KR20140137386A

KR20140137386A - 자기 검출 장치 및 지폐 식별 장치

Info

Publication number: KR20140137386A
Application number: KR20147026602A
Authority: KR
Inventors: 치타카 오치아이; 노리아키 오쿠다
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2012-04-04
Filing date: 2013-03-21
Publication date: 2014-12-02
Also published as: KR101614102B1; JP5930024B2; CN104169734B; CN104169734A; EP2835660B1; EP2835660A1; WO2013150896A1; EP2835660A4; JPWO2013150896A1

Abstract

높은 증폭률을 얻음과 동시에 오프셋 전압의 영향을 받지 않고 자기 검출을 실시할 수 있도록 한 자기 검출 장치 및, 그것을 포함한 지폐 식별 장치를 구성한다. 자기 검출 장치(101)는 자기 저항 소자(R1)를 포함하는 저항 분압 회로를 포함한 자기 센서(1)와, 자기 센서(1)의 출력 신호를 교류 증폭하는 교류 증폭 회로(20)와, 교류 증폭 회로(20)의 출력 신호를 적분하는 적분 회로(30)와, 교류 증폭 회로(20)의 출력 신호와 적분 회로(30)의 출력 신호를 차동 증폭하는 차동 증폭 회로(40)를 포함한다.

Description

자기 검출 장치 및 지폐 식별 장치{MAGNETIC SENSING DEVICE AND BILL VALIDATOR}

본 발명은 예를 들면 지폐 등의 매체가 포함하는 자기(磁氣) 패턴을 검출하는 자기 검출 장치 및 자기 검출 결과에 기초하여 지폐의 식별을 실시하는 지폐 식별 장치에 관한 것이다.

종래의 일반적인 자기 검출 장치는, 자기 저항 소자와 고정 저항 소자의 직렬 회로인 저항 분압 회로와, 이 저항 분압 회로의 출력 전압을 증폭하는 증폭 회로를 포함하고 있다. 이러한 자기 검출 장치에 있어서는 증폭 회로의 오프셋(offset) 전압의 영향을 어떻게 저감할지가 과제였다.

특허문헌 1에는, 자기 저항 소자와 고정 저항 소자의 직렬 회로인 저항 분압 회로의 출력 전압을 적분 처리함으로써 오프셋 성분 신호를 출력하는 적분 회로와, 저항 분압 회로의 출력 전압과 오프셋 성분 신호를 차동(差動) 증폭 처리하는 차동 증폭 회로를 포함한 자기 검출 장치가 제시되어 있다.

일본국 공개특허공보 2010-223862호

특허문헌 1에 제시되어 있는 자기 검출 장치에 있어서는, 증폭 회로의 오프셋 전압을 오프셋 성분 신호에 의해 캔슬함으로써 증폭 회로의 오프셋 전압의 영향을 저감하고 있지만, 회로 구성상, 높은 증폭률이 얻어지지 않는다. 그렇기 때문에, 미약한 자기 검출 신호를 다룰 경우에는 증폭 회로의 단수(段數)를 많이 할 필요가 있고, 전체의 회로 구성이 복잡화된다는 문제가 있었다.

본 발명은 상기의 문제를 감안하여, 높은 증폭률을 얻음과 동시에 오프셋 전압의 영향을 받지 않고 자기 검출을 실시할 수 있도록 한 자기 검출 장치 및, 그것을 포함한 지폐 식별 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명의 자기 검출 장치는, 자기 저항 소자를 포함하는 저항 분압 회로를 포함한 자기 센서와, 자기 센서의 출력 신호를 증폭하는 증폭 회로를 포함하고, 증폭 회로는, 자기 센서의 출력 신호를 교류 증폭하는 교류 증폭 회로와, 교류 증폭 회로의 출력 신호를 적분하는 적분 회로와, 교류 증폭 회로의 출력 신호와 적분 회로의 출력 신호를 차동 증폭하는 차동 증폭 회로를 포함한 것을 특징으로 한다.

이 구성에 의해, 증폭 회로의 오프셋 전압의 영향을 받지 않고, 미약한 자계(磁界) 변화를 검출할 수 있다. 또 그렇기 때문에, 식별 대상물에 마련되어 있는 자기 패턴 등을 보다 정확하게 검지할 수 있다.

본 발명의 지폐 식별 장치는, 상기 자기 검출 장치를 포함하고, 자기 검출 장치의 자기 검출 결과에 기초하여, 매체에 마련된 자기 패턴의 정보의 인식을 실시하는 신호 처리부를 포함한다.

이 구성에 의해, 지폐에 마련되어 있는 자기 패턴을 보다 정확하게 식별할 수 있다.

본 발명에 따르면, 증폭 회로의 오프셋 전압의 영향을 받지 않고 미약한 자계 변화를 검출할 수 있고, 식별 대상물에 마련되어 있는 자기 패턴을 보다 정확하게 검지할 수 있다. 또 지폐에 마련되어 있는 자기 패턴을 보다 정확하게 식별할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자기 검출 장치(101)의 회로도이다.
도 2(A)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)의 게인(gain)의 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 2(B)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)에서의 콘덴서(C21)의 용량값을 바꾸었을 때의 게인의 주파수 특성을 나타내는 도면이다.
도 3(A)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)에서의 교류 증폭 회로(20)에 대한 입력 신호의 파형도(波形圖)이다. 도 3(B)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)에서의 교류 증폭 회로(20) 및 적분 회로(30) 각각의 출력 신호의 파형도이다. 도 3(C)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)에서의 차동 증폭 회로(40)의 출력 신호의 파형도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 지폐 식별 장치(201)의 회로 구성도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 자기 검출 장치(102)의 회로도이다.
도 6(A)는 매체가 포함하는 자성 패턴의 예를 나타내는 평면도이며, 자성이 강할수록 농도를 높게 표시하고 있다. 도 6(B)는 도 6(A)에 나타낸 자성 패턴을 포함한 매체를 이동시켰을 때의 자기 검출 장치(102)의 출력 전압 파형도이다.
도 7은 비교예에 따른 자기 검출 장치의 회로도이다.
도 8은 비교예에 따른 자기 검출 장치의 출력 전압 파형도이다.

《제1 실시형태》

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자기 검출 장치(101)의 회로도이다. 자기 검출 장치(101)는 자기 센서(1), 교류 증폭 회로(20), 적분 회로(30) 및 차동 증폭 회로(40)를 포함하고 있다. 자기 센서(1)는 자기 저항 소자(R1)와 고정 저항 소자(R2)를 포함하고 있다. 자기 저항 소자(R1) 및 고정 저항 소자(R2)는 저항 분압 회로를 구성하고 있다. 자기 센서(1)에서는 자기 저항 소자(R1) 및 고정 저항 소자(R2)로 이루어지는 저항 분압 회로에 전원 전압(Vcc)이 입력되고, 분압 전압이 자기 센서(1)의 출력 신호로서 교류 증폭 회로(20)로 출력된다. 교류 증폭 회로(20)는 자기 센서(1)의 출력 신호를 소정의 게인으로 교류 증폭하여 적분 회로(30) 및 차동 증폭 회로(40)로 출력한다. 적분 회로(30)는 교류 증폭 회로(20)의 출력 신호를 소정 시 상수(time constant)로 적분하여 차동 증폭 회로(40)의 한쪽의 입력부로 출력한다. 차동 증폭 회로(40)는 교류 증폭 회로(20)의 출력 신호와 적분 회로(30)의 출력 신호를 소정 게인으로 차동 증폭한다. 차동 증폭 회로(40)의 출력이 자기 검출 장치(101)의 출력 신호이다.

교류 증폭 회로(20)는 연산 증폭기(operational amplifier)(OP21)를 포함하고 있다. 연산 증폭기(OP21)의 반전 입력 단자에는 콘덴서(C21) 및 저항(R21)을 통해서 자기 센서(1)의 출력 신호가 입력된다. 연산 증폭기(OP21)의 출력 단자와 반전 입력 단자 사이에는 콘덴서(C23) 및 저항(R23)의 병렬 회로가 접속되어 있다. 연산 증폭기(OP21)의 비(非)반전 입력 단자에는 저항(R22)을 통해서 기준 전압원(5)이 출력하는 기준 전압(Vr)이 입력된다. 한편, 연산 증폭기(OP21)의 전원 전압(Vcc)의 접속 라인과 그라운드 사이에는 바이패스(bypass) 콘덴서로서 콘덴서(C24)가 접속되어 있다.

적분 회로(30)는 연산 증폭기(OP31)를 포함하고 있다. 연산 증폭기(OP31)의 반전 입력 단자에는, 저항(R31)을 통해서 교류 증폭 회로(20)의 출력 신호가 입력된다. 연산 증폭기(OP31)의 출력 단자와 반전 입력 단자 사이에는 콘덴서(C33) 및 저항(R33)의 병렬 회로가 접속되어 있다. 연산 증폭기(OP31)의 비반전 입력 단자에는 기준 전압원(5)이 출력하는 기준 전압(Vr)이 입력된다. 저항(R33)은 피드백 저항이다.

한편, 이론상의 적분 회로는 도 1에 도시한 저항(R33)이 없는 회로이다. 즉, 저주파 대역에서는 게인이 무한이 된다. 그러나, 실용상은 연산 증폭기(OP31)의 저주파 대역에서의 게인에는 한계가 있기 때문에, 피드백 저항으로서 저항(R33)이 필요하게 된다. 저항(R33)의 저항치는 적절히 정하면 되는데, 연산 증폭기(OP31)의 오프셋 전압에 의한 영향도 있어서, 저항(R33)의 저항치를 크게 하면 연산 증폭기(OP31)의 다이나믹 레인지(dynamic range)를 초과하여 출력 신호가 포화된다. 그러므로, 콘덴서(C33)와 저항(R33)으로 구성되는 하이패스 필터의 컷오프(cutoff) 주파수와, 상술한 연산 증폭기(OP31)의 오프셋 전압을 고려하여 저항(R33)의 저항치를 정한다.

차동 증폭 회로(40)는 연산 증폭기(OP41)를 포함하고 있다. 연산 증폭기(OP41)의 반전 입력 단자에는 저항(R41)을 통해서 교류 증폭 회로(20)의 출력 신호가 입력된다. 연산 증폭기(OP41)의 출력 단자와 반전 입력 단자 사이에는 콘덴서(C43) 및 저항(R43)의 병렬 회로가 접속되어 있다. 연산 증폭기(OP41)의 비반전 입력 단자와 기준 전압원(5) 사이에는 저항(R42)이 접속되어 있다. 또 연산 증폭기(OP41)의 비반전 입력 단자와 적분 회로(30)의 출력부 사이에는 저항(R44)이 접속되어 있다.

도 1에 도시한 회로의 각 소자의 값 및 각 전압은 예를 들면 다음과 같다.

[교류 증폭 회로(20)]

저항(R21): 10kΩ

저항(R22): 10kΩ

저항(R23): 1MΩ

콘덴서(C21): 22μF

콘덴서(C23): 10pF

콘덴서(C24): 1μF

[적분 회로(30)]

저항(R31): 10kΩ

저항(R33): 100kΩ

콘덴서(C33): 22μF

[차동 증폭 회로(40)]

저항(R41): 10kΩ

저항(R42): 10kΩ

저항(R43): 10kΩ

저항(R44): 10kΩ

콘덴서(C43): 1nF

[전원 전압]

전원 전압(Vcc): 5V

기준 전압(Vr): 2V

도 2(A)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)의 게인의 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 도 2(B)는 나중에 말하듯이, 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)에서의 콘덴서(C21)의 용량값을 바꾸었을 때의 게인의 주파수 특성을 나타내는 도면이다. 특성곡선 A는 교류 증폭 회로(20)의 입출력간의 주파수 특성을 나타내고 있다. 특성곡선 I는 교류 증폭 회로(20)의 입력부(자기 센서(1)의 출력부)와 적분 회로(30)의 출력부 사이의 주파수 특성, 즉 교류 증폭 회로(20)와 적분 회로(30)의 합성 주파수 특성을 나타내고 있다. 특성곡선 D는 교류 증폭 회로(20)의 입력부(자기 센서(1)의 출력부)와 차동 증폭 회로(40)의 출력부 사이의 주파수 특성, 즉 교류 증폭 회로(20), 적분 회로(30) 및 차동 증폭 회로(40)의 합성 주파수 특성을 나타내고 있다.

교류 증폭 회로(20)의 게인은 저항(R21)의 저항치에 대한 저항(R23)의 저항치의 비로 정해진다. 도 2(A)에 나타나 있는 바와 같이 교류 증폭 회로(20)의 게인은 100배(40dB)이다. 교류 증폭 회로(20)는 대역 통과 특성을 가지고, 저역측(抵域側)의 코너 주파수(하이패스 필터의 컷오프 주파수)는 콘덴서(C21)의 용량값 및 저항(R21)의 저항치의 곱(시 상수)에 의해 정해진다. 고역측의 코너 주파수(로우패스 필터의 컷오프 주파수)는 콘덴서(C23)의 용량값 및 저항(R23)의 저항치의 곱(시 상수)으로 정해진다.

적분 회로(30)의 게인은 저항(R31)의 저항치에 대한 저항(R33)의 저항치의 비로 정해진다. 도 2(A)에 나타나 있는 바와 같이 적분 회로(30)의 게인은 10배(20dB)이다. 적분 회로(30)는 저역 통과 특성을 나타내고, 코너 주파수(컷오프 주파수)는 콘덴서(C33)의 용량값 및 저항(R33)의 용량값의 곱(시 상수)에 의해 정해진다.

차동 증폭 회로(40)는 교류 증폭 회로(20)의 출력 신호와 적분 회로(30)의 출력 신호를 차동 증폭하는데, 그 게인은 저항(R41)의 저항치에 대한 저항(R43)의 저항치의 비로 정해진다. 한편, 콘덴서(C43)는 고주파 노이즈 제거용으로 마련되어 있다.

도 2(A)에 나타낸 예에서는 저항(R21)의 저항치=저항(R31)의 저항치=10kΩ, 콘덴서(C21)의 용량값=콘덴서(C33)의 용량값=22μF이므로, 교류 증폭 회로(20)의 저역측의 코너 주파수를 결정하는 시 상수와 적분 회로(30)의 코너 주파수를 결정하는 시 상수가 일치하고 있다. 그렇기 때문에, 자기 검출 장치(101) 전체의 주파수 특성은 특성곡선 D로 나타내듯이, 0.1Hz~10kHz의 광대역에서 평탄한 특성이 얻어지고 있다.

도 2(B)에 나타낸 예에서는 저항(R21)의 저항치=저항(R31)의 저항치=10kΩ, 콘덴서(C21)의 용량값=2.2μF, 콘덴서(C23)의 용량값=22μF로 하고 있다. 따라서, 교류 증폭 회로(20)의 저역측의 코너 주파수와 적분 회로(30)의 코너 주파수가 일치하지 않고, 자기 검출 장치(101) 전체의 주파수 특성은 특성곡선 D로 나타내듯이 파도가 생기고 있다. 나중에 말하듯이, 교류 증폭 회로(20)의 저역측의 코너 주파수와 적분 회로(30)의 코너 주파수가 일치하고 있음으로 인해, 적분 회로(30)의 출력 전압은 교류 증폭 회로(20)에서 생기는 오프셋 전압에 일치한다. 그렇기 때문에, 차동 증폭 회로(40)에서 교류 증폭 회로(20)의 출력 전압과 적분 회로(30)의 출력 전압의 차동 전압을 증폭함으로써 오프셋 전압이 없는 자기 검출 신호가 얻어진다.

도 3(A)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)에서의 교류 증폭 회로(20)에 대한 입력 신호의 파형도이다. 도 3(B)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)에서의 교류 증폭 회로(20) 및 적분 회로(30) 각각의 출력 신호의 파형도이다. 도 3(C)는 도 1에 도시한 자기 검출 장치(101)에서의 차동 증폭 회로(40)의 출력 신호의 파형도이다.

도 3(A)의 예에서 교류 증폭 회로(20)에 대한 입력 신호는 2V-2.002V의 직사각형파이다. 도 3(B)에 있어서, 파형 A는 교류 증폭 회로(20)의 출력 전압 파형이며, 파형 I는 적분 회로(30)의 출력 전압 파형이다. 교류 증폭 회로(20)의 출력 전압 파형인 파형 A는, 초기에는 2V-1.8V의 직사각형파(중심 전압은 1.9V)이지만, 입력부에 마련된 콘덴서(C21)의 영향에 의해 중심 전압은 점차 높아진다. 즉 콘덴서(C21)의 충전 전압은 0V에서 시작하여 점차 충전된다. 따라서, 교류 증폭 회로(20)의 출력 전압 파형인 파형 A의 중심 전압은 콘덴서(C21)의 충전이 진행됨에 따라 높아지고, 연산 증폭기(OP21)의 반전 입력 단자의 전압은 기준 전압(Vr)(2V)으로 점점 가까워진다. 즉, 교류 증폭 회로(20)의 출력 전압에 중첩되는 오프셋 전압은 0.1V에서 점차 0V가 된다.

한편, 적분 회로(30)의 출력 전압 파형인 파형 I는 기준 전압(Vr)(2V)을 중심으로 하여 교류 증폭 회로(20)의 출력 전압을 적분한 것이다. 그렇기 때문에, 적분 회로(30)의 출력 전압 파형 I는 교류 증폭 회로(20)의 출력 전압에 중첩되는 오프셋 전압에 상당하는 전압을 나타내는 파형이 된다. 즉, 2V에서 시작하여, 점차 2.1V로 점점 가까워진다.

차동 증폭 회로(40)는 교류 증폭 회로(20)의 출력 신호와 적분 회로(30)의 출력 신호를 소정 게인으로 차동 증폭하므로, 차동 증폭 회로(40)의 출력 신호의 파형은 도 3(C)에 나타내는 바와 같이, 2V-2.2V의 직사각형파가 된다. 즉, 콘덴서(C21)의 충전 전압의 변화에 의해 생기는 오프셋 전압이 상쇄되어서, 항상 안정된 자기 검출 신호가 얻어진다.

가령, 도 1에 도시한 교류 증폭 회로(20)의 입력부의 콘덴서(C21)를 제거하여 직류 증폭 회로를 구성하고, 이 직류 증폭 회로만으로 자기 검출 장치의 증폭 회로를 구성하면, 콘덴서에 의한 오프셋 전압은 생기지 않지만, 자기 센서(1)의 출력 전압은 직류 전압의 바이어스(bias)가 걸려 있으므로, 연산 증폭기에 의한 증폭 회로의 다이나믹 레인지를 초과하지 않는 범위에서 동작시키기 때문에, 높은 게인을 얻을 수 없다. 또 온도 드리프트(temperature drift)까지 그대로 증폭되므로 양호한 온도 특성은 얻어지지 않는다.

《제2 실시형태》

도 4는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 지폐 식별 장치(201)의 회로 구성도이다. 지폐 식별 장치(201)는 자기 검출 장치(101A), AD변환기(31) 및 신호 처리부 (32)를 포함하고 있다. 자기 검출 장치(101A)는 열(列)형상으로 배열된 복수의 자기 센서(미도시)를 포함하고 있고, 지폐 식별 장치(201)는 각 자기 센서의 출력을 증폭하여 자기 검출 결과를 출력한다. 자기 검출 장치(101A)는 제1 실시형태에서 제시한 자기 검출 장치(101)를 복수 그룹 포함한 것이다. AD변환기(31)는 자기 검출 장치(101A)의 출력 신호를 디지털 데이터로 변환하고, 신호 처리부(32)는 이 디지털 데이터를 시계열(時系列)로 순차 읽어내어, 매체에 마련된 자기 패턴 정보의 인식을 실시한다.

한편, 복수의 자기 검출 장치에서 AD변환기를 공용하기 위해서, 하나의 AD변환기의 입력부에 멀티플렉서를 마련하고, 각 자기 검출 장치의 출력을 멀티플렉서를 통해서 시분할로 AD변환기에 입력하도록 해도 된다.

이러한 신호 처리에 의해, 자기 잉크 등에 의한 자기 패턴이 마련된 매체가 반송될 때에 생기는 검출 신호의 특유 변화 패턴을 검지하여 지폐의 종별(種別)의 판정 및 진위 감별을 실시한다.

《제3 실시형태》

도 5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 자기 검출 장치(102)의 회로도이다. 자기 검출 장치(102)는 자기 센서(1), 교류 증폭 회로(20A, 20B), 적분 회로(30A, 30B) 및 차동 증폭 회로(40A, 40B)를 포함하고 있다. 자기 검출 장치(102)는 제1 실시형태의 자기 검출 장치(101)의 회로 구성을 2단으로 접속한 것이다. 단, 2단째의 교류 증폭 회로(20B)의 저항(R23)의 저항치는 330kΩ이며, 교류 증폭 회로(20B)의 게인을 33배로 하고 있다. 또 2단째의 차동 증폭 회로(40)B의 저항(R43)의 저항치는 22kΩ이며, 차동 증폭 회로(40B)의 게인을 2.2배로 하고 있다. 한편, 2단째의 차동 증폭 회로(40B)에 있어서, 저항(R42)의 저항치는 22kΩ, 저항(R44)의 저항치는 33kΩ, 콘덴서(C43)의 용량값은 470pF로 하고 있다. 또 2단째의 차동 증폭 회로(40B)에 있어서, 연산 증폭기(OP41)의 반전 입력 단자에 저항(R45)을 통해서 중간 전압(Vo)(2.5 V)이 인가되도록 구성되어 있다.

도 6 (A)는 매체가 포함하는 자성 패턴의 예를 나타내는 평면도이며, 자성이 강할수록 농도를 높게 나타내고 있다. 도 6(B)는 도 6(A)에 나타낸 자성 패턴을 포함한 매체를 이동시켰을 때의 자기 검출 장치(102)의 출력 전압 파형도이다. 도 6(B)에 있어서, 시간 30ms, 50~60ms, 80ms에 생기고 있는 펄스는, 자성 패턴의 선단(先端), 중앙 및 후단에 있는 자성 잉크의 농도 변화가 급준(急峻)한 부분에 대응하는 것이다.

이렇게, 자성 패턴의 자성(자기량)에 따른 전압 신호로서 출력할 수 있다.

여기서, 비교예로서 종래 기술에 따른 자기 검출 장치를 준비한다. 회로도와 파형도를 나타낸다. 도 7은 비교예에 따른 자기 검출 장치의 회로도이다. 도 7에 도시하는 바와 같이 비교예에 따른 자기 검출 장치는 제1 실시형태에 따른 자기 검출 장치(101)가 포함하는 자기 센서(1)와 교류 증폭 회로(20)만으로 구성되어 있다. 도 8은 비교예에 따른 자기 검출 장치의 출력 전압 파형도이다. 구체적으로 도 8은, 도 6(A)에 나타낸 자성 패턴의 예와 동일한 자성 패턴을 포함하는 매체를 이동시켰을 때의 비교예에 따른 자기 검출 장치의 출력 전압 파형도이다.

이렇게, 자기 센서(1)와 교류 증폭 회로(20)만으로 자기 검출 장치를 구성한 경우, 도 8에 오른쪽으로 올라가는 화살표로 나타내듯이, 콘덴서(C21)의 충전에 따른 오프셋 전압의 변동이 생긴다. 이것과 비교하여, 본 발명에 따르면 도 6(B)에 나타내고 있는 바와 같이, 오프셋 전압의 영향이 없는 항상 안정된 자기 검출 신호가 얻어진다.

한편, 도 1 등에 도시한 예에서는 자기 센서(1)의 하이 사이드(high side)에 자기 저항 소자(R1)를 마련하고, 로우 사이드(low side)에 고정 저항 소자(R2)를 마련했지만, 반대로, 하이 사이드에 고정 저항 소자를 마련하고, 로우 사이드에 자기 저항 소자를 마련해도 된다. 또 고정 저항 소자는 단순한 저항체여도 되지만, 자기 변화에 대한 저항치 변화가 작은 자기 저항 소자를 고정 저항 소자로서 이용하면, 자기 센서의 온도 의존성을 대부분 없앨 수 있다.

OP21, OP31, OP41… 연산 증폭기
R1… 자기 저항 소자
R2… 고정 저항 소자
1… 자기 센서
5… 기준 전압원
20, 20A, 20B… 교류 증폭 회로
30, 30A, 30B… 적분 회로
31… AD변환기
32… 신호 처리부
40, 40A, 40B… 차동 증폭 회로
101, 101A, 102… 자기 검출 장치
201… 지폐 식별 장치

Claims

자기(磁氣) 저항 소자를 포함하는 저항 분압 회로를 포함한 자기 센서와, 상기 자기 센서의 출력 신호를 증폭하는 증폭 회로를 포함한 자기 검출 장치에 있어서,
상기 증폭 회로는, 상기 자기 센서의 출력 신호를 교류 증폭하는 교류 증폭 회로와, 상기 교류 증폭 회로의 출력 신호를 적분하는 적분 회로와, 상기 교류 증폭 회로의 출력 신호와 상기 적분 회로의 출력 신호를 차동(差動) 증폭하는 차동 증폭 회로를 포함한 것을 특징으로 하는 자기 검출 장치.
제1항에 기재된 자기 검출 장치를 포함한 지폐 식별 장치로서,
상기 자기 검출 장치의 자기 검출 결과에 기초하여, 매체에 마련된 자기 패턴 정보의 인식을 실시하는 신호 처리부를 포함한 것을 특징으로 하는 지폐 식별 장치.