KR20150001762A - 집전체, 전극 구조체, 비수전해질 전지 및 축전 부품 - Google Patents
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Abstract
뛰어난 셧 다운 기능을 부여할 수 있는 집전체, 전극 구조체, 비수전해질 전지, 및 축전 부품을 제공한다. 본 발명에 의하면, 도전성 기재의 적어도 한면에 수지층을 가지는 집전체에 있어서, 상기 수지층은, 불소계 수지와 도전성 입자를 포함하고, 또한 두께가 0.3~20㎛이고,
(1) 상기 도전성 입자의 평균 입경이 0.5~25㎛이고, 또한 상기 수지층의 표면에 있어서의 상기 도전성 입자의 면적 점유율이 10~50%이고,
(2) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.0~10Ω이고, 또한 220℃ 가열후에 있어서의 저항이 200~600Ω이고,
(3) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.8~9.7Ω이고, 또한 180℃ 가열후에 있어서의 저항이 209~532Ω이고,
상기의 (1)~(3)중의 적어도 하나의 특징을 가지는 집전체.
(1) 상기 도전성 입자의 평균 입경이 0.5~25㎛이고, 또한 상기 수지층의 표면에 있어서의 상기 도전성 입자의 면적 점유율이 10~50%이고,
(2) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.0~10Ω이고, 또한 220℃ 가열후에 있어서의 저항이 200~600Ω이고,
(3) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.8~9.7Ω이고, 또한 180℃ 가열후에 있어서의 저항이 209~532Ω이고,
상기의 (1)~(3)중의 적어도 하나의 특징을 가지는 집전체.
Description
본 발명은, 안전성이 뛰어난 집전체, 전극 구조체, 비수전해질 전지, 및 축전 부품(전기 이중층 커패시터, 리튬이온 커패시터 등)에 관한 것이다.
차량용 등에 이용되는 리튬 이온 전지에는, 고장 등 뜻하지 않은 사고가 발생될 때, 자발적이고 안전하게 충방전을 정지시키는 소위 셧 다운 기능의 부여가 요구되고, 전지내부에서는 세퍼레이터에 그 기능이 부여되어 있다. 세퍼레이터는 이상(異常) 발열시에 110~140℃정도에서 용융되어 미세공이 폐쇄되고, Li이온 등의 출입을 차단시킴으로써 전지반응을 정지(셧 다운)시키게끔 설계되어 있다. 그러나, 세퍼레이터에 의한 셧 다운이 불완전하여 전지내부의 온도가 더 상승될 경우나, 전지 외부 온도의 상승 영향을 받을 경우 등에 의해, 세퍼레이터가 융해되어 내부단락이 발생될 경우도 있다. 이러한 경우, 세퍼레이터의 셧 다운 기능은 더 이상 기대할 수 없고, 전지는 열폭주(熱暴走)라고 불리우는 지극히 위험한 상태에 처해 있다.
이러한 상태에 대응하기 위하여, 집전체에 정온도(正溫度) 계수 저항체를 형성하는 기술이 제안되고 있다. 집전체에 정온도 계수 저항체를 형성하는 기술로서, 예를 들면, 특허문헌 1에는, 집전체의 표면을, 온도상승과 함께 저항치가 증가되는 정온도 계수 저항체의 기능을 가지는 결정성 열가소성 수지, 도전제 및 결착제를 포함하는 도전층에서 피복되는 기술이 공개되고 있다. 이 기술에 의하면, 전지를 과충전하였을 때의 발열에 의해 전지 내부 온도가 결정성 열가소성 수지의 융점에 도달하면, 도전층의 저항이 급상승하고, 집전체를 통한 전기의 흐름을 차단하는 것으로써, 셧 다운 기능이 발휘된다.
특허문헌 1에 기재된 기술은, 어느 정도의 셧 다운 기능을 발휘하지만, 실용화로서는 불충분하여, 셧 다운 기능을 더 높이는 것이 요망되고 있다. 또한, 셧 다운 기능을 향상시키려고 수지층 중의 도전재료량을 줄이면 정상적인 상태에서의 수지층의 저항이 높아지고, 하이브리드카에 요구되는 하이 레이트에 있어서의 방전 용량 유지율 ((5mA/cm2의 방전 용량)/(0.25mA/cm2의 방전 용량)), 소위 하이 레이트 특성이 저하되어 버린다. 즉, 셧 다운 기능과 하이 레이트 특성의 양립을 진행할 수 없었다.
본 발명은, 이러한 사정에 비추어 행해진 것이고, 안전성이 뛰어난 셧 다운 기능과 뛰어난 하이 레이트 특성을 겸비하는 집전체, 전극 구조체, 비수전해질 전지, 및 축전 부품을 제공하는 것이다.
이하와 같은 집전체를 이용하는 것으로써, 안전성이 뛰어난 셧 다운 기능과 뛰어난 하이 레이트 특성을 겸비하는 실용화에 충분한 비수전해질 전지나 축전 부품을 얻을 수 있다.
즉, 본 발명에 의하면, 도전성 입자를 포함하고, 또한 두께가 0.3~20㎛이고, 이하의 (1)~(3)중의 적어도 1개의 특징을 가지는, 집전체가 제공된다.
(1) 상기 도전성 입자의 평균 입경이 0.5~25㎛이고, 또한 상기 수지층의 표면에 있어서의 상기 도전성 입자의 면적 점유율이 10~50%이다.
(2) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.0~10Ω인 동시에 220℃ 가열후에 있어서의 저항이 200~600Ω이다.
(3) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.8~9.7Ω인 동시에 180℃ 가열후에 있어서의 저항이 209~532Ω이다.
본 발명자들은, 높은 안전성을 가지는 비수전해질 전지 등을 얻기 위하여, 비수전해질 전지 등에 이용될 수 있는 집전체에 대하여 셧 다운 기능과 우수한 하이 레이트 특성을 양립시키기 위해 다양한 검토를 행하였을 때에, 수지층의 수지를 불소계 수지와 도전성 입자의 구성으로 하고, 이 수지층의 저항치를 적정화하는 것이 셧 다운 기능과 우수한 하이 레이트 특성을 겸비하기 위한 필수적인 것임을 찾아냈다. 즉, 수지의 종류, 도전성 입자의 배합, 수지층 저항치가 적절하게 제어되는 것에 의해 처음으로, 셧 다운 기능과 우수한 하이 레이트 특성을 겸비할 수 있는 집전체를 얻을 수 있다는 것을 찾아냈다.
한편, 상기 (1)~(3)의 어느 하나의 특징을 가지는 집전체를 독립 형식으로 표현하면, 아래와 같다.
(1) 도전성 기재(基材)의 적어도 한면에 수지층을 가지는 집전체에 있어서, 상기 수지층은, 불소계 수지와, 평균 입경이 0.5~25㎛인 도전성 입자를 포함하고, 두께가 0.3~20㎛이고, 상기 수지층의 표면에 있어서의 상기 도전성 입자의 면적 점유율이 10~50%인 것을 특징으로 하는 집전체.
(2) 도전성 기재의 적어도 한면에 수지층을 가지는 집전체에 있어서, 상기 수지층은, 불소계 수지와, 도전성 입자를 포함하고, 두께가 0.3~20㎛이고, 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.0~10Ω인 동시에 220℃ 가열후에 있어서의 저항이 200~600Ω인 것을 특징으로 하는 집전체.
(3) 도전성 기재의 적어도 한면에 수지층을 가지는 집전체에 있어서, 상기 수지층은, 불소계 수지와, 도전성 입자를 포함하고, 두께가 0.3~20㎛이고, 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.8~9.7Ω인 동시에 180℃ 가열후에 있어서의 저항이 209~532Ω인 것을 특징으로 하는 집전체.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태의 집전체의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태의 집전체를 이용하여 형성된 전극 구조체의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태의 수지층 중의 도전성 입자의 모양을 나타내는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태의 집전체의 셧 다운 기능의 메커니즘을 나타내는 설명도이다(셧 다운 기능을 발휘하기 전의 상태).
도 5는 본 발명의 일 실시 형태의 집전체의 셧 다운 기능의 메커니즘을 나타내는 설명도이다(셧 다운 기능을 발휘했을 때의 상태).
도 2는 본 발명의 일 실시 형태의 집전체를 이용하여 형성된 전극 구조체의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태의 수지층 중의 도전성 입자의 모양을 나타내는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태의 집전체의 셧 다운 기능의 메커니즘을 나타내는 설명도이다(셧 다운 기능을 발휘하기 전의 상태).
도 5는 본 발명의 일 실시 형태의 집전체의 셧 다운 기능의 메커니즘을 나타내는 설명도이다(셧 다운 기능을 발휘했을 때의 상태).
이하, 도 1 ~ 도 5를 이용하여, 본 발명의 일 실시 형태의 집전체에 대하여 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 집전체(1)는, 도전성 기재(3)의 적어도 한면에 도전성을 가지는 수지층 (집전체용 수지층)(5)을 가지는 집전체(1)이고, 수지층(5)은, 불소계 수지와 도전성 입자를 포함하고, 또한 두께가 0.3~20㎛이다. 그리고, 이 집전체(1)는, 이하의 (1)~(3)중의 적어도 하나의 특징을 가진다. 즉, (1)~(3)중의 어느 하나의 특징만을 가져도 좋고, 어느 2개의 특징을 가져도 좋고, 3개의 모든 특징을 가져도 좋다.
(1) 상기 도전성 입자의 평균 입경이 0.5~25㎛이고, 또한 상기 수지층의 표면에 있어서의 상기 도전성 입자의 면적 점유율이 10~50%이다.
(2) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.0~10Ω이고 또한 220℃ 가열후에 있어서의 저항이 200~600Ω이다.
(3) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.8~9.7Ω이고 또한 180℃ 가열후에 있어서의 저항이 209~532Ω이다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 집전체(1)의 수지층(5)위에는, 활물질층 또는 전극 재료층(9)이 형성됨으로써, 리튬 이온 전지 등의 비수전해질 전지용, 전기 이중층 커패시터용, 또는 리튬이온 커패시터용으로서 호적한 전극 구조체(7)를 형성할 수 있다.
이하, 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.
(1) 도전성 기재
본 발명의 도전성 기재로서는, 비수전해질 전지용, 전기 이중층 커패시터용, 또는 리튬이온 커패시터용의 각종 금속호일을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 정극용, 부극용의 각종 금속호일을 사용할 수 있고, 예를 들면, 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 스텐레스, 니켈 등을 사용할 수 있다. 그중에서도 도전성의 높이와 코스트의 밸런스로부터 보면 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리가 바람직하고, 게다가 바람직하게는 알루미늄 합금이다. 도전성 기재의 두께로서는, 특히 제한되는 것이 아니지만, 5㎛이상, 50㎛이하인 것이 바람직하다. 두께가 5㎛보다 얇으면 호일의 강도가 부족되어 수지층 등의 형성이 곤란해질 경우가 있다. 한편, 50㎛를 초과하면 기타의 구성 요소, 특히 활물질층 혹은 전극 재료층을 얇게 할 필요가 있고, 특히 비수전해질 전지나, 전기 이중층 커패시터 또는 리튬이온 커패시터 등의 축전 부품으로 하였을 경우, 전지내에서 활물질층의 용량을 적게 할 필요가 있기 때문에 필요하고 충분한 용량을 얻을 수 없게 될 경우가 있다.
(2) 수지층
본 발명에서는 도전성 기재위에, 도전성 입자를 첨가한 수지층을 형성한다. 본 발명의 수지층은 집전체를 정극용으로서 사용할 경우, 특히 활물질층과는 달리 구성되는 것이 바람직하고, 도전성 기재와 활물질층의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 집전체는 비수전해질 전지, 축전 부품 등에 사용되는 것으로써 안정성이 매우 높은 셧 다운 기능과 뛰어난 하이 레이트 특성을 부여할 수 있고, 안전성이 뛰어난 집전체로서 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명의 수지층의 수지는, 불소계 수지여야 한다. 여기에서, 불소계 수지란, 수지의 주성분으로서 불소 수지를 반드시 포함하는 수지를 말하고, 수지 성분 모두가 불소 수지일 경우도 포함하는 것으로 한다.
<불소계 수지>
본 발명에 있어서, 상술한 바와 같이 불소계 수지는, 수지 성분으로서 불소 수지를 포함하는 수지이고, 불소 수지만으로 형성되는 것이여도 좋고, 불소 수지와 다른 수지를 함유하는 것이여도 좋다. 불소 수지는, 불소를 포함하는 수지이고, 폴리 불화 비닐리덴(PVDF), 폴리 테트라플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오르 프로필렌 공중합체(FEP), 폴리클로로트리불화에텔렌(PCTFE), 테트라플루오로에틸렌-에틸렌 공중합체(ETFE), 클로로트리불화에텔렌-에틸렌 공중합체(ECTFE), 폴리 불화 비닐(PVF) 등의 불소 수지 및 그 유도체, PCTFE, 테트라플루오로에틸렌 등의 플루오로 오레핀에 사이클로 헥실 비닐 에테르나 카르복시산 비닐 에스테르를 공중합한 불소 공중합체 등이 예시된다. 또한, 이들은 1종 단독 혹은 2종이상을 조합시켜 이용할 수 있지만, 특히 본 발명에 있어서는, 폴리 불화 비닐리덴계 수지를 호적하게 이용할 수 있고, 구체적으로는, 폴리 불화 비닐리덴(PVDF), 아크릴산 변성 폴리 불화 비닐리덴(M-PVDF)이 비수전해질 전지 및 축전 부품에 대하여 안전성이 지극히 높은 셧 다운 기능과 뛰어난 하이 레이트 특성을 가지는 양쪽을 확실하게 부여할 수 있는 점에서 바람직하다.
본 발명의 불소계 수지는, 수지 성분 전체를 100질량%로 했을 경우, 불소 수지를 100질량% 사용할 수 있지만, 다른 수지 성분과 병용하여 사용할 수도 있고, 병용할 경우에는 적어도 불소 수지를 전체 수지 성분에 대하여 통상적으로 40질량%이상, 바람직하게는 50질량%이상 포함하는 것이 바람직하다. 불소 수지의 배합량이 너무 적으면 후술하는 도전성 입자의 제어가 잘 되지 않고, 셧 다운 기능으로 뛰어난 하이 레이트 특성을 확실하게 겸비하는 것이 곤란해지기 때문이다. 불소 수지의 비율은, 구체적으로는 예를 들면, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100질량%이고, 여기에서 예시된 어느 2개의 수치의 범위내여도 좋다.
불소계 수지의 중량평균 분자량은, 예를 들면 3만~100만이고, 구체적으로는 예를 들면 3만, 4만, 5만, 6만, 7만, 8만, 9만, 10만, 15만, 20만, 30만, 40만, 50만, 60만, 70만, 80만, 90만, 100만이고, 여기에서 예시된 수치의 어느 2개 사이의 범위내여도 좋다. 중량평균 분자량은, GPC(겔 침투 크로마토그래프(chromatograph))에 의해 측정한 것을 의미한다.
불소계 수지는, 카르복실기 또는 카르복시산 에스테르기 (이하, "에스테르기"라 칭함)를 가지는 것이 바람직하다. 이로 인해, 기재와 수지층의 밀착성을 향상시킬 수 있기 때문이다. 또한, 불소계 수지가 에스테르기를 가질 경우, 불소계 수지와 도전성 입자(예: 탄소입자)의 밀착성이 향상된다.
불소계 수지가 카르복실기(-COOH) 또는 에스테르기(-COOR, R는, 예를 들면 탄소수 1~5의 탄화수소)를 가지는 형태는 특히 한정되지 않고, 예를 들면, 불소 수지가 카르복실기 또는 에스테르기를 가지는 단량체와 불소를 포함하는 단량체의 공중합체여도 좋고, 불소계 수지가, 불소 수지, 카르복실기 또는 에스테르기를 가지는 수지의 혼합물이여도 좋고, 불소 수지가 카르복실기 또는 에스테르기를 가지는 화합물에 의해 변성되어도 좋다. 불소 수지를 변성시키는 방법은, 특히 한정되지 않지만, 일 예에서는, 일본공개특허 제2002-304997호에 나타내는 바와 같이, 불소 수지에 대하여 방사선을 조사하여 불소원자를 이탈시켜 라디칼을 생성하고, 그 상태에서 불소 수지와, 카르복실기 또는 에스테르기를 가지는 화합물을 혼합시킴으로써, 카르복실기 또는 에스테르기를 가지는 화합물을 불소 수지에 그라프트 중합시키는 방법을 들 수 있다. 불소계 수지중에서의, 불소원자수에 대한 카르복실기 또는 에스테르기의 개수의 비의 값은, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0.1~5이고, 바람직하게는, 0.5~2이다. 상기 비의 값은, 구체적으로는 예를 들면 0.1, 0.2, 0.5, 1, 1.5, 2, 3, 4, 5이고, 여기에서 예시된 수치의 어느 2개 사이의 범위내여도 좋다. 카르복실기 또는 에스테르기를 가지는 단량체(또는 화합물)로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 또는 이것들의 에스테르(예: 메타크릴산 메틸)등을 들 수 있다.
본 발명의 수지층(5)의 두께는 0.3~20㎛인 것이 추천된다. 0.3㎛미만일 경우 이상(異常) 발열시에 충분히 저항이 낮아지지 않고, 셧 다운 기능이 발휘되지 않을 경우가 있다. 20㎛를 초과하면, 정상시의 저항이 높아지고, 하이레이트시의 성능이 저하될 경우가 있다. 수지층(5)의 두께는, 예를 들면, 0.3, 0.5, 1, 2, 5, 10, 15, 20㎛이고, 여기에서 예시된 수치의 어느 2개 사이의 범위내여도 좋다.
<도전성 입자>
본 발명의 수지층(5)은, 절연성이 높기 때문에, 전자 전도성을 부여하기 위하여 도전성 입자(11)를 배합하여야 한다 (도 3 및 도 4를 참조). 본 발명에서 채용되는 도전성 입자(11)로서는 공지된 탄소분말, 금속분말 등을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 탄소분말이 바람직하다. 탄소분말로서는 아세틸렌 블랙, 켓젠 블랙, 퍼니스 블랙, 카본 나노튜브, 각종 흑연입자 등을 사용할 수 있다.
도전성 입자(11)는, 수지층(5)내에 있어서, 각각의 입자가 서로 삽입되어 일체로 된 2차 응집물의 상태로 존재하고 있고 (도 3 및 도 4를 참조), 본 발명에서, 도전성 입자(11)의 평균 입경은, 0.5~25㎛인 것이 바람직하다. 0.5㎛미만일 경우 충분한 전지 성능을 얻을 수 없고, 25㎛를 초과하면 충분한 셧 다운 효과가 발휘되지 않을 경우가 있기 때문이다. 도전성 입자(11)의 평균 입경은, 예를 들면, EPMA(전자프로브 마이크로 애널라이저)나 FE-EPMA(전해 방사형 전자프로브 마이크로 애널라이저)를 이용한 원소 매핑에 의해 측정할 수 있다. 수지층 표면에서 불소의 매핑을 실시하면, 도전성 입자의 부분만 불소가 검출되지 않은 것으로부터, 불소가 검출되지 않은 부분의 직경을 측정함으로써, 도전성 입자(11)의 1차입자 또는 2차입자의 평균 입경을 측정할 수 있다. 불소가 검출되지 않은 부분이 원형이 아닐 때에는, 최대 직경과 최소 직경을 측정하여 평균한 것을 입경으로 한다. 도전성 입자의 평균 입경은, 구체적으로 예를 들면, 0.5, 1, 2, 5, 10, 15, 20, 25㎛이고, 여기에서 예시된 수치의 어느 2개 사이의 범위내여도 좋다.
또한, 본 발명에 있어서, 수지층(5)의 표면에 있어서의 도전성 입자(11)의 면적 점유율은 10~50%인 것이 추천된다. 10%미만일 경우 정상시에 저항이 충분히 낮아지지 않기 때문에, 하이 레이트에 있어서의 용량저하 등의 문제가 발생될 경우가 있다. 50%를 초과하면 온도 상승시에 셧 다운 기능이 발휘되지 않을 경우가 있다. 도전성 입자(11)의 면적 점유율은, 도 3의 평면도에 도시된 바와 같이, 수지층(5)을 그 표면측 (기재(3)의 반대측)으로부터 보았을 때에 도전성 입자(11)가 차지하는 면적 (검은 부분의 면적)의 비율을 나타내는 것이다.
도 4는, 수지층(5)내에 존재하는 도전성 입자(11)의 일 예를 제시하는 단면도이다. 수지층(5)내에는, 도전성 입자(11)가 다수 존재하고 있지만, 그 중 어느 정도의 비율을 차지하는 것이 수지층(5)의 두께보다도 큰 입경을 가지고 있기 때문에, 도 4에 도시된 바와 같이, 도전성 기재(3)에 접촉하고, 수지층(5)에 적당한 도전성을 부여하고 있다.
통상의 상태에서 도전성 입자(11)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 도전성 기재(3)에 접촉된다. 그렇지만, 고장이나 과충전 등에 의해 과도하게 온도가 상승될 경우에는, 수지층(5)의 불소계 수지가 온도에 의해 팽창된다. 도전성 입자(11)와 도전성 기재(3)는 밀착성이 낮기 때문에, 불소계 수지의 팽창에 의해 도전성 입자(11)는 도전성 기재(3)로부터 밀어 올려져 이탈된다 (도 5를 참조). 도전성 입자(11)가 도전성 기재(3)로부터 이탈됨에 따라 전류가 흐르기 어려워져, 완전히 전류가 흐르지 않게 되면, 셧 다운 기능이 발휘된다. 단지, 도전성 입자(11)내에는, 불소계 수지가 팽창하여도 기재에서 떨어지기 어려운 것도 존재하기 때문에, 도전성 입자(11)의 면적 점유율이 너무 높으면, 팽창후에도 수지층(5)의 전기저항이 충분히 높아지지 않고, 셧 다운 기능이 적절하게 발휘되지 않을 경우가 있다. 때문에, 도전성 입자(11)의 면적 점유율의 상한을 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 도전성 입자(11)의 면적 점유율이 너무 낮으면, 통상의 상태로에서, 수지층(5)의 전기저항이 충분히 낮아지지 않을 경우가 있다. 그리하여, 본 발명에서는, 통상의 상태에서 충분히 낮은 전기 저항치에 달성하고, 또한 셧 다운 기능을 적절하게 발휘시키기 위해, 도전성 입자(11)의 면적 점유율을 10~50%, 바람직하게는 20~40%로 규정하는 것이 추천된다.
도전성 입자(11)의 첨가량은, 특히 한정되지 않지만, 수지층(5)의 수지 성분 100질량부에 대하여 20~100질량부가 바람직하고, 25~70질량부가 더욱 바람직하고, 30~50질량부가 더욱 바람직하다. 20질량부 미만일 경우 수지층(5)의 체적 고유 저항이 높아지고, 집전체로서 필요한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있다. 100질량부를 초과하면 도전성 기재(3)와의 밀착성이 저하되고, 전지의 충방전에 의해 일어나는 활물질의 팽창 수축에 의해 활물질층이 집전체로부터 박리될 경우가 있기 때문이다.
본 발명의 도전성 입자의 분산 상태는 예를 들면 하기와 같은 분산 방법에 의해 실현된다. 종래, 도전재료의 분산은 미세하게 균일하게 분산되는 것을 주안 (主眼)으로서 실시하여 왔지만, 본 발명에서는 적당하게 응집된 분산 상태가 바람직하고, 이하에 그 방법을 설명한다. 분산기로서는 디스바(disper), 플로네터리 믹서, 볼밀 등을 사용할 수 있지만, 이하, 디스바를 이용할 경우에 대하여 설명한다.
본 발명의 도전성 입자의 분산 상태는 불소계 수지 용액중에 도전성 입자를 예비 분산시키고, 더욱 본분산(本分散)시킴으로써, 가능하다. 예비 분산에서는, 불소계 수지 용액에 수지 고형분 100질량부에 대하여, 도전성 입자를 30~120질량부를 첨가시키고, 회전수 1000~5000rpm에서 5~60분 교반하여 예비 분산 도료를 제조한다. 예비 분산에 있어서의 도전성 입자량이 30질량부보다 적으면 본분산후의 입경이 너무 작아질 경우가 있고, 120질량부보다 많으면 본분산후의 입경이 너무 커질 경우가 있다. 예비 분산의 회전수가 1000rpm보다 낮으면 본분산후의 입경이 너무 커질 경우가 있고, 5000rpm보다 높으면 본분산후의 입경이 너무 작아질 경우가 있다. 예비 분산의 교반 시간이 5분보다 짧으면 본분산후의 입경이 너무 커질 경우가 있고, 60분보다 길면 본분산후의 입경이 너무 작아질 경우가 있다.
그 후, 본분산에 있어서, 예비 분산 페이스트에 불소계 수지 용액을 첨가하고, 수지 고형분 100질량부에 대하여, 도전성 입자 20~100질량부로 한다. 본분산에서는 회전수 2000~7000rpm에서 10~120분 교반한다. 본분산의 회전수가 2000rpm보다 낮으면 입경이 너무 커질 경우가 있고, 7000rpm보다 높으면 입경이 너무 작아질 경우가 있다. 본분산의 교반 시간이 10분보다 짧으면 입경이 너무 커질 경우가 있고, 120분보다 길면 입경이 너무 작아질 경우가 있다.
또한, 도전성 입자(11)의 평균 입경에 대한 수지층(5)의 두께의 비(수지층 두께(㎛)/도전성 입자의 평균 입경(㎛))의 값은, 0.2~5가 바람직하고, 0.5~2가 더욱 바람직하고, 0.8~1.2가 더욱 바람직하다. 상기 값이 너무 크면 수지층(5)의 도전성이 불충분해지기 쉽고, 상기 값이 너무 작으면 충분한 셧 다운 효과가 발휘되지 않기 때문이다. 상기 값은, 구체적으로는 예를 들면, 0.2, 0.5, 0.8, 1, 1.2, 1.5, 2, 3, 4, 5이고, 여기에서 예시된 수치의 어느 2개 사이의 범위내여도 좋다.
본 발명에 있어서, 상기 수지층의 표면의 저항은, (1) 20℃에 있어서 1.0~10Ω인 동시에 220℃ 가열후에 있어서 200~600Ω이거나 및/또는 (2) 20℃에 있어서 1.8~9.7Ω인 동시에 180℃ 가열후에 있어서 209~532Ω인 것이 바람직하다. 이러한 저항차가 없으면, 셧 다운 기능과 하이 레이트 특성의 양쪽을 겸비할 수 없다. 한편, 표면의 저항은 공지된 측정 방법으로 측정할 수 있고, 예를 들면, 미쓰비시화학제 저항 측정기(Loresta)를 이용하여, 2단자법으로 측정할 수 있다. 여기에서, 가열후란, 집전체를 220℃ 또는 180℃에서 1시간 가열한 후, 실온하에서 온도가 안정되었을 때를 말한다. 본 발명의 저항의 측정은, 공지된 방법으로 측정할 수 있고, 예를 들면, 220℃ 또는 180℃에서의 저항을 측정할 경우에는, 220℃ 또는 180℃의 온도에 도달한 공기로에 측정 대상의 집전체를 넣고, 1시간 경과한 후에 로에서 꺼내고, 상기 집전체가 실온이 된 단계에서 측정한다. 집전체의 저항치의 변화는, 승온후 냉각되어도, 저항은 대부분 변화하지 않기 때문에, 본 발명에 있어서는, 상기와 같이 측정하는 것으로 한다.
본 발명의 집전체의 제조 방법은, 도전성 기재에 공지된 방법으로 수지층을 형성하면 되고, 특히 제한되는 것은 아니지만, 수지층을 형성하기 전에 도전성 기재에 대하여서는 밀착성이 향상되게 끔 전처리를 실시하는 것도 효과적이다. 특히 압연으로 제조된 금속호일을 채용할 경우, 압연유나 마모분(磨耗粉)이 잔류되어 있을 경우가 존재하여, 수지층과의 밀착성이 나빠질 경우가 있지만, 이 경우에는, 압연유나 마모분을 탈지 등에 의해 제거하는 것으로써, 수지층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 수지층을 형성하기전에 도전성 기재에 대하여 코로나 방전 처리와 같은 건식 활성화 처리를 하면 수지층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
수지층의 형성 방법은 특히 한정되지 않지만, 상기 방법으로 도전성 입자의 첨가량 및 평균 입경을 조정한 페이스트 등을 상기 도전성 기재위에 도공하고, 그 후에 도장을 하는 방법이 바람직하다. 도공방법으로서는 롤 코터, 그라비아 코터, 슬릿 다이 코터 등을 사용할 수 있지만, 특히 제한되는 것이 아니다. 도장온도는 도전성 기재의 도달 온도로서 90~130℃가 바람직하고, 도장시간은 5~120초가 바람직하다.
전극 구조체
본 발명의 집전체의 적어도 한면에 활물질층 또는 전극 재료층을 형성함으로써, 본 발명의 전극 구조체를 얻을 수 있다. 전극 재료층을 형성한 축전 부품용의 전극 구조체에 대하여서는 후술한다. 우선, 활물질층을 형성한 전극 구조체일 경우, 이 전극 구조체와 세퍼레이터, 비수전해질 용액 등을 이용하여 비수전해질 전지용, 예를 들면 리튬 이온 이차전지용의 전극 구조체(전지용 부품을 포함한다)를 제조할 수 있다. 본 발명의 비수전해질 전지용 전극 구조체 및 비수전해질 전지에 있어서 집전체 이외의 부재는, 공지된 비수전지용 부재를 이용할 수 있다.
여기에서, 본 발명에 있어서 전극 구조체로서 형성되는 활물질층은, 종래, 비수전해질 전지용으로서 제안되고 있는 것으로 좋다. 예를 들면, 정극으로서는 알루미늄을 채용한 본 발명의 집전체에, 활물질로서 LiCoO2, LiMnO2, LiNiO2 등을 이용하고, 도전성 입자로서 아세틸렌 블랙 등의 카본블랙을 이용하고, 이것들을 바인더인 PVDF나 물분산형 PTFE에 분산된 페이스트를 도공·건조시키는 것으로써, 본 발명의 정극 구조체를 얻을 수 있다.
부극의 전극 구조체로 할 경우에, 도전성 기재로서 구리를 채용한 본 발명의 집전체에 활물질로서 예를 들면 흑연, 그라파이트, 메소카본 마이크로 비드 등을 이용하고, 이것들을 증점제인 CMC에 분산시킨 후, 바인더인 SBR와 혼합한 페이스트를 활물질층 형성용재료로서 도공·건조시키는 것으로써, 본 발명의 부극 구조체를 얻을 수 있다.
비수전해질 전지
본 발명은 비수전해질 전지여도 좋다. 이 경우, 본 발명의 집전체를 사용하는 이외에는 특히 제한되는 것이 아니다. 예를 들면, 본 발명의 집전체를 구성 요소로 하는 상기 정극 구조체와 부극 구조체의 사이에 비수전해질을 가지는 비수전해질 전지용 전해액을 함침시킨 세퍼레이터로 끼움으로써, 본 발명의 비수전해질 전지를 구성할 수 있다. 비수전해질 및 세퍼레이터는 공지된 비수전해질 전지용으로서 이용되는 것을 사용할 수 있다. 전해액은 용매로서, 카보네이트류나 락톤류 등을 이용할 수 있고, 예를 들면, EC(에틸렌 카보네이트)와 EMC(에틸렌 메틸 카보네이트)의 혼합액에 전해질로서 LiPF6이나 LiBF4를 용해시킨 것을 이용할 수 있다. 세퍼레이터로서는 예를 들면 폴리올레핀으로 제조된 마이크로포러스를 가지는 막을 이용할 수 있다.
축전 부품(전기 이중층 커패시터, 리튬이온 커패시터 등)
일반적으로 전기 이중층 커패시터 등은 이차전지에 비하여 안전하지만, 하이 레이트 특성향상 등 목적에서 보면, 본 발명의 집전체를 적용할 수 있다. 본 발명의 전기 이중층 커패시터, 리튬이온 커패시터 등은, 본 발명의 집전체를 대전류 밀도에서의 고속 충방전이 필요한 전기 이중층 커패시터나 리튬이온 커패시터 등의 축전 부품에도 적응할 수 있다. 본 발명의 축전 부품용 전극 구조체는 본 발명의 집전체에 전극 재료층을 형성시킴으로써 얻어질 수 있고, 이 전극 구조체와 세퍼레이터, 전해액 등에 의해, 전기 이중층 커패시터나 리튬이온 커패시터 등의 축전 부품을 제조할 수 있다. 본 발명의 전극 구조체 및 축전 부품에 있어서 집전체이외의 부재는, 공지된 전기 이중층 커패시터용이나 리튬이온 커패시터용의 부재를 이용할 수 있다.
전극 재료층은 정극, 부극, 전극재, 도전성 입자, 바인더로 될 수 있다. 본 발명에 있어서는, 본 발명의 집전체의 적어도 한쪽에 상기 전극 재료층을 형성 하여 전극 구조체로 한 후, 축전 부품을 얻을 수 있다. 여기에서, 전극재료에는 종래, 전기 이중층 커패시터용, 리튬이온 커패시터용 전극재료로서 이용되는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 활성탄, 흑연 등의 탄소분말이나 탄소섬유를 이용할 수 있다. 도전성 입자로서는 아세틸렌 블랙 등의 카본블랙을 이용할 수 있다. 바인더로서는, 예를 들면, PVDF(폴리 불화 비닐리덴), SBR(스티렌 부타디엔 고무), 물분산형PTFE등을 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 축전 부품은, 본 발명의 전극 구조체에 세퍼레이터를 끼워 고정시키고, 세퍼레이터에 전해액을 침투시키는 것에 의해, 전기 이중층 커패시터나 리튬이온 커패시터를 구성할 수 있다. 세퍼레이터로서는 예를 들면 폴리올레핀으로 제조된 마이크로포러스를 가지는 막이나 전기 이중층 커패시터용 부직포 등을 이용할 수 있다. 전해액은 용매로서 예를 들면 카보네이트류나 락톤류를 이용할 수 있고, 전해질은 양 이온으로서는 테트라에틸암모늄염, 트리에틸 메틸 암모늄염 등, 음 이온으로서는 육불화 인산염, 사불화 붕산염 등을 이용할 수 있다. 리튬이온 커패시터는 리튬 이온 전지의 부극, 전기 이중층 커패시터의 정극을 조합시킨 것이다. 이것들의 제조 방법은 본 발명의 집전체를 이용하는 이외는, 공지된 방법에 따라 할 수 있고, 특히 제한되는 것이 아니다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 아래의 실시예에 제한되는 것이 아니다.
<집전체의 제작>
불소계 수지는 표 1에 나타내는 각종 수지를 NMP(N-메틸-2-피롤리돈)에 용해된 수지액에, 디스바를 이용하여, 표 1에 나타내는 조건으로 예비 분산 및 본분산을 실시하여, 도료로 하였다. 예비 분산에서의 도전성 입자의 첨가량은, 수지 고형분 100질량부에 대한 첨가량을 질량부로 기재하였다. 또한, 본분산에서는, 수지 고형분 100질량부에 대한 도전성 입자의 배합량이 표 1에 나타내는 값이 되게 수지액을 첨가한 후에, 교반했다. 아크릴수지는, 아크릴산 메틸/메타크릴산 에틸/아크릴 아미드를 10/10/80로 공중합시킨 수계 에멀션(emulsion) 도료를 이용했다. 이 도료를 두께가 20㎛인 알루미늄 호일(JIS A1085)의 양면에 표 1에 나타내는 조건으로 도장하여 집전체를 제작했다. 표 1의 온도는 모두 기재 도달 온도이다.
표 1의 수지 란에 있어서, PVDF는 폴리 불화 비닐리덴, M-PVDF는 아크릴산 변성 폴리 불화 비닐리덴을 의미한다. 도전성 입자의 종류 란에 있어서, AB는 아세틸렌 블랙, KB는 켓젠 블랙, FB는 퍼니스 블랙, AG는 토상 흑연(amorphous graphite)을 의미한다. 도전성 입자의 배합량은, 수지의 고형분 100질량부에 대한 값이다. 평균 입경 란은, 도전성 입자의 평균 입경을 의미한다.
<도전성 입자의 평균 입경>
도전성 입자의 평균 입경은, 수지층 표면을 FE-EPMA에서 불소의 매핑을 실시하고, 불소가 검출되지 않은 부분(아크릴수지에 대하여서는 산소가 검출되지 않은 부분)을 도전성 입자라고 판단하고, 10개의 입경(원이 아닌 경우에는 최대 직경과 최소 직경의 평균)을 측정하여 평균하여 산출했다.
<도전성 입자의 면적 점유율의 측정 방법>
도전성 입자의 면적 점유율은, 수지층 표면을 FE-EPMA에서 불소의 매핑을 실시하고, 불소가 검출되지 않은 부분(아크릴수지에 대하여서는 산소가 검출되지 않은 부분)을 도전성 입자라고 판단하고, 500㎛ 각에 있어서 도전성 입자가 차지하는 면적으로부터 산출했다.
<수지층의 두께 측정>
수지층의 두께는, 수지 총단면을 FE-SEM(전계방사형 주사 전자현미경)으로 관찰하고, 입경이 막 두께의 1/3을 초과하는 도전성 입자가 존재하지 않는 부분의 수지층의 두께를 측정했다.
<수지층의 전기저항>
20℃, 180℃, 220℃에서 있어서, 미쓰비시화학제 저항 측정기(Loresta)를 채용하고, 2단자법으로 측정했다. 20℃의 것은, 20℃로 유지된 실내에서 측정하고, 180℃, 220℃의 저항치의 측정은, 각각의 온도에 도달한 공기로(空氣爐)에 재치(載置)하여, 1시간 경과후, 상기 로에서 각각 꺼내어, 20℃의 실온하에서 온도가 안정된 상태에서 측정했다.
<용량 유지율>
(1) 전지의 제작
(정극) 상기 방법으로 제작된 수지층을 가지는 집전체에 활물질 페이스트(LiMn2O4/AB/PVDF=89.5/5/5.5, 용매NMP(N-메틸-2-피롤리돈))을 도포하여, 건조했다. 또한 프레스하여, 두께가 60㎛인 활물질층을 형성했다.
(부극) 두께가 10㎛인 동 호일에 활물질 페이스트(MCMB(메소카본 마이크로 비드)/AB/PVDF=93/2/5, 용제NMP)를 도포하여, 건조했다. 또한 프레스하여, 두께가 40㎛인 활물질층을 형성했다.
(원통형 리튬 이온 전지(φ8mm×축방향길이 5mm)의 제작)
상기 정극, 부극, 전해액 (1M LiPF6, EC(에틸렌 카보네이트)/MEC(메틸 에틸 카보네이트)=3/7), 세퍼레이터(두께가 25㎛, 미세공) 폴리에틸렌 필름)을 권회하여, 각 극에 리드를 용접하여 각 전극 단자에 접속하여, 케이스에 삽입했다.
(2) 용량 유지율 측정(하이 레이트 특성)
상기 전지를 이용하여, 0.25mA/cm2에서 4.2V까지 정전류 정전압 충전시킨 후, 0.25mA/cm2와 5mA/cm2에서 정전류 방전을 하고, 각각의 방전 용량으로부터 용량 유지율= (5mA/cm2의 방전 용량)/ (0.25mA/cm2의 방전 용량)을 산출했다. 용량 유지율이 0.8이상이면, 하이 레이트에서의 사용도 가능하다.
<과충전 시험>
상기 전지를 이용하여, 4.2V까지 충전 전압 1.5mA/cm2로 정전류 정전압 충전시킨 후, 만충전 상태의 전지에 대하여 더욱 250% 충전이 될 때까지 5A로 충전하여, 전지의 거동을 조사했다.
본 발명의 실시예는, 모두 과충전을 해도 전지에 이상이 없고, 과충전에 따르는 발열에 의해 수지층의 저항이 충분히 상승되고, 안전한 영역까지 전류가 저감되고 있다는 것을 알았다. 더욱이, 본 발명의 실시예는, 모두 용량 유지율이 높고, 하이 레이트여도 충분히 사용할 수 있다는 것을 알았다. 한편, 비교예1, 비교예3, 비교예4, 비교예7은, 전지로부터 발연(發煙)이 생겼다. 과충전으로 발열하여도 수지층의 저항이 충분히 저감되지 않기 때문에, 전해액의 분해 등이 발생하여 발연까지 되었다고 생각된다. 또한, 비교예2, 비교예5, 비교예6은, 높은 하이 레이트 특성이 요구되는 HEV등에는 적용될 수 없다.
1: 집전체
3: 도전성 기재
5: 수지층 (집전체용 수지층)
7: 전극 구조체
9: 활물질층 또는 전극 재료층
3: 도전성 기재
5: 수지층 (집전체용 수지층)
7: 전극 구조체
9: 활물질층 또는 전극 재료층
Claims (10)
- 도전성 기재의 적어도 한면에 수지층을 가지는 집전체에 있어서, 상기 수지층은, 불소계 수지와 도전성 입자를 포함하고, 또한 두께가 0.3~20㎛이고,
(1) 상기 도전성 입자의 평균 입경이 0.5~25㎛이고, 또한 상기 수지층의 표면에 있어서의 상기 도전성 입자의 면적 점유율이 10~50%이고,
(2) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.0~10Ω이고 또한 220℃ 가열후에 있어서의 저항이 200~600Ω이고,
(3) 상기 수지층의 표면의 20℃에 있어서의 저항이 1.8~9.7Ω이고 또한 180℃ 가열후에 있어서의 저항이 209~532Ω이고,
상기 (1)~ (3)중의 적어도 하나의 특징을 가지는 집전체. - 제1항에 있어서,
상기 (1)의 특징을 가지는 시합의 집전체. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (2)의 특징을 가지는 집전체. - 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서,
상기 (3)의 특징을 가지는 집전체. - 도전성 기재의 적어도 한면에 수지층을 가지는 집전체에 있어서, 상기 수지층은, 불소계 수지와, 평균 입경이 0.5~25㎛인 도전성 입자를 포함하고, 두께가 0.3~20㎛이고, 상기 수지층의 표면에 있어서의 상기 도전성 입자의 면적 점유율이 10~50%인 집전체.
- 제1항 내지 제5항의 어느 한 항에 있어서,
상기 불소계 수지는 카르복실기 또는 카르복시산 에스테르기를 가지는 집전체. - 제1항 내지 제6항의 어느 한 항에 있어서,
상기 불소계 수지는 폴리 불화 비닐리덴을 함유하는 집전체. - 제1항 내지 제7항의 어느 한 항에 기재된 집전체의 상기 수지층위에 활물질층 또는 전극 재료층을 구비하는 전극 구조체.
- 제1항 내지 제8항의 어느 한 항에 기재된 전극 구조체를 구비하는 비수전해질 전지 또는 축전 부품.
- 제9항에 기재된 전극 구조체를 구비하고, 또한 용량 유지율이 80%이상인 비수전해질 전지 또는 축전 부품.
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