, 용량 소자(114)가 도 17(c)에 대응하는 기간에 보유한 전압이 승압된다. 제 2N - 1 행의 화소 회로(110)에 있어서는, 게이트선(GL3) 및 게이트선(GL2)으로 H 레벨의 제어 신호가 공급되어 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)는 오프되어 있다. 프레임마다 전류 발광 소자의 양극이 방전됨으로써 블랙 휘도(최저 계조)표시 시에 구동 트랜지스터의 누설전류에 의한 오류 발광이 방지될 수 있다.
도 17(c) 및 도 17(d)에 대응하는 기간을 통해서, 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 대해서는, 발광 제어선(ECL) 및 게이트선(GL2)으로 L 레벨의 EM 신호 및 제어 신호가 공급되기 때문에, 전원 공급 제어 트랜지스터(111) 및 스위칭 트랜지스터(113)는 온함으로써, Vinit가 용량 소자(114)로 공급되고, 게이트선(GL1)의 전위가 VMM으로부터 VSS로 천이함으로써, 용량 소자(114)의 전압이 초기화된다.
도 17(e)에 대응하는 기간에 있어서는 전원 공급 배선(E/NL)에는 ELVDD가 공급된다. 또한, 데이터선(DL1 및 DL2)으로 각각 계조에 따른 전압이 공급되어, 각 데이터선으로 데이터 전압이 프로그램된다. 이 때, 제 2N - 1 행의 화소 회로(110) 및 제 2N 행의 화소 회로(110)에는 각각 발광 제어선(ECL)으로 L 레벨의 EM 신호가 공급되고, 게이트선(GL2) 및 게이트선(GL3)으로 H 레벨의 제어 신호가 공급됨으로써, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온하고, 스위칭 트랜지스터(113) 및 라이트 제어 트랜지스터(112)는 오프됨으로써, 전류 발광 소자로, 용량 소자(114)가 유지하는 전압에 따른 전류가 공급된다. 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3) 및 발광 제어선(ECL)에는 H 레벨의 제어 신호 및 EM 신호가 공급되기 때문에, 전원 공급 제어 트랜지스터(111) 및 라이트 제어 트랜지스터(112)는 모두 오프되므로, 데이터 전압이 라이트되지 않거나, 발광하지도 않는다.
이상과 같이, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 동작을 중심으로 본 발명에 따른 전기 광학 장치의 일련의 동작을 설명하였다. 이상의 일련의 동작의 후에는 다음 데이터 전압이 라이트되기까지, 도 17의 (e) 및 그 이후의 소등상태가 반복된다. 이와 같이, 일련의 동작을 제어함으로써, 초기화를 1 수평 기간 이전에 행하는 것이 가능하게 되고, 충분한 발광 듀티비를 확보하면서, 라이트 기간을 확보하는 것이 가능하게 된다.
(제 5 실시형태)
도 18 및 도 19에 기초하여, 본 발명의 제 5 실시형태를 설명한다. 제 5 실시형태는 제 4 실시형태와 기본적으로 같지만, 각 신호의 타이밍차트가 다르다. 도 18은 제 5 실시 형태에 따른 제 2N - 1 행 내지 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 관한 각 신호의 타이밍차트를 나타내는 도면이다. 도 19(a)~(e)는 각 기간에 있어서, 제 2N 행 및 전후의 행(제 2N - 1 행 및 제 2N + 1 행)의 화소 회로(110)의 상태를 설명하는 도면이다. 여기서도, 2N은 짝수인 것으로 한다. 따라서, 2N 행은 짝수 행이고, 2N + 1 또는 2N - 1은 홀수 행으로 된다. 또한, 전술한 바와 같이, 2 열의 화소 회로(110)마다 1 개의 전원 공급 배선이 배치되기 때문에, 2 열의 화소 회로(110)는 같은 전원 공급 배선에 접속된다. 또한, 도 18에 있어서, 각 신호의 명칭에 붙인(2n), (2n - 1) 등은 각각 제 2N 행, 제 2N - 1 행 등에 공급되는 신호를 나타내고 있다. 예를 들어, EM(2n)은 제 2n 행으로 공급되는 발광 제어 신호인 EM 신호를 나타내고 있다.
도 18에 나타내는 「1H」는 도 16과 마찬가지로, 1 수평 주사 기간을 나타내고 있다. 제 5 실시 형태에 있어서도, 「1H」의 1/2의 기간의 단위로 Vinit 또는 ELVDD가 전원 공급 배선(E/NL)으로 교대로 공급된다. 도 19에 있어서 (a)~(e)는 도 18에 있어서 각 기간에 대응한다. 또한, 데이터 전압(Data)의 신호 이외의 각 신호는 H 레벨, L 레벨의 전압으로 되어 있다. 이 예에서는 트랜지스터는 p 형이기 때문에, L 레벨의 전압이 게이트 전극으로 인가되면, 온 상태로 되도록 구성되어 있다.
도 18에 있어서 (a)으로부터 (e)의 기간에 대해서, 도 19를 사용하여 제 2N 행의 화소 회로(110)의 동작을 중심으로 각각 설명한다. 도 19(a)에 대응하는 기간에 있어서는, 전원 공급 배선(E/NL)에는 Vinit가 공급된다. 또한, 데이터선(DL1 및 DL2)에는 계조에 따른 데이터 전압이 각각 프로그램된다. 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3)에는 H 레벨의 제어 신호가 공급되고, 게이트선(GL2) 및 발광 제어선(ECL)에는 L 레벨의 제어 신호 및 EM 신호가 공급됨으로써, 라이트 제어 트랜지스터(112)는 오프하고, 스위칭 트랜지스터(113) 및 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온함으로써, Vinit가 용량 소자(114)로 공급된다. 그리고, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL1)가 VMM으로부터 VSS로 천이함으로써, 초기화가 행해진다. 또한, 제 2N - 1 행의 화소 회로(110) 및 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 있어서는, 게이트선(GL3)으로 H 레벨의 제어 신호가 공급되고, 라이트 제어 트랜지스터(112)는 오프하고, 제 2N 행의 라이트 제어 트랜지스터(112)도 전술한 바와 같이 오프하고 있기 때문에, 데이터선(DL1 및 DL2)으로 계조에 따른 데이터 전압이 각각 라이트되어 있는 동안, 각 행의 화소 회로(110)로 데이터 전압의 라이트가 행해지지 않는다.
도 19(b) 및 도 19(c)에 대응하는 기간에 있어서는, 전원 공급 배선(E/NL)에는 ELVDD가 공급된다. 먼저, 도 19(b)에 대응하는 기간에 있어서, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3) 및 게이트선(GL2)에는 L 레벨의 제어 신호가 공급되기 때문에, 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)는 온한다. 또한, 발광 제어선(ECL)에는 H 레벨의 EM 신호가 공급되기 때문에, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 오프한다. 이 때, 구동 트랜지스터(115)의 게이트 전압은 도 19(a)에 대응하는 기간에 초기화되어 각 데이터선(DL1 및 DL2)에 프로그램된 데이터 전압보다도 낮은 전압이기 때문에, 도 19(a)에 대응하는 기간에 각 데이터선(DL1 및 DL2)에 라이트된 데이터 전압이 구동 트랜지스터(115)의 제 2 단자로 공급되면, 구동 트랜지스터(115)의 게이트는 온하고, 데이터선(DL1 및 DL2)에 각각 라이트된 데이터 전압은 용량 소자(114)로 공급된다.
도 19(d)에 대응하는 기간에 있어서는 전원 공급 배선(E/NL)에는 Vinit가 공급된다. 또한, 데이터선(DL1 및 DL2)에는 계조에 따른 데이터 전압이 각각 프로그램된다. 제 2N 행의 화소 회로(110) 및 제 2N - 1 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL3) 및 게이트선(GL2)에는 H 레벨의 제어 신호가 공급되기 때문에, 라이트 제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)의 게이트는 각각 오프한다. 또한, 제 2N + 1 행의화소 회로(110)의 게이트선(GL3)에도 H 레벨의 제어 신호가 공급되기 때문에, 라이트 제어 트랜지스터(112)의 게이트는 오프한다. 따라서, 계조에 따른 데이터 전압의 라이트가 데이터선(DL1 및 DL2)에 각각 행해지고 있는 동안, 제 2N - 1 행, 제 2N 행 및 제 2N + 1 행의 각 화소 회로(110)로 데이터 전압이 라이트되지 않는다. 또한, 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)의 게이트선(GL2) 및 발광 제어선(ECL)에는 L 레벨의 제어 신호 및 EM 신호가 공급되기 때문에, 스위칭 트랜지스터(113) 및 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온하여 Vinit가 용량 소자(114)로 공급되고, 게이트선(GL1)의 전위가 VMM으로부터 VSS로 천이함으로써, 용량 소자(114)가 유지하는 전압이 초기화된다.
도 19(e)에 대응하는 기간에 있어서는, 전원 공급 배선(E/NL)에는 ELVDD가 공급된다. 이 때, 제 2N - 1 행의 화소 회로(110) 및 제 2N 행의 화소 회로(110)에는 각각 발광 제어선(ECL)으로 L 레벨의 EM 신호가 공급되고, 게이트선(GL2) 및 게이트선(GL3)으로 H 레벨의 제어 신호가 공급됨으로써, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 온하고, 스위칭 트랜지스터(113) 및 라이트 제어 트랜지스터(112)는 오프됨으로써, 구동 트랜지스터(115)의 제 1 단자에 ELVDD가 공급되어 구동 트랜지스터(115)가 온함으로써, 용량 소자(114)가 유지하는 전압에 따른 전류가 전류 발광 소자로 공급된다. 제 2N + 1 행의 화소 회로(110)에 대해서 설명하면, 발광 제어선(ECL)에는 H 레벨의 EM 신호가 공급되기 때문에, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 오프한다. 또한, 게이트선(GL3) 및 게이트선(GL2)으로 L 레벨의 제어 신호가 공급되기 때문에, 라이트제어 트랜지스터(112) 및 스위칭 트랜지스터(113)는 온한다. 이 때, 용량 소자(114)가 유지하는 전압은 도 19(d)에 대응하는 기간에 있어서 초기화에 의해, 각 데이터선(DL1 및 DL2)에 라이트된 데이터 전압보다도 낮은 전압이기 때문에, 도 19(d)에 대응하는 기간에 각 데이터선(DL1 및 DL2)에 라이트된 데이터 전압이 구동 트랜지스터(115)의 제 2 단자로 공급되면, 구동 트랜지스터(115)는 온하고, 데이터선(DL1 및 DL2)에 각각 라이트된 데이터 전압은 용량 소자(114)로 공급된다. 또한, 전술한 바와 같이, 전원 공급 제어 트랜지스터(111)는 오프 상태이기 때문에, 발광하지 않는다.
이상과 같이, 제 2N 행의 화소 회로(110)의 동작을 중심으로 본 발명의 제 5 실시 형태에 따른 전기 광학 장치의 일련의 동작을 설명하였다. 이상의 일련의 동작의 후에는 다음 데이터 전압의 라이트되기까지, 도 19의 (d) 및 (e)의 상태가 반복된다. 이와 같이, 일련의 동작을 제어함으로써, 초기화를 데이터선(DL)에 데이터 전압을 프로그램하고 있는 동안에 행하는 것이 가능하게 되고, 충분한 발광 듀티비를 확보하면서, 라이트 기간을 확보하는 것이 가능하게 된다.
(제 6 실시형태)
도 20은 본 발명에 따른 전기 광학 장치의 제 6 실시 형태에 따른 전기 광학 장치(10 - 1)의 전체 구성도이다. 전원 공급 배선(E/NL)끼리는 횡 방향으로 연장되는 배선(LL)에서 서로 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 전원 공급 배선이 그물망 형상으로 이루어지고, 제 3 실시 형태에 따른 전기 광학 장치와 마찬가지로, 전원 공급 배선에 접속되는 각 화소 회로(110)의 전류 발광 소자로 흐르는 전류의 량에 따라서 전원 공급 배선의 전압 강하로 불균일이 발생하기 때문에, 발생하는 크로스토크를 눈에 띄지 않게 하는 것이 가능하게 된다.
또한, 제 4 실시 형태에 따른 전기 광학 장치 내지 제 6 실시 형태에 따른 전기 광학 장치를 조합하여 실시하는 것이 가능하고, 각 실시형태를 조합하여 실시함으로써, 적어도 각 실시 형태에 의한 작용 효과를 각각 향유하는 것이 가능하게 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 따른 전기 광학 장치에 관하여 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시 형태에만 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러 가지 변경을 가할 수 있는 것은 물론이다.
1: 전자 기기 10: 전기 광학 장치
10-1: 전기 광학 장치 20: 게이트 드라이버
30: 발광 제어용 드라이버 40: 데이터선 제어 회로
41: 디멀티플렉서 80: 제어부
90: 전원 100: 화소
110: 화소 회로 111~113: 트랜지스터
114: 용량 소자 190: 전류 발광 소자

Claims (14)

  1. 매트릭스 형상으로 배치되는 복수의 화소 회로들;
    y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2개의 열들 사이에 2 개씩 배치되어 제 1 전압과 제 2 전압이 교대로 인가되는 1 세트의 전원 공급 배선;
    상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압들을 전달하는 데이터선들; 및
    상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하는 전기 광학 장치에 있어서,
    상기 복수의 화소 회로들의 각각은,
    전류 량에 따른 휘도로 발광하는 전류 발광 소자;
    상기 데이터선들 중 대응하는 데이터선에 접속되어 데이터 전압의 라이트를 제어하는 라이트 제어 트랜지스터;
    상기 전류 발광 소자로 공급되는 전류 량을 제어하는 구동 트랜지스터;
    상기 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 하나에 접속되고, 상기 제 1 전압 또는 상기 제 2 전압의 공급을 제어하는 전원 공급 제어 트랜지스터;
    상기 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 전원 공급 제어 트랜지스터의 소스 또는 드레인 사이에 접속되고, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 스위칭 트랜지스터; 및
    한 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트에 접속되고 다른 쪽의 단자가 상기 복수의 게이트선들 중 하나에 접속되어 계조에 따른 전압을 유지하는 용량 소자를 포함하고,
    상기 1 세트의 전원 공급 배선은, 제 1 전원 공급 배선과 제 2 전원 공급 배선으로 이루어지고, 상기 제 1 전원 공급 배선 및 상기 제 2 전원 공급 배선은, 상기 인접하는 2개의 열들의 화소 회로들의 짝수 행들 또는 홀수 행들 중의 어느 하나에 각각 접속되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 용량 소자는, 제 3 전압과 상기 제 3 전압보다도 높은 전압인 제 4 전압 중의 어느 하나를 전달하는 제 1 게이트선에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 1 세트의 전원 공급 배선의 구동을 제어하는 전원 공급 배선 제어 회로를 더 포함하고, 상기 전원 공급 배선 제어 회로는 상기 x 방향을 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 라이트 제어 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 상기 전원 공급 제어 트랜지스터, 및 상기 스위칭 트랜지스터 각각은 제 1 도전성 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 도전성 트랜지스터는 p 형의 도전성 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 전압들 중 어느 하나는 상기 전류 발광 소자의 발광 문턱 값 전압보다도 낮은 전압인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 1 세트의 전원 공급 배선은 복수로 제공되고,
    상기 복수로 제공된 제1 세트의 전원 공급 배선들 중에서 제 1 기간에 상기 제 1 전압이 공급되는 제1 세트의 전원 공급 배선들은 상기 x 방향으로 연장되는 제1 배선에 의해 서로 접속되고,
    상기 복수로 제공된 제1 세트의 전원 공급 배선들 중에서 상기 제 1 기간에 상기 제 2 전압이 공급되는 제1 세트의 전원 공급 배선들은 상기 x 방향으로 연장되는 제2 배선에 의해 서로 접속되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 매트릭스 형상으로 배치되는 복수의 화소 회로들;
    y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2개의 열들 사이에 2 개씩 배치된 1 세트의 전원 공급 배선;
    상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압들을 전달하는 데이터선들; 및
    상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하고,
    상기 복수의 화소 회로들의 각각은,
    전류 량에 따른 휘도로 발광하는 전류 발광 소자;
    상기 데이터선들 중 대응하는 데이터선에 접속되어 데이터 전압의 라이트를 제어하는 라이트 제어 트랜지스터;
    상기 전류 발광 소자로 공급되는 전류 량을 제어하는 구동 트랜지스터;
    상기 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 하나에 접속되어 전압의 공급을 제어하는 전원 공급 제어 트랜지스터;
    상기 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 전원 공급 제어 트랜지스터의 소스 또는 드레인 사이에 접속되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 스위칭 트랜지스터; 및
    한 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 및 상기 스위칭 트랜지스터의 소스 또는 드레인에 접속되고 다른 쪽의 단자가 상기 복수의 게이트선들 중 하나에 접속되어 계조에 따른 전압을 유지하는 용량 소자를 포함하고,
    상기 1 세트의 전원 공급 배선은, 제 1 전원 공급 배선과 제 2 전원 공급 배선으로 이루어지고, 상기 제 1 전원 공급 배선 및 상기 제 2 전원 공급 배선은, 상기 인접하는 2개의 열들의 화소 회로들의 짝수 행들 또는 홀수 행들 중의 어느 하나에 각각 접속되는 전기 광학 장치를 구동하는 구동 방법에 있어서,
    상기 1 세트의 전원 공급 배선 중의 어느 한 쪽의 전원 공급 배선으로 제 1 전압을 공급하고, 다른 쪽의 전원 공급 배선으로 상기 제 1 전압과는 다른 제 2 전압을 공급하고,
    상기 제 1 전압이 공급되는 적어도 하나의 화소 회로에 있어서는, 상기 구동 트랜지스터를 통해 상기 전류 발광 소자에 전류를 공급하고,
    상기 제 2 전압이 공급되는 적어도 하나의 화소 회로에 있어서는, 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 상기 용량 소자에 상기 제2 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 라이트 제어 트랜지스터를 통해 상기 제 1 전압이 공급되는 적어도 하나의 화소 회로에 데이터 전압을 라이트하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 용량 소자가 접속되어 있는 게이트선으로 제 3 전압과 상기 제 3 전압보다도 높은 전압인 제 4 전압 중의 어느 하나를 공급하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 데이터선들에는, 상기 전류 발광 소자의 발광 문턱 값 전압보다도 낮은 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 매트릭스 형상으로 배치되는 상기 복수의 화소 회로들의 제 2N 행의 화소 회로들의 스위칭 트랜지스터들의 게이트 전압들을 제어하는 제어 신호와 제 2N-1 행의 화소 회로들의 라이트 제어 트랜지스터들의 게이트 전압들을 제어하는 제어 신호를 공용하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
  13. 전류 량에 따른 휘도로 발광하는 전류 발광 소자, 입력 데이터의 라이트를 제어하는 라이트 제어 트랜지스터, 상기 전류 발광 소자로 공급되는 전류 량을 제어하는 구동 트랜지스터, 전원 전압의 공급을 제어하는 전원 공급 제어 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 전원 공급 제어 트랜지스터의 소스 또는 드레인 사이에 접속되는 스위칭 트랜지스터, 및 한 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트에 접속되는 용량 소자를 각각이 포함하는 복수의 화소 회로들, y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2개 열들의 사이에 배치되어 상기 2개 열들의 화소 회로들이 각각 접속되는 전원 공급 배선, 상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압을 전달하는 데이터선, 및 상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하는 구동 회로의 구동 방법에 있어서,
    상기 전원 공급 배선으로 제 1 전압이 공급되는 제 1 기간 동안에 제 2N 행의 화소 회로의 라이트 제어 트랜지스터를 오프함으로써, 상기 용량 소자가 유지하는 전위를 초기화하고,
    상기 제 1 기간 경과 후의 상기 전원 공급 배선으로 제 2 전압이 공급되는 제 2 기간 동안에 상기 제 2N 행의 상기 화소 회로의 라이트 제어 트랜지스터를 오프하여 상기 데이터선으로 소정의 데이터 전압의 공급하고,
    상기 제 2 기간 경과 후의 상기 전원 공급 배선으로 상기 제 1 전압이 공급되는 제 3 기간동안에 상기 제 2N 행의 상기 화소 회로로 상기 라이트 제어 트랜지스터를 통해 상기 소정의 데이터 전압을 라이트하고, 상기 라이트된 전압의 승압하고,
    상기 제 3 기간 경과 후의 상기 전원 공급 배선으로 상기 제 2 전압이 공급되는 제 4 기간동안에 상기 제 2N 행의 상기 화소 회로의 상기 전류 발광 소자에 상기 구동 트랜지스터를 통해 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
  14. 전류 량에 따른 휘도로 발광하는 전류 발광 소자, 입력 데이터의 라이트를 제어하는 라이트 제어 트랜지스터, 상기 전류 발광 소자로 공급되는 전류 량을 제어하는 구동 트랜지스터, 전원 전압의 공급을 제어하는 전원 공급 제어 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 전원 공급 제어 트랜지스터의 소스 또는 드레인 사이에 접속되는 스위칭 트랜지스터, 및 한 쪽의 단자가 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트에 접속되는 용량 소자를 각각이 포함하는 복수의 화소 회로들, y 방향으로 연장되고, 상기 복수의 화소 회로들의 인접하는 2개 열들의 사이에 배치되어 상기 2개 열들의 화소 회로들이 각각 접속되는 전원 공급 배선, 상기 y 방향으로 연장되어 데이터 전압을 전달하는 데이터선, 및 상기 y 방향과 교차하는 x 방향으로 연장되어 제어 신호들을 전달하는 복수의 게이트선들을 구비하는 구동 회로의 구동 방법에 있어서,
    상기 전원 공급 배선으로 제 1 전압이 공급되는 제 1 기간 동안에, 모든 행의 화소 회로들의 라이트 제어 트랜지스터들을 오프하여, 상기 데이터선으로 계조에 따른 데이터 전압을 공급함으로써, 상기 데이터선을 상기 계조에 따른 상기 데이터 전압으로 프로그램하고, 제 2N 행의 화소 회로에 대해서는 상기 전원 공급 제어 트랜지스터 및 상기 스위칭 트랜지스터를 온함으로써, 상기 제 2N 행의 상기 화소 회로의 상기 용량 소자가 유지하는 전위의 초기화하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 방법.
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